CN101150079B - 一种半导体元件芯片灌胶后的脱模方法及机构 - Google Patents

Abstract

一种半导体元件芯片灌胶后的脱模方法及装置机构，在半导体元件芯片台面灌胶模具的上模和下模上分别设置脱模应力分散机构，通过脱模应力分散装置机构使半导体元件芯片在台面灌胶处理后脱模。其方法可以是在台面灌胶模具的上模和下模模芯中，靠近的圆心方向，分别设置一圈与芯片呈同心圆的软体支撑环，通过软体支撑环在压缩空气的推动下间接推动芯片脱模。脱模装置机构是在半导体元件芯片台面灌胶模具中设置有脱模应力分散机构。脱模应力分散机构是一种芯片表面应力分散机构，芯片表面应力分散机构设置在芯片与脱模压缩空气之间，脱模压缩空气通过芯片表面应力分散机构与芯片发生相关联，即芯片是在芯片表面应力分散机构的推动下脱模的。

Description

一种半导体元件芯片灌胶后的脱模方法及机构

技术领域

本发明涉及一种半导体器件的加工方法及机构，尤其是指一种电力电子可控硅器件的芯片灌胶后的脱模方法及机构，本发明的技术主要用于大功率可控硅器件的芯片灌胶处理工艺中，也可以用于其它半导体元件的芯片灌胶处理。属于电力电子半导体制造技术领域。

背景技术

在许多半导体器件的芯片表面上，其靠外有一圈台面，在加工中需要对其进行台面灌胶处理。在传统大功率的晶闸管及二极管芯片加工中，对于台面灌胶处理都是通过一台机器来完成。但原机器灌胶的脱模方式存在缺陷，脱模时容易造成芯片破损。因此，在新的大功率半导体器件芯片的台面灌胶处理加工中，尤其是厚度较薄的芯片，需要考虑更为有安全保护的机构来进行台面灌胶处理，但一直没有很好的方法。中国专利(专利号为ZL 98241698.9；名称为“结构改进的半导体灌胶装置”)公开了一种结构改进的半导体灌胶装置，但该专利并没有解决脱模时容易造成芯片扭伤的问题。中国专利申请(专利申请号为200620106825.2；名称为“振动式真空灌胶台”)也公开了一种一种振动式真空灌胶台，但该专利也没有解决脱模时容易造成芯片破损的问题。因此很有必要对此进一步加以研究。

发明内容

本发明的目的是针对新的半导体器件芯片的台面灌胶处理中，脱模方式存在的不足，提出一种能有效保证半导体器件芯片台面灌胶脱模不造成芯片破损的台面灌胶处理脱模方法及机构。

在本发明研究过程中，我们发现传统的脱模方式之所以在半导体元件芯片脱模时容易造成芯片破损，主要是由于传统的脱模方式是直接将脱模的压缩空气对着芯片底部吹，或通过真空吸附的方式将芯片从灌胶模中拔出，这样就导致芯片受力集中在中央部位，而支撑点却在靠近芯片的边沿部分，所以很容易使芯片底部出现局部应力过高而破损的现象，因此要想改变这种状况，就必须使芯片脱模时的受力状况受到改善。

本发明的目的是通过下述技术方案实现的：一种半导体元件芯片的台面灌胶处理脱模方法，在半导体元件芯片台面灌胶模具的上模和下模上分别设置脱模应力分散机构，通过脱模应力分散机构使半导体元件芯片在台面灌胶处理后易于脱模。所述的，通过脱模应力分散机构使半导体元件芯片在台面灌胶处理后脱模的方法可以是在台面灌胶模具的上模和下模模芯中，靠近圆心的方向，分别设置一圈与芯片呈同心圆的软体支撑环，通过该软体支撑环在压缩空气或真空的推动下间接推动芯片脱模，软体支撑环的作用是增加受力支撑点，以减少了脱模时产生的扭力矩，防止脱模时的芯片破损。

根据本发明方法所提出的半导体元件芯片台面灌胶模具脱模机构是在半导体元件芯片台面灌胶模具中设置有脱模应力分散机构，所述的脱模应力分散机构设置在芯片与脱模压缩空气之间，脱模压缩空气通过芯片表面应力分散机构与芯片发生相关联，即芯片是在芯片表面应力分散机构的推动下脱模的。

所述的芯片表面应力分散机构可以是一软体支撑环，该环由软体材料制作，设置在台面灌胶模具的上模和下模的模芯中，位于芯片下面，脱模压缩空气入口上面，且与芯片呈同心圆，软体支撑环的直径稍小于芯片直径，以求尽可能分散脱模时压缩空气所产生的应力。所述的软体材料可以是氟树脂(FR)类工程塑料，如聚四氟乙烯塑料等，也可以是尼龙(PA)类工程塑料，如尼龙66、PPA、PA6T等。

本本发明所述的半导体元件芯片的台面灌胶脱模方法，改进了台面机器灌胶操作中的芯片脱模方式，基本消除了以往方法脱模中常见的芯片破损，保证了器件结构的完整性，对厚度较薄的半导体芯片的安全尤为重要。同以往技术相比，特点如下：

1、改进的灌胶模芯能实现灌胶的基本要求。

2、同以往相比，芯片破损率大幅度降低。

附图说明

图1是本发明的立体示意图；

图2是本发明部件分展示意图；

图3是本发明一个实施例的模具模芯部分结构示意图。

图中：1、台面灌胶模具，2、上模，3、下模，4、脱模应力分散机构，5、芯片，6、软体支撑环，7、模芯，8、脱模压缩空气入口，9、上模座，10、下模座。

具体实施方式

下面将结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。

通过图1可以看出本发明涉及一种半导体元件芯片的台面灌胶处理脱模方法，在台面灌胶模具1的上模2和下模3上分别设置脱模应力分散机构4，通过脱模应力分散机构4使半导体元件芯片5在台面灌胶处理后脱模。所述的通过脱模应力分散机构4使半导体元件芯片5在台面灌胶处理后脱模的方法可以是在台面灌胶模具1的上模2和下模3模芯中，靠近圆心的方向，分别设置一圈与芯片同心圆的软体支撑环6，通过软体支撑环6在压缩空气的推动下间接推动芯片5脱模，软体支撑环的表面积稍小于芯片的表面积，尽可能分散脱模时压缩空气所产生的应力，以减少了脱模时产生的扭力矩，防止脱模时的芯片破损。上模2和下模3分别安装在上模座9和下模座10内。

如图3所示，所述的芯片表面应力分散机构4可以是一软体支撑环6，软体支撑环6由软体材料制作，设置在台面灌胶模具1的上模2和下模3模芯7中，芯片5下面，脱模压缩空气入口8的上面，且与芯片5为同心圆，软体支撑环6的直径稍小于芯片直径，以求尽可能分散脱模时压缩空气所产生的应力。所述的软体材料可以是氟树脂(FR)类工程塑料，如聚四氟乙烯塑料等，也可以是尼龙(PA)类工程塑料，如尼龙66、PPA、PA6T等。

实施例一

如图3所示，一种半导体元件芯片的台面灌胶处理脱模方法，所述的脱模应力分散机构是一种芯片表面应力分散机构4，芯片表面应力分散机构4设置在芯片5与脱模压缩空气入口8之间，脱模压缩空气通过芯片表面应力分散机构与芯片发生相关联，即芯片是在芯片表面应力分散机构的推动下脱模的。所述的芯片表面应力分散机构4是一软体支撑环6，软体支撑环6由氟树脂(FR)类工程塑料(如聚四氟乙烯)制作，软体支撑环6设置在台面灌胶模具1的上模2和下模3的模芯7中间部位，芯片5下面，脱模压缩空气入口8的上面，且与芯片5为同心圆，软体支撑环6的直径稍小于芯片直径。软体支撑环6下面对着半导体元件芯片台面灌胶模具的压缩空气入口8，并可在压缩空气的推动下往上或往下运动，从而带动芯片脱模。

实施例二

实施例二与实施例一的结构基本是一致的，只是软体支撑环的材料有所不同。软体支撑环的材料为尼龙(PA)类工程塑料，如尼龙66、PPA、PA6T等。

Claims (7)

1.一种半导体元件芯片灌胶后的脱模方法，其特征在于：在半导体元件芯片台面灌胶模具的上模和下模上分别设置脱模应力分散机构，通过脱模应力分散机构使半导体元件芯片在台面灌胶处理后脱模；所述的通过脱模应力分散机构使半导体元件芯片在台面灌胶处理后脱模的方法是在台面灌胶模具的上模和下模模芯中，分别设置一圈与芯片呈同心圆的软体支撑环，通过软体支撑环在压缩空气的推动下间接推动芯片脱模。

2.一种实现权利要求1所述半导体元件芯片灌胶后的脱模方法的半导体元件芯片灌胶后的脱模机构，其特征在于：在半导体元件芯片台面灌胶模具中设置有脱模应力分散机构，所述的脱模应力分散机构是一种芯片表面应力分散机构，芯片表面应力分散机构设置在芯片与脱模压缩空气之间，脱模压缩空气通过芯片表面应力分散机构与芯片发生相关联；所述的芯片表面应力分散机构是一软体支撑环，软体支撑环由软体材料制作，设置在台面灌胶模具的上模和下模模芯中，芯片下面，脱模压缩空气入口上面，且与芯片呈同心圆。

3.如权利要求2所述的半导体元件芯片灌胶后的脱模机构，其特征在于：所述的软体支撑环的直径稍小于芯片直径。

4.如权利要求2所述的半导体元件芯片灌胶后的脱模机构，其特征在于：所述的软体材料是氟树脂类工程塑料。

5.如权利要求4所述的半导体元件芯片灌胶后的脱模机构，其特征在于：所述的氟树脂类工程塑料是聚四氟乙烯塑料。

6.如权利要求2所述的半导体元件芯片灌胶后的脱模机构，其特征在于：所述的软体材料是尼龙类工程塑料.

7.如权利要求6所述的半导体元件芯片灌胶后的脱模机构，其特征在于：所述的软体材料是尼龙66、PPA、PA6T。

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