CN101445914B - 管靶的磁分路 - Google Patents

管靶的磁分路 Download PDF

Info

Publication number
CN101445914B
CN101445914B CN2008101792394A CN200810179239A CN101445914B CN 101445914 B CN101445914 B CN 101445914B CN 2008101792394 A CN2008101792394 A CN 2008101792394A CN 200810179239 A CN200810179239 A CN 200810179239A CN 101445914 B CN101445914 B CN 101445914B
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
carrier
ferromagnetic substance
sputtering target
support tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008101792394A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101445914A (zh
Inventor
H·-J·帕维尔
J·海因德尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Original Assignee
WC Heraus GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WC Heraus GmbH and Co KG filed Critical WC Heraus GmbH and Co KG
Publication of CN101445914A publication Critical patent/CN101445914A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101445914B publication Critical patent/CN101445914B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/342Hollow targets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3426Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464Operating strategies
    • H01J37/347Thickness uniformity of coated layers or desired profile of target erosion

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Control Of Combustion (AREA)
  • Tires In General (AREA)

Abstract

本发明涉及管靶的磁分路,尤其是涉及这样一种溅射靶,其具有载体和设置在载体上的靶材,其中,载体具有背对靶材的后表面、而靶材具有背对载体的前表面,并且在前表面和后表面之间存在铁磁性材料。该靶表现出均匀的损耗行为,而且,即使对于制造起来相对复杂的管状结构而言,也可以在无需消极地改变管结构本身的条件下改善损耗行为。

Description

管靶的磁分路
技术领域
本发明涉及一种溅射靶,该溅射靶包括载体和设置在载体上的靶材,其中,载体具有背对靶材的后表面,而靶材具有背对载体的前表面。
背景技术
通常,溅射靶存在材料溅射不均匀的缺陷,这样,在溅射靶的某些位置处待溅射的材料已被耗尽,而在其他位置却仍然存在足够的溅射材料。因此,最初存在的溅射材料常常不能得到最佳的利用。事实上,为了获得更高的溅射速率,人们经常试图通过重新调整溅射装置内的磁场系统或通过外加磁场系统的作用来达到更均匀的损耗。例如,德国专利文献DE 103 36 422 A1中就描述了这种系统。欧洲专利文献EP 1 063 679 A1采取了不同的方法。在该专利文献中,在溅射靶的底部,将薄片金属带材与磁场系统结合为一体。德国专利文献DE 196 22 606 A1中描述了类似的方法。
日本专利文献JP 2003138372 A中描述了另外一种提高溅射速率的方法。在该专利文献中,在整个溅射靶表面区域上溅射材料的厚度是不同的。溅射材料的厚度减小使得磁场可以穿透磁控溅射材料。从日本专利文献JP1147063A了解到另外的平面溅射靶。在该专利文献中,将磁条嵌入溅射靶的基板内,这样会产生环状的损耗图案,由此会在所示的楔形靶板上呈现出交替的同心的峰和谷。
发明内容
本发明的目的是提供一种溅射靶,特别是管状靶,该靶表现出尽可能均匀的损耗行为。为达到此目的,在溅射过程中应该用一种非常简单的方式来影响磁场。
通过权利要求1的特征来达到本发明的目的。优选实施例来自从属权利要求。由于在靶材的前表面和载体的后表面之间设置了铁磁性材料,由此对可利用的特定系统的磁场产生影响,这样,通过减少可能形成的溅射沟槽来延长溅射靶的寿命。特别是,当将载体形成为载体管并且将靶材设置在载体管的外侧上时,会在溅射过程中产生有益的效果。在此,已令人惊奇地看到,即使对于制造起来相对复杂的管状结构而言,也可以在无需消极地改变管结构本身的条件下改善损耗行为。
可将铁磁性材料有利地设置在载体和靶材内部、或者将其设置在载体和靶材之间的中间区域。铁磁性材料可以被设置在载体的纵向长度(特别是最大纵向长度方向上)的中心的外侧,从而使得管的端部或位于管端部区域内的溅射区域受到影响。当铁磁性材料在该铁磁性材料的基线上方、且沿着载体的最大长度方向的纵剖面具有平滑的轮廓时,会实现特别有利且均匀的损耗。就这种铁磁性材料构造而言,其厚度连续而平稳地变化,这样,磁场同样也会平稳地变化,因此,从溅射材料的整个表面来看,溅射材料发生了均匀地损耗。
特别是,可以将铁磁性材料喷镀上去。为达到此目的,等离子喷镀尤为适用。在靶材本身不是铁磁性材料的情况下,使用铁磁性材料特别有利。可以将铁磁性材料嵌入载体和/或靶材内。特别是,载体材料也可能受到影响,以至于具有铁磁性。通常,载体管由(例如)不锈钢构成。可以将这类载体管进行热处理直到发生相变。为了这个目的,需要温度>900℃。加热后进行快速冷却,使得生成的相态实际上被冻结,这样,载体管是由铁磁性不锈钢构成的。此外,例如,通过焊接过程使载体材料(尤其是载体管材料)部分熔融,由此生成部分铁磁性区域,同样也可能在由不锈钢构成的载体管内产生受限的铁磁性区域。
附图说明
下面,参照附图详细说明本发明的实施例。其中:
图1a示出传统的溅射靶在溅射前的截面,
图1b示出传统的溅射靶在溅射后的截面,以及
图2示出本发明溅射靶的截面。
具体实施方式
图1a示出了管状溅射靶的一部分,其中在载体管3上沉积有靶材1。靶材1和载体管3之间设置有粘结层2,例如焊结层,用于将靶材1固定在载体管3上,以及将这两层以导电和导热的方式彼此连接在一起。根据靶材1的预期损耗,沿着溅射靶对从载体管3内部作用的磁场线4的强度进行调整。靶材1、粘结层2和载体管3削弱了磁场线,因此,最终的磁场5表现出的强度较低。由于磁场线4的强度不同,因而使得靶材1的溅射损耗也不同,因此便产生了所谓的溅射沟槽,如图1b所示。因此,在远远未达到溅射靶材的理论消耗量之前,就必须更换溅射靶。
图2示出了溅射过程后的本发明的溅射靶。在此,将铁磁性材料6引入到靶材1和载体管3之间。铁磁性材料使得材料损耗更加均匀。在靶材1的总体上希望损耗较少的端部区域,形成较厚的铁磁性材料6,以使得磁场的穿透受到阻碍。通过铁磁性材料6的连续形式,实现了均匀地损耗。铁磁性材料6是喷镀上去的。作为铁磁性材料,(例如)可以使用镍,其中可以基于预期结果对该材料层的厚度、该材料层的材料密度、以及该材料层的形态(磁定向)进行调整,由此应该能够确保残留的磁场穿透量最小。最佳的层厚受铁磁性材料6本身、该材料层的形式、以及该材料层的密度影响。根据期望的效果,层厚值达到2.5mm。铁磁性材料6被嵌在载体管3和靶材1之间。铁磁性材料6已经被喷镀上去。由于铁磁性材料6是“嵌入式”的,因而在溅射过程中避免了交叉污染,这样,待镀覆物体仅会被靶材1本身所镀覆。也可将铁磁性材料6设置成靶材1的内部镀层(位于由靶材1制成的管的内侧)或将其设置在靶材1的内部。因此,当使用所谓的整体溅射靶时也是有效的,整体溅射靶也就是这样的溅射靶,该溅射靶中的靶材同时也作为载体管。
作为经喷镀的铁磁性材料6的替代方式,也可将箔或环形物施加在载体管3上,优选通过焊结或焊接的方式来实现。也可将铁磁活性层加工到靶材1自身的内部,特别是加工到靶材的下侧上。也可对磁活性载体管片段进行焊接,使得载体管3由多个片段组成。这些片段中的部分片段是铁磁性的,由此实现载体管的磁性材料特性的局部变化。例如,铁磁活性材料6本身可以是Ni、Fe或Co。
一般来讲,载体管3的厚度是3-6mm,其中,标准的厚度是4mm。本发明可以用于由几乎任何合适的材料制成的载体管3。这里可列举出(例如)不锈钢、Cu、Al、或Ti,并且可任选地引入铁磁性片段。靶材1的厚度例如为2-20mm。对厚度的限制取决于溅射装置内使用的磁体组的磁场穿透情况、取决于生产工艺、以及取决于材料成本。
通过改变溅射靶内的磁场,可以避免对溅射装置或溅射装置上的磁体进行昂贵的调整,同时还可以提高靶材1的材料收率。

Claims (8)

1.一种溅射靶,其包括载体和设置在所述载体上的靶材,其中,所述载体具有背对所述靶材的后表面、而所述靶材具有背对所述载体的前表面,其中,在所述前表面和所述后表面之间设置有铁磁性材料,其特征在于,所述铁磁性材料的厚度沿所述载体的最大长度连续且平稳地变化,并且所述靶材是非铁磁性的。
2.根据权利要求1所述的溅射靶,其特征在于,所述载体形成为载体管,并且所述靶材设置于所述载体管的外侧。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶,其特征在于,所述铁磁性材料被设置在所述载体和所述靶材的内部、或者被设置于所述载体和所述靶材之间的中间区域。
4.根据权利要求1或2所述的溅射靶,其特征在于,所述铁磁性材料被设置在所述载体的最大纵向长度方向上的纵向长度的中心的外侧。
5.根据权利要求1或2所述的溅射靶,其特征在于,所述铁磁性材料在该铁磁性材料的基线上方、且沿着所述载体的最大长度方向的纵剖面具有平滑的轮廓。
6.根据权利要求1或2所述的溅射靶,其特征在于,所述铁磁性材料是喷镀上去的。
7.根据权利要求1或2所述的溅射靶,其特征在于,所述铁磁性材料被嵌入所述载体和/或所述靶材内。
8.根据权利要求1或2所述的溅射靶,其特征在于,所述载体 由铁磁性不锈钢形成。 
CN2008101792394A 2007-11-29 2008-12-01 管靶的磁分路 Expired - Fee Related CN101445914B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007057870 2007-11-29
DE102007057870.0 2007-11-29
DE102007060306.3 2007-12-12
DE102007060306A DE102007060306B4 (de) 2007-11-29 2007-12-12 Magnetische Shunts in Rohrtargets

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101445914A CN101445914A (zh) 2009-06-03
CN101445914B true CN101445914B (zh) 2012-08-22

Family

ID=40621309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101792394A Expired - Fee Related CN101445914B (zh) 2007-11-29 2008-12-01 管靶的磁分路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8137518B2 (zh)
CN (1) CN101445914B (zh)
AT (1) ATE500347T1 (zh)
DE (2) DE102007060306B4 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8951394B2 (en) * 2010-01-29 2015-02-10 Angstrom Sciences, Inc. Cylindrical magnetron having a shunt
JP5721815B2 (ja) * 2011-04-12 2015-05-20 株式会社アルバック ターゲット及びターゲットの製造方法
AT14912U1 (de) * 2015-05-06 2016-08-15 Plansee Se Anschlussstück für Rohrtarget
WO2022145244A1 (ja) * 2020-12-28 2022-07-07 デクセリアルズ株式会社 スパッタリングターゲット部材及びその製造方法、スパッタ膜の製造方法、並びにマグネトロンスパッタリング装置
CN112899628A (zh) * 2021-01-18 2021-06-04 福建阿石创新材料股份有限公司 一种可均匀溅射旋转硅靶材及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003138372A (ja) * 2001-10-30 2003-05-14 Applied Materials Inc スパッタリングターゲット及びスパッタリング装置
DE10336422A1 (de) * 2003-08-08 2005-03-17 Applied Films Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung
DE202005015067U1 (de) * 2005-09-23 2005-12-29 Applied Films Gmbh & Co. Kg Kathodenanordnung, Beschichtungskompartment und Beschichtungsanlage

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3318828C2 (de) * 1983-05-24 1986-01-02 Interpane Entwicklungs- und Beratungsgesellschaft mbH & Co. KG, 3471 Lauenförde Verfahren zum Aufbonden von Targetmaterial
JPH01147063A (ja) 1987-12-03 1989-06-08 Ulvac Corp マグネトロン・スパッタ装置
WO1996015283A1 (en) * 1994-11-15 1996-05-23 Tosoh Smd, Inc. Method of bonding targets to backing plate member
DE19622606C2 (de) 1996-06-05 2002-02-28 Applied Films Gmbh & Co Kg Sputterkathode
DE69937948D1 (de) 1999-06-21 2008-02-21 Bekaert Advanced Coatings N V Magnetron mit beweglicher Magnetanordnung zur Kompensation des Erosionsprofils
DE10063383C1 (de) * 2000-12-19 2002-03-14 Heraeus Gmbh W C Verfahren zur Herstellung eines Rohrtargets und Verwendung
DE102004058316A1 (de) * 2004-12-02 2006-06-08 W.C. Heraeus Gmbh Rohrförmiges Sputtertarget
DE102006026005A1 (de) * 2006-06-01 2007-12-06 W.C. Heraeus Gmbh Kaltgepresste Sputtertargets

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003138372A (ja) * 2001-10-30 2003-05-14 Applied Materials Inc スパッタリングターゲット及びスパッタリング装置
DE10336422A1 (de) * 2003-08-08 2005-03-17 Applied Films Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung
DE202005015067U1 (de) * 2005-09-23 2005-12-29 Applied Films Gmbh & Co. Kg Kathodenanordnung, Beschichtungskompartment und Beschichtungsanlage

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平1-147063A 1989.06.08

Also Published As

Publication number Publication date
DE102007060306A1 (de) 2009-06-10
US8137518B2 (en) 2012-03-20
ATE500347T1 (de) 2011-03-15
CN101445914A (zh) 2009-06-03
DE502008002715D1 (de) 2011-04-14
US20090139861A1 (en) 2009-06-04
DE102007060306B4 (de) 2011-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101445914B (zh) 管靶的磁分路
CN106795575B (zh) 冷轧并重结晶退火的扁钢产品及其制造方法
TW200305189A (en) Evaluation of chamber components having textured coatings
EP2520382A2 (en) Hot press forming process of plated steel and hot press formed articles using the same
JP2009001902A5 (zh)
TWI411696B (zh) 沉積電絕緣層之方法
TW201243106A (en) Steel sheets to be hot-pressed and method for manufacturing hot-pressed members from the same
CN104911551A (zh) 一种厚度为21.5μm的TiN膜制备方法
JP2011219867A (ja) 複合構成要素およびその生産方法
US8828194B2 (en) Layer system that can be annealed and method for producing the same
CN114453846A (zh) 一种多尺寸纯钛阴极辊筒的制备方法
US7708866B2 (en) Sputtering apparatus
KR20120055684A (ko) 일종의 열용사 다중 바닥형 냄비의 제조방법
KR20100040855A (ko) 멀티타겟 스퍼터 소스 및 다층 증착 방법
JP2004137541A (ja) Dlc傾斜構造硬質被膜及びその製造方法
CN108405649B (zh) 一种异构结构铁素体钢板及其制备方法
CN103025908A (zh) 热轧设备用辊及其制造方法
US20210308795A1 (en) Clamping Platen for Die Casting Machine and Manufacturing Method
EP3808868B1 (en) Conductive fabric and its preparation and applications
SE1650972A1 (sv) Method for producing a bi-material sliding bearing
KR101697448B1 (ko) Pvd 처리 방법 및 pvd 처리 장치
CN111719131A (zh) 一种带镀层变厚度钢板的生产工艺
JP6884775B2 (ja) 車両用サスペンションの摺動部材及びその製造方法
CA3078100A1 (en) Arc source
CN101337771B (zh) 金黄色镀膜玻璃或陶瓷的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH + CO. KG

Free format text: FORMER NAME: W.C. HERAEUS GMBH

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Hanau, Germany

Patentee after: Heraeus Materials Technology GmbH. & Co. KG

Address before: Hanau, Germany

Patentee before: Heraeus GmbH W. C.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120822

Termination date: 20141201

EXPY Termination of patent right or utility model