CN101276779A - 用于形成隐蔽布线的方法及采用其的衬底和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种形成隐蔽布线的方法，所述方法使得不将绝缘板的可用材料限制与具有良好的耐热性的材料上、并提高为所述隐蔽布线的所提供的端子的抗腐蚀性成为可能。绝缘板的表面通过采用在所述表面上形成的掩模而被选择性地蚀刻，由此，在所述表面中形成沟槽。金属纳米颗粒墨被置于所述绝缘板的整个表面之上，以将所述沟槽以所述墨填充，在所述表面上留下所述掩膜。所述墨被加热以进行初步固化，从而形成金属纳米颗粒墨膜。置于所述掩模上的膜的一部分通过分离掩模而被选择性地去除，由此将膜的剩余部分保留在沟槽中。在沟槽中的剩余的膜被加热以进行主固化，由此形成所需的隐蔽布线。

Description

用于形成隐蔽布线的方法及采用其的衬底和显示装置

技术领域

本发明涉及一种用于形成隐蔽布线的方法，一种用于包括隐蔽布线的显示装置以及一种包括所述衬底的显示装置。更具体地，本发明涉及一种用于形成掩埋于在绝缘板的表面中形成的沟槽中的布线的方法；一种用于采用所述方法或由此形成的隐蔽布线的显示装置的衬底；以及使用所述衬底的显示装置。本发明优选地被用于采用薄膜晶体管(TFT)的、大面积、高清晰度、高孔径比的液晶显示(LCD)装置。

背景技术

近年来，LCD装置已经被广泛地用作高分辨率显示装置。LCD装置包括衬底，在所述衬底(在下文中将被称为“TFT衬底”)上，形成诸如薄膜晶体管的开关元件；另一个衬底，在所述衬底(在下文中将被称为“相对衬底”)上，形成滤色器和黑矩阵；以及液晶层，所述液晶层被夹在TFT衬底和相对衬底之间。电场被加于在TFT衬底上形成的电极上和在相对衬底上形成的电极上，或者被加于在TFT衬底上形成的电极上和在所述TFT衬底上形成的其他电极上，由此改变了在液晶层中的液晶分子的对齐方向。以这种方式，在每个像素中被透射的光量被控制用于显示所需的符号、图像等等。

在TFT衬底上，例如，栅极线(或扫描线)、漏极线(或信号线)和公共线以矩阵形式形成，其中栅极输入端子、漏极输入端子和公共电极输入端子分别形成于栅极线、漏极线和公共线的端部上。这些输入端子被设置用于与被安装在TFT衬底外部的驱动电路元件进行电连接。所述栅极线、漏极线和公共线与外部驱动电路元件的电互联被采用载带自动粘接(Tape-Automated Bonding，TAB)技术或其他技术实现。

在本说明书中，用于电互联的导线(例如上述栅极线、漏极线和公共线)可以被统称为“布线”。

将TFT用作开关元件的有源矩阵寻址LCD装置具有以下优点：即使扫描线的数目增加，也不会恶化对比度和响应速度。因此，较大尺寸的、高质量的显示装置可以通过有源矩阵寻址LCD装置来实现。然而，如果LCD装置的尺寸变大，上述的布线将变长，而布线电阻将相应地增加。结果，显示质量将由于流经所述布线的信号的延迟而恶化。

另外，近来，存在进一步增加像素密度和进一步增大孔径比的需要，而因此，所述布线需要被变窄。然而，类似于所述布线被延长的情况，所述布线的变窄导致电阻上升。这也由于信号传输延迟而导致显示质量的恶化。

用于防止如上所述的这种布线电阻的增加而导致的显示质量的恶化的一种公知的方法是增加所述布线的厚度。所述方法的示例在下文中将参照图1A至图1C进行解释。

图1A是用于现有技术的LCD装置的TFT衬底的TFT部分的部分剖视图，其中栅极线变厚。图1B是如图1A所示的TFT衬底的栅极输入端子子部分的剖视图。图1C是如图1A所示的TFT衬底的栅极线和漏极线的相交部分的部分剖视图。图1A至图1C分别示出对应于设置在TFT衬底上的矩阵阵列中的像素中的一个的结构。

栅电极102和具有预定的图案的栅极线102a被设置在绝缘板101的表面上。栅电极102和栅极线102a覆盖有透明板绝缘膜103，所述透明板绝缘膜103被形成在板101的表面上。栅电极102和对应的栅极线102a相互进行电互联，所述栅电极102和对应的栅极线102a分别以这种方式而形成，以便通过形成相同的导电膜的图案而被相互连接在一起。栅极线102a沿着预定的方向以带状的形式线性地延伸(见图1B)。栅电极102分别被形成以沿着垂直于栅极线102a的方向伸出到对应的TFT部分(见图1A)。被应用于栅电极102和栅极线102a的图案将在下文中被称为“栅极布线图案”。栅电极102和栅极线102a的厚度大于普通的LCD装置的栅电极和栅极线的厚度。

如图1A所示，被图案化的半导体膜104(每个膜具有岛状的形状)被设置在栅极绝缘膜103上的与对应的栅电极102交叠的位置上。用于欧姆触点的一对n⁺型图案化半导体膜105在除去在对应的一个栅电极102的中部的正上区域之外的每个半导体膜104两侧上被设置在每个半导体膜104上。一对源电极106和漏电极107在所述n⁺型半导体膜105对中的相对应的一对上形成。

漏极线107a通过对于与针对源电极106和漏电极107的导电膜相同的导电膜进行图案化而被形成，并与漏电极107连接在一起(见图1C)。漏极线107a以带状形式沿着垂直于栅极线102a的走向的方向线性地延伸。漏电极107被形成以沿着垂直于漏极线107a的方向伸出到对应的TFT部分。

钝化膜108被形成在栅极绝缘膜103上，以覆盖源电极106、漏电极107和漏极线107a。钝化膜108与源电极106、漏电极107、漏极线107a、以及栅极绝缘膜103的暴露部分相接触(见图1A和1B)。

钝化膜108在与在TFT部分中的源电极106交叠的位置上被选择性地去除，由此形成到达对应的源电极106的接触孔109(见图1A)。借助对应的接触孔109，源电极106分别与上覆的像素电极110接触被形成电连接。像素电极110形成于钝化膜108之上。

钝化膜108和栅极绝缘膜103在与栅极输入端子子部分中的栅极线102交叠的位置上被选择性地去除，其中形成到达对应的栅极线102a的接触孔(见图1B)。借助对应的接触孔111，栅极线102a分别与图案化的透明导电层112接触并形成电连接。透明导电膜112形成于栅极输入端子子部分中的钝化膜108上。

然而，如上所述，如果栅极线102a(和栅电极102)的厚度增加，则由栅极线102a(和栅电极102)形成的水平(或高度)差也相应地增加。因此，缺陷或失效(例如在栅极线102a上形成的其他布线的断开和/或由于液晶分子的对齐扭曲导致的旋错)更可能出现。为此，为了消除由栅极线102a(和栅电极102)自身生成的高度差，曾经开发和提出了一种用于将栅极线102a(和栅电极102)掩埋于在绝缘板101的表面中形成的沟槽或凹陷中的方法。

例如，专利文件1(1994年公开的日本未审查的专利公开物No.6-163586)公开了一种通过在已经形成了凹陷的透明的绝缘板的表面中电镀而形成栅电极和栅极线的导电膜的方法。(见专利文件1的第0014至0019以及0024至0025段，以及专利文件1的图1和图2。)以这种方法，透明的绝缘板的表面被采用掩模进行选择性地蚀刻，以在其中形成凹陷，且之后，接地导电膜被沉积在掩模上和所述凹陷中。此后，栅电极和栅极线的导电膜被沉积在接地导电膜上，由此通过电镀形成，且之后所述接地导电膜的一部分和栅电极和栅极线的所述导电膜的一部分被与掩模一起选择性地去除。这是公知的剥离(lift-off)方法。以这种方式，接地导电膜(groundconductive film)的剩余物以及栅电极和栅极线的导电膜的剩余物被保留在凹陷中，导致栅电极和栅极线(即栅极总线)被掩埋在所述凹陷中。

专利文件2(于1992年公布的日本未审查的专利公开物No.4-324938)公开了一种在已经形成凹陷的绝缘板的表面上形成栅电极和栅极线的金属膜的方法，所述方法通过作为一种公知的真空膜形成方法的溅射来实现。(见所述公开物的第0019至0022段以及所述公开物的图1至图3)。以这种方法，在绝缘板的表面中形成凹陷，并之后通过溅射在所述板的整个表面上形成栅电极和栅极线(即栅极布线图案)的金属膜。此后，通过光刻和蚀刻选择性地去除金属膜，以使仅仅在所述凹陷中保留有金属膜。以这种方式，栅电极和栅极线在所述凹陷中形成。

专利文件3(于1995年公布的日本未审查专利公开物No.7-333648)公开了一种在已经形成沟槽的绝缘板的表面上形成栅电极和栅极线的金属膜的方法，所述方法通过采用公知的旋涂或类似技术涂布液体有机材料而实现。(见所述公开物的第0037至0044段以及所述公开物的图4。)以这种方法，在沟槽在绝缘板的表面中形成之后，液体有机金属被采用旋涂或其他技术涂布在所述表面上，并被烧结，由此形成栅电极和栅极线的金属膜。随后，由此形成的金属膜被通过蚀刻选择性地去除，而被保留在所述沟槽中，导致栅极线及和栅极线被掩埋在所述沟槽中。

专利文件4(于2003年公开的日本未审查专利公开物No.2003-78171)公开了一种采用微粒导电膏以自对齐方式形成金属线的方法。(见所述公开物的摘要、第0018至0025段以及图1和图2。)以这种方法，沟槽根据所需的布线图案在树脂层中形成，并然后，所述树脂层的除去沟槽之外的部分经受疏水处理。可选地，所述树脂层经受疏水处理，且之后沟槽根据所需的布线图案在树脂层中形成。此后，微粒导电膏被涂布在所述树脂层的整个表面上并被烧结，由此以自对齐方式在沟槽中形成金属线。由于置于所述树脂层的疏水区域上的所述微粒导电膏被排斥，所以在所述微粒导电膏的体积由于烧结而减小的过程中，置于所述树脂层上的所述微粒导电膏部分在所述沟槽中凝聚。以这种方式，所述金属线以自对齐方式形成，以具有所需的图案。

然而，借助通过如所述专利文件1所公开的电镀形成栅电极和栅极线的导电膜的方法，接地导电膜需要在绝缘板的凹陷中形成。另外，在形成栅电极和栅极线的导电膜之后，需要进行诸如抛光等工艺，以使得由此形成的导电膜的厚度均匀。相应地，问题在于，如果所述方法被用于具有宽区域或尺寸的绝缘板，则不仅必需的工艺数量的减少是很难的，而且在电镀液中的电流密度分布的平衡(其对于电镀反应是重要的)也是很难的。另外，出现另一个问题：大量的废液需要被处理。

借助通过诸如所述专利文件2所公开的溅射等真空成膜方法形成栅电极和栅极线的金属膜的方法，很难在所述绝缘板的凹陷中均匀地形成金属膜。尤其，由于溅射的台阶覆盖差，所以如果所述凹陷的厚度小，则所述金属膜的厚度在所述凹陷的顶端上很容易相对较大。这意味着，即使在所述凹陷的内部深处，所述金属膜也很难具有均匀的厚度。相应地，问题在于在所述凹陷中和/或在掩埋于所述凹陷中的栅极线中可能出现空隙，由此劣化栅极线的抗化学性和/或抗腐蚀性。

另外，在以这种方式采用光刻方法对栅电极和栅极线的金属膜进行图案化以与所述绝缘板的凹陷对齐的工艺中，如果曝光设备被错误地定位，则所述金属膜将被保留在所述凹陷的外部。因此，对于专利文件2的方法，另一个问题在于，在栅电极和栅极线的上面或上方形成的高度差可能由于对应于所述凹陷外部的所述金属膜的剩余部分的厚度的高度而变大。

对于由所述专利文件3所公开的形成栅电极和栅极线的金属膜的方法，在所述方法中，液体有机金属通过旋涂或类似技术被涂布并被烧结，上述在所述专利文件1的方法中的关于接地导电膜、废液等问题被避免。这是因为采用的液体有机金属。除此之外，作为所述专利文件2的方法的问题的空隙的形成也被避免，且同时，栅电极和栅极线的金属材料可以被掩埋在绝缘板的沟槽中。然而，不同的液体有机金属具有高的烧结温度，例如500℃或更高。因此，问题在于，可用的绝缘板被限制在具有良好的耐热性的材料上，换句话说，绝缘板的可用材料是受限的。

另外，由于普通的液体有机金属包含有机化合物的方式的金属原子，所以金属成分的含量低。这意味着，在烧结后，由于凝聚的体积收缩率大。为此，即使试图通过所述专利文件3的方法在沟槽中形成具有所需厚度的金属布线，也将出现另一个问题，所述问题在于，金属布线的厚度由于大的体积收缩比而变化范围很宽。

进而，由于普通的液体有机金属包括许多非金属成分，所以在烧结之后形成的栅电极和栅极线包含100ppm(百万分之一)量级的杂质(例如碱、硫或其他)。因此，在各个栅极线的端部上形成的栅极输入端子包含上述这些大量的杂质。不像栅电极，栅极输入端子暴露在其环境中的湿气及其他中。相应地，对于所述专利文件3的方法，还将出现另一个问题，所述问题在于，在LCD装置的使用过程中，栅极输入端子的腐蚀能够被上述杂质所触发。

对于由所述专利文件4所公开的采用微粒导电膏以自对齐的方式形成金属线的方法，置于树脂层上的微粒导电膏的凝聚通过利用所述微粒导电膏因为烧结而导致的体积收缩率而造成，由此将所述微粒导电膏收集在沟槽中。以这种方式，金属布线以自对齐方式形成以具有所需图案。因此，如果类似于在LCD装置中所使用的布线图案，在所述布线图案之间的间距有几十或几百微米(μm)大，则微粒导电膏可能被无意地保留在所述布线图案之间。因此，存在形成于沟槽中的金属布线不具有所需图案的可能性。

发明内容

本发明基于对相关技术中的方法的上述问题的考虑而产生。

本发明的目的在于，提供一种用于形成隐蔽布线的方法，所述方法能够使不将绝缘板的可用材料限制在具有良好的耐热性的材料上、并提高为所述隐蔽布线所提供的端子的耐腐蚀性成为可能；且提供一种用于显示装置的衬底；以及一种显示装置。

本发明的另一个目的在于，提供一种形成隐蔽布线的方法，所述方法消除多余的工艺(例如接地导电膜的形成和所述导电膜的抛光)，防止在将布线材料掩埋在形成于绝缘板的表面中的沟槽中的工艺中的缺陷(例如空隙)，且所述方法确保通过更少的工艺步骤以良好的厚度精度进行布线材料膜的图案化；提供一种用于显示装置的衬底；以及一种显示装置。

本发明的另一个目的在于，提供一种用于形成隐蔽布线的方法，所述方法能够使得解决显示装置的进一步的放大的需求、更高的像素密度和更高的孔径比成为可能；提供一种用于显示装置的衬底；以及一种显示装置。

对于本领域的技术人员，根据下列描述，上述目的与没有具体涉及的其他目的一起成为显见的。

根据本发明的第一方面，提供一种形成隐蔽布线的方法，所述方法包括以下步骤：

形成具有对应于绝缘板的表面上的所需的布线图案的开口的掩模；

采用掩模选择性地蚀刻所述绝缘板的表面，由此形成具有对应于在所述绝缘板的表面中的布线图案的预期形状的沟槽；

将金属纳米颗粒墨置于所述绝缘板的整个表面上同时留下掩膜，方式是所述沟槽填充有金属纳米颗粒墨；

加热金属纳米颗粒墨以对其进行初步固化，以形成金属纳米颗粒墨膜；

通过分离掩模选择性地去除置于所述掩模上的金属纳米颗粒墨膜的一部分，由此选择性地将金属纳米颗粒墨膜的剩余物保留在沟槽中；以及

加热保留在沟槽中的金属纳米颗粒墨膜的剩余物，以进行主固化，由此形成所需的隐蔽布线。

上述的金属纳米颗粒墨是包含金属微粒(例如Au、Ag或其他金属的微粒)的油墨，每种金属微粒覆盖有涂布剂，其中所述微粒具有纳米(nm)量级的直径，换句话说，所述微粒为纳米颗粒。任何一种公知的金属纳米颗粒墨都可以被用作金属纳米颗粒墨。通常，这些金属微粒被近似均匀地分散在具有合适的分散剂的水中或有机溶剂(例如二甲苯、甲苯或烯烃)中。所述金属微粒和水或有机溶剂的混合物以整体作为液体或膏的方式被调整。由于纳米量级的金属微粒将以其当前状态进行自然地凝聚，所以每种微粒都涂布有合适的涂布剂，以防止凝聚(agglomeration)。

作为上述金属纳米颗粒墨的具体示例，优选采用为由HarimaChemicals，Inc.生产的微布线“NP系列”所设计的金属膏。“NP系列”的金属膏被称为“纳米金属膏”(“NANOPASTE”)，换句话说，“NANOPASTE”是Harima Chemicals，Inc.的产品名称。然而，不需说明，任何其他的油墨都可以被用于本发明，只要其包含纳米量级的尺寸或直径的金属颗粒且每个金属颗粒都覆盖有涂布剂。

对于根据本发明的第一方面的形成隐蔽布线的方法，通过采用金属纳米颗粒墨形成隐蔽布线。金属纳米颗粒墨在100℃至200℃的低温下被固化，以展现出足够低的电阻特征。因此，消除了由于如在所述专利文件3的现有技术的方法中所使用的液体有机金属中所观察到的高烧结温度而导致的对绝缘板的材料的限制。这意味着，绝缘板的可用材料不限于具有良好的耐热性能的材料。

另外，由于所述金属纳米颗粒墨的非金属成分(即杂质)的含量低于液体有机金属，因此通过采用所述金属纳米颗粒墨而形成的隐蔽布线中存在的杂质相应地降低。另外，在金属纳米颗粒墨中包含的金属纳米颗粒的尺寸或直径为纳米量级，并由此，所述金属纳米颗粒足够小。因此，所述金属纳米颗粒墨膜的表面(通过固化所述金属纳米颗粒墨而形成)具有高平整度，且所述膜的腐蚀率被抑制到低水平。相应地，通过采用液体有机金属(见所述专利文件3)形成金属膜的大问题，即，为所述隐蔽布线所提供的端子的耐腐蚀的劣化可以被防止，所述劣化由剩余的杂质所触发。这意味着由于剩余的杂质导致的耐腐蚀性得到提高。

进而，金属纳米颗粒墨具有比液体有机金属的金属成分的含量高的金属成分的含量，并因此，由于凝聚导致体积收缩比小。因此，通过烧结所述金属纳米颗粒墨而形成的金属纳米颗粒墨膜的厚度的离差(dispersion)被抑制。相应地，通过对金属纳米颗粒墨膜图案化所获得的隐蔽布线具有良好的厚度精度。

进而，由于金属纳米颗粒墨膜的不必需的部分通过将掩模分离而被去除，以由此在沟槽中形成隐蔽布线(这意味着采用剥离方法)，所以掩模的分离和金属纳米颗粒墨膜的图案化通过单个工艺完成。这意味着可以减少必须的工艺步骤的数量。

另外，对于根据本发明的第一方面的、形成隐蔽布线的方法，如上所述，金属纳米颗粒墨膜通过旋涂或其他技术被涂布在绝缘板的整个表面上，以通过金属纳米颗粒墨填充沟槽，其中已经被用于形成沟槽的掩模被保留。此后，通过金属纳米颗粒墨膜通过金属纳米颗粒墨膜的初步固化而被形成，且之后，所述掩模被分离以对金属纳米的油墨膜进行图案化，导致具有所需图案的隐蔽布线。因此，即使所述布线的图案是微型的，缺陷(例如空隙)不会在将布线材料(即，金属纳米颗粒墨)掩埋入绝缘板的沟槽中的工艺中出现，且额外的工艺(例如接地导电膜的形成和导电膜的抛光)是不必需的。除此之外，布线材料膜(即，金属纳米颗粒墨膜)的图案化被确定地实施。

此外，对于根据本发明的第一方面的、形成隐蔽布线的方法，作为布线材料的金属纳米颗粒墨被掩埋在绝缘板的沟槽中，以形成隐蔽布线。因此，布线的扩展和小型化的需要可以被满足，同时布线电阻增加而高度差(或者高度差)的增加被抑制。为此，不会出现缺陷或失效，例如布线的断开和/或由于液晶分子的对齐扭曲所造成的旋差。因此，可以满足显示装置的进一步扩大、提高像素密度和提高孔径比的要求。

在根据本发明的第一方面的、形成隐蔽布线的方法的优选实施例中，在选择性地蚀刻绝缘板的表面以形成沟槽的步骤和将金属纳米颗粒墨置于绝缘板的整个表面上以用金属纳米颗粒墨填充沟槽的步骤之间，执行将吸墨性给予沟槽的步骤，以增加所述沟槽的内表面的表面能。在所述实施例中，存在额外的优点，所述优点在于，吸墨性(ink-receptivity)被给予所述沟槽的内部表面，并因此即使沟槽是微型的，也确定地进行以金属纳米颗粒墨填充沟槽，而没有空隙。

在所述实施例中，优选地，所述沟槽的内表面的表面能高于金属纳米颗粒墨的表面张力。

给予吸墨性的任何一种公知的工艺都可以被用作本发明的将吸墨性给予所述沟槽的工艺。然而，优选地，采用用于将绝缘板暴露给合适的等离子体的等离子体工艺或者用于将紫外(UV)光辐射所述绝缘板的紫外工艺。

在根据本发明的第一方面的、用于形成隐蔽布线的方法的另一个优选实施例中，金属纳米颗粒墨的金属纳米颗粒具有范围从1nm至100nm的平均颗粒尺寸或直径。这是因为在金属纳米颗粒的烧结之后，低熔点和低电阻的优点在所述范围中得以突出地体现。

在根据本发明的第一方面的、用于形成隐蔽布线的方法的另一个优选实施例中，金属纳米颗粒墨的金属纳米颗粒由从由Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Ge、Pd、Pt、Ag、In、Sn、Te、Au、B、Mn和Rh所构成的组中选出的至少一种金属制成。

在根据本发明的第一方面的、用于形成隐蔽布线的方法的另一个优选实施例中，金属纳米颗粒墨的金属纳米颗粒由从由Cr-Ni、Fe-Si、Fe-Ni、Co-Ni、Fe-Co、Cu-Si、Cu-Sn、Pd-Pt、Ag-Pd、Ag-In、Ag-Au、Ag-Cu、Au-Ge、Au-Sn、Au-Pd、Fe-Pd、Co-Pd和Ni-Pd所构成的组中选出的至少一种合金制成。

根据本发明的第二方面，提供一种显示装置的衬底，所述衬底包括：

绝缘板，具有在其表面中形成的沟槽；以及

隐蔽布线，在所述绝缘板的沟槽中形成，

其中所述隐蔽布线由经过固化的金属纳米颗粒制成。

对于根据本发明的第二方面的显示装置的衬底，可以采用根据本发明的第一方面的、用于形成隐蔽布线的方法中所使用的金属纳米颗粒，提供用于制作隐蔽布线的经过固化的金属纳米颗粒。因此，可以获得与根据本发明的第一方面的方法的优点相同的优点。

在根据本发明的第二方面的显示装置的衬底的优选实施例中，金属纳米颗粒由从由Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Ge、Pd、Pt、Ag、In、Sn、Te、Au、B、Mn和Rh所构成的组中选出的至少一种金属制成。

在根据本发明的第二方面的显示装置的衬底的另一个优选实施例中，金属纳米颗粒由从由Cr-Ni、Fe-Si、Fe-Ni、Co-Ni、Fe-Co、Cu-Si、Cu-Sn、Pd-Pt、Ag-Pd、Ag-In、Ag-Au、Ag-Cu、Au-Ge、Au-Sn、Au-Pd、Fe-Pd、Co-Pd和Ni-Pd所构成的组中选出的至少一种合金制成。

在根据本发明的第二方面的、用于显示装置的衬底的另一个优选实施例中，隐蔽布线是LCD装置的衬底的栅极线。

根据本发明的第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括：

根据本发明的第二方面的、用于显示装置的衬底。

对于根据本发明的第三方面的显示装置，包括根据本发明的第二方面的、用于显示装置的衬底，并因此，获得根据本发明的第一方面的方法的优点相同的优点。

根据本发明的第四方面，提供用于显示装置的另一种衬底；所述衬底包括：

绝缘板，具有在其表面中形成的沟槽；以及

隐蔽布线，在所述绝缘板的沟槽中形成，

其中所述隐蔽布线通过采用根据本发明的第一方面的、形成隐蔽布线的方法在所述绝缘板的沟槽中形成。

对于根据本发明的第四方面的、用于显示装置的衬底，由于所述隐蔽布线采用根据本发明的第一方面的、形成隐蔽布线的方法在所述绝缘板的沟槽中形成，所以，可以获得与根据本发明的第一方面的方法的优点相同的优点。

在根据本发明的第四方面的、用于显示装置的衬底的优选实施例中，所述隐蔽布线是LCD装置的衬底的栅极线。

根据本发明的第五方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括：

根据本发明的第四方面的、用于显示装置的衬底。

对于根据本发明的第五方面的显示装置，包括根据本发明的第四方面的、用于显示装置的衬底，并因此，获得根据本发明的第一方面的方法的优点相同的优点。

附图说明

为了本发明可以易于实现效果，在此将参照附图对本发明进行描述。

图1A是在现有技术的LCD装置中所使用的TFT衬底的TFT部分的结构的部分剖视图；

图1B是如图1A所示的TFT衬底的栅极输入端子部分的结构的部分剖视图；

图1C是如图1A所示的TFT衬底的栅极线和漏极线的相交部分的结构的部分剖视图；

图2是LCD装置的TFT衬底的部分平面图，根据本发明的实施例的、形成隐蔽布线的方法被应用于所述TFT衬底中；

图3A是沿着图2中的线IIIA-IIIA的部分剖视图，示出如图2所示的TFT衬底的TFT部分的结构；

图3B是沿着图2中的线IIIB-IIIB的部分剖视图，示出如图2所示的TFT衬底的栅极输入端子部分的结构；

图3C是沿着图2中的线IIIC-IIIC的部分剖视图，示出如图2所示的TFT衬底的栅极线和漏极线的相交部分的结构；

图4A至4F是部分剖视图，分别示出根据本发明的实施例的、用于形成隐藏布线的方法的工艺步骤；

图5是LCD装置的结构的部分剖视图，根据本发明的实施例的、用于形成隐藏布线的方法被应用于所述LCD装置的结构。

具体实施方式

本发明的优选实施例将参照附图在下面进行详细描述。

根据本发明的实施例的、用于形成隐蔽布线的方法所针对的LCD装置的TFT衬底在下面参照图2和图3A至3C进行说明。这些图分别示出TFT部分、栅极输入端子部分以及栅极线和漏极线的相交部分的结构，所述结构分别对应于设置在TFT衬底上的矩阵阵列中的像素中的一个。

在此，玻璃板用作绝缘板1。然而，也可以采用除去玻璃板之外的任何其他绝缘板。在绝缘板1的表面上，形成带状栅极线2和栅电极3，所述带状栅极线2沿着所述矩阵的行方向(即，在图2中的X方向)线性地延伸，所述栅电极3与各个栅极线2相连。栅极线2和栅电极3被掩埋在形成于绝缘板1的表面中的沟槽中，以具有所需的布线图案(即，栅极布线图案)。栅电极3被形成，以从各个栅极线2沿着矩阵的列方向(即，在图2中的Y方向)伸出到对应的TFT部分。以采用金属膜相互连接的方式分别形成栅极线2和栅电极3，其中所述金属膜通过烧结所述金属纳米颗粒墨而被形成。栅极线2和相应的栅电极3分别被彼此互联。栅极线2和栅电极3的表面与绝缘板1的表面基本相符，并因此，板1的整个表面被保持成近似平坦的。

如图3A至3C所示，在绝缘板1的表面上形成透明的栅极绝缘膜13。栅极线2、栅电极3以及来自栅极线2和栅电极3的板1的暴露表面覆盖有栅极绝缘膜13。在TFT部分中，图案化的半导体膜4(每个具有岛状形状)被设置在栅极绝缘膜13的与相应的栅电极3交叠的位置上(见图3A)。用于欧姆触点的一对n⁺型图案化半导体膜14被设置在除去在对应的栅电极3的中部的正上区域之外的每个半导体膜4两侧上。一对源电极5和漏电极6在所述对n⁺型半导体膜14中的相对应的一对上形成。

漏极线7被形成为沿着矩阵的列方向(在图2中的Y方向)以带状形式线性地延伸。漏极线7通过对与源电极5和漏电极8的导电膜相同的导电膜进行图案化而形成，并分别与漏电极8结合。漏极线7的延伸方向垂直于栅极线2的延伸方向(在图2中的X方向)。漏电极8被形成为沿着垂直于漏极线7的X方向伸出到对应的TFT部分。

钝化膜15在栅极绝缘膜13上形成，以覆盖源电极5、漏电极8和漏极线7。钝化膜15与源电极5、漏电极8、漏极线7以及栅极绝缘膜13的暴露部分形成接触。

钝化膜15在与TFT部分中的对应的源电极5交叠的位置上被选择性地去除，由此分别形成接触孔6，所述接触孔6到达源电极5。源电极5借助对应的接触孔6与对应的像素电极10接触并电连接(见图3A)。通过对透明的导电膜进行图案化形成像素电极10，以具有近似矩形的预期形状。像素电极10被设置在由栅极线2和漏极线7所限定的各个像素区域中的钝化膜15上(见图2)。

另外，钝化膜15在与栅极输入端子部分中的对应的栅极线2交叠的位置上被选择性地去除，所述栅极输入端子部分可能被暴露给存在于其环境中的湿气，由此分别形成到达栅极线2的接触孔11(见图3B)。透明的导电膜12在钝化膜15上形成的方式能够覆盖各个接触孔11的内壁。由于导电膜12分别与接触孔11中的栅极线2的暴露部分接触，所以导电膜12与各个栅极线2电连接。提供透明的导电膜12，以将输入信号引入各个栅极线2。如图2所示，每个接触孔11的宽度被以所述接触孔11没有从对应的栅极线2侧向伸出的方式而设定。

带状栅极遮光膜9被设置在每个漏极线7的两侧上(见图2)。栅极遮光膜9被提供用于遮蔽从绝缘板1的上侧进入的光，并被形成为沿着漏极线7延伸。

由于栅电极3和对应的栅极线2被掩埋在绝缘板1的表面的各个沟槽中，所以板1的整个表面被保持成近似平坦的。因此，TFT部分和栅极输入端子部分的高度差小于如图1A至1C所示的现有技术的LCD装置中的TFT部分和栅极输入端子部分的高度差(见图3A和3B)。由于在栅极线2和漏极线7的互联部分没有高度差产生，所以漏极线7在平面上延伸(见图3C)。

接着，在下文中将参照图4A至4F对采用根据本发明的实施例的、用于形成隐蔽布线的方法形成如图2和图3A至3C所示的栅极线2和栅电极3的工艺步骤进行说明。

首先，正型光敏抗蚀剂被涂布在绝缘板(在此为玻璃板)1的整个表面上，以形成光敏抗蚀剂膜(未示出)。接着，将成为栅电极3和栅极线2的图案(即，栅极布线图案)的光敏抗蚀剂膜部分被采用公知的光刻技术被选择性地曝光和显影，由此形成掩模17(见图4A)。这样所形成的掩模17具有对应于所需的栅极布线图案的开口。换句话说，掩模17的开口使得沟槽被形成具有所需的栅极布线的反转图案。

接着，绝缘板1的表面通过采用掩模17的湿法蚀刻而被选择性地蚀刻，由此在板1的表面中形成沟槽18(见图4B)。这些沟槽18具有所需的栅极布线图案的反转图案。例如，沟槽18的深度(即蚀刻深度)被设置为1μm。在所述蚀刻工艺中，采用具有高蚀刻速率的各向同性的湿法蚀刻，并因此可以缩短蚀刻时间。然而，因为采用湿法蚀刻，绝缘板1不仅沿着垂直方向(即在图4B中的向下的方向)而且沿着横向的方向(即在图4B中的左右方向)以近似相等的蚀刻速率被蚀刻。因此，沟槽18的宽度略大于掩模17的开口的宽度。为此，根切区域在板1中、在掩模17正下面的位置上形成。例如，缓冲式的氟化氢(HF)可以被用作对所述蚀刻工艺的蚀刻方案。

沟槽18可以通过采用干法蚀刻方法各向异性地蚀刻绝缘板1来形成。在所述情况下，可以抑制上述根切区域的形成。

如果需要大的沟槽18的深度，换句话说，如果蚀刻时间需要被延长，以增加栅电极3和栅极线2的厚度，则可以采用具有耐久性的金属掩模(由诸如Cr的金属制成)替代由光敏抗蚀剂制成的掩模17。

随后，已经形成有掩模17和沟槽18的绝缘板1被暴露给预定的等离子体，由此将“等离子体处理”给予板1的整个表面。进行所述等离子体处理以增加沟槽18的内表面的“表面能”，由此增强在板1的沟槽18的内表面和金属纳米颗粒墨之间的粘附属性，所述金属纳米颗粒墨将在后面的工艺中被涂布在其上。所述等离子体处理用作对于涂布金属纳米颗粒墨的预处理。在此，“表面能”意味着作为任何表面所具有的总能量的自由能分量的表面自由能，所述表面自由能等于金属纳米颗粒墨的表面张力。由于所述等离子体处理，形成表面能增加的层，即，经过吸墨性处理的层19(见图4C)。所述经过吸墨性处理的层19覆盖掩模17的整个表面和从掩模17被暴露的沟槽18的整个内表面。所述等离子体处理可以被称为“吸墨性工艺”，这是因为经过吸墨性处理的层19通过所述的等离子体处理而形成。例如Ar或He可以被用作针对所述等离子体处理的等离子体气体。

出于所述目的，“紫外处理”可以被用作另一种吸墨性工艺。在这种情况下，预定波长的紫外光被辐射到绝缘板1上，在所述绝缘板1上，已经形成有掩模17和沟槽18。

接着，金属纳米颗粒墨通过旋涂或其他技术被涂布在绝缘板1的整个表面上，所述吸墨性工艺已经被应用于所述表面上，由此形成金属纳米颗粒墨膜20(见图4D)。在此时，经过吸墨性处理的层19在板1的沟槽18的内表面上形成，并因此，沟槽18的内表面的表面能大于金属纳米颗粒墨的表面张力。相应地，所述金属纳米颗粒墨光滑地进入沟槽18的内部，且因此，沟槽18和掩模17的开口被确定地充满金属纳米颗粒墨而不生成空隙。

当所述金属纳米颗粒墨被涂布，以覆盖绝缘板1的表面时，金属纳米颗粒墨膜20在沟槽18的正上方位置上的厚度被调整，以使所述厚度略大于沟槽18的深度。这是基于对在后续的烧结工艺中金属纳米颗粒墨膜20的体积被减小(即膜收缩)的实际情况的考虑。在旋涂工艺中，如上所述的这种膜20的厚度通过调整所述金属纳米颗粒墨的涂布量、转速等而易于被实现。

因为在用于在绝缘板18的表面中形成沟槽的工艺中使用湿法蚀刻，所以由于各向异性的蚀刻作用，在掩模17下面形成根切。然而，所述金属纳米颗粒墨通过旋涂方法被涂布在绝缘板1的表面上，以覆盖掩模17，由此在所述实施例中形成金属纳米颗粒墨膜20。因此，所述根切区域可以确定地被填满所述金属纳米颗粒墨。

优选地，包含在金属纳米颗粒墨中的金属纳米颗粒具有在从1nm至100nm的范围中的平均颗粒尺寸或直径。这是因为在金属纳米颗粒的烧结后的低熔点和低电阻的优点在所述范围中突出地显现出来。在此，“平均颗粒尺寸”表示被包含在金属纳米颗粒墨中的金属纳米颗粒的典型尺寸或直径。另外，所述“颗粒尺寸”表示独立的金属纳米颗粒的几何直径或尺寸。

下面示出包含在金属纳米颗粒墨中的金属纳米颗粒的具体示例。优选地，金属纳米颗粒由从由Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Ge、Pd、Pt、Ag、In、Sn、Te、Au、B、Mn和Rh所构成的组中选出的至少一种金属制成，或者从相同的组中选出的至少两种金属的合金制成。优选地，金属纳米颗粒由从由Cr-Ni、Fe-Si、Fe-Ni、Co-Ni、Fe-Co、Cu-Si、Cu-Sn、Pd-Pt、Ag-Pd、Ag-In、Ag-Au、Ag-Cu、Au-Ge、Au-Sn、Au-Pd、Fe-Pd、Co-Pd和Ni-Pd所构成的组中选出的至少一种合金制成。

包含在金属纳米颗粒墨中的金属纳米颗粒被近似均匀地分散在水中或有机溶剂(例如二甲苯、甲苯或烯烃)中而没有凝聚。所述金属颗粒和水或有机溶剂的混合物以整体作为油墨(或液体或膏)的方式被调整。为了将所述金属纳米颗粒分散在水中或有机溶剂中，添加合适的分散剂。另外，为了防止所述金属纳米颗粒的自然凝聚，每个所述颗粒覆盖有合适的涂布剂。

随后，已经在其上形成金属纳米颗粒墨膜20的绝缘板1在100℃下被加热预定的时间，由此进行膜20的初步烧结。这在一定程度上去除包含在膜20中的有机溶剂并初步固化所述膜20。充分地，金属纳米颗粒墨膜20的“初步烧结(初步固化)”在一定的程度或水平上进行，所述程度或水平是指置于掩模17上的膜20部分的选择性地去除在将膜20与掩模17一起选择性地去除的下一步骤中平稳地进行。初步烧结(初步固化)的温度被根据所使用的金属纳米颗粒的类型或种类被合适地调整。

在金属纳米颗粒墨膜20的初步固化完成之后，掩模17与绝缘板1分离。因此，被附着在掩模17的表面上的膜20部分被与掩模17一起去除，且同时，膜20的剩余物仅仅被保留在沟槽18中(见图4E)。在所述阶段，存在于沟槽中的膜20的剩余物从绝缘板1的表面略微伸出。

最后，在绝缘板1中，由此被初步固化的金属纳米颗粒墨膜20的剩余物已经被保留在沟槽18中，所述绝缘板1被再次以在从150℃至200℃的范围内的更高的温度加热预定的时间，由此进行膜20的主烧结(主固化)。在所述主烧结(主固化)的过程中，存在于膜20的剩余物中的水或有机溶剂以及分散剂被去除，且同时，用于覆盖各个金属纳米颗粒的涂布剂被蒸发，以使得所述金属纳米颗粒相互接触并最终固化。结果，金属纳米颗粒墨膜20被转换成具有导电性的金属膜。由此形成的金属膜用作沟槽18中的隐蔽布线，换句话说，栅极线2(见图4F)。另外，主烧结(主固化)的温度根据所使用的金属纳米颗粒墨的类型或种类被进行适合地调整。

由于在金属纳米颗粒墨膜20中存在的涂布剂、水或有机溶剂以及分散剂在主烧结(主固化)的步骤中被去除，在沟槽18中出现所述膜20的剩余部分的体积的缩小(即，膜收缩)。然而，膜20的可能的体积收缩量已经被预先计算，且之后，膜20的厚度已经被有意地设定成比恰好使膜20的顶部变平的一个厚度值略大的值。相应地，如图4F所示，绝缘板1的表面以及由此形成的栅极线2的表面为同一平面，换句话说，所述表面都是平的。

尽管未与栅极线2的形成同时示出，但是栅电极3也以被掩埋在沟槽18中的方式而形成。

如上所述，对于根据本发明的实施例的、用于形成隐蔽布线的方法，所述隐蔽布线，即隐蔽的栅极线2(和隐蔽的栅电极3)通过采用金属纳米颗粒墨形成。通过在100℃至200℃的低温下的固化工艺，在此所使用的金属纳米颗粒墨展现出其充分的低电阻特征。因此，消除了对于由于在所述专利文件3的现有技术的方法中所使用的液体有机金属中所观察到的高烧结温度所导致的绝缘板1的材料的限制。这意味着绝缘板1不限于具有良好的耐热性的材料。

此外，由于金属纳米颗粒墨膜20的非金属成分(即杂质)的含量低于液体有机金属的非金属成分的含量，所以在通过金属纳米颗粒墨膜而形成的隐蔽的栅极线2(和隐蔽的栅电极3)中存在的杂质的量相应地减少。另外，在金属纳米颗粒墨中的金属纳米颗粒的直径是纳米量级，且因此，通过固化金属纳米颗粒墨而形成的金属纳米颗粒墨膜20的表面具有高平整度。通常，金属膜的平整度越高，所述金属膜的耐腐蚀性也越高，而金属膜的杂质含量越低，所述金属膜的耐腐蚀性也越高。因此，通过采用液体有机金属形成的金属膜的大问题(见所述专利文件3)，即，可以防止由剩余的杂质所触发的、为各个栅极线2所设置的栅极输入端子部分的耐腐蚀性的降低。这意味着，由于在金属膜中的剩余杂质所导致的栅极输入端子部分的耐腐蚀性得到提高。

进而，由于在烧结之后的凝聚导致金属纳米颗粒墨的体积收缩率小于液体有机金属的体积收缩率。因此，通过烧结所述金属纳米颗粒墨而形成的金属纳米颗粒墨膜20的厚度离差被抑制。相应地，通过对所述膜20进行图案化而获得的隐蔽布线，即隐蔽的栅极线2(和隐蔽的栅电极3)具有良好的厚度精度。

进而，通过将用于形成沟槽18的掩模17分离而去除金属纳米颗粒墨膜20的非必需部分，由此在沟槽18中形成隐蔽的栅极线2(和隐蔽的栅电极3)(这意味着采用剥离方法)。因此，掩模17的分离和所述膜20的图案化通过一步工艺完成。这意味着，可以减少必需的工艺步骤的数量。

另外，金属纳米颗粒墨通过旋涂或其他而被置于绝缘板1的整个表面上，同时已经被用于形成沟槽18的掩模17被保留，由此以所述油墨填充沟槽18。此后，通过金属纳米颗粒墨的初步固化而形成金属纳米颗粒墨膜20，且之后，掩模17被分离以对所述膜20进行图案化。进而，膜20的剩余部分经历主固化工艺，以形成具有所需图案的隐蔽的栅极线2(和隐蔽的栅电极3)。相应地，即使栅极线2的图案是微型的，在将布线(即，金属纳米颗粒墨)掩埋在绝缘板1的沟槽18中的工艺中也不会出现缺陷(例如空隙)，且额外的工艺(例如接地导电膜的形成和导电膜的抛光)是不必要的。除此之外，确定地实现布线材料膜(即，金属纳米颗粒墨膜20)的图案化。

进而，由于作为布线材料的金属纳米颗粒墨被掩埋在绝缘板1的沟槽18中，以形成隐蔽的栅极线2(和隐蔽的栅电极3)，所以可以满足栅极线2的扩展和小型化的需要，同时，布线电阻增加和高度差的增加被抑制。出于所述原因，由于不会出现缺陷或失效，例如布线的断开和/或由于液晶分子的对齐扭曲所造成的旋差(disclination)。因此，可以满足显示装置的进一步扩大、提高像素密度和提高孔径比的要求。

当隐蔽的栅极线2和隐蔽的栅电极3的形成通过上述工艺步骤被完成，如图4F所示，下列工艺步骤随后进行，以完成TFT。

在隐蔽的栅极线2和隐蔽的栅电极3的形成被完成之后，例如SiN膜被形成在绝缘衬底1的整个表面上，以通过等离子体CVD(化学气相沉积)具有近似300至500nm的厚度，形成栅极绝缘膜13。然后，本征非晶硅(α-Si)膜被形成在栅极绝缘膜13上，以具有近似200nm的厚度。在由此形成的本征α-Si膜上，n⁺型的掺磷(P)的α-Si膜被形成以具有近似50nm的厚度。这两种α-Si膜由等离子体CVD形成。此后，n⁺型的α-Si膜和本征α-Si膜通过将具有预定的图案的抗蚀剂膜作为掩模进行连续地干法蚀刻而被选择性地去除。于是，岛状的本征半导体膜4被形成在栅极绝缘膜13上，而用于欧姆触点的岛状的n⁺型的半导体膜在各个半导体膜4上被形成。可以将多晶硅膜替代α-Si膜用于半导体膜4。

接着，金属膜(例如Mo膜)通过溅射被沉积在绝缘板1的整个表面上，以具有近似300nm的厚度。所述金属膜被置于栅极绝缘膜13上。此后，所述金属膜采用具有预定的图案的抗蚀剂膜(未示出)被选择性地蚀刻，由此形成源电极5、漏电极8和漏极线7。

接着，将源电极5和漏电极8用作掩模，对岛状的n⁺型半导体膜进行选择性地蚀刻。于是，在n⁺型半导体膜的中部位置上分别形成间隙，以将其穿透，获得所述n⁺型半导体膜14对。同时，在本征半导体膜4的表面中的、所述间隙的正下方的中部位置上分别形成浅的凹陷。沟道区域分别在本征半导体膜4的内部中、在所述凹陷的正下方的位置上产生。以这种方式，用作开关元件的TFT分别在栅极线2和漏极线7的相交部分的附近形成。

接着，例如，SiN膜通过等离子体CVD形成于绝缘板1的整个表面上，以通过等离子CVD具有近似150至200nm的厚度，由此形成钝化膜15。此后，将具有预定图案的抗蚀剂(未示出)用作掩模，由此形成的钝化膜15在预定位置上被选择性地去除，所述预定位置与TFT部分中的源电极5交叠。同时，钝化膜15和栅极绝缘膜13在预定位置上被选择性地去除，所述预定位置与栅极输入端子部分中的栅极线2交叠。以这种方式，形成到达对应的源电极5的接触孔和到达对应的栅极线2的接触孔11(见图3A和3B)。

在此之后，例如，通过溅射在绝缘板1的整个表面上形成ITO(氧化铟锌)膜，以具有近似50nm的厚度。然后，采用具有预定图案的抗蚀剂(未示出)作为掩模，将ITO膜选择性地去除，由此形成像素电极10和图案化的透明导电膜12。置于钝化膜15上的像素电极10借助接触孔6分别与源电极5接触(见图3A)。置于钝化膜15上的透明的导电膜12借助接触孔11分别与栅极线2接触(见图3B)。

如图2和图3A至3C所示，通过上述工艺步骤，完成TFT、像素电极10、栅极线2和漏极线7。

如上所述，对于根据本发明的实施例的、制作LCD装置的TFT衬底的方法，采用根据本发明的实施例的、形成隐蔽布线的上述方法，分别在绝缘板1中的沟槽18中形成隐蔽的栅极线2(即，隐蔽布线)。因此，可以获得与根据本发明的实施例的、用于形成隐蔽布线的方法的优点相同的优点。

另外，通过公知方法制作相对衬底，在所述相对衬底上，形成滤色器、黑矩阵等，且所述相对衬底与以上述方式制造的TFT衬底相连。液晶层被夹在TFT衬底和相对衬底之间。结果，LCD装置被制作出来。

对于这样制作的LCD装置，在TFT衬底上的栅极线2和栅电极3(即隐蔽布线)通过采用根据本发明的实施例的、用于形成隐蔽布线的上述方法而形成。因此，可以获得与根据本发明的实施例的、用于形成隐蔽布线的方法的优点相同的优点。

图5示出由此制作的LCD装置的结构的示例，其中示出对应于所述像素中的一个像素的结构。所述对应于所述像素的LCD装置的结构在下文中进行简要地解释。

如图5所示，所述LCD装置包括：TFT衬底30；相对衬底50，所述相对衬底50与TFT衬底30相连；以及液晶层60，所述液晶层60在TFT衬底30和相对衬底50之间形成。在液晶层60中的液晶分子的对齐方向被改变以控制在每个像素中的透光量，由此显示所需的符号、图像等等。

关于TFT衬底30，栅电极32(栅电极3)和栅极线(栅电极2)形成于透明的玻璃板31(绝缘板1)的表面的沟槽中。栅电极32和栅极线被掩埋在沟槽中。栅极绝缘膜33(栅极绝缘膜13)被形成于玻璃板31的表面上，以覆盖栅电极32和栅极线。岛状的本征α-Si膜34a(岛状的本征α-Si膜4)形成于栅极绝缘膜33上以与上覆的栅电极32交叠。用于欧姆触点的一对n⁺型α-Si膜34b(所述对n⁺型α-Si膜14)在其每侧上形成于本征α-Si膜34a上。漏电极35和源电极36(漏电极8和源电极5)在α-Si膜34a的每侧上被形成在栅极绝缘膜33上，以分别与所述n⁺型α-Si膜34b对交叠，形成TFT41。钝化膜37(钝化膜15)被形成在栅极绝缘膜33上，以覆盖TFT41。像素电极38(像素电极10)形成于钝化膜37上以借助穿过钝化膜37的接触孔42与源电极36接触。对齐膜39形成于钝化膜37上，以覆盖像素电极38。

关于滤色器衬底50，构成滤色器的黑矩阵53和色层53被形成在透明的玻璃板51的表面上。公共电极或相反的电极54被形成用于覆盖黑矩阵53和色层52。对齐膜55形成于公共电极或反向电极54上，以将其覆盖。

偏振器板40被连接到玻璃板31的背面(外表面)。偏振器板56被连接到玻璃板51的背面(外表面)。球形分隔器61被分散在液晶层60中。

不需说明，LCD装置可能具有与在此所示的结构不同的其他任何结构。变体

上述实施例是本发明的优选的示例。因此，不需说明，本发明不限于实施例，且对其可进行任何修改。

例如，在上述实施例中，在绝缘板的表面能已经被增大以形成经过吸墨性处理的层之后，金属纳米颗粒墨被涂布在掩模上。然而，如果绝缘板的表面能大于所采用的金属纳米颗粒墨的表面张力，则金属纳米颗粒墨可以被涂布在掩模上，而不增大所述绝缘板的表面能(换句话说，没有吸墨性工艺)。

与上述实施例中所示的纳米颗粒不同的任何其他的纳米颗粒都可以被用作金属纳米颗粒墨的金属纳米颗粒，只要所述纳米颗粒是由纳米量级的金属或合金制成的导电颗粒。

在上述实施例中，本发明被应用于在LCD装置的TFT衬底上形成的栅极线。然而，本发明不限于此。本发明可用于任何其他类型的显示装置(例如有机电致发光(EL)显示装置、等离子体显示装置等等)，只要其包括在绝缘板的表面中形成的隐蔽布线。

例如，如果本发明被应用于有机EL显示装置，则包括隐蔽的栅电极和隐蔽的栅极线的TFT形成于用作阳极的衬底上，然后，红色、绿色和蓝色的有机EL层顺序被选择性地形成在同一衬底上作为滤色器。

尽管本发明的优选形式已经被描述，但是对于本领域的技术人员应当理解，在不偏离本发明的精神的情况下，可以进行修改。因此，本发明的保护范围仅仅通过所附的权利要求而确定。

Claims (7)

1.一种形成隐蔽布线的方法，所述方法包括以下步骤：

在绝缘板的表面上形成具有与所需的布线图案对应的开口的掩模；

使用所述掩模选择性地蚀刻所述绝缘板的表面，由此在绝缘板的表面中形成具有与布线图案对应的预期形状的沟槽；

以所述沟槽填充以金属纳米颗粒墨的方式、将金属纳米颗粒墨置于所述绝缘板的整个表面上，同时留下所述掩模；

加热金属纳米颗粒墨以对其进行初步固化，以形成金属纳米颗粒墨膜；

通过分离掩模选择性地去除置于所述掩模上的金属纳米颗粒墨膜的一部分，由此选择性地将金属纳米颗粒墨膜的剩余部分保留在沟槽中；以及

加热保留在沟槽中的金属纳米颗粒墨膜的剩余部分，以对其进行主固化，由此形成所需的隐蔽布线。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在选择性地蚀刻绝缘板的表面以形成沟槽的步骤和将金属纳米颗粒墨置于绝缘板的整个表面上以将所述沟槽以金属纳米颗粒墨填充的步骤之间，执行给予所述沟槽吸墨性的步骤，以增加所述沟槽内表面的表面能。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在给予沟槽吸墨性的步骤中，采用将绝缘板暴露给等离子体的等离子体工艺，或者采用将紫外光辐射到绝缘板的紫外工艺。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述沟槽的内表面的表面能高于金属纳米颗粒墨的表面张力。

5.根据权利要求1所述的方法，其中金属纳米颗粒墨的金属纳米颗粒具有在从1纳米至100纳米范围内的平均直径。

6.一种用于显示装置的衬底，所述衬底包括：

绝缘板，所述绝缘板具有在所述绝缘板的表面中形成的沟槽；以及

隐蔽布线，所述隐蔽布线在所述绝缘板的沟槽中形成，

其中所述隐蔽布线由经过固化的金属纳米颗粒制成。

7.一种显示装置，所述显示装置包括：

根据权利要求6所述的、用于显示装置的衬底。

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