CN103063185B - 单点确定晶圆测试范围的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种单点确定晶圆测试范围的方法，包括以下步骤：计算晶圆Map分布图上启测点晶粒的理论Map坐标；通过人工方式录入晶圆上启测点晶粒的当前电机脉冲坐标；根据所述当前电机脉冲坐标计算所述晶圆上启测点晶粒的实际Map坐标；根据所述理论Map坐标和实际Map坐标间的坐标映射关系，确定晶圆的实际测试范围。本发明方法由于仅仅是通过晶圆上指定的一个特殊位置的晶粒，即启测点晶粒的坐标映射关系来计算出整个晶圆的测试范围，相比较于目前所述的两点或三点确定圆心的方法操作更简单，且测试范围也能准确定位。

Description

单点确定晶圆测试范围的方法

技术领域

本发明涉及探针台测试领域，尤其涉及一种单点确定晶圆测试范围的方法。

背景技术

在半自动探针测试设备中，由于不具有机器视觉设备，需要人工辅助来快速准确的确定晶圆的测试范围。

目前，定位晶圆的测试范围公知的方法是固定圆心或是多点计算圆心法。前者对于晶圆的摆放位置要求很严格；后者操作繁琐，不利于提高生产效率。

发明内容

本发明的目的在于提供了一种操作简便且可快速准确地确定出晶圆测试范围的单点确定晶圆测试范围的方法，旨在解决现有技术下定位晶圆测试范围用的固定圆心法对晶圆的摆放位置要求严格，缺乏灵活性以及多点计算圆心法操作繁琐、效率低下的技术问题。

本发明是这样实现的，一种单点确定晶圆测试范围的方法，包括以下步骤：

计算晶圆Map分布图上启测点晶粒的理论Map坐标；

通过人工方式录入晶圆上启测点晶粒的当前电机脉冲坐标；

根据所述当前电机脉冲坐标计算所述晶圆上启测点晶粒的实际Map坐标；

根据所述理论Map坐标和实际Map坐标间的坐标映射关系，确定晶圆的实际测试范围。

所述的晶圆Map分布图上启测点晶粒的理论Map坐标，是指所述晶圆Map分布图上第一行最左端的晶粒的Map坐标。

所述的晶圆上启测点晶粒的当前电机脉冲坐标，是指晶圆左上角第一个晶粒的当前电机脉冲坐标。

所述的根据所述理论Map坐标和实际Map坐标间的坐标映射关系，确定晶圆的实际测试范围，是指通过所述理论Map坐标和实际Map坐标间的映射关系确定出启测点的理论Map坐标和实际Map坐标间的坐标偏移量，然后根据所述坐标偏移量结合固定圆心算法来确定晶圆的实际测试范围。

本发明中，是根据输入的晶圆直径、晶粒尺寸及晶粒分布奇偶性特征参数，计算所述晶圆Map分布图上启测点晶粒的理论Map坐标。

本发明中，所述的通过人工方式录入晶圆上启测点晶粒的当前电机脉冲坐标的前提条件是，启动测试探针台，上片扫描并将放在承片台上的晶圆上的启测点晶粒的焊盘与测试探针对准，然后再录入晶圆上启测点晶粒的当前电机脉冲坐标。

在不具有机器视觉的半自动探针设备中，本发明方法不限制晶圆在承片台上的摆放位置，仅借助简单的人工辅助操作，通过晶圆上指定的一个特殊位置的晶粒，即启测点晶粒的坐标映射关系就能快速准确地确定计算出整个晶圆的测试范围，相比较于目前所述的两点或三点确定圆心的方法操作更简单，更为快速，且测试范围也能准确定位，有利于提高生产效率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的单点确定晶圆测试范围的方法的流程图。

图2 计算晶粒在晶圆Map分布图上X、Y方向的半径R上最多能分布的个数。

图3 计算晶粒中心与晶圆中心的距离C。

图4 计算坐标偏移量。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本发明进行进一步详细说明。

本发明通过根据输入的已知的晶圆直径、晶粒尺寸，计算晶圆Map分布图上的晶粒分布情况，推算出晶圆Map分布图上的启测点晶粒的理论Map坐标；然后通过人工录入的承片台上实际晶圆上对应的启测点晶粒的脉冲坐标，计算出晶圆上启测点晶粒的实际Map坐标，建立该理论Map坐标与实际Map坐标两组坐标之间的坐标映射关系，根据该映射关系确定坐标偏移量，并根据该坐标偏移量，结合固定圆心算法最终确定出晶圆的实际测试范围。

请参见图1所示，该图1示出了本发明实施例提供的单点确定晶圆测试范围的算法的流程，为了便于说明，仅示出了与本发明实施例有关的部分。

本发明所述的单点确定晶圆测试范围的方法，包括以下步骤：

步骤1：根据输入的已知的晶圆直径、晶粒尺寸S，计算晶粒在晶圆Map分布图上X、Y方向的半径R上最多能分布的个数(图2)，分别记为N _x 和N _y ；

公式：N _x = R / S _x ;

N _y = R / S _y ;

步骤2：计算晶圆Map分布图上的启测点晶粒(晶圆Map分布图上第一行最左端的晶粒)的理论Map坐标；

首先，要计算指定的晶粒的理论Map坐标是否在晶圆测试范围内，计算公式如下：

公式1：根据指定的晶粒的理论Map坐标计算晶粒中心相对晶圆中心的长度坐标

L _x = M _x * S _x + Par _x * 0.5 * S _x ;

L _y = M _y * S _y + Par _y * 0.5 * S _y ;

其中：M _x 和M _y 是指定的晶粒的理论Map坐标，S _x 和S _y 是晶粒的尺寸，Par _x 和Par _y 是晶粒分布的奇偶性，L _x 和L _y 是晶粒中心相对晶圆中心的长度坐标。

公式2：根据所述L _x 和L _y， 计算晶粒中心与晶圆中心的距离C(图3)

C= (L _x * L _x + L _y * L _y ) ^1/2

将晶粒中心与晶圆中心的距离C与晶圆的半径R比较，如果C < R，则该坐标代表的启测点晶粒在晶圆内；反之，在晶圆外。

下面，按上述的公式1、2计算晶圆Map分布图上的启测点晶粒的理论Map坐标：

先设晶圆Map分布图上启测点晶粒的X坐标C _x = 0 ，Y坐标C _y = N _y ；

.将(C _x , C _y )作为上述的M _x 和M _y 代入上面的公式1、2，判断Map分布图上启测点晶粒是否在晶圆内，若否，转到；若是，转到；

. 晶粒的Y坐标向圆心方向移动一次，即C _y + 1后，重复；

. 将改变了Y坐标后的晶粒坐标(C _x , C _y )代入上面的公式1、2，判断Map分布图上启测点晶粒是否在晶圆内，若是，转到，若否，转到；

. 晶粒的X坐标向远离圆心的方向移动一次，即C _x -1后，重复；

. 此时已经求得位于晶圆第一行左端，最接近晶圆，但处于晶圆外部的晶粒的坐标。将该晶粒的X坐标向靠近圆心的方向移动一次，即C _x +1后，新的晶粒坐标处于晶圆范围中，计算完成。

此处求得的启测点晶粒的坐标(C _x , C _y )称为Map分布图上启测点晶粒的理论Map坐标。若是手动上片时能将晶圆的中心与承片台中心准确重合，该坐标也就是实际晶圆的启测点晶粒坐标。下面介绍当两者的中心不重合时，如何根据理论Map坐标计算实际晶圆的启测点晶粒坐标。

步骤3：启动测试探针台，上片扫描后，将晶圆上启测点晶粒（晶圆上晶圆左上角第一个晶粒）的焊盘与测试探针对准后，录入晶圆上启测点晶粒的当前电机脉冲坐标，即晶圆上启测点晶粒的当前实际坐标；

步骤4：根据晶圆上启测点晶粒的当前电机脉冲坐标，计算出晶圆上启测点晶粒在Map分布图上的实际Map坐标，公式如下：

Map _x = (Pul _x – Z _x + S _x / 2) / S _x

Map _y = (Pul _y – Z _y + S _y / 2) / S _y

其中：Map _x 和Map _y 是晶粒在Map分布图上的实际Map坐标，S _x 和S _y 是晶粒尺寸，Pul _x 和Pul _y 是晶圆上启测点晶粒的电机脉冲坐标（晶圆上启测点晶粒的实际坐标），Z _x 和Z _y 是晶圆中心的电机脉冲坐标。

步骤5：将步骤4计算出的晶圆上启测点晶粒的实际Map坐标（Map _x , Map _y )和步骤2计算出的Map分布图上启测点晶粒的理论Map坐标(C _x , C _y )相比较，建立坐标映射关系，根据该坐标映射关系计算出，启测点的实际Map坐标与理论Map间的坐标偏移量，进而结合固定圆心算法，确定出整个晶圆的实际测试范围，坐标偏移量（图4）计算公式如下：

T _x = Map _x - C _x ;

T _y = Map _y – C _y ;

其中，T _x 和T _y 是实际晶圆上启测点晶粒和Map分布图上启测点晶粒的坐标偏移量。

步骤6：开始晶圆的实际测试。

从以上方案可以看出，在不具有机器视觉的半自动探针设备中，本发明方法不限制晶圆在承片台上的摆放位置，仅借助简单的人工辅助操作，通过晶圆上指定的一个特殊位置的晶粒，即启测点晶粒的坐标映射关系就能快速准确地确定计算出整个晶圆的测试范围，相比较于目前所述的两点或三点确定圆心的方法操作更简单，更为快速，且测试范围也能准确定位，有利于提高生产效率。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种单点确定晶圆测试范围的方法，其特征在于，包括以下步骤：

计算晶圆Map分布图上启测点晶粒的理论Map坐标；

通过人工方式，录入晶圆上启测点晶粒的当前电机脉冲坐标；

根据所述当前电机脉冲坐标计算所述晶圆上启测点晶粒的实际Map坐标；

根据所述启测点晶粒的理论Map坐标和启测点晶粒的实际Map坐标间的坐标映射关系，确定晶圆的实际测试范围，是指通过所述启测点晶粒的理论Map坐标和启测点晶粒的实际Map坐标间的映射关系确定出启测点的理论Map坐标和实际Map坐标间的坐标偏移量，然后根据所述坐标偏移量结合固定圆心算法来确定晶圆的实际测试范围。

2.根据权利要求1所述的单点确定晶圆测试范围的方法，其特征在于，所述的晶圆Map分布图上启测点晶粒的理论Map坐标，是指所述晶圆Map分布图上第一行最左端的晶粒的Map坐标。

3.根据权利要求1所述的单点确定晶圆测试范围的方法，其特征在于，所述的晶圆上启测点晶粒的当前电机脉冲坐标，是指晶圆左上角第一个晶粒的当前电机脉冲坐标。

4.根据权利要求1所述的单点确定晶圆测试范围的方法，其特征在于，根据输入的晶圆直径、晶粒尺寸及晶粒分布奇偶性特征参数，计算所述晶圆Map分布图上启测点晶粒的理论Map坐标。

5.根据权利要求1所述的单点确定晶圆测试范围的方法，其特征在于，所述的通过人工方式录入晶圆上启测点晶粒的当前电机脉冲坐标的前提条件是，启动测试探针台，上片扫描并将放在承片台上的晶圆上的启测点晶粒的焊盘与测试探针对准，然后再录入晶圆上启测点晶粒的当前电机脉冲坐标。