CN101443866A - 提高了电容量的改进的带凹槽阳极和包括该阳极的电容器 - Google Patents
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Abstract
一种有狭窄凹槽(103)的阳极(100),能够改善阴极溶液对阳极体的浸入并减小当溶液转化成固体阴极材料时发生的重新分布。
Description
本申请涉及2006年5月10日提交的美国专利申请No.11/431,385,该申请于2006年12月26日被授权为美国专利No.7,154,742。
技术领域
本发明涉及一种具有窄凹槽的改进的阳极,并且该阳极具有改善的电容量、电容量回复(capacitance recovery)、耗散因数和在凹槽中改进的阴极层结构。
背景技术
提高电容器的电特性仍然有必要。电子工业中的两个长期趋势是继续使部件小型化和减少部件成本。对于固体电解电容器,主要通过使用比表面积较高的阀金属粉末(用于形成阳极体)来实现容积效率增加和成本减小。随着阳极体的比表面积增大,孔隙直径减小,这给制造工艺带来难度。
典型的固体电解电容器的阳极由多孔阳极体构成,其铅芯伸出阳极体并与电容器的正安装端子相连。首先通过将阀金属粉末压制成小片来形成阳极。阀金属包括Al、Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、W以及这些金属的混合物、合金或低价氧化物。将阳极烧结以在各个粉末颗粒间形成熔接。
通过在将阳极浸入电解质溶液中的同时对阳极施加电压的这种阳极氧化处理来在多孔阳极的内表面和外表面上形成电介质。电介质膜的厚度与锁施加的电压成比例。
固体电解电容器的阴极典型地是二氧化锰或本身导电的聚合物。在任一种情况下,都通过首先将阳极体浸入到随后被转化为固体阴极的溶液中来使电介质的内表面涂覆阴极材料。该浸入处理被称为浸渍(impregnation)。在二氧化锰阴极的情况下,将阳极浸入硝酸锰溶液,硝酸锰随后通过热分解处理转化为二氧化锰。该处理通常称作转化。通过将阳极浸入单体的溶液和氧化剂的溶液(浸入一个共混溶液,或者在另一种浸入处理中分别浸入各个溶液),从而在电介质内表面上形成本身导电的聚合物。一旦该单体和氧化剂浸渍了阳极体,就可以发生聚合反应,从而使得本身导电的聚合物涂覆在电介质内表面上。使氧化剂和单体反应的这种处理通常被称作聚合。
固体电解电容器的电容量由电容的一般等式决定:
C=kA/d
其中C=电容量;
K=介电常数;
A=阳极板/阴极板的表面积;以及
d=阳极板与阴极板之间的距离或电介质厚度。
由于阳极板和阴极板之间的距离与阳极氧化处理中用来形成电介质的电压成比例,因此可以在用于电阻值的一般等式中用形成电压(Vf)代替距离(d)。另外,由于介电常数是电介质的材料特性,可以看出电容量与形成电压的乘积与阳极的表面积成比例。该乘积在工业中通常称为CV。用于制造固体电解电容器的商用阀金属粉末的比表面积被表示为电容量乘以形成电压的乘积再除以粉末重量。阀金属粉末的比表面积的这个度量标准一般称为粉末的电荷量(chargeof the powder),通常缩写为CV/g。
为了促进对电子器件和组件小型化的继续需要,如图1所示,阀金属生产商在最近40年中已经开发出CV/g更高的粉末。随着CV/g增大,孔隙直径减小。由于减小的孔隙尺寸,对于如今可用的高CV/g粉末而言,在电介质内表面上涂覆固体阴极十分困难。电介质内表面上固体阴极的不完全涂覆会导致制成的器件中的电容量损失。由于阴极覆盖不完全所导致的电容量损失被表示为电容量回复,并由等式1定义。
电容量回复=100×(干电容/湿电容) 等式1
湿电容由阳极中的Ta的量、Ta的比表面积(CV/g)和阳极电镀电压确定。根据等式2来计算用于由这些阳极特性计算湿电容。
湿电容=(Ta的体积×压力密度×CV/g)/(形成电压)等式2
干电容是在阳极处于干燥状态时采用固体电解质之后测得的电容量。
阳极孔隙内的固体电解质的积聚和均匀性对制成的器件的几个电特性有影响,而这些电特性会影响电容器在电路中的性能。不良的或不均匀的积聚使得孔隙内固体电解质的电阻增大,从而导致等效串联电阻值(ESR)和耗散因数(DF)增大,以及导致较高频率时的电容量损失(电容衰减,capac itance roll off)。DF是测量固体电解质的这种特性时最常用的参数。
减小阳极尺寸的另一种手段是增加阳极密度。因此,对于给定了CV/g的粉末,阳极密度增加则CV/cc更高。然而,随着阳极密度增加,孔隙直径减小并且难以完全涂覆电介质表面。
涂覆电介质内表面的能力也由阳极尺寸决定。例如,在阳极体小于0.015立方厘米(其中最小尺寸大约为1mm)的可商购获得的电容器中,目前使用150,000CV/g的粉末。而对于大于约0.05立方厘米的阳极(其最小尺寸约为3.3mm),目前所使用的粉末的CV/g的实际限制是70,000CV/g。
固体电解电容器的生产商多年来一直在改进对电介质表面进行涂覆的处理。被操纵来改进浸渍处理的因素包括溶液浓度、浸入时间、浸入速度、表面张力和真空浸渍。尽管有这些改进,但由CV/g超过60,000的粉末压制而成的大尺寸阳极的电容量回复仍小于50%。对于采用二氧化锰作为阴极的电容器,这样的情况主要是由于在转化处理过程中二氧化锰的重新分布而造成的。这种重新分布发生的部分原因是由于在下面的反应过程中产生的气体逸出:
Mn(NO3)2→MnO2+2NO2(g)
随着这些气体从阳极体内逸出,它们将未反应的硝酸锰带出到阳极体的外部。这导致了对靠近阳极中部的电介质表面的不良涂覆以及不良的电容量回复。类似地,随着单质和/或氧化剂溶液中的溶剂在聚合之前或在聚合过程中蒸发,逸出的气体导致远离阳极体中部的聚合体的重新分布。
电容器工业中的另一重要趋势是促进在高频(100kHz以及更高)具有低ESR的部件。为了减小ESR,部件生产商开发出减小电容器各种元件的电阻值的措施。通常,对部件ESR的最有影响的是内阴极层和外阴极层的电阻值。这些元件的电阻值遵循如等式3所示的一般电阻值等式。
电阻值=电阻率×路径长度/横截面积 等式3
例如,在专利号为6,191,936、5,949,639和3,345,545的美国专利中描述了有凹槽的阳极,其包括在一整块电容器主体上的沟纹或槽,所述有凹槽的阳极减小了通过内阴极层的路径长度并增加了电流流经外阴极层的横截面积。利用了如图1所示有凹槽的阳极的电容器取得了很大的成功,并且该技术仍用于目前的电容器中。然而,在阳极中开出的槽减小了阳极的CV,从而导致器件电容量降低。
Webber等人的美国专利6,191,936公开了一种具有0.254mm到0.508mm的凹槽的电容器。作者描述这些凹槽的优点是具有较低ESR,但是缺点是较低的电容量。凹槽尺寸影响电容量,这是因为凹槽减小了阳极的内表面面积。Webber等人声称,通过将凹槽尺寸限制在宽度和深度都为0.254mm到0.508mm就能使减小电容量的缺点最小化,而同时仍能实现如现有技术(比如美国专利3,345,545)中所述的凹槽的优点。
仍然期望改进阳极体的浸渍从而可提高电容量并期望改进对CV/g更高的粉末进行充分利用的能力而不用牺牲等效串联电阻值、耗散因数或电容衰减。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种改进的有凹槽的阳极以及包括该阳极的电容器。
本发明的另一目的是提供一种具有更高电容量的电容器。
本发明的又一目的是改进成品电容器的电容量回复。
本发明的又一目的是改善涂覆在用于高CV/cc阳极的电介质内表面上的阴极的均匀性。
本发明的一个目的是提供电介质内表面上固体电解质的更加均匀的涂覆。
特别的优点是在凹槽内壁上提供改进的阴极涂覆的能力。
本发明的一个目的是提供电介质内表面上固体电解质的更加完全的涂覆。
本发明的另一个目的是减小固体电解电容器的DF。
一种具有最宽处不超过0.25mm的窄凹槽的阳极具有将要实现的这些优点和其它优点。
一种改进的电容器具有将要实现的这些优点和其它优点。该电容器配备了有凹槽的阳极,其中每个凹槽均具有不小于0.06mm且不大于0.25mm的宽度。阳极端子与阳极电接触。阴极被涂覆于电解质上。阴极端子与阴极电接触。
在一个改进的电容器中提供了另一个实施例。该电容器具有由粉末电荷量至少为50,000CV/g的钽粉末形成的钽阳极。钽阳极具有凹槽,其中每个凹槽的宽度均不大于0.3mm且深度介于0.75mm到1.50mm之间。阳极端子与阳极电接触。在阳极上涂覆了电介质,并且在电介质上涂覆了阴极。阴极端子与阴极电接触。
附图说明
图1是CV/g和平均孔隙直径的历史变化曲线。
图2是本发明的阳极的俯视透视图。
图3示出传统阳极的二氧化锰分布。
图4示出本发明的阳极的二氧化锰分布。
图5以曲线绘出针对各种凹槽宽度的阳极的作为凹槽深度的函数的干电容。
图6示出针对各种凹槽宽度的阳极的电容量回复与凹槽深度的关系。
图7示出对于凹槽深度为1.01mm的干电容与凹槽宽度的关系。
图8是针对各种凹槽宽度的阳极的DF与凹槽深度的关系的曲线图。
图9示出本发明的一种阳极。
图10示出本发明的一种阳极。
具体实施方式
将参照形成说明书的组成部分的各个附图来描述本发明。对各个附图中类似的部件相应地进行编号。
经过辛勤研究,已经发现在形成阴极的反应过程中发生的固体阴极重新分布中存在对阳极体内表面进行涂覆的能力的限制。物质向阳极的外部进行重新分布造成了电容量损失。通过在阳极中采用非常窄的凹槽,阳极的外表面可以更靠近阳极的中部。这能够改进电容量回复而不会损失刚才所设想的有凹槽的阳极的电容量。最终实现更高电容量、改进的电容量回复以及(通过需要更少的阀金属粉末而实现的)更低成本。除了这些优点,由于固体阴极的分布更加均匀,改善了电容器性能、DF、ESR、电容衰减和泄漏这些其它电度量标准。
图2中的透视图示出了本发明的一种阳极。该阳极总体由100表示,其包括径向压缩的阳极体101和结合到其中的阳极铅芯102。阳极铅芯可以焊接到阳极体上。在一个优选实施例中,阳极铅芯插入阳极粉末中,并且通过压制粉末以形成阳极体并借助压缩将阳极铅芯压入阳极体来使阳极铅芯稳稳固定在阳极粉末中。还可以包括额外的阳极铅芯,该阳极铅芯可以具有圆形、椭圆形或矩形横截面形状。
阳极体101包括一连串凹槽103。每个凹槽均具有不小于0.06mm且不大于0.3mm的宽度,在一些实施例中,其具有不小于0.5mm且不大于1.5mm的深度。更优选的是,凹槽深度不小于0.75mm且不大于1.25mm。更优选地,凹槽宽度不小于0.10mm且不大于0.25mm。更加优选地,凹槽宽度大于0.20mm且不大于0.25mm。小于0.06mm的凹槽宽度接近于没有凹槽的阳极,因此不能提供高CV/g的粉末的优点。大于0.3mm的凹槽宽度由于导致比没有凹槽的阳极还差的干电容,因此是有害的。优选的是凹槽沿阳极体的长度延伸。
积聚在凹槽内壁上的阴极随着凹槽宽度变窄而减少。凹槽内壁上阴极涂覆的不充分使得在阴极层之后涂敷的碳和银层穿过阴极层并与电介质接触。碳或银与电介质接触导致包括短路的高泄漏和生产时的低产量。避免该问题的一个途径是利用阴极层来完全填充凹槽。用来使阴极完全填充凹槽的步骤增加了积聚在阳极外表面上的阴极。这增大了阳极的尺寸,从而减小了旨在通过采用窄凹槽来使之最小化的容积效率。为了完全填充凹槽而不导致阳极外表面上的过度积聚,特别优选的是凹槽深度为大于0.20mm到小于等于0.25mm。
在图9中示出了一个特别优选的实施例。在图9中,包括阳极导线202的阳极201在凹槽的开口处更宽,并随着伸入阳极体内部而变窄。因此,从与凹槽长度方向成直角地看过去,凹槽是V形的线性收缩的凹槽203。可选地,凹槽可以形成弧形来更接近于如图10所示当从与凹槽长度方向成直角的角度看时的正弦波的一部分。在图10中,凹槽204包括径向收缩的凹槽。径向收缩的凹槽是非线性收缩的。不过,这些形状限制了凹槽的深度。当使用收缩的凹槽时,最宽部分优选地在凹槽的开口处。如图6和8所示,凹槽深度改善了电容量回复和DF。为了在平衡对高电容量、电容量回复、生产量的要求的同时使DF和泄漏最小化,期望凹槽宽度大于0.2mm但小于0.25mm。
通过压制粉末来形成阳极。阳极粉末优选为粉末电荷量至少为50,000CV/g的钽。更优选地,阳极粉末具有至少70,000CV/g的粉末电荷量,尤为优选地,阳极粉末具有至少100,000CV/g的粉末电荷量。由于粉末的多孔性使得能充分形成二氧化锰层,因此在大约50,000CV/g以下,本发明只能勉强实现其优点。本发明可用的粉末电荷量的上限由目前的粉末无效率(粉末电荷量在大约200,000CV/g以上)所限制。在该整篇说明书中,可以使用大约6g/cc的密度将CV/g转换为CV/cc。
示例
示例1
使用62,000CV/g的粉末来压制两组阳极。阳极尺寸为3.25×3.25×4.83mm。压制后阳极密度为6.0g/cc。用于比较的第一组阳极采用无凹槽的传统阳极。将本发明的一组阳极压制成具有尺寸为0.20mm宽、约1.0mm深的四个凹槽。将阳极进行真空烧结以形成适于制造固体电解电容器的多孔阳极。在形成电介质的阳极氧化处理步骤之后,通过一系列总共13次硝酸锰浸渍/转化循环来处理两组阳极。然后折断阳极以显露其二氧化锰的分布。用光学显微镜拍摄照片以示出这两种阳极设计之间二氧化锰分布的不同。图3是在传统阳极中的MnO2分布的显微照片。在矩形方框外部,用于比较的阳极显示出表示大量二氧化锰积聚的阴影。这种大量积聚使得在随后的浸渍/转化循环中更难伸入阳极的中部。图4是示出在具有0.2mm宽的凹槽的阳极中的MnO2的分布。在矩形方框和椭圆形框之间,具有很窄的凹槽的阳极显示出表示适量二氧化锰积聚的阴影。用于比较的阳极显示出表征电介质的阴影,表示存在很少的二氧化锰积聚。在椭圆形框内部,用于比较的阳极明显几乎没有(如果有的话也是很少)二氧化锰涂覆在电介质表面上,而具有很窄凹槽的阳极显示出改善的二氧化锰涂覆特征。
通过额外的一组硝酸锰浸渍来一起处理两组阳极。在涂敷了碳和银层之后,测量电容器的电特性。
下表1中提供了这些数据。
表1
组 | 干电容(μF) | 电容量回复(%) | 耗散因数(DF) | ESR(毫欧) | 泄漏(μA) |
用于比较的组 | 382 | 76% | 9.32 | 86 | 42 |
本发明的组 | 414 | 90% | 5.52 | 67 | 18 |
示例2
使用62,000CV/g的粉末压制阳极。阳极尺寸为3.25×3.25×4.83mm。压制之后阳极的密度为6.0g/cc。第一组的阳极采用传统阳极(没有凹槽)。为了示出凹槽宽度和深度对固体电解电容器的电特性的影响,压制了其它几组阳极。使用62,000CV/g的粉末压制这些组,并且阳极外部尺寸均为3.25×3.25×4.83mm。压制之后阳极的密度为6.0g/cc。凹槽宽度在0.2mm和0.66mm之间变化。凹槽深度在0.51mm和1.27mm之间变化。烧结之后,将阳极进行阳极氧化处理到38伏特以形成电介质。根据阳极的外部尺寸(3.25×3.25×4.83mm)减去凹槽的尺寸(例如4×0.56×1.0mm)来计算Ta的量。如等式2所示的那样根据Ta的量、压制密度、粉末电荷量和形成电压来计算湿电容。通过工业中通常采用的一系列的21次硝酸锰浸渍和转化循环来处理阳极组。在涂敷碳和银层之后测量电容器的电特性。根据干电容与湿电容之比(×100)来计算电容量回复。数据见表2。
表2
凹槽宽度(mm) | 凹槽深度(mm) | Ta体积(mm3) | 湿电容(μF) | 干电容(μF) | 电容量回复(%) | 固体DF(%) |
0.00 | 0.00 | 51.01 | 499.4 | 391.2 | 78.3 | 10.9 |
0.20 | 1.02 | 47.03 | 460.4 | 413.0 | 89.7 | 5.3 |
0.56 | 0.51 | 45.53 | 445.7 | 372.8 | 83.6 | 8.4 |
0.56 | 0.76 | 42.79 | 418.9 | 359.0 | 85.7 | 7.7 |
0.56 | 1.02 | 40.05 | 392.1 | 346.4 | 88.4 | 5.7 |
0.56 | 1.27 | 37.31 | 365.3 | 330.2 | 90.4 | 4.6 |
0.66 | 0.51 | 44.54 | 436.0 | 361.4 | 82.9 | 10.4 |
0.66 | 0.76 | 41.3 | 404.3 | 350.9 | 86.8 | 8.2 |
0.66 | 1.02 | 38.06 | 372.6 | 336.6 | 90.3 | 5.0 |
0.66 | 1.27 | 34.82 | 340.9 | 294.5 | 86.4 | 3.8 |
在图5中,干电容与凹槽深度之间的关系曲线表明,对于具有0.56mm和0.66mm的凹槽的阳极,电容随着凹槽深度的增大而下降。对于给定的凹槽深度,0.66mm的凹槽宽度的干电容比0.56mm的凹槽宽度的干电容低。由于用于更大凹槽的Ta粉末的损失,可以预料到这些趋势。令人惊奇的是,压制了0.20mm×1.02mm的凹槽的阳极的干电容比没有凹槽的传统阳极的干电容高。
在图6中,电容量回复与凹槽深度之间的关系曲线表明电容量回复随凹槽深度上升。在电容量回复与凹槽尺寸之间的这种相关性之前是事先未知的并且不可预见。电容量回复并非在很大程度上取决于凹槽宽度。由于任意实验中存在随机变化,对于具有相等凹槽深度的阳极,数据的变化显得很大。
图7绘制出对于1.01mm的凹槽深度,干电容与凹槽宽度之间的关系。该数据表明对于在大约0.30mm之下的凹槽宽度,有凹槽的阳极的干电容比传统阳极的干电容更高。
耗散因数(DF)是浸渍处理的品质的另一度量标准。在图8中绘制出了DF与凹槽深度的关系。它显示DF随凹槽深度增大而降低,但与电容量回复类似,DF独立于凹槽宽度。所有有凹槽的阳极的DF都比传统阳极的DF更好,但是实现更好DF不需要宽的凹槽。
已经以着重强调的优选实施例来描述了本发明,但不是限制本发明。本发明的范围和边界由所附权利要求阐明。
Claims (44)
1.一种电容性元件,包括:
阳极,其包括一个或多个凹槽,其中每个凹槽均具有不小于0.06mm且不大于0.25mm的宽度;
与所述阳极电接触的阳极端子;
涂覆在所述阳极上的电介质;
涂覆在所述电介质上的阴极;和
与所述阴极电接触的阴极端子。
2.如权利要求1所述的电容性元件,其中所述凹槽具有不大于0.20mm的宽度。
3.如权利要求1所述的电容性元件,其中所述凹槽具有大于0.20mm的宽度。
4.如权利要求1所述的电容性元件,其中所述阳极包括被压制的粉末,其中所述被压制的粉末具有至少为50,000CV/g的粉末电荷量。
5.如权利要求4所述的电容性元件,其中所述被压制的粉末具有至少为70,000CV/g的粉末电荷量。
6.如权利要求5所述的电容性元件,其中所述被压制的粉末具有至少为100,000CV/g的粉末电荷量。
7.如权利要求1所述的电容性元件,其中所述阳极包括从铝、钽、铌、钛、锆、铪、钨及它们的混合物、合金或低价氧化物中选择的至少一种成分。
8.如权利要求7所述的电容性元件,其中所述粉末包括钽。
9.如权利要求1所述的电容性元件,其中所述凹槽具有不大于0.10mm的宽度。
10.如权利要求1所述的电容性元件,其中所述凹槽具有至少为0.50mm的深度。
11.如权利要求10所述的电容性元件,其中所述凹槽具有不小于0.50mm且不大于1.5mm的深度。
12.如权利要求11所述的电容性元件,其中所述凹槽具有不小于0.75mm且不大于1.25mm的深度。
13.如权利要求1所述的电容性元件,其中所述凹槽是收缩的。
14.如权利要求13所述的电容性元件,其中所述凹槽是线性收缩的。
15.如权利要求13所述的电容性元件,其中所述凹槽是径向收缩的。
16.一种用于形成电容器的方法,包括:
将粉末压制成阳极,该阳极包括宽度不小于0.06mm且不大于0.25mm的凹槽;
提供与所述阳极电接触的阳极端子;
在所述阳极上形成电介质;
在所述电介质上形成阴极;和
形成与所述阴极电接触的阴极端子。
17.如权利要求16所述的用于形成电容器的方法,其中所述阳极包括被压制的粉末,其中所述被压制的粉末具有至少为50,000CV/g的粉末电荷量。
18.如权利要求17所述的用于形成电容器的方法,其中所述被压制的粉末具有至少为70,000CV/g的粉末电荷量。
19.如权利要求18所述的用于形成电容器的方法,其中所述被压制的粉末具有至少为100,000CV/g的粉末电荷量。
20.如权利要求16所述的用于形成电容器的方法,其中所述阳极包括从铝、钽、铌、钛、锆、铪、钨及它们的混合物、合金或低价氧化物中选择的至少一种成分。
21.如权利要求20所述的用于形成电容器的方法,其中所述粉末包括钽。
22.如权利要求16所述的用于形成电容器的方法,其中所述凹槽具有不大于0.2mm的宽度。
23.如权利要求16所述的用于形成电容器的方法,其中所述凹槽具有大于0.2mm的宽度。
24.如权利要求16所述的用于形成电容器的方法,其中所述凹槽具有不大于0.1mm的宽度。
25.如权利要求16所述的用于形成电容器的方法,其中所述凹槽具有至少为0.50mm的深度。
26.如权利要求25所述的用于形成电容器的方法,其中所述凹槽具有不小于0.50mm且不大于1.5mm的深度。
27.如权利要求26所述的用于形成电容器的方法,其中所述凹槽具有不小于0.75mm且不大于1.25mm的深度。
28.如权利要求16所述的用于形成电容器的方法,其中所述凹槽是收缩的。
29.如权利要求28所述的用于形成电容器的方法,其中所述凹槽是线性收缩的。
30.如权利要求28所述的用于形成电容器的方法,其中所述凹槽是径向收缩的。
31.一种用于形成电容器的方法,包括:
将粉末压制成阳极,该阳极包括宽度不小于0.06mm且不大于0.3mm的凹槽;
提供与所述阳极电接触的阳极端子;
在所述阳极上形成电介质;和
形成与阴极电接触的阴极端子,其中所述凹槽具有不小于0.75mm且不大于1.25mm的深度。
32.一种电容性元件,包括:
用钽粉末形成粉末电荷量至少为50,000CV/g的钽阳极,其中所述钽阳极包括凹槽,其中每个凹槽均具有不大于0.25mm的宽度和介于0.50mm到1.50mm之间的深度;
与所述阳极电接触的阳极端子;
涂覆在所述阳极上的电介质;
涂覆在所述电介质上的阴极;和
与所述阴极电接触的阴极铅芯。
33.如权利要求32所述的电容性元件,其中所述钽粉末具有至少为70,000CV/g的粉末电荷量。
34.如权利要求33所述的电容性元件,其中所述钽粉末具有至少为100,000CV/g的粉末电荷量。
35.如权利要求32所述的电容性元件,其中所述凹槽具有不大于0.2mm的宽度。
36.如权利要求32所述的电容性元件,其中所述凹槽具有大于0.2mm的宽度。
37.如权利要求32所述的电容性元件,其中所述凹槽具有不小于0.75mm且不大于1.25mm的深度。
38.如权利要求32所述的电容性元件,其中所述凹槽具有至少为0.06mm的宽度。
39.如权利要求32所述的电容性元件,其中所述凹槽具有不大于0.1mm的宽度。
40.一种电容性元件,包括:
阳极,其包括一个或多个凹槽,其中每个凹槽均具有不小于0.06mm且不大于0.3mm的宽度;
与所述阳极电接触的阳极端子;
涂覆在所述阳极上的电介质;
涂覆在所述电介质上的阴极;和
与所述阴极电接触的阴极端子,其中所述凹槽具有不小于0.75mm且不大于1.25mm的深度。
41.一种电容性元件,包括:
阳极,其包括一个或多个凹槽,其中每个凹槽均具有不小于0.06mm且不大于0.25mm的宽度;
与所述阳极电接触的阳极端子;
涂覆在所述阳极上的电介质;和
涂覆在所述电介质上的阴极。
42.一种电容性元件,包括:
阳极,其包括一个或多个收缩的凹槽,其中每个凹槽均具有大于0.2mm且不大于0.25mm的最大宽度;
与所述阳极电接触的阳极端子;
涂覆在所述阳极上的电介质;
涂覆在所述电介质上的阴极;和
与所述阴极电接触的阴极端子。
43.如权利要求42所述的电容性元件,其中所述收缩的凹槽是线性收缩的凹槽。
44.如权利要求42所述的电容性元件,其中所述收缩的凹槽是径向收缩的凹槽。
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