CN101094931B - 用于处理基底的系统和方法 - Google Patents

Abstract

一种用于处理基底的系统，该系统设有至少一个处理腔室(1)以利用真空工艺处理至少一个基底(5)，其中所述处理腔室(1)设有能够由关闭体(15)关闭的基底入口(13)，并且该系统设有输送装置(8)，该装置至少被设置为用于移动所述关闭体(15)，并且所述输送装置(8)设置为用于至少在位于处理腔室(1)外侧的位置和位于处理腔室(1)内侧的位置之间输送掩膜(4)，该掩膜用于在所述真空工艺期间至少部分地覆盖所述基底(5)。有利的是，至少基底保持架(2)设有定位装置(50)以便关于彼此地定位基底保持架(2)和掩膜(4)。本发明还提供这种系统的用途。

Description

用于处理基底的系统和方法

技术领域

本发明涉及一种用于处理基底的系统，其中该系统设有至少一个处理腔室以利用真空工艺处理至少一个基底，该处理腔室设有能够由关闭体关闭的基底入口，并且该系统设有输送装置，该装置至少被设置为用于移动该关闭体。

背景技术

这种系统是从实践中公知的。该真空工艺可包括各种类型的工艺，例如沉积工艺、蚀刻工艺、蒸发工艺、分子束外延生长、PVD、CVD、PE-CVD、印刷、固化等。在这种公知系统中，基底经由基底入口进入处理腔室。然后可将基底入口密封地关闭从而防止特定工艺物质在基底处理期间从处理腔室泄漏和/或以便将处理腔室保持为所期望的压力水平。随后，开始进行处理。在基底处理期间，基底入口的关闭可例如通过基底保持架实现，该基底保持架可从本申请人的未在先公开欧洲专利申请EP03076554.9所公知，该申请通过引用结合在这里。

而且，当没有将基底送入处理腔室时，例如在处理腔室维护期间和/或为了防止对在处理腔室外侧连接到基底入口的真空基底输送空间造成污染，密封地关闭处理腔室是所期望的。在此情形，基底入口也可通过可由输送装置移动的关闭体所关闭。

在特定情形中，还期望覆盖基底的一部分，特别是为了局部地处理该基底，例如为了局部的施加材料层。这通常通过在处理腔室中将掩膜在基底之前设置于基底覆盖位置中而得以实现。这种掩膜优选是可以更换的，例如为了当掩膜被污染时对其进行清洁，和/或当期望使用具有不同设计的掩膜时。掩膜关于基底的准确定位经常是困难的。

发明内容

本发明涉及对在序言部分中所述系统的改进。具体的，本发明涉及一种系统，利用该系统能够较简单地并且快速地更换掩膜。

为此目的，具有在序言部分中所述类型的该系统其特征在于，设置输送装置以至少在位于处理腔室外侧的位置和位于处理腔室内侧的位置之间输送掩膜，该掩膜用于在真空工艺期间至少部分的覆盖该基底。

该输送装置设置为用于至少在位于处理腔室外侧的位置和位于处理腔室内侧的位置之间输送掩膜，该掩膜在真空工艺期间至少部分地覆盖该基底。以此方式，该输送装置具有至少两个功能，即输送关闭体，以及进行掩膜输送。术语输送装置不仅包括所示的示例性实施例，而是例如还包括设有两个能够彼此间独立驱动的操纵器的输送装置，其中的第一个输送关闭体并且另一个输送掩膜。利用输送装置可简单地将该掩膜送入处理腔室和从该处理腔室取出。而且，以此方式，该系统可具有较简单并且紧凑的设计。

该系统优选设有设置在处理腔室外侧的掩膜真空锁以更换掩膜，而输送装置被设置为将掩膜从处理腔室输送到真空锁并且反之亦然。通过使用真空锁，处理腔室中的压力可在掩膜更换期间保持为理想的、较低的水平，从而可充分的避免在掩膜更换期间污染处理腔室。

根据本发明进一步的细节，特别有利的是将输送装置设置为基本同时地保持掩膜和关闭体。以此方式，可较快速地进行掩膜的更换，因为掩膜和关闭体可这样被基本同时地移动。掩膜能够例如通过输送装置而从处理腔室移出，而关闭体被移动进入处理腔室中，并且反之亦然。这里，掩膜的运动基本不受关闭体的运动的影响或者仅受到较小的影响。更加有利的是，将输送装置设置为沿着公共的输送方向移动掩膜和关闭体，从而为了掩膜输送以及关闭体运动的目的，仅需具有较小的空间。

可以各种方式设计输送装置以用于掩膜和关闭体运动的目的。根据本发明，有利的是，输送装置设有可移动的输送框架，该框架设置用于保持掩膜和关闭体。在此情形，处理腔室可例如设有至少一个框架通道以使得输送框架的至少一部分移动通过其中。

而且，本发明提供一种用于根据本发明系统的输送装置。该输送装置可例如设置在基底处理系统中以便为该系统提供上述优点。

本发明还提供一种用于利用根据本发明的系统处理基底的方法，其中至少一个基底设置在处理腔室中，而基底待处理表面的一部分被掩膜所覆盖，然后在处理腔室中进行真空处理以便至少处理基底表面未被掩膜所覆盖的部分。该方法使用本发明以有利的方式提供的系统。根据该方法，该至少一个基底设置于处理腔室。基底的待处理表面的一部分被掩膜所覆盖。然后，在处理腔室中进行真空处理以至少处理基底表面未被掩膜所覆盖的部分。利用输送装置能够较快速地并且简单地更换掩膜。

该系统还考虑这样一种系统，利用其能够将基底关于掩膜较简单地、准确地并且快速地定位。

为此目的，根据本发明的处理系统其特征在于，其设有至少一个处理腔室和至少一个可移动的基底保持架，该保持架设置为将至少一个基底保持在处理腔室中，同时该系统设有掩膜保持装置，该装置设置为在处理腔室中将掩膜保持在基底覆盖位置中以覆盖基底的至少一部分，同时至少该基底保持架设有定位装置以便关于彼此地定位基底保持架和掩膜。因为至少该基底保持架设有定位装置以便关于彼此地定位基底保持架和掩膜，基底和掩膜能够较简单地并且准确地关于彼此进行定位。

本发明还提供这种系统的用途，其中基底在基底保持架上定位于所期望的位置处，然后利用定位装置将基底保持架和掩膜关于彼此进行定位。该基底首先关于基底保持架定位。然后，将带有基底的基底保持架送入处理腔室并且定位在掩膜保持装置上。这里，利用定位装置较简单地、优选自动地关于掩膜定位基底。

附图简要说明

在从属权利要求中描述了本发明进一步的细节。现在基于示例性实施例并且参考附图阐述本发明，其中：

图1示出本发明示例性实施例局部剖面立体视图，其中输送框架处于上部位置；

图2示出与图1类似的视图，其中输送框架处于中间位置；

图3示出与图1类似的视图，其中输送框架处于下部位置；

图4示出图1所示示例性实施例一部分的剖面侧视图，其中输送框架处于上部位置；

图5示出与图4类似的侧视图，其中输送框架处于下部位置；

图6示出图5所示侧视图的线VI-VI上方的的截面视图，其中未示出掩膜；以及

图7示出与图6类似的视图，其中示出掩膜。

具体实施方式

图1-3示出用于处理基底的真空系统。该系统特别地设置为用于处理较平坦的和/或薄的基底，例如盘形基底、半导体基底、光学数据载体基底、显示器、三维基底和/或其它类似基底。该系统包括基底输送装置19、20、21，它们优选根据从欧洲专利申请EP 03076554.9所公知的基底输送系统进行基本设计。这种基底输送系统的一个优点在于，它可用于在较短的时间内将较大数目的基底提送给一个或者多个所需的真空处理工艺。

在本示例性实施例中，输送系统包括两个围绕真空输送空间12的平行设置的细长输送腔室14a、14b。利用基底传送站25，两个输送路径14a、14b的输送空间12以其端部相互连接。利用竖直设置的基底保持架2，处于基本竖直位置中的基底5可移动通过输送空间12和传送站25。该竖直基底位置对于防止污染基底5是有利的。

示于图1-3的输送路径14a的前侧设有五个开口13，每个开口均形成进入各个处理腔室1的入口。为明晰起见，这些处理腔室1未在图1-3中示出。处理腔室1关于输送路径14a的设置在图4和5中概略示出。各个处理腔室1用于使基底5受到特殊的处理。基底保持架2设置为在处理腔室1中将基底5保持在基本竖直的位置中，并且同时关闭基底入口13，如图5所示。为了进行这种关闭操作的目的，每个基底保持架2均设有示于图6和7的关闭部分48。前面的输送路径14a设有真空锁28以将基底5从大气环境送入真空系统并且将它们从中取出。

如图6所示，基底保持架2设有基底定位装置40、41以将基底5保持在其上。在本示例性实施例中，基底定位装置包括两个可偏心旋转的支承辊40a，基底5能够以底侧42设置在其上。设置第三个可偏心旋转的辊40b从而在纵向侧43上支承基底。而且，基底定位装置包括弹簧41，该弹簧设置为利用弹簧作用力经由相对的基底侧面44、45将基底5夹靠到支承辊40上。当然该基底保持架2可设有各种不同的装置以进行基底定位。

通过支承辊40a、40b的旋转，基底5能够比较准确地关于基底保持架2定位，例如以使得基底5的标记46关于基底保持架2的标记47在X和Y方向被带动到理想的距离处。为了进行定位的目的，基底5和基底保持架2可设有各种类型的对准装置，例如光学对准装置、标记、光源、光线探测器、机械对准装置和/或类似装置。

如图4和5所示，基底输送路径14a设有导轨20以便引导基底保持架2的底架19通过真空空间12。该系统包括磁性装置26以便沿着导轨20移动各个基底保持架2，特别是设置在输送路径14外侧的线圈21和设置在底架19上的磁铁26。各个基底保持架2连接到各自的底架19从而能够沿着水平方向H移动，特别是通过肘节杆系统22进行连接。当然，这可设计为很多不同的方式。利用处理腔室1，这些肘节杆系统22可由第一致动器3进行操作以便将基底保持架2压靠到处理腔室1的基底入口13并且从外侧将该入口13关闭。致动器3可例如被固定到腔室14a和底架19。

各个处理腔室1还设有关闭体15以便至少在图4所示的关闭位置从内侧密封地关闭基底入口13，并且在打开位置打开基底入口13。而且，基底保持架2和关闭体15设置为同时地在两侧关闭基底入口13，同时基底保持架2将基底5保持在基底入口13中。

关闭体的打开位置示于图5。在打开位置，关闭体15可在与基底入口13相反地延伸的上部位置(未示出)和图5所示下部位置之间移动。在下部位置，关闭体15并不与基底入口13相反地延伸，而是定位在设置于处理腔室1下方的接收腔室16中。处理腔室1设有第二线性致动器23以用于沿着水平方向H在关闭位置和打开位置的上部位置之间移动关闭体15。

该系统设有多个输送装置以引起关闭体15的竖直运动。各个输送装置包括沿着竖直方向延伸的输送框架8，该框架可沿着纵向框架方向V在上部和下部框架位置之间移动。上部框架位置示于图4，而图5示出下部框架位置。框架8的下部框架段8b设置为处于打开位置的关闭体容纳。当输送框架8处于上部位置时，下部框架段8b与基底入口13相反地延伸。在下部框架位置，第二段8b延伸进入接收腔室16中。下部框架段8b与关闭体15一起能够移动通过各个处理腔室1的壁的下部框架通道29。输送框架8的下端设有关闭元件30以便当输送框架8已经移动到上部框架位置时关闭下部框架通道29。输送框架8的运动由驱动装置(未示出)产生。该驱动装置能够以各种方式设计，这对技术人员而言是明显的。

系统的处理腔室1还设有掩膜保持装置35，该装置设置为在各个处理腔室1中将掩膜4保持为图5所示基本竖直的基底覆盖位置，以用于覆盖利用基底保持架2保持在处理腔室1中的基底5的至少一部分。而且，该掩膜保持装置35设置为接合掩膜4并且沿着水平方向H移动掩膜4。为了移动的目的，掩膜保持装置35设有第三致动器33。该系统还可例如设有将掩膜4关于基底覆盖位置定位在不同方向例如竖直方向中的装置。因为各个掩膜4在系统中保持在基本竖直的位置，可充分避免污染物在掩膜4上积聚。因此在掩膜需要接受清洁处理之前，掩膜4可被用于较多次的基底处理中，这提高了系统的生产率。而且，以此方式，基底5经由掩膜4被污染的风险降低。

根据本发明，有利的是，使得基底保持架2设有定位装置50以便关于彼此地定位基底保持架2和掩膜4。在本示例性实施例中，这些定位装置设置为关于基底保持架2定位掩膜4。因此，为明晰起见，这些定位装置在下面称为掩膜定位装置。优选的，掩膜4和/或掩膜保持装置35设有掩膜定位装置51，该装置设置为与基底保持架2的掩膜定位装置50相配合以用于定位掩膜4。以此方式，掩膜可简单地关于基底保持架2以及位于其上的基底5定位。进一步有利的是，当基底保持架2和掩膜4处于朝向彼此移动的位置中时，使得掩膜定位装置50、51设置为在用于进行定位的理想位置中将基底保持架2连接到掩膜保持装置35和/或掩膜4。

如图6和7所示，在本示例性实施例中，各个掩膜4均设有掩膜定位装置51，该装置设置为与基底保持架2的掩膜定位装置50相配合。掩膜定位装置50、51能够以不同方式设计，例如机械的、电磁的、光学的等。本示例性实施例设有比较简单的机械掩膜定位装置50、51，其具体包括设置为垂直于基底保持架2的凸榫50，当朝向基底保持架2移动掩膜4时，该凸榫能够进入各自的榫眼51中。

本示例性实施例的各个处理腔室1设有掩膜更换单元6以用于更换掩膜4。如图1-5所示，各个掩膜更换单元6包括掩膜真空锁7，其具有设置在各个处理腔室1上方的进入开口25。该掩膜真空锁7和关闭体接收腔室16关于处理腔室1关于彼此基本相对地设置。

该系统包括掩膜输送装置8以将掩膜4从处理腔室1输送到掩膜真空锁7并且反之亦然。在本示例性实施例中，这些掩膜输送装置以有利方式包括输送框架8的上部框架段8a。该上部框架段8a与下部框架段8b共线地延伸。在输送框架8的上部位置中，该上部框架段8a延伸进入掩膜真空锁7中，其示于图4中。在下部框架位置中，该上部框架段8a相反地与基底入口13相对地延伸，见图5。

如图4和5所示，输送框架8设置为在掩膜输送期间将掩膜4保持在基本竖直的位置中。而且，输送框架8设置为经由延伸通过处理腔室1的壁的上部框架通道9沿着基本竖直的方向移动掩膜4进出处理腔室1。该上部框架通道9与处理腔室1的壁中的下部框架通道29相对地延伸。该上部框架通道9优选具有较窄的设计。因为框架与掩膜一起能够沿着纵向框架方向移动，掩膜锁7的内部空间能够占据较小的体积。因此可充分避免对掩膜锁7和处理腔室1的污染，同时能够使得掩膜锁较快速地达到所期望的真空压力。在上部框架段8a和下部框架段8b之间，输送框架8设有关闭元件10以用于当框架8已经进入向上移动位置时关闭上部框架通道9。

在基底输送空间12和掩膜真空锁7之间，设置可由关闭装置18关闭的流体连通装置17。在使用中，可经由该流体连通装置17和真空输送空间12在真空锁7中形成真空。而且，掩膜锁7可例如经由这种设有关闭装置的流体连通装置连接到处理腔室1以经由处理腔室1向下泵送该锁。而且，掩膜锁7可例如设有独立的真空泵以便在该锁中形成所期望的真空。

优选的，该系统例如掩膜锁7设有掩膜检查装置以检查掩膜4的质量和/或观测在掩膜4上存在的污染情况。该掩膜锁7可例如包括清洁装置以清洁锁7中的掩膜4，例如喷吹清洁装置。

利用该掩膜更换单元6和输送框架8，掩膜4能够较快速的进行自动地更换，以便例如进行清洁和/或执行在处理腔室1中具有以不同方式设置的掩膜的工艺。因为掩膜更换单元6包括掩膜真空锁7，进行掩膜更换无需处理腔室达到大气压力。因此，在掩膜更换期间对处理腔室1的污染被充分避免。该系统优选设有控制器或连接到控制器以便使得掩膜更换操作自动进行。

在系统使用中，基底5可经由基底锁28被送入输送空间12和/或从中取出。基底5在输送空间12中保持在竖直位置中并且由基底保持架2送入处理腔室1以便在其中经受处理。在使用中，各个基底5利用基底定位装置40a、40b准确定位在基底保持架2上，处于进行处理的理想位置中。该基底定位可例如发生在基底锁28中或者系统中的其它任何位置处。而且，在处理期间，基底5通过掩膜4被至少部分地覆盖。

在使用中，掩膜4能够以简单的方式从大气环境送入处理腔室1内部的位置中并且反之亦然以便进行基底处理，这在下面进一步阐述。图1和4示出初始状态，其中各个处理腔室1的基底入口13利用各自的关闭体15关于基底输送空间12被密封地关闭。以此方式，处理腔室1和基底输送空间12可被保持为理想的、低的压力水平上，同时可避免对基底输送空间12的污染，例如由从处理腔室1泄漏的工艺气体和/或所施加的涂层所造成的污染。在输送空间12中，与各个基底入口13相对，设置带有基底5的基底保持架2。

如图4所示，在起始状态，输送框架8处于上部位置，从而上部框架通道9被框架8的关闭元件10关闭。而且，掩膜锁7和基底输送空间12之间的流体连通装置17被处于关闭位置的关闭装置18所关闭。结果，掩膜锁7关于处理腔室1和基底输送空间12被关闭，从而掩膜锁7可基本达到大气压力并且被打开以将掩膜4从上部框架段8a移除并且利用另一个掩膜4将其更换。而且，位于掩膜锁7中的掩膜可例如接受检测和/或清洁处理。

输送框架8可易于将位于其上的掩膜4从掩膜锁7送入处理腔室1内部的位置，而框架8同时地将关闭体15从处理腔室1取出，这示于图2、3和5。为此，利用真空泵和/或通过打开流体连通装置17的关闭装置18，首先使得掩膜锁7达到理想的、低的压力水平上。可较为快速的使得掩膜锁达到理想的压力，因为该掩膜锁7具有较小的内部体积。而且，在背离处理腔室1的一侧上，利用关闭部分48通过将基底保持架2压靠在入口13上，基底入口13被关闭，这是通过肘节杆系统22和第一致动器3执行的。这里，由基底保持架2保持的基底5被送入处理腔室1的基底入口13。在此系统位置(未示出)，在一侧上，基底入口13被基底保持架2关闭，并且在另一侧上，由关闭体15关闭。然后由基底保持架2所保持的基底5在基底入口13中位于基底保持架2和关闭体15之间。

在当基底入口13已经被基底保持架2关闭之后，关闭体15被第二致动器23沿着水平方向移动离开基底入口13并且定位在下部框架段8上。

当掩膜4和关闭体15均被输送框架8保持时，掩膜真空锁被向下泵送并且基底入口13被基底保持架2关闭，然后输送框架8经由图2所示中间位置向下移动到图3和5所示的下部位置。结果，掩膜4和关闭体15均沿着竖直方向V移动。掩膜4然后在处理腔室1内处于与打开的基底入口13相对的位置。

此后，掩膜4被掩膜保持装置35从输送框架8移除并且被送入图5所示基底覆盖位置靠近或者在基底入口13中。这里，掩膜4例如压靠在基底5上或者保持为距基底5的距离较短。当朝向基底5移动时，基底保持架2的定位凸榫50和掩膜的各个定位榫眼51相互接合以便关于掩膜4对基底保持架2进行简单的机械定位。基底5关于基底保持架2的这种定位，以及基底保持架2和掩膜4的定位优选使得基底5关于掩膜4被定位在用于进行处理的理想和适当的位置处。

当掩膜4已经被送入基底覆盖位置且在基底5前面时，可在处理腔室1中执行真空工艺以处理基底表面面向处理腔室1的部分中的至少未被掩膜4所覆盖的部分。如图5所示，当输送框架8已被送入下部位置时，利用输送框架在处理腔室1外侧将关闭体15保持在各个接收腔室16中。结果，基底处理不受关闭体15的影响。在基底处理期间，基底保持架2优选基本通过基底5和掩膜4被屏蔽于在处理腔室1中执行的处理工艺之外，以便例如防止污染基底保持架2。

在基底处理之后，通过掩膜保持装置35和输送框架8将掩膜4送回掩膜锁7，而利用输送框架8和第二致动器23将关闭体15放置在基底入口13上以便关闭该入口13。掩膜4然后可例如再次在掩膜锁7中被检测和/或更换。然后，基底保持架2可从基底入口13移开并且被用于保持下一个待处理基底的下一基底保持架所更换。之后，掩膜4可再次从掩膜锁7被送入处理腔室1中的掩膜覆盖位置，以便部分地覆盖该下一个基底以便进行处理。

由上可知，基底入口13在掩膜输送期间被基底保持架2关闭，而基底入口13在基底更换期间被关闭体15关闭。以此方式，基底入口13基本连续地被关闭，这例如对吸收处理腔室1和基底输送空间12之间的可能存在的压力差是有利的。

显然，本发明并不限于所述的示例性实施例。在例如所附权利要求所述的本发明范围内，各种修改都是可能的。

例如，输送框架8可以各种方式和各种形式进行设计。

而且，该系统可被设置为以各种位置保持和/或移动基底和/或掩膜，例如水平的、倾斜的、颠倒的和/或竖直的。

用于掩膜4和/或关闭体的保持装置可以各种方式设计并且可以例如设有致动器、线性致动器、杠杆机构、电动机、磁和/或电磁接合装置等。

而且，在使用中，可在系统中存在不同的主导压力。例如，在基底处理期间，处理腔室1中的压力可高于当处理腔室1没有进行操作时的压力。

术语“真空”应当在广义上理解。因此，“真空”也被理解为代表任何这样的环境，其相对于外界空气在气体压力和成分方面被加以限制。

而且，用于关于彼此地定位基底保持架和掩膜的定位装置能以各种方式设计。这些定位装置可包括，例如，主动和/或被动装置、接合装置、引导装置、定位传感器等。

Claims (42)

1.一种用于处理基底的系统，该系统设有

至少一个处理腔室(1)，以利用真空工艺处理至少一个基底(5)，其中所述处理腔室(1)设有能够由关闭体(15)关闭的基底入口(13)；

基底输送装置(19、20、21)，用于将基底(5)从基底入口(13)送入处理腔室(1)并且将其从中取出；以及

输送装置，该输送装置至少设置为用于移动所述关闭体(15)，其中所述输送装置设置为用于至少在位于处理腔室(1)外侧的位置和位于处理腔室(1)内侧的位置之间输送掩膜(4)，该掩膜用于在所述真空工艺期间至少部分地覆盖所述基底(5)。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，该系统设有设置在处理腔室(1)外侧的掩膜真空锁(7)，并且所述输送装置设置为将所述掩膜(4)从处理腔室(1)输送到所述真空锁，并且反之亦然。

3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，该系统设有设置在处理腔室(1)外侧的关闭体接收腔室(16)，并且所述输送装置设置为将所述关闭体(15)从处理腔室(1)输送到所述接收腔室(16)并且反之亦然。

4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述掩膜真空锁(7)和所述关闭体接收腔室(16)关于彼此基本相对地设置。

5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述输送装置设置为同时地保持所述掩膜(4)和所述关闭体(15)。

6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述输送装置设置为沿着公共的输送方向移动所述掩膜(4)和所述关闭体(15)。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述公共的输送方向包括竖直输送方向(V)。

8.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述输送装置设有可移动的输送框架(8)，该输送框架设置用于保持所述掩膜(4)和所述关闭体(15)。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述输送框架(8)沿着基本竖直的方向延伸。

10.根据权利要求8或9所述的系统，其特征在于，设置所述输送框架(8)，以使其能够基本沿着纵向框架方向移动。

11.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述输送框架(8)设有用于保持所述掩膜(4)的第一框架段(8a)和用于保持所述关闭体(15)的第二框架段(8b)。

12.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，

该系统设有设置在处理腔室(1)外侧的掩膜真空锁(7)，并且所述输送装置设置为将所述掩膜(4)从处理腔室(1)输送到所述真空锁，并且反之亦然；

该系统设有设置在处理腔室(1)外侧的关闭体接收腔室(16)，并且所述输送装置设置为将所述关闭体(15)从处理腔室(1)输送到所述接收腔室(16)并且反之亦然；

所述输送框架(8)设有用于保持所述掩膜(4)的第一框架段(8a)和用于保持所述关闭体(15)的第二框架段(8b)；并且，

所述输送框架(8)能够在第一框架位置和第二框架位置之间移动，并且在所述第一框架位置中第一框架段(8a)延伸进入掩膜真空锁(7)中而第二框架段(8b)与基底入口(13)相对地延伸，并且在所述第二框架位置中第一框架段(8a)与基底入口(13)相对地延伸而第二框架段(8b)延伸进入所述接收腔室(16)中。

13.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，处理腔室(1)的壁设有至少一个框架通道(9、29)以便移动所述输送框架(8)的至少一部分通过其中。

14.根据权利要求11或13所述的系统，其特征在于，处理腔室(1)在第一侧上设有第一框架通道(9)以使得所述第一框架段(8a)通过，并且在第二侧上设有第二框架通道(29)以使得所述第二框架段(8b)通过。

15.根据权利要求13所述的系统，其特征在于，该系统特别是所述输送框架(8)设有关闭装置(10、30)以关闭所述框架通道(9、29)。

16.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，该输送框架(8)设有关闭体保持装置(23)，该关闭体保持装置至少设置为将所述关闭体(15)保持在关闭位置中，使得所述基底入口(13)被关闭体(15)关闭。

17.根据权利要求16所述的系统，其特征在于，所述关闭体保持装置(23)设置为在所述关闭位置和位于所述输送框架(8)上的位置之间移动所述关闭体(15)。

18.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，该输送框架(8)设有掩膜保持装置(35)，该装置至少设置为在处理腔室(1)中将所述掩膜(4)保持在基底覆盖位置中以覆盖所述待处理基底(5)的至少一部分。

19.根据权利要求18所述的系统，其特征在于，所述掩膜保持装置(35)设置为在所述基底覆盖位置和位于所述输送框架(8)上的位置之间移动所述掩膜(4)。

20.根据权利要求18或19所述的系统，其特征在于，所述掩膜保持装置(35)设置为将所述掩膜(4)保持在基本竖直的位置中。

21.根据权利要求18所述的系统，其特征在于，所述掩膜保持装置(35)设有致动器(33)。

22.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，该系统设有掩膜检查装置以检查掩膜(4)的质量和/或观察在掩膜(4)上存在的污染。

23.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，该系统设有连接到所述处理腔室(1)的所述基底入口(13)的真空基底输送空间(12)，并且该输送空间(12)包括所述基底输送装置(19、20、21)以将基底(5)从基底入口(13)送入处理腔室(1)并且将其从中取出。

24.根据权利要求2或23所述的系统，其特征在于，该系统设有至少一个可关闭的流体连通装置(17)，该流体连通装置在位于一侧的所述掩膜真空锁(7)和位于另一侧的所述基底输送空间(12)之间延伸，和/或该流体连通装置在位于一侧的所述掩膜真空锁(7)和位于另一侧的所述处理腔室(1)之间延伸。

25.根据权利要求23所述的系统，其特征在于，所述基底输送装置(19、20、21)设置为以基本竖直的位置传输所述基底(5)。

26.根据权利要求23所述的系统，其特征在于，所述基底输送装置设有多个可移动的基底保持架(2)，并且每个基底保持架(2)设置为将至少一个基底(5)保持在所述处理腔室(1)中并且同时关闭所述基底入口(13)。

27.根据权利要求26所述的系统，其特征在于，各个所述基底保持架(2)均设有定位装置(50)以便将基底保持架(2)和所述掩膜(4)相对于彼此定位。

28.根据权利要求26-27中任一项所述的系统，其特征在于，基底保持架和关闭体设置为同时地在两侧关闭基底入口(13)，而基底保持架将基底(5)保持在基底入口(13)中。

29.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，各个处理腔室(1)设有所述关闭体(15)以从内侧密封地关闭基底入口(13)。

30.一种根据权利要求1所述的系统的输送装置，该系统设有：

至少一个处理腔室(1)以利用真空工艺处理至少一个基底(5)，其中所述处理腔室(1)设有能够由关闭体(15)关闭的基底入口(13)；

基底输送装置(19、20、21)，用于将基底(5)从基底入口(13)送入处理腔室(1)并且将其从中取出；以及

所述的输送装置，该装置至少设置为用于移动所述关闭体(15)，其中所述输送装置设置为用于至少在位于处理腔室(1)外侧的位置和位于处理腔室(1)内侧的位置之间输送掩膜(4)，该掩膜用于在所述真空工艺期间至少部分地覆盖所述基底(5)。

31.一种利用权利要求1所述的系统处理基底的方法，其中所述输送装置至少在位于处理腔室(1)外侧的位置和位于处理腔室(1)内侧的位置之间输送掩膜(4)，所述至少一个基底(5)利用基底输送装置(19、20、21)从基底入口(13)送入处理腔室(1)从而设置在所述处理腔室(1)中，并且所述基底(5)的待处理表面的一部分被所述掩膜(4)所覆盖，并且然后在处理腔室(1)中进行真空处理以便至少处理所述基底表面未被掩膜(4)所覆盖的部分。

32.根据权利要求31所述的方法，其特征在于，在所述基底处理之前和/或之后利用所述输送装置更换所述掩膜(4)。

33.根据权利要求32所述的方法，其特征在于，所述掩膜(4)从处理腔室(1)移出并进入掩膜真空锁(7)中，而所述关闭体(15)移动进入处理腔室(1)中以关闭所述基底入口(13)，并且至少在真空锁(7)关于处理腔室(1)将其关闭之后将真空锁(7)打开以便更换所述掩膜(4)。

34.根据权利要求33所述的方法，其特征在于，在更换期间，所述掩膜(4)以基本竖直的方向移动进出所述处理腔室(1)。

35.根据权利要求1所述的系统，其中该系统设有至少一个处理腔室(1)，并且该系统设有至少一个可移动的基底保持架(2)，该保持架设置为将至少一个基底(5)保持在所述处理腔室(1)中，并且该系统设有掩膜保持装置(35)，该装置设置为在处理腔室(1)中将掩膜(4)保持在基底覆盖位置中以覆盖所述基底(5)的至少一部分，并且至少所述基底保持架(2)设有定位装置(50)以便将基底保持架(2)和掩膜(4)相对于彼此定位。

36.根据权利要求35所述的系统，其特征在于，当基底保持架(2)和掩膜(4)处于朝向彼此移动的位置中时，所述定位装置(50)设置为在用于进行定位的理想位置中将所述基底保持架(2)连接到所述掩膜保持装置(35)和/或所述掩膜(4)。

37.根据权利要求35或36所述的系统，其特征在于，所述掩膜(4)设有定位装置(51)，该装置设置为与所述基底保持架(2)的所述定位装置(50)相配合以便进行所述定位。

38.根据权利要求35所述的系统，其特征在于，所述掩膜保持装置(35)设有定位装置，该定位装置设置为与所述基底保持架(2)的所述定位装置(50)相配合以便进行所述定位。

39.根据权利要求37所述的系统，其特征在于，所述定位装置(50、51)包括机械定位装置。

40.根据权利要求39所述的系统，其特征在于，所述定位装置包括榫眼和凸榫定位装置(50、51)。

41.根据权利要求35所述的系统，其特征在于，所述基底保持架(2)设有基底定位装置(40)以将所述基底(5)关于基底保持架(2)定位。

42.根据权利要求35所述的系统，其中所述基底在所述基底保持架(2)上定位于所期望的位置处，并且然后利用所述定位装置(50)将基底保持架(2)和所述掩膜(4)关于彼此地进行定位。

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