CN104764478B - 晶粒检测方法 - Google Patents
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Abstract
一种晶粒检测方法，包含下列步骤：使用可调倍率的感光装置以第一视野扫描晶片的多个晶粒，以定位出晶粒的位置，其中感光装置具有第一倍率与大于第一倍率的第二倍率，第一倍率具有第一视野，第二倍率具有小于第一视野的第二视野。补偿至少一虚拟晶粒于晶粒间的至少一空缺位置。根据第二视野的大小计算其容纳晶粒的最大晶粒数。根据最大晶粒数与晶粒的位置指定部分晶粒为多个定位晶粒。根据定位晶粒的位置与第二视野的中心点位置推算出多个取像位置。调整感光装置的第一倍率至第二倍率。移动感光装置以第二视野沿取像位置检测晶粒。
Description
技术领域
本发明是有关一种晶粒检测方法。
背景技术
已知扫瞄晶粒的方式是于具多个晶粒的晶片上方以镜头扫描。镜头会先于每两相邻的晶粒拍摄重叠的影像，以定位每一晶粒的位置，并根据晶粒的位置建构扫描路径图。其中，影像重叠的比例最少需要一个晶粒的大小，才能确保检测结果不会受到晶粒间距离的公差所影响。
接着，镜头才依据扫描路径图的路径扫描晶粒。针对较小吋的晶片而言，由于晶粒数量不多，因此在每两相邻的晶粒拍摄重叠的影像并不会耗费过多的时间。然而近年来因半导体制程的进步，使得晶片的尺寸不断提升。当晶片的尺寸越大时，晶粒数量越多，导致镜头扫描重叠影像的数量变多，且镜头的单一视野所取得的有效晶粒数需要扣除重复影像所取得的晶粒数，因此需要更多的时间取像。如此一来，已知扫瞄晶粒的方式便会大幅增加晶粒检测的时间。
发明内容
本发明的一目的为提供一种晶粒检测方法。
根据本发明一实施方式，一种晶粒检测方法包含下列步骤：使用可调倍率的感光装置以第一视野扫描晶片的多个晶粒，以定位出晶粒的位置，其中感光装置具有第一倍率与大于第一倍率的第二倍率，第一倍率具有第一视野，第二倍率具有小于第一视野的第二视野。补偿至少一虚拟晶粒于晶粒间的至少一空缺位置。根据第二视野的大小计算其容纳晶粒的最大晶粒数。根据最大晶粒数与晶粒的位置指定部分晶粒为多个定位晶粒。根据定位晶粒的位置与第二视野的中心点位置推算出多个取像位置。调整感光装置的第一倍率至第二倍率。移动感光装置以第二视野沿取像位置检测晶粒。
在本发明一实施方式中，上述晶粒检测方法还包含：记录取像位置，以得到感光装置的扫瞄路径。
在本发明一实施方式中，上述晶粒检测方法还包含：根据扫瞄路径移动感光装置以第二视野检测晶粒。
在本发明一实施方式中，上述晶粒检测方法还包含：根据晶粒的位置，形成晶粒位置图。
在本发明一实施方式中，上述晶粒检测方法还包含：补偿虚拟晶粒于晶粒位置图中的空缺位置。
在本发明一实施方式中，上述晶粒检测方法还包含：根据与空缺位置相邻的晶粒的位置以内插法计算出虚拟晶粒的位置。
在本发明一实施方式中，当第二视野中的晶粒的排列方式为奇数行x奇数列时，第二视野中的取像位置为第二视野中的定位晶粒的位置。
在本发明一实施方式中，当第二视野中的晶粒的排列方式为偶数行x奇数列时，第二视野中的取像位置为第二视野中的定位晶粒向下移动半颗晶粒的位置。
在本发明一实施方式中，当第二视野中的晶粒的排列方式为偶数行x偶数列时，第二视野中的取像位置为第二视野中的定位晶粒向右下移动半颗晶粒的位置。
在本发明一实施方式中，当第二视野中的晶粒的排列方式为奇数行x偶数列时，第二视野中的取像位置为第二视野中的定位晶粒向右移动半颗晶粒的位置。
在本发明上述实施方式中，晶粒检测方法可先透过感光装置以第一倍率扫描晶片的晶粒，而定位出晶粒的位置，进而补偿虚拟晶粒于空缺位置，使晶片的座标完整化。第二视野可容纳的最大晶粒数便可透过计算得出。接着，可根据第二视野可容纳的最大晶粒数与晶粒的位置指定部分晶粒为定位晶粒。定位晶粒与第二视野的中心点位置可推算出取像位置。这些取像位置可被记录而得到感光装置的扫瞄路径。如此一来，感光装置便能以第二倍率沿取像位置检测晶粒。也就是说，晶粒检测方法可先规划好感光装置预计的扫瞄路径，减少感光装置多余的取像与移动的动作，进而缩短在大尺寸晶片的检测时间。此外，共镜组架构下的感光装置切换不同倍率会有不同的视野，第一倍率具有第一视野，第二倍率具有第二视野。当第二倍率大于第一倍率时，第二视野会小于第一视野，但第一视野与第二视野在空间中的座标是相同的，本发明的晶粒检测方法利用大的第一视野扫描晶片以定位晶粒的位置，再以小的第二视野进行晶粒的检测。
附图说明
图1绘示根据本发明一实施方式的晶粒检测方法的流程图；
图2绘示图1的感光装置检测晶片时的侧视图；
图3绘示图2的晶片的俯视图；
图4绘示图3的虚拟晶粒与其邻近晶粒的局部放大图；
图5绘示图3的第二视野中的晶粒的局部放大图；
图6绘示图3的另一实施方式；
图7绘示图3的又一实施方式；
图8绘示图3的再一实施方式。
具体实施方式
以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
图1绘示根据本发明一实施方式的晶粒检测方法的流程图。首先在步骤S1中，使用可调倍率的感光装置以第一视野扫描晶片的多个晶粒，以定位出晶粒的位置，其中感光装置具有第一倍率与大于第一倍率的第二倍率，第一倍率具有第一视野，第二倍率具有小于第一视野的第二视野。接着在步骤S2中，补偿至少一虚拟晶粒于晶粒间的至少一空缺位置。之后在步骤S3中，根据第二视野的大小计算其容纳晶粒的最大晶粒数。接着在步骤S4中，根据最大晶粒数与晶粒的位置指定部分晶粒为多个定位晶粒。之后在步骤S5中，根据定位晶粒的位置与第二视野的中心点位置推算出多个取像位置。接着在步骤S6中，调整感光装置的第一倍率至第二倍率。最后在步骤S7中，移动感光装置以第二视野沿取像位置检测晶粒。
在以下叙述中，将具体说明上述各步骤。
图2绘示图1的感光装置210检测晶片100时的侧视图。图3绘示图2的晶片100的俯视图。同时参阅图2与图3，晶片100位于承载座220上，感光装置210可移动地位于承载座220上方，用以检测晶片100的多个晶粒112、112a。其中晶粒112a为定位晶粒，将于图5叙述。感光装置210具有倍率调整模块212，感光装置210可通过倍率调整模块212调整为第一倍率或第二倍率。第二倍率大于第一倍率，且第一倍率具有第一视野R1，第二倍率具有小于第一视野R1的第二视野R2。在图1步骤S1中，感光装置210以第一倍率的第一视野R1扫描晶片100的晶粒112、112a，而定位出晶粒112、112a的位置(座标)。如此一来，便根据晶粒112、112a的位置，形成晶粒位置图120。
晶粒112之间、晶粒112、112a之间或晶粒112a之间均可能会形成晶片100的空洞区或破裂区，例如空缺位置P1。为了后续检测晶粒112、112a的方便，避免漏检，在图1步骤S2中，补偿虚拟晶粒114于空缺位置P1，而定位出虚拟晶粒114的位置(座标)。也就是说，在晶粒位置图120中的空缺位置P1补偿虚拟晶粒114，使晶片100的座标完整化。其中，虚拟晶粒114与空缺位置P1的数量并不用以限制本发明。
图4绘示图3的虚拟晶粒114与其邻近晶粒112、112a的局部放大图。同时参阅图3与图4，虚拟晶粒114的位置是根据与空缺位置P1相邻的晶粒112、112a的位置以内插法计算出。在本实施方式中，空缺位置P1的x座标可由式子[(x1+x2)/2+(x3+x4)/2]/2计算得出，而空缺位置P1的y座标可由式子[(y1+y2)/2+(y3+y4)/2]/2计算得出。如此一来，虚拟晶粒114的位置便能以空缺位置P1的座标表示。
图5绘示图3的第二视野R2中的晶粒112、112a的局部放大图。同时参阅图3与图5，当补偿虚拟晶粒114于空缺位置P1后，在图1步骤S3中，可根据第二视野R2的大小计算其容纳晶粒112、112a的最大晶粒数。在本实施方式中，第二视野R2可容纳的最大晶粒数为3，但并不用以限制本发明。
待得知第二视野R2可容纳的最大晶粒数后，在图1步骤S4中，可根据最大晶粒数与晶粒112、112a的位置指定部分晶粒112a为多个定位晶粒，而得到如图3的晶粒112、112a分布。也就是说，斜线图案的晶粒112a为定位晶粒。接着在图1步骤S5中，根据定位晶粒112a的位置与第二视野R2的中心点位置推算出多个取像位置P2。在本实施方式中，第二视野R2中的晶粒112、112a的排列方式为奇数行x奇数列(例如1x3)，第二视野R2中的取像位置P2为第二视野R2中的定位晶粒112a的位置。取像位置P2为第二视野R2的中心点位置，也就是感光装置210(见图2)检测第二视野R2中的晶粒112、112a时的拍摄位置。
为了说明上的方便，图3仅绘示单一第一视野R1、单一第二视野R2与单一取像位置P2，但实际上透过所有定位晶粒112a的位置与第二视野R2，可得到多个取像位置P2。这些取像位置P2可被记录以得到感光装置210(见图2)的扫瞄路径。接着在图1步骤S6中，感光装置210可由倍率调整模块212(见图2)自动或手动调整倍率，将第一倍率放大至第二倍率，使感光装置210具有小于第一视野R1的第二视野R2。接着在图1步骤S7中，便可移动感光装置210以第二视野R2沿取像位置P2检测晶粒112、112a。也就是说，感光装置210可根据取像位置P2形成的扫瞄路径移动，并以第二视野R2检测晶粒112、112a。
参阅图2与图3，与已知技术相较，晶粒检测方法可先透过感光装置210以第一倍率扫描晶片100的晶粒112、112a，而定位出晶粒112、112a的位置，进而补偿虚拟晶粒114于空缺位置P1，使晶片100的座标完整化。第二视野R2可容纳的最大晶粒数便可透过计算得出。接着，可根据第二视野R2可容纳的最大晶粒数与晶粒112、112a的位置指定部分晶粒112a为定位晶粒。定位晶粒112a与第二视野R2的中心点位置可推算出取像位置P2。这些取像位置P2可被记录而得到感光装置210的扫瞄路径。如此一来，感光装置210便能以第二倍率沿取像位置P2检测晶粒112、112a。也就是说，晶粒检测方法可先规划好感光装置210预计的扫瞄路径，减少感光装置210多余的取像与移动的动作，进而缩短在大尺寸晶片100的检测时间。
此外，共镜组架构下的感光装置210(见图2)切换不同倍率会有不同的视野，第一倍率具有第一视野R1，第二倍率具有第二视野R2。当第二倍率大于第一倍率时，第二视野R2会小于第一视野R1，但第一视野R1与第二视野R2在空间中的座标是相同的，本发明的晶粒检测方法利用大的第一视野R1扫描晶片100以定位晶粒112、112a的位置，再以小的第二视野R2进行晶粒112、112a的检测。
在以下叙述中，将说明其他型式的第一视野R1与第二视野R2。为了说明上的方便，以下附图仅绘示单一第一视野R1、单一第二视野R2与单一取像位置P2。
图6绘示图3的另一实施方式。在本实施方式中，第二视野R2可容纳的最大晶粒数为6。待得知第二视野R2可容纳的最大晶粒数后，可根据最大晶粒数与晶粒112、112a的位置指定部分晶粒112a为多个定位晶粒。在本实施方式中，第二视野R2中的晶粒112、112a的排列方式为偶数行x奇数列(例如2x3)，第二视野R2中的取像位置P2为第二视野R2中的定位晶粒112a向下移动半颗晶粒的位置。其中，取像位置P2位于第二视野R2的中心点位置。
相似地，感光装置210(见图2)可沿取像位置P2移动并以第二倍率的第二视野R2检测晶粒112、112a。
图7绘示图3的又一实施方式。在本实施方式中，第二视野R2可容纳的最大晶粒数为4。待得知第二视野R2可容纳的最大晶粒数后，可根据最大晶粒数与晶粒112、112a的位置指定部分晶粒112a为多个定位晶粒。在本实施方式中，第二视野R2中的晶粒112、112a的排列方式为偶数行x偶数列(例如2x2)，第二视野R2中的取像位置P2为第二视野R2中的定位晶粒112a向右下移动半颗晶粒的位置。其中，取像位置P2位于第二视野R2的中心点位置。
相似地，感光装置210(见图2)可沿取像位置P2移动并以第二倍率的第二视野R2检测晶粒112、112a。
图8绘示图3的再一实施方式。在本实施方式中，第二视野R2可容纳的最大晶粒数为2。待得知第二视野R2可容纳的最大晶粒数后，可根据最大晶粒数与晶粒112、112a的位置指定部分晶粒112a为多个定位晶粒。在本实施方式中，第二视野中R2的晶粒112、112a的排列方式为奇数行x偶数列(例如1x2)，第二视野R2中的取像位置P2为第二视野R2中的定位晶粒112a向右移动半颗晶粒的位置。其中，取像位置P2位于第二视野R2的中心点位置。
相似地，感光装置210(见图2)可沿取像位置P2移动并以第二倍率的第二视野R2检测晶粒112、112a。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种晶粒检测方法，包含使用可调倍率的一感光装置以一第一视野扫描一晶片的多个晶粒，以定位出所述晶粒的位置，其中该感光装置具有一第一倍率与大于该第一倍率的一第二倍率，该第一倍率具有该第一视野，该第二倍率具有小于该第一视野的一第二视野，该晶粒检测方法其特征在于，包含下列步骤：
补偿至少一虚拟晶粒于所述晶粒间的至少一空缺位置；
根据该第二视野的大小计算其容纳所述晶粒的一最大晶粒数；
根据该最大晶粒数与所述晶粒的位置指定部分所述晶粒为多个定位晶粒；
根据所述定位晶粒的位置与该第二视野的中心点位置推算出多个取像位置；
调整该感光装置的该第一倍率至该第二倍率；以及
移动该感光装置以该第二视野沿所述取像位置检测所述晶粒。
2.根据权利要求1所述的晶粒检测方法，其特征在于，还包含：
记录所述取像位置，以得到该感光装置的一扫瞄路径。
3.根据权利要求2所述的晶粒检测方法，其特征在于，还包含：
根据该扫瞄路径移动该感光装置以该第二视野检测所述晶粒。
4.根据权利要求1所述的晶粒检测方法，其特征在于，还包含：
根据所述晶粒的位置，形成一晶粒位置图。
5.根据权利要求4所述的晶粒检测方法，其特征在于，还包含：
补偿该虚拟晶粒于该晶粒位置图中的该空缺位置。
6.根据权利要求1所述的晶粒检测方法，其特征在于，还包含：
根据与该空缺位置相邻的所述晶粒的位置以内插法计算出该虚拟晶粒的位置。
7.根据权利要求1所述的晶粒检测方法，其特征在于，当该第二视野中的所述晶粒的排列方式为奇数行x奇数列时，该第二视野中的该取像位置为该第二视野中的该定位晶粒的位置。
8.根据权利要求1所述的晶粒检测方法，其特征在于，当该第二视野中的所述晶粒的排列方式为偶数行x奇数列时，该第二视野中的该取像位置为该第二视野中的该定位晶粒向下移动半颗晶粒的位置。
9.根据权利要求1所述的晶粒检测方法，其特征在于，当该第二视野中的所述晶粒的排列方式为偶数行x偶数列时，该第二视野中的该取像位置为该第二视野中的该定位晶粒向右下移动半颗晶粒的位置。
10.根据权利要求1所述的晶粒检测方法，其特征在于，当该第二视野中的所述晶粒的排列方式为奇数行x偶数列时，该第二视野中的该取像位置为该第二视野中的该定位晶粒向右移动半颗晶粒的位置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410007957.9A CN104764478B (zh) | 2014-01-03 | 2014-01-03 | 晶粒检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410007957.9A CN104764478B (zh) | 2014-01-03 | 2014-01-03 | 晶粒检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104764478A CN104764478A (zh) | 2015-07-08 |
| CN104764478B true CN104764478B (zh) | 2017-04-19 |
Family
ID=53646452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410007957.9A Active CN104764478B (zh) | 2014-01-03 | 2014-01-03 | 晶粒检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104764478B (zh) |
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| CN104764478A (zh) | 2015-07-08 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |