CN101410953A - 基板处理方法和装置、半导体装置的制造方法和存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理方法和装置、半导体装置的制造方法和存储介质，基板处理装置(100)包括：保持被处理基板(W)并且对该被处理基板(W)进行加热的保持台(103)；在内部配备所述保持台(103)的处理容器(101)；和向所述处理容器(101)内供给处理气体的气体供给部(102)，其特征在于：所述处理气体含有有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐。

Description

基板处理方法和装置、半导体装置的制造方法和存储介质
技术领域
本发明涉及使用金属配线的半导体装置的制造方法。
背景技术
随着半导体装置的高性能化的发展，广泛普及使用电阻值较小的Cu来作为半导体装置的配线材料。但是，因为Cu具有易于被氧化的性质，所以例如在利用金属镶嵌法(damascene)形成Cu的多层配线结构的工序中，从层间绝缘膜露出的Cu配线有时会发生氧化现象。因此，为了利用还原法除去(清洁)被氧化的铜，有时使用NH3、H2等具有还原性的气体。
但是，当使用NH3、H2时，有必要提高Cu的还原处理的处理温度(例如300℃以上)，因此，有可能对形成于Cu配线周围的、由所谓的Low-k材料构成的层间绝缘膜带来损伤。所以，提出有通过使例如蚁酸(formic acid)、醋酸(acetic acid)等气化来用作处理气体，在低温下进行Cu的还原的方案。
但是，对于上述蚁酸、醋酸的蒸气而言，因为形成为单体(monomer)和二聚物(dimer)共存的状态，所以有可能导致反应不稳定。例如，从蚁酸、醋酸形成单体和二聚物的比例，有时因为很小的条件变化而变得很大，从而导致Cu的还原反应不稳定。
专利文献1：日本专利第3373499号公报
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能够解决上述问题的、新型并且有用的基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置、以及存储有该基板处理方法的存储介质。
本发明的具体课题在于，在半导体装置的制造工序中，能够稳定并且高效地除去形成于金属配线上的氧化膜。
在本发明的第一方面中，利用下述基板处理方法解决上述问题，该基板处理方法的特征在于：该基板处理方法是形成有绝缘膜和金属层的被处理基板的基板处理方法，包括：向所述被处理基板上供给有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐并且同时对所述被处理基板进行加热的处理工序。
此外，在本发明的第二方面中，利用下述半导体装置的制造方法解决上述问题，该半导体装置的制造方法的特征在于：该制造方法是含有金属配线和层间绝缘膜的半导体装置的制造方法，包括：向形成有所述金属配线和所述层间绝缘膜的被处理基板上供给有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐，并且与此同时对所述被处理基板进行加热的处理工序。
此外，在本发明的第三方面中，利用下述基板处理装置解决上述问题，该基板处理装置的特征在于，包括：保持被处理基板并且对该被处理基板进行加热的保持台；在内部配备所述保持台的处理容器；和向所述处理容器内供给处理气体的气体供给部，其中，所述处理气体含有有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐。
此外，在本发明的第四方面中，利用下述存储介质解决上述问题，该存储介质的特征在于：其存储有程序，该程序通过计算机执行利用基板处理装置进行的基板处理方法，其中所述基板处理装置包括：保持被处理基板并且对该被处理基板进行加热的保持台；在内部配备所述保持台的处理容器；和向所述处理容器内供给处理气体的气体供给部，所述基板处理方法包括向所述被处理基板上供给包括有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐的所述处理气体并且与此同时对所述被处理基板进行加热的处理工序。
根据本发明，在半导体装置的制造工序中，能够降低当去除形成在金属配线上的氧化膜时的金属污染的影响。
附图说明
图1是表示实施例1所涉及的基板处理装置的示意图。
图2是表示实施例2所涉及的基板处理装置的示意图。
图3A是表示实施例3所涉及的半导体装置的制造方法(基板处理方法)的示意图(之一)。
图3B是表示实施例3所涉及的半导体装置的制造方法(基板处理方法)的示意图(之二)。
图3C是表示实施例3所涉及的半导体装置的制造方法(基板处理方法)的示意图(之三)。
图3D是表示实施例3所涉及的半导体装置的制造方法(基板处理方法)的示意图(之四)。
图3E是表示实施例3所涉及的半导体装置的制造方法(基板处理方法)的示意图(之五)。
图4是表示图1的基板处理装置的变形例。
标号说明
100、100A：基板处理装置
100A：控制单元
100a：温度控制单元
100b：气体控制单元
100c：压力控制单元
100B：计算机
100d：CPU
100e：存储介质
100f：输入单元
100g：存储器
100h：通信单元
100i：显示单元
101：处理容器
101A：处理空间
102：气体供给部
102A：气体孔
102B：反应促进室
102b：加热器
103：保持台
103A：加热器
104：电源
105：排气线
105A：压力调整阀
106：排气泵
107、111：气体供给线
110：原料供给单元
110a：原料
110A：加热器
112：水蒸气发生器
113、117：气体线
108、114、118：阀门
109、115、119：MFC
116、120：气体供给源
具体实施方式
接着，对本发明的实施方式进行说明。
本发明的基板处理方法，是形成有绝缘膜和金属层(例如Cu配线)的被处理基板的基板处理方法，其特征在于，包括：向上述被处理基板上供给有机酸的金属配位化合物(complex)或者有机酸的金属盐并且同时对所述被处理基板进行加热的处理工序。
在本发明所涉及的基板处理方法中，其特征在于：使用与现有技术中所使用的蚁酸、醋酸相比，能够稳定除去Cu的氧化膜的、有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐。例如，对于蚁酸、醋酸而言，在基板处理中，因为形成单体(monomer)和二聚物(dimer)双方，此外因条件稍有不同它们形成的比例有较大变动，所以金属(Cu)的还原反应有时不稳定。
在本发明中，替换上述蚁酸、醋酸，使用能够稳定进行金属(Cu)的还原的有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐，因此，能够稳定并且有效地实施金属的还原。
此外，在本发明的基板处理方法中，其特征在于：使用对于金属材料的腐蚀性小的有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐。因此，能够进行抑制对基板处理装置的配管、基板处理装置的处理容器等腐蚀的影响，抑制金属污染的基板处理。
此外，通过在金属还原中使用有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐，除了金属的还原处理之外，还能够得到进行金属配线周围所形成的绝缘膜(层间绝缘膜)的脱水处理的效果。
例如，在使用金属配线的半导体装置中，为了降低配线的延迟，优选使用Cu以降低配线电阻并且在层间绝缘膜中使用介电率低的所谓的Low-k材料。
由上述Low-k材料构成的层间绝缘膜，膜中进入水分的情况较多，因此有时会导致层间绝缘膜的绝缘性的降低以及介电率的增加。因此，在本发明所涉及的基板处理方法中，通过使用有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐，能够在进行金属的还原处理的同时进行层间绝缘膜的脱水处理。
此外，使用有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐的金属还原处理以及层间绝缘膜的脱水处理是能够在低温(300℃以下)进行的处理，优选适用于使用易于在高温下受到损伤的由Low-k材料构成的层间绝缘膜的半导体装置的形成中。
接着，基于附图，以下对上述基板处理方法、适用于该基板处理方法的半导体装置的制造方法、实施该基板处理方法的基板处理装置、以及存储有该基板处理方法的存储介质的具体例子进行说明。
实施例1
图1是模式表示本发明的实施例1所涉及的基板处理装置的结构例的示意图。参照图1，本实施例所涉及的基板处理装置100具有在内部划分有处理空间101A的处理容器101。在上述处理空间101A内设置有保持台103，该保持台103用于保持被处理基板W并且设置有对该被处理基板W进行加热的加热器103A。上述加热器103A与电源104连接，构成为能够将上述被处理基板W加热至规定温度。
此外，上述处理空间101A从与上述处理容器101连接的排气线105真空排气而被保持在减压状态。上述排气线105经由压力调整阀105A与排气泵106连接，能够使上述处理空间成为规定压力的减压状态。
此外，在处理容器101的、与上述保持台103相对一侧，例如配置有由喷淋头结构构成的气体供给部102。上述气体供给部102与气体供给线107连接，从该气体供给线107供给例如由有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐构成的处理气体。
供给至上述气体供给部102的处理气体，从形成于上述气体供给部102上的多个气体孔102A而被供给至上述处理空间101A。供给至上述处理空间101A内的处理气体，到达通过上述加热器103A而被加热至规定温度的上述被处理基板W，进行例如形成于该被处理基板W上的Cu配线的氧化膜的去除(Cu的还原)或者形成于该被处理基板W上的绝缘膜(层间绝缘膜)的脱水处理。
在上述气体供给线107上设置有阀门108、质量流量控制器(MFC)109，而且其与用于保持由有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐构成的原料110a的原料供给单元110连接。在上述原料供给单元110中设置有加热器110A，上述原料110a通过该加热器110A加热而气化或者升华。气化或者升华的上述原料110a从上述气体供给线107被供给至上述处理空间101A。
此外，当使上述原料110a气化或者升华时，或者向上述处理空间101A供给气化或者升华的上述原料110a(处理气体)时，也可以使用例如Ar、N2或者He等的载体气体，将该载体气体与处理气体一起供给至上述处理空间101A。此外，也可以通过使用利用所谓的液体喷射(liquid injection)进行的气化器的方法使原料气化。
此外，上述基板处理装置100的涉及基板处理的动作，由控制单元100A所控制，而且该控制单元100A构成为基于存储在计算机100B中的程序而被控制。其中，在图示中省略它们的配线。
上述控制单元100A具有温度控制单元100a、气体控制单元100b、以及压力控制单元100c。上述温度控制单元100a通过控制上述电源104来控制上述保持台103的温度，对通过该保持台103而被加热的上述被处理基板W的温度进行控制。
上述气体控制单元100b一并(总括)控制上述阀门108的开闭、由上述MFC109进行的流量控制，从而对供给至上述处理空间101A的处理气体的状态进行控制。而且，上述压力控制单元100c对上述排气泵106以及上述压力调整阀105A的开度进行控制，使上述处理空间101A成为规定压力。
此外，上述控制单元100A由计算机100B所控制，上述基板处理装置100通过该计算机100B而动作。上述计算机100B包括：CPU100d、存储介质100e、输入单元100f、存储器100g、通信单元100h、以及显示单元100i。例如，基板处理所涉及的基板处理方法的程序被存储在存储介质100e中，基板处理基于该程序进行。此外，该程序可以从上述通信单元100h输入，也可以通过上述输入单元100f输入。
实施例2
此外，上述实施例1所涉及的基板处理装置，也可以变更成如下所示的结构。图2是模式表示本发明的实施例2所涉及的基板处理装置100X的示意图。其中，在图中对于上述已经说明过的部分标注相同的参考标号并且省略其说明。此外，没有特别说明的部分与实施例1的基板处理装置相同。
参照图2，在本实施例所涉及的基板处理装置100X中，其构造为除了供给有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐之外，还供给作为处理气体的水蒸气(H2O)。在本实施例所涉及的基板处理装置100X中，设置有与上述气体供给部102连接的气体混合部102A，而且构成为能够从水蒸气发生器112向该气体混合部102A供给水蒸气(H2O)。
此时，水蒸气从气体供给线111被供给至设置在上述气体供给部102外侧的反应促进室102B。上述反应促进室102B，与上述气体供给线107连接的同时还与上述气体供给线111连接，有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐与H2O被供给在其中而混合。混合的有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐和H2O经由上述气体供给部102而被供给至上述处理空间101A。此外，在上述反应促进室102B的外侧设置有加热器102b，构成为能够将有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐和H2O的混合气体加热至规定温度(该规定温度也可以比被处理基板的温度高)。
此外，上述气体供给线111与水蒸气发生器112连接，分别从气体线113、气体线117向上述水蒸气发生器112供给O2、H2以生成水蒸气。上述气体线113设置有阀门114、MFC115，与O2供给源116连接。同样，上述气体线117设置有阀门118、MFC119，与H2供给源120连接。上述气体控制单元100b进行上述阀门114、118的开闭、上述MFC115、119的控制、以及上述水蒸气发生器112的控制，进行从上述气体供给线111供给的H2O的控制。
通过使用上述基板处理装置进行基板处理，除了能够向上述处理空间101A供给有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐之外，还能够供给H2O，能够使Cu的还原处理进一步稳定，因此是优选的。
实施例3
接着，基于图3A～图3E，按照顺序对使用上述基板处理装置100或者基板处理装置100X的半导体装置的制造方法的一个例子进行说明。
首先，在图3A所示工序的半导体装置中，以覆盖由硅构成的半导体基板(上述被处理基板W)上所形成的MOS晶体管等元件(图未示出)的方式形成绝缘膜例如硅氧化膜201。形成与该元件电气连接的例如由W(钨)构成的配线层(图未示出)和与其连接的例如由Cu构成的配线层202。
此外，在上述硅氧化膜201上，以覆盖配线层202的方式形成有第一绝缘膜(层间绝缘膜)203。在上述第一绝缘膜203上形成有槽部204a以及孔部204b。在上述槽部204a以及孔部204b上形成有通过Cu形成的、由管沟(trench)配线和通道(via)配线等构成的配线部204，其构成为与上述配线层202电气连接。
此外，在上述第一绝缘层203和上述配线部204之间形成有Cu扩散防止膜204c。上述Cu扩散防止膜204c具有防止Cu从上述配线部204向上述第一绝缘层203扩散的功能。而且，以覆盖上述配线部204以及上述第一绝缘层203上面的方式形成有绝缘层205(Cu扩散防止膜)以及第二绝缘层(层间绝缘膜)206。
以下，对在上述第二绝缘层206上使用上述说明的基板处理方法形成Cu的配线从而形成半导体装置的方法进行说明。其中，关于上述配线部204，能够按照与以下说明的方法相同的方法形成。
在图3B所示的工序中，在上述第二绝缘层206上例如通过干式蚀刻法等形成槽部207a以及孔部207b(该孔部206也贯通上述绝缘层205)。此处，由Cu构成的上述配线部204的一部分从形成于上述第二绝缘层206的开口部露出。在露出的上述配线部204的表层形成氧化膜(图未示出)。
接着，在图3C所示的工序中，使用上述基板处理装置100或者上述基板处理装置100X，使用上述说明的基板处理方法，进行露出的Cu配线的氧化膜的去除(Cu的还原处理)。此时，在向被处理基板上供给气化或者升华的有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐的同时，加热被处理基板，进行Cu氧化膜的去除。
此时，被处理基板的温度与使用H2、NH3进行还原处理时相比能够为低温，例如能够为300℃以下。此外，例如当层间绝缘膜含有易于受到热损伤的Low-k材料(低介电率材料)的情况下，本实施例的能够在300℃以下的低温进行的基板处理是非常优选的。
此外，因为被处理基板的温度若过低则不能充分地促进还原反应，所以优选温度为100℃以上。即，被处理基板的温度优选为100℃～300℃。
此外，如上述已经说明的，在本工序中，在进行Cu的还原处理的同时，还能够进行层间绝缘膜的脱水处理。此时，通过向上述第二绝缘层206供给有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐并使其加热，来促进上述第二绝缘层206的脱水处理，能够得到使该第二绝缘层206的电气特性变得良好(例如介电率的降低、耐电压的提高等)的效果。
这种因脱水处理得到的电气特性的改善的效果，例如当上述第二绝缘层206为硅氧化膜(SiO2膜)时也能得到，当该第二绝缘层206由吸水性大、Low-k材料构成时，其效果特别的大。作为这种低介电率材料(低介电率层间绝缘膜)的例子，例如有多孔质膜或者含氟的膜等。
此外，为了稳定并且有效地进行Cu的氧化膜去除的处理，使用上述基板处理装置100X，在本工序中，也可以向被处理基板上供给H2O。此外，此时，鉴于层间绝缘膜的脱水效果，优选适当控制被供给的H2O的量。即，当层间绝缘膜的吸水性更大时，被供给的H2O的量小(或者为0)，当层间绝缘膜的吸水性变小时，考虑到Cu的还原处理的稳定只要增多被供给的H2O的量即可。
上述金属盐或者金属配位化合物由Ma(RCOO)b(M为金属原子，a、b为自然数，R为氢原子或者烃基或者构成烃基的氢原子的至少一部分被卤素(halogen)原子所取代的官能基)来表示。作为具体的烃基，可以列举有烷基(alkyl)、烯基(alkenyl)、炔基(alkynyl)、芳基(aryl)等。作为具体的卤素原子，可以列举有氟、氯、溴、碘(iodine)。
此外，作为构成上述有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐的金属元素，例如有钛、钌、Cu(铜)、硅、钴、铝等。此外，作为构成上述有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐的有机酸，有羧酸(carboxylic acid)，作为羧酸的例子，有蚁酸、醋酸、丙酸、丁酸(butyric acid)、戊酸(valeric acid)等。即，作为上述有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐，通过该金属和该有机酸的组合形成的是其中一个例子。
例如，作为上述有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐的例子，若以有机酸为蚁酸的情况为例，则有蚁酸钛、蚁酸钌、蚁酸铜、蚁酸硅、蚁酸钴、蚁酸铝等。同样，在有机酸为醋酸的情况下，为醋酸钛、醋酸钌、醋酸铜、醋酸硅、醋酸钴、醋酸铝，当有机酸为丙酸(propionic acid)的情况下，为丙酸钛、丙酸钌、丙酸铜、丙酸硅、丙酸钴、丙酸铝等。
在上述图3C的工序中，例如有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐的流量为1～1000sccm，上述处理空间101A的压力为1～1000Pa，被处理基板的温度为100～300℃，处理时间为1～180秒，以此来进行上述处理。此外，当使用水蒸气时，优选水蒸气的流量为1～1000sccm。此外，上述反应促进室102B的温度优选比被处理基板的温度高。
接着，在图3D所示的工序中，在含有上述槽部207a以及上述孔部207b的内壁面的上述第二绝缘膜206上以及上述配线部204的露出面上进行Cu扩散防止膜207c的成膜。上述Cu扩散防止膜207c例如由高熔点金属膜、它们的氮化膜、或者高熔点金属膜和氮化膜的层叠膜形成。例如，该Cu扩散防止膜207c可以由Ta/TaN膜、WN膜或者TiN膜等构成，通过喷溅法或者CVD法等方法形成。此外，这种Cu扩散防止膜也可以通过所谓的ALD法形成。
此外，在图3C所说明的工序中作为处理气体使用的有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐所含有的金属元素，优选与上述图3D的工序中形成的构成Cu扩散防止膜207c的金属元素相同。此时，在图3C的工序之后，因为具有形成含有该金属元素的膜的图3D的工序，所以使得该金属元素因金属污染所产生的问题的可能性变小。
例如，当通过TiN膜等形成Cu扩散防止膜207c时，在图3C的工序中所使用的、有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐所含有的金属元素优选为Ti，此时，例如处理气体优选为蚁酸钛或者醋酸钛。
接着，在图3E所示的工序中，在含有上述槽部207a以及上述孔部207b的、上述Cu扩散防止膜207c上，形成由Cu构成的配线部207。此时，例如当通过喷溅法或者CVD法形成由Cu构成的种子(seed)层之后，可以利用Cu的电镀，形成上述配线部207。此外，也可以通过CVD法或者ALD法形成上述配线部207。
在形成配线部207之后，利用化学机械研磨(CMP)法使基板表面平坦化。
此外，在本工序之后，进一步在上述第二绝缘层的上部形成第2+n(n为自然数)的绝缘层，分别在各个绝缘层上利用上述方法形成由Cu构成的配线部，能够形成具有多层配线结构的半导体装置。
此外，在本实施例中，以使用双重金属镶嵌法(dual damascene)形成Cu的多层配线结构的情况为例进行了说明，但是不言而喻，使用单金属镶嵌法形成Cu的多层配线构造的情况下也适用于上述方法。
此外，在本实施例中，作为在绝缘层上形成的金属配线主要以Cu配线为例进行了说明，但是并不局限于此。例如，除了Cu之外，对于Ag、W、Co、Ru、Ti、Ta等金属(配线)也能够适用于本实施例。
此外，能够实施本发明的基板处理装置，并不局限于在上述实施例1和实施例2中所说明的基板处理装置，能够进行各种变形变更。例如，图4是作为实施例1中所记载的基板处理装置100的变形例的基板处理装置100Y。其中，在图中，对于上述已经说明的部分标注相同的参考标号并省略其说明。
参照图4，在上述基板处理装置100Y中，替换设置在上述基板处理装置100上的上述原料供给单元110，设置原料供给单元310。上述原料供给单元310能够利用所谓的起泡方式(bubbling method)使上述原料110a气化或者升华，并且从上述气体供给线107供给至上述处理空间101A。
从气体线311向上述原料供给单元310供给作为载体气体的不活泼性气体(例如He等)，气化或者升华的原料气体与该载体气体一起被供给至处理容器。
这样，在本实施例所涉及的半导体装置的制造方法中，能够稳定并且有效地除去Cu上所形成的氧化膜的去除，并且能够在进行Cu的氧化膜的去除的同时能够进行层间绝缘膜的脱水处理。因此，在上述方法中，能够实质上同时进行现有技术中在各个独立的工序中进行的Cu的氧化膜去除和层间绝缘膜的脱水处理，从而使半导体装置的制造工序单纯化。
此外，在上述实施例中所说明的基板处理方法(图3C的工序中所说明的处理工序)也能够应用于其它的应用中。例如，可以应用于Cap金属(无电解电镀)的前处理、Cap绝缘膜的前处理或者利用电镀以及CVD形成Cu的情况下的前处理等中。此时，为了降低金属污染的影响，优选适当选择有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐所含有的金属元素。
此外，在上述实施例中，以同时进行金属层的氧化膜的去除和层间绝缘层的脱水处理为例进行说明，但是本发明并不局限于此。例如，也可以实质上不进行金属层的氧化膜的去除而只进行层间绝缘膜的脱水处理。此时，作为处理气体，可以使用在上述实施例中记载的金属盐或者金属配位化合物。此时，对于基板处理方法、以及基板处理装置而言，可以使用上述实施例中所记载的情况相同的方法、装置同样地进行。
以上，对本发明的优选实施例进行了说明，但是本发明并不局限于上述特定的实施例，在权利要求的范围所记载的要旨内可以进行种种变形和变更。
例如，在上述实施例中，去除从对绝缘层进行蚀刻形成的开口部露出的下层配线的Cu表面氧化膜，对于该工序适用于本发明的基板处理方法，但是在其它工序中去除Cu的表面氧化膜的情况下也适用于本发明。
例如，对于在形成种子层或者配线层之后或者进行CMP之后也可以使用本发明。
工业可利用性
根据本发明，在半导体装置的制造工序中，能够降低当去除形成在金属配线上的氧化膜时的金属污染的影响。
本国际申请主张基于2006年3月27日申请的日本专利申请2006-086566号的优先权，在本国际申请中引用日本专利申请2006-086566号的全部内容。

Claims (24)

1.一种基板处理方法，该基板处理方法是形成有绝缘膜和金属层的被处理基板的基板处理方法，其特征在于，包括：
向所述被处理基板上供给有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐并且与此同时对所述被处理基板进行加热的处理工序。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
所述金属层由Cu构成。
3.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于：
所述处理工序的所述被处理基板的温度为100℃～300℃。
4.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述处理工序中，除去形成于所述金属层上的氧化膜。
5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述处理工序中，进行所述绝缘膜的脱水处理。
6.如权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于：
所述绝缘膜包括多孔质膜或者含氟膜的任一种。
7.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述处理工序中，在向所述被处理基板上供给有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐的同时供给H2O。
8.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：
还包括在所述处理工序之后，形成含有有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐所含有的金属元素的膜的工序。
9.一种半导体装置的制造方法，该制造方法是含有金属配线和层间绝缘膜的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
向形成有所述金属配线和所述层间绝缘膜的被处理基板上供给有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐，并且与此同时对所述被处理基板进行加热的处理工序。
10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述金属配线由Cu构成。
11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述处理工序的所述被处理基板的温度为100℃～300℃。
12.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在所述处理工序中，除去形成于所述金属配线上的氧化膜。
13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在所述处理工序中，进行所述层间绝缘膜的脱水处理。
14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述层间绝缘膜包括多孔质膜或者含氟膜的任一种。
15.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在所述处理工序中，在向所述被处理基板上供给有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐的同时供给H2O。
16.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
还包括在所述处理工序之后，形成含有有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐所含有的金属元素的膜的工序。
17.如权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
含有所述金属元素的膜为Cu的扩散防止膜。
18.一种基板处理装置，包括：
保持被处理基板并且对该被处理基板进行加热的保持台；
在内部配备所述保持台的处理容器；和
向所述处理容器内供给处理气体的气体供给部，其特征在于：
所述处理气体含有有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐。
19.如权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于：
在所述被处理基板上形成有金属层和绝缘膜。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于：
通过向所述处理容器内供给所述处理气体，除去在所述金属层上所形成的氧化膜。
21.如权利要求20所述的基板处理装置，其特征在于：
通过向所述处理容器内供给所述处理气体，进行所述绝缘膜的脱水处理。
22.如权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于：
还包括向所述处理容器内供给H2O的H2O供给单元。
23.如权利要求22所述的基板处理装置，其特征在于：
所述H2O供给单元包括水蒸气发生器。
24.一种存储介质，其存储有程序，该程序通过计算机执行利用基板处理装置进行的基板处理方法，其中所述基板处理装置包括：
保持被处理基板并且对该被处理基板进行加热的保持台；
在内部配备所述保持台的处理容器；和
向所述处理容器内供给处理气体的气体供给部，
所述存储介质的特征在于：
所述基板处理方法包括向所述被处理基板上供给包括有机酸的金属配位化合物或者有机酸的金属盐的所述处理气体并且与此同时对所述被处理基板进行加热的处理工序。
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