CN101276539B - 显示装置及其驱动方法、和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示装置及其驱动方法、和电子设备。一种显示装置包括像素阵列和驱动像素阵列的驱动单元。像素阵列包括行形式的第一和第二扫描线、列形式的信号线、配置在扫描线和信号线的各个交叉点处的矩阵形式的像素、向每个像素提供电源的电源线和地线。驱动单元包括：第一扫描器，将第一控制信号顺次提供给对应的第一扫描线，从而以行为单位对像素执行逐行扫描；第二扫描器，同步于逐行扫描，将第二控制信号顺次提供给对应的第二扫描线；以及信号选择器，同步于逐行扫描，将视频信号提供给信号线。每个像素均包括发光元件、采样晶体管、驱动晶体管、开关晶体管和像素电容器。

Description

显示装置及其驱动方法、和电子设备

相关申请的交叉参考

本发明包含于2007年3月26日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2007-078218的主题，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种用于通过置于各个像素中的电流驱动发光元件来显示图像的显示装置、该显示装置的驱动方法和包括该显示装置的电子设备。更具体地，本发明涉及一种关于所谓有源矩阵显示装置的驱动方法，在该显示装置中，流过诸如有机电致发光(EL)元件的发光元件的电流量受到每个像素电路中的绝缘栅极场效应晶体管的控制。

背景技术

显示装置的实例包括其中许多液晶像素以矩阵形式配置的液晶显示器。根据图像信息，液晶显示器控制每个像素透射或反射的光的亮度，并因此显示了对应于图像信息的图像。包括作为像素的有机EL元件的有机EL显示器具有与上述的液晶显示器的机构类似的机构。然而，与液晶显示器的液晶像素不同，有机EL显示器的有机EL元件是自发光的。因此，与液晶显示器相比，有机EL显示器的优势在于，有机EL显示器提供了更好的可观看性，不需要背光，并且具有更快的响应速度。另外，有机EL显示器与液晶显示器的非常不同之处在于，与作为电压控制型的显示器的液晶显示器同步，有机EL显示器是在可通过流过的电流值来控制每个发光元件的亮度(灰度)的电流控制型的显示器。

和液晶显示器的情况相同，用于驱动有机EL显示器的方法有两种：单纯矩阵型和有源矩阵型。虽然单纯矩阵显示器的结构简单，但是它具有尺寸大且很难实现高清显示的问题。因此，目前的努力主要集中在有源矩阵显示器的开发上。在有源矩阵显示器中，流过每个像素电路中的发光元件的电流受到置于像素电路中的有源元件(通常是薄膜晶体管或TFT)的控制(例如，参见第2003-255856、2003-271095、2004-133240、2004-029791、2004-093682和2006-215213号日本未审查专利申请公开)。

发明内容

现有技术的像素电路被配置在用于提供控制信号的各行扫描线和用于提供视频信号的各列信号线的各个交叉点处。每个像素电路至少包括采样晶体管、像素电容器、驱动晶体管和发光元件。响应于从扫描线提供的控制信号，采样晶体管开始导通并采样从信号线提供的视频信号。像素电容器保持了与所采样的视频信号的信号电位对应的输入电压。根据像素电容器保持的输入电压，在预定发光周期内，驱动晶体管提供输出电流作为驱动电流。通常，输出电流取决于驱动晶体管的沟道区中的载流子迁移率和阈值电压。响应于从驱动晶体管提供的输出电流，发光元件以对应于视频信号的亮度发光。

驱动晶体管的栅极接收保持在像素电容器中的输入电压，使输出电流在驱动晶体管的源极和漏极之间流动，并使发光元件通电。通常，从发光元件发出的光的亮度与流过发光元件的电流量成比例。从驱动晶体管提供的输出电流的量受到栅极电压(即，写入像素电容器的输入电压)的控制。现有技术的像素电路通过根据输入的视频信号改变施加至驱动晶体管的栅极的输入电压来控制提供给发光元件的电流的量。

驱动晶体管的工作特性可以用以下的等式1来表示：

Ids＝(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)²……等式1

其中，Ids表示在驱动晶体管的源极和漏极之间流动的漏极电流，该漏极电流是提供给像素电路中的发光元件的输出电流；Vgs表示相对于源极施加给栅极的栅极电压，该栅极电压是像素电路中的上述输入电压；Vth表示晶体管的阈值电压；μ表示用作晶体管的沟道的半导体薄膜的迁移率；W表示沟道宽度；L表示沟道长度；以及Cox表示栅极电容。从上述等式1中可以看出，当TFT在饱和区工作时，如果栅极电压Vgs增大至超过阈值电压Vth，则晶体管导通，并使漏极电流Ids流动。通常，如等式1所示，如果栅极电压Vgs恒定，则以恒定速率向发光元件提供漏极电流Ids。因此，如果向屏幕上的各个像素提供相同电平的视频信号，那么所有的像素就以相同的亮度发光，因此，能够获得整个屏幕的亮度均匀性。

然而，实际上，在由诸如多晶硅膜的半导体薄膜制成的薄膜晶体管(TFT)中，器件特性存在许多变化。具体地，阈值电压Vth不恒定并且随着像素的不同而变化。从以上的等式1可以看出，即使栅极电压Vgs恒定，驱动晶体管中的阈值的变化仍会使漏极电流Ids和亮度随着像素的不同而变化，并因此降低了整个屏幕的亮度均匀性。已开发出具有消除驱动晶体管中的阈值电压的变化的功能的像素电路。在第2004-133240号日本未审查专利申请公开中披露了一个实例。

然而，输出至发光元件的电流的变化不仅仅是由驱动晶体管中的阈值电压Vth的变化引起的。从上述等式1可以看出，如果迁移率μ驱动晶体管中有变化，则漏极电流Ids也变化。因此，整个屏幕上的亮度均匀性下降。已开发了具有校正驱动晶体管中的迁移率的变化的功能的像素电路。在第2006-215213号日本未审查专利申请公开中披露了一个实例。

在现有技术的具有迁移率校正功能的像素电路中，在预定校正周期内，根据信号电位流过驱动晶体管的驱动电流通过负反馈被提供给像素电容器。因此，调节了保存在像素电容器中的信号电位。如果驱动晶体管的迁移率高，则负反馈的量大。在此情况下，大大降低了信号电位，并因此可以抑制驱动电流。另一方面，如果驱动晶体管的迁移率地，则负反馈给像素电容器的量小。在此情况下，由于所保存的信号电位没有被大大减小，所以驱动电流不会显著减小。因此，根据每个像素中的驱动晶体管的迁移率的大小，朝消除信号电位的方向来调节信号电位。因此，即使驱动晶体管的迁移率随着像素的不同而变化，但是对于相同的信号电位，像素基本上呈现出相同级别的发光亮度。

在预定的迁移率校正周期内执行上述的迁移率校正。如果迁移率校正周期随着像素的不同而变化，则负反馈量也变化，并因此，很难执行精确的迁移率校正。通过根据预定序列控制采样晶体管和开关晶体管导通/截止来确定迁移率校正周期。然而，用于控制这些晶体管导通/截止的控制信号(栅极脉冲)的相位并不必需恒定而是有点波动。这使迁移率校正周期随着像素的不同而变化，这就是要解决的问题。

鉴于上述现有技术的技术缺点，需要提供一种显示装置以及一种关于该显示装置的驱动方法，它们能够精确地控制用于校正驱动晶体管的迁移率的周期。更具体地，需要抑制迁移率校正周期的变化，从而提高在显示装置的整个屏幕上的均匀性。根据本发明实施例的显示装置包括像素阵列和被配置为驱动像素阵列的驱动单元。像素阵列包括按行排列的多条第一扫描线和第二扫描线、按列排列的多条信号线、配置在扫描线和信号线的各个交叉点处的像素矩阵、向每个像素提供电源的多条电源线、以及多条地线。驱动单元包括：第一扫描器，将第一控制信号顺次提供给对应的第一扫描线，从而以行为单位对像素执行逐行扫描；第二扫描器，同步于逐行扫描，将第二控制信号顺次提供给对应的第二扫描线；以及信号选择器，同步于逐行扫描，将视频信号提供给各列的信号线。每个像素均包括发光元件、采样晶体管、驱动晶体管、开关晶体管和像素电容器。采样晶体管的栅极连接至一条第一扫描线，采样晶体管的源极连接至一条信号线，以及采样晶体管的漏极连接至驱动晶体管的栅极。驱动晶体管和发光元件串联连接在一条电源线和一条地线之间，从而形成了电流通路。开关晶体管位于电流通路中，以及开关晶体管的栅极连接至一条第二扫描线。像素电容器位于驱动晶体管的源极和栅极之间。采样晶体管响应于从第一扫描线提供的第一控制信号而导通，采样从信号线提供的视频信号的信号电位，并将采样后的信号电位保存在像素电容器中。开关晶体管响应于从第二扫描线提供的第二控制信号而导通，并使电流通路导电。驱动晶体管使驱动电流通过处于导电状态下的电流通路流入发光元件，该驱动电流取决于保存在像素电容器中的信号电位。第一扫描器向第一扫描线施加第一控制信号以使采样晶体管导通并开始采样信号电位，然后消除施加给第一扫描线的第一控制信号以使采样晶体管截止。在从采样晶体管导通的时刻至采样晶体管截止的时刻的视频信号写周期期间，第二扫描器将脉冲状的第二控制信号施加给第二扫描线，以使开关晶体管在有限的校正周期保持导通，并调节保存在像素电容器中的信号电位来校正驱动晶体管的迁移率。

优选地，在采样晶体管截止和视频信号写周期结束之后，第二扫描器将第二控制信号再次施加给第二扫描线，以使采样晶体管在预定发光周期保持导通，并使电流通路导电以使驱动电流流入发光元件。

根据本发明的实施例，在从采样晶体管导通的时刻到采样晶体管截止的时刻的视频信号写周期期间，包括在外围驱动单元中的扫描器将脉冲状的控制信号施加至扫描线，以保持采样晶体管在有限的校正时间周期内导通，并且调节保存在像素电容器中的信号电位以校正驱动晶体管的迁移率。迁移率校正周期由施加至开关晶体管的栅极的控制信号的脉冲宽度限定。能够精确地控制迁移率校正周期，从而防止了迁移率校正周期随着像素的不同而变化。因此，可以提高在显示装置的屏幕上的亮度均匀性。

附图说明

图1是示出了根据本发明实施例的显示装置的总体配置的框图。

图2是示出了图1的显示装置中的像素电流的配置的电路图。

图3是示出了图2的像素电路的操作的电路图。

图4是示出了图3的像素电路的操作的参考实例的时序图。

图5是示出了图4的参考实例的电路图。

图6是示出了图4的参考实例的曲线图。

图7是示出了图4的参考实例的波形图。

图8是示出了图4的参考实例的曲线图。

图9是示出了图4的参考实例的示图。

图10是示出了根据本发明实施例的显示装置的操作的时序图。

图11是示出了图10的操作的波形图。

图12是示出了根据本发明实施例的显示装置的装置结构的截面图。

图13是示出了根据本发明实施例的显示装置的模块配置的平面图。

图14是示出了包括根据本发明实施例的显示装置的电视机的透视图。

图15是示出了包括根据本发明实施例的显示装置的数码照相机的透视图。

图16是示出了包括根据本发明实施例的显示装置的笔记本型个人计算机的透视图。

图17是示出了包括根据本发明实施例的显示装置的移动终端设备的透视图。

图18是示出了包括根据本发明实施例的显示装置的可携式摄像机。

具体实施方式

下文中，将参考附图详细描述本发明的实施例。图1是示出了根据本发明实施例的显示装置的总体配置的示意框图。如图所示，图像显示装置基本上包括像素阵列1和包括扫描部和信号部的驱动单元。像素阵列1包括：按行排列的扫描线WS、扫描线AZ1、扫描线AZ2、和扫描线DS；按列排列的信号线SL；连接至扫描线WS、AZ1、AZ2、和DS以及信号线SL的矩阵形式的像素电路2；一级多条电源线，用于提供每个像素电路2的操作所必需的第一电位Vss1、第二电位Vss2和第三电位VDD。信号部包括：水平选择器3，用于将视频信号提供给信号线SL。扫描部包括写扫描器4、驱动扫描器5、第一校正扫描器71和第二校正扫描器72，它们将控制信号分别提供给扫描线WS、扫描线DS、扫描线AZ1和扫描线AZ2，从而以行为单位顺次扫描像素电路2。

写扫描器4包括移位寄存器，响应于外部提供的时钟信号WSCK而工作，并且顺次传送外部提供的开始信号WSST，以将控制信号WS输出至各条扫描线WS。驱动扫描器5还包括移位寄存器、响应于外部提供的时钟信号DSCK而工作，并且顺次传送外部提供的开始信号DSST，以将控制信号DS输出至各条扫描线DS。

图2是示出了包括在图1的图像显示装置中的像素的配置的电路图。如所示，像素电路2包括采样晶体管Tr1、驱动晶体管Trd、第一开关晶体管Tr2、第二开关晶体管Tr3、第三开关晶体管Tr4、像素电容器Cs和发光元件EL。响应于在预定采样周期(信号写周期)期间从对应扫描线WS提供的控制信号，采样晶体管Tr1导通，采样从对应的信号信SL提供的视频信号，并将采样后的视频信号的信号电位保存到像素电容器Cs中。根据采样后的视频信号的信号电位，像素电容器Cs将输入电压Vgs施加给驱动晶体管Trd的栅极G。驱动晶体管Trd将对应于输入电压Vgs的输出电流Ids提供给发光元件EL。响应于在预定发光周期期间从驱动晶体管Trd提供的输出电流Ids，发光元件EL以与视频信号的信号电位相对应的亮度发光。

响应于在进入采样周期之前从对应扫描线AZ1提供的控制信号，第一开关晶体管Tr2导通。并将驱动晶体管Trd的栅极G设为第一电位Vss1。类似地，响应于在进入采样周期之前从对应扫描线AZ2提供的控制信号，第二开关晶体管Tr3导通，并将驱动晶体管Trd的源极S设为第二电位Vss2。响应于在进入采样周期之前从对应扫描线DS提供的控制信号，第三开关晶体管Tr4导通，将驱动晶体管Trd连接至第三电位VDD，并因而使与驱动晶体管Trd的阈值电压Vth相等的电压被保存在像素电容器Cs中，从而校正了阈值电压Vth的影响。另外，响应于在发光周期期间从扫描线再次提供的控制信号，第三开关晶体管Tr4导通，将驱动晶体管Trd连接至第三电位VDD，并使输出电流Ids流过发光元件EL。

从以上描述可以看出，像素电路2包括五个晶体管Tr1～Tr4和Trd、一个像素电容器Cs和一个发光元件EL。晶体管Tr1～Tr3和Trd是N沟道多晶硅TFT，而只有晶体管Tr4是P沟道多晶硅TFT。然而，本发明并不限于此，并且N沟道和P沟道的各种结合都是可以的。例如，发光元件EL是具有阳极和阴极的二极管有机EL器件。然而，本发明并不限于此。发光元件EL可以是受电流驱动以发光的任何类型的普通器件。

根据本发明的特性，在从采样晶体管Tr1导通的时刻到采样晶体管Tr1截止的时刻的视频信号写周期(采样周期)期间，驱动扫描器5向扫描线施加脉冲状的控制信号，以使开关晶体管Tr4在有限的校正周期t期间保持导通，并调节保存在像素电容器Cs中的信号电位来校正驱动晶体管Trd的迁移率μ。

图3是取自图2所示的图像显示装置的像素电路2的示意图。为了便于理解，在图3中加入了通过采样晶体管Tr1采样的视频信号的信号电位Vsig、驱动晶体管的输入电压Vgs和输出电流Ids、和发光元件EL的电容分量Coled。下文中，将参考图3描述根据本发明实施例的像素电路2的操作。

图4是关于图3的像素电路2的时序图。图4的时序图示出了图3所示的像素电路2的操作的参考实例。为了阐明本发明的操作效果，将首先描述图4所示的参考实例，以与本发明进行比较。图4示出了沿时间轴T的施加给各条扫描线WS、AZ1、AZ2和DS的控制信号的波形。为简化，控制信号用与表示对应扫描线的参考符号相同的参考符号来表示。作为N型晶体管的晶体管Tr1、Tr2和Tr3在控制信号WS、AZ1和AZ2高时导通，而在控制信号WS、AZ1和AZ2低时截止。另一方面，作为P沟道晶体管的晶体管Tr4在控制信号DS高时截止，而在控制信号DS低时导通。除了控制信号WS、AZ1、AZ2和DS的波形之外，图4的时序图示出了驱动晶体管Trd的栅极G和源极S的电位的改变。

在图4的时序图中，一个场(1f)开始于时刻T1而结束于时刻T8。在一个场周期期间，顺次扫描各行像素阵列一次。图4的时序图示出了施加给一行像素的控制信号WS、AZ1、AZ2和DS的波形。

在场(1f)之前的时刻T0，所有控制信号WS、AZ1、AZ2和DS都处于低电平。这意味着N沟道晶体管Tr1、Tr2和Tr3截止，而只有P沟道晶体管Tr4导通。由于驱动晶体管Trd经由导通的开关晶体管Tr4连接至电源VDD，所以驱动晶体管Trd根据预定的输入电压Vgs将输出电流Ids提供给发光元件EL。这使发光元件EL在时刻T0处发出光。此时刻施加给驱动晶体管Trd的输入电压Vgs可以被表示为栅极电位(G)和源极电位(S)之间的差。

在该场开始的时刻T1，控制信号从低变高。由于这使开关晶体管Tr4截止以及还使驱动晶体管Trd与电源VDD断开，所以停止发光并且进入了不发光周期。因此，在开始于时刻T1的周期期间，所有的晶体管Tr1～Tr4都截止。

接着，在时刻T2，控制信号AZ1和AZ2变高，这使开关晶体管Tr2和Tr3导通。因此，驱动晶体管Trd的栅极G连接至基准电位Vss1，以及驱动晶体管Trd的源极S连接至基准电位Vss2。通过满足条件Vss1-Vss2＞Vth和Vss1-Vss2＝Vgs＞Vth，准备在时刻T3执行Vth校正。也就是说，从时刻T2～时刻T3的周期对应于驱动晶体管Trd的重置周期。另外，满足了条件VthEL＞Vss2，其中，VthEL表示发光元件EL的阈值电压。因此，负偏压被施加给发光元件EL，因而发光元件EL进入了反偏压状态。进入反偏压状态是稍后将执行的Vth校正和迁移率校正的适当操作所必需的。

紧接着控制信号AZ2变低之后，控制信号DS在时刻T3处变低。因此，晶体管Tr3截止，以及晶体管Tr4导通。因此，漏极电流Ids流入像素电容器Cs以开始Vth校正。此时，驱动晶体管Trdd栅极G保持Vss1，并且漏极电流Ids保持流动直至驱动晶体管Trd截止。在驱动晶体管Trd截止之后，驱动晶体管Trd的源极电位(S)变得等于Vss1-Vth。在漏极电流Ids被切断之后，在时刻T4，控制信号DS再次变高，并且开关晶体管Tr4截止。然后，控制信号AZ 1也再次变低，并且开关晶体管Tr2也截止。因此，阈值电压Vth被保存在像素电容器Cs中。从时刻T3～时刻T4的周期是检测驱动晶体管Trd的阈值电压Vth的周期。这里，从时刻T3～时刻T4的检测周期被称为Vth校正周期。

在进行Vth校正之后，在时刻T5处，控制信号WS变高，采样晶体管Tr1导通，并且视频信号Vsig被写入像素电容器Cs。像素电容器Cs远远小于发光元件EL的等效电容Coled。因此，视频信号Vsig主要被写入像素电容器Cs。更确切地，视频信号Vsig和基准电位Vss1的差Vsig-Vss1被写入像素电容器Cs。因此，驱动晶体管Trd的栅极G和源极S之间的栅极源极间电压Vgs变得等于(Vsig-Vss1+Vth)，这是之前检测并保存的阈值电压Vth与当前采样的差Vsig-Vss1的和。如果为了便于阐述而将基准电位Vss1设为0V(Vss1＝0V)，则栅极源极间电压Vgs变得等于如图4的时序图所示的Vsig+Vth。持续采样视频信号Vsig直至控制信号WS再次变低的时刻T7。即，从时刻T5～时刻T7的周期对应于采样周期(信号写周期)。

在采样周期结束的时刻T7之前的时刻T6，控制信号DS变低并且开关晶体管Tr4导通。由于这使驱动晶体管Trd连接至电源VDD，所以像素电路中的处理从非发光周期进入发光周期。在采样晶体管Tr1仍然导通并且采样晶体管Tr4导通的从时刻T6～时刻T7的周期内，校正了驱动晶体管Trd的迁移率。也就是说，在本参考实例中，在采样周期的结束与发光周期的开始重合的从时刻T6～时刻T7的周期内，执行了迁移率校正。在执行迁移率校正的发光周期的开始，发光元件EL由于其被反偏压而实际上不发光。在从时刻T6～时刻T7的迁移率校正周期内，漏极电流Ids流过驱动晶体管Trd，而驱动晶体管Trd的栅极G固定在视频信号Vsig的电平。当满足条件Vss1-Vth＜VthEL时，发光元件EL被反偏压并呈现单纯电容的特性而不是二极管的特性。因此，流过驱动晶体管Trd的电流Ids被写入电容C＝Cs+Coled，电容C为发光元件EL的像素电容器Cs和等效电容Coled的结合。如图4的时序图所示，这使驱动晶体管Trd的源极电位(S)增加了ΔV。最后，从保存在像素电容器Cs的栅极源极间电压Vgs中减去增量ΔV，这意味着施加了负反馈。因此，通过将驱动晶体管Trd的输出电流Ids通过负反馈提供给驱动晶体管Trd的输入电压Vgs，可以校正迁移率μ。通过调节从时刻T6～时刻T7的迁移率校正周期的持续时间t可以最佳化负反馈的量ΔV。

在时刻T7，控制信号WS变低，并且采样晶体管Tr1截止。这使驱动晶体管Trd的栅极G与信号线SL断开。由于取消施加视频信号Vsig，所以驱动晶体管Trd的栅极电位(G)与其源极电位(S)一起增大。在栅极电位(G)和源极电位(S)增大的周期期间，保存在像素电容器Cs中的栅极源极间电压Vgs保持值(Vsig-ΔV+Vth)。随着源极电位(S)增大，消除了发光元件EL的反偏压状态。因此，当输出电流Ids流入发光元件EL时，发光元件EL实际上才开始发出光。通过用Vsig-ΔV+Vth取代等式1的Vgs，漏极电流Ids和栅极电压Vgs之间的关系可以用以下的等式2来表示：

Ids＝kμ(Vgs-Vth)²＝kμ(Vsig-ΔV)²    ……     等式2

其中，k＝(1/2)(W/L)Cox。等式2表示Vth项被消去并且提供给发光元件EL的输出电流Ids并不取决于驱动晶体管Trd的阈值电压Vth。基本上，通过视频信号的信号电压Vsig来确定漏极电流Ids。也就是说，发光元件EL以取决于使用负反馈的量ΔV校正的视频信号Vsig的亮度来发光。校正量ΔV对消除等式2的系数部分中的迁移率μ的影响起到了作用。因此，漏极电流Ids实际上不单单取决于视频信号Vsig。

最后，在时刻T8，控制信号DS变高并且开关晶体管Tr4截止。一旦发光完成，当前这一场就结束。在下一场中，重复Vth校正处理、迁移率校正处理和发光处理。

图5是示出了像素电路2在从时刻T6～时刻T7的迁移率校正周期内的状态的电路图。图所示，在从时刻T6～时刻T7的迁移率校正周期内，采样晶体管Tr1和第三开关晶体管Tr4导通，而剩余的开关晶体管Tr2和Tr3截止。在该状态下，驱动晶体管Trd的源极电位(S)可以用Vss1-Vth来表示。源极电位(S)还用作发光元件EL的阳极电位。如上所述，当满足条件Vss1-Vth＜VthEL时，发光元件EL被反偏压并呈现单纯电容特性而不是二极管特性。因此，流过驱动晶体管Trd的电流Ids流入电容C＝Cs+Coled，电容C是发光元件EL的像素电容器Cs和等效电容Coled的结合。换句话说，一部分漏极电流Ids通过负反馈被提供给了像素电容器Cs，并因而执行迁移率校正。

图6以曲线图形式示出了等式2。曲线图的纵轴表示Ids，以及曲线图的横轴表示Vsig。在曲线图下方还示出了等式2。在图6的曲线图中，为了比较而图示了像素1和像素2的特性曲线。包括在像素1中的驱动晶体管的迁移率μ较大，而包括在像素2中的驱动晶体管的迁移率μ较小。因此，当驱动晶体管是多晶硅TFT等时，迁移率μ不可避免地在像素之间变化。例如，如果将具有相同电平的视频信号Vsig的信号电位写入像素1和2而不进行迁移率校正，则在流过具有较高迁移率μ的像素1的输出电流Ids1′和流过具有较低迁移率μ的像素2的输出电流Ids2′之间的差相当大。由于迁移率μ的变化导致输出电流Ids之间的差相当大，所以可能出现条纹不均匀并且降低了在整个屏幕上的亮度均匀性。

因此，在本参考实例中，通过负反馈将输出电流提供给输入电压消除了迁移率的变化。从等式1可以看出，迁移率越高，漏极电流Ids越大。这意味着，迁移率越高，负反馈量ΔV越大。如图6的曲线图所示，具有较高迁移率μ的像素1的负反馈量ΔV1大于具有较低迁移率μ的像素2的负反馈量ΔV2。即，较大的负反馈量被施加至具有较高迁移率μ的像素，因此可以抑制迁移率μ的变化。如图6所示，如果对具有较大迁移率μ的像素1，迁移率被校正了ΔV1，则输出电流明显从Ids1′减小至Ids1。另一方面，由于对于具有较小迁移率μ的像素2的校正量ΔV2较小，所以输出电流从Ids2′减小至Ids2，这就不是很明显。因此，Ids1和Ids2基本上相等，并且消除了迁移率的变化。由于在从黑色电平至白色电平的Vsig的整个范围上进行迁移率变化的消除，所以使整个屏幕上的亮度均匀性相当高。总之，如果存在具有不同迁移率的像素1和2，则用于具有较高迁移率μ的像素1的校正量ΔV1大于用于具有较低迁移率μ的像素2的校正量ΔV2。即，迁移率越高，校正量ΔV越大，并因而输出电流Ids减少得越多。因此，使流过具有不同迁移率的像素的电流的值一致，并且可以校正迁移率的变化。

为参考，将描述以上迁移率校正的数字分析。如图5所示，在晶体管Tr1和Tr4导通的同时执行分析。这里，驱动晶体管Trd的源极电位用作变量V。流过驱动晶体管Trd的漏极电流Ids用如下等式3给出：

I_ds＝kμ(V_gs-V_th)²＝kμ(V_sig-V-V_th)²       等式3

其中，V表示驱动晶体管Trd的源极电位(S)。

基于漏极电流Ids和电容C(＝Cs+Coled)之间的关系，如以下的等式4所示，满足了Ids＝dQ/dt＝CdV/dt：

根据

$I_{\mathrm{ds}}=\frac{\mathrm{dQ}}{\mathrm{dt}}=C\frac{\mathrm{dV}}{\mathrm{dt}},$ $\∫\frac{1}{C}\mathrm{dt}=\∫\frac{1}{I_{\mathrm{ds}}}\mathrm{dV}$

$\⇔{\∫}_0^t\frac{1}{C}\mathrm{dt}={\∫}_{-\mathrm{Vth}}^V\frac{1}{\mathrm{k\μ}{(V_{\mathrm{sig}}-V_{\mathrm{th}}-V)}^2}\mathrm{dV}$

$\⇔\frac{\mathrm{k\μ}}{C}t={\left[\frac{1}{V_{\mathrm{sig}}-V_{\mathrm{th}}-V}\right]}_{-\mathrm{Vth}}^V=\frac{1}{V_{\mathrm{sig}}-V_{\mathrm{th}}-V}-\frac{1}{V_{\mathrm{sig}}}$

$\⇔V_{\mathrm{sig}}-V_{\mathrm{th}}-V=\frac{1}{\frac{1}{V_{\mathrm{sig}}}+\frac{\mathrm{k\μ}}{C}t}=\frac{V_{\mathrm{sig}}}{1+V_{\mathrm{sig}}\frac{\mathrm{k\μ}}{C}t}$

                                 ……等式4

然后，将等式3代入等式4，并对所得到的等式的两边进行积分，其中，Vth是源极电压V的初始值，以及t是用于校正迁移率的变化的迁移率变化校正周期(从时刻T6～时刻T7)。解该差分等式给出如下的等式5，其表示对于迁移率校正周期t的像素电流：

$I_{\mathrm{ds}}=\mathrm{k\μ}{\left(\frac{V_{\mathrm{sig}}}{1+V_{\mathrm{sig}}\frac{\mathrm{k\μ}}{C}t}\right)}^2$

                         ……等式5

如上所述，流过每个像素中的发光元件的输出电流用以上的等式5表示。在等式5中，迁移率校正周期t实际上被设为几微秒(μm)。如上所述，迁移率校正周期t是通过开关晶体管Tr4的导通时刻(下降时刻)与采样晶体管Tr1的截止时刻(下降时刻)之间的时间间隔确定的。图7示出了沿时间轴的施加给开关晶体管Tr4的栅极的控制信号DS的下降波形和施加给采样晶体管Tr1的栅极的控制信号WS的下降波形。通过其传输控制信号DS和WS的扫描线是由具有较大阻抗的诸如金属钼的材料制成的脉冲配线。由于相邻层上的配线之间的重叠寄生电容很大，所以脉冲配线的时间常数很大，这使得控制信号DS和WS的下降波形不是很陡峭。即，由于通过配线电容和配线阻抗确定的时间常数的映像，控制信号DS和WS没有瞬间下降，而是逐渐地从电源电位Vcc下降到地电位Vss。下降波形被施加给开关晶体管Tr4和采样晶体管Tr1的栅极。

另一方面，信号电位Vsig被提供给采样晶体管Tr1的源极。因此，当栅极电位下降到Vsig+Vtn以下时，采样晶体管Tr1截止，其中，Vtn表示N沟道采样晶体管Tr1的阈值电压。类似地，开关晶体管Tr4的源极连接至像素的电源电位VDD。因此，当开关晶体管Tr4的栅极电位下降至VDD-|Vtp|时，开关晶体管Tr4导通，其中，Vtp表示P沟道开关晶体管Tr4的阈值电压。

控制信号DS的下降波形有变化。在图7的下部，(1)表示正常相位，而(2)表示下降波形的倾斜变得较陡峭的最差相位。控制信号DS的下降波形的这种变化导致开关晶体管Tr4的导通时刻变化。控制信号WS的下降波形也变化。在图7的上部，(1)表示正常相位，而(2)表示下降波形的倾斜变得不是很陡峭的最差情相位。控制信号WS的下降波形的这种变化导致采样晶体管Tr1的截止时刻变化。如果开关晶体管Tr4的导通时刻和采样晶体管Tr1的截止时刻如上述的最差相位一样沿相反方向偏移，则由这些时间点之间的间隔确定的迁移率校正周期t从正常相位的情况开始显著偏移。结果，这表现为所发出的光的亮度的变化。

图8是示出了迁移率校正周期和流过像素的驱动电流(像素电流)之间的关系的曲线图。在图8的曲线中，横轴表示迁移率校正周期，以及纵轴表示像素电流。从曲线图中可以看出，如果迁移率校正周期变化，则像素电流也随着像素的不同而变化，因此，在整个屏幕上的亮度均匀性降低。如上所述，迁移率校正周期的变化主要是由施加给采样晶体管Tr1和开关晶体管Tr4的栅极的控制信号的瞬时响应(transient response)的变化引起的。

图9是用于阐述上述的控制信号的瞬时响应的变化的起因的示图。如图9所示，显示装置由单个绝缘基板组成，该绝缘基板是其中写扫描器4、驱动扫描器5和水平选择器3以集成方式形成在像素阵列1周围的平板0。类似于中心的像素阵列1，这些外围的驱动单元由TFT以集成方式形成。通常，TFT包括作为器件区域的多晶硅层。例如，通过在绝缘基板上形成非晶硅薄膜并对非晶硅薄膜施以激光以使其结晶并转换为多晶层制成了多晶硅层。在施以激光的处理中，例如，线性激光束(准分子激光退火或ELA)以覆盖方式沿向下方向顺次施加给面板0，并因而使非结晶硅膜转换为多晶硅层。如果在施以激光的处理过程中，激光输出有局部变化，则多晶硅层的结晶性随着在面板0的上下方向的位置而变化。这导致TFT之间特性的变化。通常，这种特性变化出现在面板0沿激光路径的水平方向上。在图9的实例中，在面板0的一些行中的校正周期不同于其他行的校正周期，这是因为为作为用作扫描器的输出级的一些晶体管的对应晶体管的特性不同于其他晶体管的特性。如图8所示，由于校正周期的变化导致了像素电流的变化，所以沿各行出现亮度的不均匀。如果校正周期小于平均值，则信号电位的负反馈量小，这导致出现比周围亮的条纹。另一方面，如果校正周期大于平均值，则信号电位的负反馈量大，这使信号电位降低并导致出现比周围暗的条纹。

参考图9，写扫描器4的输出级与驱动扫描器5的输出级一一对应，并与其对齐。如果写扫描器4和驱动扫描器5之间的对应输出级在相同行上彼此对齐，则从这两个扫描器输出的控制信号之间的相位差不明显。然而，如果写扫描器4和驱动扫描器5的对应输出级甚至在轻微程度上都没有对准，则激光束(ELA)的施加条件也相应偏移。这导致相位差和来自写扫描器4和驱动扫描器5的输出之间的瞬时响应的变化。因此，由来自写扫描器4的控制信号和来自驱动扫描器5的控制信号之间的时间间隔确定的迁移率校正周期也变化。

图10是根据本发明实施例的用于阐述图1～图3所示的显示装置的操作的时序图。为了便于理解，图10使用了与图4所使用的参考符号相同的参考符号。在图10的时序图中，不同于在图4所示的参考实例的情况，迁移率校正周期仅由从驱动扫描器5输出的控制信号DS确定。这可以抑制以上参考实例中描述的迁移率校正周期的变化。在下文中，将参考图10详细描述根据本发明实施例的显示装置的操作。

在场开始的时刻T1，控制信号DS从低变高。由于这使得开关晶体管Tr4截止并使驱动晶体管Trd与电源VDD断开，所以停止发光并进入不发光周期。因此，在开始于时刻T1的周期期间，所有晶体管Tr1～Tr4截止。

接下来，在时刻T2，控制信号AZ1和AZ2变高，这导致开关晶体管Tr2和Tr3导通。因此，驱动晶体管Trd的栅极G连接至基准电位Vss1，以及驱动晶体管Trd的源极S连接至基准电位Vss2。通过满足条件Vss1-Vss2＞Vth和Vss1-Vss2＝Vgs＞Vth，准备在时刻T3执行Vth校正。即，从时刻T2～时刻T3的周期对应于驱动晶体管Trd的重置周期。另外，满足了条件VthEL＞Vss2，其中，VthEL表示发光元件EL的阈值电压。因此，负偏压被施加给发光元件EL，因此发光元件EL开始负偏压状态。进入负偏压状态是稍后将执行的Vth校正和迁移率校正的适当操作所必需的。

紧接着控制信号AZ2变低之后，控制信号DS在时刻T3变低。因而，晶体管Tr3截止，而晶体管Tr4导通。因此，漏极电流Ids流入像素电容器Cs以开始Vth校正。此时，驱动晶体管Trd的栅极G保持Vss1，并且漏极电流Ids保持流动直至驱动晶体管截止。在驱动晶体管Trd截止之后，使驱动晶体管Trd的源极电位(S)等于Vss1-Vth。在漏极电流Ids截止之后，在时刻T4，控制信号DS再次变高，并且开关晶体管Tr4截止。然后控制信号AZ1也再次变低，并且开关晶体管Tr2也截止。因此，阈值电压Vth被保存在像素电容器Cs中。从时刻T3～时刻T4的周期是检测驱动晶体管的阈值电压Vth的周期。这里，从时刻T3～时刻T4的检测周期被称为Vth校正周期。

在进行Vth校正之后，在时刻T5，控制信号WS变高，采样晶体管Tr1导通，并且视频信号Vsig被写入像素电容器Cs。像素电容器Cs远小于发光元件EL的等效电容Coled。因此，视频信号Vsig主要被写入像素电容器Cs。更确切地，视频信号Vsig和基准电位Vss1的差Vsig-Vss1被写入像素电容器Cs。因此，驱动晶体管Trd的栅极G和源极S之间的栅极源极间电压Vgs变得等于(Vsig-Vss1+Vth)，其为先前检测并保存的阈值电压Vth和当前采样的差值Vsig-Vss1的和。如果为了便于阐述将基准电位Vss1设为0V(Vss1＝0V)，则如图10的时序图所示，栅极源极间电压Vgs变得等于Vsig+Vth。持续采样视频信号Vsig直至控制信号WS再次变低的时刻T8。即，从时刻T5～时刻T8的周期对应于采样周期。

在采样周期(视频信号写周期)结束的时刻T8之前，脉冲状的控制信号DS被施加给扫描线DS。在时刻T6下降而在时刻T7上升的脉冲状的控制信号DS是具有较短脉冲宽度的负脉冲。在从时刻T6～时刻T7的周期内，开关晶体管Tr4导通，并且限定了迁移率校正周期。从时刻T6～时刻T7的迁移率校正周期仅由控制信号DS的脉冲宽度确定，并且并不随着像素的不同而显著变化。从时刻T6～时刻T7的迁移率校正周期落在从时刻T5～时刻T8的视频信号写周期内。

如上所述，在从时刻T6～时刻T7的迁移率校正周期内，开关晶体管Tr4导通，这使得驱动晶体管Trd被连接至电源VDD。此时，由于采样晶体管Tr1导通，所以漏极电流Ids流过驱动晶体管Trd，同时驱动晶体管Trd的栅极G固定在视频信号Vsig的电平。当满足条件Vss1-Vth＜VthEL时，发光元件EL被反偏压，并呈现单纯电容特性而非二极管特性。因此，流过驱动晶体管Trd的漏极电流Ids被写入电容C＝Cs+Coled，电容C是发光元件EL的像素电容器Cs和等效电容Coled的组合。如图10的时序图所示，这使得驱动晶体管Trd的源极电位(S)增加了ΔV。最后，从保存在像素电容器Cs中的栅极源极间电压Vgs中减去增量ΔV，这意味着施加了负反馈。因此，通过负反馈将驱动晶体管Trd的输出电流提供给驱动晶体管Trd的输入电压Vgs可以校正迁移率μ。通过精确地控制从时刻T6～时刻T7的迁移率校正周期的持续时间，可以抑制像素中的负反馈量ΔV的变化。

在时刻T8，控制信号WS变低，并且采样晶体管Tr1截止。这使得驱动晶体管Trd的栅极G与信号线SL断开。然后，在时刻T9，控制信号DS再次变低，并且驱动晶体管Trd连接至电源VDD。这使得电流流过发光元件EL。同时驱动晶体管Trd的源极电位(S)增大，同时驱动晶体管Trd的栅极电位(G)也与其同步地增大。在栅极电位(G)和源极电位(S)增大的周期期间，保存在像素电容器Cs的栅极源极间电压Vgs维持(Vsig-ΔV+Vth)的值。随着源极电位(S)增大，发光元件EL的反偏压状态被消除。因此，当输出电流Ids流入发光元件EL时，发光元件EL实际上才开始发出光。

图11示意性示出了在图10的时序图中的从时刻T6～时刻T9的周期期间观察到的控制信号WS和DS的波形变化。为了便于理解，图11使用了与图7的波形图中所使用的参考符号相同的参考符号。

控制信号WS被施加给采样晶体管Tr1的栅极。在时刻T8，控制信号WS从Vcc降至Vss。在这些行中，控制信号WS的下降波形有所变化。在图11的上部，(1)表示正常状态，而(2)表示下降波形的倾斜变得较不陡峭的最差状态。如上所述，将视频信号Vsig施加给采样晶体管Tr1的源极。因此，当栅极电位下降到Vsig+Vtn之下时，采样晶体管Tr1截止。如果控制信号WS的下降波形的倾斜不太陡峭，则下降时刻T8会在正常相位(1)和最差相位(2)之间变化。

另一方面，控制信号DS被施加给开关晶体管Tr4的栅极。在从时刻T6～T7的周期期间，控制信号DS是负脉冲。在时刻T9，控制信号DS再次变为负脉冲并被施加给扫描线DS。在图11的下部，(1)表示控制信号DS的波形的正常相位，而(2)表示控制信号DS的波形的倾斜变得更陡峭的最差相位，这与控制信号WS的情况相反。

开关晶体管Tr4的源极连接至像素的电源电位VDD。因此，当开关晶体管Tr4的栅极电位降至VDD-|Vtp|时，开关晶体管Tr4导通。这里，控制信号DS的负脉冲与电平VDD-|Vtp|交叉的时刻在正常相位(1)和最差相位(2)之间变化。如图11所示，下降时刻T6和上升时刻T7均在正常相位(1)和最差相位(2)之间变化了约Δt。然而，在时刻T6最差相位(2)从正常相位(1)开始偏移的方向与时刻T7的方向相同。因此，虽然在正常相位(1)和最差相位(2)之间T6和T7都有变化，但是正常相位(1)和最差相位(2)之间迁移率校正周期t几乎没有任何变化。因此，在本发明中，迁移率校正周期仅由控制信号DS的负脉冲确定。

如图11所示，在控制信号WS处于高电平并且采样晶体管Tr1导通的周期期间，控制信号DS降低，并且开关晶体管Tr4导通。然后，在保持采样晶体管Tr1导通的周期期间，控制信号DS上升，并且开关晶体管Tr4截止。在控制信号WS下降并且采样晶体管Tr1截止之后，控制信号DS再次降低，并且采样晶体管Tr4导通，这使发光元件EL发光。即，在本发明中，迁移率校正周期仅由控制信号DS的负脉冲控制。因此，即使输出特性在驱动扫描器5和写扫描器4的对应输出级之间变化，仍然不会出现任何问题。迁移率校正周期仅由控制信号DS的脉冲确定。由于脉冲的上升点和下降点的变化沿相同方向发生，所以可以抑制迁移率校正周期的变化。在本发明中，迁移率校正周期仅由控制信号DS的脉冲确定。即使在传输控制信号DS的脉冲的传输周期变化，只要传输周期落在采样晶体管Tr1导通的周期内，仍不存在任何操作问题。即使控制信号DS的瞬时响应或相位变化，开关晶体管Tr4导通的时刻和开关晶体管Tr4截止的时刻之间的时间差基本上没有任何改变，因此，迁移率校正周期不会发生显著变化。同时，控制信号WS的相位变化不影响迁移率校正处理。因此，即使特性随着包括在写扫描器或驱动扫描器中的晶体管的不同而变化，但是仍能够精确地控制迁移率校正周期。因此，可以抑制诸如条纹不均匀等图像质量问题，并且可以得到具有高亮度均匀性的图像。

图12是根据本发明实施例的显示装置的薄膜结构的截面图。图12示意性示出了形成在绝缘基板上的像素的截面图。如图所示，像素包括了包括多个TFT的晶体管单元(图2仅示出了一个TFT)、诸如保持电容器的电容器单元和诸如有机EL元件的发光单元。通过TFT处理在基板上形成晶体管单元和电容器单元，在其上形成发光单元，利用置于发光单元和相对基板之间的粘合剂将透明的相对基板粘接至其，并因而制造出平板。

根据本发明实施例的显示装置可以是图13所示的平面显示模块。例如，显示模块包括其上放置像素阵列的绝缘基板。像素阵列包括矩阵形式的像素，每个像素具有有机EL元件、TFT、薄膜电容器等。通过将诸如玻璃基板的透明相对基板粘结至置于像素阵列(像素矩阵)周围的粘合剂来制造显示模块。视需要，透明的相对基板可以设置有滤色片、保护膜、遮光膜等。同时，显示模块可以设置有诸如柔性印刷电路(FPC)的连接器，用于在像素阵列和外部装置之间进行信号的传输等。

根据本发明上述实施例的显示装置是平板显示装置，该平板显示装置可用作关于能够显示外部输入或内部生成的驱动信号来作为图像或视频的各种类型的电子设备(例如，数码相机、笔记本型个人计算机、移动电话、和视频可携式摄像机)的显示器。下文中，将描述这些电子设备的实例。

图14是应用本发明的电视机。电视机包括图像显示屏11，其包括面板12、滤色片13等。通过将根据本发明实施例的显示装置用作图像显示屏11得到图14的电视机。

图15示出了应用本发明的数码照相机。分别在图15的上部和下部中示出了数码照相机的正面和背面。数码照相机包括摄像镜头、用作闪光的发光单元15、显示单元16、控制开关、菜单开关和快门19。通过将根据本发明实施例的显示装置用作显示单元16得到图15的数码照相机。

图16示出了应用本发明的笔记本型个人计算机。笔记本型个人计算机的机体20包括用于输入文本等的键盘。机体20的盖包括用于显示图像的显示单元22。通过将根据本发明实施例的显示装置用作显示部22得到图16的笔记本型个人计算机。

图17示出了应用本发明的移动终端设备分别。在图17的左部和右部示出了移动终端设备的打开状态和关闭状态。移动终端设备包括上壳23、下壳24、接合25(铰链)、显示器26、副显示器27、画面灯28和照相机19。通过将根据本发明实施例的显示装置用作显示器26和副显示器27得到图17的移动终端设备。

图18示出了应用本发明的可携式摄像机。可携式摄像机包括机体30、设置在机体30前侧并用于拍摄物体的镜头34、用于开始或停止拍摄操作的开始/停止开关35和监视器36。通过将根据本发明实施例的显示装置用作监视器36得到图18的可携式摄像机。

本领域技术人员应了解，根据设计要求和其它因素，可以进行各种修改、组合、子组合和改进，均应包含在本发明的权利要求或等同物的范围内。

Claims (4)

1.一种显示装置，包括：

像素阵列，以及

被配置为驱动所述像素阵列的驱动单元；

其中，所述像素阵列包括：

按行排列的多条第一扫描线和多条第二扫描线，

按列排列的多条信号线，

排列在各条扫描线和所述信号线的各个交叉点处的矩阵形式的像素，

向每个所述像素提供电源的多条电源线，以及

多条地线；以及

所述驱动单元包括：

第一扫描器，将第一控制信号顺次提供给对应的第一扫描线，从而以行为单位对所述像素执行逐行扫描，

第二扫描器，同步于所述逐行扫描，将第二控制信号顺次提供给对应的第二扫描线，以及

信号选择器，同步于所述逐行扫描，将视频信号提供给各列的所述信号线；

其中，每个所述像素均包括

发光元件，

采样晶体管，

驱动晶体管，

开关晶体管，和

像素电容器；以及

其中，所述采样晶体管的栅极连接至一条所述第一扫描线，所述采样晶体管的源极连接至一条所述信号线，以及所述采样晶体管的漏极连接至所述驱动晶体管的栅极；

所述驱动晶体管和所述发光元件串联连接在一条所述电源线和一条所述地线之间，从而形成了电流通路，其中，所述驱动晶体管的漏极经由所述开关晶体管连接至该一条所述电源线；

所述开关晶体管位于所述电流通路中，其中，所述开关晶体管的源极连接至一条所述电源线并且所述开关晶体管的栅极连接至一条所述第二扫描线；

所述像素电容器位于所述驱动晶体管的源极和栅极之间；

所述采样晶体管响应于从所述第一扫描线提供的第一控制信号而导通，采样从所述信号线提供的视频信号的信号电位，并将采样得到的信号电位保存在所述像素电容器中；

所述开关晶体管响应于从所述第二扫描线提供的第二控制信号而导通，并使所述电流通路导电；

所述驱动晶体管使驱动电流通过处于导电状态的所述电流通路流入所述发光元件，所述驱动电流取决于保存在所述像素电容器中的所述信号电位；

所述第一扫描器向所述第一扫描线施加第一控制信号，以使所述采样晶体管导通并开始采样信号电位，然后消除施加给所述第一扫描线的所述第一控制信号以使所述采样晶体管截止；以及

在从所述采样晶体管导通的时刻至所述采样晶体管截止的时刻的视频信号写周期期间，所述第二扫描器将脉冲状的第二控制信号施加给所述第二扫描线，以使所述开关晶体管在有限的校正周期保持导通，并调节保存在所述像素电容器中的信号电位来校正所述驱动晶体管的迁移率。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述采样晶体管截止以及所述视频信号写周期结束之后，所述第二扫描器将第二控制信号再次施加给所述第二扫描线，以使所述采样晶体管在预定发光周期保持导通，并使所述电流通路通电以使驱动电流流入所述发光元件。

3.一种用于显示装置的驱动方法，所述显示装置包括像素阵列，以及

被配置为驱动所述像素阵列的驱动单元；

其中，所述像素阵列包括：

按行排列的多条第一扫描线和多条第二扫描线，

按列排列的多条信号线，

配置在各条扫描线和所述信号线的各个交叉点处的矩阵形式的像素，

向每个所述像素提供电源的多条电源线，以及

多条地线；以及

所述驱动单元包括：

第一扫描器，将第一控制信号顺次提供给对应的第一扫描线，从而以行为单位对所述像素执行逐行扫描，

第二扫描器，同步于所述逐行扫描，将第二控制信号顺次提供给对应的第二扫描线，以及

信号选择器，同步于所述逐行扫描，将视频信号提供给各列的所述信号线；

其中，每个所述像素均包括

发光元件，

采样晶体管，

驱动晶体管，

开关晶体管，以及

像素电容器；以及

其中，所述采样晶体管的栅极连接至一条所述第一扫描线，所述采样晶体管的源极连接至一条所述信号线，以及所述采样晶体管的漏极连接至所述驱动晶体管的栅极；

所述驱动晶体管和所述发光元件串联连接在一条所述电源线和一条所述地线之间，从而形成了电流通路，其中，所述驱动晶体管的漏极经由所述开关晶体管连接至该一条所述电源线；

所述开关晶体管位于所述电流通路中，其中，所述开关晶体管的源极连接至一条所述电源线并且所述开关晶体管的栅极连接至一条所述第二扫描线；

所述像素电容器位于所述驱动晶体管的源极和栅极之间；

所述驱动方法包括以下步骤：

响应于从所述第一扫描线提供的第一控制信号导通所述采样晶体管，采样从所述信号线提供的视频信号的信号电位，并将采样得到的信号电位保存在所述像素电容器中；

响应于从所述第二扫描线提供的第二控制信号导通所述

开关晶体管，以使所述电流通路导电；

使驱动电流通过处于导电状态的所述电流通路流入所述发光元件，所述驱动电流取决于保存在所述像素电容器中的所述信号电位；

向所述第一扫描线施加第一控制信号，以使所述采样晶体管导通并开始采样信号电位，然后消除施加给所述第一扫描线的所述第一控制信号以使所述采样晶体管截止；以及

在从所述采样晶体管导通的时刻至所述采样晶体管截止的时刻的视频信号写周期期间，向所述第二扫描线施加脉冲状的第二控制信号，以使所述开关晶体管在有限的校正周期保持导通，并调节保存在所述像素电容器中的信号电位来校正所述驱动晶体管的迁移率。

4.一种包括根据权利要求1所述的显示装置的电子设备。

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