CN101452828A - 晶片的分割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种晶片的分割方法，其能够将沿着间隔道在内部形成有变质层的晶片沿间隔道分割而不会在搬送工序等中使其破损。该方法包括：保护带粘贴工序，在晶片表面上粘贴保护带；变质层形成工序，在晶片内部沿间隔道形成变质层；第一搬送工序，保持晶片整个背面，将晶片背面朝上地载置在带粘贴装置的支承工作台上；切割带粘贴工序，在晶片的背面和环状框架上粘贴切割带；晶片翻转工序，将所保持的晶片和该环状框架的表面和背面翻转；第二搬送工序，将晶片搬送至带扩展装置；保护带剥离工序，将粘贴在晶片表面的保护带剥离；和晶片分割工序，解除晶片保持工作台对晶片的吸引保持，并扩展切割带，从而将晶片沿着形成有变质层的间隔道分割开来。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶片的分割方法，晶片在表面上呈格子状地形成有多条间隔道，并且在通过该多条间隔道划分出的多个区域中形成有器件，上述晶片的分割方法是沿着上述间隔道将上述晶片分割成一个个器件(芯片)的方法。
背景技术
在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面，通过格子状地排列的被称为间隔道的分割预定线划分有多个区域，在该划分出的区域上形成IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(large scaleintegration：大规模集成电路)等器件。然后，通过沿着间隔道切断半导体晶片，将形成有器件的区域分割开来，从而制造出一个个器件。另外，关于在蓝宝石基板的表面上层叠有氮化镓类化合物半导体等的光器件晶片，也通过沿着预定的间隔道进行切断，来分割成一个个发光二极管、激光二极管等光器件，并广泛地应用于电气设备。
作为分割半导体晶片等板状的被加工物的方法，还尝试了以下的激光加工方法：使用相对于该被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线，将聚光点对准应分割的区域的内部地照射脉冲激光光线。使用了该激光加工方法的分割方法从被加工物的一面侧，将聚光点对准内部地照射相对于被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线，从而在被加工物的内部沿着间隔道连续地形成变质层，沿着因形成该变质层而导致强度降低的间隔道施加外力，从而将被加工物分割开来。(例如参照专利文献2。)
专利文献2：日本专利第3408805号公报
另外提出了以下方法：将使用上述激光加工方法沿着间隔道形成了变质层的晶片粘贴在安装于环状框架的切割带上，然后扩展切割带，从而将晶片沿着因形成变质层而导致强度降低的间隔道分割成一个个器件。(例如参照专利文献3。)
专利文献3：日本特开2004-273895号公报
然而，沿着间隔道在内部形成有变质层的晶片非常容易破裂，在为了将形成有变质层的晶片粘贴在切割带上而从激光加工装置对其进行搬送的搬送工序、和将形成有变质层的晶片粘贴到切割带上时，以及将粘贴在切割带上的晶片搬送至带扩展装置的搬送工序中，存在晶片破损的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种晶片的分割方法，该晶片的分割方法能够将沿着间隔道在内部形成有变质层的晶片沿间隔道分割开来，而不会在搬送工序等中使晶片破损。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明提供一种晶片的分割方法，晶片在表面上呈格子状地形成有多条间隔道，并且在通过多条间隔道划分出的多个区域中形成有器件，上述晶片的分割方法是沿着多条间隔道来分割上述晶片的方法，其特征在于，
上述晶片的分割方法包括以下工序：
保护带粘贴工序，在晶片的表面上粘贴保护带；
变质层形成工序，对于在表面粘贴有上述保护带的晶片，以其背面朝上的方式将上述保护带侧保持在激光加工装置的卡盘工作台上，从晶片的背面侧沿着多条间隔道照射相对于晶片具有透射性的波长的激光光线，从而在晶片的内部沿着多条间隔道形成变质层；
第一搬送工序，在实施了上述变质层形成工序之后，使用吸引保持晶片并搬送晶片的晶片搬送装置，来吸引保持晶片的整个背面，并以晶片的背面朝上的方式将上述保护带侧载置在带粘贴装置的支承工作台上；
切割带粘贴工序，在载置于上述带粘贴装置的上述支承工作台上的晶片的背面、和围绕晶片配置的环状框架上，粘贴切割带；
晶片翻转工序，在实施了上述切割带粘贴工序后，使用吸引保持晶片和上述环状框架并将它们翻转的晶片翻转装置，经上述切割带吸引保持晶片的整个背面，并且吸引保持上述环状框架，将所保持的晶片和上述环状框架的表面和背面翻转，使粘贴在晶片表面上的上述保护带处于上侧；
第二搬送工序，在实施了上述晶片翻转工序之后，使用吸引保持晶片和上述环状框架并对它们进行搬送的晶片和框架搬送装置，经上述保护带吸引保持晶片的整个表面，并且吸引保持上述环状框架，将上述环状框架载置在带扩展装置的环状的框架保持部件上，并且以粘贴在晶片表面上的上述保护带朝上的方式，将上述切割带侧载置在上述带扩展装置的晶片保持工作台上；
保护带剥离工序，将载置在上述带扩展装置的上述框架保持部件上的上述环状框架固定，并且经上述切割带吸引保持上述晶片保持工作台上所载置的晶片，并将粘贴在晶片表面上的上述保护带剥离；和
晶片分割工序，在实施了上述保护带剥离工序之后，解除上述晶片保持工作台对晶片的吸引保持，并使上述切割带扩展，从而将晶片沿着形成有变质层的多条间隔道分割成一个个器件。
在本发明的晶片的分割方法中，在第一搬送工序中，将实施了变质层形成工序从而在内部沿着多条间隔道形成有变质层的晶片搬送至带粘贴装置，在晶片翻转工序中，将在带粘贴装置中实施了切割带粘贴工序的晶片的表面和背面翻转，在第二搬送工序中，将在晶片翻转工序中表面和背面进行了翻转的晶片搬送至带扩展装置，在实施上述第一搬送工序、晶片翻转工序以及第二搬送工序时，都是吸引保持晶片的整个面，所以即使通过实施变质层形成工序而在晶片的内部沿着间隔道形成有变质层，晶片也不会破损。
此外，在保护带剥离工序中，在带扩展装置中将粘贴在晶片表面上的保护带剥离，在实施该保护带剥离工序时，经切割带来吸引保持载置在晶片保持工作台上的晶片的整个背面，所以即使通过实施变质层形成工序而在晶片的内部沿着间隔道形成有变质层，晶片也不会破损。
因此，在实施晶片分割工序之前，即在通过使切割带扩展来将晶片沿着形成有变质层的多条间隔道分割成一个个器件之前，晶片不会破损。
附图说明
图1是表示作为通过本发明的晶片的分割方法分割成一个个器件的晶片的半导体晶片的立体图。
图2是表示在图1所示的半导体晶片的表面上粘贴有保护带的状态的立体图。
图3是用于实施本发明的晶片的分割方法中的变质层形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。
图4是本发明的晶片的分割方法中的变质层形成工序的说明图。
图5是表示在图4所示的变质层形成工序中在半导体晶片的内部层叠地形成有变质层的状态的说明图。
图6是本发明的晶片的分割方法中的第一搬送工序的说明图。
图7是本发明的晶片的分割方法中的切割带粘贴工序的说明图。
图8是本发明的晶片的分割方法中的晶片翻转工序的说明图。
图9是本发明的晶片的分割方法的第二搬送工序中的晶片移换工序的说明图。
图10是用来实施本发明的晶片的分割方法中的晶片分割工序的带扩展装置的立体图。
图11是图10所示的带扩展装置的剖视图。
图12是本发明的晶片的分割方法的第二搬送工序中的晶片载置工序的说明图。
图13是本发明的晶片的分割方法中的保护带剥离工序的说明图。
图14是本发明的晶片的分割方法中的晶片分割工序的说明图。
标号说明
2：半导体晶片；21：间隔道；22：器件；3：保护带；4：激光加工装置；41：激光加工装置的卡盘工作台；42：激光光线照射单元；5：晶片搬送装置；51：保持垫；52：支承单元；6：带粘贴装置；61：支承工作台；7：晶片翻转装置；71：保持垫；72：支承单元；8：晶片和框架搬送装置；81：保持垫；82：支承单元。
具体实施方式
以下参照附图详细说明本发明的晶片的分割方法的优选实施方式。
图1是表示作为按照本发明的晶片的分割方法分割的晶片的半导体晶片的立体图。图1所示的半导体晶片2由例如厚度为150μm的硅晶片构成，在表面2a上呈格子状地形成有多条间隔道21。另外，在半导体晶片2的表面2a上，在通过多条间隔道21划分出的多个区域上形成有IC、LSI等器件22。下面说明将该半导体晶片2分割成一个个器件22(芯片)的晶片的分割方法。
在上述的半导体晶片2的表面2a上，如图2所示地粘贴保护带3以保护器件22(保护带粘贴工序)。该保护带3在图示的实施方式中使用厚度为150μm的聚烯烃薄片。
在通过实施保护带粘贴工序而在半导体晶片2的表面2a上粘贴了保护带3之后，实施变质层形成工序，即，从半导体晶片2的背面侧沿着间隔道21照射相对于硅晶片具有透射性的波长的激光光线，从而在半导体晶片2的内部沿着间隔道21形成变质层。该变质层形成工序在图示的实施方式中使用图3所示的激光加工装置来实施。图3所示的激光加工装置4包括：保持被加工物的卡盘工作台41；对保持在该卡盘工作台41上的被加工物照射激光光线的激光光线照射单元42；和对保持在卡盘工作台41上的被加工物进行拍摄的摄像单元43。卡盘工作台41构成为吸引保持被加工物，卡盘工作台41通过未图示的移动机构在图3中箭头X所示的加工进给方向和箭头Y所示的分度进给方向上移动。
上述激光光线照射单元42包含实质上水平配置的圆筒形状的壳体421。在壳体421内配设有未图示的脉冲激光光线振荡单元，该脉冲激光光线振荡单元包括由YAG激光振荡器或YVO4激光振荡器构成的脉冲激光光线振荡器、和重复频率设定单元。在上述壳体421的前端部安装有聚光器422，该聚光器422用来使从脉冲激光光线振荡单元振荡出的脉冲激光光线会聚。
摄像单元43安装在构成上述激光光线照射单元42的壳体421的前端部，在图示的实施方式中，摄像单元43除了包括利用可见光线进行拍摄的通常的摄像元件(CCD)以外，还包括：对被加工物照射红外线的红外线照明单元、捕捉由该红外线照明单元所照射出的红外线的光学系统、和输出与该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等，上述摄像单元43将所拍摄到的图像信号发送至未图示的控制单元。
在使用上述的激光加工装置4实施变质层形成工序时，如图3所示，将半导体晶片2的保护带3侧载置在激光加工装置4的卡盘工作台41上。然后通过未图示的吸引单元将半导体晶片2吸附保持在卡盘工作台41上(晶片保持工序)。因此，吸引保持在卡盘工作台41上的半导体晶片2的背面2b处于上侧。
在如上所述地实施了晶片保持工序之后，实施变质层形成工序，即，从半导体晶片2的背面2b侧，沿着间隔道21照射脉冲激光光线，该脉冲激光光线为相对于形成半导体晶片2的硅晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，从而在半导体晶片2的内部沿着间隔道21形成变质层。在实施变质层形成工序时，首先，吸引保持有半导体晶片2的卡盘工作台41通过未图示的移动机构定位到摄像单元43的正下方。然后通过摄像单元43和未图示的控制单元来执行检测半导体晶片2的应进行激光加工的加工区域的校准作业。即，摄像单元43和未图示的控制单元执行图案匹配等图像处理，该图案匹配等图像处理用来进行形成在半导体晶片2的预定方向上的间隔道21、与沿着间隔道21照射激光光线的激光光线照射单元42的聚光器422的位置对准，从而完成激光光线照射位置的校准。此外，对形成在半导体晶片2上的、沿着与上述预定方向正交的方向延伸的间隔道21，也同样地完成激光光线照射位置的校准(校准工序)。这时，半导体晶片2的形成有间隔道21的表面2a位于下侧，但是由于摄像单元43如上所述地包括摄像单元，且该摄像单元43具有红外线照明单元、捕捉红外线的光学系统、和输出与红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等，所以能够从背面2b侧透射地拍摄间隔道21。
在如上所述地实施了校准工序之后，如图4中(a)所示，将卡盘工作台41移动至照射激光光线的激光光线照射单元42的聚光器422所处的激光光线照射区域，并使预定的间隔道21的一端(图4的(a)中的左端)定位于激光光线照射单元42的聚光器422的正下方。然后，从聚光器422照射相对于硅晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，同时使卡盘工作台41以预定的进给速度在图4的(a)中的箭头X1所示的方向上移动。然后如图4的(b)所示，在聚光器422的照射位置到达间隔道21的另一端(图4的(b)中的右端)位置之后，停止照射脉冲激光光线，并且使卡盘工作台41停止移动。在该变质层形成工序中，通过使脉冲激光光线的聚光点P对准半导体晶片2的表面2a(下表面)附近，在半导体晶片2上以露出于表面2a(下表面)并且从表面2a朝向内部的方式形成变质层210。该变质层210作为熔融再凝固层形成。
上述变质层形成工序中的加工条件例如如下所示地设定。
光源 ：LD激发Q开关Nd:YVO4脉冲激光
波长 ：1064nm的脉冲激光
重复频率 ：100kHz
聚光点的能量密度：2.0×10E11W/cm2
聚光点直径 ：Φ1μm
加工进给速度 ：100mm/秒
此外，在半导体晶片2的厚度厚的情况下，如图5所示，通过以阶段性地改变聚光点P的方式多次执行上述的变质层形成工序，来形成多个变质层210。例如在上述的加工条件中，一次形成的变质层的厚度约为50μm，所以例如实施两次上述变质层形成工序，来形成100μm的变质层210。此外，也可以对厚度为150μm的半导体晶片2形成三层变质层，在半导体晶片2的内部沿着间隔道21从表面2a直至背面2b都形成变质层。此外，变质层210也可以仅形成在内部而不露出于表面2a和背面2b。
在如上所述地沿着半导体晶片2的在预定方向上延伸的所有间隔道21执行了上述变质层形成工序之后，将卡盘工作台41转动90度，沿着在与上述预定方向正交的方向上延伸的各间隔道21执行上述变质层形成工序。
这样沿着形成在半导体晶片2上的所有间隔道21执行了上述变质层形成工序之后，实施第一搬送工序，即，吸引保持半导体晶片2的整个背面，以半导体晶片2的背面朝上的方式将保护带3侧载置在带粘贴装置的支承工作台上。该第一搬送工序使用图6所示的晶片搬送装置5来实施。图6所示的晶片搬送装置5包括保持垫51和支承该保持垫51的支承单元52。保持垫51由在下表面形成有圆形的凹部511a的保持框体511、和与该保持框体511的凹部511a配合的由多孔陶瓷形成的吸附垫512构成。该吸附垫512形成为能够保持上述半导体晶片2的整个背面的大小。此外，形成于保持框体511的凹部511a经吸引通道511b与未图示的吸引单元连通。因此，当未图示的吸引单元工作时，经吸引通道511b和凹部511a在吸附垫512的下表面作用负压。上述支承单元52包括使保持垫51在上下方向升降的升降单元(未图示)，且上述支承单元52构成为通过未图示的移动单元能够在水平方向移动。
在使用上述晶片搬送装置5实施上述的第一搬送工序时，如图6的(a)所示，使保持垫51移动到半导体晶片2的正上方，该半导体晶片2已经在上述激光加工装置4的卡盘工作台41上实施了上述变质层形成工序，通过未图示的升降单元使该保持垫51下降，并使吸附垫512的下表面与半导体晶片2的背面2b(上表面)接触。然后使未图示的吸引单元工作以在吸附垫512的下表面作用负压，从而将半导体晶片2的整个背面2b吸引保持在吸附垫512的下表面上。在这样将半导体晶片2的整个背面2b吸引保持在吸附垫512的下表面上之后，如图6的(b)所示，通过未图示的升降单元使保持垫51上升。接着使未图示的移动单元进行工作，如图6的(c)所示，将保持垫51移动至带粘贴装置6的支承工作台61的正上方，并且使未图示的升降单元工作以使保持垫51下降，将粘贴在半导体晶片2的表面2a上的保护带3载置在形成于支承工作台61的中央部的晶片载置区域611的上表面，其中所述半导体晶片2吸引保持在吸附垫512的下表面。此外，形成在带粘贴装置6的支承工作台61中央部的晶片载置区域611形成为略微高于外周部，以便使后述的环状框架的上表面与半导体晶片2的背面2b(上表面)处于同一高度。在这样将吸引保持在保持垫51上的半导体晶片2的表面2a上所粘贴的保护带3、载置在构成带粘贴装置6的支承工作台61的晶片载置区域611上之后，解除保持垫51对半导体晶片2的吸引保持，使保持垫51上升并且移动至待机位置。在这样的第一搬送工序中，由于如上所述地在构成保持垫51的吸附垫512的下表面吸引保持半导体晶片2的整个背面2b，所以即使通过实施上述变质层形成工序而在半导体晶片2的内部沿着间隔道21形成有变质层210，半导体晶片2也不会破损。
在实施了上述的第一搬送工序之后，实施切割带粘贴工序，即，在载置于带粘贴装置6的支承工作台61上的半导体晶片2的背面2b和围绕半导体晶片2配置的环状框架上粘贴切割带。即，如图7的(a)所示，在带粘贴装置6的支承工作台61的外周部上表面上载置环状框架F(框架载置工序)。此外，该框架载置工序也可以在实施上述第一搬送工序之前实施。在将环状框架F载置在带粘贴装置6的支承工作台61的外周部上表面上之后，如图7的(b)所示，在半导体晶片2的背面2b和环状框架F上粘贴切割带T。此外，在图示的实施方式中，切割带T构成为在厚度为100μm的由聚氯乙烯(PVC)制成的薄片基材的表面(图7的(b)中的下表面)上涂敷有厚度为5μm左右的丙烯酸树脂类的粘合剂。
在实施了上述的切割带粘贴工序之后，实施晶片翻转工序，即，经切割带T吸引保持半导体晶片2的整个背面2b、并且吸引保持环状框架F，将所保持的半导体晶片2和环状框架F的表面和背面翻转，使粘贴在半导体晶片2的表面2a上的保护带3朝向上侧。该晶片翻转工序使用图8所示的晶片翻转装置来实施。图8所示的晶片翻转装置7包括保持垫71和支承该保持垫71的支承单元72。保持垫71包括：保持框体711，其包括形成在中央部下表面的圆形的凹部711a、和围绕该圆形的凹部711a形成的环状的凹部711b；圆形的第一吸附垫712，其与该保持框体711的圆形的凹部711a配合，并且由多孔陶瓷形成；和环状的第二吸附垫713，其与环状的凹部711b配合，并且由多孔陶瓷形成。该圆形的第一吸附垫712形成为能够保持上述半导体晶片2的整个背面的大小，环状的第二吸附垫713形成为能够保持环状框架F的大小。此外，形成于保持框体711的圆形的凹部711a和环状的凹部711b经吸引通道711c与未图示的吸引单元连通。因此，当未图示的吸引单元工作时，经吸引通道711c、圆形的凹部711a和环状的凹部711b，在第一吸附垫712和第二吸附垫713的表面作用负压。上述支承单元72包括使保持垫71翻转的翻转单元(未图示)，且上述支承单元72构成为通过未图示的移动单元能够在上下方向和水平方向移动。
在使用上述晶片翻转装置7实施上述的晶片翻转工序时，如图8的(a)所示，使保持垫71移动至半导体晶片2和环状框架F的正上方，该半导体晶片2载置在上述带粘贴装置6的支承工作台61上，并且已经实施了上述的切割带粘贴工序，如图8的(b)所示使该保持垫71下降，使得第一吸附垫712和第二吸附垫713的表面(下表面)、与切割带T中的半导体晶片2的粘贴区域和环状框架F的上表面接触。然后使未图示的吸引单元工作，在第一吸附垫712和第二吸附垫713的表面(下表面)作用负压，从而经切割带T将半导体晶片2的整个背面2b和环状框架F吸引保持在第一吸附垫712和第二吸附垫713的表面(下表面)上。在这样经切割带T将半导体晶片2的整个背面2b和环状框架F吸引保持在第一吸附垫712和第二吸附垫713的表面(下表面)上之后，如图8的(c)所示，使保持垫71从带粘贴装置6的支承工作台61上移开并翻转。其结果为，如图8的(c)所示，粘贴在半导体晶片2的表面2a上的保护带3成为上侧，其中该半导体晶片2粘贴在安装于环状框架F的切割带T上。在该晶片翻转工序中也如上所述地经切割带T将半导体晶片2的整个背面2b吸引保持在第一吸附垫712的表面上，所以即使通过实施上述变质层形成工序而在半导体晶片2的内部沿着间隔道21形成有变质层210，半导体晶片2也不会破损。
在实施了上述的晶片翻转工序之后，实施第二搬送工序，即，经保护带3来对在上述晶片翻转装置7的保持垫71上保持的半导体晶片2的整个表面进行吸引保持，并且吸引保持环状框架F，并将半导体晶片2和环状框架F搬送至带扩展装置。该第二搬送工序使用图9所示的晶片和框架搬送装置8来实施。图9所示的晶片和框架搬送装置8包括保持垫81和支承该保持垫81的支承单元82。保持垫81可以是与上述翻转装置的保持垫71实质上相同的结构，其包括：保持框体811，其包括形成在中央部下表面的圆形的凹部811a、和围绕该圆形的凹部811a形成的环状的凹部811b；圆形的第一吸附垫812，其与该保持框体811的圆形的凹部811a配合，并且由多孔陶瓷形成；和环状的第二吸附垫813，其与环状的凹部811b配合，并且由多孔陶瓷形成。该圆形的第一吸附垫812形成为能够保持上述半导体晶片2的整个表面的大小，环状的第二吸附垫813形成为能够保持环状框架F的大小。此外，形成于保持框体811的圆形的凹部811a和环状的凹部811b经吸引通道811c与未图示的吸引单元连通。因此，当未图示的吸引单元工作时，经吸引通道811c、圆形的凹部811a和环状的凹部811b，在第一吸附垫812和第二吸附垫813的表面作用负压。上述支承单元82构成为通过未图示的移动单元能够使保持垫81在上下方向和水平方向移动。
在使用上述晶片和框架搬送装置8来实施上述的第二搬送工序时，如图9的(a)所示，使保持垫81移动至保持在上述晶片翻转装置7的保持垫71上的半导体晶片2和环状框架F的正上方，如图9的(b)所示使该保持垫81下降，使得第一吸附垫812和第二吸附垫813的表面(下表面)、与粘贴在半导体晶片2的表面上的保护带3和环状框架F的上表面接触。然后使未图示的吸引单元工作，以在第一吸附垫812和第二吸附垫813的表面(下表面)作用负压，从而经保护带3将半导体晶片2的整个表面2a吸引保持在第一吸附垫812的表面(下表面)上，并且将环状框架F吸引保持在第二吸附垫813的表面(下表面)上。然后解除上述晶片翻转装置7的保持垫71的吸引保持(晶片移换)。在这样将半导体晶片2的整个表面2a和环状框架F吸引保持在保持垫81上之后，晶片和框架搬送装置8将保持在保持垫81上的半导体晶片2和环状框架F搬送至带扩展装置。
在此参照图10和图11说明带扩展装置。
图10和图11所示的带扩展装置9包括：圆盘状的支承基座90；配设在该支承基座90上方、且保持上述环状框架F的框架保持单元91；以框架保持单元91能够在上下方向上移动的方式支承该框架保持单元91的进退单元92；以及配设在支承基座90的中央部上表面、且具有保持上述半导体晶片2的保持面的晶片保持工作台93。框架保持单元91由环状的框架保持部件911、和作为固定单元的多个夹紧器912构成，所述夹紧器912配设在该框架保持部件911外周。在框架保持部件911的上表面形成有载置环状框架F的载置面911a，在该载置面911a上载置环状框架F。另外，载置在载置面911a上的环状框架F通过夹紧器912固定在框架保持部件911上。
上述进退单元92由配设在上述支承基座90上的多个空气缸921构成，活塞杆922与上述环状的框架保持部件911的下表面连结。这样由多个空气缸921构成的进退单元92使环状的框架保持部件911在上下方向上在基准位置与扩展位置之间移动，所述基准位置是载置面911a与晶片保持工作台93的上表面即保持面位于大致同一高度的位置；所述扩展位置是载置面911a比晶片保持工作台93的上表面靠下方预定量的位置。
如图11所示，上述晶片保持工作台93由圆盘状的主体931和支承该主体931的支承部932构成。在圆盘状的主体931的上表面形成有圆形的凹部931a，在该凹部931a中配合有由多孔陶瓷形成的圆形的吸附卡盘933。该吸附卡盘933形成为能够吸引保持上述半导体晶片2的整个背面的大小。此外，形成于主体931的凹部931a经吸引通道931b与未图示的吸引单元连通。因此，当未图示的吸引单元工作时，经吸引通道931b和凹部931a在吸附卡盘933的上表面(保持面)作用负压。
将保持在上述晶片和框架搬送装置8的保持垫81上的半导体晶片2和环状框架F搬送至如上所述地构成的带扩展装置9(第二搬送工序)。即，如图12所示，使上述晶片和框架搬送装置8的保持垫81移动至带扩展装置9的正上方并下降，经切割带T将保持在保持垫81上的半导体晶片2载置在晶片保持工作台93的上表面(保持面)上，并且将环状框架F载置在构成框架保持单元91的环状的框架保持部件911的载置面911a上(晶片载置工序)。这时，环状的框架保持部件911定位于图11和图12所示的基准位置。在该第二搬送工序中同样，由于也是如上所述地经保护带3将半导体晶片2的整个表面2a吸引保持在构成晶片和框架搬送装置8的保持垫81的第一吸附垫812的表面上，并且将环状框架F吸引保持在第二吸附垫813的表面(下表面)上，所以即使通过实施上述变质层形成工序而在半导体晶片2的内部沿着间隔道21形成有变质层210，半导体晶片2也不会破损。
在实施了上述的第二搬送工序之后，解除晶片和框架搬送装置8的保持垫81对半导体晶片2和环状框架F的吸引保持，并使晶片和框架搬送装置8退避，然后如图13的(a)所示，利用夹紧器912将半导体晶片2和环状框架F固定在框架保持部件911上。接着使带扩展装置9的未图示的吸引单元工作，经吸引通道931b和凹部931a在吸附卡盘933的上表面(保持面)作用负压，经切割带T将半导体晶片2的整个背面2b吸引保持在吸附卡盘933的上表面(保持面)上。在这样将半导体晶片2的背面2b经切割带T吸引保持在吸附卡盘933的上表面(保持面)上的状态下，如图13的(b)所示，将粘贴在半导体晶片2的表面2a上的保护带3剥离(保护带剥离工序)。这样，在剥离保护带3时，由于半导体晶片2的整个背面2b经切割带T吸引保持在吸附卡盘933的上表面(保持面)上，所以即使通过实施上述变质层形成工序而在半导体晶片2的内部沿着间隔道21形成有变质层210，半导体晶片2也不会破损。
在如上所述地实施了保护带剥离工序之后，解除晶片保持工作台93对半导体晶片2的吸附保持。然后实施晶片分割工序，即，通过使切割带T扩展，将半导体晶片2沿着形成有变质层的间隔道21分割成一个个器件22。参照图14的(a)和(b)对该晶片分割工序进行说明。图14的(a)表示实施了上述保护带剥离工序、并解除了晶片保持工作台93对半导体晶片2的吸引保持的状态。从图14的(a)所示的状态，使作为进退单元92的多个空气缸921工作，使环状的框架保持部件911下降至图14的(b)所示的扩展位置。因此，固定在框架保持部件911的载置面911a上的环状框架F也下降，所以如图14的(b)所示，安装在环状框架F上的切割带T与晶片保持工作台93的外周缘抵接并扩展(带扩展工序)。其结果为，对粘贴在切割带T上的半导体晶片2呈放射状地作用拉伸力。当这样对半导体晶片2呈放射状地作用拉伸力时，沿着间隔道21形成的变质层210的强度降低，所以该变质层210成为分割起点，半导体晶片2沿着变质层210断裂从而分割成一个个器件22。此外，也可以在上述带扩展工序中解除上述晶片保持工作台93对半导体晶片2的吸引保持。此外，在实施上述带扩展工序时，优选的是，将晶片保持工作台93加热从而将切割带T中的粘贴有半导体晶片2的区域加热以使其软化。
Claims (1)
1、一种晶片的分割方法，晶片在表面上呈格子状地形成有多条间隔道，并且在通过多条间隔道划分出的多个区域中形成有器件，上述晶片的分割方法是沿着多条间隔道来分割上述晶片的方法，其特征在于，
上述晶片的分割方法包括以下工序：
保护带粘贴工序，在晶片的表面上粘贴保护带；
变质层形成工序，对于在表面粘贴有上述保护带的晶片，以其背面朝上的方式将上述保护带侧保持在激光加工装置的卡盘工作台上，从晶片的背面侧沿着多条间隔道照射相对于晶片具有透射性的波长的激光光线，从而在晶片的内部沿着多条间隔道形成变质层；
第一搬送工序，在实施了上述变质层形成工序之后，使用吸引保持晶片并搬送晶片的晶片搬送装置，来吸引保持晶片的整个背面，并以晶片的背面朝上的方式将上述保护带侧载置在带粘贴装置的支承工作台上；
切割带粘贴工序，在载置于上述带粘贴装置的上述支承工作台上的晶片的背面、和围绕晶片配置的环状框架上，粘贴切割带；
晶片翻转工序，在实施了上述切割带粘贴工序后，使用吸引保持晶片和上述环状框架并将它们翻转的晶片翻转装置，经上述切割带吸引保持晶片的整个背面，并且吸引保持上述环状框架，将所保持的晶片和上述环状框架的表面和背面翻转，使粘贴在晶片表面上的上述保护带处于上侧；
第二搬送工序，在实施了上述晶片翻转工序之后，使用吸引保持晶片和上述环状框架并对它们进行搬送的晶片和框架搬送装置，经上述保护带吸引保持晶片的整个表面，并且吸引保持上述环状框架，将上述环状框架载置在带扩展装置的环状的框架保持部件上，并且以粘贴在晶片表面上的上述保护带朝上的方式，将上述切割带侧载置在上述带扩展装置的晶片保持工作台上；
保护带剥离工序，将载置在上述带扩展装置的上述框架保持部件上的上述环状框架固定，并且经上述切割带吸引保持上述晶片保持工作台上所载置的晶片，并将粘贴在晶片表面上的上述保护带剥离；和
晶片分割工序，在实施了上述保护带剥离工序之后，解除上述晶片保持工作台对晶片的吸引保持，并使上述切割带扩展，从而将晶片沿着形成有变质层的多条间隔道分割成一个个器件。
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