CN101364585A - 一种支架、具有支架的芯片封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种芯片封装结构，包括至少一根支架以及装载于支架上的至少一个封装壳体和芯片，芯片分别设置于封装壳体内，并与支架电性连接。本发明采用冲压的方式一体成型支架和封装壳体组，芯片直接安装于支架上，简化了生产工序，避免了芯片因受热而对其光学特性、延伸质量、发光效率等特性的影响，支架采用金属制成，既可作为芯片的导线架，实现芯片与外部电源的电性连接，同时，也可以作为芯片的散热架，通过快速散热提高芯片的工作效率，由于不必再安装散热层，则减小了封装结构的厚度，因此除了可减少散热层材料的成本以外，可因简化了生产程序而降低了生产成本；由于厚度的减小，更可适用于可饶性的模块产品上。

Description

一种支架、具有支架的芯片封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种片封装结构及其制造方法。
背景技术
近年来，发光二极管(LED)被应用的领域相当广泛，如液晶屏幕上的光源、投射灯、交通等以及汽车的刹车灯等等，日渐取代传统的灯丝灯泡。然而，现有的芯片，虽然具有体积小、能耗低的特性，但就单颗片而言，光源能量较小，在诸多领域的应用都受到限制。为了增加发光源的整体亮度，则需要增加芯片的数目或密度。
为了增加片的数目或密度，传统的片制造方法是
Figure A200810198897D0004110813QIETU
成型后的片成品分别安装于印刷电路板上，通过印刷电路板上的电路实现各片之间的电性连接。采用这种制造方法，需要逐一地将片通过波焊或回焊的方式安装于印刷电路板上，由此以来，加工时间根据所需安装的片个数的增加而增加，进而增加片的加工周期，而且，片是非常轻薄短小的元器件，安装精度要求很高，需要分别与印刷电路板上的电路电性连接，这种分别安装的制造方法大大提高了加工的难度，需要精确对准相应的电路，这样，也将进也步增加了加工周期。另外，由于传统的制造方法需要经过回焊或波焊工艺，容易因受热而影响片的其自身光学特性、延伸质量、发光效率、寿命等特性。
另外，由于发光二极管(LED)的产品面十分广泛，除了应用于如灯具、广告牌等面状光源以外，还有也些需弯曲或绕曲的光源设备，如装饰灯、内装灯、手扶梯、阶梯灯或是路线指示灯等。然而目前也般通过单独安装的方式分别将LED单体安装于印刷电路板上，大大增加了可饶性LED模块的成型难度及制造工序。
因此，提供也种制造工序简单、成本低、精度高且厚度薄的芯片封装结构及其制造方法以解决上述问题实为必要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种支架，所述支架包括相互平行间隔的三组导电臂：第一导电臂、第二导电臂和第三导电臂，三组导电臂上分别设有电性连接点，其中，第一导电臂和第三导电臂上的电性连接点可与外部电源电性连接，第二导电臂为至少一个，其上的电性连接点可与第一导电臂和第三导电臂上的电性连接点电性连接。
本发明的另一目的在于提供一种芯片封装结构，其包括：至少一根支架和至少一个芯片，所述支架包括相互平行间隔的三组导电臂：第一导电臂、第二导电臂和第三导电臂，三组导电臂上分别设有电性连接点，其中，第一导电臂和第三导电臂上的电性连接点可与外部电源电性连接，第二导电臂为至少一个，其上的电性连接点可与第一导电臂和第三导电臂上的电性连接点电性连接，所述片通过各电性连接点与导电臂电性连接。
本发明封装结构还可进一步包括以下附加技术特征：
在本发明的一个优选实施例中，所述片为复数个，各片相互串联在一起。
在本发明的又一个优选实施例中，支架为复数个，所述复数个支架两两相连成一直线，组成支架组。
在本发明的又一个优选实施例中，支架组为复数个，该所述复数个支架组相互平行排列。
在本发明中，支架由可饶性导电材料制成，如铁、铜、铝或铂等材料。支架上设置有复数个两两相连或相互间隔的封装壳体，所述片分别设置于该封装壳体内。封装壳体内形成有光反射区域，所述光反射区域由高反射材料组成。
本发明还提供了一种片封装结构的制造方法，其包括以下步骤：
步骤1)成型至少一支架或支架组，在支架组中，所述支架两两相连接成一直线，各支架包括相互平行间隔的三组导电臂，各导电臂上设有电性连接点；
步骤2)在所述支架上装设片，所述片通过电性连接点与导电臂电性连接，成型片封装结构。
与现有技术相比，本发明片封装结构及其制造方法具有以下优点：
(1)通过一体成型阵列式支架或支架组，替代了传统的印刷电路板，作为片的承载基板及传导介质，可同时成型多组片封装结构，无需采用波焊或回焊的方式将片逐个地安装于印刷电路板或散热板上，简化了生产工序，提高生产的自动化程度，显著提高了生产效率，同时也降低了片封装结构的整体厚度。
(2)由于支架可采用可变形材料制成，具有一定的柔韧性，且封装结构的整体厚度较薄，则既可成型具可饶性的片模组，一可应用于具有一定曲度的对象的装饰，且制造方法与直线形的片封装模组相同，简化了制造工序，并使得本发明片封装模组的应用领域更为广泛。
(3)由于减少了波焊或回焊的工序，避免了片因受热而对其光学特性、延伸质量、发光效率等特性的影响，延长了芯片的工作寿命。
(4)支架采用金属制成，与芯片直接接触，既可作为芯片的导线架，实现片与外部电源的电性连接，同时，一可以作为片的散热架，通过快速散热提高片的工作效率，可不必再安装散热层，则减小了封装结构的厚度，也降低了生产成本。
(5)支架的结构相当简单，易于成型，由若干根导电臂组成，导电臂的个数可根据片的个数设置，其中两根导电臂与正负导电端电性连接，装载于支架上相互串联的各片可通过直接(通过导线电性连接)或间接(通过支架电性连接)地与正负导电端电连接，实现电流的导通，巧妙地利用了支架的导电性能，并且，各导电臂之间相互间隔，避免了短路现象。
为使本发明更加容易理解，下面将结合附图进一步阐述本发明不同的具体实施例。
附图说明
图1为本发明片封装结构的立体图；
图2为本发明芯片封装结构的支架的实施例一的立体图；
图3为本发明片封装结构的支架与芯片的组装图一；
图4为本发明芯片封装结构的支架的实施例二的立体图；
图5为本发明片封装结构的电路示意图；
图6为本发明片封装结构的支架的实施例三的立体图；
图7为本发明片封装结构的组装图二；
图8为本发明片封装结构另一个实施例的立体图；以及
图9为图7中C部位的放大图。
具体实施方式
参照图1所示，本发明提供了一种片封装结构，其包括：至少一根支架10、复数个设有开口的封装壳体20以及复数个片30，所述复数个封装壳体20装载于支架10上，所述片30分别设置于封装壳体20内，并与所述支架10电性连接。
参照图1所示，在本实施例中，所述复数个封装壳体20一体成型，两两相邻的封装壳体20之间经连接臂21相连接，形成封装壳体组200，连接臂21可由封装壳体20的任一边臂201延伸，在本实施例中，任意相邻连接的封装壳体20的连接臂21分别由其两相对边臂201同向延伸，在同一个封装壳体中，设某一支架10上相邻的封装壳体为20a、20b和20c，两封壳体20a及20b的边臂分别为第一边臂201a及第二边臂201b，第一边臂201a与第二边臂201b为交错相对设置。封装壳体20a的第一边臂201a沿T方向延伸，相连接至封装壳体20b，而封装壳体20b的第二边臂201b也沿T方向延伸，相连接至下一个封装壳体20c，依次类推，从而将复数个封装壳体20相连接在一起。
可以理解，所述边臂的形状、个数及位置均可不受限制，只要能够将同一支架上的相邻封装壳体相连接即可。可有以下几种连接方式：(1)所述第一边臂201a与第二边臂201b亦可设置与同一侧，将相邻的两封装壳体相互连接成一直线；(2)所述边臂201亦可由任一封装壳体的两侧同向延伸出，这样，两相邻的封装壳体可借由两对称分布的边臂相连接，使得复数个封装壳体的连接更为稳固，两两封装壳体相互牵拉，且提高了封装壳体组的刚性，避免发生断裂。所述封装壳体组200可采用一体射出成型的方式制成，可以理解，其亦可采用其它的连接方式将复数个封装壳体20组合而成。
此外，为了保护片30及电路结构，减少光损失，故封装壳体20的空腔204(如图9所示)内填充有胶体，成型封装层，所述封装层至少覆盖片30，更好地，所述封装层填满整个空腔204，其空腔204上表面开口与封装壳体20的上表面相齐平，胶体优选光学透光率较高的胶体，如混有荧光粉的胶体，以提高光散射效果，其中，胶体优选为树脂。
参照图2所示，在本发明的支架的实施例一中，所述支架10呈长条状，其由导电材料制成，优选金属材料，具有良好散热导电性，包括两导电端101和三组导电臂102，所述导电端101设置于导电臂102的两端。其中，每个导电端101包括正导电端和负导电端，通过正负导电端与外部电源电性耦接，正导电端为101a，负导电端为101b；所述导电臂102分别为第一导电臂102a、第二导电臂102b和第三导电臂102c，各导电臂相互平行间隔且电性分离，其上分别设有电性连接点(未标示)。其中，所述第一导电臂102a的两端分别与正导电端101a连为一体，第三导电臂102c的两端分别与负导电端101c连为一体，第一导电臂102a和第三导电臂102c上的电性连接点可与外部电源电性连接；第二导电臂102b为两个，分别为102b1和102b2，分别设置于第一导电臂102a及第三导电臂102c之间，第二导电臂102b上的电性连接点可与第一导电臂102a和第三导电臂102c上的电性连接点电性连接，所述复数个芯片30通过各电性连接点与导电臂102电性连接，且相互串联在一起。
在本发明中，所述第二导电臂102b可为至少一个，当第二导电臂102b为一个时，装载于第二导电臂102b上的片30通过电性连接点与第一导电臂102a和第三导电臂102c电性连接；当第二导电臂102b为复数个时，则可装载复数个芯片30，所述复数个芯片30通过各电性连接点与导电臂102电性连接，且相互串联在一起。所述片30的个数可根据需要设置，同样，第二导电臂102b的数量亦可根据片30的个数设置，只要能够间隔且电性分离任一芯片的两正负电性即可。如在同一个支架10上，若设置3个芯片30，则相应设置2个第二导电臂102b；若设置4个片30，则相应设置3个第二导电臂102b；若设置n个芯片30，则相应设置n-1个第二导电臂102b。
结合图3所示，所述同一支架10上设置3个芯片30，分别为第一片30a、第二片30b和第三片30c，并采用串联方式电性连接第一芯片30a、第二芯片30b和第三芯片30c。具体来说，第一芯片30a设置于第二导电臂102b1的一侧，第二芯片30b亦设置于第二导电臂102b2的一侧，第三片30c设置于第一导电臂102a的一侧。在本实施例中，第一芯片30a的负电性端通过导线与第三导电臂102c相连的负导电端101c电性耦接，而其正电性端通过导线与第二导电臂102b1电性耦接；第二片30b的负电性端通过导线与第二导电臂102b1电性耦接，而其正电性端通过导线与第二导电臂102b2电性耦接；第三芯片30c的负电性端通过导线与第二导电臂102b2电性耦接，而其正电性端通过导线与第三导电臂102a相连的负导电端101a电性耦接。在通电状态下，电流由正导电端101a导入，依序通过第三片30c、第二片30b和第一片30a，由负导电端101c导出。
在本发明中，所述正负导电端的位置及形状可不受限制，其可设置于导电臂的任一侧边，可与导电臂一体成型，由导电臂的任意两端延伸，也可借由导电体与导电臂电性耦接。
参照图4所示，在本发明的支架的实施例二中，当支架10为复数组时，所述支架两两相连接成一直线，组成第一支架组10a，所述第一支架组10a中的支架组数可根据需要设置。
请参阅图5，图5为m组支架10彼此并联的电路架构示意图。如图5所示，假设一第一支架组10a中的支架10组数为m组，则其中在一支架10上的第一片30a、第二片30b和第三片30c相互串联的同时，任意两支架10相互并联。再以上述支架10上的片相互串联后的正负导电端分别以另一支架10上的片相互串联后的正负导电端相互并联；最后，通过一组或多组正负导电端与外部电源电性耦接。同理，以上述相同方式并联m组支架10时，各组片的电路即可为图5所示。更进一步的说明，图5中所示的并联之电性连结方式即相同于上述图3中所示的第一导电臂102a和第三导电臂102c，而图5中所示之正、负电性端亦分别相同于上述图3中所示的正导电端101a与负导电端101c。
参照图6和图7所示，在本发明的支架的实施例三中，为了提高片封装结构的加工效率，亦可一体成型第二支架组10b，所述第二支架组10b中由多组相互平行排列的第一支架组10a组成，以满足同时加工更多片30的需要。
参照图8所示，在本发明的另一实施例中，复数个封装壳体20亦可相互间隔，可通过分别射出成型的方式相互独立地成型于支架10上。在本发明中，所述支架10可采用可饶性导电材料制成，如铜、铂、铝、铁等，可成型可饶性封装结构。在可饶性封装结构中，各封装壳体20之间没有连接，随支架的弯曲而弯曲，可应用于具有一定曲度的对象的装饰，其制造方法与直线形的LED封装模组相同，简化了制造工序。
参照图9所示，封装壳体20为绝缘材料制成，如塑料、陶瓷、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、碳化硅铝(SiCAl)等。封装壳体20的底部开设有开口202，芯片30通过所述开口202安装于支架10上。封装壳体20的内周壁形成有环形的光反射区域203，优选锥形，所述光反射区域203可由高反射材料形成，如荧光粉、陶瓷、油漆、塑料或反射性金属(银、铝)等，以提高片30所发的光向外散射并提高LED发光源的亮度。封装壳体20内成型有一空腔204，片30设置于封装壳体20的空腔204内，并通过电导线40与所述各导电臂102电性耦接。在本发明中，芯片30与支架10之间的电性耦接关系不受限制，亦可采用倒焊芯片技术(Flip-chip)通过导电端子将片30与支架10电性耦接。
在本发明中，亦可以省略封装壳体20，则将片30直接封装于所述支架10上。片30优选LED片，可以理解，本发明片封装结构也可适用于其他电子元件的封装。
本发明还提供了一种片封装结构的制造方法，其包括以下步骤：
步骤1)成型至少一支架或支架组，在支架组中，所述支架两两相连接成一直线，各支架包括相互平行间隔的三组导电臂，各导电臂上设有电性连接点；
步骤2)在所述支架上装设片，所述片通过电性连接点与导电臂电性连接，成型芯片封装结构。
以下详细描述本发明的制造方法。
在步骤1)中，首先，选取金属板；然后，将金属板放入压模机中冲压成型所述至少一个支架10(如图2所示)或支架组10a、10b。为了提高芯片封装结构的加工效率，以同时制造更多组芯片封装结构，参照图4所示，在支架组10a中，所述支架10两两相连接成一直线；参照图6所示，在支架组10b中，包括有复数个相互平行排列的支架组10a，在同一支架组10a中，所述支架10两两相连接成一直线。
在步骤2)中，通过焊接或胶粘的方式在所述支架10上装设芯片，使得所述片通过电性连接点与各导电臂电性连接，其中两组导电臂可与外部电源电性连接。
在本发明的一个优选实施例中，还可进一步包括步骤3)：将支架或支架组置于注塑机的模具上，在所述支架或支架组上射出成型封装壳体20，使得所述片30收容于所述封装壳体20之中。
参照图8所示，成型封装壳体组200，所述封装壳体由塑胶材料注塑而成，在各封装壳体20的中部开凿一腔204，空腔204的内周壁成型为光滑的锥形面，数个片30分别置入各封装壳体20的空腔204中，将其固定于支架10上，并通过电导线40将各片30与支架10电性耦接；然后，通过封装壳体20的注塑孔(未标示)向空腔204中注入胶体，如树脂，胶体充满于空腔204中，
Figure A200810198897D0011111202QIETU
芯片30封装，从而成型本发明片封装结构。
其中，所述片的安装与封装壳体的成型次序可置换，亦可先成型封装壳体，再将片封装于封装壳体中，并与支架电连接。
在本发明的又一个优选实施例中，所述步骤2)与步骤3)之间还可以进一步包括步骤21)，在封装壳体20的内周壁上形成有光反射区域203，光反射区域203可通过电镀反射性金属如银、铝等而形成。
在本发明的又一个优选实施例中，为了获得若干组相互平行的片封装结构，还可进一步包括步骤4)：根据需要片30的个数切割所述支架组10b，即可成型包括有至少一组片封装结构的成品。
惟以上所述者，仅为本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即大凡依本发明权利要求及发明说明书所记载的内容所作出简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明权利要求所涵盖范围之内。

Claims (10)

1.一种支架，其特征在于：所述支架包括相互平行间隔的三组导电臂：第一导电臂、第二导电臂和第三导电臂，三组导电臂上分别设有电性连接点，其中，第一导电臂和第三导电臂上的电性连接点可与外部电源电性连接，至少一个第二导电臂的电性连接点可与第一导电臂和第三导电臂上的电性连接点电性连接。
2.一种芯片封装结构，其包括：至少一根支架和至少一个芯片，其特征在于：所述支架包括相互平行间隔的三组导电臂：第一导电臂、第二导电臂和第三导电臂，三组导电臂上分别设有电性连接点，其中，第一导电臂和第三导电臂上的电性连接点可与外部电源电性连接，至少一个第二导电臂的电性连接点可与第一导电臂和第三导电臂上的电性连接点电性连接，所述芯片通过各电性连接点与导电臂电性连接。
3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构，其特征在于：所述芯片为复数个，各芯片相互串联在一起。
4.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构，其特征在于：所述支架为复数个，所述复数个支架两两相连成一直线，组成支架组。
5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于：所述支架组为复数个，该所述复数个支架组相互平行排列。
6.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构，其特征在于：所述支架由可饶性导电材料制成。
7.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于：所述支架上设置有复数个封装壳体，所述芯片分别设置于该封装壳体内。
8.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于：所述复数个封装壳体两两相连或相互间隔。
9.一种芯片封装结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1)成型至少一支架或支架组，在支架组中，所述支架两两相连接成一直线，各支架包括相互平行间隔的三组导电臂，各导电臂上设有电性连接点；步骤2)在所述支架上装设芯片，所述芯片通过电性连接点与导电臂电性连接，成型芯片封装结构。
10.根据权利要求9所述的芯片封装结构的制造方法，其特征在于：还可进一步包括：步骤3)在所述支架或支架组上成型封装壳体，所述芯片收容于所述封装壳体之中。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102214771A (zh) * 2010-04-02 2011-10-12 菱生精密工业股份有限公司 导线架型式的预铸模成型多芯片承载模组
CN102237484A (zh) * 2010-04-23 2011-11-09 三星Led株式会社 用于发光器件封装的引线框架、发光器件封装和照明装置
CN102237485A (zh) * 2010-05-07 2011-11-09 三星Led株式会社 引线框架、芯片封装、封装模块以及照明装置
CN102252210A (zh) * 2010-05-03 2011-11-23 三星Led株式会社 使用发光器件封装的照明装置
CN102945912A (zh) * 2012-12-06 2013-02-27 上海顿格电子贸易有限公司 Led发光元器件支架
US8525202B2 (en) 2010-01-29 2013-09-03 Kabushiki Kaisha Toshiba LED package, method for manufacturing LED package, and packing member for LED package
CN101608776B (zh) * 2009-03-05 2015-06-10 光宝电子(广州)有限公司 导线架料带及其与绝缘壳体的组合及应用该组合的led模组
TWI640713B (zh) * 2014-12-17 2018-11-11 美商Ｇｅ照明解決方案公司 用於一般照明的發光二極體導線架陣列
CN110794640A (zh) * 2018-08-01 2020-02-14 三赢科技（深圳）有限公司 3d投影仪

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101853915B (zh) * 2010-04-12 2012-10-03 河南腾煌电子技术有限公司 Led支架制作方法
JP5404705B2 (ja) * 2011-07-25 2014-02-05 京セラコネクタプロダクツ株式会社 半導体発光素子取付用モジュールの製造方法、及び、半導体発光素子モジュールの製造方法
TWM422161U (en) * 2011-08-18 2012-02-01 Ks Terminals Inc Improved diode structure
CN103178191B (zh) * 2011-12-24 2015-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
KR101990339B1 (ko) * 2012-03-30 2019-10-01 루미리즈 홀딩 비.브이. 스트레칭된 리드프레임 아키텍처를 위한 사전 회전되는 오버몰딩된 양방향 확산 렌즈
TWI626395B (zh) * 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP6109039B2 (ja) * 2013-10-28 2017-04-05 京セラコネクタプロダクツ株式会社 半導体発光素子モジュールの製造方法
TWI651491B (zh) 2015-07-23 2019-02-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP7100658B2 (ja) * 2016-12-13 2022-07-13 ルミレッズ ホールディング ベーフェー リードフレーム上のｌｅｄの配置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54157489A (en) * 1978-06-01 1979-12-12 Omron Tateisi Electronics Co Manufacture of semiconductor device
US4266140A (en) * 1978-11-21 1981-05-05 Kaufman Lance R Positioning means for optically couplable circuit elements
US4446375A (en) * 1981-10-14 1984-05-01 General Electric Company Optocoupler having folded lead frame construction
US4616250A (en) * 1984-07-03 1986-10-07 Motorola, Inc. Contact assembly for small semiconductor device
EP0217082A1 (de) * 1985-09-30 1987-04-08 Siemens Aktiengesellschaft Bauelementeträger und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements mit einem solchen Bauelementeträger
JP2544947B2 (ja) * 1987-11-14 1996-10-16 日本インター株式会社 半導体装置の製造方法
US5208481A (en) * 1988-07-22 1993-05-04 Rohm Co., Ltd. Lead-frame for manufacturing semiconductor devices
JPH02123773A (ja) * 1988-11-02 1990-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
JP2686568B2 (ja) * 1991-04-05 1997-12-08 シャープ株式会社 光学装置
JP3242476B2 (ja) * 1992-06-29 2001-12-25 沖電気工業株式会社 光半導体装置
US5577617A (en) * 1995-12-29 1996-11-26 Xerox Corporation Advanced technique for packaging multiple number of electrically stackable high voltage transistors in one package
US6373078B1 (en) * 1999-09-28 2002-04-16 International Rectifier Corp. Microelectronic relay with upset and downset lead frames
TWI257181B (en) * 2003-07-28 2006-06-21 Rohm Co Ltd Semiconductor module
DE102004027094A1 (de) * 2004-06-02 2005-12-29 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit einem Halbleiter-Sensorchip und einem Kunststoffgehäuse sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US20080123328A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 Higher Way Electronic Co., Ltd. Solar-powered illuminator
JP5119621B2 (ja) * 2006-04-21 2013-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101134752B1 (ko) * 2006-07-14 2012-04-13 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP2008130649A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Sharp Corp 透過型フォトインタラプタおよびその製造方法
US20090072334A1 (en) * 2007-07-31 2009-03-19 Yamaha Corporation Semiconductor device, pre-mold package, and manufacturing method therefor

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101608776B (zh) * 2009-03-05 2015-06-10 光宝电子(广州)有限公司 导线架料带及其与绝缘壳体的组合及应用该组合的led模组
US8525202B2 (en) 2010-01-29 2013-09-03 Kabushiki Kaisha Toshiba LED package, method for manufacturing LED package, and packing member for LED package
CN102214771A (zh) * 2010-04-02 2011-10-12 菱生精密工业股份有限公司 导线架型式的预铸模成型多芯片承载模组
CN102237484A (zh) * 2010-04-23 2011-11-09 三星Led株式会社 用于发光器件封装的引线框架、发光器件封装和照明装置
CN102237484B (zh) * 2010-04-23 2016-06-01 三星电子株式会社 用于发光器件封装的引线框架、发光器件封装和照明装置
US9099332B2 (en) 2010-04-23 2015-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Lead frame for light emitting device package, light emitting device package, and illumination apparatus employing the light emitting device package
CN102252210A (zh) * 2010-05-03 2011-11-23 三星Led株式会社 使用发光器件封装的照明装置
US8840265B2 (en) 2010-05-03 2014-09-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Illumination apparatus employing light-emitting device package
CN102237485B (zh) * 2010-05-07 2015-11-18 三星电子株式会社 引线框架、芯片封装、封装模块以及照明装置
CN102237485A (zh) * 2010-05-07 2011-11-09 三星Led株式会社 引线框架、芯片封装、封装模块以及照明装置
WO2014086079A1 (zh) * 2012-12-06 2014-06-12 上海顿格电子贸易有限公司 Led发光元器件支架
CN102945912A (zh) * 2012-12-06 2013-02-27 上海顿格电子贸易有限公司 Led发光元器件支架
TWI640713B (zh) * 2014-12-17 2018-11-11 美商Ｇｅ照明解決方案公司 用於一般照明的發光二極體導線架陣列
CN110794640A (zh) * 2018-08-01 2020-02-14 三赢科技（深圳）有限公司 3d投影仪

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