CN101324748A - 光源装置和投影机 - Google Patents

Abstract

本发明提供可以进行波长变换元件的温度控制并且有效地射出干涉性低的光的光源装置和具备该光源装置的投影机。光源装置(10)具备：具有多个发光部(11a)的光源(11)；具有周期极化反转构造并将从多个发光部(11a)射出的光的波长变换成规定的波长的多个波长变换元件(21)；调节多个波长变换元件(21)的温度的温度调节介质(W)；具有收容温度调节介质(W)的收容空间(K)并保持多个波长变换元件(21)的保持部件(22)；通过温度调节介质(W)控制多个波长变换元件(21)的温度的温度控制部(30)；温度控制部(30)控制波长变换元件(21)的温度以使多个波长变换元件(21)之中从至少一个波长变换元件(21)射出的光的波长与从其它波长变换元件(21)射出的光的波长不同。

Description

光源装置和投影机

技术领域

本发明涉及光源装置和投影机。

背景技术

近年来，在投影机的小型化的要求日益高涨的形势下，伴随着半导体激光器的高输出功率化和蓝色半导体激光器的登场，开发了使用激光光源的投影机。这种投影机，由于光源的波长域狭窄而可以充分地扩大色再现范围，并且也可以小型化或削减构成部件，因此，作为下一代的显示设备蕴藏着大的可能性。在该情况下，作为光源，必须是红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的3色激光光源。例如，虽然对于R光用光源或B光用光源，在半导体激光器中存在基振，但对于G光用光源不存在基振，因此，考虑利用在使来自红外激光器的红外光入射到非线性光学元件时发生的2次谐波(Second Harmonic Generation，以下缩写为SHG)。

在利用非线性光学效果的光的波长变换中，在变换前的基波和变换后的谐波之间相位匹配条件必须成立，可以使用使晶体内的极化方向周期性地反转的模拟相位匹配法。一般地，在MgO:LiNbO₃晶体内以微细的间距形成极化方向周期性地反转的构造(以下，在本说明书中称为周期极化反转构造)，将其作为波长变换元件。然而，实际的波长变换元件满足相位匹配条件的波长的容许范围极端地窄，基波的波长即使稍稍地偏移，输出功率(变换效率)也大大降低。另一方面，已知变换效率非常依赖于波长变换元件的温度。利用这些，提出了具备对多个激光进行波长变换的多个波长变换元件，并通过单独地控制各个波长变换元件的温度，确保波长变换元件整体的变换效率的激光光源装置(例如，参看专利文献1)。

此外，提出了通过使液体或气体在非线性光学晶体的周围流动来控制非线性光学晶体的温度的构成(例如，参看专利文献2)。在专利文献2所记载的光谐波发生装置中，通过将多个非线性光学晶体在光的行进方向上串联地配置，并且激光光束依次通过非线性光学晶体来得到2次谐波。在该光谐波发生装置中，在3个非线性光学晶体之中正中间配置的非线性光学晶体附近，设置介质的流入部和流出部，通过在对多个非线性光学晶体的排列方向垂直的方向上使介质流动来使非线性光学晶体的温度维持恒定。

[专利文献1]特开2006-352009号公报

[专利文献2]特开平5-100267号公报

以往一般的投影机大多使用超高压水银灯等放电灯作为光源。但是，这种放电灯存在着寿命比较短、难于瞬时点亮、色再现性范围窄等问题。这一点，如果采用使用上述专利文献1、2所记载的激光光源的投影机，则可以解决上述问题。然而，对于专利文献1和专利文献2所记载的技术，由激光光源产生的屏幕上的投影光在相邻的区域中的光线的相位一致，因此，干涉性非常高。由于激光的相干长度达到数十米，因此，当合成多个激光时，经过比相干长度短的光路差合成的光引起强的干涉。因此，出现比超高压水银灯更鲜明的干涉条纹，导致显示品质的大大降低。

进一步地，对于专利文献2所记载的冷却多个非线性光学晶体的构成，存在着在多个非线性光学晶体之中端部一侧配置的非线性光学晶体附近的介质的流动停滞的隐患，并难于将多个非线性光学晶体变为规定的温度。其结果，非线性光学晶体的光的变换效率降低。

发明内容

本发明正是为了解决上述的问题，其目的在于提供能够进行波长变换元件的温度控制并且高效地射出干涉性低的光的光源装置和具备该光源装置的投影机。

为了实现上述目的，本发明提供以下的装置。

本发明的光源装置，其特征在于，具备：具有多个发光部的光源；具有周期极化反转构造并将从上述多个发光部射出的光的波长变换成规定的波长的多个波长变换元件；调节上述多个波长变换元件的温度的温度调节介质；具有收容上述温度调节介质的收容空间并保持上述多个波长变换元件的保持部件；通过上述温度调节介质控制上述多个波长变换元件的温度的温度控制部；其中，上述温度控制部控制上述波长变换元件的温度，以使上述多个波长变换元件之中从至少一个波长变换元件射出的光的波长与从其它波长变换元件射出的光的波长不同。

在本发明的光源装置中，从光源的多个发光部之中至少一个以上的发光部射出的光向多个波长变换元件之中的一个入射。然后，在通过温度控制部控制温度的多个波长变换元件中变换成规定的波长射出。

此时，温度控制部通过温度调节介质控制多个波长变换元件的温度，以使多个波长变换元件之中从至少一个波长变换元件射出的光的波长与从其它波长变换元件射出的光的波长不同。因此，可以使从不同的波长变换元件射出的光彼此的干涉性降低，减少谱噪声(スペツクルノイズ)的发生。

此外，本发明的光源装置，优选地，上述多个波长变换元件之中，至少一个波长变换元件的周期极化反转构造的间距与其它波长变换元件的周期极化反转构造的间距不同；上述温度控制部进行控制，以使上述多个波长变换元件的温度变为相同。

在本发明的光源装置中，多个波长变换元件之中，至少一个波长变换元件的制造时的周期极化反转构造的间距与其它波长变换元件的制造时的周期极化反转构造的间距不同。这样，通过温度控制部进行控制以使多个波长变换元件的温度变为相同，从至少一个波长变换元件射出的光的波长与从其它波长变换元件射出的光的波长不同。由此，可以使从波长变换元件射出的光彼此的干涉性降低。

此外，本发明的光源装置，优选地，上述多个波长变换元件的周期极化反转构造的间距是相同的；上述温度控制部进行控制，以使上述多个波长变换元件之中至少一个波长变换元件的温度与其它波长变换元件的温度不同。

在本发明的光源装置中，即使多个波长变换元件的制造时的周期极化反转构造的间距是相同的，也可以通过上述温度控制部进行控制，以使上述多个波长变换元件之中至少一个波长变换元件的温度与其它波长变换元件的温度不同。这样，由于波长变换元件因为温度的变化而产生热膨胀，间距发生变化，因此，从波长变换元件射出的光的波长不同。因此，可以使从波长变换元件射出的光彼此的干涉性降低。

此外，由于可以制造周期极化反转构造的间距相同的波长变换元件，因此，可以抑制制造成本。

此外，本发明的光源装置，优选地，在上述保持部件的外部，设置使上述收容空间内的上述温度调节介质循环的循环流路，上述温度调节介质沿着上述多个波长变换元件的排列方向流动。

在本发明的光源装置中，由于在保持部件的外部设置有使温度调节介质循环的循环流路，因此，可以使收容空间内的温度调节介质高效地循环。此外，由于温度调节介质沿着多个波长变换元件的排列方向流动，因此，温度调节介质可以一边流动一边与多个波长变换元件进行接触。这样，易于控制多个波长变换元件的温度。

此外，由于温度调节介质沿着多个波长变换元件的排列方向流动，因此，即使在一个波长变换元件内在与光的行进方向垂直的面内的入射光偏移，也会由于波长变换元件的垂直的面内的温度斜度小而提高光的变换效率。

本发明的光源装置，优选地，在上述多个波长变换元件的排列方向的一方的端部一侧的上述保持部件的面上，设置使上述温度调节介质向上述收容空间流入的流入部和使上述温度调节介质从上述收容空间流出的流出部，通过上述循环流路，上述流入部分和上述流出部分被连通。

在本发明的光源装置中，在多个波长变换元件的排列方向的一方的端部一侧的保持部件的面上，设置有使温度调节介质向收容空间流入的流入部和使其流出的流出部，并在保持部件的外部设置有循环流路。这样，容易使从流入部流入的温度调节介质在收容空间内进行对流。即，温度调节介质从流入部向着流出部在收容空间内进行搅拌，因此，易于将多个波长变换元件控制为相同的温度。

此外，在将流入部设置在多个波长变换元件的排列方向的一方的端部一侧的保持部件的面上并在设置了流入部的保持部件的面以外设置流出部的情况下，例如，在将流出部设置在波长变换元件的排列方向的另一方的端部一侧的保持部件的面上的情况下，使流入部和流出部连接的管道等变长。这样，在将这样的光源装置用于投影机的情况下，由于框体的形状，存在对光源装置的配置产生制约的情况。因此，本发明的光源装置，由于在多个波长变换元件的排列方向的一方的端部一侧的保持部件的面上设置有流入部和流出部，因此，连接流入部和流出部的管道等缩短，从而可以实现紧凑化。

此外，本发明的光源装置，优选地，与上述流出部相比，将上述流入部配置在上述波长变换元件的入射端面一侧。

在本发明的光源装置中，入射从发光部射出的光的波长变换元件的入射端面一侧比射出端面一侧的温度高。此时，通过使已调节到所希望的温度的温度调节介质流入波长变换元件的入射端面一侧，可以高效地将波长变换元件的温度变为所希望的温度。

此外，本发明的光源装置，优选地，在上述多个波长变换元件的排列方向的一方的端部一侧的上述保持部件的面上设置使上述温度调节介质向上述收容空间流入的流入部，在上述多个波长变换元件的排列方向的另一方的端部一侧的上述保持部件的面上设置使上述温度调节介质从上述收容空间流出的流出部，通过上述循环流路，上述流入部和上述流出部被连通。

在本发明的光源装置中，由于流入部被设置在波长变换元件的排列方向的一方的端部一侧的保持部件的面上，并且流出部被设置在波长变换元件的排列方向的另一方的端部一侧的保持部件的面上，因此，温度调节介质仅仅向着波长变换元件的排列方向上的一方的方向流动。此时，由于在保持部件的外部设置有循环流路，因此，易于使温度调节介质向一方的方向流动。这样，在例如使用已冷却的温度调节介质的情况下，在上游一侧配置的波长变换元件的温度变低，并朝着在下游一侧配置的波长变换元件，温度缓缓变高。如上所述，由于温度斜度被缓缓地给与多个波长变换元件，因此，各个波长变换元件的温度不同，从多个波长变换元件射出的光的波长也不同。因此，能够降低光彼此间的干涉性，从而可以降低谱噪声。

此外，本发明的光源装置，优选地，设置在上述收容空间内设置的测定至少一个上述波长变换元件的温度的温度测定装置，上述温度控制部根据由上述温度测定装置测定的温度，改变上述温度调节介质的流动速度。

在本发明的光源装置中，温度控制部通过根据由温度测定装置测定的温度改变温度调节介质的流动速度，可以更正确地控制波长变换元件的温度。

此外，本发明的光源装置，优选地，对上述多个波长变换元件的每一个设置有上述收容空间。

在本发明的光源装置中，由于对每一个波长变换元件都设置有收容空间，因此，能够单独地控制波长变换元件的温度，从而易于控制波长变换元件的温度，以使波长变换元件的周期极化反转构造的间距变为所希望的间距。

此外，本发明的光源装置，优选地，对上述多个波长变换元件的每一个设置上述保持部件，上述保持部件以留出规定的间隔进行配置。

在本发明的光源装置中，对上述多个波长变换元件的每一个设置保持部件，并且保持部件以留出规定的间隔进行配置。这样，可以单独地控制波长变换元件的温度，并且与保持相邻的波长变换元件的保持部件之间不进行热传导，因此，可以进行每一个波长变换元件的更正确的温度控制。

此外，本发明的光源装置，优选地，上述温度控制部具备：通过上述温度调节介质使上述波长变换元件的温度变化的温度变化装置和使上述温度调节介质流动的流动装置；上述温度变化装置和上述流动装置与上述保持部件分开地设置。

在此，如果在保持部件上设置温度变化装置和流动装置，则在温度变化装置和流动装置的大小上产生某种程度的制约。这样，具备温度变化能力大的温度变化装置和循环能力大的流动装置变得困难。因此，在本发明中，通过将温度变化装置和流动装置与保持部件分开地设置，可以消除温度变化装置和流动装置的大小的制约。

此外，本发明的光源装置，优选地，上述温度控制部具备：通过上述温度调节介质使上述波长变换元件的温度变化的温度变化装置和使上述温度调节介质流动的流动装置；上述温度变化装置和上述流动装置被设置在上述保持部件上。

在本发明的光源装置中，由于在保持部件上设置有温度变化装置和流动装置，因此，可以将保持部件、温度变化装置和流动装置一体地形成。此外，通过在保持部件的收容空间内设置温度变化装置和流动装置，直接改变收容空间内的温度调节介质的温度或直接使温度调节介质流动，因此，可以有效地使收容空间内的温度调节介质循环。

此外，本发明的光源装置，优选地，在上述保持部件上设置有决定上述波长变换元件的光的行进方向的位置的位置决定部。

在本发明的光源装置中，在保持部件上设置有决定波长变换元件的位置的位置决定部。这样，由于可以更正确地决定波长变换元件的入射的光的行进方向的位置，因此，可以将例如多个发光部和与之对应的多个波长变换元件的入射端面之间的距离变为恒定。

此外，本发明的光源装置，优选地，上述波长变换元件具有晶体组成或杂质浓度周期性地变动而形成的生长条纹，上述生长条纹构成上述周期极化反转构造。

在本发明的光源装置中，具有晶体组成或杂质浓度周期性地变动而形成的生长条纹并且上述生长条纹构成周期极化反转构造的波长变换元件，是使用直拉法(丘克拉斯基法)(以下简记为CZ法)向晶体中导入极化反转构造而制造的元件。通过该方法制造的波长变换元件具有价格便宜的优点，一般地，对于光的行进方向垂直的方向的剖面形状变成了大致圆形形状。特别地，如果波长变换元件的剖面形状是大致圆形形状，则与长方体形状的情况相比，由于温度调节介质在收容空间内的流动阻力变小，因此，可以使温度调节介质高效地流动。这样，易于将多个波长变换元件调节到规定的温度。

此外，本发明的投影机，其特征在于，具备：上述光源装置；和利用来自该光源装置的光在显示面上使所希望的大小的图像显示的图像形成装置。

在本发明的投影机中，从光源装置射出的光入射到图像形成装置。然后，通过图像形成装置，在显示面上显示所希望的大小的图像。这时，由于从光源装置射出的光，如上所述，是抑制了谱噪声的光，因此，可以显示抑制了闪烁的鲜明的图像。

附图说明

图1是示出本发明的第1实施方式的光源装置的主要部分剖面图。

图2是图1的光源装置的一部分的斜视图。

图3是示出图1的波长变换元件的斜视图。

图4是示出本发明的第2实施方式的光源装置的主要部分剖面图。

图5是示出本发明的第3实施方式的光源装置的主要部分剖面图。

图6是示出本发明的第4实施方式的光源装置的主要部分剖面图。

图7是示出本发明的第4实施方式的变形例的光源装置的主要部分剖面图。

图8是示出了本发明的第5实施方式的投影机的光路图。

符号说明：

K、K1：收容空间；10、40、50、60、70：光源装置；11、51：半导体激光元件(光源)；11a、51a：发射极(发光部)；21：波长变换元件；22、52：保持部件；25、56：段差；28a、41a：流入口(流入部)；28b、41b：流出口(流出部)；30、65：温度控制部；31：泵(流动装置)；32：储备罐；32a：热沉(温度变化装置)；36、42a、42b：温度传感器(温度测定装置)；66：加热器(温度变化装置)；67：电机(流动装置)；100：投影机

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的光源装置和投影机的实施方式进行说明。另外，在以下的图面中，为了使各个部件成为能够识别的大小，都适宜的改变了各个部件的比例。

[第1实施方式]

参照图1至图3对本发明的第1实施方式进行说明。

图1是示出光源装置的概略构成的图，图2是省略了光源装置的波长选择元件13并简化了波长变换元件单元20的斜视图，图3是波长变换元件的斜视图。另外，为了易于明白地说明从半导体激光元件向波长选择元件射出的光的光路图，图1仅仅示出从1个发射极射出的激光的光路而进行说明。

本发明的光源装置10，如图1所示，具备：半导体激光元件11、变换从半导体激光元件11射出的光的波长的波长变换元件单元20、以及透过由波长变换元件单元20进行波长变换后的光并选择反射未变换的波长的光的波长选择元件13。此外，波长变换元件单元20具备4个波长变换元件21。

半导体激光元件(光源)11，如图1所示，以规定的间距形成多个发射极(发光部)11a。由于半导体激光元件11的具体的构成与以往的半导体激光元件的构成没有变化，因此，省略详细的说明。该半导体激光元件11具备多个发射极11a，因此，即使1个发射极11a的输出功率小，但作为整体，也可以有高的输出功率。

多个发射极11a，如图2所示，被排成2列，每3个发射极11a构成1个发射极群11b，并被配置为排成三角形的顶点。由3个发射极11a构成的1个发射极群11b被构成为上一排是1个发射极11a、下一排是2个发射极11a的三角形。如上所述，共计12个发射极11a每3个一组地进行配置。

此外，1个发射极群11b中的发射极11a之间的间距P1比1个发射极群11b的端点的发射极11a与相邻的发射极群11b的端点的发射极11a之间的距离P2小。

接着对波长变换元件单元20进行说明。

波长变换元件单元20，如图1所示，具备：4个波长变换元件21、保持波长变换元件21的保持部件22和控制波长变换元件21的温度的温度控制部30。

波长变换元件(2次谐波发生元件，SHG)21是将从半导体激光元件11射出的基波的光(图1中所示的实线)L3变换成大约一半的波长的非线性光学元件，例如，向波长变换元件21入射的激光的强度越强，变换效率越能提高。此外，并不是将从半导体激光元件11射出的激光的全部都变换成规定波长的激光。

此外，1个波长变换元件21，如图2所示，与由3个发射极11a构成的1个发射极群11b对应地相对配置。

作为构成波长变换元件21的非线性光学晶体，以往大多使用从由铌酸锂(LiNbO₃)等材料构成的晶片切出的长方体的体型的晶体。体型的非线性光学晶体经过在晶片状态下的极化反转处理用电极的形成、从晶片切出多个芯片、由电压施加进行的极化反转处理、入射面和射出面的抛光、对入射面和射出面进行无反射涂敷的各工序而进行制造。

虽然也可以使用上述的长方形的体型晶体，但是，在本实施方式中，使用通过CZ(丘克拉斯基)法结晶生长NiNbO₃单晶体的晶体。该制造方法是在晶体的拉制生成中人为地向晶体中导入极化反转构造的方法。一般地，如图3所示，将称为生长条纹(striation)21S的杂质浓度或组成的微小的周期性的变动与固液界面形状一致地导入生长轴方向(相当于激光的行进方向)。该生长条纹21S可采用在单晶体的拉制生长时使生长界面(熔液表面)的温度周期性地变动的方法形成。因此，仅仅在用拉制法进行晶体制作时控制熔液温度，就可以制造极化反转构造的间距不同的波长变换元件。通过这样的制造方法所制造的波长变换元件21可以得到沿着晶体的拉制方向极化相互反转的畴的反复构造。此外，晶体的拉制方向变为从激光元件11射出的激光的行进方向。

此外，通过晶体的拉制，如图2所示，波长变换元件21的剖面形状除了成为圆形的圆柱状之外，也可以成为椭圆状。

用CZ法制造的波长变换元件具有以下的优点。CZ法与形成极化反转处理用的电极的以往法中的光刻法和蚀刻法相比，工序被简化，可以以低成本制造波长变换元件。即，除了不需要光掩模等工具、不需要初期导入时的成本之外，还可以容易地进行极化反转的间距的变更等技术规格变更。

此外，对于长方体的体型，由于从波长变换元件21的一方的面向着另一方的面，发生极化反转区域变窄的情况，因此，产生极化的偏差。这样，由于极化反转间距不是恒定的，因此，光的变换效率由于激光入射的位置而改变。但是，用CZ法制造的波长变换元件21的极化反转间距在与激光的行进方向垂直的面方向是恒定的。这样，对于发射极，即使面方向的位置决定精度不严也没有关系。

此外，在半导体激光元件11中，具备未图示的散热片、冷却机构等，冷却由于在发射极11a中产生的热而温度上升的半导体激光元件11。在本实施方式中，如图2所示，由3个发射极11a构成的1个发射极群11b与1个波长变换元件21对应。即，由属于1个发射极群11b的3个发射极11a发光的3条激光向1个波长变换元件21入射。即，波长变换元件21的剖面面积变为从3个发射极11a射出的3个光点S1能够入射的大小。

在本实施方式中，由于半导体激光元件11具有4个发射极群11b，因此，如果将属于各个发射极群11b的3个发射极11a的波长的平均值称为“平均波长”，则存在4个平均波长。其中，至少1个发射极群11b的平均波长与除此之外的发射极群11b的平均波长不同。另外，通过使所有的平均波长都不同，可以最大限度地减小闪烁。

进一步地，如果着眼于属于1个发射极群11b的3个发射极11a，则在从这3个发射极11a射出的3条激光之中，既可以使波长不同，也可以使3条的激光的波长一致为全部相等。如上所述，在使从各个发射极11a射出的激光的波长不同的情况下，如果考虑所输出的激光的色纯度、与波长变换元件21或波长选择元件13之间的匹配性等，则优选地，最大设定为小于等于10nm的波长差。

构成波长变换元件单元20的各个波长变换元件21，如图2所示，由于与1个发射极群(3个的发射极11a)11b一一对应，因此，对于所对应的发射极11b进行了相位匹配。例如，如果来自1个发射极群11b中的3个发射极11a的激光的波长全部相等，则对于该波长，对波长变换元件21进行了相位匹配。或者，如果来自1个发射极群11b中的3个发射极11a的激光的波长不同，则对于例如它们的波长的平均值，对波长变换元件21进行了相位匹配。作为相位匹配的方法，可以考虑使各个波长变换元件21的制造时的周期极化反转构造的间距不同的方法、将各个波长变换元件21的制造时的周期极化反转构造的间距设为相同并控制波长变换元件的温度通过热膨胀使周期极化反转构造的间距不同的方法，但在本实施方式中采用前一种方法。即，在本实施方式中，波长变换元件21的周期极化反转构造的间距变为与发射极群11b的平均波长对应的间距。

此外，为了使周期极化反转构造的间距不同，在单晶体拉制时使熔液表面温度的变动周期不同即可。

波长变换元件单元20的保持部件22，如图1所示，是长方体形状，在内部形成有收容空间K。此外，在保持部件22上，形成有沿着配置了半导体激光元件11的一侧的端面22a从端面22a向着收容空间k贯通的4个入射侧贯通孔23和沿着与端面22a相对的端面22b从端面22b向着收容空间K贯通的4个射出侧贯通孔24。在该入射侧贯通孔23和射出侧贯通孔24内保持有波长变换元件21。在收容空间K中填充有温调介质(温度调节介质)W。作为该温调介质W，优选地，使用热传导能力高的液体，在本实施方式中，使用经过了不冻液处理的水。

此外，入射侧贯通孔23的内径从端到端并不是相同的，而是收容空间K一侧的内径与波长变换元件21的外径大致相同或者比其大一些，端面22a一侧的内径比波长变换元件21的外径小。即，在入射侧贯通孔23的内壁形成有不大的段差25。

射出侧贯通孔24的内径比波长变换元件21的外径大一些，在波长变换元件21与射出侧贯通孔24的内壁之间形成有间隙26。而且，在该间隙26中设置有比该间隙26大并由弹性材料构成的密封构件27。该密封构件27是由丁腈橡胶(NBR)、乙丙橡胶(EPDM)、丁苯橡胶(SBR)等构成的O环或衬垫。这样，防止收容空间K内的温调介质W从射出侧贯通孔24泄漏。

通过以上的构成，当从保持部件22的端面22b将波长变换元件21的入射端面21a一侧插通到入射侧贯通孔23时，由于卡在段差25上，不能再往前进入，因此，对于保持部件21，在生长轴方向上决定波长变换元件21的位置。在该状态下，波长变换元件21的射出端面21b一侧通过密封构件27的弹性力固定位置。这样，变为将4个波长变换元件21浸泡在填充到1个收容空间K内的温调介质W中的状态。

此外，在对于保持部件22进行了各个波长变换元件21的位置决定的状态下，各个波长变换元件21和保持部件22通过UV硬化性粘着材料(省略图示)固定，4个波长变换元件21被排列在一个方向。这样，防止收容空间K内的温调介质W从入射侧贯通孔23、24泄漏。进一步地，在入射侧贯通孔23，为了防止收容空间K内的温调介质W泄漏，设置有密封构件23a。此外，从发射极11a射出的激光，由于从入射侧贯通孔23入射，因此，密封构件23a，优选地，由具有光透过性的树脂等构成，优选地，由接近波长变换元件21的折射率的材质构成。

此外，在图1中，各个波长变换元件21的射出端面(与连接到段差25的一侧相对的一侧的端面)21b从保持部件22突出，但是也可以将该突出的部分研磨到与保持部件22的端面22b成为同一个面的状态，并对波长变换元件21的射出端面21b进行无反射涂敷处理。如果这样，与单独每次一个地研磨波长变换元件21并进行无反射涂敷处理相比，工序被简化，制造成品率也提高。此外，由于在各个波长变换元件21之间端面的位置一致，因此，作为整体，可以得到特性稳定的波长变换元件单元20。

此外，在保持部件22中，如图1所示，具备使温调介质W流入收容空间K的流入口(流入部)28a和使温调介质W从收容空间外部流出的流出口(流出部)28b。具体地，流入口28a和流出口28b在作为与波长变换元件21的排列方向垂直的面的纸面左侧的左端面22c上，向着收容空间K形成。通过将这样的流入口28a设置在保持部件22的左端面22c上，可以将温调介质W向波长变换元件21的排列方向流动。进一步地，流出口28b与流入口28a相比，设置在波长变换元件21的射出端面21b一侧。

这样，如果在图1中用箭头F表示温调介质W的流动，则收容空间K内的温调介质W从配置在最左端面22c一侧的波长变换元件21的入射端面21a一侧流入，在波长变换元件21的排列方向的入射端面21a一侧行进。然后，温调介质W在到达与左端面22c相对的右端面22d时，从配置在最右端面22d一侧的波长变换元件21一侧朝向配置在最左端面22c一侧的波长变换元件21一侧。这时，温调介质W通过波长变换元件21的射出端面21b一侧返回到左端面22c。如上所述，温调介质W在收容空间K内逆时针地进行对流。另外，为了使温调介质W以进一步沿着波长变换元件21的排列方向的方式流动，也可以在保持部件22上设置整流板。

温度控制部30，如图1所示，具备泵(流动装置)31、储备罐32、管道(循环流路)33、34、35、温度传感器36和控制部37。在这些部件之中，除了温度传感器36以外，都与波长变换元件单元20分开地设置。

管道33与设置在保持部件22的左端面22c上的流出口28b连通，管道34与设置在保持部件22的左端面22c上的流入口28a连通。此外，管道33通过储备罐32、泵31与管道34连接。进一步地，泵31和储备罐32通过管道35连接。

通过该构成，泵31将从流出口28b流出并储藏在储备罐32内的温调介质W送出到流入口28a。此外，储备罐32是积蓄温调介质W的装置，将从保持部件22流出的加热后的温调介质W通过设置在储备罐32内的热沉(温度变化装置)32a散热。另外，也可以是在储备罐32中形成有多个散热片的构成。

此外，温度传感器36是测定波长变换元件21的温度的装置，其设置在配置于保持部件22的左端面22c一侧的波长变换元件21上。

此外，控制部37根据由温度传感器36测定的波长变换元件21的温度，控制泵31。

在此，至少1个发射极群11b的平均波长与其它发射极群11b的平均波长不同。而且，由于波长变换元件21的间距不同，因此，温度控制部30通过控制以使4个波长变换元件21的温度变为相同，从而，从至少1个波长变换元件21射出的光的波长与从其它波长变换元件21射出的光的波长不同。

具体地，控制部37根据由温度传感器36测定的波长变换元件21的温度，控制泵31的每单位时间的流量，使从泵31送出的温调介质W的流速变化。即，在由温度传感器36测定的温度比规定的温度(相位匹配温度)高时，控制部37控制泵31以使温调介质W的流速变快，在由温度传感器36测定的温度比规定的值低时，控制部37控制泵31以使温调介质W的流速变慢。如上所述，通过对波长变换元件21的温度进行反馈控制，可以将所有的波长变换元件21保持在恒定的温度。

此外，波长选择元件13，如图1所示，通过选择从波长变换元件21射出的规定的选择波长的激光(在图1中所示的虚线)L1并朝向半导体激光元件11使其反射而具有发射极11a的谐振器反射镜的作用，并且使变换后的激光(图1中所示的2点点划线)L2透过。作为波长选择元件13，可以使用例如具有周期晶格的全息照相这样的光学元件。

接着，对波长变换元件21的温度控制进行说明。

由泵31送出的温调介质W通过管道34，从流入口28a向保持部件22的收容空间K流入。然后，温调介质W从收容空间K的波长变换元件21的入射端面21a一侧在排列方向上行进，在保持部件22的右端面22d从波长变换元件21的射出端面21b一侧向左端面22c折返。这样，温调介质W在收容空间K内逆时针地流动。

这时，被从半导体激光元件11射出的激光加热的波长变换元件21的热量向温调介质W传导，该热量经由储备罐32，通过热沉向外部散热。然后，被冷却后的温调介质W再次从管道34向保持部件22的收容空间K流入。

在本实施方式的光源装置10中，至少1个发射极群11b的平均波长与其它发射极群11b的平均波长不同，并且具备与该平均波长对应的波长变换元件21。这样，通过由温度控制部30进行控制以使多个波长变换元件21的温度变为相同，可以使从不同的波长变换元件21射出的光彼此间的干涉性降低。

即，本实施方式的光源装置10通过进行波长变换元件21的温度控制，可以高效地射出干涉性低的光。

此外，由于将流入口28a和流出口28b设置在保持部件22的一方的面(左端面22c)上，因此，可以缩短连接流入口28a和流出口28b的管道33、34、35，从而可以实现紧凑化。

此外，由于从发射极11a所射出的光所入射的入射端面21a一侧与射出端面21b一侧相比，温度上升，因此，通过将流入口28a配置在比流出口28b更靠近波长变换元件21的入射端面21a一侧，冷却后的温调介质W首先与入射端面21a一侧接触，因此，可以高效地将波长变换元件21的温度变为所希望的温度。

此外，由于波长变换元件21的剖面形状是大致圆形形状，因此，与长方体形状的情况相比，由于温调介质W在收容空间K内的流动阻力变小，因此，可以使温调介质W高效地流动。这样，易于将4个波长变换元件21调节为规定的温度。

此外，温调介质W由于沿着4个波长变换元件21的排列方向流动，因此，温调介质W可以一边流动，一边与4个波长变换元件21接触。这样，易于控制4个波长变换元件21的温度。

进一步地，发射极11a间的间距P1由于比发射极群11b的端点的发射极11a的间距P2小，因此，通过积蓄在发射极11a产生的热，可以抑制半导体激光元件11的中央变成高温，实现发射极11a之间的温度均一化。此外，波长变换元件21对各个发射极群11b的配置的自由度变高。

此外，通过在保持部件22上设置泵32、热沉32a，可以实现装置整体的小型化。此外，通过设置在保持部件22的收容空间K内，可以直接改变收容空间K内的温调介质W的温度或者直接使温调介质W流动，因此，可以有效地使收容空间K内的温调介质W循环。

但是，当将泵31和储备罐32设置在保持部件22上时，也存在在泵31和储备罐32的大小上产生某种程度的制约的情况。这样，很难具备循环能力大的泵和冷却能力大的储备罐。因此，在本实施方式中，由于将泵31和储备罐32设置在与保持部件不同的位置上，因此，可以消除泵31和储备罐32的大小的制约。

此外，作为温调介质，虽然使用了水，但是也可以使用水以外的液体，也可以使用气体。此外，作为流动装置，使用泵，作为温度变化装置，虽然使用了储备罐，但并不限于此。

此外，虽然通过冷却温调介质W、冷却波长变换元件21来将多个波长变换元件21的温度变为均一，但是，储备罐32例如也可以是具备加热器的构成。在该构成中，通过加热波长变换元件21，将多个波长变换元件21的温度变为均一。

另外，在本实施方式中，虽然使用了4个波长变换元件21，但是，为了进一步减小谱噪声的发生，优选地，具备尽可能多的波长变换元件21和与之对应的发射极群11b，并使发射极群11b的平均波长与其它发射极群11b的平均波长不同。

此外，虽然采用1个发射极群11b具备3个发射极11a的构成，但是，并不限于此。通过增加1个发射极群11b所具有的发射极11a的个数，可以进一步降低谱噪声的发生。

此外，温度传感器36、控制部37虽然不是非具备不可，但是通过根据温度传感器36的值由控制部37控制流速，可以更正确地进行温度调节。

进一步地，也可以在流速恒定的情况下调节储藏在储备罐32内的温调介质W的温度。

此外，虽然将温度传感器36设置在保持部件22的左端面22c一侧的波长变换元件21上，但是，设置温度传感器36的波长变换元件21并不限于此，也可以是任何一个波长变换元件21。此外，也可以在多个波长变换元件21上而不仅在1个波长变换元件21上设置温度传感器36。进一步地，设置温度传感器36的位置不限于波长变换元件21，也可以设置在收容空间K的内壁上测定温调介质W的温度。

此外，通过在保持部件22的端面22b一侧设置抑制固定波长变换元件21的固定部件，可以更稳定地固定波长变换元件21的位置。

[第2实施方式]

其次，参照图4对本发明的第2实施方式进行说明。另外，在以下说明的各个实施方式的图面中，对于与上述的第1实施方式的光源装置10的构成共同的地方都赋予相同的符号，并省略说明。

在本实施方式的光源装置40中，在流入口41a和流出口41b的配置上与第1实施方式不同。除此以外的构成与第1实施方式1相同。

流入口41a设置在保持部件22的左端面22c上，流出口41b设置在保持部件22的右端面22d上。即，流入口41a和流出口41b朝向保持部件22的收容空间K，并形成在对波长变换元件21的排列方向平行的方向(对生长轴垂直的方向)上。通过这样地设置流入口41a和流出口41b，可以将温调介质W在波长变换元件21的排列方向上流动。

此外，流入口41a和流出口41b，与第1实施方式相同地，通过泵31、储备罐32和管道33、34、35连接。此外，温度传感器42a、42b是测定波长变换元件21的温度的装置，温度传感器42a设置在配置在保持部件22的左端面22c一侧的波长变换元件21上，温度传感器42b设置在配置在保持部件22的右端面22d一侧的波长变换元件21上。

此外，温度传感器42a、42b与设置在泵31上的控制部45连接。

此外，在本实施方式中，收容空间K内的温调介质W只在一个方向(从保持部件22的左端面22c一侧朝向右端面22d)上流动。这样，控制部45可以通过控制收容空间K内的温调介质W的速度来进行控制，以使4个波长变换元件21之中流入口41a一侧的波长变换元件21的温度最低，并随着朝向流出口41b，波长变换元件21的温度渐渐变高。

该控制部45根据由温度传感器42a、42b测定的波长变换元件21的温度差，控制泵31的每单位时间的流量，使从泵31送出的温调介质W的流速变化。即，在由温度传感器42a、42b测定的波长变换元件21的温度比规定的温度差大时，控制部37控制泵31以使温调介质W的流速加快，在由温度传感器42a、42b测定的温度比规定的温度差小时，控制部45控制泵31以使温调介质W的流速变慢。这样，将温度斜度给与了4个波长变换元件21。

此外，在第1实施方式中，作为相位匹配的方法，虽然进行控制以使各个波长变换元件21的温度变为相同，并使各个波长变换元件21的周期极化反转构造的间距不同，但是，在本实施方式中，使各个波长变换元件的温度不同。因此，4个波长变换元件21的周期极化反转构造的间距相同。即，半导体激光元件11由于是与第1实施方式1相同的构成，因此，虽然发射极11a的输出波长不同，但是由于波长变换元件21的周期极化反转构造的间距相同，因此，对于对应的发射极群11b不进行相位匹配。即，通过将波长变换元件21保持在规定的温度差来进行相位匹配。

在本实施方式的光源装置40中，由于流入口41a设置在波长变换元件21的保持部件22的左端面22c上，而流出口41b设置在保持部件的右端面22d上，因此，可以将温调介质W仅仅朝向波长变换元件21的排列方向的一个方向流动。这样，由于对4个波长变换元件21渐渐地给与温度斜度，因此，从4个波长变换元件21射出的光的波长不同。这样，由于可以使光彼此间的干涉性降低，因此，可以使谱噪声减小。

另外，发射极11a的输出波长也可以全部相同。在该构成中，如上所述，只要控制波长变换元件21的温度以使4个波长变换元件21之中至少1个波长变换元件21的周期极化反转构造的间距与其它波长变换元件21的周期极化反转构造的间距不同即可。这样，即使多个发射极11a的输出波长全部相同，也可以改变从波长变换元件21射出的光的波长，因此，可以减小谱噪声。即，虽然波长变换元件21的变换效率有些许降低，但是，可以减小谱噪声的发生。在该构成的情况下，由于半导体激光元件11的发射极11a的输出波长全部相同，因此，半导体激光元件11的制造变得简单。

控制部45虽然根据由温度传感器42a、42b测定的温度差控制泵31，但是，也可以根据从光源装置40射出的光的谱噪声的发生状况，使流速变化，改变波长变换元件21的温度。

[第3实施方式]

接着，参照图5对本发明的第3实施方式进行说明。

在本实施方式的光源装置50中，在与1个发射极11a对应地使用1个波长变换元件55这一点与第1实施方式不同。除此以外的构成与第1实施方式相同。

半导体激光元件51，如图5所示，将8个发射极51a配置成一列。此外，波长变换元件55被配置为与8个发射极51a的每一个相对。此外，波长变换元件55的剖面面积变为从1个发射极51a射出的光的光点能够入射的大小，比第1实施方式的波长变换元件21的剖面面积小。这样，在本实施方式的保持部件52中，虽然使用了比第1实施方式的保持部件22多的8个波长变换元件55，但是，保持部件52的大小与第1实施方式的保持部件22的大小没怎么变化。

保持部件52，如图5所示，是长方体形状，在内部形成有收容空间K。此外，保持部件52形成沿着配置有半导体激光元件51的一侧的端面52a从端面52a朝向收容空间K贯通的8个入射侧贯通孔53和沿着与端面52a相对的端面52b从端面52b朝向收容空间K贯通的8个输出侧贯通孔54。因此，与第1实施方式相同地，通过段差56在生长轴方向决定波长变换元件55的位置。

此外，在保持部件52的左端面52c上具备泵31、储备罐32、管道33、34、35和控制部37，温度传感器36设置在配置在保持部件52的左端面52c一侧的波长变换元件55上。

在本实施方式中，与第1实施方式相同地，控制部37根据由温度传感器36测定的温度，控制温调介质W的流速。而且，如果在图5中用箭头F表示温调介质W的流动，则从配置在最左端面52c一侧的波长变换元件55的入射端面55a一侧流入的温调介质W，在波长变换元件55的入射端面55a一侧在排列方向上行进，并从配置在最右端面52d一侧的波长变换元件55的射出端面55b一侧朝向配置在最左端面52c一侧的波长变换元件21的射出端面55b一侧。这样，将8个波长变换元件55的温度保持为恒定。

本实施方式在从8个发射极51a射出的输出波长不同时是特别有效的。即，具备输出波长的波动例如为1nm的发射极51a。而且，作为与各个发射极51a对应的波长变换元件55，使用将从发射极51a射出的光变换成规定的波长的元件。这样，由于从各个波长变换元件55射出的光的波长不同，因此，可以抑制从光源装置50射出的光的干涉性。

在本实施方式的光源装置50中，由于1个波长变换元件55与1个发射极51a对应，因此，只要对于来自所对应的发射极51a的光的波长，使波长变换元件55一对一地进行相位匹配即可，可以最大限度地提高波长变换元件55的变换效率。

另外，在从发射极51a射出的光的输出波长全部不同时，虽然也可以使用具有与该输出波长对应的周期极化反转构造的间距的波长变换元件55，但是，也可以包含以1种周期极化反转构造的间距具有某一范围的输出波长的发射极51a。通过这样，可以减少周期极化反转构造的间距不同的波长变换元件的个数，因此，可以进一步压低制造成本。

[第4实施方式]

接着，参照图6对本发明的第4实施方式进行说明。

在本实施方式的光源装置60中，对在1个收容空间K保持1个波长变换元件21这一点，与第1实施方式不同。即，并不是将温度控制部设置在外部，在本实施方式中，将温度控制部设置在收容空间的内部，单独地控制波长变换元件21。除此以外的构成与第1实施方式是相同的。

保持部件61在与相邻的波长变换元件21之间设置有内壁62。这样，在保持部件61中设置有大致圆柱状的4个收容空间K1，4个波长变换元件21分别浸泡在填充到收容空间K1内的温调介质W中。

此外，温度控制部65具备在波长变换元件21的入射端面21a一侧的底面63上设置的加热器(温度变化装置)66和设置在侧面64上的电机(流动装置)67。这样，各个收容空间K1的温调介质W单独通过加热器66进行加温，并通过电机67进行搅拌。这样，将收容空间K1内的波长变换元件21的温度保持为均一的温度。

此外，在第1实施方式中，作为相位匹配的方法，虽然使各个波长变换元件21的周期极化反转构造的间距不同，但是在本实施方式中，与第2实施方式相同地，使各个波长变换元件21的温度不同。因此，4个波长变换元件21的周期极化反转构造的间距是相同的。即，半导体激光元件11由于是与第1实施方式相同的构成，因此，各个波长变换元件21对于所对应的发射极群11b不进行相位匹配。即，通过将波长变换元件21控制成规定的温度，使之成为所希望的间距，进行相位匹配。

在本实施方式的光源装置50中，由于对每一个波长变换元件21设置有收容空间K1，因此，可以单独地控制波长变换元件21的温度，因此，易于控制波长变换元件21的温度以使波长变换元件21的周期极化反转构造的间距变为所希望的间距。

此外，与使由固体的热传导率高的材质构成的保持部件与波长变换元件21的一部分接触并通过热传导进行温度控制的情况相比，在波长变换元件21内的温度斜度也变小，可以正确地进行波长变换元件21的温度控制。

另外，从半导体激光元件11射出的光的波长并没有特别地限定，温度控制部65只要控制波长变换元件21的温度以使从多个波长变换元件21射出的光的波长之中从至少1个波长变换元件21射出的光的波长与从其它波长变换元件21射出的光的波长不同即可。

此外，温度控制部65也可以在各个收容空间K1中具备温度传感器。而且，通过根据由该温度传感器测定的温度控制加热器66，可以更正确地调节波长变换元件21的温度。进一步地，温度控制部65也可以根据由温度传感器测定的温度调整电机67的旋转速度，并调整收容空间K内的温调介质W的流动速度。

此外，虽然并非必须设置电机67不可，但是为了更均一地控制波长变换元件21内的温度，设置电机67的方式是有效的。此外，也可以将加热器66和电机67设置在保持部件22的外部。

此外，虽然通过使用加热器66加热波长变换元件21来控制温度，但是，作为温度变化装置，也可以使用使温调介质W冷却的部件。即，也可以在保持部件61上设置散热片形状并散热。

[第4实施方式的变形例]

在图7所示的第4实施方式的变形例的光源装置70中，变成用内壁62分割图6所示的第4实施方式的保持部件61的构成。即，对每个波长变换元件21设置保持部件71，保持各个波长变换元件21。此外，保持部件71被配置为留出规定的间隔并与发射极群11b相对。

这样，由于可以单独地控制波长变换元件21的温度，并且与保持相邻的波长变换元件21的保持部件71之间的热传导变得很难进行，因此，可以进行每个波长变换元件21的更正确的温度控制。

另外，也可以是在相邻的保持部件71之间设置绝热部件并进一步抑制相邻的波长变换元件21的热传导的构成。

[第5实施方式]

接着，参照图8对本发明的第5实施方式进行说明。

另外，在图8中，为了简单化，省略了构成投影机100的框体。

在投影机100中，射出红色光、绿色光、蓝色光的红色激光光源(光源装置)10R、绿色激光光源(光源装置)10G、蓝色激光光源(光源装置)10B是上述第1实施方式的光源装置10。

此外，投影机100具备图像形成装置，其具有：分别调制从激光光源10R、10G、10B射出的激光的液晶光阀(光调制装置)104R、104G、104B和放大由液晶光阀104R、104G、104B形成的像并投影到屏幕(显示面)110上的投影透镜(投影装置)107。此外，投影机100还具备合成从液晶光阀104R、104G、104B射出的光并导向投影透镜107的交叉分色棱镜(色光合成装置)106。

进一步地，投影机100为了使从激光光源10R、10G、10B射出的激光的照度分布均一化，在比各个激光光源10R、10G、10B更朝光路下游一侧设置均一化光学系统102R、102G、102B，通过用上述均一化光学系统均一化照度分布后的光，对液晶光阀104R、104G、104B进行照明。例如，均一化光学系统102R、102G、102B可由例如全息照相102a和场透镜102b构成。

由各个液晶光阀104R、104G、104B调制的3个色光向交叉分色棱镜106入射。该棱镜使4个直角棱镜粘接而形成，在其内面十字状地配置有反射红色光的电介质多层膜和反射蓝色光的电介质多层膜。通过这些电介质多层膜合成3个色光，形成显示彩色图像的光。然后，所合成的光通过作为投影光学系统的投影透镜107投影到屏幕110上，显示被放大的图像。

上述的本实施方式的投影机100，由于红色激光光源10R、绿色激光光源10G、蓝色激光光源10B可以抑制谱噪声，因此，虽然是低成本，但可以显示抑制了闪烁的鲜明的图像。

另外，在本实施方式的投影机中，对于红色、绿色和蓝色的激光光源10R、10G、10B，虽然说明了使用第1实施方式的波长变换元件单元20的情况，但是，也可以使用第1至第4实施方式的光源装置(包括变形例)。这时，对于各个光源装置的每一个，既可以采用具有不同波长变换元件单元的光源装置，也可以采用具有相同波长变换元件单元的光源装置。

此外，对于平均波长不同的群的构成，并不仅仅是使同一色中的波长微妙地偏移的构成，即，也可以对应于与构成RGB的3色那样的大的波长不同。例如，也可以是3色每种各3个块(同一色内的3个块稍稍偏移每个波长)的9个块的构成。

此外，作为光调制装置，虽然使用了透过式的液晶光阀，但是，既可以使用液晶以外的光阀，也可以使用反射式的光阀。作为这样的光阀，可以举出例如反射式的液晶光阀或数字微镜器件(DMD)。投影光学系统的构成可根据所使用的光阀的种类而适宜地改变。

此外，也可以将第1至第4实施方式的光源装置应用于作为通过在屏幕上使来自激光光源(光源装置)的激光扫描而在显示面上显示所希望的大小的图像的图像形成装置的具有扫描装置的扫描式图像显示装置(投影机)的光源装置。

另外，本发明的技术范围并不限于上述实施方式，在不偏离本发明的宗旨的范围内可以加以种种改变。

例如，作为色光合成装置，虽然使用了交叉分色棱镜，但是，并不限于此。作为色光合成装置，例如可以使用将分色镜交叉配置而合成色光的装置，或平行地配置分色镜而合成色光的装置。

Claims (15)

1.一种光源装置，其特征在于，具备：

具有多个发光部的光源；

多个波长变换元件，其具有周期极化反转构造，将从上述多个发光部射出的光的波长变换成规定的波长；

温度调节介质，其调节上述多个波长变换元件的温度；

保持部件，其具有收容上述温度调节介质的收容空间，并保持上述多个波长变换元件；以及

温度控制部，其通过上述温度调节介质控制上述多个波长变换元件的温度；

其中，上述温度控制部控制上述波长变换元件的温度，以使上述多个波长变换元件之中从至少一个波长变换元件射出的光的波长与从其它波长变换元件射出的光的波长不同。

2.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，

在上述多个波长变换元件之中，至少一个波长变换元件的周期极化反转构造的间距与其它波长变换元件的周期极化反转构造的间距不同；

上述温度控制部进行控制，以使上述多个波长变换元件的温度变为相同。

3.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，

上述多个波长变换元件的周期极化反转构造的间距是相同的；

上述温度控制部进行控制，以使上述多个波长变换元件之中，至少一个波长变换元件的温度与其它波长变换元件的温度不同。

4.根据权利要求1～3中的任何一项权利要求所述的光源装置，其特征在于，

在上述保持部件的外部，设置使上述收容空间内的上述温度调节介质循环的循环流路；

上述温度调节介质沿着上述多个波长变换元件的排列方向流动。

5.根据权利要求4所述的光源装置，其特征在于，

在上述多个波长变换元件的排列方向的一方的端部一侧的上述保持部件的面上，设置使上述温度调节介质向上述收容空间流入的流入部和使上述温度调节介质从上述收容空间流出的流出部；

通过上述循环流路连通上述流入部和上述流出部。

6.根据权利要求5所述的光源装置，其特征在于，

与上述流出部相比，将上述流入部配置在上述波长变换元件的入射端面一侧。

7.根据权利要求4所述的光源装置，其特征在于，

在上述多个波长变换元件的排列方向的一方的端部一侧的上述保持部件的面上，设置使上述温度调节介质向上述收容空间流入的流入部；

在上述多个波长变换元件的排列方向的另一方的端部一侧的上述保持部件的面上，设置使上述温度调节介质从上述收容空间流出的流出部；

通过上述循环流路连通上述流入部和上述流出部。

8.根据权利要求1～7中的任何一项权利要求所述的光源装置，其特征在于，

设置测定至少一个上述波长变换元件的温度的温度测定装置；

上述温度控制部根据由上述温度测定装置测定的温度，改变上述温度调节介质的流动速度。

9.根据权利要求1～8中的任何一项权利要求所述的光源装置，其特征在于，对上述多个波长变换元件的每一个，设置有上述收容空间。

10.根据权利要求9所述的光源装置，其特征在于，对上述多个波长变换元件的每一个，设置有上述保持部件。

11.根据权利要求1～10中的任何一项权利要求所述的光源装置，其特征在于，

上述温度控制部具备：通过上述温度调节介质使上述波长变换元件的温度变化的温度变化装置；以及使上述温度调节介质流动的流动装置；

上述温度变化装置和上述流动装置与上述保持部件分开地设置。

12.根据权利要求1～10中的任何一项权利要求所述的光源装置，其特征在于，

上述温度控制部具备：通过上述温度调节介质使上述波长变换元件的温度变化的温度变化装置；以及使上述温度调节介质流动的流动装置；

上述温度变化装置和上述流动装置设置在上述保持部件上。

13.根据权利要求1～12中的任何一项权利要求所述的光源装置，其特征在于，在上述保持部件上，设置有决定上述波长变换元件的光的行进方向的位置的位置决定部。

14.根据权利要求1～13中的任何一项权利要求所述的光源装置，其特征在于，上述波长变换元件具有晶体组成或杂质浓度周期性地变动而形成的生长条纹，上述生长条纹构成上述周期极化反转构造。

15.一种投影机，其特征在于，具备：

权利要求1～14中的任何一项权利要求所述的光源装置；以及

利用来自该光源装置的光，使显示面显示所希望的大小的图像的图像形成装置。

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