CN104221854A - 一种文心兰的培养方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及农业生物技术领域,为解决文心兰生产存在生根困难、繁殖能力弱、生长速度慢、生长周期长、练苗移栽阶段病害重,出瓶成活率低及抗逆性弱等问题,本发明提出了一种文心兰的培养方法:(1)采用MS培养基培养文心兰组培小苗;(2)采用固体PDA培养基培养印度梨形孢真菌;(3)文心兰与印度梨形孢真菌的共培养;(4)文心兰组培苗的出瓶培养。本发明的培养方法降低了文心兰出瓶苗移栽病害率,提高抗逆性。
Description
技术领域
本发明涉及农业生物技术领域,具体地说涉及一种降低文心兰出瓶苗移栽病害及提高抗逆性的方法。
背景技术
文心兰生产存在生根困难、繁殖能力弱、生长速度慢、生长周期长、练苗移栽阶段病害重,出瓶成活率低及抗逆性弱等严重问题。寻求能与兰科花卉共生的有益真菌资源是解决这一问题的有效途径。
印度梨形孢真菌可以定殖于多种作物的根部,其寄主范围广泛,如拟南芥、烟草、大麦、小麦、玉米等。印度梨形孢的菌丝可以定殖于植物根系表面、根系表皮细胞和细胞间隙,形成典型的梨形厚垣孢子, 能在作物根系定殖存活很长时间。
申请号为201210459635.9的中国专利公开了一种提高白及组培苗移栽成活率的方法,该发明所用专用培养基由种子萌发培养基1/2MS+6-BA1.0mg/L+NAA0.75mg/L+椰子汁20%+蔗糖30g/L+琼脂粉8g/L、增殖培养基MS+6-BA1.0mg/L+KT3.0mg/L+蔗糖30g/L+琼脂粉8g/L、生根培养基MS+NAA0.5mg/L+蔗糖20g/L+琼脂粉8g/L组成,按以下步骤进行:A.白及种子无菌萌发;B、增殖培养;C、生根培养和抗逆诱导;D、炼苗移栽。该发明在生根阶段加入SA0.3g/L+CTS2g/L的自制诱抗剂10ml/L,使其在生根培养的同时诱导组培苗的抗逆性,增强苗对外界环境的适应能力,以提高苗的移栽成活率。但是采用抗诱剂诱导的幼苗生根时间长,需要培养2个月,效率低。同时采用抗诱剂诱导的幼苗生根速度慢,两个月后,生根数达2-4 条/ 株,采用抗诱剂诱导的幼苗移栽成活率低,其移栽成活率可达63%。
发明内容
为解决文心兰生产存在生根困难、繁殖能力弱、生长速度慢、生长周期长、练苗移栽阶段病害重,出瓶成活率低及抗逆性弱等问题,本发明提出了一种文心兰的培养方法,本发明的培养方法降低了文心兰出瓶苗移栽病害率,提高抗逆性。
本发明是通过以下技术方案实现的:一种文心兰的培养方法,所述的培养方法为以下步骤:
(1)采用MS培养基培养文心兰组培小苗;
在组培瓶中采用MS培养基组织无菌培养文心兰小苗,待小苗长到3~5cm高,有1~3个根时备用;作为优选,培瓶中的培养条件为:光照培养16小时,20~28摄氏度;黑暗培养8小时,18~23摄氏度。
作为优选,MS培养基由以下组份组成,各组份的重量份为:
MS盐粉末(MS-Salt) :3.46
琼脂 :10
蔗糖 :20
蒸馏水 : 1000
搅拌后用KOH调节pH至5.7~5.8,高温灭菌(高温灭菌的温度为120℃以上)20分钟,即可作为MS培养基使用。
(2)采用固体PDA培养基培养印度梨形孢真菌
将印度梨形抱菌丝块接种于PDA培养基上,然后将培养皿置于培养箱中,培养20天后的印度梨形孢作为接种菌块;作为优选,培养箱中的培养条件为:24h黑暗培养,20~25摄氏度。
作为优选,PDA培养基由以下组份配成,各组份的重量份为:
马铃薯 200 ,
葡萄糖 20,
琼脂 15 ,
水 1000,
搅拌后高温灭菌20分钟,即可作为PDA培养基使用。
(3)文心兰与印度梨形孢真菌的共培养
将步骤(2)培养好的印度梨形孢真菌菌块置于步骤(1)的文心兰组培瓶中,距离文心兰根部0.5~2cm的位置,作为优选,培养条件为:光照培养16小时,20~28摄氏度;黑暗培养8小时,18~23摄氏度。印度梨形孢的在兰科花卉上的开发应用,可以促进文心兰生根,加速兰科植物的生长速度,降低移栽期病害提高成活率及文心兰抗逆性。采用此方法培养的文心兰根的数量比对照高1倍以上,鲜重比对照高50%以上;移栽期,软腐病比为对照降低70%以上,成活率比对照高20%左右。
(4)文心兰组培苗的出瓶培养
共培养15天以后的组培苗可出瓶,放置于温室中生长。一般共培养15天后,印度梨形孢真菌即可成功侵染文心兰,与文心兰根部共生。作为优选,共培养15~30天。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明培养的文心兰降低了文心兰出瓶苗移栽病害率,提高抗逆性。
具体实施方式
实施例1
(1)文心兰“南西”组培小苗的培养。
以文心兰“南西”品系组培小苗为材料,培养基为MS培养基,每瓶苗数量为6棵。苗大小为3-4cm高,根数量为2-3根,根长为1-2cm左右。置于22摄氏度的组培室中,光照培养16小时,黑暗培养8小时,备用。
(2)印度梨形孢真菌的培养
将保存于PDA培养基的印度梨形孢边缘菌丝用直径为5mm的打孔器打孔,将菌丝块接种于含PDA培养基的培养皿中培养,然后将培养皿置于恒温培养箱中,培养条件为:24h黑暗,25摄氏度,培养20天,选取培养皿边缘的新鲜、生长旺盛的菌丝作为印度梨形孢接种菌块。
(3)文心兰“南西”与印度梨形孢真菌的共培养
选取上述培养好的印度梨形孢真菌菌块置于文心兰组培瓶中,距离文心兰根部约1cm的位置,共培养15天。培养条件为白天22摄氏度,光照培养16个小时;晚上18摄氏度,黑暗培养8小时。观察文心兰“南西”的生长情况。
(4)文心兰“南西”组培苗的出瓶培养
一般共培养15天后,印度梨形孢真菌即可成功侵染文心兰,与文心兰根部共生;若延长共培养的时间到30-40天,印度梨形孢真菌对“南西”的生长有促进作用,没有不良反应。共培养后的组培苗可出瓶,放置于温室中生长。
在夏季高温季节,温室湿度通常在80-90%左右,“南西”对照植株软腐病发病率非常高,可达50%以上,而印度梨形孢共培养的文心兰“南西”植株发病率在10%左右,软腐病发病率比对照降低了80%【计算方法:(对照发病率-共培养株发病率)/对照发病率】,印度梨形孢共培养的文心兰“南西”植株的成活率比对照高30%以上。
实施例2
(1)文心兰“柠檬”组培小苗的培养。
以文心兰“柠檬”品系组培小苗为材料,培养基为MS培养基,每瓶苗数量为8棵。苗大小为4-5cm高,根数量为2-3根,根长为1-2cm左右,光照培养16小时,25摄氏度;黑暗培养8小时,20摄氏度,备用。
(2)印度梨形孢真菌的培养
将保存于PDA培养基的印度梨形孢边缘菌丝用直径为5mm的打孔器打孔,将菌丝块接种于含PDA培养基的培养皿中培养,然后将培养皿置于恒温培养箱中,培养条件为:24h黑暗,20摄氏度,培养20天,选取培养皿边缘的新鲜、生长旺盛的菌丝作为印度梨形孢接种菌块。
(3)文心兰“柠檬”与印度梨形孢真菌的共培养
选取上述培养好的印度梨形孢真菌菌块置于文心兰组培瓶中,距离文心兰根部约1.5cm的位置,共培养20天。培养条件为白天22摄氏度,光照培养16个小时;晚上18摄氏度,黑暗培养8小时。观察文心兰“柠檬”的生长情况。
(4)文心兰“柠檬”组培苗的出瓶培养
一般共培养20天后,印度梨形孢真菌即可成功侵染文心兰,与文心兰根部共生;若延长共培养的时间到30-40天,印度梨形孢真菌对“柠檬”的生长有促进作用,没有不良反应。共培养后的组培苗可出瓶,放置于温室中生长。
在夏季高温季节,温室湿度80-90%,“柠檬” 对照植株的软腐病发病率在40%左右,印度梨形孢共培养后的植株发病率在9%左右,软腐病发病率比对照降低77%【计算方法:(对照发病率-共培养株发病率)/对照发病率】。温室移栽3个月后,印度梨形孢共培养的文心兰“柠檬”植株的成活率比对照高28%。
Claims (5)
1. 一种文心兰的培养方法,其特征在于,所述的培养方法为以下步骤:
(1)采用MS培养基培养文心兰组培小苗
在组培瓶中采用组织无菌培养文心兰小苗,待小苗长到3~5cm高,有1~3个根时备用;
(2)采用固体PDA培养基培养印度梨形孢真菌
将印度梨形抱菌丝块接种于PDA培养基上,然后将培养皿置于培养箱中,培养20天后的印度梨形孢作为接种菌块;
(3)文心兰与印度梨形孢真菌的共培养
将步骤(2)培养好的印度梨形孢真菌菌块置于步骤(1)的文心兰组培瓶中,距离文心兰根部0.5~2cm的位置培养;
(4)文心兰组培苗的出瓶培养
共培养15天以后的组培苗可出瓶,放置于温室中生长。
2. 根据权利要求1所述的一种文心兰的培养方法,其特征在于,步骤(1)中组培瓶中培养条件为:光照培养16小时,20~28摄氏度;黑暗培养8小时,18~23摄氏度。
3. 根据权利要求1所述的一种文心兰的培养方法,其特征在于,步骤(2)中培养箱中的培养条件为:24h黑暗培养,20~25摄氏度。
4. 根据权利要求1所述的一种文心兰的培养方法,其特征在于,步骤(3)中培养条件为:光照培养16小时,20~28摄氏度;黑暗培养8小时,18~23摄氏度。
5. 根据权利要求1所述的一种文心兰的培养方法,其特征在于,步骤(4)中共培养15~30天。
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CN107135952A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-09-08 | 福建农林大学 | 一种促进香蕉组培苗生根和壮根的方法 |
CN107881113A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-04-06 | 三明市农业科学研究院 | 一种菌根真菌印度梨形孢的长期保存方法 |
CN109329049A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-15 | 江苏农林职业技术学院 | 一种白芨组培苗菌根化的方法 |
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