CN101313084A - 用于真空覆层设备的工艺室的分隔装置和真空覆层设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于真空覆层设备的工艺室的分隔装置和真空覆层设备,其中能够简单且经济地分隔相邻的工艺室的工艺气氛,并且能够给工艺室通风,同时在相邻的工艺室内维持在那里存在的工艺气氛。根据本发明的用于真空覆层设备的相继地布置的工艺室的分隔装置,包括可在两个工艺室之间横向于基底输送方向安置的分隔元件,所述真空覆层设备用于给平整基底覆层,所述分隔元件具有用于基底的通道,所述通道布置在基底输送平面的区域内并通过在该分隔元件内设置的至少一个通过开口构成,其特征在于,设有至少一个闭塞装置,其选择性地封闭或者开放所述通道。根据本发明的一个改进方案设计,此外还设有由中间室外壁构成的中间室,并且分隔元件布置在中间室内,并且所述中间室被划分成两个中间室部分。在该实施方式中,根据本发明的分隔装置构成了自己的室,该室能够布置在两个相邻的工艺室之间。

Description

用于真空覆层设备的工艺室的分隔装置和真空覆层设备
技术领域
本发明涉及一种用于真空覆层设备的、符合权利要求1的前序部分的分隔装置,本发明还涉及一种符合权利要求19的前序部分的真空覆层设备。
背景技术
在用于例如平整玻璃板的纵向延伸的平整的基底覆层的真空覆层设备中,为了制造由不同的覆层材料的多层构成的层系统,基底被依次地移动通过多个相继布置的工艺室,在这些工艺室的每一个内,基底以覆层材料,例如通过溅射、温度蒸镀或者其他覆层工艺被覆层,或者被施加刻蚀工艺,例如通过溅射或者离子束刻蚀。这类工艺大多在比大气压力低的多的气氛压力(低压、真空)情况下进行,其中,能够取决于覆层材料地把(惰性的或反应性的)工艺气体引入到相应的工艺室内。为了将基底输送穿过真空覆层设备,大多数情况下都设有延伸于整个系统的输送装置。它例如可以由多个横向于基底输送方向布置的辊子组成,基底被置于其上并且其最上端的包络线以该方式限定了输送平面,且这些辊子中的至少一部分是能够驱动的。
工艺室系统的始端和终端通常分别布置有一个闸室,所述闸室用于在持续的运行中闸入或闸出基底。此外,在一些设备中在每两个工艺室之间还设有泵室,该泵室用于分隔相邻工艺室的工艺气氛。为了在工艺室内产生和维持工艺压力,可以在闸室内设计一个或多个工艺室以及(如果存在)在泵室内设计真空泵。
相邻的工艺室的不同的工艺气氛的分隔对于覆层工艺的质量来说具有决定性意义,因为在具有不同工艺气氛的工艺室之间的气体交换可能导致不纯净的层或者可能导致覆层材料与工艺气体的组成部分产生不希望出现的化合物,该化合物沉积在基底上。
发明内容
因而本发明的任务在于,如下地改善已知的真空覆层设备,即,使得相邻的工艺室的工艺气氛的分隔能够以简单且经济的方式实现。本发明的另一个任务在于,允许工艺室通风,而同时在相邻的工艺室内维持在那里存在的工艺气氛。换言之:在工艺室内存在的压力条件以及在那里现有的气体混合物不会被相邻的工艺室的通风消极地影响。
根据本发明,该任务通过具有权利要求1的特征的、用于真空覆层设备的工艺室的分隔装置和具有权利要求18的特征的真空覆层设备来解决。本发明的具备优点的实施方式是从属权利要求的主题。
根据本发明的用于真空覆层设备的相继地布置的工艺室的分隔装置,包括可在两个工艺室之间横向于基底输送方向安置的分隔元件,所述真空覆层设备被用于给平整基底覆层,所述分隔元件具有用于基底的通道,所述通道布置在基底输送平面的区域内并通过至少一个在分隔元件内设置的通过开口构成,其特征在于,设有至少一个闭塞装置,其能够选择性地封闭或者开放所述通道。
根据本发明的分隔装置使得能够以结构简单的方式并且因而经济地分隔真空覆层设备的相邻的工艺室的工艺气氛,从而在工艺室内存在的压力条件以及在那里现有的气体混合物不会被相邻的工艺室的通风消极地影响。例如,分隔元件可以替代工艺室的室连接壁,从而用于基底的通道可以按需开启,使得基底能够通过该通道从一个工艺室移动到相邻的工艺室内,或者用于基底的通道能够被封闭,从而可以对一个工艺室进行通风,而同时在相邻的工艺室内维持在那里存在的工艺气氛。
在本发明的一个实施方式中设计:设有两个闭塞装置,其从分隔元件的每一侧选择性地封闭或者开放通道。如果所采用的闭塞装置的功能取决于压力下降的方向(单侧有效的闭塞装置),则该实施方式首先是有优点的。压力下降的方向又取决于两个相邻的工艺室中的哪一个将被通风。所建议的在分隔元件的每一侧实施一个闭塞装置的方式,使得在采用单侧有效的闭塞装置下,对两种情况的相邻的工艺室的分隔成为可能。
在本发明的另一个实施方式中设计:至少一个闭塞装置被构造成能够从所述输送平面移出的板。该板如下构造:其完整地覆盖了通道,并且该板在真空覆层设备的运行过程中使得把基底从一个工艺室输送到相邻的工艺室成为可能,并且在两个工艺室的一个通风时阻止基底的输送,同时也阻止相邻的工艺室之间的压力交换。在一个简化实施中,该板能够垂直于基底的输送方向可移动地安装,例如在为此而设计的引导装置内,该引导装置使得该垂直的移动成为可能。
有优点的是:至少一个闭塞装置被构造成能够从所述输送平面摆出的板。此实施能够特别有利地制造,这是因为能够放弃上述公差相对小的引导部。此外,摆动运动能够相对简单地通过电马达驱动来实现。
额外地也可以设计:至少一个闭塞装置围绕横向于基底的输送方向的摆动轴可摆动地安装。由此,闭塞装置例如可以在基底的输送平面的上方或者下方区域内(那里存在足够空间的区域)摆动,从而闭塞装置不会妨碍基底的输送。
此外具备优点地也可以设计:至少一个闭塞装置具有至少一个密封元件,所述密封元件用于在闭塞装置和分隔元件之间的密封。密封元件例如可以由弹性体制成。通过该密封元件能够改善工艺气氛的所争取的分隔。
在一个简单并且经济的变形例中设计:分隔元件被构造成分隔壁,所述分隔壁具有构成用于基底的通道的通过开口。分隔壁例如可以由钢板制成,在其通过开口上设有一个或多个闭塞装置,所述闭塞装置根据需要开放或者封闭通过开口。分隔元件适合于替代工艺室的室连接壁。
另选地也可以设计:分隔元件至少在通道的周围具有两个相互间隔的壁部分,所述壁部分分别具有构成用于基底的通道的通过开口。分隔元件也适合于替代工艺室的室连接壁。特别是,当设有两个可摆动的闭塞装置时,所述闭塞装置分别布置在分隔元件的一侧,该实施方式提供下述优点,即:闭塞装置的摆动轨道不会与布置在分隔元件两侧上的输送装置的输送辊子产生冲突,即,如果输送辊子的距离被强制预给定,分隔元件的双壁的实施至少在通道的区域内构成用于两个可摆动的闭塞装置的空间,输送辊子也布置在所述通道的区域内。
在本发明的具有相互间隔地布置的壁部分的实施方式中,还可以有优点地设计:至少一个输送辊子布置在壁部分之间。尽管分隔元件在基底输送方向上需要更多的空间,这些输送辊子间的间隔能够以这种方式维持。
根据本发明的一个改进方案设计,此外还设有由中间室外壁构成的中间室,并且分隔元件布置在中间室内,以及中间室被划分成两个中间室部分。在该实施方式中,根据本发明的分隔装置构成了自己的室,该室能够布置在两个相邻的工艺室之间。如果这些工艺室具有自己的室连接壁,那么该中间室不需要自己的连接壁,并且能够分别直接与两个工艺室的一端连接。即使在工艺室不包括室连接壁的情况下,中间室能够与工艺室连接,其中在这种情况下中间室部分扩大了相应的工艺室的容积。
然而根据本发明,还可以设计:此外还设有至少一个中间室连接壁,其与中间室外壁连接、把所述中间室横向于基底的输送方向地隔开,所述中间室连接壁具有由通过开口构成的、用于基底的通道。由此在两个工艺室之间布置中间室的情况下,可以放弃室连接壁。
在该实施方式中具有优点的是:在至少一个中间室连接壁内设有至少一个真空开口,所述真空开口用于把中间室部分与相邻的工艺室连接。由此与工艺室邻接的中间室部分能够被使用,以便在该工艺室内生成真空或者维持真空。
其他具备优点的是:至少一个真空开口被构造成可以被封闭。由此可以降低工艺室和中间室部分之间的气体交换。
为了能够把中间室部分用于给工艺室抽真空或者分隔气体,具备优点地设计:至少一个中间室外壁在至少一个中间室部分的区域内具有至少一个泵开口,所述泵开口用于安置真空泵。真空泵于是能够在该泵开口处固定在中间室的外侧,真空泵支持在中间室部分内或/和在邻接的工艺室内生成或维持真空。
在本发明的另一个实施方式中设计:至少一个输送辊子被安置在至少一个中间室部分内。由此在工艺室内常见地设置的输送辊子系统在中间室内也未中断,从而保证基底的正常输送。
此外还可以设计:分隔装置的至少一个输送辊子,即在中间室部分内布置的输送辊子或/和分隔元件的壁部分之间布置的输送辊子是能够驱动的,从而支持通过中间室或通过双壁的分隔元件的通道输送基底。
另选地也可以设计:至少一个输送辊子可以通过在邻接的工艺室内布置的输送装置驱动。通过这种方式不需要单独的驱动装置用于属于分隔装置的输送辊子,从而能够更廉价地制造分隔装置。
本发明的任务也可以通过用于给平整基底覆层的真空覆层设备来解决,该真空覆层设备包括至少两个相继布置的工艺室,并且在该真空覆层设备中,在两个相邻的工艺室之间布置上述类型的分隔装置。
这里可以设计:在真空覆层设备中至少一个工艺室的至少一个室连接壁被实施为分隔装置,该分隔装置代替了传统的室连接壁并且隔开所述工艺室。
在真空覆层设备中,还可以另选地设计:至少在两个相邻的工艺室之间布置一个分隔装置,该分隔装置包括中间室,其中该中间室分别与这两个相邻的工艺室的一端连接。
附图说明
下面将结合实施例以及从属于其的附图对本发明进行进一步说明。在此,唯一的附图1示出了根据本发明的分隔装置,该分隔装置被实施成具有中间室1,在该中间室1内分隔元件11把中间室1分隔成两个中间室部分9、10。
具体实施方式
中间室1是真空覆层设备的一部分,所述真空覆层设备用于以通过法给纵向延展的平整的基底覆层,其中所述基底在输送平面2内引导。中间室1包括第一中间室连接壁3和与该第一中间室连接壁3对置的第二中间室连接壁4,四个在中间室连接壁3、4之间延展的中间室外壁,这四个壁中,一个被实施成底板5、另一个被实施成盖6、而其他两个被实施成侧壁。在每一个中间室连接壁3、4中都设有位于输送平面2内的通过开口7、8,通过开口7、8构成用于基底的通道。此外,每个中间室连接壁3、4都具有位于输送平面2上方的真空开口20、21。
中间室1在其内部具有分隔元件11,该分隔元件11具有由两个壁部分15、16(分隔室壁)构成的双壁区14(分隔室)。壁部分15、16分别具有通过开口12、17,它们共同构成用于基底的穿过分隔元件11的双壁区14的通道。带有双壁区14的分隔元件11把中间室1划分成两个中间室部分9、10。两个被实施为可摆动的板的闭塞装置13、18分别围绕水平的摆动轴19安装,并且它们能够被用于:将位于分隔室14左侧的中间室部分9相对于位于分隔室14右侧的中间室部分8密封,并且反之亦然。在此,可以每次为一个中间室部分9、10通风,而另外一个中间室部分10、9保持处于真空。
中间室1的盖6具有两个泵开口23,以及在中间室1的外部分别布置在这些泵开口23处的真空泵22。此外,中间室1在其内部还具有三个输送辊子24、25、26,其中,第一输送辊子24和第二输送辊子25分别布置在中间室部分9、10内,而第三输送辊子26布置在壁部分15、16之间。输送辊子24、25、26能够分别通过所述相邻的真空室的输送系统驱动。
通过设在中间室连接法兰3、4内的真空开口20、21能够毫无限制地在工艺室的左侧或右侧进行溅射工艺。在流量方面也不是缺点,因为不是通过通过开口7、8而是通过在中间室连接壁3、4内的更大的真空开口20、21被泵送。中间室1可以被用作为在相邻的工艺室之间的气体隔离装置。在可配置的真空覆层设备中,因此不必再为真空泵另设单元。设备配置的通用性被完全保留了。
附图标记列表
1   中间室
2   输送平面
3   第一中间室连接壁
4   第二中间室连接壁
5   中间室外壁(底板)
6   中间室外壁(盖)
7   第一通过开口
8   第二通过开口
9   中间室部分
10  中间室部分
11  分隔元件
12  第三通过开口
13  第一闭塞装置
14  双壁区(分隔室)
15  壁部分(分隔室壁)
16  壁部分(分隔室壁)
17  第四通过开口
18  第二闭塞装置
19  摆动轴
20  真空开口
21  真空开口
22  真空泵
23  泵开口
24  第一输送辊子
25  第二输送辊子
26  第三输送辊子

Claims (20)

1.分隔装置,所述分隔装置用于真空覆层设备的相继布置的工艺室,所述真空覆层设备用于给平整基底覆层,所述分隔装置包括可在两个工艺室之间横向于所述基底的输送方向安置的分隔元件(11),所述分隔元件(11)具有用于所述基底的、在所述基底的输送平面(2)的区域内布置的通道(12、17),其特征在于,设有至少一个闭塞装置(13、18),所述闭塞装置(13、18)选择性地封闭或者开放所述通道(12、17)。
2.根据权利要求1所述的分隔装置,其特征在于,设有两个闭塞装置(13、18),所述闭塞装置(13、18)从所述分隔元件(11)的每一侧选择性地封闭或者开放所述通道(12、17)。
3.根据权利要求1或2所述的分隔装置,其特征在于,至少一个闭塞装置(13、18)被构造成能够从所述输送平面(2)移出的板。
4.根据权利要求1至3之一所述的分隔装置,其特征在于,至少一个闭塞装置(13、18)被构造成能够从所述输送平面(2)摆出的板。
5.根据权利要求1至4之一所述的分隔装置,其特征在于,至少一个闭塞装置(13、18)围绕横向于所述基底的输送方向的摆动轴(19)可摆动地安装。
6.根据权利要求1至5之一所述的分隔装置,其特征在于,至少一个闭塞装置(13、18)具有至少一个密封元件,所述密封元件用于在闭塞装置(13、18)和分隔元件(11)之间的密封。
7.根据权利要求1至6之一所述的分隔装置,其特征在于,所述分隔元件(11)被构造成分隔壁,所述分隔壁具有构成用于所述基底的所述通道的通过开口(12、17)。
8.根据权利要求1至6之一所述的分隔装置,其特征在于,所述分隔元件至少在所述通道的周围具有两个相互间隔的壁部分(15、16),所述壁部分(15、16)分别具有构成用于所述基底的所述通道的通过开口(12、17)。
9.根据权利要求8所述的分隔装置,其特征在于,在所述壁部分(15、16)之间布置至少一个输送辊子(26)。
10.根据权利要求1至9之一所述的分隔装置,其特征在于,此外还设有由中间室外壁(5、6)构成的中间室(1),以及所述分隔元件(11)布置在所述中间室(1)内,以及所述中间室(1)被划分成两个中间室部分(9、10)。
11.根据权利要求10所述的分隔装置,其特征在于,此外还设有至少一个中间室连接壁(3、4),所述中间室连接壁(3、4)与中间室外壁(5、6)连接、把所述中间室(1)横向于所述基底的输送方向地隔开,所述中间室连接壁(3、4)具有由通过开口(7、8)构成的、用于所述基底的通道。
12.根据权利要求11所述的分隔装置,其特征在于,在至少一个中间室连接壁(3、4)内设有至少一个真空开口(20、21),所述真空开口(20、21)用于连接中间室部分(9、10)与相邻的工艺室。
13.根据权利要求12所述的分隔装置,其特征在于,至少一个真空开口(20、21)被构造成可封闭的。
14.根据权利要求10至13之一所述的分隔装置,其特征在于,至少一个中间室外壁(5、6)在至少一个中间室部分(9、10)的区域内具有至少一个泵开口(23),所述泵开口(23)用于安置真空泵(22)。
15.根据权利要求10至14之一所述的分隔装置,其特征在于,在至少一个中间室部分(9、10)内安置至少一个输送辊子(24、25)。
16.根据权利要求9至15之一所述的分隔装置,其特征在于,至少一个输送辊子(24、25、26)是可驱动的。
17.根据权利要求16所述的分隔装置,其特征在于,至少一个输送辊子(24、25、26)可以通过在邻接的工艺室内布置的输送装置驱动。
18.真空覆层设备,所述真空覆层设备用于给平整基底覆层,所述真空覆层设备包括至少两个相继布置的工艺室,其特征在于,在两个相邻的工艺室之间布置根据权利要求1至17之一所述的分隔装置。
19.根据权利要求18所述的真空覆层设备,其特征在于,至少一个工艺室的至少一个室连接壁被实施成根据权利要求1至9、16或17之一所述的分隔装置。
20.根据权利要求18或19所述的真空覆层设备,其特征在于,至少在两个相邻的工艺室之间布置根据权利要求10至17之一所述的分隔装置。
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WO (1) WO2007059749A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105603381A (zh) * 2014-11-14 2016-05-25 冯·阿登纳有限公司 真空室、用于运行真空室的方法和用于运行真空处理设备的方法
CN106011772A (zh) * 2015-03-31 2016-10-12 株式会社神户制钢所 成膜装置及成膜装置的分隔壁构造体

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010028734B4 (de) 2009-05-08 2021-07-22 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Gasseparationsanordnung einer Vakuumbeschichtungsanlage
DE102012213095A1 (de) 2012-07-25 2014-01-30 Roth & Rau Ag Gasseparation
JP5768194B2 (ja) * 2012-10-16 2015-08-26 フオン・アルデンネ・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング バンド状基層の為の多重コーティング装置およびバンド状基層真空コーティング装置
DE102018106054B4 (de) * 2018-03-15 2022-08-25 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Vakuumschleusenkammer und Vakuumprozessieranlage
DE102020101569A1 (de) 2020-01-23 2021-07-29 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Prozessiervorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Prozessiervorrichtung

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3568632A (en) * 1969-03-24 1971-03-09 Gary F Cawthon Lens coating apparatus
SU515834A1 (ru) * 1974-03-05 1976-05-30 Украинский Научно-Исследовательский Институт Специальных Сталей,Сплавов И Ферросплавов Устройство дл нанесени покрытий в вакууме на рулонные материалы
US4911810A (en) * 1988-06-21 1990-03-27 Brown University Modular sputtering apparatus
JPH0258832A (ja) * 1988-08-24 1990-02-28 Nec Kyushu Ltd プラズマアッシング装置
JPH09312267A (ja) * 1996-05-23 1997-12-02 Rohm Co Ltd 半導体装置の製法およびその製造装置
DE19733940C2 (de) * 1997-08-06 2001-03-01 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von plattenförmigen Substraten mit dünnen Schichten mittels Kathodenzerstäubung
JP4068377B2 (ja) * 2002-03-29 2008-03-26 株式会社ニデック 真空蒸着装置
DE10319379A1 (de) * 2003-04-30 2004-11-25 Applied Films Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Transportieren eines flachen Substrats in einer Vakuumkammer
DE10362259B4 (de) * 2003-11-04 2011-03-17 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Längserstreckte Vakuumanlage zur ein- oder beidseitigen Beschichtung flacher Substrate
DE102004021734B4 (de) * 2004-04-30 2010-09-02 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Beschichtung flacher Substrate mit optisch aktiven Schichtsystemen
US20060278164A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-14 Petrach Philip M Dual gate isolating maintenance slit valve chamber with pumping option
DE102006043813B4 (de) * 2006-02-21 2011-05-19 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Schieberventil für eine Beschichtungsanlage und Beschichtungsanlage
US20070256934A1 (en) * 2006-05-08 2007-11-08 Perata Michael R Apparatus and Method for Coating Substrates With Approximate Process Isolation

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105603381A (zh) * 2014-11-14 2016-05-25 冯·阿登纳有限公司 真空室、用于运行真空室的方法和用于运行真空处理设备的方法
CN106011772A (zh) * 2015-03-31 2016-10-12 株式会社神户制钢所 成膜装置及成膜装置的分隔壁构造体
CN106011772B (zh) * 2015-03-31 2018-10-26 株式会社神户制钢所 成膜装置及成膜装置的分隔壁构造体

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