CN101123262A - 显示基板及其制造方法、具有该显示基板的液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示基板及其制造方法，以及具有该显示基板的液晶显示装置。该显示基板包括：存储电极，其在形成于基板上的第一和第二区域上延伸；形成于存储电极上的绝缘层图案；以及形成在绝缘层图案上的第一和第二像素电极。第一和第二像素电极中的至少一个具有至少一个凹槽。绝缘层图案具有第一和第二开口，其形成在对应于存储电极的第一和第二区域上。从而，由于该凹槽或开口，在第一和第二像素电极的制造过程中可防止第一和第二像素电极之间的电短路。

Description

显示基板及其制造方法、具有该显示基板的液晶显示装置

技术领域

本发明是涉及一种能够显示高质量图像的液晶显示装置，该液晶显示装置具有可通过较少的工艺缺陷制造的改进的显示基板。

背景技术

通常的显示装置，例如液晶显示装置、等离子体显示装置或者有机电致发光装置，包括在其上限定有多个像素的基板。

每个像素具有像素电极，在像素电极上施加有与所显示的图像相对应的电压。像素电极通过在基板上沉积透明导电层之后将该透明导电层构图来获得。例如绝缘层的层间层可以插入在基板和像素电极之间。然而，如果该层间层在其表面上具有阶梯部分，则由于该阶梯部分像素电极可能呈现出缺陷。

发明内容

根据本发明的一个方面，能够显示高品质画面的液晶显示装置采用一种显示基板，该显示基板包括存储电极、绝缘层图案以及第一和第二像素电极。存储电极在形成于基板上的第一和第二区域上延伸。绝缘层图案形成在存储电极上以覆盖该基板，且在对应于存储电极的区域具有开口。第一和第二像素电极形成在绝缘层图案上，且分别设置在第一和第二区域上。第一和第二像素电极中的至少一个具有至少一个对应于存储电极的凹槽。

根据本发明的另一个方面，显示基板包括存储电极、绝缘层图案以及第一和第二像素电极。

存储电极在形成于基板上的第一和第二区域上延伸。绝缘层图案形成于存储电极上，且在对应于存储电极的第一区域和第二区域具有第一开口和第二开口。第一和第二像素电极形成在绝缘层图案上，且分别设置在第一区域和第二区域上。

根据本发明的又一方面，提供一种制造该显示基板的方法。根据该方法，存储电极形成来在基板的第一和第二区域上延伸。接着，栅电极与存储电极间隔开地形成在基板上，并且源电极和漏电极彼此间隔的形成在栅电极上。绝缘层图案形成在源电极和漏电极上，且在对应于存储电极的区域上具有开口。第一和第二像素电极形成于绝缘层图案上且分别位于第一和第二区域上。第一和第二像素电极中的至少一个具有至少一个对应于存储电极的凹槽。

根据本发明的又一方面，制造该显示基板的方法包括，在具有第一和第二区域的基板上形成存储电极，使得该存储电极在该基板的第一和第二区域上延伸。接着，栅电极形成在基板上，使得栅电极和存储电极彼此间隔开，并且源电极和漏电极形成在栅电极上，使得源电极和漏电极彼此间隔开。绝缘层图案形成在源电极和漏电极上，使得绝缘层图案在相应于存储电极的第一和第二区域上具有第一和第二开口。第一和第二像素电极分别形成在对应第一和第二区域的绝缘层图案上。

根据本发明的又一个方面，一种液晶显示装置包括第一和第二基板、液晶层、存储电极、绝缘层图案、像素电极和公共电极。第一和第二基板彼此相对。液晶层包括液晶且设置于第一和第二基板之间。存储电极形成在第一基板上。绝缘层图案形成在存储电极上，且在相应于存储电极的区域上具有开口。像素电极形成在绝缘层图案上。公共电极形成在第二基板上且具有方向控制器，该方向控制器控制液晶的排列方向。方向控制器具有一对对称地设置在存储电极的边侧部分且同时沿着存储电极的长度方向平行延伸的部分。

附图说明

参考下面的详细描述并结合相应附图，本发明的上述和其他优点将变得显而易见，其中：

图1A是说明根据本发明的优选实施例的显示基板的平面图；

图1B是沿图1A所示的线I-I’的剖面图；

图1C是沿图1A所示的线II-II’的剖面图；

图2A至2D是说明制造图1C中的显示基板的步骤的剖面图；

图3A是说明根据本发明的另一典型实施例的显示基板的平面图；

图3B是沿图3A所示的线III-III’的剖面图；

图4A到4G是说明制造图3B所示显示基板的步骤的剖面图；

图5是根据本发明的另一典型实施例的液晶显示装置的框图；

图6是说明图5中的液晶显示装置的两个子像素的等效电路图；

图7是说明图5中的液晶显示装置的一个子像素等效电路图；

图8是图5中液晶显示装置的布局图；

图9、10、11是分别沿图8中液晶显示装置的IV-IV’线、V-V’线、和VI-VI’线的剖面图；

图12是图8中液晶显示装置的像素电极和公共电极的布局图；

图13A至13C是组成图12中的子像素电极的电极元件的平面图；

图14是说明根据发明的另一实施例的液晶显示装置部分布局图；和

图15是说明根据本发明的又一实施例的液晶显示装置部分布局图。

具体实施方式

图1A是说明根据本发明的优选实施例的显示基板的平面图。

根据图1A，显示基板1具有第一区域A1和第二区域A2。存储电极20和像素电极60形成于显示基板1上。存储电极20穿过第一和第二区域A1和A2延伸。

像素电极60包括第一和第二像素电极61和62，它们彼此间隔开且分别位于第一区域A1和第二区域A2上。像素电极60对应于一个像素区域排列，该像素区域是显示图像的基本区域。第一像素电极61和第二像素电极62可以属于不同像素区域或相同像素区域。如果第一和第二像素电极61和62属于不同像素区域，则第一和第二像素电极61和62可以接收表示不同图像信息的不同电压。如果第一和第二像素电极61和62属于相同像素区域，则它们可以接收表示相同图像信息且彼此补偿以显示高质量画面的不同电压。

如果将存储电极20的纵向方向假定为第一方向D1，则像素电极60将根据第一方向D1定向，该第一方向D1具有沿彼此对称的第二和第三方向D2和D3定向的分支。在第一和第二区域A1和A2之间的边界区域，第一像素电极61具有在第一方向突出的凸起部分，第二像素电极62具有对应于该突出部分的在第一方向凹进的凹槽部分。在第一方向D1延伸的凹槽70形成于第二像素电极62的凹槽部分。优选的，成对的凹槽70设置于彼此相对的位于存储电极20的两个边侧(brink)部分。

第一像素电极61可以具有形成有凹槽70的凹槽部分，而第二像素电极62可以具有凸起部分，只要存在至少有一个凹槽即可，对于该凹槽不需要限于任何特定的形状或数目。

当本发明的显示基板用于液晶显示装置时，成对的凹槽70优选地形成于存储电极20的边缘部分，用于容易地控制液晶的取向，这将在后面详细说明。

图1B是沿图1A所示的I-I’线的剖面图。参见图1B，绝缘层形成在存储电极20上。该绝缘层具有双层结构，其中下层包括覆盖存储电极20的透明无机层25，而上层包括透明有机层45，其在存储电极20上被构图以在上层可以形成开口50。像素电极60形成于透明有机层45上。

图1C是沿图1A所示的线II-II’的剖面图。第一和第二像素电极61和62形成于存储电极20上，同时彼此间隔开。第一和第二像素电极61和62之间的间隙可由于凹槽70的存在而增加。由于电极61和62之间的间隙由于凹槽70而增加，从而在形成像素电极60时，可以防止第一和第二像素电极61和62之间的电短路，如同下面将参考制造具有上述结构的显示基板的方法所详细描述的。

图2A至2D是说明制造图1C中的显示基板的步骤的剖面图。参考图2A，存储电极20形成在显示基板1上。存储电极20可通过蚀刻导电层形成，该导电层由沉积金属例如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)或铬(Cr)或它们的合金而形成。无机层25例如通过采用氮化硅的等离子化学汽相沉积工艺形成于存储电极20上，使得层25覆盖基板1的全部表面。有机层45形成在无机层25上。丙烯酸树脂可以用于有机层45。将丙烯酸树脂涂敷和构图在无机层25上从而在层45中形成开口50。参考图2B，透明导电层60’形成在有机层45上。透明导电层60’可通过溅射沉积铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)获得。这样，透明导电层60’沉积为均匀的厚度；尽管它的表面高度在开口50附近逐渐降低。光刻胶膜80’通过旋涂方式涂敷在透明导电层60’上，从而导致光刻胶膜80’的厚度不规则地形成。

接着对光刻胶膜80’施行曝光处理。如果采用正型光刻胶膜，则对应于将被去除的透明导电层60’部分的光刻胶膜80’的预定部分被曝光。到达光刻胶膜80’的曝光区域的光具有均匀的强度(参见图2B中的箭头)，但是光刻胶膜80’的厚度是不均匀的。因此，在具有较大厚度的光刻胶膜80’的部分中，光不能到达光刻胶膜80’的底部。

例如，在形成无机层45的部分中，光路对应于“L1”。另外，在形成开口50的部分中，光路对应于“L2”，其比“L1”长。

参考图2C，光刻胶膜80’的曝光部分通过显影剂去除，从而形成光刻胶膜图案80。由于光刻胶膜图案80，透明导电层60’的一部分被暴露。

图2C中虚线显示残余的光刻胶膜80’，其因为在曝光过程中光不能到达光刻胶膜80’的底部而可能存留在透明导电层60’上。

参考图2D，通过使用光刻胶膜图案80作为蚀刻掩模来蚀刻透明导电层60’，从而形成像素电极60，该像素电极包括彼此间隔开的第一和第二像素电极61和62。在蚀刻过程中形成凹槽70，在第一和第二像素电极61和62之间形成间隔或间隙。

图2D的虚线表示残余的透明导电层60’，其可能因为在曝光过程中光不能到达光刻胶膜80’的底部而存留在光刻胶膜80’的下面。这部分可以与形成凹槽70的区域相重叠。因此，如果没有形成凹槽70，则第一和第二像素电极61和62互相连接，从而在第一和第二像素电极61和62之间发生电短路。即，凹槽70防止了在形成像素电极60时第一和第二像素电极61和62之间的电短路，从而防止了工艺故障。

图3A是说明根据本发明的另一优选实施例的显示基板的平面图。

参考图3A，栅极线10、数据线40、薄膜晶体管T1和T2、像素电极60形成于显示基板1上。栅极线10在显示基板1上交叉数据线40，从而形成多个像素区域PA。该像素区域PA具有相同结构，所以下面描述将集中在一个像素区域PA上。

像素区域PA分为第一区域PA1和第二区域PA2，且像素电极60包括对应于第一和第二区域PA1和PA2的第一和第二像素电极61和62。即，第一像素电极61排列在第一区域PA1上，而第二像素电极62排列在第二区域PA2上同时与第一像素电极61间隔开。切除第一像素电极61的预定部分从而像素电极60具有形成在切割部分和第一和第二像素电极61和62之间的切割图案65。

对像素电极60施加一电压。对于第一和第二像素电极61和62施加不同的电压从而可以补偿第一和第二像素电极的操作特性。为此，提供分别对应于第一和第二像素电极61和62的薄膜晶体管T1和T2。

第一薄膜晶体管T1包括第一栅电极11g、第一源电极41和第一漏电极41d。栅极线10包括第一栅极线11和第二栅极线12。第一栅电极11g从第一栅极线11分出。第一源电极41s从数据线40分出。第一漏电极41d与第一源电极41s分隔开且通过第一接触孔h1电连接到第一像素电极61。

第二薄膜晶体管T2包括第二栅电极12g、第二源电极42s和第二漏电极42d。第二栅电极12g从第二栅极线12分出。第二源电极42s从数据线40分出。第二漏电极42d与第二源电极42s间隔开且通过第二接触孔h2电连接到第二像素电极62。

存储电极20形成在像素区域PA的中心。存储电极20在第一和第二像素区域PA1和PA2上延伸。绝缘层图案(参见图3B中的图标记50)形成在存储电极20上以覆盖显示基板1的全部表面。绝缘层图案具有形成在存储电极20上的开口51和52。开口51和52包括位于第一区域PA1的第一开口51和位于第二区域PA2的第二开口52。绝缘层图案，除了第一和第二开口51和52之外，覆盖存储电极20的预定部分以及第一和第二像素电极61和62之间的边界区域。

图3B是沿图3A所示的线III-III’的剖面图。

参考图3B，第一栅电极11g、存储电极20和第二栅电极12g形成在显示基板1的预定部分且彼此间隔开。栅极绝缘层21形成在第一栅电极11g、存储电极20和第二栅电极12g上，使得栅绝缘层21可覆盖显示基板1的全部表面。

第一半导体图案31、第一源电极41s和第一漏电极41d形成在栅绝缘层21上。第一半导体图案31、第一源电极41s和第一漏电极41d覆盖第一栅电极11g且组成第一薄膜晶体管T1。第一半导体图案31包括第一有源图案31a和形成于第一有源图案31a上的第一欧姆接触图案31b。第一欧姆接触图案31b沿第一源电极41s和第一漏电极41d分开。

另外，第二半导体图案32、第二源电极42s和第二漏电极42d形成于栅绝缘层21上。第二半导体图案32、第二源电极42s和第二漏电极42d覆盖第二栅电极12g且组成第二薄膜晶体管T2。第二半导体图案32包括第二有源图案32a和形成于第二有源图案32a上的第二欧姆接触图案32b。第二欧姆接触图案32b沿第二源电极42s和第二漏电极42d分开。

钝化层43形成在第一和第二薄膜晶体管T1和T2上，从而使钝化层43覆盖显示基板1的全部表面。绝缘层图案50形成在钝化层43上。钝化层43和绝缘层图案50具有第一和第二接触孔h1和h2。第一漏电极41d的预定区域通过第一接触孔h1暴露，且第二漏电极42d的预定区域通过第二接触孔h2暴露。

像素电极60形成在绝缘层图案50上。第一像素电极61形成在第一区域PA1上且电连接到第一薄膜晶体管T1。第二像素电极62形成在第二区域PA2上且电连接到第二薄膜晶体管T2。绝缘层图案50覆盖在第一和第二像素电极61和62之间的边界区域的存储电极20。

栅绝缘层21和钝化层43形成在存储电极20和第一和第二像素电极61和62之间，从而形成存储电容。绝缘层图案50具有大概几微米的厚度。由于绝缘层图案50的预定部分在形成开口51和52的区域被去除，所以存储电极20和第一和第二像素电极61和62间的间隔和间隙可被减小。结果，存储电容的容量可增加，改进了存储电容的操作特性。下面将描述制造具有上述结构的显示基板的方法。

图4A到4G是说明生产图3B中的显示基板的步骤的剖面图。

参考图4A，栅导电层形成在显示基板1上，然后栅导电层被构图以形成第一栅电极11g、存储电极20和第二栅电极12g。栅导电层可通过沉积金属包括铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)或它们的合金而获得。栅导电层可通过采用蚀刻剂的湿法蚀刻工艺蚀刻。

参考图4B，栅绝缘层21形成在第一栅电极11g、存储电极20和第二栅电极12g上。栅绝缘层21通过等离子化学汽相沉积工艺采用无机化合物形成，例如氮化硅，从而栅绝缘层21覆盖显示基板1的全部表面。

半导体层30’和数据导电层40’形成在栅绝缘层21上。半导体层30’可通过等离子化学汽相沉积工艺采用非晶硅层形成，从而半导体层30’覆盖显示基板1的全部表面。半导体层30’包括有源层30a’和形成在有源层30a’上的欧姆接触层30b’。欧姆接触层30b’包括掺杂剂。形成数据导电层40’的方法类似于形成栅导电层的方法。

第一光刻胶膜图案91形成在数据导电层40’上。为了获得第一光刻胶膜图案91，光刻胶膜形成在数据导电层40’上，然后对该光刻胶膜进行曝光和显影工艺。

第一光刻胶膜图案91具有可变的厚度。即，第一光刻胶膜图案91在第一和第二栅电极11g和12g具有第一厚度t1而在第一和第二栅电极11g和12g边侧部分的附近具有第二厚度t2。第二厚度t2大于第一厚度t1。形成在存储电极20的数据导电层40’通过第一光刻胶膜图案91暴露。

为了使得光刻胶膜图案91具有可变厚度，在曝光工艺中采用狭缝掩膜或半色调光掩模。狭缝掩膜或半色调光掩模具有透射区域、非透射区域和中间区域。在中间区域，狭缝间的距离可调整或者采用半色调材料从而光可以部分通过中间区域，从而光刻胶膜由该部分通过的光曝光。结果，在对应于中间区域的区域形成具有中间厚度的光刻胶膜图案。

参考图4C，数据导电层40’和半导体层30’通过采用第一光刻胶膜图案91作为蚀刻掩膜而蚀刻。蚀刻数据导电层40’的方法是与蚀刻栅极导电层的方法一样的。从而，形成数据导电层图案40”。另外，由于半导体层30’被蚀刻，则形成初步半导体层图案30”。初步半导体层图案30”包括初步有源图案30a”和初步欧姆接触图案30b”。初步半导体层图案30”和数据半导体层图案40”具有相同的结构且彼此重叠。

第二光刻胶膜图案92通过均匀的去除第一光刻胶膜图案91的第一厚度t1的量而形成。第二光刻胶膜图案92具有对应于第二厚度t2和第一厚度t1之间的不同厚度的厚度，且覆盖第一和第二栅电极11g和12g的数据导电层图案40”通过第二光刻胶膜图案92暴露。

参考图4D，数据传导层图案40”通过采用第二光刻胶膜图案92作为蚀刻掩膜蚀刻。结果，第一源电极41s和第一漏电极41d形成在第一栅电极11g上，第二源电极42s和第二漏电极42d形成在第二栅电极12g上。

另外，再次蚀刻初步半导体层图案30”以形成第一和第二半导体图案31和32。当初步半导体层图案30”再次蚀刻时，分成两部分的第一欧姆接触图案31b形成在第一半导体图案31上，而分成两部分的第二欧姆接触图案32b形成在第二半导体图案32上。

以这种方式，第一和第二薄膜晶体管T1和T2与第一和第二半导体图案31和32一起形成。为了形成第一和第二薄膜晶体管T1和T2，第一和第二半导体图案31和32、第一和第二源电极41s和42s、第一和第二漏电极41d和42d通过采用相同的光掩膜形成。结果，第一和第二薄膜晶体管T1和T2的工艺步骤和生产成本可得以降低。

参考图4E，钝化层43和绝缘层图案50形成在第一和第二薄膜晶体管T1和T2上。钝化层43通过与形成栅绝缘层21相同的方法形成。绝缘层图案50通过涂敷和成形丙烯酸树脂获得。

将钝化层43和绝缘层图案50构图从而第一和第二接触孔h1和h2在其中形成。绝缘层图案50在对应于存储电极20的区域中具有第一和第二开口51和52。

钝化层43和绝缘层图案50可以通过采用相同的光掩膜形成。即，在涂敷了钝化层43和有机层之后，执行光照和显影工艺。此时，绝缘层在随后形成第一和第二接触孔h1和h2的区域被完全去除，从而钝化层43可被暴露。另外，该绝缘层在随后形成第一和第二开口51和52的区域被部分地去除，从而不暴露钝化层43。接着施行干法蚀刻工艺以去除暴露的钝化层43，由此形成第一和第二接触孔h1和h2。同时，去除保留在存储电极20上的绝缘层，由此形成第一和第二开口51和52。

参考图4F，透明导电层60’形成在绝缘层图案50上。透明导电层60’通过沉积工艺形成，例如溅射。透明导电层60’以均匀厚度沉积，从而其表面高度不规则地形成。

光刻胶膜93’通过旋涂工艺涂敷在透明导电层60’上。这样，光刻胶膜93’与透明导电层60’的表面高度无关地均匀形成，从而光刻胶膜93’的厚度不规则地形成。

接下来，对光刻胶膜93’采取曝光工艺。如果使用正型光刻胶膜，则对应于透明导电层60’将要被去除的预定部分的光刻胶膜93’的预定区域被曝光。到达光刻胶膜93’的曝光区域的光具有均匀的强度(参见图4F中的箭头)，但是光刻胶膜层93’的厚度是不规则的。因此，在具有较大厚度的光刻胶膜93’的曝光区域中，光不能到达光刻胶膜93’的底部。

例如，在绝缘层图案50形成在存储电极20上的区域中，光路对应于“L1”。如果绝缘层图案50被敞开，则光路将增加至“L1+L2”。

参考图4G，光刻胶膜93’的曝光部分通过显影工艺被去除，透明导电层60’通过使用其余的部分作为蚀刻掩膜而被蚀刻，从而形成像素电极60。像素电极60包括第一和第二像素电极61和62，它们在存储电极20上彼此分隔。

然而，正如上面参考图4F提到的，如果曝光区域具有较大的厚度，则光不会到达光刻胶膜93’的曝光区域的底部，从而一些光刻胶膜93’可保留在曝光区域。这种情况下，透明导电层60’同样留在光刻胶膜93’的下面。如果形成在存储电极20上的绝缘层图案50被完全敞开，在相应区域光刻胶膜93’可能不会完全曝光，从而透明导电层60’可能留在光刻胶膜93’的下面。

如果透明导电层60’在蚀刻过程中以这种方式保持，则在第一和第二像素电极61和62之间可能发生电短路。根据本发明，对应于第一和第二像素电极61和62之间的边界区域的预定区域由绝缘层图案50覆盖，从而防止在第一和第二像素电极61和62之间发生电短路。

同时，覆盖第一和第二像素电极61和62的绝缘层图案50的大小可以在不导致电短路的预定范围内被减少。在这种情况下，存储电容的电容值可以增加从而可以改进存储电容的操作特性。例如，绝缘层图案50的厚度被略微地减小，或者绝缘层图案50在绝缘层图案50覆盖第一和第二像素电极61和62的区域沿第一和第二开口51和52平滑地倾斜。

下面将描述采用上述提到的显示基板的液晶显示装置。

图5是根据本发明的一个典型实施例的液晶显示装置的框图，而图6是说明图5中液晶显示装置的两个子像素的等效电路示意图；

如图5中所示，根据本发明的一个实施例的液晶显示装置包括液晶面板组件700，连接到该液晶面板组件700的栅驱动器400，连接到该液晶面板组件700的数据驱动器500，连接到数据驱动器500的灰度电压产生器800，控制上述元件运行的信号控制器600。

在等效电路中，液晶显示面板组件700连接到多条信号线(未示出)且包括多个以矩阵形式排列的像素PX。另外，参考图6，液晶显示面板组件700包括彼此相对的底部和顶部显示面板100和200，以及插入底部和顶部显示面板100和200之间的液晶层300。

信号线包括多条传输栅极信号(扫描信号)的栅极线(未示出)和多条传输数据信号的数据线(未示出)。栅极线彼此平行地在行方向延伸，而数据线彼此平行地在列方向延伸。

每个像素PX包括成对的子像素且每个子像素包括液晶电容Clca或Clcb。至少一个子像素包括连接到栅极线、数据线和液晶电容Clca或Clcb的开关装置(未示出)。

液晶电容Clca或Clcb采用底部显示面板100的子像素电极PEa或PEb和顶部显示面板200的公共电极CE作为其端子，夹置在子像素电极PEa或PEb与公共电极CE之间的液晶层300可以作为电介质。子像素电极PEa和PEb彼此隔离开同时形成像素电极PE。公共电极CE形成在顶部显示面板200的整个表面上且接收公共电压Vcom。液晶层300具有各向异性介电常数，且液晶层300的液晶分子排列来使得在其上未施加电场时其长轴垂直于底部和顶部显示面板100和200的表面布置。

每个像素PX唯一的显示一种原色(空间分割)，或者多个像素PX根据时间交替地显示原色(时间分割)，从而显示预期色。原色包括三原色光，例如红、绿和蓝。图6显示空间分割的一个例子，其中每个像素PX提供有位于顶部显示面板200的指定区域的滤色片CF，以表示原色中的一种。不同于图6，滤色片CF可形成于底部显示面板100的子像素电极PEa或PEb的上面或下面。

偏振器(未示出)分别附着到底部和顶部显示面板100和200的外部。偏振器的偏振轴可以彼此正交交叉。在不施加电场的情况下，入射到液晶层300的光不能传输到外部。如果使用反射型液晶显示装置，可省去偏振器之

再参考图5，灰度电压产生器800产生与像素PX透射率相关的灰度电压(或者参考灰度电压)。

栅极驱动器400连接到液晶显示面板组件700的栅极线，以对栅极线施加栅极信号Vg，该栅极信号Vg是栅极导通电压Von和栅极关电压Voff的组合。

数据驱动器500连接到液晶显示面板组件700的数据线，以选择由灰度电压产生器800产生的灰度电压，然后将选定的灰度电压作为数据信号施加到数据线。然而，如果灰度电压产生器800只提供预定数目的参考灰度级电压而不提供用于所有灰度级的灰度电压，则数据驱动器500分开参考灰度电压，由此产生用于所有灰度级的灰度电压并从此灰度电压中选择数据信号。

信号控制器600控制栅极驱动器400和数据驱动器500的运行。

上述驱动装置400、500、600和800中每个以IC芯片的形式直接安装到液晶显示面板组件700上，或者安装在柔性印刷电路膜(未示出)上从而再以TCP(卷载封装)的形式附着在液晶显示面板组件700上。另外，上述驱动装置400、500、600和800可以安装在单独的印刷电路板(未示出)上。更进一步，上述驱动装置400、500、600和800中每个可以单一芯片的形式集成在液晶显示面板组件700上。这种情况下，上述驱动装置400、500、600和800中至少一个或者组成上述驱动装置的电路驱动器中至少一个可以被设置在单一芯片的外面。

下面将参考图7至图13C和图5和6详细描述根据本发明的一个实施例的液晶显示面板组件。

图7是说明图5中液晶显示装置的一个子像素的等效电路的示意图。参考图7，多个像素PX连接到包括多条栅极线Gla和GLb、数据线DL和存储线SL的信号线。

每个像素PX包括成对的子像素PXa和PXb，每个子像素PXa/PXb包括连接到栅极线GLa/GLb和数据线DL的开关装置Qa/Qb，连接到开关装置Qa/Qb的液晶电容Clca/Clcb，和连接到开关装置Qa/Qb和存储线SL的存储电容Csta/Cstb。

每个开关装置Qa/Qb包括三端装置，例如位于底部显示面板100中的薄膜晶体管，其中其控制端连接到栅极线Gla/GLb，其输入端连接到数据线DL，而其输出端连接到液晶电容Clca/Clcb和存储电容Csta/Cstb。

支持液晶电容Clca/Clcb的存储电容Csta/Cstb可通过用底部显示面板100中的像素电极PE重叠存储线SL获得，同时在它们之间插入绝缘体。例如公共电压Vcom的预定电压施加到存储线SL。另外，存储电容Csta/Cstb可通过用前栅极线重叠子像素电极PEa或PEb获得，同时在它们之间插入绝缘体，该前栅极线布置在子像素电极PEa或PEb紧靠上的位置。

液晶电容Clca/Clcb已经在上面描述，所以下面省略对其的详细描述。

根据包括上述液晶显示面板组件的液晶显示装置，信号控制器600接收用于一个像素PX的图像信号R，G和B，且将该输入图像信号R，G和B转化为输出图像信号DAT以将该输出图像信号DAT传输到数据驱动器500。比较而言，灰度电压产生器800为两个像素PXa和PXb产生灰度电压组以便为数据驱动器500可选择地提供灰度电压组。这种情况下，数据驱动器500可以通过交替地选择灰度电压组施加不同的电压到两个像素PXa和PXb。此时，优选地，校正图像信号或者产生灰度级电压组从而两个像素PXa和PXb的复合伽马曲线接近在液晶显示面板组件正面的参考伽马曲线。例如，在液晶显示面板的正面，复合伽马曲线与参考伽马曲线相匹配，所述参考伽马曲线最初为适于液晶显示面板组件建立的。另外，液晶显示面板组件的侧边的复合伽马曲线接近液晶显示面板组件正面的参考伽马曲线。

下面将参考图7至11详细描述图7中所示的液晶显示面板装置的一个例子。

图8是图5中液晶装置的布局图，而图9、10、11分别是沿图8中的液晶显示装置的线IV-IV’、V-V’、VI-VI’的剖面图。

根据图8到11，根据本发明的液晶显示面板组件包括底部显示面板100、面对底部显示面板100的顶部显示面板200、以及夹置在底部和顶部显示面板100和200之间的液晶层300。

首先将描述底部显示面板100。

包括多对栅极线121a和121b和多条存储电极线131的多个栅极导体形成在包括透明玻璃或塑料的绝缘基板110上。

当第一和第二栅极线121a和121b传输栅极信号且主要在横向延伸，同时被设置在绝缘基板110的较上和较下部。

第一栅极线121a包括多个向上突出的第一栅电极124a和连接其它层或栅驱动器400的宽的端部129a。第二栅极线121b包括多个向上突出的第二栅电极124b和连接其它层或栅驱动器400的宽的端部129b。如果栅驱动器400直接集成到基板110上，则第一和第二栅极线121a和121b可以直接连接到栅驱动器400。

存储电极线131接收预定电压，例如公共电压Vcom，且主要在横向延伸。存储电极线131夹置在第一和第二栅极线121a和121b之间。每条存储电极线131包括多个垂直扩展的存储电极137。然而，存储电极137的形状和排列和存储电极线131可以做不同的改进。

栅极导体121a、121b和131包括铝基金属，例如铝(Al)和铝合金；银基金属，例如银(Ag)和银合金；铜基金属，例如铜(Cu)和铜合金；钼基金属，例如钼(Mo)和钼合金；铬(Cr)，钽(Ta)或钛(Ti)。另外，栅极导体121a、121b和131可以具有多层结构，其包括两个具有不同物理特性的导电层(未示出)。这种情况下，栅极导线121a、121b和131中的一个由具有低电阻率的金属制成以便减少信号延迟或电压降。例如，该金属包括铝基金属、银基金属或铜基金属。比较而言，其它栅极导体由相对铟锌氧化物和铟锡氧化物具有较高的物理、化学和电接触特性的材料制成。例如，该材料包括钼基金属、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)。优选的，可以采用铬下层和铝(铝合金)上层的组合，或者铝(铝合金)下层和钼(钼合金)上层的组合。除了上面之外，栅极导体121a、121b和131还可通过使用不同的金属或导电材料形成。

栅极导体121a、121b和131的侧边关于基板110表面倾斜。优选的，倾斜角度是在大约30到大约80的范围。

包括SiNx或SiOx的栅极绝缘层140形成在栅极导体121a、121b和131上。

包括氢化非晶硅(下面称为非晶硅或a-Si)或多晶硅的多个第一和第二岛型半导体154a和154b形成在栅绝缘层140上。第一和第二岛型半导体154a和154b分别排列在第一和第二栅电极124a和124b上。

岛型欧姆接触163a和165a形成在第一和第二岛型半导体154a和154b上。岛型欧姆接触163a和165a可通过使用掺杂高浓度的例如磷或硅的n型杂质的n+氢化非晶硅形成。成对的岛型欧姆接触163a和165a形成在第一和第二岛型半导体154a和154b上。

岛型半导体154a和154b和欧姆接触163a和165a的侧边关于基板110的表面倾斜。优选的，倾斜角度在大约30到大约80的范围。

包括多体数据线171和多对第一和第二漏电极175a和175b的数据导体形成在岛型欧姆接触163a和165a和栅绝缘层140上。

数据线171交叉栅极线121a和121b和存储电极线131，同时传输数据信号且主要在纵向延伸。每条据线171可以不在同一线上线性延伸，而至少两次倾斜。

每条数据线171包括多对向着第一和第二栅电极124a和124b延伸的第一和第二源电极173a和173b，以及包括与其它层或数据驱动器500连接的宽的端部179。如果数据驱动器500直接集成到基板110上，则数据线171将直接连接到数据驱动器500。

在与数据线171隔离的同时，第一和第二漏电极175a和175b彼此分离。

第一/第二漏电极175a/175b与第一/第二栅电极124a/124b上的第一/第二源电极173a/173b面对，且其条形端部被倾斜的第一和第二源电极173a和173b部分地包围。

第一/第二栅电极124a/124b，第一/第二源电极173a/173b，第一/第二漏电极175a/175b和第一和第二半导体154a/154b一起组成第一/第二薄膜晶体管Qa/Qb。第一/第二薄膜晶体管Qa/Qb的沟道形成在第一/第二源电极173a/173b和第一/第二漏电极175a/175b之间的第一和第二半导体154a/154b内。

优选的，数据导体171，175a和175b包括难熔金属，例如钼、铬、钽和钛，或者它们的合金。另外，数据导体171、175a和175b可具有包括难熔金属层(未示出)和低电阻率导电层(未示出)的多层结构。例如，数据导体可以具有三层结构，该三层结构由包括铬或钼(合金)的下层、包括铝(合金)的中间层、包括钼(合金)的上层构成。除了上述之外，数据导体171、175a和175b可以采用各种金属或导电材料形成。

数据导体171、175a和175b的侧边关于基板110的表面倾斜。优选的，倾斜角在大约30到大约80的范围。

欧姆接触163a和165a可以保留在半导体154a、154b和数据导体171、175a和175b之间，以减少其间的接触电阻。半导体154a和154b具有没有被数据导体171、175a和175b覆盖的暴露部分。例如，半导体154a具有在源电极173a和漏电极175a之间的暴露部分。

包括绝缘层图案的钝化层180形成在数据导体171、175a和175b和半导体154a和154b的暴露的部分上。钝化层180由无机绝缘材料或有机绝缘材料制成。钝化层180的表面被平面化。优选的，有机材料可具有4.0或更小的介电常数且具有光敏性。钝化层180可具有包括下无机层和上有机层的双层结构，从而使得钝化层180可以表现有机层的优异的绝缘特性，而不会对半导体154a和154b的暴露部分施加坏的影响。

钝化层180形成有多个接触孔182、185a和185b，通过它们暴露数据线171的端部179和第一和第二漏电极175a和175b的一个部分。另外，在钝化层180和栅绝缘层140中形成多个接触孔181a和181b，以暴露栅极线121a和121b的端部129a和129b。另外，在钝化层180内形成对应于存储电极137的开口186。

多个像素电极191和接触辅助(assistant)981a、981b和982形成在钝化层180上。像素电极191和接触辅助981a、981b和982可以包括透明导电材料，或反射金属，例如铝，银，铬或它们的合金。

每个像素电极191包括成对的第一和第二子像素电极191a和191b，它们彼此分离开。

第一子像素电极191a通过接触孔185a连接到第一漏电极175a，第二子像素电极191b通过接触孔185b连接到第二漏电极175b。

数据线171与像素电极191重叠，同时它们之间插入钝化层180。数据线171与所有相邻的像素电极191重叠。

下面将参考图12和13A至13C详细描述液晶显示面板组件的像素电极的结构。

图12是图8中的液晶显示装置的像素电极和公共电极的布局图，而图13A到13C是组成图12中子像素电极的电极元件的平面图。

如图12中所示，根据本发明的液晶显示面板组件的每个像素电极191包括成对的第一和第二子像素电极191a和191b，它们彼此分离。第一子像素电极191a在行方向上临近第二子像素电极191b。切口部分991a和991b分别形成在第一和第二子像素电极191a和191b内。公共电极270(参见图6)具有切口部分971a和971b，它们分别面对第一和第二子像素电极191a和191b。

第一和第二子像素电极191a和191b中的每个包括至少一个平行四边形电极元件196，如图13A中所示，和包括至少一个平行四边形电极元件197，如图13B中所示。图13C中的基本电极198通过垂直连接图13A和13B中所示的平行四边形电极元件196和197获得。子像素电极191a和191b具有基于基本电极198的结构。

正如图13A和13B中所示，每个电极元件196或197具有一对倾斜边缘196o和197o和一对横向边缘196t和197t，以使得电极元件196或197具有平行四边形形状。每个倾斜边缘形成关于横向边缘196t和197t的倾斜角。优选的，该倾斜角在45°至135°范围内。为了方便，术语“倾斜方向”基于从横向边缘196t和197t延伸的垂直线而采用。即，图13A所示的电极元件196在右倾斜方向倾斜而图13B所示电极元197在左倾斜方向倾斜。

横向边缘196t和197t的横向长度，即电极元件196和197的宽度，以及横向边缘196t和197t之间的纵向长度，即电极元件196和197的高度，可以根据液晶显示面板组件700的大小不同地确定。另外，电极元196和197的横向边缘196t和197t可通过考虑与其他部分的关系而被修改。即，横向边缘196t和197t可弯曲或突出，且这些修改的形状可以同样被称为平行四边形。

面对电极元196和197的切口部分961和962形成在公共电极270内。电极元件196和197相对于切口部分961和962被分成两个子区域S1和S2。切口部分961和962具有至少一个凹口。切口部分961和962包括平行于电极元196和197的倾斜边缘196o和197o的倾斜部分961o和962o，以及与电极元196和197的横向边缘196t和197t重叠且同时相对倾斜部分961o和962o形成钝角的横向部分961t和962t。

每个子区域S1或S2具有两个初始边缘，它们由切口部分961和962的倾斜部分961o和962o和电极元件196和197的横向边缘196t和197t确定。优选的，初始边缘的长度，即子区域的宽度是大约25m到大约40m。

图13C所示基本电极198可由组合右倾斜电极元件196和左倾斜电极元件197获得。右倾斜电极元196和左倾斜电极元197之间形成的角度基本上是90。另外，电极元件196的一部分连接到电极元197的一部分，从而切口部分990形成在它们之间。然而，切口部分990可省略。

两个电极元件196和197的外部横向边缘196t和197t组成基本电极198的横向边缘198t，且两个电极元196和197的倾斜边缘196o和197o彼此连接，从而形成基本电极198的弯曲边缘198o1和198o2。

弯曲边缘198o1和198o2包括凸的边缘198o1以及凹的边缘198o2，凸的边缘198o1接触基本电极198的横向边缘198t同时相对基本电极198的横向边缘198t形成钝角(例如，大约135°)，凹的边缘198o2接触基本电极198的横向边缘198t同时相对基本电极198的横向边缘198t形成锐角(例如，大概45°)。由于198o1和198o2由成对的以基本直角弯曲的倾斜边缘196o和197o确定，弯曲边缘198o1和198o2之间的弯曲角度接近直角。

切口部分960到达基本电极198的中心部分，同时从凹边缘198o2的凹顶点CV向凸边缘198o1的凸顶点VV延伸。

另外，公共电极270的切口部分961和962彼此连接，从而形成切口部分960。切口部分961和962的横向部分961t和962t彼此重叠，从而形成横向部分960t1。下面将更详细的描述该切口部分960。

切口部分960包括具有弯曲点CP的弯曲部分960o、连接到弯曲部分960o的弯曲点CP的中心横向部分960t1和形成在弯曲部分960o的两个端部的一对末端横向部分960t2。切口部分960的弯曲部分960o由一对以直角弯曲的倾斜部分。弯曲部分960o基本上平行于基本电极198的弯曲部分198o1和198o2，且将基本电极198分成左半部分和右半部分。切口部分960的中心横向部分960t1向基本电极198的凸顶点VV延伸，同时形成相对弯曲部分960o的钝角(例如135°)。末端横向部分960t2与基本电极198的横向边缘198t排列，且形成相对弯曲部分960o的钝角(例如，135°)。

基本电极198和切口部分960彼此关于从基本电极198的凸顶点VV到凹顶点CV的虚线(下面该虚拟线称为横向中心线)反转对称。

在图12所示的像素电极191中，第一子像素电极191a的尺寸小于第二子像素电极191b的尺寸。尤其是，第二子像素电极191b的高度大于第一子像素电极191a的高度，且第一和第二子像素电极191a和191b具有基本上相同的宽度。第二子像素电极191b中的电极元件的数目大于第一子像素电极191a中的电极元件的数目。

第一子像素电极191a包括左倾电极元件197和右倾电极元件196，且具有与图13C中基本电极198相同的结构。

第二子像素电极191b包括至少两个左倾电极元件197和至少两个右倾电极元件196，它们连接到图13C中所示的基本电极198。

图12中所示的第二子像素电极191b包括六个电极元件191b1至191b6。从这六个电极元件191b1至191b6中，两个电极元件191b5和191b6排列在第一子像素电极191a的上面部分和下面部分。第二子像素电极191b具有拥有三个分支的三重结构。相比于仅有单一分支的结构，这种结构有利的表现了纵向线。另外，公共电极270的切口部分961和962的横向部分961t和962t重叠其中第一子像素电极191a的电极元件191a1和191a2临近第二子像素电极191b的电极元件191b5和191b6的区域，从而形成一个横向部分。从而，开口率进一步增加。

中间电极元件191a1、191a2、191b1和191b2的高度不同于排列在中间电极元191a1、191a2、191b1和191b2的上部和下部的电极元件191b3到191b6的高度。例如，电极元件191b3到191b6的高度是中间电极元件191a1、191a2、191b1和191b2高度的大约1/2，从而第一和第二子像素电极191a和191b的面积比率接近于比率1∶2。因此，可通过调整上部和下部电极元件191b3到191b6的高度获得所要的面积比。

图12中所示的第一和第二子像素电极191a和191b的排列和定向可通过在相反方向移动或旋转图12中所示像素电极191而改变。

再次参考图8到图13C，顶部显示面板200的第一/二子像素电极191a/191b和公共电极270同设置在第一/二子像素电极191a/191b和公共电极270之间的液晶层300一起组成第一/第二液晶电容Clca/Clcb，从而即使薄膜晶体管Qa/Qb被截止，也可以保持所施加的电压。

第一/二子像素电极191a/191b重叠存储电极137，栅绝缘层140位于它们之间，从而形成第一/第二存储电容Csta/Cstb。第一/第二存储电容Csta/Cstb加强了第一/第二液晶电容Clca/Clcb的电压保持功能。由于在钝化层180形成开口186，则仅有栅绝缘层140保留在像素电极191和存储电极137之间。由此像素电极191和存储电极线131之间的距离缩短，从而改进了第一/第二液晶电容Clca/Clcb的电压保持功能。

接触辅助981a、981b和981分别通过接触孔181a、181b和182连接到栅极线121a和121b的端部129a和129b和数据线171的端部179。接触辅助981a、981b和981可以加强栅极线121a和121b的端部129a和129b和外部装置之间的结合力，以及加强数据线171的端部179和外部装置之间的结合力，同时保护栅极线121a和121b的端部129a和129b和数据线171的端部179。

下面将参考图9和10描述显示面板200的垂直结构。

光阻挡元件220形成在包括玻璃或塑料的绝缘基板210上。光阻挡元件220覆盖对应像素电极191的边界的区域和对应薄膜晶体管的区域。另外，光阻挡元件防止在像素电极191之间的光泄露发生，且在面对像素电极191的区域敞开。

多个滤色片230形成在基板210和光阻挡元件220上。大部分滤色片230位于被光阻挡元件220包围的区域中，且在像素电极191的列的方向延伸。每个像素电极230可以表示包括红、绿和蓝的三原色中的一种。

保护层250形成在滤色片230和光阻挡元件220上。保护层250可以包括(有机)绝缘材料。保护层250防止滤色片230暴露且提供平坦表面。保护层250可省略。

公共电极270形成在保护层250上。

公共电极270形成有多个切口部分971a和971b。

例如垂直配向层的配向层911和921可形成在显示面板100和200的内部。

偏振器912和922分别位于底部和顶部显示面板100和200的外部。此时，偏振器的偏振轴可彼此垂直交叉。偏振器的一个偏振轴优选平行于栅极线121a和121b。在反射型液晶显示装置的情况，偏振器912和922中的一个可省去。

液晶显示装置可包括偏振器912和922、延迟层、顶部和底部显示面板100和200，以及给液晶层300提供光的背光单元(未示出)。

液晶层300具有负的介电常数，液晶层300的液晶分子排列成来使得在其上不施加电场时其长轴垂直于底部和顶部显示面板100和200的表面。

下面将详细描述具有上述结构的液晶显示装置的操作。

信号控制器600从外部图像控制器(未示出)接收输入图像信号R、G和B和控制输入图像信号R、G和B的显示的输入控制信号，并且根据液晶显示面板组件700的运行条件处理输入图像信号R、G和B和输入控制信号，从而产生栅极控制信号CONT1和数据控制信号CONT2，以分别向栅极驱动器400和数据驱动器500传输栅极控制信号CONT1和数据控制信号CONT2。

栅极驱动器400根据从信号控制器600接收到的栅极控制信号CONT1向栅极线施加栅极导通电压Von，从而打开连接到栅极线的开关装置。由此施加到数据线的数据信号可通过该开关装置施加到相应的像素PX。

这时，由于组成一个像素电极191的第一和第二子像素电极191a和191b连接到不同的开关装置，所以第一和第二子像素电极191a和191b可以在预定时段通过相同的数据线顺序地接收不同数据电压。可替换的，当第一和第二子像素电极191a和191b连接到不同开关装置时，第一和第二子像素电极191a和191b可通过不同数据线在同一时间接收不同数据电压。或者，当第一子像素电极191a连接到开关装置(未示出)而第二子像素电极191b通过电容耦合连接到第一子像素电极191a时，仅包括第一子像素电极191a的子像素可以通过开关装置接收数据电压，而包括第二子像素电极191b的子像素具有依赖于第一子像素电极191a的电压变化的可变电压。在这种情况下，具有更小面积的第一子像素电极191a的电压大于具有较大面积的第二子像素电极191b的电压。

施加到像素PX的数据信号的电压和公共电压Vcom之间的差表现为液晶电容器的充电电压，即像素电压。液晶分子的排列将根据像素电压的电位改变，且通过液晶层300的光的偏转状态可以根据液晶分子的排列状态改变。偏振光的这种变化通过附着到液晶显示面板组件700的偏振器表现为透过率的变化。像素PX基于该透过率变化显示由图像信号DAT的灰度表示的亮度。

液晶分子的倾斜角度可以依据施加在其上的电场强度而变化。由于两个液晶电容Clca和Clcb彼此具有不同的电压，所以液晶分子以不同的倾角排列，从而两个子像素表现不同的亮度。因此，如果适当地调整第一和第二电容Clca和Clcb的电压，则从液晶显示装置的正面看到的图像可以接近从液晶显示装置的侧面看到的图像。即，侧面伽马曲线可以接近于正面伽马曲线。以这种方式，可以改进液晶显示装置的侧面可见度。

另外，如果接收较高电压的第一子像素电极191a的面积设计为小于第二子像素电极191b的面积，则侧面伽马曲线将更加接近正面伽马曲线。尤其是，如果第一和第二子像素电极191a和191b之间的表面比率是从大约1∶2到大约1∶3，则侧面伽马曲线将进一步接近正面伽马曲线，从而可以进一步改进液晶显示装置的侧面可见度。

液晶分子的倾斜方向基本上由电场的水平分量确定，该水平分量的产生是因为像素电极191和公共电极270的切口部分971a和971b以及子像素电极191a和191b的侧边扭曲了初始电场。电场的水平分量基本上垂直于切口部分971a和971b的边缘和子像素电极191a和191b的边缘。

由于大部分排列在由切口部分971a和971b分隔的子区域上的液晶分子垂直于初始边缘倾斜，所以可以假设液晶分子在四个方向倾斜。在这种方式下，如果液晶分子的倾斜方向是多样的，则液晶显示装置的参考视角也可被拓宽。

如果在公共电极270上形成凸起，而不是形成切口部分971a和971b，则该凸起将起到切口部分971a和971b的作用。即，电场被凸起扭曲，从而拓宽液晶显示装置的参考视角。

由于子像素电极191a和191b之间的不同电压差产生的次级电场垂直于子区域的初始边缘形成。因此，次级电场的方向与初始电场的水平分量的方向相匹配。结果，在子像素电极191a和191b之间产生的次级电场可以起到确定液晶分子的倾斜方向的作用。

如上所述，公共电极270的切口部分包括中心横向部分960t1、弯曲部分960o，以及末端横向部分960t2。如图8所示，如果中心横向部分960t1完全与存储电极137重叠，则中心横向区域960t1可分为一对沿存储电极137边缘的中心横向部分。

中心横向部分960t1排列于一个特殊位置，在该位置对称排列以形成弯曲部分960o的一对倾斜部分彼此接触。在上述特殊位置，液晶分子受倾斜部分的右倾部分和左倾部分影响，从而液晶分子的排列方向可以被分散。中心横向部分960t1通过控制液晶分子的配向方向阻止上述问题。

然而，正如图9所示，公共电极270和开口186之间的距离可以增加其中形成存储电极137的区域。因此，液晶分子不能由上述区域中的中心横向部分960t1精确地控制。为了解决这一问题，如图8所示，成对的中心横向部分960t1形成在存储电极137的边侧部分，同时与其中形成存储电极137的区域重叠。

下面将参考图14详细描述根据本发明的另一实施例的液晶显示面板组件。

图14是说明根据本发明的另一实施例的液晶显示装置一部分的布局图。

根据本发明的另一实施例的液晶显示面板组件包括彼此相对的底部和顶部显示面板(未示出)和夹置在在底部和顶部显示面板之间的液晶层(未示出)。

液晶面板组件的垂直结构基本上与图8至图13C所示的液晶显示面板组件的层结构相同，所以为了防止赘述省略对相同元件和功能的详细描述。

对于底部显示面板，包括多条栅极线(未示出)和存储电极线131的多个栅极导体形成在绝缘基板(未示出)上。存储电极线131包括存储电极137。栅绝缘层(未示出)形成在栅极导体上。岛型半导体(未示出)形成在栅绝缘层上，多个欧姆接触元件(未示出)形成在岛型半导体上。包括多个数据线171的数据导体形成在欧姆接触元件和栅极绝缘层上。具有开口186的钝化层(未示出)形成在数据导体以及半导体的暴露的部分上。钝化层和栅绝缘层中形成有多个接触孔(未示出)和开口186。多个像素电极191和接触辅助(未示出)形成在钝化层上。

对于顶部显示面板，光阻挡元件(未示出)、多个滤色片(未示出)、保护层(未示出)、公共电极(未示出)和配向层(未示出)形成在绝缘基板(未示出)上。

像素电极191被分成具有凹边缘的第一子像素191al和具有凸边缘的第二子像素电极191br。至少一个凹槽193a/193b形成在凹边缘的角部。优选的，第一子像素191al的两个凹槽193a和193b沿着开口186的侧边形成。从而，可以充分保证相邻的第一和第二子像素191al和191br之间的距离，由此防止第一和第二子像素191al和191br之间的电短路。

如果提供至少一个凹槽193a/193b，则也可以实现本发明，但是本发明不限于凹槽的形状和数目。由于凹槽193a/193b可通过切开像素电极191的预定部分获得，所以凹槽193a/193b与控制液晶分子方向的公共电极270的中心横向部分960t1具有相同功能。类似于中心横向部分960t1，在凹槽193a和193b与存储电极137重叠的区域中，成对的凹槽193a和193b形成在存储电极137的边侧部分

下面将根据图15描述根据本发明的又一实施例的液晶面板组件。

图15是说明根据本发明的又一实施例的液晶显示装置一部分的布局图。

根据本发明的又一实施例的液晶面板组件包括彼此相对的底部和顶部显示面板(未示出)和夹置在底部和顶部显示面板之间的液晶层(未示出)。

液晶面板组件的垂直结构基本上与图8至图13C所示的液晶显示面板组件的层结构相同。所以为了防止赘述省略了对相同元件和功能的详细描述。

参考图15，排列在左边的像素电极191的第一子像素电极191al，在行方向邻近排列在右边的像素电极191的第二子像素电极191br。第一和第二子像素电极191al和191br分别具有凸边缘194a和194b。另外，第一和第二子像素电极191al和191br分别具有凹边缘195a和195b。凸边缘195a包括两个倾斜边缘195a1和195a2以及连接到两个倾斜边缘195a1和195a2的纵向边缘195a3，而凹边缘195b包括两个倾斜边缘195b1和195b2以及连接到两个倾斜边缘195b1和195b2的纵向边缘195b3。

存储电极线131穿过像素电极191的中心部分延伸。即，像素电极191在纵向方向关于存储电极线131对称地形成。一个存储电极137在两个相邻的像素电极191上延伸。详细地说，存储电极137与排列在左边的像素电极191的第一子像素电极191al和排列在右边的像素电极191的第二子像素电极191br重叠。存储电极137包括与像素电极191的第一子像素电极191al重叠的第一部分137a和与像素电极191的第二子像素电极191br重叠第二部分137b。

钝化层形成在存储电极137和像素电极191之间。第一和第二开口187a和187b形成在钝化层中。存储电极137的第一部分137a通过第一开口187a暴露，而存储电极137的第二部分137b通过第二开口187b暴露。第一和第二开口187a和187b在第一和第二开口187a和187b与第一和第二子像素电极191al和191br重叠的区域彼此分离。由此，防止位于第一和第二开口187a和187b的阶梯部分的第一和第二子像素电极191al和191br之间的电短路发生。

倒角邻近第二子像素电极191br的凸边缘的第二开口187b的两个顶点。倒角表面平行于第二子像素电极191br的凸边缘以防止存储电容器的电容量的减少。

根据本发明，显示装置包括彼此不同的像素电极从而显示装置的操作特性可得以改进。另外，在形成像素电极的过程中防止像素电极之间的电短路发生。

尽管已经描述了本发明的典型实施例，可以理解的是本发明不应限于这些典型实施例，相反本领域的普通技术人员可以在权利要求的实质和范围内做出各种变化和修改。

本申请要求分别于2006年5月24日和2006年7月28日申请的韩国专利申请Nos.2006-46551和2006-71630的优先权，将它们全文引用结合于此。

Claims (35)

1.一种显示基板包括：

存储电极，其在形成在基板上的第一区域和第二区域上延伸；

绝缘层图案，其形成在所述存储电极上以覆盖所述基板，且在对应于所述存储电极的区域具有开口；和

第一和第二像素电极，其形成于所述绝缘层图案上，且分别位于所述第一和第二区域，

其中所述第一和第二像素电极中的至少一个在对应于所述存储电极的区域具有至少一个凹槽。

2.权利要求1中的显示基板，其中所述第一和第二区域属于不同的各自的像素区域。

3.权利要求1中的显示基板，其中所述第一和第二区域属于同一像素区域且接收对应于图像信息的不同电压。

4.权利要求1中的显示基板，其中所述第一和第二像素电极关于所述存储电极的长度方向定向，且彼此对称定向。

5.权利要求4中的显示基板，其中成对的凹槽对称地位于所述存储电极的边缘部分，同时平行于所述存储电极的长度方向延伸。

6.权利要求1的显示基板，其中所述绝缘层图案包括有机绝缘层。

7.权利要求6的显示基板，其中所述有机绝缘层限定每个像素区域的开口。

8.一种显示基板，包括：

存储电极，其在形成在基板上的第一和第二区域上延伸；

绝缘层图案，其形成于所述存储电极上，且在对应于所述存储电极的第一区域具有第一开口，以及在对应于所述存储电极的第二区域具有第二开口；和

第一和第二像素电极，其形成在所述绝缘层图案上且分别位于所述第一和第二区域。

9.权利要求8的显示基板，其中所述第一和第二区域分别属于彼此不同的像素区域。

10.权利要求8的显示基板，其中所述第一和第二区域属于相同像素区域且接收不同电压。

11.权利要求8的显示基板，其中所述第一和第二像素电极关于所述存储电极的长度方向倾斜，且彼此对称地弯曲。

12.权利要求11中的显示基板，其中所述绝缘层图案的第一和第二开口中的至少一个顶点被倒角，且倒角表面平行于所述第一和第二像素电极中的一个。

13.权利要求8中的显示基板，其中所述绝缘层图案包括有机绝缘层。

14.权利要求13中的显示基板，其中所述有机绝缘层在每个像素区域限定第一开口和第二开口。

15.一种制造显示基板的方法，所述方法包括：

在具有第一和第二区域的基板上形成存储电极，使得所述存储电极在所述基板的第一和第二区域上延伸；

在所述基板上形成栅电极，使得所述栅电极与所述存储电极相分隔，以及在所述栅电极上形成源电极和漏电极，使得所述源电极和漏电极彼此分隔开；

在所述源电极和漏电极上形成绝缘层图案，使得所述绝缘层图案在对应于所述存储电极的区域具有开口；和

在所述绝缘层图案上形成第一和第二像素电极，使得所述第一和第二像素电极分别位于所述第一和第二区域上，

其中所述第一和第二像素电极中至少一个在对应于所述存储电极的区域具有至少一个凹槽。

16.权利要求15中的方法，其中所述源电极和漏电极的形成包括：

形成半导体层和数据导电层，使得所述半导体层和数据导电层覆盖所述栅电极和存储电极；

形成具有第一厚度和不同于所述第一厚度的第二厚度的光刻胶膜图案，并且暴露所述数据导电层；

最初去除通过光刻胶膜图案暴露的所述数据导电层和形成在所述数据导电层下面的半导体层的预定部分；

去除所述光刻胶膜图案的第一厚度；

其次去除通过所述光刻胶膜图案暴露的数据导电层，由此形成所述源电极和漏电极；和

再次，去除通过源电极和漏电极暴露的半导体层的一部分。

17.权利要求15中的方法，其中所述栅电极的形成包括：

形成彼此分隔的第一和第二栅电极，和

所述源电极和漏电极的形成如下：

通过在所述第一栅电极上形成第一源电极和第一漏电极使得所述

第一漏电极与所述第一源电极间隔开且电连接到所述第一像素电极；和

通过在所述第二栅电极上形成第二源电极和第二漏电极使得所述

第二漏电极与所述第二源电极间隔开且电连接到所述第二像素电极。

18.权利要求15中的方法，其中所述绝缘层图案包括有机绝缘层。

19.权利要求18中的方法，其中所述有机绝缘层限定每个像素区域的开口。

20.一种制造显示基板的方法，所述方法包括：

在具有第一和第二区域的基板上形成存储电极，使得所述存储电极在所述基板的第一和第二区域上延伸；

在所述基板上形成栅电极，使得所述栅电极与所述存储电极间隔开；

在所述栅电极上形成源电极和漏电极，使得所述源电极和漏电极彼此间隔开；

在所述源电极和漏电极上形成绝缘层图案，使得所述绝缘层图案在相应于所述存储电极的第一区域具有第一开口，并且在相应于所述存储电极的第二区域具有第二开口；和

在所述绝缘层图案上分别对应于第一和第二区域形成第一和第二像素电极。

21.权利要求20中的方法，其中所述源电极和漏电极的形成包括：

形成半导体层和数据导电层，使得所述半导体层和数据导电层覆盖所述栅电极和存储电极；

形成具有第一厚度和不同于所述第一厚度的第二厚度的光刻胶膜图案，且暴露所述数据导电层；

首先去除通过所述光刻胶膜图案暴露的所述数据导电层和形成在所述数据导电层下面的半导体层的预定部分；

去除所述光刻胶膜图案的第一厚度；

其次去除通过所述光刻胶膜图案暴露的数据导电层，从而形成所述源电极和漏电极；和

再次，去除通过所述源电极和漏电极暴露的半导体层的一部分。

22.权利要求20中的方法，其中所述栅电极的形成包括：

形成彼此分隔开的第一和第二栅电极，和

所述源电极和漏电极的形成如下：

在所述第一栅电极上形成第一源电极和第一漏电极，使得所述第一漏电极与第一源电极间隔开且电连接到所述第一像素电极；和

在所述第二栅电极上形成第二源电极和第二漏电极，使得所述第二漏电极与第二源电极间隔开且电连接到所述第二像素电极。

23.权利要求20中的方法，其中所述绝缘层图案包括有机绝缘层。

24.权利要求23中的方法，其中所述有机绝缘层限定每个像素区域的第一开口和第二开口。

25.一种液晶显示装置，包括：

彼此面对的第一基板和第二基板；

具有液晶且夹置在所述第一基板和第二基板之间的液晶层；

形成在所述第一基板上的存储电极；

绝缘层图案，其形成在所述存储电极上且在相应于所述存储电极的区域具有开口；

形成在所述绝缘层图案上的像素电极；和

公共电极，其形成在所述第二基板上且具有至少一个控制液晶的排列方向的方向控制器，

其中所述方向控制器具有成对的对称地设置在所述存储电极的边侧部分且同时平行于所述存储电极的长度方向延伸的部分。

26.权利要求25中的液晶显示装置，其中所述方向控制器在平面图中重叠所述存储电极的边侧部分。

27.权利要求25中的液晶显示装置，其中所述方向控制器包括通过部分地去除公共电极所获得的切口图案。

28.权利要求25中的液晶显示装置，其中所述方向控制器包括形成在所述公共电极上的突出。

29.权利要求25中的液晶显示装置，其中所述第一基板包括彼此间隔开的第一区域和第二区域，位于所述存储电极上的第一和第二区域的边界，且所述方向控制器与所述边界间隔开。

30.权利要求29中的液晶显示装置，其中所述像素电极包括排列于第一区域的第一像素电极和排列于第二区域的第二像素电极。

31.权利要求30中的液晶显示装置，其中所述第一像素电极和第二像素电极中的至少一个在相应于所述存储电极的区域具有至少一个凹槽。

32.权利要求30的液晶显示装置，其中所述绝缘层图案在对应于所述存储电极的第一区域具有第一开口，且在对应于所述存储电极的第二区域具有第二开口。

33.权利要求25中的液晶显示装置，其中所述第一像素电极和第二像素电极关于所述存储电极的长度方向倾斜且彼此对称地定向。

34.权利要求25中液晶显示装置，其中所述绝缘层图案包括有机绝缘层。

35.权利要求34中的液晶显示装置，其中所述有机绝缘层限定每个像素区域的开口。

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