CN101170092A - 半导体装置、安装结构体、电光装置、及电子部件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于，防止当突起电极的安装时由于突出体的变形而在导电层产生裂纹等的影响，并谋求连接电阻的稳定化与电可靠性的提高。本发明的半导体装置，其特征在于：具有突起电极(P)，该突起电极(P)具备有由树脂构成的突出体(13)，形成于该突出体上的衬底层(14a)，和形成于该衬底层上的表面导电层(14b)；前述衬底层以延展性比前述表面导电层低的材料所构成；在前述突起电极的至少顶部中分散配置前述衬底层。

Description

半导体装置、安装结构体、电光装置、及电子部件的制造方法

技术领域

本发明涉及半导体装置、安装结构体、电光装置、电子设备、及电子部件的制造方法，尤其涉及设置于电子部件的突起电极的结构。

背景技术

一般地，已知在半导体装置等各种电子部件中，具备有突起设置于基体的表面上的突起电极。该突起电极，紧密接合于被安装侧的基板等从而谋求导通，一般采用通过在籽电极(シ一ド電極)上厚镀Au等金属而形成的金属突起电极。作为采用了这种突起电极的安装方法，例如，已知在各种显示体的基板上安装驱动用IC的方法。

并且，作为上述突起电极，提出采用在基板上形成树脂制的突出体，并在该突出体的表面形成有导电层这样的电极(例如，参照以下的专利文献1)。在这种的突起电极中，因为能够采用比现有的金属突起电极薄的导电层，所以可以进行精细的图形化而能够谋求电极的窄距化，并且，因为通过采用树脂制的突出体，从而可利用突出体的弹性变形可靠地得到稳定的接触压，所以有能够提高电可靠性等的优点。

【专利文献1】日本特开2005-136402号公报

可是，在前述的专利文献1中，作为形成于上述树脂制的突出体之上的导电层，采用由例如由TiW形成的第1导电层(衬底层)、和例如由Au形成的第2导电层(表面导电层)构成的叠层结构。该叠层结构，通过第1导电层确保与构成突出体的树脂的紧密接合性，并通过第2导电层确保突起电极的耐腐蚀性、导电接触性。

但是，在上述的叠层结构中，第1导电层比第2导电层延展性低，所以在安装时突起电极发生变形时第1导电层会开裂，导致在第2导电层中也产生裂纹等。因此有安装部的连接电阻变得不匀或变大，在极端情况下产生安装不良的问题点。

发明内容

于是，本发明要解决上述问题点，其目的在于：防止当突起电极的安装时由于突出体的变形而在导电层产生裂纹等的影响，谋求连接电阻的稳定化与电可靠性的提高。

鉴于该实情，本发明的半导体装置，具有突起电极，该突起电极具备由树脂构成的突出体、形成于该突出体上的衬底层、和形成于该衬底层上的表面导电层，其特征在于，前述衬底层以延展性比前述表面导电层低的材料所构成，在前述突起电极的至少顶部中分散配置前述衬底层。

依照于本发明，由于在突起电极的至少顶部中分散配置衬底层，所以当突起电极的安装时即使突起电极的顶部发生变形而衬底层也难以开裂，并且，即使开裂也减小了对上层的表面导电层的影响。从而，减小了因变形引起的表面导电层的导电性的变化，所以能够对安装部的连接电阻的不匀、增大进行抑制。

在此，衬底层的分散配置是指，不是衬底层全面覆盖突出体的表面的状态，而是形成区域或非形成区域分散配置的状态。该形成区域或者非形成区域的平均覆盖面积、覆盖面积比，优选在难以产生衬底层的开裂、而且不妨碍衬底层自身的效果的范围内适当地进行设定。

在本发明中，优选：前述衬底层以相对于前述突出体的紧密接合性比前述表面导电层好的材料所构成。不论衬底层因何理由而设置，一般都难以兼顾与对向电极之间的电特性和与构成突出体的树脂的紧密接合性，所以优选：以衬底层确保相对于突出体的紧密接合性，并通过表面导电层得到与安装对象之间的电特性。

在本发明中，优选：在前述突出体的形成区域以外的区域设置基电极，前述表面导电层导电连接于该基电极。依照于此，因为基电极与突出体设置于不同区域，所以可以容易地形成突起电极。

在该情况下，优选：前述衬底层由导电性材料构成，前述表面导电层通过前述衬底层导电连接于前述基电极。依照于此，因为通过衬底层与表面导电层的叠层结构而构成突起电极表面的导电层，所以能够进一步提高电可靠性。此时，更优选：衬底层作为基电极与表面导电层之间的扩散防止膜而起作用。

接下来，本发明的安装结构体，具备：具有突起电极的第1电子部件，该突起电极具有由树脂构成的突出体、形成于该突出体上的衬底层、和形成于该衬底层上的表面导电层；和具有对向电极的第2电子部件，该对向电极在压塌了前述突起电极的至少顶部的状态下所导电连接；其特征在于，前述衬底层以延展性比前述表面导电层低的材料所构成，在前述突起电极的至少相对于前述对向电极的接触部分与非接触部分的边界区域中分散配置前述衬底层。

依照于此，即使导电连接突起电极与对向电极而成为压塌了突起电极的顶部的状态，由于在边界区域中分散配置衬底层而减少了对表面导电层的影响，所以能够对连接电阻值的不匀、增大进行抑制。

在本发明中，优选：前述衬底层由导电性材料构成，前述表面导电层以相对于前述对向电极的接触电阻比前述衬底层低的材料或者耐腐蚀性比前述衬底层高的材料所构成。依照于此，因为通过衬底层与表面导电层的叠层结构而构成突起电极表面的导电层，所以不仅能够提高电可靠性，而且能够谋求由表面导电层的附加功能产生的效果，即相对于对向电极的接触电阻的减小，或者突起电极的耐腐蚀性的提高。

接下来，本发明的电光装置，特征在于：具备安装有技术方案1～4中的任何一项所述的半导体装置的电光面板。作为电光面板，可举出液晶面板、电泳面板、有机发光面板等。尤其是，在将上述半导体装置安装于采用了玻璃基板等硬质基板的面板的情况下，因为不能期待形成于该硬质基板上的连接垫侧的变形，所以就会体现出半导体装置侧采用包括由上述树脂构成的突出体的突起电极的意义。

并且，本发明的其他的电光装置，包括上述的安装结构体。在此，作为安装结构体的第2电子部件，可举出电光面板，或者安装于电光面板的布线基板等。

接下来，本发明的电子部件(半导体装置)的制造方法，是具有突起电极的电子部件的制造方法，该突起电极具备由树脂构成的突出体、形成于该突出体上的衬底层、和形成于该衬底层上的表面导电层，该制造方法的特征在于，包括以下工序：在基体上形成前述突出体的工序；在前述突出体的表面上形成前述衬底层的工序；在前述衬底层的表面上前述表面导电层以具有微细结构的形态形成的工序，其中，该微细结构具备气液渗透性；和在前述突出体上使被前述表面导电层所覆盖的前述衬底层的至少一部分区域通过渗透过前述表面导电层的前述微细结构的气体或者液体进行分散而形成的工序。在此，所谓具备有气液渗透性的微细结构，是指：形成于表面导电层的微小的晶界、微小孔等这样的可以使气体、液体渗透的微细的结构。

作为电子部件的制造方法，虽然也可以考虑在形成衬底层的工序中直接使衬底层分散配置于突出体的表面上的方法，但是在本发明的方法中，能够通过设置于表面导电层的具备有气液渗透性的微细结构而使衬底层分散配置，从而不必为了使衬底层分散进行成膜而对成膜工序仔细地进行调整，因此能够稳定地形成分散配置的衬底层。

在该情况下，优选：具有在形成有前述表面导电层之后图形化前述表面导电层的工序；并且分散形成前述衬底层的一部分区域的工序，与以所图形化了的前述表面导电层作为掩模对前述衬底层图形化的工序同时地进行。若依照于此则可抑制工序数的增加，能够以短时间且低成本进行制造。尤其是，因为通过在图形化衬底层的同时使衬底层分散配置，不需要用于使衬底层分散的专用工序，所以能够避免工序数的增加，能够抑制制造时间、制造成本的增加。

在本发明中，优选：在形成前述突出体的工序中使前述突出体的表面粗糙化，在形成前述衬底层的工序中以具有反映了前述突出体粗糙化了的前述表面的凹凸的表面的状态形成前述衬底层，在形成前述表面导电层的工序中通过使前述表面导电层成膜于前述衬底层的表面凹凸上而形成前述微细结构。依照于此，通过粗糙化突出体的表面，不仅能进一步提高衬底层的紧密接合性，还能以反映突出体的表面凹凸的方式形成衬底层的表面，相应于该衬底层的表面凹凸而形成表面导电层，所以能够容易地形成具有气液渗透性的微细结构。

附图说明

图1是实施方式的半导体装置的局部平面图。

图2是实施方式的半导体装置的局部纵剖面图。

图3是与实施方式的半导体装置的局部平面图一起示出的衬底层的局部放大平面图。

图4是表示放大表示实施方式的半导体装置的突起电极的局部放大纵剖面图。

图5是表示实施方式的半导体装置的制造工序的工序说明图。

图6是表示实施方式的半导体装置的制造工序的工序说明图。

图7是表示实施方式的半导体装置的制造工序的工序说明图。

图8是表示实施方式的半导体装置的制造工序的工序说明图。

图9是表示实施方式的半导体装置的制造工序的工序说明图。

图10是将突起电极的表层部进行放大而示的放大图。

图11是表示电光装置的一例的概略立体图。

图12是安装部的局部放大纵剖面图。

图13是表示电子设备的一例的概略立体图。

符号说明

10...基体，11...基电极，12...绝缘层，13...突出体，14...导电层，14a...衬底层，14s...形成区域，14t...微细孔，14u...非形成区域，14b...表面导电层，15...抗蚀剂，100...电光装置，200...电子设备

具体实施方式

电子部件(半导体装置)的构成

接下来，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。图1是本实施方式的电子部件或半导体装置的局部平面图，图2是该电子部件或半导体装置的局部纵剖面图。在本实施方式中，在以单晶硅等的半导体基板等所构成的基体10的表面上，形成由铝等构成的基电极11，进而，通过氧化硅、氮化硅等形成具有使基电极11的一部分显露出来的开口部12a的绝缘层12。在绝缘层12上形成突起电极P。该突起电极，由之后详述的突出体13及导电层14所构成。

在绝缘层12上，在避开上述基电极11或者开口部12a的区域中形成由树脂构成的突出体13。该突出体13只要具有从基体10的表面上突出的形状即可，并不限于如图示例那样的半球状，可以形成为具有沿表面的轴线的半圆柱状，具有与表面正交的轴线的棱柱状、圆柱状。突出体13，能够通过丙烯酸树脂、酚树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺树脂、硅氧烷改性聚酰亚胺树脂、环氧树脂等各种树脂而形成。尤其优选：以由上述各种材料构成的感光性树脂所形成。并且，作为感光性树脂，优选采用通过曝光条件的调整可以对形状进行控制的丙烯酸类感光树脂。进而，为了提高与后述的导电层14的紧密接合性，优选对突出体的表面粗糙化。

突出体13的突出量虽然可根据安装方法、安装部的特性等而适当设定，但是一般为5～1000μm的范围内，作为半导体装置为5～50μm，尤其优选为10～20μm。

在突出体13上形成导电层14，该导电层14延伸到上述开口部12a上，导电连接于上述基电极11。导电层14的厚度，一般为100nm～1μm的范围内，尤其优选为300～800nm的范围内。在本实施方式中，导电层14为叠层有衬底层14a与表面导电层14b这2层的叠层结构。在此，衬底层14a虽然并不限于由导电性材料构成，但是优选以导电性材料所构成，作为该导电性材料，例如可举出TiW、Cu、Cr、Ni、Pd、Ti、W、NiV等。衬底层14a虽然主要用于提高与构成突出体的树脂的紧密接合性，但是更优选还作为防止构成基电极11的金属材料(例如铝)扩散的扩散防止层而起作用(例如TiW)。衬底层14a的厚度优选为100～150nm左右。

因为衬底层14a一般比表面导电层14b延展性低，所以在安装时突起电极P接触于对向电极而发生变形时，有时衬底层14a开裂，由此而对表面导电层14b也产生影响。为了防止发生该情况，在本实施方式中如后述那样使衬底层14a的一部分分散配置(形成为斑状)。

表面导电层14b，以具有与后述的对向电极的接触电阻小等的适合作为电极表面的性能的导电性材料所构成。作为如此的导电性材料，例如可举出Au、Ag、Cu、Pt等。作为表面导电层14b，除了上述的导电连接性以外，还优选耐腐蚀性好的材料(Au、Pt等)。表面导电层14b的厚度优选为300～800nm左右。

还有，虽然在图示例中仅描述了一个如上述地所形成的突起电极P，但是通常以在电子部件(半导体装置)的安装面上排列有多个突起电极P的形式所形成。在该情况下，虽然也可以使多个突起电极P按分别独立形成突出体13及导电层14的形式进行排列，但是也可以例如，将共用的突出体13设为延伸于排列方向的形状，在该突出体13上排列形成多个导电层14。

图3是表示在突起电极P的顶部的一部分中去掉了表面导电层14b的状态，及对位于其下的衬底层14a的一部分进行放大而示的平面图；图4是突起电极P的放大纵剖面图。在本实施方式中，上述的衬底层14b至少在突起电极P的顶部中被分散配置(形成为斑状)。在此所谓分散配置(斑状)，是指：衬底层14b的构成材料不是完全覆盖突出体13的表面，而是分散配置形成区域或者非形成区域的状态。在图3及图4中，表示分散配置微细的形成区域14s的情形。并且，在这些形成区域14s间存在未形成衬底层14a的非形成区域14u。在该情况下，形成区域14s的平均覆盖面积为100nm²～10μm²左右，覆盖面积比为20～80％左右。还有，也可以与图示例相反，为分散配置微细的非形成区域的状态。

在本实施方式中，可以在覆盖范围中全面性地分散配置上述衬底层14a，但是也可以尤其仅分散配置构成突起电极P的部分，即形成于突出体13上的部分，进而，也可以仅分散配置当安装时突起电极P实质上发生变形的区域(顶部)。这是因为：根据以下的理由，所分散配置的衬底层14a的效果仅在安装时的突起电极P的变形区域得到即可，尤其是，仅在包括与对向电极相接触的区域和不相接触的区域的边界的预定范围得到即可。

使衬底层14a分散配置，是为了防止：在安装时突起电极P接触于后述的对向电极而发生变形时，衬底层14a开裂。若衬底层14a开裂，则在表面导电层14b也出现影响，有产生裂纹等的情况，有可能因此连接电阻值不匀、增大。不用说，连接电阻值的不匀、增大不仅在表面导电层14b上产生裂纹的情况下，而且在由于伴随于衬底层14a的开裂的变形而导致表面导电层14b的表面电阻变动或增加的情况下也发生。

在图4中，表示当安装时突起电极P与对向电极(未图示)相接触的平面范围C。该平面范围C虽然因为受安装时的施加压力、加热温度等的影响而难以正确地进行预测，但是能够通过安装工序的实验验证、理论计算等而大致确定。在本实施方式的情况下，在比上述平面范围C大的平面范围D中产生突起电极P的实质变形。从而，只要在该平面范围D中分散配置衬底层14a即可。并且，在以平面范围C的外缘作为基准在突起电极P的半径方向上以某种程度的富余进行了设定的边界范围E中，包括突起电极P相对于对向电极的接触部分和非接触部分的边界。因为该边界范围E，即使在上述平面范围D内变形也大，为衬底层14a最容易产生开裂的部分，所以即使仅在边界范围E中斑状地构成衬底层14a也可得到充分的效果。在该情况下，通过在平面范围C中成为衬底层14a全面性地进行了覆盖的状态，能够使与后述的对向电极的导电连接性提高。也可以构成为：在平面范围C及边界范围E的双方中分散配置衬底层14a，其中，在平面范围C中形成区域14s的面积比例相对较大，在边界范围E中非形成区域14u的面积比例相对较大。

电子部件(半导体装置)的制造方法

接下来，参照图5至图9，对上述的电子部件(半导体装置)的制造方法的实施方式详细地进行说明。本实施方式的制造方法，如图5所示，在基体10的表面上采用蒸镀法、溅射法等形成由铝等构成的基电极11。该基电极11能够通过利用蚀刻等进行的图形化处理与基体10上的各种布线等一起形成。其后，在基体10及基电极11上，通过CVD法、溅射法等形成绝缘层12，并通过图形化处理形成用于使基电极11显露出来的开口部12a。

其后，如图6所示，在绝缘层12上涂敷感光性树脂13X，并采用具备有开口部13a的曝光掩模13Y实施曝光处理，然后，通过显影处理如图7所示形成突出体13。在图示例中表示残存与开口部13a对应的部分的感光性树脂13X而形成突出体13的例。还有，作为感光性树脂13X采用可通过对曝光量进行控制而调整残存厚度的感光性材料(例如，丙烯酸类感光性树脂)，从而能够以具有简单的开口形状的开口部13a容易地形成如图示的上窄形状的突出体13。

在此，优选使突出体13的表面粗糙化。突出体13的表面的粗糙化，例如，能够以采用了氧气的等离子处理进行实施。优选该表面的表面粗糙度Ra为50～500nm的范围，尤其优选为100～150nm左右。

之后，如图8所示形成导电层14。在图示例的情况下，通过蒸镀法、溅射法依次形成衬底层14a和表面导电层14b。衬底层14a及表面导电层14b也可以通过电镀处理(无电解电镀或电解电镀)而形成。

在本实施方式中虽然在本工序使衬底层14a全面覆盖被覆范围地进行形成，在之后的工序加工为斑状，但是也可以在该工序直接分散配置衬底层14a。在该情况下，例如，以溅射法等汽相生长法、无电解电镀等析出法形成衬底层14a，并在衬底层14a离散性地覆盖突出体13的表面的阶段(核生成状态)、到达连续性地进行覆盖的阶段(连续膜状态)之前，使处理停止下来。如此一来，若处理时间短则容易变成如上述地分散配置有形成区域14s的状态，若处理时间变长则成为分散配置有非形成区域的状态。

并且，也可以通过在溅射衬底层的工序使用斑状的掩模进行溅射，从而使衬底层分散配置(形成为斑状)。

在本实施方式中，关于形成为衬底层14a全面覆盖基体上的被覆范围的状态的情况而进行以下说明。衬底层14a成膜于上述的粗糙化了的突出体13的表面上，其结果，成为在衬底层14a的表面反映有突出体13的粗糙状态(表面的凹凸)的状态。例如，通过将衬底层14a形成为与上述表面粗糙度相同程度的厚度(100～150nm左右)，突出体13的粗糙状态反映到衬底层14a的表面上。

然后，在形成于其上的表面导电层14b，对应于上述的衬底层14a的表面凹凸在成膜中按凹凸周期生长单位组织，其结果，形成具备有气液渗透性的微细结构。即，因为在衬底层14a的表面上微细的单位组织分别独立生长，并最终如图10所示单位组织间紧连而成为一体的层结构，所以成为在单位组织的边界气体、液体可以渗透的结构。

接下来，对从突起电极P到达基电极11的范围以用抗蚀剂等形成的掩模15进行覆盖，并通过蚀刻处理(既可以是湿蚀刻也可以是干蚀刻)如图9所示去除表面导电层14b的不需要部分。

其后，以图形化了的表面导电层14b作为掩模，进行衬底层14a的图形化处理。在此，图形化处理，以能够去除衬底层14a而实质上不能去除表面导电层14b的方法，例如采用预定的蚀刻液的湿蚀刻、或者具有上述选择性的反应性干蚀刻等而进行。

在本工序中，如图10所示，表面导电层14b形成为具有上述的微细结构14t。然后，通过以表面导电层14b作为掩模而实施上述的图形化(蚀刻)处理，不仅去除没有覆盖表面导电层14b的范围内的衬底层14a，就连被表面导电层14b所覆盖的范围内的衬底层14a也通过经由微细结构14t而进入的蚀刻液或者蚀刻气体被局部去除，其结果，衬底层14a如图10所示被加工成具有形成部分14s和非形成部分14u的斑状。

在该情况下，如图9中的双点划线所示，通过残留在一部分上形成了开口部15a的掩模15’(该掩模15’既可以与上述掩模15相同，也可以是完全不同的掩模。)而进行图形化，能够仅使在开口部15a显露出来的衬底层14a的部分(例如，突起电极P的顶部，即上述的平面范围D)分散配置(形成为斑状)。进而，也可以仅在突出体13的顶部之中的、避开顶点附近的周围区域(上述的边界范围E)分散配置(形成为斑状)。

在该情况下，因为在上述范围以外的部分，尤其在基电极11和导电层14的导电接触部分上衬底层14a并未加工成斑状，所以能够使基电极11上的导电连接部分的连接电阻值降低；并且，因为蚀刻液、蚀刻气体没有进入该部分，所以还能够减少该部分的腐蚀等的可能。进而，通过与上述同样地对斑状地加工衬底层14a的范围进行限定，还能够减小导电层14的作为布线的电阻值。

还有，在本实施方式的情况下，衬底层14a(TiW)介于基电极11(Al)与表面导电层14b(Au)之间，还作为防止由于热处理等而导致基电极11的原子(Al原子)向表面导电层14b内进行扩散的扩散防止膜而起作用。在该情况下，为了提高作为扩散防止膜的性能，优选：并不如上述那样在基电极11上斑状地构成衬底层14a，而形成为全面覆盖被覆范围。

在本实施方式的制造方法中，因为通过设置于表面导电层14b的具备有气液渗透性的微细结构14t而使衬底层14a分散配置(形成为斑状)，所以能够稳定形成斑状的衬底层14a。并且，因为在图形化衬底层14a同时而使衬底层14a成为斑状，从而不需要用于使衬底层14a成为斑状的专用工序，所以能够避免工序数的增加，能够抑制制造时间、制造成本的增加。

并且，通过预先粗糙化突出体13的表面，不仅进一步提高衬底层14a的紧密接合性，而且使衬底层14a的表面反映出突出体13的表面的凹凸，相应于该衬底层14a的表面凹凸而形成表面导电层14b，所以能够容易形成具有气液渗透性的微细结构14t。

安装结构体及电光装置的构成

接下来，参照图11及图12，对本发明的安装结构体及电光装置的实施方式详细地进行说明。图11是表示电光装置的一例的概略立体图，图12是将安装结构进行放大而示的局部放大剖面图。

本实施方式的电光装置100，为具备有液晶显示体(液晶面板)的液晶装置，以密封件130使由玻璃等构成的透明基板110与120相贴合，在基板110与120之间配置有液晶。密封件130以包围驱动区域A的方式形成，通过封固件131而封闭注入液晶的开口部130a。

基板110，在玻璃、塑料等基材111的内面上，相应于需要适当地叠层有：由Al、Ag等的金属及其他的反射性材料构成的反射层，滤色层，绝缘膜，由ITO(铟锡氧化物)等透明导电体构成的电极116，由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜等。

另一方面，基板120，在玻璃、塑料等基材121的内面上，相应于需要适当地叠层有：布线122及与之连接的元件(TFD等二端子非线性元件，或者TFT等三端子非线性元件)，绝缘层，由透明导电体构成的电极，由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜等。

设置于基板110上的电极、与设置于基板120上的电极平面性地相交叉的区域，构成可以独立控制两电极所夹持的液晶的取向状态的像素，成为在图示的驱动区域A内纵横排列有多个像素的状态。

并且，基板120，具有伸出基板110的外形的外侧的基板伸出部120T，并在该基板伸出部120T安装内置有液晶驱动电路等的半导体装置135。该半导体装置135，导电连接于上述电极116及布线122，导电连接于引出到基板伸出部120T上的布线117、118。并且，在基板伸出部120T的端部设置导电连接于半导体装置135的输入端子136，该输入端子136，导电连接于在安装于基板伸出部120T的端部的布线基板(例如柔性布线基板)137上所形成的布线(未图示)。

而且，以绝缘树脂等所构成的衬垫(未图示)介于基板110与基板120之间，该衬垫限制两基板的间隔。优选：该衬垫在固定于任何一方的基板的状态下形成。而且，在基板110、120的外表面上相应于需要以粘贴等的方法配置相位差板及偏振板(未图示)。

在上述的半导体装置135中，形成在上述的电子部件(半导体装置)的实施方式中所形成的突起电极P，该突起电极P与设置在形成于基板伸出部120T上的布线117、118的前端上、示于图12中的对向电极(连接垫)117s、118s导电连接。在该情况下，使半导体装置135隔着由热固化性树脂构成的绝缘树脂膜等相对于基板伸出部120T加压同时加热，并一边使构成绝缘树脂膜的绝缘树脂150软化一边将突起电极P按压于对向电极117s、118s，使突起电极P的突出体13的顶部发生变形。其后，通过绝缘树脂150热固化，如图12所示维持突起电极P与对向电极117s、118s的导电连接状态。

在图12所示的导电连接状态中，由于突起电极P被按压于对向电极117s、118s从而突出体13发生弹性变形，该弹性复原力作为接触压而起作用，维持两电极的导电连接状态。在该情况下，突起电极P接触于对向电极117s、118s的平面范围C，突起电极P实质上发生变形的平面范围D，及边界范围E与示于图4中的范围相同。因此，通过在上述平面范围D或者边界范围E中分散配置(形成为斑状)衬底层14a，能够抑制突起电极P的电阻值不匀、增大。

电子设备

最后，对将上述的电光装置100装载于电子设备的构成例而进行说明。图13，表示作为本发明中的电子设备的一实施方式的笔记本型个人计算机。该个人计算机200，具备：具备有多个操作按键201a及其他的操作装置201b的主体部201，和连接于该主体部201、具备有显示画面202a的显示部202。在图示例的情况下，可以开合地构成主体部201与显示部202。在显示部202的内部内装上述的电光装置(液晶装置)100，在显示画面202a上显示预期的显示图像。在该情况下，在个人计算机200的内部，设置对上述电光装置100进行控制的显示控制电路。该显示控制电路，构成为：对于设置于电光装置100的半导体装置135内的驱动电路(液晶驱动器电路等)发送预定的控制信号，确定其显示形态。

还有，作为本发明中的电子设备，除了示于图13中的电子设备之外，还可举出液晶电视机、汽车导航装置、寻呼机、电子笔记本、台式计算器、工作站、电视电话机、POS终端机等。而且，能够采用本发明中的电光装置作为这些各种电子设备的显示部。本发明的半导体装置、安装结构体、电光装置、电子设备、及电子部件的制造方法，当然并不仅限定于上述的图示例，能够在不脱离本发明的主旨的范围内加以各种改变。例如，虽然在上述实施方式中关于设置有突起电极P的半导体装置进行了说明，但是也可以代替上述半导体装置，同样地构成半导体装置以外的任意的电子部件，构成安装结构体。

Claims (11)

1.一种半导体装置，具有突起电极，该突起电极具备有：由树脂构成的突出体，形成于该突出体上的衬底层，和形成于该衬底层上的表面导电层，其特征在于，

前述衬底层以延展性比前述表面导电层低的材料所构成；

在前述突起电极的至少顶部中分散配置前述衬底层。

2.按照权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

前述衬底层以相对于前述突出体的紧密接合性比前述表面导电层好的材料所构成。

3.按照权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

在前述突出体的形成区域以外的区域设置基电极，前述表面导电层导电连接于该基电极。

4.按照权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

前述衬底层由导电性材料构成，前述表面导电层通过前述衬底层导电连接于前述基电极。

5.一种安装结构体，具备：第1电子部件，其具有突起电极，该突起电极具备有由树脂构成的突出体，形成于该突出体上的衬底层，和形成于该衬底层上的表面导电层；和第2电子部件，其具有在压塌了前述突起电极的至少顶部的状态下被导电连接的对向电极；其特征在于，

前述衬底层以延展性比前述表面导电层低的材料所构成，

在前述突起电极的至少相对于前述对向电极的接触部分与非接触部分的边界区域中分散配置前述衬底层。

6.按照权利要求5所述的安装结构体，其特征在于：

前述衬底层由导电性材料构成，前述表面导电层以相对于前述对向电极的接触电阻比前述衬底层低的材料或者耐腐蚀性比前述衬底层高的材料所构成。

7.一种电光装置，其特征在于：

具备电光面板，该电光面板安装有权利要求1～4中的任何一项所述的半导体装置。

8.一种电光装置，其特征在于：

包括权利要求5或6所述的安装结构体。

9.一种电子设备，其特征在于：

装载有权利要求7或8所述的电光装置。

10.一种具有突起电极的电子部件的制造方法，该突起电极具备有由树脂构成的突出体，形成于该突出体上的衬底层，和形成于该衬底层上的表面导电层；其特征在于，包括以下工序：

在基体上形成前述突出体的工序，

在前述突出体的表面上形成前述衬底层的工序，

在前述衬底层的表面上前述表面导电层以具有微细结构的形态形成的工序，其中，该微细结构具备有气液渗透性，和

在前述突出体上使被前述表面导电层所覆盖的前述衬底层的至少一部分区域通过渗透过前述表面导电层的前述微细结构的气体或者液体进行分散而形成的工序。

11.按照权利要求10所述的电子部件的制造方法，其特征在于：

在形成前述突出体的工序中使前述突出体的表面粗糙化，

在形成前述衬底层的工序中以具有反映了前述突出体的粗糙化了的前述表面的凹凸的表面的状态形成前述衬底层，

在形成前述表面导电层的工序中通过使前述表面导电层成膜于前述衬底层的表面凹凸上而形成前述微细结构。

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