CN101279888B - 9,10-二乙烯蒽衍生物及其在有机电致发光器件中的应用 - Google Patents

9,10-二乙烯蒽衍生物及其在有机电致发光器件中的应用 Download PDF

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Abstract

本发明属于有机电致发光材料领域,具体涉及一种9,10-二乙烯蒽衍生物及其在用于制备有机电致发光器件方面的应用。9,10-二乙烯蒽衍生物结构式如下所示,其中R代表苯基、取代苯基、9-正烷基(C2-C12)咔唑、10-正烷基(C2-C12)酚噻嗪、三苯胺、噻吩、齐聚噻吩(2T、3T)、齐聚咔唑(2C、3C)、齐聚酚噻嗪(2P、3P)或一至三代树枝状三苯胺。本发明所述的9,10-二乙烯蒽衍生物具有较多的取代基团,同时9,10-二乙烯蒽衍生物具有高的固态荧光量子效率,是一种很好的发光材料。该系列化合物适用于制备高性能有机电致发光器件,尤其可用于电致发光器件的活性层。

Description

9,10-二乙烯蒽衍生物及其在有机电致发光器件中的应用
技术领域
本发明属于有机电致发光材料领域,具体涉及一种9,10-二乙烯蒽衍生物及其在用于制备有机电致发光器件方面的应用。
背景技术
有机电致发光现象被发现已有三十多年的时间,1987年以前,由于有机电致发光器件存在的巨大缺陷(开启电压>200V),限制了其应用。近十年有机材料及相关器件工艺的不断突破,使有机电致发光器件已达到或接近实用化水平。
1965年Gurnee等首次发表了关于有机电致发光器件的专利(U.S.Pat.No.3,172,862,3,173,050)。1973年Dresner也发表了有机电致发光器件方面的专利(U.S.Pat.No.3,170,167)。在这些发明中多芳环有机化合物如蒽、四并苯、五并苯等被用于有机电致发光材料。早期的器件主要结构特征为单层结构,有机发光层的厚度大于1mm,器件的开启电压在200v以上。
80年代美国Kodak公司的邓青云(C.W.Tang)等首先发现超薄多层器件结构,使器件的开启电压大大降低(U.S.Pat.No.4,356,429),引起世界工业界和科技界的广泛重视。他们的创新在于将双层有机薄膜夹在两个电极之间制成了电致发光器件。器件是以导电玻璃为衬底,先蒸镀上一层空穴注入层或传输层(100nm),然后蒸镀一层电子传输层,同时也是电致发光层,最后镀上一层金属作为负极,该器件开启电压为20v,亮度为5cd/m2。之后他们采用芳香多胺为空穴传输层进行器件制备,使器件性能大大提高,亮度可达340cd/m2
美国Kodak公司的Tang和VanSlyke首先发现Alq3(8-羟基喹啉铝)具有良好的电致发光性能以后,人们相继用8-羟基喹啉及其衍生物与Al3+、Zn2+、Ga3+、Be2+等合成出了一系列电致发光材料,这些材料大部分发黄绿光,有些发蓝光(见U.S.Pat.No.4,720,432;U.S.Pat.No.4,539,507;C.W.Tang,S.A.VanSlyke,Appl.Phys.1987,51,913;U.S.Pat.No.5,151,629)。1988年,日本Adachi等人又提出了夹层式多层结构的有机电致发光器件,大大扩展了功能有机材料的选择(见C.Adachi.,Jpn.J.Appl.Phys.,Part2.,1988,27,L269;C.Adachi.,Jpn.J.Appl.Phys.,Part2.,1988,27,L713)。1990年英国剑桥大学的Burroughs等人用简单的旋涂成膜的方法将聚苯撑乙烯(PPV)的预聚体制成薄膜,在真空干燥条件下转换成PPV薄膜,成功地制成了单层结构的聚合物电致发光器件(见J.H.Burroughs,etal.,Nature,1990,347,539),开创了有机聚合物电致发光的研究新纪元。
由于一些性能优良的电致发光材料的发现和器件结构的不断优化,有机电致发光已取得了一些突破性进展。(见U.S.Pat.Nos.5,151,629;5,150,006;5,141,671;5,073,446;5,061,569;5,059,862;5,059,861;5,047,687;4,950,950;5,104,740;5,227,252;5,256,945;5,069,957;5,122,711;5,554,450;5,683,823;5,593,788;5,645,948;5,451,343;5,623,080;5,395,862)。有机电致发光器件存在巨大的吸引力在于它具有以下的特点:采用有机化合物,材料选择范围宽,可实现从蓝光到红光的任何颜色的显示;驱动电压低,只需3~10v的直流电压;发光亮度和发光效率高;全固化的主动发光,视角宽,响应速度快;制备过程简单,费用低;超薄膜,重量轻,可制备在柔性的衬底上,器件可弯曲折叠等。因此,有机电致发光器件可应用在照明领域、数字显示领域和光电耦合器等,同时在大尺寸平板显示技术方面显示了广阔的应用前景。
蒽及其衍生物具有良好的发光性能和热稳定性,因此作为一种电致发光材料已被广泛的应用于有机电致发光器件中,目前已有很多报道(见中国专利ZL01800733.3;03818561.X;200410060075.5;200510073741.3;200510120332.4;200580045241.7;200610005028.X等)。但大部分蒽的衍生物在固态荧光量子效率较低,热稳定性差等缺点,同时由于蒽具有很强的结晶性,在固态时存在荧光淬灭等问题,导致发光峰变宽或红移,所以一般将它们以低浓度的方式掺杂在主体材料中,才能实现较高的固体发光效率。因此寻找一种具有较高固态荧光量子效率的蒽衍生物来实现高效电致发光是一个迫切需要解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一些可以在固体薄膜状态下实现高发光效率、热稳定性好的有机蒽衍生物和此类化合物在用于制备有机电致发光器件方面的应用。通过简化器件制备,工艺变得更简单,更适合器件的批量工业化生产。
经研究发现,9,10-二乙烯蒽衍生物具有优良的光致发光和电致发光特性。
本发明为如式(I)所示的9,10-二乙烯蒽衍生物,
通式(I)代表以9,10-二乙烯蒽为基本结构骨架的9,10-二乙烯蒽衍生物,R代表苯基、取代苯基、9-正烷基(C2-C12)咔唑、10-正烷基(C2-C12)酚噻嗪、三苯胺、噻吩、齐聚噻吩(2T、3T)、齐聚咔唑(2C、3C)、齐聚酚噻嗪(2P、3P)或一至三代树枝状三苯胺。
其示例分子式如下所示:
Figure S2008100507222D00031
该化合物适用于制备高性能有机电致发光器件。本发明化合物的优点是固体荧光量子效率高,可作为有机电致发光材料,并且器件工艺简单,容易重复,有利于器件批量工业化生产。
制备9,10-二乙烯蒽衍生物按如下反应模式1进行:
反应模式1:
反应模式1化合物(A)和9,10-二溴蒽于DMAc中,以醋酸钯作为催化剂,在110℃条件下发生Heck反应可获得目标化合物(I)。
特别的,当式(I)中R为取代苯基时,本发明的材料合成部分为式(II)所示的化合物:
Figure S2008100507222D00042
通式(II)代表以9,10-二苯乙烯蒽为基本结构骨架的9,10-二苯乙烯蒽衍生物,R1为对位的C1-C12的烷基、对位含有C1-C12的烷氧基、邻位含有C1-C12的烷氧基、对位含有C1-C12的N,N-二胺基、苯基、咔唑、酚噻嗪、NO2、CN、COOCnH2n+1(n=1-12)的基团。
制备9,10-二苯乙烯蒽衍生物按如下反应模式2进行:
反应模式2:
Figure S2008100507222D00043
反应模式2采用的原料为苯甲醛的衍生物,这种原料以四氢呋喃为溶剂,在叔丁醇钾存在条件下发生Wittig反应生成化合物(B),化合物(B)和9,10-二溴蒽于DMAc中,以醋酸钯作为催化剂,在110℃条件下发生Heck反应可获得目标化合物(II)。
本发明为如式(I)(II)所示的9,10-二乙烯蒽衍生物,具有较多的取代基团,同时9,10-二乙烯蒽衍生物具有高的固态荧光量子效率,是一种很好的发光材料。该系列化合物适用于制备高性能有机电致发光器件。
本发明的化合物可以作为电致发光材料制备电致发光器件,尤其可用于电致发光器件的活性层。所谓活性层是指在一定驱动电压下具有发光性能或具有电荷注入、传输性能的有机薄膜层。
因此本发明的电致发光器件部分也是本发明的式(I)或(II)化合物作为电致发光材料的应用以及含有式(I)或(II)化合物的混合物作为电致发光材料的应用。
通过荧光光谱、电致发光光谱、亮度、电流/电压特性分析方法测试材料及器件性能,应用本发明式(I)或(II)化合物的荧光性质和电致发光器件特性如下:固态荧光量子效率为30%以上,电致发光器件开启电压为4V,最大亮度为3500cd/m2,最大效率为1.2cd/A。由此可见,本发明式(I)或(II)的化合物合成方法简单、提纯方便、应用于电致发光材料具有开启电压低、亮度高、发光效率高、稳定性好等特点。
附图说明
图1:应用本发明所述有机材料的电致发光器件结构示意图。
现结合图1来说明本发明式(I)或(II)化合物在电致发光器件中的应用。本发明的对象可用于制备带有一个或多个活性层的电致发光器件,而且这些活性层中至少一层含有一种或多种本发明的化合物。活性层可以通过旋涂方法或真空蒸镀的方法制备,活性层可以是一个光发射层和/或一传输层和/或一电荷注入层。此类化合物的发光器件的基本结构如图1所示,该图为多层结构的电致发光器件,其由附着在透光玻璃1上的ITO(氧化铟锡)导电层(阳极)2和金属(Al:Mg:Ag合金,Ca、Na、K)层(阴极)8以及夹在两极之间的载流子注入层(空穴注入层3);两个载流子传输层分别为空穴传输层4(如NPB)和电子传输层7(如Alq3,TPBI);空穴阻挡层6(如BCP)和发光层5构成。其中4和5中所用材料为本发明所述的有机电致发光材料,或包含本发明所述的有机电致发光材料。空穴和电子分别从正负两极注入,分别在空穴传输层和电子传输层中传输,在发光层的界面附近区域电子和空穴复合,并产生激子,激子通过辐射跃迁形式回到基态,并发射出光。这种发射光的颜色可通过调控作为发光层的化合物加以改变,应用本发明的化合物可以制备高效的发光器件。在电致发光层和阴极之间可加入一层电子注射层和/或电子传输层、或在发光层与电子传输层中加入一层空穴阻挡层、或在电致发光层和阳极之间加入一层空穴注入层和/或空穴传输层以提高器件性能。
这些电致发光装置可应用作自身发光的指示元件如信号灯、字母数字显示器、指示牌、光电偶合器、各种平板显示器等(手机、数码摄像机、数码照像机、掌上电脑等的显示屏)。
具体实施方式
下面通过实施例来进一步阐明本发明化合物的制备及应用,而不是要用这些实施例来限制本发明。
实施例1:BMSA的合成
在圆底烧瓶中放入12毫升对甲基苯甲醛和43克溴甲基三苯基磷,并加入250毫升干燥的四氢呋喃,搅拌溶解。在氮气保护下把16.8克叔丁醇钾溶于适量干燥的四氢呋喃中,并缓慢滴加到圆底烧瓶之中。反应4个小时之后,减压蒸去溶剂,通过柱层析方法提纯后得到对甲基苯乙烯。
在圆底烧瓶中依次加入7克对甲基苯乙烯,7.8克9,10-二溴蒽,15克干燥的磷酸三钾,和催化量的乙酸钯,并加入适量干燥的N,N-二甲基乙酰胺搅拌溶解,在氮气保护下,110℃下反应24小时后,冷却至室温,倒入水中,过滤,干燥,通过柱层析方法提纯后得到9,10-二对甲基苯乙烯蒽。产率:82.3%。1HNMR(500MHz CDCl3)δ2.43(s,6H,CH3),6.91(d,J=16.5Hz,2H,CH=CH),7.27(d,J=7.5Hz,2H,Ar),7.45-7.47(m,4H,Ar),7.59(d,J=8.0Hz,2H,Ar),7.88(d,J=16.5Hz,2H,CH=CH),8.39-8.41(m,4H,Ar)。质谱分子离子峰:410.5。元素分析按化学式C32H26计算:C:93.62%;H:6.38%;实验值:C:93.5%;H:6.2%。
实施例2:BBSA的合成
BBSA的合成与实施例1一样。只是用的是对丁基苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二对丁基苯乙烯蒽。产率:75.6%。质谱分子离子峰:494.6。元素分析按化学式C38H38。计算:C:92.26%;H:7.74%;实验值:C:92.4%;H:7.6%。
实施例3:BTBSA的合成
BTBSA的合成与实施例1一样。只是用的是对叔丁基苯甲醛。产物9,10-二对叔丁基苯乙烯蒽。质谱分子离子峰:494.5。元素分析按化学式C38H38计算:C:92.26%;H:7.74%;实验值:C:92.1%;H:7.8%。
Figure S2008100507222D00072
实施例4:BMOSA的合成
BMOSA的合成与实施例1一样。只是用的是对甲氧基苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二对甲氧基苯乙烯蒽。核磁数据:1H NMR(500MHz CDCl3)δ3.89(s,6H,OCH3),6.88(d,J=16.5Hz,2H,CH=CH),7.00(d,J=8.5Hz,4H,Ar),7.43-7.45(m,4H,Ar),7.63(d,J=8.5Hz,4H,Ar),7.79(d,J=16.5Hz,2H,CH=CH),8.39-8.41(m,4H,Ar)。质谱分子离子峰:442.6。元素分析按化学式C32H26O2计算:C:86.85%;H:5.92%;实验值:C:86.7%;H:6.0%%。
实施例5:BBOSA的合成
BBOSA的合成与实施例1一样,只是用的是对丁氧基苯甲醛代替对甲基苯甲醛,即得产物9,10-二对丁氧基苯乙烯蒽。核磁数据:1H NMR(500MHz CDCl3)δ0.99(t,J=7.5Hz,12H,CH3),1.36-1.43(m,8H,CH2),1.60-1.66(m,8H,CH2),3.34(t,J=7.5Hz,8H,NCH2),6.72(d,J=8.5Hz,4H,Ar),6.82(d,J=16.5Hz,2H,CH=CH),7.42-7.44(m,4H,Ar),7.55(d,J=9.0Hz,4H,Ar),7.68(d,J=16.5Hz,2H,CH=CH),8.42-8.44(m,4H,Ar)。质谱分子离子峰:526.7。元素分析按化学式C38H38O2计算:C:86.65%;H:7.27%;实验值:C:86.8%;H:7.3%。
Figure S2008100507222D00082
实施例6:BDDOSA的合成
BDDOSA的合成与实施例1一样,只是用对十二烷基苯甲醛代替对甲基苯甲醛,即得产物9,10-二对十二烷氧基苯乙烯蒽。质谱分子离子峰:750.9。元素分析按化学式C54H70O2计算:C:86.35%;H:9.39%;实验值:C:86.5%;H:9.4%。
Figure S2008100507222D00091
实施例7:BOBOSA的合成
BBOSA的合成与实施例1一样,只是用的是邻丁氧基苯甲醛代替对甲基苯甲醛,即得产物9,10-二邻丁氧基苯乙烯蒽。质谱分子离子峰:526.7。元素分析按化学式C38H38O2计算:C:86.65%;H:7.27%;实验值:C:86.8%;H:7.3%。
Figure S2008100507222D00092
实施例8:BDDOSA的合成
BODDOSA的合成与实施例1一样,只是用邻十二烷基苯甲醛代替对甲基苯甲醛,即得产物9,10-二邻十二烷氧基苯乙烯蒽。质谱分子离子峰:750.9。元素分析按化学式C54H70O2计算:C:86.35%;H:9.39%;实验值:C:86.5%;H:9.4%。
Figure S2008100507222D00093
实施例9:BDMASA的合成
BDMASA的合成与实施例1一样。只是用N,N-二甲基苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二对N,N-二甲基苯乙烯蒽。1H NMR(500MHz CDCl3)δ3.04(s,12H,CH3),6.82-6.87(m,6H,Ar,CH=CH),7.43-7.45(m,4H,Ar),7.59(d,J=8.0Hz,4H,Ar),7.73(d,J=16.5Hz,2H,CH=CH),8.42-8.44(m,4H,Ar)质谱分子离子峰:468.5。元素分析按化学式C34H32N2计算:C:87.14%;H:6.88%;N,5.98%;实验值:C:87.2%;H:7.0%;N,6.0%。
Figure S2008100507222D00101
实施例10:BDBASA的合成
BDBASA的合成与实施例1一样。只是用N,N-二丁基苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二对N,N-二丁基苯乙烯蒽。1H NMR(500MHz CDCl3)δ0.99(t,J=7.5Hz,12H,CH3),1.36-1.43(m,8H,CH2),1.60-1.66(m,8H,CH2),3.34(t,J=7.5Hz,8H,NCH2),6.72(d,J=8.5Hz,4H,Ar),6.82(d,J=16.5Hz,2H,CH=CH),7.42-7.44(m,4H,Ar),7.55(d,J=9.0Hz,4H,Ar),7.68(d,J=16.5Hz,2H,CH=CH),8.42-8.44(m,4H,Ar)。质谱分子离子峰:636.8。元素分析按化学式C46H56N2计算:C:86.74%;H:8.86%;N:4.40%;实验值:C:86.8%;H:8.7%;N:4.5%。
Figure S2008100507222D00102
实施例11:BDBBASA的合成
BDBBASA的合成与实施例1一样,只是用N,N-二十二烷基苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二对N,N-二十二烷基苯乙烯蒽。质谱分子离子峰:1085.3。元素分析按化学式C78H120N2计算:C:86.28%;H:11.14%;N:2.58%;实验值:C:86.4%;H:11.2%;N:2.6%。
Figure S2008100507222D00111
实施例12:DSA的合成
DSA的合成与实施例1一样,只是用苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二苯乙烯蒽。1H NMR(500MHz CDCl3)δ6.95(d,J=16.5Hz,2H,CH=CH),7.37(t,J=7.5Hz,2H,Ar),7.46-7.49(m,8H,Ar),7.70(d,J=7.5Hz,4H,Ar),7.94(d,J=16.5Hz,2H,CH=CH),8.39-8.41(m,4H,Ar)。质谱分子离子峰:382.5。元素分析按化学式C30H22计算:C:94.20%;H:5.80%;实验值:C:94.3%;H:5.9%。
Figure S2008100507222D00112
实施例13:BNSA的合成
BNSA的合成与实施例1一样,用对硝基苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二对硝基苯乙烯蒽。质谱分子离子峰:472.5。元素分析按化学式C30H20N2O4计算:C:76.26%;H:4.27%;N:5.93%;实验值:C:76.3%;H:4.4%;N:6.0%。
Figure S2008100507222D00121
实施例14:BCNSA的合成
BCNSA的合成与实施例1一样,用对氰基苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二对氰基苯乙烯蒽。质谱分子离子峰:432.5。元素分析按化学式C32H20N2计算:C:88.86%;H:4.66%;N:6.48%;实验值:C:88.9%;H:4.7%;N:6.5%。
实施例15:DEBEDBA的合成
DEBEDBA的合成与实施例1中合成类似,用对酯基苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二对酯基苯乙烯蒽。质谱分子离子峰:526.4。元素分析按化学式C36H30O4计算:C:82.11%;H:5.74%;实验值:C:82.2%;H:5.7%。
实施例16:BCz2VA的合成
BCz2VA的合成与实施例1中合成类似,用9-己基-3-咔唑醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二对咔唑烯蒽。质谱分子离子峰:728.8。元素分析按化学式C54H52N2计算:C:88.97%;H:7.19%;N,3.84%;实验值:C:89.0%;H:7.2%;N,3.9%。
Figure S2008100507222D00131
实施例17:BPTZVA的合成
BPTZVA的合成与实施例1中合成类似,用10-己基-3-酚噻嗪醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二对酚噻嗪烯蒽。质谱分子离子峰:792.8。元素分析按化学式C54H52N2S2计算:C:81.77%;H:6.61%;N:3.53%;实验值:C:81.8%;H:6.7%;N:3.5%。
Figure S2008100507222D00132
实施例18:BBPVA的合成
BBPVA的合成与实施例1中合成类似,用联苯苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二联苯烯蒽。质谱分子离子峰:524.5。元素分析按化学式C42H30计算:C:94.34%;H,5.66%;实验值:C:94.4%;H,5.6%。
Figure S2008100507222D00141
实施例19:BCzSA的合成
BCzSA的合成与实施例1中合成类似,用4-咔唑苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二(4-咔唑)苯乙烯蒽。质谱分子离子峰:712.5。元素分析按化学式C54H36N2计算:C:90.98%;H:5.09%;N:3.93%;实验值:C:91.0%;H:5.1%;N:3.9%。
Figure S2008100507222D00142
实施例20:BPTZSA的合成
BPTZSA的合成与实施例1中合成类似,用4-酚噻嗪苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二(4-酚噻嗪)苯乙烯蒽。质谱分子离子峰:644.8。元素分析按化学式C46H32N2O2计算:C:83.47%;H:4.67%;N:3.61%;实验值:C:83.5%;H:4.7%;N:3.5%。
Figure S2008100507222D00143
实施例21:BTPAVA的合成
BTPAVA的合成与实施例1中合成类似,用4-二苯胺苯甲醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二(4-二苯胺)苯乙烯蒽。1H NMR(500MHz CDCl3)δ6.87(d,J=16.0Hz,2H,CH=CH),7.05(t,J=6.5Hz,4H,Ar),7.14-7.17(m,12H,Ar),7.29(d,J=7.0Hz,8H,Ar),7.46-7.47(m,4H,An),7.56(d,J=7.0Hz,4H,Ar),7.82(d,J=16.0Hz,2H,CH=CH),8.40-8.41(m,4H,Ar)。质谱分子离子峰:716.4。元素分析按化学式C54H40N2计算:C:90.47%;H:5.62%;N;3.91%;实验值:C:90.5%;H:5.6%;N:3.9%。
实施例22:BTVA的合成
BTVA的合成与实施例1中合成类似,用2-噻吩醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二对噻吩烯蒽。质谱分子离子峰:394.2。元素分析按化学式C26H18S2计算:C:79.15%;H:4.60%;实验值:C:79.1%;H:4.7%。
Figure S2008100507222D00152
实施例23:Cz4VA的合成
Cz4VA的合成与实施例1中合成类似,用二咔唑醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二(二咔唑)烯蒽。质谱分子离子峰:16601.0析按化学式C122H112N6计算:C:88.15%;H:6.79%;N:5.06%实验值:C;88.3;H:6.7;N:5.0%.
Figure S2008100507222D00161
实施例24:Cz6VA的合成
Cz6VA的合成与实施例1中合成类似,用三咔唑醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二(三咔唑)烯蒽。质谱分子离子峰:1829.2元素分析按化学式C134H136N6计算:C:87.92%H:7.49%N:4.59%实验值:C:88.1%;H:7.5%;N:4.4%
Figure S2008100507222D00162
实施例25:PTZ4VA的合成
PTZ4VA的合成与实施例1中合成类似,用二酚噻嗪醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二(二酚噻嗪)烯蒽。质谱分子离子峰:1466.9。元素分析按化学式C98H106N4S4计算:C,80.17%;H,7.28%;N,3.82%;实验值:C,80.2%;H,7.3%;N,3.9%。
Figure S2008100507222D00163
实施例26:PTZ6VA的合成
PTZ6VA的合成与实施例6中合成类似,用三酚噻嗪醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二(三酚噻嗪)烯蒽。质谱分子离子峰:2021.2。元素分析按化学式C134H136N6S6计算:C:79.56%;H:6.78%;N,4.15%;实验值:C:79.6%;H:6.7%;N,4.2%。
Figure S2008100507222D00171
实施例27:T4VA的合成
T4VA的合成与实施例1中合成类似,用二噻吩醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二(二噻吩)烯蒽。质谱分子离子峰:610.2。元素分析按化学式C38H26S4计算:C:74.71%;H:4.29%;实验值:C:74.6%;H:4.4%。
实施例28:T6VA的合成
TMDNQA的合成与实施例6中合成类似,用三噻吩醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二(三噻吩)烯蒽。质谱分子离子峰:826.4。元素分析按化学式C50H34S6计算:C:72.60%;H:4.14%;实验值:C:72.6%;H:4.2%。
Figure S2008100507222D00173
实施例29:TPA6VA的合成
TPA6VA的合成与实施例1中合成类似,用三(三苯胺)醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二(三(三苯胺))烯蒽。质谱分子离子峰:1793.2。元素分析按化学式C134H100N6计算:C:89.70%;H:5.62%;N,4.68%;实验值:C:89.7%;H:5.7%;N,4.7%。
Figure S2008100507222D00181
实施例30:TPA14VA的合成
TPA14VA的合成与实施例1中合成类似,用七(三苯胺)醛代替对甲基苯甲醛。产物9,10-二(七(三苯胺))烯蒽。质谱分子离子峰:3946.6。元素分析按化学式C294H220N14计算:C:89.42%;H:5.62%;N:4.97%;实验值:C:89.5%;H:5.6%;N:5.0%。
Figure S2008100507222D00191
实施例31:以BTPAVA为发光层的发光器件
器件结构为ITO/PEDOT/BTPAVA/TPBi/LiF/Al,具体制备过程为:在预处理的镀有ITO(氧化铟锡,正极)的玻璃基片上旋涂上一层PEDOT:PSS(3,4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸)作为空穴注入层(500
Figure S2008100507222D00192
),待PEDOT:PSS完全干燥后,将BTPAVA化合物的氯仿溶液(浓度为10mg/ml)以2000转/分钟速度旋涂在PEDOT:PSS表面作为发光层(1000),然后再蒸镀电子传输层TPBi(600
Figure S2008100507222D00194
)、电子注入层LiF(10
Figure S2008100507222D00195
)及金属电极Al(1500
Figure S2008100507222D00196
)。在蒸镀过程中保持真空度为4×10-6乇。器件的发光峰位为590nm,为橙红色光。其开启电压为3v,最大亮度为1500cd,其器件最大效率为0.3cd/A。
实施例32:以TPA6VA为发光层的发光器件
器件结构为ITO/PEDOT/TPA6VA/TPBi/LiF/Al,具体制备过程为:在清洗好的镀有ITO(氧化铟锡,正极)的玻璃基片上旋涂上一层PEDOT:PSS作为空穴注入层(500),待PEDOT:PSS完全干燥后,将化合物的氯仿溶液(浓度为10mg/ml)以2000转/分钟速度旋涂在PEDOT表面作为发光层(1000
Figure S2008100507222D00198
),然后再蒸镀电子传输层TPBi(600
Figure S2008100507222D00199
)、电子注入层LiF(10
Figure S2008100507222D001910
)及金属电极Al(1500
Figure S2008100507222D001911
)。在蒸镀过程中保持真空度为4×10-6乇。器件的发光峰位为610nm,为橙红色光。其开启电压为4v,最大亮度为1200cd,其器件最大效率为1.2cd/A。
实施例33:以BCz2VA为发光层的发光器件
器件结构为ITO/BCz2VA/TPBi/LiF/Al,具体制备过程为:在清洗好的镀有ITO(氧化铟锡,正极)的玻璃基片蒸镀BCz2VA作为发光层(800
Figure S2008100507222D00201
),然后再蒸镀电子传输层TPBi(600
Figure S2008100507222D00202
)电子注入层LiF(10
Figure S2008100507222D00203
)及金属电极Al(1500
Figure S2008100507222D00204
)。在蒸镀过程中保持真空度为4×10-6乇。器件发光峰位为588nm,为黄色光。其开启电压为4v,最大亮度为3500cd,其器件最大效率为0.7cd/A。

Claims (4)

1.9,10-二乙烯蒽衍生物,其结构式如下所示:
Figure FSB00000599667100011
其中,R代表
Figure FSB00000599667100012
R1代表碳原子数为2至12的烷基。
2.权利要求1所述的9,10-二乙烯蒽衍生物在用于制备有机电致发光器件方面的应用。
3.如权利要求2所述的9,10-二乙烯蒽衍生物在用于制备有机电致发光器件方面的应用,其特征在于:有机电致发光器件带有一个或多个活性层,在这些活性层中至少有一层含有一种或多种本发明的化合物。
4.如权利要求3所述的9,10-二乙烯蒽衍生物在用于制备有机电致发光器件方面的应用,其特征在于:活性层是一个光发射层和/或一迁移层和/或一电荷注入层。
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