CN100468668C - 半导体装置安装方法、电路基板、电光学装置和电子仪器 - Google Patents

Abstract

提供一种可以用于提高在驱动用IC的树脂突起与在显示装置基板上形成的电极端子之间连接的可靠性的半导体装置的安装方法、电路基板、电光学装置和电子仪器。本发明的半导体装置的安装方法，是将具备电极(2)、比电极(2)更突出并由树脂形成的凸部(4)和与电极(2)电连接并通至凸部(4)的上面的导电部(5)的半导体装置(10)，借助于接合材料，安装在所定基板上的半导体装置的安装的方法，其特征在于，通过在包括树脂的玻璃转变温度的温度范围内实施热压处理安装半导体装置(10)。

Description

半导体装置安装方法、电路基板、电光学装置和电子仪器

技术领域

本发明涉及半导体装置的安装方法、电路基板、电光学装置和电子仪器。

背景技术

过去知道，在显示装置的基板上用来安装驱动用IC的连接方法，例如COG(Chip On Glass)连接法。在这种COG连接方法中，采用了在驱动用IC上形成例如镀金凸起，用各向异性导电膜(ACF)和各向异性导电糊料(ACP)的导电性接合材料，将在驱动用IC上形成的凸起与在显示装置的基板上形成的电极端子电连接，并安装驱动用IC的方法(例如专利文献1和专利文献2)。

然而，随着驱动用IC中电极的细微化(间距狭窄化)，上述的叫作ACF、ACP的导电性粘接剂中导电性微粒的尺寸，与上述电极间隙尺寸接近。因此，往往在驱动用IC的电极之间产生短路，很难使用导电性的接合材料安装驱动用IC。

因而随着驱动用IC的电极间距的狭窄化，广泛采用不含导电性微粒的非导电膜(NCF)等来代替ACF、ACP等导电性接合材料。而且对于上述驱动用IC上形成的凸起而言，使用以耐热性优良的聚酰亚胺为核心的树脂(例如专利文献3)。

专利文献1：特开平2-272737号公报

专利文献2：特开平3-96921号公报

专利文献3：特开平6-302606号公报

然而，对于由聚酰亚胺构成的树脂突起而言，即使在驱动用IC的安装温度状态(高温)下，因弹性模数高、安装时树脂不会产生变形而产生连接可靠性降低的问题。详细讲，COG安装时，用NCP将驱动用IC的电极与显示装置中基板上的电极端子电连接，进而固定保持这种状态。但是，由构成驱动用IC的电极的由聚酰亚胺构成的树脂突起，因热压而使树脂固化收缩，在树脂突起的顶部周缘部会隆起。由此树脂突起顶部的中央部就比周缘部凹陷。因此，COG安装时NCF就会残留在树脂突起顶部的凹陷部分内，常常使所涉及的部分中产生导通不良。其结果，就装置全体而言存在因导通不良而引起连接可靠性降低的担心。

因此，为了解决此问题，有人考虑采用以硅酮作为主要成分的弹性模数低的树脂形成凸起，以此来回避安装时因树脂变形而使树脂突起的周缘部隆起，借以提高驱动用IC的外部电极与显示装置的电极端子之间连接的可靠性。然而，上述弹性模数低的树脂一般以硅酮为代表，存在树脂种类受限制的问题。

发明内容

本发明正是鉴于上述情况而提出的，其目的在于，提供一种可以提高驱动用IC的树脂突起与在显示装置的基板上形成的电极端子间连接可靠性的半导体装置的安装方法、电路基板、电光学装置和电子仪器。

为解决上述课题，本发明的半导体装置安装方法，是将具备电极、从所述电极突出并由树脂形成的凸部、和与所述电极电连接并通至所述凸部的上面的导电部的半导体装置，借助于接合材料在基板上安装的方法，其特征在于，通过在所述树脂的弹性模数开始降低的温度以上实施热压处理安装所述半导体装置，在形成所述导电部的工序中，通过溅射法形成导电层，将所述导电层图案化后与所述电极连接，而且形成直至所述凸部的上表面的第一导电层，通过电镀法在所述导电层上形成第二导电层，除去未被所述第二导电层覆盖的第一导电层形成所述导电部。

所述第一导电层的厚度为200纳米，所述第二导电层的膜厚，形成得比第一导电层厚，为1～2μm。

根据这种构成，由于在包括所述树脂玻璃转变温度的温度范围内实施热压处理，所以在将半导体装置安装在基板上的温度下，树脂组成的凸部的弹性模数降低。这样通过安装时的热压处理，能使半导体装置的由凸部构成的外部变形，与基板的电极端子可靠地连接。其结果，可以消除导通不良，提高连接的可靠性。而且由于能够采用NCP方式连接，所以不必使用含有各向异性的接合材料，能够实现低成本化。而且可以使用常温下弹性模数高的树脂制造凸部。其结果可以增加树脂的选择范围，实用廉价树脂，实现低成本化。此外，通过在上述凸部中使用上述那种树脂，安装时树脂的弹性模数低，所以能在低载荷下安装。由此，可以在存在开关元件等的区域上形成凸部，若是半导体装置则不管是否是开关元件存在区域均能形成电极。不仅如此，当在开关元件存在区域上形成上述凸部的情况下，能够削减以往形成了凸部的区域，其结果可以使半导体装置全体小型化。

另外，根据这种构成，在基板和安装半导体装置时，由于处于树脂的弹性模数开始降低的温度以上温度下，所以对基板上安装半导体装置时热压的情况下，树脂不会变形。其结果，可以可靠地将半导体装置的凸部、由导电部构成的外部电极和基板电极连接，可以提高连接可靠性。

而且本发明的半导体装置的安装方法，优选采用聚酰亚胺作为所述树脂，安装所述半导体装置时的温度优选处于200℃以上和260℃以下。

将安装温度定为200℃以上和260℃以下的理由是，当安装温度低于200℃的情况下，由于由聚酰亚胺组成的凸部弹性模数高，将半导体装置在基板上安装时凸部不会变形，在半导体装置与基板之间将产生导通不良，因而不能提高连接可靠性的缘故。另一方面，当安装温度超过260℃的情况下，将半导体装置在基板上安装、保持和固定用的接合材料，在凸部开始变形之前就会固化终止。因此，若将安装温度定为200℃以上和260℃以下，则由于是凸部变形且接合材料固化之前的温度，所以能够可靠地将半导体装置的凸部、由导电部构成的外部电极和基板电极连接，可以提高连接的可靠性。

而且本发明的半导体装置的安装方法，其中所述树脂优选是丙烯树脂或苯酚系树脂。

根据这种构成，由于丙烯树脂或苯酚系树脂的玻璃转变温度低，所以当接合材料固化之前凸部就开始变形。其结果，能够可靠地将半导体装置的电极、由凸部构成的外部电极和基板的电极连接，可以提高连接的可靠性。

本发明的半导体装置的安装方法，其特征在于，其中设置多个所述电极，至互相邻接的所述多个电极连续形成所述凸部，在所述凸部的上面、与所述各电极分别对应形成所述导电部，将所述导电部与所述电极电连接。

根据这种构成，无需对各电极独立形成凸部，所以能够缩短制造时间。

本发明的半导体装置的安装方法，在形成所述导电部的工序中，优选通过溅射法形成导电层，将所述导电层图案化后与所述电极连接，而且形成直至所述凸部的上面的第一导电层。

采用这种构成，通过由溅射法形成的导电层图案化成所定形状，可以将电极与在凸部上面形成的第一导电层电连接。其中本发明中所述的“导电层”是指，在经图案化形成所定形状的导电部(第一导电层、第二导电层)之前的基板上成膜了的导电材料。

本发明的半导体装置的安装方法，在形成所述导电部的工序中，优选通过电镀法在所述导电层上形成第二导电层，除去未被所述第二导电层覆盖的导电层形成第一导电层。

根据这种构成，能够将从电极引至凸部上面的导电部制成第一导电层和第二导电层的两层结构。因此，导电部的膜厚增加，导电部的膜强度提高。由此，即使安装时因热压导致的凸部变形，导电部也能追随凸部变形。因而能够避免热压引起的导电部的断线和短路等。

本发明的半导体装置的安装方法，其中所述接合材料优选是非导电性接合材料。

在这种构成下，能够防止安装时在半导体装置中形成的多个电极间短路。其结果，能够将半导体装置的电极、由凸部构成的外部电极和基板的电极可靠地连接，可以提高连接可靠性。

本发明是具备用上述半导体装置的制造方法制造的半导体装置的电路基板。采用这种构成，可以提供具有上述效果的电路基板。另外，本发明是一种电光学装置，其特征在于，其中具备上述电路基板。这样能够提供一种具有上述效果的电光学装置。本发明是一种电子仪器，其特征在于，其中具备上述电光学装置。这样能够提供一种具有上述效果的电子仪器。

附图说明

图1(a)是第一种实施方式涉及的半导体装置的概略构成图，(b)是半导体装置的沿着A-A线的剖面图，(c)是半导体装置的沿着B-B线的剖面图。

图2是第一种实施方式涉及的半导体装置的制造工序图。

图3是第一种实施方式涉及的半导体装置的制造工序图。

图4是第一种实施方式涉及的半导体装置的制造工序图。

图5是第一种实施方式涉及的半导体装置的制造工序图。

图6是第一种实施方式涉及的半导体装置的制造工序图。

图7是第一种实施方式涉及的半导体装置的制造工序图。

图8是第一种实施方式涉及的半导体装置的制造工序图。

图9是第一种实施方式涉及的半导体装置的制造工序图。

图10是第二种实施方式的半导体装置的制造工序图。

图11是第二种实施方式的半导体装置的制造工序图。

图12是第二种实施方式的半导体装置的制造工序图。

图13是表示COG式液晶显示装置一例的分解立体图。

图14是COG式液晶显示装置一部分的局部放大图。

图15是表示安装温度与丙烯树脂的弹性力之间关系的曲线图。

图16是表示COF式液晶显示装置概略构成的立体图。

图17是本发明涉及的有机EL显示板的剖面图。

图18是表示本发明的电子仪器的外观图。

图中：

1…基板，2…电极，3…保护膜，4…突起(凸部)，4a…树脂层，5…第一导电层(导电部)，6…导电材料层(导电层)，7…第二导电层(导电部)，8…外部电极，10…半导体装置，20…配线基板，22…电极端子，24…接合材料，62…液晶显示装置(电光学装置)

具体实施方式

[第一种实施方式]

以下参照附图就本发明的实施方式进行说明。其中在以下说明用的各图中，为使各层和各部件达到可识别的大小而适当改变了各层和各部件的比例尺。

(半导体装置)

图1(a)是作为本发明涉及的半导体装置的、形成了半导体元件的基板的局部放大俯视图。图1(b)是图1(a)中沿着A-A线的剖面图，图1(C)是图1(a)中沿着B-B线的剖面图。另外，作为本实施方式的基板，既可以是形成了多个半导体芯片状态的硅晶片等的半导体基板，也可以是由单个半导体芯片构成的。而且在半导体芯片的情况下，虽然一般是正方体(包括立方体)，但是并不限于该形状，也可以是球形。此外，图1(a)中保护膜3因容易理解而省略。

如图1(a)～(c)所示，本实施方式的半导体装置是，在形成了半导体元件的基板1(作为半导体装置的半导体基板)上，为进行电信号的输入输出而设置的电极2、为保护基板1的能动面而设置的保护膜3(钝化膜)、由感光性绝缘树脂形成并以与电极2具有大体相同间距配置的突起4(凸部)、形成得将电极2和突起4的表面(顶面)覆盖的第一导电层5。

电极2，如图1(c)所示，由电极垫和与此电极垫连接的配线而构成。这种配线如后述那样与搭载在基板1的能动面上的半导体元件电连接。这种电极2在基板1的端部边缘附近以所定间距形成多个。而且这种电极2，在本实施方式中虽然是用Al(铝)形成的，但是除Al以外例如也可以是依次层叠Ti(钛)层、TiN(氮化钛)层、AlCu(铝/铜)层及TiN(盖顶层)层的结构。此外，电极2并不限于上述构成，也可以根据需要的电学特性、物理特性和化学特性适当变更。

保护膜3覆盖电极2的四周边分，电极2的电极垫由于在其开口内露出，所以可以用SiO₂(二氧化硅)、SiN(氮化硅)、聚酰亚胺树脂等的绝缘膜形成的。这种保护膜3的厚度，例如为1微米左右。而且保护膜3被图案化成所定形状，例如矩形，与覆盖相邻电极2的保护膜3互相间隔地形成着。其中关于使电极2露出的开口，也可以比已有半导体装置中的开口小得多，具体而言能够制成一边5～10微米左右的正方形(或矩形)。通过这样减小开口，在通常的电极形成部分面积上能使后述的外部电极8形成足够大的尺寸。而且关于该情况下电极2的大小，既可以像也有的那样大，也可以小得与保护膜3的开口吻合。另外，优选在相邻的电极2之间连续形成。

突起4，如图1(a)～(c)所示，以大体截锥状形成在基板1的能动面侧的保护膜3的上面。这种突起4形成得比电极2突出高度例如大约为10～20微米左右，俯视时的直径为20～50微米左右。而且突起4与电极2以大体同一间距配置着的。

而且这些突起4可以用感光性绝缘树脂形成，具体而言用丙烯树脂形成。这种丙烯树脂的玻璃转变温度处于220℃附近。使用丙烯树脂通过调整曝光条件，能够控制突起4的形状。其中，对于上述突起4来讲，也可以采用丙烯树脂以外的树脂，例如苯酚树脂、硅酮树脂、聚酰亚胺树脂、硅酮改性树脂或环氧树脂等形成。这些树脂的玻璃转变温度，随着树脂的设计而变化，例如在苯酚树脂的情况下大约为100～200℃，而环氧树脂的情况下约为140～200+数十℃。

第一导电层5如图1(c)所示，从包含在上述保护膜3上设置的开口部的保护膜3上连续形成得将突起4覆盖，与电极2电连接着。而且由突起4，和形成得将此突起4的上面覆盖的第一导电层5构成外部电极8。第一导电层5，以所定形状被图案化得与上述突起4的底面中短方向上的长度相等。作为第一导电层5，可以使用Au、TiW、Cu、Cr、Ni、Ti、W、NiV、Al、Pd、无铅焊料等金属。另外，第一导电层5(层叠结构的情况下，至少一层)优选采用比电极耐蚀刻性强的材料，例如Cu、TiW、Cr等形成。这样可以阻止电极的蚀刻，防止电学不良的发生。

(半导体装置的制造方法)

以下参照附图说明半导体装置的制造、将制造的半导体装置安装在配线基板上的方法。其中图2～图9是与图1(c)对应的剖面图，即与沿着图1(a)中线B-B的剖面图对应的剖面图。

首先如图2所示，形成在基板1的能动面上的所定位置配置了多个电极2的状态，进而在使这些电极2露出的状态下形成保护膜3。这些保护膜3的形成，首先在包含电极2的基板1上使SiO₂(二氧化硅)或SiN(氮化硅)等成膜。接着采用旋涂法、浸涂法、喷涂法等在SiO₂上形成抗蚀剂层，利用形成了所定图案的掩模对抗蚀剂层进行曝光处理和显影处理(光刻处理)。然后以根据这种所定形状图案化的抗蚀剂图案作掩模，对上述成膜的SiO₂进行蚀刻。通过这种蚀刻处理，形成使电极2露出的开口，得到保护膜3。其中蚀刻优选采用干式蚀刻法，而干式蚀刻法优选活性离子蚀刻法(RIE：Reactive Ion Ething)。其中也可以采用湿式蚀刻法作为蚀刻方法。这样形成开口后，利用剥离液等除去抗蚀剂图案。

接着如图3所示，涂布在保护膜3上构成突起4的树脂，即将作为正型抗蚀剂的丙烯树脂，例如涂布至厚度为10～20微米左右，进而通过预焙形成树脂层4a。而且如图4所示，将其配置在树脂层4a上使掩模9在所定位置上定位。作为掩模9，例如由形成了Cr等遮光膜的玻璃板构成，所以可以使用具有与形成的半球形的突起4的平面形状对应的圆形开口9a的。而且关于掩模9的定位，应当使其开口9a位于上述突起4的形成之处。

接着在此掩模9上照射紫外线，使开口9a内露出的上述树脂层4a曝光。其中在此曝光时，通过调整该曝光条件能使由显影后得到的树脂层4a所构成的图案，变成其上面为凸形曲面的图案。具体而言，对于树脂层4a的材料和厚度，在比标准曝光量小得多的曝光量下曝光，即进行不足曝光。而且作为实际进行的曝光(不足曝光)，例如在标准曝光量的一半曝光量下进行。

这样进行曝光时，在掩模9的开口9a内露出的树脂层4a中，曝光量将从开口9a的中心向周边部分连续逐渐减小。因此，这样进行曝光之后一旦进行显影处理，即使在开口9a内露出的树脂层4a中，也能使曝光量减小的情况下产生的未曝光部分显影，将其除去。也就是说，树脂层4a，其表层侧的曝光程度从开口9a的中心向周边部连续逐渐减小，所以可以将因这种曝光程度减小而成为未曝光的部分的树脂显影·除去。其结果，如图5所示，树脂层4a将形成上面为凸状曲面的图案，即形成大体截锥状突起4。

这样除去树脂层4a的未曝光部分并形成突起4后，如图6所示，通过溅射法在包括在保护膜3的开口部露出而形成的电极2和突起4的上面的基板1的全部表面上，使由Au、TiW、Cu、Cr、Ni、Ti、W、NiV、Al、Pd、无铅焊料等金属组成的导电性材料(通过图案化形成第一导电层)成膜。这种导电材料层的厚度，例如为200纳米左右。

进而通过旋涂法、浸涂法、喷涂法等在导电材料层6的上面涂布抗蚀剂，形成抗蚀剂层。而且采用与形成的第一导电层5的平面形状(平面图案)对应的掩模对抗蚀剂层进行曝光处理和显影处理，将其图案化成所定形状。由此，如图7所示，形成对应于将形成的第一导电层5的图案形状的抗蚀剂图案14。

接着将没有被上述导电材料层6的抗蚀剂图案14覆盖的部分蚀刻除去。由此，如图8所示，可以形成与电极2电连接的第一导电层5，从包括在保护膜3上形成的开口部的保护膜3上将突起4的上面覆盖。另外，作为此时的蚀刻，例如可以采用等离子的干式蚀刻法，或利用药液的湿法蚀刻法等任何手法进行。

最后，如图9所示，通过除去抗蚀剂图案14，进而在必要时借助于切片法制成单片，可以得到本发明的半导体装置10。

[第二种实施方式]

以下参照附图说明本实施方式。

上述实施方式中，在半导体装置的形成方法中，利用第一导电层5这一层形成了从电极2至突起4的上面延续的导电部。与其相比，本实施方式中，在利用第一导电层5与第二导电层7的这两层形成从电极2至突起4的上面延续的导电部这一点不同。而且关于其他半导体装置的形成方法均与上述第一种实施方式相同，对于共同的构成要素将赋予同一符号，省略其详细说明。

首先采用上述实施方式中图2至图6所示的制造工序，在基板1上形成电极2、比电极2更突出的由树脂构成的突起4、与电极2电连接并覆盖突起4上面的导电材料层6(后述中形成第一导电层)。

接着如图10所示，通过旋涂法、浸涂法、喷涂法等在导电材料层6的全部上表面上涂布抗蚀剂，形成抗蚀剂层。而且采用与第二导电层7的平面形状(平面图案)对应的掩模对抗蚀剂层进行曝光处理和显影处理(光刻处理)，将抗蚀剂层图案化成所定形状。由此，如图10所示，将形成具有与形成的第二导电层7的图案形状对应的开口形状的抗蚀剂图案11。

进而如图11所示，以未被导电性材料层6的抗蚀剂图案11覆盖的部分，即露出的导电材料层6作为籽晶层，实施电镀处理。通过电镀处理使Au、Cu等镀层在导电材料层6上沉积，形成第二导电层7。此时，第二导电层7的膜厚，形成得比第一导电层5厚，例如为1～2微米左右。第二导电层7的膜厚低于1微米的情况下，层强度减弱，安装时因热压处理使突起4变形时不能追随第一导电层5和第二导电层7，产生断线。另一方面，第二导电层7的膜厚一旦超过2微米时，虽然因膜厚增加使膜强度增大，但是延长电镀处理时间的同时，间距狭窄化将变得困难。

接着如图12所示，除去在导电材料层6上残留的抗蚀剂图案11。进而蚀刻除去未被第二导电层7覆盖的导电层6，即形成非导电部的部分。蚀刻处理，以第二导电层7作掩模，选择性除去未被第二导电层7覆盖的导电材料层6。蚀刻处理的方法，例如可以采用干式蚀刻法和湿式蚀刻法中的任何方法。这样可以形成被图案化成与第二导电层7大体相同形状的第一导电层5。以这种方式形成由从电极2上至突起4的顶部延伸的第一导电层5和第二导电层7的层叠结构构成的导电部。而且，在本实施方式中，在突起4和在突起4上层叠的第一导电层5和第二导电层7的情况下，形成外部电极8。然后根据需要用切片法制成单片，得到本发明的半导体装置10。

〈电光学装置〉

以下参照附图，说明将由上述制造方法制造的半导体装置10，安装在液晶显示装置(电光学装置)的配线基板上，以制造液晶显示装置的方法。作为这种安装方法，可以适当采用COG(Chip On Glass)连接法。

图13是表示COG式液晶显示装置的一个实例的图。如图13所示，作为电光学装置的液晶显示装置50，具备由金属制成的框状外壳68、作电光学显示板用的液晶板52、液晶驱动用LSI58、根据COG安装方式将液晶显示板52与在液晶驱动用LSI58的能动面上形成的凸起互相电连接用的ACF(未图示)、和保持全体强度用的保持部件172。

而且液晶显示板52具备配线基板20和与此基板相对向配置的对向基板53。配线基板20由玻璃基板等构成，在配线基板20上备有形成矩阵状的多个扫描线和数据线、与这些连接的开关元件(图示省略)、与该开关元件连接的像素电极(图示省略)、和与上述半导体装置10的多个外部电极8的配置对应而形成的多个电极端子22。

图14是放大了在配线基板20上COG安装了上述半导体装置10的部分的剖面图。首先，在配线基板20上配置用以连接半导体装置10上形成的外部电极8与在配线基板20上形成的电极端子22的接合材料24。这种接合材料24既可以配置在半导体装置10上，也可以配置在半导体装置10和配线基板20二者上。而且本实施方式中，作为将半导体装置10的外部电极与配线基板20的电极端子22连接的方法，采用NCP(NonConductive Paste)方式。因此，作为接合材料24可以采用绝缘性树脂的NCF。这种NCP由热固性环氧树脂组成，玻璃转变温度处于220℃左右。

接着将半导体装置10安装在配置了作为接合材料24的NCP的配线基板20上。半导体装置10的安装，采用使半导体装置10的外部电极8与配线基板20的电极端子22间位置吻合的方式进行，侧装焊接机在200～260℃范围内将半导体基板1与配线基板20热压。使安装温度定在上述范围内的理由是因为，安装温度低于200℃的情况下，构成半导体装置10的外部电极8的树脂弹性力不降低，树脂形状不会发生变化的缘故。另一方面，超过260℃的情况下，构成外部电极8的树脂弹性力降低，在树脂变形之前，作为接合材料的NCP已经固化，产生连接不良的缘故。因此，本实施方式中，使用构成半导体装置10的外部电极8的树脂的玻璃转变温度处于上述安装范围内的大约220℃的，以便在树脂的弹性力降低时进行安装。

图15是表示构成突起4的树脂使用丙烯树脂的情况下，树脂的弹性模数与安装温度之间关系的曲线图。图中曲线的横轴表示安装温度(℃)的变化，纵轴以对数表示树脂弹性力(Pa)变化。而且上述测定温度从30℃开始至300℃终止。其中，升温速度为4℃/分钟。如图15所示，当安装温度处于170℃附近时，丙烯树脂的弹性模数开始降低。而且随着安装温度的上升，树脂的弹性模数持续下降。当安装温度处于200～260℃范围内时，由于丙烯树脂的玻璃转变温度处于220℃附近，所以丙烯树脂的弹性模数降低。因此，经侧装焊接机的加压，使作为接合材料24的NCP固化之前，即安装温度达到260℃之前，由丙烯树脂构成的突起4将会发生变形。

热压处理例如进行5～10秒钟，使由树脂组成的突起4变形，对半导体装置10的外部电极8与配线基板10的电极端子22进行电连接。而且使上述作为接合材料24的NCP固化，将此状态固定、保持。由此，如图13和图14所示，将半导体装置1OCOG安装在配线基板20上。

根据这种构成，由于在包括树脂玻璃转变温度的温度范围内实施热压处理，所以在将半导体装置10安装在基板1的温度下，树脂组成的突起4的弹性模数降低。这样安装时通过热压处理，由半导体装置10的突起4构成的外部电极8变形，能够与基板1的电极端子22可靠地连接。其结果，可以消除导通不良，提高连接的可靠性。而且由于能够采用NCP方式连接，所以不必使用含有各向异性导电粒子的接合材料，因而能够实现低成本化。此外还能使用常温下弹性模数高的树脂制造突起4。其结果，由于可以增加树脂的选择范围，所以能够使用廉价树脂，可以实现低成本化。不仅如此，突起4通过采用上述的树脂，由于安装时树脂的弹性模数低。所以能在低载荷下安装。由此，可以在存在半导体装置10的开关元件等的区域上形成突起4，无论是在开关元件是否存在的区域上，只要是处于半导体装置10上就都能形成。此外，在存在开关元件等的区域上形成突起4的情况下，能够削减过去形成了突起4的区域面积，其结果可以实现半导体装置的小型化。

图16是表示上述的液晶显示装置，以另外方式制造的液晶显示装置的大体结构的立体图。图16所示的液晶显示装置，是由具备作电化学显示板用的彩色液晶板51、与此液晶板51连接的COF(Chip On Film)式的电路基板100构成的，电路基板100是具备用上述半导体装置的制造方法制造的半导体装置101构成的。这种构成下，电路基板100是本发明的电路基板的一种实施方式，而且液晶显示装置也是本发明的电光学装置的一种实施方式。另外在上述液晶显示装置中，必要时可以将背光灯等照明装置和其他附属设备安装在液晶板51上。而且作为电路基板100，并不限于采用COF方式，也可以采用COB(Chip On Board)方式的。

而且本发明除上述的COF方式和COB方式的以外，还可以用于在显示板(液晶板)上直接安装驱动IC等的COG(Chip On Glass)方式的电光学装置中。

另外，作为电光学装置，除液晶显示装置以外，例如还可以用于有机EL显示装置中。图17是表示在作为本发明的电光学装置的有机EL显示装置中设置的有机EL显示板的剖面图。有机EL面板(电光学面板)30，其大体结构为在基板31上以矩阵形成TFT(薄膜晶体管)32，进而在其上形成多个层叠体33的元件。TFT32是具有源电极、栅电极和漏电极的器件，源电极和漏电极例如与图1所示的外部电极8电连接。上述层叠体33由阳极层34、空穴注入层35、发光层36和阴极层37构成。上述阳极层34与TFT32的漏电极连接，当TFT32处于接通状态时，电流会通过TFT32的源电极和漏电极供给阳极层34。

在以上构成的有机EL显示板30中，从阳极层34经过空穴注入层35注入发光层36内的空穴(孔)，与从阴极层37注入发光层36的电子因在发光层内再接合而发出的光，从基板31侧射出。

以下说明搭载了本实施方式的电光学装置的电子仪器。将具备作为以上说明的电光学装置的液晶显示装置、CPU(中央处理器)等的母板、键盘、硬盘等电子部件装入筐体内，例如制成图18所示的笔记本型个人计算机60(电子仪器)。

图18是表示根据本发明的一种实施方式的电子仪器的笔记本型个人计算机60的外观设计图。图18中，61是框体，62是液晶显示装置(电光学装置)，63是键盘。其中在图18中，虽然示出的是具备液晶显示装置的笔记本型个人计算机，但是也可以具备有机EL显示装置代替液晶显示装置。

而且在上述实施方式中虽然列举了笔记本型个人计算机作为电子仪器为例加以说明的，但是并不限于此，也可以用于移动电话机、液晶投影仪、与多媒体对应的笔记本个人计算机(PC)和工程工作站(EWS)、寻呼机、文字处理器、电视机、取景框型或监控直视型磁带摄像机、电子记事本、计算器、汽车导航装置、POS终端和具备触摸屏的装置等电子仪器中。

以上虽然说明了属于本发明的实施方式的半导体装置及其制造方法、电光学装置和电子仪器，但是本发明并不限于上述的实施方式，在本发明的范围内可以自由变更。

例如，可以将上述实施方式中的“半导体元件”置换成“电子元件”后制造电子零件。作为采用这种电子元件制造的电子零件，例如有光元件、电阻器、电容器、线圈、谐振器、滤光片、温度传感器、热敏电阻、变阻器、电位器或熔断器等。

Claims (8)

1.一种半导体装置的安装方法，是将具备电极、比所述电极更突出并由树脂形成的凸部、和与所述电极电连接并通至所述凸部的上面的导电部的半导体装置，借助于接合材料安装在基板上的半导体装置的安装方法，其特征在于，

通过在所述树脂的弹性模数开始降低的温度以上实施热压处理安装所述半导体装置，

在形成所述导电部的工序中，通过溅射法形成导电层，将所述导电层图案化后与所述电极连接，而且形成直至所述凸部的上表面的第一导电层，通过电镀法在所述导电层上形成第二导电层，除去未被所述第二导电层覆盖的第一导电层而形成所述导电部，

所述第一导电层的厚度为200纳米，

所述第二导电层的膜厚，形成得比第一导电层厚，为1～2μm。

2.根据权利要求1所述半导体装置的安装方法，其特征在于，

采用聚酰亚胺作为所述树脂，安装所述半导体装置时的温度处于200℃以上和260℃以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的安装方法，其特征在于，所述树脂是丙烯树脂或苯酚系树脂。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的安装方法，其特征在于，设置多个所述电极，以与所述电极具有相同间距地配置凸部，在所述凸部的上面，与所述各电极分别地对应形成所述导电部，将所述导电部与所述电极电连接。

5.根据权利要求1或4所述的半导体装置的安装方法，其特征在于，所述接合材料是非导电性接合材料。

6.一种电路基板，其特征在于，其中具备由权利要求1或4所述的半导体装置的安装方法制造的半导体装置。

7.一种电光学装置，其特征在于：其中具备权利要求6所述电路基板。

8.一种电子仪器，其特征在于：其中具备权利要求7所述的电光学装置。

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