CN101281076A - 一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法。现有技术对气相沉积设备反应腔的漏气检查通常在设备维修后通过人工方式启动一检查反应腔是否漏气的程序进行漏气检查，存在检查间隔过长、间隔不均且受人为因素影响的问题，难以有效的检查出反应腔的漏气并避免由此所造成的损失。本发明的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法首先侦测自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件是否满足，且在满足时启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查，最后输出漏气检查的结果。采用本发明的方法可有效的检查出反应腔的漏气状况，避免由于漏气所造成的经济损失。

Description

一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法
技术领域
本发明涉及反应腔密封性的检查，特别涉及一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法。
背景技术
在半导体制造领域，诸多工序均需通过气相沉积工艺来生成所需的膜，例如通过化学气相沉积生成氮化硅层，通过物理气相沉积生成钨塞或金属电极，上述化学气相沉积和物理气相沉积分别在相应的化学气相沉积设备和物理气相沉积设备中进行，但上述气相沉积设备反应腔若存在漏气时，会导致生成的膜的成分及厚度存在偏差，影响后道工序的进行，严重的需要进行返工甚至导致产品的报废。
现针对气相沉积设备反应腔的漏气检查通常在对设备进行维修后，通过人工方式开启一检查气相沉积设备反应腔是否漏气的程序来检查该反应腔是否漏气，存在检查间隔过长、间隔不均且受人为因素影响的问题，从而无法及时发现漏气，如此将会造成严重的经济损失。
发明内容
本发明的目的在于提供一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法，通过所述方法可避免由反应腔漏气所造成的经济损失。
本发明的目的是这样实现的：一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法，该方法包括以下步骤：(1)侦测自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件是否满足，若是则继续步骤(2)，若否则返回步骤(1)；(2)启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查；(3)输出漏气检查的结果。
在上述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法中，该气相沉积设备为物理气相沉积设备。
在上述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法中，该气相沉积设备为化学气相沉积设备。
在上述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法中，在步骤(1)中，该启动条件为反应腔清洗完毕。
在上述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法中，在步骤(1)中，该启动条件为采用新的配方进行气相沉积。
与现有技术在设备维修完毕后，通过人工启动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的程序进行漏气检查相比，本发明的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法，在侦测出自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件满足时，启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查，并输出漏气检查的结果，如此可对反应腔进行有效的漏气检查，避免反应腔漏气所造成的巨大经济损失，另外可大大节约人力。
附图说明
本发明的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法由以下的实施例及附图给出。
图1为本发明的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法的流程图。
具体实施方式
以下将对本发明的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法作进一步的详细描述。
如图1所示，本发明的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法首先进行步骤S10，侦测自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件是否满足，若是则继续步骤S11，若否则返回步骤S10。
所述气相沉积设备为物理气相沉积设备或化学气相沉积设备。在本实施例中，该气相沉积设备为化学气相沉积设备，该自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件包括反应腔清洗完毕和采用新的配方进行气相沉积。在本发明其他实施例中，可提供设定步骤供使用者设定上述两者或任一者为启动条件。
在步骤S11中，启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查。
接着继续步骤S12，输出漏气检查的结果。在本实施例中，可将漏气检查的结果输入到诸如蜂鸣器、报警灯等警示模块，所述警示模块在漏气检查的结果为漏气时通过声音报警或灯光闪烁等方式警示使用者气相沉积设备反应腔漏气。
综上所述，本发明的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法，在侦测出自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件满足时，启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查，并输出漏气检查的结果，如此可对反应腔进行有效的漏气检查，避免反应腔漏气所造成的巨大经济损失，另外可大大节约人力。

Claims (5)

1. 一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)侦测自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件是否满足，若是则继续步骤(2)，若否则返回步骤(1)；(2)启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查；(3)输出漏气检查的结果。
2. 如权利要求1所述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法，其特征在于，该气相沉积设备为物理气相沉积设备。
3. 如权利要求1所述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法，其特征在于，该气相沉积设备为化学气相沉积设备。
4. 如权利要求1所述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法，其特征在于，在步骤(1)中，该启动条件为反应腔清洗完毕。
5. 如权利要求1所述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法，其特征在于，在步骤(1)中，该启动条件为采用新的配方进行气相沉积。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102373445A (zh) * 2010-08-25 2012-03-14 无锡华润上华半导体有限公司 化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法
CN102539092A (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测mocvd反应系统情况的方法
CN102828165A (zh) * 2011-06-14 2012-12-19 上海华虹Nec电子有限公司 高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法
CN102914412A (zh) * 2012-10-17 2013-02-06 上海宏力半导体制造有限公司 处理腔气密性检测装置及检测方法
CN103162914A (zh) * 2013-03-14 2013-06-19 上海和辉光电有限公司 一种真空腔体控制自动检测漏率的方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102373445A (zh) * 2010-08-25 2012-03-14 无锡华润上华半导体有限公司 化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法
CN102373445B (zh) * 2010-08-25 2014-01-08 无锡华润上华半导体有限公司 化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法
CN102539092A (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测mocvd反应系统情况的方法
CN102539092B (zh) * 2010-12-29 2014-08-27 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 检测mocvd反应系统情况的方法
CN102828165A (zh) * 2011-06-14 2012-12-19 上海华虹Nec电子有限公司 高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法
CN102828165B (zh) * 2011-06-14 2015-02-04 上海华虹宏力半导体制造有限公司 高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法
CN102914412A (zh) * 2012-10-17 2013-02-06 上海宏力半导体制造有限公司 处理腔气密性检测装置及检测方法
CN103162914A (zh) * 2013-03-14 2013-06-19 上海和辉光电有限公司 一种真空腔体控制自动检测漏率的方法

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