DE102007060306A1 - Magnetische Shunts in Rohrtargets - Google Patents
Magnetische Shunts in Rohrtargets Download PDFInfo
- Publication number
- DE102007060306A1 DE102007060306A1 DE102007060306A DE102007060306A DE102007060306A1 DE 102007060306 A1 DE102007060306 A1 DE 102007060306A1 DE 102007060306 A DE102007060306 A DE 102007060306A DE 102007060306 A DE102007060306 A DE 102007060306A DE 102007060306 A1 DE102007060306 A1 DE 102007060306A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- carrier body
- sputtering
- ferromagnetic
- target
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/342—Hollow targets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3464—Operating strategies
- H01J37/347—Thickness uniformity of coated layers or desired profile of target erosion
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Tires In General (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Control Of Combustion (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Sputtertarget mit einem Trägerkörper und einem auf dem Trägerkörper angeordneten Targetmaterial, wobei der Trägerkörper eine dem Targetmaterial abgewandte rückseitige Oberfläche und das Targetmaterial eine dem Trägerkörper abgewandte vorderseitige Oberfläche aufweist, und besteht darin, dass zwischen der vorderseitigen Oberfläche und der rückseitigen Oberfläche ein ferromagnetisches Material angeordnet ist.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Sputtertarget mit einem Trägerkörper und einem auf dem Trägerkörper angeordneten Targetmaterial, wobei der Trägerkörper eine dem Targetmaterial abgewandte rückseitige Oberfläche und das Targetmaterial eine dem Trägerkörper abgewandte vorderseitige Oberfläche aufweist.
- Sputtertargets haben häufig den Nachteil, dass das Material ungleichmäßig abgesputtert wird, so dass an einigen Stellen des Sputtertargets das abzusputternde Material bereits verbraucht ist, wenn an anderen Stellen noch genügend Sputtermaterial vorhanden ist. Dadurch wird das ursprünglich vorhandene Sputtermaterial häufig nicht optimal ausgenutzt. In der Praxis wird häufig versucht, durch eine Nachjustierung der in den Sputteranlagen vorhandenden Magnetsysteme oder durch Anbringen von Zusatzmagnetsystemen einen gleichmäßigeren Abtrag zu erzielen, um höhere Sputterraten zu erzielen. Solche Systeme sind beispielsweise in
DE 103 36 422 A1 beschrieben. Einen anderen Weg gehtEP 1 063 679 A1 . Hier werden Blechstreifen unterhalb des Sputtertargets in das Magnetsystem integriert. Ähnliche Wege werden inDE 196 22 606 A1 beschrieben. -
JP 2003138372 A JP 1147063 A - Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, Sputtertargets, insbesondere Rohrtargets, bereitzustellen, die ein möglichst gleichmäßiges Abtragsverhalten aufweisen. Dazu soll in sehr einfacher Weise eine Beeinflussung des Magnetfeldes im Sputterprozess erfolgen.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. Dadurch, dass zwischen der vorderseitigen Oberfläche des Targetmaterials und der rückseitigen Oberfläche des Trägerkörpers ein ferromagnetisches Material angeordnet ist, wird das anlagenbedingt vorhandene Magnetfeld beeinflusst, so dass die Standzeit der Sputtertargets durch Reduzierung der sich ggf. ausbildenden Sputtergräben erhöht wird. Insbesondere wenn der Trägerkörper als Trägerrohr ausgebildet ist und das Targetmaterial an der Außenseite des Trägerrohres angeordnet ist, ergeben sich Vorteile beim Sputtern. Dabei hat es sich überraschenderweise gezeigt, dass es möglich ist, selbst bei einer relativ kompliziert zu erstellenden rohrförmigen Struktur das Abtragsverhalten zu verbessern, ohne die Rohrkonstruktion selbst negativ zu beeinflussen.
- Das ferromagnetische Material kann zweckmäßigerweise in oder an einem Zwischenraum zwischen Trägerkörper und Targetmaterial angeordnet sein. Es kann sich insbesondere in Richtung der größten Längserstreckung des Trägerkörpers außerhalb der Mitte der Längserstreckung befinden, so dass die Enden der Rohre oder die im Bereich der Enden der Rohre liegenden Sputterbereiche beeinflusst werden. Ein besonders vorteilhafter und gleichmäßiger Abtrag ergibt sich, wenn das ferromagnetische Material in einem Längsschnitt längs der größten Erstreckung des Trägerkörpers oberhalb der Grundlinie des ferromagnetischen Materials ein kantenloses Profil aufweist. Bei einer solchen Ausbildung des ferromagnetischen Materials verändert sich seine Dicke kontinuierlich und stetig, so dass das Magnetfeld ebenfalls stetig geändert wird und in der Folge ein gleichmäßiger Abtrag über die Oberfläche des Sputtermaterials gesehen erfolgt.
- Das ferromagnetische Material kann insbesondere aufgespritzt sein. Hierzu bietet sich u. a. das Plasmaspritzen an. Besonders vorteilhaft ist die Verwendung des ferromagnetischen Materials in solchen Fällen, in denen das Targetmaterial selbst nicht ferromagnetisch ist. Das ferromagnetische Material kann in den Trägerkörper und/oder in das Targetmaterial eingebettet sein. Insbesondere kann das Trägermaterial auch dahingehend beeinflusst werden, dass es ferromagnetische Eigenschaften aufweist. In der Regel ist beispielsweise ein Trägerrohr aus Edelstahl gebildet. Es ist möglich, ein solches Trägerrohr einer Warmbehandlung bis zur Phasenumwandlung zu unterziehen. Dafür sind Temperaturen von > 900°C notwendig. Der Erwärmung folgt eine schnelle Abkühlung, so dass der entstandene Phasenzustand praktisch eingefroren wird, so dass das Trägerrohr aus einem ferromagnetischen Edelstahl gebildet ist. Ebenso ist es möglich, in einem Trägerkörper aus einem Edelstahl begrenzte ferromagnetische Berei che zu erzeugen, in dem beispielsweise das Material des Trägerkörpers, insbesondere des Trägerrohres, partiell aufgeschmolzen wird, beispielsweise durch ein Schweißverfahren, so dass partiell ferromagnetische Bereiche entstehen.
- Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand einer Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt
-
1a den Schnitt durch ein herkömmliches Sputtertarget, vor dem Sputtern, -
1b den Schnitt durch ein herkömmliches Sputtertarget, nach dem Sputtern, und -
2 den Schnitt durch ein erfindungsgemäßes Sputtertarget. - In
1a ist ein Teil eines rohrförmigen Sputtertargets dargestellt mit einem Targetmaterial1 , welches auf ein Trägerrohr3 aufgebracht ist. Zwischen dem Targetmaterial1 und dem Trägerrohr3 ist eine Haftvermittlerschicht2 , z. B. eine Lotschicht, angeordnet, die das Targetmaterial1 auf dem Trägerrohr3 fixiert und die beide elektrisch und wärmeleitend miteinander verbindet. Die aus dem Inneren des Trägerrohres3 einwirkenden Magnetfeldlinien4 sind entsprechend dem beabsichtigten Abtrag des Targetmaterials1 in ihrer Stärke längs des Sputtertargets justiert. Durch das Targetmaterial1 , die Haftvermittlerschicht2 und das Trägerrohr3 werden sie gedämpft, so dass das austretende Magnetfeld5 eine geringere Stärke aufweist. Durch die unterschiedliche Stärke der Magnetfeldlinien4 wird ein unterschiedlicher Sputterabtrag des Targetmaterials1 bewirkt, so dass, wie in1b dargestellt, sogenannte Sputtergräben entstehen können. Das Sputtertarget muss dadurch ausgetauscht werden, lange bevor das theoretisch abzusputternde Material verbraucht ist. - In
2 ist ein erfindungsgemäßes Sputtertarget nach dem Sputtervorgang dargestellt. Dabei ist zwischen dem Targetmaterial1 und dem Trägerrohr3 ein ferromagnetisches Material6 eingebracht worden, das zu einer Vergleichmäßigung des Materialabtrages geführt hat. Im Endbereich des Targetmaterials1 , wo ein Abtrag in der Regel weniger gewünscht ist, ist das ferromagnetische Material6 stärker ausgebildet, so dass der Magnetfelddurchtritt behindert wird. Durch die stetige Ausbildung des ferrogmagnetischen Materials6 ist ein gleichmäßiger Abtrag erzielt worden. Das ferromagnetische Material6 wurde aufgespritzt. Als ferromagnetisches Material kann beispielsweise Nickel verwendet werden, wobei die Schichtdicke, die Dichte des Materials der Schicht und die Ausbildung der Schicht (magnetische Orientierung) dem beabsichtigten Erfolg angepasst werden kann, wobei sichergestellt werden sollte, dass ein Mindestmagnetfelddurchgriff bestehen bleibt. Die optimale Schichtdicke wird durch das Ferromag netische Material6 selbst, durch die Ausbildung der Schicht und durch die Dichte der Schicht beeinflusst. Die Schichtdicke weist, je nach beabsichtigtem Erfolg, einen Wert bis zu 2,5 mm auf. Das ferromagnetische Material6 ist eingebettet zwischen Trägerrohr3 und Targetmaterial1 . Es ist aufgespritzt worden. Durch das „Einbetten" des ferromagnetischen Materials6 werden Querverunreinigungen während des Sputterprozesses vermieden, so dass der zu beschichtende Gegenstand nur mit dem Targetmaterial1 selbst beschichtet wird. Das ferromagnetische Material6 kann auch als Innenbeschichtung des Targetmaterials1 (an der Innenseite des Rohres aus Targetmaterial1 ) oder innerhalb des Targetmaterials1 angeordnet sein. Dadurch ist es auch wirksam, wenn sogenannte monolithische Sputtertargets verwendet werden, also Stuttertargets, bei denen das Targetmaterial zugleich das Trägerrohr darstellt. - Alternativ zu einem aufgespritzten ferromagnetischen Material
6 ist es auch möglich, Folien oder Ringe auf das Trägerrohr3 aufzubringen, vorzugsweise aufzulöten oder anzuschweißen. Ferromagnetisch aktive Schichten können auch in das Targetmaterial1 selbst eingearbeitet werden, insbesondere an dessen Unterseite. Auch ein Anschweißen magnetisch aktiver Trägerrohrsegmente ist möglich, so dass das Trägerrohr3 aus mehreren Segmenten besteht, von den einzelne ferromagnetisch sind, so dass lokal Änderungen der magnetischen Materialeigenschaften des Trägerrohres erfolgen. Das ferromagnetisch aktive Material6 selbst kann beispielsweise Nickel, Eisen oder Kobalt sein. - Das Trägerrohr
3 weist in der Regel eine Wandstärke von 3 bis 6 mm auf, wobei Standardwandstärken bei 4 mm liegen. Die Erfindung kann bei Trägerrohren3 aus praktisch allen geeigneten Materialen eingesetzt werden. Zu nennen sind hier beispielhaft Edelstahl, Kupfer, Aluminium oder Titan, gegebenenfalls unter Einschluß von ferromagnetischen Segmenten. Die Dicke des Targetmaterials1 liegt beispielhaft im Bereich von 2 bis 20 mm. Eine Begrenzung der Dicke ist gegeben durch den Magnetfelddurchtritt der in der Sputteranlage eingesetzten Magnetsätze, durch den Herstellprozess und die Materialkosten. - Durch Beeinflussung des Magnetfeldes im Sputtertarget kann eine aufwendige Justierung der Sputteranlage bzw. der Magneten an der Sputteranlage vermieden werden bei gleichzeitiger Erhöhung der Materialausbeute des Targetmaterials
1 . - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - DE 10336422 A1 [0002]
- - EP 1063679 A1 [0002]
- - DE 19622606 A1 [0002]
- - JP 2003138372 A [0003]
- - JP 1147063 A [0003]
Claims (9)
- Sputtertarget mit einem Trägerkörper und einem auf dem Trägerkörper angeordneten Targetmaterial, wobei der Trägerkörper eine dem Targetmaterial abgewandte rückseitige Oberfläche und das Targetmaterial eine dem Trägerkörper abgewandte vorderseitige Oberfläche aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der vorderseitigen Oberfläche und der rückseitigen Oberfläche ein ferromagnetisches Material angeordnet ist.
- Sputtertarget nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerkörper als Trägerrohr ausgebildet ist und dass das Targetmaterial an der Aussenseite des Trägerrohres angeordnet ist.
- Sputtertarget nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das ferromagnetische Material in oder an einem Zwischenraum zwischen Trägerkörper und Targetmaterial angeordnet ist.
- Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das ferromagnetische Material, in Richtung der größten Längserstreckung des Trägerkörpers, außerhalb der Mitte der Längserstreckung angeordnet ist.
- Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das ferromagnetische Material in einem Längsschnitt längs der größten Erstreckung des Trägerkörpers oberhalb der Grundlinie des ferromagnetischen Materials ein kantenloses Profil aufweist.
- Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das ferromagnetische Material aufgespritzt ist.
- Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Targetmaterial nichtferromagnetisch ist.
- Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das ferromagnetische Material in dem Trägerkörper und/oder dem Targetmaterial eingebettet ist.
- Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Trägerkörper aus einem ferromagnetischen Edelstahl gebildet ist.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007060306A DE102007060306B4 (de) | 2007-11-29 | 2007-12-12 | Magnetische Shunts in Rohrtargets |
AT08019797T ATE500347T1 (de) | 2007-11-29 | 2008-11-12 | Magnetische shunts in rohrtargets |
EP20080019797 EP2067874B1 (de) | 2007-11-29 | 2008-11-12 | Magnetische Shunts in Rohrtargets |
DE502008002715T DE502008002715D1 (de) | 2007-11-29 | 2008-11-12 | Magnetische Shunts in Rohrtargets |
US12/277,808 US8137518B2 (en) | 2007-11-29 | 2008-11-25 | Magnetic shunts in tubular targets |
CN2008101792394A CN101445914B (zh) | 2007-11-29 | 2008-12-01 | 管靶的磁分路 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007057870.0 | 2007-11-29 | ||
DE102007057870 | 2007-11-29 | ||
DE102007060306A DE102007060306B4 (de) | 2007-11-29 | 2007-12-12 | Magnetische Shunts in Rohrtargets |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102007060306A1 true DE102007060306A1 (de) | 2009-06-10 |
DE102007060306B4 DE102007060306B4 (de) | 2011-12-15 |
Family
ID=40621309
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102007060306A Expired - Fee Related DE102007060306B4 (de) | 2007-11-29 | 2007-12-12 | Magnetische Shunts in Rohrtargets |
DE502008002715T Active DE502008002715D1 (de) | 2007-11-29 | 2008-11-12 | Magnetische Shunts in Rohrtargets |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE502008002715T Active DE502008002715D1 (de) | 2007-11-29 | 2008-11-12 | Magnetische Shunts in Rohrtargets |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8137518B2 (de) |
CN (1) | CN101445914B (de) |
AT (1) | ATE500347T1 (de) |
DE (2) | DE102007060306B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112016002047B4 (de) * | 2015-05-06 | 2020-10-15 | Plansee Se | Anschlussstück für Rohrtarget |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8951394B2 (en) * | 2010-01-29 | 2015-02-10 | Angstrom Sciences, Inc. | Cylindrical magnetron having a shunt |
CN107419227A (zh) * | 2011-04-12 | 2017-12-01 | 株式会社爱发科 | 成膜装置 |
WO2022145244A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | デクセリアルズ株式会社 | スパッタリングターゲット部材及びその製造方法、スパッタ膜の製造方法、並びにマグネトロンスパッタリング装置 |
CN112899628A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-06-04 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种可均匀溅射旋转硅靶材及其制备方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3318828C2 (de) * | 1983-05-24 | 1986-01-02 | Interpane Entwicklungs- und Beratungsgesellschaft mbH & Co. KG, 3471 Lauenförde | Verfahren zum Aufbonden von Targetmaterial |
JPH01147063A (ja) | 1987-12-03 | 1989-06-08 | Ulvac Corp | マグネトロン・スパッタ装置 |
DE19622606A1 (de) | 1996-06-05 | 1997-12-11 | Leybold Systems Gmbh | Sputterkathode |
EP1063679A1 (de) | 1999-06-21 | 2000-12-27 | SINVACO n.v. | Magnetron mit beweglicher Magnetanordnung zur Kompensation des Erosionsprofils |
DE10063383C1 (de) * | 2000-12-19 | 2002-03-14 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur Herstellung eines Rohrtargets und Verwendung |
JP2003138372A (ja) | 2001-10-30 | 2003-05-14 | Applied Materials Inc | スパッタリングターゲット及びスパッタリング装置 |
DE10336422A1 (de) | 2003-08-08 | 2005-03-17 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung |
DE102004058316A1 (de) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | W.C. Heraeus Gmbh | Rohrförmiges Sputtertarget |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996015283A1 (en) | 1994-11-15 | 1996-05-23 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding targets to backing plate member |
DE202005015067U1 (de) | 2005-09-23 | 2005-12-29 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Kathodenanordnung, Beschichtungskompartment und Beschichtungsanlage |
DE102006026005A1 (de) * | 2006-06-01 | 2007-12-06 | W.C. Heraeus Gmbh | Kaltgepresste Sputtertargets |
-
2007
- 2007-12-12 DE DE102007060306A patent/DE102007060306B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-12 DE DE502008002715T patent/DE502008002715D1/de active Active
- 2008-11-12 AT AT08019797T patent/ATE500347T1/de active
- 2008-11-25 US US12/277,808 patent/US8137518B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-01 CN CN2008101792394A patent/CN101445914B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3318828C2 (de) * | 1983-05-24 | 1986-01-02 | Interpane Entwicklungs- und Beratungsgesellschaft mbH & Co. KG, 3471 Lauenförde | Verfahren zum Aufbonden von Targetmaterial |
JPH01147063A (ja) | 1987-12-03 | 1989-06-08 | Ulvac Corp | マグネトロン・スパッタ装置 |
DE19622606A1 (de) | 1996-06-05 | 1997-12-11 | Leybold Systems Gmbh | Sputterkathode |
EP1063679A1 (de) | 1999-06-21 | 2000-12-27 | SINVACO n.v. | Magnetron mit beweglicher Magnetanordnung zur Kompensation des Erosionsprofils |
DE10063383C1 (de) * | 2000-12-19 | 2002-03-14 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur Herstellung eines Rohrtargets und Verwendung |
JP2003138372A (ja) | 2001-10-30 | 2003-05-14 | Applied Materials Inc | スパッタリングターゲット及びスパッタリング装置 |
DE10336422A1 (de) | 2003-08-08 | 2005-03-17 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung |
DE102004058316A1 (de) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | W.C. Heraeus Gmbh | Rohrförmiges Sputtertarget |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
PAJ--JP 01147063 A |
Patent Abstracts of Japan & JP 01147063 A * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112016002047B4 (de) * | 2015-05-06 | 2020-10-15 | Plansee Se | Anschlussstück für Rohrtarget |
US10854436B2 (en) | 2015-05-06 | 2020-12-01 | Plansee Se | Connector piece for a tubular target |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090139861A1 (en) | 2009-06-04 |
DE102007060306B4 (de) | 2011-12-15 |
CN101445914B (zh) | 2012-08-22 |
ATE500347T1 (de) | 2011-03-15 |
US8137518B2 (en) | 2012-03-20 |
DE502008002715D1 (de) | 2011-04-14 |
CN101445914A (zh) | 2009-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19824308C1 (de) | Gleitlagerschale und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102007035622B4 (de) | Deckel für einen Ofen zur Aufnahme von Schmelzgut, insbesondere Metall, und Ofen zur Aufnahme von Schmelzgut | |
DE1966816C2 (de) | Metallrohr | |
DE102007060306B4 (de) | Magnetische Shunts in Rohrtargets | |
DE112006003537T5 (de) | Sputtertargetaufbau | |
EP0181385A1 (de) | Aktiv gekühlte einrichtung. | |
DE102008053637A1 (de) | Reibring und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102015207922A1 (de) | Hartkörper als Rasterpanzerung für eine Rollenpresse, Verfahren zur dessen Herstellung, und Rolle für eine Rollenpresse | |
WO2009036910A1 (de) | Rohrsputtertarget mit grabenförmig strukturierter aussenfläche des trägerrohres | |
EP2692524B2 (de) | Verbundwerkstoff mit Korrosionsschutzschicht und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3013560C2 (de) | Hochofen-Plattenkühler | |
DE102006060512A1 (de) | Sputtertargetanordnung | |
DE712586C (de) | Verfahren zur Herstellung eines von einem zaehen Mantel umgebenen hochgehaerteten Rohres, insbesondere fuer Versatzleitungen | |
EP2067874B1 (de) | Magnetische Shunts in Rohrtargets | |
DE102012018706B3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kolbenrings | |
DE2162699A1 (de) | Verfahren zur erhoehung der haftfestigkeit von durch thermisches spritzen aufgebrachten schichten | |
DE2161453B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Reibbelages auf Unterlagen, wie Bremsen oder Kupplungen mittels Plasmastrahl | |
WO2016176696A1 (de) | Rohrtarget | |
DE102012018585A1 (de) | Walze und Walzenbeschichtungsverfahren | |
DE102017005079B4 (de) | Kochgefäß mit metallischem Einsatz | |
DE112016002047B4 (de) | Anschlussstück für Rohrtarget | |
WO2015124478A1 (de) | SCHWEIßSPIEGEL ODER VERSCHLEIßPLATTE | |
DE2129992A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Schweissdraehten und nach diesem Verfahren hergestellte Schweissdraehte | |
DE2411448C2 (de) | Metallisches Gießband für Stranggießkokillen | |
DE102014203160A1 (de) | Schweißelektrode |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: HANS-CHRISTIAN KUEHN, DE Representative=s name: HANS-CHRISTIAN KUEHN, 63450 HANAU, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG, DE Free format text: FORMER OWNER: W.C. HERAEUS GMBH, 63450 HANAU, DE Effective date: 20111219 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: KUEHN, HANS-CHRISTIAN, DE Effective date: 20111219 |
|
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20120316 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |