CN101255597A - 一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法 - Google Patents
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN2007101886005A CN101255597B (zh) | 2007-12-13 | 2007-12-13 | 一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN2007101886005A CN101255597B (zh) | 2007-12-13 | 2007-12-13 | 一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101255597A true CN101255597A (zh) | 2008-09-03 |
CN101255597B CN101255597B (zh) | 2011-07-13 |
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ID=39890683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2007101886005A Expired - Fee Related CN101255597B (zh) | 2007-12-13 | 2007-12-13 | 一种用曲面籽晶进行物理气相输运的晶体生长的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101255597B (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102925967A (zh) * | 2011-08-10 | 2013-02-13 | 李汶军 | 多坩埚物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置 |
CN103205800A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 提高铸造单晶硅铸锭成品率和转换效率的方法 |
CN105040103A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-11-11 | 江苏艾科勒科技有限公司 | 一种优质碳化硅晶体生长装置 |
CN102925967B (zh) * | 2011-08-10 | 2016-12-14 | 李汶军 | 多坩埚物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置 |
CN112979318A (zh) * | 2021-02-03 | 2021-06-18 | 潍坊工商职业学院 | 一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法 |
CN114457425A (zh) * | 2022-04-12 | 2022-05-10 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4494856B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-06-30 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶成長用種結晶とその製造方法及びそれを用いた結晶成長方法 |
-
2007
- 2007-12-13 CN CN2007101886005A patent/CN101255597B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102925967A (zh) * | 2011-08-10 | 2013-02-13 | 李汶军 | 多坩埚物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置 |
CN102925967B (zh) * | 2011-08-10 | 2016-12-14 | 李汶军 | 多坩埚物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置 |
CN103205800A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 提高铸造单晶硅铸锭成品率和转换效率的方法 |
CN103205800B (zh) * | 2012-01-17 | 2016-04-27 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 提高铸造单晶硅铸锭成品率和转换效率的方法 |
CN105040103A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-11-11 | 江苏艾科勒科技有限公司 | 一种优质碳化硅晶体生长装置 |
CN112979318A (zh) * | 2021-02-03 | 2021-06-18 | 潍坊工商职业学院 | 一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法 |
CN112979318B (zh) * | 2021-02-03 | 2022-06-03 | 潍坊工商职业学院 | 一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法 |
CN114457425A (zh) * | 2022-04-12 | 2022-05-10 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置 |
CN114457425B (zh) * | 2022-04-12 | 2022-08-23 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101255597B (zh) | 2011-07-13 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
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C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
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