TWI593469B - 晶粒標示方法及晶粒標示設備 - Google Patents

Description

晶粒標示方法及晶粒標示設備

本發明是有關於一種晶粒標示技術，且特別是有關於一種晶粒標示方法及晶粒標示設備。

目前常見應用於LED晶粒的製程包括下列步驟：點測(probing)、自動化光學檢測(Automated Optical Inspection，簡稱AOI)、分選(sorting)、人工目檢及壞晶挑除。

點測是指對LED晶粒的光電特性進行測試。自動化光學檢測是藉由自動化光學檢測機來觀測晶粒的外觀是否有損傷。分選是依照點測及自動化光學檢測所獲得的結果將好的晶粒(即外觀損傷程度較低的晶粒)依照光學特性轉移到分選載體(sort page)，其例如是具有黏性的藍膜。人工目檢則是藉由人工及顯微鏡來逐一地觀測在分選載體上的所有晶粒的外觀是否有損傷。壞晶挑除則是依照人工目檢的人為判斷來人工挑除有損傷的晶粒。

在人工目檢以前的任何步驟中，晶粒的外觀都可能受到程度不一的損傷。因此，在人工目檢的步驟中，依照人為判斷此 晶粒是否有損傷。然而，當晶粒是否有損傷完全依賴人為判斷時，晶粒損傷與否很難有統一標準。也因此，人工目檢嚴重地影響到晶粒選擇的均一性。

本發明提供一種晶粒標示方法，用以標示出分選載體上的晶粒。

本發明提供一種晶粒標示設備，用以標示出分選載體上的晶粒。

本發明的一種晶粒標示方法，其適於標示在一分選載體上的多個晶粒的位置。晶粒標示方法包括下列步驟。藉由重疊於分選載體下方的一顯示裝置的一畫素陣列顯示出一晶粒地圖。晶粒地圖包括一背景及多個標示區域，這些標示區域對應於這些晶粒的預設位置分佈在背景上，且各標示區域經由顯示裝置的一畫素陣列的多個畫素顯示並環繞對應的晶粒。對應被判定受損的晶粒的標示區域的垂直寬度大於或等於顯示裝置的畫素陣列的畫素的垂直寬度的三倍，且對應晶粒的標示區域的水平寬度大於或等於顯示裝置的畫素陣列的畫素的水平寬度的三倍。

本發明的一種晶粒標示設備，適於標示在一分選載體上的多個晶粒的位置。晶粒標示設備包括一顯示裝置，用以重疊於分選載體下方並具有一畫素陣列以顯示出一晶粒地圖。晶粒地圖包括一背景及多個標示區域，這些標示區域對應於這些晶粒的預 設位置分佈在背景上，且各標示區域經由顯示裝置的一畫素陣列的多個畫素顯示並環繞對應的晶粒。對應被判定受損的晶粒的標示區域的垂直寬度大於或等於顯示裝置的畫素陣列的畫素的垂直寬度的三倍，且對應晶粒的標示區域的水平寬度大於或等於顯示裝置的畫素陣列的畫素的水平寬度的三倍。

基於上述，在本發明的上述實施例中，經由顯示裝置來顯示出晶粒地圖，並可藉由標示區域來標示出分選載體上的被判定受損的晶粒。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100‧‧‧分選載體

200‧‧‧晶粒

200’‧‧‧預設位置

300‧‧‧顯示裝置

310‧‧‧畫素陣列

312‧‧‧畫素

400‧‧‧晶粒地圖

410‧‧‧背景

420‧‧‧標示區域

420’‧‧‧預設位置

H1‧‧‧畫素的水平寬度

H2‧‧‧晶粒的水平寬度

H3‧‧‧標示區域的水平寬度

HP‧‧‧標示區域的水平間距

V1‧‧‧畫素的垂直寬度

V2‧‧‧晶粒的垂直寬度

V3‧‧‧標示區域的垂直寬度

VP‧‧‧標示區域的垂直間距

圖1是本發明一實施例的顯示裝置與分選載體的分解圖。

圖2是圖1的顯示裝置所顯示的標示區域與分選載體上的晶粒的預設分佈示意圖。

圖3是圖1的顯示裝置所顯示的標示區域與分選載體上的晶粒有偏移的實際分佈示意圖。

圖4是本發明另一實施例的顯示裝置所顯示的標示區域與分選載體上的晶粒有偏移的實際分佈示意圖。

對於人工目檢的不一致性，可利用另一道自動化光學檢 測及標準值過濾器來決定在分選載體上的晶粒是否合格。具體而言，可藉由標準值過濾器來比對自動化光學檢測對於晶粒的觀測結果是否在預設的標準值以內，以判斷晶粒是否合格。舉例而言，可比對晶粒受損傷的面積是否在預設的標準值以內，以判斷晶粒是否合格。或者，可比對晶粒上面的線路的粗細是否在預設的標準值以內，以判斷晶粒是否合格。不合格的晶粒定義為壞晶，並依照壞晶的位置建立壞晶地圖。在壞晶挑除的步驟中，將分選載體與對應的壞晶地圖重疊來標示出壞晶的位置，以利於人工挑除壞晶。

請參考圖1及圖2，在本實施例中，晶粒標示方法適於標示在一分選載體100上的多個晶粒200的位置。晶粒標示方法包括藉由重疊於分選載體100下方的一顯示裝置300顯示出一晶粒地圖400，而分選載體100與顯示裝置300的定位方式可以比對分選載體100上晶粒分佈的外觀，或者以對位定位標記的方式來進行，並不以此為限。具體而言，晶粒地圖400包括一背景410及多個標示區域420，這些標示區域420對應於這些晶粒200的預設位置分佈在背景410上，各標示區域420經由顯示裝置300的一畫素陣列310的多個畫素312顯示並環繞對應的晶粒200。各標示區域420可經由排列成面狀的多個畫素312顯示，以環繞對應的晶粒200。或者，各標示區域420可經由排列成框狀的多個畫素312顯示，以環繞對應的晶粒200。

在本實施例中，在對應被判定受損的晶粒200(即壞晶) 的標示區域420呈現與背景410不同的顏色，以便藉由與背景410不同顏色的標示區域420在視覺上標示出被判定受損的晶粒200。同時，在對應被判定未受損的晶粒200的標示區域420則可呈現與背景410相同的顏色，以在視覺上不特別標示出這些被判定為未受損的晶粒200(即好晶)。

請參考圖2，在本實施例中，各晶粒200的垂直寬度V2大於或等於顯示裝置300的畫素陣列310的一畫素312的垂直寬度V1，且各晶粒200的水平寬度H2大於或等於顯示裝置300的畫素陣列310的一畫素312的水平寬度H1。對應被判定受損的晶粒200的標示區域420的垂直寬度V3大於對應的晶粒200的垂直寬度V2，且對應晶粒200的標示區域420的水平寬度H3大於對應的晶粒200的水平寬度H2。對應被判定受損的晶粒200的標示區域420的垂直寬度V3大於或等於顯示裝置300的畫素陣列310的畫素312的垂直寬度V1的三倍，且對應晶粒200的標示區域420的水平寬度H3大於或等於顯示裝置300的畫素陣列310的畫素312的水平寬度H1的三倍。在上述的參數設定下，可確保對應欲標示的晶粒200(例如被判定受損的晶粒200)的標示區域420能環繞或者完全覆蓋對應的晶粒200，以提高人工挑除的準確率。

然而，請參考圖1及圖2，分選載體100(例如藍膜)本身的收縮或膨脹可能造成在分選載體100上的晶粒200的偏移。在本實施例中，任兩相鄰的這些標示區域420之間的間距大於或等於顯示裝置300的一畫素312的寬度。具體而言，任兩相鄰的 這些標示區域420的垂直間距VP及水平間距HP分別大於或等於顯示裝置300的一畫素312的垂直寬度V1及水平寬度H1。因此，對應被判定受損且偏移的晶粒200的標示區域420隨著對應的晶粒200的移動不易標示出其他鄰近未被判定受損且偏移的晶粒200。

舉例而言，請參考圖3，僅以兩個晶粒200作為示意。在圖3中，左側的晶粒200是被判定受損的晶粒200，而右側的晶粒200是判定未受損的晶粒200。需要注意的是，只有被判定受損的晶粒200才會顯示標示區域420，因此，當對應被判定受損的晶粒200(即圖3的左側的晶粒200)的位置偏離如圖2所示的對應的預設位置200’時，對應晶粒200的標示區域420亦從其預設位置420’移動至對準所對應的晶粒200，使得標示區域420仍可圍繞對應的晶粒200。同時，當對應被判定未受損的晶粒200(即圖3的右側的晶粒200)的位置偏離如圖2所示的對應的預設位置200’時，原先對應晶粒200(即圖3的右側的晶粒200)的標示區域420(類似圖3的左側的標示區域420)不呈現，以在視覺上不標示出被判定為未受損的晶粒200(即圖3的右側的晶粒200)。

請參考圖4，類似於圖3的實施例，在本實施例中，僅以兩個晶粒200作為示意。在圖4中，任兩相鄰的這些標示區域420的預設位置420’之間無預留間距(例如圖2的水平間距HP)。因此，當對應被判定受損的晶粒200(即圖4的左側的晶粒200)的位置偏離如圖2所示的對應的預設位置200’時，對應晶粒200的 標示區域420亦從其預設位置420’移動至對準所對應的晶粒200，使得標示區域420仍可圍繞對應的晶粒200。同時，當對應被判定未受損的晶粒200(即圖4的右側的晶粒200)的位置偏離如圖2所示的對應的預設位置200’時，原先對應晶粒200(即圖4的右側的晶粒200)的標示區域420(類似圖4的左側的標示區域420)不呈現，以在視覺上不標示出被判定為未受損的晶粒200(即圖4的右側的晶粒200)。

然而，在圖4中，左側的晶粒200的標示區域420也將與被判定未受損的晶粒200(即圖4的右側的晶粒200)局部重疊而將此晶粒200標示出來，這有可能造成此被判定未受損的晶粒200錯誤地被人工挑除。不過，在晶粒200的偏移量較小或標示區域420的範圍較大的情況下，即使任兩相鄰的這些標示區域420之間無預留間距(即圖4的實施例)也不會有標示區域420與相鄰且被判定未受損的晶粒200局部重疊的情況，故在本發明中，圖4的實施例仍是可應用的實施例。

請再參考圖1、圖2及圖3，類似於上述方法的實施例，在另一實施例中，也提出一種晶粒標示設備。晶粒標示設備亦適於標示在一分選載體100上的多個晶粒200的位置。晶粒標示設備包括上述的顯示裝置300，用以重疊於分選載體100下方並具有畫素陣列310以顯示出晶粒地圖400。晶粒地圖400包括一背景410及多個標示區域420，這些標示區域420對應於這些晶粒200的預設位置分佈在背景410上，且各標示區域420經由顯示裝置 300的一畫素陣列310的多個畫素312顯示並環繞對應的晶粒200。

請參考圖2，同樣地，在本實施例的晶粒標示設備中，各晶粒200的垂直寬度V2大於或等於顯示裝置300的畫素陣列310的一畫素312的垂直寬度V1，且各晶粒200的水平寬度H2大於或等於顯示裝置300的畫素陣列310的一畫素312的水平寬度H1。對應被判定受損的晶粒200的標示區域420的垂直寬度V3大於對應的晶粒200的垂直寬度V2，且對應晶粒200的標示區域420的水平寬度H3大於對應的晶粒200的水平寬度H2。對應被判定受損的晶粒200的標示區域420的垂直寬度V3大於或等於顯示裝置300的畫素陣列310的畫素312的垂直寬度V1的三倍，且對應晶粒200的標示區域420的水平寬度H3大於或等於顯示裝置300的畫素陣列310的畫素312的水平寬度H1的三倍。在上述的參數設定下，可確保對應欲標示的晶粒200(例如被判定受損的晶粒200)的標示區域420能環繞對應的晶粒200，以提高人工挑除的準確率。

請參考圖3，同樣地，在本實施例的晶粒標示設備中，任兩相鄰的這些標示區域420之間的間距大於或等於顯示裝置300的一畫素312的寬度。具體而言，任兩相鄰的這些標示區域420的垂直間距VP及水平間距HP分別大於或等於顯示裝置300的一畫素312的垂直寬度V1及水平寬度H1。或者，請參考圖4，同樣地，在本實施例的晶粒標示設備中，任兩相鄰的這些標示區域420之間也可無預留間距(例如圖2的垂直間距VP及水平間距 HP)。

綜上所述，在本發明的上述實施例中，經由顯示裝置來顯示出晶粒地圖，並可藉由標示區域來標示出分選載體上的被判定受損的晶粒。此外，在特定的參數設計下，可確保對應欲標示的晶粒(例如被判定受損的晶粒)的標示區域能環繞對應的該晶粒，以提高人工挑除的準確率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧分選載體

200‧‧‧晶粒

300‧‧‧顯示裝置

310‧‧‧畫素陣列

312‧‧‧畫素

400‧‧‧晶粒地圖

410‧‧‧背景

420‧‧‧標示區域

Claims (10)

1. 一種晶粒標示方法，適於標示在一分選載體上的多個晶粒的位置，該晶粒標示方法包括：藉由重疊於該分選載體下方的一顯示裝置的一畫素陣列顯示出一晶粒地圖，其中該晶粒地圖包括一背景及多個標示區域，該些標示區域對應於該些晶粒的預設位置分佈在該背景上，各該標示區域經由該顯示裝置的一畫素陣列的多個畫素顯示並環繞對應的該晶粒，對應被判定受損的該晶粒的該標示區域的垂直寬度大於或等於該顯示裝置的該畫素陣列的該畫素的垂直寬度的三倍，且對應該晶粒的該標示區域的水平寬度大於或等於該顯示裝置的該畫素陣列的畫素的水平寬度的三倍，當對應被判定受損的該晶粒的位置偏離對應的該預設位置時，對應該晶粒的該標示區域移動至對準所對應的該晶粒。
2. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒標示方法，其中任兩相鄰的該些標示區域之間的間距大於或等於該顯示裝置的一畫素的寬度。
3. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒標示方法，其中對應被判定受損的該晶粒的該標示區域呈現與該背景不同的顏色。
4. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒標示方法，其中各該晶粒的垂直寬度大於或等於該顯示裝置的該畫素陣列的一畫素的垂直寬度，且各該晶粒的水平寬度大於或等於該顯示裝置的該畫素陣列的一畫素的水平寬度。
5. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒標示方法，其中對應被判定受損的該晶粒的該標示區域的垂直寬度大於對應的該晶粒的垂直寬度，且對應該晶粒的該標示區域的水平寬度大於對應的該晶粒的水平寬度。
6. 一種晶粒標示設備，適於標示在一分選載體上的多個晶粒的位置，該晶粒標示設備包括：一顯示裝置，用以重疊於該分選載體下方並具有一畫素陣列以顯示出一晶粒地圖，其中該晶粒地圖包括一背景及多個標示區域，該些標示區域對應於該些晶粒的預設位置分佈在該背景上，各該標示區域經由該顯示裝置的一畫素陣列的多個畫素顯示並環繞對應的該晶粒，且對應被判定受損的該晶粒的該標示區域的垂直寬度大於或等於該顯示裝置的該畫素陣列的該畫素的垂直寬度的三倍，且對應該晶粒的該標示區域的水平寬度大於或等於該顯示裝置的該畫素陣列的畫素的水平寬度的三倍，當對應被判定受損的該晶粒的位置偏離對應的該預設位置時，對應該晶粒的該標示區域移動至對準所對應的該晶粒。
7. 如申請專利範圍第6項所述的晶粒標示設備，其中任兩相鄰的該些標示區域之間的間距大於或等於該顯示裝置的一畫素的寬度。
8. 如申請專利範圍第6項所述的晶粒標示設備，其中對應被判定受損的該晶粒的該標示區域呈現與該背景不同的顏色。
9. 如申請專利範圍第6項所述的晶粒標示設備，其中各該晶 粒的垂直寬度大於或等於該顯示裝置的該畫素陣列的一畫素的垂直寬度，且各該晶粒的水平寬度大於或等於該顯示裝置的該畫素陣列的一畫素的水平寬度。
10. 如申請專利範圍第6項所述的晶粒標示設備，其中對應被判定受損的該晶粒的該標示區域的垂直寬度大於對應的該晶粒的垂直寬度，且對應該晶粒的該標示區域的水平寬度大於對應的該晶粒的水平寬度。