CN101207026A

CN101207026A - 半导体器件的栅极形成方法

Info

Publication number: CN101207026A
Application number: CNA2006101477920A
Authority: CN
Inventors: 张海洋; 刘乒; 马擎天
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Priority date: 2006-12-22
Filing date: 2006-12-22
Publication date: 2008-06-25
Anticipated expiration: 2026-12-22
Also published as: CN101207026B

Abstract

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法至少包括下列步骤：提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；在所述栅极侧壁和表面形成保护层；对所述栅极进行预掺杂。本发明的方法，能够避免预掺杂后晶片表面出现的凹陷。

Description

半导体器件的栅极形成方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种在半导体器件中形成多晶硅栅极的方法。

背景技术

互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor；CMOS)器件，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal OxideSemiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)广泛应用于超大规模集成电路(Ultra-Large Scale Integrated；ULSI)的制造中。随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的数据存储量以及更低的功耗，半导体集成电路正朝向更高集成度方向发展。半导体器件的制造技术已经进入65nm以下工艺节点，MOS晶体管的栅极变得越来越细且长度变得较以往更短，栅极最小特征尺寸已经达到45nm或更小。

在MOS晶体管，包括NMOS和PMOS晶体管的制造中，栅极的优选材料为多晶硅。多晶硅具有特殊的耐热性以及较高的刻蚀成图精确性。MOS晶体管通常是在半导体衬底表面形成栅极氧化层和多晶硅材料，通过刻蚀工艺形成栅极。图1至图6为说明现有技术中栅极形成过程的剖面示意图。如图1所示，在半导体衬底100上形成一层栅极氧化硅110，在栅极氧化层110上沉积多晶硅材料层120。然后，涂布光刻胶并对光刻胶进行图案化形成光刻胶图形130。在很多例子中，如图3所示，多晶硅材料中要执行预掺杂(Pre-Doping)，通过离子注入140植入n型杂质于NMOS晶体管的多晶硅栅极中，或植入p型杂质于PMOS晶体管的多晶硅栅极中。预掺杂能够改善阈值电压和驱动电流的特性。杂质离子注入后利用氧气灰化(ashing)去除光刻胶，并通过湿法清洗去除光刻胶残留物。

然而，由于掺杂杂质的渗透深度不一致导致杂质分布不均匀。在去除光刻胶和湿法清洗晶片表面的过程中，多晶硅120表层杂质浓度较高的一些区域易被腐蚀，从而出现如图4所示的凹坑150。如果在具有凹坑150的多晶硅120表面形成光刻胶图形131，光刻胶图形131也会高低不平，如图5所示。以光刻胶图形131为掩膜刻蚀多晶硅120形成栅极121，由于凹坑150处的多晶硅层120较薄，该处形成的栅极122较正常栅极121具有缺陷。而且凹坑150处的多晶硅极易被过度刻蚀，并刻穿栅极氧化层110，从而在衬底100有源区表面出现凹陷151，严重影响器件的电学性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在半导体器件中形成多晶硅栅极的方法，能够避免破坏栅极氧化层和有源区。

为达到上述目的，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法至少包括下列步骤：

提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；

在所述栅极侧壁和表面形成保护层；

对所述栅极进行预掺杂。

所述方法还包括在所述多晶硅栅极和衬底之间形成电介质层的步骤。

所述保护层包括氧化硅层和氮化硅层。

所述保护层还包括在所述氮化硅层表面形成的抗反射层。

所述抗反射层在栅极表面上的厚度为100-200

。

所述电介质层为高介电常数材料层。

本发明还提供了一种半导体器件的制造方法，包括：

提供一半导体衬底；

在所述衬底表面形成多晶硅层；

刻蚀所述多晶硅层形成栅极；

在所述栅极侧壁和表面形成氧化硅层；

在所述氧化硅层表面形成氮化硅层；

在对所述氮化硅层表面形成抗反射层；

对所述栅极进行预掺杂。

所述方法还包括在衬底表面和多晶硅层之间形成电介质层的步骤。

所述栅极表面上的抗反射层的厚度为100-200

。

所述电介质层为高介电常数材料层。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明的半导体器件制造方法，在衬底表面形成多晶硅层后，先不进行预掺杂，而是先刻蚀多晶硅形成栅极，然后在栅极表面形成隔离氧化层，再于所述隔离氧化层表面沉积覆盖栅极表面的侧墙(spacer)氧化层和氮化层，随后涂布BARC并形成光刻胶图形，然后再进行预掺杂。预掺杂过程中，杂质离子不会与多晶硅栅极接触，而是穿过BARC、侧墙氧化层和氮化层进入多晶硅栅极；灰化去除光刻胶所使用的氧气、湿法清洗光刻胶残留物的化学试剂等均不会与多晶硅栅极直接接触。因此，BARC层、侧墙氧化层和氮化层对栅极起到了保护作用，避免了先行预掺杂对多晶硅层造成的损伤，从而避免了对栅极氧化层和有源区的破坏。

此外，侧墙氧化层和氮化层不但对栅极起到了保护作用，而且对源区和漏区也起到了保护作用，避免了高注入能量的杂质离子注入对源、漏区浅结的形成所带来的不利影响。

附图说明

通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。在附图中，为清楚明了，放大了层和区域的厚度。

图1至图6为说明现有技术中栅极形成过程的剖面示意图；

图7至图13为根据本发明实施例的栅极形成过程的剖面示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

本发明提供的半导体器件栅极的形成方法适用于线宽特征尺寸在65nm乃至45nm以下的半导体器件栅极的制造。所述半导体器件不仅是MOS晶体管，还可以是CMOS(互补金属氧化物半导体器件)中的PMOS晶体管和NMOS晶体管。为了更好地说明本发明，在下面的实施例中以NMOS器件为例。

CMOS器件的制造工艺进入65nm工艺节点之后，CMOS器件内部的NMOS和PMOS的电学性能一致性以及器件之间的性能一致性变得非常重要。预掺杂已经被广泛用于减小NMOS和PMOS自身电学特性之间的差异。对CMOS器件中的NMOS和PMOS的栅极进行预掺杂已经成为调节器件的阈值电压和驱动电流特性，获得理想器件性能的重要手段。对于NMOS，通常采用n型杂质(例如磷)对栅极进行预掺杂；对于PMOS器件，通常采用p型杂质(例如硼)对栅极进行预掺杂。

图7至图13为根据本发明实施例的栅极形成方法的剖面示意图。首先如图7所示，在半导体衬底100表面形成电介质层110作为栅极介质层。半导体衬底100的材料可以包括半导体元素，例如单晶、多晶或非晶结构的硅或硅锗(SiGe)，也可以是绝缘体上硅(SOI)。或者还可以包括其它的材料，例如锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓。虽然在此描述了可以形成衬底100的材料的几个示例，但是可以作为半导体衬底的任何材料均落入本发明的精神和范围。

本发明的栅极特征尺寸在65nm乃至45nm以下，电介质层110作为栅极电介质层，其材料优选为高介电常数(high k)材料。High k材料能够减小栅极与衬底之间的漏电流。本发明实施例中的high k材料是指介电常数在4以上的材料。可以作为形成high k栅极电介质层的材料包括氧化铪、氧化铪硅、氮氧化铪硅、氧化镧、氧化锆、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛或氧化铝。特别优选的是氧化铪、氧化锆和氧化铝。虽然在此描述了可以用来形成电介质层110的材料的少数示例，但是该层可以由减小栅极漏电流的其它材料形成。

电介质层110的生长方法可以是任何常规真空镀膜技术，比如原子层沉积(ALD)、化学气相淀积(CVD)、等离子体增强型化学气相淀积(PECVD)工艺等，优选为原子层沉积工艺。在这样的工艺中，衬底100和电介质层110之间会形成光滑的原子界面，可以形成理想厚度的栅极介质层。本发明方法中，电介质层110优选的厚度在10-100

之间。

然后，在电介质层110表面形成多晶硅层120。多晶硅层120的材料可以为多晶硅或非晶硅或掺杂金属(例如钛、钽、钨等)的多晶硅。形成多晶硅层120的方法包括原子层沉积(ALD)、化学气相淀积(CVD)、等离子体增强型化学气相淀积(PECVD)等工艺。

随后利用等离子体增强化学气相淀积工艺在多晶硅层120上沉积硬掩膜层(hard mask)，硬掩膜层的材料为氮化硅(SIN)。随后涂布光刻胶层，在涂布之前在硬掩膜层表面还需形成一层抗反射层以使显影后的光刻胶图形更加清晰。通过曝光、显影、刻蚀等工艺对光刻胶、抗反射层和硬掩膜层进行图案化，形成包括光刻胶、抗反射层和硬掩膜层的掩膜图形130。光刻胶图形130定义了栅极的位置和宽度。

在接下来的工艺步骤中，如图8所示，在反应室中利用等离子刻蚀或反应离子刻蚀(RIE)工艺，以掩膜图形130为掩膜刻蚀多晶硅层120和栅极氧化层110。硬掩膜对多晶硅层120的刻蚀选择比很高，而且硬掩膜比较致密，因此能够获得外形轮廓良好的栅极121。刻蚀工艺在等离子刻蚀反应室内进行，刻蚀的方向性可以通过控制等离子源的偏置功率和阴极(也就是衬底)偏压功率来实现。通过控制偏压功率可以控制多晶硅层120的刻蚀时间。在本实施例中，反应室内通入刻蚀剂气体流量50-400sccm，衬底温度控制在20℃和90℃之间，腔体压力为4-80mTorr，等离子源输出功率50W-2000W。刻蚀剂采用气体混合物，混合气体包括含氟气体，例如SF6、CHF3、CF4，和氯气Cl₂、氧气O₂、氮气N₂、氦气He，还可以包括混合气体，比如氢气Ar、氖气Ne等。然后，将刻蚀多晶硅层120后的掩膜图形130移除。掩膜图形130中的光刻胶和抗反射层可以采用氧气等离子灰化(ashing)和湿法清洗的方法去除；硬掩膜层可使用热磷酸去除。

接下来如图9所示，去除掩膜图形130后，在反应室中合适的压力和温度下，利用CVD工艺在具有栅极121的衬底100表面生长一层氧化层，该氧化层覆盖栅极侧壁，以修复栅极侧壁表面在刻蚀过程中产生的损伤。在氧化层表面再生长一层氮化层作为过度层。氧化层的材料优选为氧化硅，厚度为50-100

；氮化层的材料为氮化硅或氮氧化硅，厚度为100～200

。然后刻蚀上述氧化层和氮化层形成栅极侧壁隔离层160。然后进行源、漏区的轻掺杂。

在接下来的工艺步骤中，如图10所示，利用PECVD工艺在衬底100表面淀积氧化硅层170。该层氧化硅层170覆盖衬底100、侧壁隔离层160和栅极121表面。在上述氧化层170表面再沉积一层氮化硅层180。在后续的工艺步骤中氧化层170和氮化硅层180将被刻蚀形成具有ON(氧化硅-氮化硅)结构的侧墙(spacer)。

本发明的方法在形成侧墙之前，利用氧化层170和氮化硅层180对栅极进行保护，执行栅极的预掺杂工艺。具体的做法是先在晶片表面涂布抗反射层190，并通过晶片的高速旋转使其平坦化，使栅极121表面上的抗反射层190的厚度为100-200

，如图11所示。

然后，如图12所示，在抗反射层190表面涂布光刻胶并通过曝光、显影等工艺形成光刻胶图形132。光刻胶图形132定义了栅极121的位置，即光刻胶图形132的开口位置的下方为栅极121。

为了获得NMOS和PMOS较好的电学性能参数(例如阈值电压和驱动电流)的一致性，通常要在多晶硅材料进行n型或p型杂质的预掺杂。本发明的方法在栅极表面形成侧墙氧化硅层170和氮化硅层180，随后涂布BARC层190并形成光刻胶图形132，然后再进行预掺杂141，如图13所示。以注入磷离子为例，磷离子的注入剂量为2.0e15至4.0e15原子/立方厘米，注入能量为10～30KeV。预掺杂过程中，杂质离子不会与栅极121接触，而是穿过BARC层190、侧墙氮化硅层180和氧化硅层170进入多晶硅栅极121。因此，灰化去除光刻胶所使用的氧气、湿法清洗光刻胶残留物的化学试剂等均不会与栅极121直接接触。BARC层190、氧化硅层170和氮化硅层180对栅极起到了保护作用，避免了先行预掺杂对多晶硅层造成的损伤，从而避免了对栅极氧化层和有源区的破坏。

此外，氧化硅层170和氮化硅层180不但对栅极121起到了保护作用，而且对源区和漏区也起到了保护作用，避免了高注入能量的杂质离子注入对源、漏区浅结的形成所带来的不利影响。

本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法至少包括下列步骤：

提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；

在所述栅极侧壁和表面形成保护层；

对所述栅极进行预掺杂。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在所述多晶硅栅极和衬底之间形成电介质层的步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述保护层包括氧化硅层和氮化硅层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述保护层还包括在所述氮化硅层表面形成的抗反射层。

5.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于：所述抗反射层在栅极表面上的厚度为100-200

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述电介质层为高介电常数材料层。

7.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供一半导体衬底；

在所述衬底表面形成多晶硅层；

刻蚀所述多晶硅层形成栅极；

在所述栅极侧壁和表面形成氧化硅层；

在所述氧化硅层表面形成氮化硅层；

在对所述氮化硅层表面形成抗反射层；

对所述栅极进行预掺杂。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在衬底表面和多晶硅层之间形成电介质层的步骤。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述栅极表面上的抗反射层的厚度为100-200

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述电介质层为高介电常数材料层。