CN210458359U - 真空闸室和真空处理设备 - Google Patents
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Abstract
根据不同的实施方式提供一种真空闸室(100),其具有第一腔室壁段(116a)和第二腔室壁段(116b),其中,第一腔室壁段(116a)具有第一封盖开口(122a)而第二腔室壁段(116b)具有第二封盖开口(122b)。第一封盖开口(122a)可以利用第一腔室封盖(202)遮盖而第二封盖开口(122b)可以利用第二腔室封盖(302)遮盖。两个腔室壁段和两个与其配合的腔室封盖设置为使得真空闸室(100)的需抽空的内部体积尽可能小。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种真空闸室和一种真空处理设备。
背景技术
真空处理设备(例如真空涂层设备)一般可用于对基材诸如板状的基材、玻璃板、晶片或其它载体进行处理(例如涂层)。在此,一个真空处理设备可具有一个或多个真空室(也称为区段、隔间或工艺室)以及运送系统,该运送系统用于将需相应涂层的基材运送穿过真空处理设备或者说穿过一个或多个真空室。例如一个或多个真空闸室可用于将基材移入真空处理设备中或者将基材从真空处理设备中移出。作为补充方案,例如可以使用一个或多个缓冲室。为了将基材运送从移入或移出期间的不连续运送转变为进入相应处理区域中的连续运送,可以使用一个或多个转移室(Transferkammer)。
为了将至少一个基材移入真空处理设备中,例如可以将所述至少一个基材装入经通风的真空闸室中,接着可将具有所述至少一个基材的真空闸室抽真空,并且可以将基材分批地(也称为不连续地)从经抽真空的真空闸室运送到真空处理设备的接界的真空室(例如缓冲室、转移室等)中。
例如可以借助缓冲室暂时提供基材并且提供比真空闸室中小的压力。借助转移室例如能够将分批装入的基材汇集为一种所谓的基材带(一种例如均匀运送的连续的基材列),使得在基材在真空处理设备的至少一个相应设置的工艺室中被处理(例如涂层)期间在基材之间显然仅仅残留有小的缺口(例如宽度小于例如5cm的缺口)。
基材的移入、在真空处理设备内部的处理和移出的过程例如称为处理周期。在一定的时间内能够进行的处理周期越多,真空处理设备就能够越有效地作业。因此争取的是:将处理周期所需的时间最小化。在一些情况中,处理周期所需的时间例如通过以下方式限定,即,能够多快速地对真空闸室内部进行通风和抽真空。
例如真空闸室抽真空所需的时间例如可以取决于真空闸室内部需抽真空的体积。真空闸室内部需抽真空的体积越小,真空闸室抽真空所需的时间就越短。因此通常缩小体积地建造真空闸室。这能够实现基材不连续通过的短的周期时间。
按照传统,需移入的基材的几何形状、真空闸室内部的工艺内件的尺寸以及接通的真空泵的法兰尺寸确定真空闸室内部的几何形状或者需抽真空的体积。例如使真空闸室的长度与基材长度最佳地匹配,并且使真空闸室的宽度与基材宽度最佳地匹配。然而按照传统使真空闸室的高度与真空泵的法兰尺寸相匹配。为了减少真空闸室内部需抽真空的体积,例如可以使用经过沿着基材厚度方向深冲的腔室封盖。
实用新型内容
根据不同的实施方式提供一种真空闸室,其几何形状或者其需抽真空的内部体积仅仅取决于基材尺寸和工艺腔室内件。在此,如下地确定真空闸室内部工艺内件的尺寸,即,使得真空闸室内部需抽真空的体积尽可能小。
根据不同的实施方式,真空闸室的高度可以与基材的高度相匹配。此外,根据不同的实施方式可以利用多个腔室封盖将真空闸室遮盖,使得真空闸室内部需抽真空的体积尽可能小。此外,例如空隙或凹深部设置在真空闸室的腔室底壁中,从而可以在腔室侧壁中提供真空泵开口,使得能够借助所述空隙或凹深部进行泵干预,以对真空闸室有效地抽真空。
根据不同的实施方式,此外为闸室提供第一腔室壁段和第二腔室壁段,其中,第一腔室壁段可具有第一封盖开口并且第二腔室壁段可具有第二封盖开口。可以利用第一腔室封盖将第一封盖开口遮盖,并且可以利用第二腔室封盖将第二封盖开口遮盖。在此,第一腔室封盖设置为:使得真空闸室内部需抽真空的体积尽可能小,其中只考虑需处理的基材的几何形状(例如厚度)。在此,第二腔室封盖设置为:使得当第二封盖开口利用第二腔室封盖遮盖时,真空闸室内部在第二腔室壁段区域中的需抽真空的体积尽可能小,并且当第二封盖开口未利用第二腔室封盖遮盖时,可以在第二腔室壁段的区域中提供易于维护的、单独的作业空间,例如为了对活门设备进行维护。显然,为了减少第二腔室壁段区域内需抽真空的体积可以只将第二腔室封盖沿着基材厚度的方向深冲。
根据不同的实施方式,真空闸室可具有:腔室壳体,该腔室壳体具有带第一闸口的第一腔室侧壁和带第二闸口的第二腔室侧壁,该第二腔室侧壁与第一腔室侧壁对置;运送设备,该运送设备用于在第一闸口与第二闸口之间的运送区域内部的运送平面中运送基材;和活门设备,该活门设备可运动地装配在腔室壳体内部并且设置为能够借助该活门设备将第二闸口遮盖;其中,腔室壳体还具有:腔室底壁,该腔室底壁在运送设备的第一侧从第一腔室侧壁延伸到第二腔室侧壁;第一腔室壁段和第二腔室壁段,该第一腔室壁段和第二腔室壁段设置在运送设备的与第一侧对置的第二侧,其中,第一腔室壁段与运送平面具有第一间距地设置、与第一腔室侧壁接界并且具有第一封盖开口,并且第二腔室壁段与运送平面具有第二间距地设置、与第二腔室侧壁接界并且具有第二封盖开口。
根据不同的实施方式,真空处理设备可具有:用于对基材进行处理的至少一个处理室;和与这里说明的一样的第一真空闸室,该第一真空闸室与所述至少一个处理室真空技术地连接,使得能够通过第二闸口将基材从第一真空闸室运送到所述至少一个处理室中,以便将基材移入真空处理设备中;和/或与这里说明的一样的第二真空闸室,该第二真空闸室与所述至少一个处理室真空技术地连接,使得能够通过第二闸口将基材从所述至少一个处理室中运送到第二真空闸室中,以便将基材从真空处理设备中移出。
附图说明
附图中示出了实施例并且下面进行详细说明。
附图中:
图1是根据不同实施方式的真空闸室的示意性横剖视图;
图2A和图2B分别是根据不同实施方式的真空闸室在第一腔室封盖的区域中的示意性横剖视图的细部示图;
图3是根据不同实施方式的真空闸室在第二腔室封盖的区域中的示意性横剖视图的细部示图;
图4是根据不同实施方式的真空闸室的示意性及横剖视图;
图5是根据不同实施方式的真空闸室的示意性横剖视图;
图6是根据不同实施方式的真空处理设备的示意性横剖视图。
在下文的详细说明中参照了附图,这些附图构成这个说明的组成部分并且在这些附图中为了解释而示出了特别的实施方式,在这些实施方式中可以实施本实用新型。关于这一点使用了方向术语,诸如针对所说明(多个)附图的定向而言的“上部”、“下部”、“前部”、“后部”、“前面的”、“后面的”等等。由于可以将实施方式的部件定位在一些不同的定向中,所以方向术语用于解释说明之目的而绝没有限定之性质。不言而喻地,可以应用其它实施方式并进行结构上或者逻辑上的修改,而不脱离本实用新型的保护范围。不言而喻地,只要没有其它的特别说明,在这里说明的不同示例性实施方式的特征可以相互组合。所以下面的详细说明不可理解为具有限定的性质,并且通过从属权利要求对本实用新型的保护范围加以限定。
在这个说明的范围内,概念“连接”和“接通”既用于说明直接的连接、直接的接通以及直接的联接,也用于说明间接的连接、间接的接通以及直接或间接的联接。在附图中,只要是适宜的话,为相同的或者类似的元件标注相同的附图标记。
具体实施方式
根据不同的实施方式可以通过如下方式提供真空闸室,即,可以借助至少两个与封盖开口相应配合的腔室封盖来密封(换句话说,真空密封地封闭)具有两个封盖开口的腔室壳体。相应的腔室封盖例如可以已经放置或被放置在腔室壳体上并且因此将腔室壳体真空密封地封闭。根据不同的实施方式,相应的腔室封盖可以设置为:使得真空闸室内部需抽真空的体积尽可能小。
根据不同的实施方式,在这里说明的真空闸室可具有腔室壳体,该腔室壳体可具有带第一封盖开口的第一腔室壁段和带第二封盖开口的第二腔室壁段。第一封盖开口可以利用第一腔室封盖封闭,并且第二封盖开口可以利用第二腔室封盖封闭。在此,第二腔室壁段可以构成为:可以提供作业空间,该作业空间在第二封盖开口未利用第二腔室封盖密封时能够实现对活门设备、例如翻板活门的维修,并且当第二封盖开口利用第二腔室封盖密封时,真空闸室内部需抽真空的体积可以尽可能小。
图1图示出根据不同实施方式的真空闸室100的示意性横剖视图。
根据不同的实施方式,真空闸室100可具有腔室壳体102。该腔室壳体102可以是焊接组件,该焊接组件由多个壁元件(例如腔室侧壁、腔室底壁等等)焊接在一起。腔室壳体102例如可具有带第一闸口106a的第一腔室侧壁104a和带第二闸口106b的第二腔室侧壁104b。第二腔室侧壁104b可以与第一腔室侧壁104a对置,其中,真空闸室100的闸区117清楚地居间延伸。在第一腔室侧壁104a与第二腔室侧壁104b之间可以设置附加的腔室壁104c。第一腔室侧壁104a和第二腔室侧壁 104b例如可以构造为板状的(例如基本上方形的)。
根据不同的实施方式,第一腔室侧壁104a可具有第一外侧表面104o-1。该第一外侧表面104o-1在此背向真空闸室100的闸区117并且可以位于平行于方向103 和105的第一平面中。根据不同的实施方式,第二腔室侧壁104b可具有第二外侧表面104o-2。该第二外侧表面104o-2在此背向真空闸室100的闸区117并且可以位于平行于方向103和105的第二平面中。第一外侧表面104o-1与第二外侧表面 104o-2的间距例如限定真空闸室100的长度111,明确地说是真空闸室100与方向 101平行的空间延展。真空闸室100的长度111例如可以在大约1m至6m的范围中、例如在大约3m至6m的范围中。
附图中示出的方向101、103、105例如可以分别彼此垂直定向。
根据不同的实施方式,真空闸室100可具有运送设备108,其用于在运送区域内部运送一个基材110(当然也运送多个基材)。所述运送区域可以在第一闸口106a 与第二闸口106b之间延伸。例如可以使用任何适合的(例如适合真空的)运送设备108,例如可以将多个可转动地支承的运送辊用于运送基材110。运送设备108 例如可以设置为:提供运送平面101e,在该运送平面中可以运送基材110。此外,运送设备108可以限定一个运送方向,沿着该运送方向可以穿过真空闸室100运送基材110。
运送设备108例如可具有多个运送辊。这些运送辊例如可以相互具有间距地设置(例如运送辊的相应轴线可以处于一个共同的平面中并且所述运送辊可具有相同的外径),使得这些运送辊构成用于放置基材110的共同的支承面。
例如运送方向可以与方向101平行地延伸。第一闸口106a和第二闸口106b的相应的几何中心点可以位于一条连接直线上,该连接直线可以在运送平面101e上方并且与其平行地沿着方向101延伸。
根据不同的实施方式,腔室壳体102可具有腔室底壁114。该腔室底壁114例如可以构成为板状的。该腔室底壁114可以在运送平面101e下方和在运送设备108 下方从第一腔室侧壁104a延伸到第二腔室侧壁104b。例如腔室底壁114的背向运送设备108的表面可以与运送平面101e平行。腔室底壁114显然将真空闸室100 向下真空密封地封闭。
根据不同的实施方式,真空闸室100可具有第一活门设备112。该第一活门设备112能够可运动地(例如可转动地或者可枢转地)装配在腔室壳体102内部。第一活门设备112可以设置为:该活门设备可以将第二闸口106b遮盖。第一活门设备112可以是或具有翻板活门,该翻板活门例如可以在腔室壳体102内部具有枢转区域124(或者一般来说允许第一活门设备112运动的区域)。第一活门设备112例如可以在真空闸室100内部装配在第二闸口106b上方。
根据不同的实施方式,腔室壳体102可具有第一腔室壁段116a和第二腔室壁段116b。第一腔室壁段116a可以设置在运送平面101e上方和运送设备108上方。第一腔室壁段116a可以与运送平面101e具有第一间距103a地设置,因此与腔室底壁114具有第三间距113a地设置。可以从第一腔室壁段116a的面向运送平面101e 的表面出发清楚地求得第一腔室壁段116a与运送平面101e的第一间距103a。在此,第一腔室壁段116a与运送平面101e的第一间距103a可以在约2cm至约5cm的范围内。因此在真空闸室100中例如只能运送厚度相应地小于第一腔室壁段116a与运送平面101e的第一间距103a的基材。此外,第一腔室壁段116a可以与第一腔室侧壁104a以及与附加的腔室壁104c接界以及具有第一封盖开口122a。此外,第一腔室壁段116a可以横向于方向101、103与第三腔室侧壁404a和第四腔室侧壁404b 接界(参见例如图4)。
第二腔室壁段116b可以设置在运送平面101e上方和运送设备108上方。第二腔室壁段116b可以与运送平面101e具有第二间距103b地设置并且因此与腔室底壁114具有第四间距113b地设置。可以从第二腔室壁段116b的面向运送平面101e 的表面出发清楚地求得第二腔室壁段116b与运送平面101e的第二间距103b。在此,第二腔室壁段116b与运送平面101e的第二间距103b大于第一腔室壁段116a与运送平面101e的第一间距103a。此外,第二腔室壁段116b与腔室底壁114的第四间距113b大于第一腔室壁段116a与腔室底壁114的第三间距113a。例如第二腔室壁段116b与运送平面101e的第二间距103b可以在约10cm至约30cm的范围内。第二腔室壁段116b与运送平面101e的第二间距103b可以清楚地选择为:使得提供足够的空间用于装配和/或维修第一活门设备112。此外,第二腔室壁段116b可以与第二腔室侧壁104b和腔室壁104c接界以及具有第二封盖开口122b。此外,第二腔室壁段116b可以横向于方向101、103与第三腔室侧壁404a和第四腔室侧壁404b 接界。第一腔室壁段116a和第二腔室壁段116b可以清楚地分别构成一个基本上矩形的框架,该框架可以安装在相应的腔室侧壁或者腔室壁104c上(参见例如图1 和图4中的第三腔室侧壁404a以及第四腔室侧壁404b)。腔室壁段116a、116b清楚地与腔室封盖共同将真空闸室100向上真空密封地封闭。
根据不同的实施方式,第一封盖开口122a可以比第二封盖开口122b具有(例如沿着运送方向或者沿着方向101测量)更大的开口尺寸。例如,第一封盖开口122a 沿着方向101测量可以比第二封盖开口122b大五倍以上。
根据不同的实施方式,第一腔室壁段116a和第二腔室壁段116b可以真空密封地焊接在相应的腔室侧壁104a、104b、404a、404b或者附加的腔室壁104c上。优选地,腔室壳体102可具有钢(例如优质钢、结构钢等等)或由钢构成。
根据不同的实施方式,第一腔室壁段116a可具有第一边缘区域118a。此外,第二腔室壁段116b可具有第二边缘区域118b。第一边缘区域118a可将第一封盖开口122a包围。第一边缘区域118a此外可具有第一封盖支承面120a。该第一封盖支承面120a可以构成在第一腔室壁段116a的背向运送平面101e的表面上并且与所述运送平面101e具有间距123a。
第二边缘区域118b可将第二封盖开口122b包围。第二边缘区域118b此外可具有第二封盖支承面120b。该第二封盖支承面120b可以构成在第二腔室壁段116b 的背向运送平面101e的表面上并且与所述运送平面101e具有间距123b。在此,第二腔室壁段116b的背向运送平面101e的表面与所述运送平面101e的间距123b可以大于第一腔室壁段116a的背向运送平面101e的表面与所述运送平面101e的间距 123a。
第一封盖支承面120a可用于靠置第一腔室封盖202,并且第二封盖支承面120b 可用于靠置第二腔室封盖302。第一封盖支承面120a和第二封盖支承面120b显然可以是密封面,该密封面构造为与腔室封盖的密封面配合。
图2A和图2B图示出第一腔室封盖202和真空闸室100的区域的不同构造设计,第一腔室封盖202可以放置在所述区域中。
在示意性横剖视图中清楚示出了第一腔室壁段116a的区域。
根据不同的实施方式,第一封盖开口122a可以已经或者被利用第一腔室封盖 202遮盖。第一腔室封盖202可以构成为如下地与第一封盖开口122a配合,即,第一腔室封盖202可以将第一封盖开口122a真空密封地封闭。此外,第一腔室封盖 202可构成为,使得真空闸室100内部需抽真空的体积可以尽可能小。
根据不同的实施方式,第一腔室封盖202例如可具有第一板状的壁元件202p。此外,第一腔室封盖202优选可具有加强结构202v。该加强结构202v可具有许多加强元件,其中,示范性地示出了五个加强元件202v-1......202v-5。加强元件的数量可以在3至20的范围内。
如在图2A中图示出的那样,第一腔室封盖202的第一板状的壁元件202p可以靠置在第一封盖支承面120a上。优选在第一封盖支承面120a与第一板状的壁元件 202p之间可以设置第一密封元件204,从而在第一腔室封盖202相应地靠置到腔室壳体102的第一腔室壁段116a上时,所述第一腔室封盖202可将第一封盖开口122a 真空密封地封闭。第一密封元件204例如可具有唇形密封件或其它密封结构。
作为此外的可选方案,如例如在图2B中图示出的那样,第一腔室封盖202根据不同的实施方式此外可具有环绕的凸缘202k。在此,第一腔室封盖202可以构成为:使得所述环绕的凸缘202k可靠置在第一封盖支承面120a上并且在第一腔室封盖202相应地靠置到腔室壳体202的第一腔室壁段116a上时,第一板状的壁元件 202p可以至少部分延伸到第一封盖开口122a中。例如,第一腔室封盖202可以构成为:第一板状的壁元件202p的面向运送平面101e的表面与第一腔室壁段116a 的面向运送平面101e的表面能够基本上齐平。此外,优选在第一封盖支承面120a 与环绕的凸缘202k之间可以设置有第一密封元件204,使得在第一腔室封盖202 相应地靠置到腔室壳体202的第一腔室壁段116a上时,所述第一腔室封盖202能够将第一封盖开口122a真空密封地封闭。
图3图示出了第二腔室封盖302和真空闸室100的区域的一种构造设计,第二腔室封盖302可以放置在所述区域中。
根据不同的实施方式,第二封盖开口122b可以已经或者被利用第二腔室封盖 302遮盖。第二腔室封盖302可以设置为如下地与第二封盖开口122b配合,即,第二腔室封盖302可以将第二封盖开口122b真空密封地封闭,并且在第二腔室封盖 302打开时可以接近活门设备。
根据不同的实施方式,第二腔室封盖302可具有第二板状的壁元件302p。在此,第二腔室封盖302可构成为,使得第二板状的壁元件302p可靠置在第二封盖支承面120b上。此外,优选在第二封盖支承面120b与第二腔室封盖302的第二板状的壁元件302p之间可设置有第二密封元件304。在此,第二密封元件304例如可具有或者是唇形密封件或其它密封结构。此外根据不同的实施方式,第二腔室封盖302 可具有填充结构302f。该填充结构302f可设置在第二板状的壁元件302p的面向运送平面101e的表面上并且为了减小真空闸室100内部需抽真空的体积能够在第二腔室壁段116b的区域中穿过第二封盖开口122b延伸。显然,填充结构302f可具有一个或多个填充体或者设置为使得减小真空闸室100的需抽真空的内部体积。
根据不同的实施方式,第二腔室封盖302可构成为:在取下该第二腔室封盖302 时能够自由地接近第一活门设备112。因此例如可以在第一活门设备112上进行维修作业。当利用第二腔室封盖302将第二封盖开口122b封闭时,能够借助填充结构302f减小真空闸室100内部需抽真空的体积。
图4图示出了根据不同实施方式的真空闸室100的示意图。
腔室壳体102可具有第三腔室侧壁404a和第四腔室侧壁404b。第四腔室侧壁 404b可与第三腔室侧壁404a对置。第三腔室侧壁404a和第四腔室侧壁404b例如可以构造为板状的。根据不同的实施方式,第三腔室侧壁404a和第四腔室侧壁404b 优选可具有钢(例如优质钢、结构钢等等)或由钢构成。
根据不同的实施方式,第三腔室侧壁404a可具有第三外侧表面404o-1。该第三外侧表面404o-1在此背向真空闸室100的闸区117并且可位于与方向101和103 平行的第三平面中。根据不同的实施方式,第四腔室侧壁404b可具有第四外侧表面404o-2。该第四外侧表面404o-2在此背向真空闸室100的闸区117并且可位于与方向101和103平行的第四平面中。第三外侧表面404o-1与第四外侧表面404o-2 的间距例如限定真空闸室100的宽度115、明确地说是真空闸室100与方向105平行的空间延展。该真空闸室100的宽度115可以在约1m至约5m的范围内。
根据不同的实施方式,第三腔室侧壁404a可具有至少一个真空泵开口406。此外,第四腔室侧壁404b可具有至少一个真空泵开口406。所述至少一个真空泵开口 406可用于借助真空泵408将腔室壳体102抽真空。
真空泵开口406可构成为:使得可以借助前级真空泵、例如螺杆泵和/或借助高真空泵、例如涡轮分子泵通过真空泵开口406对真空闸室100进行泵吸(换言之:抽真空)。
在此,所述至少一个真空泵开口406可分别由连接法兰410包围,以便将真空泵408与腔室壳体102连接。在此,所述至少一个真空泵开口406的直径403优选可大于腔室底壁114与第一腔室壁段116a的间距413。所述至少一个真空泵开口 406的直径403例如可以基本上与真空泵408的吸入开口的直径或连接管的直径相符。可任意适当地选择真空泵408。
根据不同的实施方式,腔室底壁114在相应的连接法兰410的区域中可具有空隙或凹深部402。腔室底壁114的空隙或凹深部402可构成为:腔室底壁114不遮盖真空泵开口406。例如,所述空隙或凹深部402可具有沿着方向105的大于例如 10cm的宽度。由此可以保证真空泵408在腔室壳体102中的高效泵干预 (Pumpzugriff)。由此能够尽可能高效地将真空闸室100的闸区117抽真空。
图5图示出根据不同实施方式的真空闸室100的示意图。
根据不同的实施方式,运送设备108可具有许多可转动地支承的运送辊,其中示范性地示出了六个运送辊506-1......506-6。可转动地支承的运送辊506-1...506-6 的相应的旋转轴线可垂直于方向101、103定向。可转动地支承的运送辊 506-1......506-6可分别具有在约4cm至约8cm的范围内的直径、例如在约4cm至约 6cm的范围内。可转动地支承的运送辊506-1......506-6的各旋转轴线的相应间距可小于需运送的基材110的基材长度的一半(沿着运送方向测量)。运送方向垂直于可旋转地支承的运送辊506-1......506-6的旋转轴线,其中,所述可转动地支承的运送辊506-1......506-6的旋转方向限定运送方向。根据不同的实施方式,在可转动地支承的运送辊506-1......506-6之间的相应的中间空隙中可分别设置有多个填充体,以减小真空闸室100内部需抽真空的体积。示范性地示出了五个填充体 508-1......508-5。
根据不同的实施方式,真空闸室100可构成为:使得第一腔室封盖202沿着运送方向可以比第二腔室封盖302具有更大的空间延展。例如,第一腔室封盖202至少沿着方向101测量可以是第二腔室封盖302的五倍长。
根据不同的实施方式,真空闸室100此外可具有第二活门设备502。该第二活门设备502能够可运动地(例如可枢转地)装配在腔室壳体102外部。第二活门设备502可设置为:借助于该第二活门设备502可将第一闸口106a遮盖。第二活门设备502例如可具有翻板活门,其具有真空闸室100外部的附加的枢转区域504。作为此外的可选方案,第二活门设备502可具有一个或者多个其它活门类型。
根据不同的实施方式,另外的填充体可安装在腔室壳体102上,以减少真空闸室100内部的体积。如在图5中图示出的那样,例如可以在腔室壁104c上以及第二腔室侧壁104b上相应设置有另外的填充体510。
图6图示出了真空处理设备600的示意性横剖视图。
真空处理设备600可具有用于对基材110进行处理的至少一个处理室600p。此外,真空处理设备600可具有第一真空闸室600s-1。该第一真空闸室600s-1可以与所述至少一个处理室600p真空技术地连接,使得可以穿过第二闸口106将基材110 从第一真空闸室600s-1运送到所述至少一个处理室600p中,以便将基材110移入真空处理设备600中。此外,真空处理设备600可具有第二真空闸室600s-2。该第二真空闸室600s-2可以与所述至少一个处理室600p真空技术地连接,使得可以穿过第二闸口106b将基材110从所述至少一个处理室600p运送到第二真空闸室 600s-2中,以便将基材110从真空处理设备600中移出。
根据不同的实施方式,第一真空闸室600s-1和第二真空闸室600s-2构成为如在这里参照真空闸室100所说明的那样。
如在图6中图示出的那样,真空处理设备600此外可具有多个处理室600p。在此,第一真空闸室600s-1可与沿着运送方向观察的第一处理室600p真空技术地连接。此外,第二真空闸室600s-2可与沿着运送方向观察最后的处理室600p如前所述的那样真空技术地连接。
根据不同的实施方式,真空处理设备600可具有与第一真空闸室600s-1连接的第一真空泵组件和与第一真空闸室600s-1连接的第一供气装置。第一真空泵组件可设置为:可以循环地将第一真空闸室600s-1抽真空,以便将基材110移入真空处理设备600中。第一供气装置可设置为:可以循环地将气体(例如周围空气、经净化的空气或者其它气体)注入第一真空闸室600s-1,以便将基材110移入真空处理设备600中。以类似的方式,真空处理设备600根据不同实施方式可具有与第二真空闸室600s-2连接的第二真空泵组件以及与第二真空闸室600s-2连接的第二供气装置。第二真空泵组件可以设置为:可循环地将第二真空闸室600s-2抽真空,以便将基材110从真空处理设备600中移出。第二供气装置可以设置为:可以循环地将气体(例如周围空气、经净化的空气或其它气体)注入第二真空闸室600s-2,以便将基材110从真空处理设备600中移出。
下面对与上述说明内容和附图中示出内容相关的各种实例进行说明。
实例1是真空闸室100,其具有:腔室壳体102,该腔室壳体具有带第一闸口 106a的第一腔室侧壁104a和带第二闸口106b的第二腔室侧壁104b,该第二腔室侧壁与第一腔室侧壁104a对置;运送设备108,该运送设备用于在第一闸口106a 与第二闸口106b之间的运送区域内部的运送平面101e中运送基材110;和第一活门设备112,该第一活门设备可运动地装配在腔室壳体102内部并且设置为可以借助第一活门设备112将第二闸口106b遮盖;其中,腔室壳体102此外具有:腔室底壁114,该腔室底壁在运送设备108的第一侧从第一腔室侧壁104a延伸到第二腔室侧壁104b;第一腔室壁段116a和第二腔室壁段116b,该第一腔室壁段和第二腔室壁段设置在运送设备108的与第一侧对置的第二侧,其中,第一腔室壁段116a 与运送平面101e具有第一间距103a地设置、与第一腔室侧壁104a接界和具有第一封盖开口122a,并且第二腔室壁段116b与运送平面101e具有第二间距103a地设置、与第二腔室侧壁104b接界和具有第二封盖开口122b。
在此,第二间距103b可大于第一间距103a。如在本文说明的那样,第一间距 103a可以是第一腔室壁段116a的面向运送平面101e的表面与所述运送平面101e 的间距。如在本文说明的那样,第二间距103b可以是第二腔室壁段116b的面向运送平面101e的表面与所述运送平面101e的间距。
在实例2中,根据实例1所述的真空闸室100此外可具有用于将第一封盖开口 122a遮盖的第一腔室封盖202和用于将第二封盖开口122b遮盖的第二腔室封盖 302。
在实例3中,根据实例2所述的真空闸室100此外可以如下设计:第一腔室封盖202具有第一板状的壁元件202p,其用于遮盖第一封盖开口122a;并且第一腔室封盖202优选具有带多个加强元件的加强结构202v,所述加强元件用于加强第一板状的壁元件202p。
在实例4中,根据实例3所述的真空闸室100此外可以如下设计:第一腔室壁段116a具有第一边缘区域118a,该第一边缘区域将第一封盖开口122a包围;并且第一板状的壁元件202p靠置在第一腔室壁段116a的第一边缘区域118a上;并且优选至少一个第一密封元件204设置在第一腔室壁段116a的第一边缘区域118a与第一腔室封盖202的第一板状的壁元件202p之间。
在实例5中,根据实例3所述的真空闸室100此外可以如下设计:第一腔室壁段116a具有第一边缘区域118a,该第一边缘区域将第一封盖开口122a包围;并且第一腔室封盖202的第一板状的壁元件202p具有环绕的凸缘202k,该环绕的凸缘靠置在第一腔室壁段116a的第一边缘区域118a上;并且优选至少一个第一密封元件204设置在第一腔室壁段116a的第一边缘区域118a与环绕的凸缘202k之间。
在实例6中,根据实例5所述的真空闸室100此外可以设计如下:第一板状的壁元件202p和环绕的凸缘202k构成为:第一板状的壁元件202p至少部分延伸到第一封盖开口122a中。
在实例7中,根据实例2至6之任一个所述的真空闸室100此外可以如下设计:第二腔室封盖302具有第二板状的壁元件302p,其用于遮盖第二封盖开口122b;并且第二腔室壁段116b具有第二边缘区域118b,该第二边缘区域将第二封盖开口 122b包围;并且第二腔室封盖302的第二板状的壁元件302p靠置在第二腔室壁段 116b的第二边缘区域118b;并且优选至少一个第二密封元件304设置在第二腔室壁段116b的第二边缘区域118b与第二腔室封盖302的第二板状的壁元件302p之间。
在实例8中,根据实例7所述的真空闸室100此外可以设计如下:第二腔室封盖302具有填充结构302f,该填充结构设置在第二腔室封盖302的第二板状的壁元件302p上并且穿过第二封盖开口122b延伸,以便减小腔室壳体102的需抽真空的体积。
在实例9中,根据实例2至8之任一个所述的真空闸室100此外可以设计如下:运送设备108限定运送方向,其中,第一腔室封盖202沿着运送方向比第二腔室封盖302具有更大的空间延展,其中,第一腔室封盖202沿着运送方向是第二腔室封盖302的至少五倍长。
在实例10中,根据实例1至9之任一个所述的真空闸室100此外可以设计如下:腔室壳体102此外具有第三腔室侧壁404a以及与该第三腔室侧壁404a对置的第四腔室侧壁404b,其中,第三腔室侧壁404a具有至少一个真空泵开口406,该真空泵开口用于借助真空泵408将腔室壳体102抽真空,和/或第四腔室侧壁404b 具有至少一个真空泵开口406,该真空泵开口用于借助真空泵408将腔室壳体102 抽真空。
在实例11中,根据实例10所述的真空闸室此外可以设计如下:腔室底壁114 在所述至少一个真空泵开口406的区域中具有空隙或凹深部402,从而借助该空隙或凹深部402能够进行到腔室壳体102中的泵干预,并且优选所述至少一个真空泵开口406的直径大于腔室底壁114与第一腔室壁段116a的间距413。
在实例12中,根据实例1至11之任一个所述的真空闸室100此外可以设计如下:运送设备108限定运送方向,第一封盖开口122a沿着运送方向比第二封盖开口122b具有更大的开口尺寸,第一封盖开口122a的开口尺寸沿着运送方向是第二封盖开口122b的开口尺寸的至少五倍大。
在实例13中,根据实例1至12之任一个所述的真空闸室100此外可具有第二活门设备502,该第二活门设备可运动地装配在腔室壳体102外部并且设置为:可以借助该第二活门设备502将第一闸口106a遮盖。
在实例14中,根据实例1至13之任一个所述的真空闸室100此外可以设计如下:第一活门设备112具有或者是翻板活门。
实例15是真空处理设备600,其具有:用于处理基材110的至少一个处理室600p;和根据实例1至14之任一个所述的第一真空闸室600s-1,该第一真空闸室与所述至少一个处理室600p真空技术地连接,从而可以将基材110穿过第二闸口 106b从第一真空闸室600s-1运送到所述至少一个处理室600p中,以便将基材110 移入真空处理设备600中;和/或根据实例1至14之任一个所述的第二真空闸室 600s-2,该第二真空闸室与所述至少一个处理室600p真空技术地连接,从而可以将基材110穿过第二闸口106b从所述至少一个处理室600p运送到第二真空闸室 600s-2中,以便将基材110从真空处理设备600中移出。
在实例16中,根据实例15所述的真空闸室600此外可具有:与第一真空闸室 600s-1连接的第一真空泵组件以及与第一真空闸室600s-1连接的第一供气装置,该第一供气装置设置为:可以将第一真空闸室600s-1循环地抽真空和将气体注入,以便将基材110移入真空处理设备600中;或者与第二真空闸室600s-2连接的第二真空泵组件以及与第二真空闸室600s-2连接的第二供气装置,该第二供气装置设置为:可以将第二真空闸室600s-2循环地抽真空和将气体注入,以便将基材110从真空处理设备600中移出。
在实例17中,真空闸室100此外可具有:腔室壳体102,该腔室壳体具有带第一闸口106a的第一腔室侧壁104a和带第二闸口106b的第二腔室侧壁104b,该第二腔室侧壁与第一腔室侧壁104a对置;和第一活门设备112,该第一活门设备可运动地装配在腔室壳体102内部并且设置为:可以借助第一活门设备112将第二闸口 106b遮盖;其中,腔室壳体102此外具有:腔室底壁114,该腔室底壁从第一腔室侧壁104a延伸到第二腔室侧壁104b;第一腔室壁段116a和第二腔室壁段116b,该第一腔室壁段和第二腔室壁段与腔室底壁114对置,其中,第一腔室壁段116a与腔室底壁114具有第三间距113a地设置、与第一腔室侧壁104a接界和具有第一封盖开口122a,并且第二腔室壁段116b与腔室底壁114具有第四间距113b设置、与第二腔室侧壁104b接界和具有第二封盖开口122b。
在此,第四间距113b可大于第三间距113a。如在本文说明的那样,第三间距 113a可以是第一腔室壁段116a的面向腔室底壁114的表面与所述腔室底壁114的间距。如在本文说明的那样,第四间距113b可以是第二腔室壁段116b的面向腔室底壁114的表面与所述腔室底壁114的间距。
根据不同的实施方式,运送平面101e与腔室底壁114的间距可以在约5cm至约12cm的范围内。因此第一腔室壁段116a与腔室底壁114的第三间距113a可以在约7cm至约14cm的范围内。
Claims (21)
1.真空闸室(100),其具有:
·腔室壳体(102),该腔室壳体具有带第一闸口(106a)的第一腔室侧壁(104a)和带第二闸口(106b)的第二腔室侧壁(104b),该第二腔室侧壁与第一腔室侧壁(104a)对置;
·运送设备(108),该运送设备用于在第一闸口(106a)与第二闸口(106b)之间的运送区域内部的运送平面(101e)中运送基材(110);和
·第一活门设备(112),该第一活门设备可运动地装配在腔室壳体(102)内部并且设置为:能够借助该第一活门设备(112)将第二闸口(106b)遮盖;
其特征在于:腔室壳体(102)还具有:
腔室底壁(114),该腔室底壁在运送设备(108)的第一侧从第一腔室侧壁(104a)延伸到第二腔室侧壁(104b),
第一腔室壁段(116a)和第二腔室壁段(116b),该第一腔室壁段和第二腔室壁段设置在运送设备(108)的与第一侧对置的第二侧,其中,第一腔室壁段(116a)与运送平面(101e)具有第一间距(103a)地设置、与第一腔室侧壁(104a)接界并且具有第一封盖开口(122a),并且第二腔室壁段(116b)与运送平面(101e)具有第二间距(103b)地设置、与第二腔室侧壁(104b)接界并且具有第二封盖开口(122b),其中,第二间距(103b)大于第一间距(103a)。
2.根据权利要求1所述的真空闸室,其特征在于:所述真空闸室还具有用于将第一封盖开口(122a)遮盖的第一腔室封盖(202)和用于将第二封盖开口(122b)遮盖的第二腔室封盖(302)。
3.根据权利要求2所述的真空闸室,其特征在于:
第一腔室封盖(202)具有第一板状的壁元件(202p),该第一板状的壁元件用于将第一封盖开口(122a)遮盖。
4.根据权利要求3所述的真空闸室,其特征在于:
第一腔室封盖(202)具有加强结构(202v),该加强结构具有多个用于对第一板状的壁元件(202p)进行加强的加强元件。
5.根据权利要求3所述的真空闸室,其特征在于:
第一腔室壁段(116a)具有第一边缘区域(118a),该第一边缘区域将第一封盖开口(122a)包围,并且所述第一板状的壁元件(202p)靠置在第一腔室壁段(116a)的第一边缘区域(118a)上。
6.根据权利要求5所述的真空闸室,其特征在于:
至少一个第一密封元件(204)设置在第一腔室壁段(116a)的第一边缘区域(118a)与第一腔室封盖(202)的第一板状的壁元件(202p)之间。
7.根据权利要求3所述的真空闸室,其特征在于:
第一腔室壁段(116a)具有第一边缘区域(118a),该第一边缘区域将第一封盖开口(122a)包围,并且第一腔室封盖(202)的第一板状的壁元件(202p)具有环绕的凸缘(202k),该环绕的凸缘靠置在第一腔室壁段(116a)的第一边缘区域(118a)上。
8.根据权利要求7所述的真空闸室,其特征在于:
在第一腔室壁段(116a)的第一边缘区域(118a)与环绕的凸缘(202k)之间设置有至少一个第一密封元件(204)。
9.根据权利要求7所述的真空闸室,其特征在于:所述第一板状的壁元件(202p)和环绕的凸缘(202k)构成为:所述第一板状的壁元件(202p)至少部分地延伸到第一封盖开口(122a)中。
10.根据权利要求2至9之任一项所述的真空闸室,其特征在于:
第二腔室封盖(302)具有第二板状的壁元件(302p),该第二板状的壁元件用于将第二封盖开口(122b)遮盖,并且
第二腔室壁段(116b)具有第二边缘区域(118b),该第二边缘区域将第二封盖开口(122b)包围,并且第二腔室封盖(302)的第二板状的壁元件(302p)靠置在第二腔室壁段(116b)的第二边缘区域(118b)上。
11.根据权利要求10所述的真空闸室,其特征在于:
在第二腔室壁段(116b)的第二边缘区域(118b)与第二腔室封盖(302)的第二板状的壁元件(302p)之间设置有至少一个第二密封元件(304)。
12.根据权利要求10所述的真空闸室,其特征在于:第二腔室封盖(302)具有填充结构(302f),该填充结构设置在第二腔室封盖(302)的第二板状的壁元件(302p)上并且穿过第二封盖开口(122b)延伸,以减小腔室壳体(102)的需抽真空的体积。
13.根据权利要求2至9之任一项所述的真空闸室,其特征在于:
运送设备(108)限定运送方向,其中,第一腔室封盖(202)沿着运送方向比第二腔室封盖(302)具有更大的空间延展,并且
第一腔室封盖(202)沿着运送方向是第二腔室封盖(302)的至少五倍长。
14.根据权利要求1至9之任一项所述的真空闸室,其特征在于:所述腔室壳体(102)还具有第三腔室侧壁(404a)以及与该第三腔室侧壁(404a)对置的第四腔室侧壁(404b),其中,所述第三腔室侧壁(404a)具有至少一个真空泵开口(406),所述真空泵开口用于借助真空泵(408)将腔室壳体(102)抽真空,和/或所述第四腔室侧壁(404b)具有至少一个真空泵开口(406),所述真空泵开口用于借助真空泵(408)将腔室壳体(102)抽真空。
15.根据权利要求14所述的真空闸室,其特征在于:
腔室底壁(114)在所述至少一个真空泵开口(406)的区域中具有空隙或凹深部(402),借助该空隙或凹深部(402)能够进行到腔室壳体(102)中的泵干预。
16.根据权利要求15所述的真空闸室,其特征在于:
所述至少一个真空泵开口(406)的直径大于腔室底壁(114)与第一腔室壁段(116a)的间距(413)。
17.根据权利要求1至9之任一项所述的真空闸室,其特征在于:
运送设备(108)限定运送方向,其中,第一封盖开口(122a)沿着运送方向比第二封盖开口(122b)具有更大的开口尺寸,并且
第一封盖开口(122a)的开口尺寸沿着运送方向是第二封盖开口(122b)的开口尺寸的至少五倍大。
18.根据权利要求1至9之任一项所述的真空闸室,其特征在于:所述真空闸室还具有:第二活门设备(502),该第二活门设备可运动地装配在腔室壳体(102)外部并且设置为:能够借助该第二活门设备(502)将第一闸口(106a)遮盖。
19.根据权利要求1至9之任一项所述的真空闸室,其特征在于:第一活门设备(112)具有或者是翻板活门。
20.真空闸室(100),其具有:
·腔室壳体(102),该腔室壳体具有带第一闸口(106a)的第一腔室侧壁(104a)和带第二闸口(106b)的第二腔室侧壁(104b),该第二腔室侧壁与第一腔室侧壁(104a)对置;和
·第一活门设备(112),该第一活门设备可运动地装配在腔室壳体(102)内部并且设置为:能够借助该第一活门设备(112)将第二闸口(106b)遮盖;
其特征在于:所述腔室壳体(102)还具有:
腔室底壁(114),该腔室底壁从第一腔室侧壁(104a)延伸到第二腔室侧壁(104b),
第一腔室壁段(116a)和第二腔室壁段(116b),该第一腔室壁段和第二腔室壁段与腔室底壁(114)对置,其中,第一腔室壁段(116a)与腔室底壁(114)具有第三间距(113a)地设置、与第一腔室侧壁(104a)接界并且具有第一封盖开口(122a),并且第二腔室壁段(116b)与腔室底壁(114)具有第四间距(113b)地设置、与第二腔室侧壁(104b)接界并且具有第二封盖开口(122b),其中,第四间距(113b)大于第三间距(113a)。
21.真空处理设备(600),其特征在于:所述真空处理设备具有:
至少一个处理室(600p),所述处理室用于对基材(110)进行处理;和
第一根据权利要求1至20之任一项所述的真空闸室,该第一真空闸室与所述至少一个处理室(600p)真空技术地连接,使得能够穿过第二闸口(106b)将基材(110)从第一真空闸室运送到所述至少一个处理室(600p)中,以便将基材(110)移入真空处理设备(600)中;和/或
第二根据权利要求1至20之任一项所述的真空闸室,该第二真空闸室与所述至少一个处理室(600p)真空技术地连接,使得能够穿过第二闸口(106b)将基材(110)从所述至少一个处理室(600p)中运送到第二真空闸室中,以便将基材(110)从真空处理设备(600)中移出。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102018106054.8A DE102018106054B4 (de) | 2018-03-15 | 2018-03-15 | Vakuumschleusenkammer und Vakuumprozessieranlage |
DE102018106054.8 | 2018-03-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN210458359U true CN210458359U (zh) | 2020-05-05 |
Family
ID=67774780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201920323159.5U Active CN210458359U (zh) | 2018-03-15 | 2019-03-14 | 真空闸室和真空处理设备 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN210458359U (zh) |
DE (1) | DE102018106054B4 (zh) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112006002804A5 (de) | 2005-11-21 | 2008-09-04 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Trenneinrichtung für Prozesskammern von Vakuumbeschichtungsanlagen und Vakuumbeschichtungsanlage |
DE102006008976A1 (de) | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vakuumbeschichtungsanlage mit je einer Sputtereinrichtung für die Oberseitenbeschichtung und für die Unterseitenbeschichtung |
-
2018
- 2018-03-15 DE DE102018106054.8A patent/DE102018106054B4/de active Active
-
2019
- 2019-03-14 CN CN201920323159.5U patent/CN210458359U/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102018106054A1 (de) | 2019-09-19 |
DE102018106054B4 (de) | 2022-08-25 |
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GR01 | Patent grant | ||
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