CN101312114A - 浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法 - Google Patents
浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101312114A CN101312114A CNA2007100412425A CN200710041242A CN101312114A CN 101312114 A CN101312114 A CN 101312114A CN A2007100412425 A CNA2007100412425 A CN A2007100412425A CN 200710041242 A CN200710041242 A CN 200710041242A CN 101312114 A CN101312114 A CN 101312114A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon chip
- immersion type
- type wet
- contaminating
- wet method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，采用在整批硅片进入湿法处理槽之前，将硅片的放置方式调整为相邻硅片的正面对正面，背面对背面的放置方式，使得原有的硅片背面的颗粒或者沾污不直接对着硅片的正面，从而避免了现有技术中存在的硅片背面所携带的颗粒或杂质沾污到硅片正面的情况，降低了浸入式湿法清洗处理或浸入式湿法刻蚀处理后硅片的沾污，有效提高制造芯片的成品率。本发明可广泛应用于浸入式湿法清洗工艺和浸入式湿法刻蚀工艺中。
Description
技术领域
本发明涉及一种浸入式湿法工艺中的操作方法，特别是指浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法
背景技术
在集成电路制造中，为使芯片上的器件功能正常，避免硅片制造中的沾污是绝对必要的。而且，随着器件关键尺寸缩小，对沾污的控制要求变得越来越严格。控制沾污最有效途径是防止沾污硅片，一旦硅片表面被沾污，沾污物必须通过清洗而排除。硅片清洗的目标是去除所有表面沾污：颗粒、有机物、金属和自然氧化层。贯穿整个集成电路制造工艺，单个硅片表面要清洗上百次。浸入式湿法清洗工艺由于具有稳定性高，产能高，均一性和选择性高的特点，得到广泛的应用。但是随着器件线宽的减小，生产中对颗粒沾污的要求也在不断的提高。因现有的浸入式湿法工艺中，同一批次的硅片正面都朝一个方向放置，即相邻两硅片，一硅片的正面和相邻另一硅片的背面相对放置(见图1)。在一些工艺中有可能对硅片的背面产生颗粒或沾污，如果后续为浸入式的湿法清洗工艺或浸入式湿法刻蚀工艺，这时背面所粘附的颗粒就有可能影响到硅片正面的颗粒状况。在一些生产线上使用单片作业的方式来避免这种情况，但是相应的生产成本和时间就大大提高了，不符合工业化生产的要求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，它可以有效减少浸入式湿法工艺处理后硅片背面的颗粒对硅片正面的沾污。
为解决上述技术问题，本发明的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，利用在整批硅片进入湿法处理槽之前，将硅片的放置方式调整为相邻硅片的正面对正面，背面对背面的放置方式。
本发明的浸入式湿法工艺中防止背面沾污的方法，采用了使同一批次的硅片在进入湿法处理槽之前，相邻硅片为正面相对或对面相对的方法，使得原有的硅片背面的颗粒或者沾污不直接对着硅片的正面，从而避免了现有技术中存在的硅片背面所携带的颗粒或杂质沾污到硅片正面的情况，降低了浸入式湿法清洗处理或浸入式湿法刻蚀处理后硅片的沾污，有效提高芯片的成品率。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是现有技术中一批次硅片的放置方式；
图2是本发明的一具体实施步骤示意图；
图3是实施本发明后硅片放置截面示意图；
图4是现有技术中硅片放置方式清洗后的缺陷示意图；
图5是实施本发明的硅片放置方式清洗后的缺陷示意图。
具体实施方式
图2给出了本发明的一具体实施例，在进行浸入式湿法工艺处理过程中，本发明的方法可通过一硅片翻转装置来完成，该硅片翻转装置包括一机械手和一旋转台，其工艺处理过程为：(1)在整批硅片进入湿法清洗槽之前，将装硅片2的片盒1放置于旋转台上，使片盒的中心与所述旋转台的旋转轴对准，先由机械手将位于片盒中的奇数位置或偶数位置的硅片取出(见图2a)；(2)将旋转台水平旋转180度，使旋转台上的片盒中的硅片旋转180度(见图2b)；(3)再将步骤(1)中由机械手取出的硅片重新放入片盒中(见图2c和图2d)，使相邻两硅片为正面3相对或背面4相对(见图2e和图3)，再送入湿法处理槽中进行湿法处理。通过这样的方式，从而避免了硅片背面携带的颗粒或杂质粘污到硅片的正面，提高清洗的效率。在湿法处理完后，可进一步根据具体工艺的需要，利用上述硅片翻转装置，重复步骤(1)至(3)将硅片还原为正常的放置方式，即硅片正面朝一个方向放置。
图5是应用本发明的硅片正面相对放置清洗后的缺陷图，图中硅片上的黑点为扫描检测到的缺陷标记，大方框标注为对准标记。图4为现有技术中硅片正面朝一个方向放置清洗后的缺陷图，两图相比，可知利用本发明后进行湿法处理所得的硅片上的缺陷明显减少。
上面所述的硅片翻转装置可以进行独立安装，也可以安装于湿法工艺设备的投入端和取出端，将硅片翻转装置集成到湿法设备中的，在该设备作业过程中先进行硅片面对面翻转，再进行工艺处理，处理完成后再通过相同步骤将硅片设置为正常放置方式。本发明的方法可以应用到多种湿法槽式工艺中，如离子注入后的去胶工艺，刻蚀后的去胶和清洗工艺。本发明还可应用到湿法刻蚀工艺中，以减少刻蚀过程中硅片背面携带的颗粒或杂质粘污到硅片的正面，其操作步骤同上。
Claims (7)
1、一种浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：在整批硅片进入湿法处理槽之前，将硅片的放置方式调整为相邻硅片正面对正面，背面对背面的放置方式。
2、按照权利要求1所述的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于，该方法是通过一硅片翻转装置完成的，所述硅片翻转装置包括一机械手和一旋转台，具体步骤为：
(1)在整批硅片进入湿法处理槽之前，将装硅片的片盒放置于所述旋转台上，使片盒的中心与所述旋转台的旋转轴对准，而后由所述机械手将位于片盒中的奇数位置或偶数位置的硅片取出；
(2)将所述旋转台水平旋转180度，使旋转台上的所述片盒中的硅片旋转180度；
(3)将步骤(1)中由所述机械手取出的硅片重新放入片盒中，使相邻两硅片处于正面对正面、背面对背面的方式，送入湿法处理槽中。
3、按照权利要求2所述的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述硅片翻转装置集成安装于湿法工艺设备的投入端和取出端。
4、按照权利要求1至3中任一权利要求所述的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述的浸入式湿法工艺为湿法清洗工艺。
5、按照权利要求1至3中任一权利要求所述的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述的浸入式湿法工艺为湿法刻蚀工艺。
6、按照权利要求1至3中任一权利要求所述的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述的浸入式湿法工艺为离子注入后的去胶工艺。
7、按照权利要求1至3中任一权利要求所述的浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法，其特征在于：所述的浸入式湿法工艺为刻蚀后的去胶工艺。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007100412425A CN101312114B (zh) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | 浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007100412425A CN101312114B (zh) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | 浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101312114A true CN101312114A (zh) | 2008-11-26 |
| CN101312114B CN101312114B (zh) | 2010-08-11 |
Family
ID=40100681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007100412425A Active CN101312114B (zh) | 2007-05-25 | 2007-05-25 | 浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101312114B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112038230A (zh) * | 2020-11-05 | 2020-12-04 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种半导体外延结构及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5317778A (en) * | 1991-07-31 | 1994-06-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Automatic cleaning apparatus for wafers |
| CN1455435A (zh) * | 2003-05-15 | 2003-11-12 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 金属线溅射膜的清洗工艺 |
-
2007
- 2007-05-25 CN CN2007100412425A patent/CN101312114B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101312114B (zh) | 2010-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102004010688B4 (de) | Bearbeitungseinrichtung, Bearbeitungsverfahren, Drucksteuerverfahren, Transportverfahren, und Transporteinrichtung | |
| US10539514B2 (en) | Substrate inspection method, computer storage medium and substrate inspection apparatus | |
| CN100468685C (zh) | 基板回收方法以及基板处理装置 | |
| US20070023683A1 (en) | Vacuum processing apparatus and vacuum processing method | |
| JP2009543344A (ja) | 液体メニスカスによるポストエッチウエハ表面洗浄 | |
| JPH1187458A (ja) | 異物除去機能付き半導体製造装置 | |
| KR19990078434A (ko) | 오염 방지 기능을 갖는 반도체 제조라인 | |
| KR102356945B1 (ko) | 리피터 결함 검출 | |
| US6368416B1 (en) | Method for validating pre-process adjustments to a wafer cleaning system | |
| TWI462164B (zh) | 清潔晶圓載盤的方法 | |
| CN101312114A (zh) | 浸入式湿法工艺中防止硅片背面沾污正面的方法 | |
| CN101656191B (zh) | 去除氮氧化硅膜的方法 | |
| TWM648870U (zh) | 一站式電漿製程系統 | |
| KR100595135B1 (ko) | 두 개의 웨이퍼 이송용 모듈을 갖는 웨이퍼 이송장치 | |
| US10199256B2 (en) | Methods and systems for improved mask processing | |
| CN112578637A (zh) | 承载台污染的改善方法及光刻机 | |
| KR101816853B1 (ko) | 하이브리드 접합 시스템 및 그 클리닝 방법 | |
| CN202601581U (zh) | 缺陷检测装置 | |
| CN101556931A (zh) | 晶舟 | |
| TWI840262B (zh) | 一站式電漿製程系統及其製程方法 | |
| JPH09120951A (ja) | 基板の液切り装置 | |
| WO2024095768A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理システム | |
| CN102023472B (zh) | 检测光罩的方法及利用其减少半导体产品返工率的方法 | |
| Park et al. | Simultaneous removal of particles from front and back sides by a single wafer backside megasonic system | |
| KR20150061172A (ko) | 평판표시장치 세정제 조성물 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Free format text: FORMER OWNER: HUAHONG NEC ELECTRONICS CO LTD, SHANGHAI Effective date: 20131216 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201206 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20131216 Address after: 201203 Shanghai city Zuchongzhi road Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 1399 Patentee after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation Address before: 201206 Jinqiao Road, Pudong New Area Jinqiao Export Processing Zone, Shanghai, 1188 Patentee before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd. |