CN101211811B - 基材支撑单元以及使用它的基材处理设备和方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 125
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 28
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 22
- 238000005188 flotation Methods 0.000 claims description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 104
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 51
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
在处理中，基材支撑单元向基材供应涡流以使基材旋转并从夹板上漂浮。在使基材旋转并漂浮时进行处理。因此，当基材以无接触方式从夹板漂浮时支撑并旋转该基材。
Description
相关申请的交叉参考
本申请要求2006年12月27日提交的韩国专利申请2006-135283的优先权，在此引入该韩国专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及处理基材的设备和方法。更具体而言，本发明涉及一种基材支撑单元以及使用该基材支撑单元处理基材的设备和方法。
背景技术
通常的基材处理设备用于处理诸如制造半导体集成电路(IC)芯片用的晶片、制造平板显示器用的玻璃基材等基材。在这种基材处理设备中，是在将基材装载在基材支撑单元上时进行处理。一般来说，基材支撑单元在处理中借助机械夹具或静电力或由真空引起的吸附力支撑基材，并且在处理中旋转基材。
基材支撑单元包括在处理中装载晶片的夹板和用于夹住晶片的边缘以防止晶片W从夹板脱落的卡销。
然而，因为通常的基材支撑单元在将晶片装载在夹板上之后在化学保持晶片的同时进行处理，所以晶片上经由固持装置与晶片机械接触的部分被污染或损坏。例如，旋转清洁器、旋转蚀刻器、光致抗蚀剂涂布器和晶片斜角蚀刻器在使晶片旋转的同时进行处理。因为这些设备在使固持装置所固持的晶片旋转的同时进行处理，所以在与固持装置接触的晶片表面出现污染和刮擦。此外，因为这些设备借助马达等机械组件旋转基材，所以机械驱动会产生诸如微粒等污染物。这些污染物污染晶片和装置，从而降低处理产量。当晶片被静电力或真空支撑时，晶片的后表面紧密附着在夹板上。因此，晶片的后表面不能被清洁或蚀刻。
发明内容
本发明示例性实施例涉及一种基材支撑单元。在示例性实施例中，所述基材处理单元可以包括：夹板；涡流供应部件，用于向与所述夹板相对的基材表面供应涡流，以使所述基材从所述夹板上漂浮；以及辅助漂浮装置，用于在处理中辅助基材漂浮，所述辅助漂浮装置包括喷射孔和气体供应管线，所述气体供应管线向所述喷射孔供应气体，所述喷射孔形成在所述夹板中并且向所述基材的底面喷射气体，其中所述涡流供应部件包括内侧面设置有螺纹式凹槽的涡流产生体。
本发明示例性实施例涉及一种处理基材的设备。在示例性实施例中，所述设备可以包括：杯状体，其中限定进行处理的空间；基材支撑单元，包括配置在所述杯状体内部的夹板和涡流供应部件，所述涡流供应部件用于向与所述夹板相对的基材表面供应涡流，以使所述基材从所述夹板上漂浮；处理流体供应部件，用于在处理中向与所述夹板相对的基材供应处理流体，以及辅助漂浮装置，用于在处理中辅助基材漂浮，所述辅助漂浮装置包括喷射孔和气体供应管线，所述气体供应管线向所述喷射孔供应气体，所述喷射孔形成在所述夹板中并且向所述基材的底面喷射气体，其中所述涡流供应部件的内侧面设置有螺纹式凹槽。
本发明示例性实施例涉及一种使用上述设备处理基材的方法。在示例性实施例中，所述方法可以包括：在支撑基材时进行基材处理，通过向所述基材底面供应涡流以使所述基材漂浮来进行所述基材的支撑；以及在处理中所述辅助漂浮装置向所述基材喷射气体，以帮助利用涡流进行的基材漂浮，其中所述涡流供应部件包括内侧面设置有螺纹式凹槽的涡流产生体。
附图说明
图1为本发明实施例的基材处理设备的立体图。
图2为图1所示的基材处理设备的内部构造图。
图3为本发明另一实施例的基材处理设备的内部构造图。
图4为图2所示的基材支撑单元的剖视图。
图5为图4所示的基材支撑单元的剖视图。
图6为沿着图4的线A-A′的剖视图，示出了涡流产生部件的例子。
图7-图11分别为示出涡流产生器的其他例子的剖视图。
图12和图13为图4所示的基材支撑单元的另一例子的剖视图。
图14和图15示出图4所示的基材支撑单元的另一例子。
图16示出基材支撑单元的另一例子。
图17为示出本发明的基材处理方法的剖视图。
图18为沿着图17的线C-C′的剖视图。
图19和图20示出由本发明的涡流供应部件供应的涡流的流动。
图21示出本发明的涡流产生体内部的涡流的产生。
具体实施方式
下面参考显示本发明优选实施例的附图，将更完整地描述本发明。然而，可以以许多不同的形式体现本发明，并且不应当认为本发明限制于在此描述的实施例。相反，提供这些实施例将使本发明内容清楚、完整，并向本领域技术人员充分表达本发明的范围。虽然结合为进行半导体晶片的湿法蚀刻而配置的半导体制造设备描述本发明的实施例，但是本发明可以应用于所有的基材处理设备。
图1为本发明实施例的基材处理设备的立体图，图2为图1所示的基材处理设备的内部构造图。
参照图1和图2，基材处理设备1包括工序处理部件10和处理流体供应部件20。工序处理部件10配置成借助单晶片工序来处理基材(以下称为“晶片”)。例如，基材的处理工序可以是在晶片表面涂布光致抗蚀剂的涂布处理，去除晶片表面上的不希望异物的蚀刻和清洁处理，或者蚀刻晶片边缘部分的斜角蚀刻处理。
处理流体供应部件20配置成供应处理中使用的处理流体。处理流体可以是各种化学品、有机溶剂或处理气体。例如，处理流体可以是光致抗蚀剂、蚀刻剂(或剥离剂)、诸如清洁液体等处理溶液、惰性气体或者诸如干燥气体等处理气体。
工序处理部件10包括杯状体12和基材支撑单元100。杯状体12限定了将要进行晶片处理工序的空间。杯状体12显示出顶部敞开的圆柱体形状。杯状体12的敞开顶部用作把晶片W放入该空间或者从该空间取出的入口。在处理中，基材支撑单元100配置成支撑杯状体12内部的晶片W并使其旋转。排放管线12a与杯状体12的底部连接。在处理中使用的处理溶液顺着排放管线12a排出。
处理流体供应部件20包括喷嘴22和喷嘴转送部件24。在处理中， 喷嘴22配置成向晶片W喷射处理流体。喷嘴转送部件24配置成在处理位置“a”与等待位置“b”之间转送喷嘴22。处理位置“a”为喷嘴22向晶片W的处理表面喷射处理流体的位置，等待位置“b”为喷嘴22移动至处理位置“a”之前在杯状体12外面等待的位置。喷嘴转送部件24包括第一臂24a、第二臂24b和驱动器24c。第一臂24a和第二臂24b均呈条状。第一臂24a水平地安装在杯状体12上，第二臂24b垂直地安装在杯状体12侧部。喷嘴22与第一臂24a的一端连接，第二臂24b与其另一端轴向连接。驱动器24c允许第一臂24a和第二臂24b有机地(organically)运行，从而使喷嘴22在处理位置“a”与等待位置“b”之间移动。
虽然本实施例的特征在于，基材处理设备1包括杯状体12和一个处理流体供应部件20，但是设备1的构造和结构可以修改、变化成各种不同形式。例如，图3示出了本发明另一实施例的基材处理设备1′。设备1′包括工序处理部件10和多个处理流体供应部件20a和20b，其中该工序处理部件还包括回收部件14。回收部件14配置成回收处理中使用的处理溶液。回收部件14包括第一回收容器14a和第二回收容器14b，这些容器环形地排列成包围杯状体12内的基材支撑单元100。在第一回收容器14a中限定了空间S1，在第二回收容器14b中限定了空间S2。在空间S1中容纳有第一处理溶液，在空间S2中容纳有第二处理溶液。第一回收容器14a形成有开口14a′，第二回收容器14b形成有开口14b′。在处理中使用的第一处理溶液经开口14a′流入第一容器14a，在处理中使用的第二处理溶液经开口14b′流入第二容器14b。每个开口14b′和开口14a′彼此上下布置。第一回收管线14a″连接在第一回收容器14a上，第二回收管线14b″连接在第二回收容器14b上。沿着第一回收管线14a″回收空间S1中容纳的第一处理溶液，沿着第二回收管线14b″回收空间S2中容纳的第二处理溶液。每个处理流体供应部件20a和20b都具有与上述处理流体供应部件20相同的构造。处理流体供应部件20a配置成喷射第一处理溶液，处理流体供应部件20b配置成喷射第二处理溶液。例如，第一处理溶液为用于去除残留在晶片W表面上的异物的清洁溶液，第二处理溶液为用于去除残留在晶片W表面上的清洁溶液的漂洗溶液。
前述设备1′配置成独立回收处理中使用的第一处理溶液和第二处理溶液。也就是说，由于晶片W的离心力，处理流体供应部件20a所喷射的第一处理溶液从晶片W散开，并且将被容纳在第一回收容器14a的空间S1中。通过相同的方式，处理流体供应部件20b所喷射的第二处理溶液将被容纳在第二回收容器14b的空间S2中。根据处理过程，基材支撑单元100移动到与开口14a′或14b′相对应的位置，以将处理中使用的第一和第二处理溶液回收到空间S1或S2。因此，独立地回收处理中使用的第一和第二处理溶液。
下面将详细描述基材支撑单元100的构造。图4为图2所示的基材支撑单元的剖视图，图5为图4所示的基材支撑单元的剖视图。图6为沿着图4的线A-A′的剖视图，示出了涡流产生部件的例子。
参照图4-图6，基材支撑单元100包括夹板110、基座120、驱动部件130和涡流供应部件。夹板110大致呈圆盘形状。夹板110具有在处理中与晶片W相对的顶面112。夹板110的中心形成有开口114。开口114为在处理中喷射涡流的孔。
基座120与夹板110底部连接以支撑夹板110，并且该基座呈直径大于夹板110的圆盘形状。因为基座120从中心到边缘向下倾斜，所以在处理中落在基座120上的处理溶液沿着基座120边缘形成的斜面向下流动。基座120设置有多个侧导引销124，以防止晶片W从夹板110上横向脱离。侧导引销124的内侧面是圆形的，相应于晶片W的侧面，并且即使在晶片W与内侧面124a接触时，该侧导引销也可抑制晶片W侧面上的刮擦。侧导引销124配置成比晶片W的直径更宽，使得这些侧导引销在处理中不与晶片W的侧面接触。因此，晶片W在处理中不与侧导引销124接触，并且在晶片W从夹板110的预设处理位置脱离的情况下晶片W的运动被限制。支撑轴126与基座120的中心底部连接以支撑基座120。支撑轴126配置成穿过杯状体12底面的中心。
驱动部件130配置成使夹板110和基座120上升或下降。驱动部件130与基座120的支撑轴126连接。驱动部件130使支撑轴126上升或下降以调节夹板110所支撑的晶片W的高度。也就是说，当装载和卸载晶片W时，驱动部件130使夹板110上升，以通过杯状体12的敞开顶部 将夹板110的顶面暴露于外部，并且当清洁晶片W时，该驱动部件使升高的夹板110下降到杯状体12中。
该涡流供应部件配置成在处理中向面对夹板110的晶片侧供应涡流。该涡流供应部件包括气体供应部件140和涡流产生体150。气体供应部件140包括气体供应源142和气体供应管线。该气体供应管线包括主供应管线144、歧管146和多条喷射管线148。喷射管线148包括第一喷射管线148a和第二喷射管线148b。主供应管线144配置成从气体供应源142向歧管146供应气体。主供应管线144安装有流动控制部件144a，以控制经由主供应管线144供应的气体的流速。流动控制部件144a可以是质量流量计控制器(MFC)。歧管146配置成向各个喷射管线148a和148b均匀分配供应的气体。喷射管线148配置成向涡流产生体150供应由歧管146分配的气体。喷射管线148的一端连接在歧管146上，其另一端连接在涡流产生体150上。在示例性实施例中，各个喷射管线148a和148b的另一端连接在涡流产生体150的侧底面上。在外壳152周围，沿着外壳152的侧面以规则的角度配置各个喷射管线148a和148b。喷射管线148配置成向涡流产生体150的进气孔152b供应气体。进气孔152b将在后面描述。
涡流产生体150接收来自喷射管线148的气体并产生涡流。涡流产生体150包括配置在夹板110底部中心的桶形外壳152。外壳152具有与夹板110的开口114连接的敞开顶部。外壳150内部限定了圆柱形空间。外壳150形成有进气孔152b。沿着喷射管线148a和148b供应的气体经过进气孔152b流入外壳150。进气孔152b允许沿着喷射管线148供应的气体沿着外壳150的内侧面152a的切线方向流动。多个进气孔152b以规则间隔设置在外壳152周围。进气孔152b允许在水平方向上供应气体。进气孔152b设置有用于使进气孔152b与喷射管线148连接的连接装置154。连接装置154可以为接头或连接器。在处理中，上述涡流产生体150接收来自气体供应部件140的气体并产生涡流。向基材W的底面喷射所产生的涡流，使基材W从夹板110的顶面112上漂浮。漂浮的基材W因涡流而旋转。
如图7B所示，虽然本实施例的特征在于，涡流产生体150设置有进 气孔152b以允许气体沿着涡流产生体150的内侧面的切线方向流动，但是喷射管线148a和148b可以直接延伸至涡流产生体150的内侧面以沿着涡流产生体150的内侧面的切线方向喷射气体。
虽然图6示出了接收来自两个喷射管线148a和148b的气体并产生涡流的涡流产生部件，但是可以设置一个喷射管线或至少三个喷射管线以向涡流产生部件供应气体。例如，图8所示的涡流供应部件接收来自三个喷射管线148a、148b和148c的气体并产生涡流。可选择的是，图9所示的涡流供应部件接收四个喷射管线148a、148b、148c和148d并产生涡流。
此外，虽然本实施例的特征在于，喷射管线148和进气孔152b设置成在水平方向上向外壳152供应气体，但是气体的供应角度可以改变。例如，图10所示的涡流供应部件150c装配有用于允许气体朝涡流产生体150内部向上供应的喷射管线148和进气孔152b。如果供应至外壳152的气体的上升气流比图2所示的涡流产生体150中的上升气流更大，则涡流产生部件150c配置成产生涡流。
此外，虽然本实施例的特征在于，涡流产生体150具有圆柱形内侧面152a，但是外壳150的内侧面152a可以具有各种变化和修改形式。另外，如图11所示，本发明另一实施例的涡流产生体150的内侧面可以设置有螺纹式凹槽152a′。
此外，虽然本实施例的特征在于，夹板110的中心配置有一个涡流产生体150，但是涡流产生体150的位置和数量可以变化。例如，图12和图13所示的基材支撑单元100a可以包括四个以规则间隔设置在夹板110周围的涡流产生体150。
此外，虽然本实施例的特征在于，仅通过一个涡流产生部件供应的涡流使晶片W漂浮，但是基材支撑单元可以进一步设置有使晶片W漂浮的辅助装置。例如，基材支撑单元100b可以设置有辅助漂浮装置160，以在处理中向晶片W的底面喷射气体。辅助漂浮装置160包括：形成在夹板110上的喷射孔162和气体沿其供应至喷射孔162的气体供应管线164。喷射孔162配置成包围夹板110的开口114。喷射孔162的形状和 尺寸可以变化。气体供应管线164配置成向各个喷射孔162供应气体。向晶片W的底面喷射沿着气体供应管线164供应的气体以使晶片W漂浮。因此，基材支撑单元100b可以利用涡流供应部件和气体喷射部件160使晶片W漂浮。结果，晶片W可以更有效地漂浮。
此外，虽然本实施例的特征在于，仅利用涡流产生部件供应的涡流使晶片W旋转，但是基材支撑单元可以设置有利用涡流使晶片W旋转的辅助装置。例如，图16所示的基材支撑单元还包括辅助旋转装置170。辅助旋转装置170包括旋转体172和卡销174。旋转体172制造成大致呈环形形状并且围绕基座120′安装。旋转轴172a设置在旋转体172的中心，并且该旋转轴安装在基座120′的支撑轴126上，以便可以从支撑轴126的外面旋转。旋转轴172a与支撑轴126之间设置有轴承176。旋转体172借助旋转马达(图中未示)旋转。旋转体172的边缘安装有卡销174，以在处理中卡住支撑在夹板110上的晶片W的部分边缘。
在处理中，辅助旋转装置170利用旋转马达使晶片W机械地旋转。因此，基材支撑单元100c可以利用涡流供应部件和辅助旋转装置170使晶片W旋转。结果，晶片W可以更加有效地旋转。特别的是，在处理中，上述基材支撑单元100c可以利用涡流供应部件或辅助旋转装置170选择性地使晶片W旋转。也就是说，在要求晶片W低速旋转的处理中，通过供应涡流使晶片W旋转，并且在要求晶片W高速旋转的处理中，利用辅助旋转装置170使晶片W旋转。例如，典型的晶片清洁处理包括化学清洁处理和晶片干燥处理，在化学清洁处理中利用化学品清洁晶片W，在晶片干燥处理中利用干燥气体使清洁的晶片W干燥，这两种处理可以依次进行。晶片W在干燥处理中以高速旋转，在清洁处理中以相对较低速度旋转。因此，晶片W在化学清洁处理中可以利用涡流供应部件旋转，在干燥处理中可以利用辅助旋转装置170旋转。
下面，详细描述本发明的基材处理设备1的工序处理。使用相同的附图标记表示相同的元件，并且将不再详细描述。
图17为示出本发明的基材处理方法的剖视图，图18为沿着图17的线C-C′的剖视图。图19示出由本发明的涡流供应部件供应的涡流的流动，图20为沿着图19的线D-D′的剖视图。图21示出本发明的涡流产生 体内部的涡流的产生。
参照图17和图18，当处理开始时，晶片W被装载在基材支撑单元100的夹板110上。通过形成在夹板110的开口114，涡流供应部件向与夹板110的顶面112相对的晶片表面供应涡流。也就是说，参照图19和图20，机械供应管线140向涡流产生体150供应气体。在这一点上，流动控制部件144a预先控制主供应管线144内部流动的气体，从而以预设流速供应。喷射到涡流产生体150的外壳152中的气体产生涡流，同时沿着外壳152的内侧面152a形成漩涡。所产生的涡流通过夹板110的开口114喷射，以供应至晶片W的中心部分。
向晶片W供应的涡流使晶片W从夹板110的顶面112上漂浮。经过晶片W的底面与夹板110的顶面112之间的空间“c”排放的涡流使漂浮的晶片W支撑在夹板110的上方。也就是说，空间“c”的内部压力因经过空间“c”排放的涡流而上升，从而能够使晶片W通过Bernoulli(柏努利)效应紧密地支撑在夹板上方。在晶片W装载在夹板110上之前，供应涡流以使晶片W漂浮。可选择的是，可以在晶片W装载在夹板110的顶面112之后，供应涡流以使晶片W漂浮。
利用供应的涡流使晶片W以预设的处理旋转速度旋转。也就是说，因为供应至晶片W中心的涡流漩涡式地从空间“c”的中心向边缘移动，所以晶片W旋转。根据从涡流供应部件供应的涡流量来控制晶片W的旋转速度。也就是说，涡流供应部件的流动控制部件144a控制主供应管线144中的气体流速，以将晶片W的旋转速度设置到预设的旋转速度。在利用流动控制部件144a进行的流速控制中，在进行处理之前设置数值，从而以预设流速供应气体。可选择的是，实时感测晶片W的旋转速度以控制主供应管线144中的气体流速，使得晶片W的旋转速度符合预设速度。
如果晶片W以预设处理速度旋转，那么处理流体供应部件20向旋转的晶片W的处理表面供应处理溶液。也就是说，处理流体供应部件20的喷嘴转送部件将喷嘴22从等待位置“b”转送到处理位置“a”。当喷嘴22配置在处理位置“a”时，喷嘴22向晶片W的处理表面供应处理溶液。在供应处理溶液并处理晶片W的表面之后，该处理溶液经过杯状 体12的排放管线12a排放。处理过的晶片W在从基材支撑单元100上卸载之后被取出放到杯状体12外部。
如上文所述，向晶片W供应涡流，以使晶片W在处理中漂浮并旋转。在处理中，在不接触诸如基材支撑单元100的夹板110和侧导引销124等的晶片支撑装置的情况下处理晶片W。因此，使晶片W免于受到由接触晶片W的装置引起的损坏。
另外，晶片W从夹板110上漂浮并旋转，以处理夹板110上的晶片表面。例如，向漂浮的晶片W的底面供应处理气体或处理溶液以处理晶片W。
另外，控制使晶片W漂浮并旋转的涡流的供应量。因此，根据处理条件控制涡流的供应量，以调节晶片W的漂浮程度和晶片W的旋转速度。
另外，不提供用于紧密保持晶片W并使其旋转的部件，从而简化了设备的构造并降低了制造成本。
尽管已经结合附图中所示的本发明实施例描述了本发明，但是本发明不限于此。显然，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，本领域技术人员可以做出各种替换、修改和变化。
Claims (28)
1.一种基材支撑单元，包括：
夹板；
涡流供应部件，用于向与所述夹板相对的基材表面供应涡流，以使所述基材从所述夹板上漂浮；以及
辅助漂浮装置，用于在处理中辅助基材漂浮，
所述辅助漂浮装置包括喷射孔和气体供应管线，所述气体供应管线向所述喷射孔供应气体，所述喷射孔形成在所述夹板中并且向所述基材的底面喷射气体，
其中所述涡流供应部件包括内侧面设置有螺纹式凹槽的涡流产生体。
2.如权利要求1所述的基材支撑单元，其特征在于，所述涡流供应部件包括：
桶形涡流产生体，其具有敞开顶部；以及
气体供应管线，用于向所述涡流产生体中喷射气体，以允许气体沿着所述涡流产生体的内侧面在所述涡流产生体的内部空间中形成漩涡。
3.如权利要求2所述的基材支撑单元，其特征在于，所述涡流产生体的内部空间呈圆柱体形状；并且
所述气体供应管线配置成沿着所述涡流产生体的内侧面的切线方向供应气体。
4.如权利要求2所述的基材支撑单元，其特征在于，所述涡流产生体的内部空间呈圆柱体形状；并且
所述涡流产生体包括进气孔，经过所述进气孔沿着所述涡流产生体的内侧面的切线方向使气体流入。
5.如权利要求4所述的基材支撑单元，其特征在于，所述涡流供应部的气体供应管线包括多条喷射管线，所述喷射管线与所述涡流产生体连接，以在所述涡流产生体内部沿着相同方向旋转。
6.如权利要求2所述的基材支撑单元，还包括：
侧导引销，设置在所述夹板上装载的基材周围，以在处理中防止所述基材从所述夹板脱落。
7.如权利要求2所述的基材支撑单元，其特征在于，所述涡流产生体安装在所述夹板的中心。
8.如权利要求2所述的基材支撑单元，还包括：
流动控制部件，其安装在所述气体供应管线上，以控制向所述涡流供应部件的气体供应管线供应的气体的量。
9.如权利要求2所述的基材支撑单元，其特征在于，所述涡流产生体安装在所述夹板的中心；并且
所述喷射孔环形地排列成包围所述涡流产生体的敞开顶部。
10.如权利要求1所述的基材支撑单元，还包括：
辅助旋转装置，用于在处理中辅助基材旋转，所述辅助旋转装置包括：卡销，用于在处理中卡住所述基材的侧面；其上安装所述卡销的旋转体；以及驱动马达，用于使所述旋转体旋转。
11.如权利要求10所述的基材支撑单元，其特征在于，所述旋转体设置成环形形状。
12.一种处理基材的设备，包括：
杯状体，其中限定进行处理的空间；
基材支撑单元，包括配置在所述杯状体内部的夹板和涡流供应部件，所述涡流供应部件用于向与所述夹板相对的基材表面供应涡流，以使所述基材从所述夹板上漂浮；
处理流体供应部件，用于在处理中向与所述夹板相对的基材供应处理流体，以及
辅助漂浮装置，用于在处理中辅助基材漂浮，
所述辅助漂浮装置包括喷射孔和气体供应管线，所述气体供应管线向所述喷射孔供应气体，所述喷射孔形成在所述夹板中并且向所述基材的底面喷射气体，
其中所述涡流供应部件包括内侧面设置有螺纹式凹槽的涡流产生体。
13.如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述涡流供应部件包括：
桶形涡流产生体，其具有敞开顶部；以及
气体供应管线，用于向所述涡流产生体中喷射气体，以允许气体沿着所述涡流产生体的内侧面在所述涡流产生体的内部空间中形成漩涡。
14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述涡流产生体的内部空间呈圆柱体形状；并且
所述气体供应管线配置成沿着所述涡流产生体的内侧面的切线方向供应气体。
15.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述涡流产生体的内部空间呈圆柱体形状；并且
所述涡流产生体包括进气孔，经过所述进气孔沿着所述涡流产生体的内侧面的切线方向使气体流入。
16.如权利要求14所述的设备，其特征在于，所述涡流供应部件的气体供应管线包括多条喷射管线，所述喷射管线与所述涡流产生体连接，以在所述涡流产生体内部沿着相同方向旋转。
17.如权利要求16所述的设备，还包括：
侧导引销，设置在所述夹板上装载的基材周围，以在处理中防止所述基材从所述夹板脱落。
18.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述涡流产生体安装在所述夹板的中心。
19.如权利要求13所述的设备，还包括：
流动控制部件，其安装在所述涡流供应部件的气体供应管线上，以控制向所述气体供应管线供应的气体的量。
20.如权利要求13所述的设备，其特征在于，所述涡流产生体安装在所述夹板的中心；并且
所述喷射孔环形地排列成包围所述涡流产生体的敞开顶部。
21.如权利要求12所述的设备，还包括：
辅助旋转装置，用于在处理中辅助基材旋转，所述辅助旋转装置包括：卡销，用于在处理中卡住所述基材的侧面；其上安装所述卡销的旋转体；以及驱动马达，用于使所述旋转体旋转。
22.如权利要求21所述的设备，其特征在于，所述旋转体设置成环形形状。
23.一种使用权利要求12所述的处理基材的设备来处理基材的方法，包括：
在支撑基材时进行基材处理，通过向所述基材底面供应涡流使所述基材漂浮来进行所述基材的支撑；以及
在处理中所述辅助漂浮装置向所述基材喷射气体，以帮助利用涡流进行的基材漂浮，
其中所述涡流供应部件包括内侧面设置有螺纹式凹槽的涡流产生体。
24.如权利要求23所述的方法，还包括：
在利用涡流进行基材旋转时进行基材处理。
25.如权利要求24所述的方法，其特征在于，向所述基材的中心喷射涡流。
26.如权利要求23所述的方法，其特征在于，向所述基材的中心喷射涡流；以及
在围绕喷射涡流部分的位置进行气体喷射。
27.如权利要求23所述的方法，其特征在于，在销的帮助下利用涡流使基材旋转，所述销与基材侧面接触以使基材旋转。
28.如权利要求24所述的方法，其特征在于，所述基材旋转包括：
当基材的处理旋转速度低于参考速度时，供应涡流使基材旋转；以及
当基材的处理旋转速度高于所述参考速度时，利用旋转马达使基材机械地旋转。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2006-0135283 | 2006-12-27 | ||
| KR1020060135283 | 2006-12-27 | ||
| KR1020060135283A KR100885180B1 (ko) | 2006-12-27 | 2006-12-27 | 기판 지지유닛, 그리고 상기 기판 지지유닛을 구비하는기판처리장치 및 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101211811A CN101211811A (zh) | 2008-07-02 |
| CN101211811B true CN101211811B (zh) | 2011-05-11 |
Family
ID=39611711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007101990780A Active CN101211811B (zh) | 2006-12-27 | 2007-12-12 | 基材支撑单元以及使用它的基材处理设备和方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080223412A1 (zh) |
| JP (1) | JP2008166792A (zh) |
| KR (1) | KR100885180B1 (zh) |
| CN (1) | CN101211811B (zh) |
| TW (1) | TWI378528B (zh) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5096849B2 (ja) * | 2007-09-13 | 2012-12-12 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN102308381B (zh) | 2009-02-11 | 2014-08-13 | 应用材料公司 | 非接触性基板处理 |
| WO2011155986A1 (en) * | 2010-06-08 | 2011-12-15 | Axcelis Technologies Inc. | Heated electrostatic chuck including mechanical clamp capability at high temperature |
| CN102062524B (zh) * | 2010-11-22 | 2012-11-21 | 烟台睿创微纳技术有限公司 | 一种用于mems器件圆片的自动干燥设备 |
| KR101165360B1 (ko) * | 2010-11-26 | 2012-07-12 | 주식회사 프로텍 | 다이 본더용 접착제 스탬핑 장치 |
| TWI500482B (zh) * | 2011-03-24 | 2015-09-21 | Nat Univ Tsing Hua | 利用離心資源之真空裝置 |
| CN103286086A (zh) * | 2012-03-05 | 2013-09-11 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 圆片清洗方法与圆片清洗装置 |
| US9589818B2 (en) * | 2012-12-20 | 2017-03-07 | Lam Research Ag | Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and liquid control ring for use in same |
| KR20160093674A (ko) * | 2013-12-03 | 2016-08-08 | 가부시키가이샤 하모테크 | 유지 장치, 유지 시스템, 제어 방법 및 반송 장치 |
| TWI556874B (zh) * | 2014-02-26 | 2016-11-11 | 辛耘企業股份有限公司 | 中空緩衝驅動裝置 |
| TWI599406B (zh) * | 2014-02-26 | 2017-09-21 | 辛耘企業股份有限公司 | 中空緩衝驅動裝置 |
| JP6116629B2 (ja) * | 2015-08-11 | 2017-04-19 | 株式会社ハーモテック | 吸引装置 |
| TWI757810B (zh) * | 2020-07-31 | 2022-03-11 | 大陸商蘇州雨竹機電有限公司 | 氣相沉積晶圓承載裝置 |
| JP2022039487A (ja) * | 2020-08-28 | 2022-03-10 | 株式会社荏原製作所 | ワークピース支持装置およびワークピース支持方法 |
| JP7179391B1 (ja) | 2022-07-07 | 2022-11-29 | 日本Ｗｓｔ合同会社 | 半導体処理装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58106543A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | スピンナ−塗布装置 |
| US5226383A (en) * | 1992-03-12 | 1993-07-13 | Bell Communications Research, Inc. | Gas foil rotating substrate holder |
| JP3642848B2 (ja) * | 1995-11-27 | 2005-04-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板回転保持装置および回転式基板処理装置 |
| US7217325B2 (en) * | 1999-01-22 | 2007-05-15 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
| JP3981241B2 (ja) * | 2000-06-09 | 2007-09-26 | 株式会社ハーモテック | 旋回流形成体および非接触搬送装置 |
| US7451774B2 (en) * | 2000-06-26 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
| US6797069B2 (en) * | 2002-04-08 | 2004-09-28 | Cree, Inc. | Gas driven planetary rotation apparatus and methods for forming silicon carbide layers |
| US20040094186A1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-05-20 | Igor Ivanov | Method and apparatus for uniform treatment of objects in liquids |
| JP2006513559A (ja) * | 2002-12-10 | 2006-04-20 | イー・テイ・シー・エピタキシヤル・テクノロジー・センター・エス・アール・エル | サセプタ・システム |
| JP4043444B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2008-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理装置及び塗布処理方法 |
| US7938942B2 (en) * | 2004-03-12 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Single side workpiece processing |
| CN1894779A (zh) * | 2004-11-10 | 2007-01-10 | 三益半导体工业株式会社 | 板片式晶片处理装置 |
| JP2006156692A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Smc Corp | 非接触搬送装置 |
-
2006
- 2006-12-27 KR KR1020060135283A patent/KR100885180B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-12-12 CN CN2007101990780A patent/CN101211811B/zh active Active
- 2007-12-20 US US12/004,504 patent/US20080223412A1/en not_active Abandoned
- 2007-12-26 TW TW096150246A patent/TWI378528B/zh active
- 2007-12-26 JP JP2007334683A patent/JP2008166792A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080223412A1 (en) | 2008-09-18 |
| JP2008166792A (ja) | 2008-07-17 |
| TWI378528B (en) | 2012-12-01 |
| KR20080060788A (ko) | 2008-07-02 |
| TW200847320A (en) | 2008-12-01 |
| CN101211811A (zh) | 2008-07-02 |
| KR100885180B1 (ko) | 2009-02-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |