CN101102962A

CN101102962A - 电气隔离信号调节系统

Info

Publication number: CN101102962A
Application number: CNA2005800469282A
Authority: CN
Inventors: 约翰·温; 伊蒙·海茵斯
Original assignee: Analog Devices Inc
Current assignee: Analog Devices Inc
Priority date: 2004-12-06
Filing date: 2005-10-28
Publication date: 2008-01-09
Anticipated expiration: 2025-10-28
Also published as: EP1819633A4; US20060153495A1; JP2008531297A; WO2006062616A2; WO2006062616A3; EP1819633B1; CN101102962B; EP1819633A2; US7288940B2

Abstract

电气隔离信号调节系统包括集成电路芯片上的信号调节电路；快速电容器；以及集成电路芯片上的电气隔离MEMS开关器件，用于选择性地将快速电容器从在一种状态下跨越一对输入端子切换到在另一种状态下跨越信号调节电路的输入端子。

Description

电气隔离信号调节系统

技术领域

本发明涉及一种电气隔离信号调节系统(galvanically isolatedsignal conditioning system)，并且，更具体地，涉及这样一种电气隔离信号调节系统，其采用MEMS开关快速电容器(flying capacitor)。

背景技术

在例如其中期望在所监视的设备的潜在地非常高的电压和信号调节电路的较低的电压之间的隔离的数据获取应用中，经常采用例如差分放大器的信号调节电路。

差分放大器对其两个输入之间的电势差进行放大。可在从电流感测应用中感测电阻器上的简单的电阻电压降到标准的电阻桥或测压元件的输出的很多应用中找到差分信号。通常，所感测的差分电压相当小；通常在微伏到可能数百毫伏的量级。

通常，与每一个差分电压相关联的是共模电压(common modevoltage)。该共模电压可具有比差分信号高得多的量级。在涉及例如0伏或接地的某个公共电势时，所感测的差分信号的每一侧可处于远高于或远低于公共的0伏或接地的电压电势。所感测的差分信号的两侧所公用的此电压被称为共模电压。通常，此共模电压不包含关于测量信号的有用信息，因此，理想地，差分放大器应当仅放大其两个输入上的信号之间的差，并忽略或排除共模电压。依赖于应用，此共模电压可能高达几百伏、或甚至更高。其相对于例如接地或0伏的公共点，还可能为正或为负。

此外，在例如处理控制的某些行业中，有必要提供所感测的信号和测量电路之间的电气隔离。换句话说，在具有相关联的共模电压的所感测的信号和可具有通常为0伏的不同的共模电压的后续的信号调节电路之间，可能不存在交流或直流路径。

为实现能够满足过去的所有这样的需求的输入信号调节系统，公知的方法已经采用被称为快速电容器技术的技术。在此方法中，通过光控开关(optically controlled switch)或继电器，而将电容器从跨越信号源切换到跨越差分放大器输入。通过这样的手段，完全移除了输入共模电压，并且，仅将差分输入信号呈现给差分放大器。此方法可产生这样的解决方案，其由于机械继电器(mechanical relay)而耗费印刷电路板或印刷线路板的相对大的面积。已成功的其它技术为使用变流器(current transformer)的技术、以及基于霍尔效应变流器的技术。变流器方法的缺点包括较大的物理尺寸和重量(尤其是在所测量的电流增大时)、高成本、不能测量直流电流和电压、以及有限的精度。霍尔效应方法的缺点包括使用开环传感器的低精度、对于用来对隔离侧供电的隔离电源的需要、由于霍尔效应元件而造成的偏差、以及用于闭环传感器的高成本和大的物理尺寸。

不基于快速电容器技术的其它方法通常基于驱动模拟输入、模拟输出的隔离放大器的差分放大器。隔离放大器通常基于变压器，其采用磁耦合来实现共模电压隔离和信号传送二者。从具有充分连续的额定隔离电压的隔离电源对差分放大器和隔离放大器的隔离侧供电。此方法的缺点包括大的物理尺寸、高成本、对于用来对隔离侧供电的隔离电源的需要、以及较差的精度。

另一个方法在于采用用来对模拟输入电压进行数字化的、例如delta-sigma调制器的模数转换器。随后，跨越隔离势垒(isolationbarrier，其为光势垒，或者更常见地，磁势垒)而传送来自delta-sigma调制器的数字位流，并在势垒的远端对其解码，以产生表示模拟输入的串行输出数据流，或者，更常见地，对所传送的数据流进行解码，并将其从数字域转换到模拟域，以在所述势垒的输出侧产生模拟电压。此方法的缺点包括对于用来对隔离侧供电的隔离电源的需要、对于对数据流进行滤波以提取所感测的信号的需要、潜在地为射频干扰(RFI)的原因的高频时钟和数据信号、随时间和温度的前端零点漂移(offset drift)和增益漂移问题、以及相对昂贵的低漂移感测电阻器。

发明内容

因此，此发明的目的在于，提供改进的电气隔离信号调节系统。

此发明的另一个目的在于，提供这样的改进的电气隔离信号调节系统，其使用具有快速电容器的MEMS开关器件而实现电气隔离。

此发明的另一个目的在于，提供这样的改进的电气隔离信号调节系统，其尺寸和重量很小，在物理上不会随着所测量的电流而尺寸变大，成本较低，精确，并且可测量交流和直流电流和电压、且不需要特殊的电源。

此发明的另一个目的在于，提供这样的改进的电气隔离信号调节系统，其中，信号调节电路和MEMS开关器件可在很小的堆叠的或相邻的集成电路芯片上、或在通过不昂贵的大量(high volume)半导体工艺而制成的同一个集成电路芯片上实现，从而导致小的紧凑封装。

本发明源自如下实现：适当电气隔离信号调节系统很小、紧凑、较不昂贵，且精确，并且可通过使用MEMS开关器件而选择性地在较高电压输入和较低电压信号调节电路之间切换快速电容器来实现该电气隔离信号调节系统，其中，MEMS开关器件和信号调节电路两者在分离但相邻的集成电路芯片、或堆叠的芯片上、或在同一个芯片上。

然而，在其它实施例中，主题发明不需要实现所有这些目的，并且，其权利要求不应限于能够实现这些目的的结构或方法。

此发明的特征在于一种电气隔离信号调节系统，其包括集成电路芯片上的信号调节电路、以及快速电容器。集成电路芯片上的电气隔离MEMS开关器件选择性地将快速电容器从一种状态下的跨越一对输入端子切换到另一种状态下的跨越信号调节电路的输入端子。

在优选实施例中，该信号调节电路可包括模数转换器，其可包括差分放大器电路。该信号调节电路可包括在其输入处的保持电容器(holding capacitor)；该信号调节电路可在第一芯片上，而该MEMS开关器件可在第二MEMS芯片上。该信号调节电路和该MEMS开关器件可在同一芯片上。当该信号调节器件和该MEMS开关器件在分离的芯片上时，该MEMS开关器件可在SOI芯片上，而该信号调节器件可在CMOS芯片上。当所述两者均在同一芯片上时，该芯片可为SOI芯片。该MEMS开关器件芯片可被安装在信号调节电路芯片上。可通过引线接合、或通过块附接安装技术(bump-attach mountingtechniques)，而将它们电连接。该MEMS开关器件芯片和该信号调节电路芯片可彼此相邻，并可通过引线接合或其它手段而电连接。该快速电容器可与该MEMS开关器件安装在一起，或将其安装在该MEMS开关器件的外部。该MEMS开关器件可为测试的、加盖的MEMS器件。该保持电容器可被置于该MEMS开关器件内、或该信号调节电路内。该保持电容器可在该信号调节电路和该MEMS开关器件的外部。该保持电容器和该快速电容器可被置于该MEMS开关器件内，或者，其可在该MEMS开关器件和该信号调节电路的外部。该MEMS开关器件可包括一对悬臂梁(cantilevered beam)。

附图说明

对于本领域的技术人员，从下面对优选实施例和附图的描述中，将看到其它目的、特征和优点，在附图中：

图1为根据此发明的电气隔离信号调节电路的示意性侧视图，在该电气隔离信号调节电路中，快速电容器和保持电容器在MEMS开关器件中并且MEMS开关器件芯片堆叠在信号调节电路芯片上；

图2为与图1类似的视图，在该电气隔离信号调节电路中，快速电容器和保持电容器在MEMS开关器件和信号调节系统的外部；

图3为与图1类似的视图，在该电气隔离信号调节电路中，快速电容器在MEMS开关器件的外部而保持电容器在MEMS开关器件的内部；

图4、5和6分别为与图1、2和3类似的视图，但是，在该电气隔离信号调节电路中，通过块附接安装技术而将MEMS开关器件芯片附接到信号调节电路芯片；

图7、8和9分别为与图1、2和3类似的视图，但是，在该电气隔离信号调节电路中，MEMS开关器件和信号调节电路位于相邻芯片上；

图10、11和12分别为与图1、2和3类似的视图，但是，在该电气隔离信号调节电路中，MEMS开关器件和信号调节电路位于同一芯片上；

图13为可用于此发明的MEMS开关器件的一部分的示意性侧视图，其图解了MEMS开关器件在隔离硅(SOI)芯片上的构造；

图14为可在图13的MEMS开关器件中实现的单个开关元件的示意性侧视图；

图15为可用于此发明的悬臂式(cantilevered)MEMS开关器件的示意性平面图；以及

图16为可用于此发明的MEMS开关器件的、沿着图15的线16-16的示意性截面正视图。

具体实施方式

除了优选实施例或下面描述的实施例之外，此发明还能够有其它实施例，并以各种方式实现或进行。由此，应理解，在本申请中本发明不限于在下面的描述中阐述、或在附图中图解的构造的细节和组件的配置。如果这里仅描述了一个实施例，则在此权利要求不限于该实施例。此外，在此不应限制性地阅读权利要求，除非存在清楚且有力的证据表明特定的排除、约束、或放弃。

此发明的改进的电气隔离信号调节系统使用了制造技术的组合，以实现其优点。通过利用使用基于MEMS的工艺而制造的开关、以及例如模数转换器的信号调节电路、或使用标准集成电路技术并基于标准集成电路生产工艺制造的差分放大器，有可能构造出电气隔离差分放大器、或模数转换器系统。到这样的装置的一条途径在于，在同一硅片上制造基于MEMS的开关、以及差分放大器或模数转换器，从而产生总体集成的解决方案。这需要：标准集成电路制造工艺具有合并基于MEMS的处理模块以添加MEMS开关的能力。可在低成本密封包装(hermetic package)中封装这样的装置，以保护MEMS开关。

可替换地，有可能使用独立且不同的工艺在独立的硅片上制造MEMS开关、以及差分放大器或模数转换器，并且在最终制造期间将其集合，以向用户提供集成的解决方案，例如，用于MEMS的SOI、用于信号调节电路的CMOS。可替换地，可在塑料封装中覆盖(cap)并封装MEMS。通过仅使用先前已被电测试为具有100％操作合格率、并被覆盖的MEMS开关，通过将这些覆盖的MEMS开关安装在包含诸如差分放大器和/或模数转换器的专用信号调节电路的集成电路的相邻处或顶部，有可能构造尺寸较小、具有较低的制造成本、且提供比竞争的非基于sigma-delta的产品(例如，基于机械继电器和变流器的那些产品)更多的可靠性的电气隔离信号调节系统。与基于sigma-delta的解决方案相比，此解决方案避免了对隔离电源的需要，消耗相当小的功率，避免了高频时钟和数据信号，并消除了前端偏移和增益漂移问题。

在前端快速电容器结构中使用的所述两个电容器均可为在完成的封装的内部或外部安装的分立元件，或者，可在MEMS结构内、或在标准集成电路结构内集成它们。

图1中示出了电气隔离信号调节系统10，其包括信号调节电路12和MEMS开关器件14。信号调节电路12可包括差分电路和/或A/D转换器，并可通过CMOS工艺而在硅芯片16上制造。MEMS开关器件14被堆叠在芯片16上，并在隔离硅芯片(SOI)23上形成，并通过粘合或易熔性模片连接(die attachment)20而与硅芯片16接合。典型地，在将MEMS器件14安装在包含信号调节电路12的芯片16上之前，对MEMS器件14进行测试并，例如，利用盖(cap)21进行覆盖。可如虚线22所示而实现组合封装的完整封闭。

在操作中，附接到要被监视的一些设备26的传感器24在端子28上提供电压V_in(+)，并在端子30上提供电压V_in(-)。例如，这些电压可包含二或三百伏或更高的高共模电压、以及包含要感测的信息的几微伏或甚至几伏的代表性的差分电压。将这两个输入电压信号V_in(+)和V_in(-)施加到MEMS开关器件14的输入端子32、34。在一个状态下，MEMS开关器件14选择性地通过触点38和40而将快速电容器36连接到端子32和34，并且，在第二状态下，通过触点44和46而将保持电容器42连接到端子48和50。保持电容器42可以、并且典型地与信号调节电路12的输入电路相关联，或者，如在下文中的图5中的虚构的保持电容器42d所示出的，保持电容器42被包括在信号调节电路12的输入电路中。快速电容器36到触点38和40、或到触点44和46的独立选择性连接产生共模电压的消除、以及仅将要感测的差分输入电压施加到保持电容器42。跨越保持电容器42的电压出现在端子48和50上，并且，经由引线接合(wire bond)52和54将该电压传递到信号调节电路12的端子56和58。在例如对差分放大器电路或A/D转换器进行调节之后，在端子60上出现输出。在此实施例中，传感器24的端子25和27也通过线路63而65连接到端子28和30。

除了快速电容器36a和保持电容器42a被安装在MEMS开关器件14a、以及芯片16上的信号调节电路12的外部之外，图2的系统10a等同于图1的系统10。尽管在信号调节电路12a和MEMS开关器件14a两者的外部，但快速电容器36a和保持电容器42a可仍在如在22a处指示的总体封装内，或者，如果如22′a处指示的，封装被缩小，它们可在整个封装的外部。

除了快速电容器36b在外部而保持电容器42b在内部之外，图3的电气隔离信号调节系统10b类似于系统10和10a。

除了MEMS开关器件14c通过块附接安装而附接到集成电路芯片16c上的信号调节电路12c之外，图4的电气隔离信号调节系统10c类似于图1中示出的电气隔离信号调节系统，在图4中，诸如70、72、74和76的块附接安装块在MEMS开关器件14c和信号调节电路12c、芯片16c之间产生机械和电互连。

图5的系统10d与图4中的系统10c的不同之处在于以下事实：快速电容器36d和保持电容器42d均在MEMS开关器件14d和信号调节电路12d、芯片16d的外部，而图6的电气隔离信号调节系统10e的不同之处在于，快速电容器36e在MEMS开关器件14e的外部，同时由MEMS开关器件14e承载保持电容器42e。

类似于先前的实施例的图7的电气隔离信号调节系统10f示出了分别安装在CMOS芯片16f和SOI芯片23f上的信号调节12f和MEMS开关器件14f。这里，然而，与先前堆叠的阵列相反，芯片16f和23f彼此相邻，并通过引线接合52f和54f互连。

除了现在在MEMS开关器件14g的外部承载快速电容器36g和保持电容器42g二者之外，图8的电气隔离信号调节系统10g类似于图7中示出的电气隔离信号调节系统。图9的电气隔离信号调节系统10h也具有相似性，其中，仍在MEMS开关器件14h的外部承载快速电容器36h、但现在在内部承载保持电容器42h。

尽管迄今已通过利用不同工艺制造的在独立(尽管紧密接近)的芯片上的信号调节电路和MEMS开关器件而说明了电气隔离信号调节系统的小而紧凑的封装，但这不是本发明的必要限制。例如，如通过参照图10的电气隔离信号调节系统10i而示出的，信号调节电路12i和MEMS开关器件14i两者均可在例如隔离硅(SOI)工艺的单个芯片80上被构造。由于MEMS开关器件占用更多芯片面积，所以，这相应地变得甚至更具吸引力和更经济。该构造可与先前的相同，其中，快速电容器36i和保持电容器42i两者均与MEMS开关器件14i一起放置，或者，如图11的电气隔离信号调节系统10j所示的那样，快速电容器36j和保持电容器42j两者均被放置在MEMS开关器件14j、以及信号调节电路12j的外部。可替换地，如图12的电气隔离信号调节系统10k所示的那样，快速电容器36k可在外部与芯片80k上的MEMS开关器件14k以及信号调节电路16k相关联，而保持电容器42k可在内部与芯片80k上的MEMS开关器件14k以及信号调节电路16k相关联。

如图13所示，使用SOI或隔离硅工艺而构造用于此发明的典型的MEMS器件，其中，由于硅晶片90包含由掩埋氧化层(buried oxidelayer)96限定的隔离袋(isolated pocket)或井92、94，其中，典型地，掩埋氧化层96具有通过一个或多个蚀刻和填充的沟98、100而联结的1-5微米的氧化物，典型地，所述沟98、100由宽度约为2微米的氮氧化合物组成。如图14所示，利用这些元件的简单的开关器件将具有与一个袋92连接的触点102、以及与袋94连接的第二触点104。袋92和94分别具有在其表面铺设的金属化图案(metalizationpattern)96和98。触点102和104经由导电材料108而电连接在一起，其中，触点102和104均由导电材料108制成。触点108附接到可由与触点108的材料不同的材料制成的致动器梁(actuator beam)106。

此致动器梁具有在110处示出的铰链(hinge)或枢轴(pivot axis)、以及相对的轴心点(pivot point)112和114，致动器梁在物理上围绕着轴心点112和114转动或旋转。当将适用的致动信号施加到梁106时，该梁围绕110而逆时针转动，并同时使触点102和104与相应的袋92和94中的其相应的金属化图案96和98接触。由此，金属化图案96电连接到金属化图案98。当将其它适用的致动信号施加到梁106时，该梁围绕轴110而顺时针转动，将触点102和104移动远离袋92和94，由此，断开金属化图案96和98之间的电连接。这是单个MEMS开关的接通(make)和断开动作。图15的MEMS开关器件14l包含4个这样的开关。图15中示出了图1至12的器件的这样的实现的示意性平面图，其中，将MEMS开关器件14l示出为包含可围绕全部分别安装到固定支撑128、130和132、134的铰链124和126而摆动的一对MEMS悬臂梁120和122，其中，通过致动衬块(actuating pad)136和138的选择性操作，MEMS开关器件14l在本质上作为双掷开关而操作。

在操作中，当给致动衬块136加电时，梁120和122的末端140和142下降，以闭合381和401处的触点，由此，跨越输入端子321和341而连接快速电容器361。此时，悬臂梁120和122的另外的末端144和146未闭合触点441和461。当将现有的致动衬块136断电或去激活、并且给下一个致动衬块138加电时，末端140和142上升，从而断开381和401处的触点。此时，梁末端144和146下降，以闭合触点441和461，由此，将快速电容器361连接到端子481和501。在图16中更清楚地示出了梁120的悬臂性质，其中，可以看到桥接触点381和441的开关触点金属化物(metalization)150、152。

使用MEMS开关器件的重要优点为：与固态开关的导通阻抗相比，MEMS开关的导通阻抗的可调节性。导通阻抗是当电子开关处于“通”状态时的电子开关的电阻(以欧姆为单位)。其为能量损失(在开关中耗散的功率/热量)的原因，并且，在快速电容器架构中，其为将电容器36充电到输入电压中的延迟的原因。通过采样电容器的电容(C)(对于快速电容器电路来说，其必须很大)、以及开关的阻抗(R)的积(即，所谓的RC时间常量)，而控制此延迟。对电容器充电所需的时间将限制开关电路(即，其不能在电容器已有完全充电/放电的时间之前进行开关)的速度。开关速度将确定可测量何种频率的输入信号，即，如果可越快地对电路进行开关，则可测量的输入信号的频率便越高。假设电容充分大，那么，期望使开关导通阻抗最小，以允许测量最高可能频率的信号。

在机械开关中，等价于固态开关的导通阻抗的电接触阻抗(Rc)是接触金属化物的电阻率(p)、金属化物硬度(H)、以及一起推压接触表面的力(F)的函数，其数学项为：

Rc = \sqrt[ρ]{πH / 4 F}

注意，在此方程中没有开关的尺寸(dimension)，因此，不需要增大开关的尺寸来减小导通电阻。金属化物性质和接触力是确定因子。

对于固态开关来说，导通阻抗是开关的尺寸的函数，具体地，对于任意给定的固态技术，FET开关导通阻抗与开关的宽度成反比。为使开关具有较低的导通阻抗，有必要增大开关大小。

在控制MEMS开关和固态开关的导通阻抗的方式中的此基本差异呈现出：在比具有同等的阻抗的固态开关小的面积中创建具有MEMS结构的低导通阻抗开关的可能性。

在快速电容器电路中使用的此发明的MEMS开关所提供的另一个重要的好处在于，其在本质上是“故障安全(failsafe)”的。在快速电容器电路的标准固态实现中，通过闭合利用第一信号来控制的第一对FET开关，将两个输入V_in(+)和V_in(-)上的电压(其为信号电压加上不想要的共模电压)切换到快速电容器的两个偏板(plate)。将快速电容器充电到差分输入信号电压的值(排除了共模电压)，然后，通过第二信号，断开第一对开关，而闭合第二对开关。这将所需的差分信号电压传送到输出。

伴随此的潜在问题在于，在FET开关泄漏(leakage)、或控制信号故障的情况下，有可能存在通过FET开关而从输入到输出的直接路径。这导致隔离的丢失、在输出处出现不正确的电压、以及对连接到输出的电路的潜在破坏。

取代固态开关的、图15中示出的类型的两个MEMS开关的使用意味着：不会出现此类故障。MEMS开关的使用确保了：在控制逻辑上存在错误条件的情况下，在输入和输出端子之间存在机械隔离。

开关端子在悬臂上的事实意味着：在任一时刻仅开关的一侧能进行物理和电接触。即使在控制信号故障的情况下，开关也不能同时将快速电容器物理(或电)连接到输入和输出。这是这样的保证，即：即使在控制电子装置故障的情况下，也维持了电气隔离。对于固态电路实现来说，针对电故障的这种“故障安全”是不可能的。

尽管在一些图中示出、而未在其它图中示出本发明的特定特征，但由于每个特征可能与根据本发明的其它特征中的任一个或全部组合，这么做仅仅是为了方便。在这里使用的词语“包括”、“包含”、“具有”、以及“伴随”应被广义且综合地解释，且不应被限制为任何物理互连。此外，在主题申请中公开的任何实施例不应被视为仅有的可能的实施例。

另外，在针对此专利的专利申请的进行期间提出的任何修改不是对所提交的申请中提出的任何权利要求元素的放弃：本领域的技术人员没有理由期望撰写出能够在文字上涵盖所有可能的等价物的权利要求，很多等价物在修改时将是不可预料的，并且，超出了对将要放弃的内容(如果有的话)的公平解释，修改所基于的基本原理不会承载比与很多等价物的有形关系更多的内容，并且/或者，存在申请人不能预计的、描述对所修改的任何权利要求元素的特定的非实质的替换的很多其它原因。

本领域的技术人员将会想到其它实施例，并且所述其它实施例也在所附权利要求的范围内。

Claims

1、一种电气隔离信号调节系统，包括：

集成电路芯片上的信号调节电路；

快速电容器；以及

集成电路芯片上的电气隔离MEMS开关器件，用于选择性地将所述快速电容器从在一种状态下跨越一对输入端子切换到在另一种状态下跨越所述信号调节电路的输入端子。

2、如权利要求1所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述信号调节电路包括模数转换器。

3、如权利要求1所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述信号调节电路包括差分放大器电路。

4、如权利要求1所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述信号调节电路包括在其输入处的保持电容器。

5、如权利要求1所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述信号调节电路在第一芯片上，而所述MEMS开关器件在第二MEMS芯片上。

6、如权利要求1所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述信号调节电路和所述MEMS开关器件在同一芯片上。

7、如权利要求5所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述第一芯片是CMOS芯片，而所述第二芯片是SOI芯片。

8、如权利要求6所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述第一芯片是SOI芯片。

9、如权利要求5所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述第二芯片被安装在所述第一芯片上。

10、如权利要求9所述的电气隔离信号调节系统，其中，通过引线接合而将所述第二芯片电连接到所述第一芯片。

11、如权利要求9所述的电气隔离信号调节系统，其中，通过块附接安装而将所述第二芯片电连接到所述第一芯片。

12、如权利要求5所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述第二芯片被置于与所述第一芯片相邻，且通过引线接合将所述第二芯片电连接到所述第一芯片。

13、如权利要求1所述的电气隔离信号调节系统，其中，将所述快速电容器与所述MEMS开关器件安装在一起。

14、如权利要求1所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述快速电容器被安装在所述MEMS开关器件的外部。

15、如权利要求1所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述MEMS开关器件为覆盖、测试后的MEMS器件。

16、如权利要求4所述的电气隔离信号调节系统，其中，将所述保持电容器与所述MEMS开关器件放置在一起。

17、如权利要求4所述的电气隔离信号调节系统，其中，将所述保持电容器与所述信号调节电路放置在一起。

18、如权利要求4所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述保持电容器被置于所述信号调节电路和MEMS开关器件的外部。

19、如权利要求4所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述保持电容器和所述快速电容器被置于该MEMS开关器件中。

20、如权利要求4所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述保持电容器和所述快速电容器在所述MEMS开关器件和所述信号调节电路的外部。

21、如权利要求1所述的电气隔离信号调节系统，其中，所述MEMS开关器件包括一对悬臂梁。