CN101095230A - 用于集成电路器件的碳纳米管基传导连接 - Google Patents

用于集成电路器件的碳纳米管基传导连接 Download PDF

Info

Publication number
CN101095230A
CN101095230A CNA2005800458466A CN200580045846A CN101095230A CN 101095230 A CN101095230 A CN 101095230A CN A2005800458466 A CNA2005800458466 A CN A2005800458466A CN 200580045846 A CN200580045846 A CN 200580045846A CN 101095230 A CN101095230 A CN 101095230A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tube
carbon nano
metal
integrated circuit
carbon nanotube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800458466A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101095230B (zh
Inventor
克里斯·怀兰德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of CN101095230A publication Critical patent/CN101095230A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101095230B publication Critical patent/CN101095230B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49877—Carbon, e.g. fullerenes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/45193—Material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/451 - H01L2224/45191, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49162—Manufacturing circuit on or in base by using wire as conductive path

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

采用碳纳米管有利于集成电路布置中的电连接。根据各种示例实施例，将碳纳米管材料(120、135)与诸如金属之类的另一种材料(130、125)相关联。所述碳纳米管材料有利于不同电路部件之间的电连接。示例包括接合线、引线框和电路板互连。

Description

用于集成电路器件的碳纳米管基传导连接
技术领域
本发明涉及集成电路器件和方法，更具体地，涉及采用纳米管材料的集成电路连接器。
背景技术
半导体工业中的技术进步已经允许电路密度、复杂度和功能性的显著增长。为满足这种高密度和高功能性的需要，在芯片外部以及在容纳芯片并且用于将封装后的器件与外部系统(如印刷电路板)相连的半导体封装的外部，在电路芯片内部实现增加的数目的外部电连接。由于这些和其他变化的应用，使用许多不同类型的电连接器。
将一些连接器内部地实现(例如，在芯片或封装衬底内部)，用于将不同的电路部件和/或将电路部件与诸如焊盘之类的外部连接相连。例如，将互连或迹线(trace)用于连接半导体器件中的特定层面上的电路部件。将通路(vias)用于连接器件中的不同层面，并且用于形成与外部连接器(例如，焊球焊盘)的连接。
外部实现的连接器电连接不同的电路部件，例如接合的芯片、倒装芯片、封装衬底、球栅阵列(BGA)衬底和针栅阵列(PGA)衬底。这些电连接促进了针对多种目的的电路部件之间的信号传送。
每一个这些应用中的每一个受益于不同的电路连接特征特性，例如强度、电传导性导电性(以及电阻率)、尺寸、硬度和热传导性导热性。诸如成本、可制造性和可靠性之类的其他因素对于这些应用也是重要的。然而，在满足这些其他特征性的同时，实现所需电路连接器特征性已经是具有挑战性的。此外，满足特定所述特性征的连接器材料和方法通常牺牲了其他特征性。而且，半导体工业中的上述进展常常要求比已经提出的前一个之前方法更高的性能。
这些和其他困难呈现出挑战性，以对实现用于多种应用的电路衬底提出挑战。
发明内容
本发明的不同方面包括与集成电路和其他器件的电路连接器和方法。本发明以许多实现和应用作为例子，并且其中的一些总结如下。
根据示例实施例，集成电路布置包括碳纳米管基复合导体，所述复合导体电连接集成电路中和/或集成电路器件之间的电学部件。
在另一个示例实施例中，集成电路布置包括与封装相连的集成电路管芯。碳纳米管基复合导体电连接集成电路管芯-封装布置的电学部件。复合导体包括按照诸如包敷的碳纳米管或包敷的多个纳米管、纳米管包敷另一种材料、或基体类型材料中的碳纳米管材料的混合物之类的多种布置的一个或更多个，与另一种材料一起的碳纳米管。
在本发明的另一个示例实施例中，集成电路布置包括在其中具有碳纳米管基复合互连的集成电路衬底。所述互连经由与非碳纳米管材料相关联的碳纳米管材料电连接集成电路布置的电学部件。例如，所述碳纳米材料可以包括碳纳米管和/或碳纳米管片(pieces)或与支撑所述碳纳米管的化合物混合的粉尘。
另一个示例实施例涉及一种集成电路接合线(bondwire)连接器布置，用于连接集成电路部件。接合线连接器布置包括接合线，所述接合线包括沿接合线的长度延伸的金属和碳纳米管基材料的组合。将碳纳米管基材料被配置成用于在集成电路部件之间导电，如在集成电路管芯和衬底或其他外部部件之间导电。
根据本发明的另一个示例实施例来制造接合线布置。设置具有长度的金属核心材料(例如，制造和/或另外给出用于处理)。将碳纳米管沿金属核心材料的长度连接到金属材料上。因此，促进了沿接合线的电传导，例如在接合线的外部部分处的碳纳米管中。
在另一个示例实施例中，通过首先提供(例如制造、生长或另外给出用于处理)具有长度的碳纳米管核心材料来制造接合线布置。沿碳纳米管核心材料的长度，将金属连接到碳纳米核心上。因此，沿接合线促进了电传导，例如在碳纳米管核心中，利用外部金属增强了接合线的强度。
在本发明的另一个示例实施例中，集成电路引线框布置包括碳纳米管复合材料。所述布置包括引线框，具有金属和碳纳米管材料的组合，并且被配置成用于将外部电路部件或多个电路部件与集成电路管芯电连接。
根据本发明的另一个示例实施例制造碳纳米管基互连。在衬底中刻蚀沟槽，并且将一部分沟槽用金属材料填充。碳纳米管与金属材料的表面相连。在一些应用中，在生长金属之后，碳纳米管与金属材料的上表面相连(或从金属材料的上表面生长)。在其他应用中，在已生长的碳纳米管材料上方和/或上面的沟槽中形成附加的金属材料。仍然在其他应用中，首先将碳纳米管材料沉积在沟槽中，并且将金属材料填充到碳纳米管材料上方和/或上面的沟槽中。在碳纳米管材料上方和/或上面填充的金属上方和/或上面的沟槽中可选地形成附加的碳纳米管。
本发明的以上总结并非意欲描述本发明的每一个举例说明的实施例或每一个实现。以下的附图和详细描述更具体地解释这些实施例。
附图说明
考虑结合附图对本发明的不同实施例的以下详细描述，可以更全面地理解本发明，其中：
图1A示出了根据本发明示例实施例的、具有包敷有导电金属的碳纳米管材料核心的电连接器的剖面图；
图1B示出了根据本发明另一个示例实施例的、具有包敷有碳纳米管材料的导电金属核心的电连接器的剖面图；
图2示出了根据本发明另一个示例实施例的、具有碳纳米管基引线框的集成电路布置；
图3A示出了根据本发明另一个示例实施例的、具有核心金属层的复合纳米管迹线的剖面图；
图3B示出了根据本发明另一个示例实施例的、具有核心碳纳米管层的复合纳米管迹线的剖面图；
图3C示出了根据本发明另一个示例实施例的、具有碳纳米管-金属复合混合物的复合纳米管迹线的剖面图；
图4A示出了根据本发明的另一个示例实施例的、采用含碳纳米管迹线的电路衬底器件的剖面图；以及
图4B-4E示出了根据本发明的另一个示例实施例的、在制造的不同阶段的电路衬底器件(如图4A所示的器件)的剖面图。
具体实施方式
尽管本发明可适用于不同的修改和替代形式，在图中通过示例方式已经示出了其特定形式，并且将详细地描述。然而，应该理解的是，本发明不局限于所述具体的实施例。相反，本发明意欲覆盖落在如所附权利要求所限定的本发明范围之内的全部修改、等价物和替代物。
相信本发明可以应用于多种电路和方法，并且具体地可以应用于包括为形成电路封装中不同部件之间的连接而实现的电导体的集成电路类型方法。尽管本发明没有必要局限于这些应用，通过这种情况下示例的讨论，可以最佳地获得本发明的不同方面的评价。
根据本发明的示例实施例，集成电路连接器包括碳纳米管-金属组合。所示连接器包括按照导电布置的与金属在一起的碳纳米管，并且促进了不同电路(例如，集成电路和与其相连的封装或电路板上的电路部件)的电连接。碳纳米管促进了不同电路部件之间的电连接，如管芯和封装衬底之间。而且，碳纳米管增强了连接器的特征，如强度、传导性、热传送和连接器理想拥有的其他特性。
在本发明的另一个示例实施例中，将纳米管-金属复合接合线用于将芯片与封装衬底电连接。依赖于实现，按照不同布置，采用多个碳纳米管和导电金属来实现纳米管-金属复合接合线。在一个示例中，将碳纳米管形成为接合线的核心，用金属大体上包敷在碳纳米管核心的周围。在另一个实施例中，将碳纳米管包敷在金属核心周围。仍然在另一个实例中，将碳纳米管与金属混合以形成复合接合线。
根据本发明的另一个示例实施例，引线框结构包括围绕金属核心的外部碳纳米管基区。集成电路管芯与封装衬底相连，并且引线框促进了集成电路管芯与其他电路部件的电连接。将管芯、封装衬底和引线框的至少一部分用模塑类型材料(mold type material)包封起来。
在本发明的另一个示例实施例中，将纳米管连接器类型材料被配置成用于可以与外部电路相连的芯片内连接器。例如，可以用互连或迹线类型的连接器实现芯片内连接器，例如，可以应用于芯片表面附近的区域。将连接器类型的材料按照多种布置来实现，例如包括金属包围的碳纳米管核心、碳纳米管材料包围的金属核心、或碳纳米管材料和诸如金属或半导体材料之类的其他材料的混合物。
图1A示出了根据本发明示例实施例的、碳纳米管增强电连接器100的剖面图。连接器100包括碳纳米管120，由导电金属区130包围、并且延伸选定成满足具体应用的长度(用“L”表示并且截断示出)。碳纳米管120包括一个或更多碳纳米管，被配置成用于沿连接器100的长度进行传导。在不同的布置中形成核心120中的一个或多个纳米管以满足具体应用的需要。例如，可以用核心120实现促进导电性的碳纳米管的成束的链、纳米管矩阵或其他布置。
依赖于应用和可用的材料，用不同类型的金属实现周围的金属区130，如金、铝、铜或其合金。在一个应用中，将金属镀敷和/或溅射到已有的单根碳纳米管、纳米管串(nanotube rope)、或纳米管束上。大体上，金属区130延伸连接器100的长度，并且相应地，沿其整个长度包围碳纳米管核心120。
在一个实现中，将连接器100用于引线接合(接合线)应用中。例如，引线结合提供集成电路管芯或芯片与封装衬底的连接器(例如，导线)的电连接。连接器100的一端与集成电路相连(接合)，而所述连接器的另一端与封装衬底的连接器接合。由金属材料130包围的碳纳米管核心120的这种布置促进了相对较高电流的接合线应用。另外，在维持典型地与较大的(非碳纳米管)引线相关联的诸如强度和传导性之类的所需特性的同时，碳纳米管核心120促进了(如图1A所示横跨连接器100的剖面)相对较小直径的实现。
图1B示出了根据本发明另一个示例实施例的碳纳米管增强电连接器105的剖面图。连接器105具有包敷有碳纳米管材料135的导电金属核心125。如图1A所示的连接器100一样，连接器105延伸选定成满足具体应用的长度(由“L”表示并且截断示出)。
依赖于应用和可用材料，金属核心125包括一个或更多类型的金属，如金、铝、铜或其合金。在一些应用中，金属核心125是传统的接合线。在其他实现中，金属核心125是适用于与被包敷的碳纳米管材料130相关联的传统接合线的变体。仍然在其他应用中，金属核心125包括混合有金属的碳纳米管。
周围的碳纳米管135通常延伸连接器105的长度“L”，并且被配置成用于沿所述长度进行传导。按照不同布置形成周围的碳纳米管材料135中的碳纳米管，以满足具体应用的需要。例如，对于周围的碳纳米管材料135，可以实现碳纳米管成束的链、纳米管阵列或促进电传导的其他布置。
依赖于应用，碳纳米管材料135按照多种方式的一种或更多与金属核心125相关联。在一个实现中，使用传统和/或静电涂抹(electrostatic paint)工艺，将碳纳米管涂抹到金属核心125的外侧上。另一个实现包括涂刷(squeegee)步骤，其中，例如通过使用软涂刷器的擦拭动作强迫材料通过筛子的开口区域，将碳纳米管转移到(按照图案)互连上。在另一个实现中，通过加热使金属核心125软化，并且通过与已软化的金属核心接触将所述碳纳米管材料135与其相连。随着金属核心冷却，所述碳纳米管材料135与其相连。
图2示出了根据本发明另一个示例实施例的、具有碳纳米管基引线框的集成电路布置200。所述布置200包括与封装衬底220相连的集成电路管芯210。将引线框示出为剖面图，具有分别与集成电路管芯210相连的部分240和250。
包封材料230(即，模塑材料)将集成电路管芯210、封装衬底220和与集成电路管芯相连的引线框的一部分密封起来。所示布置和包封材料230的布置和几何形状是示范性的，为不同目的可以实现不同形状、布置、厚度和其他特性的包封材料230。
引线框包括包敷在金属类型核心周围的碳纳米管。参考引线框部分240，金属类型核心242由碳纳米管包敷层244包围，其中金属类型核心经由导电连接器212与集成电路管芯210相连。类似地，引线框部分240包括由碳纳米管材料254包围的金属类型核心252，其中金属类型核心经由导电连接器214与集成电路管芯210相连。
碳纳米管材料244和254按照多种方式与金属类型材料242和252相关联。例如，在一些应用中使用传统的和/或静电涂抹方法，用于将碳纳米管材料244和254包敷到金属类型材料242和252上。此外，在其他应用中使用与结合图1B如上讨论类似的软金属接合方法。
在一些实施例中，使用混合方法将碳纳米管材料与金属类型材料相关联。在一个应用中，将碳纳米管嵌入到金属类型核心242和252中。在其他应用中，碳纳米管材料244和254包括具有例如嵌入到金属中的碳纳米管的碳纳米管-金属组合。仍然在其他引用中，引线框部分240和250每一个均是连续的片，具有分别具有嵌入其中的碳纳米管的其外部部分，分别是部分244和254。
在其他实施例中，从金属类型核心242和252生长碳纳米管。在许多应用中，所述生长通常包括经含碳气体引入到金属类型核心242和252，其中来自气体的碳在核心上形成纳米管。在一些示例中，碳纳米管生长包括在金属类型核心242和252上使用催化剂类型材料。
在另一个实施例中，在碳纳米管材料244和254的外表面(其上和/或附近)处形成包敷层。在一个实现中，在碳纳米管材料244和254的表面上形成焊料类型金属单层或多层。可以在碳纳米管材料244和254上直接形成诸如镍和锡之类的焊接金属层。
如同上述讨论一样，集成电路布置200可应用于许多不同的电路。在一个实施例中，集成电路布置200适用于诸如RF微波应用之类的高频应用中。将碳纳米管材料244和254设置在如图2所示的引线框外围上，使得电流穿过外围区(例如，相对于金属类型核心242和252)。在另一个实施例中，使用由碳纳米管材料加固的小引线框(相对于金属引线框)，在受益于高强度引线框部件的应用中实现电路布置200。
图3A示出了根据本发明另一个示例实施例的、具有碳纳米管外部部分的复合碳纳米管基连接器310的剖面图。连接器310，以及结合图3B和图3C在下文讨论的那些，可应用于BGA、PCB、或其他衬底互连应用中的一个或更多个。纳米管基连接器300包括在连接器的外部部分上具有碳纳米管材料310和314的核心金属层312。在一个应用中，将碳纳米管材料层叠到所述核心金属层312的一侧或表面上。在其他应用中(例如图3A通过示例的方式所示)，通常将碳纳米管材料设置在所述金属核心312的所有侧面上。
图3B示出了根据本发明另一个示例实施例的、与图3A所示的连接器300类似并具有碳纳米管核心的复合碳纳米管基连接器的剖面图。在该实施例中，核心碳纳米管层332在其一个或更多外部部分上具有金属层。图3B中的金属层的具体布置示出了在碳纳米管层332的基本部分上方和下方的部分330和334。在图3A和图3B中，示出了三个层，包括中间层(312、334)及顶部(310、330)和底部(314、334)层。然而，在不同的实现中，省略掉所示顶部层或底部层之一。
图3C示出了根据本发明另一个示例实施例的、与图3A和图3B所示连接器类似并且具有碳纳米管混合物的复合纳米管基连接器340的剖面图。所示连接器340包括诸如金属、环氧树脂、树脂或半导体材料之类的另一种材料350中的碳纳米管的混合物，其中示出了代表性的纳米管352。依赖于应用，将碳纳米管、碳纳米管粉尘和/或碳纳米管的组合用于连接器340。碳纳米管与其他材料的混合物沿连接器340导电，并且导电连接器与其相连(例如，用于与外部电路电连接)。
在结合图3A至图3C讨论的以上实施例的每一个中，可以将碳纳米管与各种材料混合和/或关联。在包括导电金属的应用中，可以将碳纳米管与作为核心层、外部层和/或与碳纳米管的混合物的铜、铝或金相关联。在其他应用中，碳纳米管与诸如陶瓷或有机衬底材料(例如，树脂或环氧树脂，例如BT(双马来酰亚胺三嗪)和/或FR4)的衬底材料混合、或在所示衬底材料中实现。
使用多种方法的一个或多个来制造所述连接器300、320和340。在一个实现中，将金属(例如铜)互连与碳纳米管相连，其中，首先形成金属层，并且使用诸如涂抹、涂刷方法或上述其他方法使纳米管随后与其相连。在一些应用中，将碳纳米管与金属混合，并且涂抹到连接器的金属层上。在另一个实现中，首先形成碳纳米管层，并且使用诸如溅射之类的工艺，使金属随后与其相连。
在需要多于一个外部层的情况下(如图3A和图3B所示)，随后实现第三层。在所述碳纳米管与图3B一样处于互连的核心处的情况下，将金属层的第一部分形成为约一半厚度，将碳纳米管与其相连，并且将另一个金属层连接在与第一半层相对的碳纳米管的一侧上。在金属层与图3A一样处于互连的核心处的情况下，将所述金属层形成为完整的所需厚度，其中纳米管在所述金属层的相对一侧上与其相连。替代地，首先形成纳米管层，其中在其上形成金属层并且在所述金属层的顶部上形成另外的碳纳米管层(如果需要)。例如，可以在集成电路管芯的表面层上或其中形成这些层。
图4A示出了根据本发明的另一个示例实施例的、采用含碳纳米管互连的电路衬底器件400的剖面图。电路衬底器件400包括多个连接器，在衬底类型材料410中包括互连420、430、440和450。互连420和430通过通路425彼此相连，并且互连440和450经由通路445彼此相连。衬底类型材料410包括多种材料的一种或更多，例如环氧树脂、树脂、陶瓷、半导体材料和其他。
使用结合图3A至图3C所讨论方法形成互连420、430、440和450，其中在构建衬底类型材料410时形成每一个互连。图4B-4E示出了用于制造电路衬底器件400的一个示例。在这一点上，为简明并且通过示例的方式，结合图4A使用的参考数字结合图4B至图4E使用。
从图4B开始，在衬底410中形成沟槽415，并且所述沟槽415具有长度(L)、深度(D)和宽度(即，相对于剖面图进入页面)，选定L、D和宽度以适合器件400应用的具体应用。在图4C中，已经用下部层452填充沟槽451。在碳纳米管处于在沟槽451中形成的互连的外部部分的情况下，第一层452是碳纳米管层。在碳纳米管处于在沟槽451中形成的互连的核心的情况下，第一层425是金属。
在形成第一层452之后，如图4D所示形成第二层453，并且上述第二层453具有相对于上述第一层方法的组成。具体地，当在沟槽451中形成的互连在其外部部分上具有碳纳米管时，第一层452是碳纳米管层以及第二层453是金属层。相反，当第一层452是金属层时，其中上述互连形成为具有碳纳米管核心，第二层453是用于核心的碳纳米管层。
在形成第一层452和第二层453之后，如图4E所示在第二层上形成第三层454。第一层452、第二层453、和第三层454一起实现了互连，例如如图4A所示的互连450。在形成第三层之后，可以在由虚线所示的互连上形成附加的衬底材料411，并且可以按照类似方式使用附加的衬底材料中的沟槽形成另外的互连。
在大多数实现中，第三层454的组成匹配第一层452的组成。例如，在沟槽451中形成的互连具有金属核心的情况下，第一层452和第三层454是碳纳米管层，而第二层453是金属核心。在沟槽452中形成的互连具有碳纳米管核心的情况下，第一层452和第三层454是金属层，而第二层453是碳纳米管核心。
在一些实现中，第三层454是具有不必匹配第一层452的组成的材料。例如，第三层454可以包括碳纳米管混合物，第二核心层453可以是金属或碳纳米管基。例如，碳纳米管混合物可以包括碳纳米管-金属混合物或碳纳米管和半导体或非导体材料的混合物。作为另一个示例，第三层454可以是绝缘层。例如，这种绝缘层方法可以应用于其中需要与在互连上形成的附加电路电绝缘的情况下。
上述和图示的各种实施例仅提供作为示例，并且不应该将其解释为限制本发明。基于以上讨论和说明，本领域的普通技术人员应该易于认识到，在没有严格地遵循这里举例说明和描述的典型实施例和应用的情况下，可以作不同的修改和变化。例如，可以用与碳不同或除了碳之外的材料实现碳纳米管，如硼。碳纳米管在不同实现中包括多种纳米管的一种或更多，如单壁碳纳米管(SWNTs)、多壁碳纳米管(MWNTs)、碳纳米管矩阵、碳纳米管串和碳纳米管粉尘(即，精细研磨的碳纳米管)。此外，通过示例方式讨论的导电类型材料可以用多种不同类型的材料实现，单独使用和/或彼此接合使用、或与上述材料接合使用。这些修改和变化没有脱离本发明的真实精神和范围。

Claims (36)

1.一种集成电路布置(200、400)，包括：
集成电路管芯(210、410)；以及
碳纳米管基复合导体(100、105、240、250、300、320、340、420)，被配置和设置成用于电连接集成电路布置的电学部件。
2.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体包括以下至少一种：单壁碳纳米管；多壁碳纳米管；碳纳米管矩阵；碳纳米管粉尘；以及碳纳米管复合混合物。
3.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体包括：非碳纳米管材料；以及与所述非碳纳米管材料相关联的碳纳米管材料，并且被配置成用于在所述集成电路管芯和外部电路中导电。
4.根据权利要求3所述的布置，其中，所述非碳纳米管材料是金属。
5.根据权利要求3所述的布置，其中，所述非碳纳米管材料是陶瓷。
6.根据权利要求3所述的布置，其中，所述非碳纳米管材料是有机材料，被配置成保持所述碳纳米管材料。
7.根据权利要求3所述的布置，其中，所述碳纳米管材料是通过按照与非碳纳米管材料的物理交互布置的结构与所述非碳纳米管材料相关联的碳纳米管材料。
8.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体被配置和设置成用于将所述集成电路管芯与外部电路相连。
9.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体被配置和设置成使得由所述导体通过的电流的主要部分是经由导体中的碳纳米管通过的。
10.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体包括在金属核心外部表面上具有碳纳米管材料的金属核心。
11.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体包括在碳纳米管核心外部表面上具有金属材料的碳纳米管核心。
12.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体按照接合线类型的连接方法将所述集成电路管芯与外部电路相连。
13.一种集成电路布置(400)，包括：
集成电路衬底(410)；以及
所述衬底中的碳纳米管基复合互连(420)，被配置和设置成用于电连接所述集成电路布置的电学部件，所述互连包括与非碳纳米管材料相关联的多个碳纳米管。
14.根据权利要求13所述的集成电路布置，其中，所述集成电路衬底是球栅阵列衬底，以及所述互连被配置成用于电连接所述球栅阵列衬底的不同部分中的电路。
15.根据权利要求14所述的集成电路布置，其中，所述互连被配置成与所述球栅阵列衬底中的通路电连接。
16.根据权利要求14所述的集成电路布置，其中，所述互连被配置成与外部电路电连接。
17.一种集成电路接合线连接器布置(100、105)，用于连接集成电路部件，所述接合线连接器布置包括：接合线，所述接合线包括沿所述接合线的长度延伸的金属(130、125)和碳纳米管基(120、135)材料的复合物，所述碳纳米管基材料被配置成用于在集成电路部件之间导电。
18.根据权利要求17所述的布置，其中，所述金属和碳纳米管基材料的复合物包括：延伸所述接合线长度的金属核心；以及多个碳纳米管，包围所述金属核心，并且延伸所述接合线的长度。
19.根据权利要求17所述的布置，其中，所述金属和碳纳米管基材料的复合物包括：延伸所述接合线长度的碳纳米管核心；以及金属材料，包围所述碳纳米管核心，并且延伸所述接合线的长度。
20.根据权利要求17所述的布置，还包括：集成电路管芯；封装衬底；并且其中所述接合线被配置成将所述集成电路管芯与所述封装衬底电连接。
21.一种用于制造接合线布置(100)的方法，所述方法包括：提供具有长度的金属核心(120)材料；沿所述金属核心材料的长度将碳纳米管(130)连接到所述金属核心材料上。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，将碳纳米管连接到所述金属核心材料上包括：将所述碳纳米管涂抹到所述金属核心材料上。
23.根据权利要求21所述的方法，其中，将碳纳米管连接到所述金属核心材料上包括：软化所述金属核心；以及使所述碳纳米管与所述金属核心形成物理接触，以将所述碳纳米管连接到所述金属核心上。
24.根据权利要求21所述的方法，其中，将碳纳米管连接到所述金属核心上包括：在所述金属核心上生长碳纳米管。
25.一种用于制造接合线布置(105)的方法，所述方法包括：提供具有长度的碳纳米管核心(125)材料；沿所述碳纳米管核心材料的长度将金属连接到所述碳纳米管核心上(135)。
26.根据权利要求25所述的方法，其中，将金属连接到所述碳纳米管核心上包括以下至少一种：将金属镀敷到所述碳纳米管核心上；以及将金属溅射到所述碳纳米管核心上。
27.一种集成电路引线框布置(200)，包括：引线框(240、250)，包括金属和碳纳米管材料的组合，所述引线框被配置和设置成用于将外部电路部件与集成电路管芯电连接。
28.根据权利要求27所述的布置，其中，所述金属和碳纳米管材料的组合包括：
金属框；
与所述金属框的外表面相连的多个碳纳米管。
29.根据权利要求28所述的布置，还包括包敷在所述碳纳米管材料上方的金属层。
30.根据权利要求27所述的布置，还包括：
集成电路封装衬底；
与所述封装衬底相连的集成电路管芯；以及
其中，所述引线框将外部电路部件与已连接的集成电路管芯相连。
31.根据权利要求27所述的布置，其中，所述碳纳米管和所述金属框与集成电路管芯一起被配置成使得通过引线框的电流的主要部分通过所述碳纳米管。
32.一种用于制造碳纳米管基互连的方法，所述方法包括：
在衬底中刻蚀沟槽(451)；
用金属材料(452或453)填充所述沟槽的一部分；以及
在所述沟槽中，将碳纳米管(452或453)与所述金属材料的表面相连。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，将碳纳米管与所述金属材料的表面相连包括：在已经将所述金属材料填充到所述沟槽的一部分中之后，将所述碳纳米管与所述金属材料的上表面相连。
34.根据权利要求33所述的方法，还包括：用金属填充所述碳纳米管上方的沟槽的一部分。
35.根据权利要求32所述的方法，其中，
将碳纳米管与所述金属材料的表面相连包括：用所述碳纳米管填充所述沟槽的下部；
用金属材料填充所述沟槽的一部分包括：在用所述碳纳米管填充所述沟槽的下部之后，用金属材料填充所述碳纳米管上方的沟槽的一部分；以及
将碳纳米管与所述金属材料的表面相连包括将所述碳纳米管与所述金属材料的下表面相连。
36.根据权利要求35所述的方法，还包括：将碳纳米管与所述金属材料的上表面相连。
CN2005800458466A 2004-11-04 2005-11-04 用于集成电路器件的碳纳米管基传导连接 Expired - Fee Related CN101095230B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US62545004P 2004-11-04 2004-11-04
US60/625,450 2004-11-04
PCT/IB2005/053624 WO2006048845A2 (en) 2004-11-04 2005-11-04 Carbon nanotube-based conductive connections for integrated circuit devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101095230A true CN101095230A (zh) 2007-12-26
CN101095230B CN101095230B (zh) 2010-09-01

Family

ID=35761350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800458466A Expired - Fee Related CN101095230B (zh) 2004-11-04 2005-11-04 用于集成电路器件的碳纳米管基传导连接

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8680677B2 (zh)
EP (1) EP1810332B1 (zh)
JP (1) JP2008519454A (zh)
KR (1) KR20070084426A (zh)
CN (1) CN101095230B (zh)
AT (1) ATE519226T1 (zh)
TW (1) TW200631111A (zh)
WO (1) WO2006048845A2 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102648088A (zh) * 2009-11-02 2012-08-22 应用纳米结构方案公司 Cnt并入的金属纤维材料及其方法
US8784937B2 (en) 2010-09-14 2014-07-22 Applied Nanostructured Solutions, Llc Glass substrates having carbon nanotubes grown thereon and methods for production thereof
US8815341B2 (en) 2010-09-22 2014-08-26 Applied Nanostructured Solutions, Llc Carbon fiber substrates having carbon nanotubes grown thereon and processes for production thereof
US8951632B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused carbon fiber materials and process therefor
US8969225B2 (en) 2009-08-03 2015-03-03 Applied Nano Structured Soultions, LLC Incorporation of nanoparticles in composite fibers
US9005755B2 (en) 2007-01-03 2015-04-14 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor
US10138128B2 (en) 2009-03-03 2018-11-27 Applied Nanostructured Solutions, Llc System and method for surface treatment and barrier coating of fibers for in situ CNT growth

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006054948B4 (de) * 2006-11-22 2017-03-09 Drägerwerk AG & Co. KGaA Elektrochemischer Gassensor enthaltend elektrische Verbindungsleitungen oder Gehäuse-Kontaktbrücken aus Kohlenstoffnanoröhren
KR101221807B1 (ko) * 2006-12-29 2013-01-14 페어차일드코리아반도체 주식회사 전력 소자 패키지
US8158217B2 (en) 2007-01-03 2012-04-17 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber and method therefor
JP5194513B2 (ja) 2007-03-29 2013-05-08 富士通セミコンダクター株式会社 配線構造及びその形成方法
EP2176927A4 (en) 2007-08-07 2011-05-04 Nanocomp Technologies Inc ELECTRIC AND THERMALLY CONDUCTIVE NON-METAL ADAPTERS ON NANOSTRUCTURE BASE
CN101499328B (zh) * 2008-02-01 2013-06-05 清华大学 绞线
JP4589439B2 (ja) * 2008-02-01 2010-12-01 ツィンファ ユニバーシティ カーボンナノチューブ複合物の製造方法
CN101556839B (zh) * 2008-04-09 2011-08-24 清华大学 线缆
JP2010056482A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Fujitsu Ltd プリント配線板および導電材料
US8585934B2 (en) 2009-02-17 2013-11-19 Applied Nanostructured Solutions, Llc Composites comprising carbon nanotubes on fiber
WO2010141130A1 (en) 2009-02-27 2010-12-09 Lockheed Martin Corporation Low temperature cnt growth using gas-preheat method
US9111658B2 (en) 2009-04-24 2015-08-18 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-shielded wires
BRPI1016242A2 (pt) 2009-04-24 2016-04-26 Applied Nanostructured Sols material de controle de assinatura baseado em cnt.
US8664573B2 (en) 2009-04-27 2014-03-04 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-based resistive heating for deicing composite structures
US8354593B2 (en) * 2009-07-10 2013-01-15 Nanocomp Technologies, Inc. Hybrid conductors and method of making same
EP2496739A4 (en) * 2009-11-02 2014-07-02 Applied Nanostructured Sols CNT-FOUNDED ARAMID FIBER MATERIALS AND METHOD THEREFOR
KR20120120172A (ko) 2009-11-23 2012-11-01 어플라이드 나노스트럭처드 솔루션스, 엘엘씨. Ｃｎｔ 맞춤형 복합재 해상 기반의 구조체
BR112012010907A2 (pt) 2009-11-23 2019-09-24 Applied Nanostructured Sols "materiais compósitos de cerâmica contendo materiais de fibra infundidos em nanotubo de carbono e métodos para a produção dos mesmos"
AU2010353294B2 (en) 2009-12-14 2015-01-29 Applied Nanostructured Solutions, Llc Flame-resistant composite materials and articles containing carbon nanotube-infused fiber materials
US9167736B2 (en) 2010-01-15 2015-10-20 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
US8999453B2 (en) 2010-02-02 2015-04-07 Applied Nanostructured Solutions, Llc Carbon nanotube-infused fiber materials containing parallel-aligned carbon nanotubes, methods for production thereof, and composite materials derived therefrom
CA2790205A1 (en) 2010-03-02 2011-09-09 Applied Nanostructured Solutions, Llc Spiral wound electrical devices containing carbon nanotube-infused electrode materials and methods and apparatuses for production thereof
US8787001B2 (en) 2010-03-02 2014-07-22 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
US8780526B2 (en) 2010-06-15 2014-07-15 Applied Nanostructured Solutions, Llc Electrical devices containing carbon nanotube-infused fibers and methods for production thereof
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
US9017854B2 (en) 2010-08-30 2015-04-28 Applied Nanostructured Solutions, Llc Structural energy storage assemblies and methods for production thereof
CA2782976A1 (en) 2010-09-23 2012-03-29 Applied Nanostructured Solutions, Llc Cnt-infused fiber as a self shielding wire for enhanced power transmission line
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
KR101829907B1 (ko) * 2011-09-02 2018-02-19 엘에스전선 주식회사 탄소 동소체로 코팅된 선재를 포함하는 본딩 와이어
US8836136B2 (en) 2011-10-17 2014-09-16 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
CN103178027B (zh) * 2011-12-21 2016-03-09 清华大学 散热结构及应用该散热结构的电子设备
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US9085464B2 (en) 2012-03-07 2015-07-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc Resistance measurement system and method of using the same
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
CN103050798B (zh) * 2012-12-13 2015-02-04 中国电力科学研究院 一种石墨烯纳米材料导线接续金具及接续方法
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
CN105097748B (zh) * 2014-04-23 2018-07-13 北京富纳特创新科技有限公司 键合线以及半导体封装件
US10381326B2 (en) * 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US10043779B2 (en) 2015-11-17 2018-08-07 Invensas Corporation Packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970011623B1 (en) * 1994-01-13 1997-07-12 Samsung Electronics Co Ltd Lead frame of semiconductor package
US6359288B1 (en) * 1997-04-24 2002-03-19 Massachusetts Institute Of Technology Nanowire arrays
US6299812B1 (en) * 1999-08-16 2001-10-09 The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma Method for forming a fibers/composite material having an anisotropic structure
US6340822B1 (en) 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
US7335603B2 (en) * 2000-02-07 2008-02-26 Vladimir Mancevski System and method for fabricating logic devices comprising carbon nanotube transistors
WO2002017397A1 (de) * 2000-08-24 2002-02-28 Infineon Technologies Ag Elektronisches element, verfahren zum herstellen eines solchen und halbleiterelement
US7084507B2 (en) * 2001-05-02 2006-08-01 Fujitsu Limited Integrated circuit device and method of producing the same
DE10134073C1 (de) 2001-07-13 2003-02-06 Zimmer Ag Verfahren zum Aufspulen von Filamenten
CN1261959C (zh) * 2001-08-28 2006-06-28 翰立光电股份有限公司 场发射显示器中发射极的制造方法
CN1414590A (zh) * 2001-10-26 2003-04-30 东元资讯股份有限公司 阴极射线管使用的阴极及其产生电子的方法
JP2003142755A (ja) * 2001-11-05 2003-05-16 Fujitsu Ltd 磁気抵抗センサ及びその製造方法
CA2476795A1 (en) * 2002-03-20 2003-09-25 Facultes Universitaires Notre-Dame De La Paix Nanocomposites: products, process for obtaining them and uses thereof
JP4974263B2 (ja) * 2002-05-20 2012-07-11 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
CN1720606A (zh) * 2002-11-29 2006-01-11 日本电气株式会社 半导体器件及其制造方法
US6875374B1 (en) * 2003-02-26 2005-04-05 The Regents Of The University Of California Ceramic materials reinforced with single-wall carbon nanotubes as electrical conductors
JP2005120427A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Matsushita Electric Works Ltd 電気接点用材料及び電気接点

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8951632B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused carbon fiber materials and process therefor
US8951631B2 (en) 2007-01-03 2015-02-10 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused metal fiber materials and process therefor
US9005755B2 (en) 2007-01-03 2015-04-14 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNS-infused carbon nanomaterials and process therefor
US9574300B2 (en) 2007-01-03 2017-02-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused carbon fiber materials and process therefor
US9573812B2 (en) 2007-01-03 2017-02-21 Applied Nanostructured Solutions, Llc CNT-infused metal fiber materials and process therefor
US10138128B2 (en) 2009-03-03 2018-11-27 Applied Nanostructured Solutions, Llc System and method for surface treatment and barrier coating of fibers for in situ CNT growth
US8969225B2 (en) 2009-08-03 2015-03-03 Applied Nano Structured Soultions, LLC Incorporation of nanoparticles in composite fibers
CN102648088A (zh) * 2009-11-02 2012-08-22 应用纳米结构方案公司 Cnt并入的金属纤维材料及其方法
CN102648088B (zh) * 2009-11-02 2015-09-09 应用纳米结构方案公司 Cnt并入的金属纤维材料及其方法
US8784937B2 (en) 2010-09-14 2014-07-22 Applied Nanostructured Solutions, Llc Glass substrates having carbon nanotubes grown thereon and methods for production thereof
US8815341B2 (en) 2010-09-22 2014-08-26 Applied Nanostructured Solutions, Llc Carbon fiber substrates having carbon nanotubes grown thereon and processes for production thereof

Also Published As

Publication number Publication date
EP1810332B1 (en) 2011-08-03
US8680677B2 (en) 2014-03-25
EP1810332A2 (en) 2007-07-25
US20090212430A1 (en) 2009-08-27
WO2006048845A3 (en) 2006-08-03
KR20070084426A (ko) 2007-08-24
JP2008519454A (ja) 2008-06-05
ATE519226T1 (de) 2011-08-15
CN101095230B (zh) 2010-09-01
TW200631111A (en) 2006-09-01
WO2006048845A2 (en) 2006-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101095230B (zh) 用于集成电路器件的碳纳米管基传导连接
CN101094901B (zh) 纳米管基的定向传导粘合剂
EP1810329B1 (en) Nanotube-based substrate for integrated circuits
US9583474B2 (en) Package on packaging structure and methods of making same
CN1159956C (zh) 装有芯片封装的电路基板的端电极及其制造方法
KR100888324B1 (ko) 도전성 접착제의 제조방법
CN101529585B (zh) 电子设备的封装结构及封装制造方法
US6831371B1 (en) Integrated circuit substrate having embedded wire conductors and method therefor
CN100521126C (zh) 具有碳纳米管基填料的集成电路芯片配置
US20130299970A1 (en) Semiconductor device
JP3492025B2 (ja) 回路基板構造
JP4979542B2 (ja) 実装構造体およびその製造方法
CN115966564A (zh) 一种改善散热的芯片封装结构及其制备方法
CN107924973A (zh) 用于安装发光半导体器件的柔性电路
JP6936595B2 (ja) 半導体装置
US20090041977A1 (en) System for the Manufacture of Electronic Assemblies Without Solder
CN1209801C (zh) 具有接地参考电位功能的散热板用于散热型芯片塑料封装的制法
TWI227924B (en) Stack package and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NXP CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Effective date: 20080516

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20080516

Address after: Holland Ian Deho Finn

Applicant after: Koninkl Philips Electronics NV

Address before: Holland Ian Deho Finn

Applicant before: Koninklijke Philips Electronics N.V.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100901

Termination date: 20131104