CN101312114B - 浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，具体步骤为：(1)在整批硅片进入湿法处理槽之前，将装硅片的片盒放置于所述旋转台上，使片盒的中心与所述旋转台的旋转轴对准，而后由所述机械手将位于片盒中的奇数位置或偶数位置的硅片取出；(2)将所述旋转台水平旋转180度，使旋转台上的所述片盒中的硅片旋转180度；(3)将步骤(1)中由所述机械手取出的硅片重新放入片盒中，使相邻两硅片处于正面对正面、背面对背面的方式，送入湿法处理槽中。从而避免了现有技术中存在的硅片背面所携带的颗粒或杂质沾污到硅片正面的情况，降低了浸入式湿法清洗处理或浸入式湿法刻蚀处理后硅片的沾污，有效提高制造芯片的成品率。
Description
本发明要解决的技术问题是提供一种浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，它可以有效减少浸入式湿法工艺处理后硅片背面的颗粒对硅片正面的沾污。
为解决上述技术问题，本发明的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，利用在整批硅片进入湿法处理槽之前，将硅片的放置方式调整为相邻硅片的正面对正面，背面对背面的放置方式，该方法是通过一硅片翻转装置完成的，所述硅片翻转装置包括一机械手和一旋转台，具体步骤为：
(1)在整批硅片进入湿法处理槽之前，将装硅片的片盒放置于所述旋转台上，使片盒的中心与所述旋转台的旋转轴对准，而后由所述机械手将位于片盒中的奇数位置或偶数位置的硅片取出；
(2)将所述旋转台水平旋转180度，使旋转台上的所述片盒中的硅片旋转180度；
(3)将步骤(1)中由所述机械手取出的硅片重新放入片盒中，使相邻两硅片处于正面对正面、背面对背面的方式，送入湿法处理槽中。
本发明的浸入式湿法工艺中防止背面沾污的方法，采用了使同一批次的硅片在进入湿法处理槽之前，相邻硅片为正面相对或对面相对的方法，使得原有的硅片背面的颗粒或者沾污不直接对着硅片的正面，从而避免了现有技术中存在的硅片背面所携带的颗粒或杂质沾污到硅片正面的情况，降低了浸入式湿法清洗处理或浸入式湿法刻蚀处理后硅片的沾污，有效提高芯片的成品率。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是现有技术中一批次硅片的放置方式；
图2是本发明的一具体实施步骤示意图；
图3是实施本发明后硅片放置截面示意图；
图4是现有技术中硅片放置方式清洗后的缺陷示意图；
图5是实施本发明的硅片放置方式清洗后的缺陷示意图。
具体实施方式
图2给出了本发明的一具体实施例，在进行浸入式湿法工艺处理过程中，本发明的方法可通过一硅片翻转装置来完成，该硅片翻转装置包括一机械手和一旋转台，其工艺处理过程为：(1)在整批硅片进入湿法清洗槽之前，将装硅片2的片盒1放置于旋转台上，使片盒的中心与所述旋转台的旋转轴对准，先由机械手将位于片盒中的奇数位置或偶数位置的硅片取出(见图2a)；(2)将旋转台水平旋转180度，使旋转台上的片盒中的硅片旋转180度(见图2b)；(3)再将步骤(1)中由机械手取出的硅片重新放入片盒中(见图2c和图2d)，使相邻两硅片为正面3相对或背面4相对(见图2e和图3)，再送入湿法处理槽中进行湿法处理。通过这样的方式，从而避免了硅片背面携带的颗粒或杂质粘污到硅片的正面，提高清洗的效率。在湿法处理完后，可进一步根据具体工艺的需要，利用上述硅片翻转装置，重复步骤(1)至(3)将硅片还原为正常的放置方式，即硅片正面朝一个方向放置。
图5是应用本发明的硅片正面相对放置清洗后的缺陷图，图中硅片上的黑点为扫描检测到的缺陷标记，大方框标注为对准标记。图4为现有技术中硅片正面朝一个方向放置清洗后的缺陷图，两图相比，可知利用本发明后进行湿法处理所得的硅片上的缺陷明显减少。
上面所述的硅片翻转装置可以进行独立安装，也可以安装于湿法工艺设备的投入端和取出端，将硅片翻转装置集成到湿法设备中的，在该设备作业过程中先进行硅片面对面翻转，再进行工艺处理，处理完成后再通过相同步骤将硅片设置为正常放置方式。本发明的方法可以应用到多种湿法槽式工艺中，如离子注入后的去胶工艺，刻蚀后的去胶和清洗工艺。本发明还可应用到湿法刻蚀工艺中，以减少刻蚀过程中硅片背面携带的颗粒或杂质粘污到硅片的正面，其操作步骤同上。
Claims (6)
1.一种浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：在整批硅片进入湿法处理槽之前，将硅片的放置方式调整为相邻硅片正面对正面，背面对背面的放置方式，该方法是通过一硅片翻转装置完成的，所述硅片翻转装置包括一机械手和一旋转台，具体步骤为：
(1)在整批硅片进入湿法处理槽之前，将装硅片的片盒放置于所述旋转台上，使片盒的中心与所述旋转台的旋转轴对准，而后由所述机械手将位于片盒中的奇数位置或偶数位置的硅片取出；
(2)将所述旋转台水平旋转180度，使旋转台上的所述片盒中的硅片旋转180度；
(3)将步骤(1)中由所述机械手取出的硅片重新放入片盒中，使相邻两硅片处于正面对正面、背面对背面的方式，送入湿法处理槽中。
2.按照权利要求1所述的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述硅片翻转装置集成安装于湿法工艺设备的投入端和取出端。
3.按照权利要求1至2中任一权利要求所述的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述的浸入式湿法工艺为湿法清洗工艺。
4.按照权利要求1至2中任一权利要求所述的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述的浸入式湿法工艺为湿法刻蚀工艺。
5.按照权利要求1至2中任一权利要求所述的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述的浸入式湿法工艺为离子注入后的去胶工艺。
6.按照权利要求1至2中任一权利要求所述的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述的浸入式湿法工艺为刻蚀后的去胶工艺。
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| CN112038230A (zh) * | 2020-11-05 | 2020-12-04 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种半导体外延结构及其制备方法 |
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| EP0526245B1 (en) * | 1991-07-31 | 1995-07-12 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | An automatic cleaning apparatus for wafers |
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2007
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