CN101384968B - 曝光装置、光掩模及微元件的制造方法及投影光学装置 - Google Patents

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Abstract

一种扫描型曝光装置，使用配置于扫描方向前方侧的第1投影光学系统PL2及配置于扫描方向后方侧的第2投影光学系统PL1，一边改变第1投影光学系统及第2投影光学系统与第1物体M及第2物体P在扫描方向上的位置关系，一边将第1物体的图案转印曝光至第2物体上，且第1投影光学系统及第2投影光学系统分别将第1物体上的视场内的放大像形成于第2物体上的像场内，当将第1投影光学系统及第2投影光学系统的视场的中心彼此在扫描方向上的间隔设为Dm，将第1投影光学系统及第2投影光学系统的像场的中心彼此在上述扫描方向上的间隔设为Dp，且将第1投影光学系统及第2投影光学系统各自的投影倍率设为β时，满足Dp＜Dm×|β|(其中，|β|＞1)。

Description

曝光装置、光掩模及微元件的制造方法及投影光学装置
技术领域
本发明是关于将第1物体(光掩模(mask)、光掩模(reticle)等)的像投影曝光至第2物体(基板等)上的扫描型曝光装置、使用该扫描型曝光装置的微元件的制造方法、用于该扫描型曝光装置的光掩模、将第1物体的像投影至第2物体上的投影光学装置以及用于该扫描型曝光装置的光掩模的制造方法。 
背景技术
在制造例如半导体元件或液晶显示元件等时，使用了投影曝光装置，该投影曝光装置将光掩模(reticle、photomask等)的图案经过投影光学系统，投影至涂敷着抗蚀剂(resist)的薄板(玻璃板(glass plate)或半导体晶圆等)上。先前多使用投影曝光装置(步进式曝光机(stepper))，该投影曝光装置以步进重复(step and repeat)方式，将各个光掩模的图案一并曝光至薄板上的各照射(shot)区域。近年来，取代使用1个大的投影光学系统，提出了步进扫描(Step and scan)方式的投影曝光装置，其沿着扫描方向，将具有相等倍率的多个小的部分投影光学系统以规定间隔配置为多行，且一边对光掩模及薄板进行扫描，一边利用各部分投影光学系统将各个光掩模的图案曝光至薄板上。 
在上述步进扫描方式的投影曝光装置中，利用装备反射棱镜、凹面镜以及各透镜而构成的反射折射光学系统，一次形成中间像，进一步利用另一层的反射折射光学系统，将光掩模上的图案以正立正像等倍率地曝光至薄板上。 
近年来，薄板日益大型化，已使用超过2m见方的薄板。此处，使用上述步进扫描方式的曝光装置于大型薄板上进行曝光时，由于部分投影光学系统具有等倍的倍率，因此光掩模亦将大型化。关于光掩模的成本，由于必须维持光掩模基板的平面性，因而光掩模越大型化，其成本越高。又，为了形成通常的薄膜电晶体(thin film transistor，TFT)部，必须具有4～5层光掩模，故而需要花费巨大的成本。因此，提出一种投影曝光装置，将投影光学系统的放大倍率扩大，以此减小光掩模的大小(参照专利文献1)。 
专利文献1：日本专利特开平11-265848号公报 
然而，在上述投影曝光装置的投影光学系统中，各投影光学系统配置了整个多透镜(multi lens)系统，以形成放大倍率。亦即，使由各投影光学系统所投影的扫描方向的位置以错开倍率值的方式来配置各投影光学系统。因此，例如当将投影倍率设为1.25倍，且将投影光学系统的光掩模侧的视场间隔设为200mm时，必须将投影光学系统薄板侧的像场的间隔，设为投影光学系统光掩模侧的视场的间隔的1.25倍，即250mm。然而，当投影光学系统光掩模侧的视场间隔与投影光学系统薄板侧的像场间隔相差超过数十mm时，会使透镜设计上的自由度狭窄，且会牵连使投影光学系统的制造成本增加。 
发明内容
本发明的课题在于提供一种搭载着具有放大的投影倍率的廉价的投影光学系统的扫描型曝光装置、使用该扫描型曝光装置的微元件的制造方法、用于该扫描型曝光装置的光掩模、具有放大的投影倍率的廉价的投影光学装置、以及用于该扫描型曝光装置的光掩模的制造方法。 
本发明的扫描型曝光装置，一边使第1物体与第2物体在第1方向上移动，一边将上述第1物体的图案转印曝光在上述第2物体上，上述扫描型曝光装置的特征在于包括：第1投影光学系统，将上述第1物体上的视场内的该图案的放大像形成于上述第2物体上的像场内；第2投影光学系统，相对于该第1投影光学系统，在该第1方向、及与该第1方向呈正交的第2方向设置间隔而配置，将该第1物体上的视场内的该图案的放大像形成于该第2物体上的像场内，当将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的上述视场的中心彼此在上述第1方向上的间隔设为Dm，将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的上述像场的中心彼此在上述第1方向的间隔设为Dp，且将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的投影倍率设为β时，满足Dp＜Dm ×|β|，其中，|β|＞1，且其中该图案包括对应于该第1投影光学系统而配置的第1行图案部、对应于该第2投影光学系统而配置且相对于该第1行图案部在该第1方向上错开规定量而配置的第2行图案部，且所述规定量等于(Dm×|β|-Dp)÷|β|。 
又，本发明的微元件的制造方法的特征在于包括：曝光步骤，使用本发明的扫描型曝光装置将光掩模(M)的图案曝光至感光基板(P)上；以及显影步骤，使通过上述曝光步骤所曝光的上述感光基板显影。 
本发明的光掩模形成有图案，适用于将该图案转印曝光于基板的曝光装置，其中该曝光装置包括：第1投影光学系统，将该光掩模上的视场内的该图案的放大像形成于该基板上的像场内；第2投影光学系统，相对于该第1投影光学系统，在第1方向、及与该第1方向呈正交的第2方向设置间隔而配置，将该光掩模上的视场内的该图案的放大像形成于该基板上的像场内，当将该第1投影光学系统及该第2投影光学系统的上述视场的中心彼此在上述第1方向上的间隔设为Dm，将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的上述像场的中心彼此在上述第1方向的间隔设为Dp，且将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的投影倍率设为β时，满足Dp＜Dm ×|β|，其中，|β|＞1，且其中该图案包括对应于该第1投影光 学系统而配置的第1行图案部、对应于该第2投影光学系统而配置且相对于该第1行图案部在该第1方向上错开规定量而配置的第2行图案部，且藉由该曝光装置一边使该光掩模与该基板在该第1方向上移动，一边对该基板进行转印曝光，且所述规定量等于(Dm×|β|-Dp)÷|β|。 
又，本发明的光掩模是具有图案部的光掩模，适用于将该图案转印曝光于基板的曝光装置，其中该曝光装置包括：第1投影光学系统，将该图案部的放大像形成于该基板上的第1图案转印区域；第2投影光学系统，相对于该第1投影光学系统，在第1方向上具有不同的视场，且将该图案的放大像形成于该基板上的第2图案转印区域，当将该第1投影光学系统及该第2投影光学系统的上述视场的中心彼此在上述第1方向上的间隔设为Dm，将该第1投影光学系统及该第2投影光学系统的上述像场的中心彼此在该第1方向的间隔设为Dp，且将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的投影倍率设为β时，满足Dp＜Dm×|β|，其中，|β|＞1，且其中该图案包括沿着与该第1方向呈正交的第2方向位于第奇数行的奇数行图案部、及位于第偶数行的偶数行图案部，且藉由该曝光装置一边使该光掩模与该基板在该第1方向上移动，一边对该基板进行转印曝光，且该奇数行图案部与该偶数行图案部中，相邻接的至少一对奇数行图案部与偶数行图案部在该第2方向的端部，具有持相同图案的共通区域，且该奇数行图案部的整个区域与该偶数行图案部的整个区域是在该第1方向错开规定量而配置，且所述规定量等于(Dm×|β|-Dp)÷|β|。 
又，本发明的光掩模的制造方法的特征在于包括下述步骤：将形成于光掩模上的全部图案所对应的图案资料在第1方向上进行分割的步骤；在分割后的至少1个区域的第1方向的端部，附加与共通区域相对应的图案资料，以制作描绘资料的步骤；以及使用分割后的各区域所对应的上述描绘资料，将图案在第1方向上错开规定量而描绘于光掩模上的步骤。 
根据本发明的扫描型曝光装置，因投影光学系统具有放大倍率，故即使在将光掩模的图案转印至大型薄板上的情况下，亦可避免光掩模的大型化。又，投影光学系统尽管具有放大倍率，但无须使第1投影光学系统及第2投影光学系统的像场的中心彼此在扫描方向上的间隔，相对于第1投影光学系统及第2投影光学系统的视场的中心彼此在扫描方向上的间隔而扩大，因此，投影光学系统的设计自由度增加，且可使制造成本降低。 
又，根据本发明的微元件的制造方法，可避免光掩模的大型化，并且可使用大型基板进行微元件的制造，因而可以低成本而制造微元件。 
又，根据本发明的光掩模，即使将光掩模的图案转印至大型薄板上时，亦可避免光掩模的大型化，因此可降低光掩模的制造成本。 
又，根据本发明的投影光学装置，其包括具有大致等倍的投影倍率的第1成像光学系统与具有放大的投影倍率的第2成像光学系统，且将光学特性调整机构配置于具有投影倍率的光学系统的光路中，因此，即使在进行光学特性的调整时，亦可防止产生像差(aberrat ion)变化。 
又，根据本发明的光掩模的制造方法，可使光掩模的制造成本降低。 
 附图说明
以上说明的实施形态是为了易于理解本发明而揭示，并非为了限定本发明而揭示。因此，上述实施形态中所揭示的各要素，其主要内容亦包含属于本发明的技术范围内的所有设计变更及与之等同的变动。又，上述实施形态的各构成要素等亦可进行任意的组合。 
图1是表示第1实施形态的扫描型曝光装置的构成图。 
图2是表示第1实施形态的投影光学系统的构成图。 
图3是表示第1实施形态的投影光学系统的构成图。 
图4是表示第1实施形态的扫描型曝光装置中所使用的光掩模的构成图。 
图5是表示利用第1实施形态的扫描型曝光装置来将光掩模的图案转印曝光至薄板上的状态图。 
图6是表示第2实施形态的扫描型曝光装置所具备的投影光学系统的构成图。 
图7是表示第2实施形态的扫描型曝光装置中所使用的光掩模的构成图。 
图8是用以说明实施形态的微元件的制造方法的流程图。 
图9是表示实施形态的光掩模(正立正像用)的构成图。 
图10是表示实施形态的光掩模(倒立像用)的构成图。 
图11是用以说明实施形态的光掩模(正立正像用)的制造方法图。 
图12是用以说明实施形态的光掩模(正立正像用)的制造方法图。 
图13是用以说明实施形态的光掩模(倒立像用)的制造方法图。 
图14是用以说明实施形态的光掩模(倒立像用)的制造方法图。 
2：椭圆镜                  3：双色镜 
4：准直透镜                5：波长选择滤光片 
6：衰减滤光片              7：聚光透镜 
8：光纤                    8a：入射口 
8b、8c、8d、：射出口       8e、8f、8g、8h：射出口 
S401：图案形成步骤         S402：彩色滤光片形成步骤 
S403：单元组装步骤         S404：模块组装步骤 
50：移动镜                 52：对准系统 
54：自动对焦系统           AD：光学特性调整机构 
AS：孔径光阑               CCM2、CCM11、CCM12：凹面反射镜 
Dm、Dp：间隔               EB：曝光装置 
FM12、FM22：第2光路偏向面  FM13：第3光路偏向面 
FM14：第4光路偏向面        FM11、FM21：第1光路偏向面 
G11、G21：第1透镜群        G12、G22：第2透镜群 
IL1、IL2、IL3、IL4、IL5、IL6、IL7：部分照明光学系统 
L1、L2、L3、L4：平行平板(光学特性调整机构) 
L5、L7、L13、L18、L28：双凸透镜 
L6、L11、L14、L15、L16、L17、L21、L26、L27：负弯月透镜 
L8：双凹透镜               L9、L10、L12：正弯月透镜 
L22、L25：正弯月透镜           LM2、ML2：主透镜群 
M、M2、M3、M4：光掩模 
M3a、M3b、M3c、M3d、M4a、M4b、M4c、M4d、：共通区域 
M10、M11：第1行图案部          M12、M13：奇数行图案部 
M12(1)、M22(2)、M12(3)：图案资料 
M22(4)、M12(5)、M13(1)：图案资料 
M23(2)、M13(3)、M23(4)、M13(5)：图案资料 
M20、M21：第2行图案部          M22、M23：偶数行图案部 
ML11：第1主透镜群              ML12：第2主透镜群 
PL：投影光学装置               PL1～PL7、PL20：投影光学系统 
PL11：第1成像光学系统          PL12：第2成像光学系统 
P、P2：薄板                    P10：第1图案转印区域 
P20：第2图案转印区域           β：投影倍率 
具体实施方式
以下，参照图示来说明本发明的第1实施形态。本实施形态中，列举步进扫描方式的扫描型投影曝光装置为例加以说明，该步进扫描方式使光掩模M与薄板P在扫描方向上相对于投影光学系统装置PL  同步移动，并将形成于光掩模M上的图案的像扫描曝光至薄板P上，其中，上述投影光学系统装置PL由多个反射折射型投影光学系统PL1～PL7而构成，该等投影光学系统PL1～PL7将一部分光掩模(第1物体)M的图案，部分地投影至作为感光基板的外形大于500mm的薄板(第2物体)P上。此处，所谓外形大于500mm，是指一边或对角线大于500mm。 
图1是表示本实施形态的扫描型投影曝光装置的整体概略构成的立体图。本实施形态的扫描型投影曝光装置具备例如由超高压水银灯光源而构成的光源。从光源射出的光束经椭圆镜2及双色镜(dichroic mirror)3反射后，入射至准直透镜(collimate lens)4。亦即，藉由椭圆镜2的反射膜及双色镜3的反射膜，取出包含g线(波长436nm)、h线(波长405nm)以及i线(波长365nm)的光的波长域的光，包含g线、h线、i线的光的波长域的光入射至准直透镜4。又，因光源配置于椭圆镜2的第1焦点位置处，故包含g线、h线、i线的光的波长域的光在椭圆镜2的第2焦点位置处形成光源像。来自形成于椭圆镜2的第2焦点位置处的光源像的发散光束，藉由准直透镜4而变为平行光，且透过仅使规定的曝光波长域的光束透过的波长选择滤光片5。 
通过波长选择滤光片5的光束会通过衰减滤光片(attenuatingfilter)6，并藉由聚光透镜7而聚光于光纤(lightguide fiber)8的入 射口8a。此处，光纤8例如是随机地集合多条光纤线而构成的随机(random)光纤，具有入射口8a与7个射出口(以下，称为射出口8b、8c、8d、8e、8f、8g、8h)。入射至光纤8的入射口8a的光束在光纤8的内部传播后，自7个射出口8b～8h分割而射出，且分别入射至对光掩模M部分地照明的7个部分照明光学系统(以下，称为部分照明光学系统IL1、IL2、IL3、IL4、IL5、IL6、IL7)。 
自光纤8的射出口8b射出的光束，入射至部分照明光学系统IL1，并利用配置于射出口8b附近的准直透镜而变为平行光，由准直透镜而成为平行的光束入射至作为光学积分器(optical integrator)的复眼透镜(fly eyelens)。形成于复眼透镜的后侧焦点面上的多个二次光源的光束，利用聚光透镜来对光掩模M大致均匀地进行照明。再者，部分照明光学系统IL2～IL7具有与部分照明光学系统IL1相同的构成，利用各部分照明光学系统IL2～IL7的聚光透镜來对光掩模M大致均匀地进行照明。 
来自光掩模M的照明区域，亦即来自对应于部分照明光学系统IL1的照明区域的光，入射至7个投影光学系统(以下，称为投影光学系统PL1、PL2、PL3、PL4、PL5、PL6、PL7)中的投影光学系统PL1，上述7个投影光学系统以与各照明区域对应的方式而排列，且分别将一部分光掩模M的图案像投影至薄板P上。透过投影光学系统PL1的光，使光掩模M的图案像成像于薄板P上。再者，来自对应于部分照明光学系统IL2～IL7的照明区域的光入射至投影光学系统PL2～PL7，上述投影光学系统PL2～PL7以与各照明区域对应的方式而配置，且使一部分光掩模M的图案像投影至薄板P上。透过各个投影光学系统PL2～PL7的光，分别使光掩模M的图案像成像于薄板P上。 
此处，光掩模M由光掩模固持器(mask holder)(未图示)所固定，且载置于光掩模载物台(mask stage)(未图示)上。又，在光掩模载物台上配置着雷射干涉仪(laser interferometer)(未图示)，光掩模载物台雷射干涉仪测量及控制光掩模载物台的位置。又，薄板P由薄板固持器(未图示)所固定，且载置于薄板载物台(未图示)上。又，在薄板载物台上设置着移动镜50。自未图示的薄板载物台雷射干涉仪所射出的雷射光入射至移动镜50，并由移动镜50反射。根据该入射/反射的雷射光的干涉，测量及控制薄板载物台的位置。 
上述部分照明光学系统IL1、IL3、IL5、IL7在与扫描方向正交的方向上具有规定间隔，且作为第1行而配置于扫描方向的后方侧，对应于部分照明光学系统IL1、IL3、IL5、IL7而设置的投影光学系统PL1、PL3、PL5、PL7亦同样地，在与扫描方向正交的方向上具有规定间隔，且作为第1行而配置于扫描方向的后方侧。又，部分照明光学系统IL2、IL4、IL6在与扫 描方向正交的方向上具有规定间隔，且作为第2行而配置于扫描方向的前方侧，对应于部分照明光学系统IL2、IL4、IL6而设置的投影光学系统PL2、PL4、PL6亦同样地，在与扫描方向正交的方向上具有规定间隔，且作为第2行而配置于扫描方向的前方侧。在第1行的投影光学系统与第2行的投影光学系统之间，为了将薄板P进行位置对准，设有偏向轴(off-axis)的对准系统52、或为使光掩模M及薄板P进行对焦，配置着自动对焦系统54。 
图2是表示投影光学系统PL1的构成图。再者，投影光学系统PL2～PL7具有与投影光学系统PL1相同的构成。投影光学系统PL1是将光掩模M上视场内的放大像形成于薄板P上的像场内的投影光学系统。亦即，上述投影光学系统PL1具备第1成像光学系统PL11及第2成像光学系统PL12，其中，上述第1成像光学系统PL11是形成光掩模M的中间像，且具有大致等倍的投影倍率，上述第2成像光学系统PL12是使中间像与薄板P光学共轭，且具有放大的投影倍率。 
第1成像光学系统PL11具备：凹面反射镜CCM11，其配置于光掩模M与中间像之间的光路中；光学特性调整机构AD，其配置于光掩模M与凹面反射镜CCM11之间的光路中；第1光路偏向面FM11，其以相对于光掩模M面成45°的角度斜设于光学特性调整机构AD与凹面反射镜CCM11之间的光路中，以使自光学特性调整机构AD向-Z轴方向行进的光朝向-X轴方向反射，且使光路偏向；第1主透镜群ML11，其配置于第1光路偏向面FM11与凹面反射镜CCM11之间的光路中，且至少由1片透镜而构成；以及第2光路偏向面FM12，其以相对于光掩模M面成45°的角度斜设于第1主透镜群ML11与中间像之间的光路中，以使自第1主透镜群ML11向X轴方向行进的光朝向-Z轴方向反射，且使光路偏向。再者，在凹面反射镜CCM11(光瞳位置)的附近，设置着孔径光阑(aperture stop)AS。 
此处，光学特性调整机构AD包括平行平板L1、L2、L3、L4，第1主透镜群ML11由以下部分组成：双凸透镜L5；凸面朝向凹面反射镜CCM11侧的负弯月透镜(meniscus lens)L6；双凸透镜L7；双凹透镜L8；以及凸面朝向凹面反射镜CCM11侧的正弯月透镜(meniscus lens)L9。 
第2成像光学系统PL12包括：凹面反射镜CCM12，其配置于中间像与薄板P之间的光路中；第1透镜群G11，其配置于中间像与凹面反射镜CCM12之间的光路中，有助于放大；第3光路偏向面FM13，其以相对于光掩模M面成45°角度斜设于第1透镜群G11与凹面反射镜CCM12之间的光路中，以使自第1透镜群G11向-Z轴方向行进的光朝向-X轴方向反射，且使光路偏向；第2主透镜群ML12，其配置于第3光路偏向面FM13与凹面反射镜CCM12之间的光路中；第4光路偏向面FM14，其以相对于光掩模M面成45°角度斜设于第2主透镜群L12与薄板P之间的光路中，以使自第2主透镜群L12向X 轴方向行进的光朝向-Z轴方向反射，且使光路偏向；以及第2透镜群G12，其配置于第4光路偏向面FM14与薄板P之间的光路中，有助于放大。 
此处，第2成像光学系统PL12的第1透镜群G11由以下部分组成：凸面朝向第3光路偏向面FM13侧的正弯月透镜L10；凸面朝向第3光路偏向面FM13侧的负弯月透镜L11；以及凸面朝向第3光路偏向面FM13侧的正弯月透镜L12。又，第2主透镜群ML12由以下部分组成：双凸透镜L13；凹面朝向第3光路偏向面FM13侧的负弯月透镜L14；以及凹面朝向第3光路偏向面FM13侧的负弯月透镜L15。又，第2透镜群G12由以下部分组成：凹面朝向第4光路偏向面FM14侧的负弯月透镜L16；凸面朝向第4光路偏向面FM14侧的负弯月透镜L17；以及双凸透镜L18。 
图3是自非扫描方向(Y轴方向)对投影光学装置PL的投影光学系统PL1与PL2的观察图。当将投影光学系统PL1及投影光学系统PL2的视场的中心彼此在扫描方向(X轴方向)上的间隔设为Dm，将投影光学系统PL1及第2投影光学系统PL2的像场的中心彼此在扫描方向(X轴方向)上的间隔设为Dp，且将投影光学系统PL1及投影光学系统PL2各自的投影倍率设为β时，满足Dp＜Dm×|β|(其中，|β|＞1)。 
图4是表示本实施形态的扫描型曝光装置中所使用的光掩模的构成图。再者，图4表示用于扫描型曝光装置的光掩模，该扫描型曝光装置于扫描方向的后方侧(-X轴方向)，沿着非扫描方向以规定间隔配置着3个投影光学系统(以下，称为后方侧投影光学系统)，在扫描方向的前方侧(X轴方向)，沿着非扫描方向以规定间隔配置着2个投影光学系统(以下，称为前方侧投影光学系统)，且具备形成正立正像的投影光学装置。 
如图4所示，光掩模M具备沿着非扫描方向(Y轴方向)所配置的第1行图案部M10及第2行图案部M20。此处，第1行图案部M10的整个区域与第2行图案部M20的整个区域，错开规定量而配置于扫描方向(X轴方向)上。 
此处，在第1行图案部M10中，定位着投影光学装置的后方侧投影光学系统的视场，在第2行图案部M20中，定位着投影光学装置的前方侧投影光学系统的视场。在该光掩模M中，当将后方侧投影光学系统及前方侧投影光学系统的视场的中心彼此在扫描方向上的间隔设为Dm，将后方侧投影光学系统及前方侧投影光学系统的像场的中心彼此在扫描方向上的间隔设为Dp，且将后方侧影光学系统及前方侧投影光学系统各自的投影倍率设为β时，上述规定量为(Dm×|β|-Dp)÷|β|。 
在将该光掩模M的图案转印曝光至薄板P上时，使用后方侧投影光学系统将光掩模M上的第1行图案部M10转印曝光至薄板P上的第1图案转印区域P10(参照图5)，使用前方侧投影光学系统将光掩模M上的第2行图案部M20转印曝光至薄板P上的第2图案转印区域P20。图5中显示使用 本实施形态的扫描型曝光装置来将该光掩模M的图案转印曝光至薄板P上的状态。该扫描型曝光装置中，因投影光学装置具有放大的投影倍率，故在光掩模M上，使在非扫描方向隔开规定间隔而形成的第1行图案部M10与第2行图案部M20，在第1图案转印区域P10与第2图案转印区域P20的非扫描方向上部分重叠后转印曝光至薄板P上。再者，此时较好的是，使照明视场形成为梯形等，从而难以看见第1图案转印区域P10与第2图案转印区域P20的非扫描方向的重叠部。于此情形时，较理想的是，将视场光阑(visual field diaphragm)设置于照明系统内。 
又，本实施形态的扫描型曝光装置的投影光学装置具有放大的投影倍率，但使后方侧投影光学系统与前方侧投影光学系统的像场的中心彼此在扫描方向(X轴方向)上的间隔，小于将后方侧投影光学系统与前方侧投影光学系统的视场的中心彼此在扫描方向(X轴方向)上的间隔、乘以放大的投影倍率后所得的距离。然而，使定位着后方侧投影光学系统的视场的第1行图案部M10在扫描方向上的位置、与定位着投影光学装置的前方侧投影光学系统的视场的第2行图案部M20在扫描方向上的位置，在扫描方向上错开与放大的投影倍率相对应的距离而配置，藉此，以使第1图案转印区域P10与第2图案转印区域P20在扫描方向的端部位置一致而转印曝光至薄板上。 
因此，根据该扫描型曝光装置，即使在将光掩模的图案转印至大型薄板上时，亦可仅使光掩模在扫描方向的长度增加量为，使第1行图案部与第2行图案部错开而配置的距离，以此即可避免光掩模更加大型化。又，投影光学系统尽管具有放大倍率，但无须使后方侧投影光学系统及前方侧投影光学系统的像场的中心彼此在扫描方向上的间隔，相对于后方侧投影光学系统及前方侧投影光学系统的视场的中心彼此在扫描方向上的间隔而扩大，因此，投影光学系统的设计自由度增大，且可使制造成本降低。 
其次，说明本发明的第2实施形态的扫描型曝光装置。该第2实施形态的扫描型曝光装置中，使用具备7个示于图6的投影光学系统的投影光学装置，以作为构成投影光学装置的投影光学系统。其他方面，与第1实施形态的扫描型曝光装置相同。 
投影光学系统PL20是使光掩模M2的视场内的放大像形成于薄板P2上的像场内的投影光学系统。该投影光学系统PL20具备：凹面反射镜CCM2，其配置于光掩模M2与薄板P2之间的光路中；第1透镜群G21，其配置于光掩模M2与凹面反射镜CCM2之间的光路中，有助于放大；第1光路偏向面FM21，其相对于光掩模M2面而斜设于第1透镜群G21与凹面反射镜CCM2之间的光路中，以使自第1透镜群G21向-Z轴方向行进的光朝向X轴方向反射，且使光路偏向；主透镜群ML2，其配置于第1光路偏向面FM21与凹面反射镜CCM2之间的光路中；第2光路偏向面FM22，其相对于光掩模M2面而斜设于主透镜群ML2与薄板P2之间的光路中，以使自主透镜群ML2向-X轴方向行进的光朝向-Z轴方向反射，且使光路偏向；以及第2透镜群G22，其配置于第2光路偏向面FM22与薄板P2之间的光路中，有助于放大；且该投影光学系统PL20将光掩模M2的图案的倒立像形成于薄板P2上。 
此处，第1透镜群G21由以下部分组成：凹面朝向光掩模M2的正弯月透镜L20；凹面朝向光掩模M2的负弯月透镜L21；以及凹面朝向光掩模M2的正弯月透镜L22。主透镜群ML2由以下部分组成：双凸透镜L23；凸面朝向凹面反射镜CCM2侧的负弯月透镜L24；以及凸面朝向凹面反射镜CCM2侧的正弯月透镜L25。第2透镜群G22由以下部分组成：凸面朝向薄板P2侧的负弯月透镜L26；凹面朝向薄板P2侧的负弯月透镜L27；以及双凸透镜L28。 
具备该投影光学系统PL20的投影光学装置，在将投影光学系统PL20作为配置于扫描方向前方侧的前方侧投影光学系统的情形下，当将前方侧投影光学系统PL20与未图示的配置于扫描方向后方侧的后方侧影光学系统的视场的中心彼此在扫描方向(X轴方向)上的间隔设为Dm，将前方侧投影光学系统PL20及后方侧投影光学系统的像场的中心彼此在扫描方向(X轴方向)上的间隔设为Dp，且将前方侧投影光学系统PL20及后方侧投影光学系统各自的投影倍率设为β时，满足Dp＜Dm×|β|(其中，|β|＞1)。 
图7是表示本实施形态的扫描型曝光装置中所使用的光掩模的构成图。再者，在图7中，显示用于扫描型曝光装置的光掩模，该扫描型曝光装置具备形成倒立像的投影光学装置，其沿着非扫描方向以规定间隔配置3个后方侧投影光学系统，并且沿着非扫描方向以规定间隔配置2个前方侧投影光学系统。 
如图7所示，光掩模M2具备沿着非扫描方向(Y轴方向)所配置的第1行图案部M11以及第2行图案部M21。此处，第1行图案部M11的整个区域与第2行图案部M21的整个区域，在扫描方向(X轴方向)上错开规定量而配置。 
此处，在第1行图案部M11中，定位着后方侧投影光学系统的视场，在第2行图案部M21中，定位着前方侧投影光学系统的视场。在该光掩模M2中，当将后方侧投影光学系统与前方侧投影光学系统的视场的中心彼此在扫描方向上的间隔设为Dm，将后方侧投影光学系统及前方侧投影光学系统的像场的中心彼此在扫描方向上的间隔设为Dp，且将后方侧投影光学系统及前方侧投影光学系统各自的投影倍率设为β时，上述规定量为 
(Dm×|β|-Dp)÷|β|。 
在将该光掩模M2的图案转印曝光至薄板P2上时，使用后方侧投影光学系统，将光掩模M2上的第1行图案部M11转印曝光至薄板P2上的第1 图案转印区域P10，且使用前方侧投影光学系统，将光掩模M2上的第2行图案部M21转印曝光至薄板P2上的第2图案转印区域P20。在图5中，显示使用本实施形态的扫描型曝光装置来将该光掩模的图案转印曝光至薄板上的状态。 
该扫描型曝光装置中，在光掩模M2上，使在非扫描方向隔开规定间隔而形成的第1行图案部M11与第2行图案部M21，以在非扫描方向上反转的状态，转印曝光至薄板P上。此时，因投影光学装置具有放大的投影倍率，故在第1图案转印区域P10与第2图案转印区域P20的非扫描方向上部分重叠后转印曝光至薄板P上。再者，此时较好的是，使照明视场形成为梯形等，从而难以看见第1图案转印区域P10与第2图案转印区域P20的非扫描方向的重叠部。于此情形时，较理想的是，将视场光阑配置于照明系统内。 
又，本实施形态的扫描型曝光装置的投影光学装置具有放大的投影倍率，但使后方侧投影光学系统与前方侧投影光学系统的像场的中心彼此在扫描方向(X轴方向)上的间隔，小于将后方侧投影光学系统与前方侧投影光学系统的视场的中心彼此在扫描方向(X轴方向)上的间隔、乘以放大的投影倍率后所得的距离。然而，将定位着后方侧投影光学系统的视场的第1行图案部M11在扫描方向上的位置、与定位着投影光学装置的前方侧投影光学系统的视场的第2行图案部M21在扫描方向上的位置，在扫描方向上错开与放大的投影倍率相对应的距离而配置，藉此，以使第1图案转印区域P10与第2图案转印区域P20在扫描方向的端部位置一致而转印曝光至薄板上。 
因此，根据该扫描型曝光装置，即使在将光掩模的图案转印至大型薄板上时，亦可仅使光掩模在扫描方向的长度增加量为，使第1行图案部与第2行图案部错开而配置的距离，以此即可避免光掩模更加大型化。又，投影光学系统尽管具有放大倍率，但仍无须使后方侧投影光学系统及前方侧投影光学系统的像场的中心彼此在扫描方向上的间隔，相对于后方侧投影光学系统及前方侧投影光学系统的视场的中心彼此在扫描方向上的间隔而扩大，因此，投影光学系统的设计自由度增大，且可使制造成本降低。 
再者，上述第1实施形态中，在具有大致等倍的投影倍率的第1成像光学系统PL11中，具备构成光学特性调整机构AD的平行平板L1～L4，使该平行平板L1～L4的任一个对光轴倾斜，则可使像位置相对于光轴而移位。又，使平行平板成为楔状的双夹层(pair)玻璃，并使双夹层玻璃沿着楔角而移动，以改变玻璃厚度，藉此可对焦或调整像面倾斜。进一步，使具有第1光路偏向面FM11及第2光路偏向面FM12的棱镜旋转，藉此可调整像的旋转。第1成像光学系统PL11具有大致等倍的投影倍率，故可调整像的旋转位置，而不会产生像差变化。 
又，在第1实施形态的第1成像光学系统PL11与第2成像光学系统PL12、以及第2实施形态的投影光学系统PL20中，反复使用透镜，以使主透镜群朝向凹面反射镜的光与藉由凹面反射镜所反射的光可通过，由此可减少透镜片数，且由于具有棱镜，该棱镜具备用以使透镜像以高成分进行视场分离的光路偏向面，因而可减小后方侧投影光学系统及前方侧投影光学系统在扫描方向上的间隔，而无须将透镜切成矩形状。 
又，上述第2实施形态的投影光学系统P20中不具备像调整机构，但像调整机构可配置于光掩模M2与第1透镜群G21之间、第1透镜群G21与第1光路偏向面FM21之间、第2光路偏向面FM22与第2透镜群G22之间、第2透镜群G22与薄板P2之间等。像旋转可通过使具备第1及第2光路偏向面的棱镜进行微小量旋转而实现；对焦调整可通过朝向具备第1及第2光路偏向面的棱镜的主透镜群LM2的方向移动而实现；朝向扫描方向的像移位，可通过使具备第1及第2光路偏向面的棱镜在光掩模M2与薄板P2之间的垂直方向(上下方向)上移动而实现。又，朝向Y方向的像移位与倍率调整可通过以下方法而实现：将以3片相同曲率透镜而构成的透镜群配置于上述空间的任一位置处，且使该3片相同曲率透镜而构成的透镜群的中央部的透镜，在光掩模M2与薄板P2之间的垂直方向(上下方向)上移动。又，亦可使3片透镜为一体并向Y方向倾斜，以此修正Y方向的像位置。 
又，上述第1实施形态的扫描型曝光装置中，使用的投影光学装置具备：具有等倍的投影倍率的第1成像光学系统、与具有放大的投影倍率的第2成像光学系统，但若使用2个具有放大的投影倍率的成像光学系统，则可使投影光学装置整体的放大倍率更大，且不会使光掩模大型化，故可易于曝光至大的薄板上。 
又，在上述第1实施形态中，具备形成光掩模M的图案的中间像的第1成像光学系统PL11、以及使中间像与薄板光学共轭的第2成像光学系统PL12，因此可容易配置像调整机构，且可将视场光阑或孔径光阑配置于预期的位置。 
图9是表示具备上述实施形态的形成正立正像的投影光学装置的扫描型曝光装置中所使用的光掩模图。如图9所示，光掩模M3在非扫描方向(Y轴方向)上包括奇数行图案部M12与偶数行图案部M22。此处，所谓奇数行图案部M12与偶数行图案部M22例如图9所示，是指在非扫描方向上从图9的左侧数起，将第1、第3、第5个图案部作为奇数行图案部M12，将第2、第4个图案部作为偶数行图案部M22。再者，奇数行图案部M12与偶数行图案部M22亦可分别具有至少1个图案部。 
奇数行图案部M12与偶数行图案部M22中，相邻接的至少一对图案部在非扫描方向的端部上，形成具有相同图案的共通区域。此处，共通区域 分别形成于相邻接的一对奇数行图案部(M12)与偶数行图案部(M22)的邻接侧。例如图9所示，分别形成共通区域M3a、M3b、M3c、M3d。又，奇数行图案部M12与偶数行图案部M22在扫描方向(X轴方向)上错开规定量{(Dm×|β|-Dp)÷|β|}而配置。 
图10是表示具备上述实施形态的形成倒立像的投影光学装置的扫描型曝光装置中所使用的光掩模图。如图10所示，光掩模M4与图9相同，在非扫描方向(Y轴方向)上具有奇数行图案部M13与偶数行图案部M23。奇数行图案部M13与偶数行图案部M23中，相邻接的至少一对图案部在非扫描方向的端部，形成具有相同图案的共通区域。此处，共通区域分别形成于相邻接的一对奇数行图案部M13与偶数行图案部M23的邻接侧的相反侧。例如图10所示，分别形成共通区域M4a、M4b、M4c、M4d。又，将奇数行图案部M13与偶数行图案部M23在扫描方向(X轴方向)上错开规定量{(Dm×|β|-Dp)÷|β|}而配置。 
再者，图9及图10所示的光掩模中，奇数行图案部与偶数行图案部无须接触，可分开规定的距离。为了实现奇数行图案部与偶数行图案部中相邻接的至少一对图案部的共通区域相互重合，以形成1个图案的方式使共通区域的全部或一部分重叠后转印曝光。又，为了实现奇数行图案部与偶数行图案部中相邻接的至少一对共通区域相互重合，只要能够形成1个图案即可，无须使形成于一对共通区域的图案完全相同。例如，一对共通区域中，奇数行图案部的共通区域或偶数行图案部的共通区域中的任一个，可有完全不使用的无需要的图案。 
又，将例如图9及图10所示而构成的光掩模用于本实施形态的扫描型曝光装置时，奇数行图案部与偶数行图案部在扫描方向上错开的规定量无特别限定，较理想的是36mm～150mm。若投影光学系统的放大倍率小，则奇数行图案部与偶数行图案部在扫描方向上错开的规定量变小，从而可减小光掩模的尺寸，但曝光区域不太会扩大。另一方面，若投影光学系统的放大倍率大，则错开的规定量变大，从而光掩模的尺寸变大。考虑上述情况，本实施形态的扫描型曝光装置的投影光学系统的放大倍率无特别限定，较理想的是1.25倍～4倍左右。 
此处，例如在将第1投影光学系统与第2投影光学系统的光掩模侧的视场的间隔设为200mm时，若投影光学系统的放大倍率为1.25倍，则相对于第1投影光学系统与第2投影光学系统的光掩模侧的视场的间隔，第1投影光学系统与第2投影光学系统的像场的间隔为250mm，若投影光学系统的放大倍率是4倍，则必须使第1投影光学系统与第2投影光学系统的像场的间隔为800mm。因此，若投影光学系统的放大倍率为1.25倍，则光掩模上的奇数行图案部与偶数行图案部在扫描方向上错开的规定量为40mm，若投影光学系统的放大倍率为4倍，则光掩模上的奇数行图案部与偶数行图案部在扫描方向上错开的规定量为150mm。 
又，例如在将第1投影光学系统与第2投影光学系统的光掩模侧的视场的间隔设为180mm时，若投影光学系统的放大倍率为1.25倍，则相对于第1投影光学系统与第2投影光学系统的光掩模侧的视场的间隔，第1投影光学系统与第2投影光学系统的像场的间隔为225mm、若投影光学系统的放大倍率为4倍，则必须使第1投影光学系统与第2投影光学系统的像场的间隔为720mm。因此，若投影光学系统的放大倍率为1.25倍，则光掩模上的奇数行图案部与偶数行图案部在扫描方向上错开的规定量为36mm，若投影光学系统的放大倍率为4倍，则光掩模上的奇数行图案部与偶数行图案部在扫描方向上错开的规定量为135mm。 
其次，对上述实施形态的扫描型曝光装置中所使用的光掩模的制造方法加以说明。首先，说明具备上述实施形态的形成正立正像的投影光学装置的扫描型曝光装置中所使用的光掩模的制造方法。如图11所示，首先，在非扫描方向即第1方向(Y方向)上，将形成于光掩模上的全部图案所对应的图案资料进行分割。亦即，将图案资料分割为M12(1)、M22(2)、M12(3)、M22(4)、M12(5)五个。 
其次，如图12所示，在分割后的至少1个区域的第1方向(Y方向)的端部，附加与共通区域相对应的图案资料，制作成描绘资料。亦即，如图12所示，在M12(1)与M22(2)的共通区域，制作M3a的图案资料，在M22(2)与M12(3)的共通区域，制作M3b的图案资料。在其他共通区域，亦同样地制作M3c、M3d的图案资料。 
其次，根据与分割后的各区域相对应的描绘资料，使用EB曝光装置等，在扫描方向即第2方向上错开规定量，将图案描绘于光掩模基板(blanks)上。藉此，可制造图9所示的光掩模。 
其次，说明具备上述实施形态的形成倒立像的投影光学装置的扫描型曝光装置中所使用的光掩模的制造方法。如图13所示，首先，在非扫描方向即第1方向(Y方向)上，将形成于光掩模上的全部图案所对应的图案资料进行分割。亦即，将图案资料分为M13(1)、M23(2)、M13(3)、M23(4)、M13(5)此5个。 
其次，如图1 4所示，在分割后的至少1个区域的第1方向(Y方向)的端部，附加与共通区域相对应的图案资料，制作成描绘资料。亦即，如图14所示，在M13(1)与M23(2)的共通区域，制作M4a的图案资料，在M23(2)与M13(3)的共通区域，制作M4b的图案资料。在其他共通区域，亦同样地制作M4c、M4d的图案资料。 
其次，根据与分割后的各区域相对应的描绘资料，使用EB曝光装置等， 在扫描方向即第2方向上错开规定量，将图案描绘于光掩模基板(blanks)上。藉此，可制造图10所示的光掩模。 
再者，上述图9及图10所示的光掩模的制造方法中，是将与全部图案相对应的图案资料进行分割，其后附加与共通区域相对应的图案资料，亦可将具有共通区域的全部图案资料分割为，相邻接的至少一对奇数行图案部与偶数行图案部所对应的图案资料，且根据分割后的图案资料，使用EB曝光装置等，在第2方向上错开规定量，将图案描绘于光掩模基板(blanks)上。 
又，本实施形态的曝光装置中，在薄板(玻璃基板)上形成规定的图案(电路图案、电极图案等)，以此可获得作为微元件的液晶显示元件。以下，参照图8的流程图，说明此时的方法的一例。在图8中，在图案形成步骤401中，执行所谓光微影步骤，即，使用本实施形态的扫描型曝光装置，将光掩模的图案转移曝光至感光基板上。利用该光微影步骤，在感光性基板上形成包含多个电极等的规定图案。其后，经过显影步骤、蚀刻步骤、抗蚀剂剥离步骤等各步骤，使所曝光的基板上形成规定的图案，并进入下一步骤，即彩色滤光片形成步骤402。 
其次，在彩色滤光片形成步骤402中形成彩色滤光片，该彩色滤光片中，矩阵状地排列着多个与R(Red，红)、G(Green，绿)、B(Blue，蓝)对应的3个点(dot)的组，或者在多条水平扫描线方向上排列着R、G、B的3根条纹(stripe)的滤光片的组。并且，在彩色滤光片形成步骤402之后，执行单元组装步骤403。在单元组装步骤403中，使用具有在图案形成步骤401中所获得的规定图案的基板、以及在彩色滤光片形成步骤402中所获得的彩色滤光片等，来组装液晶面板(液晶单元(liquid crystalcell))。在单元组装步骤403中，例如在具有于图案形成步骤401中所获得的规定图案的基板、及在彩色滤光片形成步骤402中所获得的彩色滤光片之间，注入液晶，以此制造液晶面板(液晶单元)。 
其后，在模块组装步骤404中，安装使组装而成的液晶面板(液晶单元)进行显示动作的电路、背光源(back light)等各零件后，完成液晶显示元件。根据上述液晶显示元件的制造方法，由于其使用本实施形态的扫描型曝光装置，因此可低成本地制造液晶显示元件。 
再者，在上述实施形态中，应用反射折射成像光学系统以作为投影光学系统PL1、PL2、PL10、PL20，但并非限于此，例如可应用具备沿着1根以直线状延伸的光轴而排列的多个折射光学元件的折射成像光学系统。此时较好的是，使折射成像光学系统的视场的中心与像场的中心一致。上述折射成像光学系统可使用例如美国专利第5,903,400号所揭示的投影光学系统。此处，参照上述美国专利第5,903,400号并引用。又，投影光学系统PL1、PL2、PL10、PL20亦可应用反射成像光学系统。 
以下说明实施例1及实施例2，由于实施例1及实施例2的反射折射光学系统的构成，分别与图2、图6所示的第1、第2实施形态的反射折射光学系统的构成相同，因此在实施例1、实施例2的反射折射光学系统的说明中，使用第1、第2实施形态的反射折射光学系统的说明中所使用的符号。又，表1、表2中显示实施例1、实施例2的反射折射光学系统PL1、PL20的光学部件规格。表1、表2的光学部件规格中，第1行(column)的面编号表示沿着来自物体侧的光线行进方向的面的顺序，第2行表示各面的曲率半径(mm)，第3行的面间隔表示光轴上的面间隔(mm)，第4行表示光学部件的有效半径，第5行表示光学部件的硝材的i线的折射率，第6行表示光学部件的硝材的h线的折射率，第7行表示光学部件的硝材的g线的折射率。 
[实施例1] 
以下表示实施例1的反射折射光学系统PL1的规格值。 
(规格) 
投影倍率：1.2倍 
(表1) 
(光学部件规格) 
men    r       d         E.Rad    n(i)      n(h)      n(g) 
0)           ∞ 32.48876                  1 
1)           ∞       10    66.25  1.474559  1.469637  1.466712 
2)           ∞       10    66.82  1.474559  1.469637  1.466712 
3)           ∞        8    67.39  1.486769  1.482725  1.480319 
4)           ∞        8    67.84  1.486769  1.482725  1.480319 
5)           ∞       98    68.3          1 
6)           ∞ -20.5092    99.86        -1 
7)      -867.44 -28.1011    78.62  -1.48677  -1.48273  -1.48032 
8)       266.84 -2.12666    78.95        -1 
9)       263.46 -18.3563    78.72  -1.61279  -1.60086  -1.59415 
10)      548 34 -421.574    79.95        -1 
11)     -499.95 -20.1841    75.74  -1.47456  -1.46964  -1.46671 
12)     1659.92  -216.85    75.03        -1 
13)     435.481 -12.1088    52.57  -1.47456  -1.46964  -1.46671 
14)     -780.64 -10.9693    52.05        -1 
15)     452.783 -13.1256    51.96  -1.48677  -1.48273  -1.48032 
16)     269.976 -18.9971    52.28        -1 
17)      970.52 18.99714    51.05         1 
18)     269.976 13.12558    52.28  1.486769  1.482725  1.480319 
19)     452.783  10.9693    51.96         1 
20)     -780.64 12.10882    52.05  1.474559  1.469637  1.466712 
21)     435.481 216.8502    52.57         1 
22)     1659.92 20.18408    75.03  1.474559  1.469637  1.466712 
23)     -499.95 421.5736    75.74         1 
24)      548.34 18.35625    79.95  1.612786  1.600859  1.594152 
25)      263.46 2.1 2666    78.73         1 
26)      266.84 28.10105    78.96  1.486769  1.482725  1.480319 
27)     -867.44  20.5092    78.62         1 
28)          ∞ -182.314    99.87        -1                  ←中間像 
29)          ∞      -10    65.83        -1 
30)    854.2579   -23.75    66.45  -1.48032  -1.48273  -1.48677 
31)    183.6923 -8.39551    67.56        -1 
32)    160.1273  -10.625    67.12  -1.59415  -1.60086  -1.61279 
33)    270.1107 -12.1493    69.21        -1 
34)    183.5373   -24.25    69.57  -1.48032  -1.48273  -1.48677 
35)    159.6677      -62    72.87        -1 
36)          ∞ 100.3484   103.06         1 
37)   3055.233  30.83885    72.98  1.466712  1.469637  1.474559 
38)   -575.856  458.3257    72.79         1 
39)   -461.759  18.99521    52.32  1.466712  1.469637  1.474559 
40)   -2030.49  10.33669    55.67         1 
41)   -804.174   22.9186    57.66  1.480319  1.482725  1.486769 
42)   -412.815  10.74294    61.17         1 
43)   -973.178  -10.7429    63.58        -1 
44)   -412.815  -22.9186    64.26  -1.48032  -1.48273  -1.48677 
45)   -804.174  -10.3367     63.9        -1 
46)   -2030.49  -18.9952       64  -1.46671  -1.46964  -1.47456 
47)   -461.759  -458.326    63.96        -1 
48)   -575.856  -30.8389    92.99  -1.46671  -1.46964  -1.47456 
49)   3055.233  -100.348    92.78        -1 
50)         ∞  181.8825   123.69         1 
51)   -828.645  20.62295    84.93  1.480319  1.482725  1.486769 
52)   -2102.18   4.54889    85.27         1 
53)   499.5769  21.64359    85.29  1.594152  1.600859  1.612786 
54)   275.9227  14.72975    83.57         1 
55)   298.8991      22.5    84.82  1.480319  1.482725  1.486769 
56)   -3532.15  76.31644    84.48         1 
57)         ∞ 
[实施例2] 
以下表示实施例2的反射折射光学系统PL20的规格值。 
(规格) 
投影倍率：1.25倍 
(表2) 
(光学部件规格) 
men      r      d        E.Rad      n(i)      n(h)      n(g) 
0)          ∞    40.5                    1 
1)    -881.74     25.7      70.17  1.486769  1.482725  1.480319 
2)    -197.34      6.1      71.68         1 
3)    -179.09     21.6       71.5  1.612786  1.600859  1.594152 
4)    -298.91     12.0      75.24         1 
5)    -198.12     25.7      75.67  1.486769  1.482725  1.480319 
6)    -177.77     70.0      79.54         1 
7)          ∞  -142.0     112.83        -1 
8)   -1132.29    -41.6      85.75  -1.47456  -1.46964  -1.46671 
9)     761.59   -387.9      85.53        -1 
10)    477.18    -24.8      60.83  -1.47456  -1.46964  -1.46671 
11)   7398.48    -11.7      60.79        -1 
12)    727.98    -18.6      60.73  -1.48677  -1.48273  -1.48032 
13)    388.24     -8.9      61.11        -1 
14)    958.61      8.9       60.6         1 
15)    388.24     18.6      61.32  1.486769  1.482725  1.480319 
16)    727.98     11.7      61.13         1 
17)   7398.48     24.8      61.35  1.474559  1.469637  1.466712 
18)    477.18    387.9      61.73         1 
19)    761.59     41.6      93.79  1.474559  1.469637  1.446712 
20)  -1132.29    152.0      94.28         1 
21)         ∞  -192.7     127.44        -1 
22)    662.55    -22.0      88.47  -1.48677  -1.48273  -1.48032 
23)   1777.62     -0.4      89.31        -1 
24)   -532.47    -47.1      89.56  -1.61279  -1.60086   1.59415 
25)   -269.87     -7.7      86.88        -1 
26)   -289.53    -33.8      87.79  -1.48677  -1.48273  -1.48032 
27)    835.50    -58.9      87.51        -1 
28)         ∞              86.08        -1 
以上说明的实施形态是为了易于理解本发明而揭示，并非为了限定本发明而揭示。因此，上述实施形态中所揭示的各要素，其主要内容亦包含属于本发明的技术范围内的所有设计变更及与之等同的变动。又，上述实施形态的各构成要素等亦可进行任意的组合。 

Claims (18)

1.一种扫描型曝光装置，一边使第1物体与第2物体在第1方向上移动，一边将上述第1物体的图案转印曝光在上述第2物体上，上述扫描型曝光装置的特征在于包括：第1投影光学系统，将上述第1物体上的视场内的该图案的放大像形成于上述第2物体上的像场内；
第2投影光学系统，相对于该第1投影光学系统，在该第1方向、及与该第1方向呈正交的第2方向设置间隔而配置，将该第1物体上的视场内的该图案的放大像形成于该第2物体上的像场内，当将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的上述视场的中心彼此在上述第1方向上的间隔设为Dm，将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的上述像场的中心彼此在上述第1方向的间隔设为Dp，且将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的投影倍率设为β时，满足Dp＜Dm×|β|，其中，|β|＞1，且
其中该图案包括对应于该第1投影光学系统而配置的第1行图案部、对应于该第2投影光学系统而配置且相对于该第1行图案部在该第1方向上错开规定量而配置的第2行图案部，且
所述规定量等于(Dm×|β|-Dp)÷|β|。
2.如权利要求1所述的扫描型曝光装置，其特征在于其中所述的第1投影光学系统及上述第2投影光学系统由反射折射光学系统所构成，
上述反射折射光学系统包括：
第1凹面反射镜，其配置于上述第1物体与上述第2物体之间的光路中；
第1光路偏向面，其配置于上述第1物体与上述第1凹面反射镜之间的光路中，且使光路偏向；
第1主透镜群，其配置于上述第1光路偏向面与上述第1凹面反射镜之间的光路中；以及
第2光路偏向面，其配置于上述第1主透镜群与上述第2物体之间的光路中，且使光路偏向。
3.如权利要求1所述的扫描型曝光装置，其特征在于其中，藉由上述第1投影光学系统所投影的上述放大像而形成于上述第2物体上的第1图案转印区域、与藉由上述第2投影光学系统所投影的上述放大像而形成于上述第2物体上的第2图案转印区域，在横切上述第1方向的方向上部分重叠。
4.如权利要求1所述的扫描型曝光装置，其特征在于其中所述的第1投影光学系统及上述第2投影光学系统包括光学特性调整机构。
5.如权利要求4所述的扫描型曝光装置，其特征在于其中所述的第1投影光学系统与上述第2投影光学系统包括：第1成像光学系统，其形成上述第1物体的中间像；以及第2成像光学系统，使上述中间像与上述第2物体光学共轭；且
上述光学特性调整机构设置在上述第1成像光学系统的光路内。
6.如权利要求2所述的扫描型曝光装置，其特征在于其中上述第1投影光学系统与上述第2投影光学系统包括与上述反射折射光学系统不同的第2反射折射光学系统，
该第2反射折射光学系统的投影倍率为1，且包括：第2凹面反射镜，其配置于上述第1物体与上述第2物体之间的光路中；第3光路偏向面，其配置于上述第1物体与上述第2凹面反射镜之间的光路中，使光路偏向；第2主透镜群，其配置于上述第3光路偏向面与上述第2凹面反射镜之间的光路中；以及第4光路偏向面，其配置于上述第2主透镜群与上述第2物体之间的光路中，使光路偏向。
7.如权利要求1所述的扫描型曝光装置，其特征在于其中所述的第2物体是外径大于500mm的感光基板。
8.一种微元件的制造方法，其特征在于包括：
曝光步骤，使用权利要求1项至第7项中任一项所述的扫描型曝光装置，将光掩模图案曝光至感光基板上；以及
显影步骤，使通过上述曝光步骤所曝光的上述感光基板显影。
9.一种光掩模，形成有图案，适用于将该图案转印曝光于基板的曝光装置，其中该曝光装置包括：
第1投影光学系统，将该光掩模上的视场内的该图案的放大像形成于该基板上的像场内；
第2投影光学系统，相对于该第1投影光学系统，在第1方向、及与该第1方向呈正交的第2方向设置间隔而配置，将该光掩模上的视场内的该图案的放大像形成于该基板上的像场内，
当将该第1投影光学系统及该第2投影光学系统的上述视场的中心彼此在上述第1方向上的间隔设为Dm，将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的上述像场的中心彼此在上述第1方向的间隔设为Dp，且将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的投影倍率设为β时，满足Dp＜Dm×|β|，其中，|β|＞1，且
其中该图案包括对应于该第1投影光学系统而配置的第1行图案部、对应于该第2投影光学系统而配置且相对于该第1行图案部在该第1方向上错开规定量而配置的第2行图案部，且
藉由该曝光装置一边使该光掩模与该基板在该第1方向上移动，一边对该基板进行转印曝光，且
所述规定量等于(Dm×|β|-Dp)÷|β|。
10.一种光掩模，具有图案部，适用于将该图案转印曝光于基板的曝光装置，其中该曝光装置包括：
第1投影光学系统，将该图案部的放大像形成于该基板上的第1图案转印区域；
第2投影光学系统，相对于该第1投影光学系统，在第1方向上具有不同的视场，且将该图案的放大像形成于该基板上的第2图案转印区域，
当将该第1投影光学系统及该第2投影光学系统的上述视场的中心彼此在上述第1方向上的间隔设为Dm，将该第1投影光学系统及该第2投影光学系统的上述像场的中心彼此在该第1方向的间隔设为Dp，且将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的投影倍率设为β时，满足Dp＜Dm×|β|，其中，|β|＞1，且
其中该图案包括沿着与该第1方向呈正交的第2方向位于第奇数行的奇数行图案部、及位于第偶数行的偶数行图案部，且
藉由该曝光装置一边使该光掩模与该基板在该第1方向上移动，一边对该基板进行转印曝光，且
该奇数行图案部与该偶数行图案部中，相邻接的至少一对奇数行图案部与偶数行图案部在该第2方向的端部，具有持相同图案的共通区域，且
该奇数行图案部的整个区域与该偶数行图案部的整个区域是在该第1方向错开规定量而配置，且
所述规定量等于(Dm×|β|-Dp)÷|β|。
11.如权利要求10所述的光掩模，其特征在于其中所述的共通区域分别形成于相邻接的一对上述奇数行图案部与上述偶数行图案部的邻接侧。
12.如权利要求10所述的光掩模，其特征在于其中所述的共通区域分别形成于相邻接的一对上述奇数行图案部与上述偶数行图案部的邻接侧的相反侧。
13.如权利要求10所述的光掩模，其特征在于其中所述的规定量为36mm～150mm的范围内。
14.一种光掩模的制造方法，为权利要求10至13中任一项权利要求所述的光掩模的制造方法，其特征在于包括下述步骤：
将形成于上述光掩模上的全部图案所对应的图案资料，在上述第1方向上进行分割的步骤；
在分割后的至少1个区域的上述第1方向的端部，附加与上述共通区域相对应的图案资料，制作描绘资料的步骤；以及
使用分割后的各区域所对应的上述描绘资料，将上述各区域所对应的图案相互地于上述第1方向上错开上述规定量而描绘于上述光掩模的光掩模基板上的步骤。
15.一种曝光方法，将图案的放大像投影至感光基板上且对该感光基板进行曝光，上述曝光方法的特征在于包括：
制备光掩模，该光掩模具有沿该第1方向相互仅错开规定量而配置且沿与该第1方向呈正交的第2方向设置规定间隔而配置的第1行图案部和第2行图案部，以及
一边使上述光掩模和上述感光基板在该第1方向同步移动，一边通过第1投影光学系统使上述第1行图案部的一部的放大像投影至上述感光基板上，且通过第2投影光学系统使上述第2行图案部的一部的放大像投影至上述感光基板上，
当将上述光掩模上的上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的上述视场的中心彼此沿着上述第1方向的间隔设为Dm，将上述感光基板上的上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的上述像场的中心彼此沿着上述第1方向的间隔设为Dp，且将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的投影倍率设为β时，满足Dp＜Dm ×|β|，其中，|β|＞1，且
上述规定量设定为(Dm×|β|-Dp)÷|β|。
16.如权利要求15所述的曝光方法，其特征在于通过上述第1投影光学系统所投影的放大像而在上述感光基板上所形成的第1图案转印区域、以及通过上述第2投影光学系统所投影的放大像而在上述感光基板上所形成的第2图案转印区域相互之间有一部份相重叠而被曝光。
17.如权利要求15所述的曝光方法，其特征在于上述感光基板的外径大于500mm。
18.一种微元件的制造方法，其特征在于包括：
转印步骤，使用权利要求15项至第17项中任一项所述的曝光方法，将上述图案放大且转印至上述感光基板上；以及
显影步骤，对转印有上述图案的上述感光基板进行加工。
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