CN101179112A - 包括含有机金属络合物的有机层的有机发光二极管 - Google Patents

Abstract

本发明公开了有机发光二极管。本发明的有机发光二极管包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与第二电极之间的有机层，其中所述有机层包含式[M(L)₂]_a所示的有机金属络合物，其中L是阴离子配体，M是可被L五配位或六配位的金属，M选自Zn、Ni、Co和Fe，且a是2到4的整数。本发明的有机发光二极管具有良好的电性质。

Description

包括含有机金属络合物的有机层的有机发光二极管

[0001]本申请要求2006年11月9日提交的韩国专利申请10-2006-0110534号和2007年2月22日提交的韩国专利申请10-2007-0018089号的优先权和利益，以上两件专利申请均在韩国知识产权局提交，其全文内容以引用的方式并入本文。

技术领域

[0002]本发明涉及包括含有机金属络合物的有机层的有机发光二极管。更具体地说，本发明涉及包括含低聚物类有机金属络合物的有机层的有机发光二极管。

背景技术

[0003]有机发光二极管(OLED)是自发光的发光器件。OLED具有宽广的视角、良好的对比度和快速的响应时间，并实现全色图像。

[0004]常规的有机发光二极管中，在基板上形成阳极。在阳极上依次形成空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。当电流施加于阳极和阴极时，由阴极注入的电子经电子传输层迁移至发光层。电子在发光层内与由阳极注入的空穴复合，产生激子。当激子由激发态回到基态时，光由发光层发出，从而形成图像。激子可以处于两种状态之一：单线态或三线态。当激子从单线激发态回到基态时发出的光被称为“荧光”。当激子从三线激发态回到基态时发出的光被称为“磷光”。具有25％单线激发态几率(三线激发态：75％)的荧光具有低发光效率，而具有25％单线激发态几率和75％三线激发态几率的磷光在理论上可具有约100％的内量子效率。但是，在常规的有机发光二极管中难以获得满意的电性质。

发明内容

[0005]本发明一个实施方案中，有机发光二极管包括含低聚物类有机金属络合物的有机层。

[0006]根据本发明一个实施方案，有机发光二极管包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与第二电极之间的有机层。一个实施方案中，所述有机层由以下式1所示的有机金属络合物形成。

式(1)

[M(L)₂]_a

式1中，L是阴离子配体，M是可被L五配位或六配位的金属，且a是2到4的整数。

[0007]根据本发明一个实施方案的包括由上述式1所示有机金属络合物形成的有机层的有机发光二极管具有良好的电性质。

附图说明

[0008]结合附图，参考以下详细描述，本发明的以上和其他特征及优点将更加显而易见，附图中：

[0009]图1是说明根据本发明一个实施方案的有机金属络合物的质量分析数据图；

[0010]图2是说明根据本发明一个实施方案的有机金属络合物的热重分析(TGA)图；

[0011]图3是根据本发明一个实施方案的有机金属络合物的数字扫描量热(DSC)图；

[0012]图4是根据本发明一个实施方案的有机发光二极管的横截面图；

[0013]图5是按实施例1和实施例2以及对比实施例制备的有机发光二极管的电压-电流密度对比图；

[0014]图6是按实施例1和实施例2以及对比实施例制备的有机发光二极管的亮度-效率对比图；

[0015]图7是按实施例1和实施例2以及对比实施例制备的有机发光二极管的寿命对比图；

[0016]图8是按实施例1和实施例2以及对比实施例制备的有机发光二极管电致发光(EL)谱对比图；

[0017]图9是表示按实施例3和实施例4制备的有机发光二极管效率的图；

[0018]图10是表示按实施例3和实施例4制备的有机发光二极管的电流密度-电压图；

[0019]图11是表示按实施例3和实施例4制备的有机发光二极管寿命的图；

[0020]图12是表示按实施例3和实施例4制备的有机发光二极管电致发光(EL)谱的图。

具体实施方式

[0021]根据本发明一个实施方案，有机发光二极管包括由以下式1所示有机金属络合物形成的有机层。

式(1)

[M(L)₂]_a

式1中，M是中心金属，L是与中心金属M配位的配体，且a是2到4的整数。有机金属络合物由式1所示，其中a是2到4的整数，因此所述有机金属络合物可以是低聚物，而不是单体。

[0022]式1中，M是可被L五配位或六配位的金属。因此，式1的有机金属络合物可以是具有至少2个中心金属(M)的低聚物类络合物。所述至少2个中心金属(M)可同时结合一个配体。中心金属(M)的非限定性实例包括Zn、Co、Ni和Fe。

[0023]式1中，L是阴离子配体，可与至少一个中心金属M配位。

[0024]一个示例性的实施方案中，L可用以下的式2或式3表示。

式(2)    式(3)

式3中，配体总共有3个结合位点，可结合2个中心金属M(例如，参考以下式4、式5、式6和式7)。因此，可获得式1所表示的低聚物类有机金属络合物。

[0025]式2和式3中，A、B、C和D可各自独立为芳环或杂芳环。一个实施方案中，例如A、B、C和D可各自独立为具有5到20个环原子的芳环或具有5到20个环原子的杂芳环。

[0026]适合于A、B、C和D的物质的非限定性实例包括苯、并环戊二烯、茚、萘、薁、庚搭烯、偶苯、引达省、苊、芴、非那烯、菲、蒽、荧蒽、苯并[9，10]菲、芘、

并四苯、苉、苝、戊芬、并六苯、吡咯、咪唑、吡唑、异噻唑、异噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、异吲哚、吲哚、吲唑、嘌呤、喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、咔唑、菲啶、吖啶、啶、菲咯啉、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并噻唑、苯并噁唑和苯并咪唑。

[0027]根据本发明一个实施方案，式2和式3中的A和C可各自独立为苯或萘。并且，B和D可选自吡啶、苯并噻唑、苯并噁唑、喹啉和苯并咪唑。

[0028]本发明一个实施方案中，A和B可以多种方式互相结合，例如可通过单键等互相结合，或者可彼此稠合。同样，C和D可以多种方式互相结合，例如可通过单键等互相结合，或者可彼此稠合。

[0029]A、B、C和D中的每一个可各自独立地带有取代基，这些取代基的非限定性的实例包括：氢原子、卤原子、羟基、氰基、取代的和未取代的C₁-C₃₀烷基、取代的和未取代的C₁-C₃₀烷氧基、取代的和未取代的C₁-C₃₀酰基、取代的和未取代的C₂-C₃₀烯基、取代的和未取代的C₂-C₃₀炔基、取代的和未取代的C₆-C₃₀芳烷基、取代的和未取代的C₆-C₃₀芳基以及取代的和未取代的C₅-C₃₀杂芳基。

[0030]式2和式3中，X₁、X₂、X₃和X₄可各自独立为C、N、O、S或P。

[0031]式2和式3中，^*是结合M的位点。

[0032]一个示例性的实施方案中，式1所示的化合物可用以下式4、式5或式6表示。

式(4)

式(5)

式(6)

[0033]图1说明了式4所示的有机金属络合物的质量分析数据。

[0034]满足式1的一种示例性化合物可用下式7表示。

式(7)

[0035]上述有机金属络合物具有高的热稳定性。例如，图2是式4的有机金属络合物的热重分析(TGA)图，图3是式4的有机金属络合物的数字扫描量热(DSC)图。如图2和图3所示，根据本发明一个实施方案的有机金属络合物具有高的热稳定性，因而可适用于有机发光二极管的有机层。

[0036]根据本发明一个实施方案的有机金属络合物可用于有机发光二极管的有机层中，尤其是用作发光层。这里，所述发光层可进一步包括磷光掺杂物，可用有机金属络合物作为基质。磷光掺杂物不是特别限定的，可以是任何已知的磷光掺杂物。磷光掺杂物的非限定性实例包括包含Ir、Pt、Os、Re、Ti、Zr或Hf的有机金属络合物。一个实施方案中，所述磷光掺杂物包含Ir或Pt。当用包含四配位Pt的有机金属络合物作为磷光掺杂物时，可在相对低的沉积温度形成发光层。因此，可以大批量生产具有高效率和长寿命的有机发光二极管。

[0037]适合的磷光掺杂物的非限定性实例包括二噻吩基吡啶·(乙酰丙酮根)合铱、二(苯并噻吩基吡啶)·(乙酰丙酮根)合铱、二(2-苯基苯并噻唑)·(乙酰丙酮根)合铱、二(1-苯基异喹啉)·(乙酰丙酮根)合铱、三(1-苯基异喹啉)合铱、三(苯基吡啶)合铱、三(2-联苯基吡啶)合铱、三(3-联苯基吡啶)合铱、三(4-联苯基吡啶)合铱、以下式8表示的Ir(pq)₂(acac)(其中pq是2-苯基喹啉，acac是乙酰丙酮)、以下式9表示的Ir(ppy)₃(其中ppy是苯基吡啶)、八乙基卟啉合铂(II)(PtOEP)、以下式10所示化合物、以下式11表示的Firpic、以下式12表示的Ir(piq)₃、以下式13表示的Ir(piq)₂acac(其中piq是苯基异喹啉)、以下式14所示化合物、以下式15所示化合物、以下式16所示化合物、以下式17所示化合物及其组合。

式(8)    式(9)

式(10)   式(11)

式(12)    式(13)

式(14)    式(15)

式(16)    式(17)

[0038]当根据本发明一个实施方案的有机金属络合物作为基质与磷光掺杂物一起使用时，有机发光二极管的发光层可进一步包括第二基质。适合的第二基质的非限定性实例包括CBP(4，4-N，N-二咔唑-联苯)、Alq3(三(8-羟基喹啉根)合铝)、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉根-N1，O8)·(1，1’-联苯-4-酚根)合铝)和BeBq(双(10-羟基苯并[h]喹啉根)合铍)及其组合。

[0039]基于100重量份有机金属络合物计算，第二基质存在的量可为约50重量份至约150重量份。一个实施方案中，基于100重量份有机金属络合物计算，第二基质存在的量可为约90重量份至约110重量份。当第二基质的量在此范围内时，可获得适当的电荷平衡。

[0040]根据本发明另一实施方案，除了上述发光层，有机发光二极管可进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层或其组合。尽管根据一个实施方案的有机金属络合物与磷光掺杂物(并任选与第二基质)一起用于发光层，有机金属络合物具有良好的电子传输性质，因而不需要进一步包括用于常规有机发光二极管中的空穴阻挡层。由于不包括空穴阻挡层，可获得低驱动电压、高效率、发光良好且寿命长的有机发光二极管。

[0041]根据本发明另一实施方案，提供了制造有机发光二极管的方法。图4是根据本发明一个实施方案的有机发光二极管的横截面图。参考图4，根据一个实施方案的有机发光二极管包括基板，在基板上形成第一电极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和第二电极。

[0042]首先在基板上形成第一电极。该基板是常规的有机发光器件中所用的任何基板，可以是具有良好透明度、表面平滑度、易处理和防水性的玻璃基板或塑料基板。第一电极可以是透明电极、反射层等，可由高传导性金属，如Li、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In、Mg-Ag、Ca-Al、Al-ITO、ITO、IZO等形成。

[0043]接着，可用各种已知方法，如真空沉积、旋涂、流延、Langmuir Blodgett(LB)法等，在第一电极上形成空穴注入层(HIL)。

[0044]当通过真空沉积形成HIL时，真空沉积条件可根据形成HIL所用的化合物以及待形成的HIL要求的结构和热性质而不同。但是一般可在约100℃至约500℃的沉积温度，在约10^-8托至约10^-3托的压力，并且以约

/秒至约

/秒的沉积速度，进行真空沉积。

[0045]当通过旋涂形成HIL时，涂布条件可根据形成HIL所用的化合物以及待形成的HIL要求的结构和热性质而不同。但是一般涂布速度可为约2000rpm至约5000rpm，且热处理(用以在涂布后除去溶剂)温度可为约80℃至约200℃。

[0046]HIL不是特别限定的，可由任何已知的空穴注入材料形成。适合用作HIL的材料的非限定性实例包括酞菁铜(CuPc)和星爆型(Starburst-type)胺，如TCTA、m-MTDATA、IDE406(IDEMITZ制造)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)和聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)等。

[0047]HIL的厚度可为约20nm至约200nm。一个实施方案中，例如HIL的厚度可为约40nm至约150nm。当HIL的厚度在这些范围内时，HIL具有极好的空穴注入能力和极好的驱动电压性质。

[0048]接着，可通过真空沉积、旋涂、流延、LB等方法，在HIL上形成空穴传输层(HTL)。当通过真空沉积或旋涂形成HTL时，沉积和涂布条件与形成HIL所用的条件类似，尽管沉积和涂布条件可根据形成HTL所用的材料而不同。

[0049]HTL不是特别限定的，可由任何已知的空穴传输材料形成。适合用作HTL的材料的非限定性实例包括1，3，5-三咔唑基苯、4，4′-二咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、间-二咔唑基苯、4，4′-二咔唑基-2，2′-二甲基联苯、4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯、二(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯]-4，4′-二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)、N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-(1，1′-联苯)-4，4′-二胺(NPB)、(9，9-二辛基芴)-[N-(4-丁基苯基)二苯胺]共聚物(TFB)、(9，9-二辛基芴)-[双-(4-丁基苯基-二-N，N-苯基-1，4-苯二胺]共聚物(PFB)等。

[0050]HTL的厚度可为约10nm至约100nm。一个实施方案中，例如HTL的厚度为约20nm至约60nm。当HTL的厚度在这些范围内时，HTL具有极好的空穴传输能力和极好的驱动电压性质。

[0051]接着，可通过真空沉积、旋涂、流延、LB等方法，在HTL上形成发光层(EML)。当通过真空沉积或旋涂形成EML时，沉积和涂布条件与形成HIL所用的条件类似，尽管沉积和涂布条件可根据形成EML所用的材料而不同。这里，EML可包括上述式1所示的有机金属络合物，并可进一步包括如上所述的磷光掺杂物和/或其他基质。

[0052]基于100重量份发光层形成材料计算(也就是说，100重量份是作为基质的有机金属络合物，以及磷光掺杂物的总重量)，磷光掺杂物的量可为约0.1至约20重量份。例如一个实施方案中，磷光掺杂物的量为约0.5至约15重量份。当磷光掺杂物的量超过约0.1重量份时，可获得加入该掺杂物的效果。当磷光掺杂物的量少于约20重量份时，可防止浓度淬灭。

[0053]EML的厚度可为约10nm至约60nm。一个实施方案中，例如该厚度为约15nm至约50nm。当EML的厚度处于这些范围内时，可获得极好的寿命和驱动电压性质。

[0054]接着，可通过真空沉积、旋涂、流延、LB等方法，在EML上形成电子传输层(ETL)。当通过真空沉积或旋涂形成ETL时，沉积和涂布条件一般与形成HIL所用的条件类似，尽管沉积和涂布条件可根据形成ETL所用的材料而不同。适合于ETL的材料的一个非限定性实例包括三(8-羟基喹啉根)合铝(Alq₃)。

[0055]ETL的厚度可为约10nm至约40nm。一个实施方案中，例如厚度可为约25nm至约35nm。当ETL的厚度超过约10nm时，因适当的电子传输速度，可获得极好的电荷不平衡。另外，当ETL的厚度小于约40nm时，可获得有机发光二极管的极好的驱动电压。

[0056]接着，可通过真空沉积、旋涂、流延、LB等方法，在ETL上形成电子注入层(EIL)。当通过真空沉积或旋涂形成EIL时，沉积和涂布条件一般与形成ETL所用的条件类似，尽管沉积和涂布条件可根据形成EIL所用的材料而不同。

[0057]适合于EIL的材料的非限定性实例包括BaF₂、LiF、NaCl、CsF、Li₂O、BaO、Liq等。

[0058]EIL的厚度可为约0.2nm至约1nm。一个实施方案中，例如该厚度可为约0.2nm至约0.5nm。当EIL的厚度处于这些范围内时，可获得极好的电子注入能力和驱动电压。

[0059]最后，可将形成第二电极的材料沉积在EIL上，以形成第二电极，从而完成了本发明一个实施方案的有机发光二极管。

[0060]用于形成第二电极的材料可以是高传导性的透明金属氧化物，如ITO、IZO、SnO₂、ZnO等。或者，第二电极可以是作为薄膜形成的透明电极、反射电极等。适合于所述薄膜的材料的非限定性实例包括Li、Mg、Al、Al-Li、Ca、Mg-In、Mg-Ag、Ca-Al等。

[0061]第一电极和第二电极可以作为阳极和阴极。

[0062]尽管参考图4所示的结构，描述了本发明一个实施方案的有机发光二极管以及制造该有机发光二极管的方法，但应理解，根据本发明的有机发光二极管的结构不限于图4所示。

[0063]根据本发明的有机发光二极管可用于多种类型的平板显示器件，例如无源矩阵有机发光器件和主动式矩阵有机发光器件。尤其是当有机发光二极管用于无源矩阵有机发光器件时，第一电极可与有机发光器件中薄膜晶体管的源极或漏极电连接。

实施例

[0064]现将参考以下实施例描述本发明。但是应理解，以下提供的实施例仅仅为举例目的，而不是为了限定本发明范围。

实施例1

[0065]将作为阳极的厚100nm的基板(铝和ITO)(SDI制造)切成50mm×50mm×0.7mm大小，并在异丙醇和纯水中分别超声清洗5分钟，然后用UV和臭氧洗30分钟。

[0066]用m-TDATA作为空穴注入材料，在阳极上形成厚60nm的空穴注入层。然后，将作为空穴传输材料的NPB沉积在空穴注入层上，形成厚20nm的空穴传输层。

[0067]将作为基质的92重量份的式4所示的有机金属络合物和作为磷光掺杂物的8重量份的Ir(piq)₂acac沉积在空穴传输层上，形成厚30nm的发光层。然后，在发光层上形成厚30nm的Alq3，从而形成电子传输层。将Liq沉积在电子传输层上，形成厚0.5nm的电子注入层。然后，形成厚150nm的MgAg作为阴极，完成有机发光二极管的制造。

实施例2

[0068]按实施例1制造有机发光二极管，不同之处在于发光层包含作为第一基质的50重量份的式4所示的有机金属络合物、作为第二基质的50重量份的CBP和作为磷光掺杂物的8重量份的Ir(piq)₂acac。

对比实施例

[0069]按实施例1制造有机发光二极管，不同之处在于发光层包含作为基质的92重量份的CBP和作为磷光掺杂物的8重量份的Ir(piq)₂acac。

评价结果

[0070]用PR650(Spectroscan)Source Measurement Unit和McScience Polaronix M6000评价实施例1和实施例2的有机发光二极管与对比实施例的有机发光二极管的电流密度、效率和寿命。结果分别如图5、6和7所示。

[0071]参考图5，可看出本发明实施例1和实施例2的有机发光二极管与对比实施例的有机发光二极管相比，具有更高的电流密度(mA/cm²)。

[0072]参考图6，可看出本发明实施例1和实施例2的有机发光二极管与对比实施例的有机发光二极管相比，具有更高的效率。

[0073]参考图7，可看出本发明实施例1和实施例2的有机发光二极管与对比实施例的有机发光二极管相比，具有更长的寿命。

[0074]用Spectra Radiometer(PR650，Photo Researcher Inc.)(以5V测定)评价实施例1和实施例2的有机发光二极管以及对比实施例的有机发光二极管的电致发光(EL)谱，结果如图8所示。参考图8，可看出实施例1和实施例2的有机发光二极管与对比实施例的有机发光二极管呈现红色发光，其中在约630nm处观察到最大发射峰。

实施例3

[0075]按实施例1制造有机发光二极管，不同之处在于发光层包含作为基质的92重量份的式4所示有机金属络合物和作为磷光掺杂物的8重量份的式14所示有机金属络合物。

实施例4

[0076]按实施例1制造有机发光二极管，不同之处在于发光层包含作为基质的90重量份的式4所示有机金属络合物和作为磷光掺杂物的10重量份的式14所示有机金属络合物。

评价

[0077]用PR650(Spectroscan)Source Measurement Unit和McScience Polaronix M6000评价实施例3和实施例4的有机发光二极管的效率、电流密度和寿命。结果分别如图9、10和11所示。

[0078]参考图9，可看出实施例3和实施例4的有机发光二极管都具有高效率。

[0079]参考图10，可看出实施例3和实施例4的有机发光二极管都具有高电流密度(mA/cm²)。

[0080]参考图11，可看出实施例3和实施例4的有机发光二极管都具有长的寿命。

[0081]用Spectra Radiometer(PR650，Photo Researcher Inc.)(以5V测定)评价实施例3和实施例4的有机发光二极管的EL谱，结果如图12所示。参考图12，可看出实施例3和实施例4的有机发光二极管呈现红色发光，其中在约630nm处观察到最大发射峰。

[0082]根据本发明的低聚物类有机金属络合物可用作磷光掺杂物或基质。采用根据本发明的低聚物类有机金属络合物的有机发光二极管具有高电流密度、良好的发光、高电流效率、长寿命等。

[0083]尽管参考某些示例性实施方案对本发明进行了说明和描述，但本领域普通技术人员应理解，可对所描述的实施方案做出多种形式上和细节上的变化，而不偏离以下权利要求所限定的本发明的精神和范围。

Claims (18)

1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：

第一电极；

第二电极；和

位于所述第一电极和第二电极之间的有机层，其中所述有机层包含式1所示的有机金属络合物：

式(1)

[M(L)₂]_a

其中L是阴离子配体，M是可被L五配位或六配位的金属，且a是2到4的整数。

2.权利要求1的有机发光二极管，其中M选自Zn、Ni、Co和Fe。

3.权利要求1的有机发光二极管，其中L选自式2和式3表示的配体：

式(2)              式(3)

其中A、B、C和D中的每一个独立选自具有5到20个环原子的芳环和具有5到20个环原子的杂芳环，其中X₁、X₂、X₃和X₄中的每一个独立选自C、N、O、S或P，且^*是结合M的位点。

4.权利要求3的有机发光二极管，其中A和B互相结合，C和D互相结合。

5.权利要求3的有机发光二极管，其中A和B互相稠合，C和D互相稠合。

6.权利要求1的有机发光二极管，其中A、B、C和D中的每一个独立选自苯、并环戊二烯、茚、萘、薁、庚搭烯、偶苯、引达省、苊、芴、非那烯、菲、蒽、荧蒽、苯并[9，10]菲、芘、蔗、并四苯、苉、苝、戊芬、并六苯、吡咯、咪唑、吡唑、异噻唑、异噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、异吲哚、吲哚、吲唑、嘌呤、喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、咔唑、菲啶、吖啶、咱啶、菲咯啉、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并噻唑、苯并噁唑和苯并咪唑。

7.权利要求3的有机发光二极管，其中A和B中的每一个独立选自苯和萘。

8.权利要求3的有机发光二极管，其中C和D中的每一个独立选自吡啶、苯并噻唑、苯并噁唑、喹啉和苯并咪唑。

9.权利要求1的有机发光二极管，其中式1表示的有机金属络合物选自式4、式5和式6表示的络合物：

式(4)

式(5)

式(6)

10.权利要求1的有机发光二极管，其中式1表示的有机金属络合物以式7表示：

式(7)

11.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：

第一电极；

第二电极；和

位于所述第一电极和第二电极之间的有机层，其中所述有机层包含发光层，所述发光层包含式1所示的有机金属络合物：

式(1)

[M(L)₂]_a

其中L是阴离子配体，M是可被L五配位或六配位的金属，且a是2到4的整数。

12.权利要求11的有机发光二极管，其中所述发光层进一步包含磷光掺杂物。

13.权利要求12的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂物包括含有选自以下的金属的有机金属络合物：Ir、Pt、Os、Re、Ti、Zr和Hf。

14.权利要求12的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂物包括含有选自以下的金属的有机金属络合物：Ir和Pt。

15.权利要求12的有机发光二极管，其中所述磷光掺杂物选自二噻吩基吡啶·(乙酰丙酮根)合铱、二(苯并噻吩基吡啶)·(乙酰丙酮根)合铱、二(2-苯基苯并噻唑)·(乙酰丙酮根)合铱、二(1-苯基异喹啉)·(乙酰丙酮根)合铱、三(1-苯基异喹啉)合铱、三(苯基吡啶)合铱、三(2-联苯基吡啶)合铱、三(3-联苯基吡啶)合铱、三(4-联苯基吡啶)合铱、以下式8至17表示的化合物及其组合：

式(8)                式(9)

式(10)               式(11)

式(12)               式(13)

式(14)               式(15)

式(16)               式(17)

16.权利要求11的有机发光二极管，其中所述发光层进一步包含至少一种选自以下的基质：4，4-N，N-二咔唑-联苯、三(8-羟基喹啉根)合铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉根-N1，O8)·(1，1’-联苯-4-酚根)合铝和双(10-羟基苯并[h]喹啉根)合铍。

17.权利要求16的有机发光二极管，其中基于100重量份式1所示有机金属络合物计算，所述至少一种基质存在的量为约50重量份至约150重量份。

18.权利要求11的有机发光二极管，其中所述有机层进一步包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层的至少一层。

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