CN101454974A - 声界面波装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种层叠第1～第4介质，在第1、第2介质间配置电极，延迟时间温度系数的绝对值小，温度特性良好的声界面波装置。一种声界面波装置(1)，按第1介质～第4介质的顺序层叠第1～第4介质(11～14)，在第1介质(11)和第2介质(12)之间的界面上配置包含IDT电极(16)的电极，在层叠第4介质(14)/第2介质(12)/电极/第1介质11构成的结构中声界面波的延迟时间温度系数TCD为正值，第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，第1介质(11)具有负的音速温度系数TCV，第3介质(13)的横波音速慢于第4介质(14)及/或第2介质(12)的横波音速。

Description

声界面波装置
技术领域
本发明涉及一种用作例如谐振器或滤波器的声界面波装置，更详细地说，涉及具有在第1、第2介质间配置电极、在第2介质上再层叠第3介质及第4介质的结构的声界面波装置。
背景技术
近年来，作为谐振器或带通滤波器，为了可谋求封装结构的简化，关注声界面波装置。
在下述的专利文献1中，公开机电耦合系数大、传输损失及能流角(power flow angle)小、频率温度系数TCF在适度范围内的声界面波装置。这里，在由压电基板构成的第1介质和由SiO2膜构成的第2介质的界面上形成IDT电极。而且，记载通过调整用作压电基板的压电单晶体的取向、构成IDT电极的材料、膜厚及电极指节距(finger pitch)，可调整机电耦合系数或温度特性的内容。
另外，在下述的专利文献2中，公开图12中示意性表示的声界面波装置101。在声界面波装置101中，在由Y截止X传输的LiNbO3基板构成的第1介质111和由SiO2膜构成的第2介质112的界面上配置有IDT电极115。而且，在第2介质112上按第3介质、第4介质的顺序层叠由多晶Si层构成的第3介质113和由SiO2膜构成的第4介质114。
这里，设定为可通过层叠第2介质～第4介质112～114，进行频率调整。即，在膜厚H1的第1介质、膜厚H2的第2介质112之间形成电极115，再层叠膜厚H3的第3介质113，得到层叠体。在该层叠体阶段进行频率调整。而且，在第3介质113上层叠膜厚H4的第4介质114。在这样得到的声界面波装置101中，界面波的能量如图12的右侧所示。即，由于在第4介质中界面波的能量只分布一小部分，所以若在上述层叠体阶段进行频率调整，明显减小频率差异，则即便形成第4介质114，也可减小频率差异。
专利文献1：WO2004-070946
专利文献2：WO2005-093949
在专利文献1中记载的声界面波装置中，若确定构成压电基板的压电单晶体的基板取向、IDT电极的结构，则自然确定了频率温度系数TCF或延迟时间温度系数TCD。因此，难以得到具有期望的温度特性的声界面波装置。
另外，在专利文献2中记载的声界面波装置中，如上所述，通过层叠第2介质～第4介质，在制造阶段可容易地进行频率调整，可提供频率偏差少的声界面波装置。可是，如专利文献2的图10中频率温度系数TCF所示那样，担心因层叠由上述多晶Si层构成的第3介质层，频率温度系数TCF恶化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种鉴于上述现有技术的现状，在层叠多个介质构成的声界面波装置中，温度引起的特性变化小的声界面波装置。
根据本申请的第1发明，提供一种按第1介质～第4介质的顺序层叠该第1介质～第4介质、在第1介质和第2介质之间的界面上配置电极的声界面波装置，在层叠所述第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中，声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为正值，所述第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，所述第1介质具有负的音速温度系数TCV，所述第3介质的横波音速慢于所述第4介质及/或第2介质的横波音速。
在本发明的某个特定方面，第1介质由压电基板构成，第2介质由氧化硅膜构成，第3介质由氧化钽膜或氧化锌膜构成，第4介质由氧化硅膜构成。这时，在由氧化硅膜构成的第2、第4介质之间，配置由横波音速慢于氧化硅膜的氧化钽膜或氧化锌膜构成的第3介质。因此，根据本发明，由于配置横波音速慢于第4、第2介质的横波音速的第3介质，所以可确实地提供延迟时间温度系数TCD的绝对值小的、温度特性良好的声界面波装置。
根据本申请的第2发明，提供一种按第1介质～第4介质的顺序层叠该第1介质～第4介质、在第1介质和第2介质之间的界面上配置电极的声界面波装置，在层叠所述第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中，声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为负值，所述第4或第2介质具有负的音速温度系数TCV，所述第1介质具有正的音速温度系数TCV，所述第3介质的横波音速慢于所述第4介质及/或第2介质的横波音速。
根据本申请的第3发明，提供一种按第1介质～第4介质的顺序层叠该第1介质～第4介质、在第1介质和第2介质之间的界面上配置电极的声界面波装置，在层叠所述第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中，声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为正值，所述第4或第2介质具有负的音速温度系数TCV，所述第1介质具有正的音速温度系数TCV，所述第3介质的横波音速快于所述第4介质及/或第2介质的横波音速。
根据本申请的第4发明，提供一种在按第1介质～第4介质的顺序层叠第1介质～第4介质、在第1介质和第2介质之间的界面上配置电极的声界面波装置，在层叠所述第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中，声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为负值，所述第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，所述第1介质具有负的音速温度系数TCV，所述第3介质的横波音速快于所述第4介质及/或第2介质的横波音速。
并且，在第4发明中，优选是所述第1介质由压电基板构成，所述第2介质和第4介质由氧化硅膜构成，所述第3介质由硅膜或氮化硅膜构成。这时，在由氧化硅膜构成的第2、第4介质之间，配置由横波音速快于氧化硅膜的硅膜或氮化硅膜构成的第3介质。因此，根据本发明，由于配置横波音速快于第4、第2介质的横波音速的第3介质，所以可确实地提供延迟时间温度系数TCD的绝对值小的、温度特征良好的声界面波装置。
在本发明(第1～第4发明)中，优选作为电极，至少形成1个IDT电极。即，可至少利用1个IDT电极，高效地激振声界面波，根据本发明，可提供一种利用声界面波、延迟时间温度特性良好的声界面波装置。
发明效果
在本发明(第1、第2发明)的声界面波装置中，由于在按第1～第4介质的顺序层叠该第1～第4介质、在第1、第2介质间的界面上配置电极的结构中，由于第3介质的横波音速慢于第4介质及/或第2介质的横波音速，所以可减小延迟时间温度特征TCD的绝对值，可提供具有良好温度特性的声界面波装置。这考虑如下理由。振动能量具有易集中在音速低的介质侧的倾向。因此，在第3介质中的横波音速慢于第4介质及/或第2介质的横波音速时，在第3介质中，由于横波的振动能量分布较强，因此认为至第2、第4介质的横波振动能量的分布也变强，可减小声界面波的延迟时间温度系数TCD。并且，在第3、第4发明中，得到相反通过使第3介质的横波音速加快，可减小至第2、第4介质的横波能量分布的效果。
因此，根据本发明，可确实且容易地提供温度引起的特性变化小的声界面波装置。
附图说明
图1(a)及图1(b)是用于说明本发明一实施方式的声界面波装置的简图的正面截面图及表示电极结构的示意性平面图。
图2是用于说明在实施方式的声界面波装置中各介质层中的振动能量分布状态的示意图。
图3是表示使由Ta2O5构成的第3介质的膜厚变化时的声界面波的音速变化的图。
图4是表示使由Ta2O5构成的第3介质的膜厚变化时的声界面波的分离反射指标κ12的变化的图。
图5是表示使由Ta2O5构成的第3介质的膜厚变化时的声界面波的延迟时间温度系数TCD的变化的图。
图6是表示使由Ta2O5构成的第3介质的膜厚变化时的声界面波的机电耦合系数K2的变化的图。
图7是示意性表示构成第3介质的Ta2O5厚度为0.03λ时的实施方式的声界面波装置的振动能量分布的图。
图8是示意性表示构成第3介质的Ta2O5厚度为0.20λ时的实施方式的声界面波装置的振动能量分布的图。
图9是表示由Ta2O5构成的第3介质的厚度为0.02λ及0.05λ时，在未层叠第3介质的结构中的频率温度系数TCF的图。
图10是表示由Ta2O5构成的第3介质的厚度为0.02λ及0.05λ时，在未层叠第3介质的结构中的谐振器的带宽率的图。
图11是表示作为第3介质的Ta2O5的厚度为0.02λ及0.05λ及未层叠第3介质的各声界面波装置的阻抗及相位频率特性的图。
图12是用于说明现有声界面波装置之一实例的示意性正面截面图。
符号说明
1、声界面波装置
11、第1介质
12、第2介质
13、第3介质
14、第4介质
15、层叠体
16、IDT电极
17、18、反射器
具体实施方式
下面，通过参照附图说明本发明的具体实施方式，使本发明变得清楚。
图1(a)及(b)是本发明一实施方式的声界面波装置的示意性正面截面图及表示电极结构的示意性平面图。
声界面波装置1具有按第1介质～第4介质14的顺序层叠第1介质11～第4介质14的层叠体15。而且，在第1介质11和第2介质12的界面上形成图1(b)示出的电极结构。即，作为上述电极结构，具有IDT电极16、和设置在IDT电极16的声界面波传输方向外侧的反射器17、18。
在本实施方式中，第1介质11由15°的Y截止X传输的LiNbO3基板构成。另外，第1介质11也可使用其他晶体取向的LiNbO3基板、或LiTaO3基板等其他压电单晶体基板构成。第1介质11也可由其他压电材料、例如压电陶瓷构成，并且，也可由在绝缘性材料上层叠压电薄膜的结构构成。
并且，第2介质12在本实施方式中由作为氧化硅膜的SiO2膜形成。在本实施方式中，第3介质13由作为氧化钽膜的Ta2O5构成。并且，第4介质14由作为氧化硅膜的SiO2膜构成。
由Ta2O5膜构成的第3介质中的横波音速为1580m/秒。另外，由SiO2构成的第2、第4介质中的横波音速为3757m/秒。即，第3介质13中的横波音速慢于第2、第4介质12、14中的横波音速。并且，由于ZnO也是横波音速2826m/秒，所以可利用为第3介质。
另外，在层叠了上述第4介质14/第2介质12/IDT电极16/第1介质11的层叠结构中，声界面波的延迟时间温度系数TCD为正值。另外，延迟时间温度系数TCD是与装置的性能指标直接联系的声波的传输性能指标，在与成为装置性能指标的频率温度系数TCF之间，具有TCF＝-TCD的关系。
并且，在本实施方式中，第3介质13中的横波音速慢于第2介质12中的横波音速及第4介质14中的横波音速，但第3介质13中的横波音速只要慢于第2介质12中的横波音速或第4介质14中的横波音速至少一方即可。
并且，由SiO2构成的第2、第4介质中，音速温度系数TCV为正值。所谓音速温度系数TCV，指除去线膨胀系数影响后的声波的传输性能指标，表示基于除去线膨胀系数影响后的音速的温度的变化倾向。
另外，构成第1介质11的LiNbO3基板的音速温度系数TCV为负值。
在本实施方式中，IDT电极16及反射器17、18由在Au膜上层叠A1层的层叠金属膜构成，IDT电极的占空比为0.6。
在本实施方式的声界面波装置1中，由于构成第3介质13的Ta2O5的横波音速慢于第2、第4介质12、14中的横波音速，所以横波能量集中在第3介质中。因此，可减小在第1、第2介质11、12的界面传输的声界面波的延迟时间温度系数TCD的绝对值，可得到良好的温度特性。将其与现有的声界面波装置对比，并更具体地说明。
就除了不具有第3及第4介质13、14以外，其他与上述实施方式的声界面波装置1同样构成的现有声界面波装置而言，以下述表1中示出的条件构成IDT电极、反射器及第1、第2介质。就该现有声界面波装置而言，扩展了“周期结构压电性导波路径的有限要素法解析”(电子通信学会论文杂志Vol.J68-C No1.1985/1，第21页～第27页)中提出的有限要素法，在半波长区间配置1条带(strip)，求出在电气断路的带与短路的带的阻止区域的上端和下端的音速。界面波的振动能量在IDT电极的上方1λ之前的部分和下方1λ之前的部分集中大半的能量。因此，设沿IDT电极的上下方向8λ厚度的部分为解析区域，在声上固定解析区域的表面与背面的界面条件。
下面，根据“基于模式耦合理论的声表面波交叉指型电极的激励特性评价”(电子信息通信学会技术报告、MW90-62，1990，第69页～第74页)中提议的方法，求出表示带中的界面波的反射量的κ12/k0和机电耦合系数K2。另外，由于与利用“周期结构压电性导波路径的有限要素法解析”处理后的结构相比，作为上述现有例准备的声界面波装置中的音速的频率分散较大，所以考虑频率分散的影响来求出κ12/k0。
并且，根据15℃、25℃及35℃中的短路带的阻止区域下端的相位速率V15℃、V25℃、V35℃，利用下述的式(1)求出延迟时间温度系数TCD。
TCD＝αs-(V35℃-V15℃)/V25℃(35-15)         (1)
另外，在式(1)中，αs是界面波传输方向的LiNbO3基板的线膨胀系数。
[表1]
 
现有结构例 SiO2/IDT/15°Y-XLN
IDT(Al/Au) 厚度0.050/0.035λ、占空比0.6
第2介质(SiO2) 厚度8λ、横波音速3757m/秒、TCV正
第1介质(15°Y-XLiNbO3) 厚度8λ、TCV负
在下述表(2)中示出从上述计算求出的现有声界面波装置的特性。
[表2]
 
项目 传输特性
音速V25℃ 3495m/秒
 
TCD 26.8ppm/℃
K2 17.4％
κ12/k0 0.096
另外，在下述表(3)中归纳表示上述实施方式的声界面波装置的IDT电极16及第1～第4介质11～14的结构。而且，就如下述表(3)设定的上述实施方式的声界面波装置而言，与上述现有的声界面波装置相同，计算传输特性。在表4中示出结果。
[表3]
 
实施方式 SiO2/Ta2O5/SiO2/IDT/15°Y-XLN
IDT(Al/Au) 厚度0.050/0.035λ、占空比0.6
第4介质(SiO2) 厚度8λ、横波音速3757m/秒、TCV正
第3介质(Ta2O5) 厚度0.03λ、横波音速1580m/秒
第2介质(SiO2) 厚度0.2λ、横波音速3757m/秒、TCV正
第1介质(15°Y-XLiNbO3) 厚度8λ、TCV负
[表4]
 
项目 传输特性
音速V25℃ 3332m/秒
TCD 18.7ppm/℃
K2 15.1％
K12/k0 0.091
比较表2和表4可知，根据本实施方式的声界面波装置，可知延迟时间温度系数优化为18.7ppm/℃。即，尽管音速、机电耦合系数K2及κ12/k0变化若干，但这些变化是在实用上可充分允许的范围内的变化，另外可知延迟时间温度系数TCD如上述那样大幅度地优化。
在本实施方式中，认为延迟时间温度系数TCD的绝对值变小，优化的理由如下所述。
声界面波的延迟时间温度系数TCD根据形成界面的多个介质整体的线膨胀系数αs与各介质中的音速温度系数TCV的平衡来确定。例如，在声界面波的延迟时间温度系数TCD为正值时，若增强横波的音速温度系数TCV为正的材料中的界面波的振动能量分布，则界面波的延迟时间温度系数TCD变小。声界面波的振动能量易集中在低音速的介质中。因此，在想使声界面波的振动能量集中在2个层之一方的层时，只要使用低音速的材料作为该一方的层即可。并且，如果将1个介质分离成2个层，在分离出的2个层间插入相对低的音速的介质，则将振动能量集中在该低音速的介质中，由此，至所述分离出的2个层的振动能量分布增强。
在表1示出的现有声界面波装置中，延迟时间温度系数TCD为正值。因此，认为如果可提高音速温度系数TCV为正的SiO2层侧的振动能量，则可改善延迟时间温度系数TCD。因此，在上述实施方式中，如表3所示，在构成第2、第4介质的SiO2膜间，配置横波音速相对为低速的Ta2O5作为第3介质。因此，可提高音速温度系数TCV为正的、由SiO2构成的第2介质12和第4介质14中的界面波的振动能量。
图2是表示上述实施方式的情况和与上述实施方式不同、未配置由Ta2O5构成的第3介质的现有情况的声界面波的位移分布的示意图。实线表示上述实施方式的情况，虚线表示现有情况。从图2可知，通过配置由Ta2O5构成的第3介质13，可大幅度地提高第2介质12和第4介质14中的声界面波的振动能量。
图3～图6是表示第3介质13的厚度和声界面波传输特性的关系的图。具体地说，图3是表示使第3介质13的膜厚变化时的音速的变化的图，图4是表示带反射指标的变化的图，图5是表示延迟时间温度系数TCD的变化的图，图6是表示机电耦合系数K2(％)的变化的图。
并且，图7是表示由厚度为0.03λ的Ta2O5构成的第3介质中的振动能量的分布的示意图，图8是表示由厚度为0.20λ的Ta2O5构成的第3介质中的振动能量的分布的示意图。
从图3明确可知，由于通过增厚第3介质(Ta2O5)的厚度，来提高音速慢的第3介质的影响，所以声界面波的音速下降。例如，未设置第3介质时的音速为3394m/s，与此相对，第3介质的厚度为0.03λ时的音速为3332m/s。并且，若第3介质(Ta2O5)的厚度变厚，则根据上述原理，如图5所示，延迟时间温度系数TCD向负的侧移动。例如，未设置第3介质时的TCD为27ppm/℃，而第3介质的厚度为0.03λ时的TCD为18ppm/℃。并且，如图7及图8所示，随着Ta2O5的膜厚变厚为0.20λ，分布在LiNbO3基板上的振动能量减少，机电耦合系数K2变低。即，在Ta2O5的厚度为0.3λ时，从图6可知，机电耦合系数K2减小为2.4％，实用性下降。
并且，从图4可知，若由Ta2O5构成的第3介质13的厚度变厚，则表示带的反射系数的κ12变低。尤其是，Ta2O5的厚度为0.2λ，κ12变小为0.026。因此，若κ12小于0.026，则在构成在IDT电极16左右配置带型反射器17、18的上述实施方式的1端口型声界面波谐振器或纵向耦合型的谐振滤波器的情况、即利用谐振器结构的声界面波装置中，必须增多反射器的条数。因此，导致声界面波装置的大型化，不优选。因此，最好是由Ta2O5构成的第3介质13的厚度为0.30λ以下，更好是0.20λ以下。
下面，根据上述实施方式，具体制作1端口型声界面波装置，测定谐振频率的温度系数TCF和带宽率。
即，如下表5所示，设定IDT电极16的周期λ、IDT电极16的结构及膜厚、第1～第4介质11～14的膜厚及材料。
并且，IDT电极16中的设计参数如下。
电极指的对数：60对
交叉宽度：30λ
孔径宽度：30.4λ
变迹法(apodization)：有、IDT中央交叉宽度为30λ、IDT两端交叉宽度为15λ
反射器的电极指条数：51条
IDT和反射器的周期λ：3.42μm(电极指配置节距0.8μm)
电极指的线宽：0.855μm
电极指间的空间宽度：0.855μm
[表5]
 
项目 尺寸
IDT周期λ 3.42μm
IDT(NiCr/Ti/Al/Ti/Ni/Au/Ni/Ti) 厚度20/20/100/20/20/140/20/20nm
第4介质(SiO2) 厚度6000nm
第3介质(Ta2O5) 厚度170nm
第2介质(SiO2) 厚度680nm
第1介质(15°Y-XLiNbO3) 厚度500μm
另外，就第3介质13的厚度而言，如上述那样设为170nm、即0.05λ，但另外，制作设第3介质13的厚度为0.02λ(68nm)的变形例的声界面波装置。并且，为了比较，除设置第3介质的厚度为0λ、即不设置第3介质13之外，与上述试制例同样，制作声界面波装置。就这些声界面波装置而言，求出谐振频率的频率温度系数TCF和带宽率。图9及图10中示出结果。这里，作为(反谐振频率-谐振频率)/谐振频率，求出带宽率。
从图9及图10可知，根据具体试制的上述实施方式及变形例的声界面波装置，与没有第3介质的声界面波装置相比，可减小频率温度系数TCF的绝对值，且就带宽率而言，未怎么变化。因此，可知可不使带宽率变窄地改善频率温度特性。
图11是表示上述制作的3种声界面波装置的阻抗及相位特性的图。从图11明确可知，与没有第3介质的比较例相比，在使用第3介质13的实施方式及变形例的声界面波装置中，作为反谐振频率中的阻抗对谐振频率中的阻抗之比即阻抗比也就是峰谷比变大，特性得到改善。
多数压电材料具有负的音速系数TCV，其装置具有负的频率温度系数TCF。因此，作为第2介质12及第4介质14，通过使用具有正的音速温度系数TCV的材料，可在正数(plus)侧补正装置的频率温度系数TCF。通过将具有正的音速温度系数TCV的SiO2作为第2介质12及第4介质14，可提高实用性。即，可减小频率温度系数TCF的绝对值。另外，Ta2O5是低音速，且是重、硬的介电体材料。因此，作为第3介质13，通过在由SiO2构成的第2介质12和第4介质14之间薄薄地配置Ta2O5，可使能量高效地从第1介质11移动至第2介质12侧。并且，SiO2及Ta2O5耐热性好，化学上稳定。因此，上述实施方式的声界面波装置1不仅基于温度的特性变化小，耐热性及稳定性还好，在可靠性方面也好。并且，第2介质12和第4介质14也可由其他材料构成。
另外，虽然在上述实施方式中，构成为在层叠第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中声界面波的延迟时间温度系数TCD为正值，第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，第1介质具有负的音速温度系数TCV，但在本发明中，不限于这种结构，即便在第3介质的横波音速慢于第4介质及/或第2介质的横波音速的下述第2结构中，另外，即便在相反地使第3介质的横波音速加快的第3、第4结构中，也可改善延迟时间温度特性。
第2结构例：构成为在层叠第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中声界面波的延迟时间温度系数TCD为负值，第4或第2介质具有负的音速温度系数TCV，第1介质具有正的音速温度系数TCV。
第3结构例：构成为在层叠第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中声界面波的延迟时间温度系数TCD为正值，第4或第2介质具有负的音速温度系数TCV，第1介质具有正的音速温度系数TCV。
第4结构例：构成为在层叠第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中声界面波的延迟时间温度系数TCD为负值，第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，第1介质具有负的音速温度系数TCV。
另外，在上述实施例中，说明了1端口型声界面波谐振器，但本发明的声界面波装置可构成为具有各种电极结构。即，也可是使用了2个以上IDT的纵向耦合型或横向耦合型的声界面波谐振滤波器或阶梯型地连接多个声界面波谐振器形成的阶梯型滤波器。并且，本发明的声波装置可用于声界面波光开关或声界面波光滤波器等光装置，通常可广泛地使用于利用了声界面波的装置。
另外，在本发明声界面波装置的制造时，在形成第2介质12～第4介质14之前，通过反溅射、离子束研磨、反应性离子蚀刻、湿蚀刻或研磨等，使IDT电极和第2或第3介质12、13变薄，或通过利用溅射或蒸镀等堆叠法追加成膜使其变厚，由此可调整IDT电极16、第2介质12及/或第3介质13的厚度。而且，通过这些厚度调整，可进行频率调整。
并且，在本发明中，如表5所示，电极结构也可由多个金属构成的层叠膜构成。
并且，就本发明中构成第1～第4介质的材料未特别限定。即，作为介质可使用各种电介质。作为这样的介质，例如举出从铌氧化锂、铌氧化钾、钽氧化锂、四氧化锂、LGS(langasite)或LGN(langanite)、水晶、PZT、ZnO、AlN、氧化硅、玻璃、硅、蓝宝石、氮化硅及氮化碳构成的群中选择的1种等。
并且，介质不一定必需由单一材料构成，也可具有层叠多个介质层形成的层叠结构。即，第1～第4介质中至少一个介质可是具有层叠了多个材料层的层叠结构。
之外，在本发明的声界面波装置中，也可在外侧形成提高强度、防止腐蚀性气体等浸入用的保护层。并且，如果声界面波装置不介意部件尺寸变大，则也为可具有封入组件中的结构。
另外，作为上述保护层，也可是由氧化钛、氮化铝、氧化铝等绝缘性材料构成，也可由Au、Al或W等金属膜构成，也可由环氧树脂等树脂膜构成。

Claims (7)

1、一种声界面波装置，依次层叠第1介质～第4介质，在第1介质和第2介质之间的界面上配置有电极，
在层叠所述第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中，声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为正值，
所述第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，所述第1介质具有负的音速温度系数TCV，
所述第3介质的横波音速慢于所述第4介质及/或第2介质的横波音速。
2、根据权利要求1所述的声界面波装置，其特征在于：
所述第1介质由压电基板构成，所述第2介质由氧化硅膜构成，所述第3介质由氧化钽膜或氧化锌膜构成，所述第4介质由氧化硅膜构成。
3、一种声界面波装置，依次层叠第1介质～第4介质，在第1介质和第2介质之间的界面上配置有电极，
在层叠所述第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中，声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为负值，
所述第4或第2介质具有负的音速温度系数TCV，所述第1介质具有正的音速温度系数TCV，
所述第3介质的横波音速慢于所述第4介质及/或第2介质的横波音速。
4、一种声界面波装置，按依次层叠第1介质～第4介质，在第1介质和第2介质之间的界面上配置有电极，
在层叠所述第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中，声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为正值，
所述第4或第2介质具有负的音速温度系数TCV，所述第1介质具有正的音速温度系数TCV，
所述第3介质的横波音速快于所述第4介质及/或第2介质的横波音速。
5、一种声界面波装置，在依次层叠第1介质～第4介质，在第1介质和第2介质之间的界面上配置有电极，
在层叠所述第4介质/第2介质/电极/第1介质形成的结构中，声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为负值，
所述第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，所述第1介质具有负的音速温度系数TCV，
所述第3介质的横波音速快于所述第4介质及/或第2介质的横波音速。
6、根据权利要求5所述的声界面波装置，其特征在于：
所述第1介质由压电基板构成，所述第2介质和第4介质由氧化硅膜构成，所述第3介质由硅膜或氮化硅膜构成。
7、根据权利要求1-6之一所述的声界面波装置，其特征在于：
作为所述电极，具有至少1个IDT电极。
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