CN101298558A - 一种氧化铕红光发光薄膜及其制备方法 - Google Patents
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- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 39
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 150000000918 Europium Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 37
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- GAGGCOKRLXYWIV-UHFFFAOYSA-N europium(3+);trinitrate Chemical group [Eu+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O GAGGCOKRLXYWIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NNMXSTWQJRPBJZ-UHFFFAOYSA-K europium(iii) chloride Chemical compound Cl[Eu](Cl)Cl NNMXSTWQJRPBJZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 abstract 2
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 abstract 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 5
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 and dry.Subsequently Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000005315 stained glass Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种氧化铕红光发光薄膜及其制备方法。在单晶硅衬底的一个侧面沉积有一层氧化铕红光发光薄膜。选择可溶性铕盐溶液为原料,利用三电极电化学池在单晶硅片上进行薄膜沉积。将三电极插入铕盐溶液,40-80℃下恒温30分钟。调节电压范围在-0.85V~-1.4V(vs Ag/AgCl/KCl参比电极)之间,沉积时间控制在20分钟~1小时。将得到的薄膜清洗并干燥。随后,将薄膜在800~1000℃下退火烧结30分钟-2小时。制备的发光薄膜均匀致密无开裂。该薄膜材料在616~619纳米处存在尖锐的红光发射光谱。本发明工艺方法简单、原料易得、成本低,能耗低,无毒,成膜均匀致密无开裂。
Description
技术领域
本发明涉及一种氧化铕红光发光薄膜及其制备方法。
背景技术
稀土元素具有未充满的受到外界屏蔽的4f5d电子组态,有丰富的电子能级和长寿命激发态,能级跃迁通道多达20余万个,可以产生多种多样的辐射吸收和发射,具有一般元素所无法比拟的光谱学性质,因此稀土发光材料的应用格外引人注目,可以作为优良的荧光,激光和电光源材料以及彩色玻璃、陶瓷的釉料。
用于彩色电视机及各类显示系统的荧光粉,目前主要使用纯度高于99.99%的荧光级氧化钇和氧化铕,以及少量氧化铽;稀土用于三基色节能荧光灯的荧光粉,具有高纯度、高显色性、高寿命等特点,与普通白炽灯相比可节电75%以上。
作为荧光粉的激活剂,氧化铕广泛应用于照明与显示领域,如彩色阴极射线管、计算机显示器、三基色荧光灯等。我国是世界上氧化铕储量及产量最大的国家,同时也是稀土荧光粉的生产大国和消费大国。近年来,国内外市场对大屏幕高清晰度彩电、高分辨率显示器、投影电视、高效节能灯等的需求迅速增长。到本世纪末,随着阴极射线管生产的增加,预计阴极射线管用稀土荧光粉的市场也将以每年3~5的速度增长。同时,随着节能灯市场的进一步拓开,灯用稀土荧光粉的需求量也将不断扩大,而这必将带动荧光级氧化铕的消耗量逐年递增。
氧化铕在稀土族元素中配分很低,因而生产工艺复杂。目前,除少数规模较大的稀土厂改为还原萃取法生产荧光级氧化铕,其他工厂仍用碱度法生产。因此氧化铕价格昂贵,致使红粉成本较高。目前的研究方向多是探索与优化纳米级稀土红色荧光粉的制备工艺,将稀土氧化物超细化、纳米化,同时尽量减少稀土用量或寻找廉价材料以代替红粉中昂贵的稀土原料。
相比之下,电化学镀膜方法制备氧化铕层是一种全新的制备方法。通过反应参数的调节,可以在基底材料上均匀生长氧化铕薄膜,既可以减少反应用料,又省去后续的涂敷工艺,大大降低生产成本。另外,电化学方法成膜均匀,沉积厚度可控,设备与操作简单、反应条件温和、环境污染小,是一种全新的、洁净、温和、环境友好的方法,这种方法目前尚未见报道。
发明内容
本发明的目的在于提出一种氧化铕红光发光薄膜及其制备方法,以可溶性铕盐溶液为原料,通过电化学方法在单晶硅片基底上沉积氧化铕薄膜,经高温退火得到氧化铕发光薄膜。
本发明采用的技术方案步骤如下:
一、一种氧化铕红光发光薄膜:
在单晶硅衬底的一个侧面沉积有一层氧化铕红光发光薄膜。
所述的该发光薄膜的化学式为Eu2O3,该薄膜材料在616~619纳米处存在尖锐的红光发射光谱。
二、一种氧化铕红光发光薄膜的制备方法,该方法的步骤如下:
1)将可溶性铕盐,溶于去离子水中,搅拌,配成摩尔浓度0.01~0.5mol/l的铕盐溶液;
2)取上述铕盐溶液,通过恒温水浴控制溶液温度在40℃~80℃;
3)利用由工作电极、对电极和参比电极组成的三电极电化学池进行单晶硅片基底上的薄膜沉积,将三电极插入铕盐溶液,恒温30分钟,调节工作电极与Ag/AgCl/KCl参比电极间的电压在-0.85V~-1.4V之间,沉积时间控制在20分钟~1小时;
4)将沉积好的薄膜,用去离子水清洗,并干燥,随后,将薄膜在800~1000℃下退火烧结30分钟~2小时。
所述的三电极电化学池中,工作电极为单晶硅片,对电极为铂金电极、金电极以及石墨电极,参比电极为Ag/AgCl/饱和KCl溶液电极。
所述的可溶性铕盐为硝酸铕或氯化铕。
该薄膜成膜均匀致密无开裂,在616~619纳米处存在尖锐的红光发射光谱。
本发明具有的有益效果是:
本发明通过简单的电化学沉积方法和后续高温退火过程,制得一种新型的氧化铕红光发光薄膜,该薄膜材料均匀致密无开裂,在616~619纳米处存在尖锐的红光发射光谱。本发明工艺方法简单、原料易得、成本低,能耗低,无毒,成膜均匀致密无开裂。
附图说明
图1是单晶硅衬底上氧化铕薄膜结构示意图:1.氧化铕红光发光薄膜,2.单晶硅衬底。
图2是实施例1所得产物的(a)能谱图;(b)电镜照片(低倍);(c)电镜照片(高倍);(d)光致发光发射光谱。
图3是实施例2所得产物的(a)能谱图;(b)电镜照片(低倍);(c)电镜照片(高倍)。
图4是实施例3所得产物的光致发光发射光谱。
具体实施方式
如图1所示,本发明在单晶硅衬底2的一个侧面沉积有一层氧化铕红光发光薄膜1。所述的该发光薄膜的化学式为Eu2O3,该薄膜材料在616~619纳米处存在尖锐的红光发射光谱。
实施例1:
氧化铕红光发光薄膜及其合成,将0.4460g六水硝酸铕溶于100mL去离子水中,搅拌,配成摩尔浓度0.01mol·L-1的铕盐溶液。取上述铕盐溶液10mL,通过恒温水浴控制溶液温度在40℃。利用三电极电化学池进行氧化铕薄膜的沉积。工作电极为单晶硅片。对电极为高纯度的铂金电极。参比电极为Ag/AgCl/饱和KCl溶液电极。将三电极插入铕盐溶液,恒温30分钟。调节电压范围在-0.85V(vsAg/AgCl/KCl参比电极)之间,沉积时间控制在1小时。将沉积好的薄膜,用去离子水清洗,并干燥。随后,将薄膜在800℃下退火烧结2个小时。图2(a)是该薄膜产物的EDS图谱,图谱上显示主要存在氧和铕两种元素。由于镀层较薄,硅基底的峰特别强,氧和铕的原子数量比约为3∶2,说明得到的薄膜是氧化铕。图2(b)为本例所得产物的低倍电镜照片。从图中可以看出薄膜颗粒均匀,膜致密无开裂。图2(c)为本例所得产物的高倍电镜照片。从图中可以看出组成薄膜的颗粒粒径在十几纳米,并堆积形成一个个三角堆垛。从图2(d)中看出本例产物有较强的光致发光发射光谱,其发射波长616纳米处有一个最强峰,是典型的红光发光。
实施例2:
氧化铕红光发光薄膜及其合成,将22.3033g六水硝酸铕溶于100mL去离子水中,搅拌,配成摩尔浓度0.5mol·L-1的铕盐溶液;取上述铕盐溶液10mL,通过恒温水浴控制溶液温度在80℃。利用三电极电化学池进行氧化铕薄膜的沉积。工作电极为单晶硅片。对电极为高纯度的铂金电极。参比电极为Ag/AgCl/饱和KCl溶液电极。将三电极插入铕盐溶液,恒温30分钟。调节电压-1.4V(vsAg/AgCl/KCl参比电极)之间,沉积时间控制在20分钟。将沉积好的薄膜,用去离子水清洗,并干燥。随后,将薄膜在900℃下退火烧结1小时。图3(a)是该薄膜产物的EDS图谱,图谱上显示只存在氧和铕两种元素,少量的硅为基底元素。相比实施例1,本例薄膜较厚,因此硅基底的峰非常弱。氧和铕的原子数量比约为3∶2,说明得到的薄膜是的氧化铕。图3(b)为本例所得产物的低倍电镜照片。从图中可以看出薄膜颗粒均匀,膜致密无开裂。图3(c)为本例所得产物的高倍电镜照片。从图中可以看出组成薄膜的颗粒粒径在十几纳米,并堆积形成一个个三角堆垛。相比实施例1,本实施例的三角堆垛明显较大。
实施例3:
氧化铕红光发光薄膜及其合成,将3.6641g六水氯化铕溶于100mL去离子水中,搅拌,配成摩尔浓度0.1mol·L-1的铕盐溶液;取上述铕盐溶液10mL,通过恒温水浴控制溶液温度在60℃。利用三电极电化学池进行氧化铕薄膜的沉积。工作电极为单晶硅片。对电极为高纯度的铂金电极。参比电极为Ag/AgCl/饱和KCl溶液电极。将三电极插入铕盐溶液,恒温30分钟。调节电压-1.1V(vsAg/AgCl/KCl参比电极)之间,沉积时间控制在40分钟。将沉积好的薄膜,用去离子水清洗,并干燥。随后,将薄膜在1000℃下退火烧结30分钟。图4为本例所得产物的光致发光发射光谱。从图中看出本例产物有较强的光致发光发射光谱,其发射波长616纳米处有一个最强峰,是典型的红光发光。本例产品的发光强度相比于实施例1提高了2倍左右。
Claims (6)
1、一种氧化铕红光发光薄膜,其特征在于:在单晶硅衬底的一个侧面沉积有一层氧化铕红光发光薄膜。
2、根据权利要求1所述的一种氧化铕红光发光薄膜,其特征在于:所述的该发光薄膜的化学式为Eu2O3,该薄膜材料在616~619纳米处存在尖锐的红光发射光谱。
3、一种氧化铕红光发光薄膜的制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:
1)将可溶性铕盐,溶于去离子水中,搅拌,配成摩尔浓度0.01~0.5mol/l的铕盐溶液;
2)取上述铕盐溶液,通过恒温水浴控制溶液温度在40℃~80℃;
3)利用由工作电极、对电极和参比电极组成的三电极电化学池进行单晶硅片基底上的薄膜沉积,将三电极插入铕盐溶液,恒温30分钟,调节工作电极与Ag/AgCl/KCl参比电极间的电压在-0.85V~-1.4V之间,沉积时间控制在20分钟~1小时;
4)将沉积好的薄膜,用去离子水清洗,并干燥,随后,将薄膜在800~1000℃下退火烧结30分钟~2小时。
4、根据权利要求2所述的一种氧化铕红光发光薄膜的制备方法,其特征在于:所述的三电极电化学池中,工作电极为单晶硅片,对电极为铂金电极、金电极以及石墨电极,参比电极为Ag/AgCl/饱和KCl溶液电极。
5、根据权利要求2所述的一种氧化铕红光发光薄膜的制备方法,其特征在于:所述的可溶性铕盐为硝酸铕或氯化铕。
6、根据权利要求2所述的一种氧化铕红光发光薄膜的制备方法,其特征在于:该薄膜成膜均匀致密无开裂,在616~619纳米处存在尖锐的红光发射光谱。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2008100624226A CN101298558A (zh) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 一种氧化铕红光发光薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2008100624226A CN101298558A (zh) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 一种氧化铕红光发光薄膜及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101298558A true CN101298558A (zh) | 2008-11-05 |
Family
ID=40078517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2008100624226A Pending CN101298558A (zh) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 一种氧化铕红光发光薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101298558A (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102936735A (zh) * | 2012-10-10 | 2013-02-20 | 中山大学 | 一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备及其应用 |
CN104152965A (zh) * | 2014-08-12 | 2014-11-19 | 浙江大学 | 一种二价铕掺杂氟化钙蓝光发光薄膜的制备方法 |
-
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20081105 |