CN101183198B - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于防止竖直线缺陷的液晶显示装置，其包括沿第N(其中N是自然数)条水平线以红色、绿色、和蓝色的次序重复布置的子像素、以及以与第N条水平线交错的结构形成的且沿第(N+1)条水平线以绿色、蓝色、和红色的次序布置的子像素。栅极线沿水平线形成。数据线形成为与栅极线交叉且数据线与栅极线之间设置有栅极绝缘层，并且数据线形成为沿交错结构的子像素而弯折。薄膜晶体管连接于栅极线和数据线，并且像素电极连接于薄膜晶体管。存储电极与像素电极相交迭，并且存储电极与像素电极之间设置有栅极绝缘层和钝化层，以便形成存储电容。第(N+1)条水平线的红色存储电容器的电容大于第N条水平线的红色存储电容器的电容。

Description

液晶显示装置及其制造方法
相关申请交叉参考 
本申请要求于2006年11月15日提交的第2006-0112798号韩国专利申请的优先权以及在35U.S.C§119下应享有的所有权益，其公开内容全部结合于此作为参考。 
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(“LCD”)装置，更具体地说，涉及一种防止布置成德尔塔(delta)形状的子像素的竖直线缺陷的LCD装置及制造方法。
背景技术
LCD装置通常采用薄膜晶体管(“TFT”)基板，该基板包括：栅极线，供应扫描信号；数据线，供应数据信号，并与栅极线相交叉(并且栅极线与数据线之间设置有栅极绝缘层)；TFT，连接于栅极线与数据线之间；以及像素电极，连接于TFT，并且形成在红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)像素区域中。
TFT包括：栅电极，连接于栅极线；源电极，连接于数据线；漏电极，连接于像素电极；半导体层，用于在源电极与漏电极之间形成通道，同时半导体层与栅电极交迭，并且栅电极与半导体层之间设置有栅极绝缘层；以及欧姆接触层，用于在半导体层与源电极 和漏电极之间提供欧姆接触。TFT响应于栅极线的扫描信号而将数据线的像素数据信号供应给像素电极。
当接收到来自于TFT的像素数据信号时，像素电极利用与滤色片基板的共用电极的电压差来驱动液晶分子，从而改变光透射率。栅极线沿横向方向彼此平行，并且向TFT供应扫描信号。
诸如数码照相机的低分辨率显示装置采用视频信息来表现图像而不是特征，并且使用具有适于曲线表现的德尔塔像素排列的TFT基板。
数据线被弯折，以便防止数据线与布置成德尔塔形状的像素电极相交迭，并且向TFT供应视频数据信号。德尔塔排列的像素电极形成为使得第一水平方向的子像素区域以红色R1、绿色G1、和蓝色B1的次序布置，并且第二水平方向的子像素区域以绿色G2、蓝色B2、和红色R2的次序布置。第一水平方向的子像素和第二水平方向的子像素重复地形成。第一水平方向的红色子像素和第二水平方向的绿色和蓝色子像素构成一个像素。在德尔塔形子像素排列的LCD装置中，三条数据线连接于第一数据驱动器的一个输出节点。每次供应扫描信号，均顺序地向所述三条数据线供应像素数据信号。
当三条数据线连接于数据驱动器的一个输出节点时，向第一栅极线的第一像素电极充电的像素数据信号与向相邻栅极线的第三像素电极充电的像素数据信号在充电时间方面不同。因此，由于表现相同颜色的像素电极的充电率之间的差异，所以出现显示缺陷，例如竖直线缺陷。
发明内容
本发明提供一种LCD装置及其制造方法，通过使沿第二水平线布置的红色子像素的存储电容器的电容比沿第一水平线布置的红色子像素的存储电容器的电容增加得多，其能够防止由红色子像素的充电率的差异而导致的竖直线缺陷。
根据本发明的示例性实施例，液晶显示装置包括：沿第N(其中N是自然数)条水平线以红色、绿色、和蓝色的次序重复布置的子像素、以及以与第N条水平线交错的结构形成的且沿第(N+1)条水平线以绿色、蓝色、和红色的次序重复布置的子像素；栅极线，沿水平线形成；数据线，形成为与栅极线交叉且数据线与栅极线之间设置有栅极绝缘层，并且数据线形成为沿交错结构的子像素而弯折；薄膜晶体管，连接于栅极线和数据线；像素电极，连接于薄膜晶体管；以及存储电极，与像素电极相交迭，并且存储电极与像素电极之间设置有栅极绝缘层和钝化层，以便形成红色、绿色、和蓝色存储电容，其中，第(N+1)条水平线的红色存储电容器的电容大于第N条水平线的红色存储电容器的电容。
在一些实施例中，第N条水平线的绿色和蓝色存储电容器中的每一个电容器的电容均大于第N条水平线的红色存储电容器的电容，并且第(N+1)条水平线的绿色和蓝色存储电容器中的每一个电容器的电容均小于第(N+1)条水平线的红色存储电容器的电容。
在一些实施例中，第N条水平线的绿色和蓝色存储电容器的电容基本上彼此相同，第(N+1)条水平线的绿色和蓝色存储电容器的电容基本上彼此相同，并且第N条水平线的绿色和蓝色存储电容器中的每一个电容器的电容均大于第(N+1)条水平线的绿色和蓝色存储电容器中的每一个电容器的电容。
在一些实施例中，第N条水平线的红色、绿色、和蓝色存储电容器的电容之和基本上与第(N+1)条水平线的绿色、蓝色、和红色存储电容器的电容之和相同。
在一些实施例中，形成于第(N+1)条水平线的红色子像素中的存储电极的面积大于形成于第N条水平线的红色子像素中的存储电极的面积。
在一些实施例中，形成于第N条水平线的绿色和蓝色子像素中的每一个存储电极的面积均大于形成于第N条水平线的红色子像素中的存储电极的面积，并且形成于第(N+1)条水平线的红色子像素中的存储电极的面积大于形成于第(N+1)条水平线的绿色和蓝色子像素中的每一个存储电极的面积。
在一些实施例中，形成于第N条水平线的绿色和蓝色子像素中的每一个存储电极的面积均大于形成于第(N+1)条水平线的绿色和蓝色子像素中的每一个存储电极的面积。
在一些实施例中，形成于第N条水平线的红色、绿色、和蓝色子像素中的存储电极的面积之和基本上与形成于第(N+1)条水平线的红色、绿色、和蓝色子像素中的存储电极的面积之和相同，并且形成于第(N+1)条水平线的红色子像素的存储电极与像素电极之间的钝化层的厚度比形成于第N条水平线的红色子像素的存储电极与像素电极之间的钝化层的厚度薄。
在一些实施例中，形成于第N条水平线的蓝色和绿色子像素中的每一个子像素的存储电极与像素电极之间的钝化层的厚度比形成于第N条水平线的红色子像素的存储电极与像素电极之间的钝化层的厚度薄，并且形成于第(N+1)条水平线的红色子像素的存储电极与像素电极之间的钝化层的厚度比形成于第(N+1)条水平 线的绿色和蓝色子像素中的每一个子像素的存储电极与像素电极之间的钝化层的厚度薄。
在一些实施例中，形成于第N条水平线的绿色子像素的存储电极与像素电极之间的钝化层的厚度基本上与形成于第N条水平线的蓝色子像素的存储电极与像素电极之间的钝化层的厚度相同，形成于第(N+1)条水平线的绿色子像素的存储电极与像素电极之间的钝化层的厚度基本上与形成于第(N+1)条水平线的蓝色子像素的存储电极与像素电极之间的钝化层的厚度相同，形成于第N条水平线的绿色和蓝色子像素中的每一个子像素的存储电极与像素电极之间的钝化层的厚度比形成于第(N+1)条水平线的绿色和蓝色子像素中的每一个子像素的存储电极与像素电极之间的钝化层的厚度薄。
在一些实施例中，液晶显示装置进一步包括：栅极驱动器，向栅极线供应扫描信号；以及数据驱动器，向数据线供应像素数据信号，并且具有连接于多条数据线的一条输出线。
在一些实施例中，液晶显示装置进一步包括：多个晶体管，连接于数据驱动器的所述一条输出线与多条数据线之间，以便顺序地接通数据线。
根据本发明的另一示例性实施例，制造液晶显示装置的方法包括：在沿第N(其中N是自然数)条水平线以红色、绿色、和蓝色的次序重复布置的子像素中、以及以与第N条水平线交错的结构形成的且沿第(N+1)条水平线以绿色、蓝色、和红色的次序重复布置的子像素中，沿水平线形成栅极线；形成数据线，该数据线与栅极线交叉且数据线与栅极线之间设置有栅极绝缘层，并且该数据线沿交错结构的子像素而弯折；形成连接于栅极线和数据线的薄膜晶体管；形成连接于薄膜晶体管的像素电极；以及形成存储电极，该 存储电极与像素电极相交迭，并且存储电极与像素电极之间设置有栅极绝缘层和钝化层中，以便形成红色、绿色、和蓝色存储电容器，其中，第(N+1)条水平线的红色存储电容器的电容大于第N条水平线的红色存储电容器的电容。
在一些实施例中，形成于第(N+1)条水平线的红色子像素中的存储电极的面积大于形成于第N条水平线的红色子像素中的存储电极的面积。
在一些实施例中，形成于第N条水平线的绿色子像素中的存储电极的面积基本上与形成于第N条水平线的蓝色子像素中的存储电极的面积相同，形成于第(N+1)条水平线的绿色子像素中的存储电极的面积基本上与形成于第(N+1)条水平线的蓝色子像素中的存储电极的面积相同，形成于第N条水平线的绿色和蓝色子像素中的每一个存储电极的面积均大于形成于第(N+1)条水平线的绿色和蓝色子像素中的每一个存储电极的面积，形成于第N条和第(N+1)条水平线的绿色和蓝色子像素中的每一个存储电极的电容均大于形成于第N条水平线的红色子像素中的存储电极的电容，并且均小于形成于第(N+1)条水平线的红色子像素中的存储电极的电容。
在一些实施例中，将存储电极形成为具有相同的面积，并且将与形成于第N条和第(N+1)条水平线的红色、绿色、和蓝色子像素中的存储电极相交迭的钝化层形成为具有不同的厚度。
在一些实施例中，与形成于第(N+1)条水平线的红色子像素中的存储电极相交迭的钝化层的厚度比与形成于第N条水平线的红色子像素中的存储电极相交迭的钝化层的厚度薄。
在一些实施例中，与形成于第(N+1)条水平线的绿色和蓝色子像素中的存储电极相交迭的钝化层具有相同的厚度，与形成于第(N+1)条水平线的绿色和蓝色子像素中的每一个存储电极相交迭的钝化层的厚度比与形成于第N条水平线的红色子像素中的存储电极相交迭的钝化层的厚度薄，并且比与形成于第(N+1)条水平线的红色子像素中的存储电极相交迭的钝化层的厚度厚，与形成于第N条水平线的绿色和蓝色子像素中的存储电极相交迭的钝化层具有相同的厚度，与形成于第N条水平线的绿色和蓝色子像素中的每一个存储电极相交迭的钝化层的厚度比与形成于第N条水平线的红色子像素中的存储电极相交迭的钝化层的厚度薄并且比与形成于第(N+1)条水平线的红色子像素中的存储电极相交迭的钝化层的厚度厚。
在一些实施例中，制造液晶显示装置的方法进一步包括：在钝化层上形成光刻胶层；通过掩模对光刻胶层进行图案化，所述掩模具有第一狭缝区域、第二狭缝区域、和第三狭缝区域，第一狭缝区域对应于形成于第N条水平线的绿色和蓝色子像素中的存储电极，第二狭缝区域对应于形成于第(N+1)条水平线的绿色和蓝色子像素中的存储电极，第三狭缝区域对应于形成于第(N+1)条水平线的红色子像素中的存储电极；以及通过光刻胶层对钝化层进行蚀刻；其中，第一至第三狭缝区域的尺寸基本上彼此相同，第一狭缝区域的狭缝的数量少于第二狭缝区域的狭缝的数量，并且第三狭缝区域的狭缝的数量少于第一狭缝区域的狭缝的数量，并且第一至第三狭缝区域的狭缝之间的距离相等。
根据本发明的又一示例性实施例，液晶显示装置包括：沿第N(其中N是自然数)条水平线以红色、绿色、和蓝色的次序重复布置的子像素、以及以与第N条水平线交错的结构形成的且沿第(N+1)条水平线以绿色、蓝色、和红色的次序重复布置的子像素； 栅极线，沿水平线形成；数据线，形成为与栅极线交叉且数据线与栅极线之间设置有栅极绝缘层，并且数据线形成为沿交错结构的子像素而弯折；薄膜晶体管，连接于栅极线和数据线；像素电极，连接于薄膜晶体管；以及存储电极，与像素电极相交迭，并且存储电极与像素电极之间设置有栅极绝缘层和钝化层，以便形成红色、绿色、和蓝色存储电容器；其中，第N条水平线的红色、绿色、和蓝色存储电容器的电容分别与第(N+1)条水平线的红色、绿色、和蓝色存储电容器的电容不同。
附图说明
通过参照附图描述本发明的示例性实施例，本发明上述的和其它的特征和优点将变得更加显而易见，附图中：
图1是示出了根据本发明示例性实施例的LCD装置的平面图；
图2是示出了当图1的LCD装置被驱动时相对于扫描信号向子像素充电的数据的波形图；
图3是示出了根据本发明第一示例性实施例的TFT基板的平面图；
图4是沿图3的TFT基板的线I-I’、II-II’和III-III’截取的截面图；
图5是沿图3的TFT基板的线V-V’、VI-VI’和VII-VII’截取的截面图；
图6是示出了在图4的TFT基板的颜色布置中的存储电容器的比值的视图；
图7A到图7E是示出了用于制造根据本发明第一示例性实施例的TFT基板的工艺的截面图；
图8是示出了根据本发明第二示例性实施例的TFT基板的平面图；
图9是沿图8的TFT基板的线I-I’、II-II’和III-III’截取的截面图；
图10是沿图8的TFT基板的线V-V’、VI-VI’和VII-VII’截取的截面图；以及
图11A到图11H是示出了用于制造根据本发明第二示例性实施例的TFT基板的工艺的截面图。
具体实施方式
下面，将参照图1至图11H详细描述本发明的示例性实施例。
参照图1，根据本发明示例性实施例的LCD装置包括：LCD面板；栅极驱动器130，用于向LCD面板供应扫描信号；数据驱动器120，用于向LCD面板供应像素数据信号；以及背光单元(未示出)，用于向LCD面板供应光线。
背光单元包括：光源，诸如灯或发光二极管，用于产生光线；导光板，用于将从光源供应的光线引导到LCD面板；多个光学片，包括反射片、扩散片、以及棱镜片(prism sheet)，以便提高从导光板供应的光线的效率。反射片位于导光板下方，并且将被供应到导光板下侧的光线朝向导光板反射，从而提高光线使用的效率。
栅极驱动器130顺序地将扫描信号供应给栅极线GL1至GLn，以驱动栅极线GL1至GLn。栅极驱动器130可以以非晶硅门(amorphous silicon gate“ASG”)的形式而一体形成于TFT基板上，或者可以以将芯片固定于玻璃片上(chip-on-glass，“COG”)的形式而安装于TFT基板上。
只要扫描信号被供应给栅极线GL1至GLn，则数据驱动器120就会向数据线DL1至DLm供应像素数据信号。数据驱动器120的一个输出节点被分成连接于三条数据线的三个节点，并且在所述节点与所述数据线之间设置有三个晶体管TR1至TR3。第一至第三晶体管TR1至TR3由从控制器(未示出)供应的控制信号SCS而被顺序地接通。如图2所示，当向栅极线供应扫描信号时，第一至第三晶体管TR1至TR3顺序地被接通扫描信号的三分之一周期的时间。因此，像素数据信号被顺序地供应给第m条数据线DLm、第(m+1)条数据线DLm+1、和第(m+2)条数据线DLm+2。第一至第三晶体管TR1至TR3可以一体地形成于TFT基板上。
数据驱动器120可以一体形成于TFT基板上，或者可以作为COG的形式安装。可替换地，数据驱动器120以数据载体封装形式(data carrier package form)连接于电路板和LCD面板。
LCD面板包括：TFT基板，其中形成有TFT阵列；滤色片基板，其中形成有滤色片阵列；以及液晶层，设置于TFT基板与滤色片基板之间。
液晶层由具有介电各向异性的液晶分子形成。液晶分子由于形成在TFT基板上的像素电极100与形成在滤色片基板上的共用电极之间的电压差而产生的竖直电场而扭曲，从而改变从背光单元(未示出)入射的光线的透射率。
滤色片基板包括：黑色矩阵，对应于TFT、栅极线、和数据线，并且防止光线泄漏；滤色片，在被分成黑色矩阵的区域中对应于形成在TFT基板上的像素电极，并显示颜色；以及共用电极，形成黑色矩阵和滤色片上。
TFT基板形成为使得TFT阵列形成于基板10上。
下面，将参照图3至图11H详细描述TFT基板。
图3是示出了根据本发明第一示例性实施例的TFT基板1的平面图，图4是沿图3的TFT基板的线I-I’、II-II’和III-III’截取的截面图，并且图5是沿图3的TFT基板的线V-V’、VI-VI’和VII-VII’截取的截面图。
参照图3至图5，子像素沿供应扫描信号的第N(其中N是自然数)条水平线以红色R1、绿色G1、和蓝色B1的次序并且沿第N+1条水平线以绿色G2、蓝色B2、和红色R2的次序被重复地布置。第N条水平线中的子像素与第N+1条水平线中的子像素交错布置。栅极线GL1至GLn沿水平线而形成。数据线DL1至DLm与栅极线GL1至GLn相交叉，并且数据线DL1至DLm与栅极线GL1至GLn之间设置有栅极绝缘层30，并且数据线DL1至DLm被形成为沿交错的子像素而弯折。TFT 200连接于栅极线GL1至GLn和数据线DL1至DLm中的每一条。像素电极100连接于TFT200，并且形成于每个子像素中。存储电极21至26中的每一个均通过在每个子像素区域中交迭像素电极100而形成存储电容器，并且在存储电极21至26与像素电极100之间设置有钝化层80。第(N+1)条水平线的红色存储电容器st6的电容Cst6大于第N条水平线的红色存储电容器st1的电容Cst1。
第一水平线和第二水平线被重复地形成，其中所述第一水平线中以红色R1、绿色G1、和蓝色B1的次序顺序地形成有子像素，在所述第二水平线中以绿色G2、蓝色B2、和红色R2的次序顺序地形成有子像素。因此，构成一个像素的子像素被布置成德尔塔形。
TFT 200包括：栅电极，连接于栅极线；源电极60，连接于数据线；漏电极70，连接于像素电极100；半导体层40，用于在源电极60与漏电极70之间形成通道，同时半导体层与栅电极20交迭，并且栅电极与半导体层之间设置有栅极绝缘层30；以及欧姆接触层50，用于在半导体层40与源电极60和漏电极70之间提供欧姆接触。TFT 200响应于栅极线的扫描信号而将数据线的像素数据信号供应给像素电极100。
像素电极100形成于覆盖TFT 200的钝化层80上，并且通过穿透钝化层80借助于像素接触孔90而连接于漏电极70。当从TFT200供应像素数据信号时，像素电极100通过使用与滤色片基板的共用电极的电压差来驱动液晶，从而改变光线透射率。
栅极线GL1至GLn沿水平方向形成，并且向TFT 200的栅电极20供应扫描信号。
数据线DL1至DLm与栅极线GL1至GLn相交叉，并且被形成为沿竖直方向弯折。数据线DL1至DLm向TFT 200的源电极60供应像素数据信号。数据线DL1至DLm沿像素电极100的周边而弯折。
栅极线GL1至GLn和数据线DL1至DLm彼此交叉，并且栅极线GL1至GLn与数据线DL1至DLm之间设置有栅极绝缘层30，并且栅极线GL1至GLn和数据线DL1至DLm限定了德尔塔形的子像素区域。
第一至第六存储电容器st1至st6形成为，使得连接到平行于栅极线GL1至GLn形成的存储线SL1至SLn的第一至第六存储电极21至26交迭于像素电极100，并且在存储电极21至26与像素电极100之间设置有栅极绝缘层30和钝化层80。形成于第一水平线的G1子像素区域中的第二存储电极22的面积基本上与形成于第一水平线的B1子像素区域中的第三存储电极23的面积相同。形成于第一水平线的R1子像素区域中的第一存储电极21的面积小于第二和第三存储电极22和23中的每一个存储电极的面积。形成于第二水平线的G2子像素区域中的第四存储电极24的面积基本上与形成于第二水平线的B2子像素区域中的第五存储电极25的面积相同。形成于第二水平线的R2子像素区域中的第六存储电极26的面积大于第四和第五存储电极24和25中的每一个存储电极的面积。
下面，将通过方程(1)的实例来描述根据本发明的第一示例性实施例的TFT基板的存储电极的面积的比值。
Cst = ϵ A d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ( 1 )
其中，Cst是存储电容器的电容，A是存储电极的面积，d是存储电容器的两个电极之间的距离，并且ε是形成于存储电容器的两个电极之间的介电材料的介电常数。由于介电常数ε表示材料的独有特性，所以根据用作介电材料的栅极绝缘层30和钝化层80中的每一个的介电常数，介电常数ε为固定常数。
因此，存储电容器的电容Cst根据存储电极的面积或存储电容器的两个电极之间的距离来确定。假设第六存储电极26的面积比第一存储电极21的面积大三倍，则第六存储电容器st6的电容Cst6是第一存储电容器st1的电容Cst1的三倍。即，形成于第一水平线的R1子像素区域中的第一存储电极21和形成于第二水平线的R2 子像素区域中的第六存储电极26具有不同的面积。优选地，第六存储电极26的面积比第一存储电极21的面积大三倍。而且，形成于第一水平线的G1子像素区域中的第二存储电极22和形成于第二水平线的G2子像素区域中的第四存储电极24具有不同的面积。形成于第一水平线的B1子像素区域中的第三存储电极23和形成于第二水平线的B2子像素区域中的第五存储电极25具有不同的面积。
虽然第二水平线的R2子像素区域的像素数据信号的充电时间比第一水平线的R1子像素区域的像素数据信号的充电时间短，但是由于第六存储电容器st6的电容Cst6是第一存储电容器st1的电容Cst1的三倍，所以补偿了充电时间，并且防止了竖直线缺陷。
如图6所示，第一水平线的R1、G1、和B1子像素区域的第一至第三存储电容器st1至st3的电容Cst1至Cst3的总和应该与第二水平线的G2、B2、和R2子像素区域的第四至第六存储电容器st4至st6的电容Cst4至Cst6的总和相同。因此，第二和第三存储电容器st2和st3的电容Cst2和Cst3中的每一个均为第一存储电容器st1的电容Cst1的2.5倍，并且第四和第五存储电容器st4和st5的电容Cst4和Cst5中的每一个电容均为第一存储电容器st1的电容Cst1的1.5倍。
图7A至图7E是示出了用于制造根据本发明第一示例性实施例的TFT基板的工艺的截面图。尽管图7A至图7E是示出了利用5个掩模工序来制造TFT基板的工艺，也可以使用3或4个掩模工序。
图7A示出了用于制造根据本发明第一示例性实施例的TFT基板的工艺中的第一掩模工序。
参照图7A，通过第一掩模工序在基板10上形成第一导电图案组，所述第一导电图案组包括：栅极线GL1至GLn、栅电极20、存储线SL1至SLn、以及第一至第六存储电极21至26。
特别地，通过诸如溅射的沉积方法在诸如有机材料或塑料的透明材料的基板10上形成第一导电层。第一导电层可以以由诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、和钼(Mo)或它们的合金的金属构成的单层结构的方式形成，或者以由这些金属的组合物构成的多层结构的方式形成。
通过利用第一掩模的光刻工序和蚀刻工序来对第一导电层进行图案化，从而形成包括栅极线GL1至GLn、栅电极20、存储线SL1至SLn、以及第一至第六存储电极21至26的第一导电图案组。第一至第三存储电极21至23形成于第一水平线的R1、G1、和B1子像素区域中，而第四至第六存储电极24至26形成于第二水平线的G2、B2、和R2子像素区域中。
形成于第二水平线的R2子像素区域中的第六存储电极26的面积大于形成于第一水平线的R1子像素区域中的第一存储电极21的面积。优选地，第六存储电极26的面积是第一存储电极21的面积的三倍。第二和第三存储电极22和23中的每一个存储电极的面积均形成为大于第一存储电极21的面积，优选地，大1.5倍。而且，优选地，第四和第五存储电极24和25中的每一个存储电极的面积均为第一存储电极21的面积的1.5倍。
第一水平线的R1、G1、和B1子像素区域的第一至第三存储电极21至23的面积的总和基本上与第二水平线的G2、B2、和R2子像素区域的第四至第六存储电极24至26的面积的总和相同。
图7B示出了用于制造根据本发明第一示例性实施例的TFT基板的工艺中的第二掩模工序。
参照图7B，通过第二掩模工序在其上形成有第一导电图案组的基板10上顺序地形成栅极绝缘层30、半导体层40、和欧姆接触层50。
特别地，通过诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或化学气相沉积(CVD)的沉积方法，在其上形成有栅极线GL1至GLn、栅电极20、存储线SL1至SLn、和第一至第六存储电极21至26的基板上顺序地沉积栅极绝缘层30、非晶硅层、和掺杂非晶硅层。通过利用第二掩模的光刻工序以及蚀刻工序，对非晶硅层和掺杂非晶硅层进行图案化，从而形成半导体层40和欧姆接触层50。诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料被用作栅极绝缘层30。可以通过利用激光晶化或固相晶化方法在通道区域上将非晶硅层转化为多晶硅层来形成半导体层40。
图7C示出了用于制造根据本发明第一示例性实施例的TFT基板的工艺中的第三掩模工序。
参照图7C，通过第三掩模工序，在其上形成有半导体层40、欧姆接触层50、和栅极绝缘层30的基板10上形成第二导电图案组，该第二导电图案组包括源电极60、漏电极70、和数据线DL1至DLm。
特别地，通过诸如溅射的沉积方法在其上形成有半导体层40、欧姆接触层50、和栅极绝缘层30的基板10上沉积第二导电层。通过利用第三掩模的光刻工序以及蚀刻工序对第二导电层进行图案化而形成第二导电图案组。将欧姆接触层50上的源电极60和漏电极70形成为彼此面对。将数据线DL1至DLm形成为连接于源电 极60。以由诸如Al、Cr、Cu、和Mo或它们的合金的金属构成的单层结构来形成第二导电层，或者以由这些金属的组合物构成的多层结构来形成该第二导电层。第三掩模可以通过狭缝掩模或半透射掩模形成短通道，在所述狭缝掩模或半透射掩模中，在待形成通道的区域中形成有狭缝。可以通过增加通道的宽度或减少通道的长度而改善TFT的特性。
图7D示出了用于制造根据本发明第一示例性实施例的TFT基板的工艺中的第四掩模工序。
参照图7D，通过第四掩模工序，在其上形成有第二导电图案组的栅极绝缘层30上形成具有像素接触孔90的钝化层80。
特别地，通过诸如PECVD或CVD的沉积方法在其上形成第二导电图案组的基板上形成钝化层80。通过利用第四掩模的光刻工序以及蚀刻工序形成像素接触孔90，该像素接触孔通过穿透钝化层80而露出漏电极70。诸如栅极绝缘层30的无机绝缘材料或有机绝缘材料被用作钝化层80。
图7E示出了用于制造根据本发明第一示例性实施例的TFT基板的工艺中的第五掩模工序。
参照图7E，通过第五掩模工序在钝化层80上形成像素电极100。
特别地，通过利用诸如溅射的沉积方法，在钝化层80上形成透明导电层。接着，通过利用第五掩模的光刻工序以及蚀刻工序对该透明导电层进行图案化。透明导电层使用诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(TO)、氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电材料。像素电极100通过像素接触孔90而连接于漏电极70。像素 电极100独立地形成于子像素区域中。像素电极100与第一至第六存储电极21至26交迭，从而形成第一至第六存储电容器st1至st6。
图8是示出了根据本发明第二示例性实施例的TFT基板的平面图，并且图9和图10是沿图8的TFT基板的线截取的截面图。
图8至图10的结构均与图3至图5的结构相同，除了以下差异之外：形成于第一水平线中的第一至第三存储电极521至523和形成于第二水平线中的第四至第六存储电极524至526基本上彼此相同；第一存储电极521与像素电极100之间的钝化层580的厚度和第六存储电极526与像素电极100之间的钝化层580的厚度不同；第二存储电极522与像素电极100之间的钝化层580的厚度和第四存储电极524与像素电极100之间的钝化层580的厚度不同；第三存储电极523与像素电极100之间的钝化层580的厚度和第五存储电极525与像素电极100之间的钝化层580的厚度不同；第二存储电极522与像素电极100之间的钝化层580的厚度和第三存储电极523与像素电极100之间的钝化层580的厚度基本相同；第四存储电极524与像素电极100之间的钝化层580的厚度和第五存储电极525与像素电极100之间的钝化层580的厚度基本相同，因此将省略对重复元件的详细描述，并且与图3至图5相同的元件将被标以与图3至图5相同的参考标号。
参照图8至图10，为了使第六存储电容器st6的电容Cst6为第一存储电容器st1的电容Cst1的三倍，将第六存储电极526与像素电极100之间的距离设置为第一存储电极521与像素电极100之间的距离的1/3倍。即，将形成在第六存储电极526与像素电极100之间的栅极绝缘层30和钝化层580的厚度之和设置为形成于第一存储电极521与像素电极100之间的栅极绝缘层30和钝化层的厚度之和的1/3倍。为此，可以去除与第六存储电极526交迭的钝化层580，或者可以去除形成于钝化层580下方的栅极绝缘层30的一 部分。优选地，仅去除钝化层580，从而栅极绝缘层30可以使第六存储电极526与像素电极100绝缘。
因为每个第二和第三存储电容器st2和st3的电容Cst2和Cst3均为第一存储电容器st1的电容Cst1的2.5倍，所以将形成于每个第二和第三存储电极522和523与像素电极100之间的钝化层580和栅极绝缘层30的厚度之和设置为形成于第一存储电极521与像素电极100之间的钝化层580和栅极绝缘层30的厚度之和的1/2.5倍。而且，因为每个第四和第五存储电容器st4和st5的电容Cst4和Cst5均为第一存储电容器st1的电容Cst1的1.5倍，所以将形成于每个第四和第五存储电极524和525与像素电极100之间的钝化层580和栅极绝缘层30的厚度之和设置为形成于第一存储电极521与像素电极100之间的钝化层580和栅极绝缘层30的厚度之和的1/1.5倍。在这种情况下，因为形成于第一至第六存储电极521至526与像素电极100之间的栅极绝缘层30应该具有能够确保第一至第六存储电极521至526与像素电极100之间绝缘的厚度，所以优选地通过仅改变钝化层580的厚度而形成第一至第六存储电容器st1至st6。
图11A至图11G是示出了用于制造根据本发明第二示例性实施例的TFT基板的工艺的截面图。图11A至图11G示出了用于利用5个掩模工序来制造TFT基板的工艺。
图11A示出了用于制造根据本发明第二示例性实施例的TFT基板的工艺中的第一掩模工序。
参照图11A，通过第一掩模工序在基板10上形成第一导电图案组，所述第一导电图案组包括：栅极线GL1至GLn、栅电极20、存储线SL1至SLn、以及第一至第六存储电极521至526。
特别地，通过诸如溅射的沉积方法在诸如有机材料或塑料的透明材料的基板10上形成第一导电层。第一导电层可以以由诸如Al、Cr、Cu、和Mo或它们的合金的金属构成的单层结构的方式形成，或者以由这些金属的组合物构成的多层结构的方式形成。通过利用第一掩模的光刻工序和蚀刻工序来对第一导电层进行图案化，从而形成包括栅极线GL1至GLn、栅电极20、存储线SL1至SLn、以及第一至第六存储电极521至526的第一导电图案组。第一至第六存储电极521至526具有相同的面积。
图11B示出了用于制造根据本发明第二示例性实施例的TFT基板的工艺中的第二掩模工序。
参照图11B，通过第二掩模工序在其上形成有第一导电图案组的基板10上顺序地形成栅极绝缘层30、半导体层40、和欧姆接触层50。
特别地，通过诸如PECVD或CVD的沉积方法，在其上形成有栅极线GL1至GLn、栅电极20、存储线SL1至SLn、和第一至第六存储电极521至526的基板上顺序地沉积栅极绝缘层30、非晶硅层、和掺杂非晶硅层。通过利用第二掩模的光刻工序以及蚀刻工序，对非晶硅层和掺杂非晶硅层进行图案化，从而形成半导体层40和欧姆接触层50。诸如SiNx或氧化硅SiOx的无机绝缘材料被用作栅极绝缘层30。可以通过利用激光晶化或固相晶化方法在通道区域上将非晶硅层转化为多晶硅层来形成半导体层40。
图11C示出了用于制造根据本发明第二示例性实施例的TFT基板的工艺中的第三掩模工序。
参照图11C，通过第三掩模工序，在其上形成有半导体层40、欧姆接触层50、和栅极绝缘层30的基板10上形成第二导电图案组， 该第二导电图案组包括源电极60、漏电极70、和数据线DL1至DLm。
特别地，通过诸如溅射的沉积方法在其上形成有半导体层40、欧姆接触层50、和栅极绝缘层30的基板10上沉积第二导电层。通过利用第三掩模的光刻工序以及蚀刻工序对第二导电层进行图案化而形成第二导电图案组。将欧姆接触层50上的源电极60和漏电极70形成为彼此面对。将数据线DL1至DLm形成为连接于源电极60。以由诸如Al、Cr、Cu、和Mo或它们的合金的金属构成的单层结构的方式形成第二导电层，或者以由这些金属的组合物构成的多层结构的方式形成该第二导电层。第三掩模可以通过狭缝掩模或半透射掩模形成短通道，所述狭缝掩模或半透射掩模的狭缝形成在待形成通道的区域中。可以通过增加通道的宽度或减少通道的长度而改善TFT 200的特性。
图11D至图11G示出了用于制造根据本发明第二示例性实施例的TFT基板的工艺中的第四掩模工序。
参照图11D至图11G，通过第四掩模工序，在其上形成有第二导电图案组的栅极绝缘层30上形成像素接触孔90、和用于形成第一至第六存储电容器st1至st6的钝化层580。
特别地，通过诸如PECVD或CVD的沉积方法在其上形成第二导电图案组的基板10上形成钝化层580。通过利用第四掩模的光刻工序以及蚀刻工序形成像素接触孔90，该像素接触孔通过穿透钝化层580而露出漏电极70。与第一至第六存储电极521至526交迭的钝化层580在高度方面不同。即，与第一至第六存储电极521至526交迭的钝化层580通过掩模300而被形成为具有不同高度，在所述掩模300中，狭缝303、304、和305形成在与第二至第六存储电极522至526相对应的区域中。
参照图11D，在其上形成有第二导电图案的基板上形成无机绝缘材料。接着，在该无机绝缘材料上形成光刻胶250，如图11E中所示。参照图11F，通过借助于掩膜300使光刻胶250感光，去除透明区域S12的光刻胶250，并且保留阻光区域S11以及狭缝区域S13、S14、和S15中的每一个区域的光刻胶250。通过蚀刻工序，去除透明区域S12的光刻胶250，并且形成像素接触孔90。如图11F中所示，形成于掩模300中的狭缝区域S13、S14、和S15的尺寸彼此相同，并且形成于狭缝区域S13、S14、和S15中的狭缝303、304、和305的数量被设置成不同。狭缝区域S13、S14、和S15中的每一个区域的狭缝之间的距离D彼此相同。结果，与第二至第六存储电极522至526交迭的钝化层580具有不同的厚度。阻光区域S11形成于与第一存储电极521相对应的区域中，而第一狭缝区域S13形成于与第二和第三存储电极522和523相对应的区域中。第二狭缝区域S14形成于与第四和第五存储电极524和525相对应的区域中，而第三狭缝区域S15形成于与第六存储电极526相对应的区域中。第一狭缝区域S13的狭缝303的数量小于第二狭缝区域S14的狭缝304的数量。因此与第四和第五存储电极524和525交迭的钝化层580被形成为具有比与第二和第三存储电极522和523交迭的钝化层580高的高度。第一狭缝区域S13的狭缝303的数量大于第三狭缝区域S15的狭缝305的数量。因此，第三狭缝区域S15的狭缝305的数量是最少的，因此与第六存储电极526交迭的钝化层580被完全去除。
钝化层580使用诸如栅极绝缘层30的无机绝缘材料、或有机绝缘材料。
参照图11G，当钝化层580的厚度为栅极绝缘层30的厚度的两倍时，与第一存储电极521相交迭的栅极绝缘层30和钝化层580的厚度之和为d1，并且在这种情况下，钝化层580未被去除。与第 二存储电极522相交迭的栅极绝缘层30和钝化层580的厚度之和d2基本上和与第三存储电极523相交迭的栅极绝缘层30和钝化层580的厚度之和d3相同。通过部分地去除形成于栅极绝缘层30上的钝化层580，厚度d2和d3中的每一个均被形成为是厚度d1的1/2.5倍。与第四存储电极524相交迭的栅极绝缘层30和钝化层580的厚度之和d4基本上和与第五存储电极525相交迭的栅极绝缘层30和钝化层580的厚度之和d5相同。厚度d4和d5中的每一个都形成为是厚度d1的1/1.5倍。由于与第六存储电极526相交迭的栅极绝缘层30和钝化层580的厚度应该是与第一存储电极521相交迭的栅极绝缘层30和钝化层580的厚度之和的1/3倍，所以去除与第六存储电极526交迭的钝化层580。
图11H示出了用于制造根据本发明第二示例性实施例的TFT基板的工艺中的第五掩模工序。
参照图11H，通过第五掩模工序在钝化层580上形成像素电极100。
特别地，通过利用诸如溅射的沉积方法，在钝化层580上形成透明导电层。接着，通过利用第五掩模的光刻工序以及蚀刻工序对该透明导电层进行图案化。透明导电层使用诸如ITO、IZO、TO、或ITZO的透明导电材料。像素电极100通过像素接触孔90而连接于漏电极70。像素电极100独立地形成于子像素区域中。像素电极100与第一至第六存储电极521至526交迭，从而形成第一至第六存储电容器st1至st6。
根据本发明的TFT基板被构造成使得第六存储电容器st6的电容Cst6为第一存储电容器st1的电容Cst1的三倍。第六存储电极526的面积大于第一存储电极521的面积，并且与第六存储电极526相交迭的栅极绝缘层30和钝化层580的厚度比与第一存储电极521 相交迭的栅极绝缘层30和钝化层580的厚度薄。第二至第五电容器的电容以与第六电容器的电容相同的方式形成。
如上所述，在德尔塔结构的TFT基板中，形成于第二水平线的红色子像素区域中的第六存储电容器的电容变为形成于第一水平线的红色子像素区域中的第一存储电容器的电容的三倍，其中在所述德尔塔结构的TFT基板中，第一水平线的红色、绿色、和蓝色子像素区域被重复，并且第二水平线的绿色、蓝色、和红色子像素区域以与第一水平线的子像素区域交错布置的方式被重复。因此，补偿了充电率，并且防止了竖直线缺陷。
另外，通过仅用一个输出节点驱动三条数据线，可简单地实现数据驱动器，节省了数据驱动器的成本，从而减少了LCD装置的制造成本。
虽然已结合目前认为是实用的示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明并不局限于所公开的实施例，而是相反，本发明旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种变型和等同布置。

Claims (20)

1.一种液晶显示装置，包括：
沿第N(其中N是自然数)条水平线以红色、绿色、和蓝色的次序重复布置的子像素、以及以与所述第N条水平线成交错结构形成的且沿第(N+1)条水平线以绿色、蓝色、和红色的次序重复布置的子像素；
栅极线，沿所述水平线形成；
数据线，形成为与所述栅极线交叉且所述数据线与所述栅极线之间设置有栅极绝缘层，并且所述数据线形成为沿所述交错结构的子像素而弯折；
栅极驱动器，向所述栅极线供应扫描信号；
数据驱动器，向所述数据线供应像素数据信号；
薄膜晶体管，连接于所述栅极线和所述数据线；
像素电极，连接于所述薄膜晶体管；以及
存储电极，与所述像素电极相交迭，并且所述存储电极与所述像素电极之间设置有所述栅极绝缘层和钝化层，以形成红色、绿色、和蓝色存储电容器；
其中，所述第(N+1)条水平线的所述红色存储电容器的电容大于所述第N条水平线的所述红色存储电容器的电容。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第N条水平线的每个绿色和蓝色存储电容器的电容均大于所述第N条水平线的红色存储电容器的电容，并且所述第(N+1)条水平线的每个绿色和蓝色存储电容器的电容均小于所述第(N+1)条水平线的红色存储电容器的电容。
3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第N条水平线的绿色和蓝色存储电容器的电容基本上彼此相同，所述第(N+1)条水平线的绿色和蓝色存储电容器的电容基本上彼此相同，并且所述第N条水平线的每个绿色和蓝色存储电容器的电容均大于所述第(N+1)条水平线的每个绿色和蓝色存储电容器的电容。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述第N条水平线的红色、绿色、和蓝色存储电容器的电容之和基本上与所述第(N+1)条水平线的绿色、蓝色、和红色存储电容器的电容之和相同。
5.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，形成于所述第(N+1)条水平线的红色子像素中的存储电极的面积大于形成于所述第N条水平线的红色子像素中的存储电极的面积。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中，形成于所述第N条水平线的绿色和蓝色子像素中的每一个存储电极的面积均大于形成于所述第N条水平线的所述红色子像素中的所述存储电极的面积，并且形成于所述第(N+1)条水平线的所述红色子像素中的所述存储电极的面积大于形成于所述第(N+1)条水平线的绿色和蓝色子像素中的每个存储电极的面积。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中，形成于所述第N条水平线的所述绿色和蓝色子像素中的每个存储电极的面积均大于形成于所述第(N+1)条水平线的所述绿色和蓝色子像素中的每个存储电极的面积。
8.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，形成于所述第N条水平线的所述红色、绿色、和蓝色子像素中的所述存储电极的面积之和基本上与形成于所述第(N+1)条水平线的所述红色、绿色、和蓝色子像素中的所述存储电极的面积之和相同，并且形成于所述第(N+1)条水平线的所述红色子像素的所述存储电极与所述像素电极之间的钝化层的厚度比形成于所述第N条水平线的所述红色子像素的所述存储电极与所述像素电极之间的钝化层的厚度薄。
9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中，形成于所述第N条水平线的每个所述蓝色和绿色子像素的所述存储电极与所述像素电极之间的钝化层的厚度比形成于所述第N条水平线的所述红色子像素的所述存储电极与所述像素电极之间的钝化层的厚度薄，并且形成于所述第(N+1)条水平线的所述红色子像素的所述存储电极与所述像素电极之间的钝化层的厚度比形成于所述第(N+1)条水平线的每个所述绿色和蓝色子像素的所述存储电极与所述像素电极之间的钝化层的厚度薄。
10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其中，形成于所述第N条水平线的所述绿色子像素的所述存储电极与所述像素电极之间的所述钝化层的厚度基本上与形成于所述第N条水平线的所述蓝色子像素的所述存储电极与所述像素电极之间的所述钝化层的厚度相同，形成于所述第(N+1)条水平线的所述绿色子像素的所述存储电极与所述像素电极之间的钝化层的厚度基本上与形成于所述第(N+1)条水平线的所述蓝色子像素的所述存储电极与所述像素电极之间的所述钝化层的厚度相同，形成于所述第N条水平线的每个所述绿色和蓝色子像素的所述存储电极与所述像素电极之间的所述钝化层的厚度比形成于所述第(N+1)条水平线的每个所述绿色和蓝色子像素的所述存储电极与所述像素电极之间的所述钝化层的厚度薄。
11.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述数据驱动器具有连接于多条数据线的一条输出线。
12.根据权利要求11所述的液晶显示装置，进一步包括：
多个晶体管，连接于所述数据驱动器的所述一条输出线与所述多条数据线之间，以便顺序地接通所述数据线。
13.一种制造液晶显示装置的方法，所述方法包括：
在沿第N(其中N是自然数)条水平线以红色、绿色、和蓝色的次序重复布置的子像素中、以及在以与所述第N条水平线成交错结构形成的且沿第(N+1)条水平线以绿色、蓝色、和红色的次序重复布置的子像素中，沿水平线形成栅极线；
形成数据线，所述数据线与所述栅极线交叉且所述数据线与所述栅极线之间设置有栅极绝缘层，并且所述数据线沿所述交错结构的子像素而弯折；
形成连接于所述栅极线和所述数据线的薄膜晶体管；
形成连接于所述薄膜晶体管的像素电极；以及
形成存储电极，所述存储电极与所述像素电极相交迭，并且所述存储电极与所述像素电极之间设置有所述栅极绝缘层和钝化层，以便形成红色、绿色、和蓝色存储电容器；
其中，所述第(N+1)条水平线的所述红色存储电容器的电容大于所述第N条水平线的所述红色存储电容器的电容。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成于所述第(N+1)条水平线的红色子像素中的所述存储电极的面积大于形成于所述第N条水平线的红色子像素中的存储电极的面积。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成于所述第N条水平线的绿色子像素中的存储电极的面积基本上与形成于所述第N条水平线的蓝色子像素中的存储电极的面积相同，形成于所述第(N+1)条水平线的绿色子像素中的存储电极的面积基本上与形成于所述第(N+1)条水平线的蓝色子像素中的存储电极的面积相同，形成于所述第N条水平线的所述绿色和蓝色子像素中的每个存储电极的面积均大于形成于所述第(N+1)条水平线的所述绿色和蓝色子像素中的每个存储电极的面积，形成于所述第N条和第(N+1)条水平线的所述绿色和蓝色子像素中的每个存储电极的电容均大于形成于所述第N条水平线的所述红色子像素中的所述存储电极的电容并且均小于形成于所述第(N+1)条水平线的所述红色子像素中的所述存储电极的电容。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，将所述存储电极形成为具有基本上相同的面积，并且将与形成于所述第N条和第(N+1)条水平线的所述红色、绿色、和蓝色子像素中的所述存储电极相交迭的所述钝化层形成为具有不同的厚度。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，与形成于所述第(N+1)条水平线的所述红色子像素中的所述存储电极相交迭的钝化层的厚度比与形成于所述第N条水平线的所述红色子像素中的所述存储电极相交迭的钝化层的厚度薄。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，与形成于所述第(N+1)条水平线的所述绿色和蓝色子像素中的所述存储电极相交迭的所述钝化层具有基本上相同的厚度，与形成于所述第(N+1)条水平线的所述绿色和蓝色子像素中的每一个存储电极相交迭的所述钝化层的厚度比形成于所述第N条水平线的所述红色子像素中的所述存储电极相交迭的所述钝化层的厚度薄并且比形成于所述第(N+1)条水平线的所述红色子像素中的所述存储电极相交迭的所述钝化层的厚度厚，与形成于所述第N条水平线的所述绿色和蓝色子像素中的所述存储电极相交迭的所述钝化层具有相同的厚度，与形成于所述第N条水平线的所述绿色和蓝色子像素中的每一个存储电极相交迭的所述钝化层的厚度比与形成于所述第N条水平线的所述红色子像素中的所述存储电极相交迭的所述钝化层的厚度薄并且比与形成于所述第(N+1)条水平线的所述红色子像素中的所述存储电极相交迭的所述钝化层的厚度厚。
19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：
在所述钝化层上形成光刻胶层；
通过掩模对所述光刻胶层进行图案化，所述掩模具有第一狭缝区域、第二狭缝区域、和第三狭缝区域，所述第一狭缝区域对应于形成于所述第N条水平线的所述绿色和蓝色子像素中的存储电极，所述第二狭缝区域对应于形成于所述第(N+1)条水平线的所述绿色和蓝色子像素中的电极，所述第三狭缝区域对应于形成于所述第(N+1)条水平线的所述红色子像素中的所述红色存储电极；以及
通过所述光刻胶层对所述钝化层进行蚀刻；
其中，所述第一至第三狭缝区域的尺寸基本上彼此相同，所述第一狭缝区域的狭缝的数量少于所述第二狭缝区域的狭缝的数量，并且所述第三狭缝区域的狭缝的数量少于所述第一狭缝区域的狭缝的数量，并且所述第一至第三狭缝区域的狭缝之间的距离相等。
20.一种液晶显示装置，包括：
沿第N(其中N是自然数)条水平线以红色、绿色、和蓝色的次序重复布置的子像素、以及以与所述第N条水平线成交错结构形成的且沿第(N+1)条水平线以绿色、蓝色、和红色的次序重复布置的子像素；
栅极线，沿所述水平线形成；
数据线，形成为与所述栅极线交叉且所述数据线与所述栅极线之间设置有栅极绝缘层，并且所述数据线形成为沿所述交错结构的子像素而弯折；
薄膜晶体管，连接于所述栅极线和所述数据线；
像素电极，连接于所述薄膜晶体管；以及
存储电极，与所述像素电极相交迭，并且所述存储电极与所述像素电极之间设置有所述栅极绝缘层和钝化层，以便形成红色、绿色、和蓝色存储电容器；
其中，所述第N条水平线的所述红色、绿色、和蓝色存储电容器的电容分别与所述第(N+1)条水平线的所述红色、绿色、和蓝色存储电容器的电容不同。
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