CN101431039B - 晶圆检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种晶圆检测方法，包括步骤如下：步骤1：加载一先行通过一电性测试阶段的晶圆，同时加载在该电性测试阶段之后所输出的一第一档案格式的地图档，该第一档案格式的地图档记录该晶圆上每一晶粒的电性测试结果；步骤2：定位该晶圆与该第一档案格式的地图档(map file)；步骤3：检视该晶圆上每一晶粒的外观瑕疵；步骤4：若检视外观为不良的晶粒，将所述的外观为不良的晶粒的位置对应地记录并修改该地图档的资料；以及步骤5：储存该修改后的地图档。由此，可针对地图档直接做修改、标记的动作，可以有效节省检测的时程。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶圆检测方法，尤指一种直接修改地图档以提高检测效率的晶圆检测方法。
背景技术
在个人移动信息、电子商务、全球通讯以及数字家庭等电子化概念逐渐应用在现代生活的情况下，半导体生产制造工业同时因应各种应用端的需求而快速地成长。相对的，半导体制程中产能的提高，良率的提升亦是提升半导体工业的发展。
一般来说，为了在半导体基板上实现电路功能，该半导体基板必须经过以下步骤，例如金属层的沉积、利用黄光制程在每一层材料上制作图样、离子植入等相关制程。而为了确保每一制程的结果均能符合当初设计上的要求，则必须进行电路功能或物理结构上的检测。例如在沉积金属层的步骤之后，必须针对金属层的厚度、结晶性等进行确认的动作。
再者，在半导体制造制程完成之后，每一晶粒上的集成电路均会利用探针的方式进行电性量测的步骤。当发现某一晶粒的电性功能失效，则利用墨点的方式加以标记，而该些被标记的晶粒就不会进行封装的动作，以节省封装的材料。而在电性量测的步骤之后，更包括一人工检视外观的程序，以确保外观上并无缺陷、瑕疵等情况。
然而，现有的流程中，人工检视的结果并无法追溯到电性量测的结果，故两者在配合的衔接上有很大的不兼容的状况，使人工检视的时程影响到整体产能的输出，更可能造成检测结果的不精确。
于是，本发明人有感上述缺陷的可改善，提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种晶圆检测方法，可针对地图档直接做修改、标记的动作，可以有效节省检测的时程。
本发明的另一目的在于，提出一种晶圆检测方法，可应用电子地图档的修改与纪录，避免人工纪录的错误情况。
为了达成上述目的，本发明提供一种晶圆检测方法，包括步骤如下：步骤1：加载一先行通过一电性测试阶段的晶圆，同时加载在该电性测试阶段之后所输出的一第一档案格式的地图档，该第一档案格式的地图档记录该晶圆上每一晶粒的电性测试结果，摆正该晶圆，且搜寻该晶圆的上边缘、下边缘、左边缘及右边缘；步骤2：定位该晶圆与该第一档案格式的地图档(map file)，计算该晶圆的外型，且将该外型对齐于该地图档的一坐标；步骤3：检视该晶圆上每一晶粒的外观瑕疵；步骤4：若检视外观为不良的晶粒，将所述的外观为不良的晶粒的位置对应地记录并修改该地图档的资料，若该晶圆上有一刮痕，则标记该刮痕的端点于该地图档，根据该刮痕的端点计算该刮痕的长度及面积；以及步骤5：储存该修改后的地图档。
本发明具有以下有益的效果：本发明提出的晶圆检测方法，让目视检测人员在发现晶圆或晶粒上出现外观瑕疵的情况下，直接修改加载的地图档，进而使检测结果得以快速地输入计算机，而提高检测制程速度。
再者，本发明可针对修改后的地图档输出为不同的档案格式，使后续制程得以更有效率的进行。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明晶圆检测方法的检测流程图；
图2为本发明晶圆检测系统的示意图；
图3为本发明中晶圆的示意图；
图4A为本发明所加载的地图档的示意图；
图4B为本发明修改后的地图档的示意图。
图中符号说明
1 晶圆 11 晶粒
2 晶圆检测系统 21 承载转盘
22 操控装置
23 影像撷取装置
24 显示装置
25 输入接口
具体实施方式
在生产线完成最后一道制程之后，必须将晶圆切割成单一的晶粒以进行封装的步骤。但在封装之前，必须检查每一晶粒的电性功能是否正常，亦即利用一电性量测探针，针对每一晶粒检测其电性功能是否正常，并将该检测的结果以一电子化的地图档的方式输出，通常该地图档为一特别的档案格式，在本实施例中，该档案格式为第一档案格式。现有的人工检查，无法以计算机化的方式作业，故操作员必须先以纸本进行记录。然而在本发明中，将人工检查的作业运用在一生产平台，使之可以直接读取该电子化的地图档，并直接将目视检查的结果记录在该地图档中。
请参阅图2，本发明提供一种晶圆检测系统2，该晶圆检测系统2主要应用于目视检查晶圆的检测系统，且该系统可用以读取一第一档案格式的地图档(map file)，并将该地图档与该对应的晶圆进行定位对齐之后，检测人员可依照其检测结果直接于该地图档上记录并加以储存，由此可快速地将其检测结果数字化，以加快其检测速度。其检测方法包括如下步骤(请同时参阅图2及图3)：
(a)提供一晶圆1，该晶圆1反复利用半导体制程成形多个晶粒11于其上，将该晶圆1加载至一晶圆检测系统2的承载转盘21上。该晶圆1在进入此一晶圆检测系统2之前，已经先行通过一电性测试阶段，该电性测试阶段主要针对每一个晶粒11进行电性特性，例如利用探针进行内存测试(memory test)、逻辑测试(logic test)等等。在该电性测试阶段之后，测试机台通常会针对测试不合格的晶粒11印上(inking)第一墨色以利后续切割及打线封装制程的进行。而在电性测试阶段之后，同时会输出一第一档案格式的地图档，以记录该晶圆1上每一晶粒11的电性测试结果。例如图4A所示，该地图档显示每一晶粒11的电性测试结果，而不同晶粒11上的标号则表示该晶粒11在电性测试阶段所出现的问题，亦即A、B、Q、3等仅是表示该晶粒11发生的错误情况而单点记号则表示该晶粒11通过电性测试的结果，并非用以限制本发明。故在此步骤中，加载该晶圆1至该承载转盘21上，并同时加载对应该晶圆1的地图档于该晶圆检测系统2的作业主机。
另一方面，该晶圆1可通过该承载转盘21移动至一影像撷取装置23的中心，该影像撷取装置23可为一CCD，但并不以此为限；并可通过设置于该晶圆检测系统2的显示装置24显示该晶圆1的画面。
(b)定位该晶圆1与该地图档。在此步骤中，必须将该晶圆1与该地图档相互定位，如此才能让操作人员在正确的地图档位置上进行标记。在本实施例中，该对位的程序可由下列动作进行晶圆1与该地图档的对齐，首先，摆正该晶圆1，并进而执行搜寻该晶圆1的上边缘、下边缘、左边缘及右边缘的步骤，而搜寻该晶圆1的上边缘的步骤中更进一步找出该晶圆1上边缘的中心点，由此可决定该晶圆1的外型，再根据该晶圆1的外型与该地图档相比对，如此可将该晶圆1的坐标轴与该地图档的坐标轴相互对齐。由此，当操作人员在该显示装置24上检测到不合格的晶粒11，即可直接在该地图档中进行标记与修改的动作。
另一方面，若根据该晶圆1的上边缘、上边缘的中心点、下边缘、左边缘及右边缘的资料，无法将该晶圆1的坐标轴与该地图档的坐标轴对齐，则载出该晶圆1。
(c)检视该晶圆1的外观；若该晶圆1的坐标轴与该地图档的坐标轴可相互对齐，则操作人员即可在该显示装置24中进行所述的晶粒11的目视检查。而该影像撷取装置23设有一倍率调整装置，操作人员可视实际的情况调整其显示的放大倍率，以能清楚地发现每一晶粒11的外观瑕疵。操作人员可通过设置于该晶圆检测系统2的操控装置22使该晶圆1相对于该影像撷取装置23进行位移，使该操作人员可每一列每一行地反复进行每一晶粒11的目视检测。
(d)若检测该晶圆1外观为不良，记录并修改该地图档的资料。在此步骤中，若操作人员于目视检测中发现任何外观上的瑕疵，应就该缺陷的位置进行标记，例如该晶圆1的外观有明显的刮痕或裂缝，则操作人员将该刮痕的起点、终点记录在该地图档中；又如图4A中，自右算起第五列，自下算起第五行的晶粒11为通过电性测试的晶粒11(在图4A标记为单点记号)，但在此检测步骤时被发现有外观上的问题，则该操作人员可由该晶圆检测系统2的输入接口25直接在该地图档上进行标记，而该操作人员可标记不同的记号或标号于所述的晶粒11，以对应于所述的晶粒11外观的瑕疵情况，如在图4B中被标记为F；而其它通过电性测试的晶粒11，亦出现外观瑕疵的情况而被加以标记。
此外，该晶圆检测系统2亦可装设有一点墨系统(图未示)，操作人员可在修改该地图档时，同时针对该外观具有瑕疵的晶粒11印上一第二墨色，以供后续人员或机台进行挑选制程。而此阶段的第二墨色可与之前电性测试的第一墨色不同，使两者(电性测试及外观测试)之间的测试结果可以清楚区别。
该晶圆检测系统2可进行外观瑕疵面积或长度的估算，利用记录在地图档中的该刮痕的起点、终点的坐标位置，即可估计瑕疵面积或长度的大小。
(e)储存该修改后的地图档。当操作人员完成该晶圆1的目视检查，同时也将目视检查不合格的晶粒11位置标记于该地图档后，即可储存该修改后的地图档，请参考图4B。图4B显示操作人员所标记的外观不良的晶粒11，其用标号F显示于地图档中。而该储存步骤可将该修改后的地图档储存为第一档案格式，亦即储存为与加载的地图档相同的档案格式，以覆写该修改前的地图档；或该储存步骤可将该修改后的地图档储存为第二档案格式，亦即另行输出一个新的档案格式的地图档。
另一方面，由于晶圆1为易碎材质，且每一晶圆1上均有利用半导体方法所制造的集成电路，故为了保护晶圆1及其半导体结构，本晶圆检测系统2可加装自动取片系统，用以取代操作员直接用手拿取芯片，进一步达成保护芯片的功用。
综上所述，本发明具有下列诸优点：
1、具有较高的检测性，由于本发明可直接针对电性量测结果的地图档案做修改、标记的动作，可节省人工纪录再转成电子文件档的时间。
2、另一方面，由于本发明可读取地图档，并对齐该待检测晶圆与该地图档，使两者之间的位置清楚对应，进而减少位置对应错误造成必须重新检测的问题。
3、本发明可适用于大量生产的自动化产线，故具有较佳的生产效率及较高的产能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，非意欲局限本发明的专利保护范围，故举凡运用本发明说明书及附图内容所为之等效变化，均同理皆包含于本发明的权利保护范围内。
Claims (7)
1.一种晶圆检测方法，其特征在于，包括步骤：
步骤1：加载一先行通过一电性测试阶段的晶圆，同时加载在该电性测试阶段之后所输出的一第一档案格式的地图档，该第一档案格式的地图档记录该晶圆上每一晶粒的电性测试结果，摆正该晶圆，且搜寻该晶圆的上边缘、下边缘、左边缘及右边缘；
步骤2：定位该晶圆与该第一档案格式的地图档，其中该地图档为第一档案格式，计算该晶圆的外型，且将该外型对齐于该地图档的一坐标；
步骤3：检视该晶圆上每一晶粒的外观瑕疵；
步骤4：若检视外观为不良的晶粒，将所述的外观为不良的晶粒的位置对应地记录并修改该地图档的资料，若该晶圆上有一刮痕，则标记该刮痕的端点于该地图档，根据该刮痕的端点计算该刮痕的长度及面积；以及
步骤5：储存该修改后的地图档。
2.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于：在搜寻该晶圆的上边缘的步骤中，更包括搜寻该晶圆上边缘中心点的步骤。
3.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于：在步骤2中，若无法对齐该外型与该地图档的该坐标，则载出该晶圆；若对齐，则进行步骤3。
4.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于：在步骤3中，反复移动该晶圆，且检视该每一晶粒的外观。
5.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于：在步骤5中，该修改后的地图档储存为第一档案格式。
6.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于：在步骤5中，该修改后的地图档储存为第二档案格式。
7.如权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于：在步骤5之后，包括一载出该晶圆的步骤。
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