CN101127241A - 用于低压eeprom的字线电压切换电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于低压EEPROM的字线电压切换电路，由低压至中压的电平转换电路、高压本征NMOS晶体管和高电压反馈上拉电路组成；该电路采用通用的电平转换电路实现低压至中压的切换，再通过高压本征NMOS晶体管传至字线输出端，实现EEPROM读取时低压至中压的切换；编程时，通过高电压反馈上拉电路又实现了低压至高压的切换。本发明的电路结构简单，有利于节约版图面积，生产成本低。

Description

用于低压EEPROM的字线电压切换电路
技术领域
本发明涉及一种集成电路中的字线电压切换电路，尤其涉及一种用于低压EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦写只读存储器)的字线电压切换电路。
背景技术
在低压EEPROM设计中，为了提高读取速度，在读取数据时需要抬高字线上的电压，该电压可以通过电荷泵实现，称之为中压；在进行擦除或写入数据时则需要字线上的电压抬升至十几伏，称之为高压。为了实现在不同操作下字线上的中压和高压的切换，就需要通过复杂的切换电路，这就增加了版图面积，会提高生产成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用于低压EEPROM的字线电压切换电路，其结构简单，有利于节约版图面积，生产成本低。
为解决上述技术问题，本发明提供一种用于低压EEPROM的字线电压切换电路，包括低压至中压的电平转换电路，还包括高压本征NMOS晶体管和高电压反馈上拉电路；
所述的高电压反馈上拉电路即中压至高压的电平转换电路，包括一个高压反相器和一个高压PMOS晶体管，高压反相器的输入端为字线，其输出端和高压PMOS晶体管的栅极相连，该高压PMOS晶体管的源极接高压电源，其漏极与字线相连；所述的高压本征NMOS晶体管的漏极也和字线相连，其源极与所述的低压至中压的电平转换电路的输出端相连，其栅极接中压电源；
所述的低压至中压的电平转换电路实现低压至中压的切换，再通过高压本征NMOS晶体管传至字线输出端，使EEPROM读取时由低压切换到中压；EEPROM编程时，中压输出信号再通过高电压反馈上拉电路中的高压反相器和高压PMOS晶体管的正反馈，被上拉至高压电平，使EEPROM编程时由低压切换到高压。
所述高电压反馈上拉电路的高压反相器由1个高压PMOS晶体管和1个高压NMOS晶体管组成，该高压PMOS晶体管的源极接高压电源，其漏极和高压NMOS晶体管的漏极互连，其栅极与高压NMOS晶体管的栅极互连，高压NMOS晶体管的源极接地。
和现有技术相比，本发明具有以下有益效果：本发明采用通用的电平转换电路实现低压至中压的切换，再通过高压本征NMOS晶体管传至字线输出端，然后通过高电压反馈上拉电路实现EEPROM读取时低压至中压的切换以及EEPROM编程时低压至高压的切换。本发明的用于低压EEPROM的字线电压切换电路已运用在EEPROM模块开发中，其结构简单，有效地节约了版图面积，且生产成本低。
附图说明
附图是本发明用于低压EEPROM的字线电压切换电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
如附图所示，本发明的整个电路分为3个组成部分：
1、低压至中压的电平转换电路，包括附图中左侧的2个中压PMOS晶体管MP1、MP1和2个中压NMOS晶体管MN1、MN2和一个低压反相器LINV；
2、高压本征NMOS晶体管NN，起传输作用；
3、高电压反馈上拉电路，即中压至高压的电平转换电路，包括附图中右侧的高压PMOS晶体管HP1和一个高压反相器，该高压反相器由高压PMOS晶体管HP2和高压NMOS晶体管HN1构成。高压PMOS晶体管HP2的源极接高压电源VDD3，其漏极和高压NMOS晶体管HN1的漏极互连，其栅极与高压NMOS晶体管HN1的栅极互连，高压NMOS晶体管HN1的源极接地。高压PMOS晶体管HP1的源极接高压电源VDD3，栅极接高压反相器的输出端，漏极接高压本征NMOS晶体管NN的漏极(即字线，也是高压反相器的输入端)；高压本征NMOS晶体管NN的源极与所述的低压至中压的电平转换电路的输出端相连(即与RA相连，RA是电路中位于中压PMOS晶体管MP1和中压NMOS晶体管MN1之间的一点)，高压本征NMOS晶体管NN的栅极接中压电源VDD2。
上述电路采用通用的电平转换电路实现低压至中压的切换，再通过高压本征NMOS晶体管NN传至字线输出端WL，实现EEPROM读取时低压至中压的切换；在字线输出端WL与高压电源端VDD3接入高压PMOS晶体管HP1，其门控制为字线输出的反相信号WB，中压输出信号通过高压反相器(由高压PMOS晶体管HP2和高压NMOS晶体管HN1构成)以及高压PMOS晶体管HP1的正反馈，可以被上拉至高压电平，以实现EEPROM编程时低压至高压的切换。
该电路的工作原理如下：
假设低压电源VDD1为1.8V(即低压反相器的电源)；中压电源VDD2为3V；高压电源VDD3为15V；本征N型晶体管NN的阈值电压＝0.1V。
1)在EEPROM进行编程时，要求字线为高压电平。此时，VDD2＝VDD1＝1.8V，VDD3＝15V。
输入信号IN如果为1.8V，则RA＝IN＝1.8V，经过传输门，WL(字线输出端)电平为1.7V；WB(字线输出的反相信号)＝0V，附图中的高压P型晶体管HP1导通，WL被上拉至15V。
输入信号IN如果为0V，则RA＝IN＝0V，经过传输门，WL电平为0V；WB＝15V，附图中的高压P型晶体管HP1截至，WL保持为0V。
2)在EEPROM进行读取时，要求字线为中压电平。此时，VDD1＝1.8V，VDD2＝3V，VDD3开路。
输入信号IN如果为1.8V，则RA＝3V，经过传输门，WL电平为2.9V，该字线被选中；其WB＝0V，附图中的高压P型晶体管HP1导通，VDD3被置于2.9V。
输入信号IN如果为0V，则RA＝0V，经过传输门，WL电平为0V；当所有字线中有一个被选中时，前面已提及，VDD3将被置于2.9V，未被选中的字线WL为0V，其WB＝2.9V，附图中的高压P型晶体管HP1截至；如果所有字线均未被选中，VDD3将处于开路状态，但由于HP1管存在1个漏端至源端的正向PN结，实际上VDD3的电压为2.9V-PN结正向压降，所有字线则均为0V。

Claims (2)

1.一种用于低压EEPROM的字线电压切换电路，包括低压至中压的电平转换电路，其特征在于，还包括高压本征NMOS晶体管和高电压反馈上拉电路；
所述的高电压反馈上拉电路即中压至高压的电平转换电路，包括一个高压反相器和一个高压PMOS晶体管，高压反相器的输入端为字线，其输出端和高压PMOS晶体管的栅极相连，该高压PMOS晶体管的源极接高压电源，其漏极与字线相连；所述的高压本征NMOS晶体管的漏极也和字线相连，其源极与所述的低压至中压的电平转换电路的输出端相连，其栅极接中压电源；
所述的低压至中压的电平转换电路实现低压至中压的切换，再通过高压本征NMOS晶体管传至字线输出端，使EEPROM读取时由低压切换到中压；EEPROM编程时，中压输出信号再通过高电压反馈上拉电路中的高压反相器和高压PMOS晶体管的正反馈，被上拉至高压电平，使EEPROM编程时由低压切换到高压。
2.如权利要求1所述的用于低压EEPROM的字线电压切换电路，其特征在于，所述高电压反馈上拉电路的高压反相器由1个高压PMOS晶体管和1个高压NMOS晶体管组成，该高压PMOS晶体管的源极接高压电源，其漏极和高压NMOS晶体管的漏极互连，其栅极与高压NMOS晶体管的栅极互连，高压NMOS晶体管的源极接地。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101751061B (zh) * 2008-12-17 2012-04-18 上海华虹Nec电子有限公司 高压电压稳定器
CN102543185A (zh) * 2010-12-23 2012-07-04 旺宏电子股份有限公司 集成电路高电压切换装置及其切换方法
CN108573724A (zh) * 2017-03-13 2018-09-25 旺宏电子股份有限公司 存储器装置、字线译码器及存储器装置的操作方法
CN108694969A (zh) * 2017-04-05 2018-10-23 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 字线升压电路和包括字线升压电路的存储器
CN112929020A (zh) * 2021-01-22 2021-06-08 珠海零边界集成电路有限公司 电子设备及其电平转换电路

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101751061B (zh) * 2008-12-17 2012-04-18 上海华虹Nec电子有限公司 高压电压稳定器
CN102543185A (zh) * 2010-12-23 2012-07-04 旺宏电子股份有限公司 集成电路高电压切换装置及其切换方法
CN102543185B (zh) * 2010-12-23 2016-05-11 旺宏电子股份有限公司 集成电路高电压切换装置及其切换方法
CN108573724A (zh) * 2017-03-13 2018-09-25 旺宏电子股份有限公司 存储器装置、字线译码器及存储器装置的操作方法
CN108694969A (zh) * 2017-04-05 2018-10-23 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 字线升压电路和包括字线升压电路的存储器
CN108694969B (zh) * 2017-04-05 2021-02-26 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 字线升压电路和包括字线升压电路的存储器
CN112929020A (zh) * 2021-01-22 2021-06-08 珠海零边界集成电路有限公司 电子设备及其电平转换电路
CN112929020B (zh) * 2021-01-22 2023-09-26 珠海零边界集成电路有限公司 电子设备及其电平转换电路

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