CN101206935B - 一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法 - Google Patents
一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101206935B CN101206935B CN200610169542A CN200610169542A CN101206935B CN 101206935 B CN101206935 B CN 101206935B CN 200610169542 A CN200610169542 A CN 200610169542A CN 200610169542 A CN200610169542 A CN 200610169542A CN 101206935 B CN101206935 B CN 101206935B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- film
- cuo
- temperature
- xcexcuo4
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 4
- WMOHXRDWCVHXGS-UHFFFAOYSA-N [La].[Ce] Chemical compound [La].[Ce] WMOHXRDWCVHXGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 23
- 229910009116 xCuO Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 6
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 229910002244 LaAlO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 abstract 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供的制备电子型高温超导体La2-xCexCuO4薄膜的方法，使用直流磁控溅射设备，包括以下步骤：1.按照La2-xCexCuO4，其中0.08≤x≤0.16配比，采用固相反应法制成La2-xCexCuO4陶瓷靶材，安装到反应室的靶座上；2.选择衬底：选择SrTiO3，MgO或LaAlO3，清洗干净放入反应室内加热台上，关闭反应室；3.将反应室抽真空至背底真空优于2.0×10-4Pa；4.通过加热器将衬底加热至温度为600-800℃；5.首先向反应室内通入反应气体；6.然后对La2-xCexCuO4陶瓷靶材表面进行预溅射；7.将加热台移至靶位处，开始在衬底上制备La2-xCexCuO4薄膜；8.反应结束后，停止通入反应气体，抽真空至真空度优于2×10-4Pa，然后将制备有La2-xCexCuO4簿膜的衬底降温到退火温度，进行退火；9.最后将制备有La2-xCexCuO4薄膜的衬底自然冷却至室温。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子型高温超导体薄膜的制备方法，特别是涉及一种电子型高温超导体镧铈铜氧La2-xCexCuO4(以下简称LCCO)薄膜的制备方法。
背景技术
近年来人们逐步认识到电子型超导体对探索铜氧化物超导体的超导机制具有重要的作用，近期在国际上形成了一个研究热点。电子型超导体材料结构相对简单，仅有单层或者无限层的重复结构，铜氧面具有四角对称，非常平整，通过控制阳离子成分可以很方便地进行不同水平的掺杂。同时电子型超导体的临界磁场相对空穴型要低得多，一般只需要十几个特斯拉就可以完全抑制超导特性(对于空穴型，如YBCO，则需要超过60特斯拉才能完全抑制超导特性)，因此成为当前研究铜化物量子临界现象(QCP)的首选材料。目前电子型超导体研究中还有很多重要问题，如：能隙对称性，两类载流子，两能带模型等尚没有明确的结论，进行这方面的研究是非常必要的。
超导体薄膜在对超导材料的研究中已经显示了其重要的作用，对于LCCO尤其如此。这是因为LCCO材料的超导相在热力学上为亚稳相，该相被定义为T’相，其块材样品非常难以制备。所以，制备相应的超导体薄膜样品则成为进一步开展研究的基础。
1998年，日本NTT的M.Naito等首次用分子束外延(MBE)方法制备成功了超导的LCCO薄膜(M.Naito，and M.Hepp，Jpn.J.Appl.Phys.39，L485 L487，2000)。2000年，日本AIST的A.Sawa等人首次采用脉冲激光沉积(PLD)方法也成功生长出超导LCCO薄膜(A.Sawa，M.Kawasaki，H.Takagi and Y.Tokura，Phys.Rev.B 66，014531，2002)，其中采用与LCCO晶格非常匹配的BaTiO3作为缓冲层稳定T’相。但是在上述采用MBE的方法中，使用的设备非常昂贵，并且薄膜沉积速率慢，而且，由于作为LCCO的成分的稀有金属La和Ce的金属沸点均高于3000摄氏度，因此对设备本身要求也是十分苛刻的；另一方面，在已有的PLD制备方法中，需要采用BaTiO3缓冲层，从而需要额外的靶材，并且对于将LCCO层和其它材料直接集成形成异质结构也是不利的。
发明内容
本发明的目的在于克服分子束外延(MBE)方法存在设备非常昂贵，并且薄膜沉积速率慢的缺陷，以及现有脉冲激光沉积(PLD)方法存在需要采用BaTiO3缓冲层，从而需要额外的靶材，并且对于将LCCO层和其它材料直接集成形成异质结构也是不利的缺陷；从而提供一种不需要BaTiO3缓冲层来制备La2-xCexCuO4薄膜的方法。
本发明提供的制备电子型高温超导体La2-xCexCuO4薄膜的方法，在直流磁控溅射设备中进行，包括以下步骤：
1).按照La2-xCexCuO4，其中0.08≤x≤0.16配比，采用固相反应法制成La2-xCexCuO4陶瓷靶材，安装到反应室的靶座上；
2).选择衬底：衬底为SrTiO3、MgO或LaAlO3，清冼干净放入反应室内加热台上备用，关闭反应室；
3).将反应室抽真空至背底真空优于2.0×10-4Pa；
4).通过加热器将衬底加热至温度为600～800℃；
5).首先向反应室内通入氧气和氩气的混合气体，其中氧气：氩气的压强比为1/4～1/3，并控制反应室的气压为40-50Pa；
6).然后对La2-xCexCuO4陶瓷靶材表面进行预溅射；
7).接着调节溅射电流为200-300mA，然后将加热台移至靶位处，开始在衬底上制备La2-xCexCuO4薄膜，溅射时间30-80分钟；
8).反应结束后，停止通入反应气体，抽真空至真空度优于2×10-4Pa，然后将制备有LCCO薄膜的衬底降温到退火温度，进行退火，所述退火温度为500～650℃，所述退火时间30～60分钟；
9).最后将制备有La2-xCexCuO4薄膜的衬底自然冷却至室温。
进一步地，步骤6)中对La2-xCexCuO4陶瓷靶材表面进行预溅射的条件：预溅射电流为200-300mA，预溅射时间为15-30分钟。
本发明的优点在于：
1.本发明的制备LCCO薄膜的方法同分子束外延(MBE)方法相比，设备需要的费用低；
2.本发明所需要的生长温度较低：MBE要求靶源温度高达数千度，而直流磁控溅射方法中不需要对靶材加热，沉积时衬底的加热温度也不超过1000℃；
3.对反应室的真空度要求较低：MBE方法要求系统真空度在10-3Pa量级，除机械泵和分子泵级联系统外还需要使用离子泵；而直流磁控溅射方法中对反应室真空度的要求为10-4Pa，使用机械泵和分子泵级联系统即可以达到要求；
4。不需要外加缓冲层：传统的MBE方法和脉冲激光沉积的方法中均需要外加BaTiO4缓冲层，而本发明的直流磁控溅射方法中成膜可以直接在选择的衬底上完成；
5。成膜质量高：采用本发明的方法所生长的薄膜表面平整，薄膜单一取向，结晶度高，超导转变温度高；
6.最后，本发明的方法制备的La2-xCexCuO4薄膜应用广泛：可以将La2-xCexCuO4薄膜与其它具有钙钛矿结构的材料形成异质结构。
附图说明
图1，实施例1中所沉积薄膜的X射线衍射图；
图2，实施例2中所沉积薄膜的表面形貌图；
图3，实施例1中所沉积薄膜的电阻-温度曲线图。
具体实施方式
使用直流磁控溅射设备制备电子型高温超导体LCCO薄膜所需设备包括：
超声清洗仪；
直流磁控溅射设备(JS450～沈阳科仪厂制造)；
直流磁控溅射镀膜设备的配套温控仪：采用欧陆公司生产的818型单回路过程调节器；
第一级真空泵：采用机械泵，抽气速率为8.0L/s，极限压力为6×10-2Pa；
第二级真空泵：采用分子泵，抽气速率为600L/s，极限压力为1.0×10-3Pa。
直流磁控溅射电源。
所需材料包括：
分析纯丙酮和酒精；
高质量的LCCO靶材。
下面结合具体实施例对本发明提供的电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法做进一步的解释和说明。
实施例1
具体制备步骤如下：
1.按照La2-xCexCuO4，其中采用掺杂x＝0.11配比，采用固相反应法制成LCCO陶瓷靶材，安装到反应室的靶座上；
本实施例采用固相反应法制备LCCO陶瓷靶材的具体步骤如下：
a.配料：按照x＝0.10计算靶材的化学配比，称取一定量的高纯(＞99.9％)La2O3、CeO2和CuO粉末，盛于玛瑙研钵中研磨均匀；
b.预烧：先将混合料在800～900℃下进行预烧12～24小时，使各种原料进行初步的合成反应。然后降温取出研磨均匀。将预烧好的粉末在950℃高温烧结48小时以上，使其发生充分的化学成相反应。其间伴随2-3次研磨，以便样品尽可能均匀。
c.制靶：将最后研磨好的粉末用相应的模具在小型油压机上抑制成型，在空气中950～980℃高温烧结成型、烧结时间为24～48小时，随炉缓慢冷却至室温。
经过上述步骤所形成的靶材化学组分准确、结晶状况良好、质地均匀致密、无变形、空洞及其它明显缺陷。
2.选择衬底：选择SrTiO3作为衬底，用丙酮和酒精对选定的衬底进行超声清冼，清洗干净后放入反应室内加热台上备用，关闭反应室；
3.开启真空泵，将反应室抽真空至背底真空优于1.0×10-4Pa；
4.通过加热器将衬底加热至生长温度700℃；
5.向反应室内通入氧气和氩气的混合气体，其中氧气：氩气的压强比为1/3，并控制反应室的气压为45Pa；
6.开启溅射靶位的冷却水和溅射电源，并调节溅射电流为200-300mA，对LCCO靶材表面进行预溅射，时间为15-30分钟；
7.先调节溅射电流为250mA，然后将加热台移至靶位处，开始在衬底上沉积LCCO薄膜，溅射时间40分钟；
8.反应结束后，停止通入反应气体，对反应室抽真空至真空度优于2×1-4Pa，然后将制备有LCCO薄膜的衬底降温到退火温度600℃进行退火，退火时间30分钟；
9.最后将制备有LCCO薄膜的衬底自然冷却至室温，冷却期间真空泵一直处于工作状态，以保持反应室内真空度优于2×10-4Pa。
经过上述方法制备得到的电子型高温超导体La2-xCexCuO4薄膜，其X射线衍射图如图1所示，从图中可以看出薄膜具有单一取向，结晶度高；
测量上述电子型高温超导体LCCO薄膜样品的电阻-温度曲线，如图3所示，样品的超导起始转变温度为28.5K，当温度下降至零电阻转变温度TC0＝26.5K时，完全超导。
实施例2
本实施例中，衬底选取MgO；靶材选取欠掺杂的，其配比为x＝0.08；生长温度为600℃，反应室中混合气体的压强比为氧气：氩气＝1/4，反应室气压为40Pa，生长时的溅射电流为300mA，溅射时间30，退火温度500℃，退火时间60分钟，其他步骤和参数与实施例1相同，本实施例制备的LCCO薄膜样品，其超导转变温度为5.0K，该样品的表面形貌如图2所示，从图中可以看出采用本发明的方法所生长的LCCO薄膜表面非常平整，其表面平均粗糙度约为2纳米。
实施例3
本实施例中，衬底选取LaAlO3，靶材选取过掺杂的，其配比为x＝0.16，生长温度为800℃，反应室中混合气体的压强比为氧气：氩气＝1/4，反应室气压为50Pa，生长时的溅射电流为300mA，溅射时间80分钟，退火温度650℃，退火时间40分钟，其他步骤和参数与实施例1相同，本实施例制备的LCCO薄膜样品，其超导转变温度为12.0K
实施例4
本实施例中，衬底选取SrTiO3，靶材选取近最佳掺杂的，其配比为x＝0.10，生长温度为725℃，反应室中混合气体的压强比为氧气：氩气＝1/4，反应室气压为45Pa，生长时的溅射电流为200mA，溅射时间50分钟，退火温度620℃，退火时间40分钟，其他步骤和参数与实施例1相同，本实施例制备的LCCO薄膜样品，其超导转变温度为27.0K。
Claims (2)
1.一种制备电子型高温超导体La2-xCexCuO4薄膜的方法，其特征在于，在直流磁控溅射设备中进行，包括以下步骤：
1).按照La2-xCexCuO4，其中0.08≤x≤0.16配比，采用固相反应法制成La2-xCexCuO4陶瓷靶材，安装到反应室的靶座上；
2).选择衬底：衬底为SrTiO3、MgO或LaAlO3，清洗干净放入反应室内加热台上备用，关闭反应室；
3).将反应室抽真空至背底真空小于2.0×10-4Pa；
4).通过加热器将衬底加热至温度为600-800℃；
5).首先向反应室内通入氧气和氩气的混合气体，其中氧气：氩气的压强比为1/4～1/3，并控制反应室的气压为40-50Pa；
6).然后对La2-xCexCuO4陶瓷靶材表面进行预溅射；
7).接着调节溅射电流为200-300mA，然后将加热台移至靶位处，开始在衬底上制备La2-xCexCuO4薄膜，溅射时间30-80分钟；
8).反应结束后，停止通入反应气体，抽真空至真空度小于2×10-4Pa，然后将制备有La2-xCexCuO4薄膜的衬底降温到退火温度，进行退火，所述退火温度为500～650℃，所述退火时间30～60分钟；
9).最后将制备有La2-xCexCuO4薄膜的衬底自然冷却至室温。
2.按照权利要求1所述的制备电子型高温超导体La2-xCexCuO4薄膜的方法，其特征在于，步骤6)中对La2-xCexCuO4陶瓷靶材表面进行预溅射的条件：预溅射电流为200-300mA，预溅射时间为15-30分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200610169542A CN101206935B (zh) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | 一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200610169542A CN101206935B (zh) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | 一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101206935A CN101206935A (zh) | 2008-06-25 |
| CN101206935B true CN101206935B (zh) | 2010-05-19 |
Family
ID=39567026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200610169542A Expired - Fee Related CN101206935B (zh) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | 一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101206935B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102909909B (zh) * | 2012-10-30 | 2015-08-19 | 桂林电子科技大学 | 一种表面含铜铈薄膜的抗菌不锈钢及其制备方法 |
| CN104480426B (zh) * | 2014-11-05 | 2017-02-01 | 昆明理工大学 | 一种取向可控薄膜的制备方法 |
| CN113838965B (zh) * | 2021-09-30 | 2024-01-30 | 上海电力大学 | 一种独立式高温超导薄膜的制备方法 |
-
2006
- 2006-12-22 CN CN200610169542A patent/CN101206935B/zh not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (6)
| Title |
|---|
| JP特开平7-187672A 1995.07.25 |
| JP特开平8-64879A 1996.03.08 |
| 吴昊等.La1.89Ce0.11CuO4/La0.7Ca0.3MnO3异质结的原位制备及输运性质研究.低温物理学报27 5.2005,27(5),498-502. |
| 吴昊等.La1.89Ce0.11CuO4/La0.7Ca0.3MnO3异质结的原位制备及输运性质研究.低温物理学报27 5.2005,27(5),498-502. * |
| 袁洁等.电子型高温超导体/铁电体/巨磁阻材料异质结的生长及其电输运性质的研究.低温物理学报27 5.2005,27(5),696-699. |
| 袁洁等.电子型高温超导体/铁电体/巨磁阻材料异质结的生长及其电输运性质的研究.低温物理学报27 5.2005,27(5),696-699. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101206935A (zh) | 2008-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6172009B1 (en) | Controlled conversion of metal oxyfluorides into superconducting oxides | |
| Paranthaman et al. | YBa2Cu3O7-y− coated conductors with high engineering current density | |
| CN103985479A (zh) | 一种低成本高温超导涂层导体带材的制备方法 | |
| CN110629177A (zh) | 适用于生产二代高温超导带材的工艺方法 | |
| KR0132061B1 (ko) | 초전도 박막의 제작 방법 | |
| CN102610322A (zh) | 高温超导涂层导体双层缓冲层结构及其动态沉积方法 | |
| CN109554674A (zh) | 一种具有异质结构的碲化铋热电薄膜的制备方法 | |
| CN101206935B (zh) | 一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法 | |
| CN114921773A (zh) | 一种金刚石基稀土掺杂单层或多层功能薄膜的制备方法 | |
| CN101235539B (zh) | 外延生长La1-xCaxMnO3单晶薄膜的方法 | |
| CN100593583C (zh) | 一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法 | |
| JPH10223070A (ja) | 超電導テープ材の製造方法 | |
| CN105525267A (zh) | 一种磁控溅射法制备涂层导体Y1-XRExBCO超导层的方法 | |
| CN115838186B (zh) | 一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用 | |
| Sayeed et al. | Fabrication of superconducting Nb3Sn film by Co-sputtering | |
| Lu et al. | Crystalline characteristics and superconducting properties of Bi2212 thin films prepared by the Pechini sol–gel method: the effect of different substrates on the film growth | |
| CN114380340B (zh) | 无限层镍基超导体前驱物Nd1-xSrxNiO3的制备方法 | |
| Zhang et al. | Tunable Density of FeSe $ _ {1-x} $ Te $ _x $ Targets With High Pressure Sintering | |
| JPH01275434A (ja) | 酸化物高温超電導膜の製造法 | |
| Wiesmann et al. | Effect of stoichiometry and post‐annealing conditions on magnetron sputtered films of YBa2Cu3O7 on cubic zirconia | |
| CN113838965B (zh) | 一种独立式高温超导薄膜的制备方法 | |
| CN116553913B (zh) | 一种YbBCO超导块体的制备方法 | |
| Nagata et al. | Preparation of Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O Thin Films by Sputtering under a Variable Magnetic Field | |
| JPH0238310A (ja) | 酸化物高温超電導薄膜の製造方法 | |
| Coleman et al. | Preparation of high T c (Yb, Y) Ba 2 Cu 3 O 7-δ thin films by co-evaporation from effusion cells |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100519 Termination date: 20121222 |