KR20080060788A - 기판 지지유닛, 그리고 상기 기판 지지유닛을 구비하는기판처리장치 및 방법 - Google Patents

기판 지지유닛, 그리고 상기 기판 지지유닛을 구비하는기판처리장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 지지하는 유닛에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 지지유닛은 공정시 기판으로 선회류를 공급하여 기판을 척 플레이트 상으로부터 부양 및 회전시켜 공정을 진행한다. 따라서, 본 발명은 기판을 비접촉방식으로 척 플레이트로부터 부양시켜 지지하고 공정속도로 회전시킨다.
Figure P1020060135283
반도체, 기판, 웨이퍼, 선회류, 부양, 회전,

Description

기판 지지유닛, 그리고 상기 기판 지지유닛을 구비하는 기판처리장치 및 방법{SUBSTRATE SUPPORT UNIT, AND APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 내부 구성을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구성을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2의 기판 지지유닛의 단면도이다.
도 5는 도 4의 기판 지지유닛의 평면도이다.
도 6은 도 4의 A-A'선을 따라 절단한 단면도로 선회류 발생부재의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7 내지 도 11은 각각 선회류 발생부재의 다른 실시예들을 보여주는 도면들이다.
도 12 및 도 13은 도 4의 기판 지지유닛의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 14 및 도 15는 도 4의 기판 지지유닛의 또 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 16은 기판 지지유닛의 또 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 17은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 18은 도 17의 C-C'선을 절단한 모습을 보여주는 도면이다.
도 19 및 도 20은 본 발명에 따른 선회류 공급부재가 선회류를 공급하는 모습을 보여주는 도면들이다.
도 21은 본 발명에 따른 선회류 발생체 내부에서 선회류가 발생되는 모습을 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 기판 처리 장치
10 : 공정처리부
20 : 처리유체 공급부
100 : 기판 지지유닛
110 : 척 플레이트
120 : 베이스
130 : 구동부
140 : 기체 공급부재
150 : 선회류 발생체
160 : 보조부양수단
170 : 보조회전수단
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정시 기판을 지지하는 유닛 및 상기 유닛을 구비하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적인 기판 처리 장치는 반도체 집적회로 칩의 제조를 위한 웨이퍼 및 평판 디스플레이의 제조를 위한 유리 기판 등의 기판을 처리하는 장치이다. 이들 장치는 공정시 기판 지지유닛에 기판을 안착시켜 공정을 수행한다. 일반적으로 기판 지지유닛은 공정시 기계적 클램프를 사용하여 기판을 지지하거나, 정전기력 또는 진공에 의한 흡착력을 이용하여 기판을 지지하고, 공정시 기판을 회전시킨다.
기판 지지유닛은 보통 공정시 웨이퍼를 안착시키는 척 플레이트(chuck plate)와 공정시 웨이퍼가 척 플레이트 상으로부터 이탈되지 않도록 웨이퍼의 가장자리를 척킹하는 척킹핀(chucking pin)들을 구비한다.
그러나, 일반적인 기판 지지유닛은 웨이퍼를 척 플레이트에 안착시킨 후 웨이퍼를 기계적으로 고정시켜 공정을 진행하므로, 상기 고정 수단에 의해 기계적으로 접촉되는 부분에서 웨이퍼가 오염되거나 손상된다. 특히, 웨이퍼를 회전시켜 공정을 처리하는 장치들(예컨대, 스핀 세정 장치, 스핀 식각 장치, 감광액 도포 장치, 그리고 웨이퍼 베벨부 식각장치)에서는 웨이퍼를 상기 고정 수단에 의해 고정 시킨 후 회전시켜 공정을 수행하므로, 고정 수단과 접촉하는 웨이퍼 표면에서 오염 및 스크래치가 발생된다. 또한, 상기 장치들은 모터와 같은 기계적 어셈블리에 의해 기판을 회전하므로, 기계적인 구동에 따른 파티클 등의 오염물질이 발생된다. 이러한 오염물질들은 공정시 웨이퍼 및 장치를 오염시켜 공정 수율을 저하시킨다. 또한, 정전기력이나 진공에 의해 기판을 지지할 때 기판의 후면이 척 플레이트에 밀착되므로, 기판의 후면을 세정하거나 식각할 수 없다.
본 발명은 공정시 기판 처리 효율을 향상시키는 기판 지지유닛, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정시 파티클의 발생을 방지하는 기판 지지유닛, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정시 기판이 손상되는 것을 방지하는 기판 지지유닛, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 지지유닛은 척 플레이트 및 상기 척 플레이트로부터 기판이 부양되도록 상기 척 플레이트와 대향되는 기판면으로 선회류를 공급하는 선회류 공급부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 선회류 공급부재는 상부가 개방된 통 형상의 선회류 발생체 및 상기 선회류 발생체 내부 공간에서 상기 선회류 발생체의 내측면을 따라 기체가 선회될 수 있도록 상기 선회류 발생체 내부로 상기 기체를 분 사시키는 기체 공급관을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 선회류 발생체는 상기 내부 공간이 원통형상을 가지며, 상기 기체 공급관은 상기 선회류 발생체의 내측면과 접선 방향으로 기체를 공급한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 선회류 발생체는 상기 내부 공간이 원통형상을 가지며, 상기 선회류 발생체에는 상기 선회류 발생체의 내측면과 접선 방향으로 기체가 유입되도록 제공되는 기체 유입홀을 가진다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 기체공급관은 상기 선회류 발생체의 내부에서 동일방향으로 회전되도록 상기 선회류 발생체에 연결되는 복수의 분사라인들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 지지유닛은 공정시 기판이 상기 척 플레이트로부터 이탈되는 것을 방지하도록 상기 척 플레이트에 안착된 기판의 둘레에 제공되는 측면 가이드핀을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 선회류 발생체는 상기 척 플레이트의 중앙에 설치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 지지유닛은 상기 기체 공급관에 설치되어 상기 기체 공급라인으로 공급되는 기체의 양 조절하는 유량조절부재를 더 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 기판 지지유닛은 공정시 상기 기판의 부양을 보조하는 보조부양수단을 더 포함하되, 상기 보조부양수단은 상기 척 플레이 트에 제공되며, 상기 기판의 저면으로 가스를 분사시키는 분사홀들 및 상기 분사홀들로 가스를 공급하는 가스 공급관을 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 선회류 발생체는 상기 척 플레이트의 중앙에 설치되며, 상기 분사홀들은 상기 선회류 발생체의 개방된 상부를 감싸도록 환형으로 배치된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 상기 기판 지지유닛은 공정시 상기 기판을 회전시키는 보조회전수단을 더 포함하되, 상기 보조회전수단은 공정시 상기 기판의 측면을 척킹하는 척킹핀들, 상기 척킹핀들이 설치되는 회전체, 그리고 상기 회전체를 회전시키는 구동모터를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 상기 회전체는 환형으로 제공된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 공정을 수행하는 공간을 제공하는 컵, 상기 컵 내부에 배치되는 척 플레이트를 가지는 기판 지지유닛, 그리고 공정시 상기 척 플레이트와 대향되는 기판으로 처리유체를 공급하는 처리유체 공급부재를 포함하되, 상기 기판 지지유닛은 상기 척 플레이트로부터 기판이 부양되도록 상기 척 플레이트와 대향되는 기판면으로 선회류를 공급하는 선회류 공급부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 선회류 공급부재는 상부가 개방된 통 형상의 선회류 발생체 및 상기 선회류 발생체 내부 공간에서 상기 선회류 발생체의 내측면을 따라 기체가 선회될 수 있도록 상기 선회류 발생체 내부로 상기 기체를 분사시키는 기체 공급관을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 선회류 발생체는 상기 내부 공간이 원통형상을 가지며, 상기 기체 공급관은 상기 선회류 발생체의 내측면과 접선 방향으로 기체를 공급한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 선회류 발생체는 상기 내부 공간이 원통형상을 가지며, 상기 선회류 발생체에는 상기 선회류 발생체의 내측면과 접선 방향으로 기체가 유입되도록 제공되는 기체 유입홀을 가진다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 기체공급관은 상기 선회류 발생체의 내부에서 동일방향으로 회전되도록 상기 선회류 발생체에 연결되는 복수의 분사라인들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 지지유닛은 공정시 기판이 상기 척 플레이트로부터 이탈되는 것을 방지하도록 상기 척 플레이트에 안착된 기판의 둘레에 제공되는 측면 가이드핀을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 선회류 발생체는 상기 척 플레이트의 중앙에 설치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 지지유닛은 상기 기체 공급관에 설치되어 상기 기체 공급라인으로 공급되는 기체의 양 조절하는 유량조절부재를 더 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 기판 지지유닛은 공정시 상기 기판의 부양을 보조하는 보조부양수단을 더 포함하되, 상기 보조부양수단은 상기 척 플레이트에 제공되며, 상기 기판의 저면으로 가스를 분사시키는 분사홀들 및 상기 분사홀 들로 가스를 공급하는 가스 공급관을 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 선회류 발생체는 상기 척 플레이트의 중앙에 설치되며, 상기 분사홀들은 상기 선회류 발생체의 개방된 상부를 감싸도록 환형으로 배치된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 상기 기판 지지유닛은 공정시 상기 기판을 회전시키는 보조회전수단을 더 포함하되, 상기 보조회전수단은 공정시 상기 기판의 측면을 척킹하는 척킹핀들, 상기 척킹핀들이 설치되는 회전체, 그리고 상기 회전체를 회전시키는 구동모터를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 상기 회전체는 환형으로 제공된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 기판을 지지하여 공정을 수행하되, 상기 기판의 지지는 상기 기판의 저면으로 선회류를 공급하여 척 플레이트로부터 기판을 부양시켜 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 기판을 회전시켜 공정을 수행하되, 상기 기판의 회전은 상기 선회류에 의해 이루어지는 것을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 선회류는 상기 기판의 중앙으로 분사된다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 선회류는 상기 기판의 중앙으로 분사되고, 상기 기판 처리 방법은 공정시 상기 선회류에 의한 기판의 부양을 보조하도록 상기 기판으로 가스를 분사시키되, 상기 가스의 분사는 상기 선회류가 분사되는 부분을 감싸는 위치에서 이루어진다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 공정시 상기 기 판의 측면과 접촉하여 상기 기판을 회전시키는 핀들을 사용하여 상기 선회류에 의한 기판의 회전을 보조한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 기판의 회전은 기판의 공정속도가 기준속도 이하인 경우에는 상기 선회류를 공급하여 기판을 회전시키고, 기판의 공정속도가 기준속도 이상인 경우에는 회전모터를 사용하여 기판을 기계적으로 회전시키는 것을 더 포함한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 일 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 본 실시예에서는 반도체 웨이퍼를 습식으로 처리하는 반도체 제조 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 기판을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능하다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 처리 장치의 내부 구성을 보여주는 도면이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(1)는 공정처리부(process treating member)(10) 및 처리유체 공급부(treating-fluid supply member)(20)를 가진다. 공정처리부(10)는 매엽식으로 기판(이하, '웨이퍼'라 함)을 처리한다. 예컨대, 상기 기판 처리 공정은 웨이퍼 표면에 감광액을 도포하는 도포 공정, 웨이퍼 표면의 불필요한 이물질을 제거하는 식각 공정 및 세정 공정, 그리고 웨이퍼의 가장자리 영역을 식각하는 베벨 식각 공정 등 일수 있다.
처리유체 공급부(20)는 공정에 필요한 처리유체를 공급한다. 처리유체로는 다양한 종류의 케미칼 및 유기용제, 그리고 처리가스가 사용될 수 있다. 예컨대, 처리유체는 감광액(photoresist), 식각액(etcher, stripper), 그리고 세정액(cleaning liquid) 등의 처리액 또는 불활성 가스, 건조가스 등의 처리가스 등 일 수 있다.
공정 처리부(10)는 컵(cup)(12) 및 기판 지지유닛(100)을 가진다. 컵(12)은 내부에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 컵(12)은 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 컵(12)의 개방된 상부는 공정시 웨이퍼(W)가 상기 공간으로/으로부터 반입 및 반출되는 통로로 사용된다. 기판 지지유닛(100)은 공정시 컵(12) 내부에서 웨이퍼(W)를 지지 및 회전한다. 컵(12)의 하부에는 배수라인(12a)이 연결된다. 배수라인(12a)은 공정시 사용된 처리액을 배수한다.
처리유체 공급부(20)는 노즐(22) 및 노즐 이송부재(24)를 가진다. 노즐(22)은 공정시 상술한 처리유체를 웨이퍼(W)로 분사한다. 노즐 이송부재(24)는 노즐(22)을 공정위치(a) 및 대기위치(b) 상호간에 이동시킨다. 공정위치(a)는 노즐(22)이 기판(W)의 처리면으로 처리유체를 분사하기 위한 위치이고, 대기위치(b)는 노즐(22)이 공정위치(a)로 이동되기 전에 컵(12)의 외부에서 대기하는 위치이다. 노즐 이송부재(24)는 제1 아암(24a) 및 제2 아암(24b), 그리고 구동기(24c)를 포함한다. 제1 및 제2 아암(24a, 24b)은 바(bar) 형상을 가진다. 제1 아암(24a)은 컵(12)의 상부에서 수평으로 설치되며, 제2 아암(24b)은 컵(12)의 측부에서 수직하게 설치된다. 제1 아암(24a)의 일단에는 노즐(22)이 결합되고, 제1 아암(24a)의 타단은 제2 아암(24b)과 서로 축결합된다. 그리고, 구동기(24c)는 제1 및 제2 아암(24a, 24b)을 유기적으로 동작시켜, 공정위치(a) 및 대기위치(b) 상호간에 노즐(22)을 이동시킨다.
본 실시예에서는 컵(12) 및 하나의 처리유체 공급부(20)를 구비하는 기판 처리 장치(1)를 예로 들어 설명하였으나, 기판 처리 장치(1)의 구성 및 구조는 다양하게 변경 및 변형이 가능하다. 예컨대, 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1')를 보여준다. 도 3의 기판 처리 장치(1')는 회수부재(14)를 더 구비하는 공정처리부(10) 및 복수의 처리유체 공급부(20a, 20b)를 가진다. 회수부재(14)는 공정시 사용되는 처리액을 회수한다. 회수부재(14)는 제1 회수통(14a) 및 제2 회수통(14b)을 포함한다. 제1 회수통(14a) 및 제2 회수통(14b)은 컵(12)의 내부에서 기판 지지유닛(100)를 감싸도록 환형으로 제공된다. 제1 회수통(14a) 내부에는 제1 처리액을 수용하는 공간(S1)이 제공되고, 제2 회수통(220) 내부에서는 제2 처리액을 수용하는 공간(S2)이 제공된다. 제1 회수통(14a)에는 공정에 사용된 제1 처리액이 유입되는 개구(14a')가 형성되고, 제2 회수통(14b)에는 공정에 사용된 제2 처리액이 유입되는 개구(14b')가 형성된다. 각각의 개구(14b', 14a')는 상하로 위치된다. 그리고, 제1 회수통(14a)에는 공간(S1)에 수용된 제1 처리액을 회수하는 제1 회수라인(14a'')이 연결되고, 제2 회수통(14b)에는 공간(S2)에 수용된 제2 처 리액을 회수하는 제2 회수라인(14b'')이 연결된다. 각각의 처리유체 공급부재(20a, 20b)는 상술한 처리유체 공급부재(20)와 동일한 구조를 가진다. 처리유체 공급부재(20a)는 제1 처리액을 분사하고, 처리유체 공급부재(20b)는 제2 처리액을 분사한다. 예컨대, 상기 제1 처리액으로는 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거하는 세정액이 사용되고, 상기 제2 처리액으로는 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 세정액을 제거하는 린스액이 사용된다.
상술한 구조의 기판 처리 장치(1')는 공정에 사용된 제1 처리액 및 제2 처리액을 분리회수한다. 즉, 공정시 처리유체 공급부재(20')가 분사한 제1 처리액은 기판 지지유닛(100)에 의해 회전되는 웨이퍼(W)의 원심력에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산되어 제1 회수통(14a) 내 공간(S1)에 수용된다. 동일한 방식으로, 처리유체 공급부재(20'')가 분사한 제2 처리액은 제2 회수통(14b) 내 공간(S2)에 수용된다. 공정에 사용되는 제1 및 제2 처리액이 상기 공간(S1) 또는 공간(S2)으로 회수되도록, 기판 지지유닛(100)은 공정에 따라 개구(14a') 또는 개구(14b')에 대응되는 위치로 이동된다. 따라서, 사용된 제1 처리액 및 제2 처리액은 서로 독립적으로 회수된다.
계속해서, 본 발명에 따른 기판 지지유닛(100)의 구성에 대해 상세히 설명한다. 도 4는 도 2의 기판 지지유닛의 단면도이고, 도 5는 도 4의 기판 지지유닛의 평면도이다. 그리고, 도 6은 도 4의 A-A'선을 따라 절단한 단면도로 선회류 발생부재의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 기판 지지유닛(100)은 척 플레이트(chuck plate)(110), 베이스(base)(120), 구동부재(driving member)(130), 그리고 선회류 공급부재(swirl-flow supplying member)를 포함한다. 척 플레이트(110)는 대체로 원판현상을 가진다. 척 플레이트(110)는 공정시 웨이퍼(W)와 대향되는 상부면(112)을 가진다. 척 플레이트(110)의 중앙에는 개구(114)가 형성된다. 개구(114)는 공정시 선회류가 분사되는 홀이다.
베이스(120)는 척 플레이트(110)를 지지한다. 베이스(120)는 척 플레이트(110)의 하부에서 척 플레이트(110)와 결합된다. 베이스(120)는 척 플레이트(110)의 직경보다 큰 직경을 가지는 원판형상을 가진다. 베이스(120)의 가장자리는 베이스(120)의 중심으로부터 멀어질수록 하향 경사진다. 따라서, 공정시 베이스(120)로 떨어진 처리액은 베이스(120)의 가장자리에 형성된 경사면을 따라 흘러내린다. 베이스(120)에는 복수의 측면 가이드 핀들(124)이 제공된다. 측면 가이드 핀들(124)은 공정시 웨이퍼(W)가 척 플레이트(110)로부터 측방향으로 이탈되는 것을 방지한다. 측면 가이드 핀들(124)의 내측면(124a)은 웨이퍼(W)의 측면과 상응하도록 라운드(round) 처리된다. 이러한 측면 가이드 핀들(124)의 내측면(124a)은 공정시 웨이퍼(W)가 내측면(124a)에 접촉되더라도 웨이퍼(W)의 측면에 스크래치가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 측면 가이드 핀들(124)은 공정시 웨이퍼(W)의 측면과 비접촉되도록, 웨이퍼(W)의 직경보다 넓게 배치된다. 따라서, 공정 진행시 웨이퍼(W)는 측면 가이드 핀들(124)과 비접촉되며, 웨이퍼(W)가 척 플레이트(110)의 기설정된 공정위치로부터 이탈되는 경우 웨이퍼(W)는 측면 가이드 핀들(124)에 의해 그 이동이 제한된다. 베이스(120)의 중앙 하부에는 지지축(126)이 결합된다. 지지축(126)은 베이스(120)를 지지하며, 컵(12)의 바닥면 중앙을 관통하도록 위치된다.
구동부재(130)는 척 플레이트(110) 및 베이스(120)를 상하로 승강 및 하강시킨다. 구동부재(130)는 베이스(120)의 지지축(126)과 결합된다. 구동부재(130)는 지지축(126)을 승강 및 하강시켜 척 플레이트(110)에 의해 지지된 웨이퍼(W)의 높이를 조절한다. 즉, 구동부재(130)는 웨이퍼(W)의 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)시에는 척 플레이트(110)의 상부면이 컵(12)의 개방된 상부를 통해 컵(12) 외부에 노출되도록 척 플레이트(110)를 상승시키고, 웨이퍼(W)의 세정 처리시에는 상승된 척 플레이트(110)를 컵(12)의 내부로 하강시킨다.
선회류 공급부재는 공정시 척 플레이트(110)와 마주보는 웨이퍼(W) 면으로 선회류를 공급한다. 선회류 공급부재는 기체 공급부재(gas supply member)(140) 및 선회류 발생체(swirl flow generating body)(150)를 포함한다. 기체 공급부재(140)는 공정시 선회류 발생체(150)로 기체를 공급한다. 기체 공급부재(140)는 기체 공급원(gas suuply source)(142) 및 기체 공급관(gas supply line)을 가진다. 기체 공급관은 메인 공급라인(main supply line)(144), 분배기(manifold)(146), 그리고 복수의 분사라인들(injection lines)(149)을 포함한다. 분사라인들(148)은 제1 분ㅅ사라인 및 제2 분사라인(148b)을 가진다. 메인 공급라인(144)은 기체 공급원(142)으로부터 분배기(146)로 기체를 공급한다. 메인 공급라인(144)에는 유량 조절부재(144a)가 설치된다. 유량조절부재(144a)는 메인 공급라인(144)을 통해 공급되는 기체의 유량을 조절한다. 유량조절부재(144a)로는 질량유량조절기(MFC:Mass Flowmeter Controller)가 사용될 수 있다. 분배기(146)는 공급받은 기체를 균등하게 분배하여 각각의 분사라인들(148a, 148b)로 공급한다. 분사라인들(148)은 분배 기(146)에 의해 분배된 기체를 선회류 발생체(150)로 공급한다. 분사라인들(148)의 일단은 분배기(146)와 연결되고, 분사라인들(148)의 타단은 선회류 발생체(150)에 연결된다. 일 실시예로서, 각각의 분사라인(148a, 148b)의 타단은 선회류 발생체(150)의 측면 하부에 연결된다. 각각의 분사라인(148a, 148b)은 하우징(152)의 중심을 기준으로 하우징(152)의 측면을 따라 균등한 각도로 배치된다. 분사라인(148)은 후술할 선회류 발생체(150)의 기체 유입홀(152b)로 기체를 공급한다.
선회류 발생체(150)는 분사라인들(148)로부터 기체를 공급받아 선회류를 발생시킨다. 선회류 발생체(150)는 대체로 통 형상의 하우징(152)을 가진다. 하우징(152)은 척 플레이트(110)의 하부 중앙에 배치된다. 하우징(152)은 상부가 개방되며, 개방된 상부는 척 플레이트(110)의 개구(114)와 연결된다. 하우징(150)은 내부에 원통형상의 공간이 제공된다. 하우징(150)에는 기체 유입홀(152b)이 형성된다. 기체 유입홀(152b)은 분사라인들(148a, 148b)이 공급하는 기체를 하우징(150) 내부로 유입시킨다. 기체 유입홀(152b)은 분사라인들(148)이 공급하는 기체가 하우징(150)의 내측면(152a)의 접선방향으로 유입되도록 형성된다. 기체 유입홀(152b)은 하우징(152)의 중심을 기준으로 균등한 간격으로 제공된다. 기체 유입홀(152b)은 하우징(152)에 기체가 수평방향으로 공급되도록 형성된다. 또한, 기체 유입홀(152b)에는 분배라인(148)과 연결되기 위한 연결수단(154)이 제공된다. 연결수단(154)으로는 유니온(union), 커넥터(connecter) 등이 사용될 수 있다. 상술한 구조의 선회류 발생체(150)는 공정시 기체 공급부재(140)로부터 기체를 공급받아 선회류를 발생시킨다. 발생된 선회류는 기판(W)의 저면으로 분사되어 기판(W)을 척 플레이트(110)의 상부면(112)으로부터 부양시킨다. 또한, 부양된 기판(W)은 선회류에 의해 회전된다.
본 실시예에서는 선회류 발생체(150)에 기체 유입홀(152b)이 제공되어 기체가 선회류 발생체(150) 내측면의 접선 방향으로 기체가 유입되도록 하는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 이와 달리 도 7에 도시된 바와 같이, 분사라인들(148a, 148b)이 직접 선회류 발생체(150)의 내측면까지 연장되어 선회류 발생체(150)의 내측면의 접선 방향으로 기체를 분사할 수 있다.
또한, 도 6에서는 두 개의 분사라인들(148a, 148b)로부터 기체를 공급받아 선회류를 발생시키는 선회류 공급부재를 예로 들어 설명하였으나, 선회류 공급부재로 기체를 공급하는 라인들의 개수는 1개 또는 3개 이상이 될 수 있다. 예컨대, 도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 선회류 공급부재는 세 개의 분사라인들(148a, 148b, 148c)로부터 기체를 공급받아 선회류를 발생시킨다. 또는, 도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 선회류 공급부재는 네 개의 분사라인들(148a, 148b, 148c, 148d)로부터 기체를 공급받아 선회류를 발생시킨다.
또한, 본 실시예에서는 분배라인(148) 및 기체 유입홀(152b)이 하우징(152)의 내부를 향해 수평으로 기체를 공급하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 기체의 공급 각도는 다양하게 조절될 수 있다. 예컨대, 도 10을 참조하면, 본 발명의 또 실시예에 따른 선회류 공급부재(150c)는 선회류 발생체(150) 내부를 향해 상방향으로 기체가 공급되도록 분사라인(148) 및 기체 유입홀(152b)이 제공된다. 도 10의 선회류 발생체(150c)는 본 발명의 도 2의 선회류 발생체(150)에 비해 하우징(152) 으로 공급되는 기체가 보다 큰 상승기류를 가지는 선회류가 발생된다.
또한, 본 실시예에서는 선회류 발생체(150)가 원통형상의 내측면(152)을 가지는 것을 예로 들어 설명하였으나, 선회류 발생체(150)의 하우징(150) 내측면(152)의 형상은 다양하게 변경 및 변형이 가능하다. 또한, 도 11과 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 선회류 발생체(150)의 내측면(152)에는 나사산 형상의 홈(152a')이 제공될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 하나의 선회류 발생체(150)가 척 플레이트(110)의 중앙에 배치되는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나, 선회류 발생체(150)는 배치 및 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 예컨대, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 기판 지지유닛(100a)은 네 개의 선회류 발생체(150)를 구비할 수 있다. 이때, 각각의 선회류 발생체(150)는 척 플레이트(110)의 중심으로부터 균등한 간격으로 배치된다.
또한, 본 실시예에서는 하나의 선회류 발생부재에 의해 공급되는 선회류만으로 웨이퍼(W)를 부양시키는 것을 예로 들어 설명하였으나, 기판 지지유닛에는 선회류에 의한 웨이퍼(W)의 부양을 보조하기 위한 수단이 더 제공될 수 있다. 예컨대, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 기판 지지유닛(100b)에는 공정시 웨이퍼(W)의 저면을 향해 가스를 분사시키는 보조부양수단(160)이 제공된다. 보조부양수단(160)은 척 플레이트(110)에 형성되는 분사홀들(162) 및 상기 분사홀들(162)로 가스를 공급하는 가스 공급라인(164)을 포함한다. 분사홀들(162)은 척 플레이트(110) 중심을 기준으로 환형으로 배치된다. 이때, 분사홀들(162)은 척 플레이트(110)의 개 구(114)를 감싸도록 배치된다. 분사홀들(162)의 형상 및 크기는 다양하게 변화될 수 있다. 가스 공급라인(164)은 각각의 분사홀들(162)로 가스를 공급한다. 가스 공급라인(164)에 의해 분사홀들(162)로 공급된 가스는 웨이퍼(W)의 저면으로 분사되어 웨이퍼(W)를 부양시킨다. 따라서, 기판 지지유닛(100b)은 선회류 공급부재에 의한 웨이퍼(W)의 부양과 함께 가스분사부재(160)에 의한 웨이퍼(W)의 부양을 수행할 수 있어 보다 효과적으로 웨이퍼(W)를 부양시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 선회류 발생부재에 의해 공급되는 선회류만으로 웨이퍼(W)를 회전시키는 것을 예로 들어 설명하였으나, 기판 지지유닛에는 선회류에 의한 웨이퍼(W)의 회전을 보조하기 위한 수단이 더 제공될 수 있다. 예컨대, 도 16을 참조하면, 기판 지지유닛(100c)은 회전보조수단(170)을 더 포함한다. 회전보조수단(170)은 회전체(rotating body)(172) 및 척킹핀들(chucking pins)(174)을 포함한다. 회전체(172)는 그 중심축을 기준으로 회전되도록 설치된다. 회전체(172)는 대체로 환형으로 제작되며, 베이스(120')를 감싸도록 설치된다. 회전체(172)의 중앙에는 회전축(172a)이 제공된다. 회전축(172a)은 베이스(120')의 지지축(126)을 중심으로 지지축(126)의 외부에서 회전가능하도록 설치된다. 회전축(172a)과 지지축(126) 사이에는 베어링들(bearing)(176)이 제공된다. 회전체(172)는 회전모터(미도시됨)에 의해 회전된다. 척킹핀들(174)은 회전체(172)의 가장자리에 설치된다. 척킹핀들(174)은 공정시 척 플레이트(110) 상에 지지되는 웨이퍼(W)의 가장자리 일부를 척킹한다.
상술한 회전보조수단(170)은 공정시 회전모터를 이용하여 기계적으로 웨이 퍼(W)를 회전시킨다. 따라서, 기판 지지유닛(100c)은 선회류 공급부재에 의한 웨이퍼(W)의 회전 및 보조회전수단(170)에 의한 웨이퍼(W)의 회전을 함께 수행함으로써 보다 효과적으로 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있다. 특히, 이러한 구성의 기판 지지유닛(100c)은 공정시 선회류에 의한 웨이퍼(W)의 회전과 보조회전수단(170)에 의한 웨이퍼(W)의 회전을 선택적으로 수행할 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)의 저속 회전이 요구되는 공정에서는 선회류 공급부재가 선회류를 공급함으로써 웨이퍼(W)의 회전시키고, 웨이퍼(W)의 고속 회전이 요구되는 공정에서는 보조회전수단(170)이 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 예컨대, 일반적인 웨이퍼(W)의 세정공정에서는 세정액에 의한 웨이퍼(W)의 약액 세정 공정과 건조가스에 의한 웨이퍼(W)의 건조 공정이 연속적으로 처리된다. 이때, 건조 공정에서는 웨이퍼(W)가 고속으로 회전되고, 세정 공정에서는 웨이퍼(W)가 상대적으로 저속으로 회전된다. 따라서, 약액에 의한 세정공정에서는 선회류 공급부재에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키고, 건조 공정에서는 보조회전수단(170)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 17은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이고, 도 18은 도 17의 C-C'선을 절단한 도면이다. 그리고, 도 19는 본 발명에 따른 선회류 공급부재가 선회류를 공급하는 모습을 보여주는 도면이고, 도 20은 도 19의 D-D'선을 절단한 도면이다. 그리고, 도 21은 공정시 선회류 발생체의 내부 공 간을 보여주는 도면이다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 공정이 개시되면, 웨이퍼(W)는 기판 지지유닛(100)의 척 플레이트(110) 상에 안착된다. 선회류 공급부재는 척 플레이트(110)에 형성된 개구(114)를 통해 척 플레이트(110)의 상부면(112)과 대향되는 웨이퍼(W)의 면으로 선회류를 공급한다. 즉, 도 19 및 도 20을 참조하면, 기체 공급관(140)은 선회류 발생체(150)로 기체를 공급한다. 이때, 유량조절부재(144a)는 메인 공급라인(144) 내부를 이동되는 기체가 기설정된 유량으로 공급되도록 미리 조절한다. 선회류 발생체(150)의 하우징(152) 내부로 분사되는 기체는 도 21에 도시된 바와 같이, 하우징(152)의 내측면(152a)을 따라 선회하면서 선회류가 발생된다. 발생된 선회류는 척 플레이트(110)의 개구(114)를 통해 분사되어 웨이퍼(W)의 중앙영역으로 공급된다.
웨이퍼(W)로 공급된 선회류는 웨이퍼(W)를 척 플레이트(110)의 상부면(112)으로부터 부양시킨다. 이때, 부양된 웨이퍼(W)는 웨이퍼(W)의 저면과 척 플레이트(110)의 상부면(112) 사이 공간(c)을 빠져나가는 선회류에 의해 척 플레이트(110) 상부에서 지지된다. 즉, 공간(c)을 빠져나가는 선회류에 의해 공간(c) 내 압력이 강하되어 베르누이 효과(Bernouilli effect)에 의해 웨이퍼(W)는 척 플레이트(110) 상에서 고정 지지된다. 이때, 선회류는 웨이퍼(W)가 척 플레이트(110) 상에 안착되기 전에 공급되어 웨이퍼(W)가 척 플레이트(110)에 안착되기 전에 부양되도록 한다. 또는, 웨이퍼(W)은 척 플레이트(110)의 상부면(112)에 안착된 후 선회류에 의해 부양될 수도 있다.
또한, 웨이퍼(W)는 공급된 선회류에 의해 기설정된 공정속도로 회전된다. 즉, 웨이퍼(W)의 중앙으로 공급된 선회류가 공간(c)의 중심으로부터 가장자리로 선회하면서 이동됨에 따라 웨이퍼(W)는 회전된다. 이때, 선회류 공급부재의 선회류 공급량에 따라 웨이퍼(W)의 회전속도는 조절된다. 즉, 선회류 공급부재의 유량조절부재(144a)는 메인 공급라인(144) 내 기체의 유량을 조절하여 웨이퍼(W)를 기설정된 회전속도로 조절한다. 이러한 유량조절부재(144a)의 유량 조절은 공정이 진행되기 전에 기설정된 유량만큼 기체가 공급되도록 셋팅값이 설정된다. 또는, 유량조절부재(144a)의 유량 조절은 전공 진행시 웨이퍼(W)의 회전속도를 실시간으로 감지하여 기설정된 회전속도를 만족하도록 메인 공급라인(144)의 내 기체의 유량을 조절할 수 있다.
웨이퍼(W)가 기설정된 공정속도로 회전되면, 처리유체 공급부재(20)는 회전되는 웨이퍼(W)의 처리면으로 처리액을 공급한다. 즉, 처리유체 공급부재(20)의 노즐 이송부재(24)는 노즐(22)을 대기위치(b)로부터 공정위치(a)로 이동시킨다. 노즐(22)이 공정위치(a)에 위치되면, 노즐(22)은 회전되는 웨이퍼(W)의 처리면으로 처리액을 공급한다. 공급된 처리액은 웨이퍼(W) 표면을 처리한 후 컵(12)의 배수라인(12a)을 통해 배수된다. 그리고, 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 기판 지지유닛(100)으로부터 언로딩(unloading)된 후 컵(12) 외부로 반출된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 지지유닛, 그리고 이를 구비하는 기판 처리 장치(1) 및 방법은 공정시 웨이퍼(W)로 선회류를 공급하여 웨이퍼(W)를 부양 및 회전시킨다. 본 발명은 공정시 웨이퍼(W)가 기판 지지유닛(100)의 척 플레이 트(110) 및 측면 가이드 핀들(124)과 같은 웨이퍼(W) 지지 수단과의 접촉없이 공정이 수행된다. 따라서, 본 발명은 종래의 공정시 웨이퍼(W)를 지지하기 위해 웨이퍼(W)와 접촉되는 수단에 의해 웨이퍼(W)가 손상되는 것을 방지한다.
또한, 본 발명은 공정시 기판(W)은 척 플레이트(110)로부터 부양시켜 회전시키므로, 척 플레이트(110)의 기판(W)면의 공정 수행이 가능하다. 예컨대, 부양된 기판(W)의 저면으로 처리가스 또는 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명은 기판의 부양 및 회전을 위한 선회류의 공급량의 조절이 가능하다. 따라서, 공정시 공정 조건에 따라 선회류의 공급량을 변화시켜 웨이퍼(W)의 부양정도 및 웨이퍼(W)의 회전속도의 조절이 가능하다.
또한, 본 발명은 종래의 기판(W)을 고정 및 회전시키기 위한 장치들이 구비되지 않아 장치의 구조가 단순하여 제작 비용을 절감할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명에 의하면 공정 진행시 기판을 비접촉방식으로 지지 및 회전시킬 수 있어 기판의 손상을 방지한다.
또한, 본 발명은 공정시 척 플레이트와 마주보는 기판의 면(저면)의 처리가 가능하다.
또한, 본 발명은 장치의 구조가 단순하고, 장치의 제작 비용을 절감할 수 있다.

Claims (30)

  1. 기판을 지지하는 유닛에 있어서,
    척 플레이트와,
    상기 척 플레이트로부터 기판이 부양되도록 상기 척 플레이트와 대향되는 기판면으로 선회류를 공급하는 선회류 공급부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 선회류 공급부재는,
    상부가 개방된 통 형상의 선회류 발생체와,
    상기 선회류 발생체 내부 공간에서 상기 선회류 발생체의 내측면을 따라 기체가 선회될 수 있도록 상기 선회류 발생체 내부로 상기 기체를 분사시키는 기체 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지유닛.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 선회류 발생체는,
    상기 내부 공간이 원통형상을 가지며,
    상기 기체 공급관은,
    상기 선회류 발생체의 내측면과 접선 방향으로 기체를 공급하는 것을 특징으 로 하는 기판 지지유닛.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 선회류 발생체는,
    상기 내부 공간이 원통형상을 가지며,
    상기 선회류 발생체에는,
    상기 선회류 발생체의 내측면과 접선 방향으로 기체가 유입되도록 제공되는 기체 유입홀을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 지지유닛.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기체공급관은,
    상기 선회류 발생체의 내부에서 동일방향으로 회전되도록 상기 선회류 발생체에 연결되는 복수의 분사라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지유닛.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 지지유닛은,
    공정시 기판이 상기 척 플레이트로부터 이탈되는 것을 방지하도록 상기 척 플레이트에 안착된 기판의 둘레에 제공되는 측면 가이드핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지유닛.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 선회류 발생체는,
    상기 척 플레이트의 중앙에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지유닛.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 지지유닛은,
    상기 기체 공급관에 설치되어 상기 기체 공급라인으로 공급되는 기체의 양 조절하는 유량조절부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지유닛.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항, 그리고 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지유닛은,
    공정시 상기 기판의 부양을 보조하는 보조부양수단을 더 포함하되,
    상기 보조부양수단은,
    상기 척 플레이트에 제공되며, 상기 기판의 저면으로 가스를 분사시키는 분사홀들과,
    상기 분사홀들로 가스를 공급하는 가스 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지유닛.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 선회류 발생체는 상기 척 플레이트의 중앙에 설치되며,
    상기 분사홀들은,
    상기 선회류 발생체의 개방된 상부를 감싸도록 환형으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지유닛.
  11. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지유닛은,
    공정시 상기 기판을 회전시키는 보조회전수단을 더 포함하되,
    상기 보조회전수단은,
    공정시 상기 기판의 측면을 척킹하는 척킹핀들과,
    상기 척킹핀들이 설치되는 회전체, 그리고
    상기 회전체를 회전시키는 구동모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 지지유닛.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 회전체는,
    환형으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 지지유닛.
  13. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 공정을 수행하는 공간을 제공하는 컵과,
    상기 컵 내부에 배치되는 척 플레이트를 가지는 기판 지지유닛과,
    공정시 상기 척 플레이트와 대향되는 기판으로 처리유체를 공급하는 처리유체 공급부재를 포함하되,
    상기 기판 지지유닛은,
    상기 척 플레이트로부터 기판이 부양되도록 상기 척 플레이트와 대향되는 기판면으로 선회류를 공급하는 선회류 공급부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 선회류 공급부재는,
    상부가 개방된 통 형상의 선회류 발생체와,
    상기 선회류 발생체 내부 공간에서 상기 선회류 발생체의 내측면을 따라 기체가 선회될 수 있도록 상기 선회류 발생체 내부로 상기 기체를 분사시키는 기체 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 선회류 발생체는,
    상기 내부 공간이 원통형상을 가지며,
    상기 기체 공급관은,
    상기 선회류 발생체의 내측면과 접선 방향으로 기체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 선회류 발생체는,
    상기 내부 공간이 원통형상을 가지며,
    상기 선회류 발생체에는,
    상기 선회류 발생체의 내측면과 접선 방향으로 기체가 유입되도록 제공되는 기체 유입홀을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 지지유닛.
  17. 제 15 항에 있어서,
    각각의 상기 기체 공급관들은,
    공급하는 기체가 상기 선회류 발생체의 내부에서 동일방향으로 회전되도록 상기 선회류 발생체에 연결되는 복수의 분사라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 기판 지지유닛은,
    공정시 기판이 상기 척 플레이트로부터 이탈되는 것을 방지하도록 상기 척 플레이트에 안착된 기판의 측면을 지지하는 측면 가이드핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 선회류 발생체는,
    상기 척 플레이트의 중앙에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상기 기판 지지유닛은,
    상기 기체 공급관에 설치되어 상기 기체 공급라인으로 공급되는 기체의 양 조절하는 유량조절부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  21. 제 13 항 내지 제 17 항, 그리고 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지유닛은,
    공정시 상기 기판의 부양을 보조하는 보조부양수단을 더 포함하되,
    상기 보조부양수단은,
    상기 척 플레이트에 형성되어 상기 기판의 저면으로 가스를 분사시키는 분사홀들과,
    상기 분사홀들로 가스를 공급하는 가스 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 선회류 발생체는,
    상기 척 플레이트의 중앙에 설치되고,
    상기 분사홀들은,
    상기 선회류 발생체의 개방된 상부를 감싸도록 환형으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  23. 제 13 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 지지유닛은,
    공정시 상기 기판을 회전시키는 보조회전수단을 더 포함하되,
    상기 보조회전수단은,
    공정시 상기 기판의 측면을 척킹하는 척킹핀들과,
    상기 척킹핀들이 설치되는 회전체, 그리고
    상기 회전체를 회전시키는 구동모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 회전체는,
    환형으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  25. 기판을 지지하여 공정을 수행하되, 상기 기판의 지지는 상기 기판의 저면으로 선회류를 공급하여 척 플레이트로부터 기판을 부양시켜 이루어지는 것을 특징으 로 하는 기판 처리 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은,
    기판을 회전시켜 공정을 수행하되,
    상기 기판의 회전은,
    상기 선회류에 의해 이루어지는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 선회류는,
    상기 기판의 중앙으로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  28. 제 24 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 선회류는 상기 기판의 중앙으로 분사되고,
    상기 기판 처리 방법은,
    공정시 상기 선회류에 의한 기판의 부양을 보조하도록 상기 기판으로 가스를 분사시키되,
    상기 가스의 분사는,
    상기 선회류가 분사되는 부분을 감싸는 위치에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  29. 제 24 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 방법은,
    공정시 상기 기판의 측면과 접촉하여 상기 기판을 회전시키는 핀들을 사용하여 상기 선회류에 의한 기판의 회전을 보조하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  30. 제 24 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 회전은,
    기판의 공정속도가 기준속도 이하인 경우에는 상기 선회류를 공급하여 기판을 회전시키고,
    기판의 공정속도가 기준속도 이상인 경우에는 회전모터를 사용하여 기판을 기계적으로 회전시키는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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