JP4240106B2 - 半導体装置、実装構造体、電気光学装置、電子機器、及び、電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は半導体装置、実装構造体、電気光学装置、電子機器、及び、電子部品の製造方法に係り、特に、電子部品に設けられた突起電極の構造に関する。

一般に、半導体装置等の各種電子部品には、基体の表面上に突設された突起電極（バンプ電極）を備えたものが知られている。この突起電極は、被実装側の基板等に密着させて導通を図るためのものであるが、一般的にはシード電極上にＡｕなどの金属を厚くめっきすることなどによって形成された金属バンプ電極が用いられている。このような突起電極を用いた実装方法としては、例えば、各種表示体の基板上に駆動用ＩＣを実装する方法が知られている。

また、上記突起電極として、基板上に樹脂製の突出体を形成し、この突出体の表面に導電層を形成したものを用いることが提案されている（例えば、以下の特許文献１参照）。この種の突起電極には、従来の金属バンプ電極に比べて薄い導電層を用いることができるために微細なパターニングが可能になって電極の狭ピッチ化を図ることができ、また、樹脂製の突出体を用いることで突出体の弾性変形を利用して安定なコンタクト圧を確実に得ることができるために電気的信頼性を向上できるなどという利点がある。
特開２００５−１３６４０２号公報

ところで、前述の特許文献１において、上記樹脂製の突出体の上に形成される導電層として、例えばＴｉＷよりなる第１の導電層（下地層）と、例えばＡｕよりなる第２の導電層（表面導電層）からなる積層構造を採用している。この積層構造は、突出体を構成する樹脂との密着性を第１の導電層により確保しつつ、突起電極の耐食性や導電コンタクト性を第２の導電層により確保するためのものである。

しかしながら、上記の積層構造では、第１の導電層が第２の導電層よりも延性が低いため、実装時において突起電極が変形する際に第１の導電層が割れることにより、第２の導電層にもクラック等が生ずることなどから、実装部の接続抵抗がばらついたり大きくなったりし、極端な場合には実装不良が生ずるという問題点がある。

そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、突起電極の実装時において突出体の変形により導電層にクラック等の影響が生ずることを防止し、接続抵抗の安定化と電気的信頼性の向上を図ることにある。

斯かる実情に鑑み、本発明の半導体装置は、樹脂よりなる突出体と、該突出体上に形成された下地層と、該下地層上に形成された表面導電層とを備えた突起電極を有する半導体装置において、前記下地層は前記表面導電層よりも延性の低い素材で構成され、前記突起電極の少なくとも頂部において前記下地層が分散配置されていることを特徴とする。

本発明によれば、突起電極の少なくとも頂部において下地層が分散配置されていることにより、突起電極の実装時において突起電極の頂部が変形しても下地層が割れにくく、また、割れても上層の表面導電層への影響が低減される。したがって、変形による表面導電層の導電性の変化が低減されるため、実装部の接続抵抗のばらつきや増大を抑制することができる。

ここで、下地層の分散配置とは、下地層が突出体の表面を一様に被覆するように形成されている状態ではなく、形成領域、或いは、非形成領域が分散配置されている状態を言う。この形成領域、或いは、非形成領域の平均被覆面積や被覆面積比は、下地層の割れが発生しにくく、しかも、下地層自体の効果を妨げない範囲で適宜に設定されることが望ましい。

本発明において、前記突出体の形成領域以外の領域にベース電極が設けられ、該ベース電極に前記表面導電層が導電接続されていることが好ましい。これによれば、ベース電極と突出体とが別領域に設けられるため、突起電極を容易に形成することが可能になる。

この場合に、前記下地層は導電性素材よりなり、前記表面導電層は前記下地層を介して前記ベース電極に導電接続されていることが望ましい。これによれば、下地層と表面導電層の積層構造によって突起電極表面の導電層が構成されるので、電気的信頼性をさらに高めることができる。このとき、下地層がベース電極と表面導電層の間の拡散防止膜として機能するものであることがさらに望ましい。

次に、本発明の実装構造体は、樹脂よりなる突出体と、該突出体上に形成された下地層と、該下地層上に形成された表面導電層とを備えた突起電極を有する第１電子部品と、前記突起電極の少なくとも頂部が押しつぶされた状態で導電接続されてなる対向電極を有する第２電子部品とを具備する実装構造体において、前記下地層は前記表面導電層よりも延性の低い素材で構成され、前記突起電極の少なくとも前記対向電極に対する接触部分と非接触部分との境界領域において前記下地層が分散配置されていることを特徴とする。

これによれば、突起電極と対向電極とが導電接続されて突起電極の頂部が押しつぶされた状態となっても、境界領域において下地層が分散配置されていることにより表面導電層への影響が低減されるため、接続抵抗値のばらつきや増大を抑制することができる。

本発明において、前記下地層は導電性素材よりなり、前記表面導電層は前記下地層よりも、前記対向電極に対する接触抵抗の低い素材、或いは、耐食性の高い素材で構成されていることが好ましい。これによれば、下地層と表面導電層の積層構造によって突起電極表面の導電層が構成されるので、電気的信頼性を高めることができるとともに、表面導電層の付加機能による効果、すなわち、対向電極に対する接触抵抗の低減、或いは、突起電極の耐食性の向上を図ることができる。

次に、本発明の電気光学装置は、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置を実装してなる電気光学パネルを具備することを特徴とする。電気光学パネルとしては、液晶パネル、電気泳動パネル、有機ルミネッセンスパネルなどが挙げられる。特に、ガラス基板等の硬質基板を用いたパネルに上記半導体装置を実装する場合には、当該硬質基板上に形成される接続パッド側の変形は期待できないので、半導体装置側の上記樹脂よりなる突出体を含む突起電極を用いる意義がある。

また、本発明の他の電気光学装置は、上記の実装構造体を含むものである。ここで、実装構造体の第２電子部品としては、電気光学パネル、或いは、電気光学パネルに実装された配線基板等が挙げられる。

次に、本発明の電子部品（半導体装置）の製造方法は、樹脂よりなる突出体と、該突出体上に形成された下地層と、該下地層上に形成された表面導電層とを備えた突起電極を有する電子部品の製造方法において、基体上に前記突出体を形成する工程と、前記突出体の表面上に前記表面導電層よりも延性が低く、前記表面導電層に比べて前記突出体との密着性が良好な導電性素材からなる前記下地層を形成する工程と、前記下地層の表面上に前記表面導電層が気液浸透性を備えた微細構造を有する態様に形成する工程と、前記突出体上において前記表面導電層に覆われた前記下地層の少なくとも一部領域を前記表面導電層の前記微細構造を通過した気体あるいは液体によって分散して形成する工程と、を具備することを特徴とする。ここで、気液浸透性を備えた微細構造とは、表面導電層に形成された微細な粒界や微細孔等といった、気体や液体を浸透させることが可能な微細な構造を言う。

電子部品の製造方法としては、下地層を形成する工程において突出体の表面上に直接に下地層を分散配置させる方法も考えられるが、この方法では、表面導電層に設けられた気液浸透性を備えた微細構造を通して下地層を分散配置させることができるため、下地層を分散して成膜するために成膜工程を微妙に調整する必要がなくなるので、分散配置された下地層を安定して形成できる。

この場合において、前記表面導電層が形成された後に前記表面導電層がパターニングされる工程を有し、前記下地層の一部領域を分散して形成する工程が、パターニングされた前記表面導電層をマスクとして前記下地層がパターニングされる工程において同時に行われることが望ましい。これによれば工程数の増加が抑制され、短時間かつ低コストで製造することができる。特に、下地層をパターニングすると同時に下地層を分散配置させることで、下地層を分散させるための専用工程が不要となるため、工程数の増加を回避することができ、製造時間や製造コストの増加を抑制できる。

本発明において、前記突出体を形成する工程では前記突出体の表面を粗面化し、前記下地層を形成する工程では前記突出体の粗面化した前記表面の凹凸を反映した表面を有する状態に前記下地層を形成し、前記表面導電層を形成する工程では前記表面導電層を前記下地層の表面凹凸上に成膜することにより前記微細構造を形成することが好ましい。これによれば、突出体の表面が粗面化されることで下地層の密着性をさらに高めることができるとともに、下地層の表面が突出体の表面の凹凸を反映するように形成され、この下地層の表面凹凸に応じて表面導電層が形成されることから、容易に気液浸透性を有する微細構造を形成することができる。

［電子部品（半導体装置）の構成］
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は本実施形態の電子部品乃至は半導体装置の部分平面図、図２は同電子部品、若しくは、半導体装置の部分縦断面図である。本実施形態では、単結晶シリコン等の半導体基板などで構成される基体１０の表面上に、アルミニウム等よりなるベース電極１１が形成され、さらに、ベース電極１１の一部を露出する開口部１２ａを有する絶縁層１２が酸化シリコンや窒化シリコン等により形成されている。絶縁層１２上には突起電極Ｐが形成されている。この突起電極Ｐは、以下に詳述する突出体１３及び導電層１４で構成される。

絶縁層１２上には、上記ベース電極１１或いは開口部１２ａを避けた領域において樹脂よりなる突出体１３が形成されている。この突出体１３は基体１０の表面上より突出した形状を有するものであればよく、図示例のように半球状に限らず、表面に沿った軸線を有する半円柱状、表面と直交する軸線を有する角柱状や円柱状に形成されていてもよい。突出体１３は、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの各種樹脂によって形成することができる。特に、上記各種素材よりなる感光性樹脂で形成されたものであることが好ましい。また、感光性樹脂としては、露光条件の調整によって形状を制御可能なアクリル系感光樹脂を用いることが望ましい。さらに、突出体の表面は、後述する導電層１４との密着性を高めるために粗面化されていることが好ましい。

突出体１３の突出量は実装方法や実装部の特性等によって適宜に設定されるが、一般的には５〜１０００μｍの範囲内であり、半導体装置としては５〜５０μｍ、特に、１０〜２０μｍ程度とされることが好ましい。

突出体１３上には導電層１４が形成され、この導電層１４は上記開口部１２ａ上まで伸びて、上記ベース電極１１に導電接続されている。導電層１４の厚みは、一般的には１００ｎｍ〜１μｍの範囲内であるが、特に、３００〜８００ｎｍの範囲内であることが好ましい。本実施形態において、導電層１４は下地層１４ａと表面導電層１４ｂの２層が積層されてなる積層構造とされている。ここで、下地層１４ａは導電性材料で構成されることが好ましく、当該導電性材料としては、例えば、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ等が挙げられる。下地層１４ａは主として突出体を構成する樹脂との密着性を高めるためのものであるが、ベース電極１１を構成する金属素材（例えばアルミニウム）の拡散を防止する拡散防止層としても機能するもの（例えばＴｉＷ）であることがより望ましい。下地層１４ａの厚みは１００〜１５０ｎｍ程度であることが望ましい。

下地層１４ａは一般的に表面導電層１４ｂよりも延性が低いので、実装時において突起電極Ｐが対向電極に当接して変形する際に、下地層１４ａが割れ、それによって表面導電層１４ｂにも影響が出ることがある。これを防止するために、本実施形態では後述するように下地層１４ａの一部を分散配置させ（まだら状に形成し）ている。

表面導電層１４ｂは、後述する対向電極との接触抵抗が小さいなど、電極表面としての好適な機能を有する導電性素材で構成される。このような導電性素材としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ，Ｃｕ、Ｐｔなどが挙げられる。表面導電層１４ｂとしては、上記の導電接続性以外に、耐食性が良好な素材（Ａｕ，Ｐｔなど）であることがさらに望ましい。表面導電層１４ｂの厚みは３００〜８００ｎｍ程度であることが好ましい。

なお、上記のようにして形成された突起電極Ｐを図示例では一つのみ描いてあるが、通常、電子部品（半導体装置）の実装面上には複数の突起電極Ｐが配列された形で形成される。この場合、複数の突起電極Ｐをそれぞれ突出体１３及び導電層１４が独立して形成された形で配列させてもよいが、例えば、共通の突出体１３を配列方向に延在した形状とし、この突出体１３上に複数の導電層１４を配列形成したものであっても構わない。

図３は突起電極Ｐの頂部の一部において表面導電層１４ｂを取り去った状態、及び、その下にある下地層１４ａの一部を拡大して示す平面図、図４は突起電極Ｐの拡大縦断面図である。本実施形態において、上記の下地層１４ｂは少なくとも突起電極Ｐの頂部において分散配置（まだら状に形成）されている。ここで分散配置（まだら状）とは、下地層１４ｂの構成素材が突出体１３の表面を完全に覆っているのではなく、形成領域、或いは、非形成領域が分散配置されている状態を言う。図３及び図４には、微細な形成領域１４ｓが分散配置されている様子が示されている。また、これらの形成領域１４ｓ間には下地層１４ａが形成されていない非形成領域１４ｕが存在する。この場合、形成領域１４ｓの平均被覆面積は１００ｎｍ^２〜１０μｍ^２程度であり、被覆面積比は２０〜８０％程度である。なお、図示例とは逆に、微細な非形成領域が分散配置されている状態であってもよい。

本実施形態において、上記下地層１４ａが被覆範囲において全面的に分散配置されていてもよいが、特に、突起電極Ｐを構成する部分、すなわち、突出体１３上に形成されている部分のみが分散配置されていてもよく、さらに、実装時において突起電極Ｐが実質的に変形する領域（頂部）のみが分散配置されていてもよい。これは、以下の理由により、分散配置された下地層１４ａの効果が実装時における突起電極Ｐの変形領域だけで得られればよく、特に、対向電極と接触している領域と接触していない領域との境界を含む所定範囲だけで得られればよいためである。

下地層１４ａを分散配置させるのは、実装時において突起電極Ｐが後述する対向電極に当接して変形するときに、下地層１４ａが割れることを防止するためである。下地層１４ａが割れると、表面導電層１４ｂにも影響が現れ、クラック等が生ずる場合があり、これによって接続抵抗値がばらついたり、増大したりする虞がある。もちろん、接続抵抗値のばらつきや増大は表面導電層１４ｂにクラックが生ずる場合だけでなく、下地層１４ａの割れに伴う変形により表面導電層１４ｂのシート抵抗が変動又は増加した場合にも生ずる。

図４には、実装時において突起電極Ｐが対向電極（図示せず）と接触する平面範囲Ｃを示してある。この平面範囲Ｃは実装時における加圧力や加熱温度等に影響を受けるため正確に予測することは難しいが、実装工程の実験的な検証や理論的な計算等によってほぼ決定することができる。本実施形態の場合、上記平面範囲Ｃよりも広い平面範囲Ｄにおいて突起電極Ｐの実質的な変形が生ずる。したがって、この平面領域Ｄ内において下地層１４ａが分散配置されていればよい。また、平面範囲Ｃの外縁を基準として突起電極Ｐの半径方向にある程度余裕をもって設定した境界範囲Ｅには、突起電極Ｐの対向電極に対する接触部分と非接触部分の境界が含まれる。この境界範囲Ｅは、上記平面範囲Ｄ内でも変形が大きく、最も下地層１４ａの割れが生じやすい部分であるので、境界範囲Ｅのみにおいて下地層１４ａがまだら状に構成されていても十分な効果が得られる。この場合、平面範囲Ｃでは下地層１４ａが全面的に被覆した状態とされることで、後述する対向電極との導電接続性を向上させることができる。なお、平面範囲Ｃ及び境界範囲Ｅの双方において下地層１４ａが分散配置されているが、平面範囲Ｃでは形成領域１４ｓの面積割合が相対的に大きく、境界範囲Ｅでは非形成領域１４ｕの面積割合が相対的に大きくなるように構成してもよい。

［電子部品（半導体装置）の製造方法］
次に、図５乃至図９を参照して、上述の電子部品（半導体装置）の製造方法の実施形態について詳細に説明する。本実施形態の製造方法は、図５に示すように、基体１０の表面上に蒸着法、スパッタリング法等を用いてアルミニウム等よりなるベース電極１１を形成する。このベース電極１１はエッチング等によるパターニング処理で基体１０上の各種配線等と共に形成することができる。その後、基体１０及びベース電極１１上に、ＣＶＤ法、スパッタリング法等により絶縁層１２を形成し、パターニング処理によってベース電極１１を露出させるための開口部１２ａを形成する。

その後、図６に示すように、絶縁層１２上に感光性樹脂１３Ｘを塗布し、開口部１３ａを備えた露光マスク１３Ｙを用いて露光処理を施し、その後、現像処理を施すことによって図７に示すように突出体１３を形成する。図示例では開口部１３ａに対応する部分の感光性樹脂１３Ｘが残存して突出体１３が形成される例を示してある。なお、感光性樹脂１３Ｘとして露光量を制御することで残存厚みが調整できる感光性材料（例えば、アクリル系感光性樹脂）を用いることにより、単純な開口形状を有する開口部１３ａで図示のような上窄まり形状の突出体１３を容易に形成できる。

ここで、突出体１３の表面を粗面化することが好ましい。突出体１３の表面の粗面化は、例えば、酸素ガスを用いたプラズマ処理で実施することができる。当該表面の表面粗さＲａが５０〜５００ｎｍの範囲であることが好ましく、特に、１００〜１５０ｎｍ程度であることが望ましい。

しかる後に、図８に示すように導電層１４を形成する。図示例の場合、下地層１４ａと表面導電層１４ｂを蒸着法やスパッタリング法により順次に形成する。下地層１４ａ及び表面導電層１４ｂはめっき処理（無電解めっき又は電解めっき）により形成してもよい。

本実施形態では本工程において下地層１４ａを被覆範囲を全面的に覆うように形成し、後の工程でまだら状に加工するが、当該工程で下地層１４ａを直接に分散配置してもよい。この場合、例えば、スパッタリング法等の気相成長法や無電解めっきなどの析出法で下地層１４ａを形成し、下地層１４ａが離散的に突出体１３の表面を被覆する段階（核生成状態）で、連続的に被覆する段階（連続膜状態）に至る前に、処理を停止する。このようにすると、処理時間が短ければ上述のように形成領域１４ｓが分散配置された状態となりやすいが、処理時間が長くなると非形成領域が分散配置された状態になる。
また、下地層をスパッタリングする工程でまだら状のマスクを使用してスパッタリングすることにより下地層を分散配置させる（まだら状に形成する）ことも可能である。

本実施形態では、下地層１４ａが基体上の被覆範囲を全面的に覆う状態となるように形成した場合について以下説明する。下地層１４ａは上記の粗面化された突出体１３の表面上に成膜され、その結果、下地層１４ａの表面に突出体１３の粗面状態（表面の凹凸）が反映された状態とされる。例えば、下地層１４ａを上記表面粗さと同程度の厚み（１００〜１５０ｎｍ程度）に形成することで、下地層１４ａの表面には突出体１３の粗面状態が反映される。

そして、この上に形成される表面導電層１４ｂには、上記の下地層１４ａの表面凹凸に対応して成膜中に凹凸周期ごとに単位組織が成長し、その結果、気液浸透性を備えた微細構造が形成される。すなわち、下地層１４ａの表面上において微細な単位組織がそれぞれ独立して成長し、最終的に図１０に示すように単位組織間が密接して一体の層構造となるため、単位組織の境界に気体や液体が浸透可能な構造となる。

次に、突起電極Ｐからベース電極１１に至る範囲をレジスト等で形成したマスク１５で被覆し、エッチング処理（ウエットエッチングでもドライエッチングでもよい。）により図９に示すように表面導電層１４ｂの不要部分を除去する。

その後、パターニングされた表面導電層１４ｂをマスクとして、下地層１４ａのパターニング処理を行う。ここで、パターニング処理は、下地層１４ａを除去することはできるが、表面導電層１４ｂを除去することは実質的にできない方法、例えば、所定のエッチング液を用いるウエットエッチング、或いは、上記の選択性を有する反応性ドライエッチング等で行う。

本工程においては、図１０に示すように、表面導電層１４ｂが上記の微細構造１４ｔを有するものとして形成されている。そして、表面導電層１４ｂをマスクとして上記のパターニング（エッチング）処理を施すことで、表面導電層１４ｂが被覆していない範囲の下地層１４ａが除去されることは勿論のこと、表面導電層１４ｂで被覆されている範囲の下地層１４ａも微細構造１４ｔを通して侵入したエッチング液或いはエッチングガスにより部分的に除去され、その結果、下地層１４ａは図１０に示すように形成部分１４ｓと非形成部分１４ｕを有するまだら状に加工される。

この場合に、図９に２点鎖線で示すように、一部に開口部１５ａを形成したマスク１５′（このマスク１５′は上記マスク１５と同じものであってもよく、全く別のマスクであってもよい。）を残してパターニングを行うことにより、開口部１５ａにて露出した下地層１４ａの部分（例えば、突起電極Ｐの頂部、すなわち、上記の平面範囲Ｄ）のみを分散配置させる（まだら状に形成する）ことができる。さらに、突出体１３の頂部のうち、頂点近傍を避けてその周囲（上記の境界範囲Ｅ）のみを分散配置させる（まだら状に形成する）ことも可能である。

この場合には、上記範囲以外の部分、特に、ベース電極１１と導電層１４の導電接触部分において下地層１４ａがまだら状に加工されないため、ベース電極１１上の導電接続部分の接続抵抗値を低下させることができ、また、当該部分にはエッチング液やエッチングガスが侵入しないので、当該部分の腐食等の虞も低減できる。さらに、上記と同様に下地層１４ａをまだら状に加工する範囲を限定することで、導電層１４の配線としての抵抗値を低減することもできる。

なお、本実施形態の場合、下地層１４ａ（ＴｉＷ）はベース電極１１（Ａｌ）と表面導電層１４ｂ（Ａｕ）との間に介在し、熱処理等によってベース電極１１の原子（Ａｌ原子）が表面導電層１４ｂ内へ拡散することを防止する拡散防止膜としても機能する。この場合には、拡散防止膜としての機能を高めるために、上記のようにベース電極１１上において下地層１４ａがまだら状に構成されず、被覆範囲を全面的に覆うように形成されていることが好ましい。

本実施形態の製造方法では、表面導電層１４ｂに設けられた気液浸透性を備えた微細構造１４ｔを通して下地層１４ａを分散配置させ（まだら状に形成し）ているため、まだら状の下地層１４ａを安定して形成できる。また、下地層１４ａをパターニングすると同時に下地層１４ａをまだら状にすることで、下地層１４ａをまだら状にするための専用工程が不要となるため、工程数の増加を回避することができ、製造時間や製造コストの増加を抑制できる。

また、突出体１３の表面が予め粗面化されることで下地層１４ａの密着性をさらに高めることができるとともに、下地層１４ａの表面が突出体１３の表面の凹凸を反映するように形成され、この下地層１４ａの表面凹凸に応じて表面導電層１４ｂが形成されることから、容易に気液浸透性を有する微細構造１４ｔを形成することができる。

［実装構造体及び電気光学装置の構成］
次に、図１１及び図１２を参照して、本発明の実装構造体及び電気光学装置の実施形態について詳細に説明する。図１１は電気光学装置の一例を示す概略斜視図、図１２は実装構造を拡大して示す拡大部分断面図である。

本実施形態の電気光学装置１００は、液晶表示体（液晶パネル）を備えた液晶装置であり、ガラス等よりなる透明な基板１１０と１２０をシール材１３０で貼り合わせ、基板１１０と１２０の間に液晶を配置したものである。シール材１３０は駆動領域Ａを取り囲むように形成され、液晶を注入する開口部１３０ａが封止材１３１によって閉鎖されている。

基板１１０は、ガラスやプラスチック等の基材１１１の内面上に、ＡｌやＡｇ等の金属その他の反射性材料からなる反射層、カラーフィルタ、絶縁膜、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる電極１１６、ポリイミド樹脂等からなる配向膜等を必要に応じて適宜に積層したものである。

一方、基板１２０は、ガラスやプラスチック等の基材１２１の内面上に、配線１２２及びこれに接続された素子（ＴＦＤ等の二端子非線形素子、或いは、ＴＦＴ等の三端子非線形素子）、絶縁層、透明導電体からなる電極、ポリイミド樹脂等からなる配向膜等を必要に応じて適宜に積層したものである。

基板１１０上に設けられた電極と、基板１２０上に設けられた電極とが平面的に交差する領域は、両電極に挟まれた液晶の配向状態を独立して制御可能な画素を構成し、図示の駆動領域Ａ内には複数の画素が縦横に配列された状態とされている。

また、基板１２０は、基板１１０の外形より外側に張り出した基板張出部１２０Ｔを有し、この基板張出部１２０Ｔ上に液晶駆動回路などを内蔵した半導体装置１３５が実装されている。この半導体装置１３５は、上記電極１１６及び配線１２２に導電接続され、基板張出部１２０Ｔ上に引き出された配線１１７、１１８に導電接続されている。また、基板張出部１２０Ｔの端部には半導体装置１３５に導電接続された入力端子１３６が設けられ、この入力端子１３６は、基板張出部１２０Ｔの端部に実装された配線基板（例えばフレキシブル配線基板）１３７に形成された配線（図示せず）に導電接続されている。

さらに、基板１１０と１２０の間には絶縁樹脂等で構成されるスペーサ（図示せず）が介在し、このスペーサが両基板の間隔を規制している。このスペーサはいずれか一方の基板に固定した状態で形成されることが好ましい。さらに、基板１１０，１２０の外面上には必要に応じて位相差板及び偏光板（図示せず）が貼着等の方法で配置される。

上記の半導体装置１３５には、上記の電子部品（半導体装置）の実施形態において形成された突起電極Ｐが形成され、この突起電極Ｐが基板張出部１２０Ｔ上に形成された配線１１７，１１８の先端に設けられた図１２に示す対向電極（接続パッド）１１７ｓ、１１８ｓに導電接続されている。この場合、半導体装置１３５を熱硬化性樹脂よりなる絶縁樹脂フィルム等を介して基板張出部１２０Ｔに対して加圧しつつ加熱し、絶縁樹脂フィルムを構成する絶縁樹脂１５０を軟化させながら突起電極Ｐを対向電極１１７ｓ、１１８ｓに押し付け、突起電極Ｐの突出体１３の頂部を変形させる。その後、絶縁樹脂１５０が熱硬化することにより、突起電極Ｐと対向電極１１７ｓ、１１８ｓとの導電接続状態が図１２に示すように維持される。

図１２に示す導電接続状態において、突起電極Ｐが対向電極１１７ｓ、１１８ｓに押し付けられることで突出体１３が弾性変形しており、その弾性復元力がコンタクト圧として機能し、両電極の導電接続状態が維持される。この場合、突起電極Ｐが対向電極１１７ｓ、１１８ｓに接触している平面範囲Ｃ、突起電極Ｐが実質的に変形している平面範囲Ｄ、及び、境界範囲Ｅは図４に示すものと同様である。したがって、上記平面範囲Ｄ或いは境界範囲Ｅにおいて下地層１４ａが分散配置（まだら状に形成）されていることにより、突起電極Ｐの抵抗値がばらついたり、増大したりすることを抑制できる。

［電子機器］
最後に、上述の電気光学装置１００を電子機器に搭載してなる構成例について説明する。図１３は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるノート型パーソナルコンピュータを示している。このパーソナルコンピュータ２００は、複数の操作ボタン２０１ａや他の操作装置２０１ｂを備えた本体部２０１と、この本体部２０１に接続され、表示画面２０２ａを備えた表示部２０２とを備えている。図示例の場合、本体部２０１と表示部２０２は開閉可能に構成されている。表示部２０２の内部には上述の電気光学装置（液晶装置）１００が内蔵されており、表示画面２０２ａに所望の表示画像が表示されるようになっている。この場合、パーソナルコンピュータ２００の内部には、上記電気光学装置１００を制御する表示制御回路が設けられる。この表示制御回路は、電気光学装置１００の半導体装置１３５内に設けられる駆動回路（液晶ドライバ回路など）に対して所定の制御信号を送り、その表示態様を決定するように構成されている。

なお、本発明に係る電子機器としては、図１３に示す電子機器の他に、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末機などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として本発明に係る電気光学装置を用いることができる。 尚、本発明の半導体装置、実装構造体、電気光学装置、電子機器、及び、電子部品の製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態では突起電極Ｐを設けた半導体装置について説明したが、上記半導体装置の代わりに、半導体装置以外の任意の電子部品を同様に構成して、実装構造体を構成してもよい。

実施形態の半導体装置の部分平面図。 実施形態の半導体装置の部分縦断面図。 実施形態の半導体装置の部分平面図と共に示す下地層の拡大部分平面図。 実施形態の半導体装置の突起電極を拡大して示す拡大部分縦断面図。 実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程説明図。 実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程説明図。 実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程説明図。 実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程説明図。 実施形態の半導体装置の製造工程を示す工程説明図。 突起電極の表層部を拡大して示す拡大図。 電気光学装置の一例を示す概略斜視図。 実装部の拡大部分縦断面図。 電子機器の一例を示す概略斜視図。

符号の説明

１０…基体、１１…ベース電極、１２…絶縁層、１３…突出体、１４…導電層、１４ａ…下地層、１４ｓ…形成領域、１４ｔ…微細孔、１４ｕ…非形成領域、１４ｂ…表面導電層、１５…レジスト、１００…電気光学装置、２００…電子機器

Claims (10)

1. 樹脂よりなる突出体と、該突出体上に形成された下地層と、該下地層上に形成された表面導電層とを備えた突起電極を有する半導体装置において、
   前記下地層は前記表面導電層よりも延性が低い導電性素材で構成され、
   前記突起電極の少なくとも頂部において前記下地層が分散配置されていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記突出体の形成領域以外の領域にベース電極が設けられ、該ベース電極に前記表面導電層が導電接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記表面導電層は前記下地層を介して前記ベース電極に導電接続されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 樹脂よりなる突出体と、該突出体上に形成された下地層と、該下地層上に形成された表面導電層とを備えた突起電極を有する第１電子部品と、前記突起電極の少なくとも頂部が押しつぶされた状態で導電接続されてなる対向電極を有する第２電子部品とを具備する実装構造体において、
   前記下地層は前記表面導電層よりも延性が低い導電性素材で構成され、
   前記突起電極の少なくとも前記対向電極に対する接触部分と非接触部分との境界領域において前記下地層が分散配置されていることを特徴とする実装構造体。
5. 前記表面導電層は前記下地層よりも、前記対向電極に対する接触抵抗の低い素材、或いは、耐食性の高い素材で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の実装構造体。
6. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置を実装してなる電気光学パネルを具備することを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項４又は５に記載の実装構造体を含むことを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項６又は７に記載の電気光学装置を搭載してなることを特徴とする電子機器。
9. 樹脂よりなる突出体と、該突出体上に形成された下地層と、該下地層上に形成された表面導電層とを備えた突起電極を有する電子部品の製造方法において、
   基体上に前記突出体を形成する工程と、
   前記突出体の表面上に前記表面導電層よりも延性が低い導電性素材からなる前記下地層を形成する工程と、
   前記下地層の表面上に前記表面導電層が気液浸透性を備えた微細構造を有する態様に形成する工程と、
   前記突出体上において前記表面導電層に覆われた前記下地層の少なくとも一部領域を前記表面導電層の前記微細構造を通過した気体あるいは液体によって分散して形成する工程と、
   を具備することを特徴とする電子部品の製造方法。
10. 前記突出体を形成する工程では前記突出体の表面を粗面化し、
    前記下地層を形成する工程では前記突出体の粗面化した前記表面の凹凸を反映した表面を有する状態に前記下地層を形成し、
    前記表面導電層を形成する工程では前記表面導電層を前記下地層の表面凹凸上に成膜することにより前記微細構造を形成することを特徴とする請求項９に記載の電子部品の製造方法。

Images