CN101377020A - 三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法 - Google Patents

三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101377020A
CN101377020A CNA2008100338328A CN200810033832A CN101377020A CN 101377020 A CN101377020 A CN 101377020A CN A2008100338328 A CNA2008100338328 A CN A2008100338328A CN 200810033832 A CN200810033832 A CN 200810033832A CN 101377020 A CN101377020 A CN 101377020A
Authority
CN
China
Prior art keywords
rare earth
polycrystal
silicate
trivalent cerium
sio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2008100338328A
Other languages
English (en)
Inventor
吴历斌
吴承
江莞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Original Assignee
Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Ceramics of CAS filed Critical Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Priority to CNA2008100338328A priority Critical patent/CN101377020A/zh
Publication of CN101377020A publication Critical patent/CN101377020A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明涉及三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法，其特征在于所述的稀土硅酸盐为硅酸镥、硅酸钇或硅酸镥钇；掺杂的三价铈化合物的克分子百分数为0.2－2％；掺杂后所述的稀土硅酸盐的通式为Ln2(1－x)Ce2xSiO3，式中x＝0.002－0.02，Ln为Y和Lu中的一种或两种。所述的掺杂的三价铈化合物为Ce2(CO3)3、Ce(NO3)3、Ce2(C2O4)3、Ce(CH3COO)3或Ce(OH)3。采用直接合成多晶料或掺杂三价铈化合物经液相混合后制备多晶料。本发明从原料上最大程度地减少了Ce+4的引入，消除了其对Ce+3发光的猝灭影响，降低了多晶料的烧结温度，改善了材料的光输出、能量分辨率等闪烁性能。

Description

三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法
技术领域
本发明涉及一种三价铈离子(Ce3+)掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法，更确切地说涉及Ce3+掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)、硅酸钇(Y2SiO5)或硅酸镥钇(Lu2(1-x)Y2xSiO5)多晶料的制备方法，属于闪烁晶体生长用多晶料制备领域。
背景技术
自1948年Hofstadter首次发现NaI：T1晶体具有优良的闪烁特性并将其广泛应用于X射线、γ射线的探测开始，人们逐步发现并应用了诸如CdWO4、BGO(锗酸铋，系分子式Bi3Ge4O12的缩写)、CsI：T1等性能优良的闪烁晶体。这些闪烁晶体做成探测器，在核物理、高能物理、影像核医学诊断(XCT、PET)、油井勘探、天文空间物理学以及安全稽查等领域有着广泛的应用前景，它们已经成为现代众多高新技术领域中不可缺少的核心材料之一。随着核科学技术及其相关技术的飞速发展、闪烁晶体应用领域的不断地拓宽，不同应用领域对无机闪烁体也提出了更多更高地要求。铈离子掺杂的稀土硅酸盐，即Lu2SiO5：Ce、Y2SiO5：Ce以及Lu2(1-x)Y2xSiO5：Ce等，因具有高光输出、快衰减、高密度以及优良的物理化学特性，备受科研和工程技术人员的广泛关注。
Lu2SiO5：Ce(简写为LSO：Ce)与Y2SiO5：Ce(简写为YSO：Ce)最初是作为阴极射线管用磷光粉引起人们的兴趣并进行研究的(A.H.Gomes，A.Bril.Mater Res Bull，1969，4,643；)。1990年，C.L.Melcher等发现它是一种具有潜在应用价值的新型闪烁体，该晶体的光输出为BGO晶体的4～5倍，衰减时间不足40ns、密度(7.4g/cm)与BGO相当，发光波长为420nm(C.L.Melcher，US Patent，4958080，1990)，非常适合于高能γ射线的快速探测，因此被认为是迄今为止综合性能最好的闪烁体。自1992年生长出单晶以来(C.L.Melcher，J.S.Schweitzer，Nucl.Instrum Method A，1992，314,212)，已对其闪烁性能进行了广泛的研究，如美国的CTI公司、Texas大学西南医学中心、Ramet公司和俄罗斯的Lebedev物理研究所等先后开展LSO晶体的生长试验和性能研究。我国上海光学精密机械研究所吴光照等曾于1996年首先在国内用提拉法生长出了尺寸为3mm×4mm×4mm的Lu2SiO5：Ce晶体(吴光照等，人工晶体学报，1996，25，175)，随后上海硅酸盐所任国浩等对LSO：Ce的生长和闪烁性能进行了相关研究与表征(任国浩等，无机材料学报，2003，18，269；G.H.Ren etc.，J.Synthetic Crystal，2004，33，520；G.H.Renetc.，Nucl.Instr Method，2004，531A，560)。近年来，为了改善闪烁晶体的性能，又发展了混合型硅酸盐闪烁单晶体Lu2(1-x)Y2xSiO5：Ce，简写为LYSO：Ce(D.W.Cooke etc.，J Appl.Phys.，2000，7360；K.J.McClellan，L.Alamos，USPatent，6323489，2001；Bruce H.T.Chai etc.，US Patent，6624420，2003；L.S.Qin，G.H.Ren etc.，J Cryst Growth，2005，281,518)。
与目前广泛应用的BGO闪烁晶体不同，铈离子掺杂的稀土硅酸盐系列晶体Ln2(1-x)Ce2xSiO5(Ln＝Lu、Gd、Y等稀土元素)属于非本征闪烁晶体，三价铈离子替代Ln2SiO5晶体中Ln离子而成为发光中心。其发光过程通常由以下3个步骤完成：(a)闪烁晶体吸收高能射线或粒子，在晶格中产生大量的电子—空穴对；(b)具有高能量的电子—空穴对通过电子—电子、电子—声子之间的相互作用进行驰豫，变为具有禁带宽度能量的热化电子—空穴对，热化电子—空穴对再将能量传递给Ce3+离子发光中心；(3)Ce3+离子通过5d—4f能级间的跃起进行发光。研究表明，晶体中含有Ce4+离子时，将会猝灭Ce3+发光中心从而降低晶体的光输出(J.Lumi.2000，87-89，266；J.Lumi.1994，60-61，263；Nucl.Instrum Method.1992，320A，263)。另外，Y.Kurata等指出，在Ce离子掺杂的稀土硅酸盐闪烁晶体中，Ce4+离子使晶体的光透过率降低，进而影响晶体的光谱性能(IEEE Trans.Nucl.Sci，1995，42，1038)。因此，如何有效降低晶体中Ce4+离子的浓度是提高晶体闪烁效率的一个重要因素。
在先技术中，Ce掺杂稀土硅酸盐闪烁晶体Ln2(1-x)Ce2xSiO5(0.0001≤X≤0.05，Ln代表Lu、Y、Gd稀土元素中的一种或两种元素的组合)一般都采用中频感应提拉法生长。晶体生长所用初始原料，一般直接采用化学式对应的高纯氧化物Lu2O3、Y2O3、SiO2和CeO2按摩尔比进行配制，然后高温固相反应合成多晶料(IEEE Trans.Nucl.Sci.1998，45，518；J.Cryst.Growth.1993，128，1001；Bruce H.T.Chai，US Patent，6624420；J.Cryst.Growth，1997，174，331)。
先前技术生长铈离子掺杂的稀土硅酸盐闪烁晶体具有下列缺点：
(1)由于晶体中的三价铈离子是通过含四价铈离子的CeO2引入，Ce4+的半径较Ce3+(分别为0.920
Figure A200810033832D0006133626QIETU
、1.034
Figure A200810033832D0006133626QIETU
)，更加接近其取代的Y3+、Lu3+的半径(分别为0.893
Figure A200810033832D0006133626QIETU
、0.848
Figure A200810033832D0006133626QIETU
)，加之Ce元素的第四级电离能I4在镧系稀土元素中最小，最后获得的晶体必将含有大量的Ce4+离子，对Ce3+发生严重的猝灭效应，进而降低了晶体的光输出等闪烁性能；
(2)另一方面，原料中引入的CeO2还会在其晶体生长的过程中，发生如下的化学反应：
(1-x)Ln2O3+SiO2+2x CeO2＝Ln2(1-x)Ce2xSiO5+x/2 O2↑
产生少量的氧气，对晶体生长不利，并会使晶体存在较多的缺陷、晶体闪烁性能下降。
因此，从材料制备技术(尤其是多晶料)上寻找突破、克服上述现有技术的缺点，解决因采用CeO2作为掺杂原料，致使其后续生长晶体中含有大量的Ce4+等有害离子而导致降低晶体光输出、恶化能量分辨率等闪烁性能的问题，显得非常迫切和必要。
发明内容
本发明的目的在于提供一类三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法。也即提供一类只含有Ce3+离子的LSO：Ce、YSO：Ce及LYSO：Ce闪烁单晶所需的多晶料的制备方法，解决因采用CeO2作为掺质原料，在前述硅酸盐晶体中因引入大量的Ce4+等从而降低晶体闪烁性能的问题。
本发明的关键在于采用：
●在稀土硅酸盐晶体的原料配方中掺入三价铈的化合物；
●在惰性或还原性气氛中烧结原料
所述的三价铈的化合物为Ce2(CO3)3、Ce(NO3)3、Ce2(C2O4)3、Ce(CH3COO)3或Ce(OH)3等三价铈盐及其含水化物。相关的分解反应过程为：
Ce2(CO3)3→Ce2O3+CO2↑
Ce(NO3)3→Ce2O3+NOx↑
Ce2(C2O4)3→Ce2O3+CO2↑
Ce(CH3COO)3→Ce2O3+CO2↑+CH4↑+H2↑
Ce(OH)3→Ce2O3+H2O↑
所述的掺三价铈的硅酸盐多晶料，包括掺三价铈离子的硅酸镥(LSO：Ce)、硅酸钇(YSO：Ce)或混合型硅酸钇镥(LYSO：Ce)，是在中性或还原性气氛条件经与适量的SiO2高温反应(烧结)所得。
本发明提供的一类三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料，其特征在于：
(1)所述的稀土硅酸盐为硅酸镥、硅酸钇或硅酸镥钇；
(2)掺杂的三价铈化合物的克分子百分数为0.2—2％；掺杂后所述的稀土硅酸盐的通式为Ln2(1-x)Ce2xSiO3，式中x＝0.002—0.02，Ln为
Figure A200810033832D0007130739QIETU
和Lu中的一种或两种。
本发明提供的三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料工艺流程如图1所示，可采用下述两种方法中任意一种，具体步骤是：
方法A：直接合成多晶料
<1>按Lu2(1-x)Ce2xSiO3通式，x＝0.002—0.02；称取三价铈的化合物、SiO2、Lu2O3和Y2O3中的一种或两种；
<2>直接球磨混合；
<3>将步骤2混合后的原料，干压成料饼；
<4>料饼在惰性气体或H2气氛下，于1100—1400℃反应，获得相应的多晶料；
方法B：掺杂三价铈化合物经液相混合后制备多晶料
<1>按权利要求1所述的通式，分别称取三价铈化合物，Ln2O3、Y2O3、SiO2；
<2>三价铈化合物与Lu2O3或Y2O3先完全溶于3—8mol/L的硝酸溶液中，形成混合溶液，然后滴定到PH＝11的氨水中，得到PH＝9的共沉淀，后经过滤、洗涤并烘干后得到固体粉末，再与SiO2混合均匀；
<3>步骤2制得的混合原料烘干后，干压成料饼；
<4>料饼在惰性气体后H2气氛下，于1100—1400℃反应，得到相应的多晶料。
方法A和B中所述的干压成料饼的压力为1—10GPa。
方法A和B中的步骤4所述的反应时间为10—30h。
方法A和B中的步骤4所述的惰性气体为N2或Ar
综上所述，本发明的优点：由于(1)采用了Ce2(CO3)3等含三价铈的化合物(铈盐)取代CeO2作为掺质原料，并且采用充N2等中性或H2等还原性气氛预烧混合均匀的原料，所以最大程度地减少了对发光中心Ce3+有严重猝灭效应(影响)的Ce4+的引入；同时，由于(2)液相反应生成的氢氧化物具有较高的活性使得原料的烧结温度大为降低(可以降低100～300℃)，有利于Ce3+离子的稳定；此外(3)液相合成的三价铈掺杂的原料还具有纯度高、均匀性好等特点，可克服闪烁性能个体差异大的问题。试验结果表明，本发明制备方法中液相合成的原料前驱物可降低多晶材料合成温度100℃～400℃。
用本发明方法制备的多晶原料，(1)制备陶瓷Φ10～15mm的块体，光输出增加10％以上；(2)生长出Φ60×200mm的优质晶体，晶体质量明显高于在先技术生长的晶体，测试表明硅酸盐晶体的闪烁性能提高5～15％。
下面介绍本发明的实施例，但本发明绝非限于实施例。
实施例1.以Ce2(CO3)3为掺质直接合成多晶料
以Ce2(CO3)3作为掺质原料，与主体原料Lu2O3、SiO2直接混合制备三价铈离子Ce3+掺杂浓度为0.2mol％的硅酸镥：Lu1.996Ce0..004SiO5
按所述的方法A中步骤(1)配料，分别称量相应原料组分，即Lu2O3：Ce2(CO3)3：SiO2＝0.998：0.002：1的摩尔配比，总重量约为1Kg；Ce2(CO3)3作为掺质，与主体原料Lu2O3、SiO2直接球磨分散、混合后；在压料机5GPa压力下压制成料饼；在充N2的中性气氛中于1400℃烧结30h，即可得到所需三价铈离子掺杂的硅酸镥(Lu1.996Ce0..004SiO5)多晶料。
实施例2.以Ce2(C2O4)3为掺质直接合成多晶料
以Ce2(C2O4)3作为掺质原料，与主体原料Lu2O3、SiO2直接混合制备Ce3+离子掺杂浓度为0.2mol％的硅酸镥：Lu1.996Ce0..004SiO5
按方法A所述的步骤1配料，分别称量相应原料组分，即Lu2O3：Ce2(C2O4)3：SiO2＝0.998：0.002：1的摩尔配比，总重量约为1Kg；工艺步骤<2>将Ce2(C2O4)3，与主体原料Lu2O3、SiO2直接球磨分散、混合后；按步骤<3>在压料机5GPa压力下压制成料饼；采用<4>工艺步骤在按充Ar的惰性气氛中于1400℃烧结30h，即可得到所需Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu1.996Ce0..004SiO5)多晶原料。
实施例3.以Ce(NO3)3为掺质直接合成多晶料
以Ce(NO3)3作为掺质原料，与主体原料Y2O3、SiO2直接混合制备Ce3+离子掺杂浓度为0.2mol％的硅酸钇：Y1.996Ce0..004SiO5
按方法A中步骤1配料，分别称量相应原料组分，即Y2O3：Ce(NO3)3：SiO2＝0.998：0.004：1的摩尔配比，总重量约为1Kg；按方法A中的工艺步骤<2>将Ce(NO3)3作为掺质，与主体原料Y2O3、SiO2直接球磨分散、混合后；按步骤3在压料机5GPa压力下压制成料饼；采用<4>工艺步骤在按充N2的中性气氛中于1350℃烧结24h，即可得到所需Ce3+离子掺杂的硅酸钇(Y1.996Ce0..004SiO5)多晶原料。
实施例4.以Ce2(CO3)3为掺质经液相混合后制备多晶料
以Ce2(CO3)3作为掺质原料，经与主体原料Y2O3液相溶解混合，再与SiO2混合、固相烧结制备Ce3+浓度为2mol％的硅酸钇：Y1.96Ce0.04SiO5按方法B中所述的步骤1配料，分别称量相应原料组分，即Y2O3原料677.4克、Ce2(CO3)3原料27.6克；按照方法B中工艺步骤<2>将Ce2(CO3)3掺质、Y2O3首先完全溶解在浓度为5mol/L的硝酸溶液中，充分搅拌成均匀的含Ce3+、Y3+混合溶液，然后将此混合溶液滴定到pH＝11的氨水中，得到稳定沉淀(pH值保持在9左右)后进行过滤、洗涤并烘干后，得到固体粉末：所得粉末与180.3克主体原料SiO2经机械分散后，按方法B中步骤<3>在压料机8GPa压力下压制成料饼；采用方法B中步骤4工艺步骤在按充N2的中性气氛中于1150℃烧结20h，即可得到所需Ce3+离子掺杂的硅酸钇(Y1.96Ce0.04SiO5)多晶原料。
实施例5.以Ce2(CO3)3为掺质经液相混合后制备多晶料
以Ce2(CO3)3作为掺质原料，经与主体原料Lu2O3液相溶解混合，再与SiO2混合、固相烧结制备Ce3+浓度为0.2mol％的硅酸镥：Lu1.996Ce0.004SiO5
按方法B中所述的步骤1配料，分别称量相应原料组分，即Lu2O3原料795.9克、Ce2(CO3)3原料1.9克；按照方法B中工艺步骤<2>将Ce2(CO3)3掺质、Lu2O3首先完全溶解在浓度为6mol/L的硝酸溶液中，充分搅拌成均匀的含Ce3+、Lu3+混合溶液，然后将此混合溶液滴定到pH＝11的氨水中，得到稳定沉淀(pH值保持在9左右)后进行过滤、洗涤并烘干后，得到固体粉末：所得粉末与120.2克主体原料SiO2经机械分散后，再按方法B中步骤<3>在压料机8GPa压力下压制成料饼；采用方法B中工艺步骤4在充H2气氛中于1150℃烧结20h，即可得到所需Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu1.996Ce0.004SiO5)多晶原料。
实施例6.以Ce2(CO3)3为掺质直接合成多晶料
以Ce2(CO3)3作为掺质原料，与主体原料Lu2O3、Y2O3、SiO2直接混合制备Ce3+离子掺杂浓度为0.4mol％的硅酸镥钇：Lu1.892Y0.10Ce0..008SiO5
按方法A所述的工艺步骤1配料，分别称量相应原料组分，即Lu2O3：Y2O3：Ce2(CO3)3：SiO2＝0.946：0.05：0.004：1的摩尔配比，总重量约为1Kg；选用方法A中工艺步骤<2>将Ce2(CO3)3作为掺质，与主体原料Lu2O3、Y2O3、SiO2经球磨分散、混合后；再按方法A中步骤<3>在压料机6GPa压力下压制成料饼；采用<4>工艺步骤在按充N2的中性气氛中于1200℃烧结24h，即可得到所需Ce3+离子掺杂的混合型硅酸镥钇(Lu1.892Y0.10Ce0..008SiO5)多晶原料。
实施例7.分别以Ce2(CO3)3与CeO2单独作为掺质合成多晶料，再制作陶瓷体进行闪烁性能对比试验
a、Ce2(CO3)3为掺质原料，参照实施例1所述，合成Ce3+离子浓度为0.2mol％的LSO：Ce多晶，然后压制、烧结成Φ15×2.0mm陶瓷体，记做LSO1；
b、CeO2为掺质原料，参照实施例1所述，合成Ce3+离子浓度为0.2mol％的LSO：Ce多晶及Φ15×2.0mm的陶瓷体，记做LSO2；
测试表明：相同测试条件，以LSO1的光输出记做100，则LSO2的光输出约为88，本发明提供的制备方法及其稀土硅酸盐闪烁陶瓷体，其光输出性能改善大于10％。
上述各实施例(实施例1～7)提供的多晶料，经相同工艺参数的提拉法(充高纯氮气、升温化料，提拉速度2～3mm/h，旋转速度15～30rpm)生长单晶，与现有技术(采用CeO2作为掺质原料)生长的对应晶体相比，测试检测表明，闪烁性能(光输出、能量分辨率)可提高5～15％不等。
附图说明
附图为本发明的工艺流程图。

Claims (6)

1、三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料，其特征在于：
(1)所述的稀土硅酸盐为硅酸镥、硅酸钇或硅酸镥钇；
(2)掺杂的三价铈化合物的克分子百分数为0.2—2％；掺杂后所述的稀土硅酸盐的通式为Ln2(1-x)Ce2xSiO3，式中x＝0.002—0.02，Ln为
Figure A200810033832C0002133923QIETU
和Lu中的一种或两种。
2、按权利要求1所述的三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料，其特征在于所述的掺杂的三价铈化合物为Ce2(CO3)3、Ce(NO3)3、Ce2(C2O4)3、Ce(CH3COO)3或Ce(OH)3。
3、制备如权利要求1所述的三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料的方法，其特征在于采用下述两种方法中任意一种，具体步骤是：
方法A：直接合成多晶料
(1)按权利要求1所述的通式分别称取三价铈化合物、SiO2、Lu2O3和Y2O3中的一种或两种；
(2)直接球磨混合；
(3)将步骤2混合后的原料，干压成料饼；
(4)料饼在惰性气体或H2气氛下，于1100—1400℃反应，获得相应的多晶料；
方法B：掺杂三价铈化合物经液相混合后制备多晶料
(1)按权利要求1所述的通式分别称取三价铈化合物，Lu2O3、Y2O3、SiO2；
(2)三价铈化合物与Lu2O3或Y2O3先完全溶于3—8mol/L的硝酸溶液中，形成混合溶液，然后滴定到PH＝11的氨水中，得到PH＝9的共沉淀，后经过滤、洗涤并烘干后得到固体粉末，再与SiO2混合均匀；
(3)步骤2制得的混合原料烘干后，干压成料饼；
(4)料饼在惰性气体后H2气氛下，于1100—1400℃反应，得到相应的多晶料。
4、按权利要求3所述的三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料的制备方法，其特征在于方法A和B中所述的干压成料饼的压力为1—10GPa。
5、按权利要求3所述的三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料的制备方法，其特征在于方法A和B中的步骤4所述的反应时间为10—30h。
6、按权利要求3所述的三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料的制备方法，其特征在于方法A和B中的步骤4所述的惰性气体为N2或Ar。
CNA2008100338328A 2008-02-25 2008-02-25 三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法 Pending CN101377020A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2008100338328A CN101377020A (zh) 2008-02-25 2008-02-25 三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2008100338328A CN101377020A (zh) 2008-02-25 2008-02-25 三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101377020A true CN101377020A (zh) 2009-03-04

Family

ID=40420750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008100338328A Pending CN101377020A (zh) 2008-02-25 2008-02-25 三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101377020A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102492995A (zh) * 2011-12-14 2012-06-13 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种在还原气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法
CN102690119A (zh) * 2012-05-16 2012-09-26 中国科学院金属研究所 一种原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法
CN104630878A (zh) * 2015-02-05 2015-05-20 中国电子科技集团公司第二十六研究所 大尺寸板状Ce3+离子掺杂的稀土正硅酸盐系列闪烁晶体水平定向凝固制备方法
CN109399651A (zh) * 2018-12-11 2019-03-01 上海新漫晶体材料科技有限公司 一种Ce:LYSO多晶粉体及其制备方法
CN109399650A (zh) * 2018-12-11 2019-03-01 上海新漫晶体材料科技有限公司 一种用于硅酸钇镥晶体生长的多晶粉体的制备方法
CN109852804A (zh) * 2019-01-31 2019-06-07 中国科学院长春应用化学研究所 一种稀土硅酸盐闪烁晶体的循环利用方法
CN111977680A (zh) * 2020-09-10 2020-11-24 中国科学院长春应用化学研究所 一种闪烁晶体用氧化钇镥铈的制备方法
CN113073388A (zh) * 2019-08-21 2021-07-06 眉山博雅新材料有限公司 一种晶体

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102492995A (zh) * 2011-12-14 2012-06-13 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种在还原气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法
CN102492995B (zh) * 2011-12-14 2015-02-04 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种在还原气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法
CN102690119A (zh) * 2012-05-16 2012-09-26 中国科学院金属研究所 一种原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法
CN104630878A (zh) * 2015-02-05 2015-05-20 中国电子科技集团公司第二十六研究所 大尺寸板状Ce3+离子掺杂的稀土正硅酸盐系列闪烁晶体水平定向凝固制备方法
CN104630878B (zh) * 2015-02-05 2017-04-12 中国电子科技集团公司第二十六研究所 大尺寸板状Ce3+离子掺杂的稀土正硅酸盐系列闪烁晶体水平定向凝固制备方法
CN109399650A (zh) * 2018-12-11 2019-03-01 上海新漫晶体材料科技有限公司 一种用于硅酸钇镥晶体生长的多晶粉体的制备方法
CN109399651A (zh) * 2018-12-11 2019-03-01 上海新漫晶体材料科技有限公司 一种Ce:LYSO多晶粉体及其制备方法
CN109852804A (zh) * 2019-01-31 2019-06-07 中国科学院长春应用化学研究所 一种稀土硅酸盐闪烁晶体的循环利用方法
CN113073388A (zh) * 2019-08-21 2021-07-06 眉山博雅新材料有限公司 一种晶体
US11319645B2 (en) 2019-08-21 2022-05-03 Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. Methods and devices for growing oxide crystals in oxygen atmosphere
US11828001B2 (en) 2019-08-21 2023-11-28 Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. Methods and devices for growing oxide crystals in oxygen atmosphere
CN111977680A (zh) * 2020-09-10 2020-11-24 中国科学院长春应用化学研究所 一种闪烁晶体用氧化钇镥铈的制备方法
CN111977680B (zh) * 2020-09-10 2021-11-12 中国科学院长春应用化学研究所 一种闪烁晶体用氧化钇镥铈的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101377020A (zh) 三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法
CN102286286B (zh) 辐射探测用的氯化物闪烁体
JP5249032B2 (ja) 高光収率高速シンチレーター
CN105418063B (zh) 一种非化学计量比镥铝石榴石闪烁陶瓷及其制备方法
CN102560670A (zh) 生长氧原硅酸盐的切克拉斯基方法中的热梯度控制方法
CN102690113A (zh) 镥铝石榴石透明闪烁陶瓷的低温真空烧结制备方法
CN105986320A (zh) Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体及其熔体法生长方法
CN1322173C (zh) 掺铈焦硅酸镥高温闪烁单晶体的制备方法
CN105969354A (zh) 铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法
CN101545140A (zh) 铈锰共掺的铝酸钇(镥)超快闪烁晶体及其制备方法
Retivov et al. Gd3+ content optimization for mastering high light yield and fast GdxAl2Ga3O12: Ce3+ scintillation ceramics
CN105332056A (zh) 激光照明用二价金属阳离子与铈共掺镥铝石榴石晶体及其制备方法
US20120080645A1 (en) Suppression Of Crystal Growth Instabilities During Production Of Rare-Earth Oxyorthosilicate Crystals
Shimura et al. Zr doped GSO: Ce single crystals and their scintillation performance
EP3636805A1 (en) Yttrium-doped barium fluoride crystal and preparation method and use thereof
CN106149054A (zh) 掺铈铝酸钆钇石榴石高温闪烁晶体及其制备方法
CN108441959A (zh) 掺铈铝酸钆镥石榴石晶体制备方法
CN108441960A (zh) 二价金属阳离子与铈共掺镥铝石榴石晶体制备方法
CN101597798B (zh) 共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法
CN1259465C (zh) 掺三价铈离子稀土硅酸盐闪烁晶体的制备方法
US11567223B2 (en) Scintillation material of rare earth orthosilicate doped with strong electron-affinitive element and its preparation method and application thereof
CN100500953C (zh) 新型闪烁晶体掺铈钒酸盐晶体材料
CN105297136A (zh) 激光照明用掺铈铝酸钆镥石榴石晶体及其制备方法
CN101955773A (zh) 一种镨铈掺杂硼酸镥钪发光材料及其制备方法
CN101294302A (zh) 掺杂稀土的镥铝石榴石晶体制备工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20090304