CN101248760A - 一种延胡索块茎的培植法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种延胡索块茎的培植法，包括以下步骤：1)将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽；2)将带芽的延胡索块茎切割成所需的带芽块茎，经常规消毒后，接种到含有活性炭的MS培养基上进行培养；3)待带芽块茎上的小芽长成小苗时，割取小苗；4)将小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；5)待小苗长成类球形小块茎时，将其接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格；6)待步骤3)所得的带芽块茎重新长出小苗时，割取小苗；并重复依次进行步骤4)和步骤5)。采用本发明的方法能获得大量的延胡索块茎。
Description
技术领域
本发明涉及一种延胡索块茎的培植法。
背景技术
生产上，延胡索品种混杂严重，造成栽培技术体系规范化程度不高；而长期以来一直采用块茎繁育的无性繁殖方法进行繁殖，繁殖系数低，严重阻碍了良种推广。据生产调查，延胡索的田间块茎繁殖系数一般为10倍左右，田间品种混杂程度高达40％，严重影响到优良品种的大规模应用和药材品质的一致性和稳定性。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种延胡索块茎的培植法，采用该方法能获得大量的延胡索块茎。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种延胡索块茎的培植法，包括以下步骤：
1)、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽，直至从延胡索块茎上萌发的芽眼长成0.2～0.4cm高的小芽、或者待全部的芽眼完全萌发；培养条件为：26～28℃暗培养；
2)、将上述带芽的延胡索块茎切割成长×宽×高为0.2cm～0.5cm×0.2cm～0.5cm×0.1cm～0.2cm的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的MS培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度10～30μmol m-2.s-1(即10～30微摩尔/平方米.秒)，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；
3)、待上述带芽块茎上的小芽长成至0.5cm～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗；
4)、将上述小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度10～30μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；
5)、待上述小苗长成至最小处直径为0.2cm～0.5cm的类球形小块茎时，将上述类球形小块茎接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格；生长条件为：16小时光照，光照强度10～30μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行。
6)、待步骤3)所得的带芽块茎重新长出0.5cm～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗；并重复依次进行步骤4)和步骤5)。
作为本发明的延胡索块茎的培植法的改进，步骤2)中的含有活性炭的MS培养基为：MS基本培养基+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。
上述含有活性炭的MS培养基的制作方法具体如下：以MS基本培养基作为基础，分别加入糖、琼脂和活性炭，均匀混合，利用1mol/L的KOH或1mol/L的HCl调节pH为5.5～6.0；每1L的MS基本培养基中加20～30g糖、5～9g琼脂和0.5～2.0g活性炭。
作为本发明的延胡索块茎的培植法的进一步改进，步骤4)中的诱导块茎培养基为：MS基本培养基+0.01～0.5mg/l萘乙酸+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。
上述诱导块茎培养基的制作方法具体如下：以MS基本培养基作为基础，分别加入萘乙酸(NAA)、糖、琼脂和活性炭，均匀混合，利用1mol/L的KOH或1mol/L的HCl调节pH为5.5～6.0；每1L的MS基本培养基加入0.01～0.5mgNAA、20～30g糖、5～9g琼脂和0.5～2.0g活性炭。
作为本发明的延胡索块茎的培植法的进一步改进，步骤5)中的块茎增殖培养基为：1/2MS基本培养基+0.01～0.5mg/l NAA+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。
上述块茎增殖培养基的制作方法具体如下：以1/2MS基本培养基(即溶液中所有物质的含量为MS基本培养基的一半)作为基础，分别加入NAA、糖、琼脂和活性炭，均匀混合，利用1mol/L的KOH或1mol/L的HCl调节pH为5.5～6.0；每1L的1/2MS基本培养基加入0.01～0.5mg NAA、20～30g糖、5～9g琼脂和0.5～2.0g活性炭。
本发明的延胡索块茎的培植法，属于一种诱导延胡索试管块茎的组织培养方法。依照植物组织培养中细胞全能性的原理，可以在短时间内生产大量遗传背景相同、长势一致的优质种苗(种子)，而且依靠实验室可以实现周年的长期提供优质种苗。在本发明的方法中，将健壮的延胡索块茎先进行催芽，有助于打破块茎休眠；这样可以保证诱导获得一定量的无菌苗，从而诱导获得试管块茎。采用本发明的方法，延胡索块茎一周年内的繁殖系数为1000倍以上，且块茎田间移栽成活率达到100％。所以，本发明的延胡索块茎的培植法，是一种不受季节等因素影响，高效、快速提供优质延胡索块茎的方法，可以加速良种推广速度，提高田间品种种植纯度。
具体实施方式
实施例1、一种延胡索块茎的培植法，依次进行以下步骤：
1)、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽，直至从延胡索块茎上萌发的至少1个的芽眼长成0.3cm高的小芽，培养条件为：26～28℃暗培养。
2)、将上述带芽的延胡索块茎切割成长×宽×高为0.2cm×0.5cm×0.1cm的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的MS培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度10μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行。
该种含有活性炭的MS培养基为MS+2％糖+0.8％琼脂+0.1％活性炭，pH为5.5～6.0。
3)、待上述带芽块茎上的小芽长成至0.5cm～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗。
4)、将上述小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度20μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行。
该种诱导培养基为：MS+0.2mg/l NAA+2％糖+0.9％琼脂+0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。
5)、待上述小苗长成至最小处直径为0.2cm～0.5cm的类球形小块茎时，将上述类球形小块茎接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格；生长条件为：16小时光照，光照强度30μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；
该种增殖培养基为：1/2MS(MS的量全减半)+0.01mg/l NAA+3％糖+0.6％琼脂+0.05％活性炭，pH为5.5～6.0。
6)、待步骤3)所得的带芽块茎重新长出0.5cm～1.5cm高的小苗，割取上述小苗；并重复依次进行步骤4)和步骤5)。
依照上述方法，可以长期得到大量的试管块茎。
实施例2、一种延胡索块茎的培植法，依次进行以下步骤：
1)、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽，直至全部的芽眼均完全萌发(即长出小芽)；培养条件为：26～28℃暗培养。
2)、将上述带芽的延胡索块茎切割成长×宽×高为0.3cm×0.4cm×0.2cm的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的MS培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度20μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行。
该种含有活性炭的MS培养基为MS+2.5％糖+0.5％琼脂+0.1％活性炭，pH为5.5～6.0。
3)、待上述带芽块茎上的小芽长成至0.5cm～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗。
4)、将上述小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度20μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行。
该种诱导培养基为：MS+0.5mg/l NAA+2％糖+0.7％琼脂+0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。
5)、待上述小苗长成至最小处直径为0.2cm～0.5cm的类球形小块茎时，将上述类球形小块茎接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格；生长条件为：16小时光照，光照强度10μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；
该种增殖培养基为：1/2MS(MS的量全减半)+0.01mg/l NAA+3％糖+0.6％琼脂+0.05％活性炭，pH为5.5～6.0。
6)、待步骤3)所得的带芽块茎重新长出0.5cm～1.5cm高的小苗，割取上述小苗；并重复依次进行步骤4)和步骤5)。
依照上述方法，可以长期得到大量的试管块茎。
最后，还需要注意的是，以上列举的仅是本发明的若干个具体实施例。显然，本发明不限于以上实施例，还可以有许多变形。本领域的普通技术人员能从本发明公开的内容直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本发明的保护范围。
Claims (4)
1、一种延胡索块茎的培植法，其特征是包括以下步骤：
1)、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的延胡索块茎放入生化培养箱进行催芽，直至从延胡索块茎上萌发的芽眼长成0.2～0.4cm高的小芽、或者待全部的芽眼完全萌发；培养条件为：26～28℃暗培养；
2)、将上述带芽的延胡索块茎切割成长×宽×高为0.2cm～0.5cm×0.2cm～0.5cm×0.1cm～0.2cm的带芽块茎；将上述带芽块茎经常规消毒后，接种到含有活性炭的MS培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度10～30μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；
3)、待上述带芽块茎上的小芽长成至0.5cm～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗；
4)、将上述小苗接种到诱导块茎培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度10～30μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；
5)、待上述小苗长成至最小处直径为0.2cm～0.5cm的类球形小块茎时，将上述类球形小块茎接种到块茎增殖培养基使其生长，直至长成所需的规格；生长条件为：16小时光照，光照强度10～30μmol m-2.s-1，温度为26～28℃；8小时暗培养，温度为20～22℃；上述光照和暗培养交替进行；
6)、待步骤3)所得的带芽块茎重新长出0.5cm～1.5cm高的小苗时，割取上述小苗；并重复依次进行步骤4)和步骤5)。
2、根据权利要求1所述的延胡索块茎的培植法，其特征是：步骤2)中的含有活性炭的MS培养基为：MS基本培养基+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。
3、根据权利要求2所述的延胡索块茎的培植法，其特征是：步骤4)中的诱导块茎培养基为：MS基本培养基+0.01～0.5mg/l萘乙酸+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。
4、根据权利要求3所述的延胡索块茎的培植法，其特征是：步骤5)中的块茎增殖培养基为：1/2MS基本培养基+0.01～0.5mg/l NAA+2～3％糖+0.5～0.9％琼脂+0.05～0.2％活性炭，pH为5.5～6.0。
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