CN101256792B

CN101256792B - 盘基片输送机构及记录介质盘

Info

Publication number: CN101256792B
Application number: CN2007103068472A
Authority: CN
Inventors: 古贺升; 神五大
Original assignee: OLISEN ELECTRICAL CO Ltd; Ricoh Co Ltd
Current assignee: OLISEN ELECTRICAL CO Ltd; Ricoh Co Ltd
Priority date: 2006-11-15
Filing date: 2007-11-15
Publication date: 2010-12-29
Anticipated expiration: 2027-11-15
Also published as: JP5108399B2; DE602007009623D1; TWI346334B; JP2008146804A; CN101256792A; TW200836191A

Abstract

本发明公开了一种包括多个螺旋轴的盘基片输送机构，每个螺旋轴包括以螺旋方式提供的导槽，导槽被配置来支撑用冲模模制的盘基片的外周缘。螺旋轴轴向旋转以在输送方向上输送盘基片。每个导槽包括在输送方向上位于导槽前侧的前侧壁、在输送方向上位于导槽后侧的后侧壁以及以在输送方向上导槽从后向前逐渐变深的方式倾斜的基底面。本发明还公开一种记录介质盘。

Description

盘基片输送机构及记录介质盘

技术领域

本发明涉及一种光学信息记录介质例如光盘，用于制造磁记录介质的盘基片输送机构，以及记录介质盘。

背景技术

具有这种光盘，在该光盘上照射激光波长的光来读取记录的信息、写入信息或删除信息。通过将两个光学上透明的基片粘合在一起而被制造的光盘被生产并在市场上可以获得。例如DVD和激光盘。这类光盘由两个光学上透明的基片、反射层、粘合层以及打印层组成。光学上透明的基片由PC(聚碳酸酯)、PMMA(丙烯酸脂)等组成。反射层由Au、Ag、Al合金等组成。使用粘合剂，例如紫外线固化粘合剂。

自由基紫外方法(radical UV method)是用于将光盘粘合在一起的最普遍的常规方法。特别地，在该方法中，配料器用于在光盘信息基片(相当于将被记录信息的单板，包括记录层和反射层)的同心圆上滴自由基紫外粘合剂。在盖基片(作为盖的透明单板)置于光盘信息基片上之后，该基片以预定转动频率旋转预定量的时间以甩出多余的粘合剂。接着，照射紫外线以固化紫外粘合剂。由此，制造多层类型的光记录介质。

说明书给出了用于层叠盘的传统的自由基紫外方法的例子。

在该例子中，两个盘被粘合在一起，其中每个盘包括两层或更多层，例如双层重放盘或双层记录盘。为方便起见，在底部并要接收光的基片(盘)被称为La，在顶部的基片被称为Lb。

通常通过从上面照射紫外线固化La基片和Lb基片之间的紫外线固化粘合剂来执行粘合处理。因此，由于光可以穿过La基片并到达粘合剂，以La基片面向上的方式来输送盘。具体地，首先，以阻挡层被溅射的一侧(即用于接收光的一侧)被面向上的方式将Lb基片置于旋转施加装置的台(旋转台)上。当台以几十rpm的转速被旋转时，配料器用于沿着远离Lb基片的中心大约30mm的圆周的同心圆内滴紫外固化粘合剂(具有大约500cp的粘稠度)。随后，以用于接收光的一侧向上，将La基片叠加到Lb基片上。然后，台以几百到几千rpm的转速被旋转，以便紫外固化树脂延伸到基片的边缘。然后，叠加的基片被输送到光照射台。在光照射台，紫外线被照射到基片上以固化粘合剂。由此，制造多层类型的光盘。

如果沿着面对另一个基片的基片La和/或Lb的一侧的外周缘存在毛刺(在模制工序期间从冲模的缝隙无意地压出的部分)，则毛刺将邻接另一个基片，或者两个相对的毛刺将彼此邻接。结果，在粘合层将产生气泡。

特别地，在两个多层盘例如双层重放盘或者双层记录盘粘合在一起的情况下，限制了粘合层的厚度。因此，应使得在将被粘合在一起的基片上的毛刺的高度小。在将单层盘粘合在一起的情况下(具有多层的活动盘和空白(clear)基片盘的结合)，粘合层的厚度没有限制。因此，粘合层被制造得足够厚以使得毛刺不邻接相对的基片，例如在80μm到120μm的范围内。然而，在将两个双层盘粘合在一起的情况下，指定了粘合层的厚度的限制。特别地，粘合层的厚度在DVD+R DL盘的情况下被要求为45μm到55μm那么薄且在HD-R DL盘的情况下为22μm到28μm那么薄，其是根据在La基片和Lb基片之间的焦距来计算的。在基片La或Lb上的毛刺不超过指定的粘合层厚度，或者在基片La和Lb上的毛刺不彼此邻接。因此，在基片La上的毛刺和在基片Lb上的毛刺的总高度不应超过指定的粘合层厚度。特别地，在上述的双层DVD+R DL盘的情况下，如果在基片La上的毛刺和在基片Lb上的毛刺的总高度超过40μm，则竖立的毛刺将彼此邻接。结果，粘合在一起的盘的机械性能将会降低并且在粘合层将产生气泡。

在施加了用来粘合盘的粘合液体之后，过多的粘合液体随着盘在旋转台的旋转而甩出，并且粘合液体随着盘的连续旋转而被转变成薄膜。然而，如果在盘的外周缘存在彼此邻接的竖立毛刺，则在基片之间的距离不能再降低超过竖立毛刺的高度。因此，从内周侧延伸为薄膜的液体不够用于填充在基片之间的外周缘的开放空间。因此，在粘合液体中将产生气泡，其大到在视觉上容易被察觉，每个气泡具有50μm到1.5mm范围内的直径。

下面描述形成上述竖立毛刺的原因。借助于具有附在其上的压模的冲模来模制盘基片。为了防止压模变形，必须在压模和型腔环(cavity ring)之间提供特定大小的余隙。用来形成盘的材料进入这个余隙。结果，沿着外周缘在径向上向外延伸形成圆周毛刺(水平毛刺)，其中盘基片的压模侧(将被粘合到另一个盘的一侧)汇合外周缘面。

如专利文献1所述和如专利文献2的图4所说明的，具有通过螺杆传输以预定速度向前送给以竖直方式等间隔布置的盘基片的机构。在模制盘基片之后执行的冷却处理中或在冲模盘基片之后的退火处理中使用这种机构。如果使用装备有这种机构的传统的DVD+/-R DL设备制造盘，则在盘上的毛刺的高度在盘被螺杆输送前后非常不同。这是因为在盘被螺杆输送之后没有对位于压模侧上的盘外周(将被粘合到另一个盘的一侧)的毛刺采取措施。特别地，导致沿着压模侧上的盘基片的外周缘在径向上向外延伸的水平毛刺在输送操作完成时竖立在压模侧上(朝向压模侧折叠)。因此，在盘基片上产生高的毛刺。在冷却模具的最初阶段，基片的温度仍在大约110℃至130℃的范围内，其对应于冲模的温度。在退火处理的情况下，基片被暴露于80℃至100℃的热量。在这种温度下，软化了基片和毛刺部分，因此，如果对面向毛刺的表面执行接收螺杆旋转操作，则毛刺将容易竖立。特别地，在盘基片以其压模侧在输送方向上位于前面的方式被布置的同时输送盘基片时发生这种现象(以下给出细节)。

专利文献1：日本专利No.3625279

专利文献2：日本公开的专利申请No.2002-245692

发明内容

本发明提供了一种盘基片输送机构以及一种记录介质盘，消除了一个或多个上述的缺点。

本发明优选实施例提供了一种盘基片输送机构以及一种记录介质盘，其中缓和了竖立的毛刺，该竖立毛刺在盘外周产生气泡。

本发明的实施例提供了一种盘基片输送机构，该盘基片输送机构包括多个螺旋轴，每个螺旋轴包括以螺旋方式提供的导槽，导槽被配置来支撑用冲模模制的盘基片的外周缘，其中螺旋轴被轴向地旋转以在输送方向输送盘基片；每个导槽包括在输送方向上位于导槽前面的前侧壁、在输送方向上位于导槽后面的后侧壁、以及以在输送方向上导槽从后向前逐渐变深的方式倾斜的基底面。

本发明的实施例提供了一种盘基片输送机构，该盘基片输送机构包括多个螺旋轴，每个螺旋轴包括以螺旋方式提供的导槽，该导槽被配置来支撑用冲模模制的盘基片的外周缘，其中螺旋轴被轴向地旋转以在输送方向输送盘基片；每个导槽包括在输送方向的上位于导槽前面的前侧壁、在输送方向上位于导槽后面的后侧壁，以及基底面，该基底面在输送方向上基底面的前沿包括凹下部分。

本发明的实施例提供了一种盘基片输送机构，盘基片输送机构包括多个螺旋轴，每个螺旋轴包括以螺旋方式提供的导槽，该导槽被配置来支撑用冲模模制的盘基片的外周缘，其中螺旋轴被轴向地旋转以在输送方向输送盘基片；每个导槽包括在输送方向上位于导槽前面的前侧壁、在输送方向上位于导槽后面的后侧壁、以及以在输送方向上导槽从前向后逐渐变深的方式倾斜的基底面。

根据本发明的一个实施例，提供了一种盘基片输送机构以及一种记录介质盘，其中缓和了竖立毛刺。

附图说明

从结合附图理解的下列详细说明中，本发明的其他目的、特征和优点将变得更明显，其中：

图1是使用根据本发明实施例的盘基片输送机构的光盘生产线的示意图；

图2A和2B说明在图1所示的光盘生产线中用于将盘基片从模制机构传输到盘基片冷却装置的机构；

图3A和3B说明根据本发明实施例的盘基片输送机构的部分构造；

图4A和4B说明根据本发明实施例的盘基片热处理设备；

图5是包括在图4A和4B所示的盘基片热处理设备中的盘基片输送机构的第一示意图；

图6是包括在图4A和4B所示的盘基片热处理设备中的盘基片输送机构的第二示意图；

图7是用于模制盘基片的冲模的剖面图；

图8是在传统的盘基片输送机构中的盘基片和导槽的第一剖面图；

图9是在传统的盘基片输送机构中的盘基片和导槽的第二剖面图；

图10是指示用于测量在盘基片的压模侧上(将被粘合到另一个盘的一侧)的毛刺高度的位置的图；

图11是在试验例2中的输送情况1和3的盘基片和导槽的剖面图；

图12是在试验例2中的输送情况2的盘基片和导槽的剖面图；

图13是指示在试验例2中用于测量沿着盘基片的圆周的毛刺高度的位置的图；

图14是根据本发明实施例的盘基片输送机构的盘基片和导槽的剖面图(1)；

图15是根据本发明实施例的盘基片输送机构的盘基片和导槽的剖面图(2)；

图16是包括根据本发明实施例盘基片输送机构的盘基片和导槽的剖面图(3)的图表；

图17是根据本发明实施例的盘基片输送机构的盘基片和导槽的剖面图(4)；

图18是包括根据本发明实施例的盘基片输送机构的盘基片和导槽的剖面图(5)的图表；以及

图19根据实际例4当使用盘基片输送机构时通过退火处理前后在基片上的毛刺高度比较指明毛刺缓和效果。

具体实施方式

参照附图给出本发明实施例的描述。

以下描述盘基片输送机构和使用盘基片输送机构的设备。

图1是根据本发明实施例用于制造光盘的使用盘基片输送机构的集成生产线的示意图。

在图1中，1a和1b表示模制机构；模制机构1a和1b模制盘基片L0，模制机构1b模制盘基片L1。每个模制的盘基片L0、L1通过传送单元2被传输到盘基片冷却装置3。盘基片冷却装置3被用于将刚被模制的热的盘基片L0、L1冷却至室温。盘基片冷却装置3使用根据本发明实施例的盘基片输送机构，并输送以竖直方式布置的盘基片L0、L1。下面详细描述。

在由相应盘基片冷却装置3冷却的两个盘基片L0、L1中，盘基片L0被传输到老化单元7，盘基片L1通过回转台5输送到沉积设备6。在反射涂层被完全地形成在盘基片L1上之后，盘基片L1被传输到老化单元7。老化单元7用于在冲模盘基片之前稳定盘基片的温度。老化单元7使用根据本发明实施例的盘基片输送机构，并输送以竖直方式布置的盘基片。在老化单元7顶部，提供风扇设备用以输送保持在特定温度的空气。

然后，两个盘基片L0、L1的每个通过输送器8和传输臂被传送到染料旋转器9。染料旋转器9将染料施加到盘基片的表面，并执行旋转涂敷方法以使得染料更均匀。为了降低处理时间，可提供多个染料旋转器9来执行并行处理。用染料涂层覆盖的盘基片被传送到清洗旋转器10，其中粘着在盘基片的侧缘面和背面的染料被洗刷掉。

经过洗刷的盘基片L0、L1被返回到输送器8，然后被输送到包括根据本发明实施例的盘基片输送机构的盘基片热处理设备50。下面给出盘基片热处理设备50的详述。

经过热处理的两个盘基片L0、L1的每个由回转台11输送到沉积设备12。在盘基片L0上形成半透明薄膜，在盘基片L1上形成保护/反射薄膜。

然后，涂有薄膜的两个盘基片L0、L1的每个由回转台21输送。粘合剂通过排出喷嘴23施加到盘基片L1。盘基片L0由反转臂22颠倒旋转。两个盘基片L0、L1由粘合设备24彼此重叠。

提供两个旋转器25交替地传输重叠的盘基片。以高速旋转盘基片以便使得在盘基片之间的粘合薄膜的厚度均匀并且将盘基片粘合在一起。然后，在盘基片已经以高速旋转之后，由紫外线台(UV table)26将它们输送到紫外线固化设备27。紫外线被照射到盘基片上以便固化在盘基片之间的粘合剂。随后，检验盘基片，制造过程完成。

下面，参考图2A和2B描述将模制的盘基片从模制机构1a或1b传输到盘基片冷却装置3的具体实际例。传送单元2包括传输臂2b和提供在传输臂2b上的吸入单元2c，传输臂2b和吸入单元2c被驱动单元2a驱动。

未示出的盘基片吸取单元从模制机构1a或1b逐个吸取盘基片。传送单元2通过吸取和保持盘基片在图2B所示的位置P接收来自于盘基片吸取单元的盘基片。一旦盘基片被接收，则传送单元2在由图2B的箭头指示的方向旋转。当盘基片到达盘基片冷却装置3的安装位置时，解除传输臂2b对盘基片的吸取并撤回传输臂2b的前缘。因此，盘基片被传送到盘基片冷却装置3。

在盘基片冷却装置3中，一组三个螺旋轴3a作为盘基片输送机构。所有螺旋轴3a都具有相同的构造。如图3A所示，每个螺旋轴3a具有在笔直轴上以预定螺距形成的螺旋形导槽3b。每个导槽3b具有侧壁和基面。导槽3b的深度和宽度以下列的方式被配置：盘基片L0(L1)的外周可进入导槽3b并且不轻易离开。最好以等腰三角形的对应角布置三个螺旋轴3a，通过这样的方式，三个螺旋轴3a的导槽3b等量接收盘基片L0(L1)的圆周。

在由箭头指出的方向上由未示出的驱动单元以预定速度旋转这三个螺旋轴3a(图3B)。于是，相对于三个螺旋轴3a以竖直方式布置的盘基片L0(L1)沿着导槽3b以预定距离被向前传送，直到由传送单元2传输的下一个盘基片到达。用这样的方式，预定数量的盘基片L0(L1)以横向方式被顺序向前传送。当向前传送的盘基片L0(L1)到达预定位置时，其由传送单元4传送以经历下一个处理。

接着，给出使用盘基片输送机构的盘基片热处理设备50的描述。盘基片热处理设备50被合并到上述用于制造光盘的生产线中。盘基片热处理设备50在已经涂有染料涂层并且已经被清洗的盘基片L0、L1上执行热处理，以提高和稳定作为光盘的性质，并且稳定重放信号。

图4A、4B说明根据本发明实施例的盘基片热处理设备50的构造。图4A是侧视图，图4B是顶视图。

在这些图中，作为干燥箱的热处理腔51被分成三个空间，即温度提升单元56、恒温保持单元57以及冷却单元58。这些空间由两个侧壁板52、53以及两个隔板54、55形成。通过根据本发明实施例的盘基片输送机构59使得盘基片60顺序经过温度提升单元56、恒温保持单元57以及冷却单元58。盘基片60在热处理腔51中被烘干以便除去有机溶剂。输送盘基片60的盘基片输送机构59具有与参照图1至3B所描述的盘基片输送机构相同的构造。盘基片输送机构59包括螺旋轴59a、59b以及59c，每个螺旋轴具有以预定螺距形成的螺旋形导槽。顺序输送以垂直竖直方式布置并且以预定间隔隔开的多个盘基片60。此外，在图4A中，61b表示温度提升单元56的放电板，62b表示恒温保持单元57的放电板，63b表示冷却单元58的放电板。

以螺旋轴59b在顶点的等腰三角形的角度布置螺旋轴59a、59b以及59c。随着螺旋轴59a、59b以及59c的旋转，通过在螺旋轴中形成的导槽的移动，顺序向前传送其间具有预定间隔的盘基片60。

如图4A中的箭头所示，在盘基片热处理设备50的温度提升单元56和恒温保持单元57中，热空气分别从排气板61a和排气板62a中形成的排出孔被吹出。在冷却单元58中，空气或气体，诸如具有温度低于或等于室温的氮被从排气板63a吹出。通过其吹出在温度提升单元56中的热空气的孔是在排气板61a中形成的细长缝隙。该缝隙被恰好定位在上述的盘基片60的顶部，盘基片60被顺序传输到热处理腔51内。热空气以这样的方式从缝隙中提供：相对于输送方向在垂直方向送风，即沿着盘基片60的圆形表面送风。

对以竖直方式间隔布置的盘基片60，需要花费一分钟来通过温度提升单元56。气体通过未示出的加热器从50℃被加热到比盘基片的软化温度低的温度(例如110℃到130℃)。该气体从排气板61a的间隙中以预定风速被吹出，以便当它们到达下一个空间的入口时盘基片60将被加热到比盘基片的软化温度低的预定温度，下一个空间是恒温保持单元57。

然后，在恒温保持单元57中，在温度提升单元56中已经被增至预定温度的盘基片60的温度被进一步增至规定温度或被保持以不从规定温度降低。盘基片60被保持在规定温度以便从每个盘基片60的有机染料薄膜上基本完全地除去有机溶剂。

以这样的方式，盘基片60在通过盘基片输送机构59顺序输送时在恒温保持单元57中被烘干。然后，使得盘基片60经过隔板55并被送入冷却单元58。冷却单元58具有与温度提升单元56基本相同的结构；唯一的差异是从排气板63a中的缝隙吹出室温的气体。因此，在冷却单元58中，盘基片60的温度从规定温度降低到大约为室温。

参照图5和6描述了盘基片输送机构59的细节。图5说明了螺旋轴59a、59b和59c以及螺旋轴59a′、59b′和59c′。螺旋轴59a′、59b′和59c′具有与螺旋轴59a、59b和59c相同的结构并且与螺旋轴59a、59b和59c平行布置。此外，图5和6说明了在这些螺旋轴的两端上提供的用于旋转支撑该螺旋轴的端部的支承构件65。此外，在图5和6中，67和67′表示吸取单元，68和68′表示基底单元，69表示导轨，70表示线性驱动设备，71表示安装单元。在图5中说明的构造中，存在用于同时对两个盘基片60和60′进行热处理和烘干的两条线路。径向轴承66a、66b和66c的外圈被固定到支承构件65上。螺旋轴59a、59b和59c以相对于支承构件65自由旋转的方式被固定到径向轴承66a、66b和66c的内环上。螺旋轴59a′、59b′和59c′的情况也如此。螺旋轴59a、59b和59c以及螺旋轴59a′、59b′和59c′经由未示出的皮带被连接到未示出的激励源。

支承构件65包括从它的顶面65a向下延伸的狭槽65b、65c。通过提供狭槽65b，可提供以下效果。也就是说，当将盘基片60传输到螺旋轴59a、59b和59c时，未示出的输送臂进入狭槽65b，以便盘基片60可被平滑地放入螺旋轴59a、59b和59c的导槽中，而不对盘基片60产生振动。凹槽65c提供与凹槽65b相同的效果。盘基片60′可被平滑地放入螺旋轴59a′、59b′和59c ′的导槽中，而不会接收振动。不限制狭槽65b、65c的形状，只要当输送臂从如图所示的正面进入狭槽65b、65c，将盘基片60、60′放置在如图所示的后侧的相应螺旋轴59a、59b和59c以及螺旋轴59a′、59b′和59c′时，未示出的输送臂不接触狭槽65b、65c的内壁。

下面描述根据本发明第一、第二以及第三实施例的盘基片输送机构。沿着盘基片L0(L1)的外周缘，产生毛刺的部分称为外周缘A。盘基片L0(L1)以这样的方式布置：外周缘A位于输送方向的前面。在使得其外周缘A由导槽3b的侧壁或者在输送方向上在导槽3b前面的前侧壁与导槽3b的倾斜基底面之间的拐角支撑时传输盘基片L0(L1)。因此，由于毛刺接触导槽3b的侧壁或者在输送方向上在导槽3b前面的前侧壁与导槽3b的倾斜基底面之间的拐角，毛刺被折叠在盘基片L0(L1)的外周缘面上(代替向将粘附到另一个盘的一侧的压模侧折叠)。结果，(由于毛刺不竖立在压模侧上)，可防止在将盘基片粘合在一起时引起的不利影响。

在本发明中，导槽3b包括在输送方向上在导槽3b前面的前侧壁、在输送方向上在导槽3b后面的后侧壁以及以在输送方向导槽3b从后向前逐渐变深的方式倾斜的基底面(第一实施例)。特别地，导槽3b的基底面以这样的方式倾斜：导槽3b在盘基片L0(L1)的外周缘A的下面更深。于是，在外周缘A与导槽3b的基底面之间提供折叠毛刺可进入的空间，其中由导槽3b的前侧壁折叠毛刺。折叠毛刺可进入空间的倾斜的基底面优选具有100μm或更大的高度差(elevation difference)，以便距离盘基片L0(L1)的外周缘的空间深度为100μm或更大。

可选地，导槽3b包括在输送方向上在导槽3b前面的前侧壁、在输送方向上在导槽3b后面的后侧壁以及在输送方向上在基底面的前边缘具有凹下部分的基底面(第二实施例)。特别地，凹下部分在导槽3b的基底面中以这样的方式被提供：导槽3b在盘基片L0(L1)的外周缘A的下面更深。因此，在外周缘A与导槽3b的基底面之间提供折叠毛刺可进入的空间，其中通过导槽3b的前侧壁折叠毛刺。折叠毛刺可进入的空间的基底面中的凹下部分优选具有100μm或更大的深度，以便距离盘基片L0(L1)的外周缘A的空间深度为100μm或更大。

可选地，导槽3b包括在输送方向上在导槽3b前面的前侧壁、在输送方向上在导槽3b后面的后侧壁以及以在输送方向上导槽3b从前向后逐渐变深的方式倾斜的基底面(第三实施例)。具体地，在使得其外周缘A由在输送方向上在导槽3b前面的前侧壁和在导槽3b的倾斜基底面之间的拐角支撑时输送盘基片L0(L1)。在盘基片LO(L1)的外周缘与导槽3b的倾斜基底面之间提供折叠毛刺可进入其中的空间，其中由在输送方向上在导槽3b前面的前侧壁和导槽3b的倾斜基底面之间的拐角折叠毛刺。在导槽3b的倾斜基底面与盘基片L0(L1)的外周缘之间的拐角的角度(倾斜角)为5°到65°，更优选地为10°到28°。折叠毛刺可进入的空间在输送方向上在导槽3b的后侧最好具有100μm或更大的深度。

在第一、第二以及第三实施例中，在输送方向上在前侧壁与相对于螺旋轴3a的轴向正交的平面之间的角度优选小于在后侧壁与相对于螺旋轴3a的轴向正交的平面之间的角度。因此，在支撑盘基片L0(L1)的外周缘A的侧壁与盘基片L0(L1)之间的角度小于在另一侧壁与盘基片L0(L1)之间的角度。

在第一、第二和第三实施例中，导槽3b的基底面的宽度大于或者等于(盘基片L0(L1)的厚度)+10μm并且小于或等于(盘基片L0(L1)的厚度)+500μm。

如上所述，盘基片L0和L1经过盘基片冷却装置3和盘基片热处理设备50，每个设备包括根据本发明实施例的盘基片输送机构。然后，在沉积设备12在两个盘基片L0和L1上都形成薄膜，盘基片L0被反转，液体粘合剂被施加到盘基片L1上。然后，在盘基片粘合设备24，两个盘基片L0和L1被粘合在一起。盘基片L0和L1经受紫外线固化处理。因此，在粘合层的外周不产生任何气泡，从而获得光盘。

[实际例]

接下来，给出执行的试验例的描述用于检验本发明的效果。

<试验例1>

首先，给出使用传统盘基片输送机构的盘基片热处理设备获得的检验结果的描述。通过检查毛刺的高度和在盘外周产生的气泡的不利影响来获得这些结果。

图7是冲模的剖面图。如图7所示，由于在压模41与型腔环45之间存在余隙，所以在盘基片L的边缘面产生水平毛刺。此外，在图7中，42表示水平镜面，43表示压模吸气管，44表示温度调节管，46表示活动镜面，47表示温度调节管，48表示毗连环。

如图8所示，如果该盘基片L被插入传统的盘基片输送机构中的螺旋轴的导槽93b中，如图9所示，则盘基片L的边缘面将邻接导槽93b的基底面的水平部分。如果螺旋轴在该情况下轴向旋转用于输送盘基片L，则由导槽93b的基底面向压模侧(将被粘合到另一个盘的一侧)折叠盘基片L的毛刺，尽管事实上朝向移动方向。因此，毛刺竖立在盘基片的主表面上。

使得在图7所示的冲模的压模41和型腔环45之间的余隙发生变化，以改变水平毛刺的尺寸。不用执行任何用于缓和毛刺的任何后期处理，两个盘基片L0和L1被粘合在一起。在外周产生的气泡的尺寸被检查。表1中示出了该检查的结果。在压模41和型腔环45之间的余隙为17μm的情况对应于(小毛刺)状态。在压模41和型腔环45之间的余隙为25μm的情况对应于(大毛刺)状态。两个盘基片L0、L1都具有(小毛刺)状态的情况对应于模制状态1。盘基片L0具有(大毛刺)状态而盘基片L1具有(小毛刺)状态的情况对应于模制状态2。盘基片L0具有(小毛刺)状态并且盘基片L1具有(大毛刺)状态的情况对应于模制状态3。对于这些情况的每一种，检查在盘基片的压模侧上的外周竖立的毛刺的高度以及在外周产生的气泡的尺寸。

(表1)

此外，对于盘基片L1，检查在光盘生产线中压模侧(粘合到另一盘L0的一侧)上的毛刺高度的转变以及当与另一个盘L0粘合时的毛刺高度。具体地，如图10所示，在由(小毛刺)状态或者(大毛刺)状态模制的盘基片L1的压模侧上，压模印(L)位于外周的位置作为0度(在图10中的顶端)。在从该位置的顺时针方向上指定与45、90、135、180、225、270以及315度对应的位置。在模制/冷却之后、在退火(热处理)之前以及在退火之后/在粘合到另一个盘基片之前这些阶段，测量这些位置的每一个在外周缘的毛刺高度。表面粗糙度检查仪(DEKTAK3)被用来测量毛刺高度。结果被表示在表2中。在表2中，″-″指示不执行测量。在该例子中，示出了盘基片L1的测量结果；对盘基片L0基本获得类似的结果。

表2

如表2所示，可通过降低在冲模结构中在压模41和型腔环45之间的余隙的宽度来缓和水平毛刺。然而，如果型腔环45过于接近压模41，则压模41会变形。为此，在通过调整冲模的构造来试图缓和毛刺中存在限制。然而，本发明的实施例在盘输送机构中通过后期处理缓和水平毛刺，从而防止在粘合处理期间由于水平毛刺而在粘合层的外周产生的气泡。

<试验例2>

借助于传统的盘基片输送机构，具有水平毛刺的盘基片以下列输送状态(表3)被输送。然后检查竖立毛刺。具体地，通过改变当盘基片被插入到螺旋轴的导槽时压模侧(粘合到另一盘的一例)面对的侧面，以及通过改变螺旋轴的旋转方向，检查对竖立毛刺的影响。图11说明在具有传统形状的导槽中在输送状态1和3的情况下盘基片的插入方向。图12说明在具有传统形状的导槽中在输送状态2的情况下盘基片的插入方向。

(表3)

输送方向	盘基片的压模侧的侧面	螺旋旋转的方向
			1	在盘移动方向的前侧	向前方向
2	在盘移动方向的后侧	向前方向
			3	在盘移动方向的前侧	重复向前和向后旋转

如图13所示，通过在退火处理之前和之后沿着盘基片的压模侧上的外周缘在四个位置(1、2、3、4)测量毛刺高度来进行检验。在表4中示出了结果。在表4中，在输送状态1至3的情况下在四个位置(1、2、3、4)处，(a)显示在退火处理之前(输送盘基片之前)的测量结果，而(b)显示在退火处理之后(输送盘基片之后)的测量结果。

(表4)

这些结果说明了如果在导槽中在盘移动方向(在下文中，也称为相对侧输送)上在盘基片背面侧上具有水平毛刺，则毛刺将自然地向压模侧被折叠并且毛刺将竖立在压模侧上。因此，毛刺均匀竖立在盘基片的圆周周围。然而，如果在导槽中在盘移动方向上在盘基片的正面上存在水平毛刺，则毛刺将以不均匀的方式竖立，即毛刺在某些部分竖立在压模侧上但是在其他部分向着另一侧竖立。发现与盘基片以其压模侧处于移动方向后面的方式放置的情况相比，在毛刺向着移动方向竖立的情况中，竖立毛刺的高度较高。

综上所述，在输送状态1(规则输送)下，在移动方向上的前侧具有水平毛刺，因此，相对于移动方向向前和向后折叠毛刺。此外，在移动方向被折叠的毛刺远远高于在相对侧输送的情况。接着，在输送状态2(相对侧输送)下，相对于移动方向在盘基片的后侧上具有水平毛刺，因此，以均匀的方式围绕圆周朝向压模侧均匀地折叠毛刺。在输送状态3下，向前和向后反复地旋转螺旋轴，因此，合并了两个输送状态1和2的元素。结果，如在输送状态1下，毛刺在某些部分变得不平。根据这些结果，可以确定当盘基片被插入导槽时压模侧面对的方向与竖立毛刺的状态之间的关系。特别地，发现在现有技术中，在螺杆输送中很难缓和在外周上的毛刺。

<试验例3>

根据试验例2获得的结果，改变导槽的形状以求缓和毛刺。具体地，相对于盘基片的外周缘接触导槽的状态做出改变。

图14说明用于缓和毛刺的螺旋轴的导槽形状的第一变形(实际例1)。导槽3b₁的基底面以这样的方式倾斜：凹槽朝着盘基片L的压模侧(外周缘A)逐渐变深。因此，在盘基片L的外周缘A与导槽3b₁的基底面之间提供折叠毛刺可进入的空间，其中由导槽3b₁的侧面折叠毛刺。

发现在试验例1中，在随后的两种情况下，在螺杆输送之前基片边缘面的水平毛刺的最大高度在100μm至130μm的范围内，两种情况即是：在模制状态2下与具有(大毛刺)状态的盘基片L0对应的模制基片(退火之前)的情况，以及在模制状态3下与具有(大毛刺)状态的盘基片L1对应的模制基片(退火之前)的情况。考虑这个结果，折叠毛刺可进入其中的空间的深度优选大于或等于100μm，更优选地大于或等于200μm。也就是说，为了保证折叠毛刺不打开，基底面将以这样的方式被倾斜：即，对应于毛刺高度的基底面的高差D1优选大于或等于100μm，更优选地大于或等于200μm。

当盘基片以具有水平毛刺的压模侧位于盘移动方向的背面的方式被置于导槽时，导槽3b₁的基底面将在相反方向上倾斜以达到与上述相同的效果。

接着，图15说明用于缓和毛刺的螺旋轴的导槽形状的第二变形(实际例2)。导槽3b₂的基底面具有凹下部分，凹槽在凹下部分处接近盘基片L的压模侧(外周缘A)变深。因此，在盘基片L的外周缘A与导槽3b₂的基底面之间提供折叠毛刺可进入的空间，其中由导槽3b₂的侧面折叠毛刺。

在这个例子中，与上述相似，为了保证折叠毛刺不打开，凹下部分的深度D2优选大于或等于100μm，其对应于毛刺高度，更优选地大于或等于200μm。

当盘基片以具有水平毛刺的压模侧位于盘移动方向的背面的方式被置于导槽时，导槽3b₂的基底面中的凹下部分相对于盘移动方向位于相对侧。

在螺旋轴的导槽3b的一个侧壁，即支撑盘基片L的压模侧的外周(外周缘A)的侧壁与盘基片L(垂直于螺旋轴的轴向的侧面)之间的角度θ1优选小于在另一侧壁与盘基片L之间的角θ2(第三变形)。

图16(a)说明这些角度(实际例3)。在导槽3b₃中，在移动方向前面上的侧壁接收盘基片L的压模侧的外周缘A，以缓和毛刺。为了更进一步保证适当地向后折叠毛刺，朝向竖直位置倾斜导槽3b₃的这个侧壁。具体地，θ1最好为5°至25°，θ2最好为25°至45°，并且(θ2-θ1)最好为15°至25°。此外，为防止水平毛刺被打开，与参照图14描述相似，通过以导槽朝向盘基片L的压模侧(外周缘A)逐渐变深的方式倾斜导槽3b₃的基底面，使得导槽3b₃具有折叠毛刺可进入其中的空间。此外，导槽3b₃的基底面处的基片接收部分的水平宽度(槽宽)为650μm，同时盘基片L的厚度为600μm。这种构造防止在退火处理或者模制工序之后应力立刻被施加到高温盘基片，从而防止盘基片的侧面偏斜或者防止双折射性能降低。在图16中，(b)是图14中所示的导槽3b₁的详图。

在图16的(a)中所示的使用盘基片输送机构的盘基片热处理设备中，盘基片以85°的热处理温度在15分钟的热处理时间内被输送。在输送之前和之后测量盘基片的毛刺高度。在这个例子中，对每个样本序号1和2测量四次，并且结果被显示在表5中。在表5中，(a)表示在输送盘基片之前的测量结果，(b)表示在输送盘基片之后的测量结果。

(表5)

(a)在退火之前的螺旋输送

	毛刺高度(μm)
					样本	①	②	③	④
序号1	25	38	21	15
					序号2	11	34	10	10

(b)在退火之后的螺旋输送

	毛刺高度(μm)
					样本	①	②	③	④
序号1	2	4	4	1
					序号2	2	6	3	0

发现在盘基片利用盘基片输送机构通过盘基片热处理设备之后，降低了在外周上的毛刺的高度，这意味着缓和了竖立毛刺。具体地，以点接触方式，由导槽的在盘移动方向的前侧上的侧壁接收(夹住)盘基片的外周缘上的水平毛刺。因此，阻止毛刺朝向压模侧被折叠，可以说该构造有效阻止毛刺竖立在压模侧上。

接着，如盘基片L0、L1的这些盘基片被粘合在一起，并且检查在外周产生的气泡尺寸。结果，发现50个盘基片中零个具有气泡(没有产生气泡)。因此，发现与在表1中的模制状态1的情况同样，可以可靠地在粘合在一起的盘基片中防止气泡。

<试验例4>

根据在试验例2中获得的结果，在试图缓和毛刺方面，改变导槽的形状以变更盘基片的外周缘和导槽之间的接触状态。

图17说明用于缓和毛刺的螺旋轴的导槽形状的第四变形(实际例4)。导槽3b₄包括在输送方向3b₄₁的前侧上的侧壁(前侧壁3b₄₁)、在输送方向3b₄₃的后侧上的侧壁(后侧壁3b₄₃)以及倾斜的基底面3b₄₂(相对于螺旋轴的轴向角度：α)。以这样的方式提供倾斜的基底面3b₄₂：导槽3b₄从前向后逐渐变深(向盘基片L的压模侧(外周缘A)变浅)。于是，在盘基片L的外周缘与导槽3b₄的基底面之间提供折叠毛刺可进入的空间，其中由在导槽3b₄的前侧壁3b₄₁和倾斜基底面3b₄₂之间的拐角折叠毛刺。

发现在试验例1中，在随后的两种情况下，在螺杆输送之前基片边缘面的水平毛刺的最大高度在100μm至130μm的范围内，两种情况是：在模制状态2下与具有(大毛刺)状态的盘基片L0对应的模制基片(退火之前)的情况，以及在模制状态3下与具有(大毛刺)状态的盘基片L1对应的模制基片(退火之前)的情况。考虑这个结果，折叠毛刺可进入的空间的长度落在100μm至130μm的范围内。在导槽3b₄的倾斜基底面3b₄₂和盘基片L的外周缘之间的拐角的角度(倾斜角)α为5°至65°，更优选地为10°至28°。于是，毛刺被导槽3b₄的前侧壁3b₄₁和倾斜基底面3b₄₂之间的拐角以锐角折叠，使其与盘基片L的外周缘表面紧密接触。

当盘基片以具有水平毛刺的压模侧位于盘移动方向的背面的方式被置于导槽时，导槽3b₄的基底面将在相反方向上倾斜以达到如上所述的相同的效果。

在螺旋轴的导槽3b的一个侧壁，即前侧壁与盘基片L之间的角度θ1最好小于后侧壁和盘基片L之间的角度θ2。具体地，θ1最好为5°至25°，θ2最好为25°至45°，(θ2-θ1)最好为15°至25°。

图18(a)说明这些角度(实际例5)。在导槽3b₅中，在输送方向(移动方向)前侧上的侧壁3b₅₁(前侧壁)与倾斜基底面3b₅₂之间的拐角接收盘基片L的压模侧的外周缘A，以缓和毛刺。为了更进一步保证毛刺被适当地向后折叠，导槽3b₅的前侧壁3b₅₁朝向竖直位置倾斜。此外，为防止水平毛刺被打开，与参照图17描述相似，通过以导槽朝向盘基片L的压模侧(外周缘A)逐渐地变浅的方式倾斜导槽3b₅的基底面3b₅₂,使得导槽3b₅具有折叠毛刺可进入的空间。此外，导槽3b₅的基底面3b₅₂处的基片接收部分的水平宽度(槽宽)为650μm，而盘基片L的厚度为600μm。这种构造防止在退火处理或者模制工序之后应力立刻被施加到高温盘基片，由此防止盘基片的侧面偏斜或者防止二次折射性能降低。在图18中，(b)是图17所示的导槽3b₄的详图(实际例4)，(c)是图14所示的导槽3b₁的详图(实际例1)。

在使用包括图18的(b)所示的导槽3b₄的盘基片输送机构的盘基片热处理设备中，以85°的热处理温度在15分钟的热处理时间输送盘基片。在输送之前和之后测量盘基片的毛刺高度。在这些条件下执行对实际例4的检查，对三个样品盘基片进行测量。实际例1的状态1的盘基片输送机构被用作在传统状态下的比较例。具有导槽3b₁的盘基片输送机构被用作实际例1。对比较例和实际例1执行与实际例4相同的试验。

以与试验例1相同的状态测量在基片上的毛刺高度。对三个盘基片L1，在与四个角度(0、90、180和270度)对应的位置，在退火之前和在退火之后(在通过盘基片热处理设备的螺杆之后)测量毛刺的最大高度。

表6显示了在盘基片输送之前和之后模具毛刺的测量结果。

(表6)

L1基片状态	基片上的毛刺高度(盘基片L1)
			退火之前	退火之后(经过螺杆之后)
	最大	最大
			比较例	31～39μm	40～51μm
实际例4	31～39μm	0～1μm
			实际例1	31～39μm	13～14μm

发现在实际例1和4中，在盘基片利用盘基片输送机构通过盘基片热处理设备之后，降低了在外周上的毛刺的高度，这意味着缓和了竖立毛刺。具体地，以点接触的方式，由导槽的前侧壁(在盘移动方向的前侧壁)或者在导槽的前侧壁(在盘移动方向上的前侧壁)和倾斜基底面之间的拐角接纳(夹住)盘基片的外周缘上的水平毛刺。因此，阻止向压模侧折叠毛刺。可以说这些构造有效防止毛刺竖立在压模侧。实际例4比实际例1更有效地缓和毛刺。

接着，在实际例4中获得的用作盘基片L1的盘基片与通过利用比较例子的传统螺杆处理的盘基片L0在相同的条件下被粘合在一起，从而制造光盘(实际例5)，并且检查在外周产生的气泡的程度。以同样方式使用盘基片L1和在相对例中获得的盘基片来制造光盘，其被检查作为比较例。检查的盘的数目‘n′是260个盘。可发现260个光盘中零个具有气泡(没有产生气泡)。因此，发现可与在表1中的模制状态1的情况同样可靠地防止在粘合在一起的盘基片中的气泡。

接着，如表6中所示，在实际例4的情况下，毛刺高度在退火之前为31μm至39μm，但是毛刺高度在退火之后变成0μm至1μm，其意味着毛刺基本被除去。因此，为了测试这个结构来观察防止毛刺能力极限的目的，检查在退火之前和之后毛刺高度之间的关系。在图19中表示了结果。在这个检查中，在退火之前的最大毛刺高度为47μm；然而，发现如果毛刺高度在退火之前凡是小于47μm，毛刺高度将基本变成0μm。虽然存在不规则，在退火之后毛刺高度在0μm至8μm的范围内。因此，确认了该构造高效地缓和毛刺。

在上述实施例中，通过将双层基片粘合在一起，制造配置为在一侧接收光的光盘。然而，本发明不限于此。本发明类似地适用于将单层盘或者需要高精确分层步骤的其他类型的盘粘合在一起。此外，本发明的实施例不仅仅适用于盘基片热处理设备的盘基片输送机构(在退火步骤中的螺杆输送)；本发明的实施例还适用于从具有温度高达120℃的高温冲模取出盘基片之后立刻将盘基片接收到盘基片冷却装置中的情况。具体地，由于冲模的型腔环引起了水平毛刺。当取出盘基片时通过弹簧升起型腔环。在水平毛刺竖立在盘基片上之后，根据本发明实施例的盘基片输送机构能够缓和在压模表面上竖立的毛刺。

根据本发明的一个实施例，盘基片输送机构包括多个螺旋轴，每个螺旋轴包括以螺旋方式提供的导槽，导槽被配置来支撑用冲模模制的盘基片的外周缘，其中螺旋轴被轴向地旋转以在输送方向输送盘基片；每个导槽包括在输送方向上位于导槽前面的前侧壁、在输送方向上位于导槽后面的后侧壁以及以在输送方向上导槽从后向前逐渐变深的方式倾斜的基底面。

因此，当盘基片以压模侧在输送方向的前面的方式被输送时，以点接触的方式，由螺旋轴的导槽的前侧壁，接纳围绕具有水平毛刺的盘基片的压模侧外周的外周缘A。因此，在外周缘A和导槽的基底面之间提供间隔。随着盘基片被输送(随着螺旋轴旋转)，朝向与压模侧相对的方向(在外周缘表面上)折叠水平毛刺。因此，在盘基片被粘合在一起时，减少了在压模侧上的毛刺高度。

根据本发明的一个实施例，盘基片输送机构包括多个螺旋轴，每个螺旋轴包括以螺旋方式提供的导槽，导槽被配置来支撑用冲模模制的盘基片的外周缘，其中螺旋轴被轴向地旋转以在输送方向上输送盘基片；每个导槽包括在输送方向上位于导槽前面的前侧壁、在输送方向上位于导槽后面的后侧壁以及在输送方向上基底面的前沿包括凹下部分的基底面。

因此，当盘基片在压模侧在输送方向上的前面而被输送时，以点接触的方式，由螺旋轴的导槽的前侧壁(凹下部分的顶部边缘)，接收围绕具有水平毛刺的盘基片的压模侧外周的外周缘A。因此，与上述类似，在盘基片被粘合在一起时，减少了在压模侧上的毛刺高度。

根据本发明的一个实施例，盘基片输送机构包括多个螺旋轴，每个螺旋轴包括以螺旋方式提供的导槽，导槽被配置来支撑用冲模模制的盘基片的外周缘，其中螺旋轴被轴向地旋转以在输送方向上输送盘基片；每个导槽包括在输送方向上位于导槽前面的前侧壁、在输送方向上位于导槽后面的后侧壁以及以导槽在输送方向上从前向后逐渐变深的方式倾斜的基底面。

因此，当盘基片以压模侧在输送方向上的前面的方式被输送时，由在螺旋轴的导槽的前侧壁和基底面之间的拐角，接收围绕具有水平毛刺的盘基片的压模侧外周的外周缘A。因此，与上述类似，在盘基片被粘合在一起时，减少了在压模侧上的毛刺高度。

另外，在盘基片输送机构中，基底面的高度差为100μm或更大。

另外，在盘基片输送机构中，凹下部分的深度为100μm或更大。

另外，在盘基片输送机构中，相对于螺旋轴的轴向以在5度至65度范围内的角度倾斜导槽的基底面。

因此，可提供毛刺可进入的足够空间，以这样的方式在外周缘表面上折叠毛刺。因此，可以接收已经被折叠在外周缘表面上的水平毛刺，而不会使毛刺再次被打开，以便在盘基片被粘合在一起时，可靠地减少了在压模侧上的毛刺高度。

另外，在盘基片输送机构中，在前侧壁与关于螺旋轴的轴向正交的平面之间的角度小于在后侧壁与关于螺旋轴的轴向正交的平面之间的角度。

因此，达到以下效果。通常，在保持有限的基片螺距，不延长螺旋轴的长度的同时，导槽的开口的宽度被设计得尽可能宽，以这样的方式，即，当盘基片被插入其中时不摩擦导槽的斜坡。然而，根据本发明的上述实施例，前侧壁比后侧壁更靠近地向竖直位置倾斜。因此，通过远离竖直位置倾斜后侧壁，而不延长螺旋轴的长度，可以使得导槽的开口足够宽。此外，该构造使得易于朝向与压模侧相对的方向(在外周缘表面上)折叠水平毛刺。因此，在盘基片被粘合在一起时，减少了在压模侧上的毛刺高度。

另外，在盘基片输送机构中，导槽的基底面的宽度大于或等于(盘基片的厚度)+10μm并且小于或等于(盘基片的厚度)+500μm。

因此，达到以下效果。通常，以竖直方式布置的盘基片由安排在盘基片的左侧/右侧/底部的三个螺旋轴支撑而被输送。然而，三个螺旋轴的导槽彼此不平行。因此，当盘基片被这些导槽夹住时，可能发生基片侧面偏斜。尽管如此，很难在几微米(μm)单位内精确调节导槽的平行性。然而，根据本发明的上述实施例，使得导槽基底面的宽度比将被输送的盘基片的厚度大几十μm至几百μm。这种构造防止盘基片被夹住时被施加应力，并且防止基片的侧面偏斜。由于防止当盘基片被夹住时对其施加的应力，防止了基片外周缘的双折射性降低。

另外，盘基片输送机构还包括在盘基片正在被输送时配置来对盘基片进行热处理的加热单元。

随着加热单元执行热处理，基片变软。然而，如上所述，水平毛刺被折叠在基片盘的外周缘表面上。因此，可输送盘基片而不产生竖立毛刺。

根据本发明的一个实施例，在记录介质盘中，由如上所述的盘基片输送机构输送多个盘基片并且多个盘基片彼此层压。

由此，提供一种记录介质盘，其中盘基片彼此层压而在外周缘不产生气泡。

本发明不局限于公开的具体实施例，在不脱离本发明的范围的情况下可做出变化和修改。

本申请基于2006年11月15日申请的日本优先权专利申请No.2006-309516和于2007年7月3日申请的日本优先权专利申请No.2007-175091，在此通过引用结合其全部内容。

Claims

1.一种盘基片输送机构，包括：

多个螺旋轴，每个螺旋轴包括以螺旋方式提供的导槽，导槽被配置来支撑用冲模模制的盘基片的外周缘，其中：

螺旋轴轴向旋转以在输送方向上输送盘基片；并且

每个导槽包括在输送方向上位于导槽前面的前侧壁、在输送方向上位于导槽后面的后侧壁以及以在输送方向上导槽从后向前逐渐变深的方式倾斜的基底面。

2.根据权利要求1所述的盘基片输送机构，其中：

所述基底面具有100μm或更大的高度差。

3.一种盘基片输送机构，包括：

螺旋轴轴向旋转以在输送方向上输送盘基片；并且

每个导槽包括在输送方向上位于导槽前面的前侧壁、在输送方向上位于导槽后面的后侧壁以及基底面，在输送方向上基底面的前沿包括凹下部分。

4.根据权利要求3所述的盘基片输送机构，其中：

所述凹下部分具有100μm或更深的深度。

5.一种盘基片输送机构，包括：

螺旋轴轴向旋转以在输送方向上输送盘基片；并且

每个导槽包括在输送方向上位于导槽前面的前侧壁、在输送方向上位于导槽后面的后侧壁以及以在输送方向上导槽从前向后逐渐变深的方式倾斜的基底面。

6.根据权利要求5所述的盘基片输送机构，其中：

相对于每个螺旋轴的轴向，相应的导槽的基底面以在5度至65度范围内的角度倾斜。

7.根据权利要求1、3和5中任一项所述的盘基片输送机构，其中：

对于每个导槽来说，在前侧壁与相对于螺旋轴的轴向正交的平面之间的角度小于在后侧壁与相对于螺旋轴的轴向正交的平面之间的角度。

8.根据权利要求1、3和5中任一项所述的盘基片输送机构，其中：

每个导槽的基底面的宽度大于或等于盘基片厚度+10μm，并且小于或等于盘基片厚度+500μm。

9.根据权利要求1、3和5中任一项所述的盘基片输送机构，进一步包括：

加热单元，该加热单元构造为当输送盘基片时对盘基片进行热处理。