CN101145317A - 像素驱动电路及有机发光显示器显示装置及电子装置 - Google Patents

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Abstract

一种用于有机发光显示器装置的像素驱动电路。此像素驱动电路适于驱动有机发光二极管。此有机发光二极管具有第一端子和第二端子,而第一端子耦接到一第一电压源。此像素驱动电路包括控制电路、驱动晶体管以及二极管。控制电路产生控制信号来控制提供给有机发光显示器的有机发光二极管电流。驱动晶体管具有第一漏极/源极端子、第二漏极/源极端子以与栅极端子。栅极端子接收控制信号来控制第一漏极/源极端子与第二漏极/源极端子之间的通道,以调节流经此通道的有机发光二极管电流。此外,二极管耦接于此通道与一第二电压源之间。

Description

像素驱动电路及有机发光显示器显示装置及电子装置
技术领域
本发明是有关于一种用于有机发光显示器(organic lightemitting display,OLED)装置的像素驱动电路,且特别是有关于一种使用4端子晶体管(4-terminal transistor)作为驱动晶体管的像素驱动电路、OLED装置以及具有此像素驱动电路的电子组件。像素驱动电路及OLED显示装置及电子装置
背景技术
因为有机发光显示器是自发光(self-luminous),所以不需要背光(backlight),而在液晶显示组件(liquid crystal display,LCD)中背光则是必不可少的,故而在制造薄组件时OLED是最合适的选择。而且自发光的OLED的对比度(contrast)高,且在视角(viewing angle)方面不受限制。这就是近年来具有OLED的发光组件被接受作为显示组件以取代阴极射线管(cathode ray tube,CRT)和LCD而受到关注的原因。
有源式OLED显示装置的驱动电路可分为两类,即电压驱动电路和电流驱动电路。但是无论使用哪种驱动电路,  薄膜晶体管(thin-film-transistor,TFT)都被用作为驱动晶体管来控制通过OLED的驱动电流。参照图1,图1提供了一种现有的OLED像素中驱动晶体管与相对应的OLED的连接结构图。如图1所示,控制电路10提供控制信号来控制驱动晶体管12的栅极端子,以调节提供给OLED14的OLED驱动电流。由于驱动晶体管12是一个3端子组件,其基极为浮置(floating body),因此当此驱动晶体管12在饱和区(saturationregion)运作时,电流扭结效应(current kink effect)更加明显,造成TFT饱和电流随漏极与源极的电压差增加而变大。
此外,当驱动晶体管12(例如p通道型TFT)在高漏极偏压(drainbias)状态运作时,因热载子效应(hot carrier effect)而产生的空穴将会积聚在背通道区(back channel region)中。这些积聚的空穴将产生额外的NPN型双极结型晶体管(bipolar junction transistor,BJT)电流。因此,TFT饱和电流将随漏极电压而增大。此外,漏极区(drain region)中局部区域的电场(local electric field)可能因多晶硅(polysilicon)的结晶缺陷而变大。这使得电流扭结效应(current kink effect)进一步严重,造成TFT驱动电流改变,从而影响到OLED显示装置的亮度均匀性(brightness uniformity)。
对于有源矩阵式OLED(active-matrix OLED,AMOLED)面板,亮度均匀性受三个主要因素的影响,即OLED可靠度、OLED特性均匀性以及TFT电特性变异。参照图2A,图2A提供了由OLED可靠性所造成影响的曲线图。如本领域技术人员所熟知的,在特定使用周期后OLED特性衰减,造成电流减小,这意味着需要施加更大的电压给OLED组件来保持相同的电流。如图2A所示,由于OLED效率下降,所以如果驱动TFT的饱和电流不是恒定数值,那么流经OLED的电流将变化数值ΔIs。换句话说,当驱动TFT被发现有严重的扭结效应(kink effect)时,不仅像素亮度将会随时间而变化,而且面板灰度等级(gray scale)也会随时间而变化。
参照图2B,图2B提供了由OLED制程均匀性所造成影响的曲线图。如图2B所示,由于制程上的不稳定,造成OLED组件的电特性也产生变异,因此即使给出相同的Vgs值,不饱和的TFT电流(因扭结效应(kink effect)而产生)也会造成OLED电流不相同,造成AMOLED面板的亮度不均匀。此外,参照图2C,图2C提供了由TFT特性变化所造成影响的曲线图。因制程上的变异,所以TFTA、TFTB和TFTC中的扭结效应(kink effect)的程度也各不相同。如图2C所示,即使OLED组件的导通特性相同,OLED电流也会不同。这样,就造成了AMOLED面板的亮度均匀性差。
因此,扭结效应(kink effect)是关于AMOLED面板的亮度均匀性的一个重要问题,从而有必要减小驱动晶体管中发生的颈结效应(kink effect)。
发明内容
因此,本发明提出一种用于OLED装置的像素驱动电路、OLED显示装置以及具有此像素驱动电路的电子组件。通过使用本发明,扭结效应(kink effect)减小,使得AMOLED面板的均匀性可得以改善。
在本发明的一个方面中,本发明提出一种用于OLED装置的像素驱动电路。此像素驱动电路适合驱动有机发光二极管(OLED),此OLED具有第一端子与第二端子,而第一端子耦接到第一电压源。此像素驱动电路包括一控制电路、一驱动晶体管以及二极管。控制电路产生控制信号来控制提供给OLED的OLED驱动电流。驱动晶体管具有第一漏极/源极(drain/source)端子、第二漏极/源极端子以及一栅极(gate)端子。此栅极端子接收控制信号来控制第一、第二漏极/源极端子之间的通道,以调节流经此通道的OLED电流。此外,二极管耦接于此通道与第二电压源之间。
根据本发明所提出的一实施例,二极管包括:一本征区(intrinsic region),耦接到TFT通道;以及一掺杂区(doped region),耦接到本征区。其中TFT通道与掺杂区是使用不同类型的掺杂物(dopant)进行掺杂。
根据本发明所提出的一实施例,二极管包括:第一区,耦接到实施第一类型掺杂的通道;以及第二区,耦接到第一区,且被实施第二类型掺杂。第一区是本征区或实施第二类型掺杂的轻度掺杂区。当第一区被轻度掺杂时,第二区比第一区掺杂浓度高。
根据本发明所提出的一实施例,二极管包括:第一区,耦接到实施第一类型掺杂的通道;第二区,耦接到第一区且被实施第二类型掺杂;以及第三区,耦接到第二区且被实施第二类型掺杂。第一区是本征区或实施第二类型掺杂的轻度掺杂区。当第一区被轻度掺杂时,第二区比第一区掺杂浓度高,而第三区比第二区掺杂浓度高。
在本发明所提出的另一方面中,本发明提出一种OLED装置,其包括:一数据驱动器,可提供数据信号;一扫描驱动器,可提供扫描信号;以及一有源区(active area)。此有源区包括多个OLED像素,其中至少一个OLED像素包括:一OLED,具有第一端子与第二端子,且第一端子耦接到第一电压源;一控制电路,根据数据信号与扫描信号来产生控制信号,以控制提供给OLED的OLED电流;一驱动晶体管;以及二极管。驱动晶体管具有第一漏极/源极端子、第二漏极/源极端子以及一栅极端子,此栅极端子接收控制信号来控制第一漏极/源极端子与第二漏极/源极端子之间的通道,以调节流经此通道的OLED电流。此外,二极管耦接于此通道与一第二电压源之间。
在本发明所提出的又一观点中,本发明提出一种电子组件,其包括:一信号发生器,可产生用于显示图像的图像信号;以及一OLED装置,如上所提供。
因此,驱动晶体管的背通道区中所积聚的空穴或电子可经由耦接到此通道的二极管而流出此驱动晶体管,故而可减小由这些空穴或电子而导致的扭结效应(kink effect)。
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图,作详细说明如下。
附图说明
图1是一种现有的OLED像素中驱动晶体管与相对应的OLED的连接结构图。
图2A是由OLED可靠性所造成影响的电流-电压曲线图。
图2B是由OLED均匀性所造成影响的电流-电压曲线图。
图2C是由TFT特性变化所造成影响的电流-电压曲线图。
图3是根据本发明所提出的一实施例中,电子组件及其中使用的OLED装置的电路方块图。
图4A是根据本发明所提出的一实施例中,一种像素驱动电路的电路图。
图4B是根据本发明所提出的一实施例中,一种像素驱动电路的电路图。
图4C是根据本发明所提出的一实施例中,一种像素驱动电路的电路图。
图5A是根据本发明所提出的一实施例中,像素驱动电路中所使用的一种驱动晶体管的结构的俯视图。
图5B是根据本发明所提出的一实施例中,像素驱动电路中所使用的一种驱动晶体管的结构的俯视图。
图6是根据本发明所提出的一实施例中,一种像素驱动电路的设计图。
【附图符号说明】
10:控制电路
12、50a、50b、410、450、460、T2:驱动晶体管
14、430、480:有机发光显示器
30:电子组件
52a、440、455:二极管
52b、630:第四端子
300:信号发生器
310:有机发光显示器装置
320:数据驱动器
322a、322b、602:数据线
330:扫描驱动器
332a、332b、332c、600:扫描线
340:有源区
342a、342b、342c:有机发光显示器像素
400、462、T1:开关晶体管
420、464、C:电容器
470:晶体管
500:栅极端子
502、614:源极端子
504、612:漏极端子
510:通道
520、520b、631:第一区
530、525、632:第二区
530:第三区
604:电力线
650:像素电极
d:长度
D:距离
DATA、SCAN1、SCAN2:信号
E1、E2:边
L、W:宽度
PVDD、PVEE:电压源
具体实施方式
下面将详细参照本发明的较佳实施例,其范例绘示于所附图中。整个附图及描述中所使用的相同标号是指相同或相似的部件。
参照图3,图3是根据本发明所提出的一实施例中电子组件及其中使用的有机发光显示器装置的电路方块图。电子组件30包括一信号发生器300与一OLED装置310。此信号发生器300产生图像信号与/或用于显示图像的控制信号,且将此图像信号与/或控制信号发送给OLED装置310。
此OLED装置310包括:一数据驱动器320,根据图像信号来驱动多条数据线(data line)322a、322b等等;一扫描驱动器330,根据控制信号来驱动多条扫描线(scan line)332a、332b、332c等等;以及一有源区340,包括多个OLED像素342a、342b、342c等等,用来在数据线与扫描线的控制下显示图像。对于正常操作,OLED像素是由数据线之一与扫描线之一来控制。例如,OLED像素342a是由数据线322a与扫描线332a来控制,OLED像素342b是由数据线322a与扫描线332b来控制,OLED像素342c是由数据线322a与扫描线332c来控制。
关于OLED像素的一实施例绘示于图4A中。参照图4A,OLED像素342a是由数据线322a与扫描线332a来控制。而且,此OLED像素342a包括:一OLED(有机发光二极管)430;一控制电路,由开关晶体管(switchingtransistor)400与电容器420组成;一驱动晶体管410;以及一二极管440。应当注意的是,术语“驱动晶体管”是指开关,其提供电流给OLED,并且能够调节流经此OLED的电流。
在本实施例中,包括开关晶体管400与电容器420的控制电路根据数据线322a上的数据信号和扫描线332a上的扫描信号来产生控制信号。此控制信号被传送到驱动晶体管410的栅极端子,使得此驱动晶体管410的漏极/源极端子之间的通道可被控制,以调节流经此通道的OLED电流。此外,二极管440耦接于此通道与一预定电压源PVDD之间。
为了加强熟悉此技术者对本发明的了解,请参照图5A。图5A是根据本发明所提出的一实施例中,一种用于像素驱动电路的驱动晶体管与第四端子(二极管)之结构的俯视图。在此实施例中,驱动晶体管50a包括一栅极端子500、一源极端子502以及一漏极端子504。通道510形成/耦接于源极端子502与漏极端子504之间。
二极管52a可以是半导体二极管,可用作驱动晶体管50a的除栅极端子500、源极端子502和漏极端子504之外的第四端子。此二极管52a可包括第一区520和第二区530,其中第一区520耦接到通道510。对于P型晶体管,源极端子502和漏极端子504可实施p型掺杂,第一区520可以是本征区(intrinsic,未掺杂)或轻度掺杂区,例如使用n型掺杂物,而第二区530可以是使用n型掺杂物的掺杂区,使得第二区530可比第一区520掺杂浓度高。同样地,对于N型晶体管,源极端子502和漏极端子504可实施n型掺杂,第一区520可以是本征区(未掺杂)或使用p型掺杂物的轻度掺杂区,而第二区530可以是使用p型掺杂物的掺杂区,使得第二区530可比第一区520掺杂浓度高。
二极管52a的长度可以是0.5um至10um,在某些实施例中可以是1um至6um。本征区或轻度掺杂区(第一区520)的长度d可大于0um但小于5um。相反地,栅极端子500之边E1与二极管52a之边E2之间的距离D大于0um但小于(L-W)um,其中L是栅极端子500的宽度,W是二极管(第四端子)52a的宽度。
虽然在此实施例中第四端子具有两个区(第一区520和第二区530),但是第四端子中也可能包括三个区。参照图5B,图5B是根据本发明所提出的一实施例中,一种用于像素驱动电路的驱动晶体管与第四端子的结构的俯视图。第四端子(二极管)52b包括第一区520b、第二区525以及第三区530。为了维持正常操作,第一区520b可以是本征区或轻度掺杂区,第二区525可以是轻度掺杂区,第三区530可以是重度掺杂区,使得第三区530比第二区525掺杂浓度高。当第一区520b和第二区525被轻度掺杂时,第二区525可比第一区520b掺杂浓度高。驱动晶体管50b可能是P型或N型。
再参照图5A,包括区域520和530的二极管52a具有两个主要功能,一是加强扭结效应的抑制程度,二是确保驱动TFT组件正确工作。当组件结构中采用i(代表本征)-n+(代表使用n型掺杂物实施重度掺杂)二极管时,n+层(第二区530)用来为因击打电离(impact ionization)而产生的电子减小导电电阻。因此,额外的电子可迅速流出此TFT组件,这减缓了扭结效应。另一方面,当此TFT组件导通时,空穴将积聚在通道510。如果i或n-区(第一区520)不介入p+层(通道510)与n+层(第二区530)之间,那么当此TFT组件处于导通状态时p+-n+二极管将直接导电,则驱动TFT的晶体管性能消失。在本发明所提出的实施例中,为了使驱动TFT保持正确工作,因此配置i或n-区(第一区520)。
在此实施例中,图4A中所示的二极管440是由图5A中所示的第一区520和第二区530形成。但是,此二极管440可以是与驱动晶体管分开的二极管。
图4A的电路设计绘示于图6中。请参照图6,扫描线600和数据线602上的信号是用来控制开关晶体管T1,以控制施加于驱动晶体管T2之栅极和电容器C的电压。驱动晶体管T2的源极端子614与第四端子630耦接到电力线604。第四端子(二极管)630包括第一区631与第二区632。第一区631可以是本征区或轻度掺杂区,第二区632可比第一区631掺杂浓度高。第一区631耦接于通道(图中未显示)与第二区632之间,而漏极端子612耦接到像素电极(pixel electrode)650(如ITO)。
本发明所提供的概念也可应用于许多其它OLED驱动电路。参照图4B,图4B是根据本发明所提出的一实施例中,一种像素驱动电路的电路图,N型TFT用作驱动晶体管450,因此二极管455连接于此驱动晶体管450的通道与电压源PVEE之间。
另一范例绘示于图4C中,图4C是根据本发明所提出的一实施例中,一种像素驱动电路的电路图。在此实施例中,第一控制电路包括一开关晶体管462与电容器464,此第一控制电路用来根据信号SCAN1和DATA来确定施加于驱动晶体管460之栅极端子的电压电位。但是,此驱动晶体管460并不是直接耦接到OLED 480。相反地,驱动晶体管460耦接到第二控制电路,第二控制电路再耦接到OLED 480,其中此第二控制电路包括一P型晶体管470。应当注意的是,尽管晶体管470根据信号SCAN2而导通/截止,但是此晶体管470并不调节流经OLED 480的电流。换句话说,流经OLED480的电流是通过施加于驱动晶体管460的电压电位来调节,而晶体管470仅有导通/截止(ON/OFF)开关的作用。因此,在本说明书中晶体管460称为“驱动晶体管”。
虽然本发明的实施例已批露如上,但其并非用以限定本发明,本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的前提下,可以作若干的更改与修饰,因此本发明的保护范围以本发明的权利要求为准。

Claims (9)

1.一种用于有机发光显示器装置的像素驱动电路,适于驱动有机发光二极管,所述有机发光二极管具有第一端子与第二端子,且所述第一端子耦接到一第一电压源,所述像素驱动电路包括:
一第一控制电路,产生控制信号来控制提供给所述有机发光显示器的有机发光二极管电流;
一驱动晶体管,具有第一漏极/源极端子、第二漏极/源极端子以及栅极端子,所述栅极端子接收所述控制信号来控制所述第一漏极/源极端子与第二漏极/源极端子之间的通道,以调节流经所述通道的所述有机发光二极管电流;以及
二极管,耦接于所述通道与一第二电压源之间。
2.如权利要求1所述的用于有机发光显示器装置的像素驱动电路,其中所述驱动晶体管直接耦接到所述有机发光二极管的所述第二端子。
3.如权利要求1所述的用于有机发光显示器装置的像素驱动电路,其中所述像素驱动电路还包括:
一第二控制电路,耦接于所述驱动晶体管与所述有机发光二极管之间,用来控制所述有机发光二极管电流是否被提供给所述有机发光显示器。
4.如权利要求1所述的用于有机发光显示器装置的像素驱动电路,其中所述二极管包括:
第一区,耦接到所述通道,所述通道被实施第一类型掺杂;以及
第二区,耦接到所述第一区,且被实施第二类型掺杂,
其中所述第一区是本征区或具有所述第二类型掺杂物的轻度掺杂区,
其中当所述第一区被轻度掺杂时,所述第二区比所述第一区掺杂浓度高。
5.如权利要求4所述的用于有机发光显示器装置的像素驱动电路,其中所述第一类型掺杂是N型掺杂,而所述第二类型掺杂是P型掺杂。
6.如权利要求4所述的用于有机发光显示器装置的像素驱动电路,其中所述第一类型掺杂是P型掺杂,而所述第二类型掺杂是N型掺杂。
7.如权利要求1所述的用于有机发光显示器装置的像素驱动电路,其中所述二极管包括:
第一区,耦接到所述通道,所述通道被实施第一类型掺杂;
第二区,耦接到所述第一区,且被实施第二类型掺杂;以及
第三区,耦接到所述第二区,且被实施所述第二类型掺杂,
其中所述第一区是本征区或具有所述第二类型掺杂物的轻度掺杂区,
其中当所述第一区被轻度掺杂时,所述第二区比所述第一区掺杂浓度高,
其中所述第三区比所述第二区掺杂浓度高。
8.一种有机发光显示器装置,包括:
一数据驱动器,提供数据信号;
一扫描驱动器,提供扫描信号;以及
一有源区,包括多个有机发光显示器像素,其中至少一个所述有机发光显示器像素包括:
一有机发光二极管,具有第一端子与第二端子,且所述第一端子耦接到一第一电压源;
一控制电路,根据所述数据信号与所述扫描信号来产生控制信号,以控制提供给所述有机发光显示器的有机发光二极管电流;
一驱动晶体管,具有第一漏极/源极端子、第二漏极/源极端子以及栅极端子,所述栅极端子接收所述控制信号来控制所述第一漏极/源极端子与第二漏极/源极端子之间的通道,以调节流经所述通道的所述有机发光二极管电流;以及
二极管,耦接于所述通道与一第二电压源之间。
9.一种电子组件,包括:
一信号发生器,产生用于显示图像的图像信号;以及
一有机发光显示器装置,包括:
一数据驱动器,根据所述图像信号来提供数据信号;
一扫描驱动器,提供扫描信号;以及
一有源区,包括用来显示所述图像的多个有机发光显示器像素,其中至少一个所述有机发光显示器像素包括:
一有机发光二极管,具有第一端子与第二端子,且所述第一端子耦接到一第一电压源;
一控制电路,根据所述数据信号与所述扫描信号来产生控制信号,以控制提供给所述有机发光显示器的有机发光二极管电流;
一驱动晶体管,具有第一漏极/源极端子、第二漏极/源极端子以及栅极端子,所述栅极端子接收所述控制信号来控制所述第一漏极/源极端子与第二漏极/源极端子之间的通道,以调节流经所述通道的所述有机发光二极管电流;以及
二极管,耦接于所述通道与一第二电压源之间。
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