CN101295617A - 间隔件、使用该间隔件的图像显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种间隔件及其制造方法以及使用该间隔件的图像显示设备及其制造方法。本发明的用于图像显示设备的间隔件具有基材和膜构造,在所述膜构造中,具有银粒子分散在氮氧化铝中的结构的第一膜和含有钨、锗和氮的第二膜以这一顺序层叠在所述基材上。

Description

间隔件、使用该间隔件的图像显示设备及其制造方法
技术领域
本发明涉及用于平面图像显示设备的间隔件(spacer)和该间隔件的制造方法,以及使用该间隔件的图像显示设备和该图像显示设备的制造方法。
背景技术
作为可减小厚度和重量的图像显示设备,提出了使用表面导电电子发射器件的平面图像显示设备。使用这种电子发射器件的图像显示设备通过设置设有电子发射器件的后板和由于电子照射而发光的发光构件使其彼此相对,并在外围用框架材料密封它们而形成真空盒。在这种图像显示设备中,为了防止基板由于真空盒的内部和外部之间的气压差而变形和损伤,称作间隔件的抗气压结构放置在基板之间。
间隔件通常以矩形片形状形成,且间隔件被设置成使其端部与两个基板都接触,使得其表面与基板的法线平行。
但是,当间隔件附近的器件被激活时,间隔件会由于反射电子照射到间隔件而被充电。在日本专利申请公开(JP-A)No.2005-235751(对应于欧洲专利申请公开No.EPA2 1557863)和JP-A No.2000-192017(对应于欧洲专利申请公开No.EP A1 0969491)中,公开了在间隔件表面上设有电子去除膜以去除这种充电的结构。
但是,已经发现一种现象,即当设有传统间隔件的图像显示设备已被长时间驱动时,间隔件附近的发光点的位置微量移动。在上述JP-A No.2005-235751和JP-A No.2000-192017中公开的图像显示设备中,虽然偏移量非常短,但是期望为更高质量的画片进一步减小偏移量。
发明内容
本发明的目的是提供一种即使当图像显示设备已被长时间驱动时,充电特性的变化也较小的间隔件,并由此提供一种图像显示设备,其能在长时间驱动期间减少发光点的移动,从而避免对图像显示的不利效果。
本发明提供一种用于图像显示设备的间隔件,包含基材和膜构造,在所述膜构造中,具有银粒子分散在氮氧化铝中的结构的第一膜和含有钨、锗和氮的第二膜以这一顺序层叠在基材上。
本发明还提供一种具有上述间隔件的图像显示设备。
附图说明
图1是根据本发明的间隔件的表面附近的部分剖视图;
图2是示意性示出根据本发明的图像显示设备例子的显示板结构的透视图;
图3A至3E是示出根据本发明实施例的后板的制造步骤的平面示意图;
图4A和4B是示出用于根据本发明的图像显示设备的前板的荧光膜的平面示意图;
图5A和5B是示出用于本发明实施例的间隔件的形状的视图;
图6是示出由于最接近间隔件的器件的显示等级(gradation)和连续驱动而导致的射束位置的移动的说明图;
图7是示出由于最接近间隔件的器件的显示等级和连续驱动而导致的射束位置的移动的说明图;
图8是示出由于最接近间隔件的器件的显示等级和连续驱动而导致的射束位置的移动的说明图;
图9是示出由于最接近间隔件的器件的显示等级和连续驱动而导致的射束位置的移动的说明图;
图10A是示意性示出根据本发明的间隔件的例子的透视图;以及
图10B是根据本发明的间隔件的例子的剖视图。
具体实施方式
本发明的第一方面可提供一种用于图像显示的间隔件,包含:基材;和膜构造,其中,具有银粒子分散在氮氧化铝中的结构的第一膜和含有钨、锗和氮的第二膜以这一顺序层叠在基材上。
本发明的第二方面可提供一种图像显示设备,包含:气密容器,具有在其上设置有电子源的第一基板和在其上设置有图像显示构件的第二基板,所述图像显示构件面对所述电子源;以及设置在第一基板和第二基板之间的间隔件,其中间隔件具有基材和膜构造,在所述膜构造中,具有银粒子分散在氮氧化铝中的结构的第一膜和含有钨、锗和氮的第二膜以这一顺序层叠在基材上。
本发明的第三方面可提供一种制造用于图像显示设备的间隔件的方法,包括如下步骤:制备基材;在基材上形成具有银粒子分散在氮氧化铝中的结构的第一膜;以及在第一膜上形成包含钨、锗和氮的第二膜。
本发明的第四方面可提供一种制造图像显示设备的方法,该图像显示设备包括气密容器,该气密容器具有在其上设有电子源的第一基板和在其上设有图像显示构件的第二基板,该图像显示构件面对该电子源,以及设置在第一基板和第二基板之间的间隔件,该方法包括如下步骤:制备基材;在基材上形成具有银粒子分散在氮氧化铝中的结构的第一膜;以及在第一膜上层叠形成含有钨、锗和氮的第二膜。
根据本发明,即使图像显示设备已被长时间驱动之后,间隔件的表面层的电阻变化和二次电子发射效率的变化也较小,而且图像显示设备的射束点(beam spot)的位置也不从初始设定值变化,使得图像稳定地显示在期望位置上。因此,提供了一种能长时间显示高质量图像的图像显示设备。
图10A是示意性示出根据本发明的间隔件的例子的透视图,而图10B是其A-A′的剖视图。图1示出图10B中所示的间隔件的表面附近的放大示意图。
根据本实施例的间隔件具有膜构造,使得第一膜2和第二膜3以这一顺序层叠在基材1上。基材1是负责间隔件所需的机械强度的部分。该部分仅需有机械强度以及与图像显示设备的制造方法的一致性。例如,在组装图像显示设备中经过加热步骤的情况下,如果间隔件的热膨胀率太不同于图像显示设备的其它构件,则图像显示设备不会被较好地组装,所以将根据图像显示设备的组装过程来适当选择间隔件的热膨胀率。
间隔件表面上的电是通过第一膜2和第二膜3来去除的,所以不是特别必需提供电流。相反,具有低电阻的基材并非优选,因为它导致在间隔件的上侧和下侧上施加电子加速电压Va,由此导致过多的电流和增大的功耗。基材1的电阻值需要足够大于第一膜2的电阻值,且优选地,诸如玻璃和陶瓷的绝缘体被用作基材。
根据诸如真空沉积方法和液相方法的任意方法,第一膜2和第二膜3以这一顺序提供在基材1上。
根据本实施例,第一膜2具有银粒子分散在氮氧化铝中的结构,而第二膜3含有钨、锗和氮。
根据本实施例的间隔件的导电性能由包含在第一膜2中的银粒子决定。因此,通过选择银粒子的粒子直径和含银量来形成具有对于间隔件最适用的特定电阻的膜。
为了将间隔件的电阻调整为ρ=1×104到1×1011Ωcm(这对于间隔件是合适的值),优选的是银粒子的粒子直径在0.5nm到20nm的范围内,而含银量按照元素比在总量的8%到22%的范围内。更优选地,银的粒子直径在5nm到10nm的范围内,而含银量在11%到20%的范围内。
包含在第一膜2中的氮氧化铝是高电阻材料。氮氧化物可以包括氮化物和氧化物的混合物,或一个原子与氮和氧都连接的化合物,而氮和氧的比例基本上是任意的。当通过溅射形成氮化物时,这种氮氧化物以氧被自然地获取到膜中的方式形成。而且,在本发明中,优选使用按照N/O比率在0.05到0.8的范围内的膜,因为容易形成在这个范围内的膜。
在第二膜3中,混合钨或钨的氮化物和锗或锗的氮化物。尽管构成元素的主要成份基本上是钨、锗和氮,但是氧可以部分地包含在膜中。根据本发明,还可以使用具有包含在该第二膜3中的氧的膜,而不会有问题。另外,钨和锗的比例会对膜电阻产生影响,而且在本发明中,按照元素比优选范围为0.2%到2%的钨和35%到60%的锗。另外,含氮量也会对电阻产生影响。优选的是,具有某一程度的含氮量,因为如果无氮化物的钨和锗的量增加则电阻变得较低。优选的是,含氮量按照元素比在40%到65%的范围内。
另外,根据本实施例,通过从基材1的侧面顺序层叠第一膜2和第二膜3来实现预定效果。
下一步,将描述使用根据本实施例的间隔件的图像显示设备。
图2示意性示出根据本实施例的图像显示设备的显示板结构的例子。图2示出了被部分地切开以表明内部结构的板。在附图中,附图标记11表示电子发射器件,附图标记12表示行方向配线,附图标记13表示列方向配线,附图标记16表示后板(电子源基板),附图标记17表示框架构件,附图标记18表示前板(阳极基板),附图标记19表示荧光膜,且附图标记20表示金属背(metal back)(阳极电极)。另外,附图标记21表示间隔件,且附图标记22表示间隔件的固定构件。而且,根据本发明的第一基板和第二基板可以分别对应于后板和前板中的任一个。
根据本实施例,充当电子源基板的后板16和充当阳极基板的前板18通过外围上的框架构件17被密封,从而形成气密容器。在这个气密容器内部保持大约为10-4Pa的真空,为了防止由于气压和未预料的冲击等造成的损伤,形成了矩形片形状的间隔件21作为抗气压结构。间隔件21通过图像显示区域外部的固定构件22被固定在其末端。
在后板16中,形成N×M个表面导电电子发射器件11,且这些表面导电电子发射器件以M个行方向配线12和N个列方向配线13的简单矩阵被设置(M和N是正整数)。行方向配线12和列方向配线13的交叉点被层间绝缘层(未示出)绝缘。进一步地,根据本实施例,示出了表面导电电子发射器件以简单矩阵来设置的结构,但是,本发明并不限于此,而是本发明优选应用在FE(场发射类型)电子发射器件和MIM(金属-绝缘体-金属型)电子发射器件等。另外,本发明并不限于简单矩阵布置。
在图2的结构中,前板18设有作为图像显示构件的荧光膜19和在CRT的技术领域中已知的作为阳极电极的金属背20。荧光膜19被彩色编码成三原色,即红色、绿色和蓝色,且黑色导体(黑色条带)被放置在各个颜色的各个荧光体之间。荧光体根据电子源的设置而被设置,例如以条带、三角形(delta)和矩阵来设置。
用于本实施例的间隔件21与充当阴极电极的行方向配线12平行设置,且分别电连接到行方向配线12和充当阳极电极的金属背20。
另外,根据本发明的间隔件可与阳极电极和电子源接触,且导电膜可以另外形成在接触面上。
在图2中所示的间隔件以矩形片形状形成,且该间隔件优选用于本发明,但是,本发明并不限于这种形状,而是在能获得相同效果的范围内可以适当选择柱状等。
(例子)
下面,将参考说明具体例子的图2和图3来描述本发明所应用的图像显示设备的显示板的制造方法。
(用于制造间隔件的步骤)
作为基材1,使用了由Asahi玻璃有限公司制造的用于显示的低碱玻璃PD200。使用该材料,在图5中示出的基材1通过热拉方法制成。图5A是基材1的平面图,而图5B是基材1的表面部分的剖面部分示意图。根据本例子,间隔件21的高度被界定为2mm,且纵向方向的长度被界定为900mm。
根据本例子,在基材1的表面上设有以沿着纵向方向的条带而形成的凹部和凸部。凹部和凸部的形状是如图5B所示的基本上正弦波形状,间距为40μm,且深度为10μm。另外,在基材的上部(要接合到前板的一侧)上,制备没有形成凹凸沟槽的区域,且其宽度被界定为距基材的上端200μm。
在该基材1上,第一膜2和第二膜3通过溅射被层叠。
首先,使用银和铝作为其靶来执行基材1上的双靶共溅射,且膜的成分通过改变要给予每个靶的输入功率来调整。形成用于本实施例的第一膜2的条件在表1中示出。有三种形成膜的条件,即第一到第三条件,且由此制成具有三种膜厚的膜。
下一步,使用钨和锗作为其靶来执行双靶共溅射,且膜的成分通过改变要给予每个靶的输入功率来调整,由此第二膜3层叠在第一膜2上。形成用于本实施例的第二膜3的条件在表2中示出。有五种形成膜的条件,即第四到第八条件,且由此制成具有五种膜厚的膜。
结合第一膜2和第二膜3的各个形成膜的条件,制成如表3中所示的间隔件样品a-g。第一膜2和第二膜3分别以相同方式形成在基材1的前表面和后表面两者上。
[表1]
Figure A20081009547400101
[表2]
Figure A20081009547400111
[表3]
Figure A20081009547400121
(后板步骤)
<步骤1:形成配线和电极>
作为后板16,在清洗过的蓝板玻璃的表面上通过溅射形成厚度0.5μm的SiO2层,并通过使用溅射和光刻方法形成表面导电电子发射器件的器件电极31。材料通过层叠Ti和Ni而获得。另外,器件电极之间的间隔被界定为2μm(图3A)。
随后,以预定形状来印制Ag糊剂并对其进行烧制,列方向配线13被形成且延伸直至形成电子源的区域的外部,以制成用于驱动电子源的配线(图3B)。
接着,使用PbO作为主成分且使用混合有玻璃粘合剂的糊剂,以相同方式根据印制方法来形成绝缘层32。该绝缘层32可使上述的列方向配线13和下述的行方向配线12绝缘。进一步地,在器件电极31上形成切口,行方向配线12被连接到器件电极31(图3C)。
随后,在绝缘层32上形成行方向配线12(图3D)。该方法与列方向配线13的情况相同。
<步骤2:制造电子源基板>
随后,形成由PdO制成的器件膜33。关于形成器件膜33的方法,在具有形成在其上的行方向配线12和列方向配线13的后板16上通过溅射形成Cr膜,且在Cr膜上通过光刻方法形成对应于器件膜33的形状的开口部分。接着,施加有机Pd络合物的溶液且在大气中在300℃对其进行烧制,形成PdO膜,然后,通过湿蚀刻去除Cr膜,预定形状的器件膜33通过剥离(lifting-off)而获得(图3E)。
根据本例子,在上述的N×M个电子发射器件中,N被设定为2400,且M被设定为800。另外,各个器件以X方向的200μm间隔和以Y方向的600μm间隔来设置。
(前板步骤)
<步骤1:制造阳极电极>
在清洗过的玻璃基板上,制造阳极电极20。在阳极电极20上,通过溅射形成透明导电膜ITO。
<步骤2:制造荧光膜>
将参考图4来描述该步骤。使用玻璃糊剂与含有黑色颜料和银粒子的糊剂,通过丝网印刷方法制成厚度为10μm的如图4A所示的矩阵形状的黑矩阵41。另外,黑矩阵41被提供以防止荧光体的颜色混合,防止即使在射束以某一程度被偏移时的颜色漂移,以及提高吸收外部光的图像的对比度等。根据本例子,黑矩阵41通过丝网印刷方法制造,但是,本发明当然并不限于此,而是可以例如通过使用光刻方法来制造黑矩阵41。另外,作为黑矩阵41的材料,使用了玻璃糊剂与含有黑色颜料和银粒子的糊剂,但是,本发明当然并不限于此,而是可以例如使用碳黑等。另外,根据本例子,黑矩阵41以如图4A所示的矩阵形状制造,但是,本发明当然并不限于此,而是可以使用如图4B所示的三角形布置,条带布置(未示出)和其它布置。
下一步,如图4A所示,在黑矩阵41的开口部分上,通过丝网印刷方法,使用红色、蓝色和绿色的荧光体糊剂为每种颜色以三次来制备三色荧光体42。根据本例子,通过使用丝网印刷方法来制造荧光膜19,但是,本发明当然并不限于此,而是例如可以使用光刻方法等来制造荧光膜19。另外,作为荧光体,使用了在CRT领域中已被使用的P22荧光体且使用了红色(P22-RE3;Y2O2S:Eu3+)、蓝色(P22-B2;ZnS:Ag,Al)和绿色(P22-GN4;ZnS:Cu,Al)。在本发明中,荧光体并不限于此,而是可以使用其它荧光体。
(集成(密封)步骤)
<密封步骤>
在组装气密容器时,需要密封气密容器以便保持各个构件的接合部分的足够强度和气密性。根据本例子,通过首先在接合部分上施加玻璃粉(frit glass),并在氮的气氛中在400℃到500℃的范围内将其烧制十分钟以上,如图2中所示的框架构件17和后板16被结合在一起。
之后,在上述步骤中制造的间隔件21被固定到后板16。总共二十个间隔件21被等间隔地设置,且上述的间隔件a-g被包括。关于固定的方法,使用间隔件固定构件22将间隔件21固定在沿着间隔件21的纵向方向的两个端部的后板16的一侧。这些固定部分位于图像区域的外部,且其不会对图像的质量产生不利的影响。另外,根据本例子,间隔件21被固定在后板16的一侧上,但是,本发明当然并不限于此。例如,间隔件可以被固定在前板18的一侧上,或者可以使用自身能站立的间隔件。
之后,通过使用低熔点金属In,并在非活性气氛中加热前板18和框架构件17直至160℃,前板18和框架构件17被结合在一起,且气密容器的密封已被完成。
为了将气密容器内部的空气排出直至真空,在组装气密容器之后,气密容器用真空泵连接到排气管(未示出),且其中的空气被排出直至约10-5Pa的真空度。之后,排气管被密封且在这种情况下,为了保持气密容器中的真空度,恰在密封之前或在密封之后在气密容器中的预定位置上形成吸气膜(未示出)。该吸气膜通过沉积形成,其中使用加热器或高频加热来加热例如Ba作为主成分的吸气材料。由于吸气膜的吸收效果,气密容器的内部保持在1×10-3Pa到1×10-5Pa的范围内的真空度。
根据本例子,在将气密容器连接到真空排气设备(未示出)以排出气密容器中的空气之后,并且当压力变成10-4Pa或者更小时,执行形成(forming)处理。通过对行方向中的每个行施加脉冲电压来执行形成步骤,所述脉冲电压的脉冲高度在行方向配线中逐步增加。测量用于形成的脉冲电流值并同时测量电子发射器件的电阻值,当每个器件的电阻值超过1MΩ时,该行的形成处理结束,且处理转移到下一行。重复该过程,形成处理对于所有行结束。
随后,执行激活处理。在该处理之前,降低上述真空设备的压力10-5Pa或更少且在真空设备中引入丙酮,调节丙酮的引入量使得压力变成1.3×10-2Pa。随后,脉冲电压被施加到行方向配线12。对于每个脉冲将施加有脉冲的行方向配线12切换到下一行,连续地重复将脉冲施加给以行排列着的每条配线。该处理的结果是,主成分为碳的沉积膜在每个电子发射器件的电子发射部分的附近形成,且器件电流If和发射电流Ie被增大。因此,图像显示设备的电子源基板被完成。
评估所获得的图像显示设备的图像的方法如下进行。
(图像的评估方法)
通过长时间驱动图像显示设备,如果在间隔件中引起一些变化,则射束的轨道被干扰,且应当等间隔地显示的照明像素的位置被偏移。在这种情况下,将原始射束位置的间隔L定义为1L,这被定义为射束偏移量的单位。在射束点的位置由于间隔件的变化而偏移的情况下,正确的显示位置和实际的显示位置之间的差异以L来表示,且其被表示为ΔL。根据本例子,Y方向的器件间距是600μm,所以使得1L是600μm。
在有充足光的房间中设置显示设备,对于五十个成年男士和女士的测试者距离板面一米远进行对所显示的图像的视觉评估。
以三个级别,即“看不到干扰”、“能看到干扰,但不觉得不舒适”和“能看到干扰且觉得不舒适”,来评估由于射束的偏移而造成的图像的干扰,获得了关于射束偏移量ΔL的关系。大部分测试者回答“看不到干扰”的射束偏移量ΔL是0或更大且0.01L或更小;大部分测试者回答“能看到干扰,但不觉得不舒适”的射束偏移量ΔL是大于0.01L且0.03L或更小;以及大部分测试者回答“能看到干扰且觉得不舒适”的射束偏移量ΔL是大于0.03L。评估结果在表4中示出。
[表4]
视觉评估 射束偏移量ΔL 射束偏移量(%)     评估
  看不到 0或更大且0.01L或更小 0或更大且1%或更小     ◎
  能看到但不觉得不舒适 大于0.01L且0.03L或更小 大于1%且3%或更小     ○
能看到且觉得不舒适 大于0.03L 大于3% ×
本发明的电阻膜的性能评估通过图像评估来执行,使得设有该电阻膜的间隔件被设置在显示设备中,且测量由于间隔件的影响而造成的射束偏移量ΔL。
另外,在长时间驱动之前和之后,执行该评估总共两次,比较两次的值。长时间驱动的条件如下:电子加速电压是10kV,所有器件都被点亮(白色显示),且设备被连续驱动1,000小时。在这种情况下,每一器件的电子发射量被设定在3μA。
下一步,将描述测量射束偏移量的方法。
通过分别改变最接近间隔件的像素的图像显示等级并测量此时的射束的射束点重心位置来进行测量。
如图6所示,将显示设备的最高亮度等级定义为1,当显示设备的亮度等级表示为1/2级、1/4级、1/8级和1/16级时的射束点重心位置被测量。
基本上,射束被设计以在正确的位置上显示而不依赖于显示等级,所以被表示为如图6所示的轮廓。
相反,如果在间隔件中产生某一变化,则产生下列任一变化。
(a)如图7所示,高等级侧(1级)的射束位置被改变。
(b)如图8所示,低等级侧(1/16级)的射束位置被改变。
换言之,在(a)和(b)中的任一个中,观察到如图9所示的现象。测量了在这种情况下的ΔL。
根据本例子,图像显示设备的组装被结束,且总共进行两次图像评估测量,即,在长时间驱动之前和在该设备已被连续驱动1,000小时之后。
结果在表5中示出。
首先,在a-g的任何情况下,长时间驱动前的射束位置不依赖于显示等级,且在1级的射束点重心位置和1/16级的射束点重心位置之间的距离是ΔL<0.001L(测量限度或更小)。结果,显示设备一直连续显示高质量图像。
下一步,比较长时间驱动之前和之后的射束位置。
在高等级显示(1级)上,长时间驱动之前的射束点重心位置和长时间驱动之后的射束点重心位置之间的距离是ΔL<0.001L(测量限度或更小),且显示设备一直连续显示高质量图像。
另外,在低等级显示(1/16级)上,长时间驱动之前的射束点重心位置和长时间驱动之后的射束点重心位置之间的距离是ΔL<0.001L(不大于测量限度),且显示设备一直连续显示高质量图像。
[表5]
  样品号   初始ΔL(1到1/16级) 显示高等级(1级)时的ΔL(在驱动之前和之后之间的差异) 显示低等级(1/16级)时的ΔL(在驱动之前和之后之间的差异)
  a   <0.001L <0.001L <0.001L
  b   <0.001L <0.001L <0.001L
  c   <0.001L <0.001L <0.001L
  d   <0.001L <0.001L <0.001L
  e   <0.001L <0.001L <0.001L
  f   <0.001L <0.001L <0.001L
  g   <0.001L <0.001L <0.001L
(比较例子1)
作为比较例子1,在与实施例相同的每个形成膜的条件下,分别制成具有第一膜2和第二膜3的其中之一的、由单层结构制成的间隔件。图像显示设备以与实施例相同的方式制成,且所获得的图像显示设备的图像评估测量以与实施例相同的方式进行。结果在表6中示出。
[表6]
Figure A20081009547400181
在样品h、i和j中,比较在长时间驱动以前和以后显示低等级时的射束点重心位置,观察到大约0.011L到0.020L的偏移。这是大部分测试者感觉“能看到由于射束偏移造成的图像的干扰,但不觉得不舒适”的水平,且这导致的结果是射束的偏移量比实施例的大,尽管这对于图像的形成不是问题。
另外,在样品k到o中,比较在长时间驱动以前和以后显示高等级时的射束点重心位置,观察到大约几乎等于0.020L的偏移。这是大部分测试者感觉“能看到由于射束偏移造成的图像的干扰,但不觉得不舒适”的水平,且这导致的结果是射束的偏移量比实施例的大,尽管这对于图像的形成不是问题。
(比较例子2)
作为比较例子2,在每个形成膜的条件下,制成所具有的层结构为第一膜2和第二膜3以与实施例相反的顺序层叠的间隔件。即,在基材1上的第一膜2是含有钨、锗和氮的膜,而在第一膜2上的第二膜3是具有银粒子分散在氮氧化铝中的结构的膜。每个制成的样品在表7中示出。
[表7]
图像显示设备以与实施例相同的方式制成,且所获得的图像显示设备的图像评估测量以与实施例相同的方式进行。结果在表8中示出。
[表8]
Figure A20081009547400192
在样品p到v中,比较在长时间驱动以前和以后显示低等级时的射束点重心位置,观察到大约0.011L到0.012L的偏移。这是大部分测试者感觉“能看到由于射束偏移造成的图像的干扰,但不觉得不舒适”的水平,且这导致的结果是射束的偏移量比实施例的大,尽管这对于图像的形成不是问题。
虽然已经参照示例性实施例对本发明进行了描述,但是应理解本发明并不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽的解释,以包含所有的这种修改以及等同的结构和功能。
本申请要求在2007年4月23日提交的日本专利申请No.2007-112534的优先权,其全部内容在此通过引用而并入。

Claims (4)

1、一种用于图像显示设备的间隔件,包含:
基材;以及
膜构造,其中具有银粒子分散在氮氧化铝中的结构的第一膜与含有钨、锗和氮的第二膜以这一顺序层叠在所述基材上。
2、一种图像显示设备,包含:
气密容器,具有在其上设置有电子源的第一基板和在其上设置有图像显示构件的第二基板,所述图像显示构件面对所述电子源;以及
间隔件,设置在所述第一基板和第二基板之间,
其中,所述间隔件具有基材和膜构造,在所述膜构造中,具有银粒子分散在氮氧化铝中的结构的第一膜与含有钨、锗和氮的第二膜以这一顺序层叠在所述基材上。
3、一种图像显示设备的间隔件的制造方法,包含如下步骤:
制备基材;
在所述基材上形成具有银粒子分散在氮氧化铝中的结构的第一膜;以及
在所述第一膜上形成含有钨、锗和氮的第二膜。
4、一种图像显示设备的制造方法,所述图像显示设备包含:气密容器,所述气密容器具有在其上设置有电子源的第一基板和在其上设置有图像显示构件的第二基板,所述图像显示构件面对所述电子源;以及间隔件,设置在所述第一基板和第二基板之间,所述方法包含如下步骤:
制备基材;
在所述基材上形成具有银粒子分散在氮氧化铝中的结构的第一膜;以及
在所述第一膜上形成包含钨、锗和氮的第二膜。
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