CN101094613A - 医用植入物和抗瘢痕形成剂 - Google Patents

Abstract

将植入物与抗瘢痕形成剂联合使用以便抑制瘢痕形成，否则当将所述植入物放置在动物体内时可能发生瘢痕形成。所述抗瘢痕形成剂可以是任何适当的抗瘢痕形成剂，例如细胞周期抑制剂，并且可以连同第二种药剂一起使用，所述第二种药剂例如抗生素。适当的植入物包括血管内植入物，血管移植或包覆物植入物，用于血液透析通路的植入物，提供吻合连接的植入物，心室辅助植入物，人工心脏瓣膜植入物，下腔静脉滤器植入物，腹膜透析导管植入物，中枢神经系统分流装置，眼内透镜，用于青光眼引流的植入物，阴茎植入物，气管内导管，气管造口插管，胃肠装置，和脊柱植入物。

Description

医用植入物和抗瘢痕形成剂

发明背景

发明领域

本发明一般性涉及药物组合物、方法和装置，并且更具体地涉及用于制备和使用医用植入物从而使它们抵抗炎性和纤维性瘢痕组织生长过度的组合物和方法。

相关技术描述

许多医用植入物和装置的临床功能取决于能够有效维持解剖学的或通过外科手术造成的间隔或通道的装置。不幸地，许多植入到体内的装置经受来自周围宿主组织的“异物”反应。特别是，由外科手术导致的对管状解剖结构(如血管，胃肠道，男性和女性生殖道，尿道，窦道，脊神经根管，泪管，咽鼓管，听管和呼吸道)的损伤和/或由医用装置的植入造成的损伤可导致称为“狭窄”(或狭缩)的众所周知的临床问题。对在操作中对上皮层或整个体管的创伤响应而发生狭窄，所述操作包括实际上尝试减轻通道阻塞的任何操作，因此狭窄是限制针对稍后将要描述的各种疾病的侵入性治疗的有效性的一个主要因素。

狭窄(或“再狭窄”，如果在最初成功努力打开闭塞的通道以后问题再出现)是一种对损伤的应答形式，其导致壁增厚，腔狭缩，和特定通道供应的组织的功能丧失。在介入操作中的物理伤害导致对组成壁的管的上皮层和平滑肌细胞(SMCs)的损伤。损伤的细胞，特别是SMCs，释放细胞因子，这些细胞因子将炎性细胞如巨噬细胞、淋巴细胞和嗜中性粒细胞(即已知的白细胞中的一些)募集到该区域内。白细胞又释放多种另外的细胞因子、生长因子和组织降解酶，它们影响壁组成细胞(主要是上皮细胞和SMCs)的行为。SMCs的刺激诱导它们迁移至身体通道的内面(经常称为“内膜”)，增殖和分泌胞外基质一用反应性、纤维性瘢痕组织有效填充全部或部分的腔。总而言之，这造成了内膜层的增厚(在一些组织中称为“新内膜增生”)，使得通道的腔变窄并且可能足够显著而阻塞它的腔。

本发明公开了抑制过量纤维(瘢痕)组织的生成的一个或多个方面的药剂。另外，描述了组合物和方法，用药物传递组合物涂布医用装置和植入物以使在足以允许正常愈合的期间内、在治疗水平上传递药剂。并且最后，描述了许多特定的植入物和装置，作为被涂布减少过多瘢痕形成和纤维性组织累积的药剂的结果，它们产生优越的临床结果以及其它相关优势。

发明概述

简而言之，一方面，本发明提供经由医用植入物或可植入的医用装置传递所选治疗剂的组合物，以及制备和使用这些植入物和装置的方法。在本发明的一个方面，提供了药物涂布的或药物浸渍的植入物和医用装置，它们减少在围绕所述装置或植入物的组织中的纤维变性，或抑制所述装置/植入物表面上的瘢痕发展，由此增强该过程的功效。在各种实施方案中，通过局部或系统释放特定的药剂来抑制纤维变性，所述药剂定位于所述相邻组织。

在机械或外科手术介入后的组织修复涉及两个不同过程：(1)再生(通过相同类型的细胞替换损伤的细胞)和(2)纤维变性(通过结缔组织替换损伤的细胞)。纤维变性(或瘢痕形成)过程存在四个一般部分，包括：新血管的形成(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重塑(纤维性组织的成熟和组织化)。在本发明的一个实施方案中，植入物或装置适合于释放通过一种或多种本文所述机理抑制纤维变性或再生的药剂。

在本发明还有的其他方面，提供用于制备医用装置或植入物的方法，该方法包含涂布(例如，喷雾，浸渍，包覆或通过其施用药物)医用装置或植入物的步骤。另外，可以构造植入物或医用装置以使所述装置本身由抑制植入物之中或周围的纤维变性的材料组成。在本发明上下文中可以利用各种各样的医用装置和植入物，这取决于所需治疗的位点和性质。

在本发明的相关方面，提供了血管斯滕特固定模，胃肠道斯滕特固定模，气管/支气管斯滕特固定模，生殖-尿道斯滕特固定模，ENT斯滕特固定模，眼内透镜，用于肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的植入物，血管移植物，吻合连接装置，外科用的粘连屏障，青光眼引流(drainage)装置，人工心脏瓣膜，鼓膜造孔术管，阴茎植入物，CVCs，心室辅助植入物(例如，LVAD′s)，脊柱假体，气管内和气管造口插管，腹膜透析导管，颅内压监视器，腔静脉滤器，和胃肠引流管，包含植入物或装置，其中所述植入物或装置与在体内抑制纤维变性的药剂联合。

在本发明的各个实施方案中，植入物或装置另外涂布有组合物或化合物，所述组合物或化合物在植入后将所述抑制纤维变性的药剂活性的开始延迟一段时间。这些试剂的代表性实例包括肝素，PLGA/MePEG，PLA和聚乙二醇。在另外的实施方案中，在调配之前、之间或之后活化抑制纤维变性的植入物或装置(例如，将装置上的非活性药剂首先活化为减少或抑制体内纤维变性反应的药剂)。

在本发明的各个实施方案中，装置或植入物在一个面、部分或表面涂布有抑制纤维变性的组合物，并且在装置的另一个面、部分或表面上涂布有促进瘢痕形成的组合物或化合物。促进纤维变性和瘢痕形成的药剂的代表性实例包括丝，绒毛(wool)，硅石，博来霉素，新霉素，滑石粉，金属铍，和铜，及其类似物和衍生物。

本发明还提供了治疗经历外科手术、内窥镜或微创疗法的患者的方法，其中作为过程的一部分放置医用装置或植入物。如本文所用，应当理解“抑制纤维变性或狭窄”是指装置中或周围的瘢痕组织量的统计学上显著的减少或在装置/植入物的内腔区的改善，其可能或可能不导致所述装置/植入物的任何并发症或的失效的永久抑制。

利用药剂和组合物来产生新的药物涂布的植入物和医用装置，它们减少了对植入的异物反应并且限制了包围装置的组织的表面上或周围的反应性组织的生长，使得性能增强。在许多情形中，使用装置来维持体腔或通道如血管，胃肠道，男性和女性生殖道，尿道，骨性通道(例如，窦道，脊神经根管，泪管，咽鼓管，听管)，和呼吸道，其中在操作后时期由瘢痕组织导致的装置的阻塞产生不利的临床后果或介入失败。相对于未涂布的装置，涂布有所选药剂的医用装置和植入物可以提供显著的临床优势，所述药剂设计来抑制瘢痕组织生长过度和保持开放。

例如，一方面本发明涉及包含医用植入物和下列各项之中至少一种的装置：(i)抗瘢痕形成剂和(ii)包含抗瘢痕形成剂的组合物。存在所述药剂以便抑制瘢痕形成，否则当将植入物放置在动物体内时会发生瘢痕形成。在另一方面，本发明涉及方法，其中将植入物和下列各项之中至少一种放置到动物体内：(i)抗瘢痕形成剂和(ii)包含抗瘢痕形成剂的组合物，所述药剂抑制瘢痕形成，否则可发生瘢痕形成。本发明的这些和其它方面总结如下。

因此，在不同的独立方面，本发明提供以下各项：装置，包含胃肠植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含下腔静脉滤器植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含中枢神经系统分流装置(shunt)植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含压力监测植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含腹膜透析导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含气管内导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含气管造口插管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含阴茎植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含鼓膜造孔术管和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含人工心脏瓣膜植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含青光眼引流植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含提供外科用的粘连屏障的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含吻合连接植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含传感(sensing)植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含用于冠状动脉疾病心包治疗的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含血管移植植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含用于治疗肥大性瘢痕的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含用于治疗瘢痕疙瘩的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含眼内透镜植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含ENT斯滕特固定模植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含生殖-尿道斯滕特固定模植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含气管/支气管斯滕特固定模植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成；装置，包含GI斯滕特固定模植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述药剂抑制瘢痕形成。这些和其他装置在本文中更详细地描述。

在上述装置的每一个中，在分别的方面本发明提供：所述药剂是细胞周期抑制剂；所述药剂是蒽环霉素；所述药剂是紫杉烷；所述药剂是鬼臼毒素；所述药剂是免疫调节剂；所述药剂是热激蛋白90拮抗剂；所述药剂是HMGCoA还原酶抑制剂；所述药剂是肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂；所述药剂是NFκB抑制剂；所述药剂是p38 MAP激酶抑制剂。这些和其他药剂在本文中更详细地描述。

在另外的方面，对于与上述药剂各自组合的上述装置中的每一个，对于每种组合，独立地公开了药剂可以存在于与聚合物在一起的组合物中。在这方面的一个实施方案中，聚合物是生物可降解的。在这方面的另一个实施方案中，聚合物是非生物可降解的。在本文中更详细地阐明所述聚合物的其他特征和特点，其可以针对上述装置和药剂的每种组合来描述本发明。

除了装置以外，本发明还提供方法。例如，在本发明的另外的方面，对于上述装置的每一个，和对于上述装置与抗瘢痕形成剂的每种组合，本发明提供将指定装置植入到动物体内的方法，并且与装置相关的指定药剂抑制瘢痕形成，否则瘢痕形成可能发生。本文确定的装置中的每一个可以是“指定的装置(specified装置)”，并且本文中鉴定的每种抗瘢痕形成剂可以是“抗瘢痕形成剂”，其中本发明在独立的实施方案中提供装置和药剂的每一种可能组合。

在将装置放置到动物体内前，本发明可以与装置结合。例如，药剂(或含有药剂的组合物)可以涂布到植入物上，然后将获得的装置放置在动物体内。另外，或备选地，可以将药剂独立地放置在动物体内，邻近将要或正要将装置放置到动物体内的地方。例如，可以将药剂喷雾或者放置在将与医用植入物接触的组织上，否则可能经受瘢痕形成。为此，本发明在独立的方面提供：抑制瘢痕形成的方法，包含将胃肠植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将下腔静脉滤器和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将中枢神经系统分流装置植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将压力监测植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将腹膜透析导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将气管内导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将气管造口插管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将阴茎植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将鼓膜造孔术管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将人工心脏瓣膜植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将青光眼引流植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将压力监测植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将药物传递泵植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将吻合连接植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将传感植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将用于冠状动脉疾病的心包治疗的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将血管移植植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将治疗肥大性瘢痕的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将治疗瘢痕疙瘩的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将眼内透镜植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将ENT斯滕特固定模植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将生殖-尿道斯滕特固定模植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将气管/支气管斯滕特固定模植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成；抑制瘢痕形成的方法，包含将GI斯滕特固定模植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述药剂抑制瘢痕形成。

在上述方法的每一个中，在分开的方面，本发明提供：所述药剂是细胞周期抑制剂；所述药剂是蒽环霉素；所述药剂是紫杉烷；所述药剂是鬼臼毒素；所述药剂是免疫调节剂；所述药剂是热激蛋白90拮抗剂；所述药剂是HMGCoA还原酶抑制剂；所述药剂是肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂；所述药剂是NFκB抑制剂；所述药剂是p38MAP激酶抑制剂。本文更详细地描述了这些和其他药剂。

在另外的方面，对于联合上述各种药剂的上述方法中的每一个，对于每种组合，独立地公开了药剂可以存在于与聚合物在一起的组合物中。在这方面的一个实施方案中，聚合物是生物可降解的。在这方面的另一个实施方案中，聚合物是非生物可降解的。在本文中更详细地阐明所述聚合物的其他特征和特点，其可以针对上述装置和药剂的每种组合来描述本发明。

在参考下列详细描述和附图后，本发明的这些和其他方面将变得明显。另外，本文列举了各种参考文献，它们更详细地描述了某些方法和/或组合物(例如聚合物)，并因此通过参考完整地结合于此。

附图简述

图1是显示细胞周期抑制剂如何作用于生物学途径中的一个或多个步骤的图解。

图2是显示筛选测定结果的图表，所述筛选测定用于评估米托蒽醌(米托蒽醌IC₅₀＝20nM)对人成纤维细胞增殖的影响。

图3是显示来自大鼠气囊损伤模型的未受损伤的颈动脉的照片。

图4是显示来自大鼠气囊损伤模型的受损伤的颈动脉的照片。

图5是显示在大鼠气囊损伤模型中紫杉醇/网眼(mesh)处理的颈动脉的照片(在10∶90PLG网眼上涂布的50∶50PLG中的345μg紫杉醇)。

图6A用示意图描述了基质金属蛋白酶的转录调节。

图6B是显示IL-1刺激AP-1转录活性的印迹。

图6C是显示IL-1诱导的结合活性在来自用紫杉醇预处理的软骨细胞的裂解物中降低的图表。

图6D是显示IL-1诱导在RNA水平上增加软骨细胞中的胶原酶和溶基质素、并且该诱导可以通过用紫杉醇预处理来抑制的印迹。

图7A-H是显示不同抗微管剂在抑制胶原酶表达中的效果。

图8是显示筛选测定结果的图表，所述筛选测定用于评估紫杉醇对平滑肌细胞迁移的影响(紫杉醇IC₅₀＝0.76nM)。

图9是显示筛选测定结果的图表，所述筛选测定用于评估格尔德霉素对巨噬细胞生产IL-1β的影响(对于THP-1细胞生产IL-1βIC₅₀＝20nM)。

图10是显示筛选测定结果的图表，所述筛选测定用于评估格尔德霉素对巨噬细胞生产IL-8的影响(对于THP-1细胞生产IL-8IC₅₀＝27nM)。

图11是显示筛选测定结果的图表，所述筛选测定用于评估格尔德霉素对巨噬细胞生产MCP-1的影响(对于THP-1细胞生产MCP-1 IC₅₀＝7nM)。

图12是显示筛选测定结果的图表，所述筛选测定用于评估米托蒽醌对巨噬细胞生产一氧化氮的影响。

图13是显示筛选测定结果的图表，所述筛选测定用于评估不同治疗剂对巨噬细胞生产TNF-α的影响。

图14是显示筛选测定结果的图表，所述筛选测定用于评估雷帕霉素对人成纤维细胞的增殖的影响。

图15是显示筛选测定结果的图表，所述筛选测定用于评估雷帕霉素浓度对THP-1细胞生产TNFα的影响。

图16是显示筛选测定结果的图表，所述筛选测定用于评估紫杉醇对平滑肌细胞增殖的影响。

图17是显示筛选测定结果的图表，所述筛选测定用于评估紫杉醇对人成纤维细胞增殖的影响。

图18是显示筛选测定结果的图表，所述筛选测定用于评估紫杉醇(IC₅₀＝134nM)对鼠RAW 264.7巨噬细胞细胞系的增殖的影响。

发明详述

定义

在阐述本发明之前，首先阐明本文所用的某些术语的定义可能对于理解本发明是有帮助的。

除非另外指出，本文所述的任何浓度范围、百分比范围、或比率范围应当理解为包括在该范围内任何整数及其分数的浓度、百分比或比率，如整数的十分之一和百分之一。此外，除非另外指出，本文所述的涉及任何物理特征如聚合物单元、大小或厚度的任何数字范围应当理解为包括在所述范围内的任何整数。应当理解术语如以上和本文其他地方使用的“一种(a)”“一种(an)”是指“一种或多种”列举的组分。例如，“一种(a)”聚合物是指一种聚合物或包含两种或多种聚合物的混合物。如本文所用，术语“大约”是指±15％。

“纤维变性”、“瘢痕形成”或“纤维变性反应”是指响应于损伤或医学干预而形成纤维性组织。抑制纤维变性或瘢痕形成的治疗剂在本文中称为“纤维变性抑制剂”，“抗瘢痕形成剂”等，其中这些药剂通过一种或多种机制抑制纤维变性，所述机制包括：抑制血管生成，抑制结缔组织细胞(如成纤维细胞，平滑肌细胞，血管平滑肌细胞)的迁移或增殖，减少ECM生成，和/或抑制组织重塑。

同义使用“宿主”，“人”，“受试者”，“患者”等来表示其中植入本发明装置的生物。

“植入的”是指已经完全或部分放置装置到宿主内。当装置的一部分达到或延伸至宿主外部时，装置被部分植入。

同义使用“抑制纤维变性”，“减少纤维变性”等来表示药剂或组合物的作用，它们导致纤维性组织形成的统计学上显著的减少，在缺少所述药剂或组合物下预计将发生所述纤维性组织的形成。

“抑制剂”是指防止生物学过程发生或减缓生物学过程发生的速率或程度的试剂。所述过程可以是一般过程如瘢痕形成或者指特定的生物作用，如例如导致细胞因子释放的分子过程。

“拮抗剂”是指防止生物学过程发生或减缓生物学过程发生的速率或程度的试剂。尽管该过程可以是一般过程，典型地这是指药物机制，其中药物与分子竞争活性分子位点或防止分子与分子位点相互作用。在这些情形中，效果是分子过程被抑制。

“激动剂”是指刺激生物学过程或生物学过程发生的速率或程度的试剂。所述过程可以是一般过程如瘢痕形成或者指特定的生物作用，如例如导致细胞因子释放的分子过程。

“ 抗微管剂”应当理解为包括损害微管功能的任何蛋白质，肽，化学或其他分子，例如通过防止聚合或稳定聚合。稳定微管聚合的化合物在本文中称为“微管稳定剂”。各种各样的方法可以用于测定特定化合物的抗微管活性，包括例如Smith等(Cancer Lett 79(2)：213-219，1994)和Mooberry等，(Cancer Lett.96(2)：261-266，1995)描述的测定。

同义使用″医用装置″，″植入物″，″医用装置或植入物″，″植入物/装置″等来表示为了一个或多个治疗或预防目的而部分或完整地放置到患者体内的任何物体，如用于恢复生理功能，减轻与疾病相关的症状，传递治疗剂，和/或修复或替换或增强等损伤的或患病的器官和组织。尽管通常由异源的生物相容性合成材料(例如，医用级别的不锈钢，钛和其它金属，聚合物诸如聚氨酯，硅，PLA，PLGA和其它材料)组成，一些医用装置和植入物包括来自动物(例如，“异种移植物”诸如整个动物器官；动物组织诸如心脏瓣膜；自然存在或化学修饰分子诸如胶原蛋白，透明质酸，蛋白质，碳水化合物和其它)，人供体(例如，“同种移植物”诸如完整的器官；组织诸如骨移植物，皮肤移植物及其它)，或来自患者本身(例如，“自体移植物”诸如隐静脉移植物，皮肤移植物，腱/韧带/肌肉移植物)的材料。具体应用在本发明中的医用装置包括，但不限于，血管斯滕特固定模，胃肠道斯滕特固定模，气管/支气管斯滕特固定模，生殖-尿道斯滕特固定模，ENT斯滕特固定模，眼内透镜，用于肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的植入物，血管移植物，吻合连接装置，外科用的粘连屏障，青光眼引流装置，膜或网眼，人工心脏瓣膜，鼓膜造孔术管，阴茎植入物，气管内和气管造口插管，腹膜透析导管，颅内压监视器，腔静脉滤器，CVCs，心室辅助装置(例如，LVAD)，脊柱假体，和胃肠引流管。

“药剂的释放”是指已经从植入物/装置脱离的药剂或其亚成分的统计学显著的存在。

“生物可降解的”是指降解过程至少部分由生物系统介导和/或在其中进行的材料。“降解”是指聚合物链被裂解成寡聚物或单体的断链过程。断链可以发生在不同机制的整个过程中，包括化学反应(例如水解)或热或光分解过程。聚合物降解例如可以使用凝胶渗透色谱法(GPC)表征，凝胶渗透色谱法监视侵蚀和药物释放过程中聚合物分子量的变化。生物可降解的还指可以通过侵蚀过程降解的材料，该侵蚀过程由生物系统介导和/或在生物系统中进行。“侵蚀”是指其中物质从本体脱落的过程。在聚合物系统的情形中，物质可以是单体，寡聚体，聚合物主链的一部分，或聚合物本体的一部分。侵蚀包括(i)表面侵蚀，其中侵蚀仅作用于基质表面而非内部；和(ii)本体侵蚀，其中整个系统被快速水合并且聚合物链在整个基质中裂解。取决于聚合物的类型，侵蚀通常通过三种基本机制发生(参见例如，Heller，J.，CRC Critical Review in Therapeutic Drug Carrier Systems(1984)，1(1)，39-90)；Siepmann，J.等，Adv.Drug Del.Rev.(2001)，48，229-247)：(1)已经通过共价交联不溶解化和作为交联或主链增溶的水溶性聚合物经历水解裂解；(2)通过水解，离子化或质子化侧基使得最初水不溶性的聚合物增溶；和(3)通过主链裂解将疏水性聚合物转化为水溶性小分子。表征侵蚀的技术包括热分析(例如DSC)，X-射线衍射，扫描电子显微镜(SEM)，顺磁共振光谱学(EPR)，NMR成像，和在侵蚀实验过程中记录质量损失对于微球粒，可以应用光子关联能谱法(PCS)和其他粒径测量技术来监视可侵蚀的装置随时间的大小演变。

如本文所用，“类似物”是指在结构上类似于母体化合物、但是在组成上稍微不同(例如一个原子或官能团不同，增加或去除)的化学化合物。类似物可以具有或可以不具有与原有化合物不同的化学或物理性质，并且可以或可以不具有改善的生物学和/或化学活性。例如，与母体化合物相比，类似物可以更亲水或者它可以具有改变的反应性。类似物可以模拟母体化合物的化学和/或生物学活性(即，它可以具有类似或相同的活性)，或者在一些情形中，可以具有增加的或降低的活性。类似物可以是原有化合物的天然或非天然存在的(例如重组的)变体。类似物的实例有突变蛋白质(即其中至少一个氨基酸被缺失、增加或被另一氨基酸替换的蛋白质类似物)。其他类型的类似物包括异构体(对映异构体，非对映异构体等)和化合物的其他类型的手性变体，以及结构异构体。类似物可以是直链化合物的支链或环状变体。例如，直链化合物可以具有支链的或者被取代而赋予某些理想性能的(例如改善的亲水性或生物利用度)类似物。

如本文所用，“衍生物”是指化合物的化学或生物学改性的形式，其结构类似于母体化合物并且(实际上或理论上)衍生于该母体化合物。“衍生物”与“类似物”的区别在于母体化合物可以是产生“衍生物”的原材料，而母体化合物不一定用作原材料来产生“类似物”。衍生物可以或可以不具有与母体化合物不同的化学或物理性能。例如，与母体化合物相比，衍生物可以更亲水或者它可以具有改变的反应性。衍生作用(即改性)可以包括置换分子内的一个或多个部分(例如官能团变化)。例如，氢原子可以被卤素如氟或氯所取代，或者羟基(-OH)可以被羧酸部分(-COOH)置换。术语“衍生物”还包括母体化合物的偶联物和前药(即在生理条件下可以转化为原有化合物的化学改性的衍生物)。例如，前药可以是活性剂的非活性形式。在生理条件下，前药可以转化为化合物的活性形式。例如通过用酰基(酰基前药)或氨基甲酸酯基团(氨基甲酸酯前药)替代氮原子上的一个或两个氢原子，可以形成前药。更具体的与前药有关的信息例如见Fleisher等，Advanced Drug Delivery Reviews 19(1996)115；Design of Prodrugs，H.Bundgaard(ed.)，Elsevier，1985；或H.Bundgaard，Drugs of the Future 16(1991)443。术语“衍生物”还用于描述母体化合物的所有溶剂化物，例如水合物或加合物(例如与醇的加合物)，活性代谢物和盐。可以制备的盐的类型取决于化合物内部部分的性质。例如，酸性基团，例如羧酸基团可以形成例如碱金属盐或碱土金属盐(例如钠盐，钾盐，镁盐和钙盐，还有与生理可耐受的季铵离子的盐，和与氨水及生理可耐受的有机胺的酸加成盐，所述生理可耐受的有机胺如例如三乙胺，乙醇胺或三-(2-羟乙基)胺)。碱性基团可以例如与无机酸或有机羧酸和磺酸形成酸加成盐，所述无机酸如盐酸，硫酸或磷酸，所述有机羧酸和磺酸如乙酸，柠檬酸，苯甲酸，马来酸，富马酸，酒石酸，甲磺酸或对甲苯磺酸。同时含有碱性基团和酸性基团的化合物，例如除了碱性的氮原子以外还含有羧基，可以作为两性离子存在。通过本领域技术人员已知的常规方法可以获得盐，例如通过将化合物与无机或有机酸或碱在溶剂或稀释剂中合并，或者通过阳离子交换或阴离子交换来自其他盐。

如上所述，本发明提供与医用植入物有关的组合物，方法和装置，它们极大地增加了抑制所述装置或植入物表面上或周围的反应性瘢痕组织的形成的能力。以下更详细地描述了用于构建医用植入物的方法，用于生产抑制纤维变性的医用植入物的组合物和方法，和利用这些医用植入物的方法。

A. 医用植入物

一方面，本发明的医用植入物涂布有或者适合于释放抑制瘢痕组织形成的药剂。医用植入物的代表性实例包括：血管斯滕特固定模，胃肠道斯滕特固定模，气管/支气管斯滕特固定模，生殖-尿道斯滕特固定模，ENT斯滕特固定模，眼内透镜，用于肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的植入物，血管移植物，吻合连接装置，起搏器导联(lead)，CVCs，膜和网眼，心室辅助装置，脊柱假体，外科用的粘连屏障，青光眼引流装置，人工心脏瓣膜，鼓膜造孔术管，阴茎植入物，气管内和气管造口插管，腹膜透析导管，颅内压监视器，腔静脉滤器，和胃肠引流管。

B 治疗剂

基于诸如在实施例26-36中提供的那些的体外和体内(动物)模型，可以容易地测定适当的纤维变性或硬化-抑制剂。在实施例29中阐明的测定可以用于确定药剂是否能够抑制成纤维细胞和/或平滑肌细胞的细胞增殖。在本发明的一个方面，药剂对于抑制细胞增殖具有约10^-6至约10^-10M的IC₅₀。在实施例33中阐述的测定可以用于确定药剂是否可以抑制成纤维细胞和/或平滑肌细胞的迁移。在本发明的一个方面，药剂对于抑制细胞迁移具有约10^-6至约10^-9M的IC₅₀。本文阐述的测定可以用于测定药剂是否能够抑制炎性过程，包括巨噬细胞中的一氧化氮生产(实施例26)，和/或巨噬细胞生产TNF-α(实施例27)，和/或巨噬细胞生产IL-1β(实施例34)，和/或巨噬细胞生产IL-8(实施例35)，和/或通过巨噬细胞抑制MCP-1(实施例36)。在本发明的一个方面，药剂对于这些炎性过程中的每一个的抑制具有约10^-6至约10^-10M的IC₅₀。在实施例31中阐述的测定可以用于确定药剂是否能够抑制MMP生产。在本发明的一个方面，对于MMP生产的抑制药剂具有约10^-4至约10^-8M的IC₅₀。实施例39中阐述的测定(也称为CAM测定)可以用于确定药剂是否能够抑制血管生成。在本发明的一个方面，对于血管生成的抑制药剂具有约10^-6至约10^-10M的IC₅₀。抑制纤维变性的药剂还可以通过体内模型鉴定，包括抑制大鼠气囊颈动脉模型中内膜增生发展(实施例30)和/或减少兔外科手术粘连模型中外科手术粘连的形成(实施例28)。

已经鉴定了许多治疗性化合物，有效用于本发明的那些包括：

1) 血管生成抑制剂

在一个实施方案中，药理学活性化合物是血管生成抑制剂(例如2-ME(NSC-659853)，PI-88(D-甘露糖，O-6-O-膦酰基-α-D-吡喃甘露糖基-(1-3)-O-α-D-吡喃甘露糖基-(1-3)-O-α-D-吡喃甘露糖基-(1-3)-O-α-D-吡喃甘露糖基-(1-2)-氢硫酸酯)，沙利度胺(1H-异吲哚-1，3(2H)-二酮，2-(2，6-二氧代-3-哌啶基)-)，CDC-394，CC-5079，ENMD-0995(S-3-氨基-2-苯并[c]呋喃酮戊二酰亚胺)，AVE-8062A，Vatalanib，SH-268，氢溴酸卤夫酮，马来酸氢阿替莫德(2-氮杂-螺[4.5]癸烷-2-丙胺，N，N-二乙基-8，8-二丙基，马来酸氢盐)，ATN-224，CHIR-258，考布他汀A-4(苯酚，2-甲氧基-5-[2-(3，4，5-三甲氧基苯基)乙烯基]-，(Z)-)，GCS-100LE，或其类似物或衍生物)。

2) 5-脂肪氧合酶抑制剂和拮抗剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是5-脂肪氧合酶抑制剂或拮抗剂(例如，Wy-50295(2-萘乙酸)，α-甲基-6-(2-喹啉基甲氧基)-，(S)-)，ONO-LP-269(2，11，14-二十碳三烯酰胺，N-(4-羟基-2-(1H-四唑-5-基)-8-喹啉基)-，(E，Z，Z)-)，licofelone(1H-pyrrolizine-5-乙酸，6-(4-氯苯基)-2，3-二氢-2，2-二甲基-7-苯基-)，CMI-568(脲，N-丁基-N-羟基-N’-(4-(3-(甲磺酰基)-2-丙氧基-5-(四氢-5-(3，4，5-三甲氧苯基)-2-呋喃基)苯氧基)丁基)-，反式-)，IP-751((3R，4R)-(δ6)-THC-DMH-11-酸)，PF-5901(苯甲醇，α-戊基-3-(2-喹啉基甲氧基)-)，LY-293111(苯甲酸，2-(3-(3-[(5-乙基-4’-氟-2-羟基[1，1’-联苯基]-4-基)氧]丙氧基)-2-丙基苯氧基)-)，RG-5901-A(苯甲醇，α-戊基-3-(2-喹啉基甲氧基)-，盐酸盐)，利洛吡司(2(1H)-吡啶酮，6-((4-(4-氯苯氧基)苯氧基)甲基)-1-羟基-4-甲基-)，L-674636(乙酸，((4-(4-氯苯基)-1-(4-(2-喹啉基甲氧基)苯基)丁基)硫代)-AS))，7-((3-(4-甲氧基-四氢-2H-吡喃-4-基)苯基)甲氧基)-4-苯基萘并[2，3-c]呋喃-1(3H)-酮，MK-886(1H-吲哚-2-丙酸，1-((4-氯苯基)甲基)-3-[(1，1-二甲基乙基)硫代]-α，α-二甲基-5-(1-甲基乙基)-)，喹夫拉朋(1H-吲哚-2-丙酸，1-((4-氯苯基)甲基)-3-((1，1-二甲基乙基)硫代)-α，α-二甲基-5-(2-喹啉基甲氧基)-)，喹夫拉朋(1H-吲哚-2-丙酸，1-((4-氯苯基)甲基)-3-((1，1-二甲基乙基)硫代)-α，α-二甲基-5-(2-喹啉基甲氧基)-)，多西苯醌(2，5-环己二烯-1，4-二酮，2-(12-羟基-5，10-十二碳二炔基)-3，5，6-三甲基-)，齐留通(脲，N-(1-苯并(b)噻吩-2-基乙基)-N-羟基-)，或它的类似物或衍生物。

3) 趋化因子受体拮抗剂CCR(1，3，和5)

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是抑制一种或多种CCR(1，3，和5)亚型的趋化因子受体拮抗剂(例如，ONO-4128(1，4，9-三氮杂螺(5.5)十一烷-2，5-二酮，1-丁基-3-(环己基甲基)-9-((2，3-二氢-1，4-苯并二噁烯-6-基)甲基-)，L-381，CT-112(L-精氨酸，L-苏氨酰-L-苏氨酰-L-丝氨酰-L-谷氨酰胺酰-L-缬氨酰-L-精氨酰-L-脯氨酰-)，AS-900004，SCH-C，ZK-811752，PD-172084，UK-427857，SB-380732，vMIP II，SB-265610，DPC-168，TAK-779(N，N-二甲基-N-(4-(2-(4-甲基苯基)-6，7-二氢-5H-苯并环庚烯-8-基酰胺基)苯基)四氢-2H-吡喃-4-氯化铵)，TAK-220，KRH-1120)，GSK766994，SSR-150106，或它的类似物或衍生物)。其它的趋化因子受体拮抗剂的实例包括免疫因子(Immunokine)-NNS03，BX-471，CCX-282，Sch-350634；Sch-351125；Sch-417690；SCH-C，及其类似物和衍生物。

4) 细胞周期抑制剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是细胞周期抑制剂。这些试剂的代表实例包括紫杉烷类(例如，紫杉醇(在下面更详细的讨论)和多西他塞)(Schiff等人，Nature 277：665-667，1979；Long和Fairchid，CancerResearch 54：4355-4361，1994；Ringel和Horwitz，J.Nat’l cancer Inst.83(4)：288-291，1991；Pazdur等人，Cancer Treat.Rev.19(40)：351-386，1993)，依他硝唑，尼莫唑(B.A.Chabner和D.L.Longo.Cancer Chemotherapy andBiotherapy-Principles and Practice.Lippincott-Raven Publishers，纽约，1996，第554页)，具有高压氧的全氟化合物，transfusion，红细胞生成素，BW12C，烟酰胺，肼屈嗪，BSO，WR-2721，ludR，DUdR，依他硝唑，WR-2721，BSO，单取代的酮醛化合物(L.G.Egyud.Keto-aldehyde-amine additionproducts and method of making same.美国专利号4,066,650，1978年1月3日)，硝咪唑(K.C.Agrawal和M.Sakaguchi.Nitroimidazole radiosensitizersfor Hypoxic tumor cells and compositions thereof.美国专利号4,462,992，1984年7月31日)，5-取代的-4-硝咪唑(Adams等人，Int.J.Radiat.Biol.Relat.Stud.Phys.Chem.Med.40(2)：153-61，1981)，SR-2508(Brown等人，Int.J.Radiat.Oncol.，Biol.Phys.7(6)：695-703，1981)，2H-异吲哚二酮(J.A.Myers，2H-lsoindolediones，their synthesis and use as radiosensitizers.专利号No.4,494,547，1985年1月22日)，手性(((2-溴乙基)-氨基)甲基)-硝基-1H-咪唑-1-乙醇(V.G.Beylin等人，Process for preparing chiral(((2-bromoethyl)-amino)甲基)-nitro-1H-imidazole-1-ethanol and relatedcompounds.美国专利号5,543,527，1996年8月6日；美国专利号4,797,397；1989年1月10日；美国专利号5,342,959，1994年8月30日)，硝基苯胺衍生物(W.A.Denny，等。Nitroaniline derivatives and their use as anti-tumoragents.美国专利号5,571,845，1996年11月5日)，DNA-affinic低氧选择性细胞毒素(M.V.Papadopoulou-Rosenzweig.DNA-affinic hypoxia selectivecytotoxins.美国专利号5,602,142，1997年2月11日)，卤化的DNA配体(R.F.Martin.Halogenated DNA ligand radiosensitizers for cancer therapy.美国专利号5,641,764，1997年6月24日)，1，2，4苯并三嗪氧化物(W.W.Lee等1,2，4-benzotriazine oxides as radiosensitizers and selective cytotoxic agents.美国专利号5,616,584，1997年4月1日；美国专利号5,624,925，1997年4月29日；Process for Preparing 1，2，4 Benzotriazine oxides.美国专利号5,175,287，1992年12月29日)，氧化氮(J.B.Mitchell等人，Use of Nitric oxide releasingcompounds as hypoxic cell radiation sensitizers.美国专利号5,650,442，1997年7月22日)，2-硝咪唑衍生物(M.J.Sut等2-Nitroimidazole derivativesuseful as radiosensitizers for hypoxic tumor cells.美国专利号4,797,397，1989年1月10日；T.Suzuki.2-Nitroimidazole derivative，production thereof，andradiosensitizer containing the same as active ingredient.美国专利号5,270,330，1993年12月14日；T.Suzuki等2-Nitroimidazole derivative，productionthereof，and radiosensitizer containing the same as active ingredient.美国专利号5,270,330，1993年12月14日；T.Suzuki.2-Nitroimidazole derivative，production thereof and radiosensitizer containing the same as activeingredient；专利号EP0 513 351B1，1991年1月24日)，含氟硝基吡咯衍生物(T.Kagiya.Fluorine-containing nitroazole derivatives and radiosensitizercomprising the same.美国专利号4,927,941，1990年5月22日)，铜(M.J.Abrams.Copper Radiosensitizers.美国专利号5,100,885,1992年5月31日)，联合方式的癌症疗法(D.H.Picker等，Combination modality cancer therapy.美国专利号4,681,091，1987年7月21日)。5-CldC或(d)H₄U或5-卤代-2’-卤代-2’-脱氧-胞苷或-尿苷衍生物(S.B.Greer.Method and Materials forsensitizing neoplastic tissue to radiation.美国专利号4,894,364 1990年1月16日)，铂络合物(K.A.Skov.Platinum Complexes with one radiosensitizingligand.美国专利号4,921,963.1990年5月1日；K.A.Skov.PlatinumComplexes with one radiosensitizing ligand.专利号EP0 287 317A3)，含氟的硝基吡咯(T.Kagiya，Fluorine-containing nitroazole derivatives andradiosensitizer comprising the same.美国专利号4,927,941.1990年5月22日)，苯甲酰胺(W.W.Lee.Substituted Benzamide Radiosensitizers.美国专利号5,032,617，1991年7月16日)，自生素(L.G.Egyud.Autobiotics and theiruse in eliminating nonself cells in vivo.美国专利号5,147,652.1992年9月15日)，苯甲酰胺和烟酰胺(W.W.Lee等Benzamide and NictoinamideRadiosensitizers.美国专利号5,215,738，1993年6月1日)，吖啶-嵌入剂(M.Papadopoulou-Rosenzweig.Acridine Intercalator based hypoxia selectivecytotoxins.美国专利号5,294,715，1994年3月15日)，含氟硝基咪唑(T.Kagiya等Fluorine containing nitroimidazole compounds.美国专利号5,304,654，1994年4月19日)，羟基化的texaphyrins(J.L.Sessler等人Hydroxylated texaphrins.美国专利号5,457,183，1995年10月10日)，羟基化化合物的衍生物(T.Suzuki等Heterocyclic compound derivative，productionthereof and radiosensitizer and antiviral agent containing said derivative asactive ingredient.公开号011106775A(日本)，1987年10月22日；T.Suzuki等Heterocyclic compound derivative，production thereof and radiosensitizer，antiviral agent and anti cancer agent containing said derivative as activeingredient.公开号01139596 A(日本)，1987年11月25日；S.Sakaguchi等Heterocyclic compound derivative，its production and radiosensitizercontaining said derivative as active ingredient；公开号63170375A(日本)，1987年1月7日)，含氟3-硝基-1，2，4-三唑(T.Kagitani等Novelfluorine-containing 3-nitro-1，2，4-triazole and radiosensitizer containing samecompound.公开号02076861A(日本)，1988年3月31日)，5-硫代四唑衍生物或它的盐(E.Kano等Radiosensitizer for Hypoxic cell.公开号61010511A(日本)，1984年6月26日)，硝基噻唑(T.Kagitani等Radiation-sensitizingagent.公开号61167616A(日本)1985年1月22日)，咪唑衍生物(S.Inayma等Imidazole derivative.公开号6203767A(日本)1985年8月1日；公开号62030768 A(日本)1985年8月1日；公开号62030777A(日本)1985年8月1日)，4-硝基-1，2，3-三唑(T.Kagitani等Radiosensitizer.公开号62039525A(日本)，1985年8月15日)，3-硝基-1，2，4-三唑(T.Kagitani等Radiosensitizer.公开号62138427A(日本)，1985年12月12日)，制癌作用调节剂(H.Amagase.Carcinostatic action regulator.公开号63099017A(日本)，1986年11月21日)，4，5-二硝基咪唑衍生物

(S.Inayama.4，5-Dinitroimidazole derivative.公开号63310873A(日本)1987年6月9日)，硝基三唑化合物(T.Kagitanil.Nitrotriazole Compound.公开号07149737A(日本)1993年6月22日)，顺铂，doxorubin，米索硝唑，丝裂霉素，tiripazamine，亚硝基脲，巯嘌呤，甲氨蝶呤，氟尿嘧啶，博来霉素，长春新碱，卡铂，表柔比星，多柔比星，环磷酰胺，长春地辛，依托泊苷(I.F.Tannock.Review Article：Treatment of Cancer with Radiation and Drugs.Journal of Clinical Oncology 14(12)：3156-3174，1996)，喜树碱(Ewend M.G.等Local delivery of chemotherapy and concurrent external beam radiotherapyprolongs survival in metastatic brain tumor models.Cancer Research56(22)：5217-5223，1996)和紫杉醇(Tishler R.B.等Taxol：a novel radiationsensitizer.International Journal of Radiation Oncology and Biological Physics22(3)：613-617，1992)。

许多上述细胞周期抑制剂还有广泛多种的类似物和衍生物，其包括，但不限于顺铂，环磷酰胺，米索硝唑，tiripazamine，亚硝基脲，巯嘌呤，甲氨蝶呤，氟尿嘧啶，表柔比星，多柔比星，长春地辛和依托泊苷。类似物和衍生物包括(CPA)₂Pt[DOPLYM]和(DACH)Pt[DOLYM]顺铂(Choi等，Arch.Pharmacal Res.22(2)：151-156，1999)，顺式-(PtCl₂(4，7-H-5-甲基-7-氧代)1，2，4(三唑并(1，5-a)嘧啶)₂)(Navarro等，J.Med.Chem.41(3)：332-338，1998)，(Pt(顺式-1，4-DACH)(反式-Cl₂)(CBDCA))·_1/2MeOH顺铂(Shamsuddin等，Inorg.Chem.36(25)：5969-5971，1997)，4-吡哆酸二胺羟基铂(Tokunaga等，Pharm.Sci.3(7)：353-356，1997)，Pt(II)...Pt(II)(Pt₂(NHCHN(C(CH₂)(CH₃)))₄)(Navarro等，Inorg.Chem.35(26)：7829-7835，1996)，254-S顺铂类似物(Koga等人，Neurol.Res.18(3)：244-247，1996)，携带顺铂类似物的邻位-苯二胺配体(Koeckerbauer & Bednarski，J.Inorg.Biochem.62(4)：281-298，1996)，反式，顺式-Pt(OAc)₂I₂(en))(Kratochwil等，J.Med.Chem.39(13)：2499-2507，1996)，携带顺铂类似物的雌激素的1，2-二芳基乙二胺配体(具有含硫的氨基酸和谷胱甘肽)(Bednarski，J.Inorg.Biochem.62(1)：75，1996)，顺式-1，4-二氨基环己烷顺铂类似物(Shamsuddin等，J.Inorg.Biochem.61(4)：291-301，1996)，顺式-Pt(NH₃)(4-氨基TEMP-O){d(GpG)}]的5’取向同分异构体(Dunham& Lippard，J.Am.Chem.Soc.117(43)：10702-12，1995)，携带鳌合联胺的顺铂类似物(Koeckerbauer&Bednarski，J.Pharm.Sci.84(7)：819-23，1995)，携带1，2-二芳基乙二胺配体的顺铂类似物(Otto等，J.CancerRes.Clin.Oncol.121(1)：31-8，1995)，(乙二胺)铂(II)复合物(Pasini等，J.Chem.Soc.，Dalton Trans.4：579-85，1995)，CI-973顺铂类似物(Yang等，Int.J.Oncol.5(3)：597-602，1994)，顺式-二氨二氯铂(II)和它的类似物顺式-1，1-环丁烷dicarbosylato(2R)-2-甲基-1，4-丁二氨铂(II)和顺式-二氨(glycolato)铂(Claycamp&Zimbrick，J.Inorg.Biochem.26(4)：257-67，1986；Fan等，Cancer Res.48(11)：3135-9，1988；Heiger-Bemays等，Biochemistry29(36)：8461-6，1990；Kikkawa等，J.Exp.Clin.CancerRes.12(4)：233-40，1993；Murray等，Biochemistry 3l(47)：11812-17，1992；Takahashi等，CancerChemother.Pharmacol.33(1)：31-5，1993)，顺式-胺-环己胺-二氯铂(II)(Yoshida等，Biochem.Pharmacol.48(4)：793-9，1994)，偕-双磷酸盐顺铂类似物(FR2683529)，(中-1，2-二(2，6-二氯-4-羟基苯基(plenyl))乙二胺)二氯铂(II)(Bednarski等，J.Med.Chem.35(23)：4479-85，1992)，包含束缚的丹酰基团的顺铂类似物(Hartwig等，J.Am.Chem.Soc.114(21)：8292-3，1992)，铂(II)多胺(Siegmann等，Inorg.Met.-Containing Polym.Mater.，(Proc.Am.Chem.Soc.Int.Symp.)，335-61，1990)，顺式-(3H)二氯(乙二胺)铂(II)(Eastman，Anal.Biochem.197(2)：311-15，1991)，反式-二胺二氯铂(II)和顺式-Pt(NH₃)₂(N₃-胞嘧啶)C1)(Bellon & Lippard，Biophys.Chem.35(2-3)：179-88，1990)，3H-顺式-1，2-二氨基环己烷二氯铂(II)和3H-顺式-1，2-二氨基环己烷-丙二酸根合铂(II)(Oswald等，Res.Commun.Chem.Pathol.Pharmacol.64(1)：41-58，1989)，二氨基羧酸根合铂(EPA296321)，携带反式-(D，1)-1，2-二氨基环己烷载体配体的铂类似物(Wyrick&Chaney，J.Labelled Compd.Radiopharm.25(4)：349-57，1988)，氨基烷基氨基蒽醌-衍生的顺铂类似物(Kitov等，Eur.J.Med.Chem.23(4)：381-3，1988)，螺铂，卡铂，异丙铂和JM40铂类似物(Schroyen等，Eur.J.CancerClin.Oncol.24(8)：1309-12，1988)，包含双齿叔二胺的顺铂衍生物(Orbell等，Inorg.Chim.Acta152(2)：125-34，1988)，铂(II)，铂(IV)(Liu & Wang，Shandong Yike Daxue Xuebao 24(1)：35-41，1986)，顺式-二氨(1，1-环丁烷二羧酸根合)铂(II)(卡铂，JM8)和乙二氨-丙二酸根合铂(II)(JM40)(Begg等，Radiother Oncol.9(2)：157-65，1987)，JM8和JM9顺铂类似物(Harstrick等，Int.J.Androl.10(1)；139-45，1987)，(NPr4)2((PtCL4).顺式-(PtCl₂-(NH₂Me)₂))(Brammer等，J.Chem.Soc.，Chem.Commun.6：443-5，1987)，脂肪族的三羧酸铂复合物(EPA185225)，顺式-二氯(氨基酸)(叔-丁基胺)铂(II)复合物(Pasini & Bersanetti，Inorg.Chim.Acta 107(4)：259-67，1985)；4-氢过氧环磷酰胺(Ballard等，Cancer Chemother.Pharmacol.26(6)：397-402，1990)，无环尿苷环磷酰胺衍生物(Zakerinia等，Helv.Chim.Acta 73(4)：912-15，1990)，1，3，2-二氧杂-和-oxazaphosphorinane环磷酰胺类似物(Yang等，Tetrahedron 44(20)：6305-14，1988)，C5-取代的环磷酰胺类似物(Spada，University of Rhode Island Dissertation，1987)，四氢嗪环磷酰胺类似物(Valente，University of Rochester Dissertation，1988)，二苯酮环磷酰胺类似物(Hales等，Teratology 39(1)：31-7，1989)，二苯酮磷酰胺环磷酰胺类似物(Ludeman等，J.Med.Chem.29(5)：716-27，1986)，ASTA Z-7557环磷酰胺类似物(Evans等，Int.J.Cancer 34(6)：883-90，1984)，3-(1-氧-2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基)环磷酰胺(Tsui等，J.Med.Chem.25(9)：1106-10，1982)，2-氧代二(2-β-氯乙基氨基)-4-，6-二甲基-1，3，2-oxazaphosphorinane环磷酰胺(Carpenter等，Phosphorus Sulfur12(3)：287-93，1982)，5-氟-和5-氯环磷酰胺(Foster等，J.Med.Chem.24(12)：1399-403，1981)，顺式-和反式-4-苯基环磷酰胺(Boyd等，J.Med.Chem.23(4)：372-5，1980)，5-溴环磷酰胺，3，5-脱氢环磷酰胺(Ludeman等，J.Med.Chem.22(2)：151-8，1979)，4-乙氧基羰基环磷酰胺类似物(Foster，J Pharm.Sci.67(5)：709-10，1978)，芳基氨基四氢-2H-1，3，2-oxazaphosphorine 2-氧化物环磷酰胺类似物(Hamacher，Arch.Pharm.(Weinheim，Ger.)310(5)：J，428-34，1977)，NSC-26271环磷酰胺类似物(Montgomery&Struck，Cancer Treat.Rep.60(4)：J381-93，1976)，苯并成环的环磷酰胺类似物(Ludeman & Zon，J.Med.Chem.18(12)：J1251-3，1975)，6-三氟甲基环磷酰胺(Farmer & Cox，J.Med.Chem.18(11)：J1106-10，1975)，4-甲基环磷酰胺和6-甲基环磷酰胺类似物(Cox等，Biochem.Pharmacol.24(5)：J599-606，1975)；FCE 23762多柔比星衍生物(Quaglia等，J.Liq.Chromatogr.17(18)：3911-3923，1994)，安那霉素(Zou等，J.Pharm.Sci.82(11)：1151-1154，1993)，ruboxyl(Rapoport等，J.Controlled Release58(2)：153-162，1999)，蒽环霉素二糖多柔比星类似物(Pratesi等，Clin.CancerRes.4(11)：2833-2839，1998)，N-(三氟乙酰基)多柔比星和4’-O-乙酰基-N-(三氟乙酰基)多柔比星(Berube & Lepage，Synth.Commun.28(6)：1109-1116，1998)，2-吡咯啉并多柔比星(Nagy等，Proc Nat’l Acad.Sci.U.S.A.95(4)：1794-1799，1998)，二糖多柔比星类似物(Arcamone等，J.Nat’l Cancer Inst89(16)：1217-1223，1997)，4-脱甲氧基-7-O-[2，6-双脱氧-4-O-(2，3，6-三脱氧-3-氨基-α-L-来苏-己糖吡喃糖基)-α-L-来苏-己糖吡喃糖基]adriamicinone多柔比星二糖类似物(Monteagudo等，Carbohydr.Res.300(1)：11-16，1997)，2-吡咯啉并多柔比星(Nagy等，Proc.Nat’l Acad.Sci.U.S.A.94(2)：652-656，1997)，吗啉基多柔比星类似物(Duran等，Cancer Chemother.Pharmacol.38(3)：210-216，1996)，烯氨基丙二酰基-β-丙氨酸多柔比星衍生物(Seitz等，Tetrahedron Lett.36(9)：1413-16，1995)，头孢菌素多柔比星衍生物(Vrudhula等，J.Med.Chem.38(8)：1380-5，1995)，hydroxyrubicin(Solary等，Int.JCancer(1)：85-94，1994)，甲氧基吗啉代多柔比星衍生物(Kuhl等，CancerChemother.Pharmacol.33(1)：10-16，1993)，(6-顺丁烯二酰亚氨基己酰基)腙多柔比星衍生物(Willner等，Bioconjugate Chem.4(6)：521-7，1993)，N-(5，5-二乙酰氧基戊-1-基)多柔比星(Cherif&Farquhar，J.Med.Chem.35(17)：3208-14，1992)，FCE 23762甲氧基吗啉基多柔比星衍生物(Ripamonti等，Br.J.Cancer 65(5)：703-7，1992)，N-羟基琥珀酰亚胺酯多柔比星衍生物(Demant等，Biochim.Biophys.Acta 1118(1)：83-90，1991)，聚脱氧核苷酸多柔比星衍生物(Ruggiero等，Biochim.Biophys.Acta 1129(3)：294-302，1991)，吗啉基多柔比星衍生物(EPA 434960)，米托蒽醌多柔比星类似物(Krapcho等，J.Med.Chem.34(8)：2373-80.1991)，ADl98多柔比星类似物(Traganos等，Cancer Res.51(14)：3682-9，1991)，4-脱甲氧基-3’-N-三氟乙酰基多柔比星(Horton等，Drug Des.Delivery 6(2)：123-9，1990)，4’-表多柔比星(Drzewoski等，Pol.J.Pharmacol.Pharm.40(2)：159-65，1988；Weenen等，Eur.J.CancerClin.Oncol.20(7)：919-26，1984)，烷基化的氰基吗啉代多柔比星衍生物(Scudder等，J.Natl.Cancer Inst.80(16)：1294-8，1988)，deoxydihydroiodooxorubicin(EPA 275966)，阿霉素(Kalishevskaya等，Vestn.Mosk.Univ.，16(Biol.1)：21-7，1988)，4’-脱氧多柔比星(Schoelzel等，Leuk.Res.10(12)：1455-9，1986)，4-脱甲氧基-4’-o-甲基多柔比星(Giuliani等，Proc.Int Congr.Chemother.16：285-70-285-77，1983)，3’-脱氨基-3’-羟基多柔比星(Horton等，J.Antibiot 37(8)：853-8，1984)，4-脱甲氧基多柔比星类似物(Barbieri等，Drugs Exp.Clin.Res.10(2)：85-90，1984)，N-L-亮氨酰多柔比星衍生物(Trouet等，Anthracyclines(Proc.Int.Symp.Tumor Pharmacother.)，179-81，1983)，3’-脱氨基-3’-(4-甲氧基-1-哌啶基)多柔比星衍生物(4,314,054)，3’-脱氨基-3’-(4-吗啉基)多柔比星衍生物(4,301,277)，4’-脱氧多柔比星和4’-邻位-甲基多柔比星(Giuliani等，Int J.Cancer27(1)：5-13，1981)，苷元多柔比星衍生物(Chan & Watson，J.Pharm.Sci.67(12)：1748-52，1978)，SM 5887(Pharma Japan 1468：20，1995)，MX-2(Pharma Japan1420：19，1994)，4’-脱氧-13(S)-二氢-4’-碘代多柔比星(EP275966)，吗啉基多柔比星衍生物(EPA434960)，3’-脱氨基-3’-(4-甲氧基-1-哌啶基)多柔比星衍生物(4,314,054)，多柔比星-14-戊酸(盐)酯，吗啉代多柔比星(5,004,606)，3’-脱氨基-3’-(3″-氰基-4″-吗啉基多柔比星；3’-脱氨基-3’-(3″-氰基-4″-吗啉基)-13-二氢多柔比星；(3’-脱氨基-3’-(3″-氰基-4″-吗啉基)柔红霉素；3’-脱氨基-3’-(3″-氰基-4″-吗啉基)-3-二氢柔红霉素；和3’-脱氨基-3’-(4″-吗啉基-5-亚氨基多柔比星和衍生物(4,585,859)，3’-脱氨基-3’-(4-甲氧基-1-哌啶基)多柔比星衍生物(4,314,054)和3-脱氨基-3-(4-吗啉基)多柔比星衍生物(4,301,277)；4，5-二甲基米索硝唑(Born等，Biochem.Pharmacol.43(6)：1337-44，1992)，偶氮和氧化偶氮米索硝唑衍生物(Gattavecchia&Tonelli，Int.J.Radiat.Biol.Relat.Stud.Phys.，Chem.Med.45(5)：469-77，1984)；RB90740(Wardman等，Br.J.Cancer，74 Suppl.(27)：S70-S74，1996)；6-溴和6-氯-2，3-二氢-1，4-苯并噻嗪亚硝基脲衍生物(Rai等，Heterocycl.Commun.2(6)：587-592，1996)，二氨基酸亚硝基脲衍生物(Dulude等，Bioorg.Med.Chem.Lett.4(22)：2697-700，1994；Dulude等，Bioorg.Med.Chem.3(2)：151-60，1995)，氨基酸亚硝基脲衍生物(Zheleva等，Pharmazie50(1)：25-6，1995)，3’，4’-二脱甲氧基-3’，4’-二氧-4-脱氧鬼臼毒素亚硝基脲衍生物(Miyahara等，Heterocycles 39(1)：361-9，1994)，ACNU(Matsunaga等，Immunopharmacology 23(3)：199-204，1992)，叔膦氧化物亚硝基脲衍生物(Guguva等，Pharmazie 46(8)：603，1991)，磺胺甲嘧啶(sulfamerizine)和磺胺甲基硫代二嗪亚硝基脲衍生物(Chiang等，Zhonghua Yaozue Zazhi43(5)：401-6，1991)，胸苷亚硝基脲类似物(Zhang等，CancerCommun.3(4)：119-26，1991)，1，3-二(2-氯乙基)-1-亚硝基脲(August等，CancerRes.51(6)：1586-90，1991)，2，2，6，6-四甲基-1-氧代哌啶鎓亚硝基脲衍生物(U.S.S.R.1261253)，2-和4-脱氧糖亚硝基脲衍生物(4，902，791)，硝酰基亚硝基脲衍生物(U.S.S.R.1336489)，福莫斯汀(Boutin等，Eur.J.CancerClin.Oncol.25(9)：1311-16，1989)，嘧啶(II)亚硝基脲衍生物(Wei等，Chung-hua Yao Hsueh Tsa Chih 41(1)：19-26，1989)，CGP 6809(Schieweck等，Cancer Chemother.Pharmacol.23(6)：341-7，1989)，B-3839(Prajda等，InVivo 2(2)：151-4，1988)，5-卤代胞嘧啶亚硝基脲衍生物(Chiang &Tseng，Tai-wan Yao Hsueh Tsa Chih 38(1)：37-43，1986)，1-(2-氯乙基)-3-异丁基-3-(β-麦芽糖基)-1-亚硝基脲(Fujimoto & Ogawa，J.Pharmacobio-Dyn.10(7)：341-5，1987)，含硫的亚硝基脲(Tang等，Yaoxue Xuebao 21(7)：502-9，1986)，蔗糖，6-((((2-氯乙基)亚硝基氨基-)羰基)氨基)-6-脱氧蔗糖(NS-1C)和6’-((((2-氯乙基)亚硝基氨基)羰基)氨基)-6’-脱氧蔗糖(NS-1D)亚硝基脲衍生物(Tanoh等，Chemotherapy(Tokyo)33(11)：969-77，1985)，CNCC，RFCNU和氯脲菌素(Mena等，Chemotherapy(Basel)32(2)：131-7，1986)，CNUA(Edanami等，Chemotherapy(Tokyo)33(5)：455-61，1985)，1-(2-氯乙基)-3-异丁基-3-(β-麦芽糖基)-1-亚硝基脲(Fujimoto & Ogawa，Jpn.J.CancerRes.(Gann)76(7)：651-6，1985)，类胆碱亚硝基烷基脲(Belyaev等，Izv.Akad.NAUK SSSR，Ser.Khim.3：553-7，1985)，蔗糖亚硝基脲衍生物(JP84219300)，磺胺药亚硝基脲类似物(Chiang等，Proc.Natl.Sci.Counc.，Repub.China，Part A 8(1)：18-22，1984)，DONU(Asanuma等，J.Jpn.Soc.Cancer Ther.17(8)：2035-43，1982)，N，N’-二(N-(2-氯乙基)-N-亚硝基氨基甲酰基)胱胺(CNCC)(Blazsek等，Toxicol.Appl.Pharmacol.74(2)：250-7，1984)，二甲基亚硝基脲(Krutova等，Izv.Akad.NAUK SSSR，Ser.Biol.3：439-45，1984)，GANU(Sava & Giraldi，Cancer Chemother.Pharmacol.10(3)：167-9，1983)，CCNU(Capelli等，Med.，Biol.，Environ.11(1)：111-16，1983)，5-氨基甲基-2’-脱氧尿苷亚硝基脲类似物(Shiau，Shih Ta HsuehPao(Taipei)27：681-9，1982)，TA-077(Fujimoto & Ogawa，Cancer Chemother.Pharmacol.9(3)：134-9，1982)，龙胆三糖亚硝基脲衍生物(JP82 80396)，CNCC，RFCNU，RPCNU和氯脲菌素(CZT)(Marzin等，INSERMSymp.，19(亚硝基脲s Cancer Treat.)：165-74，1981)，硫代秋水仙碱亚硝基脲类似物(George，Shih Ta Hsueh Pao(Taipei)25：355-62，1980)，2-氯乙基-亚硝基脲(Zeller & Eisenbrand，Oncology 38(1)：39-42，1981)，ACNU，(1-(4-氨基-2-甲基-5-嘧啶基)甲基-3-(2-氯乙基)-3-亚硝基脲盐酸盐)(Shibuya等，Gan ToKagaku Ryoho 7(8)：1393-401，1980)，N-脱乙酰基甲基硫代秋水仙碱亚硝基脲类似物(Lin等，J.Med.Chem.23(12)：1440-2，1980)，吡啶和哌啶亚硝基脲衍生物(Crider等，J.Med.Chem.23(8)：848-51，1980)，甲基-CCNU(Zimber &Perk，Refu.Vet.35(1)：28，1978)，phensuzimide亚硝基脲衍生物(Crider等，J.Med.Chem.23(3)：324-6，1980)，麦角灵亚硝基脲衍生物(Crider等，J.Med.Chem.22(1)：32-5，1979)，吡喃葡萄糖亚硝基脲衍生物(JP78 95917)，1-(2-氯乙基)-3-环己基-1-亚硝基脲(Farmer等，J.Med.Chem.21(6)：514-20，1978)，4-(3-(2-氯乙基)-3-亚硝基脲基)-顺式-环己烷羧酸(Drewinko等，CancerTreat.Rep.61(8)：J1513-18，1977)，RPCNU(ICIG 1163)(Lamicol等，Biomedicine 26(3)：J176-81，1977)，IOB-252(Sorodoc等，Rev.Roum.Med.Virol.28(1)：J55-61，1977)，1，3-二(2-氯乙基)-1-亚硝基脲(BCNU)(Siebert &Eisenbrand，Mutat.Res.42(1)：J45-50，1977)，1-四羟基环戊基-3-亚硝基-3-(2-氯乙基)-脲(4,039,578)，d-1-1-(β-氯乙基)-3-(2-氧代-3-六氢氮杂基)-1-亚硝基脲(3,859,277)和龙胆三糖亚硝基脲衍生物(JP57080396)；6-S-氨基酰氧基甲基巯嘌呤衍生物(Harada等，Chem.Pharm.Bull.43(10)：793-6，1995)，6-巯基嘌呤(6-MP)(Kashida等，Biol.Pharm.Bull.18(11)：1492-7，1995)，7，8-多亚甲基咪唑-1，3，2-二氮杂phosphorines(Nilov等，Mendeleev Commun.2：67，1995)，硫唑嘌呤(Chifotides等，J.Inorg.Biochem.56(4)：249-64，1994)，甲基-D-葡糖吡喃葡萄糖苷巯基嘌呤衍生物(Da Silva等，Eur.J.Med.Chem.29(2)：149-52，1994)和s-炔基巯基嘌呤衍生物(Ratsino等，Khim.-Farm.Zh.15(8)：65-7，1981)；二氢吲哚环和修饰的携带鸟氨酸或谷氨酸的氨甲蝶呤衍生物(Matsuoka等，Chem.Pharm.Bull.45(7)：1146-1150，1997)，携带烷基-取代的苯环C的氨甲蝶呤衍生物(Matsuoka等，Chem.Pharm.Bull.44(12)：2287-2293，1996)，携带苯并噁嗪或苯并噻嗪部分的氨甲蝶呤衍生物(Matsuoka等，J.Med.Chem.40(1)：105-111，1997)，10-脱氮杂氨基喋呤类似物(DeGraw等，J.Med.Chem.40(3)：370-376，1997)，5-脱氮杂氨基喋呤和5，10-二脱氮杂氨基喋呤氨甲蝶呤类似物(Piper等，J.Med.Chem.40(3)：377-384，1997)，携带二氢吲哚部分的氨甲蝶呤衍生物(Matsuoka等，Chem.Pharm.Bull.44(7)：1332-1337，1996)，亲脂的酰胺氨甲蝶呤衍生物(Pignatello等，WorldMeet.Pharm.，Biopharm.Pharm.Technol.，563-4，1995)，L-苏-(2S，4S)-4-氟谷氨酸和包含DL-3，3-二氟谷氨酸的氨甲蝶呤类似物(Hart等，J.Med.Chem.39(1)：56-65，1996)，氨甲蝶呤四氢喹唑啉类似物(Gangjee，等，J.Heterocycl.Chem.32(1)：243-8，1995)，N-(α-氨基酰基)氨甲蝶呤衍生物(Cheung等，Pteridines 3(1-2)：101-2，1992)，生物素氨甲蝶呤衍生物(Fan等，Pteridines 3(1-2)：131-2，1992)，D-谷氨酸或D-erythrou，苏-4-氟谷氨酸氨甲蝶呤类似物(McGuire等，Biochem.Pharmacol.42(12)：2400-3，1991)，β，γ-亚甲基氨甲蝶呤类似物(Rosowsky等，Pteridines 2(3)：133-9，1991)，10-脱氮杂氨基喋呤(10-EDAM)类似物(Braakhuis等，Chem.Biol.Pteridines，Proc.Int.Symp.Pteridines Folic Acid Deriv.，1027-30，1989)，γ-四唑氨甲蝶呤类似物(Kalman等，Chem.Biol Pteridines，Proc.Int.Symp.Pteridines Folic AcidDeriv.，1154-7，1989)，N-(L-α-氨基酰基)氨甲蝶呤衍生物(Cheung等，Heterocycles 28(2)：751-8，1989)，氨基蝶呤的间位或邻位同分异构体(Rosowsky等，J.Med.Chem.32(12)：2582，1989)，羟基甲基氨甲蝶呤(DE267495)，γ-氟氨甲蝶呤(McGuire等，Cancer Res.49(16)：4517-25，1989)，多谷氨酰基氨甲蝶呤衍生物(Kumar等，Cancer Res.46(10)：5020-3，1986)，偕-二磷酸氨甲蝶呤类似物(WO88/06158)，α-和γ-取代的氨甲蝶呤类似物(Tsushima等，Tetrahedron 44(17)：5375-87，1988)，5-甲基-5-脱氮杂氨甲蝶呤类似物(4,725,687)，Nδ-酰基-Nα-(4-氨基-4-脱氧蝶酰基)-L-鸟氨酸衍生物(Rosowsky等，J.Med.Chem.31(7)：1332-7，1988)，8-脱氮杂氨甲蝶呤类似物(Kuehl等，Cancer Res.48(6)：1481-8，1988)，阿西维辛氨甲蝶呤类似物(Rosowsky等，J.Med.Chem.30(8)：1463-9，1987)，聚合的川铂氨甲蝶呤衍生物(Carraher等，Polym.Sci.Technol.(Plenum)，35(Adv.Biomed.Polym.)：311-24，1987)，氨甲蝶呤-γ-双肉豆蔻酰磷脂酰乙醇胺(Kinsky等，Biochim.Biophys.Acta 917(2)：211-18，1987)，氨甲蝶呤聚谷氨酸酯类似物(Rosowsky等，Chem.Biol.Pteridines，Pteridines Folid Acid Deriv.，Proc.Int.Symp.Pteridines Folid Acid Deriv.：Chem.，Biol.Clin.Aspects：985-8，1986)，聚-γ-谷氨酰基氨甲蝶呤衍生物(Kisliuk等，Chem.Biol.Pteridines，Pteridines FolidAcid Deriv.，Proc.Int.Symp.Pteridines Folid Acid Deriv.：Chem.，Biol.Clin.Aspects：989-92，1986)，脱氧尿苷酸氨甲蝶呤衍生物(Webber等，Chem.Biol.Pteridines，Pteridines Folid Acid Deriv.，Proc.Int.Symp.Pteridines Folid AcidDeriv.：Chem.，Biol.Clin Aspects：659-62，1986)，碘乙酰基赖氨酸氨甲蝶呤类似物(Delcamp等，Chem.Biol.Pteridines，Pteridines Folid Acid Deriv.，Proc.Int.Symp.Pteridines Folid Acid Deriv.：Chem.，Biol.Clin.Aspects：807-9，1986)，含2，ω.-二氨基链烷酸的氨甲蝶呤类似物(McGuire等，Biochem.Pharmacol.35(15)：2607-13，1986)，聚谷氨酸氨甲蝶呤衍生物(Kamen & Winick，MethodsEnzymol.122(Vitam.Coenzymes，Pt.G)：339-46，1986)，5-甲基-5-脱氮杂类似物(Piper等，J.Med.Chem.29(6)：1080-7，1986)，喹唑啉氨甲蝶呤类似物(Mastropaolo等，J.Med.Chem.29(1)：155-8，1986)，吡嗪氨甲蝶呤类似物(Lever & Vestal，J.Heterocycl.Chem.22(1)：5-6，1985)，磺基丙氨酸和高磺基丙氨酸氨甲蝶呤类似物(4,490,529)，γ-叔-丁基氨甲蝶呤酯(Rosowsky等，J.Med.Chem.28(5)：660-7，1985)，氟化氨甲蝶呤类似物(Tsushima等，Heterocycles 23(1)：45-9，1985)，叶酸盐氨甲蝶呤类似物(Trombe，J.Bacteriol.160(3)：849-53，1984)，膦酰基谷氨酸类似物(Sturtz &Guillamot，Eur.J.Med.Chem.-Chim.Ther.19(3)：267-73，1984)，多(L-赖氨酸)氨甲蝶呤共轭物(Rosowsky等，J.Med.Chem.27(7)：888-93，1984)，二赖氨酸和三赖氨酸氨甲蝶呤衍生物(Forsch & Rosowsky，J.Org.Chem.49(7)：1305-9，1984)，7-羟基氨甲蝶呤(Fabre等，Cancer Res.43(10)：4648-52，1983)，多-γ-谷氨酰基氨甲蝶呤类似物(Piper & Montgomery，Adv.Exp.Med.Biol.，163(Folyl Antifolyl Polyglutamates)：95-100，1983)，3’，5’-二氯氨甲蝶呤(Rosowsky & Yu，J.Med.Chem.26(10)：1448-52，1983)，二偶氮酮和氯甲基酮氨甲蝶呤类似物(Gangjee等，J.Pharm.Sci.71(6)：717-19，1982)，10-炔丙基氨基蝶呤和烷基氨甲蝶呤同系物(Piper等，J.Med.Chem.25(7)：877-80，1982)，氨甲蝶呤的外源凝集素衍生物(Lin等，JNCI 66(3)：523-8，1981)，聚谷氨酸氨甲蝶呤衍生物(Galivan，Mol.Pharmacol.17(1)：105-10，1980)，卤化氨甲蝶呤衍生物(Fox，JNCI 58(4)：J955-8，1977)，8-烷基-7，8-二氢类似物(Chaykovsky等，J.Med.Chem.20(10)：J1323-7，1977)，7-甲基氨甲蝶呤衍生物和二氯氨甲蝶呤(Rosowsky & Chen，J.Med.Chem.17(12)：J1308-11，1974)，亲脂的氨甲蝶呤衍生物和3’，5’-二氯氨甲蝶呤(Rosowsky，J.Med.Chem.16(10)：J1190-3，1973)，脱氮杂氨甲蝶呤类似物(Montgomery等，Ann.N.Y.Acad.Sci.186：J227-34，1971)，MX068(Pharma Japan，1658：18，1999)和磺基丙氨酸和高磺基丙氨酸氨甲蝶呤类似物(EPA0142220)；5-氟尿嘧啶的N3-烷基化类似物(Kozai等，J.Chem.Soc.，Perkin Trans.1(19)：3145-3146，1998)，具有1，4-oxaheteroepane部分的5-氟尿嘧啶衍生物(Gomez等，Tetrahedron54(43)：13295-13312，1998)，5-氟尿嘧啶和核苷类似物(Li，AnticancerRes.17(1A)：21-27，1997)，顺式-和反式-5-氟-5，6-二氢-6-烷氧基尿嘧啶(Vander Wilt等，Br.J.Cancer 68(4)：702-7，1993)，环戊烷5-氟尿嘧啶类似物(Hronowski & Szarek，Can.J.Chem.70(4)：1162-9，1992)，A-OT-氟尿嘧啶(Zhang等，Zongguo Yiyao Gongye Zazhi 20(11)：513-15，1989)，N4-三甲氧基苯甲酰基-5’-脱氧-5-氟胞苷和5’-脱氧-5-氟尿苷(Miwa等，Chem.Pharm.Bull.38(4)：998-1003，1990)，1-己基氨基甲酰基-5-氟尿嘧啶(Hoshi等，J.Pharmacobio-Dun.3(9)：478-81，1980 Maehara等，Chemotherapy(Basel)34(6)：484-9，1988)，B-3839(Prajda等，In Vivo 2(2)：151-4，1988)，尿嘧啶-1-(2-四氢呋喃基)-5-氟尿嘧啶(Anai等，Oncology 45(3)：144-7，1988)，1-(2’-脱氧-2’-氟-β-D-阿糖呋喃糖基)-5-氟尿嘧啶(Suzuko等，Mol.Pharmacol.31(3)：301-6，1987)，去氧氟尿苷(Matuura等，Oyo Yakuri 29(5)：803-31，1985)，5’-脱氧-5-氟尿苷(Bollag & Hartmann，Eur.J.Cancer 16(4)：427-32，1980)，1-乙酰基-3-O-甲苯甲酰-5-氟尿嘧啶(Okada，Hiroshima J.Med.Sci.28(1)：49-66，1979)，5-氟尿嘧啶-间-甲酰苯-磺酸酯(盐)(JP55059173)，N’-(2-furanidyl)-5-氟尿嘧啶(JP53149985)和1-(2-四氢呋喃基)-5-氟尿嘧啶(JP52089680)；4’-表多柔比星(Lanius，Adv.Chemother.Gastrointest.Cancer，(Int.Symp.)，159-67，1984)；N-取代的脱乙酰基长春碱酰胺(长春地辛)硫酸酯(盐)(Conrad等，J.Med.Chem.22(4)：391-400，1979)；和Cu(II)-VP-16(依托泊苷)复合物(Tawa等，Bioorg.Med.Chem.6(7)：1003-1008，1998)，具有吡咯碳脒基的依托泊苷类似物(Ji等，Bioorg.Med.Chem.Lett.7(5)：607-612，1997)，4β-氨基依托泊苷类似物(Hu，University of North Carolina Dissertation，1992)，γ-内酯环-修饰的芳基氨基依托泊苷类似物(Zhou等，J.Med.Chem.37(2)：287-92，1994)，N-葡糖基依托泊苷类似物(Allevi等，TetrahedronLett.34(45)：7313-16，1993)，依托泊苷A-环类似物(Kadow等，Bioorg.Med.Chem.Lett.2(1)：17-22，1992)，4’-脱羟-4’-甲基依托泊苷(Saulnier等，Bioorg.Med.Chem.Lett.2(10)：1213-18，1992)，摆锤环依托泊苷类似物(Sinha等，Eur.J.Cancer 26(5)：590-3，1990)和E-环脱氧依托泊苷类似物(Saulnier等，J.Med.Chem.32(7)：1418-20，1989)。

在本发明的一个优选实施方案中，细胞周期抑制剂是紫杉醇，一种通过结合微管蛋白形成异常有丝分裂的纺锤体破坏有丝分裂(M-期)的化合物，或它的类似物或衍生物。简而言之，紫杉醇是一种高度衍生的二萜类化合物(Wani等，J.Am.Chem.Soc.93：2325，1971)，其从短叶紫杉(Taxusbrevifolia)(太平洋紫杉(Pacific Yew))和Taxomyces Andreanae收获和干燥的树皮中和太平洋紫杉的内生真菌上获得(Stierle等，Science 60：214-216，1993)。″紫杉醇″(其在本文应该理解为包括制剂，前体药物，类似物和衍生物诸如例如TAXOL(Bristol-Myers Squibb公司，New York，NY)，TAXOTERE(Aventis Pharmaceuticals，法国)，多西他赛，紫杉醇的10-去乙酰基类似物和紫杉醇的3’N-脱苯甲酰基-3’N-叔-丁氧基羰基类似物)可以使用本领域技术人员熟悉的技术容易地进行制备(见，例如，Schiff等，Nature 277：665-667，1979；Long和Fairchild，Cancer Research 54：4355-4361，1994；Ringel和Horwitz，J.Natl.Cancer Inst.83(4)：288-291，1991；Pazdur等，Cancer Treat.Rev.19(4)：351-386，1993；WO94/07882；WO94/07881；WO94/07880；WO94/07876；WO93/23555；WO93/10076；WO94/00156；WO93/24476；EP 590267；WO94/20089；美国专利号5,294,637；5,283,253；5,279,949；5,274,137；5,202,448；5,200,534；5,229,529；5,254,580；5,412,092；5,395,850；5,380,751；5,350,866；4,857,653；5,272,171；5,411,984；5,248,796；5,248,796；5,422,364；5,300,638；5,294,637；5,362,831；5,440,056；4,814,470；5,278,324；5,352,805；5,411,984；5,059,699；4,942,184；Tetrahedron Letters 35(52)：9709-9712，1994；J.Med.Chem.35：4230-4237，1992；J.Med.Chem.34：992-998，1991；J.Natural Prod.57(10)：1404-1410，1994；J.Natural Prod.57(11)：1580-1583，1994；J.Am.Chem.Soc.110：6558-6560，1988)，或从许多商业来源获得，所述商业来源包括例如，Sigma Chemical Co.，St.Louis，Missouri(T7402-来自短叶紫杉(Taxus brevifolia))。

紫杉醇衍生物或类似物的代表实例包括7-脱氧-多西他赛(docetaxol)，7，8-cyclopropataxanes，N-取代的2-azetidones，6，7-环氧紫杉醇，6，7-修饰的紫杉醇，10-去乙酰氧基紫杉醇，10-去乙酰基紫杉醇(来自10-去乙酰基浆果赤霉素III)，紫杉醇的膦酰氧基和碳酸酯衍生物，紫杉醇2’，7-二(1，2-苯二羧酸钠，10-去乙酰氧基-11，12-二氢紫杉醇-10，12(18)-二烯衍生物，10-去乙酰氧基紫杉醇，Protaxol(2’-和/或7-O-酯衍生物)，(2’-和/或7-O-碳酸酯衍生物)，紫杉醇侧链的不对称合成，氟紫杉醇，9-脱氧紫杉烷类，(13-乙酰基-9-脱氧浆果赤霉素III，9-脱氧紫杉醇，7-脱氧-9-脱氧紫杉醇，10-去乙酰氧基-7-脱氧-9-脱氧紫杉醇，含氢或乙酰基基团和羟基和叔-丁氧基羰基氨基的衍生物，磺化的2’-丙烯酰紫杉醇和磺化的’-O-酰基酸紫杉醇衍生物，琥珀酰紫杉醇，2’-γ-氨基丁酰基紫杉醇甲酸酯，2’-乙酰基紫杉醇，7-乙酰基紫杉醇，7-甘氨酸氨基甲酸酯紫杉醇，2’-OH-7-PEG(5000)氨基甲酸酯紫杉醇，2’-苯甲酰基和2’，7-二苯甲酰基紫杉醇衍生物，其它的前体药物(2’-乙酰基紫杉醇；2’，7-二乙酰基紫杉醇；2’琥珀酰紫杉醇；2’-(β-丙氨酰)-紫杉醇)；2’γ-氨基丁酰基紫杉醇甲酸酯，2’-琥珀酰紫杉醇的乙二醇衍生物；2’-戊二酰紫杉醇；2’-(N，N-二甲基甘氨酰)紫杉醇；2’-(2-(N，N-二甲基氨基)丙酰基)紫杉醇；2’邻位羧基苯甲酰基紫杉醇；紫杉醇的2’脂肪族的羧酸衍生物，前体药物{2’(N，N-二乙基氨基丙酰基)紫杉醇，2’(N，N-二甲基甘氨酰)紫杉醇，7(N，N-二甲基甘氨酰)紫杉醇，2’，7-二(N，N-二甲基甘氨酰)紫杉醇，7(N，N-二乙基氨基丙酰基)紫杉醇，2’，7-二(N，N-二乙基氨基丙酰基)紫杉醇，2’-(L-甘氨酰)紫杉醇，7-(L-甘氨酰)紫杉醇，2’，7-二(L-甘氨酰)紫杉醇，2’-(L-丙氨酰)紫杉醇，7-(L-丙氨酰)紫杉醇，2’，7-二(L-丙氨酰)紫杉醇，2-’(L-亮氨酰)紫杉醇，7-(L-亮氨酰)紫杉醇，2’，7-二(L-亮氨酰)紫杉醇，2’-(L-异亮氨酰)紫杉醇，7-(L-异亮氨酰)紫杉醇，2’，7-二(L-异亮氨酰)紫杉醇，2’(L-缬氨酰)紫杉醇，7-(L-缬氨酰)紫杉醇，2’，7-二(L-缬氨酰)紫杉醇，2’(L-苯丙氨酰)紫杉醇，7-(L-苯丙氨酰)紫杉醇，2’，7-二(L-苯丙氨酰)紫杉醇，2’-(L-脯氨酰)紫杉醇，7-(L-脯氨酰)紫杉醇，2’，7-二(L-脯氨酰)紫杉醇，2’-(L-赖氨酰)紫杉醇，7-(L-赖氨酰)紫杉醇，2’，7-二(L-赖氨酰)紫杉醇，2’-(L-谷氨酰)紫杉醇，7-(L-谷氨酰)紫杉醇，2’，7-二(L-谷氨酰)紫杉醇，2’(L-精氨酰)紫杉醇，7-(L-精氨酰)紫杉醇，2’，7-二(L-精氨酰)紫杉醇}，具有修饰的苯基异丝氨酸侧链的紫杉醇类似物，泰索帝，(N-去苯甲酰基-N-叔-(丁氧基羰基)-10-去乙酰基紫杉醇，和紫杉烷类(例如浆果赤霉素III，三尖杉宁碱(cephalomannine)，10-去乙酰基浆果赤霉素III，短叶苏木醇(brevifoliol)，yunantaxusin和紫杉素)；和其它紫杉烷类似物和衍生物，包括14-β-羟基-10去乙酰浆果赤霉素III，去苯甲酰基-2-酰基紫杉醇衍生物，苯甲酸酯紫杉醇衍生物，膦酰氧基和碳酸酯紫杉醇衍生物，磺化的2’-丙烯酰紫杉醇；磺化的2’-O-酰基酸紫杉醇衍生物，18-位-取代的紫杉醇衍生物，氯化的紫杉醇类似物，C4甲氧基醚紫杉醇衍生物，亚磺酰胺紫杉烷衍生物，溴化的紫杉醇类似物，Girard紫杉烷衍生物，硝基苯基紫杉醇，10-去乙酰基化的取代的紫杉醇衍生物，14-β-羟基-10去乙酰基浆果赤霉素III紫杉烷衍生物，C7紫杉烷衍生物，C10紫杉烷衍生物，2-去苯甲酰基-2-酰基紫杉烷衍生物，2-去苯甲酰基和-2-酰基紫杉醇衍生物，携带新C2和C4官能团的紫杉烷和浆果赤霉素III类似物，n-酰基紫杉醇类似物，10-去乙酰基浆果赤霉素III和来自10-去乙酰基紫杉醇A、10-去乙酰基紫杉醇B和10-去乙酰基紫杉醇的7-保护的-10-去乙酰基浆果赤霉素III，紫杉醇的苯甲酸酯衍生物，2-芳酰基-4-酰基紫杉醇类似物，原酸酯紫杉醇类似物，2-芳酰基-4-酰基紫杉醇类似物和1-脱氧紫杉醇和1-脱氧紫杉醇类似物。

在一方面，细胞周期抑制剂是具有式(C1)的紫杉烷：

其中灰色突出的部分可以被取代，未突出的部分是紫杉烷核。希望存在侧链(在图中标记“A”)以使化合物具有好的细胞周期抑制剂活性。具有该结构的化合物的实例包括紫杉醇(Merck索引项7117)，多西他赛(泰索帝，Merck索引项3458)，和3’-脱苯基-3’-(4-硝基苯基)-N-脱苯甲酰基-N-(叔丁氧羰基)-10-去乙酰紫杉醇。

在一方面，适当的紫杉烷类如紫杉醇及其类似物和衍生物在美国专利号5,440,056中公开，其具有结构(C2)：

其中X可以是氧(紫杉醇)，氢(9-脱氧衍生物)，硫代酰基，或二羟基前体；R₁选自紫杉醇或泰索帝侧链或式(C3)的烷酰基

其中R₇选自氢，烷基，苯基，烷氧基，氨基，苯氧基(取代或未取代)；R₈选自氢，烷基，羟烷基，烷氧基烷基，氨烷基，苯基(取代或未取代)，α或β-萘基；R₉选自氢，烷酰基，取代的烷酰基，和氨基烷酰基；其中取代基是指羟基，巯基，allalkoxyl，羧基，卤素，硫代烷氧基，N，N-二甲氨基，烷基氨基，二烷基氨基，硝基，和-OSO₃H，和/或可以是指含有这些取代基的基团；R₂选自氢或含氧基团，如氢，羟基，alkoyl，烷酰基氧基，氨基烷酰基氧基，和肽基烷酰基氧基，R₃选自氢或含氧基团，如氢，羟基，alkoyl，烷酰基氧基，氨基烷酰基氧基，和肽基烷酰基氧基，可以另外是含甲硅烷基基团或含硫基团；R₄选自酰基，烷基，烷酰基，氨基烷酰基，肽基烷酰基和芳酰基；R₅选自酰基，烷基，烷酰基，氨基烷酰基，肽基烷酰基和芳酰基；R₆选自氢或含氧基团，如氢，羟基alkoyl，烷酰基氧基，氨基烷酰基氧基，和肽基烷酰基氧基。

在一方面，在本发明中作为细胞周期抑制剂有效的紫杉醇类似物和衍生物在PCT国际专利申请WO93/10076中公开。如该出版物中公开，类似物或衍生物应当具有在C₁₃处与紫杉烷核连接的侧链，如以下结构所示(式C4)，以便对紫杉烷赋予抗肿瘤活性。

WO93/10076公开除了存在的甲基以外紫杉烷可以在任何位置取代。取代基可以包括例如氢，烷酰基氧基，链烯酰基氧基，芳酰基氧基。另外，桥氧基可以与标记2，4，9，和/或10的碳连接。同样，氧杂环丁烷环可以连接到碳原子4和5。另外，环氧乙烷可以连接到标记4的碳。

在一方面，在本发明中有效的基于紫杉烷的细胞周期抑制剂在美国专利5,440,056中公开，其公开9-脱氧紫杉烷类。这些是在以上所示的紫杉烷结构(式C4)中标记9的碳处缺少氧基的化合物。紫杉烷环可以在标记1、7和10的碳处(独立地)被H、OH、O-R、或O-CO-R取代，其中R是烷基或氨烷基。另外，它可以在标记2和4的碳处(独立地)被aryol，烷酰基，氨基烷酰基或烷基取代。式(C3)的侧链可以在R₇和R₈处(独立地)被苯环、取代的苯环、直链烷烃/烯烃、和含H、O或N的基团取代。R₉可以用H或取代的或未取代的烷酰基取代。

通常紫杉烷类，特别是紫杉醇，被认为通过作为抗微管剂和更具体地作为稳定剂起细胞周期抑制剂的作用。这些化合物已经在细胞增殖性疾病的治疗中显示有效，所述细胞增殖性疾病包括：非小细胞(NSC)肺癌；小细胞肺癌；乳腺癌；前列腺癌；子宫颈癌；子宫内膜癌；头颈癌。

在另一方面，抗微管剂(微管抑制剂)是阿苯达唑(氨基甲酸，[5-(丙硫基)-1H-苯并咪唑-2-基]-，甲酯)，LY-355703(1，4-二氧杂-8，11-二氮杂环十六碳-13-烯-2，5，9，12-四酮，10-[(3-氯-4-甲氧基苯基)甲基]-6，6-二甲基-3-(2-甲基丙基)-16-[(1S)-1-[(2S，3R)-3-苯基环氧乙烷基]乙基]-，(3S，10R，13E，16S)-)，长春地辛(长春碱，3-(氨基羰基)-O4-脱乙酰基-3-去(甲氧基羰基)-)，或WAY-174286。

在另一方面，细胞周期抑制剂是长春花属生物碱。长春花属生物碱具有下列通用结构。它们是吲哚-二氢吲哚二聚体。

如美国专利4,841,045和5,030,620所公开，R₁可以是甲酰基或甲基或备选地H。R₁还可以是烷基或醛取代的烷基(例如CH₂CHO)。R₂典型地是CH₃或NH₂基团。然而它可以备选地被低级烷基酯取代或与二氢吲哚核连接的酯可以被其中R是NH₂的C(O)-R，氨基酸酯或肽酯取代。R₃典型地是C(O)CH₃，CH₃或H。备选地，通过双官能基团如顺丁烯二酰氨基酸可以连接蛋白质片段。R₃还可以被取代形成可以被进一步取代的烷基酯。R₄可以是-CH₂-或单键。R₅和R₆可以是H，OH或低级烷基，典型地-CH₂CH₃。备选地R₆和R₇可以一起形成氧杂环丁烷环。R₇备选地可以是H。另外的取代基包括其中甲基被其它烷基取代和由此不饱和环可以通过加入侧基如烷基，烯基，炔基，卤素，酯基，酰胺基或氨基被衍生化的分子。

典型的长春花属生物碱是长春碱，长春新碱，长春新碱硫酸盐，长春地辛和长春瑞滨，其具有下列结构：

	R1	R2	R3	R4	R5
						长春碱：长春新碱：长春地辛：长春瑞滨：	CH3CH2OCH3CH3	CH3CH3NH2CH3	C(O)CH3C(O)CH3HCH3	OHOHOHH	CH2CH2CH2单键

类似物典型地要求侧基(阴影区域)以便具有活性。这些化合物被认为通过起抗微管剂，更具体地抑制聚合作用而作为细胞周期抑制剂。这些化合物已经在细胞增殖性疾病的治疗中显示有效，所述细胞增殖性疾病包括：NSC肺癌；小细胞肺癌；乳腺癌；前列腺癌；脑癌；头颈癌；成视网膜细胞瘤；膀胱癌；和阴茎癌；和软组织肉瘤。

在另一方面，细胞周期抑制剂是喜树碱，或其类似物或衍生物。喜树碱类具有下列通式结构。

在该结构中，X典型地为O，但可以是其它基团，例如在21-内酰胺衍生物的情形中为NH。R₁典型地为H或OH，但可以是其它基团，例如末端羟基化的C_1-3烷烃。R₂典型地是H或含氨基的基团如(CH₃)₂NHCH₂，但可以是其它基团，例如NO₂，NH₂，卤素(如在例如美国专利5,552,156中公开)或含有这些基团的短链烷烃。R₃典型地是H或短链烷基如C₂H₅。R₄典型地为H但可以是其它基团，例如与R₁的亚甲二氧基。

典型的喜树碱化合物包括托泊替康，依立替康(CPT-11)，9-氨基喜树碱，21-内酰胺-20(S)-喜树碱，10，11-亚甲二氧基喜树碱，SN-38，9-硝基喜树碱，10-羟基喜树碱。例举性的化合物具有下列结构：

	R1	R2	R3
				喜树碱：托泊替康：SN-38：	HOHOH	H(CH3)2NHCH2H	HHC2H5

X：对于大多数类似物为O，对于21-内酰胺为NH

喜树碱具有此处显示的五个环。为了最大活性和最小毒性标记E的环必须是完整的(内酯而不是羧酸酯形式)。这些化合物有效作为细胞周期抑制剂，其中它们可以起拓扑异构酶I抑制剂和/或DNA裂解剂的作用。它们已经显示有效用于治疗增殖性疾病，包括例如，NSC肺癌，小细胞肺癌，和子宫颈癌。

在另一方面，细胞周期抑制剂是鬼臼毒素，或其衍生物或类似物。典型的该类型的化合物是依托泊苷或替尼泊苷，其具有下列结构：

这些化合物被认为通过作为拓扑异构酶II抑制剂和/或通过DNA裂解剂起细胞周期抑制剂的作用。它们已经显示有效作为例如小细胞肺癌、前列腺癌、和脑癌以及成视网膜细胞瘤的抗增殖剂。

DNA  拓扑异构酶抑制剂的另一实例为盐酸勒托替康(11H-1，4-二氧芑并[2，3-g]吡喃并[3′，4′：6，7]中氮茚并[1，2-b]喹啉-9，12(8H，14H)-二酮，8-乙基-2，3-二氢-8-羟基-15-[(4-甲基-1-哌嗪基)甲基]-，二盐酸盐，(S)-)。

在另一方面，细胞周期抑制剂是蒽环霉素。蒽环霉素具有下列通用结构，其中R基团可以是多种有机基团：

按照美国专利5,594,158，适当的R基团是：R₁是CH₃或CH₂OH；R₂是daunosamine或H；R₃和R₄独立地是OH，NO₂，NH₂，F，Cl，Br，I，CN，H或衍生于这些的基团之一；R_5-7都是H或R₅和R₆是H并且R₇和R₈是烷基或卤素，或相反：R₇和R₈是H并且R₅和R₆是烷基或卤素。

按照美国专利5,843,903，R₂可以是偶联肽。按照美国专利4,215,062和4,296,105，R₅可以是OH或醚连接的烷基。R₁还可以通过除了C(O)的基团如在它末端具有C(O)连接部分的烷基或支链烷基，如-CH₂CH(CH₂-X)C(O)-R₁与蒽环霉素环连接，其中X是H或烷基(参见例如美国专利4,215,062)。R₂可以备选地是通过官能团＝N-NHC(O)-Y连接的基团，其中Y是诸如苯基或取代的苯环的基团。备选地R₃可以具有下列结构：

其中R₉是环平面内或外的OH，或是第二糖部分如R₃。R₁₀可以是H或与基团如芳基，含有至少一个环中的氮的饱和或部分饱和5或6元杂环形成仲胺(参见美国专利5,843,903)。备选地，R₁₀可以衍生于氨基酸，其具有结构-C(O)CH(NHR₁₁)(R₁₂)，其中R₁₁是H，或与R₁₂形成C_3-4构成的亚烷基。R₁₂可以是H，烷基，氨烷基，氨基，羟基，巯基，苯基，苄基或甲硫基(参见美国专利4,296,105)。

典型的蒽环霉素是多柔比星，柔红霉素，依达比星，表柔比星，吡柔比星，佐柔比星，和卡柔比星。适当的化合物具有下列结构：

	R1	R2	R3
					多柔比星：表柔比星：	OCH3OCH3	CH2OHCH2OH	OH在环平面外OH在环平面内
(多柔比星的4’差向异构体)
					柔红霉素：依达比星：吡柔比星佐柔比星卡柔比星	OCH3HOCH3OCH3OH	CH3CH3OH＝N-NHC(O)C6HCH3		OH在环平面外OH在环平面外ABB

其它适当的蒽环霉素类是蒽环霉素，米托蒽醌，美诺立尔，诺加霉素，阿克拉霉素A，橄榄霉素A，色霉素A₃，和普卡霉素，其具有下列结构：

认为这些化合物通过作为拓扑异构酶抑制剂和/或通过DNA裂解剂起细胞周期抑制剂的作用。这些化合物已经在细胞增殖性疾病的治疗中显示有效，所述细胞增殖性疾病包括：小细胞肺癌；乳腺癌；子宫内膜癌；头颈癌；成视网膜细胞瘤；肝癌；胆管癌；岛细胞癌；和膀胱癌；和软组织肉瘤。

在另一方面，细胞周期抑制剂是铂化合物。通常，铂络合物可以是Pt(II)或Pt(IV)，并具有这种基本结构：

其中X和Y是阴离子离去基团，如硫酸根，磷酸根，羧酸根，和卤素；R₁和R₂是烷基，胺，氨烷基，并且可以被进一步取代，是基本上惰性或桥连基。对于Pt(II)络合物Z₁和Z₂不存在。对于Pt(IV)Z₁和Z₂可以是阴离子基团如卤素，羟基，羧酸根，酯，硫酸根或磷酸根。参见例如美国专利4,588,831和4,250,189。

适当的铂络合物可以包含多个Pt原子。参见例如美国专利5,409,915和5,380,897。例如该类型的二铂和三铂络合物：

典型的铂化合物是顺铂，卡铂，奥沙利铂，和米铂，其具有下列结构：

这些化合物被认为通过与DNA结合，例如作为DNA的烷化剂，起细胞周期抑制剂的作用。这些化合物已经在细胞增殖性疾病的治疗中显示有效，所述细胞增殖性疾病包括：例如，NSC肺癌；小细胞肺癌；乳腺癌；子宫颈癌；脑癌；头颈癌；食道癌；成视网膜细胞瘤；肝癌；胆管癌；膀胱癌；阴茎癌；和外阴癌；和软组织肉瘤。

在另一方面，细胞周期抑制剂是亚硝基脲。亚硝基脲具有下列通用结构(C₅)，其中典型的R基团在下面显示。

R基团：

其它适当的R基团包括环烷烃，烷烃，卤素取代的基团，糖，芳基和杂芳基，膦酰基和磺酰基。如美国专利4,367,239所公开，R可以适当地是CH₂-C(X)(Y)(Z)，其中X和Y可以是相同或不同的下列基团成员：苯基，环己基，或被卤素，低级烷基(C_1-4)，三氟甲基，氰基，苯基，环己基，低级烷氧基(C_1-4)取代的苯基或环己基。Z具有下列结构：-亚烷基-N-R₁R₂，其中R₁和R₂可以是相同或不同的下列基团成员：低级烷基(C_1-4)和苄基，或者R₁和R₂可以一起形成饱和的5或6元杂环如吡咯烷，哌啶，吗啉，硫代吗啉，N-低级烷基哌嗪，其中杂环可以任选地用低级烷基取代。

如美国专利6,096,923所公开，式(C5)的R和R’可以相同或不同，其中各自可以是含有1-10个碳原子的取代或未取代的烃。取代基可以包括烃基，卤素，酯，酰胺，羧酸，醚，硫醚和醇基团。如美国专利4,472,379所公开，式(C5)的R可以是酰胺键和吡喃糖结构(例如甲基2’-(N-(N-(2-氯乙基)-N-亚硝基-氨基甲酰基)-甘氨酰基)氨基-2’-脱氧-α-D-吡喃葡糖苷)。如美国专利4,150,146所述，式(C5)的R可以是2-6个碳原子的烷基并且可以用酯，磺酰基，或羟基取代。它还可以用羧酸或CONH₂基团取代。

典型的亚硝基脲是BCNU(卡莫司汀)，甲基-CCNU(司莫司汀)，CCNU(洛莫司汀)，雷莫司汀，尼莫司汀，氯脲菌素，福莫司汀，和链佐星，其具有下列结构：

这些亚硝基脲化合物被认为通过与DNA结合，即通过用作DNA烷化剂起细胞周期抑制剂的作用。这些细胞周期抑制剂已经显示有效用于治疗细胞增殖性疾病，所述细胞增殖性疾病如例如，岛细胞癌；小细胞肺癌；黑素瘤；和脑癌。

在另一方面，细胞周期抑制剂是硝咪唑，其中典型的硝咪唑是甲硝唑，苄硝唑，依他硝唑，和米索硝唑，其具有下列结构：

	R1	R2	R3
				甲硝唑苄硝唑依他硝唑	OHC(O)NHCH2-苄基CONHCH2CH2OH	CH3NO2NO2	NO2HH

适当的硝咪唑化合物在例如美国专利4,371,540和4,462,992中公开。

在另一方面，细胞周期抑制剂是叶酸拮抗剂，如氨甲蝶呤或其衍生物或类似物，包括依达曲沙，三甲曲沙，雷替曲塞，吡曲克辛，二甲叶酸，拓优得，和蝶罗呤。氨甲蝶呤类似物具有下列通用结构：

R基团的身份可以选自有机基团，特别是在美国专利5,166,149和5,382,582中阐明的那些基团。例如，R₁可以是N，R₂可以是N或C(CH₃)，R₃和R₃’可以是H或烷基，例如CH₃，R₄可以是单键或NR，其中R是H或烷基。R_5，6，8可以是H，OCH₃，或备选地它们可以是卤素或氢基。R₇是下列通用结构的侧链：

其中对于氨甲蝶呤n＝1，对于蝶罗呤n＝3。可以将侧链中的羧基酯化或成盐如Zn²⁺盐。R₉和R₁₀可以是NH₂或可以是烷基取代的。

典型的叶酸拮抗剂化合物具有下列结构：

		R0	R1	R2	R3	R4	R5	R6	R7	R8
											氨甲蝶呤依达曲沙三甲曲沙蝶罗呤二甲叶酸吡曲克辛	e3	NH2NH2NH2NH2OHNH2	NNNNNN	NNC(CH3)NNC(CH3)H	HHHHCH3singlebond	N(CH3)N(CH2CH3)NHN(CH3)N(CH3)OCH3	HHHHHH	HHOCH3HHH	A(n＝1)A(n＝1)OCH3A(n＝3)A(n＝1)OCH3	HHOCH3HHH

这些化合物被认为通过用作叶酸的抗代谢物起细胞周期抑制剂的作用。它们已经显示有效用于治疗细胞增殖性疾病，所述细胞增殖性疾病包括例如，软组织肉瘤，小细胞肺癌；乳腺癌；脑癌；头颈癌；膀胱癌；和阴茎癌。

在另一方面，细胞周期抑制剂是胞苷类似物，如阿糖胞苷或其衍生物或类似物，其包括依诺他滨，FMdC((E(-2’-脱氧-2’-(氟亚甲基)胞苷)，吉西他滨，5-阿扎胞苷，安西他滨，和6-氮尿苷。典型的化合物具有下列结构：

		R1	R2	R3	R4
						阿糖胞苷依诺他滨吉西他滨阿扎胞苷FMdC	e1e	HC(O)(CH2)20CH3HHH	OHOHFHCH2F	HHFOHH	CHCHCHNCH

认为这些化合物作为嘧啶的抗代谢物起细胞周期抑制剂的作用。这些化合物已经显示有效用于治疗细胞增殖性疾病，所述细胞增殖性疾病包括例如，胰腺癌，乳腺癌，子宫颈癌，NSC肺癌，和胆管癌。

在另一方面，细胞周期抑制剂是嘧啶类似物。在一方面，嘧啶类似物具有下列通用结构：

其中糖环的2’，3’和5’位(分别R₂，R₃和R₄)可以是H，羟基，磷酰基(参见例如美国专利4,086,417)或酯(参见例如美国专利3,894,000)。酯可以是烷基，环烷基，芳基或杂环基/芳基类型。2’碳可以在R₂或R₂’处被羟基化，另一个基团是H。备选地，2’碳可以用卤素如氟或二氟胞苷如吉西他滨取代。备选地，糖可以为另一杂环基团如呋喃基或烷烃，烷基醚或连接烷烃如C(O)NH(CH₂)₅CH₃的酰胺取代。2°胺可以用与酰胺连接的脂族酰基(R₁)(参见例如美国专利3,991,045)或尿烷(参见例如美国专利3,894,000)键取代。它还可以进一步被取代形成季铵盐。嘧啶环中的R₅可以是N或CR，其中R是H，含卤素基团，或烷基(参见例如美国专利4,086,417)。R₆和R₇可以一起形成桥氧基或R₆＝-NH-R₁且R₇＝H。R₈是H或R₇和R₈一起可以形成双键或R₈可以是X，其中X是：

具体的嘧啶类似物在美国专利3,894,000中公开(参见例如2’-O-棕榈酰基-阿糖(ara)-胞苷，3’-O-苯甲酰基-阿糖-胞苷，和多于10个的其它实例)；美国专利3,991,045(参见例如N4-酰基-1-β-D-阿糖呋喃胞嘧啶，和其中列出的多种酰基衍生物，如棕榈酰基衍生物)。

在另一方面，细胞周期抑制剂是氟-嘧啶类似物。如5-氟尿嘧啶，或其类似物或衍生物，其包括卡莫氟，去氧氟尿苷，乙嘧替氟，替加氟，和氟尿苷。典型的化合物具有下列结构：

	R1	R2
			5-氟尿嘧啶卡莫氟去氧氟尿苷氟尿苷乙嘧替氟替加氟	HC(O)NH(CH2)5CH3A1A2CH2OCH2CH3C	HHHHBH

其它适当的氟嘧啶类似物包括5-FudR(5-氟-脱氧尿苷)，或其类似物或衍生物，其包括5-碘脱氧尿苷(5-IudR)，5-溴脱氧尿苷(5-BudR)，三磷酸氟尿苷(5-FUTP)，和一磷酸氟脱氧尿苷(5-dFUMP)。典型的化合物具有下列结构：

5-氟-2’-脱氧尿苷：R＝F

5-溴-2’-脱氧尿苷：R＝Br

5-碘-2’-脱氧尿苷：R＝I

这些化合物被认为通过作为嘧啶的抗代谢物起细胞周期抑制剂的作用。这些化合物已经显示有效用于治疗细胞增殖性疾病，所述细胞增殖性疾病如乳腺癌，子宫颈癌，非黑素瘤皮肤癌，头颈癌，食道癌，胆管癌，胰腺癌，岛细胞癌，阴茎癌，和外阴癌。

在另一方面，细胞周期抑制剂是嘌呤类似物。嘌呤类似物具有下列通用结构：

其中X典型地是碳；R₁是H，卤素，胺或取代的苯基；R₂是H，伯，仲或叔胺，含硫基团，典型地-SH，烷烃，或环烷烃，杂环或糖；R₃是H，糖(典型地呋喃糖或吡喃糖结构)，取代的糖或环状或杂环烷烃或芳基。对于该类型的化合物参见例如美国专利5,602,140。

在喷司他丁的情形中，X-R2是-CH₂CH(OH)-。在该情形中第二个碳原子被插入环中的X和相邻氮原子之间。X-N双键变成单键。

美国专利5,446,139描述该类型适当的嘌呤类似物，其在下列式子中显示：

其中在下列条件下N表示氮并且V，W，X，Z可以是碳或氮。环A在它的结构中可以含有0-3个氮原子。如果在环A中存在两个氮，一个必须在W位。如果仅存在一个，它必须不在Q位。V和Q不可同时为氮。Z和Q不可同时为氮。如果Z是氮，R₃不存在。另外，R_1-3独立地为H，卤素，C_1-7烷基，C_1-7链烯基，羟基，巯基，C_1-7烷硫基，C_1-7烷氧基，C_2-7链烯基氧基，芳基氧基，硝基，含有伯、仲或叔胺的基团之一。R_5-8是H或多达两个位置可以独立地包含OH，卤素，氰基，叠氮基，取代的氨基之一，R₅和R₇可以一起形成双键。Y是H，C_1-7烷基羰基，或一，二或三磷酸酯。

典型的适当的嘌呤类似物包括6-巯嘌呤，thiguanosine，硫咪嘌呤，克拉屈滨，氟达拉滨，杀结核菌素，嘌罗霉素，己酮可可碱；其中这些化合物可以任选地被磷酸化。典型的化合物具有以下结构：

		R1	R2	R3
					6-巯嘌呤Thiguanosine硫咪嘌呤克拉屈滨氟达拉滨嘌罗霉素杀结核菌素	e	HNH2NH2ClFHH	SHSHANH2NH2N(CH3)NH2	HB1HB2B3B4B1

这些化合物认为通过作为嘌呤的抗代谢物起细胞周期抑制剂的作用。

在另一方面，细胞周期抑制剂是氮芥。许多适当的氮芥是已知的并在本发明中适当地被用作细胞周期抑制剂。适当的氮芥也称为环磷酰胺。

优选的氮芥具有以下通用结构：

其中A是：

或-CH₃或其它烷烃，或氯化的烷烃，典型地CH₂CH(CH₃)Cl，或多环基团如B，或取代的苯基如C或杂环基如D。

适当的氮芥的实例在美国专利3,808,297中公开，其中A是：

R_1-2是H或CH₂CH₂Cl；R₃是H或含氧基团如氢过氧基；R₄可以是烷基，芳基，杂环基。

环部分无需完整。参见例如美国专利5,472,956，4,908,356，4,841,085，其描述下列类型的结构：

其中R₁是H或CH₂CH₂Cl，R_2-6是各种取代基。

典型的氮芥包括甲基氯乙胺，及其类似物或衍生物，包括甲基氯乙胺氧化物盐酸盐，新氮芥，和甘露莫司汀(卤化糖)。典型的化合物具有下列结构：

甲基氯乙胺    CH₃          甲基氯乙胺氧化物HCl

新氮芥        CH₂CH(CH₃)Cl

氮芥可以是环磷酰胺，异环磷酰胺，培磷酰胺，或Torofosfamide，其中这些化合物具有下列结构：

	R1	R2	R3
				环磷酰胺异环磷酰胺培磷酰胺Torofosfamide	HCH2CH2ClCH2CH2ClCH2CH2Cl	CH2CH2ClHHCH2CH2Cl	HHOOHH

氮芥可以是雌莫司汀，或其类似物或衍生物，包括苯芥胆甾醇，泼尼莫司汀，和雌莫司汀PO₄。因此，本发明适当的氮芥类型的细胞周期抑制剂具有以下结构：

              R

雌莫司汀      OH

苯芥胆甾醇    C(CH₃)(CH₂)₃CH(CH₃)₂

氮芥可以是苯丁酸氮芥，或其类似物或衍生物，包括美法仑和Chlormaphazine。因此本发明适当的氮芥类型的细胞周期抑制剂具有以下结构：

	R1	R2	R3
				苯丁酸氮芥美法仑	CH2COOHCOOH	HNH2	HH
Chlormaphazin	H	一起形成苯环

氮芥可以是尿嘧啶氮芥，其具有下列结构：

氮芥被认为通过作为DNA的烷化剂起细胞周期抑制剂的作用。氮芥已经在细胞增殖性疾病的治疗中显示有效，所述细胞增殖性疾病包括例如小细胞肺癌，乳腺癌，子宫颈癌，头颈癌，前列腺癌，成视网膜细胞瘤，和软组织肉瘤。

本发明的细胞周期抑制剂可以是羟基脲。羟基脲具有下列通用结构：

适当的羟脲在例如美国专利6,080,874中公开，其中R₁是：

并且R₂是含有1-4个碳原子的烷基，R₃是H，酰基，甲基，乙基及其混合物之一，如甲基醚。

其它适当的羟脲在例如美国专利5,665,768中公开，其中R₁是环烯基，例如N-(3-(5-(4-氟苯硫基)-呋喃基)-2-环戊-1-基)N-羟脲；R₂是H或含有1-4个碳的烷基且R₃是H；X是H或阳离子。

其它适当的羟脲在例如美国专利4,299,778中公开，其中R₁是用一个或多个氟原子取代的苯基；R₂是环丙基；R₃和X是H。

其它适当的羟脲在例如美国专利5,066,658中公开，其中R₂和R₃和相邻的氮形成：

其中m为1或2，n是0-2且Y是烷基。

在一方面，羟脲具有下列结构：

羟脲被认为通过用来抑制DNA合成起细胞周期抑制剂的作用。

在另一方面，细胞周期抑制剂是丝裂霉素(mytomicin)，如丝裂霉素C，或其类似物或衍生物，如紫菜霉素。适当的化合物具有下列结构：

             R

丝裂霉素C    H

紫菜霉素    CH₃

(N-甲基丝裂霉素C)

这些化合物被认为通过用作DNA烷化剂起细胞周期抑制剂的作用。丝裂霉素已经显示在治疗细胞增殖性疾病中有效，所述细胞增殖性疾病如例如食道癌，肝癌，膀胱癌，和乳腺癌。

在另一方面，细胞周期抑制剂是烷基磺酸盐，如白消安，或其类似物或衍生物，如曲奥舒凡，英丙舒凡，哌泊舒凡，和哌泊溴烷。典型的化合物具有下列结构：

这些化合物被认为通过用作DNA烷化剂起细胞周期抑制剂的作用。

在另一方面，细胞周期抑制剂是苯甲酰胺。在还有另一方面，细胞周期抑制剂是烟酰胺。这些化合物具有下列基本结构：

其中X是O或S；A通常是NH₂或者它可以是OH或烷氧基；B是N或C-R₄，其中R₄是H或醚连接的羟基化的烷烃如OCH₂CH₂OH，烷烃可以是直链或支链的并且可以含有一个或多个羟基。备选地，B可以是N-R₅，在该情形中涉及B的环中双键是单键。R₅可以是H，和烷基或芳基(参见例如美国专利4,258,052)；R₂是H，OR₆，SR₆或NHR₆，其中R₆是烷基；R₃是H，低级烷基，醚连接的低级烷基如-O-Me或-O-乙基(参见例如美国专利5,215,738)。

适当的苯甲酰胺化合物具有以下结构：

苯甲酰胺

X＝O或S

Y＝H，OR，CH₃，乙酰氧基

Z＝H，OR，SR，NHR

R＝烷基

其中另外的化合物在美国专利5,215,738中公开(列举约32种化合物)。

适当的烟酰胺化合物具有下列结构：

烟酰胺

X＝O或S

Z＝H，OR，SR，NHR

R＝烷基

其中另外的化合物在美国专利5,215,738中公开，

	R1	R2
			苯佐替派美妥替哌乌瑞替派	苯基CH3CH3	HCH3H

在另一方面，细胞周期抑制剂是卤代的糖，诸如二溴卫矛醇，或它的类似物或衍生物，包括二溴甘露醇和甘露莫司汀。例举性的化合物具有如下结构：

在另一方面，所述细胞周期抑制剂是重氮化合物，诸如重氮丝氨酸，或它的类似物或衍生物，包括6-重氮-5-氧代-L-正亮氨酸和5-重氮尿嘧啶(也是嘧啶类似物)。例举性的化合物具有如下结构：

	R1	R2
			重氮丝氨酸6-重氮-5-氧代-L-正亮氨酸	O单键	单键CH2

可以用作按照本发明的细胞周期抑制剂的其它化合物是帕折普汀；渥曼青霉素；甲氧氯普胺；RSU；Buthionine sulfoxime；姜黄；姜黄素；AG337，一种胸苷酸合酶抑制剂；左旋咪唑；香菇多糖，一种多糖；雷佐生，一种EDTA类似物；吲哚美辛；氯丙嗪；α和β干扰素；MnBOPP；钆替沙林；4-氨基-1，8-萘二胺(naphthalimide)；CGP的星孢素衍生物；和SR-2508。

因此，在一方面，所述细胞周期抑制剂是DNA烷化剂。在另一方面，所述细胞周期抑制剂是抗微管剂。在另一方面，所述细胞周期抑制剂是拓扑异构酶抑制剂。在另一方面，所述细胞周期抑制剂是DNA裂解剂。在另一方面，所述细胞周期抑制剂是一种抗代谢物.在另一方面，所述细胞周期抑制剂通过抑制腺苷脱氨酶发挥功能(例如，作为嘌呤类似物)。在另一方面，所述细胞周期抑制剂通过抑制嘌呤环合成和/或作为核苷酸互变抑制剂发挥功能(例如，作为嘌呤类似物诸如巯基嘌呤)。在另一方面，所述细胞周期抑制剂通过抑制二氢叶酸还原和/或作为胸腺苷单磷酸阻断物发挥功能(例如，甲氨蝶呤)。在另一方面，所述细胞周期抑制剂通过导致DNA损伤来发挥功能(例如，博来霉素)。在另一方面，所述细胞周期抑制剂通过作为DNA插入剂和/或RNA合成抑制作用来发挥功能(例如多柔比星，阿克拉霉素，或地托比星(乙酸，二乙氧基-，2-[4-[(3-氨基-2，3，6-三脱氧基-α-L-来苏-己吡喃糖基)氧基]-1，2，3，4，6，11-六氢-2，5，12-三羟基-7-甲氧基-6，11-二氧代-2-并四苯基]-2-氧代乙酯，(2S-cis)-))。在另一方面，所述细胞周期抑制剂通过抑制嘧啶合成来发挥功能(例如，N-膦酰基乙酰基-L-天冬氨酸盐(酯))。在另一方面，所述细胞周期抑制剂通过抑制核糖核苷酸来发挥功能(例如，羟基脲)。在另一方面，所述细胞周期抑制剂通过抑制胸苷单磷酸来发挥功能(例如，5-氟尿嘧啶)。在另一方面，所述细胞周期抑制剂通过抑制DNA合成来发挥功能(例如，阿糖胞苷)。在另一方面，所述细胞周期抑制剂通过导致DNA加合物的形成来发挥功能(例如，铂化合物)。在另一方面，所述细胞周期抑制剂通过抑制蛋白质合成来发挥功能(例如，L-天冬酰胺酶)。在另一方面，所述细胞周期抑制剂通过抑制微管功能来发挥功能(例如，紫杉烷类)。在另一方面，所述细胞周期抑制剂在图1显示的生物学途径中的一个或多个步骤起作用。

在本发明中有用的另外的细胞周期抑制剂，以及对它们作用机制的讨论，可以见于Hardman J.G.，Limbird L E.Molinoff R.B.，Ruddon R.W.，Gilman A.G.编辑，Chemotherapy of Neoplastic Diseases in Goodman andGilman’s The Pharmacological Basis of Therapeutics第九版，McGraw-HillHealth Professions Division，New York，1996，第1225-1287页。还见于美国专利号3,387,001；3,808,297；3,894,000；3,991,045；4,012,390；4,057,548；4,086,417；4,144,237；4,150,146；4,210,584；4,215,062；4,250,189；4,258,052；4,259,242；4,296,105；4,299,778；4,367,239；4,374,414；4,375,432；4,472,379；4,588,831；4,639,456；4,767,855；4,828,831；4,841,045；4,841,085；4,908,356；4,923,876；5,030,620；5,034,320；5,047,528；5,066,658；5,166,149；5,190,929；5,215,738；5,292,731；5,380,897；5,382,582；5,409,915；5,440,056；5,446,139；5,472,956；5,527,905；5,552,156；5,594,158；5,602,140；5,665,768；5,843,903；6,080,874；6,096,923；和RE030561。

在另一个实施方案中，细胞周期抑制剂是喜树碱，米托蒽醌，依托泊苷，5-氟尿嘧啶，多柔比星，甲氨蝶呤，peloruside A，丝裂霉素C，或CDK-2抑制剂或所列化合物类别的任何成员的类似物或衍生物。

在另一个实施方案中，细胞周期抑制剂是HTI-286，普卡霉素；或光辉霉素，或其类似物或衍生物。

其它细胞周期抑制剂的实例还包括，例如，7-己酰基紫杉醇(QP-2)，细胞松弛素A，lantrunculin D，放线菌素-D，Ro-31-7453(3-(6-硝基-1-甲基-3-吲哚基)-4-(1-甲基-3-吲哚基)吡咯-2，5-二酮)，PNU-151807，brostallicin，C2-神经酰胺，阿糖胞苷ocfosfate(2(1H)-嘧啶酮，4-氨基-1-(5-O-(羟基(十八烷基氧基)氧膦基)-β-D-阿糖呋喃糖基)-，一钠盐)，紫杉醇(5β，20-环氧-1，2-α，4，7β，10β，13α-六羟基紫杉-11-烯-9-酮-4，10-二乙酸酯-2-苯甲酸酯-13-(α-苯基马尿酸盐))，多柔比星(5，12-并四苯二酮，10-((3-氨基-2，3，6-三脱氧基-α-L-来苏-己糖吡喃糖基)氧基)-7，8，9，10-四氢-6，8，11-三羟基-8-(羟乙基)-1-甲氧基-，(8S)-顺-)，柔红霉素(5，12-并四苯二酮，8-乙酰基-10-((3-氨基-2，3，6-三脱氧基-α-L-来苏-己糖吡喃糖基)氧基)-7，8，9，10-四氢-6，8，11-三羟基-1-甲氧基-，(8S-顺)-)，盐酸吉西他滨(胞苷，2′-脱氧-2′，2′-二氟-，一盐酸盐)，nitacrine(1，3-丙二胺，N，N-二甲基-N′-(1-硝基-9-吖啶基)-)，卡铂(铂，二胺(1，1-环丁烷二羧酸根合(2-))-，(SP-4-2)-)，六甲蜜胺(1，3，5-三嗪-2，4，6-三胺，N，N，N′，N′，N″，N″-六甲基-)，替尼泊苷(氟(3′，4′：6，7)萘并(2，3-d)-1，3-二氧杂环戊二烯-6(5aH)-酮，5，8，8a，9-四氢-5-(4-羟基-3，5-二甲氧基苯基)-9-((4，6-O-(2-噻吩基亚甲基)-β-D-吡喃葡糖基)氧基)-，(5R-(5α，5aβ，8aA，9β(R^*)))-)，依他铂(铂，((4R，5R)-2-(1-甲基乙基)-1，3-二氧戊环-4，5-二甲胺-κN4，κN5)(丙二根合(2-)-κO1，κO3)-，(SP-4-2)-)，盐酸氨柔比星(5，12-并四苯二酮，9-乙酰基-9-氨基-7-((2-脱氧-β-D-赤-吡喃戊糖基)氧基)-7，8，9，10-四氢-6，11-二羟基-，盐酸盐，(7S-顺)-)，异环磷酰胺(2H-1，3，2-氧氮杂磷酰-2-胺，N，3-二(2-氯乙基)四氢-，2-氧化物)，克拉屈滨(腺苷，2-氯-2′-脱氧-)，二溴甘露醇(D-甘露醇，1，6-二溴-1，6-二脱氧基-)，磷酸氟达拉滨(fludaribine)(9H-嘌呤-6-胺，2-氟-9-(5-O-膦酰基-β-D-阿糖呋喃糖基)-)，依诺他滨(二十二碳酰胺，N-(1-β-D-阿糖呋喃糖基-1，2-二氢-2-氧代-4-嘧啶基)-)，长春地辛(长春碱，3-(氨基羧基)-O4-脱乙酰基-3-脱(甲氧基羰基)-)，伊达比星(5，12-并四苯二酮，9-乙酰基-7-((3-氨基-2，3，6-三脱氧基-α-L-来苏-己糖吡喃基)氧基)-7，8，9，10-四氢-6，9，11-三羟基-，(7S-顺)-)，净司他丁(新制癌菌素)，长春新碱(长春碱，22-氧代-)，替加氟(2，4(1H，3H)-嘧啶二酮，5-氟-1-(四氢-2-呋喃基)-)，雷佐生(2，6-哌嗪二酮，4，4′-(1-甲基-1，2-乙二基)双-)，甲氨蝶呤(L-谷氨酸，N-(4-(((2，4-二氨基-6-蝶啶基)甲基)甲基氨基)苯甲酰基)-)，雷替曲塞(L-谷氨酸，N-((5-(((1，4-二氢-2-甲基-4-氧代-6-喹唑啉基)甲基)甲基氨基)-2-噻吩基)羰基)-)，奥沙利铂(铂，(1，2-环己二胺-N，N′)(乙二根合(2-)-O，O′)-，(SP-4-2-(1R-反))-)，去氧氟尿苷(尿苷，5′-脱氧-5-氟-)，二溴卫矛醇(卫矛醇，1，6-二溴-1，6-二脱氧-)，吡柔比星(piraubicin)(5，12-并四苯二酮，10-((3-氨基-2，3，6-三脱氧-4-O-(四氢-2H-吡喃-2-基)-α-L-来苏-己糖吡喃基)氧基)-7，8，9，10-四氢-6，8，11-三羟基-8-(羟基乙酰基)-1-甲氧基-，(8S-(8α，10α(S^*)))-)，多西他赛((2R，3S)-N-羧基-3-苯基异丝氨酸，N-叔丁酯，与5β，20-环氧-1，2α，4，7β，10β，13α-六羟基紫杉-11-烯-9-酮4-乙酸酯2-苯甲酸酯-13-酯)，卡培他滨(胞苷，5-脱氧-5-氟-N-((戊氧基)羰基)-)，阿糖胞苷(2(1H)-嘧啶酮，4-氨基-1-β-D-阿糖呋喃糖基-)，戊柔比星(戊酸，2-(1，2，3，4，6，11-六氢-2，5，12-三羟基-7-甲氧基-6，11-二氧代-4-((2，3，6-三脱氧-3-((三氟乙酰基)氨基)-α-L-来苏-己糖吡喃基)氧基)-2-并四苯基)-2-氧代乙酯(2S-顺)-)，曲磷胺(3-2-(氯乙基)-2-(二(2-氯乙基)氨基)四氢-2H-1，3，2-氧氮杂磷(phosphorin)2-氧化物)，泼尼莫司汀(孕-1，4-二烯-3，20-二酮，21-(4-(4-(双(2-氯乙基)氨基)苯基)-1-氧代丁氧基)-11，17-二羟基-，(11β)-)，洛莫司汀(脲，N-(2-氯乙基)-N′-环己基-N-亚硝基-)，表柔比星(5，12-并四苯二酮，10-((3-氨基-2，3，6-三脱氧-α-L-阿糖-己糖吡喃基)氧基)-7，8，9，10-四氢-6，8，11-三羟基-8-(羟基乙酰基)-1-甲氧基-，(8S-顺)-)，或其类似物或衍生物)。

5) 细胞周期蛋白依赖性的蛋白激酶抑制剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是细胞周期蛋白依赖性的蛋白激酶抑制剂(例如，R-roscovitine，CYC-101，CYC-103，CYC-400，MX-7065，alvocidib(4H-1-苯并吡喃-4-酮，2-(2-氯苯基)-5，7-二羟基-8-(3-羟基-1-甲基-4-哌啶基)-，顺式-(-)-)，SU-9516，AG-12275，PD-0166285，CGP-79807，fascaplysin，GW-8510(苯磺酰胺，4-(((Z)-(6，7-二氢-7-氧代-8H-吡咯[2，3-g]苯并噻唑-8-烯基)甲基]氨基)-N-(3-羟基-2，2-二甲基丙基)-)，GW-491619，靛玉红3’一肟(monoxime)，GW8510)，或它的类似物或衍生物)。

6) EGF(表皮生长因子)受体激酶抑制剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是EGF(表皮生长因子)激酶抑制剂(例如，erlotinib(4-喹唑啉胺，N-(3-乙炔基苯基)-6，7-二(2-甲氧基乙氧基)-，一盐酸盐)，Viatris，癌基因抑活药(erbstatin)，BIBX-1382，gefitinib(4-喹唑啉胺，N-(3-氯-4-氟苯基)-7-甲氧基-6-(3-(4-吗啉基)丙氧基)))，或它的类似物或衍生物)。

7) 弹性蛋白酶抑制剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是弹性蛋白酶抑制剂(例如，ONO-6818，水合西维来司他钠(甘氨酸，N-(2-(((4-(2，2-二甲基-1-氧代丙氧基)苯基)磺酰基)氨基)苯甲酰基)-)，厄多司坦(乙酸，((2-氧代-2-((四氢-2-氧代-3-噻吩基)氨基)乙基)硫代)-)，MDL-100948A，MDL-104238(N-(4-(4-吗啉基羰基)苯甲酰基)-L-缬氨酰N’-(3，3，4，4，4-五氟-1-(1-甲基乙基)-2-氧代丁基)-L-2-azetamide)，MDL-27324(L-脯氨酰胺(Prolinamide)，N-((5-(二甲基氨基)-1-萘基)磺酰基)-L-丙氨酰-L-丙氨酰-N-[3，3，3-三氟-1-(1-甲基乙基)-2-氧代丙基]-，(S)-)，SR-26831(噻吩并[3，2-c]吡啶鎓，5-((2-氯苯基)甲基)-2-(2，2-二甲基-1-氧代丙氧基)-4，5，6，7-四氢-5-羟基-)，Win-68794，Win-63110，SSR-69071(2-(9(2-哌啶子基乙氧基)-4-氧代-4H-吡啶并(1，2-a)嘧啶-2-基氧基甲基)-4-(1-甲基乙基)-6-甲氧基-1，2-苯并异噻唑-3(2H)-酮-1，1-二氧化物)，(N(α)-(1-金刚烷基磺酰基)N(ε)-琥珀酰基-L-赖氨酰-L-脯氨酰-L-valinal)，Ro-31-3537(Nα-(1-金刚烷磺酰基)-N-(4-羧基苯甲酰基)-L-赖氨酰-丙氨酰-L-valinal)，R-665，FCE-28204，((6R，7R)-2-(苄氧基)-7-甲氧基-3-甲基-4-三甲基乙酰-3-头孢菌素(cephem)1，1-二氧化物)，1，2-苯并异噻唑-3(2H)-酮，2-(2，4-二硝基苯基)-，1，1-二氧化物，L-658758(L-脯氨酸，1-((3-((乙酰氧基)甲基)-7-甲氧基-8-氧代-5-硫杂-1-氮杂双环[4.2.0]辛-2-烯-2-基)羰基)-，S，S-二氧化物，(6R-顺式)-)，L-659286(四氢吡咯，1-((7-甲氧基-8-氧代-3-(((1，2，5，6-四氢-2-甲基-5，6-二氧代-1，2，4-三嗪-3-基)硫代)甲基)-5-噻(thia)-1-氮杂双环[4.2.0]辛-2-烯-2-基)羰基)-，S，S-二氧化物，(6R-顺式)-)，L-680833(苯乙酸，4-((3，3-二乙基-1-(((1-(4-甲基苯基)丁基)氨基)羰基)-4-氧代-2-氮杂环丁烷基)氧)-，(S-(R^*，S^*))-)，FK-706(L-脯氨酰胺，N-[4-[[(羧甲基)氨基]羰基]苯甲酰基]-L-缬氨酰基-N-[3，3，3-三氟-1-(1-甲基乙基)-2-氧代丙基]-，一钠盐)，Roche R-665，或它的类似物或衍生物。

8) Xa因子抑制剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是Xa因子抑制剂(例如，CY-222，磺达肝素钠(α-D-吡喃葡糖苷，甲基O-2-脱氧-6-O-磺基-2-(磺基氨基)-α-D-吡喃葡糖基-(1-4)-O-β-D-glucopyranuronosyl-(1-4)-O-2-脱氧-3，6-二-O-磺基-2-(磺基氨基)-α-D-吡喃葡糖基-(1-4)-O-2-O-磺基-α-L-idopyranuronosyl-(1-4)-2-脱氧-2-(磺基氨基)-，6-(硫酸氢盐))，达那肝素钠)，或它的类似物或衍生物。

9) 法呢酰基转移酶抑制剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是法呢酰基转移酶抑制剂(例如，二氯benzoprim(2，4-二氨基-5-(4-(3，4-二氯苄基氨基)-3-硝基苯基)-6-乙基嘧啶)，B-581，B-956(N-(8(R)-氨基-2(S)-苄基-5(S)-异丙基-9-硫烷基-3(Z)，6(E)-壬二烯酰基(nonadienoyl))-L-甲硫氨酸)，OSI-754，紫苏基醇(1-环己烯-1-甲醇，4-(1-甲基乙烯基)-，RPR-114334，lonafamib(1-哌啶甲酰胺，4-(2-(4-((11R)-3，10-二溴代-8-氯-6，11-二氢-5H-苯并(5，6)环庚并(1，2-b)吡啶-11-基)-1-哌啶基)-2-氧代乙基)-)，Sch-48755，Sch-226374，(7，8-二氯-5H-二苯并(b，e)(1，4)二氮杂_-11-基)-吡啶-3-基甲基胺，J-104126，L-639749，L-731734(戊烷酰胺，2-((2-((2-氨基-3-巯基丙基)氨基)-3-甲基戊基)氨基)-3-甲基-N-(四氢-2-氧代-3-呋喃基)-，(3S-(3R^*(2R^*(2R^*(S^*)，3S^*)，3R^*)))-)，L-744832(丁酸，2-((2-((2-((2-氨基-3-巯基丙基)氨基)-3-甲基戊基)氧基)-1-氧代-3-苯基丙基)氨基)-4-(甲基磺酰基)-，1-甲基乙基酯，(2S-(1(R^*(R^*))，2R^*(S^*)，3R^*))-)，L-745631(1-哌嗪丙硫醇，β-氨基-2-(2-甲氧基乙基)-4-(1-萘基羰基)-，((βR，2S)-)，N-乙酰基-N-萘基甲基-2(S)-((1-(4-氰基苄基)-1H-咪唑-5-基)乙酰基]氨基-3(S)-甲基戊胺，(2α)-2-羟基-24，25-dihydroxylanost-8-烯-3-酮，BMS-316810，UCF-1-C(2，4-癸二烯酰胺，N-(5-羟基-5-(7-((2-羟基-5-氧代-1-环戊烯-1-基)氨基-氧代-1，3，5-庚三烯基)-2-氧代-7-氧杂二环(4.1.0)庚-3-烯-3-基)-2，4，6-三甲基，(1S-(1α，3(2E，4E，6S^*)，5α，5(1E，3E，5E)，6α))-，UCF-116-B，ARGLABIN(3H-环氧乙烯并(oxireno)[8，8a]甘菊环并[4，5-b]呋喃-8(4aH)-酮，5，6，6a，7，9a，9b-六氢-1，4a-二甲基-7-亚甲基-，(3aR，4aS，6aS，9aS，9bR)-)，其来自ARGLABIN-Paracure，Inc.(Virginia Beach，VA)，或它的类似物或衍生物)。

10) 血纤蛋白原拮抗剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是血纤蛋白原拮抗剂(例如，2(S)-((对甲苯磺酰基)氨基)-3-(((5，6，7，8-四氢-4-氧代-5-(2-(哌啶-4-基)乙基-4H-吡唑并(pyrazolo)-(1，5-a)(1，4)二氮杂_-2-基)羰基)-氨基)丙酸，链激酶(激酶(活化-酶)，链霉-)，尿激酶(激酶(活化-酶)，尿-)，纤溶酶原激活物，帕米普酶，孟替普酶，heberkinase，anistreplase，阿替普酶，前-尿激酶，picotamide(1，3-苯二甲酰胺，4-甲氧基-N，N’-二(3-吡啶基甲基)-)，或它的类似物或衍生物)。

11) 鸟苷酸环化酶刺激物

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是鸟苷酸环化酶刺激物(例如，异山梨醇-5-一硝酸盐(酯)(D-山梨醇，1，4：3，6-双脱水-，5-硝酸盐(酯)，或它的类似物或衍生物)。

12) 热激蛋白90拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是热休克蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素；NSC-33050(17-烯丙基氨基格尔德霉素)，利福布汀(利福霉素XIV，1’，4-二脱氢-1-脱氧-1，4-二氢-5’-(2-甲基丙基)-1-氧代-)，17AAG)，或它的类似物或衍生物)。

13) HMGCoA还原酶抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是HMGCoA还原酶抑制剂(例如，BCP-671，BB-476，氟伐他汀(6-庚烯酸，7-(3-(4-氟苯基)-1-(1-甲基乙基)-1H-吲哚-2-基)-3，5-二羟基-，一钠盐，(R^*，S^*-(E))-(±)-)，达伐他汀(2H-吡喃-2-酮，6-2-(2-(2-(4-氟-3-甲基苯基)-4，4，6，6-四甲基-1-环己烯-1-基)乙烯基)四氢)-4-羟基-，(4α，6β(E))-(+/-)-)，格仑伐地汀(2H-吡喃-2-酮，6-(2-(4-(4-氟苯基)-2-(1-甲基乙基)-6-苯基-3-吡啶基)乙烯基)四氢-4-羟基-，(4R-(4α，6β(E)))-)，S-2468，N-(1-氧代十二烷基)-4α，10-二甲基-8-氮杂-反式-萘烷-3β-醇，阿托伐他汀钙(1H-吡咯-1-庚酸，2-(4-氟苯基)-β，δ-二羟基-5-(1-甲基乙基)-3-苯基-4-((苯基氨基)羰基)-，钙盐(R-(R^*，R^*))-)，CP-83101(6，8-壬二烯酸，3，5-二羟基-9，9-联苯基-，甲基酯，(R^*，S^*-(E))-(+/-)-)，普伐他汀(1-萘庚酸，1，2，6，7，8，8a-六氢-β，δ，6-三羟基-2-甲基-8-(2-甲基-1-氧代丁氧基)-，一钠盐，(1S-(1α(βS^*，δS^*)，2α，6α，8β(R^*)，8aα))-)，U-20685，匹伐他汀(6-庚烯酸，7-(2-环丙基-4-(4-氟苯基)-3-喹啉基)-3，5-二羟基-，钙盐(2∶1)，(S-(R^*，S^*-(E)))-)，N-((1-甲基丙基)羰基)-8-[2-(四氢-4-羟基-6-氧代-2H-吡喃-2-基)乙基]-过氢-异喹啉，二氢洛伐他汀(丁酸，2-甲基-，1，2，3，4，4a，7，8，8a-八氢-3，7-二甲基-8-(2-(四氢-4-羟基-6-氧代-2H-吡喃-2-基)乙基)-1-萘基酯(1α(R^*)，3α，4aα，7β，8β(2S^*，4S^*)，8aβ))-)，HBS-107，二氢洛伐他汀(丁酸，2-甲基-，1，2，3，4，4a，7，8，8a-八氢-3，7-二甲基-8-(2-(四氢-4-羟基-6-氧代-2H-吡喃-2-基)乙基)-1-萘基酯(1α(R^*)，3α，4aα，7β，8β(2S^*，4S^*)，8aβ))-)，L-669262(丁酸，2，2-二甲基-，1，2，6，7，8，8a-六氢-3，7-二甲基-6-氧代-8-(2-(四氢-4-羟基-6-氧代-2H-吡喃-2-基)乙基)-1-萘基(1S-(1α，7β，8β(2S^*，4S^*)，8αβ))-)，辛伐他汀(丁酸，2，2-二甲基-，1，2，3，7，8，8a-六氢-3，7-二甲基-8-(2-(四氢-4-羟基-6-氧代-2H-吡喃-2-基)乙基)-1-萘基酯，(1S-(1α，3α，7β，8β(2S^*，4S^*)，8aβ))-)，罗苏伐他汀钙(6-庚烯酸，7-(4-(4-氟苯基)-6-(1-甲基乙基)-2-(甲基(甲基磺酰基)氨基)-5-嘧啶基)-3，5-二羟基-钙盐(2∶1)(S-(R^*，S^*-(E))))，美格鲁托(2-羟基-2-甲基-1，3-丙二羧酸)，洛伐他汀(丁酸，2-甲基-，1，2，3，7，8，8a-六氢-3，7-二甲基-8-(2-(四氢-4-羟基-6-氧代-2H-吡喃-2-基)乙基)-1-萘基酯，(1S-(1.α.(R^*)，3α，7β，8β(2S^*，4S^*)，8aβ))-)，或它的类似物或衍生物)。

14) 氢化乳清酸脱氢酶抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是氢化乳清酸脱氢酶抑制剂(例如，来氟米特(4-异噁唑甲酰胺(carboxamide)，5-甲基-N-4-(三氟甲基)苯基)-)，拉氟莫司(2-丙烯酰胺(Propenamide)，2-氰基-3-环丙基-3-羟基-N-(3-甲基-4(三氟甲基)苯基)-，(Z)-))，或阿托伐醌(1，4-萘二酮，2-[4-(4-氯苯基)环己基]-3-羟基-，反式-，或它的类似物或衍生物)。

15) IKK2抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是IKK2抑制剂(例如，MLN-120B，SPC-839)，或它的类似物或衍生物)。

16) IL-1，ICE和IRAK拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是IL-1，ICE或IRAK拮抗剂(例如，E-5090(2-丙酸，3-(5-乙基-4-羟基-3-甲氧基-1-萘基)-2-甲基-，(Z)-)，CH-164，CH-172，CH-490，AMG-719，iguratimod(N-(3-(甲酰基氨基)-4-氧代-6-苯氧基-4H-色烯(chromen)-7-基)甲磺酰胺)，AV94-88，pralnacasan(6H-哒嗪并(Pyridazino)(1，2-a)(1，2)二氮杂_-1-甲酰胺，N-((2R，3S)-2-乙氧基四氢-5-氧代-3-呋喃基)八氢-9-((1-异喹啉基羰基)氨基)-6，10-二氧代-，(1S，9S)-)，(2S-顺式)-5-(苄氧基羰基氨基-1，2，4，5，6，7-六氢-4-(氧代氮杂并(3，2，1-hi)吲哚-2-羰基)-氨基)-4-氧代丁酸，AVE-9488，Esonarimod(苯丁酸，α-((乙酰基硫代)甲基)-4-甲基-γ-氧代-)，pralnacasan(6H-哒嗪并(1，2-a)(1，2)二氮杂_-1-甲酰胺，N-((2R，3S)-2-乙氧基四氢-5-氧代-3-呋喃基)八氢-9-((1-异喹啉基羰基)氨基)-6，10-二氧代-，(1S，9S)-，氨甲环酸(环己烷羧酸，4-(氨基甲基)-，反式-)，Win-72052，氯马扎利(Ro-31-3948)(丙酸，2-((2-(4-氯苯基)-4-甲基-5-噁唑基)甲氧基)-2-甲基-)，PD-163594，SDZ-224-015(L-丙氨酰胺N-((苯基甲氧基)羰基)-L-缬氨酰-N-((1S)-3-((2，6-二氯苯甲酰基)氧基)-1-(2-乙氧基-2-氧代乙基)-2-氧代丙基)-)，L-709049(L-丙氨酰胺，N-乙酰基-L-酪氨酰-L-缬氨酰-N-(2-羧基-1-甲酰乙基)-，(S)-)，TA-383(1H-咪唑)，2-(4-氯苯基)-4，5-二氢-4，5-联苯基-，一氢氯化物，顺式-)，EI-1507-1(6a，12a-环氧苯(a)蒽)-1，12(2H，7H)-二酮，3，4-二氢-3，7-二羟基-8-甲氧基-3-甲基-)，乙基4-(3，4-二甲氧基苯基)-6，7-二甲氧基-2-(1，2，4-三唑-1-基甲基)喹啉-3-羧酸盐(酯)，EI-1941-1，TJ-114，阿那白滞素(白细胞介素1受体拮抗剂(人同工型x还原的)，N2-L-甲硫氨酰基-))，IX-207-887(乙酸，(10-甲氧基-4H-苯并[4，5]环庚[1，2-b]亚噻吩-4-基)-)，K-832，或它的类似物或衍生物)。

17) II-4激动剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是IL-4激动剂(例如，乙酸格拉默(glatiramir)(L-谷氨酸，与L-丙氨酸、L-赖氨酸和L-酪氨酸的聚合物，乙酸盐))，或它的类似物或衍生物)。

18) 免疫调节剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是免疫调节剂(例如biolimus，ABT-578，甲基氨基磺酸3-(2-甲氧基苯氧基)-2-(((甲基氨基)磺酰基)氧基)丙基酯，西罗莫司(也称为雷帕霉素或RAPAMUNE)(AmericanHome Products，Inc.，Madison，NJ)，CCI-779(雷帕霉素42-(3-羟基-2-(羟基甲基)-2-甲基丙酸酯))，LF-15-0195，NPC15669(L-亮氨酸，N-(((2，7-二甲基-9H-芴-9-基)甲氧基)羰基)-)，NPC-15670(L-亮氨酸，N-(((4，5-二甲基-9H-芴-9-基)甲氧基)羰基)-)，NPC-16570(4-(2-(芴-9-基)乙氧基-羰基)氨基苯甲酸)，磺磷酰胺(乙醇，2-((3-(2-氯乙基)四氢-2H-1，3，2-oxazaphosphorin-2-基)氨基)-，甲磺酸盐(酯)，P-氧化物)，曲培莫司(2-(N-(4-(3-氨基丙基氨基)丁基)氨基甲酰基氧基)-N-(6-胍基己基)乙酰胺)，4-(2-芴-9-基)乙氧基羰基氨基)-苯并-异羟肟酸，iaquinimod，PBI-1411，硫唑嘌呤(6-((1-甲基-4-硝基-1H-咪唑-5-基)硫代)-1H-嘌呤)，PBI0032，倍氯米松，MDL-28842(9H-嘌呤-6-胺，9-(5-脱氧-5-氟-β-D-苏-戊-4-烯呋喃基)-，(Z)-)，FK-788，AVE-1726，ZK-90695，ZK-90695，Ro-54864，didemnin-B，lllinois(didemnin A，N-(1-(2-羟基-1-氧代丙基)-L-脯氨酰)，(S)-)，SDZ-62-826(ethanaminium，2-((羟基((1-((八癸氧基)羰基)-3-哌啶基)甲氧基)氧膦基)氧己)-N，N，N-三甲基-，内盐)，argyrin B((4S，7S，13R，22R)-13-乙基-4-(1H-吲哚-3-基甲基)-7-(4-甲氧基-1H-吲哚-3-基甲基)18，22-二甲基-16-甲基-烯-24-噻(thia)-3，6，9，12，15，18，21，26-八氮杂双环(21.2.1)-二十六-1(25)，23(26)-双烯烃-2，5，8，11，14，17，20-庚酮)，依维莫司(雷帕霉素，42-O-(2-羟基乙基)-)，SAR-943，L-687795，6-((4-氯苯基亚硫酰基)-2，3-二氢-2-(4-甲氧基-苯基)-5-甲基-3-氧代-4-哒嗪腈，91Y78(1H-咪唑并(4，5-c)吡啶-4-胺，1-β-D-呋喃核糖基-)，金诺芬(金，(1-硫代-β-D-吡喃葡萄糖2，3，4，6-四乙酸根合-S)(三乙基膦)-)，27-O-去甲基雷帕霉素，替泼尼旦(androsta-1，4-二烯-3-酮，17-(乙硫基)-9-氟-11-羟基-17-(甲硫基)-，(11β，17α)-)，AI-402，LY-178002(4-噻唑烷酮，5-((3，5-二(1，1-二甲基乙基)-4-羟基苯基)亚甲基)-)，SM-8849(2-噻唑胺，4-(1-(2-氟(1，1’-联苯基)-4-基)乙基)-N-甲基-)，piceatannol，白藜芦醇(resveratrol)，曲安西龙丙酮化合物(孕-1，4-二烯-3，20-二酮，9-氟-11，21-二羟基-16，17-((1-甲基亚乙基)双(氧))-，(11β，16α)-，环孢素(环孢素A-)，他克莫司(15，19-环氧-3H-吡啶并(2，1-c)(1，4)氧代氮杂环tricosine-1，7，20，21(4H，23H)-四酮，5，6，8，11，12，13，14，15，16，17，18，19，24，25，26，26a-十六氢-5，19-二羟基-3-(2-(4-羟基-3-甲氧基环己基)-1-甲基乙烯基)-14，16-二甲氧基-4，10，12，18-四甲基-8-(2-丙烯基)-，(3S-(3R^*(E(1S^*，3S^*，4S^*))，4S^*，5R^*，8S^*，9E，12R^*，14R^*，15S^*，16R^*，18S^*，19S^*，26aR^*))-)，胍立莫司(2-庚酰胺，7-((氨基亚氨基甲基)氨基)-N-(2-((4-((3-氨基丙基)氨基)丁基)氨基)-1-羟基-2-氧代乙基)-，(+/-)-)，替可的松匹伐酯(孕-4-烯-3，20-二酮，21-((2，2-二甲基-1-氧代丙基)硫代)-11，17-二羟基-，(11β)-，alefacept(1-92LFA-3(抗原)(人)具有免疫球蛋白G1(人铰合部-CH2-CH3γ1-链)的融合蛋白，二聚体)，丙酸卤倍他索(孕-1，4-二烯-3，20-二酮，21-氯-6，9-二氟-11-羟基-16-甲基-17-(1-氧代丙氧基)-，(6α，11β，16β)-)，伊洛前列素氨丁三醇(戊酸，5-(六氢-5-羟基-4-(3-羟基-4-甲基-1-辛烯-6-炔基)-2(1H)-pentalenylidene)-)，贝前列素(1H-环戊二烯并(b)苯并呋喃-5-丁酸)，2，3，3a，8b-四氢-2-羟基-1-(3-羟基-4-甲基-1-辛烯-6-炔基)-)，利美索龙(androsta-1，4-二烯-3-酮，11-羟基-16，17-二甲基-17-(1-氧代丙基)-，(11β，16α，17β)-)，地塞米松(孕-1，4-二烯-3，20-二酮，9-氟-11，17，21-三羟基-16-甲基-，(11β，16α)-)，舒林酸(顺式-5-氟-2-甲基-1-((p-甲基亚硫酰基)亚苄基)茚并-3-乙酸)，丙谷美辛(-1H-吲哚-3-乙酸，1-(4-氯苯甲酰基)-5-甲氧基-2-甲基-，2-(4-(3-((4-(苯甲酰基氨基)-5-(二丙基氨基)-1，5-二氧代戊基)氧基)丙基)-1-哌嗪基)乙基酯，(+/-)-)，二丙酸阿氯米松(孕-1，4-二烯-3，20-二酮，7-氯-11-羟基-16-甲基-17，21-二(1-氧代丙氧基)-，(7α，11β，16α)-)，吡美莫司(15，19-环氧-3H-吡啶并(2，1-c)(1，4)oxaazacyclotricosine-1，7，20，21(4H，23H)-四酮，3-(2-(4-氯-3-甲氧基环己基)-1-甲基乙烯基)-8-乙基-5，6，8，11，12，13，14，15，16，17，18，19，24，25，26，26a-十六氢-5，19-二羟基-14，16-二甲氧基-4，10，12，18-四甲基-，(3S-(3R^*(E(1S^*，3S^*，4R^*))，4S^*，5R^*，8S^*，9E，12R^*，14R^*，15S^*，16R^*，18S^*，19S^*，26aR^*))-)，氢化可的松-17-丁酸酯(盐)(孕-4-烯-3，20-二酮，11，21-二羟基-17-(1-氧代丁氧基)-，(11β)-)，米托蒽醌(9，10-蒽二酮，1，4-二羟基-5，8-二((2-((2-羟基乙基)氨基)乙基)氨基)-)，咪唑立宾(1H-咪唑-4-甲酰胺，5-羟基-1-β-D-呋喃核糖基-)，泼尼卡酯(孕-1，4-二烯-3，20-二酮，17-((乙氧基羰基)氧基)-11-羟基-21-(1-氧代丙氧基)-，(11β)-)，氯苯扎利(苯甲酸，2-((2-羧基苯基)氨基)-4-氯-)，葡美辛(D-葡萄糖，2-(((1-(4-氯苯甲酰基)-5-甲氧基-2-甲基-1H-吲哚-3-基)乙酰基)氨基)-2-脱氧-)，氟可龙一水合物((6α)-氟-16α-甲基孕-1，4-二烯11β，21-二醇-3，20-二酮)，氯可丁酯(孕-1，4-二烯-21-酸，6-氟-11-羟基-16-甲基-3，20-二氧代-，丁基酯，(6α，11β，16α)-)，二氟泼尼酯(孕-1，4-二烯-3，20-二酮，21-(乙酰氧基)-6，9-二氟-11-羟基-17-(1-氧代丁氧基)-，(6α，11β)-)，双醋二氟拉松(孕-1，4-二烯-3，20-二酮，17，21-二乙酰氧基)-6，9-二氟-11-羟基-16-甲基-，(6α，11β，16β)-)，戊酸地塞米松(孕-1，4-二烯-3，20-二酮，9-氟-11，21-二羟基-16-甲基-17-((1-氧代戊基)氧基)-，(11β，16α)-)，甲泼尼龙，丙酸地泼罗酮(孕-1，4-二烯-3，20-二酮，11-羟基-17-(1-氧代丙氧基)-，(11.β.)-)，布西拉明(L-半胱氨酸，N-(2-巯基-2-甲基-1-氧代丙基)-)，安西奈德(苯乙酸，2-氨基-3-苯甲酰基-，一钠盐，一水合物)，阿西美辛(1H-吲哚-3-乙酸，1-(4-氯苯甲酰基)-5-甲氧基-2-甲基-，羧甲基酯))，或它的类似物或衍生物)。

此外，雷帕霉素的类似物包括他克莫司和它的衍生物(例如，EP0184162B1和美国专利号6,258,823)依维莫司和它的衍生物(例如，美国专利号5,665,772)。西罗莫司的类似物和衍生物的另外的代表性实例可以见于下列PCT公开号：WO9710502，WO9641807，WO9635423，WO9603430，WO9600282，WO9516691，WO9515328，WO9507468，WO9504738，WO9504060，WO9425022，WO9421644，WO9418207，WO9410843，WO9409010，WO9404540，WO9402485，WO9402137，WO9402136，WO9325533，WO9318043，WO9313663，WO9311130，WO9310122，WO9304680，WO9214737，和WO9205179。代表性的美国专利包括美国专利号6,342,507；5,985,890；5,604,234；5,597,715；5,583,139；5,563,172；5,561,228；5,561,137；5,541,193；5,541,189；5,534,632；5,527,907；5,484,799；5,457,194；5,457,182；5,362,735；5,324,644；5,318,895；5,310,903；5,310,901；5,258,389；5,252,732；5,247,076；5,225,403；5,221,625；5,210,030；5,208,241；5,200,411；5,198,421；5,147,877；5,140,018；5,116,756；5,109,112；5,093,338；和5,091,389。

下面提供西罗莫司，依维莫司，他克莫司的结构：

名称	编码名称	公司	结构
				依维莫司	SAR-943	Novartis	见下
西罗莫司RAPAMUNE雷帕霉素	AY-22989NSC-226080	Wyeth	见下
				他克莫司	FK506	Fujusawa	见下

依维莫司

他克莫司

西罗莫司

另外的西罗莫司的类似物和衍生物包括他克莫司和它的衍生物(例如，EP0184162B1和美国专利号6,258,823)依维莫司和它的衍生物(例如，美国专利号5,665,772)。西罗莫司的类似物和衍生物的另外的代表性实例包括ABT-578，并且其它的可以见于下列PCT公开号：WO 97/10502，WO96/41807，WO 96/35423，WO 96/03430，WO 96/00282，WO 95/16691，WO95/15328，WO 95/07468，WO 95/04738，WO 95/04060，WO 94/25022，WO94/21644，WO 94/18207，WO 94/10843，WO 94/09010，WO 94/04540，WO94/02485，WO 94/02137，WO 94/02136，WO 93/25533，WO 93/18043，WO93/13663，WO 93/11130，WO 93/10122，WO 93/04680，WO 92/14737，和WO 92/05179。代表性的美国专利包括美国专利号6,342,507；5,985,890；5,604,234；5,597,715；5,583,139；5,563,172；5,561,228；5,561,137；5,541,193；5,541,189；5,534,632；5,527,907；5,484,799；5,457,194；5,457,182；5,362,735；5,324,644；5,318,895；5,310,903；5,310,901；5,258,389；5,252,732；5,247,076；5,225,403；5,221,625；5,210,030；5,208,241；5,200,411；5,198,421；5,147,877；5,140,018；5,116,756；5,109,112；5,093,338；和5,091,389。

一方面，纤维变性抑制剂可以是例如雷帕霉素(西罗莫司)，依维莫司，biolimus，曲培莫司，金诺芬，27-O-去甲基雷帕霉素，他克莫司，胍立莫司，吡美莫司，或ABT-578。

19. 肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂(例如，麦考酚酸，麦考酚酸吗乙酯(4-己烯酸，6-(1，3-二氢-4-羟基-6-甲氧基-7-甲基-3-氧代-5-异苯并呋喃基)-4-甲基-，2-(4-吗啉基)乙酯，(E)-)，利巴韦林(1H-1,2,4-三唑-3-甲酰胺，1-β-D-呋喃核糖基-)，噻唑呋林(4-噻唑甲酰胺，2-β-D-呋喃核糖基-)，viramidine，氨基噻二唑，thiophenfurin，噻呋扶林)，或它的类似物或衍生物。另外的代表性实例包括在美国专利号5,536,747；5,807,876；5,932,600；6,054,472，6,128,582；6,344,465；6,395,763；6,399,773；6,420,403；6,479,628；6,498,178；6,514,979；6,518291；6,541496；6,596,747；6,617,323；和6,624,184，美国公开号2002/0040022A1，2002/0052513A1，2002/0055483A1，2002/0068346A1，2002/0111378A1，2002/0111495A1，2002/0123520A1，2002/0143176A1，2002/0147160A1，2002/0161038A1，2002/0173491A1，2002/0183315A1，2002/0193612A1，2003/0027845A1，2003/0068302A1，2003/0105073A1，2003/0130254A1，2003/0143197A1，2003/0144300A1，2003/0166201A1，2003/0181497A1，2003/0186974A1，2003/0186989A1和2003/0195202A1，和PCT公开号WO 00/24725A1，WO 00/25780A1，WO 00/26197A1，WO00/51615A1，WO 0056331A1，WO 00/73288A1，WO 01/00622A1，WO01/66706A1，WO 01/79246A2，WO01/81340A2，WO 01/85952A2，WO02/16382A1，WO 02/18369A2，WO 02/51814A1，WO 02/57287A2，WO02/57425A2，WO 02/60875A1，WO 02/60896A1，WO 02/60898A1，WO02/68058A2，WO 03/20298A1，WO 03/37349A1，WO 03/39548A1，WO03/45901A2，WO 03/47512A2，WO 03/53958A1，WO 03/55447A2，WO03/59269A2，WO 03/63573A2，WO 03/87071A1，WO 90/01545A1，WO97/40028A1，WO 97/41211A1，WO 98/40381A1和WO 99/55663A1中。

20). 白三烯抑制剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是白三烯抑制剂(例如，ONO-4057(苯丙酸，2-(4-羧基丁氧基)-6-((6-(4-甲氧基苯基)-5-己烯基)氧基)-，(E)-)，ONO-LB-448，吡咯司特1，8-1，5-二氮杂萘-2(1H)-酮，4-羟基-1-苯基-3-(1-吡咯烷基)-，Sch-40120(苯并(b)(1，8))1，5-二氮杂萘-5(7H)-酮，10-(3-氯苯基)-6，8，9，10-四氢-)，L-656224(4-苯并呋喃醇，7-氯-2-((4-甲氧基苯基)甲基)-3-甲基-5-丙基-)，MAFP(甲基arachidonyl fluorophosphonate)，昂唑司特(2-苯并噁唑胺，N-(2-环己基-1-(2-吡啶基)乙基)-5-甲基-，(S)-)，amelubant(氨基甲酸，((4-((3-((4-(1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基)苯氧基)甲基)苯基)甲氧基)苯基)亚氨基甲基)-乙酯)，SB-201993(苯甲酸，3-((((6-((1E)-2-羧基乙烯基)-5-((8-(4-甲氧基苯基)辛基)氧基)-2-吡啶基)甲基)硫代)甲基)-)，LY-203647(乙酮，1-(2-羟基-3-丙基-4-(4-(2-(4-(1H-四唑-5-基)丁基)-2H-四唑-5-基)丁氧基)苯基)-)，LY-210073，LY-223982(苯丙酸，5-(3-羧基苯甲酰基)-2-((6-(4-甲氧基苯基)-5-己烯基)氧基)-，(E)-)，LY-293111(苯甲酸，2-(3-(3-((5-乙基-4’-氟-2-羟基(1，1’-联苯基)-4-基)氧基)丙氧基)-2-丙基苯氧基)-)，SM-9064(吡咯烷，1-(4，11-二羟基-13-(4-甲氧基苯基)-1-氧代-5，7，9-十三碳三烯基)-，(E，E，E)-)，T-0757(2，6-辛二烯酰胺，N-(4-羟基-3，5-二甲基苯基)-3，7-二甲基-，(2E)-))，或它的类似物或衍生物)。

21) MCP-1拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是MCP-1拮抗剂(例如，硝基萘普生(2-萘乙酸，6-甲氧基-α-甲基4-(硝基氧基)丁酯(αS)-)，宾达利(2-(1-苄基吲唑-3-基甲氧基)-2-甲基丙酸)，1-α-25二羟基维生素D₃，或它的类似物或衍生物)。

22) MMP抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是基质金属蛋白酶(MMP)抑制剂(例如，D-9120，多西环素(2-并四苯甲酰胺，4-(二甲基氨基)-1，4，4a，5，5a，6，11，12a-八氢-3，5，10，12，12a-五羟基-6-甲基-1，11-二氧代-(4S-(4α，4aα，5α，5aα，6α，12aα))-)，BB-2827，BB-1101(2S-烯丙基-N1-羟基-3R-异丁基-N4-(1S-甲基氨基甲酰基-2-苯基乙基)-琥珀酰胺)，BB-2983，索利司他(N’-(2，2-二甲基-1(S)-(N-(2-吡啶基)氨基甲酰基)丙基)-N4-羟基-2(R)-异丁基-3(S)-甲氧基琥珀酰胺)，巴马司他(丁二酰胺，N4-羟基-N1-(2-(甲基氨基)-2-氧代-1-(苯基甲基)乙基)-2-(2-甲基丙基)-3-((2-噻吩硫基)甲基)-，(2R-(1(S^*)，2R^*，3S^*))-)，CH-138，CH-5902，D-1927，D-5410，EF-13(γ-亚麻酸锂盐)，CMT-3(2-并四苯甲酰胺，1，4，4a，5，5a，6，11，12a-八氢-3，10，12，12a-四羟基-1，11-二氧代-，(4aS，5aR，12aS)-)，马立马司他(N-(2，2-二甲基-1(S)-(N-甲基氨基甲酰基)丙基)-N，3(S)-二羟基-2(R)-异丁基琥珀酰胺)，TIMP’S，ONO-4817，rebimastat(L-缬氨酰胺，N-((2S)-2-巯基-1-氧代-4-(3，4，4-三甲基-2，5-氧代-1-咪唑烷基)丁基)-L-亮氨酰-N，3-二甲基-)，PS-508，CH-715，尼美舒利(甲氨磺酰，N-(4-硝基-2-苯氧基苯基)-)，六氢-2-(2(R)-(1(RS)-(羟基氨基甲酰基)-4-苯基丁基)壬酰基)-N-(2，2，6，6-四甲基-4-哌啶基-3(S)-哒嗪甲酰胺，Rs-113-080，Ro-1130830，西马司他(1-哌啶丁酰胺，β-(环戊基甲基)-N-羟基-γ-氧代-α-((3，4，4-三甲基-2，5-二氧代-1-咪唑烷基)甲基)-，(αR，βR)-)，5-(4’-联苯基)-5-(N-(4-硝基苯)哌嗪基巴比土酸，6-甲氧基-1，2，3，4-四氢-norharman-1-羧酸，Ro-31-4724(L-丙氨酸，N-(2-(2-(羟基氨基)-2-氧代乙基)-4-甲基-1-氧代戊基)-L-亮氨酰-，乙酯)，普啉司他(3-硫代吗啉甲酰胺，N-羟基-2，2-二甲基-4-((4-(4-哌啶基氧基)苯基)磺酰基)-(3R)-)，AG-3433(1H-吡咯-3-丙酸)，1-(4’-氰基(1，1’-联苯基)-4-基)-b-((((3S)-四氢-4，4-二甲基-2-氧代-3-呋喃基)氨基)羰基)-，苯基甲基酯，(bS)-)PNU-142769(2H-异吲哚-2-丁酰胺，1，3-二氢-N-羟基-α-((3S)-3-(2-甲基丙基)-2-氧代-1-(2-苯基乙基)-3-吡咯烷基)-1，3-二氧代-，(αR)-)，(S)-1-(2-((((4，5-二氢-5-硫代-1，3，4-噻二唑-2-基)氨基)-羰基)氨基)-1-氧代-3-(五氟苯基)丙基)-4-(2-吡啶基)哌嗪，SU-5402(1H-吡咯-3-丙酸，2-((1，2-二氢-2-氧代-3H-吲哚-3-烯基)甲基)-4-甲基-)，SC-77964，PNU-171829，CGS-27023A，N-羟基-2(R)-((4-甲氧基苯-磺酰基)(4-吡啶甲基)氨基)-2-(2-四氢呋喃基)-乙酰胺，L-758354((1，1’联苯基)-4-己酸，α-丁基-γ-(((2，2-二甲基-1-((甲基氨基)羰基)丙基)氨基)羰基)-4’-氟-，(αS-(αR^*，γS^*(R^*))))-)，GI-155704A，CPA-926，TMI-005，XL-784，或它的类似物或衍生物)。另外的代表性实例包括在美国专利号5,665,777；5,985,911；6,288,261；5,952,320；6,441,189；6,235,786；6,294,573；6,294,539；6,563,002；6,071,903；6,358,980；5,852,213；6,124,502；6,160,132；6,197,791；6,172,057；6,288,086；6,342,508；6,228,869；5,977,408；5,929,097；6,498,167；6,534,491；6,548,524；5,962,481；6,197,795；6,162,814；6,441,023；6,444,704；6,462,073；6,162,821；6,444,639；6,262,080；6,486,193；6,329,550；6,544,980；6,352,976；5,968,795；5,789,434；5,932,763；6,500,847；5,925,637；6,225,314；5,804,581；5,863,915；5,859,047；5,861,428；5,886,043；6,288,063；5,939,583；6,166,082；5,874,473；5,886,022；5,932,577；5,854,277；5,886,024；6,495,565；6,642,255；6,495,548；6,479,502；5,696,082；5,700,838；6,444,639；6,262,080；6,486,193；6,329,550；6,544,980；6,352,976；5,968,795；5,789,434；5,932,763；6,500,847；5,925,637；6,225,314；5,804,581；5,863,915；5,859,047；5,861,428；5,886,043；6,288,063；5,939,583；6,166,082；5,874,473；5,886,022；5,932,577；5,854,277；5,886,024；6,495,565；6,642,255；6,495,548；6,479,502；5,696,082；5,700,838；5,861,436；5,691,382；5,763,621；5,866,717；5,902,791；5,962,529；6,017,889；6,022,873；6,022,898；6,103,739；6,127,427；6,258,851；6,310,084；6,358,987；5,872,152；5,917,090；6,124,329；6,329,373；6,344,457；5,698,706；5,872,146；5,853,623；6,624,144；6,462,042；5,981,491；5,955,435；6,090,840；6,114,372；6,566,384；5,994,293；6,063,786；6,469,020；6,118,001；6,187,924；6,310,088；5,994,312；6,180,611；6,110,896；6,380,253；5,455,262；5,470,834；6,147,114；6,333,324；6,489,324；6,362,183；6,372,758；6,448,250；6,492,367；6,380,258；6,583,299；5,239,078；5,892,112；5,773,438；5,696,147；6,066,662；6,600,057；5,990,158；5,731,293；6,277,876；6,521,606；6,168,807；6,506,414；6,620,813；5,684,152；6,451,791；6,476,027；6,013,649；6,503,892；6,420,427；6,300,514；6,403,644；6,177,466；6,569,899；5,594,006；6,417,229；5,861,510；6,156,798；6,387,931；6,350,907；6,090,852；6,458,822；6,509,337；6,147,061；6,114,568；6,118,016；5,804,593；5,847,153；5,859,061；6,194,451；6,482,827；6,638,952；5,677,282；6,365,630；6,130,254；6,455,569；6,057,369；6,576,628；6,110,924；6,472,396；6,548,667；5,618,844；6,495,578；6,627,411；5,514,716；5,256,657；5,773,428；6,037,472；6,579,890；5,932,595；6,013,792；6,420,415；5,532,265；5,691,381；5,639,746；5,672,598；5,830,915；6,630,516；5,324,634；6,277,061；6,140,099；6,455,570；5,595,885；6,093,398；6,379,667；5,641,636；5,698,404；6,448,058；6,008,220；6,265,432；6,169,103；6,133,304；6,541,521；6,624,196；6,307,089；6,239,288；5,756,545；6,020,366；6,117,869；6,294,674；6,037,361；6,399,612；6,495,568；6,624,177；5,948,780；6,620,835；6,284,513；5,977,141；6,153,612；6,297,247；6,559,142；6,555,535；6,350,885；5,627,206；5,665,764；5,958,972；6,420,408；6,492,422；6,340,709；6,022,948；6,274,703；6,294,694；6,53 1,499；6,465,508；6,437,177；6,376,665；5,268,384；5,183,900；5,189,178；6,511,993；6,617,354；6,331,563；5,962,466；5,861,427；5,830,869；和6,087,359中。

23) NFκB抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是NFκB(NFKB)抑制剂(例如，AVE-0545，Oxi-104(苯甲酰胺，4-氨基-3-氯-N-2-(二乙基氨基)乙基)-)，dexlipotam，R-氟比洛芬((1，1’-联苯基)-4-乙酸，2-氟-α-甲基)，SP100030(2-氯-N-(3，5-二(三氟甲基)苯基)-4-(三氟甲基)嘧啶-5-甲酰胺)，AVE-0545，Viatris，AVE-0547，Bay 11-7082，Bay 11-7085，15脱氧-prostaylandin J2，bortezomib(硼酸，((1R)-3-甲基-1-(((2S)-1-氧代-3-苯基-2-((吡嗪基羰基)氨基)丙基)氨基)丁基)-)，抑制NF-κB的苯甲酰胺和烟酰胺衍生物，如在美国专利号5,561,161和5,340,565(OxiGene)中描述的那些，PG490-88Na，或它的类似物或衍生物)。

24) NO激动剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是NO拮抗剂(例如，NCX-4016(苯甲酸，2-(乙酰基氧基)-3-((硝基氧基甲基)苯基酯)，NCX-2216，L-精氨酸，或它的类似物或衍生物)。

25) P38 MAP激酶抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物P38 MAP激酶抑制剂(例如，GW-2286，CGP-52411，BIRB-798，SB220025，RO-320-1195，RWJ-67657，RWJ-68354，SCIO-469，SCIO-323，AMG-548，CMC-146，SD-31145，CC-8866，Ro-320-1195，PD-98059(4H-1-苯并吡喃-4-酮，2-(2-氨基-3-甲氧基苯基)-)，CGH-2466，doramapimod，SB-203 580(吡啶，4-(5-(4-氟苯基)-2-(4-(甲基亚硫酰基)苯基)-1H-咪唑-4-基)-)，SB-220025((5-(2-氨基-4-嘧啶基)-4-(4-氟苯基)-1-(4-哌啶基)咪唑))，SB-281832，PD169316，SB202190，或它的类似物或衍生物)。另外的代表性实例包括在美国专利号6,300,347；6,316,464；6,316,466；6,376,527；6,444,696；6,479,507；6,509,361；6,579,874；和6,630,485，美国公开号2001/0044538A1；2002/0013354A1；2002/0049220A1；2002/0103245A1；2002/0151491A1；2002/0156114A1；2003/0018051A1；2003/0073832A1；2003/0130257A1；2003/0130273A1；2003/0130319A1；2003/0139388A1；2003/0139462A1；2003/0149031A1；2003/0166647A1和2003/0181411A1；和PCT公开号WO 00/63204A2，WO 01/21591A1，WO 01/35959A1，WO 01/74811A2，WO02/18379A2，WO 02/064594A2，WO 02/083622A2，WO 02/094842A2，WO02/096426A1，WO 02/101015A2，WO 02/103000A2，WO 03/008413A1，WO03/016248A2，WO 03/020715A1，WO 03/024899A2，WO 03/031431A1，WO03/040103A1，WO 03/053940A1，WO 03/053941A2，WO 03/063799A2，WO03/079986A2，WO 03/080024A2，WO 03/082287A1，WO 97/44467A1，WO99/01449A1和WO 99/58523A1中。

26) 磷酸二酯酶抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是磷酸二酯酶抑制剂(例如，CDP-840(吡啶，4((2R)-2(3-(环戊氧基)-4-甲氧基苯基)-2-苯基乙基)-)，CH-3697，CT-2820，D-22888(咪唑并(1，5-a)吡啶并(3，2-e)吡嗪-6(5H)-酮，9-乙基-2-甲氧基-7-甲基-5-丙基-)，D-4418(8-甲氧基喹啉-5-(N-(2，5-二氯吡啶-3-基))甲酰胺)，1-(3-环戊氧基-4-甲氧基苯基)-2-(2，6-二氯-4-吡啶基)乙酮肟，D-4396，ONO-6126，CDC-998，CDC-801，V-11294A(3-(3-(环戊氧基)-4-甲氧基苄基)-6-(乙基氨基)-8-异丙基-3H-盐酸嘌呤)，S，S’-亚甲基-二(2-(8-环丙基-3-丙基-6-(4-吡啶基甲基氨基)-2-硫代-3H-嘌呤))四盐酸盐，咯利普兰(2-吡咯烷酮，4-(3-(环戊氧基)-4-甲氧基苯基)-)，CP-293121，CP-353164(5-(3-环戊氧基-4-甲氧基苯基)吡啶-2-甲酰胺)，氧格雷酯(6-2，3-二氮杂萘羧酸，3，4-二氢-1-(羟甲基)-5，7-二甲基-4-氧代-，乙酯)，PD-168787，异丁司特(1-丙酮，2-甲基-1-(2-(1-甲基乙基)吡唑并(1，5-a)吡啶-3-基)-)，氧格雷酯(6-2，3-二氮杂萘羧酸，3，4-二氢-1-(羟基甲基)-5，7-二甲基-4-氧代-，乙酯)，灰链菌酸(α-L-talo-辛-4-烯呋喃糖醛酸，1-(6-氨基-9H-嘌呤-9-基)-3，6-脱水-6-C-羧基-1，5-二脱氧-)，KW-4490，KS-506，T-440，罗氟司特(苯甲酰胺，3-(环丙基甲氧基)N-(3，5-二氯-4-吡啶基)-4-(二氟甲氧基)-)，咯利普兰，米农，triflusinal(苯甲酸，2-(乙酰基氧基)-4-(三氟甲基)-)，盐酸阿拉瑞尼(咪唑(2，1-b)喹唑啉-2(3H)-酮，6，7-二氯-1，5-二氢-，一氢氯化物)，西洛他唑(2(1H)-喹啉酮，6-(4-(1-环己基-1H-四唑-5-基)丁氧基)-3，4-二氢-)，丙戊茶碱(1H-嘌呤-2，6-二酮，3，7-二氢-3-甲基-1-(5-氧代己基)-7-丙基-)，枸橼酸西地那非(哌嗪，1-((3-(4，7-二氢-1-甲基-7-氧代-3-丙基-1H-吡唑并(4，3-d)嘧啶-5-基)-4-乙氧基苯基)磺酰基)-4-甲基，2-羟基-1，2，3-丙三羧酸盐(酯)-(1∶1))，tadalafil(吡嗪并(1’，2’：1，6)吡啶并(3，4-b)吲哚1，4-二酮，6-(1，3-苯并间二氧杂环戊烯-5-基)-2，3，6，7，12，12a-六氢-2-甲基-，(6R-反式))，伐地那非(哌嗪，1-(3-(1，4-二氢-5-甲基(-4-氧代-7-丙基咪唑并(5，1-f)(1，2，4)-三嗪-2-基)-4-乙氧基苯基)磺酰基)-4-乙基-)，米力农((3，4’-二吡啶)-5-腈，1，6-二氢-2-甲基-6-氧代-)，依诺昔酮(2H-咪唑-2-酮，1，3-二氢-4-甲基-5-(4-(甲硫基)苯甲酰基)-)，茶碱(1H-嘌呤-2，6-二酮，3，7-二氢-1，3-二甲基-)，异丁司特(1-丙酮，2-甲基-1-(2-(1-甲基乙基)吡唑并(1，5-a)吡啶-3-基)-，氨茶碱(1H-嘌呤-2，6-二酮，3，7-二氢-1，3-二甲基-，具有1，2-乙二胺(2∶1)-的化合物)，醋酸溴茶碱(7H-嘌呤-7-乙酸，1，2，3，6-四氢-1，3-二甲基-2，6-二氧代，具有反式-4-(((2-氨基-3，5-二溴苯基)甲基)氨基)环己醇(1∶1)的化合物)，泼来妥明(丙酰胺，2-(4-氯苯氧基)-2-甲基N-(((4-吗啉基)甲基)氨基)羰基)-)，盐酸咯普力农(3-吡啶腈，1，2-二氢-5-咪唑并(1，2-a)吡啶-6-基-6-甲基-2-氧代-，一氢氯化物-)，磷柳酸(苯甲酸，2-(膦酰氧基)-)，氨力农((3，4’二吡啶)-6(1H)-酮，5-氨基-，或它的类似物或衍生物)。

其它的磷酸二酯酶抑制剂的实例包括登布茶碱(1H-嘌呤-2，6-二酮，1，3-二丁基-3，7-二氢-7-(2-氧代丙基)-)，丙戊茶碱(1 H-嘌呤-2，6-二酮，3，7-二氢-3-甲基-1-(5-氧代己基)-7-丙基-)和培力农(5-嘧啶腈，1，4-二氢-2-甲基-4-氧代-6-[(3-吡啶基甲基)氨基]-)。

其它的磷酸二酯酶III抑制剂的实例包括依诺昔酮(2H-咪唑-2-酮，1，3-二氢-4-甲基-5-(4-(甲硫基)苯甲酰基]-)，和沙特力农(3-吡啶腈，1，2-二氢-5-(4-(2-羟基-3-(4-(2-甲氧基苯基)-1-哌嗪基]丙氧基]苯基]-6-甲基-2-氧代-)。

其它的磷酸二酯酶IV抑制剂的实例包括AWD-12-281，3-auinoline羧酸，1-乙基-6-氟-1，4-二氢-7-(4-甲基-1-哌嗪基)-4-氧代-)，tadalafil(吡嗪并(1′，2′：1，6)吡啶并(3，4-b)吲哚1，4-二酮，6-(1，3-苯并间二氧杂环戊烯-5-基)-2，3，6，7，12，12a-六氢-2-甲基-，(6R-反))，和非明司特(乙酮，1-(3-(环戊基氧基)-4-甲氧基苯基]-，O-(氨基羰基)肟，(1E)-)。

另一个磷酸二酯酶V抑制剂的实例是伐地那非(哌嗪，1-(3-(1，4-二氢-5-甲基(-4-氧代-7-丙基咪唑并(5，1-f)(1，2，4)-三嗪-2-基)-4-乙氧基苯基)磺酰基)-4-乙基-)。

27) TGFβ抑制剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是TGFβ抑制剂(例如，甘露糖-6-磷酸，LF-984，他莫昔芬(乙酰胺，2-(4-(1，2-联苯基-1-丁烯基)苯氧基)-N，N-二甲基-，(Z)-)，曲尼司特，或它的类似物或衍生物)。

28) 血栓烷A2拮抗剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是血栓烷A2拮抗剂(例如，CGS-22652(3-吡啶庚酸，γ-4(-(((4-氯苯基)磺酰基)氨基)丁基)-，(.+-.)-，奥扎格雷(2-丙烯酸，3-(4-(1H-咪唑-1-基甲基)苯基)-，(E)-，阿加曲班(2-哌啶羧酸，1-(5-((氨基亚氨基甲基)氨基)-1-氧代-2-(((1，2，3，4-四氢-3-甲基-喹啉基)磺酰基)氨基)戊基)-4-甲基-)，雷马曲班(9H-咔唑-9-丙酸，3-(((4-氟苯基)磺酰基)氨基)-1，2，3，4-四氢-，(R)-)，托拉塞米(3-吡啶氨磺酰，N-(((1-甲基乙基)氨基)羰基)-4-((3-甲基苯基)氨基)-)，γ亚油酸((Z，Z，Z)-6，9，12-十八碳三烯酸)，塞曲司特(苯庚酸)，ζ-(2，4，5-)三甲基-3，6-二氧代-1，4-环己二烯-1-基)-，(+/-)-，或它的类似物或衍生物)。

29) TNFa拮抗剂和TACE抑制剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是TNFa拮抗剂或TACE抑制剂(例如，E-5531(2-脱氧-6-O-(2-脱氧-3-O-(3(R)-(5(Z)-十二烯酰氧基)癸基-)-6-O-甲基-2-(3-氧代十四烷酰胺基)-4-O-膦酰基-β-D-吡喃葡萄糖基)-3-O-(3(R)-羟基癸基)-2-(3-氧代十四烷酰胺基)-α-D-吡喃葡萄糖-1-O-磷酸盐(酯))，AZD-4717，glycophosphopeptical，UR-12715(苯甲酸，2-羟基-5-((4-(3-(4-(2-甲基-1H-咪唑并(4，5-c)吡啶-1-基)甲基)-1-哌啶基)-3-氧代-1-苯基-1-丙烯基)苯基)偶氮)(Z))，PMS-601，AM-87，木腺苷(xyloadenosine)(9H-嘌呤-6-胺，9-β-D-木呋喃糖基-)，RDP-58，RDP-59，BB2275，benzydamine，E-3330(十一烷酸，2-((4，5-二甲氧基-2-甲基-3，6-二氧代-1，4-环己二烯-1-基)亚甲基)-，(E)-)，N-(D，L-2-(羟基氨基羰基)甲基-4-甲基戊酰基)-L-3-(2’-萘基)丙氨酰-L-丙氨酸，2-氨基乙基酰胺，CP-564959，MLN-608，SPC-839，ENMD-0997，Sch-23863((2-(10，11-二氢-5-乙氧基-5H-二苯并(a，d)环庚烯-S-基)-N，N-二甲基-乙胺)，SH-636，PKF-241-466，PKF-242-484，TNF-484A，cilomilast(顺式-4-氰基-4-(3-(环戊基氧基)-4-甲氧基苯基)环己烷-1-羧酸)，GW-3333，GW-4459，BMS-561392，AM-87，氯克罗孟(乙酸，((8-氯-3-(2-(二乙基氨基)乙基)-4-甲基-2-氧代-2H-1-苯并吡喃-7-基)氧基)-，乙酯)，沙利度胺(1H-异吲哚-1，3(2H)-二酮，2-(2，6-二氧代-3-哌啶基)-)，维司力农(哌嗪，1-(3，4-二甲氧基苯甲酰基)-4-(1，2，3，4-四氢-2-氧代-6-喹啉基)-)，英夫利昔单抗，香菇多糖，依那西普(具有236-467-免疫球蛋白G1(人γ1-链Fc片段)的1-235-肿瘤坏死因子受体(人)融合蛋白)，双醋瑞因(2-蒽羧酸，4，5-二(乙酰氧基)-9，10-二氢-9，10-二氧代-，或它的类似物或衍生物)。

30) 酪氧酸激酶抑制剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是酪氨酸激酶抑制剂(例如，SKI-606，ER-068224，SD-208，N-(6-苯并噻唑基)-4-(2-(1-哌嗪基)吡啶-5-基)-2-嘧啶胺，南蛇藤醇(24，25，26-Trinoroleana-1(10)，3，5，7-四烯-29-酸，3-羟基-9，13-二甲基-2-氧代-，(9β.，13α，14β，20α)-)，CP-127374(格尔德霉素，17-去甲氧基-17-(2-丙烯基氨基)-)，CP-564959，PD-171026，CGP-52411(1H-异吲哚-1，3(2H)-二酮，4，5-二(苯基氨基)-)，CGP-53716(苯甲酰胺，N-(4-甲基-3-((4-(3-吡啶基)-2-嘧啶基)氨基)苯基)-)，伊马替尼(4-((甲基-1-哌嗪基)甲基)-N-(4-甲基-3-((4-(3-吡啶基)-2-嘧啶基)氨基)-苯基)苯甲酰胺甲磺酸盐(酯))，NVP-AAK980-NX，KF-250706(13-氯，5(R)，6(S)-环氧-14，16-二羟基-11-(羟基(hydroy)亚氨基)-3(R)-甲基-3，4，5，6，11，12-六氢-1H-2-苯氧杂环十四炔(benzoxacyclotetradecin)-1-酮)，5-(3-(3-甲氧基-4-(2-((E)-2-苯基乙烯基)-4-噁唑基甲氧基)苯基)丙基)-3-(2-((E)-2-苯基乙烯基)-4-噁唑基甲基)-2，4-噁唑烷二酮，金雀异黄素，NV-06，或它的类似物或衍生物)。

31) 玻连蛋白抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是玻连蛋白抑制剂(例如，O-(9，10-二甲氧基-1，2，3，4，5，6-六氢-4-((1，4，5，6-四氢-2-嘧啶基)亚肼基)-8-苯基(e)甘菊环基)-N-((苯基甲氧基)羰基)-DL-高丝氨酸2，3-二羟基丙基酯，(2S)-苯甲酰基羰基氨基-3-(2-((4S)-(3-(4，5-二氢-1H-咪唑-2-基氨基)-丙基)-2，5-二氧代-咪唑烷-1-基)-乙酰基氨基)-丙酸盐(酯)，Sch-221153，S-836，SC-68448(β-((2-2-(((3-((氨基亚氨基甲基)氨基)-苯基)羰基)氨基)乙酰基)氨基)-3，5-二氯苯丙酸)，SD-7784，S-247，或它的类似物或衍生物)。

32) 成纤维细胞生长因子抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是成纤维细胞生长因子抑制剂(例如，CT-052923(((2H-苯并(d)1，3-二氧戊环-5-甲基)氨基)(4-(6，7-二甲氧基喹唑啉-4-基)哌嗪基)甲烷-1-硫酮)，或它的类似物或衍生物)。

33) 蛋白激酶抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是蛋白激酶抑制剂(例如，KP-0201448，NPC15437(己酰胺，2，6-二氨基N-((1-(氧代十三烷基)-2-哌啶基)甲基)-)，法舒地尔(1H-1，4-二氮杂_，六氢-1-(5-异喹啉磺酰基)-)，米哚妥林(苯甲酰胺，N-(2，3，10，11，12，13-六氢-10-甲氧基-9-甲基-1-氧代-9，13-环氧-1H，9H-二吲哚(1，2，3-gh：3’，2’，1’-Im)吡咯并(3，4j)(1，7)苯并二偶氮宁-11-基)-N-甲基-，(9α，10β，11β，13α)-)，法舒地尔(1H-1，4-二氮杂_，六氢-1-(5-异喹啉基磺酰基)-)，右尼古地平(3，5-吡啶二羧酸，1，4-二氢-2，6-二甲基-4-(3-硝基苯基)-，3-(4，4-联苯基-1-哌啶基)丙基甲酯，一盐酸盐，(R)-)，LY-317615(1H-吡咯-2，5-二酮，3-(1-甲基-1H-吲哚-3-基)-4-[1-[1-(2-吡啶基甲基)-4-哌啶基]-1H-吲哚-3-基]-，一盐酸盐)，哌立福辛(哌啶鎓，4-[[羟基(十八烷基氧基)氧膦基]氧基]-1，1-二甲基-，内盐)，LY-333531(9H，18H-5，21：12，17-二亚甲基二苯并(e，k)吡咯(3，4-h)(1，4，13)氧杂二氮杂环十六碳炔-18，20(19H)-二酮，9-((二甲基氨基)甲基)-6，7，10，11-四氢-，(S)-)，Kynac；SPC-100270(1，3-十八烷基二醇，2-氨基-，[S-(R^*，R^*)]-)，Kynacyte，或它的类似物或衍生物)。

34) PDGF受体激酶抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是PDGF受体激酶抑制剂(例如，RPR-127963E，或它的类似物或衍生物)。

35) 内皮生长因子受体激酶抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是内皮生长因子受体激酶抑制剂(例如，CEP-7055，SU-0879((E)-3-(3，5-二-叔-丁基-4-羟基苯基)-2-(氨基硫代羰基)丙烯腈)，BIBF-1000，AG-013736(CP-868596)，AMG-706，AVE-0005，NM-3(3-(2-甲基羧甲基)-6-甲氧基-8-羟基-异香豆素)，Bay-43-9006，SU-011248，或它的类似物或衍生物)。

36) 视黄酸受体拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是视黄酸受体拮抗剂(例如，依他罗汀(Ro-15-1570)(萘，6-(2-(4-(乙基磺酰基)苯基)-1-甲基乙烯基)-1，2，3，4-四氢-1，1，4，4-四甲基-，(E)-)，(2E，4E)-3-甲基-5-(2-((E)-2-(2，6，6-三甲基-1-环己烯-1-基)乙烯基)-1-环己烯-1-基)-2，4-戊二烯酸，tocoretinate(视黄酸，3，4-二氢-2，5，7，8-四甲基-2-(4，8，12-三甲基烷基)-2H-1-苯并吡喃-6-基酯，(2R^*(4R^*，8R^*))-(±)-)，aliretinoin(视黄酸，顺式-9，反式-13-)，贝沙罗汀(苯甲酸，4-(1-(5，6，7，8-四氢-3，5，5，8，8-五甲基-2-萘基)乙烯基)-)，tocoretinate(视黄酸，3，4-二氢-2，5，7，8-四甲基-2-(4，8，12-三甲基十三烷基)-2H-1-苯并吡喃-6-基酯，[2R^*(4R^*，8R^*)]-(±)-，或它的类似物或衍生物)。

37) 血小板衍生的生长因子受体激酶抑制剂

在另一个实施方案中，药理学活性化合物是血小板衍生的生长因子受体激酶抑制剂(例如，来氟米特(4-异噁唑甲酰胺，5-甲基N-(4-(三氟甲基)苯基)-，或它的类似物或衍生物)。

38) Fibronogin拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是fibronogin拮抗剂(例如，吡考他胺(1，3-苯二甲酰胺，4-甲氧基-N，N’-二(3-吡啶基甲基)-，或它的类似物或衍生物)。

39) 抗真菌剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是抗真菌剂(例如，咪康唑，sulconizole，parthenolide，rosconitine，制霉菌素，异康唑，氟康唑，酮康唑(ketoconasole)，咪唑，伊曲康唑，terpinafine，elonazole，联苯苄唑，克霉唑，conazole，特康唑(哌嗪，1-(4-((2-(2，4-二氯苯基)-2-(1H-l，2，4-三唑-1-基甲基)-1，3-二氧戊环-4-基)甲氧基)苯基)-4-(1-甲基乙基)-，顺式-)，异康唑(1-(2-(2-6-二氯苄氧基)-2-(2-，4-二氯苯基)乙基))，灰黄霉素(螺(苯并呋喃-2(3H)，1’-(2)环己烷)-3，4’-二酮，7-氯-2’，4，6-三甲氧基-6’甲基，(1’S-反式)-)，联苯苄唑(1H-咪唑，1-((1，1’-联苯基)-4-基苯基甲基)-)，硝酸益康唑(1-(2-((4-氯苯基)甲氧基)-2-(2，4-二氯苯基)乙基)-1H-硝酸咪唑)，氯康唑(1H-咪唑，1-(1-(2-((3-氯苯基)甲氧基)苯基)乙烯基-)，舍他康唑(1H-咪唑，l-(2-((7-氯苯并(b)噻吩-3-基)甲氧基)-2-(2，4-二氯苯基)乙基)-)，奥莫康唑(1H-咪唑，1-(2-(2-(4-氯苯氧基)乙氧基)-2-(2，4-二氯苯基)-1-甲基乙烯基)-，(Z)-)，氟曲马唑(1H-咪唑，1-((2-氟苯基)(4-氟苯基)苯基甲基)-)，氟康唑(1H-1，2，4-三唑-1-乙醇，α-(2，4-二氟苯基)-α-(1H-1，2，4-三唑-1-基甲基)-)，奈康唑(1H-咪唑，1-(2-(甲硫基)-1-(2-(戊氧基)苯基)乙烯基)-，一氢氯化物，(E)-)，布康唑(1H-咪唑，1-(4-(4-氯苯基)-2-((2，6-二氯苯基)硫代)丁基)-，(+/-)-)，克霉唑(1-((2-氯苯基)联苯基甲基)-1H-咪唑，或它的类似物或衍生物)。

40) 二膦酸盐

在另-个实施方案中，所述药理学活性化合物是二膦酸盐(例如，氯膦酸盐，阿仑膦酸盐(alendronate)，帕米膦酸盐(pamidronate)，唑来膦酸盐(zoledronate)，或它的类似物或衍生物)。

41) 磷脂酶A1抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是磷脂酶A1抑制剂(例如，氯替泼诺碳酸乙酯(androsta-1，4-二烯-17-羧酸，17-((乙氧基羰基)氧基)-11-羟基-3-氧代-，氯甲基酯，(11β，17α)-，或它的类似物或衍生物)。

42) 组胺H1/H2/H3受体拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂(例如，雷尼替丁(1，1-乙二胺，N-(2-(((5-((二甲基氨基)甲基)-2-呋喃基)甲基)硫代)乙基)-N’-甲基-2-硝基-)，尼培替丁(N-(2-((5-((二甲基氨基)甲基)糠基)硫代)乙基)-2-硝基-N’-胡椒基-1，1-乙二胺)，法莫替丁(Propanimidamide，3-(((2-(((氨基亚氨基甲基)氨基)-4-噻唑基)甲基)硫代)-N-(氨基磺酰基)-)，roxitadine acetate HCl(乙酰胺，2-(乙酰氧基)-N-(3-(3-(1-哌啶基甲基)苯氧基)丙基)-，一氢氯化物)，拉呋替丁(乙酰胺，2-((2-呋喃基甲基)亚硫酰基)-N-(4-((4-(1-哌啶基甲基)-2-吡啶基)氧基)-2-丁烯基)-，(Z)-)，尼扎替丁(1，1-乙二胺，N-(2-(((2-((二甲基氨基)甲基)-4-噻唑基)甲基)硫代)乙基)-N’-甲基-2-硝基-)，乙溴替丁(苯磺酰胺，N-(((2-(((2-((氨基亚氨基甲基)氨基)-4-噻唑基)甲基)硫代)乙基)氨基)亚甲基)-4-溴-)，rupatadine(5H-苯并(5，6)环庚并(1，2-b)吡啶，8-氯-6，11-二氢-11-(1-((5-甲基-3-吡啶基)甲基)-4-哌啶烯基)-，三盐酸-)，非索非那定HCl(苯乙酸，4-(1-羟基-4-(4(羟基联苯基甲基)-1-哌啶基)丁基)-α，α-二甲基-，盐酸，或它的类似物或衍生物)。

43) 大环内酯抗生素

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是大环内酯抗生素(例如，地红霉素(红霉素，9-脱氧-11-脱氧-9，11-(亚氨基(2-(2-甲氧基乙氧基)乙烯基)氧基)-，(9S(R))-)，氟红霉素丁二酸乙酯(红霉素，8-氟-单(乙基丁二酸酯)(酯)-)，司丙红霉素(红霉素，2’-丙酸酯，具有N-乙酰基-L-半胱氨酸(1∶1)的化合物)，克拉霉素(红霉素，6-O-甲基-)，阿奇霉素(9-脱氧-9a-氮杂-9a-甲基-9a-同型红霉素A)，泰利霉素(3-去((2，6-二脱氧-3-C-甲基-3-O-甲基-α-L-核糖-己吡喃糖基(hexopyranosyl))氧基)-11，12-二脱氧-6-O-甲基-3-氧代-12，11-(氧代羰基((4-(4-(3-吡啶基)-1H-咪唑-1-基)丁基)亚氨基))-)，罗红霉素(红霉素，9-(O-((2-甲氧基乙氧基)甲基)肟))，洛他霉素(白霉素V，4B-丁酸盐(酯)3B-丙酸酯)，RV-11(红霉素一丙酸巯基琥珀酸酯)，醋酸麦迪霉素(白霉素V，3B，9-二乙酸盐(酯)3，4B-二丙酸酯)，麦迪霉素(白霉素V，3，4B-二丙酸酯)，交沙霉素(白霉素V，3-乙酸盐(酯)4B-(3-甲基丁酸盐(酯))，或它的类似物或衍生物)。

44) GPIIb IIIa受体拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是GPIIb IIIa受体拮抗剂(例如，盐酸替罗非班(L-酪氨酸，N-(丁基磺酰基)-O-(4-(4-哌啶基)丁基)-，一盐酸-)，依替巴肽(L-半胱氨酰胺，N6-(氨基亚氨基甲基)-N2-(3-巯基-1-氧代丙基)-L-赖氨酰甘氨酰-L-α-天冬氨酰-L-色氨酰-L-脯氨酰-，环状的(1-＞6)-二硫化物)，盐酸珍米洛非班，或它的类似物或衍生物)。

45) 内皮素受体拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是内皮素受体拮抗剂(例如，波生坦(苯磺酰胺，4-(1，1-二甲基乙基)-N-(6-(2-羟基乙氧基)-5-(2-甲氧基苯氧基)(2，2’-二嘧啶)-4-基)-，或它的类似物或衍生物)。

46) 过氧化物酶体增生物活化受体激动剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是过氧化物酶体增生物活化受体激动剂(例如，吉非贝齐(戊酸，5-(2，5-二甲基苯氧基)-2，2-二甲基-)，非诺贝特(丙酸，2-(4-(4-氯苯甲酰基)苯氧基)-2-甲基-，1-甲基乙基酯)，环丙贝特(丙酸，2-(4-(2，2-二氯环丙基)苯氧基)-2-甲基-)，马来酸罗格列酮(2，4-噻唑烷二酮，5-((4-(2-(甲基-2-吡啶基氨基)乙氧基)苯基)甲基)-，(Z)-2-丁烯二酸酯(1∶1))，盐酸吡格列酮(2，4-噻唑烷二酮，5-((4-(2-(5-乙基-2-吡啶基)乙氧基)苯基)甲基)-，一氢氯化物(+/-)-)，益多酯(丙酸，2-(4-氯苯氧基)-2-甲基-，2-(1，2，3，6-四氢-1，3-二甲基-2，6-二氧代-7H-嘌呤-7-基)乙基酯)，依托贝特(3-吡啶羧酸，2-(2-(4-氯苯氧基)-2-甲基-1-氧代丙氧基)乙基酯)，克利贝特(丁酸，2，2’-(亚环己基二(4，1-亚苯氧基))二(2-甲基-))，苯扎贝特(丙酸，2-(4-(2-((4-氯苯甲酰基)氨基)乙基)苯氧基)-2-甲基-)，比尼贝特(3-吡啶羧酸，2-(2-(4-氯苯氧基)-2-甲基-1-氧代丙氧基)-1，3-丙二基，或它的类似物或衍生物)。

在一个方面，所述药学活性化合物是过氧化物酶体增生物活化受体α激动剂，例如GW-590735，GSK-677954，GSK501516，pioglitazonehydrochloride(2，4-噻唑烷二酮，5-[[4-[2-(5-乙基-2-吡啶基)乙氧基]苯基]甲基]-，一盐酸盐(+/-)-，或它的类似物或衍生物)。

47) 雌激素受体试剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是雌激素受体试剂(例如，雌二醇，17-β-雌二醇，或它的类似物或衍生物)。

48) 促生长素抑制素类似物

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是促生长素抑制素或促生长素抑制素类似物(例如，血管肽素(angiopeptin)，或它的类似物或衍生物)。

49) 神经激肽1拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是神经激肽1拮抗剂(例如，GW-597599，拉奈匹坦((1，4′-二哌啶)-1′-乙酰胺，N-(2-(乙酰基((2-甲氧基苯基)甲基)氨基)-1-(1H-吲哚-3-基甲基)乙基)-(R)-)，氯化诺匹坦铵(1-氮鎓二环[2.2.2]辛烷，1-[2-[3-(3，4-二氯苯基)-1-((3-(1-甲基乙氧基)苯基)乙酰基)-3-哌啶基]乙基]-4-苯基-，氯化物，(S)-)，或沙瑞度坦(苯甲酰胺，N-(4-(4-(乙酰基氨基)-4-苯基-1-哌啶基)-2-(3，4-二氯苯基)丁基)-N-甲基-，(S)-)，或沃氟匹坦(3-哌啶胺，N-((2-甲氧基-5-(5-(三氟甲基)-1H-四唑-1-基)苯基)甲基)-2-苯基-，(2S，3S)-，或其类似物或衍生物)。

50) 神经激肽3拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是神经激肽3拮抗剂(例如，他奈坦(4-喹啉甲酰胺，3-羟基-2-苯基-N-[(1S)-1-苯基丙基]-，或其类似物或衍生物)。

51) 神经激肽拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是神经激肽拮抗剂(例如，GSK-679769，GSK-823296，SR-489686(苯甲酰胺，N-(4-(4-(乙酰基氨基)-4-苯基-1-哌啶基)-2-(3，4-二氯苯基)丁基)-N-甲基-，(S)-)，SB-223412；SB-235375(4-喹啉甲酰胺，3-羟基-2-苯基-N-((1 S)-1-苯基丙基)-)，UK-226471，或其类似物或衍生物)。

52) VLA-4拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是VLA-4拮抗剂(例如，GSK683699，或其类似物或衍生物)。

53) 破骨细胞抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是破骨细胞抑制剂(例如，伊班膦酸(膦酸，(1-羟基-3-(甲基戊基氨基)亚丙基)双-)，阿仑膦酸钠，或其类似物或衍生物)。

54) DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂(例如，依诺沙星(1，8-二氮杂萘-3-羧酸，1-乙基-6-氟-1，4-二氢-4-氧代-7-(1-哌嗪基)-)，左氧氟沙星(7H-吡啶并[1，2，3-de]-1，4-苯并噁嗪-6-羧酸，9-氟-2，3-二氢-3-甲基-10-(4-甲基-1-哌嗪基)-7-氧代-，(S)-)，氧氟沙星(7H-吡啶并[1，2，3-de]-1，4-苯并噁嗪-6-羧酸，9-氟-2，3-二氢-3-甲基-10-(4-甲基-1-哌嗪基)-7-氧代-，(+/-)-)，培氟沙星(3-喹啉羧酸，1-乙基-6-氟-1，4-二氢-7-(4-甲基-1-哌嗪基)-4-氧代-)，吡哌酸(吡啶并[2，3-d]嘧啶-6-羧酸，8-乙基-5，8-二氢-5-氧代-2-(1-哌嗪基)-)，吡柔比星(5，12-并四苯二酮，10-[[3-氨基-2，3，6-三脱氧-4-O-(四氢-2H-吡喃-2-基)-α-L-来苏-己糖吡喃糖基]氧基]-7，8，9，10-四氢-6，8，11-三羟基-8-(羟基乙酰基)-1-甲氧基-，[8S-(8α，10α(S^*))]-)，司帕沙星(3-喹啉羧酸，5-氨基-1-环丙基-7-(3，5-二甲基-1-哌嗪基)-6，8-二氟-1，4二氢-4-氧代-，顺-)，AVE-6971，西诺沙星([1，3]间二氧杂环戊烯并[4，5-g]噌啉-3-羧酸，1-乙基-1，4-二氢-4-氧代-)，或其类似物或衍生物)。

55) 血管紧张肽I转化酶抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是血管紧张肽I转化酶抑制剂(例如，雷米普利(环戊[b]吡咯-2-羧酸，1-[2-[[1-(乙氧基羰基)-3-苯基丙基]氨基]-1-氧代丙基]八氢-，[2S-[1[R^*(R^*)]，2α，3aβ，6aβ]]-)，群多普利(1H-引哚-2-羧酸，1-[2-[(1-羧基-3-苯基丙基)氨基]-1-氧代丙基]八氢-，[2S-[1[R^*(R^*)]，2α，3aα，7aβ]]-)，法西多曲(L-丙氨酸，N-[(2S)-3-(乙酰基硫代)-2-(1，3-苯并间二氧杂环戊烯-5-基甲基)-1-氧代丙基]-，苯基丙基酯)，西拉普利(6H-哒嗪并[1，2-a][1，2]二氮杂_-1-羧酸，9-[[1-(乙氧基羰基)-3-苯基丙基]氨基]八氢-10-氧代-，[1S-[1α，9α(R^*)]]-)，雷米普利(环戊[b]吡咯-2-羧酸，1-[2-[[1-(乙氧基羰基)-3-苯基丙基]氨基]-1-氧代丙基]八氢-，[2S-[1[R^*(R^*)]，2α，3aβ，6aβ]]-)，或其类似物或衍生物)。

56) 血管紧张肽II拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是血管紧张肽II拮抗剂(例如，HR-720(1H-咪唑-5-羧酸，2-丁基-4-(甲硫基)-1-[[2′-[[[(丙氨基)羰基]氨基]磺酰基][1，1′-联苯基]-4-基]甲基]-，二钾盐，或其类似物或衍生物)。

57) 脑啡呔酶抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是脑啡呔酶抑制剂(例如，Aventis 100240(吡啶并[2，1-a][2]苯并氮杂-4-羧酸，7-[[2-(乙酰基硫代)-1-氧代-3-苯基丙基]氨基]-1，2，3，4，6，7，8，1 2b-八氢-6-氧代-，[4S-[4α，7α(R^*)，12bβ]]-)，AVE-7688，或其类似物或衍生物)。

58) 过氧化物酶体增生物活化受体γ激动剂胰岛素敏化剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是过氧化物酶体增生物活化受体γ激动剂胰岛素敏化剂(例如，马来酸罗西格列酮(2，4-噻唑烷二酮，5-((4-(2-(甲基-2-吡啶基氨基)乙氧基)苯基)甲基)-，(Z)-2-丁烯二根合(1∶1)，法格立他扎(GI-262570，GW-2570，GW-3995，GW-5393，GW-9765)，LY-929，LY-519818，LY-674，或LSN-862)，或其类似物或衍生物)。

59) 蛋白激酶C抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是蛋白激酶C抑制剂，如ruboxistaurin甲磺酸盐(酯)(9H，18H-5，21：12，17-二亚甲基(dimetheno)二苯并(e，k)吡咯并(3，4-h)(1，4，13)氧杂二氮杂环十六碳炔-1 8，20(19H)-二酮，9-((二甲基氨基)甲基)-6，7，10，11-四氢-，(S)-)，沙芬戈(1，3-十八烷二醇，2-氨基-，[S-(R^*，R^*)]-)，或盐酸enzastaurin(1H-吡咯-2，5-二酮，3-(1-甲基-1H-吲哚-3-基)-4-[1-[1-(2-吡啶甲基)-4-哌啶基]-1H-吲哚-3-基]-，一盐酸盐)，或其类似物或衍生物。

60) ROCK(rho-关联激酶)抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是ROCK(rho-关联激酶)抑制剂，如Y-27632，HA-1077，H-1152和4-1-(氨基烷基)-N-(4-吡啶基)环己烷甲酰胺，或其类似物或衍生物。

61) CXCR3抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是CXCR3抑制剂，如T-487，T0906487或其类似物或衍生物。

62) Itk抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是Itk抑制剂，如BMS-509744或其类似物或衍生物。

63)胞质磷脂酶A₂-α抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂，如efipladib(PLA-902)或其类似物或衍生物。

64) PPAR激动剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是PPAR拮抗剂(例如，Metabolex((-)-苯乙酸，4-氯-α-[3-(三氟甲基)-苯氧基]-，2-(乙酰氨基)乙酯)，balaglitazone(5-(4-(3-甲基-4-氧代-3，4-二氢-喹唑啉-2-基-甲氧基)-苄基)-噻唑烷-2，4-二酮)，环格列酮(2，4-噻唑烷二酮，5-[[4-[(1-甲基环己基)甲氧基]苯基]甲基]-)，DRF-10945，法格立他扎，GSK-677954，GW-409544，GW-501516，GW-590735，GW-590735，K-111，KRP-101，LSN-862，LY-519818，LY-674，LY-929，muraglitazar；BMS-298585(甘氨酸，N-[(4-甲氧基苯氧基)羰基]-N-[[4-[2-(5-甲基-2-苯基-4-噁唑基)乙氧基]苯基]甲基]-)，netoglitazone；isaglitazone(2，4-噻唑烷二酮，5-[[6-[(2-氟苯基)甲氧基]-2-萘基]甲基]-)，Actos AD-4833；U-72107A(2，4-噻唑烷二酮，5-[[4-[2-(5-乙基-2-吡啶基)乙氧基]苯基]甲基]-，一盐酸盐(+/-)-)，JTT-501；PNU-182716(3，5-异噁唑烷二酮，4-[[4-[2-(5-甲基-2-苯基-4-噁唑基)乙氧基]苯基]甲基]-)，AVANDIA(来自SB Pharmco Puerto Rico，Inc.(Puerto Rico)；BRL-48482；BRL-49653；BRL-49653c；NYRACTA和Venvia(都来自(SmithKline Beecham(英国))；tesaglitazar((2S)-2-乙氧基-3-[4-[2-[4-[(甲基磺酰基)氧基]苯基]乙氧基]苯基]丙酸)，曲格列酮(2，4-噻唑烷二酮，5-[[4-[(3，4-二氢-6-羟基-2，5，7，8-四甲基-2H-1-苯并吡喃-2-基)甲氧基]苯基]甲基]-)，及其类似物或衍生物)。

65) 免疫抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是免疫抑制剂(例如，巴布司特(环己烷羧酸，4-[[(氨基亚氨基甲基)氨基]甲基]-，4-(1，1-二甲基乙基)苯基酯，反-)，cyclomunine，依沙酰胺(苯甲酰胺，2-(己氧基)-)，LYN-001，CCI-779(雷帕霉素42-(3-羟基-2-(羟基甲基)-2-甲基丙酸酯))，1726；1726-D；AVE-1726，或其类似物或衍生物)。

66) Erb抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是Erb抑制剂(例如，canertinib二盐酸盐(N-[4-(3-(氯-4氟-苯基氨基)-7-(3-吗啉-4-基-丙氧基)-喹唑啉-6-基)-丙烯酰胺二盐酸盐]，CP-724714，或其类似物或衍生物)。

67) 编程性细胞死亡激动剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是编程性细胞死亡激动剂(例如，CEFLATONIN(CGX-635)(来自Chemgenex Therapeutics，Inc.，Menlo Park，CA)，CHML，LBH-589，甲氧氯普胺(苯甲酰胺，4-氨基-5-氯-N-[2-(二乙基氨基)乙基]-2-甲氧基-)，patupilone(4，17-二氧杂双环(14.1.0)十七烷-5，9-二酮，7，11-二羟基-8，8，10，12，16-五甲基-3-(1-甲基-2-(2-甲基-4-噻唑基)乙烯基，(1R，3S，7S，10R，11S，12S，16R))，AN-9；pivanex(丁酸，(2，2-二甲基-1-氧代丙氧基)甲酯)，SL-100；SL-102；SL-11093；SL-11098；SL-11099；SL-93；SL-98；SL-99，或其类似物或衍生物)。

68) 脂皮质蛋白激动剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是脂皮质蛋白激动剂(例如，CGP-13774(9α-氯-6α-氟-11β，17α-二羟基-16α-甲基-3-氧代-1，4-雄甾二烯-17β-羧酸-甲酯-17-丙酸酯)，或其类似物或衍生物)。

69) VCAM-1拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是VCAM-1拮抗剂(例如，DW-908e，或其类似物或衍生物)。

70) 胶原蛋白拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是胶原蛋白拮抗剂(例如，E-5050(苯丙酰胺，4-(2，6-二甲基庚基)-N-(2-羟基乙基)-β-甲基-)，鲁非罗尼(2，4-吡啶二甲酰胺，N，N′-二(2-甲氧基乙基)-)，或其类似物或衍生物)。

71) α2整联蛋白拮抗剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是α2整联蛋白拮抗剂(例如，E-7820，或其类似物或衍生物)。

72) TNFα抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是TNFα抑制剂(例如，丙酮酸乙酯，Genz-29155，香菇多糖(Ajinomoto Co.，Inc.(日本))，利诺胺(3-喹啉甲酰胺，1，2-二氢-4-羟基-N，1-二甲基-2-氧代-N-苯基-)，UR-1505，或其类似物或衍生物)。

73) 一氧化氮抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是一氧化氮抑制剂(例如，胍(guanidio)乙基二硫化物，或其类似物或衍生物)。

74) 组织蛋白酶抑制剂

在另一个实施方案中，所述药理学活性化合物是组织蛋白酶抑制剂(例如，SB-462795或其类似物或衍生物)。

在本发明的各种实施方案中，装置结合或在一个面、部分或表面上涂布有抑制纤维变性(和/或再狭窄)的组合物，并且在装置另一个面、部分或表面上涂布有促进纤维变性的组合物或化合物。促进纤维变性的药剂的代表性实例包括丝和其它刺激剂(例如，滑石，绒毛(包括动物绒毛，刨花，和合成绒)，滑石粉，铜，金属铍(或其氧化物)，石英粉，硅，结晶硅酸盐)，聚合物(例如，聚赖氨酸，聚氨酯，聚对苯二甲酸乙二酯，PTFE，聚(烷基氰基丙烯酸酯)，和聚(乙烯-共-乙烯基乙酸酯)；氯乙烯和氯乙烯的聚合物；具有高赖氨酸含量的肽；涉及血管生成的生长因子和炎性细胞因子，成纤维细胞迁移，成纤维细胞增殖，ECM合成和组织重塑，如表皮生长因子(EGF)家族，转化生长因子α(TGF-α)，转化生长因子β(TGF-9-1，TGF-9-2，TGF-9-3，血小板衍生生长因子(PDGF)，成纤维细胞生长因子(酸性-aFGF；和碱性-bFGF)，成纤维细胞刺激因子-1，活化素，血管内皮生长因子(包括VEGF-2，VEGF-3，VEGF-A，VEGF-B，VEGF-C，胎盘生长因子-PIGF)，血管生成素，胰岛素样生长因子(IGF)，肝细胞生长因子(HGF)，结缔组织生长因子(CTGF)，骨髓集落刺激因子(CSFs)，单核细胞趋化蛋白，粒细胞-巨噬细胞集落刺激因子(GM-CSF)，粒细胞集落刺激因子(G-CSF)，巨噬细胞集落刺激因子(M-CSF)，促红细胞生成素，白介素(特别是IL-1，IL-8，和IL-6)，肿瘤坏死因子-α(TNF-9)，神经生长因子(NGF)，干扰素-α，干扰素-β，组胺，内皮素-l，血管紧张素II，生长激素(GH)，和合成肽，这些因子的类似物或衍生物也适于从后面所述的具体植入物和装置中释放。其它的实例包括CTGF(结缔组织生长因子)；炎性微晶体(例如，晶体矿物质诸如结晶硅酸盐)；溴隐亭、美西麦角、甲氨蝶呤，脱乙酰壳多糖、N-羧丁基脱乙酰壳多糖、四氯化碳、硫代乙酰胺、fibrosin、乙醇，博来霉素，一般在一个或两个末端包含Arg-Gly-Asp(RGD)序列的天然存在或合成的肽(见，例如美国专利号5,997,895)，和组织粘附剂，诸如氰基丙烯酸酯和交联的聚(乙二醇)-甲基化的胶原蛋白组合物。其它纤维变性诱导剂的实例包括骨形态发生蛋白质(例如，BMP-2、BMP-3、BMP-4、BMP-5、BMP-6(Vgr-1)、BMP-7(OP-1)、BMP-8、BMP-9、BMP-10、BMP-11、BMP-12、BMP-13、BMP-14、BMP-15和BMP-16)。在这些BMP中，BMP-2、BMP-3、BMP-4、BMP-5、BMP-6和BMP-7特别有用。骨形态发生蛋白质在，例如，美国专利号4,877,864；5,013,649；5,661,007；5,688,678；6,177,406；6,432,919；和6,534,268以及Wozney，J.M.等，(1988)Science：242(4885)；1528-1534中进行了描述。

纤维变性诱导剂的其它代表性实例包括细胞外基质的组分(例如，纤连蛋白，纤维蛋白，血纤维蛋白原，胶原蛋白(例如，牛胶原蛋白)，包括纤维状和非纤维状胶原蛋白、粘附性糖蛋白、蛋白多糖(例如，硫酸肝素、硫酸软骨素、硫酸皮肤素)、透明质烷、富含半胱氨酸的酸性分泌蛋白(SPARC)，血小板反应蛋白、tenacin和细胞粘附分子(包括整合素、玻连蛋白、纤连蛋白、层粘连蛋白、透明质酸、弹性蛋白、bitronectin)，和在基膜中发现的蛋白质，以及fibrosin)，和基质金属蛋白酶的抑制剂，诸如TIMPs(基质金属蛋白酶的组织抑制剂)和合成性TIMPs，例如，马立马司他(marimistat)，巴马司他(batimistat)，多西环素，四环素，二甲胺四环素，TROCADE，Ro-1130830，CGS27023A，和BMS-275291，及其类似物和衍生物。

所述医用植入物可以包括纤维变性抑制剂和抗血栓形成剂和/或抗血小板剂和/或血栓溶解剂，其减少在医用植入物植入后的血栓形成事件的可能性。在本发明的各种实施方案中，装置在一面上涂布有抑制纤维变性(和/或再狭窄)的组合物，并且被在装置的另一个面上涂布有阻止血栓形成的组合物或化合物。抗血栓形成和/或抗血小板剂和/或血栓溶解剂的代表性实例包括肝素，肝素片段，肝素的有机盐，肝素复合物(例如，盐酸胱胺肝素，三(十二烷基)铵肝素(heparinate))，右旋糖酐，磺化碳水化合物诸如糖酐酯(dextran sulphate)，香豆定结晶，香豆素，类肝素，达那肝素，阿加曲班壳聚糖硫酸酯，硫酸软骨素，达那肝素，来匹卢定，水蛭素，AMP，腺苷，2-氯腺苷，阿司匹林，保泰松，吲哚美辛，甲氯酚那酸，hydrochloroquine，双嘧达莫，伊洛前列素，链激酶，Xa因子抑制剂，诸如DX9065a，镁，和组织纤溶酶原激活物。另外的实例包括纤溶酶原，lys-纤溶酶原，α-2-抗纤维蛋白溶酶，尿激酶，氨基己酸，噻氯匹定，氯吡格雷，曲匹地尔(三唑并嘧啶)，萘呋胺，auriritricarboxylic acid和糖蛋白IIb/IIIa抑制剂诸如阿昔单抗，依替巴肽和tirogiban。可以影响凝结速度的其它试剂包括糖胺聚糖，达那肝素，4-羟基香豆素，华法林钠，双香豆素，苯丙香豆素，茚满-1，3-二酮，醋硝香豆素，茴茚二酮，和杀鼠药，包括溴二酮，溴鼠隆，二苯茚酮，氯敌鼠和pidnone。

医用植入物的血栓形成性可以通过用聚合物制剂来涂布植入物得以减少，所述聚合物制剂具有抗血栓形成特性。例如，可以用亲水性聚合物凝胶来涂布所述医用装置。所述聚合物凝胶可以包括亲水性、生物可降解的聚合物从而减少血小板与装置表面之间的粘附，所述生物可降解的聚合物随时间流逝从所述装置表面被物理地去除。所述凝胶组合物可以包括聚合物或聚合物的混合物。代表性实例包括藻酸盐，脱乙酰壳聚糖和硫酸壳聚糖，透明质酸，糖酐酯，PLURONIC聚合物(例如，F-127或F87)和链被延伸的PLURONIC聚合物，各种构型构型的聚酯-聚醚嵌段共聚物(例如，AB，ABA，或BAB，其中A是聚酯诸如PLA，PGA，PLGA，PCL或其类似物)，其实例包括MePEG-PLA，PLA-PEG-PLA，等。在一个实施方案中，抗血栓形成组合物可以包括从分子(例如，PEG)的组合形成的交联的凝胶，所述分子具有两个或更多末端亲电子基团和两个或更多亲核基团。

在一方面，本发明还提供医用植入物的组合(以及组合物和制作医用植入物的方法)，所述医用植入物的组合包括抗纤维生成剂(anti-fibrosingagent)和抗感染剂，其减少在医用植入物中感染的可能性。感染是异物诸如医用装置植入的常见并发症。外源物质提供微生物附着和定居的理想位点。还假定存在宿主防御系统的损害，所述防御系统针对在外源物质周围的微环境的感染。这些因素使医用植入物对于感染特别敏感，并且，如果不是不可能，在大多数情形中难于根除这些感染。

本发明提供试药剂(例如，化疗剂)，所述药剂可以从可移植的装置释放，并且其在极低的剂量具有有效的抗微生物的活性。可以将广泛种类的抗感染试剂与按照本发明的纤维生成剂组合使用。在下面详细讨论的是可以使用的试剂的一些代表性实例：(A)蒽环霉素(例如多柔比星和米托蒽醌)、(B)氟嘧啶(例如5-FU)、(C)叶酸拮抗剂(例如甲氨蝶呤)、(D)鬼臼毒素(例如依托泊苷)、(E)喜树碱、(F)羟基脲和(G)铂复合物(例如顺铂)。

(A). 蒽环霉素类

蒽环霉素具有下列通用结构，其中R基团可以为不同的有机基团：

按照美国专利US5,594,158，合适的R基团如下：R₁为CH₃或CH₂OH；R₂为daunosamine或H；R₃和R₄独立地为OH、NO₂、NH₂、F、Cl、Br、I、CN、H或来源于它们的基团之一；R₅为氢、羟基或甲氧基；且R_6-8均为氢。或者，R₅和R₆为氢且R₇和R₈为烷基或卤素，或反之亦然。

按照美国专利5,843,903，R₁可以为缀合的肽。按照美国专利4,296,105，R₅可以为醚连接的烷基基团。按照美国专利4,215,062，R₅可以为OH或醚连接的烷基。R₁还可以通过非C(O)的基团与蒽环霉素的环连接，所述非C(O)的基团诸如为在末端含有C(O)连接部分的烷基或支链烷基，诸如-CH₂CH(CH₂-X)C(O)-R₁，其中X为H或烷基基团(见，例如，美国专利4,215,062)。R₂备选为通过官能团＝N-NHC(O)-Y连接的基团，其中Y为诸如苯基或取代的苯环这类基团。备选地，R₃为下列结构：

其中R₉为环平面内或外的OH或为第二个糖部分，诸如R₃。R₁₀可以为H或与诸如芳族基团、含有至少一个环氮的饱和或部分饱和的5或6元杂环的这类基团形成仲胺(参见美国专利5,843,903)。另一方面，R₁₀可以来源于含有-C(O)CH(NHR₁₁)(R₁₂)结构的氨基酸，其中R₁₁为H；或R₁₀可以与R₁₂形成C_3-4元亚烷基。R₁₂可以为H、烷基、氨基烷基、氨基、羟基、巯基、苯基、苄基或甲硫基(参见美国专利4,296,105)。

典型的蒽环霉素为多柔比星、柔红霉素、伊达比星、表柔比星、吡柔比星、佐柔比星和卡柔比星。合适的化合物具有如下结构：

其它合适的蒽环霉素为具有如下结构的安曲霉素、米托蒽醌、美诺立尔、诺拉霉素、阿克拉霉素A、橄榄霉素A、色霉素A₃和普卡霉素：

其它有代表性的蒽环霉素包括FCE 23762，多柔比星衍生物(Quaglia等J.Lip.Chromatogr.17(18)：3911-3923，1994)、annamycin(Zou等，J.Pharm.Sci.82(11)：1151-1154，1993)、ruboxyl(Rapoport等，J.Controlled Release 58(2)：153-162，1999)、蒽环霉素二糖多柔比星类似物(Pratesi等，Clin.CancerRes.4(11)：2833-2839，1998)、N-(三氟乙酰基)多柔比星和4′-O-乙酰基-N-(三氟乙酰基)多柔比星(Berube & Lepage，Synth.Commun.28(6)：1109-1116，1998)、2-吡咯啉并多柔比星(Nagy等Proc.Nat’l Acad.Sci.U.S.A.95(4)：1794-1799，1998)、二糖多柔比星类似物(Arcamone等，J.Nat′l CancerInst.89(16)：1217-1223，1997)、4-脱甲氧基-7-O-[2，6-双脱氧-4-O-(2，3，6-三脱氧-3-氨基-α-L-来苏-己糖吡喃糖基)-α-L-来苏-己糖吡喃糖基]adriamicinone多柔比星二糖类似物(Monteagudo等，Carbohydr.Res.300(1)：11-16，1997)、2-吡咯啉并多柔比星(Nagy等Proc.Nat’l Acad.Sci.U.S.A.94(2)：652-656，1997)、吗啉基多柔比星类似物(Duran等，Cancer Chemother.Pharmacol.38(3)：210-216，1996)、烯氨基丙二酰基-β-丙氨酸多柔比星衍生物(Seitz等，Tetrahedron Lett.36(9)：1413-16，1995)、头孢菌素多柔比星衍生物(Vrudhula等，J.Med.Chem.38(8)：1380-5，1995)、hydroxyrubicin(Solary等，Int.J.Cancer 58(1)：85-94，1994)、甲氧基吗啉基多柔比星衍生物(Kuhl等，CancerChemother.Pharmacol.33(1)：10-16，1993)、(6-顺丁烯二酰亚氨基己酰基)腙多柔比星衍生物(Willner等Bioconjugate Chem.4(6)：521-7，1993)、N-(5，5-二乙酰氧基戊-1-基)多柔比星(Cherif & Farquhar，J.Med.Chem.35(17)：3208-14，1992)、FCE 23762甲氧基吗啉基多柔比星衍生物(Ripamonti等，Br.J.Cancer 65(5)：703-7，1992)、N-羟基琥珀酰亚胺酯多柔比星衍生物(Demant等，Biochim.Biophys.Acta 1118(1)：83-90，1991)、多脱氧核苷酸多柔比星衍生物(Ruggiero等，《生物化学与生物物理学学报》(Biochim.Biophys.Acta)1129(3)：294-302，1991)、吗啉基多柔比星衍生物(EPA434960)、米托蒽醌多柔比星类似物(Krapcho等，《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)34(8)：2373-80.1991)、ADl98多柔比星类似物(Traganos等，《癌症研究》(Cancer Res.)51(14)：3682-9，1991)、4-脱甲氧基-3′-N-三氟乙酰基多柔比星(Horton等Drug Des.Delivery 6(2)：123-9，1990)、4′-epidoxorubicin(Drzewoski等，《波兰药理学与药物学杂志》(Pol.J.Pharmacol.Pharm.)40(2)：159-65，1988；Weenen等，《欧洲癌症临床肿瘤学杂志》(Eur.J.Cancer Clin.Oncol.)20(7)：919-26，1984)、烷基化氰基吗啉基多柔比星衍生物(Scudder等，《国家癌症研究院杂志》(J.Nat′lCancer Inst.)80(16)：1294-8，1988)、脱氧二氢iodooxorubicin(EPA275966)、阿霉素(Kalishevskaya等，Vestn.Mosk.Univ.，16(Biol.1)：21-7，1988)、4′-脱氧多柔比星(Schoelzel等《白细胞研究》(Leuk.Res.)10(12)：1455-9，1986)、4-脱甲氧基-4′-o-甲基多柔比星(Giuliani等，Proc.Int.Congr.Chemother.16：285-70-285-77，1983)、3′-脱氨基-3′-羟基多柔比星(Horton等《抗生素杂志》(J.Antibiot.)37(8)：853-8，1984)、4-脱甲氧基多柔比星类似物(Barbieri等，《药物临床实验研究》(Drugs Exp.Clin.Res.)10(2)：85-90，1984)、N-L-亮氨酰多柔比星衍生物(Trouet等，蒽环霉素类(Anthracyclines)-Proc.Int．Symp.Tumor Pharmacother.，179-81，1983)、3′-脱氨基-3′-(4-甲氧基-1-哌啶基)多柔比星衍生物(U.S.4,314,054)、3′-脱氨基-3′-(4-吗啉基)多柔比星衍生物(U.S.4,301,277)、4′-脱氧多柔比星和4′-o-甲基多柔比星(Giuliani等，《国际癌症杂志》(Int.J.Cancer)27(1)：5-13，1981)、糖苷配基多柔比星衍生物(Chan & Watson，《药物科学杂志》(J.Pharm.Sci.)67(12)：1748-52，1978)、SM 5887(《日本药学》(Pharma Japan)1468：20，1995)、MX-2(《日本药学》(Pharma Japan)1420：19，1994)、4′-脱氧-13(S)-二氢-4′-碘多柔比星(EP 275966)、吗啉基多柔比星衍生物(EPA 434960)、3′-脱氨基-3′-(4-甲氧基-1-哌啶基)多柔比星衍生物(U.S.4,314,054)、多柔比星-14-戊酸酯、吗啉基多柔比星(U.S.5,004,606)、3′-脱氨基-3′-(3″-氰基-4″-吗啉基多柔比星、3′-脱氨基-3′-(3″-氰基-4″-吗啉基)-13-二氢多柔比星、(3′-脱氨基-3′-(3″-氰基-4″-吗啉基)柔红霉素、3′-脱氨基-3′-(3″-氰基-4″-吗啉基)-3-二氢柔红霉素；和3′-脱氨基-3′-(4″-吗啉基-5-亚氨基多柔比星和衍生物(U.S.4,585,859)、3′-脱氨基-3′-(4-甲氧基-1-哌啶基)多柔比星衍生物(U.S.4,314,054)和3-脱氨基-3-(4-吗啉基)多柔比星衍生物(U.S.4,301,277)。

(B). 氟嘧啶类似物

在另一个方面中，所述的治疗剂为氟嘧啶类似物，诸如5-氟尿嘧啶或其类似物或衍生物，包括卡莫氟、去氧氟尿苷、乙嘧替氟、呋氟脲嘧啶和氟尿苷。典型的化合物具有如下结构：

	R1	R2
			5-氟尿嘧啶卡莫氟去氧氟尿苷氟尿苷乙嘧替氟呋氟脲嘧啶	HC(O)NH(CH2)5CH3A1A2CH2OCH2CH3C	HHHHBH

其它合适的氟嘧啶类似物包括5-FudR(5-氟-脱氧尿苷)或其类似物或衍生物，包括5-碘脱氧尿苷(5-IudR)、5-溴脱氧尿苷(5-BudR)、氟尿苷三磷酸(5-FUTP)和氟脱氧尿苷一磷酸(5-dFUMP)。典型的化合物具有如下结构：

5-氟-2′-脱氧尿苷：R＝F

5-溴-2′-脱氧尿苷：R＝Br

5-碘-2′-脱氧尿苷：R＝I

氟嘧啶类似物的其它代表性实例包括5-氟尿嘧啶的N3-烷基化类似物(Kozai等，J.Chem.Soc.，Perkin Trans.1(19)：3145-3146，1998)、含有1，4-氧杂庚环部分的5-氟尿嘧啶衍生物(Gomez等《四面体》(Tetrahedron)54(43)：13295-13312，1998)、5-氟尿嘧啶和核苷类似物(Li，《抗癌研究》(Anticancer Res.)17(1A)：21-27，1997)、顺式-和反式-5-氟-5，6-二氢-6-烷氧基尿嘧啶(Van der Wilt等，《英国癌症杂志》(Br.J.Cancer)68(4)：702-7，1993)、环戊烷5-氟尿嘧啶类似物(Hronowski & Szarek，《加拿大化学杂志》(Can.J.Chem.)70(4)：1162-9，1992)、A-OT-氟尿嘧啶(Zhang等，《中国医药工业杂志》(Zongguo Yiyao Gongye Zazhi)20(11)：513-15，1989)、N4-三甲氧基苯甲酰基-5′-脱氧-5-氟胞苷和5′-脱氧-5-氟尿苷(Miwa等《化学药物简报》(Chem.Pharm.Bull.)38(4)：998-1003，1990)、1-己基氨基甲酰基-5-氟尿嘧啶(Hoshi等，J.Pharmacobio-Dun.3(9)：478-81，1980；Maehara等，《化疗》(Chemotherapy)(Basel)34(6)：484-9，1988)、B-3839(Prajda等，《体内》(In Vivo)2(2)：151-4，1988)、尿嘧啶-1-(2-四氢呋喃基)-5-氟尿嘧啶(Anai等《肿瘤学》(Oncology)45(3)：144-7，1988)、1-(2′-脱氧-2′-氟-β-D-阿糖呋喃基)-5-氟尿嘧啶(Suzuko等，《分子药理学》(Mol.Pharmacol.)31(3)：301-6，1987)、去氧氟尿苷(Matuura等，Oyo Yakuri 29(5)：803-31，1985)、5′-脱氧-5-氟尿苷(Bollag & Hartmann，《欧洲癌症杂志》(Eur.J.Cancer)16(4)：427-32，1980)、1-乙酰基-3-O-甲苯甲酰基-5-氟尿嘧啶(Okada，Hiroshima J.Med.Sci.28(1)：49-66，1979)、5-氟尿嘧啶-m-甲酰基苯磺酸酯(JP55059173)、N′-(2-呋喃烷基)-5-氟尿嘧啶(JP 53149985)和1-(2-四氢呋喃基)-5-氟尿嘧啶(JP 52089680)。

认为这些化合物通过用作嘧啶的抗代谢物起治疗剂的作用。

(C). 叶酸拮抗剂

在另一个方面中，治疗剂为叶酸拮抗剂，诸如甲氨蝶呤或其衍生物或类似物，包括依达曲沙、三甲曲沙、雷替曲塞、吡曲克辛、二甲叶酸、拓优得和蝶罗呤。甲氨蝶呤类似物具有如下一般结构：

符号R基团可以选自有机基团，特别是美国专利5,166,149和5,382,582中所述的那些基团。例如，R₁可以为N，R₂可以为N或C(CH₃)，R₃和R₃′可以为H或烷基，例如CH₃，R₄可以为单键或NR，其中R为H或烷基。R_5，6，8可以为H、OCH₃或它们可选为卤素或氢基团。R₇为如下一般结构的侧链：

其中就甲氨蝶呤而言，n＝1，就蝶罗呤而言，n＝3。侧链上的羧基可以被酯化或成盐，诸如Zn²⁺盐。R₉和R₁₀可以为NH₂或可以为烷基取代的。典型的叶酸拮抗剂化合物具有如下结构：

	R0	R1	R2	R3	R4	R5	R6	R7	R8
										甲氨蝶呤依达曲沙三甲曲沙蝶罗呤二甲叶酸Peritrexim	NH2NHNH2OHOHNH2	NNCHNNN	NNC(CH3)NNC(CH3)	HHHHCH3H	N(CH3)CH(CH2CH3)NHNHN(CH3)单键	HHHHHOCH3	HHOCH3HHH	A(n＝1)A(n＝1)OCH3A(n＝3)A(n＝1)H	HHOCH3HHOCH3

其它有代表性的实例包括6-S-氨基酰氧基甲基巯嘌呤衍生物(Harada等，《化学药物简报》(Chem.Pharm.Bull.)43(10)：793-6，1995)，6-巯嘌呤(6-MP)(Kashida等，《生物药物简报》(Biol.Pharm.Bull.)18(11)：1492-7，1995)、7，8-聚亚甲基咪唑并-1，3，2-二氮杂磷杂壬环类(diazaphosphorines)(Nilov等，Mendeleev Commun.2：67，1995)、硫唑嘌呤(Chifotides等《无机生物化学杂志》(J.Inorg.Biochem.)56(4)：249-64，1994)、甲基-D-吡喃葡萄糖苷巯嘌呤衍生物(Da Silva等，《欧洲药物化学杂志》(Eur.J.Med.Chem.)29(2)：149-52，1994)和s-炔基巯嘌呤衍生物(Ratsino等，Khim.-Farm.Zh.15(8)：65-7，1981)、二氢吲哚环和含有修饰的鸟氨酸或谷氨酸的甲氨蝶呤衍生物(Matsuoka等《化学药物简报》(Chem.Pharm.Bull.)45(7)：1146-1150，1997)、含有烷基取代的苯环C的甲氨蝶呤衍生物(Matsuoka等《化学药物简报》(Chem.Pharm.Bull.)44(12)：2287-2293，1996)、含有苯并噁嗪或苯并噻嗪部分的甲氨蝶呤衍生物(Matsuoka等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)40(1)：105-111，1997)、10-脱氮杂氨蝶呤类似物(DeGraw等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)40(3)：370-376，1997)、5-脱氮杂氨蝶呤和5，10-双脱氮杂氨蝶呤甲氨蝶呤类似物(Piper等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)40(3)：377-384，1997)、含有二氢吲哚部分的甲氨蝶呤衍生物(Matsuoka等，《化学药物简报》(Chem.Pharm.Bull.)44(7)：1332-1337，1996)、亲脂性酰胺甲氨蝶呤衍生物(Pignatello等《药物与生物药物技术世界会议》(World Meet.Pharm.，Biopharm.Pharm.Technol.)563-4，1995)、含有L-苏型-(2S，4S)-4-氟谷氨酸和DL-3，3-二氟谷氨酸的甲氨蝶呤类似物(Haat等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)39(1)：56-65，1996)、甲氨蝶呤四氢喹唑啉基类似物(Gangjee，等，《杂环化学杂志》(J.Heterocycl.Chem.)32(1)：243-8，1995)、N-(α-氨基酰基)甲氨蝶呤衍生物(Cheung等《蝶啶类》(Pteridines)3(1-2)：101-2，1992)、生物素甲氨蝶呤衍生物(Fan等《蝶啶类》(Pteridines)3(1-2)：131-2，1992)、D-谷氨酸或D-erythrou、苏型-4-氟谷氨酸甲氨蝶呤类似物(McGuire等《生物化学与药理学》(Biochem.Pharmacol.)42(12)：2400-3，1991)、β，γ-亚甲基甲氨蝶呤类似物(Rosowsky等，《蝶啶类》(Pteridines)2(3)：133-9，1991)、10-脱氮杂氨蝶呤(10-EDAM)类似物(Braakhuis等，“蝶啶类生物化学-蝶啶类叶酸衍生物国际研讨会学报”(Chem.Biol.Pteridines，Proc.Int.Symp.Pteridines Folic Acid Deriv.)，1027-30，1989)、γ-四唑甲氨蝶呤类似物(Kalman等“蝶啶类生物化学-蝶啶类叶酸衍生物国际研讨会学报”(Chem.Biol.Pteridines，Proc.Int.Symp.Pteridines Folic Acid Deriv.)，1154-7，1989)、N-(L-α-氨基酰基)甲氨蝶呤衍生物(Cheung等，《杂环》(Heterocycles)28(2)：751-8，1989)、氨蝶呤的间位和邻位异构体(Rosowsky等，《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)32(12)：2582，1989)、羟甲基甲氨蝶呤(DE 267495)、γ-氟甲氨蝶呤(McGuire等，《癌症研究》(Cancer Res.)49(16)：4517-25，1989)、聚谷氨酰基甲氨蝶呤衍生物(Kumar等《癌症研究》(Cancer Res.)46(10)：5020-3，1986)、偕-二膦酸酯甲氨蝶呤类似物(WO 88/06158)、α-和γ-取代的甲氨蝶呤类似物(Tsushima等《四面体》(Tetrahedron)44(17)：5375-87，1988)、5-甲基-5-脱氮杂甲氨蝶呤类似物(4,725,687)、Nδ-酰基-Nα-(4-氨基-4-脱氧蝶酰基)-L-鸟氨酸衍生物(Rosowsky等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)31(7)：1332-7，1988)、8-脱氮杂甲氨蝶呤类似物(Kuehl等《癌症研究》(Cancer Res.)48(6)：1481-8，1988)、阿西维辛甲氨蝶呤类似物(Rosowsky等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)30(8)：1463-9，1987)、聚合顺铂甲氨蝶呤衍生物(Carraher等《聚合物科学技术》(Polym.Sci.Technol.)(Plenum)，35(Adv.Biomed.Polym.)：311-24，1987)、甲氨蝶呤-γ-二肉豆蔻酰基磷脂酰乙醇胺(Kinsky等，《生物化学与生物物理学学报》(Biochim.Biophys.Acta)917(2)：211-18，1987)、甲氨蝶呤聚谷氨酸酯类似物(Rosowsky等，Chem.Biol.Pteridines，PteridinesFolic Acid Deriv.，Proc.Int.Symp.Pteridines Folic Acid Deriv.：Chem.，Biol.Clin.Aspects：985-8，1986)、聚-γ-谷氨酰基甲氨蝶呤衍生物(Kisliuk等Chem.Biol.Pteridines，Pteridines Folic Acid Deriv.，Proc.Int.Symp.Pteridines FolicAcid Deriv.：Chem.，Biol.Clin.Aspects：989-92，1986)、脱氧尿苷一磷酸盐甲氨蝶呤衍生物(Webber等，Chem.Biol.Pteridines，Pteridines Folic AcidDeriv.，Proc.Int.Symp.Pteridines Folic Acid Deriv.：Chem.，Biol.Clin.Aspects：659-62，1986)、碘乙酰基赖氨酸甲氨蝶呤类似物(Delcamp等，Chem.Biol.Pteridines，Pteridines Folic Acid Deriv.，Proc.Int.Symp.Pteridines FolicAcid Deriv.：Chem.，Biol.Clin.Aspects：：807-9，1986)、含有2ω-二氨基链烷酸(alkanoid acid)的甲氨蝶呤类似物(McGuire等《生物化学与药理学》(Biochem.Pharmacol.)35(15)：2607-13，1986)、聚谷氨酸酯甲氨蝶呤类似物(Kamen & Winick，《酶学方法》(Methods Enzymol.)122(Vitam.Coenzymes，Pt.G)：339-46，1986)、5-甲基-5-脱氮杂类似物(Piper等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)29(6)：1080-7，1986)、喹唑啉甲氨蝶呤类似物(Mastropaolo等，J.Med.Chem.29(1)：155-8，1986)，吡嗪甲氨蝶呤类似物(Lever & Vestal，《杂环化学杂志》(J.Heterocycl.Chem.)22(1)：5-6，1985)、半胱磺酸和高半胱磺酸甲氨蝶呤类似物(4,490,529)、γ-叔丁基甲氨蝶呤酯类(Rosowsky等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)28(5)：660-7，1985)、氟化甲氨蝶呤类似物(Tsushima等，《杂环》(Heterocycles)23(1)：45-9，1985)、叶酸酯甲氨蝶呤类似物(Trombe，《细菌学杂志》(J.Bacteriol.)160(3)：849-53，1984)、膦酰基谷氨酸类似物(Sturtz & Guillamot，《欧洲药物化学杂志-化疗》(Eur.J.Med.Chem.--Chim.Ther.)19(3)：267-73，1984)、聚(L-赖氨酸)甲氨蝶呤缀合物(Rosowsky等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)27(7)：888-93，1984)、二赖氨酸和三赖氨酸甲氨蝶呤衍生物(Forsch & Rosowsky，《有机化学杂志》(J.Org.Chem.)49(7)：1305-9，1984)、7-羟基甲氨蝶呤(Fabre等《癌症研究》(Cancer Res.)43(10)：4648-52，1983)、聚-γ-谷氨酰基甲氨蝶呤类似物(Piper& Montgomery，《实验生物药物进展》(Adv.Exp.Med.Biol.，)163(FolylAntifolyl Polyglutamates)：95-100，1983)、3′，5′-二氯甲氨蝶呤(Rosowsky &Yu，《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)26(10)：1448-52，1983)、重氮酮和氯甲基酮甲氨蝶呤类似物(Gangjee等《药物科学杂志》(J.Pharm.Sci.)71(6)：717-19，1982)、10-炔丙基氨蝶呤和烷基甲氨蝶呤同系物(Piper等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)25(7)：877-80，1982)、甲氨蝶呤的凝集素衍生物(Lin等JNCI 66(3)：523-8，1981)、聚谷氨酸酯甲氨蝶呤衍生物(Galivan，《分子药理学》(Mol.Pharmacol.)17(1)：105-10，1980)、卤化甲氨蝶呤衍生物(Fox，JNCI 58(4)：J955-8，1977)、8-烷基-7，8-二氢类似物(Chaykovsky等，《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)20(10)：J1323-7，1977)、7-甲基甲氨蝶呤衍生物和二氯甲氨蝶呤(Rosowsky & Chen，《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)17(12)：J1308-11，1974)、亲脂性甲氨蝶呤衍生物和3′，5′-二氯甲氨蝶呤(Rosowsky，《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)16(10)：J1190-3，1973)、脱氮杂甲氨蝶呤类似物(Montgomery等《纽约科学院年鉴》(Ann.N.Y.Acad.Sci.)186：J227-34，1971)、MX068(《日本药物》(Pharma Japan)，1658：18，1999)和半胱磺酸和高半胱磺酸甲氨蝶呤类似物(EPA0142220)；

认为这些化合物起叶酸的抗代谢物的作用。

(D). 鬼臼毒素

在另一个方面中，治疗剂为鬼臼毒素或其衍生物或类似物。这种类型的典型化合物为依托泊苷或替尼泊苷，它们具有如下结构：

鬼臼毒素的其它有代表性的实例包括Cu(II)-VP-16(依托泊苷)复合物(Tawa等《生物有机药物化学》(Bioorg.Med.Chem.)6(7)：1003-1008，1998)、含有吡咯甲脒基的依托泊苷类似物(Ji等，《生物有机化学通讯》(Bioorg.Med.Chem.Lett.)7(5)：607-612，1997)、4β-氨基依托泊苷类似物(Hu，University of North Carolina Dissertation，1992)、γ-内酯环-修饰的芳氨基依托泊苷类似物(Zhou等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)37(2)：287-92，1994)、N-葡糖基依托泊苷类似物(Allevi等，《四面体通讯》(Tetrahedron Lett.)34(45)：7313-16，1993)、依托泊苷A-环类似物(Kadow等，《生物有机药物化学通讯》(Bioorg.Med.Chem.Lett.)2(1)：17-22，1992)、4′-脱羟基-4′-甲基依托泊苷(Saulnier等，《生物有机药物化学通讯》(Bioorg.Med.Chem.Lett.)2(10)：1213-18，1992)、摆动环(pendulum ring)依托泊苷类似物(Sinha等《欧洲癌症杂志》(Eur.J.Cancer)26(5)：590-3，1990)和E-环脱氧依托泊苷类似物(Saulnier等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)32(7)：1418-20，1989)。

认为这些化合物起拓扑异构酶II抑制剂和/或DNA裂解剂的作用。

(E). 喜树碱

在另一个方面中，治疗剂为喜树碱或其类似物或衍生物。喜树碱具有如下一般结构。

在该结构中，X典型地为O，但可以为其它基团，例如，21-内酰胺衍生物上情形中的NH。R₁典型地为H或OH，但可以为其它基团，例如末端羟基化的C_1-3烷。R₂典型地为H或含有氨基的基团，诸如(CH₃)₂NHCH₂，但可以为其它基团，例如NO₂、NH₂、卤素(例如美国专利5,552,156中公开的)或含有这些基团的短烷。R₃典型地为H或短烷基，诸如C₂H₅。R₄典型地为H，但可以为其它基团，例如带有R₁的亚甲二氧基。

典型的喜树碱化合物包括托泊替康、伊立替康(CPT-11)、9-氨基喜树碱、21-内酰胺-20(S)-喜树碱、10，11-亚甲二氧基喜树碱、SN-38，9-硝基喜树碱、10-羟基喜树碱。典型的化合物具有如下结构：

	R1	R2	R3
				喜树碱托泊替康SN-38	HOHOH	H(CH3)2NHCH2H	HHC2H5

X：就大部分类似物而言为O，就21-内酰胺类似物而言为NH

喜树碱具有本文所示的5个环。标记为E的环必须完整(内酯而非羧酸酯形式)以便有最大的活性和最低的毒性。

认为喜树碱起拓扑异构酶I抑制剂和/或DNA裂解剂的作用。

(F). 羟基脲类

本发明的治疗剂可以为羟基脲。羟基脲类具有下列一般结构：

合适的羟基脲类例如公开在美国专利6,080,874中，其中R₁为：

且R₂为含有1-4个碳的烷基且R₃为H、酰基、甲基、乙基及其混合物之一，诸如甲基醚。

其它合适的羟基脲类例如公开在美国专利5,665,768,中，其中R₁为环链烯基，例如N-[3-[5-(4-氟苯硫基)-呋喃基]-2-环戊烯-1-基]N-羟基脲；R₂为H或含有1-4个碳的烷基且R₃为H；X为H或阳离子。

其它合适的羟基脲类公开在，例如美国专利4,299,778中，其中R₁为被一个或多个氟原子取代的苯基；R₂为环丙基；且R₃和X为H。

其它合适的羟基脲类公开在，例如美国专利5,066,658中，其中R₂和R₃与相邻的氮一起形成：

其中m为1或2，n为0-2且Y为烷基。

在一个方面中，所述的羟基脲具有如下结构：

认为这些化合物通过抑制DNA合成起作用。

(G) 铂复合物

在另一个方面中，治疗剂为铂化合物。一般来说，合适的铂复合物可以为Pt(II)或Pt(IV)的复合物，且含有如下这种基本结构：

其中X和Y为阴离子离去基，诸如硫酸盐、磷酸盐、羧酸盐和卤素；R₁和R₂为可以任意进一步被取代的烷基、胺、氨基烷基，且基本上为惰性或桥连的基团。就Pt(II)复合物而言，Z₁和Z₂均不存在。就Pt(Iv)而言，Z₁和Z₂可以为阴离子基团，诸如卤素、羟基、羧酸盐、酯、硫酸盐或磷酸盐。例如，参见美国专利4,588,831和4,250,189。

合适的铂复合物可以含有多个Pt原子。例如，参见美国专利5,409,915和5,380,897。例如如下类型的二铂和三铂复合物：

典型的铂化合物为具有如下结构的顺铂、卡铂、奥沙利铂和米帕：

其它有代表性的铂化合物包括(CPA)₂Pt[DOLYM]和(DACH)Pt[DOLYM]顺铂(Choi等《药物研究档案》(Arch.Pharmacal Res.)22(2)：151-156，1999)、顺式-[PtCl₂(4，7-H-5-甲基-7-氧代)1，2，4-[三唑并[1，5-a]嘧啶]₂](Navarro等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)41(3)：332-338，1998)、[Pt(顺式-1，4-DACH)(反式-Cl₂)(CBDCA)]·1/2MeOH顺铂(Shamsuddin等《无机化学》(Inorg.Chem.)36(25)：5969-5971，1997)、4-吡哆酸酯二胺羟基铂(pyridoxate diammine hydroxy platinum)(Tokunaga等《药物科学》(Pharm.Sci.)3(7)：353-356，1997)、Pt(II)...Pt(II)(Pt₂[NHCHN(C(CH₂)(CH₃))]₄)(Navarro等《无机化学》(Inorg.Chem.)35(26)：7829-7835，1996)、254-S顺铂类似物(Koga等《神经病学研究》(Neurol.Res.)18(3)：244-247，1996)、含有o-苯二胺配体的顺铂类似物(Koeckerbauer & Bednarski，《无机生物化学杂志》(J.Inorg.Biochem.)62(4)：281-298，1996)、反式，顺式-[Pt(OAc)₂I₂(烯)](Kratochwil等《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)39(13)：2499-2507，1996)、含有雌激素1，2-二芳基乙二胺配体(带有含硫的氨基酸和谷胱甘肽)的顺铂类似物(Bednarski《无机生物化学杂志》(J.Inorg.Biochem.)62(1)：75，1996)、顺式-1，4-二氨基环己烷顺铂类似物(Shamsuddin等《无机生物化学杂志》(J.Inorg.Biochem.)61(4)：291-301，1996)、顺式-[Pt(NH₃)(4-氨基TEMP-O){d(GpG)}]的5’取向异构体(Dunham & Lippard《美国化学协会杂志》(J. Am.Chem.Soc.)117(43)：10702-12，1995)，含有螯合二胺的顺铂类似物(Koeckerbauer & Bednarski，《药物科学杂志》(J.Pharm.Sci.)84(7)：819-23，1995)、含有1，2-二芳基乙二胺配体的顺铂类似物(Otto等《癌症研究与临床肿瘤学杂志》(J.Cancer Res.Clin.Oncol.121(1)：31-8，1995)、(乙二胺)铂(II)复合物(Pasini等，J.Chem.Soc.，Dalton Trans.4：579-85，1995)、CI-973顺铂类似物(Yang等《国际肿瘤学杂志》(Int.J.Oncol.)5(3)：597-602，1994)、顺式-二胺二氯铂(II)及其类似物顺式-1，1-环丁烷羧酸(2R)-2-甲基-1，4-丁二胺铂(II)和顺式-二胺(甘醇酸)铂(Claycamp &Zimbrick《无机生物化学杂志》(J.Inorg.Biochem.)26(4)：257-67，1986；Fan等《癌症研究》(Cancer Res.)48(11)：3135-9，1988；Heiger-Bernays等，《生物化学》(Biochemistry)29(36)：8461-6，1990；Kikkawa等，《临床实验癌症研究杂志》(J.Exp.Clin.Cancer Res.)12(4)：233-40，1993；Murray等，《生物化学》(Biochemistry)31(47)：11812-17，1992；Takahashi等，《癌症化疗药理学》(Cancer Chemother.Pharmacol.)33(1)：31-5，1993)、顺式-胺-环己胺-二氯铂(II)(Yoshida等《生物化学药理学》(Biochem.Pharmacol.)48(4)：793-9，1994)、偕-二膦酸酯顺铂类似物(FR 2683529)、(内消旋-1，2-双(2，6-二氯-4-羟基苯基)乙二胺)二氯铂(II)(Bednarski等，《药物化学杂志》(J.Med.Chem.)35(23)：4479-85，1992)、含有束缚的(tethered)丹酰基的顺铂类似物(Hartwig等《美国化学协会杂志》(J.Am.Chem.Soc.)114(21)：8292-3，1992)、铂(II)多胺类(Siegmann等，Inorg.Met.-ContainingPolym.Mater.，(Proc.Am.Chem.Soc.Int.Symp.)，335-61，1990)、顺式-(3H)二氯(乙二胺)铂(II)(Eastman，《生物化学年鉴》(Anal.Biochem.)197(2)：311-15，1991)、反式-二胺二氯铂(II)和顺式-(Pt(NH₃)₂(N₃-胞嘧啶)Cl)(Bellon &Lippard，《生物物理学与化学》(Biophys.Chem.)35(2-3)：179-88，1990)、3H-顺式-1，2-二氨基环己烷二氯铂(II)和3H-顺式-1，2-二氨基环己烷-丙二酸铂(II)(Oswald等，《化学、病理学与药理学研究通讯》(Res.Commun.Chem.Pathol.Pharmacol.)64(1)：41-58，1989)、二氨基羧酸铂(EPA 296321)、含有反式-(D，1)-1，2-二氨基环己烷载体配体的铂类似物(Wyrick & Chaney，《标记化合物和与放射性药物杂志》(J.Labelled Compd.Radiopharm.)25(4)：349-57，1988)、氨基烷氨基蒽醌-衍生的顺铂类似物(Kitov等，《欧洲药物化学杂志》(Eur.J.Med.Chem.)23(4)：381-3，1988)、螺铂、卡铂、异丙铂和JM40铂类似物(Schroyen等《欧洲临床癌症肿瘤学杂志》(Eur.J.Cancer Clin.Oncol.)24(8)：1309-12，1988)、含有二配位基叔二胺的顺铂衍生物(Orbell等《无机化学学报》(Inorg.Chim.Acta)152(2)：125-34，1988)、铂(II)、铂(IV)(Liu & Wang，《山东医科大学学报》(Shandong Yike DaxueXuebao)24(1)：35-41，1986)、顺式-二胺(1，1-环丁烷二羧酸-)铂(II)(卡铂，JM8)和乙二胺-丙二酸铂(II)(JM40)(Begg等，《肿瘤放疗学》(Radiother.Oncol.)9(2)：157-65，1987)、JM8和JM9顺铂类似物(Harstrick等，Int.J.Androl.10(1)；139-45，1987)、(NPr4)2((PtCL4).顺式-(PtCl2-(NH2Me)2))(Brammer等，《化学协会与化学通讯杂志》(J.Chem.Soc.，Chem.Commun.)6：443-5，1987)、脂族三羧酸铂复合物(EPA 185225)和顺式-二氯(氨基酸)(叔丁胺)铂(II)复合物(Pasini & Bersanetti，《无机化学学报》(Inorg.Chim.Acta)107(4)：259-67，1985)。认为这些化合物通过结合DNA起作用，即起DNA的烷基化剂的作用。

由于医用植入物是以各种构型和大小制造的，确切的给药剂量随装置的大小、表面积和设计以及被涂布的植入物的部分的不同而改变。然而，某些原则可以应用于本领域的应用中。将药物剂量计算为每单位面积(涂布的装置部分的)上的剂量的函数，可以确定总给药剂量且可以测定适宜的活性药物的表面浓度。应在下列给药指导原则下给予单独使用或联用的优选抗癌药，而与将药物应用在心脏植入物的方法无关。

(a)蒽环霉素类.将蒽环霉素多柔比星用作实例，无论是作为聚合物涂层涂布、掺入构成植入物的组分的聚合物、还是不使用聚合物载体应用，涂布在植入物上的多柔比星的总剂量不应超过25mg(在0.1μg-25mg的范围)。在特别优选的实施方案中，涂布的药物总量应在1μg-5mg范围。每单位面积上的剂量(即作为药物涂布和/或掺入(incorporate)的植入物部分的表面积的函数的药物量)应在0.01μg-100μg/mm²表面积的范围。在特别优选的实施方案中，应以0.1μg/mm²-10μg/mm²的剂量将多柔比星涂布在植入物表面。由于不同的聚合物和非聚合物涂层以不同速率释放多柔比星，应将上述给药参数与药物从植入物表面的释放速率结合使用，以便在所述表面维持10^-7-10^-4M的多柔比星最低浓度。必须确保表面上的药物浓度超过已知使多种类细菌和真菌致死的多柔比星的浓度(即超过10^-4M；不过，就某些实施方案中而言，较低的浓度就足够)。在优选的实施方案中，多柔比星从植入物表面释放以便将抗感染活性维持几小时至几个月的期限。在特别优选的实施方案中，药物在1周-6个月期限内以有效浓度释放。从本文提供的讨论中显然应容易地看出具有相似功能活性的多柔比星的类似物和衍生物(如上所述)可以用于本发明的目的；然后根据类似物或衍生物与母体化合物相比的相对功效调整上述给药参数(例如以上述参数的一半给予功效两倍于多柔比星的化合物，以两倍于上述参数给予功效为多柔比星一半的化合物等)。

将米托蒽醌用作蒽环霉素的另一个实例，无论是作为聚合物涂层涂布、掺入构成植入物的聚合物、还是不使用聚合物载体涂布，涂布的米托蒽醌的总剂量不应超过5mg(在0.01μg-5mg的范围)。在特别优选的实施方案中，涂布的药物总量应在0.1μg-1mg范围。每单位面积上的剂量(即作为药物涂布和/或掺入的植入物部分的表面积的函数的药物量)应在0.01μg-20μg/mm²表面积的范围。在特别优选的实施方案中，应以0.05μg/mm²-3μg/mm²的剂量将米托蒽醌涂布在植入物表面。当不同的聚合物和非聚合物涂层以不同速率释放米托蒽醌时，应将上述给药参数与药物从植入物表面的释放速率结合使用，以便维持10^-5-10^-6M的米托蒽醌最低浓度。必须确保植入物表面上的药物浓度超过已知使多种类细菌和真菌致死的米托蒽醌浓度(即超过10^-5M；不过，就某些实施方案中而言，较低的浓度就足够)。在优选的实施方案中，米托蒽醌从植入物表面释放以便将抗感染活性维持几小时至几个月的期限。在特别优选的实施方案中，药物在1周-6个月期限内以有效浓度释放。从本文提供的讨论中显然应容易地看出具有相似功能活性的米托蒽醌的类似物和衍生物(如上所述)可以用于本发明的目的；然后根据类似物或衍生物与母体化合物相比的相对功效调整上述给药参数(例如以上述参数的一半给予功效两倍于米托蒽醌的化合物，以两倍于上述参数给予功效为米托蒽醌一半的化合物等)。

(b)氟嘧啶.将氟嘧啶中的5-氟尿嘧啶用作实例，无论是作为聚合物涂层涂布、掺入构成植入物的组分的聚合物、还是不使用聚合物载体涂布，涂布的5-氟尿嘧啶的总剂量不应超过250mg(在1.0μg-250mg的范围)。在特别优选的实施方案中，涂布的药物总量应在10μg-25mg范围。每单位面积的剂量(即作为药物涂布和/或掺入的植入物部分的表面积的函数的药物量)应在0.1μg-1mg/mm²表面积的范围。在特别优选的实施方案中，应以1.0μg/mm²-50μg/mm²的剂量将5-氟尿嘧啶涂布在植入物表面。因为不同的聚合物和非聚合物涂层以不同速率释放5-氟尿嘧啶，应将上述给药参数与药物从植入物表面的释放速率结合使用，以便维持10^-4-10^-7M的5-氟尿嘧啶的最低浓度。必须确保表面上的药物浓度超过已知使多种类细菌和真菌致死的5-氟尿嘧啶浓度(即超过10^-4M；不过，就某些实施方案中而言，较低的浓度就足够)。在优选的实施方案中，5-氟尿嘧啶从植入物表面释放以便将抗感染活性维持几小时至几个月的期限。在特别优选的实施方案中，药物在1周-6个月期限内以有效浓度释放。从本文提供的讨论中显然应看出具有相似功能活性的5-氟尿嘧啶的类似物和衍生物(如上所述)可以用于本发明的目的；然后根据类似物或衍生物与母体化合物相比的相对功效调整上述给药参数(例如以上述参数的一半给予功效两倍于5-氟尿嘧啶的化合物，以两倍于上述参数给予功效为5-氟尿嘧啶一半的化合物等)。

(c)鬼臼毒素.将鬼臼毒素依托泊苷用作实例，无论是作为聚合物涂层涂布、掺入构成心脏植入物的聚合物、还是不使用聚合物载体涂布，涂布的依托泊苷的总剂量不应超过25mg(在0.1μg-25mg的范围)。在特别优选的实施方案中，涂布的药物总量应在1μg-5mg范围。每单位面积上的剂量(即作为药物涂布和/或掺入的植入物部分的表面积的函数的药物量)应在0.01μg-100μg/mm²表面积的范围。在特别优选的实施方案中，应以0.1μg/mm²-10μg/mm²的剂量将依托泊苷涂布在植入物表面。由于不同的聚合物和非聚合物涂层以不同速率释放依托泊苷，应将上述给药参数与药物从植入物表面的释放速率结合使用，以便维持10^-5-10^-6M的依托泊苷最低浓度。必须确保表面药物浓度超过已知使多种类细菌和真菌致死的依托泊苷浓度(即超过10^-5M；不过，就某些实施方案中而言，较低的浓度就足够)。在优选的实施方案中，依托泊苷从植入物表面释放以便将抗感染活性维持几小时至几个月的期限。在特别优选的实施方案中，药物在1周-6个月期限内以有效浓度释放。从本文提供的讨论中显然应看出具有相似功能活性的依托泊苷的类似物和衍生物(如上所述)可以用于本发明的目的；然后根据类似物或衍生物与母体化合物相比的相对功效调整上述给药参数(例如以上述参数的一半给予功效两倍于依托泊苷的化合物，以两倍于上述参数给予功效为依托泊苷一半的化合物等)。

(d)联合疗法.基于本文提供的讨论内容显然应看出蒽环霉素类(例如多柔比星或米托蒽醌)、氟嘧啶(例如5-氟尿嘧啶)、叶酸拮抗剂(例如甲氨蝶呤和/或鬼臼毒素(例如依托泊苷)的组合可以用于提高植入物涂层的抗菌活性。类似地，蒽环霉素(例如多柔比星或米托蒽醌)、氟嘧啶(例如5-氟尿嘧啶)、叶酸拮抗剂(例如甲氨蝶呤和/或鬼臼毒素(例如依托泊苷)可以与常规的抗生素和/或抗真菌药联用以提高功效。抗感染药还可以与抗血栓形成药和/或抗血小板药(例如肝素、糖酐酯、达那肝素、来匹卢定、水蛭素、AMP、腺苷、2-氯腺苷、阿司匹林、保泰松、吲哚美辛、甲氯芬那酸酯、hydrochloroquine、双嘧达莫、依洛前列素、噻氯匹定、氯吡格雷、阿昔单抗(abcixamab)、依替巴肽、替罗非班、链激酶和/或组织纤溶酶原激活物)联用以提高功效。在某些实施方案中，将纤维变性抑制剂与可以在体内改变所述药剂的代谢以增强所述纤维变性抑制剂功效的药剂联用。一类可以用于改变要去代谢的治疗剂包括能够通过细胞色素P450(CYP)抑制抗瘢痕形成剂氧化的药剂。在一个实施方案中，提供组合物，其包括纤维变性抑制剂(例如，紫杉醇，雷帕霉素，依维莫司)和CYP抑制剂，该组合物可以与本文所述的任何装置联合(例如涂布)，包括但不限于斯滕特固定模，移植物，补片，瓣，包覆物，和膜。CYP抑制剂的代表性实例包括黄酮类，吡咯抗真菌剂，大环内酯抗生素，HIV蛋白酶抑制剂，和反义寡聚物。包含纤维变性抑制剂和CYP抑制剂的组合的装置可以用于治疗各种可以导致不希望有的组织瘢痕形成的增殖性病症，包括内膜增生，外科手术粘连，和肿瘤生长。

尽管为了举例说明的目的已经提供了上述治疗剂，应当理解本发明不受此限制。例如，尽管药剂具体地如上所述，本发明应当理解为包括这些药剂的类似物、衍生物和缀合物。作为举例说明，紫杉醇应当理解为不仅是指常规化学可获形式的紫杉醇，而且指类似物(例如，如上所示，泰索帝)和紫杉醇缀合物(例如，紫杉醇-PEG，紫杉醇-葡聚糖，或紫杉醇-木糖(xylos))。另外，对于上述列举的单个化合物，彼此或者与另一种所述治疗剂共价结合的特定药剂也可以用于下述应用。另外，对于本领域技术人员显而易见的是，尽管上述药剂可以记录为一类范围内，许多所列药剂具有多种生物学活性。另外，可以每次(即联合)利用多于一种治疗剂，或者将它们连续传送。

C. 产生包含或释放纤维变性抑制剂的医用装置的方法

在本发明的实施中，提供药物涂布、药物浸渍植入物和医用装置，其抑制在装置中和周围的纤维变性，或抑制所述装置/植入物在原位的“狭窄”，从而增加功效。在各种实施方案中，通过局部或系统释放特定药剂来抑制纤维变性，所述药剂定位于邻近所述装置获植入物的组织。存在许多可获得的方法来优化纤维变性抑制剂到干预位点的传递，并且在下面描述其中一些。

1) 包括或释放纤维变性抑制剂的装置和植入物

本发明的医用装置或植入物涂布了或适应于释放抑制所述装置或植入物的表面上或周围的纤维变性的药剂。医用装置或植入物可以通过如下来适合于释放纤维变性抑制剂，以单独或联合传递纤维变性抑制剂：(a)通过将所需的治疗剂或含有治疗剂的组合物直接附于所述植入物或装置(例如，通过用药物和/或载体(聚合物或非聚合物)-药物组合物来对医用植入物进行喷雾或电喷雾来在所述装置的内或外表面的全部或部分上产生薄膜和/或涂层；通过将所述植入物浸入药物和/或载体(聚合物或非聚合物)-药物溶液从而涂布所述装置或植入物的全部或部分；或通过其它治疗剂与装置或植入物表面的共价或非共价连接)；(b)通过用物质诸如水凝胶来涂布医用装置或植入物，所述水凝胶可以含有或再吸收所需的纤维变性抑制剂或组合物；(c)通过将“线”编织到医用植入物或装置中{例如，由抑制纤维变性的物质组成的聚合物链(例如，紫杉醇，米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，halifuginone，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，硫康唑聚合药物组合物)或从所述线上释放纤维变性抑制剂的聚合物}；(d)通过用包含纤维变性抑制剂的套(sleeve)，盖套(cover)，静电纺纱织物或网眼来覆盖所述装置或植入物的全部或部分(即，包含纤维变性抑制剂的覆盖物，所述纤维变性抑制剂-紫杉醇，米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，halifuginone，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，硫康唑或纤维变性抑制剂的聚合组合物)；(e)用所需的药剂或组合物构建所述装置或植入物的全部或部分(例如，紫杉醇，米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，halifuginone，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，硫康唑或纤维变性抑制剂的聚合组合物)；(f)或者，将所述装置或植入物浸渍在所需的纤维变性抑制剂或组合物中；(g)由抑制纤维变性的金属合金构成所述装置或植入物的全部或部分；(h)由释放一种或多种纤维变性抑制剂的可降解的或不可降解的聚合物构成所述装置或植入物的全部或部分；(i)使用专门化的多药物释放医用装置系统(例如，美国专利号6,527,799；6,293,967；6,290,673；6241762，美国申请公开号2003/0199970A1和2003/0167085A1，和PCT公开WO 03/015664)。

2) 纤维变性抑制剂的系统，区域性和局部传递

可获得多种药物传递技术来进行治疗剂的系统、区域性和局部传递。其中一些技术可以适合于在医用装置或植入物附近获得优选地升高水平的纤维变性抑制剂，所述技术包括：(a)使用药物传递导管将纤维变性抑制剂局部、区域性或系统地传递到所述装置或植入物周围的组织(典型地，药物传递导管在放射线指导下通过循环系统或直接被插入组织中来移动直到达到所需的解剖学位置；接着，纤维变性抑制剂可以从导管腔中以高局部浓度释放，以便将治疗剂量的药物传递到所述装置或植入物的周围组织；(b)药物定位技术诸如磁性，超声波或MRI指导的药物传递；(c)设计纤维变性抑制药物或制剂的化学修饰从而增加所述试剂到受损的组织的吸收(例如，直接针对受损或正在治疗的组织成分诸如巨噬细胞、嗜中性粒细胞、平滑肌细胞、成纤维细胞、细胞外基质组分、新血管组织的抗体)；(d)设计纤维变性抑制药物或制剂的化学修饰从而使药物定位于出血的区域或被破坏的血管系统；和/或(e)直接注射所述纤维变性抑制剂，例如在内窥镜观察下。

3) 纤维变性抑制剂到在装置或植入物周围的组织中的浸润

或者，可以在植入过程之前，之中或之后来用纤维变性抑制剂对所述装置或植入物安置的组织腔进行处理。这可以以一些方式来完成，所述方式包括：(a)将纤维变性抑制剂局部施用到可以安置所述装置的解剖间隔中(该实施方案特别有用的是聚合物载体的应用，所述载体在数小时到数周的时间范围内将纤维变性抑制剂释放出来。可以用于该施用的组合物包括，例如，流体，微球体，糊剂，凝胶，水凝胶，交联凝胶，微颗粒，喷雾剂，气溶胶，固体植入物和将纤维变性抑制剂释放到将要植入所述装置或植入物的区域的其它制剂)；(b)治疗剂的微颗粒形式也有效用于向植入位点的定向传递；(c)可喷雾的含胶原蛋白制剂，如COSTASIS(来自AngiotechPharmaceuticals，Inc.，Canada)，单独或装载有纤维变性抑制剂，施用于植入部位(或植入物/装置表面)；(d)可喷雾的含PEG的制剂，如COSEAL(Angiotech Pharmaceuticals，Inc.)，SPRAYGEL或DURASEAL(都来自Confluent Surgical，Inc.，Boston，MA)，FOCALSEAL(GenzymeCorporation，Cambridge，MA)，单独或加载以纤维变性抑制剂施用于植入位点(或所述植入物/装置表面)；(e)将包含血纤蛋白的制剂诸如FLOSEAL或TIS SEAL(都来自Baxter Healthcare Corporation；Fremont，CA)，单独或加载以纤维变性抑制剂施用于植入位点(或所述植入物/装置表面)；(f)将加载以纤维变性抑制剂的包含透明质酸的制剂诸如RESTYLANE或PERLANE(都来自Q-Med AB，Sweden)，HYLAFORM(Inamed Corporation；Santa Barbara，CA))，SYNVISC(Biomatrix，Inc.；Ridgefied，NJ)，SEPRAFILM或SEPRACOAT(都来自Genzyme Corporation；Cambridge，MA)，INTERGEL(Lifecore Biomedical)，施用于植入位点(或所述植入物/装置表面)；(g)将加载以纤维变性抑制剂的用于外科手术植入的聚合物凝胶诸如REPEL(Life Medical Sciences，Inc.，Princeton，NJ)或FLOWGEL(Baxter Healthcare Corporation)施用到植入位点(或植入物/装置表面)；(h)将用于将假体和组织放在合适的位置的加载以纤维变性抑制剂的矫形外科“粘固剂”施用于植入位点(或所述植入物/装置表面)；(i)将包含氰基丙烯酸酯如DERMABOND(Johnson & Johnson，Inc.New Brunswick，NJ)，INDERMIL(U.S Surgical Company，Norwalk，CT)，GLUSTITCH(BlacklockMedical Products，Inc.，Canada)，TISSUMEND II(Veterinary ProductsLaboratories；Phoenix，AZ)，VETBOND(3M Company；St.Paul，MN)，HISTOACRYL BLUE(Davis & Geck；St.Louis，MO)和ORABASESOOTHE-N-SEAL Liquid Protectant(Colgate-Palmolive Company；New York；NY)，单独或加载以纤维变性抑制剂施用于植入位点(或所述植入物/装置表面)；(k)将加载以纤维变性抑制剂的包含羟基磷灰石、硫酸钙、磷酸三钙、去矿化骨的外科手术植入物施用到植入位点(或所述植入物/装置表面)；

4) 纤维变性抑制剂的缓释制剂

如上所述，所需的纤维变性抑制剂可以与聚合物组合物(其可以是生物可降解的或者非生物可降解的)或非聚合物组合物掺合、混合、缀合，或者修饰以含有聚合物组合物或非聚合物组合物，以便在长时期内释放治疗剂。对于许多前述的实施方案，可能要求纤维变性抑制剂的局部传递以及局部持续传递。例如，可以将所需的纤维变性抑制剂与聚合物组合物(其可以是生物可降解的或者非生物可降解的)或非聚合物组合物掺合、混合、缀合，或者修饰以含有聚合物组合物或非聚合物组合物，以便一段时期内释放纤维变性抑制剂。

适合于传递纤维变性抑制剂的生物可降解聚合物的代表性实例包括清蛋白、胶原蛋白、明胶、透明质酸、淀粉、纤维素和纤维素衍生物(例如甲基纤维素、羟丙基纤维素、羟丙基甲基纤维素、羧甲基纤维素、乙酸邻苯二甲酸纤维素、乙酸琥珀酸纤维素、邻苯二甲酸羟丙基甲基纤维素)、酪蛋白、葡聚糖、多糖类、血纤蛋白原、基于聚(乙二醇)和聚(对苯二酸丁烯酯)的聚(醚酯)多嵌段共聚物、酪氨酸衍生的聚碳酸酯类(例如美国专利6,120,491)、聚(羟酸)、聚(D，L-丙交酯)、聚(D，L-丙交酯-共-乙交酯)、聚(乙交酯)、聚(羟基丁酸酯)、聚二噁烷酮、聚(烷基碳酸酯)和聚(原酸酯)、聚酯类、聚(羟基戊酸)、聚二噁烷酮、可降解聚酯类、聚(苹果酸)、聚(羟基丙二酸)、聚(丙烯酰胺)、聚酐类、聚膦腈类、聚(氨基酸)、聚(环氧烷)-聚(酯)嵌段共聚物(例如X-Y、X-Y-X或Y-X-Y，R-(Y-X)_n，R-(X-Y)_n，其中X为聚环氧烷，Y为聚酯(例如聚酯可以包含一个或多个单体的残基，所述单体选自丙交酯，乳酸，乙交酯，乙醇酸，ε-己内酯，γ-己内酯，羟基戊酸，羟基丁酸，β-丁内酯，γ-丁内酯，γ-戊内酯，γ-癸内酯，δ-癸内酯，亚丙基碳酸酯，1，4-二噁烷-2-酮或1，5-dioxepan-2-酮)，R是多官能引发剂和共聚物及其掺合物)和共聚物及其掺合物(一般参见Illum，L.，Davids，S.S.(eds.)“控释药物转运中的聚合物”(″Polymers in Controlled Drug Delivery″)Wright，Bristol，1987；Arshady，《控释杂志》(J.Controlled Release)17：1-22，1991；Pitt，《国际药物杂志》(Int.J.Phar.)59：173-196，1990；Holland等《控释杂志》(J.Controlled Release)4：155-0180，1986)。

适合于传递纤维变性抑制剂的不可降解的聚合物的有代表性的实例包括聚(乙烯-共-醋酸乙烯酯)(″EVA″)共聚物、不可降解的聚酯类如聚(对苯二酸乙烯酯)、硅橡胶、丙烯酸聚合物(聚丙烯酸酯、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚甲基甲基丙烯酸酯、聚(甲基丙烯酸丁酯))、聚(烷基氰基丙烯酸酯)(例如，聚(乙基氰基丙烯酸酯)、聚(丁基氰基丙烯酸酯)、聚(己基氰基丙烯酸酯)、聚(辛基氰基丙烯酸酯))、丙烯酸类树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺类(尼龙6，6)、聚氨酯(包括CHRONOFLEX AR，CHRONOFLEX AL，BIONATE，和PELLETHANE)、聚(酯-尿烷)、聚(醚尿烷)、聚(酯-脲)、纤维素醚类(例如硝化纤维)、聚醚类(聚(环氧乙烷)、聚(环氧丙烷)、基于环氧乙烷和环氧丙烷的聚氧化烯醚嵌段共聚物诸如来自BASF公司(Mount Olive，NJ)的PLURONIC聚合物(例如F-127或F87)、和聚(丁二醇)、基于苯乙烯的聚合物(聚苯乙烯、聚(苯乙烯磺酸)、聚(苯乙烯)-嵌段-聚(异丁烯)-嵌段-聚(苯乙烯)、聚(苯乙烯)-聚(异戊二烯)嵌段共聚物)和乙烯基聚合物(聚乙烯吡咯烷酮、聚(乙烯醇)、聚(乙酸乙烯酯邻苯二甲酸酯)及其共聚物和掺合物。被开发的聚合物还可以为阴离子型(例如藻酸盐、角叉藻聚糖、羧甲基纤维素、聚(丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸)及其共聚物、聚(甲基丙烯酸)及其共聚物和聚(丙烯酸)及其共聚物和掺合物，或阳离子型(例如脱乙酰壳多糖、聚-L-赖氨酸、聚乙烯亚胺和聚(烯丙基胺))及其掺合物、共聚物和支链聚合物(一般参见Dunn等，《实用聚合物科学杂志》(J.Applied PolymerSci.)50：353-365，1993；Cascone等，《材料科学杂志：药用材料》(J.MaterialsSci.：Materials in Medicine)5：770-774，1994；Shiraishi等，《生物药物简报》(Biol.Pharm.Bull.)16(11)：1164-1168，1993；Thacharodi和Rao，《国际药物杂志》(Int′l J.Pharm.)120：115-118，1995；Miyazaki等，《国际药物杂志》(Int′l J.Pharm.)118：257-263，1995)。

特别优选的聚合物载体包括聚(乙烯-共-乙烯基乙酸酯)、聚氨酯类(例如，CHRONOFLEX AR，CHRONOFLEX AL，BIONATE和PELLETHANE)、聚(D，L-乳酸)低聚物和聚合物、聚(L-乳酸)低聚物和聚合物、聚(乙醇酸)、乳酸和乙醇酸的共聚物、聚(己内酯)、聚(戊内酯)、聚酐类、聚(己内酯)或聚(乳酸)与聚乙二醇(例如MePEG)的共聚物、聚(环氧烷)-聚(酯)嵌段共聚物(例如X-Y、X-Y-X或Y-X-Y，R-(Y-X)_n，R-(X-Y)_n，其中X为聚环氧烷，Y为聚酯(例如聚酯可以包含一个或多个单体的残基，所述单体选自丙交酯，乳酸，乙交酯，乙醇酸，e-己内酯，γ-己内酯，羟基戊酸，羟基丁酸，β-丁内酯，γ-丁内酯，γ-戊内酯，γ-癸内酯，δ-癸内酯，亚丙基碳酸酯，1，4-二噁烷-2-酮或1，5-dioxepan-2-酮)，R是多官能引发剂和共聚物及其掺合物)，硝化纤维，硅氧橡胶，聚(苯乙烯)嵌段-聚(异丁烯)-嵌段-聚(苯乙烯)、聚(丙烯酸酯)聚合物和掺合物、上述任意物质的混合物或共聚物。其它优选的聚合物包括：胶原蛋白；基于聚(环氧烷)的聚合物；多糖类，诸如透明质酸、脱乙酰壳多糖和岩藻聚糖和多糖类与可降解聚合物的共聚物，及其掺合物。

其它能够持续局部传递纤维变性抑制剂的有代表性的聚合物包括羧酸聚合物、聚乙酸酯类、聚碳酸酯类、聚醚类、聚乙烯类、聚乙烯醇缩丁醛类、聚硅烷类、聚脲类、多氧化物类、聚苯乙烯类、聚硫化物、聚砜类、polysulfonides、聚卤乙烯类、吡咯烷酮类、橡胶、热固化聚合物、可交联丙烯酸和甲基丙烯酸聚合物、乙烯丙烯酸共聚物、苯乙烯丙烯酸共聚物、乙烯基乙酸酯聚合物和共聚物、乙烯基乙缩醛聚合物和共聚物、环氧化物、蜜胺、其它氨基树脂、酚类聚合物及其共聚物、水不溶性纤维素酯聚合物(包括乙酸丙酸纤维素、乙酸纤维素、醋酸丁酸纤维素、硝酸纤维素、乙酸邻苯二甲酸纤维素及其混合物)、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇类、聚环氧乙烷、聚乙烯醇、聚醚类、多糖类、亲水性聚氨酯、多羟基丙烯酸酯、葡聚糖、黄原胶、羟丙基纤维素、和N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基内酰胺、N-乙烯基丁内酰胺、N-乙烯基己内酰胺、其它带有极性侧基的乙烯基化合物的均聚物和共聚物、带有亲水性酯化基团的丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯、羟基丙烯酸酯和丙烯酸及其组合；纤维素酯类和醚类、乙基纤维素、羟乙基纤维素、硝酸纤维素、乙酸纤维素、乙酸丁酸纤维素、乙酸丙酸纤维素、天然和合成高弹体、橡胶、乙缩醛、苯乙烯聚丁二烯、丙烯酸树脂、聚偏二氯乙烯、聚碳酸酯、乙烯基化合物的均聚物和共聚物、聚氯乙烯和聚氯乙烯乙酸酯。

与药物传递聚合物和制剂相关的专利的有代表性的实例包括：PCT公开号WO 98/19713、WO 01/17575、WO 01/41821、WO 01/41822和WO01/15526(及其相应的美国申请)；和美国专利号4,500,676，4,582,865，4,629,623，4,636,524，4,713,448，4,795,741，4,913,743，5,069,899，5,099,013，5,128,326，5,143,724，5,153,174,5,246,698，5,266,563，5,399,351，5,525,348，5,800,412，5,837,226，5,942,555，5,997,517，6,007,833，6,071,447，6,090,995，6,106,473，6,110,483，6,121,027，6,156,345，6,214,901，6,368,611 6,630,155，6,528,080，RE37,950，6,46,1631，6,143,314，5,990,194，5,792,469，5,780,044，5,759,563，5,744,153，5,739,176，5,733,950，5,681,873，5,599,552，5,340,849，5,278,202，5,278,201，6,589,549，6,287,588，6,201,072，6,117,949，6,004,573，5,702,717，6,413,539，5,714,159，5,612,052；和U.S专利申请号2003/0068377，2002/0192286，2002/0076441，和2002/0090398。

在一个实施方案中，装置的全部或一部分涂布有底漆(primer)(结合)层和药物释放层，如在2003年9月16日提出的题为“Stent with MedicatedMulti-Layer Hybrid Polymer Coating，”的美国专利申请(US序列号10/662,877)所述。

为了开发用于靶向治疗的混合聚合物传递系统，理想的是能够在物理和药物释放特性方面控制和操纵系统的性能。活性剂可以被吸入表面混合聚合物层，或者直接掺入混合聚合物涂层溶液中。将药物吸入表面聚合物层是一种在实验室中评估聚合物-药物性能的有效方法，但是对于商业化生产，可能优选将聚合物和药物在铸塑混合物中预混。通过在铸塑混合物结合两种成分以便控制涂层中活性剂与聚合物的比率，可以获得更大的功效。这种比率是含药层最终性能的重要参数，即，它们使得能够更好地控制活性剂的浓度和药理活性的持续时间。

用于药物释放系统的典型聚合物可以包括水不溶性纤维素酯类，包括亲水性和疏水性形式的各种聚氨酯聚合物，亲水性聚合物如聚乙二醇(PEG)，聚环氧乙烷(PEO)，聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，PVP共聚物如醋酸乙烯酯，甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)，和共聚物如甲基丙烯酸甲酯(PMMA-HEMA)，和其它亲水性和含有官能团如羧基和/或羟基的疏水性丙烯酸酯聚合物和共聚物。

可以使用纤维素酯如醋酸纤维素，醋酸丙酸纤维素，醋酸丁酸纤维素，醋酸酞酸纤维素，和硝酸纤维素。在本发明的一方面，用纤维素酯配制治疗剂。因为它与活性剂的相容性和它对涂层赋予非粘合性和粘结性的能力，硝酸纤维素是优选的纤维素酯。硝酸纤维素已经显示在环境和加工条件下稳定截留的药物。可以获得各种级别的硝酸纤维素，并且可以用于装置上的涂层，包括氮含量＝11.8-12.2％的硝酸纤维素。可以使用包括3.5，0.5或0.25秒的各种粘度级别以便在与用于这些制剂的涂层固体结合时提供适当的流变学性能。可以使用较高或较低的粘度。然而，因为它们较高的粘度，可能更难以使用较高的粘度级别。因此，通常优选较低的粘度级别，如3.5，0.5或0.25秒。物理性能如拉伸强度，伸长，柔韧性，和软化点与粘度(分子量)相关，并且较低的分子量种类可能降低，特别是低于0.25秒级别。

纤维素衍生物包含水解葡萄糖(hydroglucose)结构。硝酸纤维素是疏水性的、水不溶性聚合物，并且具有高抗水性能。该结构导致与许多活性剂的高相容性，这说明了提供给截留在硝酸纤维素中的药物的高度稳定性。以下提供了硝化纤维的结构：

硝酸纤维素是硬的、相对不可弯曲的聚合物，对于典型地用于制备医用装置的许多聚合物具有有限的粘连。此外，如果仅将一种聚合物用作结合基质中，药物洗脱的动力学控制是有限的。因此，在本发明的一个方面，在与装置联合之前，用两种或多种聚合物配制治疗剂。在一方面，用聚氨酯((例如，CHRONOFLEX AR，CHRONOFLEX AL，和BIONATE，PELLETHANE)和硝酸纤维素配制药剂，以提供混合聚合物药物装载基质。聚氨酯提供了具有更大的柔韧性和对装置的粘连的混合(hybrid)聚合物基质，特别是当装置已经用底漆预涂布以后时。聚氨酯也可以用于延缓或加快药物从涂层的洗脱。脂族、芳族、聚四亚甲基醚乙二醇、和聚碳酸酯属于可以用于涂层的聚氨酯类型。一方面，抗瘢痕形成剂(例如，紫杉醇)可以结合到包括聚氨酯和纤维素衍生物的载体中。肝素复合物，如盐酸胱胺肝素或三(十二烷基)铵肝素)可以任选地包括在制剂中。

从以下结构，可以看到如何可以基于包含在聚合物结构中的亲水基团的数目来产生亲水性较大或较小的聚氨酯聚合物。在本发明的一方面，装置与包括治疗剂、纤维素酯和聚氨酯的制剂联合，所述聚氨酯是水不溶性的、柔韧的并且与所述纤维素酯相容。

聚氨酯    R＝聚醚或聚酯

          R′＝脂族或芳族

聚乙烯吡咯烷酮(PVP)是具有异常复合和胶体性能的聚酰胺，并且基本上在生理学上惰性。PVP和其它亲水性聚合物是典型地生物相容性的。PVP可以结合到装载药物的混合聚合物组合物中，以便提高药物释放速率。在一个实施方案中，用于装载药物的混合聚合物组合物中的PVP的浓度可以小于20％。该浓度不能使得层可生物侵蚀或不稳定的(lubricious)。通常，＜1％至大于80％的PVP浓度被认为是可使用的。在本发明的一方面，与装置关联的治疗剂用PVP聚合物配制。

聚乙烯吡咯烷酮

已知包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚甲基丙烯酸甲酯聚甲基丙烯酸羟乙酯(PMMA/HEMA)的丙烯酸酯聚合物和共聚物，由于它们的生物相容性而广泛用于接触和眼内透镜应用。这类聚合物通常极少刺激平滑肌和内皮细胞生长，和极低的炎性应答(Bar)。这些聚合物/共聚物与本发明的药物和其它聚合物和层相容。因此，在一方面，装置与包含如上所述的抗瘢痕形成剂的组合物和丙烯酸聚合物或共聚物联合。

甲基丙烯酸甲酯聚甲基丙烯酸羟乙酯共聚物

对于本领域技术人员应当显而易见的是，本文所述的聚合物还可以根据需要以各种组成掺入或共聚合，以便传递治疗剂量的纤维变性抑制剂。

可以以各种各样的形式制作纤维变性抑制剂的聚合物载体，取决于使用的装置、组合物或植入物，其具有所需的释放特性和/或具有特定的性质。例如，可以制作聚合物载体以便在暴露于特定的引发事件如pH后释放纤维变性抑制剂(参见例如，Heller等，“Chemically Self-Regulated DrugDelivery systems，”Polymers in Medcine III，Elsevier Science Publishers B.V.，Amsterdam，1988，pp.175-188；Kang等，J.Applied Polymer Sci.48：343-354，1993；Dong等，J.Controlled Release 19：171-178，1992；Dong和Hoffman，J.Controlled Release 15：141-152，1991；Kim等，J.Controlled Release28：143-152，1994；Cornejo-Bravo等，J.Controlled Release 33：223-229，1995；Wu和Lee，Pharm.Res.10(10)：1544-1547，1993；Serres等，Pharm.Res.13(2)：196-201，1996；Peppas，“Fundamentals of pH- andTemperature-Sensitive Delivery systems，”Gumy等(eds.)，Pulsatile DrugDelivery，Wissenschaftliche Verlagsgesellschaft mbH，Stuttgart，1993，pp.41-55；Doelker，“Cellulose Derivatives，”1993，Peppas和Langer(eds.)，Biopolymers I，Springer-Verlag，Berlin)。pH-敏感型聚合物的代表性实例包括聚(丙烯酸)及其衍生物(包括例如，均聚物如聚(氨基羧酸)；聚(丙烯酸)；聚(甲基丙烯酸)，这些均聚物的共聚物，和聚(丙烯酸)和/或丙烯酸或丙烯酰胺单体如上述的那些的共聚物。其它pH敏感性聚合物包括多糖如醋酸酞酸纤维素，醋酸琥珀酸羟基丙基甲基纤维素；醋酸偏苯三酸纤维素；和脱乙酰壳多糖。还有其它的pH敏感性聚合物包括pH敏感性聚合物和水溶性聚合物的任何混合物。

同样，可以通过温度敏感性聚合物载体递送纤维变性抑制剂(例如，参见Chen等“用于阴道释药的与生物粘合剂聚丙烯酸主链嫁接的热敏性PLURONIC的新水凝胶”(″Novel Hydrogels of a Temperature-SensitivePLURONIC Grafted to a Bioadhesive Polyacrylic acid Backbone for VaginalDrug Delivery″)-《控释生物活性材料内部研讨会学报》(Proceed.Intern.Symp.Control.Rel.Bioact.Mater.)22：167-168，Controlled Release Society，Inc.，1995；Okano“用于暂时受控释药的刺激-反应性水凝胶的分子设计”(″Molecular Design of Stimuli-Responsive Hydrogels for Temporal ControlledDrug Delivery″)-《控释生物活性材料内部研讨会学报》(Proceed.Intern.Symp.Control.Rel.Bioact.Mater.)22：111-112，Controlled Release Society，Inc.，1995；Johnston等《药物研究》(Pharm.Res.)9(3)：425-433，1992；Tung《国际药物杂志》(Int′l J.Pharm.)107：85-90，1994；Harsh和Gehrke，《控释杂志》(J.Controlled Release)17：175-186，1991；Bae等《药物研究》(Pharm.Res.)8(4)：531-537，1991；Dinarvand和D′Emanuele《控释杂志》(J.ControlledRelease)36：221-227，1995；Yu和Grainger“新热敏性两亲凝胶：聚-N-异丙基丙烯酰胺-共-丙烯酸钠-共-N-烷基丙烯酰胺网状结构合成和物化表征”(″Novel Thermo-sensitive Amphiphilic Gels：Poly-N-isopropylacrylamide-co-sodium acrylate-co-N-alkylacrylamideNetwork Synthesis and Physicochemical Characterization″)-《化学和生物科学发展》(Dept.of Chemical & Biological Sci.)，Oregon Graduate Institute ofScience & Technology，Beaverton，OR，pp.820-821；Zhou和Smid“缔合星形聚合物的物理水凝胶”(″Physical Hydrogels of Associative Starpolymer″)，Polymer Research Institute-《化学发展》(Dept.of Chemistry)，College of Environmental Science和Forestry，State Univ.of New York，Syracuse，NY，pp.822-823；Hoffman等“刺激反应性水凝胶中孔大小和水′结构′的表征”(″Characterizing Pore Sizes and Water′Structure′inStimuli-Responsive Hydrogels″)，Center for Bioengineering，Univ.ofWashington，Seattle，WA，p.828；Yu和Grainger“交联N-异丙基丙烯酰胺网状结构的热敏性溶胀特性：阳离子、阴离子和两性水凝胶”(″Thermo-sensitive Swelling Behavior in Crosslinked N-isopropylacrylamideNetworks：Cationic，Anionic and Ampholytic Hydrogels″)-《化学和生物科学发展》(Dept.of Chemical & Biological Sci.)，Oregon Graduate Institute ofScience & Technology，Beaverton，OR，pp.829-830；Kim等《药物研究》(Pharm.Res.)9(3)：283-290，1992；Bae等(药物研究)(Pharm.Res.)8(5)：624-628，1991；Kono等《控释杂志》(J.Controlled Release)30：69-75，1994；Yoshida等《控释杂志》(J.Controlled Release)32：971-102，1994；Okano等《控释杂志》(J.Controlled Release)36：125-133，1995；Chun和Kim《控释杂志》(J.Controlled Release)38：39-47，1996；D′Emanuele和Dinarvand《国际药物杂志》(Int′l J.Pharm.)118：237-242，1995；Katono等《控释杂志》(J.Controlled Release)16：215-228，1991；Hoffman“含有生物活性剂种类的热可逆水凝胶”(″Thermally Reversible Hydrogels Containing BiologicallyActive Species″)-Migliaresi等(eds.)《药物中的聚合物》(Polymer inMedicme)III，Elsevier Science Publishers B.V.，Amsterdam，1988，pp.161-167；Hoffman“热可逆聚合物和水凝胶在治疗和诊断中的应用”(″Applications of Thermally Reversible Polymer and Hydrogels inTherapeutics and Diagnostics″)-《第三届有关释药系统最新进展的国际研讨会》(Third International Symposium on Recent Advances in Drug Delivery系统s)，Salt Lake City，UT，Feb.24-27，1987，pp.297-305；Gutowska等《控释杂志》(J.Controlled Release)22：95-104，1992；Palasis和Gehrke《控释杂志》(J.Controlled Release)18：1-12，1992；Paavola等《药物研究》(Pharm.Res.)12(12)：1997-2002，1995)。

热胶凝聚合物及其胶凝温度(LCST(℃))的代表性的实例包括：均聚物，诸如聚(N-甲基-N-n-丙基丙烯酰胺)，19.8；聚(N-n-丙基丙烯酰胺)，21.5；聚(N-甲基-N-异丙基丙烯酰胺)，22.3；聚(N-n-丙基甲基丙烯酰胺)，28.0；聚(N-异丙基丙烯酰胺)，30.9；聚(N，n-二乙基丙烯酰胺)，32.0；聚(N-异丙基甲基丙烯酰胺)，44.0；聚(N-环丙基丙烯酰胺)，45.5；聚(N-乙基甲基丙烯酰胺)，50.0；聚(N-甲基-N-乙基丙烯酰胺)，56.0；聚(N-环丙基甲基丙烯酰胺)，59.0；聚(N-乙基丙烯酰胺)，72.0。此外，通过制备上述单体之间(三者或三者以上之间)的共聚物或通过将这类均聚物与其它水溶性聚合物、诸如丙烯酰基单体(例如丙烯酸及其衍生物，诸如甲基丙烯酸、丙烯酸酯及其衍生物，诸如甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸十二烷基酯、和丙烯酰胺单体及其衍生物，如N-丁基丙烯酰胺和丙烯酰胺)组合来制备热胶凝聚合物。

热胶凝聚合物的其它有代表性的实例包括：纤维素醚衍生物，诸如羟丙基纤维素，41℃；甲基纤维素，55℃；羟丙基甲基纤维素，66℃；和乙基羟乙基纤维素、结构X-Y、Y-X-Y和X-Y-X的聚环氧乙烷-聚酯嵌段共聚物，其中X为聚环氧乙烷且Y为生物可降解的聚酯(例如PLG-PEG-PLG)；和PLURONICs诸如F-127，10-15℃；L-122，19℃；L-92，26℃；L-81，20℃；和L-61，24℃。

涉及热胶凝聚合物及其制备的专利的有代表性的实例包括：美国专利号6,451,346；6,201,072；6,117,949；6,004,573；5,702,717；和5,484,610；和PCT公开号WO 99/07343；WO 99/18142；WO 03/17972；WO 01/82970；WO00/18821；WO 97/15287；WO 01/41735；WO 00/00222和WO 00/38651。

可以将纤维变性抑制剂通过包藏在聚合物的基质中连接、通过共价键结合或者包封在微胶囊中。在本发明的某些实施方案中，治疗组合物是以非胶囊制剂提供，如微球体(大小范围从纳米至微米)，糊剂，各种大小的线，膜或喷雾剂。一方面，抗瘢痕形成剂可以结合到生物可降解的磁性纳米球中。该纳米球粒可以例如用于将抗瘢痕形成剂补充到植入的血管内装置，诸如含有弱磁性合金的斯滕特固定模(参见，例如，Z.Forbes，B.B.Yellen，G.Friedman.K.Barbee.“An approach to targeted drug delivery based onuniform magnetic fields，”IEEE Trans.Magn.39(5)：3372-3377(2003))。

在本发明的某些方面，可以将治疗组合物制成微球体、微颗粒和/或纳米颗粒的形式，其具有约30nm至500μm之间的任意大小，这取决于具体的应用。这些组合物可以通过喷雾-干燥法、研磨法、凝聚法、W/O乳化法、W/O/W乳化法和溶剂蒸发法形成这些组合物。在其它方面，这些组合物可以包括微乳、乳剂、脂质体和胶束。备选地，还容易地将这类组合物作为″喷雾剂″应用，其固化成用作装置/植入物表面涂层的膜或涂层或者固化而对植入部位的组织划线。可以由各种等级大小的微球体制备这类喷雾剂，包括：例如0.1μm-3μm、10μm-30μm和30μm-100μm。

本发明的治疗组合物还可以制备成各种″糊剂″或凝胶形式。例如，在本发明的一个实施方案中，将治疗组合物制成在一种温度下为液体(例如高于37℃的温度，诸如40℃、45℃、50℃、55℃或60℃)且在另一种温度下为固体或半固体(例如在环境体温或低于37℃的任意温度下)的形式。易于使用各种技术来制备这类″热糊″(例如参见PCT公开号WO 98/24427)。可以将其它糊剂作为液体应用，它在体内由于糊剂的水溶性成分溶出和包封的药物沉淀入水性的体环境而在体内固化。这些含有纤维变性抑制剂的″糊剂″和″凝胶″特别有效用于涂布在接触植入物或装置的组织表面。

在本发明还有的其它方面，本发明的治疗组合物可以作为膜或管形成。这些膜或管可以是多孔的或非多孔的。优选地，这些膜或管一般小于5、4、3、2或1mm厚、更优选小于0.75mm、0.5mm、0.25mm或0.10mm厚。还可以生产小于50μm、25μm或10μm厚度的膜或管。这些膜优选是柔韧的，具有良好的拉伸强度(例如大于50、优选大于100且更优选大于150或200N/cm²)、良好的粘合性(即与湿润或潮湿表面粘附)且具有可控的渗透性。聚合物膜中含有的纤维变性抑制剂特别有效用于涂布在装置或植入物表面以及组织、腔或器官表面。

在本发明的其它方面，提供聚合物载体，其适应于包含和释放疏水性纤维变性抑制化合物，和/或包含组合以碳水化合物、蛋白质或多肽的疏水化合物的载体。在某些实施方案中，所述聚合物载体包含或包括一种或多种疏水性化合物的区域，袋或颗粒。例如，在本发明的一个实施方案中，可以将疏水性化合物结合到包含疏水性纤维变性抑制化合物的基质中，随后将基质掺入到聚合物载体中。可以将各种各样的基质用在该方面，包括，例如，碳水化合物和多糖，诸如淀粉，纤维素，右旋糖，甲基纤维素，藻酸钠，肝素，脱乙酰壳聚糖和透明质酸，蛋白质或多肽诸如清蛋白，胶原蛋白和明胶。在备选实施方案中，可以将疏水性化合物包含在疏水核心中，并且将该核心包含在亲水性壳中。

同样可以用于含有和传递本文所述的纤维变性抑制剂的其它载体包括：羟丙基环糊精(Cserhati和Hollo，Int.J.Pharm.108：69-75，1994)，脂质体(参见，例如，Sharma等，Cancer Res.53：5877-5881，1993；Sharma和Straubinger，Pharm.Res.11(60)：889-896，1994；WO 93/18751；美国专利号5,242,073)，脂质体/凝胶(WO 94/26254)，纳米胶囊(Bartoli等，J.Microencapsulation 7(2)：191-197，1990)，胶束(Alkan-Onyuksel等，Pharm.Res.11(2)：206-212，1994)，植入物(Jampel等，Invest.Ophthalm.Vis.Science34(11)：3076-3083，1993；Walter等，Cancer Res.54：22017-2212，1994)，纳米粒(Violante和Lanzafame PAACR)，改性纳米粒(美国专利号5,145,684)，纳米粒(表面改性的)(美国专利号5,399,363)，胶束(表面活性剂)(美国专利号5,403,858)，合成磷脂化合物(美国专利号4,534,899)，气媒分散体(美国专利号5,301,664)，液体乳剂、泡沫、喷雾剂、凝胶、洗剂、霜剂、软膏剂、分散囊泡、颗粒或小滴固体或液体气溶胶、微乳(美国专利号5,330,756)，聚合壳体(纳米胶囊和微胶囊)(美国专利号5,439,686)，乳剂(Tarr等，PharmRes.4：62-165，1987)，纳米球(Hagan等，Proc.Intern.Symup.Control Rel.Bioact.Mater.22，1995；Kwon等，Pharm Res.12(2)：192-195；Kwon等，Pharm Res.10(7)：970-974；Yokoyama等，J.Contr.Rel.32：269-277，1994；Gref等，Science 263：1600-1603，1994；Bazile等，J.Pharm.Sci.84：493-498，1994)和植入物(美国专利号4,882,168)。

在本发明的另一个方面，聚合物载体可以是原位形成的物质。在一个实施方案中，前体可以为含有可以聚合和/或交联的不饱和基团的单体或大分子单体。例如，然后可以将这些单体或大分子单体注入治疗区域或注射在治疗区域表面上并使用辐射源(例如可见光或UV光)或自由基系统(例如过硫酸钾和抗坏血酸或铁和过氧化氢)进行聚合。可以在将试剂注入治疗位点前、同时或之后立即进行聚合步骤。进行自由基聚合反应的组合物的代表性的实例描述在WO 01/44307、WO 01/68720、WO 02/072166、WO03/043552、WO 93/17669、WO 00/64977；美国专利号5,900,245；6,051,248；6,083,524；6,177,095；6,201,065；6,217,894；6,639,014；6,352,710；6,410,645；6,531,147；5,567,435；5,986,043；和6,602,975；美国专利公开2002/012796A1、2002/0127266 A1、2002/0151650 A1、2003/0104032 A1、2002/0091229 A1和2003/0059906 A1中。

在另一个实施方案中，所述的试剂可以进行亲电子-亲核反应而生成交联基质。例如，4-臂连(4-armed)硫醇的衍生的聚乙二醇可以与4-臂连NHS-衍生的聚乙二醇在碱性条件(pH＞约8)下反应。进行亲电-亲核交联反应的组合物的代表性实例描述在美国专利号5,752,974；5,807,581；5,874,500；5,936,035；6,051,648；6,165,489；6,312,725；6,458,889；6,495,127；6,534,591；6,624,245；6,566,406；6,610,033；6,632,457；PCT公开出版号WO 04/060405和WO 04/060346中。可以使用的原位形成材料的其它实例包括基于蛋白质交联的那些(描述于美国专利号RE38158；4,839,345；5,514,379，5,583,114；6,458,147；6,371,975；美国出版号2002/0161399；2001/0018598和PCT公开号WO 03/090683；WO 01/45761；WO 99/66964和WO 96/03 159)。

如上所述，所述抗-纤维生成剂可以与使用上述聚合物载体或涂层的医用装置联合。除了上述组合物和方法以外，还有在本领域已知的多种其它组合物和方法。这些组合物和将这些组合物应用(例如，涂布)于装置的方法的代表性实例描述在美国专利号6,610,016；6,358,557；6,306,176；6,110,483；6,106,473；5,997,517；5,800,412；5,525,348；5,331,027；5,001,009；6,562,136；6,406,754；6,344,035；6,254,921；6,214,901；6,077,698；6,603,040；6,278,018；6,238,799；6,096,726，5,766,158，5,599,576，4,119,094；4,100,309；6,599,558；6,369,168；6,521,283；6,497,916；6,251,964；6,225,431；6,087,462；6,083,257；5,739,237；5,739,236；5,705,583；5,648,442；5,645,883；5,556,710；5,496,581；4,689,386；6,214,115；6,090,901；6,599,448；6,054,504；4,987,182；4,847,324；和4,642,267；美国专利申请公开号2002/0146581，2003/0129130，2003/0129130，2001/0026834；2003/0190420；2001/0000785；2003/0059631；2003/0190405；2002/0146581；2003/020399；2001/0026834；2003/0190420；2001/0000785；2003/0059631；2003/0190405；和2003/020399；和PCTPublication Nos.WO 02/055121；WO 01/57048；WO 01/52915；和WO01/01957中。

在本发明另一方面，所述生物活性剂可以用非聚合物试剂传递。这些非聚合物载体可以包括蔗糖衍生物(例如蔗糖乙酸酯异丁酸酯、蔗糖油酸酯)；固醇，诸如胆固醇、豆甾醇、β-谷甾醇和雌二醇；胆固醇酯，诸如硬脂酸胆甾醇酯；C₁₂-C₂₄脂肪酸，诸如月桂酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸、花生酸、山萮酸和二十四酸；C₁₈-C₃₆一-、二-和三酰基甘油酯，诸如甘油单油酸酯、甘油单亚油酸酯、甘油单月桂酸酯、甘油单二十二烷酸酯、甘油单肉豆蔻酸酯、甘油monodicenoate、甘油二棕榈酸酯、甘油二(二十二)烷酸酯、甘油二肉豆蔻酸酯、甘油didecenoate、甘油三(二十二)烷酸酯、甘油三肉豆蔻酸酯、甘油十三碳烯酸酯、甘油三硬脂酸酯及其混合物；蔗糖脂肪酸酯，诸如蔗糖单硬脂酸酯和蔗糖棕榈酸酯；失水山梨糖醇脂肪酸酯，诸如失水山梨糖醇单硬脂酸酯、失水山梨糖醇单棕榈酸酯和失水山梨糖醇三硬脂酸酯；C₁₆-C₁₈脂肪醇，诸如鲸蜡醇、肉豆蔻醇、十八烷醇和十八醇十六醇混合物；脂肪醇和脂肪酸的酯，诸如棕榈酸鲸蜡酯和棕榈酸十六十八醇酯(cetearyl palmitae)；脂肪酸的酐，诸如硬脂酸酐；磷脂，包括磷脂酰胆碱(卵磷脂)、磷脂酰丝氨酸、磷脂酰乙醇胺、磷脂酰肌醇及其溶血衍生物(lysoderivatives)；鞘氨醇及其衍生物；鞘磷脂，诸如硬酯酰鞘磷脂、棕榈酰鞘磷脂类和二十三烷基鞘磷脂类；神经酰胺，诸如硬脂酰和棕榈酰神经酰胺类；鞘糖脂；羊毛脂和羊毛脂醇、磷酸钙、烧结和未烧结的羟基磷灰石、沸石；及其组合和混合物。

涉及非聚合物递药系统及其制备的专利的代表性的实例包括美国专利5,736,152、5,888,533、6,120,789；5,968,542和5,747,058。

所述纤维变性抑制剂可以作为溶液递送。纤维变性抑制剂可以直接掺入溶液以提供均匀溶液或分散体。在某些实施方案中，溶液是水溶液。该水溶液可以另外包括缓冲盐，以及粘度改性剂(例如，透明质酸，藻酸盐，羧甲基纤维素(CMC)等)。在本发明的另一方面，所述溶液可以包括生物相容的溶剂，诸如乙醇，DMSO，甘油，PEG-200，PEG-300或NMP。

在本发明另一方面，所述纤维变性抑制剂可以另外含有第二种载体。所述第二种载体可以是以下形式：微球体(例如，PLGA，PLLA，PDLLA，PCL，明胶，聚二噁烷酮，聚(烷基氰基丙烯酸酯))，纳米球粒(PLGA，PLLA，PDLLA，PCL，明胶，聚二噁烷酮，聚(烷基氰基丙烯酸酯))，脂质体，乳剂，微乳剂，胶束(SDS，以下形式的嵌段共聚物：X-Y，X-Y-X或Y-X-Y，R-(Y-X)_n，R-(X-Y)_n，其中X是聚环氧烷(例如，聚(环氧乙烷)，聚(环氧丙烷)，聚(环氧乙烷)和聚(环氧丙烷)的嵌段共聚物，并且Y是聚酯(例如，聚酯可以含有一种或多种选自下列各项的单体的残基：丙交酯，乳酸，乙交酯，乙醇酸，e-己内酯，γ-己内酯，羟基戊酸，羟基丁酸，β-丁内酯，γ-丁内酯，γ-戊内酯，γ-癸内酯，δ-癸内酯，亚丙基碳酸酯，1，4-二噁烷-2-酮或1，5-dioxepan-2-酮)，R是多官能引发剂和共聚物及其掺合物)和共聚物及其掺合物)，沸石或环糊精。

在本发明另一方面，这些纤维变性抑制剂/第二中载体组合物可以是a)直接结合到装置之中或之上，b)结合到溶液中，c)结合到凝胶或粘性溶液中，d)结合到用于涂布装置的组合物中或e)在用涂层组合物涂布装置后结合到装置之中或之上。

例如，装载纤维变性抑制剂的PLGA微球体可以并入聚氨酯涂层溶液，该涂层溶液然后涂布到装置上。

在还有另一实施例中，可以用聚氨酯涂布装置，然后使得部分干燥以使表面仍然是粘的。然后可以将特定形式的纤维变性抑制剂或纤维变性抑制剂/第二种载体涂布在所述粘性涂层的全部或部分上，之后将装置干燥。

在还有另一实施例中，可以用上述涂层之一涂布装置。然后可以使用热处理工艺来软化涂层，之后将纤维变性抑制剂或纤维变性抑制剂/第二种载体涂布在整个装置或装置的一部分(例如外表面)上。

在本发明的另一方面，抑制或减少体内纤维变性反应的涂布的装置进一步用延缓所述纤维变性抑制剂的释放和/或活性的化合物或组合物涂布。这些药剂的代表性实例包括生物学惰性材料，如明胶，PLGA/MePEG膜，PLA，聚氨酯类，硅氧橡胶，表面活性剂，脂质，或聚乙二醇，以及生物活性剂如肝素(例如，以诱导凝固)。

例如，在本发明的一个实施方案中，装置上的活性剂面涂(top-coated)有物理屏障。该屏障可以包括不可降解的材料或生物可降解的材料，尤其如明胶，PLGA/MePEG膜，PLA，或聚乙二醇。在一个实施方案中，屏障涂层中治疗剂的扩散速率要慢于涂布层中治疗剂的扩散速率。在PLGA/MePEG的情形中，一旦PLGA/MePEG暴露于血流，MePEG可以从PLGA中溶解出来，给含有纤维变性抑制剂的底层留下通过PLGA层的通道，所述纤维变性抑制剂然后可以扩散到管壁和开始其生物活性。

在本发明的另一实施方案中，使用聚合物(例如PLG，PLA，或聚氨酯)可以将特定形式的活性剂涂布在斯滕特固定模(或任何下述装置)上。第二种聚合物缓慢溶解或者降解(例如，MePEG-PLGA或PLG)并且不含有活性剂，可以将其涂布在第一层上。一旦顶层溶解或降解，它暴露低层而允许活性剂暴露于治疗位点或者由涂层释放。

在本发明另一方面，另外处理涂布的装置的涂层外层以交联涂层的外层，该装置抑制体内纤维变性反应。这可以通过将涂布的装置经受等离子体处理过程来完成。交联程度和表面修饰的性质可以通过变动RF功率设置、相对于等离子的位置、处理持续时间以及引入等离子室的气体组成来改变。

生物活性表面的保护也可以通过用惰性分子涂布装置表面，或通过用钝化形式的纤维变性抑制剂(其以后被活化)涂布表面来利用，所述惰性分子通过空间位阻来防止接近活性位点。例如，装置可以用酶涂布，所述酶导致纤维变性抑制剂的释放或者活化纤维变性抑制剂。

在另一实施方案中，用纤维变性抑制剂涂布装置，然后另外用含有抗凝剂如肝素的组合物涂布。随着抗凝剂溶解掉，抗凝剂活性减缓或终止，新暴露的纤维变性抑制剂可供用来抑制或减少邻近组织中发生纤维变性。

可以用纤维变性抑制剂的钝化形式来涂布所述装置，一旦装置被部署(deployed)，其接着被活化。在所述装置(如下所述)被部署或在纤维变性抑制剂已经被施用到治疗区域中(通过，例如注射，喷雾，洗涤，药物传递导管或气囊)后，可以通过将另外的材料注射到治疗区域中来完成这种活化。例如，可以用纤维变性抑制剂的钝化形式来涂布所述装置。一旦部署所述装置，将活化物质注射或施用到治疗位点之中或之上，其中在所述治疗位点中已经施用了纤维变性抑制剂的钝化形式。例如，可以用生物活性纤维变性抑制剂和具有能够与另一物质形成酯键的部分的第一种物质涂布装置。涂层可以用第二种物质如聚乙二醇涂布。第一和第二种物质可以反应通过例如缩合反应形成酯键。在部署所述装置之前，将酯酶注入装置外部周围的治疗位点，所述酯酶可以裂解介于酯和纤维变性抑制剂之间的键，由此使药剂开始纤维变性抑制。

在另一方面，医用装置在其结构中可以包括多种贮器，每个贮器具有一定的形式以贮存和保护治疗药物。所述贮器可以形成自装置表面中的divets或装置体内的微孔或通道。在一方面，所述贮器可以形成自装置结构中的空隙。所述贮器可以贮存单一类型的药物或超过一种类型的药物。所述药物可以与载体(例如，聚合的或非聚合的材料)一起进行配制，其被加载到所述贮器中。被填充的贮器可以作为药物递送库起作用，取决于药物从载体中释放的动力学，其可以在一定时间内释放药物。在某些实施方案中，所述贮器可以加载以多层。每层可以包括具有具体量(剂量)药物的的不同药物，并且每层可以具有不同的组成以进一步的适合被基底释放出的药物的量。具多层的载体还可以包括阻止药物释放的屏障层。例如，可以使用屏障层以控制药物从空隙中洗脱的方向。

在本发明某些实施方案中，治疗组合物还可以包括另外的成分，诸如表面活性剂(例如，PLURONICS，诸如F-127，L-122，L-101，L-92，L-81，和L-61)，抗炎药(例如地塞米松或阿司匹林)，抗血栓形成药(例如肝素，高活性肝素，肝素季胺复合物(例如肝素苯扎氯铵复合物))，抗感染药(例如，5-氟尿嘧啶，三氯生，利福霉素，和银化合物)，防腐剂，抗氧化剂和/或抗血小板药。

在本发明的某些实施方案，治疗剂或载体还可以包含不透射线的，产生回声的材料和磁共振成像(MRI)响应材料(即MRI造影剂)以帮助在超声、荧光透视法和/或MRI下将装置显影。例如，装置可以由产生回声的或不透射线的组合物制造或用该组合物涂布(例如用产生回声的或不透射线的材料如粉状钽、钨、碳酸钡、氧化铋，硫酸钡，metrazimide，碘帕醇，碘海醇，碘普胺，碘比醇，碘美普尔，碘喷托，碘佛醇，碘昔兰，碘克沙醇，碘曲仑，醋碘苯酸衍生物，泛影酸衍生物，碘他拉酸衍生物，ioxithalamicacid衍生物，甲泛影酸衍生物，碘达胺，lypophylic agents，胆影酸和碘甘卡酸制造或者通过加入具有声波界面的微球粒或泡)。使用产生回声的涂层可以获得通过超声成像的装置的显影。产生回声的涂层描述在例如，美国专利号6,106,473和6,610,016中。为了在MRI下显影，可以将造影剂(例如钆(III)螯合物或铁氧化物化合物)结合到装置之中或之上，如例如作为涂层中的组分或者在装置的空隙体积内(例如在内腔、贮器内，或在用于形成装置的结构材料内)。在一些实施方案中，医用装置可以包括不透射线的或MRI可视标记(例如，带)，其可以用于在植入过程中对所述装置进行定向和指导。

在另一实施方案中，这些试剂可以包含在与治疗剂相同的涂层中，或者它们可以包含在含治疗剂层之前或之后涂布的涂层(如上所述)中。

备选地或另外，在可见光下，使用荧光，或通过其它分光光度法，医用植入物可以显影。可以被包括用于此目的的显影剂包括染料，颜料，和其它着色剂。在一方面，所述医用植入物可以进一步包括着色剂以在体内和/或在活体外增加植入物的显影。通常，植入物在插入后可能难以显影，特别是在植入物的边缘。可以将着色剂结合到医用植入物从而减少或去除该问题的发生率或严重性。所述着色剂提供独特的颜色，增强反差，或提供独特的荧光特性给所述装置。在一方面，提供包括着色剂的固体植入物，从而容易地进行显影(在可见光下或使用荧光技术)和容易地将其与其植入位点区分开。在另一个方面，可以将着色剂包括在液体或半固体组合物中。例如，可以对两组分混合物中的单一组分进行着色，从而当在活体外或在体内组合时，所述混合物被充分着色。

所述着色剂可以，例如是内源化合物(例如，氨基酸或维生素)或养分或食物原料并可以是疏水性或亲水性化合物。优选地，在所使用的浓度上，所述着色剂具有非常低的毒性或没有毒性。还优选的着色剂是安全的并且通常通过吸收进入体内，诸如β-胡萝卜素。有色养分(在可见光下)的代表性实例包括脂溶性维生素诸如维生素A(黄色)；水溶性维生素诸如维生素B12(桃红-红)和叶酸(黄色-橙色)；类胡萝卜素诸如β-胡萝卜素(黄色-紫色)和番茄红素(红色)。着色剂的其它实例包括天然产物(浆果和水果)提取物诸如蒽氰素(anthrocyanin)(紫色)和藏红花提取物(暗红)。所述着色剂可以是荧光的或磷光性化合物诸如α-生育酚醌醇(tocopherolquinol)(维生素E衍生物)或L-色氨酸。还可以使用上述有色化合物的任一个的衍生物，类似物和异构体。将着色剂结合到植入物或治疗组合物中的方法可以取决于着色剂的性质和其所需的定位而变化。例如，可以选择疏水性着色剂以用于疏水性基质。可以将所述着色剂掺入载体基质，诸如胶束中。另外，可以控制环境的pH从而进一步控制所述颜色和强度。

在一方面，本发明的组合物包括一种或多种也称作染料的着色剂，其将以赋予所述组合物，例如凝胶以可观察的着色的有效量存在。着色剂的实例包括适合于食物的染料诸如已知为F.D. & C.染料的那些和天然着色剂诸如葡萄皮提取物，甜菜红粉末，β-胡萝卜素，酪黄(annatto)，洋红，姜黄，辣椒粉等。还可以使用上述着色化合物的任一个的衍生物，类似物和异构体。将着色剂结合到植入物或治疗组合物中的方法可以取决于着色剂的性质和其所需的位置而变化。例如，可以选择疏水性着色剂以用于疏水性基质。可以将所述着色剂掺入载体基质，诸如胶束中。另外，可以控制环境的pH从而进一步控制所述颜色和强度。

在一个方面，本发明的组合物包括一种或多种防腐剂或抑菌剂，其以对组合物防腐和/或抑制组合物中的细菌生长的有效量存在，例如，三溴酚铋、羟基苯甲酸甲酯、杆菌肽、羟基苯甲酸乙酯、羟基苯甲酸丙酯、红霉素、5-氟尿嘧啶、甲氨蝶呤、多柔比星、米托蒽醌、利福霉素、氯甲酚、苯扎氯铵等。防腐剂的实例包括对氧苯甲酸酯类、氯代丁醇、苄醇、苯乙醇、脱氢乙酸、山梨酸等。在一个方面，本发明的组合物包括一种或多种杀细菌(也称作杀菌剂)试剂。

在一方面，本发明的组合物包括一种或多种以有效量存在的抗氧化剂。抗氧化剂的实例包括亚硫酸盐，α-生育酚和抗坏血酸。

在本发明的某些方面，治疗组合物应该是生物相容性的并且在数小时、数天或数月的时期内释放一种或多种纤维变性抑制剂。如上所述，“药剂的释放”是指药剂或其亚组分的任何统计学显著的存在，所述药剂或其亚组分从组合物脱离和/或在组合物的表面上(或内部)保持活性。本发明的组合物可以一个或多个阶段释放所述抗瘢痕形成剂，所述一个或多个阶段具有类似的或不同的性能(例如，释放)曲线。可以使得所述治疗剂以下列的量提供给组织：可以是可持续的、间歇的或连续的；在一个或多个阶段中；和/或递送速率；有效减少或抑制纤维变性(或瘢疤形成)的任何一种或多种组分，包括：新血管的形成(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维性组织的成熟和组织化)。

因此，可以对释放速率制定计划以通过在使得至少一种纤维变性的组分被抑制或减少的时刻释放抗瘢痕形成剂来影响纤维变性(或瘢疤形成)。此外，预定释放速率可以减少药剂载荷和/或浓度以及可能提供最小的药物冲洗，并因此提高药物作用的功效。所述至少一种抗瘢痕形成剂中的任何一种可以履行一种或多种功能，包括抑制新血管的形成(血管生成)，抑制结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，抑制胞外基质(ECM)的沉积，和抑制重建(纤维性组织的成熟和组织化)。在一个实施方案中，所述释放速率可以提供可持续水平的抗瘢痕形成剂给易感组织位点。在另一实施方案中，所述释放速率基本上是恒定的。所述速率可以随时间降低和/或提高，并且它可以任选地包括基本上不释放的时期。所述释放速率可以包含多个速率。在一个实施方案中，所述多个释放速率可以包括选自下组的速率：基本上恒定，降低，提高，基本上不释放。

使得提供给装置之上、之中或附近的抗瘢痕形成剂的总量可以是范围为约0.01μg(微克)至约2500mg(毫克)的量。通常，所述抗瘢痕形成剂的量可以是约0.01μg至约10μg；或10μg至约1mg；或1mg至约10mg；或10mg至约100mg；或100mg至约500mg；或500mg至约2500mg。

所述装置之上、之中或附近的抗瘢痕形成剂的总表面量可以是每mm²装置表面积小于0.01μg至约2500μg。通常，抗瘢痕形成剂的量可以是小于0.01μg；或0.01μg至约10μg；或10μg至约250μg；或250μg至约2500μg。

所述装置之上、之中或附近的抗瘢痕形成剂可以在一个时期内从组合物释放，所述时期从植入时间开始测量并且范围是约小于1天至约180天。通常，释放时间也可以是约小于1天至约7天；7天至约14天；14天至约28天；28天至约56天；56天至约90天；90天至约180天。

可以基于从组合物药剂体外释放的特性来测定作为时间函数的从组合物释放的抗瘢痕形成剂的量。通过将抗瘢痕形成剂于适当缓冲液(如0.1M磷酸盐缓冲液(pH7.4))中37℃放置在组合物或装置内，可以测定体外释放速率。缓冲液的样品然后按时取出以通过HPLC分析，更换缓冲液以避免任何饱和效应。

基于体外释放速率，每日抗瘢痕形成剂的释放量可以是约0.01μg(微克)至约2500mg(毫克)。通常，抗瘢痕形成剂每日可以释放的量可以是0.01μg至约10μg；或10μg至约1mg；或1mg至约10mg；或10mg至约100mg；或100mg至约500mg；或500mg至约2500mg。

在一个实施方案中，将抗瘢痕形成剂以计划的、持续的、和/或控制的方式提供给易感组织，这导致增加的效率和/或功效。另外，释放速率可以在开始和随后释放阶段中之一或两者中变化。对于相同物质和/或不同物质的释放也可以有另外的阶段。

另外，本发明的治疗组合物和装置应当优选具有数月的稳定的贮存期限，并且能够在无菌条件下生产和保持。许多药物被制造成无菌的并且该标准由USP XXII<1211>规定。术语“USP”是指美国药典(参见www.usp.org，Rockville，MD)。灭菌可以通过工业接受的和USP XXII<1211>所列的多种方式来完成，包括气体灭菌法，电离辐射或者当合适时过滤。灭菌可以通过所谓的无菌操作来保持，该无菌操作也在USP XXII<1211>规定。用于气体灭菌法的可接受气体包括环氧乙烷。可接受的用于电离辐射方法的辐射类型包括γ，例如来自钴60源和电子束。γ辐射的典型剂量是2.5MRad。过滤可以使用具有适当孔径(例如0.22μm)的和适当材料的滤器来完成，所述滤器例如聚四氟乙烯(例如来自E.I.DuPont De Nemours and Company，Wilmington，DE的TEFLON)。

在另一方面，将本发明的组合物和装置包含在容器中，该容器允许它们用于它们预期的目的，例如作为药物组合物。容器的重要性能是：空闲空间的体积允许加入构成介质，如水或其它水性介质，例如盐水；可接受的透光特性以便防止光能损伤容器中的组合物(参考USP XXII<661>)；容器材料中可提取物的可接受的范围(参考USP XXII)；对湿气(参考USPXXII<671>)或氧气可接受的屏障能力。在氧渗透的情形中，这可以通过包括在容器中、惰性气体(如高纯氮)或稀有气体(如氩)的正压来控制。

用于制备药品容器的典型材料包括USP I至II型和NP型玻璃(参考USP XXII<661>)，聚乙烯，TEFLON，硅，和灰色-丁基橡胶。

在一个实施方案中，产品容器可以是热成型塑料。在另一实施方案中，可以将第二包装用于产品。在另一实施方案中，产品可以是在无菌容器中，该容器放入箱子，该箱子带有标签以说明箱子的内容物。

5)用纤维变性抑制剂涂布装置

如上所述，多种多样的聚合物和非聚合物材料可以用于将所述纤维变性抑制剂结合到装置之上或之中。所述抗纤维生成剂组合物可以以多种方式结合到装置之中或之上。用含有纤维变性抑制剂的组合物或仅用纤维变性抑制剂涂布装置是可以用于将所述纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上的一种方法。所述抗-纤维生成剂或抗-纤维生成组合物可以使用适合于特定类型的装置的方法涂布到整个装置或装置的一部分上，所述方法诸如通过浸渍，喷雾，涂漆或真空淀积。

a)浸渍涂布

浸渍涂布是一种可以使用的涂布方法。在一个实施方案中，将所述纤维变性抑制剂溶解在纤维变性剂的溶剂中，然后涂布在装置上。

纤维变性抑制剂和惰性溶剂

在一个实施方案中，溶剂对于装置是惰性溶剂，因此溶剂在任何大的程度上都不溶解医用装置并且在任何大的程度上都不被装置吸收。可以将装置部分或者完全浸入纤维变性抑制剂/溶剂溶液中特定的时期。浸入纤维变性抑制剂/溶剂溶液的速率可以改变(例如，每秒0.001cm至每秒50cm)。然后可以将装置从溶液中取出。可以从溶液中取出的装置的速率可以改变(例如，每秒0.001cm至每秒50cm)。涂布的装置可以被风干。浸渍方法可以重复一次或多次，这取决于具体应用。装置可以真空干燥以减少残余的溶剂水平。该方法将导致纤维变性抑制剂被涂布在装置表面。

纤维变性抑制剂和溶胀剂

在一个实施方案中，所述溶剂是不会溶解所述装置但可以被所述装置吸收的溶剂。这些溶剂可以因此将所述装置溶胀到一定程度。所述装置可以被部分地或完全地浸入在纤维变性抑制剂/溶剂溶液中达一定的时期(数秒到数天)。可以改变浸入纤维变性抑制剂/溶剂溶液的速率(例如，0.001cm/秒到50cm/秒)。接着，可以从所述溶液中移去所述装置。可以改变从所述溶液中移出所述装置的速率(例如，0.001cm/秒到50cm/秒)。可以对被涂布的装置进行风干。取决于具体应用，所述浸渍过程可以被重复一次或多次。所述装置可以在真空下进行干燥从而减少残余的溶剂水平。该方法可以使纤维变性抑制剂被吸收到所述医用装置的表面。所述纤维变性抑制剂还可以出现在所述装置表面上。与表面结合的纤维变性抑制剂的量可以通过将被涂布的装置浸到纤维变性抑制剂的溶剂中或通过用纤维变性抑制剂的溶剂喷雾到被涂布的装置得以减少。

纤维变性抑制剂和溶剂

在一个实施方案中，所述溶剂是可以被吸收到所述装置上并可以溶解所述装置的溶剂。所述装置可以被部分地或完全地浸入在纤维变性抑制剂/溶剂溶液中达一定的时期(数秒到数小时)。可以改变浸入纤维变性抑制剂/溶剂溶液的速率(例如，0.001cm/秒到50cm/秒)。接着，可以从所述溶液中移去所述装置。可以改变从所述溶液中移出所述装置的速率(例如，0.001cm/秒到50cm/秒)。可以对被涂布的装置进行风干。取决于具体应用，所述浸涂过程可以被重复一次或多次。所述装置可以在真空下进行干燥从而减少残余的溶剂水平。该方法可以使纤维变性抑制剂被吸收到所述医用装置中以及与表面结合。在优选实施方案中，所述装置与溶剂接触的时间是这样的，其不会引起所述装置明显永久的尺寸变化。所述纤维变性抑制剂还可以出现在所述装置表面上。与表面结合的纤维变性抑制剂的量可以通过将被涂布的装置浸到纤维变性抑制剂的溶剂中或通过用纤维变性抑制剂的溶剂喷雾到被涂布的装置得以减少。

在上述的描述中，所述装置可以是涂布过程前没有被改变的装置或已经被进一步改变的装置，所述改变通过用聚合物涂布，通过等离子体处理来处理表面，火焰处理，电晕处理，表面氧化或还原，表面蚀刻，机械削平或磨光，或移植来进行。

在一个实施方案中，所述纤维变性抑制剂和聚合物溶解在针对聚合物和纤维变性抑制剂两者的溶剂中，并接着被涂布到所述装置上。

在上述浸涂方法的任一种中，可以在涂布瘢疤形成剂或包含瘢疤形成剂的组合物前用等离子聚合方法来对所述装置表面进行处理，从而使薄的聚合物层沉积在所述装置表面上。这些方法的实例包括装置的聚对亚苯基二甲基涂层和应用各种单体诸如氢化环化硅氧烷单体。如果所述装置或装置的部分由使用上述方法之一不容许治疗剂结合到表面层中的材料(例如，不锈钢，镍钛金属互化物)组成，聚对亚苯基二甲基涂层可以是特别有利的。使用聚对亚苯基二甲基涂料器(例如来自Cookson Electronics的PDS2010 LABCOTER2)和作为涂布进料物质的合适试剂(例如，二-对-亚二甲苯基或二氯-二-对-亚二甲苯基)，可以将聚对亚苯基二甲基底漆层沉积在装置上。聚对亚苯基二甲基化合物可以商购自，例如Specialty Coating系统s，Indianapolis，IN)，包括PARYLENE N(二-对-亚二甲苯基)，PARYLENEC(PARYLENE N的单氯化(monchlorinate)衍生物，和PARYLENE D，PARYLENE NJ的二氯化衍生物)。

纤维变性抑制剂/聚合物和惰性溶剂

在一个实施方案中，所述溶剂是对于所述装置的惰性溶剂从而使所述溶剂不会在任何较大的程度上溶解医用装置并且不会在任何较大程度上被所述装置吸收。所述装置可以被部分地或完全地浸入纤维变性抑制剂/聚合物/溶剂溶液中达特定的时期。可以改变浸入纤维变性抑制剂/聚合物/溶剂溶液的速率(例如，0.001cm/秒到50cm/秒)。接着，可以从所述溶液中移出所述装置。可以改变从所述溶液中移出所述装置的速度(例如，0.001cm/秒到50cm/秒)。可以对被涂布的装置进行风干。取决于具体应用，所述浸涂过程可以被重复一次或多次。所述装置可以在真空下进行干燥从而减少残余的溶剂水平。该方法可以使纤维变性抑制剂/聚合物被涂布到所述装置的表面上。

纤维变性抑制剂/聚合物和溶胀剂

在一个实施方案中，所述溶剂是不会溶解所述装置但可以被所述装置吸收的溶剂。这些溶剂可以因此将所述装置溶胀到一定程度。所述装置可以被部分地或完全地浸入在纤维变性抑制剂/聚合物/溶剂溶液中达特定的时期(数秒到数天)。可以改变浸入纤维变性抑制剂/聚合物/溶剂溶液的速率(例如，0.001cm/秒到50cm/秒)。接着，可以从所述溶液中移出所述装置。可以改变从所述溶液中移出所述装置的速率(例如，0.001cm/秒到50cm/秒)。可以对被涂布的装置进行风干。取决于具体应用，所述浸涂过程可以被重复一次或多次。所述装置可以在真空下进行干燥从而减少残余的溶剂水平。该方法可以导致纤维变性抑制剂/聚合物被涂布到所述装置的表面上以及纤维变性抑制剂被吸收到所述医用装置中的可能性。所述纤维变性抑制剂还可以存在于所述装置表面上。与表面结合的纤维变性抑制剂的量可以通过将被涂布的装置浸到纤维变性抑制剂的溶剂中或通过用纤维变性抑制剂的溶剂喷雾到被涂布的装置得以减少。

纤维变性抑制剂/聚合物和溶剂

在一个实施方案中，所述溶剂是可以被吸收到所述装置上并可以溶解所述装置的溶剂。所述装置可以被部分地或完全地浸入在纤维变性抑制剂/溶剂溶液中达一定的时期(数秒到数小时)。可以改变浸入纤维变性抑制剂/溶剂溶液的速率(例如，0.001cm/秒到50cm/秒)。接着，可以从所述溶液中移去所述装置。可以改变从所述溶液中移出所述装置的速率(例如，0.001cm/秒到50cm/秒)。可以对被涂布的装置进行风干。取决于具体应用，所述浸涂过程可以被重复一次或多次。所述装置可以在真空下进行干燥从而减少残余的溶剂水平。在优选的实施方案中，所述装置与溶剂接触的时间可以是这样的，其不会引起所述装置明显持久的尺寸变化(除了与涂层本身结合的那些)。所述纤维变性抑制剂还可以出现在所述装置表面上。与表面结合的纤维变性抑制剂的量可以通过将被涂布的装置浸到纤维变性抑制剂的溶剂中或通过用纤维变性抑制剂的溶剂喷雾到被涂布的装置而得以减少。

在上述的描述中，所述装置可以是涂布过程前没有被改变的装置或已经被进一步改变的装置，所述改变通过用聚合物(例如聚对亚苯基二甲基)涂布，通过等离子体处理来处理表面，火焰处理，电晕处理，表面氧化或还原，表面蚀刻，机械削平或磨光，或移植来进行。

在一个实施方案中，可以制备所述纤维变性抑制剂在聚合物溶液中的混悬液。可以通过选择可以溶解聚合物，但不能溶解纤维变性抑制剂的溶剂或可溶解聚合物并且其中纤维变性抑制剂在其溶解度范围之上的溶剂来制备所述混悬液。在上述相似的过程中，可以将装置浸入纤维变性抑制剂和聚合物溶液的混悬液中从而用聚合物来涂布所述装置，所述聚合物具有悬浮在其中的纤维变性抑制剂。

b)喷涂

喷涂是可以使用的另一种涂布方法。在喷涂过程中，将具有或不具有聚合物或非聚合物载体的纤维变性抑制剂的溶液或混悬液雾化并通过气流定向到被涂布的装置。可以使用喷雾装置诸如气刷(例如，来自BadgerAir-brush Company，Franklin Park，IL的型号2020，360，175，100，200，150，350，250，400，3000，4000，5000，6000)，喷刷装置，TLC试剂喷雾器(例如，Part#14545和14654，Alltech Associates，Inc.Deerfield，IL，和超声波喷雾装置(例如可从Sono-Tek，Milton，NY获得的那些)。可以使用粉末喷雾器和静电喷雾器。

在一个实施方案中，将纤维变性抑制剂溶解在纤维变性剂的溶剂中并接着喷雾到所述装置上。

纤维变性抑制剂和惰性溶剂

在一个实施方案中，所述溶剂是对于所述装置的惰性溶剂从而使所述溶剂不会在任何较大的程度上溶解医用装置并且不会在任何较大程度上被所述装置吸收。所述装置可以被置于合适的位置或所述装置可以被安放于心轴或杆条上，所述心轴或杆条具有在X，Y或Z平面或在这些平面的组合上移动的能力。使用上述喷雾装置之一，可以对所述装置进行喷雾涂布从而使所述装置可以被部分地或完全地用纤维变性抑制剂/溶剂溶液进行涂布。可以改变喷雾纤维变性抑制剂/溶剂溶液的速率(例如，0.001mL/秒到10mL/秒)以确保获得纤维变性抑制剂的良好涂层。可以对被涂布的装置进行风干。取决于具体应用，所述喷涂过程可以被重复一次或多次。所述装置可以在真空下进行干燥从而减少残余的溶剂水平。该方法可以使纤维变性抑制剂被涂布到所述装置的表面上。

纤维变性抑制剂和溶胀剂

在一个实施方案中，所述溶剂是不会溶解所述装置但可以被所述装置吸收的溶剂。这些溶剂可以因此将所述装置溶胀到一定程度。所述装置可以在纤维变性抑制剂/溶剂溶液中部分或完全地被喷雾涂布。可以改变纤维变性抑制剂/溶剂溶液的喷雾速率(例如，0.001mL/秒到10mL/秒)从而确保获得纤维变性抑制剂的良好涂层。可以对被涂布的装置进行风干。取决于具体应用，所述喷涂过程可以被重复一次或多次。所述装置可以在真空下进行干燥从而减少残余的溶剂水平。该方法可以使纤维变性抑制剂被吸收到所述医用装置中。所述纤维变性抑制剂还可以存在于所述装置表面上。与表面结合的纤维变性抑制剂的量可以通过将被涂布的装置浸到纤维变性抑制剂的溶剂中或通过用纤维变性抑制剂的溶剂喷雾被涂布的装置得以减少。

纤维变性抑制剂和溶剂

在一个实施方案中，所述溶剂是可以被所述装置吸收并可以溶解所述装置的溶剂。所述装置可以被部分地或完全地在纤维变性抑制剂/溶剂溶液中进行喷涂。可以改变纤维变性抑制剂/溶剂溶液的喷雾速率(例如，0.001mL/秒到10mL秒)以确保获得良好的纤维变性抑制剂的涂层。可以对被涂布的装置进行风干。取决于具体应用，所述喷涂过程可以被重复一次或多次。所述装置可以在真空下进行干燥从而减少残余的溶剂水平。该方法可以使纤维变性抑制剂被吸收到所述医用装置中以及与表面结合。在优选实施方案中，所述装置与溶剂接触的时间是这样的，其不会引起所述装置明显持久的尺寸变化。所述纤维变性抑制剂还可以存在于所述装置表面上。与表面结合的纤维变性抑制剂的量可以通过将被涂布的装置浸到纤维变性抑制剂的溶剂中或通过用纤维变性抑制剂的溶剂喷雾到被涂布的装置得以减少。

在上述的描述中，所述装置可以是涂布过程前没有被改变的装置或已经被进一步改变的装置，所述改变通过用聚合物(例如聚对亚苯基二甲基)涂布，通过等离子体处理来处理表面，火焰处理，电晕处理，表面氧化或还原，表面蚀刻，机械削平或磨光，或移植来进行。

在一个实施方案中，将纤维变性抑制剂和聚合物溶解在聚合物和抗纤维生成剂的溶剂中，然后喷涂在装置上。

纤维变性抑制剂/聚合物和惰性溶剂

在一个实施方案中，所述溶剂是对于所述装置的惰性溶剂从而使所述溶剂不会在任何较大的程度上溶解医用装置并且不会在任何较大程度上被所述装置吸收。所述装置可以被部分地或完全地在纤维变性抑制剂/聚合物/溶剂溶液中进行喷涂达一定时期。可以改变纤维变性抑制剂/溶剂溶液的喷雾速率(例如，0.001mL/秒到10mL/秒)以确保获得良好的纤维变性抑制剂的涂层。可以对被涂布的装置进行风干。取决于具体应用，所述喷涂过程可以被重复一次或多次。所述装置可以在真空下进行干燥从而减少残余的溶剂水平。该方法可以使纤维变性抑制剂/聚合物被涂布到所述装置的表面上。

纤维变性抑制剂/聚合物和溶胀剂

在一个实施方案中，所述溶剂是不会溶解所述装置但可以被所述装置吸收的溶剂。这些溶剂可以因此将所述装置溶胀到一定程度。所述装置可以被部分地或完全地在纤维变性抑制剂/聚合物/溶剂溶液中进行喷涂。可以改变纤维变性抑制剂/溶剂溶液的喷雾速率(例如，0.001mL/秒到10mL/秒)以确保获得纤维变性抑制剂的良好涂层。可以对被涂布的装置进行风干。取决于具体应用，所述喷涂过程可以被重复一次或多次。所述装置可以在真空下进行干燥从而减少残余的溶剂水平。该方法可以导致纤维变性抑制剂/聚合物被涂布到所述装置的表面上以及纤维变性抑制剂被吸收到所述医用装置中的可能性。所述纤维变性抑制剂还可以存在于所述装置表面上。与表面结合的纤维变性抑制剂的量可以通过将被涂布的装置浸到纤维变性抑制剂的溶剂中或通过用纤维变性抑制剂的溶剂喷雾被涂布的装置得以减少。

纤维变性抑制剂/聚合物和溶剂

在一个实施方案中，所述溶剂是可以被所述装置吸收并可以溶解所述装置的溶剂。所述装置可以部分地或完全地在纤维变性抑制剂/溶剂溶液中进行喷涂。可以改变纤维变性抑制剂/溶剂溶液的喷雾速率(例如，0.001mL/秒到10mL/秒)以确保得到纤维变性抑制剂的良好涂层。可以对被涂布的装置进行风干。取决于具体应用，所述喷涂过程可以被重复一次或多次。所述装置可以在真空下进行干燥从而减少残余的溶剂水平。在优选实施方案中，所述装置与溶剂接触的时间可以是这样的，其不会引起所述装置明显持久的尺寸变化(除了与涂层本身相关的那些)。所述纤维变性抑制剂还可以存在于所述装置表面上。与表面结合的纤维变性抑制剂的量可以通过将被涂布的装置浸到纤维变性抑制剂的溶剂中或通过用纤维变性抑制剂的溶剂喷雾到被涂布的装置得以减少。

在上述的描述中，所述装置可以是涂布过程前没有被改变的装置或已经被进一步改变的装置，所述改变通过用聚合物(例如聚对亚苯基二甲基)涂布，通过等离子体处理来处理表面，火焰处理，电晕处理，表面氧化或还原，表面蚀刻，机械削平或磨光，或移植来进行。

在另一实施方案中，可以制备所述纤维变性抑制剂在聚合物溶液中的混悬液。可以通过选择可溶解聚合物、但不能溶解纤维变性抑制剂的溶剂或可以溶解聚合物并且其中纤维变性抑制剂在其溶解度范围之上的溶剂来制备所述混悬液。在上述相似的过程中，可以将纤维变性抑制剂和聚合物溶液的混悬液喷雾在装置上以使装置被聚合物涂布，所述聚合物具有悬浮在其中的纤维变性抑制剂。

D. 利用医用植入物的方法

存在许多医用装置，在这些医用装置中纤维变性反应的发生将不利地影响装置的运行或者植入或使用装置的生物学问题。可以用本文提供的治疗剂包被或者构建以含有和/或释放本文提供的治疗剂的植入物或者装置的代表性实例包括心血管装置(例如，可植入的静脉导管，静脉端口(port)，隧道式静脉导管，长期输注线或端口，包括肝动脉输注导管，起搏器和起搏器导线，可植入的除颤器，神经/神经外科装置(例如，室腹膜分流装置，室房分流装置，防止椎板切除术后硬膜外纤维变性的硬膜补片和植入物，用于连续蛛网膜下输注的装置)；胃肠装置(例如，长期留置导管，饲管，门体循环分流装置，腹水分流装置，用于药物传递的腹膜植入物，腹膜透析导管，和用于防止外科手术粘连的混悬剂或固体植入物)；泌尿生殖装置(例如子宫植入物，包括子宫内装置(IUDs)和防止子宫内膜增生的装置，输卵管植入物，包括可逆的灭菌装置，输卵管斯滕特固定模，输尿管斯滕特固定模，长期留置导管，膀胱增大，或用于输精管吻合术的包覆物或夹，中央静脉导管，导尿管；假体心脏瓣膜，血管移植物，眼科植入物(例如multino植入物和用于新生血管性青光眼的其它植入物，用于翼状胬肉的药物洗脱隐形眼镜，用于failed dacrocystalrhinostomy的夹，用于角膜新血管分布的药物洗脱隐形眼镜，用于糖尿病性视网膜病的植入物，用于高风险角膜移植的药物洗脱隐形眼镜)；耳鼻喉科装置(例如听小骨植入物，咽鼓管夹或斯滕特固定模，其用于胶耳或慢性耳炎作为transtempanic引流管的替代物)；导管套和矫形植入物(例如，胶合矫形假体)。

植入物的其它实例包括引流管，胆道T-管，夹钳，缝合线，编织物，网眼(例如，疝气网眼，组织支撑网眼)，屏障(用于防止粘连)，吻合装置，吻合连接器，心室辅助装置(例如，LVAD’s)，人工心脏，人工关节，导管，冲洗液，充填剂，斯滕特固定模，卡钉(staples)，下腔静脉滤器，泵(例如用于传递治疗剂)，止血植入物(例如海绵)，组织填料，外科用的粘连屏障(例如，INTERCEED，可降解的聚酯膜(例如，PLLA/PDLLA)，CMC/PEO结合复合物(例如来自Fziomed的OXIPLEX))，透明质酸/CMC膜(例如来自Genzyme Corporation的SEPRAFILM)，骨移植物，皮肤移植物，组织封闭剂，子宫内装置(IUD)，结扎线，钛植入物(特别用于牙齿应用)，胸腔管，鼻胃管，经皮饲管，结肠造口术装置，骨蜡，和彭罗斯引流管，发塞(hair plugs)，耳环，鼻环，和其它穿孔相关植入物，以及麻醉剂溶液。

将纤维变性抑制剂涂布在医用装置之上或者将纤维变性抑制剂结合道医用装置中为这些装置可能遇到的临床问题提供了解决方案。备选地，或另外的，在植入装置之前、之间或之后，包含抗瘢痕形成剂的组合物可以渗入植入医用装置的区域周围的空间内或组织上。

以下描述的是医用装置以及将纤维变性抑制剂结合到这些装置之中或之上的方法和使用这些装置的方法，所述装置的功能发挥可以通过使用纤维变性抑制剂加以改善。

血管内装置

本发明提供了抗瘢痕形成剂和血管内装置的组合。“血管内装置”是指至少部分植入血管系统(例如血管)内的装置。可以用于传递抗瘢痕形成剂到所需位置的血管内装置的实例包括，例如导管，气囊导管，气囊，斯滕特固定模，覆盖的斯滕特固定模，斯滕特固定模移植物，吻合连接器，和导线。

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物和血管内斯滕特固定模的组合。

“斯滕特固定模”是指包含圆筒形管(由金属，织物，不可降解的或可降解的聚合物，和/或其它适当材料(例如生物组织)组成)的装置，该圆筒形管保持血液从血管的一部分流向另一部分。一方面，斯滕特固定模是血管内支架(scaffolding)，其保持身体通道(例如动脉)内腔和允许血液流动。可以受益于被纤维变性抑制剂涂布或者结合其中的斯滕特固定模包括血管斯滕特固定模，如冠状动脉斯滕特固定模，外周斯滕特固定模，和覆盖的斯滕特固定模。

可以用于本发明的斯滕特固定模包括金属斯滕特固定模，聚合物斯滕特固定模，生物可降解的斯滕特固定模和覆盖的斯滕特固定模。斯滕特固定模可以是自膨胀型或气囊膨胀型，由多种金属化合物和/或聚合物材料组成，以无数设计制作，用于冠状动脉血管或外周血管，由可降解的和/或不可降解的组分组成，被血管移植物材料或“套(sleeves)”完全或部分覆盖(所谓的“覆盖的斯滕特固定模”)，并且可以裸露的金属或者是药物洗脱的。

斯滕特固定模可以包含金属或金属合金，如不锈钢，弹力回火不锈钢，不锈钢合金，金，铂，超弹性合金，钴-铬合金和其它含钴合金(包括ELGILOY(Combined Metals of Chicago，Grove Village，IL)，PHYNOX(Alloy Wire International，英国)和CONICHROME(Carpenter TechnologyCorporation，Wyomissing，PA))，含钛合金，铂-钨合金，含镍合金，镍-钛合金(包括镍钛金属互化物)，展性金属(包括钽)；复合材料或镀过的复合材料和/或其它功能相当的材料；和/或聚合物(非生物可降解的或生物可降解的)材料。可以包括在斯滕特固定模构建体中的聚合物的代表性实例包括聚乙烯，聚丙烯，聚氨酯，聚酯，如聚对苯二甲酸乙二酯(例如，DACRON或MYLAR(E.I.DuPont De Nemours and Company，Wilmington，DE))，聚酰胺，聚芳酰胺(例如，KEVLAR from E.I.DuPont De Nemours andCompany)，多氟烃如聚(具有或不具有共聚合的六氟丙烯的四氟乙烯)(例如以TEFLON(E.I.DuPont De Nemours and Company)的商标可以获得)，丝，以及这些聚合物的混合物、掺合物和共聚物。斯滕特固定模还可以用工程塑料制备，所述工程塑料如热致液晶聚合物(LCP)，如由p，p’-二羟基-多核-芳族化合物或二羧基-多核-芳族化合物形成的那些。

可以与所述治疗剂一起使用的斯滕特固定模的更多类型在例如PCT公开号WO 01/01957和U.S.专利号6,165,210；6,099,561；6,071,305；6,063,101；5,997,468；5,980,551；5,980,566；5,972,027；5,968,092；5,951,586；5,893,840；5,891,108；5,851,231；5,843,172；5,837,008；5,766,237；5,769,883；5,735,811；5,700,286；5,683,448；5,679,400；5,665,115；5,649,977；5,637,113；5,591,227；5,551,954；5,545,208；5,500,013；5,464,450；5,419,760；5,411,550；5,342,348；5,286,254；和5,163,952中描述。可去除的药物洗脱斯滕特固定模例如在Lambert，T.(1993)J.Am.Coll.Cardiol.：21：483A中描述。此外，斯滕特固定模可以适合于仅在远端或者沿着斯滕特固定模整体释放所需药剂。

斯滕特固定模装置上的气囊，如在Wilensky，R.L.(1993)J.Am.Coll.Cardiol.：21：185A中所描述的，也适合于将纤维生成剂局部传递至治疗位点。

除了使用更多常规的斯滕特固定模，可以使用特别设计用于药物传递的斯滕特固定模。这些特定的药物传递斯滕特固定模以及常规斯滕特固定模的实例包括来自Conor Medsystems(Palo Alto，CA)的那些(例如，美国专利号6,527,799；6,293,967；6,290,673；6,241,762；美国专利申请公开号2003/0199970和2003/0167085；和PCT公开号WO 03/015664)。

可以与按照本发明的一种或多种治疗剂结合的血管内斯滕特固定模的实例包括可商购的产品。该斯滕特固定模可以是自膨胀型或气囊膨胀型(例如Medi-Tech/Boston Scientific Corporation生产的STRECKER斯滕特固定模)。或通过温度变化植入(例如，镍钛金属互化物斯滕特固定模)。可以使用的自膨胀型斯滕特固定模包括来自Boston Scientific Corporation(Natick，MA)的冠状动脉WALL斯滕特固定模和SCIMED RADIUS斯滕特固定模和来自Cook Group，Inc.(Bloomington，IN)的GIANTURCO斯滕特固定模。可以使用的气囊膨胀型斯滕特固定模的实例包括来自CordisCorporation(Miami Lakes，FL)的CROSSFLEX斯滕特固定模，BX-VELOCITY斯滕特固定模和the PALMAZ-SCHATZ冠状和螺旋状的斯滕特固定模，Cook Group，Inc.生产的V-FLEX PLUS斯滕特固定模，来自Boston Scientific Corporation的NIR，EXPRESS和LIBRERTE斯滕特固定模，来自Guidant Corporation的ACS MULTILINK，MULTILINK PENTA，SPIRIT，和CHAMPION斯滕特固定模，和Medtronic，Inc.(Minneapolis，MN)生产的冠状斯滕特固定模S670和S7。

可以与按照本发明的纤维生成剂联合使用的其它斯滕特固定模的实例包括来自以下的那些：Boston Scientific Corporation，(例如，药物洗脱TAXUS EXPRESS²紫杉醇-洗脱冠状斯滕特固定模系统；金属线上斯滕特固定模如Express²冠状斯滕特固定模系统和NIR Elite OTW斯滕特固定模系统；快速交换斯滕特固定模如EXPRESS²冠状斯滕特固定模系统和NIRELITE MONORAIL斯滕特固定模系统；和自膨胀型斯滕特固定模如MAGIC WALL斯滕特固定模斯滕特固定模系统和 RADIUS自膨胀型斯滕 特固定模)；Medtronic，Inc.(Minneapolis，MN)(例如，DRIVER ABT578-洗脱斯滕特固定模， DRIVER ZIPPER MX多-交换冠状斯滕特固定模系统和DRIVER Over-the-Wire冠状斯滕特固定模系统； S7 ZIPPER MX多-交换冠状斯滕特固定模系统；S7， S670，  S660，和BE斯滕特固定模2，Discrete Technology Over-the-Wire冠状斯滕特固定模系统)；Guidant Corporation(例如，钴铬斯滕特固定模，如 MULTI-LINK VISION冠状斯滕特固定模系统；MULTI-LINK ZETA冠状斯滕特固定模系统； MULTI-LINK PIXEL冠状斯 滕特固定模系统； MULTI-LINK ULTRA冠状斯滕特固定模系统；和MULTI-LINK FRONTIER)；Johnson & Johnson/Cordis Corporation(例如，CYPHER西罗莫司-洗脱斯滕特固定模；PALMAZ-SCHATZ气囊膨胀型斯滕特固定模；和S.M.A.R.T.斯滕特固定模)；Abbott Vascular(Redwood City，California)(e.g，MATRIX LO斯滕特固定模；TRIMAXX斯滕特固定模；和DEXAMET斯滕特固定模)；Conor Medsystems(Menlo Park，California)(例如，MED斯滕特固定模和COSTAR斯滕特固定模)；AMG GmbH(德国)(例如，PICO Elite斯滕特固定模)；Biosensors International(新加坡)(例如，MATRIX斯滕特固定模，CHAMPION斯滕特固定模(原先S-斯滕特固定模)，和CHALLENGE斯滕特固定模)；Biotronik(瑞士)(例如，MAGIC AMS斯滕特固定模)；Clearstream Technologies(爱尔兰)(例如，CLEARFLEX斯滕特固定模)；Cook Inc.(Bloomington，Indiana)(e.g.，V-FLEX PLUS斯滕特固定模，ZILVER PTX自膨胀型血管斯滕特固定模涂层，LOGIX PTX斯滕特固定模(开发中)；Devax(例如，AXXESS斯滕特固定模)(Irvine，CA)；DISA Vascular(Pty) Ltd(South Africa)(例如，CHROMOFLEX斯滕特固定模，S-FLEX斯滕特固定模，S-FLEX Micro斯滕特固定模，和TAXOCHROME DES)；Intek Technology(Baar，瑞士)(例如，APOLLO斯滕特固定模)；Orbus Medical Technologies(Hoevelaken，荷兰)(例如，GENOUS)；Sorin Biomedica(Saluggia，意大利)(例如，JANUS和CARBO斯滕特固定模)；和斯滕特固定模，来自Bard/Angiomed GmbH MedizintechnikKG(Murray Hill，NJ)，和Blue Medical Supply & Equipment(Mariettta，GA)，Aachen Resonance GmbH(德国)；Eucatech AG(德国)，Eurocor GmbH(Bonn，德国)，Prot，Goodman，Terumo(日本)，Translumina GmbH(德国)，MIVTherapeutics(加拿大)，Occam International B.V.(Eindhoven，荷兰)，Sahajanand Medical Technologies PVT LTD.(印度)；AVIBiopharma/Medtronic/Interventional Technologies(波兰，OR)(例如，RESTEN NG-涂布的斯滕特固定模)；和Jomed(例如，FLEXMASTER药物-洗脱斯滕特固定模)(瑞典)。

通常，与治疗的位点或疾病无关，以相似的方式插入斯滕特固定模。简而言之，首先进行插入前检查，通常是诊断显象程序，内镜检查，或在外科手术时直接肉眼检查，以便确定斯滕特固定模插入的适当定位。然后将导线推进伤口或者建议插入位点，在此之上通入传递导管，其允许斯滕特固定模以它的塌陷形式插入。可以将血管内斯滕特固定模插入动脉如腹股沟中的股动脉，并在放射线学的指导下推进通过循环系统，直至它们到达冠状动脉或外周循环中斑块的解剖学位置。典型地，斯滕特固定模能够被压缩，因此它们可以经小导管插入通过微小的空腔，然后一旦它们在期望位置则膨胀至更大的直径。然后去除传递传递导管，留下斯滕特固定模自己站立作为支架。一旦膨胀，斯滕特固定模在物理上强迫通道壁分开并将它们保持开放。经常利用插入后检查(通常是x-射线)来证实适当的定位。

典型地在放射性的或者直接视觉控制下将斯滕特固定模操纵到位，特别注意将斯滕特固定模精确放置到被处理的血管内部。在某些方面，斯滕特固定模可以另外包括不透射线的、产生回声的或MRI响应性物质(例如，MRI造影剂)以帮助在超声、荧光透视法和/或核磁共振成像下将装置显影。不透射线的或MRI可见材料可以是一种或多种标记的形式(例如布置在斯滕特固定模任何一端的物质条带)，其可以在植入过程中用于定向和指导装置。

在另一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物与血管内导管的组合。

“血管内导管”是指含有一种或多种内腔的任何血管内导管，其适合于传递水性、微颗粒、流体或凝胶制剂至血流中或血管壁内。这些制剂可以含有生物活性剂(例如抗瘢痕形成剂)。已经描述了许多血管内导管用于直接、定点药物传递(例如，微注射器导管，放置在靶组织内或紧邻靶组织的导管)，局部药物传递(即，放置在供应靶器官或组织的动脉内的导管)，或系统药物传递(即，放置在外周循环系统中的动脉内和静脉内导管)。例如，导管和气囊导管可以从末端孔、通过一个或多个侧端口、通过微孔性外部结构、或通过直接注入期望组织或血管位置来传递抗-纤维生成剂。

可以利用多种导管用于区域性或局部动脉药物传递。用于传递药物的血管内气囊和非气囊导管例如在美国专利5,180,366；5,171,217；5,049,132；5,021,044；6,592,568；5,304,121；5,295,962；5,286,254；5,254,089；5,112,305；PCT公开号WO 93/08866，WO 92/11890,和WO 92/11895；和Riessen等(1994)JACC 23：1234-1244，Kandarpa K.(2000)J.Vasc.Interv.Radio.11(suppl.)：419-423，和Yang，X.(2003)Imaging of Vascular Gene Therapy228(1)：36-49中描述。

药物传递导管的代表性实例包括气囊导管，如来自Boston ScientificCorporation(Natick，MA)的CHANNEL和TRANSPORT气囊导管，和来自Advanced Cardiovascular Systems，Inc.(Santa Clara，CA)的Stack PerrusionCoronary Dilitation导管。药物传递导管的其它实例包括输注导管，如获自Cordis Corporation(Miami Lakes，FL)的CRESCENDO冠状动脉输注导管，获自Microtherapeutics，Inc.(San Clemente，CA)的Cragg-McNamara带阀输注导管，获自Boston Scientific Corporation的DISPATCH导管，来自GuidantCorporation(Houston，TX)的GALILEO Centering导管，和输注套导管，如来自LocalMed，Inc.(Sunnyvale，CA)的INFUSASLEEVE导管。输注套导管在例如美国专利号5,318,531；5,336,178；5,279,565；5,364,356；5,772,629；5,810,767；和5,941,868中描述。用机械或电增强药物传递的导管包括例如压力驱动导管(例如具有注射器端口的针注射导管，如可获自InterVentionalTechnologies，Inc.(San Diego，CA)的INFILTRATOR导管)(参见，例如，美国专利号5,354,279)和超声辅助(超声透入疗法)和离子电渗疗法导管(参见，例如，Singh，J.，等(1989)Drug Des.Deliv.：4：1-12和美国专利号5,362,309；5,318,014；5,315,998；5,304,120；5,282,785；和5,267,985)。

一方面，本发明提供了抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物与药物传递气囊的组合。

“药物传递气囊”是指动脉内气囊(典型地基于经皮血管成形术气囊)，其适合于插入外周动脉(典型地股动脉)和通过导管操作至治疗位点(在冠状或外周循环系统)。已经开发多种药物传递气囊用于治疗剂向动脉壁的局部传递，如“汗湿(sweaty)气囊”，“管道气囊”，“微量注射器气囊”，“双气囊”，“螺旋气囊”和其它特定的药物传递气囊。气囊的其它实例包括BHP和经尿道和射频针切除(TUNA或RFNA)气囊，其用于前列腺应用。

另外，已经开发了许多药物传递气囊用于治疗剂向动脉壁的局部传递。药物传递气囊的代表性实例包括多孔(WOLINSKY)气囊，其可获自Advanced Polymers(Salem，NH)，在例如美国专利号5,087,244中描述。用于输注导管的微孔性的和大孔性的气囊(即“汗湿气囊”)在例如Lambert，C.R.等(1992)Circ.Res.71：27-33中描述。其它类型的专门的药物传递气囊包括水凝胶涂布的气囊(例如，来自Boston Scientific Corporation的ULTRATHIN GLIDES)(参见，例如，Fram，D.B.等(1992)Circulation：86Suppl.I：1-380)，“管道气囊”(参见，例如，美国专利号5,860,954；5,843,033；和5,254,089，和Hong，M.K.，等(1992)Circulaion：86 Suppl.I：1-380)，“微量注射器气囊”(参见，例如，美国专利号5,681,281和5,746,716)，“双气囊，”在例如美国专利号6,544,221中描述，和双层槽形的灌注气囊(诸如来自Boston Scientific Corportion的REMEDY气囊)，和“螺旋气囊”(参见，例如，美国专利号6,527,739和6,605,056)。包括螺旋形(即，螺旋)气囊的药物传递导管在例如美国专利号6,190,356；5,279,546；5236424，5,226,888；5,181,911；4,824,436；和4,636,195中描述。

可以使用的气囊导管系统包括如下气囊系统：其中气囊可以在期望位置膨胀，所需的纤维变性诱导剂可以通过位于气囊壁中的孔传递。可以使用的其它气囊导管包括具有位于两个气囊之间的多个孔的系统。该系统可以引导到期望位置，以使可膨胀的气囊元件位于被治疗的特定位点的任何一端。气囊然后可以膨胀以隔离治疗区域。然后将含有纤维变性剂的组合物通过两个气囊之间的多个孔注入隔离的区域。这些类型的药物传递气囊的代表性实例在美国专利号5,087,244，6,623,452，5,397,307，4,636,195和4,994,033中描述。

本发明的组合物可以使用导管传递，该导管具有增强本发明组合物的摄取或功效的能力。用于增强摄取的刺激可以包括使用加热，使用冷却，使用电磁场，或者使用辐射(例如紫外线，可见光，红外的、微波、超声或X-射线)。可以使用的导管系统的另外的代表性实例在美国专利号5,362,309和6,623,444；美国专利申请公开号2002/0138036和2002/0068869；和PCT公开号WO 01/15771；WO 94/05361；WO 96/04955和WO 96/22111中描述。

在本发明的另一方面，本发明的组合物可以通过使用导管系统传递到治疗位点和/或治疗位点周围的组织中，所述导管系统具有一个或多个可以穿透周围组织的注射器。在插入适当脉管以后，可以将导管操纵至期望位置以使注射器与所述组织对准或者相邻。例如通过直接注入组织、通过膨胀气囊或机械旋转注射器将注射器注入期望位置，并且将本发明的组合物注入期望位置。可以用于本申请的导管的代表性实例在美国专利申请公开号2002/0082594和美国专利号6,443,949；6,488,659；6,569,144；5,609,151；5,385,148；5,551,427；5,746,716；5,681,281；和5,713,863中描述。

在本发明另一方面，导管可以适合于传递热致可逆聚合物组合物。对于这些材料的位点特异性传递，导管传递系统具有以下能力：或者将组合物加热至高于体温或者将组合物冷却至低于体温以使组合物在导管传递系统中保持流动状态。可以将导管传递系统引导到期望位置，并且可以将本发明的组合物传递到周围组织表面或者可以直接注入周围组织。用于直接注射热致可逆材料的导管传递系统的代表性实例在美国专利号6,488,659中描述。可以传递热致可逆组合物至脉管表面的导管传递系统的代表性实例在美国专利号6,443,941；6,290,729；5,947,977；5,800,538；和5,749,922中描述。

在另一方面，本发明提供了抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物与吻合连接装置的组合。

“吻合连接装置”是指使血管吻合(即，动脉-对-动脉，静脉-对-动脉，动脉-对-静脉，动脉-对-合成移植物，合成移植物-对-动脉，静脉-对-合成移植物或合成移植物-对-静脉吻合)的产生机械化的任何血管装置，其中不需要典型地在产生吻合中进行的手工缝合。该术语还指吻合连接装置(下述)，其设计用于产生促进的半自动化的血管吻合，不使用缝合线，大大减少了连接时间(经常至数秒)，其中存在多种类型和设计的这种装置。该术语还指促进血管移植物与靶脉管中的孔或口(例如在脉管侧面或末端)连接的装置。可以将吻合连接装置锚定至血管外部，和/或血管壁之中(例如到组织的外膜、壁内或内膜层)，和/或装置的一部分可以位于脉管的腔内。

吻合连接装置也可以用于产生从一种结构向另一结构的通过管道或转移性分流装置的新的流动。因此，这些装置(在本文中也称为“旁路装置”)典型地包括至少一种管状结构，其中管状结构限定了内腔。吻合连接装置可以包括一种管状结构或者多种管状结构，通过它们血液可以流动。至少一部分管状结构位于血管外部(即，血管外)以提供转移性通道。一部分装置也可以位于腔内和/或血管组织内。

吻合连接装置的实例在2003年5月23日提出的题为“AnastomoticConnector Devices”的共同待审申请(美国序列号60/473,185)中描述。吻合连接装置的代表性实例不限制性地包括血管夹，血管缝合线，血管卡钉，血管钳，缝合装置，吻合偶联装置(即，吻合偶联器)，包括包含用于运送血液的管状区段的偶联器，吻合环，和经皮原位冠状动脉旁路(PISCAB和PICVA)装置。概括地，吻合连接装置可以分成三类：(1)自动化的和改进的缝合方法和装置，(2)微型机械装置，和(3)吻合偶联装置。

(1) 自动化的和改进的缝合方法和装置

自动化缝合和改进的缝合方法通常促进多个缝合的快速展开，通常在单一一步中，而消除了对打结或使用主动脉侧面咬合的夹钳的需要。缝合装置包括适合于微创的那些装置，以使通过应用缝合线或其他外科手术扣件通过装置端口或其他小开口在血管导管和中空器官结构之间形成缝合。使用这些装置，在具有有限接近的身体区域内以较快和自动化的方式应用缝合线和其他扣件。通过使用用于建立吻合的微创方法，血液流失更少，不需要暂时中止操作位点远端的血流。例如，缝合装置可以由适合于吻合的轴-支撑的血管导管和在轴上可滑动的轴环组成，该轴环构造用于控制多个针和通过血管导管的缝合线。参见，例如，美国专利号6,709,441。缝合装置可以由用于插入移植物的载体部分、延伸以将移植物支撑到位的臂部分和适合于保持和将线圈扣件推进与脉管壁和移植物翼缘啮合以完成吻合的针组件组成。参见，例如，美国专利号6,709,442。缝合装置可以包括两个椭圆形互连的部件，包括适合于缝合的对开轴衬(例如，美国专利号4,350,160)。

缝合装置的一个代表性实例是由Perclose-Abbott Labs，Redwood City，CA制造的HEARTFLOW装置(通常参见，美国专利号6,358,258,6,355,050，6,190,396,和6,036,699,和PCT公开号WO 01/19257)。

Coalescent Surgical(Sunnyvale，CA)生产的镍钛金属互化物U-CLIP缝合夹装置由与柔性构件连接的自闭合的镍钛金属互化物线环和具有快释放机制的针组成。该装置通过简化缝合操纵和消除打结来促进吻合的构建(通常参见，美国专利号6,074,401和6,149,658，和PCT公开号WO 99/62406，WO 99/62409，WO 00/59380，WO 01/17441)。

ENCLOSE吻合辅助装置(Novare Surgical Systems，Cupertino，CA)允许外科医生使用标准缝合技术来产生缝合的吻合，但是没有使用部分闭合的侧面咬合的主动脉钳，避免了主动脉壁畸变(参见美国专利号6,312,445和6,165,186)。

一方面，自动化的和改进的缝合方法和装置可以传递含有抗瘢痕形成剂的外科手术扣件(例如缝合线或缝合夹)。在另一方面，自动化的和改进的缝合方法和装置可以传递含有抗瘢痕形成剂的血管移植物以完成吻合。

(2) 微型机械装置

将微型机械装置用于产生吻合和/或将移植物脉管固定到吻合位点。微型机械装置的典型装置包括卡钉(穿透的或非穿透的)和夹。

吻合卡钉和夹装置可以采取各种各样的形式并且可以由不同类型的材料制成。例如，卡钉和夹可以由金属或金属合金，如钛、镍-钛合金，或不锈钢，或聚合物材料，如硅氧烷、聚(氨基甲酸酯)、橡胶或热塑性高弹体形成。

聚合物材料可以是可吸收的或生物可降解的材料，其设计在吻合完成后溶解。生物可降解的聚合物包括，例如，包含一种或多种选自下列各项的单体的均聚物和共聚物：丙交酯，乳酸，乙交酯，乙醇酸，ε-己内酯，γ-己内酯，羟基戊酸，羟基丁酸，β-丁内酯，γ-丁内酯，γ-戊内酯，γ-癸内酯，δ-癸内酯，亚丙基碳酸酯，1，4-二噁烷-2-酮或1，5-dioxepan-2-酮。

也已经描述了多种用于将卡钉和夹引导到位的装置。

用于产生吻合的非穿透卡钉的一个制造商是United States SurgicalCorp.(Norwalk，CT)。VCS系统(Autosuture)是自动的卡钉装置，利用非穿透的、钛血管夹，其通常以间断的方式使用以用高压缩力将组织边缘翻转。(关于美国外科制备的吻合连接装置的描述，参见，例如，美国专利号6,440,146，6,391,039，6,024,748，5,833,698，5,799,857，5,779,718，5,725,538，5,725,537，5,720,756，5,360,154，5,193,731，和5,005,749)。

可以由形状记忆材料如镍钛金属互化物构成吻合夹，所述形状记忆材料在断开的U-形构型和闭合的构型之间是自闭合的。参见，例如，美国专利号6,641,593。吻合夹可以由具有形状记忆的金属线构成，该金属线限定了闭合构型，其可以是基本上螺旋形的并且具有可以可释放地与夹连接的针。参见，例如，美国专利号6,551,332。其他吻合夹描述在例如美国专利号6,461,365；和6,514,265中。

自动化卡钉装置也由Bypass/Ethicon，Inc.(Somerville，NJ)制造并且描述在例如美国专利号6,193,129；5,632,433；5,609,285；5,533,661；5,439,156；5,350,104；5,333,773；5,312,024；5,292,053；5,285,945；5,275,322；5,271,544；5,271,543和5,205,459和WO 03/02016中。在例如美国专利号4,741,337和4,889,119中描述了可再吸收的外科卡钉，其包括富含乙交酯的聚合物掺合物(即65-85重量％的聚合的乙交酯)。在美国专利号4,646,741中描述了由丙交酯/乙交酯-共聚物和聚(对-二噁烷酮)的掺合物支撑的外科卡钉。其他类型的卡钉装置在例如美国专利号5,234,447；5,904,697和6,565,582；和U.S.公开号2002/0185517A1中描述。

一方面，微型机械装置可以是吻合夹。例如，吻合夹可以由形状记忆材料，如镍钛金属互化物构成，所述形状记忆材料在断开的U-形构型和闭合的构型之间是自闭合的。参见，例如，美国专利号6,641,593。吻合夹可以由具有形状记忆的金属线构成，该金属线限定了闭合构型，其可以是基本上螺旋形的并且具有可以可释放地与夹连接的针。参见，例如，美国专利号6,551,332。其他吻合夹描述在例如美国专利号6,461,365；和6,514,265中。

一方面，本发明提供微型机械吻合装置(例如，卡钉或夹)和抗瘢痕形成剂的组合。

(3) 吻合偶联装置

吻合偶联装置可以用于连接第一血管和第二血管以完成吻合，其使用或不使用移植物血管。一方面，吻合偶联装置促进移植物或脉管与靶脉管的孔或口(例如，在脉管侧面或末端)自动化连接而不使用缝合线或卡钉。另一方面，吻合偶联装置包含管状结构，其限定了血液可以流动通过的内腔(下述)。

促进移植物或脉管与靶脉管中的孔或口自动化连接的吻合偶联装置可以采取多种形式并且可以由多种材料制成。典型地，这些装置由生物相容性材料，如聚合物或金属或金属合金制造。例如，装置可以由合成材料，如氟聚合物，如膨胀型聚(四氟乙烯)(ePTFE)(ePTFE)固体或氟化乙烯丙烯(FEP)，聚氨酯，聚乙烯，聚酰胺(尼龙)，硅氧烷，聚丙烯，聚砜，或聚酯形成，所述膨胀型聚(四氟乙烯)(ePTFE)(ePTFE)固体可以以商品名GORE-TEX获自W.L.Gore & Associates，Inc。

吻合偶联装置可以包括可吸收的或生物可降解的材料，其设计在完成吻合后溶解。生物可降解的聚合物包括，例如，包含一种或多种选自下列各项的单体的均聚物和共聚物：丙交酯，乳酸，乙交酯，乙醇酸，ε-己内酯，γ-己内酯，羟基戊酸，羟基丁酸，β-丁内酯，γ-丁内酯，γ-戊内酯，γ-癸内酯，δ-癸内酯，亚丙基碳酸酯，1，4-二噁烷-2-酮或1，5-dioxepan-2-酮。

装置可以包括金属或金属合金(例如，镍钛金属互化物，不锈钢，钛，铁，镍，镍-钛，钴，铂，钨，钽，银，金，钼，铬，和铬)，或金属和聚合物的组合。

可以将装置锚定到脉管外部、血管内腔周围的组织内、和/或装置的一部分可以位于脉管内腔内部。

一方面，吻合偶联器可以是人工形成的孔连接器，将其放置在靶脉管侧壁内以便管状移植物导管可以从靶脉管中延伸。连接器可以包括多个组织穿孔构件和固位指，其以同心环形阵列布置，可以通过管状移植物导管的侧壁以将移植物以流体-密封构型固定和保持到连接器。参见，例如，美国专利号6,702,829和6,699,256。

另一方面，吻合偶联器可以是框架的形式。例如该框架可以构造为可变形和剪刀形以使扩展构件能够移动以在插入靶脉管后固定移植物脉管。参见，例如，美国专利号6,179,849。

另一方面，吻合偶联器可以是环样装置，其用作移植物内腔和靶脉管内腔开口之间的吻合界面。例如，吻合环可以由不锈钢合金，钛合金或钴合金构成，并且具有法兰，该法兰具有可膨胀的直径。参见，例如，美国专利号6,699,257。吻合环也在例如美国专利号6,248,117中描述。

另一方面，吻合偶联器是可再吸收的。可再吸收的吻合偶联装置可以包括，例如，富含乙交酯的聚合物掺合物(即65-85重量％的聚合的乙交酯)(参见，例如，美国专利号4,741,337和4,889,119)或丙交酯/乙交酯-共聚物和聚(对-二噁烷酮)的掺合物(参见，例如，美国专利号4,646,741)。

另一方面，吻合偶联器包括生物可吸收的、弹性体材料。用于可再吸收装置的弹性体材料的代表性实例在例如美国专利号5,468,253中描述。

另一方面，吻合偶联器可以用于连接第一血管和第二脉管，使用或不使用移植物脉管。例如，吻合偶联器可以是用于以侧-侧吻合来互连两个脉管的装置，如当嫁接两个并列的心脉管时。吻合连接器可以构造为两个部分开放的圆筒形区段，其沿着圆周通过流通孔相互连接，由此装置可以以微创方式插入，然后当为原有构型时相配而提供针对内壁的压力从而防止渗漏。参见，例如，美国专利号6,464,709；6,458,140和6,251,116和U.S.申请公开号2003/0100920A1。

另一方面，吻合偶联器也可以结合到血管移植物的设计中以消除在部署前连接界面的步骤。例如，吻合连接器可以具有用于在前进过程中膨胀脉管口的前导和后部花瓣(petal)和基底，该基底构造用于在与脉管口形成封口的同时与移植物连接。参见，例如，美国专利号6,702,828。

另一方面，吻合偶联器可以是框架的形式。例如，吻合连接器可以由具有扩展构件的可变形的、剪子形状的框架组成，所述框架被插入靶脉管中。参见，例如，美国专利号6,179,849。

另一方面，吻合偶联装置可以包括在其相对末端处结合固定机械(例如，套筒或索眼)的移植物和加热元件以便在移植物和血管之间产生热结合(参见，例如，美国专利号6,652,544和6,293,955)。

另一方面，吻合偶联装置包括可压缩的、可膨胀的配件以将旁路移植物的末端固定到两个脉管。配件可以结合到旁路移植物设计中以消除在部署前将移植物与配件连接的步骤(参见，例如，美国专利号6,494,889)。

另一方面，吻合偶联装置包括一对偶联圆盘构件，其用于将两个脉管以端-端或端-侧的方式连接。构件之一包括钩形构件，而另一个构件具有与钩对准的接受空腔，以便将脉管外翻的组织锁在一起(参见，例如，美国专利号4,523,592)。

旁路/Ethicon，Inc.的吻合连接装置的代表性实例在美国申请公开号US2002/0082625A1和2003/0100910A1和美国专利号6,036,703，6,036,700，6,015,416，和5,346,501中描述。

其它吻合偶联装置是在例如美国专利号6,036,702；6,508,822；6,599,303；6,673,084，5,695,504；6,569,173；4,931,057；5,868,763；4,624,257；4,917,090；4,917,091；5,697,943；5,562,690；5,454,825；5,447,514；5,437,684；5,376,098；6,652,542；6,551,334；和6,726,694和美国申请公开号2003/0120293A1和2004/0030348A1中描述的那些。

吻合偶联装置可以包括近端主动脉连接器和远端冠状动脉连接器。例如，主动脉吻合连接器包括装置如由St.Jude Medical，Inc.(Maple Grove，MN)制造的SYMMETRY旁路主动脉连接装置，该装置由主动脉切割器或冲孔装置和移植物传递系统组成。主动脉穿孔器是具有倒刺针的圆筒形切割器，所述倒刺针提供锚定和反压给旋转的切割器以便在主动脉的壁上挖一个圆孔。移植物传递系统是快速可膨胀的镍钛金属互化物装置，其用刺穿静脉移植物壁的小钩抓住静脉移植物。通过使用支柱或法兰的内环和外环将移植物固定到主动脉。St.Jude制造的这种和其它吻合连接装置在美国专利号6,309,416，6,302,905，6,152,937和PCT公开号WO 00/27312和WO 00/27311中描述。

由Cardio Vations division of Ethicon，Inc.(Johnson & Johnson，Somerville，NJ)生产的CorLInk自动吻合连接装置使用镍钛金属互化物金属合金扣件来将移植物脉管与主动脉连接。它由用互联的椭圆拱制成的中央圆柱体和从每个末端辐射的两组若干插脚组成。将该移植物装载到CorLink插入仪器中并部署以一步产生吻合。

吻合偶联装置的其它实例包括由Cardica(参见，美国专利号6,719,769；6,419,681和6,537,287)，Converge Medical(以前Advanced BypassTechnologies)，Onux Medical(参见，例如，PCT公开号WO 01/34037)和Ventrica，Menlo Park，CA(VENTRICA Magnetic Vascular Positioner)(参见，例如，美国专利号6,719,768；6,517,558和6,352,543)制造的那些。

如上所述，吻合吻合偶联装置可以包含管状结构，其限定了血液可以从中流过的内腔。这些类型的装置(本文也称为“旁路装置”)可以用作血管之间流体传递的人工通道或管道，并且可以用于将血液从血管的一部分(例如动脉)转移(即，分流)到该脉管的另一部分，或到第二条脉管(例如，动脉或静脉)或多条脉管(例如，静脉和动脉)。在本发明的一个方面，吻合装置是支路装置。

支路装置可以用于多种端-端和端-侧吻合方法。旁路装置可以放置到患者中，期望在该患者中在两个或多个血管结构之间、或在相同血管结构的两个不同部分之间产生通道。例如，旁路装置可以用于产生允许血液在已经受损或完全或部分阻塞的血管周围流动的通道，所述血管如动脉(例如，管状动脉，颈动脉或供应下肢的动脉)。旁路装置可以用于冠状动脉旁路外科手术以便将血液从动脉(如主动脉)分流到动脉阻塞下游的冠状动脉的一部分。

构造某些类型的吻合偶联装置以连接两个毗连脉管。装置可以另外包括管状区段以便将血液分流到另一脉管。如果脉管被切断或被损，这些类型的连接器经常用于端-端吻合。

旁路装置包括至少一个具有第一末端和第二末端的管状结构，其限定了血液可以从中流过的单个内腔，或者可以包括多于一个的管状结构，其限定了血液可以从中流过的多个内腔。管状结构包括血管外部分并且可以任选地包括血管内部分。血管外部分位于血管外膜组织的外部，而血管内部分可以位于脉管腔内或者在内膜、中膜和/或外膜组织内。

管状区段的构型可以采取多种形式。例如，管状部分可以通常是直的、弯曲的或弧形的(例如L-形或螺旋形)、锥形的、分枝的(例如，二叉的或三叉的)，或者可以包括血液可以流通的导管网络。通常，直的或弯曲的装置具有血液可以流通的单一内腔，而分枝导管(例如通常T-形或Y-形装置)和导管网络(下述)具有两个或多个血液可以流通的内腔。管状结构可以是例如中空圆筒的形式，并且可以或可以不包括支承结构，如网眼或多空框架。取决于方法，装置可以是生物可降解的或者非生物可降解的；可膨胀的或刚性的；金属的和/或聚合物的；和/或可以包括形状记忆材料(例如，镍钛金属互化物)。在某些实施方案中，装置可以包括自膨胀的斯滕特固定模结构。

通路装置典型地由生物相容的材料制成。任何上述用于其它类型连接器的材料可以用于制备旁路装置，如合成的或天然衍生的聚合物，或金属或金属合金。例如，装置可以由合成材料形式，所述材料如氟聚合物，如膨胀型聚(四氟乙烯)(ePTFE)或氟化乙烯丙烯(FEP)，聚氨酯，聚乙烯，聚酰胺(尼龙)，硅氧烷，聚丙烯，聚砜，或聚酯和/或天然衍生的材料，如胶原蛋白或多糖。装置可以包括金属或金属合金(例如，镍钛金属互化物，不锈钢，钛，镍，镍-钛，钴，铂，铁，钨，钽，银，金，钼，铬，和铬)，或金属和聚合物的组合。其它类型的装置包括天然移植物材料(例如自体脉管，同种脉管，或异种移植物)，或合成和天然移植物材料的组合。另一方面，旁路装置可以由可吸收的或生物可降解的材料形成，所述可吸收的或生物可降解的材料是设计来在完成吻合后溶解(例如，聚丙交酯，聚乙交酯，以及丙交酯和乙交酯的共聚物)。在还有的另一方面，去矿化骨可以用于提供柔性的管状导管(参见，例如，美国专利号6,290,718)。

管状结构包括近端末端和远端末端，所述近端末端可以构造用于与近端血管连接，所述远端末端可以构造用于与远端血管连接。如上所述，吻合可以描述为“近端的”或“远端的”，这取决于它相对于血管构建的位置。可以在近端血管中形成“近端”吻合，并且可以在远端血管中形成“远端”吻合，所述远端血管可以是与近端血管相同或不同的血管。术语“远端”和“近端”也可以用于描述血液通过管状结构由一个脉管流入另一脉管的方向。例如，血液可以从近端脉管(例如主动脉)流入远端脉管(如冠状动脉)以绕过冠状动脉中的阻塞。

管状结构可以直接连接到近端或远端血管。备选地，旁路装置可以另外包括移植物脉管或者可以构造来接受移植物脉管，所述移植物脉管可以与相同或不同的血管连接以完成吻合。移植物脉管的代表性实例包括，例如，血管移植物或用于血液透析应用的移植物(例如，AV移植物，AV分路，或AV移植物)。

一方面，管状吻合偶联器包括与近端脉管连接的近端和用于与旁路移植物连接的远端。旁路移植物可以固定到远端脉管以完成吻合。血液流动的方向可以是从近端血管开始并进入管状结构的近端。血液可以通过管状结构的远端出去并进入移植物脉管。

在另一方面，管状吻合偶联器包括与移植物脉管连接的近端末端和构造来与远端血管连接的远端末端，所述移植物脉管被固定到近端血管。血液流动的方向可以是从近端脉管到移植物脉管中并进入管状结构的近端末端。血液可以从管状结构的远端末端出去并进入远端脉管。

可以以各种各样的方式将吻合旁路装置固定到血管上，并且可以使用或不使用缝合线与血管连接以形成吻合。旁路装置可以与血管的外部连接，和/或装置的一部分可以被植入脉管。例如，植入装置的一部分可以位于脉管的腔内(即腔内地)，和/或植入装置的一部分可以位于血管内(即，在血管的内膜、壁内、和/或外膜组织内)。一方面，至少一个管状结构或其部分可以插入脉管末端或血管侧。可以将装置直接固定到脉管，例如，使用扣件，如缝合线，卡钉，或夹钳和/或粘合剂。旁路装置可以包括界面以在不使用缝合线下将导管与靶脉管固定。界面可以包括装置如，例如，钩，倒刺，插脚，钳，或法兰或法兰盘，以便将装置与吻合位点偶联。

包括至少一个管状部分的吻合偶联装置的代表性实例包括但不限于用于端-端吻合方法(例如，吻合斯滕特固定模和吻合套)和端-侧吻合方法(例如，单腔和多腔旁路装置)的装置。

在本发明的一个方面，吻合偶联装置包含单个管状部分，该管状部分可以用作分流装置以将血液从来源脉管转移到移植物脉管(例如端-侧吻合方法)。一方面，管状部分的一端可以如上所述与靶脉管直接或间接连接。管状部分的相反端可以与移植物脉管连接，其中可以将移植物脉管固定于靶脉管以完成吻合。

管状部分可以是直的或者可以具有弯曲或弧形的形状(例如L-形或螺旋形)，并且可以相对于其连接的脉管成直角或以一个角度定向。一方面，导管可以通过例如扣件如卡钉、夹钳或钩，通过粘合剂、射频密封或通过本领域技术人员已知的其它方法固定到位。

一方面，吻合偶联装置可以是，例如，管状金属编成辫子形的移植物，其在远端具有缝合环以提供适当固定于靶脉管的方式。参见，例如，美国专利号6,235,054。固定到位的其它类型的导管包括，例如美国专利号4,368,736和4,366,819。

在某些类型的单腔偶联装置中，导管终止于位于脉管腔内的法兰。例如，导管可以具有带有连接器的管体，该连接器具有多个延伸部并且构造用于环形排列在管状脉管的内部。参见，例如，美国专利号6,660,015。在其它装置中，法兰可以连接到血管外膜组织的表面之中或之上。

其它类型的单腔旁路装置在例如美国专利号6,241,743；6,428,550；6,241,743；6,428,550；5,904,697；5,290,298；6,007,576；6,361,559；6,648,901，4,931,057和美国申请公开号2004/0015180A1，2003/0065344A1，和2002/0116018A1中描述。

在本发明的另一方面，吻合偶联装置包含多于一个血液可以行进通过的腔。多腔旁路装置可以包括两个或多个管状部分，该管状部分构造用于互连多个(两个或多个)血管。多腔偶联装置可以用于多种吻合方法。例如，这些装置可以用于冠状动脉旁路移植物(CABG)外科手术以将血液从闭塞的近端脉管(例如，动脉)转移到一个或多个靶(即远端)脉管(例如，动脉或静脉)。

一方面，可以将至少一个管状部分用作分流装置将血液在源脉管和靶脉管之间转移。在另一方面，装置可以构造为界面以将移植物脉管固定到靶脉管而完成吻合。取决于方法，管状臂可以是相同长度和直径的或者是不同长度和直径的，并且可以包括管状部分，该管状部分可膨胀和/或包括形状记忆材料(例如，镍钛金属互化物)。另外，管状部分可以由相同材料或不同材料制成。

一方面，管状部分的一端或多端可以被插入一个或多个血管的末端或侧面。在其它实施方案中，装置的一个或多个管状部分可以位于血管或移植物脉管的腔内部。任选地，可以使用扣件或粘合剂或本领域技术人员已知的另外的方法将装置固定于血管。

多腔连接器的至少一个臂可以连接到移植物脉管。移植物脉管可以是合成移植物，如ePTFE或聚酯移植物，或天然移植物材料(例如自体脉管，同种脉管，或异种移植物)，或合成和天然移植物材料的组合。在某些实施方案中，移植物脉管可以连接到装置管状部分的一端，并且第二个移植物脉管可以连接到相同管状部分的相反端或者另一管状部分的末端。移植物脉管可以另外连接到靶脉管以完成吻合。

一方面，装置可以包括三个或多个从接合位点延伸的管状臂。例如，多腔装置可以通常为T形或Y形(即，分别具有两个或多个腔)。例如，多腔装置可以是T形管状移植物连接器，其具有延伸到靶脉管内的纵向构件和在脉管外部的第二部分，该第二部分提供对交替的管状结构的连接。参见，例如，美国专利号6,152,945和5,972,017。其它多腔装置描述在(参见，例如，美国专利号6,152,945；6,451,033；5,755,778；5,922,022；6,293,965；6,517,558和6,626,914和美国公开号2004/0015180A1)中。

另一方面，装置可以是用于将血流从心脏的一部分(例如，左心室)直接分流到冠状动脉的管。例如，装置可以是中空管，其可以在舒张期期间响应于心脏组织的运动通过单向阀而是部分可闭合的，同时在收缩期期间允许血液流动(参见，例如，美国专利号6,641,610)。装置可以是由分流管组成的细长的刚性分流体，所述分流管具有两个孔，其中一个可以位于左心室的cyocardium内，另一个可以位于冠状动脉内(参见，例如，WO00/15146和美国申请公开号2003/0055371A1)。该装置可以是有阀的管状装置，其可以是L-或T-形，适合于插入心脏壁以提供从心脏到冠状脉管的血液传递(参见，例如，美国专利号6,123,682)。

另一方面，该装置可以包括互连的管状导管网络。例如，装置可以包括两个管状部分，它们可以通常轴向或相对于彼此垂直定向。参见美国专利号6,241,761和6,241,764。两个管状结构之间的交流可以通过流体通道来实现，该流体通道促进血液在各个管的孔之间流动。

另一方面，吻合偶联装置是可再吸收的装置，它可以用两个或三个末端构造，所述末端提供了脉管界面而不需要缝合线，并且提供了贯通相交腔(如旁路移植物或交替脉管)的流体传递。参见，例如，美国申请公开号2002/0052572A1和PCT公开号WO 02/24114A2。吻合连接器还可以由可再吸收管状结构形成，构造该管状结构包括快速连接器或其它组件以便将其固定到组织，以及诱导止血的密封环以防止血液渗漏。参见，例如，美国专利号6,056,762。可以设计吻合连接器具有三条支脚，其中两条支脚适合于以收缩状态插入连续血管内和然后扩大以形成紧配合，第三条支脚适合于连接和与第三个导管密封。参见，例如，美国专利号6,019,788。

可商购的多腔吻合偶联装置的实例有Solem移植物连接器(由Jomed制造，瑞典)。该装置在PCT公开号WO 01/13820，和美国专利号6,179,848，D438618和D429334中更详细地描述，包括由镍钛金属互化物和ePTFE移植物构成的T-形连接器以完成远端吻合。

吻合连接器的另一实例是来自CABG Medical，Inc.(Minneapolis，MN)的用于旁路外科手术的Holly移植物系统(开发中)，其例如在美国专利号6,241,761和6,241,764中描述。

一方面，本发明提供吻合偶联装置和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物的组合。一方面，吻合偶联装置可以与血管连接以形成吻合而不使用缝合线或卡钉(staple)。在某些方面，吻合偶联装置可以包含管状结构和抗瘢痕形成剂，所述管状结构限定了血液可以流通的内腔。该装置可以包括由一个、两个、三个或多个管状结构限定的一个、两个或三个腔，这取决于将要连接的脉管的数目。

将吻合连接器引入血管壁内、腔内或外膜部分之中或之上可能刺激或损伤血管的内皮组织和/或可以改变通过脉管的天然血液动力学流动。该刺激或损伤可刺激生物事件级联，导致纤维变性反应，其可以导致脉管中疤痕组织的形成。将按照本发明的治疗剂结合到与血管直接接触的装置的一部分(例如，装置的末端部分或边缘)之中或之上，可以抑制上述的一种或多种瘢痕形成过程(例如平滑肌细胞增殖，细胞迁移，炎症)，使得血管更不易于形成内膜增生和狭窄。

因此，一方面，治疗剂可以仅与装置与血液或内皮组织接触的部分关联。例如，可以将抗瘢痕形成剂仅仅结合到装置的血管内部分(即，位于脉管腔内或脉管组织中的部分)。可以将抗瘢痕形成剂结合到装置血管内部分的全部或一部分。在其它实施方案中，涂层可以位于装置血管外部分的全部或一部分之上。

抗瘢痕形成剂或包括抗瘢痕形成剂的组合物可以被涂布到装置表面的一部分上或装置的整个表面上，或者可以结合到装置结构的一部分中或整个结构中(例如，在装置的空隙、贮器或divet内，或在用于构建装置的材料内)。在其它方面，将所述药剂或包含药剂的组合物浸渍入或附着在装置表面上。

如上所述，装置可以包括位于血管腔内部的管状部分。整个管状部分可以，例如，涂布有抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物。备选地，仅管状部分的一部分可以包括抗瘢痕形成剂。例如，可以涂布管状部分仅外(腔外)表面或仅内(腔内)表面。在其它实施方案中，管状部分的一端或两端被涂布。例如，血液进入装置(即，近端末端)的管状部分的内腔和/或外腔表面可以涂布有抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物。另一方面，血液从装置中出去(即，远端末端)的管状部分的内腔和/或外腔表面可以涂布有抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物。

在另一实施方案中，抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物与将装置固定于血管的锚定构件(例如，扣件，如卡钉或夹)相关联(例如，涂布其上或结合其中)。

如上所述，作为改善装置临床功效的一种方法，吻合连接装置可以包括纤维变性抑制剂。在另一种方法中，可以将纤维变性抑制剂结合到膜或网眼(以下更详细地描述)之中或之上，所述膜或网眼以血管周的方式应用于吻合位点(例如，在移植物脉管和血管的接合处)。这些膜或包覆物可以与任何上述吻合连接装置一起使用，并且在外科手术时典型地被安置到吻合外部周围。在其它实施方案中，可以将药剂以喷雾剂、糊剂、凝胶等的形式传递到吻合位点。在还有的另一种方法中，可以将纤维变性抑制剂结合到移植物脉管之中或之上，所述移植物脉管用连接装置被固定到血管上。

在还有的另一方面，其它专门的血管内装置，如冠状动脉药物输注导线，如可获自TherOx，Inc.的那些，移植物和斯滕特固定模装置上的气囊，如在Wilensky,R.L.(1993)J.Am.Coll.Cardiol.：21：185A中所述的，也可以用于抗纤维生成剂的局部传递。

如上所述，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或包括抗瘢痕形成剂的组合物的血管内装置(例如，吻合连接器，斯滕特固定模，药物传递气囊，血管内导管)。以上已经描述了与血管内装置一起使用的许多聚合物和非聚合物传递系统。将涂层纤维变性抑制剂和组合物结合到血管内装置之上或之中的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于血管内装置(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)通过将装置插入套或网眼，所述套或网眼含有或涂布有纤维变性抑制组合物，(f)用纤维变性抑制组合物构建装置本身或装置的一部分，或(g)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上。对于这些装置，涂布过程可以以这样的方式进行，即(a)涂布斯滕特固定模的外表面，(b)涂布斯滕特固定模的内(腔)表面，或(c)涂布斯滕特固定模内表面和外表面两者的全部或部分。

血管内装置(例如，斯滕特固定模)可以适合于仅在远端或沿着装置整体释放所需药剂。

按照本发明，在实施该实施方案中可以利用上述任何纤维变性抑制剂。在本发明的一个实施方案中，血管内装置可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

可以以各种各样的构型和尺寸制造血管内装置，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于血管内装置的药剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D3)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于血管内装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的血管内装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10 mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10 mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与血管内装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.11μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

胃肠斯滕特固定模

本发明提供药物和胃肠(GI)斯滕特固定模的组合。术语GI斯滕特固定模是指位于胃肠道中的装置，所述胃肠道包括胆管、胰管、结肠和食管。GI斯滕特固定模是或者包含用于治疗腔内身体通道的支架，所述身体通道由于疾病或损伤(包括恶性或良性疾病)已经被阻塞。

一方面，GI斯滕特固定模可以是食管斯滕特固定模，其用于保持食管开放由此食物能够从口移动到胃中。例如，食管斯滕特固定模可以由圆筒形支持网眼的内层、保持网眼的外层和夹于其间的半透膜构成。参见，例如，美国专利号6,146,416。食管斯滕特固定模可以是开放编织构造(openweave construction)的辐射状的、自膨胀的斯滕特固定模稀松组织构构造物，其具有沿着斯滕特固定模形成的弹性膜和远端的套，所述弹性膜防止组织向内生长，所述套抵制斯滕特固定模移动。参见，例如，美国专利号5,876,448。食管斯滕特固定模可以由柔性的金属线构型组成并形成圆筒形管，其变形的末端部分增加到较大直径以获得锚定压力。参见，例如，美国专利号5,876,445。食管斯滕特固定模可以是柔性的、自膨胀的管状壁，其沿着纵向轴结合至少一个截断的圆锥形部分。参见，例如，美国专利号6,533,810。

在另一方面，GI斯滕特固定模可以是胆管斯滕特固定模，其用于保持胆管开放由此胆汁能够引流到小肠内。例如，胆管斯滕特固定模可以由形状记忆合金构成。参见，例如，美国专利号5,466,242。胆管斯滕特固定模可以是多个辐射伸展的翼，其具有从螺旋中心突出的沟槽。参见，例如，美国专利号5,776,160和5,486,191。

另一方面，GI斯滕特固定模可以是结肠斯滕特固定模。例如，结肠斯滕特固定模可以是中空的管状体，其可以辐射状伸展并且可以在释放配件中被固定于器官内壁。参见，例如，欧洲专利申请号EP1092400A2。

另一方面，GI斯滕特固定模可以是胰管斯滕特固定模，其用于保持胰管开放以促进向小肠内的分泌。例如，胰管斯滕特固定模可以由软的生物相容性材料构成，所述材料是弹性顺从的，与胆管的曲率一致，并且含有促进引流的穿孔。参见，例如，美国专利号6,132,471。

可以与按照本发明的一种或多种药物结合的GI斯滕特固定模，包括可商购的产品，如来自Boston Scientific Corporation的NIR胆管斯滕特固定模系统和WALLSTENT Endoprostheses。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或包括抗瘢痕形成剂的组合物的GI斯滕特固定模。以上已经描述了用于GI斯滕特固定模的许多聚合物和非聚合物传递系统。

将涂层纤维变性抑制剂和纤维变性抑制组合物结合到GI斯滕特固定模之上或之中的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于斯滕特固定模(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到斯滕特固定模中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布斯滕特固定模，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到斯滕特固定模结构中，(e)通过将斯滕特固定模插入套或网眼，所述套或网眼含有或涂布有纤维变性抑制组合物，(f)用纤维变性抑制组合物构建斯滕特固定模本身或斯滕特固定模的一部分，或(g)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于斯滕特固定模表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到斯滕特固定模表面上。对于这些斯滕特固定模，涂布过程可以以这样的方式进行，即(a)涂布斯滕特固定模的外表面，(b)涂布斯滕特固定模的内(腔)表面，或(c)涂布斯滕特固定模内表面和外表面两者的全部或部分。

除了用纤维变性抑制组合物涂布GI斯滕特固定模，可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以使纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。这可以包括GI斯滕特固定模结构本身，外部覆盖物或套(如果适用)，或者斯滕特固定模结构和外部覆盖物或套。

按照本发明，任何上述纤维变性抑制剂可以用于该实施方案的实施中。在本发明的一个实施方案中，GI斯滕特固定模可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

可以以各种各样的构型和尺寸制造GI斯滕特固定模，施用的精确剂量随着GI斯滕特固定模尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于GI斯滕特固定模的药剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D3)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于GI斯滕特固定模的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的GI斯滕特固定模装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与胃肠斯滕特固定模装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

气管和支气管斯滕特固定模

本发明提供抗瘢痕形成剂和气管或支气管斯滕特固定模装置的组合。

可以受益于涂布有或其中结合纤维变性抑制剂的气管或支气管斯滕特固定模的代表性实例包括气管斯滕特固定模或支气管斯滕特固定模，包括金属和聚合物气管或支气管斯滕特固定模和气管或具有外部覆盖物(例如聚氨酯，聚对苯二甲酸乙二酯，PTFE或硅氧橡胶)的支气管斯滕特固定模。

气管和支气管斯滕特固定模可以，例如，由具有金属卡环的弹性塑料轴构成，所述卡环沿着轴形成内腔以开启气管患病部分，并且具有三个部分以模拟气管的天然形状。参见，例如，美国专利号5,480,431。气管/支气管斯滕特固定模可以是T-形管，其具有气管切开术管状部分(tracheotomyorifice)，其通过构造的气管切开术的孔向外伸出，所述孔闭合并形成流体密封。参见，例如，美国专利号5,184,610和3,721,233。气管/支气管斯滕特固定模可以由柔性的合成聚合物树脂构成，气管切开术管被安装在壁上，以T-Y形状构造的分支的支气管末端，在交叉处具有特定曲线以将组织损伤最小化。参见，例如，美国专利号4,795,465。气管/支气管斯滕特固定模可以是构造成为充分圆筒形的支架，其具有形状记忆框架，具有几何型式和具有足够厚度的涂层以防止上皮形成。参见，例如，美国专利申请号2003/0024534A1。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的气管/支气管斯滕特固定模包括可商购的产品，如来自Boston Scientific Corporation的WALLSTENT气管支气管内假体和ULTRAFLEX气管支气管斯滕特固定模系统，和来自Bryan Corporation(Woburn，MA)的DUMON气管支气管硅氧烷斯滕特固定模。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或包括抗瘢痕形成剂的组合物的气管和支气管斯滕特固定模。以上已经描述了用于气管和支气管斯滕特固定模的许多聚合物和非聚合物传递系统。将纤维变性抑制剂或纤维变性抑制组合物结合到气管或支气管斯滕特固定模之上或之中的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于斯滕特固定模(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到斯滕特固定模中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布斯滕特固定模，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到斯滕特固定模结构中，(e)通过将斯滕特固定模插入套或网眼，所述套或网眼含有或涂布有纤维变性抑制组合物，(f)用纤维变性抑制组合物构建斯滕特固定模本身或斯滕特固定模的一部分，或(g)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于斯滕特固定模表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到斯滕特固定模表面上。对于这些装置，涂布过程可以以这样的方式进行，即(a)涂布斯滕特固定模的外表面，(b)涂布斯滕特固定模的内(腔)表面，或(c)涂布斯滕特固定模内表面和外表面两者的全部或部分。

除了用纤维变性抑制组合物涂布装置，可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以使纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。这可以包括斯滕特固定模结构本身，外部覆盖物或套(如果适用)，或者斯滕特固定模结构和外部覆盖物或套。

按照本发明，任何上述纤维变性抑制剂可以用于该实施方案的实施中。在本发明的一个实施方案中，气管和支气管斯滕特固定模可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

因为以各种各样的构型和尺寸制造气管和支气管斯滕特固定模，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于气管和支气管斯滕特固定模的几种纤维变性抑制剂包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D3)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于气管和支气管斯滕特固定模的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的气管和支气管斯滕特固定模装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与血管内装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10 mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

生殖-泌尿斯滕特固定模

本发明提供抗瘢痕形成剂和生殖-泌尿(GU)斯滕特固定模装置的组合。

可以受益于涂布有或其中结合纤维变性抑制剂的生殖-泌尿(GU)斯滕特固定模的代表性实例包括输尿管和尿道斯滕特固定模，输卵管斯滕特固定模，前列腺斯滕特固定模，包括金属和聚合物GU斯滕特固定模和具有外部覆盖物(例如，聚氨酯，聚对苯二甲酸乙二酯，PTFE或硅氧橡胶)的GU斯滕特固定模。

一方面，生殖-泌尿斯滕特固定模包括输尿管和尿道斯滕特固定模。输尿管斯滕特固定模是在沿侧具有孔的和在任何一端具有防止移动的线圈的中空管。输尿管斯滕特固定模用于减轻阻塞(由结石或恶性肿瘤导致)，促进结石通过，或者允许在外科手术或创伤后的输尿管吻合或渗漏的愈合。将它们用内镜经膀胱安置，或经皮经肾脏安置。

将尿道斯滕特固定模用于治疗复发性尿道狭窄，逼尿肌-外括约肌协同失调和由于良性前列腺肥大导致的膀胱出口阻塞。另外，对于前列腺进行的操作，如外部辐射或近距放射疗法，由于这些操作导致的组织损害可导致纤维变性。用外部束辐射的前列腺癌患者的尿道狭窄的发生率约为2％。尿道狭窄的发展也可能在其它病症中发生，如在尿道导管插入术或外科手术后，其导致对尿道上皮的损伤。尿道阻塞的临床表现包括尿流降低的力量和口径，间歇现象，postvoid滴落，踌躇和夜尿。尿道的完全闭合可导致许多问题，包括最后肾衰竭。为了保持尿道开放，可以使用尿道斯滕特固定模。斯滕特固定模典型地是自膨胀型并且由金属高温合金，钛，不锈钢或聚氨酯构成。

例如，输尿管/尿道斯滕特固定模可以由柔性聚合物材料的主导管体构成，所述主导管体具有扩大的入口端，该入口端具有在与体液接触时溶解的亲水性尖端。参见，例如，美国专利号5,401,257。输尿管/尿道斯滕特固定模可以由多个部分组成，包括膀胱终止处的闭合部分，该闭合部分不含有任何流体通道，因此它用作抗-回流装置以防止尿回流到肾脏中。参见，例如，美国专利号5,647,843。输尿管/尿道斯滕特固定模可以由中央导液管构成，所述导液管由形状记忆材料制成，形成具有保持线圈的斯滕特固定模以锚定于输尿管。参见，例如，美国专利号5,681,274。输尿管/尿道斯滕特固定模可以由伸长的柔性管状斯滕特固定模和伸长的管状刚性延伸部分构成，所述伸长的柔性管状斯滕特固定模在两端具有预成型的固定卷曲，所述伸长的管状刚性延伸部分与远端连接，这允许作为具体化的输尿管导管的组合功能。参见，例如，美国专利号5,221,253和5,116,309。输尿管/尿道斯滕特固定模可以由伸长的构件、近端保持结构、和将它们连接在一起的弹性部分组成，由此它们全部彼此流体连同，可滑动部分提供收缩的和扩大的部位。参见，例如，美国专利号6,685,744。输尿管/尿道斯滕特固定模可以是中空圆筒形管，其具有柔性连接装置以及扩展和选择性收缩的定位装置。参见，例如，美国专利号5,322,501。输尿管/尿道斯滕特固定模可以由刚性的聚合物体和较软的膀胱线圈部分构成，该聚合物体为推进到输尿管提供极好的柱状和轴向力量，所述较软的膀胱线圈部分用于减小刺激风险。参见，例如，美国专利号5,141,502。输尿管/尿道斯滕特固定模可以由伸长的管状部分和多个构件组成，所述管状部分在近端区域具有柔性壁，所述构件防止在压缩后流体引流的阻塞。参见，例如，美国专利号6,676,623。输尿管/尿道斯滕特固定模可以是由作为装配一部分的导管组成的导液管，其允许通过提供密封构件来非污染性地插入尿管，所述密封构件在拆卸期间围绕导液管周围。参见，例如，美国专利申请公开号2003/0060807A1。

另一方面，生殖-泌尿斯滕特固定模包括前列腺斯滕特固定模。例如，前列腺斯滕特固定模可以由两个聚合物环组成，所述聚合物环由管道构造，具有多个连接臂构件，以平行方式连接环。参见，例如，美国专利号5,269,802。前列腺斯滕特固定模可以由热塑性材料和圆周增强螺旋弹簧构成，所述螺旋弹簧提供刚性机械支持，同时是柔性的而适应前列腺尿道的天然解剖学弯曲。参见，例如，美国专利号5,069,169。

另一方面，生殖-泌尿斯滕特固定模包括法洛皮欧斯滕特固定模(输卵管斯滕特固定模(fallopian stents))和其它女性生殖-泌尿装置。例如，生殖-泌尿装置可以是女性尿失禁装置，由弹性的和柔性的可插入阴道的支持部分构成，其能够通过对着尿道口周围的阴道壁扩展和伸展而自支持。参见，例如，美国专利号3,661,155。生殖-泌尿装置可以是排尿装置，其由原卵球状凹壁和连接的管状构件组成，所述原卵球状凹壁具有对参与与壁的周边整合的身体的开口，所述管状构件具有折叠体。参见，例如，美国专利号6,041,448。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的生殖-泌尿斯滕特固定模包括可商购的产品，如来自American Medical Systems，Inc.(Minnetonka，MN)的UROLUME Endoprosthesis Stents，来自InjecTx，Inc.(San Jose，CA)的RELIEVE Prostatic/Urethral Endoscopic Device，来自Boston ScientificCorporation的PERCUFLEX输尿管斯滕特固定模，和来自Cook Group Inc(Bloomington，IN)的TARKINGTON尿道斯滕特固定模和FIRLIT-KLUGE尿道斯滕特固定模。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或包括抗瘢痕形成剂的组合物的GU斯滕特固定模。以上已经描述了用于GU斯滕特固定模的许多聚合物和非聚合物传递系统。将涂层纤维变性抑制剂和纤维变性抑制组合物结合到GU斯滕特固定模之上或之中的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于斯滕特固定模(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到斯滕特固定模中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布斯滕特固定模，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到斯滕特固定模结构中，(e)通过将斯滕特固定模插入套或网眼，所述套或网眼含有或涂布有纤维变性抑制组合物，(f)用纤维变性抑制组合物构建斯滕特固定模本身或斯滕特固定模的一部分，或(g)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于斯滕特固定模表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到斯滕特固定模表面上。对于这些斯滕特固定模，涂布过程可以以这样的方式进行，即(a)涂布斯滕特固定模的外表面，(b)涂布斯滕特固定模的内(腔)表面，或(c)涂布斯滕特固定模内表面和外表面两者的全部或部分。

除了用纤维变性抑制组合物涂布装置，可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以使纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。

按照本发明，任何上述纤维变性抑制剂可以用于该实施方案的实施中。在本发明的一个实施方案中，GU斯滕特固定模可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

由于以各种各样的构型和尺寸制造GU斯滕特固定模，施用的精确剂量随着GU斯滕特固定模尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于GU斯滕特固定模的药剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于GU斯滕特固定模的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的GU斯滕特固定模装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-3-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3 M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与生殖-泌尿斯滕特固定模装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M ABT-578被保持在装置表面上。

耳和鼻斯滕特固定模

本发明提供抗瘢痕形成剂和耳-鼻-喉(ENT)斯滕特固定模装置(例如，泪管斯滕特固定模，咽鼓管斯滕特固定模，鼻斯滕特固定模，或窦斯滕特固定模)。

窦是包含在颅骨的骨中的四对中空区域，其以它们定位的骨(筛骨，上颌骨，额骨和蝶骨)命名。所有的都衬有与骨直接连接的呼吸道粘膜。在炎性损害如上呼吸道感染或过敏性鼻炎以后，可发展窦的化脓形式。有时由于改变的纤毛功能或将窦引流的开口(骨性)的阻塞，分泌物可保留在窦内。不完全的引流使得窦易于典型地被下列感染：流感嗜血杆菌，肺炎链球菌，卡他莫拉菌，韦荣球菌属，消化球菌属，粉刺棒状杆菌和某些真菌物种。

当最初治疗如抗生素、鼻内甾族化合物喷雾剂和减充血剂无效时，可能需要进行受感染窦的外科引流。外科手术治疗经常涉及骨的清创术以去除解剖学的阻塞和去除部分粘膜。经常地将斯滕特固定模(物理保持骨腔开放的圆筒形管)留在骨内以确保即使在手术后的膨胀下也能保持引流。ENT斯滕特固定模典型地由不锈钢或塑料制成，在被取出前保持在适当的位置数天或数周。

可以受益于涂布有或其中结合纤维变性抑制剂的ENT斯滕特固定模的代表性实例包括泪管斯滕特固定模，咽鼓管斯滕特固定模，鼻斯滕特固定模，和窦斯滕特固定模，。

一方面，本发明提供泪管斯滕特固定模和纤维变性抑制剂或含有纤维变性抑制剂的组合物的组合。

另一方面，本发明提供咽鼓管斯滕特固定模和纤维变性抑制剂或含有纤维变性抑制剂的组合物的组合。

在还有的另一方面，本发明提供窦斯滕特固定模和纤维变性抑制剂或含有纤维变性抑制剂的组合物的组合。

在还有的另一方面，本发明提供鼻斯滕特固定模和纤维变性抑制剂或含有纤维变性抑制剂的组合物的组合。

ENT斯滕特固定模可以是鼻后孔闭锁斯滕特固定模，由通过柔性横向管桥连的两条长中空管组成。参见，例如，美国专利号6,606,995。ENT斯滕特固定模可以是用于手术后鼻填充的可膨胀的鼻斯滕特固定模，由高度多孔的、柔性的和吸收性的泡沫材料组成，能够向外扩张，具有非粘连的表面。参见，例如，美国专利号5,336,163。ENT斯滕特固定模可以是鼻斯滕特固定模，由具有呼吸通道的可变形的圆筒组成，所述呼吸通道具有用于在外科手术后填充鼻腔的平滑的外部非吸收表面。参见，例如，美国专利号5,601,594。ENT斯滕特固定模可以是通风管，由柔性塑料管状通气口组成，该管状通气口具有长方形的柔性法兰，其用于内镜窦造口术后的鼻窦。参见，例如，美国专利号5,246,455。ENT斯滕特固定模可以是通风耳管，由轴和伸长的蝶片组成，所述蝶片用于平衡中耳和外耳之间的压力。参见，例如，美国专利号6,042,574。ENT斯滕特固定模可以是中耳通气管，由非-可压缩的、管状基底和偏心法兰组成。参见，例如，美国专利号5,047,053。

可以与本发明的一种或多种药剂结合的ENT斯滕特固定模包括可商购的产品，如来自Medtronic Xomed Surgical Products，Inc.(Jacksonville，FL)的Genzyme Corporation(Ridgefield，NJ)SEPRAGEL窦斯滕特固定模和MEROGEL鼻修饰和窦斯滕特固定模。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或包括抗瘢痕形成剂的组合物的ENT斯滕特固定模。以上已经描述了用于ENT斯滕特固定模的许多聚合物和非聚合物传递系统。将纤维变性抑制组合物结合到ENT斯滕特固定模之上或之中的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于斯滕特固定模(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到斯滕特固定模中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布斯滕特固定模，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到斯滕特固定模结构中，(e)通过将斯滕特固定模插入套或网眼，所述套或网眼含有或涂布有纤维变性抑制组合物，(f)用纤维变性抑制组合物构建斯滕特固定模本身或斯滕特固定模的一部分，或(g)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于斯滕特固定模表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到斯滕特固定模表面上。对于这些装置，涂布过程可以以这样的方式进行，即(a)涂布斯滕特固定模的外表面，(b)涂布斯滕特固定模的内(腔)表面，或(c)涂布斯滕特固定模内表面和外表面两者的全部或部分。

除了用纤维变性抑制组合物涂布装置，可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以使纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。

按照本发明，任何上述纤维变性抑制剂可以用于该实施方案的实施中。在本发明的一个实施方案中，ENT斯滕特固定模可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

因为以各种各样的构型和尺寸制造ENT斯滕特固定模，施用的精确剂量随着ENT斯滕特固定模尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于ENT斯滕特固定模的纤维变性抑制剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于ENT斯滕特固定模的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的ENT斯滕特固定模装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴ M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20 mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10 mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

耳通气管

另一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和耳通气管(也称为鼓膜造孔术管)的组合。

急性中耳炎是最常见的细菌感染，外科手术治疗的最经常的指征，听力损失的主要原因和儿童语言发展受损的常见原因。在5岁以下儿童中治疗该病症的成本预计仅美国是每年50亿美元。事实上，所有儿童中有85％具有至少一个中耳炎事件，每年600,000需要外科手术治疗。中耳炎的流行在增加，对于严重病例，外科手术治疗比保守控制更节省成本。

急性中耳炎(中耳的细菌感染)其特征在于咽鼓管功能障碍，导致中耳清洗机制的失效。中耳炎最常见的原因是肺炎链球菌(30％)，流感嗜血杆菌(20％)，卡他布兰汉球菌(12％)，化脓链球菌(3％)，和金黄色葡萄球菌(1.5％)。最终结果是细菌、白细胞和流体的累积，其在缺少排泄通过咽鼓管的能力下，导致中耳压力增大。对于许多病例，抗生素治疗是足够的治疗并且病症消除。然而，对于相当多的患者，该病症经常复发而不完全消除。在复发性中耳炎或具有渗漏的慢性中耳炎中，流体和细菌连续积累，产生跨鼓膜的压力梯度，导致疼痛和听力受损。鼓膜的开窗术(典型地安置鼓膜造孔术管)减轻压力梯度并促进中耳的引流(通过外耳而不是通过咽鼓管-“咽鼓管旁路”的一种形式)。

复发性中耳炎或具有渗漏的中耳炎可以用鼓膜造孔术管或人工咽鼓管/斯滕特固定模治疗，如上所述。这些通气管的适应证有具有渗漏的慢性中耳炎，复发性急性中耳炎，鼓膜肺膨胀不全，和儿童中的急性中耳炎并发症。这些装置周围肉芽组织的过度形成可导致这些装置功能降低。这然后可导致第二个程序，清除阻塞或插入新装置。将纤维变性抑制剂结合到通气管之中或之上可以防止肉芽组织的过度生长。

外科手术安置鼓膜造孔术管是对慢性中耳炎的最广泛使用的治疗，尽管不是治愈性的，它改善愈合(其又改善语言发展)并降低急性中耳炎的发生率。鼓膜造孔术管安置是美国每年130万例外科安置中最常见外科手术程序之一。

可以受益于涂布有或其中结合纤维变性抑制剂的耳通气管的代表性实例包括但不限于索眼-形状的管，T-管，鼓膜造孔术管，引流管，鼓膜管，耳科管，鼓膜切开术管，人工咽鼓管，咽鼓管假体，和咽鼓管斯滕特固定模。耳通气管已经用以下各项制造：例如，聚四氟乙烯(例如，TEFLON)，硅氧烷，尼龙，聚乙烯和其它聚合物，不锈钢，钛，和镀金钢。

一方面，耳通气管可以是鼓膜造孔术管，其用于为中耳腔经外耳道通气提供备选管道。典型地，中耳通气可以通过进行鼓膜切开术来进行，其中通过外科手术制造鼓膜中的缝隙或开口以减小中耳腔中的压力和将积累的流体排出。可以将鼓膜造孔术管插入鼓膜的外科手术缝隙以用作正常咽鼓管的旁路，所述咽鼓管在正常条件下引流中耳腔。例如，鼓膜造孔术管可以是由纯钛或钛合金构成的伸长的均匀的管状构件，其具有从形成法兰的一端向内隔开的凹度。参见，例如，美国专利号5,645,584。鼓膜造孔术管可以由用于将中耳通气的微凹钛外部无凸缘的表面组成。参见，例如，美国专利号4,971,076。鼓膜造孔术管可以包括轴，一个蝶片从该轴的底部垂直向外延伸。参见，例如，美国专利号6,042,574。鼓膜造孔术管可以是永久的耳通气装置，其由伸长的管状基底构成，该基底离心连接有由非-可压缩的材料制成的法兰参见，例如，美国专利号5,047,053。鼓膜造孔术管可以由盖-塞、中央体和管端盖板组成，它们一起在管内形成多个腔。参见，例如，美国专利号5,851,199。鼓膜造孔术管可以由多微孔的树脂构成，该树脂弯曲形成气体-可透过的基质，含有银颗粒的均相分散体，所述银颗粒能够转移到管侧壁的表面上以提供抗微生物活性。参见，例如，美国专利号6,361,526。鼓膜造孔术管可以由管状体和肋结构组成，所述肋结构向外突出限定了围绕管状体螺旋的管道。参见，例如，美国专利号5,775,336。鼓膜造孔术管可以由整合的切割柄脚组成，所述柄脚从锁眼的两个法兰之一中延伸以切割鼓膜。参见，例如，美国专利号5,827,295和5,643,280。鼓膜造孔术管可以由管状构件组成，所述管状构件具有两个相对的法兰，其中通过法兰上的刃口促进管的插入，其导致鼓膜的切割。参见，例如，美国专利号5,489,286；5,466,239；5,254,120和5,207,685。其它鼓膜造孔术管在例如，美国专利号6,406,453；5,178,623；4,808,171和4,744,792中描述。

另一方面，耳通气管可以用于建立咽鼓管的正常功能，因此尝试解决抑制其正常功能的狭窄。中耳腔中的流体通常从鼓膜分泌，因此，恢复咽鼓管的正常功能可以提供最佳的通气和引流。例如，通气管可以是由中空管状体组成的咽鼓管斯滕特固定模，其中所述中空管状体具有可压缩的核心和两个连接的平行臂和辐射方向的法兰，将该通气管放置在咽鼓管中以保持开放。参见，例如，美国专利号6,589,286。通气管可以是由柔性管构成的咽鼓管假体，其具有辐射状延伸以定位于咽鼓管通道内的法兰。参见，例如，美国专利号4,015,607。

可以与本发明的一种或多种药剂结合的鼓膜造孔术管包括可商购的产品。例如，Medtronic Xomed，Inc.(Jackonsville，FL)销售各种各样的耳通气管，包括长期通气管和索眼式样的通气管，包括ARMSTRONG索眼，GOODE T-索眼，VENTURI式样的通气管，SHEEHY类型的轴环钮，REUTER筒管，COHENT-索眼，和SOILEAU TYTAN钛管。Micromedics，Inc.(Eagan，MN)也出售各种各样的耳通气管，包括BAXTER Bevel Buttons，TINY TOUMA，SPOONER，TOUMA T-管，SHOEHORN筒管，SHAH，和SILVERSTEIN MICROWICK咽鼓管。Gyrus ENT LLC(Bartlett，TN)也出售各种各样的耳通气管，包括ULTRASIL通气管，RICHARDS COLLAR筒管，BALDWIN BUTTERFLY通气管和PAPARELLA 2000管。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或包括抗瘢痕形成剂的组合物的耳通气管装置。以上已经描述了用于耳通气管装置的许多聚合物和非聚合物传递系统。这些组合物可以另外包括一种或多种纤维变性抑制剂以便抑制或减少肉芽组织的过度生长。

以上已经描述了用于耳通气管的许多聚合物和非聚合物传递系统。将涂层纤维变性抑制剂和纤维变性抑制组合物结合到装置之上或之中的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于装置(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)用纤维变性抑制组合物构建装置本身或装置的一部分，或(f)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上。涂层可以涂布在装置的不同部分。例如，涂层可以是(a)涂布在耳通气管外表面的涂层，(b)涂布在耳通气管内(腔)表面的涂层；或(c)涂布两个表面的全部或部分的涂层。

除了用纤维变性抑制组合物涂布装置，可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以使纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。

除了将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上以外，可以将任何生物活性剂结合到装置之中或之上，例如抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)和/或抗生素(例如，阿莫西林，甲氧苄啶-磺胺甲噁唑，阿奇霉素，克拉霉素，克拉维酸-阿莫西林，头孢丙烯，头孢呋辛，头孢泊肟，或头孢地尼)。

按照本发明，任何上述纤维变性抑制剂可以用于该实施方案的实施中。在本发明的一个实施方案中，耳通气管可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

因为以各种各样的构型和尺寸制造耳通气管，施用的精确剂量随着耳通气管尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于耳通气管的药剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NF κ B抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于耳通气管装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的耳通气管装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与耳通气装置一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

眼内植入物

另一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和眼内植入物的组合。

在另一实施方案中，眼内植入物是用于防止晶状体(例如，前部或后部晶状体)浑浊化的眼内透镜装置。可以用眼内透镜治疗的视力缺陷包括但不限于白内障，近视，远视，散光和其它眼病。眼内透镜最通常用于替换在白内障外科手术中摘除的天然晶状体。白内障是由于眼睛内正常晶状体的透明度变化所导致。当晶状体由于钙化变得不透明时(例如，黄色和/或浑浊)，光线不能适当地进入眼睛，视力受损。

将眼内透镜植入眼睛是恢复患病或受损眼睛的有效视力的标准技术。在美国植入的眼内透镜的数目在过去十年中已经指数增长。当前，每年多于1百万眼内透镜被植入，绝大部分(90％)被安置在眼睛的后房中。眼内透镜的意图是替换天然晶状体(即，无晶状体眼)或弥补和矫正屈光不正(即，晶状体眼，天然晶状体没有被摘除)。

植入的眼内透镜可能发展由机械创伤、炎症、感染或视力问题导致的并发症。机械和炎性损伤可导致视力下降，慢性疼痛，继发性白内障，角膜代偿失调，囊样黄斑水肿，眼前房出血，葡萄膜炎或青光眼。内障摘出术中发生的一个常见问题是浑浊化，该浑浊化是由于组织对外科手术操作或人工晶状体的反应所导致的。浑浊化导致眼内透镜的混浊，由此降低了长期益处。当上皮细胞的增殖和迁移沿着眼内透镜后面的后被膜发生时，典型地导致浑浊化。可能要求随后的外科手术来矫正该反应；然而，它涉及复杂的技术过程并且导致另外的严重的威胁视力的并发症。因此，用纤维变性抑制剂涂布或结合眼内透镜可以减少这些并发症。

可以受益于涂布有或其中结合纤维变性抑制剂的眼内透镜的代表性实例包括但不限于聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)眼内透镜，硅氧烷眼内透镜，消色差透镜，假晶状体，晶状体透镜，无晶状体透镜，多焦点眼内透镜，亲水性和疏水性丙烯酸眼内透镜，眼内植入物，光学透镜和刚性气体可透过的(RGP)透镜。

一方面，眼内透镜可以是可折叠的或刚性的。可以使用微管将可折叠的透镜插入小的切割位点，而将硬透镜通过大的切割位点插入。可折叠的透镜可以由硅氧烷、丙烯酸或水凝胶构成，而刚性透镜可以由硬的聚合物组合物(PMMA)构成。

一方面，眼内透镜可以用作治疗白内障的植入物，其中眼睛的天然晶状体已经被摘除(即，无晶状体透镜)。例如，眼内透镜可以由两个透镜组成，所述两个透镜具有不同的折射率和不同的屈光力，被连接在一起作为消色差透镜，其可以连接到眼睛的后房或前房中。参见，例如，美国专利号5,201,762。眼内透镜可以通过支柱系统被固定于后房中，所述支柱伸出通过虹膜，该虹膜与扣环连接。参见，例如，美国专利号4,053,953。眼内透镜可以是硬的，具有形状记忆，能够变形以插入眼睛但是在正常体温下变硬。参见，例如，美国专利号4,946,470。眼内透镜可以涂布蛋白质、多肽、聚氨基酸、聚胺类或与植入物表面结合的碳水化合物。参见，例如，美国专利号6,454,802和6,106,554。无晶状体眼内透镜的其它实例在例如，美国专利号6,599,317；6,585,768；6,558,419；6,533,813；6,210,438；5,266,074；4,753,654；4,718,904和4,704,123中描述。

另一方面，眼内透镜可以用作用于视力损害的矫正植入物，其中眼睛的天然晶状体没有被摘除(即，晶状体透镜)。例如，眼内透镜可以是狭窄轮廓的、减眩的晶状体前房透镜，其可以由视区和具有曲率形状以最小化直接眩光的过渡区。参见，例如，美国专利号6,596,025。眼内透镜可以是插入后房晶状体的自定心的晶状体透镜，其中臂(即，触觉体)向外延伸并突入瞳孔，以使虹膜提供定心力以保持透镜在适当位置。参见，例如，美国专利号6,015,435。眼内透镜可以由圆周边缘和两个从边缘伸展到横断构件的触觉体组成，所述横断构件基本上是直的或者弯入透镜。参见，例如，美国专利号6,241,777。其它晶状体眼内透镜的其它实例在例如，美国专利号6,228,115；5,480,428和5,222,981中描述。

另一方面，眼内透镜可以是多焦点透镜，其能够可变调节以使使用者能够看穿透镜的不同部分而获得不同水平的聚焦力。例如，眼内透镜可以是由两个透镜部分组成的可变焦透镜，在透镜之间具有光学区，其可以含有流体贮器和通道，含有填充液。参见，例如，美国专利号5,443,506。

另一方面，眼内透镜可以是可变形的，因此透镜可以折叠以通过隧道切口插入。例如，眼内透镜可以由具有将透镜保持在眼睛内的固定构件的透镜组成，其可以构造用于从正常光学条件折叠或卷成插入条件以允许透镜通过切口进入眼睛。参见，例如，美国专利号5,476,513。眼内透镜可以由弹性的、可变性的硅氧烷基光学部件组成，所述光学部件偶联有固定装置以将光学部件保持在眼睛中。参见，例如，美国专利号5,201,763。眼内透镜可以由三种组分的共聚物组成，其可以从其原始形状变形。参见，例如，美国专利号5,359,021。眼内透镜可以由透明的、柔性构件与内囊和附带的囊组成，其中光学流体介质从光学元件中分流到囊中以帮助它在插入期间的变形。参见，例如，美国专利号6,048,364。眼内透镜可以是由光学部分和触觉部分组成的生物复合物，所述光学部分由能够被折叠的高含水量的水凝胶制成，所述触觉部分是低含水量的具有强度和刚性的水凝胶。参见，例如，美国专利号5,211,662。其它可变形的眼内透镜在例如，美国专利号6,267,784；5,507,806和美国专利申请公开号2003/0114928A1中描述。

可以与眼内透镜结合使用的其它相关装置和/或组合物(例如，插入装置)在例如，美国专利号6,629,979；6,187,042；6,113,633；4,740,282和美国专利申请公开号2003/0212409A1和2003/0187455A1中描述。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的眼内透镜包括可商购的产品。例如，Alcon Laboratories，Inc.(Fort Worth，TX)销售可折叠的ACRYSOF眼内透镜。Bausch & Lomb Surgical，Inc.(San Dimas，CA)销售可折叠的SOFLEX SE眼内透镜。Advanced Medical Optics，Inc(Santa Ana，CA)出售CLARIFLEX可折叠眼内透镜，SENSAR丙烯酸眼内透镜，和PHACOFLEXII SI40NB和SI30NB。

眼内植入物可以直接包含纤维变性抑制剂或包括纤维变性抑制剂的组合物。备选地，或另外，透镜表面(例如，向触觉体)可以涂布、吸收、或其上结合药剂，或者药剂可以从透镜表面光学部分外部的空穴(孔)或腔释放。

本发明的眼内植入物可以用于各种外科手术操作。例如，眼内植入物可以与用于角膜的移植物结合使用。合成的角膜可以用于由于变性角膜导致视力损失的患者。植入的合成角膜可以恢复患者视力，然而，它们经常诱导纤维性异物反应而限制了它们的应用。本发明的眼内植入物可以防止对合成角膜的异物反应并延长了角膜寿命。在另一实施例中，合成角膜本身涂布有本发明的药剂，因此将对角膜植入的组织反应最小化。

另一方面，眼内透镜可以与囊外白内障摘除后的继发性白内障的治疗结合。

如上所述，本发明提供眼内透镜和其它植入物，其包括抗瘢痕形成剂或包括抗瘢痕形成剂的组合物。

一方面，抗瘢痕形成剂不是紫杉醇或其衍生物。

以上已经描述了许多用于眼内植入物的聚合物和非聚合物传递系统。

将纤维变性抑制组合物涂布到植入物之上或之中的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于植入物(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到植入物中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布植入物，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)用纤维变性抑制组合物构建植入物本身或透镜的一部分，或(e)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于透镜表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到植入物表面上。对于这些装置，涂布方法可以以这种方式进行，即(a)涂布特定植入物的后表面，(b)涂布植入物的前表面或(c)涂布装置后表面和前表面两者的全部或部分。植入物的突出臂也可以涂布有纤维变性抑制剂。

除了用纤维变性抑制组合物涂布装置，可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以使纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。

用纤维变性抑制剂涂布这些植入物或将纤维变性抑制剂结合到植入物中的方法和对这些方法选择的材料是这样的，即使得它们不显著改变眼内植入物的折射率或植入物或透镜的可见光透过。

按照本发明，任何上述纤维变性抑制剂可以用于该实施方案的实施中。在本发明的一个实施方案中，眼内植入物可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

因为以各种各样的构型和尺寸制造眼内植入物，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于眼内植入物的药剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于眼内植入物的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的眼内植入物植入物结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为10.0μg至200mg)；优选10μg至100mg。每单位装置的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为10.0μg至200mg)；优选10μg至100mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为10.0μg至200mg)；优选10μg至100mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为10.0μg至200 mg)；优选10μg至100mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3MSB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩

另一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和用于治疗肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的装置的组合。

肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩是过度纤维增殖性伤口愈合反应的结果。简而言之，伤口愈合和疤痕形成以三个阶段发生：炎症，增殖，和成熟。第一阶段，炎症，是响应于损伤而发生，所述损伤足够严重而破坏皮肤。在持续3-4天的这个阶段，血液和组织流体形成粘连凝结物和纤维蛋白网络，其用于将伤口表面结合在一起。这然后接着增殖阶段，其中毛细管和结缔组织从伤口边缘向内生长，皮肤缺陷闭合。最后，一旦毛细管和成纤维细胞的增殖停止，成熟过程开始，其中疤痕收缩和变得细胞更少，血管更少和显得既平又白。这最后的阶段可持续6-12个月。如果生产了过多的结缔组织，伤口持久保持细胞状的，瘢痕可变得既红又凸。如果瘢痕保持在原有伤口的边界内，它称为肥大性瘢痕，但是如果它延伸超出原有瘢痕并进入周围组织，该损伤称为瘢痕疙瘩。肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩在瘢痕形成的第二和第三阶段生成。几种伤口特别易于过度的内皮和成纤维细胞增殖，包括烧伤，开放性创伤，和感染性创伤。伴随肥大性瘢痕，某种程度的成熟发生并且发生逐渐的改善。然而，在瘢痕疙瘩的情形中，产生急性肿瘤，其可以变得相当大。在这些病例中很少发生自发性改善。

已经描述了各种各样的用于治疗肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的装置。例如，装置可以是外部组织扩张装置，由两个缝合钢板和粘合剂连接的泡沫垫组成，所述泡沫垫施加恒定的连续低级力至皮肤和组织上以提供肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的去除。参见，例如，美国专利号6,254,624。装置可以是掩蔽元件，所述元件通过压力控制单元用可调节力压到瘢痕组织上并且与掩蔽元件中的可膨胀或抽吸构件连接。参见，例如，美国专利号6,013,094。治疗可以是具有锁定元件和抓握结构的装置，以使皮肤伤口的真皮和上皮层可以被按在一起，使得组织边缘毗连，因此伤口可以闭合而瘢痕形成最少。参见，例如，美国专利号5,591,206。

另一方面，可以通过使用装置结合涂层或薄片治疗肥大性瘢痕或瘢痕疙瘩，所述涂层或薄片可以用于传递仅仅抗瘢痕形成剂，或上述抗瘢痕形成组合物。例如，涂层或薄片可以是由亲水性聚合物如聚乙二醇组成的共聚物，所述亲水性共聚物与容易吸附到身体组织表面的聚合物如苯基硼酸结合。参见，例如，美国专利号6,596,267。涂层或薄片可以是浸渍抗氧化剂和/或抗微生物剂的自粘的硅氧烷薄片。参见，例如，美国专利号6,572,878。涂层或薄片可以是由外层柔软层和自粘的内层凝胶衬里组成的创伤敷料外衣，其用作接触伤口的敷料。参见，例如，美国专利号6,548,728。涂层或薄片可以是由成膜载体如火棉胶组成的液体组合物，所述成膜载体含有一种或多种活性成分，如局部甾类化合物，硅氧烷凝胶和维生素E。参见，例如，美国专利号6,337,076。涂层或薄片可以是具有瘢痕治疗垫的绷带，具有一层硅氧烷弹性体或硅氧烷凝胶。参见，例如，美国专利号6,284,941和5,891,076。

另一方面，医疗装置可以与可注射组合物结合使用以便防止这些损伤的进展，所述组合物可以直接注入肥大性瘢痕或瘢痕疙瘩。注射频率将取决于所用聚合物(如果存在)的释放动力学和临床反应。该治疗在已知导致发展肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的病症(例如，烧伤)的预防性治疗中特别有价值，并且优选在增殖阶段已经有时间进展后(在最初损伤约14天后)、但是在肥大性瘢痕或瘢痕疙瘩发展之前开始。例如，肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的注射剂治疗可以包括施用有效量的血管生成抑制剂(例如，fumagillol，沙立度胺)作为系统或局部治疗以减少过度的瘢痕形成。参见，例如，美国专利号6,638,949。注射剂治疗可以是含有冷冻剂的冷冻探子，由此将它定位于肥大性瘢痕或瘢痕疙瘩以冷冻组织。参见，例如，美国专利号6,503,246。注射剂治疗可以是将一定量的肉毒杆菌毒素局部施用于皮肤伤口之中或附近以使愈合得到增强的方法。参见，例如，美国专利号6,447,787。注射剂治疗可以是施用抗纤维变性量的氟喹诺酮以预防或治疗瘢痕组织形成的方法。参见，例如，美国专利号6,060,474。注射剂治疗可以是有效量的钙拮抗剂和蛋白合成抑制剂的组合物，其足以导致瘢痕位点的基质降解由此控制瘢痕形成。参见，例如，美国专利号5,902,609。可注射的治疗可以是药用载体中的非-生物可降解的微球体的组合物，所述微球体具有相当多的表面电荷。参见，例如，美国专利号5,861,149。注射剂治疗可以是内皮细胞生长因子和肝素的组合物，其可以局部或通过损伤内注射施用。参见，例如，美国专利号5,500,409。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的用于肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的治疗和装置包括可商购产品。代表性的产品包括，例如，来自Progressive Surgical Products(Westbury，NY)的用于伤口愈合的PROXIDERM外部组织扩张产品，来自Smith & Nephew Healthcare Ltd.(India)的CICA-CARE凝胶薄片敷料产品，和来自Molnlycke Health Care(Eddystone，PA)的MEPIFORM自粘硅氧烷敷料。

一方面，用于治疗肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的装置可以与局部或可注射组合物结合，所述组合物包括抗瘢痕形成剂和适合于应用于肥大性瘢痕或瘢痕疙瘩之上或之中的聚合物载体。将纤维变性抑制剂结合到局部制剂或注射剂制剂之中是一种治疗该病症的方法。局部制剂可以是溶液，混悬剂，乳剂，凝胶，软膏剂，乳膏剂，膜或网眼的形式。注射剂制剂可以是溶液，混悬液，乳剂或凝胶的形式。在上面描述了可以用于制备这些局部或可注射组合物的聚合物和非聚合物组分。

在另一实施方案中，可以将治疗剂结合到第二载体(如上所述，例如，胶束，脂质体，乳剂，微球体，纳米球粒等)。微球体和纳米球粒可以包括可降解的聚合物。可以使用的可降解聚合物包括聚(羟基酯)(例如，PLGA，PLA，PCL，等)，以及聚酐，聚原酸酯和多糖(例如，壳聚糖和藻酸盐)。

按照本发明，任何上述纤维变性抑制剂可以用于该实施方案的实施中。在本发明的一个实施方案中，用于治疗肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的装置可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

因为以各种各样的构型和尺寸制造用于治疗肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的装置，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于治疗肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的装置的药剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的用于治疗肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩的装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过250mg(范围为1.0μg至250mg)；优选1μg至100mg。每单位面积的剂量为0.01μg-500μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-100μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1μg至300mg)；优选0.1μg至75mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-300μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-75μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过250mg(范围为1.0μg至250mg)；优选1μg至100mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-500μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-100μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过250mg(范围为1.0μg至250mg)；优选1μg至100mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-500μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-100μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过250mg(范围为1.0μg至250mg)；优选1μg至100mg。每单位面积的剂量为0.1μg-500μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-100μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过250mg(范围为1.0μg至250mg)；优选1μg至100mg。每单位面积的剂量为0.1μg-500μg/mm²表面积；优选的剂量为0.25μg/mm²-100μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过250mg(范围为1.0μg至250mg)；优选1μg至100mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-500μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-100μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：  总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

血管移植物

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和血管移植物的组合。包括纤维变性抑制剂的血管移植物装置能够抑制或减少肉芽组织的过度生长，这可以改善这些装置的临床功效。

血管移植物可以是外部血管移植物或血管内(即，腔内)移植物。血管移植物可以不受限制地是外周旁路应用或冠状动静脉旁路应用的形式。血管移植物可以用于替换或替代受损的或患病的静脉和动脉，包括，但不限于，动脉瘤、内膜增生和血栓形成损伤的血管。血管移植物也可以用于提供对血管的通路，例如对于血液透析通路。例如，植入血管移植物以提供血液流过静脉和动脉中损伤或患病区域的备选管道，所述损伤或患病区域包括，但不限于，由于动脉瘤、内膜增生和血栓形成损伤的血管，然而，移植物可导致另外的并发症，包括但不限于感染，炎症，血栓形成和内膜增生。血管移植物缺少长期开发可能是由于，例如，外科手术损伤和异常血流动力学和缝合线处的材料错配。典型地，脉管另外的疾病(例如，再狭窄)沿着动脉床发生。

已经对血管移植物进行了一些形式的改进以尝试减少在吻合位点发生的再狭窄。改善包括：(a)使用Miller套，其是制造短套的一小片天然静脉，该套管通过将它缝合至动脉口和假体移植物来连接；(b)使用带法兰的移植物，由此移植物具有末端套筒或套，促进端-侧吻合；(c)使用具有扩大室的移植物，所述扩大室具有大直径用于在吻合位点缝合；和(d)使用分配药剂的移植物，所述药剂预防血栓形成和/或内膜增生。

血管移植物的代表性实例包括但不限于合成旁路移植物(例如，股-腘，股-股，腋-股等)，静脉移植物(例如，外周和冠状的)，和乳房内(例如，冠状的)移植物，分叉血管移植物，腔内移植物，血管内移植物和假体移植物。合成移植物可以由各种各样的聚合物材料和聚合物材料的组合制成，所述聚合物材料如，例如，聚四氟乙烯(例如，ePTFE)，聚酯如DACRON，聚氨酯。

腔内血管移植物可以用于治疗动脉瘤。例如，血管移植物可以由管状移植物与两个管状自膨胀斯滕特固定模组成，其可以通过微创操作植入用于治疗动脉瘤。参见，例如，美国专利号6,168,620。血管移植物可以由柔性管状体和倚靠管状体定位以支撑的可压缩框组成，其在表面上具有气孔以促进向内生长。参见，例如，美国专利号5,693,088。血管移植物可以是分叉的血管内移植物，其具有管状躯干和两个管状肢。参见，例如，美国专利号6,454,796。血管移植物可以是抗扭结的腔内分叉移植物，具有通过单个腔部分联系的两个分开的腔。参见，例如，美国专利号6,551,350。血管移植物可以是由ePTFE组成的腔内管，其具有通过边缘重叠形成的模缝线以使微结构原纤在垂直方向上定向。参见，例如，美国专利号5,718,973。

另一方面，血管移植物可以用作管道以旁路血管狭窄或其它血管异常。例如，血管移植物可以由多孔材料组成，所述多孔材料具有一层沿着内表面定位的多孔中空纤维，其在愈合过程中允许组织生长同时抑制出血。参见，例如，美国专利号5,024,671。血管移植物可以是柔性的、整体式、增强聚合物管，其具有多微孔ePTFE管状构件和从外壁向外伸出的外部ePTFE肋构件。参见，例如，美国专利号5,609,624。血管移植物可以由管壁组成，所述管壁具有纵向伸展的褶，该褶弯曲响应血压变化同时保持与减小的扭结高度一致。参见，例如，美国专利号5,653,745。血管移植物可以是辐射状支撑的ePTFE管，其被加强，在环形区域具有更大密度。参见，例如，美国专利号5,747,128。血管移植物可以是多孔PTFE管，由原纤互连的结的微结构组成，其在外壁上具有弹性体涂层。参见，例如，美国专利号5,152,782和4,955,899。血管移植物可以是编织在一起的多个聚合物纤维，由至少三种不同纤维组成，其中两种纤维是可吸收的并且一种是不可吸收的。参见，例如，美国专利号4,997,440；4,871,365和4,652,264。

另一方面，血管移植物可以被改进以减少吻合位点的血栓形成或内膜增生。例如，血管移植物可以具有扩大室，其具有与管壁的轴平行的第一直径和横截管轴的第二直径。参见，例如，美国专利号6,589,278。血管移植物可以具有带法兰的套筒或套部分，其促进动脉和带法兰的旁路移植物的末端之间的直接端-侧吻合。参见，例如，美国专利号6,273,912。血管移植物可以由管壁组成，其具有腔层内的非血栓形成剂以及形成血管移植物外部的形成血栓层。参见，例如，美国专利号6,440,166。血管移植物可以由ePTFE制成的平滑的腔表面组成，该表面具有小孔径以减少阻塞性血液组分的附着。参见，例如，美国专利号6,517,571。血管移植物可以由含有药物的中空管组成，所述药物成螺旋形包覆在多孔ePTFE移植物的外壁周围，由此通过移植物壁的孔间隙的浸出来分配药物。参见，例如，美国专利号6,355,063。

另一方面，血管移植物可以是用于旁路移植的采集harvested)的血管。例如，血管移植物可以由采集的来自宿主的动脉血管组成，如乳房内动脉或腹壁下动脉。参见，例如，美国专利号5,797,946。血管移植物也可以由隐静脉组成，该隐静脉可以收获自宿主和用于冠状动静脉旁路或外周旁路方法。参见，例如，美国专利号6,558,313。

血管移植物的其它实例在美国专利号3,096,560，3,805,301，3,945,052，4,140,126，4,323,525，4,355,426，4,475,972，4,530,113，4,550,447，4,562,596，4,601,718，4,647,416，4,878,908，5,024,671，5,104,399，5,116,360，5,151,105，5,197,977，5,282,824，5,405,379，5,609,624，5,693,088，和5,910,168中描述。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的血管移植物包括可商购的产品。Gore Medical Division(W.L.Gore & Associates，Inc.Newark，DE)出售GORE-TEX血管移植物和GORE-TEX INTERING血管移植物。C.R.Bard，Inc.(Murray Hill，NJ)出售DISTAFLO旁路移植物和IMPRACARBOFLO血管移植物。

一方面，抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物与血管移植物结合。

以上已经描述了用于血管移植物的许多聚合物和非聚合物传递系统。将纤维变性抑制剂和纤维变性抑制组合物结合到移植物之上或之中的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于移植物(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到移植物中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布移植物，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)用纤维变性抑制组合物构建移植物本身或移植物的一部分，或(e)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于移植物表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到移植物表面上。对于这些移植物，涂布过程可以以这样的方式进行，即：(a)涂布移植物外表面，(b)涂布移植物内(腔)表面，或(c)涂布移植物外表面和内表面两者的全部或部分，或(d)涂布移植物的至少一端。

可以将纤维变性抑制剂直接结合到涂层组合物中或者第二载体中(如上所述，例如，胶束，脂质体，乳剂，微球体，纳米球粒等)。微球体和纳米球粒可以包括可降解的聚合物。可以使用的可降解聚合物包括聚(羟基酯)(例如，PLGA，PLA，PCL，等)，以及聚酐，聚原酸酯和多糖(例如，壳聚糖和藻酸盐)。

在还有另一实施方案中，可以将包括纤维变性抑制剂的凝胶、糊剂、热胶凝(thermogel)或原位形成的凝胶以血管周的方式施用于吻合，所述吻合在移植物装置的植入过程中产生。以上已经描述了用于糊剂和凝胶制剂的许多聚合物和非聚合物传递系统。可以将纤维变性抑制剂直接结合到凝胶或糊剂组合物中，可以将治疗剂结合到第二载体中(如上所述，例如，胶束，脂质体，乳剂，微球体，纳米球粒等)。

另一方面，可以将纤维变性抑制剂结合到植入物(例如，膜或网眼材料)之中或之上，所述植入物可以与血管移植物一起使用以抑制吻合位点的瘢痕形成。例如，在外科手术时可以将膜或网眼材料以血管周(外膜周)的方式放置或包覆在吻合的外部。膜和网眼可以与各种各样的血管移植物一起使用，包括合成旁路移植物(股-腘，股-股，腋-股等)，静脉移植物(外周的和冠状动静脉的)，乳房内(冠状动静脉的)移植物或血液透析移植物(AV瘘，AV通路移植物)。膜和网眼的代表性实例在下面更详细地描述。

除了纤维变性抑制剂以外，与血管移植物装置一起使用的血管移植物装置组合物还可以含有抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)和/或抗血栓形成剂(例如，肝素，肝素复合物，疏水性肝素衍生物，双嘧达莫，或阿司匹林)。可以将药剂组合涂布到血管移植物的整体或部分上以便减少或抑制血栓形成性和/或纤维变性。在某些实施方案中，可以使用生物可降解聚合物将这些药剂涂布到血管移植物之上。例如，在移植物的孔中和/或表面上形成凝胶的聚合物材料可以使用，如海藻酸盐，壳聚糖和硫酸壳聚糖，透明质酸，糖酐酯，PLURONIC聚合物，链延长PLURONIC聚合物，各种构型的聚酯-聚醚嵌段共聚物(例如，MePEG-PLA，PLA-PEG-PLA，等)。

一方面，提供合成血管移植物，其除了抗-纤维生成剂以外还包含生物可降解凝胶形式的组合物。所述凝胶组合物可以具有抗-血栓形成性能或者包括具有抗-血栓形成性能的药剂，其可以或可以不从凝胶组合物中释放。凝胶涂布的移植物可以减少或预防通常与合成移植物的植入相关的早期血栓形成事件。

聚合物生物可降解的凝胶可以包含，例如，链延长PLURONIC聚合物。链延长聚合物可以包括PLURONIC聚合物(例如，F127，F87，等)，其可以与双官能分子如琥珀酰氯反应以提高聚合物的分子量并由此增加PLURONIC聚合物的粘度。链延长的聚合物可以溶解在溶剂中，然后涂布到合成的血管移植物之上。

凝胶组合物可以由小的和/或聚合物分子的组合形成，所述聚合物分子具有两个或多个亲电基团和两个或多个亲核基团。例如，制剂可以包括其中末端羟基用琥珀酰亚胺基部分活化的多臂PEG分子和具有末端氨基和/或巯基基团的多臂PEG分子的组合。多臂PEG试剂可以分别溶解在适当溶剂中(例如，水性缓冲液，IPA，二氯甲烷，或溶剂的组合)，然后顺序或同时喷雾到移植物的所需表面上，以使两种组分反应产生交联凝胶。溶剂然后可以通过风干或真空干燥去除。

另一方面，组合物可以由具有两个或多个琥珀酰亚胺基基团的聚合物和具有两个或多个氨基或巯基基团的小分子(例如，二赖氨酸)组成。备选地，聚合物组分可以包括两个或多个巯基基团或氨基，并且小分子含有两个或多个琥珀酰亚胺基基团。

在还有的另一实施方案中，凝胶涂层可以生产自各种构型的聚酯-聚醚嵌段共聚物(例如，X-Y，X-Y-X或Y-X-Y，R-(Y-X)_n，R-(X-Y)_n，其中X是聚环氧烷并且Y是聚酯(例如，聚酯可以包含一个或两个选自下列各项的单体的残基：丙交酯，乳酸，乙交酯，乙醇酸，e-已内酯，γ-己内酯，羟基戊酸，羟基丁酸，p-丁内酯，γ-丁内酯，γ-戊内酯，γ-癸内酯，δ-癸内酯，亚丙基碳酸酯，1，4-二噁烷-2-酮或1，5-dioxepan-2-酮)，R是多官能引发剂，及其掺合物和共聚物)，可以用于形成凝胶涂层。

在一个实施方案中，合成血管移植物由多孔的合成材料如膨胀型PTFE(ePTFE)形成。可以将包含如上所述的凝胶组合物的涂层涂布在整个移植物上或移植物表面的一部分之上(例如，移植物的内表面或移植物末端)。另外，移植物的孔可以部分或完全填充有涂层组合物。通过更换用于溶解聚合物的溶剂，可以改变涂层充满装置的孔的程度。例如，表面涂层可以通过使用亲水性溶剂如水来完成，所述亲水性溶剂不会润湿ePTFE移植物的疏水表面。可以将来自润湿ePTFE的溶剂如二氯甲烷的涂层用于将聚合物组合物涂布在移植物的内孔结构之上。

凝胶制剂可以具有由亲水性导致的抗-血栓形成性能。亲水性涂层可以随时间从移植物表面上物理去除，随时间可减少血小板与移植物表面的粘附。另外，可以将抗-血栓形成剂(例如，肝素，肝素片段，肝素的有机可溶性盐，磺化碳水化合物，华法林，华法林钠，香豆素，类肝素，达那肝素，阿加曲班壳聚糖硫酸酯或硫酸软骨素)包括在制剂中。在一个实施方案中，可以将抗-血栓形成剂结合到微球体中。可以加入与血管移植物一起使用的凝胶组合物的其它添加剂包括，缓冲液，重量克分子渗透浓度改进剂，粘度改进剂，和水化剂(例如，PEG，MePEG，和各种糖)。

按照本发明，上述任何瘢痕形成剂可以用于本实施方案的实施中。在本发明的一个实施方案中，血管移植物可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

因为以各种各样的构型和尺寸制造血管移植物，施用的精确剂量随着血管移植物尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于血管移植物的纤维变性抑制剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于血管移植物的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。移植物之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的血管移植物装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：装置之上的药物总量不超过25mg(范围为0.1μg至25 mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：装置之上的药物总量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：装置之上的药物总量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：装置之上的药物总量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NF κ B抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过200 mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50 mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与血管移植物装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10 mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与血管移植物装置一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

血液透析通路

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和血液透析通路的组合。包括纤维变性抑制剂的血液透析通路能够抑制或减少肉芽组织的过度生长，这可以改善这些装置的临床功效。

当血液需要去除、净化并然后返回身体时可以使用血液透析通路。血液透析调节身体的流体和化学平衡以及从血流中去除废物，由于疾病或损伤所述废物不能通过正常功能的肾脏清除。为了血液透析发生，可以通过血液透析通路或血管通路获得血液，其中进行小手术以提供通过AV瘘或AV通路移植物的通路。这些血液透析通路可能发展并发症，包括感染，炎症，血栓形成和相关血管的内膜增生。血液透析通路缺少长期开放可能是由于外科手术损伤，异常血流动力学和缝合线处的材料错配。典型地，沿着动脉床和/或在吻合位点发生另外的脉管疾病(例如，再狭窄)。

除了上述的AV瘘和AV通路移植物，可植入的皮下血液透析通路系统如可商购导管，端口，和分流装置，也可以用于血液透析患者。这些通路系统可以由小金属或聚合物装置或植入皮肤下面的装置组成。这些装置可以与柔性管连接，所述柔性管被插入脉管以允许血流接入。

血液透析通路的代表性实例包括但不限于AV通路移植物，静脉导管，血管移植物，可植入端口，和AV分路。合成的血液透析通路可以由金属或聚合物或这些材料的组合制备，所述聚合物如聚四氟乙烯(例如，ePTFE)，聚酯如DACRON，聚氨酯。

一方面，血液透析通路可以是AV通路移植物。例如，AV通路移植物可以由可植入的自膨胀型柔性经皮斯滕特固定模-移植物稀松组织构建体组成，其末端可压缩并且具有沿着其部分长度安排的弹性层。参见，例如，美国专利号5,755,775和5,591,226。AV通路移植物可以由管状部分组成，具有通常恒定的直径，向静脉端逐渐减小。参见，例如，美国专利号6,585,762。AV通路移植物可以由两个多微孔ePTFE管组成，所述两个多微孔ePTFE管彼此切向放置，两者之间插入有聚合物层使得移植物是自密封的并显示极好的径向张力强度和缝合孔拉伸抗性。参见，例如，美国专利号6,428,571。AV通路移植物可以由具有内和外管的同轴双腔管组成，在管之间具有自密封的、非生物可降解的、聚合物粘合剂。参见，例如，美国专利号4,619,641。AV通路移植物可以由具有高外部丝绒分布(profile)的合成织物组成，其是机织或针织以形成管状假体，具有弹性纤维以允许在刺穿状态后自动密封。参见，例如，美国专利号6,547,820。AV通路移植物可以是具有基底管的管状形式，外腔表面覆盖有可挠曲的材料，如多孔膜，将其安排相邻以允许运动。参见，例如，美国专利号5,910,168。

另一方面，血液透析通路可以是导管系统。例如，导管系统可以由吸引和返回线组成，其适合于布置在身体血管系统中并与皮下连接端口连接。参见，例如，美国专利号6,620,118和5,989,206。导管系统可以是用于通过产生AV瘘来使静脉动脉化的装置，其通过将导管插入静脉和将导管插入相邻动脉。参见，例如，美国专利号6,464,665。导管系统可以由中空鞘组成，提供将瘘产生的血管导管通过血管壁中的穿孔经皮引入血管壁，使得导管在相邻脉管之间产生血管内瘘立即响应(on-demand)。参见，例如，美国专利号6,099,542和5,830,224。

另一方面，血液透析通路可以用于AV瘘。例如，血液透析通路可以是AV瘘组件，由合成的卷曲斯滕特固定模移植物组成，使用具有间隙的螺旋形伸展的扭曲来增强AV瘘的功能。参见，例如，美国专利号6,585,760。

另一方面，血液透析通路可以是可植入通路端口，分流装置或阀。这些装置可以皮下植入，与血液供应连通并使用经皮穿刺接入。例如，血液透析通路可以由具有进入端口和出口端口的外壳(housing)组成，其具有弹性体的密封阀，为针提供进入出口端口的通路。参见，例如，美国专利号5,741,228。血液透析通路可以是分流装置，由可滑动阀和柔性盖组成，其在动脉和静脉末端之间具有流体连通管。参见，例如，美国专利号5,879,320。血液透析通路可以是具有连接器的接头的形式的分流装置，所述连接器具有插入天然血管的两条支脚和适合于不用穿孔而与另一血管密封的一条支脚。参见，例如，美国专利号6,019,788。血液透析通路可以是表面通路双止血阀，其可以安装在用于血液透析通路的AV移植物的壁上。参见，例如，美国专利号6,004,301和6,090,067。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的血液透析通路包括可商购的产品。例如，血液透析通路包括的产品如来自Biolink Corp.(Middleboro，MA)的LIFESITE(Vasca Inc.，Tewksbury，MA)和DIALOCK导管，来自C.R.Bard，Inc.(Murray Hill，NJ)的VECTRA血管通路移植物和VENAFLO血管移植物，和来自Gore Medical Division(W.L.Gore & Associates，Inc.Newark，DE)的Stretch血管移植物。

一方面，将抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物与血液透析通路结合。以上已经描述了许多用于血液透析通路的聚合物和非聚合物传递系统。将纤维变性抑制剂或含有纤维变性抑制剂的组合物结合到血液透析通路之上或之中的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于血液透析通路(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到血液透析通路中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布血液透析通路，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)用纤维变性抑制组合物构建血液透析通路本身或血液透析通路的一部分，或(e)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于血液透析通路表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到血液透析通路表面上。对于涂布的装置，涂布过程可以以这样的方式进行，即：(a)仅涂布装置外表面，(b)涂布装置内(腔)表面，或(c)涂布外表面和内表面两者的全部或部分。

另一方面，可以将纤维变性抑制剂或含有纤维变性抑制剂的组合物结合到植入物(例如，膜或网眼材料)之中，所述植入物可以与血液透析通路一起使用以抑制吻合或瘘管位点的瘢痕形成。在外科手术时可以将这些膜或网眼以血管周(外膜周)的方式放置或包覆在瘘管或吻合的外部。与血液透析通路一起使用的植入物(即，膜和网眼)的代表性实例在下面更详细地描述。

在还有的另一方面，例如凝胶、糊剂、热胶凝(thermogel)或原位形成的凝胶形式的组合物，其包括纤维变性抑制剂，可以以血管周的方式施用于瘘管或吻合，所述瘘管或吻合在血液透析通路的植入过程中产生。

可以将纤维变性抑制剂直接结合到凝胶或糊剂组合物中，或者可以将治疗剂结合到第二载体中(如上所述，例如，胶束，脂质体，乳剂，微球体，纳米球粒等)，然后结合到将要传递的组合物中。微球体和纳米球粒可以包括可降解的聚合物。可以使用的可降解聚合物包括聚(羟基酯)(例如，PLGA，PLA，PCL，等)，以及聚酐，聚原酸酯和多糖(例如，壳聚糖和藻酸盐)。

除了纤维变性抑制剂以外，血液透析通路和与血液透析通路一起使用的组合物还可以另外包含抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)和/或抗血栓形成剂(例如，肝素，肝素复合物，疏水性肝素衍生物，双嘧达莫，或阿司匹林)。

按照本发明，上述任何瘢痕形成剂可以用于本实施方案的实施中。在本发明的一个实施方案中，血液透析通路可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

与血液透析通路一起使用的纤维变性抑制剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

因为以各种各样的构型和尺寸制造血液透析通路，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

与将药物应用于装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的血液透析通路结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：装置之上的药物总量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。可达90天。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：装置之上的药物总量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。可达90天。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：装置之上的药物总量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。可达90天。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：装置之上的药物总量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。可达90天。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。可达90天。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。可达90天。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。可达90天。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。可达90天。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。可达90天。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。可达90天。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：装置之上的药物总量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。可达90天。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与血液透析通路一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与血液透析通路一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

膜和网眼

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和膜或网眼的组合。将纤维变性抑制剂结合到膜或网眼之中或之上可以将植入物附近的纤维变性(或瘢痕形成)最小化，并且可以减少或防止植入物和周围组织之间形成粘连。一方面，膜或网眼可以用作药物传递载体(例如，作为血管周传递装置，用于预防吻合位点处的新内膜增生)。

膜或网眼可以采取各种各样的形式，包括，但不限于，外科屏障，外科用的粘连屏障，膜(例如，屏障膜)，外科薄片，外科补片(例如，硬膜补片)，外科包覆物(例如，血管的、血管周的、外膜的、外膜周围的包覆物，和外膜薄片)，网眼(例如，血管周网眼)，绷带，液体绷带，外科敷料，纱布，织物，胶带，外科膜，聚合物基质，外壳，包覆物，组织覆盖物，和外科基质的其它类型，支架和涂层。

一方面，装置包含或者可以是膜的形式。膜可以形成多种几何形状之一。取决于应用，膜可以形成管的形状或者可以是薄的、弹性聚合物薄片。通常，膜厚度小于5，4，3，2，或1mm，更优选小于0.75mm，0.5mm，0.25mm，或，0.10mm。膜通常是柔软的，具有良好的拉伸强度(例如大于50、优选大于100且更优选大于150或200N/cm²)、良好的粘合性(即与湿润或潮湿表面粘附)且具有可控的渗透性。聚合物膜(可以是多孔的或非多孔的)特别有效用于涂布在装置或植入物表面以及组织、腔或器官表面。

可以通过几种方法，包括例如，通过浇铸，和通过喷雾制备膜，或者可以在治疗位点原位形成。例如，可以将可喷雾的制剂施用于治疗位点，其然后形成固体膜。

另一方面，装置可以包含或者是聚合物形式，其中至少一些聚合物是网眼形式。本文所用的网眼是由多条纤维或纤丝构成的材料(即，纤维材料)，其中纤维或纤丝以这种方式安排(例如，交织，打结，编织，重叠，成环，针织，交叉，缠结，成网状，毡制等等)，以便形成多孔结构。典型地，网眼是柔性材料，因此它具有足够的柔性而被包覆在身体通道或腔或其一部分的外表面周围。网眼能够为结构(例如脉管或腔壁)提供支持和可以适应于释放一定量的治疗剂。

网眼材料可以采用多种形式。例如，网眼可以是机织、针织或无纺形式并且包括彼此相对任意定向的或者以有序阵列或图案排列的纤维或纤丝。在一个实施方案中，例如，网眼可以是织物形式，如例如针织的、编织的、钩编的、机织的、无纺的(例如熔体喷射或湿铺(wet-laid))或网织的织物。在一个实施方案中，网眼可以包括天然或合成的生物可降解聚合物，其可以形成针织网眼，机织网眼，喷雾网眼，网筛，编织网眼，环状网眼等。优选地，网眼或包覆物具有形成多孔结构的缠结的线，其可以例如针织，机织或网织。

用于装置中的网眼的结构和性能取决于应用和期望机械力学(即柔性，拉伸强度，和弹性)，降解性能，和对于所选治疗剂的期望载荷和释放特性。网眼应当具有机械性能，以使装置将保持充分坚固直至周围组织已经愈合。影响网眼的柔性和机械强度的因素包括例如孔隙率、织物厚度、纤维直径、聚合物组合物(例如单体和引发剂的类型)、加工条件和用于制备材料的添加剂。

典型地，网眼具有充分的孔隙率以允许流体流过纤维网的孔和促进组织向内生长。通常，网眼的间隙应当相隔足够宽以允许眼睛可见光，或者流体通过孔。然而，也可以使用具有更紧凑结构的材料。流体流过网眼的间隙取决于多种因素，包括例如针脚数或线密度。例如通过用另一种材料(例如颗粒或聚合物)填充网眼间隙或通过处理网眼(例如通过加热)可以进一步调节网眼的孔隙率，以便减小孔径和产生非纤维区域。通过本发明的网眼的流体流动将根据流体的性能如粘度、亲水性/疏水性，离子强度，温度，弹性，假塑性，颗粒含量等而变化。优选地，间隙不防止浸渍的或涂布的治疗剂从网眼上释放，间隙优选不防止组织液在应用位点的交换。

网眼材料应当足够柔性以便能够被包覆在身体通道或腔的所有或部分外表面周围。柔性网眼材料典型地是柔性机织或针织片形式，厚度为约25微米至约3000微米；优选约50微米至约1000微米。适于包覆在动脉和静脉周围的网眼材料典型地厚度为大约100至400微米。

纤维或纤丝的直径和长度可以根据材料的形式(例如针织，机织或无纺)、所需弹性、孔隙率、表面积、柔性和拉伸强度而变化尺寸。纤维可以是任何长度，从短纤丝到长线(即长度为数微米至数百米)。取决于应用，纤维可以具有单丝或复丝构造。

网眼可以包括相同尺寸或不同尺寸的纤维，并且纤维可以由相同或不同类型的生物可降解聚合物形成。机织材料例如可以包括经纱和纬纱股的规则或不规则阵列，并且可以包括纬纱方向的一种类型的聚合物和经纱方向的另一种类型的聚合物(具有与第一种聚合物相同或不同的降解曲线)。纬纱聚合物的降解曲线可以不同于或者相同于经纱聚合物的降解曲线。类似地，针织材料可以包括一种或多种类型(例如单丝，复丝)和大小的纤维和可以包括由相同或不同类型的生物可降解聚合物制成的纤维。

网眼的结构(例如纤维密度和孔隙率)可以影响可装载到装置中的治疗剂的量。例如，特征在于低纤维密度和高孔隙率的具有松散编织的织物将具有更低的经纬密度，导致减小的总纤维体积和表面积。结果，在固定的载体：治疗剂比率下可以装载到纤维之中或之上的药剂的量将比具有高纤维密度和低孔隙率的织物低。优选网眼还应当不以引发生物学上有害的炎症或毒性反应，应当能够完全在体内代谢，具有可接受的贮藏寿命和容易灭菌。

装置可以包括任何组合或排列的多种网眼材料。例如，装置的一部分可以是针织材料并且另一部分可以是机织材料。在另一实施方案中，装置可以多于一层(例如一层机织材料熔合于一层针织材料或另一层相同类型或不同类型的机织材料)。在一些实施方案中，可以使用例如多层构造(例如具有两层或多层材料的装置)以便增强装置的表现性能(例如用于增强装置的刚性或改变孔隙率、弹性、或拉伸强度)或者用于提高药物装载量。

多层构造可以有效用于例如含有多于一种类型的治疗剂的装置。例如，第一层网眼材料可以装载一种类型的试剂和第二层可以装载另一种类型的试剂。两层可以是不连接的或连接的(例如熔合在一起，如通过热焊接或超声波焊接)和可以由相同类型的织物形成或由不同类型的具有不同聚合物组合物和/或结构的织物形成。

在某些方面，网眼可以包括非网眼形式的部分。例如，装置可以包括薄膜、片、糊剂等形式及其组合。例如，装置可以具有多层构造，其具有包括治疗剂的薄膜层和一层或多层网眼材料。例如，可以将薄膜层插入两层网眼之间或者可以放置在网眼材料的仅一侧。薄膜层可以包括第一种治疗剂，其中网眼的一层或多层可以包括相同或不同治疗剂。在另一个实施方案中，装置包括至少两层网眼。一方面，至少两层网眼中的至少两层被熔合在一起。

一方面，提供可以另外包括膜层的多层装置。所述膜层可以位于至少两层网眼中的两层之间。在还有的另一实施方案中，描述了包括网眼的传递装置，其中网眼包括生物可降解的聚合物和第一种治疗剂。该装置可以另外包括薄膜，该薄膜包括第二种治疗剂，该治疗剂与第一种治疗剂的组成相同或不同。例如，在一个实施方案中，适合于包覆在静脉或动脉周围的装置包括负载治疗剂的网眼层和薄膜层。可以将装置包覆在身体通道或腔周围，以使薄膜层与通道或腔的外表面接触。因此，装置可以传递适当剂量的药剂并且可以提供足够的机械强度以提供和保持身体通道或腔的结构完整性。

一方面，网眼或膜可以包括聚合物。该聚合物可以是生物可降解的聚合物。可以用于制备网眼的生物可降解的组合物包括聚合物，该聚合物包含清蛋白，胶原蛋白、透明质酸和衍生物、海藻酸钠和衍生物、壳聚糖和衍生物、明胶、淀粉、纤维素聚合物(例如甲基纤维素、羟丙基纤维素、羟丙基甲基纤维素、羧甲基纤维素、乙酸邻苯二甲酸纤维素、乙酸琥珀酸纤维素、邻苯二甲酸羟丙基甲基纤维素)、酪蛋白、葡聚糖和衍生物、多糖类、聚(己内酯)、血纤蛋白原、  聚(羟酸)、聚(L-丙交酯)、聚(D，L丙交酯)、聚(D，L-丙交酯-乙交酯)、聚(L-丙交酯-共-乙交酯)、乳酸和羟基乙酸的共聚物，ε-己内酯和丙交酯的共聚物，乙交酯和ε-己内酯的共聚物，丙交酯和1，4-二噁烷-2-酮的共聚物，包括一种或多种下组单体残余单元的聚合物和共聚物：D-丙交酯，L-丙交酯，D，L-丙交酯，乙交酯，ε-己内酯，亚丙基碳酸酯，1，4-二噁烷-2-酮或1，5-二氧杂环庚烷-2-酮，聚(乙交酯)，聚(羟基丁酸酯)，聚(烷基碳酸酯)和聚(原酸酯类)，聚酯类，聚(羟基戊酸)，聚二噁酮，聚对苯二甲酸乙二酯，聚(苹果酸)，聚(丙醇二酸)，聚酐类，聚磷腈类，聚(氨基酸)。这些组合物包括以上聚合物的共聚物以及以上聚合物的掺合物和组合(一般参见Illum，L.，Davids，S.S.(eds.)(″Polymers inControlled Drug Delivery″)Wright，Bristol，1987；Arshady，J.ControlledRelease 17：1-22，1991；Pitt，Int.J. Phar.59：173-196，1990；Holland等，J.Controlled Release4：155-0180，1986)。

一方面，网眼或膜包括生物可降解的或可吸收的聚合物，其由一种或多种选自下列各项的单体形成：丙交酯，乙交酯，e-已内酯，亚丙基碳酸酯，1，4-二噁烷-2-酮，1，5-dioxepan-2-酮，1，4-dioxepan-2-酮，羟基戊酸酯，和羟基丁酸酯。一方面，聚合物可以包括丙交酯和乙交酯的共聚物。另一方面，聚合物包括聚(已内酯)。在还有的另一方面，聚合物包括聚(乳酸)，聚(L-丙交酯)/聚(D，L-丙交酯)掺合物或L-丙交酯和D，L-丙交酯的共聚物。在还有的另一方面，聚合物包括丙交酯和e-己内酯的共聚物。在还有的另一方面，聚合物包括聚酯(例如，聚(丙交酯-共-乙交酯))。聚(丙交酯-共-乙交酯)可以具有约20∶80至约2∶98的丙交酯∶乙交酯比率，约10∶90的丙交酯∶乙交酯比率，或约5∶95的丙交酯∶乙交酯比率。一方面，聚(丙交酯-共-乙交酯)是聚(L-丙交酯-共-乙交酯)。生物可降解材料的其它实例包括polyglactin，聚乙醇酸，自体、异体和异种组织(例如，心包膜或小肠粘膜下层)氧化的再生纤维素。这些网眼可以是针织的、机织的或无纺网眼。无纺网眼的实例包括静电纺纱材料。

网眼和膜可以由非-生物可降解的聚合物制备。非-生物可降解的组合物的代表性实例包括乙烯-共-乙烯基乙酸酯共聚物，丙烯酸基和甲基丙烯酸基聚合物(例如聚(丙烯酸)、聚(甲基丙烯酸)、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(羟乙基甲基丙烯酸酯)、聚(烷基氰基丙烯酸酯)、聚(烷基丙烯酸酯)、聚(烷基甲基丙烯酸酯))，聚烯烃类如聚(乙烯)或聚(丙烯)，聚酰胺类(例如尼龙6，6)，聚(氨酯)(例如聚(酯尿烷类)、聚(醚尿烷类)、聚(碳酸酯尿烷类))、聚(酯-脲))，聚酯类(例如，PET，聚对苯二甲酸丁二醇酯，和聚对苯二甲酸己二醇酯)，聚醚类(聚(环氧乙烷)、聚(环氧丙烷)、聚(环氧乙烷)-聚(环氧丙烷)共聚物、二嵌段和三嵌段共聚物、聚(1，4-丁二醇))，含硅氧烷的聚合物和乙烯基聚合物(聚乙烯吡咯烷酮，聚(乙烯醇)，聚(对苯二甲酸乙烯乙酯)，聚(苯乙烯-共-异丁烯-共-苯乙烯)，含氟聚合物(氟聚合物)如氟化乙烯丙烯(FEP)或聚四氟乙烯(例如，膨胀型PTFE)。

网眼或膜材料可以包含上述生物可降解的和非-生物可降解的聚合物的组合。可以使用的聚合物的另外的实例是阴离子型(例如，海藻酸盐，角叉胶、透明质酸、右旋糖酐硫酸酯、硫酸软骨素、羧甲基葡聚糖、羧甲基纤维素和聚(丙烯酸))，或阳离子型(例如脱乙酰壳多糖、聚-1-赖氨酸、聚乙烯亚胺和聚(烯丙基胺))(一般参见，Dunn等，J. Applied Polymer Sci.50：353，1993；Cascone等，J.Materials Sci.：Materials in Medicine 5：770，1994；Shiraishi等，Biol.Pharm.Bull.16：1164，1993；Thacharodi和Rao，Int′lJ.Pharm.120：115，1995；Miyazaki等，Int′l J.Pharm.118：257，1995)。优选的聚合物(包括这些聚合物的共聚物和掺合物)包括聚(乙烯-共-乙烯基乙酸酯)、聚(碳酸酯尿烷类)、聚(羟酸)(例如聚(D，L-乳酸)寡聚物和聚合物，聚(L-乳酸)寡聚物和聚合物，聚(D-乳酸)寡聚物和聚合物，聚(羟基乙酸)，乳酸和羟基乙酸的共聚物，丙交酯和乙交酯的共聚物，聚(己内酯)，乳酸或乙交酯和ε-己内酯的共聚物，聚(戊内酯)，聚(酐类)，由己内酯和/或丙交酯和/或乙交酯和/或聚乙二醇制备的共聚物。

已经描述了可以与抗瘢痕形成剂结合的各种各样的聚合物和非聚合物膜。例如，膜或网眼可以是生物可降解的聚合物基质，其适应于组织并且以控释方式释放药剂。参见，例如，美国专利号6,461,640。膜或网眼可以是浸渍有抗氧化剂和/或抗微生物剂的自粘硅氧烷薄片。参见，例如，美国专利号6,572,878。膜或网眼可以是柔软的屏蔽，具有连接端口和穿孔，适合于覆盖脊柱中的骨解剖。参见，例如，美国专利号5,868,745和美国专利申请号2003/0078588。膜或网眼可以是可吸收的微型膜，具有单层非-多孔性聚-丙交酯聚合物基底材料。参见，例如，美国专利号6,531,146和美国申请号2004/0137033。膜或网眼可以是柔软的神经减压装置，具有微结构构造的外表面，当包覆在管道神经周围时减少纤维组织形成。参见，例如，美国专利号6,106,558。膜或网眼可以是可吸收的胶原蛋白膜，包覆在脊索周围以抑制细胞粘附。参见，例如，美国专利号6,221,109。膜或网眼可以是伤口敷料外衣，由外部柔软层和自粘内层凝胶衬组成，用作与伤口接触的敷料。参见，例如，美国专利号6,548,728。膜或网眼可以是具有瘢痕治疗垫的绷带，所述垫具有一层硅氧烷弹性体或硅氧烷凝胶。参见，例如，美国专利号6,284,941和5,891,076。膜或网眼可以是可交联系统，具有至少三种反应性化合物，所述化合物各自具有聚合分子中心，该中心具有至少一个官能团。参见，例如，美国专利号6,458,889。膜或网眼可以由具有分隔两个表面的3-维结构的假体纤维组成，所述表面其中之一是开放给外科手术后细胞定居，一个与胶原生成材料的膜连接。参见，例如，美国专利号6,451,032。膜或网眼可以通过交联两种合成聚合物而组成，一种聚合物具有亲核基团，另一种具有亲电基团，这样它们形成可以用于结合生物活性化合物的基质。参见，例如，美国专利号6,323,278；6,166,130；6,051,648和5,874,500。膜或网眼可以是由异-双官能的抗-粘连结合剂组成的膜，所述结合剂用于将基质材料，如胶原蛋白，共价连接到接受组织上。参见，例如，美国专利号5,580,923。膜或网眼可以是氧化再生的纤维素或其它生物可吸收材料的适合的经编针织物，其用作物理屏障以防止手术后粘连。参见，例如，美国专利号5,007,916。用于实施本发明的网眼也在美国专利号6,575,887和在2003年9月26日提出的题为“血管周包覆物”的共同待审申请(美国序列号10/673,046)中描述。

一方面，网眼可以适合用于疝修复手术或者其它类型的外科手术操作。与疝修复有关的网眼织物在美国专利号6,638,284；5,292,328；4,769,038和2,671,444中描述。外科网眼可以通过针织、机织、编织或另外形成多条纱(例如由聚合物材料如聚丙烯和聚酯制成的单丝或复丝)成为支撑格子结构来制备。由各种各样的合成纤维构造的针织和机织织物以及织物在外科手术修复中的应用也在美国专利号3,054,406；3,124,136；4,193,137；4,347,847；4,452,245；4,520,821；4,633,873；4,652,264；4,655,221；4,838,884和5,002,551和欧洲专利申请号334,046中公开。可植入的疝网眼在美国专利号6,610,006；6,368,541和6,319,264中描述。用于修改食管裂孔疝的疝网眼在例如，美国专利号6,436,030中描述。用于修改腹部(例如，腹部和脐带)疝的疝网眼在美国专利号6,383,201中描述。抗感染的疝网眼在例如，美国专利号6,375,662中描述。疝网眼如在上述专利中描述的那些，适合于与纤维变性诱导剂结合以产生促进纤维组织生长的网眼。

一方面，可以将纤维变性抑制剂结合到生物可降解的或可溶解的膜或网眼中，所述膜或网眼然后在假体/植入物的植入之前或之后施用于治疗位点。用于制备这些膜或网眼的例举性材料有透明质酸(交联的或非交联的)，纤维素衍生物(例如，羟丙基纤维素)，PLGA，胶原蛋白和交联聚(乙二醇)。

膜或网眼可以是组织移植物的形式，其可以是自体移植物，同种移植物，生物移植物，源于生物的移植物或异种移植物。组织移植物可以来源于各种组织类型。可以用于制备生物移植物(biograft)的组织的代表性实例包括，但不限于，直肌鞘，腹膜，膀胱，心包膜，静脉，动脉，横隔膜和肋膜。生物移植物可以收获自宿主，装载抗瘢痕形成剂，然后以血管周的方式施用于可发展损伤和内膜增生的位点(例如，在吻合位点)。一旦植入后，药剂(例如，紫杉醇)从移植物释放并且可以穿透脉管壁以防止在治疗位点的内膜增生。在某些实施方案中，生物移植物可以用作衬里层以包封组合物(例如，装载抗瘢痕形成剂的凝胶或糊剂)。

可以与按照本发明的一种或多种抗瘢痕形成剂结合的膜和网眼包括可商购的产品。其中可以结合纤维变性剂的膜和网眼的实例包括INTERCEED(Johnson & Johnson，Inc.)，Preclude(W.L.Gore)，和PolyActive(聚(醚酯)多嵌段共聚物(Osteotech，Inc.，Shrewsbury，NJ)，基于聚(乙二醇)和聚(对苯二甲酸丁二醇酯)，和来自Johnson & Johnson的SURGICAL可吸收止血纱布类薄片。另一种网眼是假体聚丙烯网眼，具有生物可吸收的涂层，称为SEPRAMESH Biosurgical Composite(Genzyme Corporation，Cambridge，MA)。该网眼一面涂布有生物可吸收的透明质酸钠和羧甲基纤维素层，提供暂时物理屏障，将底层组织和器官表面与网眼分隔开。网眼的另一面是未涂布的，允许类似于裸露聚丙烯网眼的完全的组织向内生长。在一个实施方案中，纤维变性诱导剂可以仅施用于SEPRAMESH的未涂布面而不施用于透明质酸钠/羧甲基纤维素涂布面。其它膜和网眼包括：(a)BARD MARLEX网眼(C.R.Bard，Inc.)，其为具有低孔隙率的非常稠密的针织织物结构；(b)单丝聚丙烯网眼，如可获自Ethicon，Inc.Somerville，NJ的PROLENE(参见，例如，美国专利号5,634,931和5,824,082))；(c)SURGISIS GOLD和SURGISIS IHM软组织移植物(都来自Cook Surgical，Inc.)，其为特别构造用于在开放的和腹腔镜检查方法中在修复腹股沟疝中增强软组织的装置；(d)薄壁聚丙烯外科手术网眼，如以PROLITE，PROLITE ULTRA，和LITEMESH的商品名获自Atrium MedicalCorporation(Hudson，NH)；(e)COMPOSIX疝网眼(C.R.Bard，Murray Hill，NJ)，其结合网眼补片(补片包括两层惰性合成网眼，通常由聚丙烯制成，并且在美国专利号6,280,453中描述)，所述网眼补片包括纤丝以加强和保持装置为平面构型；(f) VISILEX mesh(来自C.R.Bard，Inc.)，其为用单丝聚丙烯构造的聚丙烯网眼；(g)其它可获白C.R.Bard，Inc.的网眼，包括PERFIX Plug，Kugel Hernia Patch，3D max mesh，LHI mesh，Dulex mesh，和the Ventralex Hernia Patch；和(h)其它类型的聚丙烯单丝疝网眼和栓塞产品，包括HERTRA网眼1，2，和2A，HERMESH 3，4&5和来自HerniameshUSA，Inc.(Great Neck，NY)的HERNIAMESH栓塞T1，T2，和T3。

以下描述可以与纤维变性抑制剂结合的可商购网眼的其它实例。一个实例包括具有生物可吸收涂层的假体聚丙烯网眼，其以商品名SEPRAMESH Biosurgical Composite(Genzyme Corporation)出售。网眼的一面涂布有生物可吸收的透明质酸钠和羧甲基纤维素层，提供暂时物理屏障，将底层组织和器官表面与网眼分隔开。网眼的另一面是未涂布的，允许类似于裸露聚丙烯网眼的完全的组织向内生长。在一个实施方案中，纤维变性诱导剂可以仅施用于SEPRAMESH的未涂布面而不施用于透明质酸钠/羧甲基纤维素涂布面。Boston Scientific Corporation出售由独特的针织聚丙烯材料构成的TRELEX NATURAL网眼。Ethicon，Inc.制造可吸收的VICRYL(polyglactin 910)网眼(针织和机织)和MERSILENE聚酯纤维网眼。Dow Corning Corporation(Midland，MI)出售由硅氧烷弹性体形成的网眼材料，称为SILASTIC Rx Medical Grade Sheeting(Platinum Cured)。United States Surgical/Syneture(Norwalk，CT)出售由可吸收的聚乙醇酸制成的网眼，商品名为DEXON Mesh Products。Membrana Accurel Systems(Obernburg，德国)出售CELGARD多微孔的聚丙烯纤维和膜。GynecareWorldwide，Ethicon，Inc.的分部，出售由氧化的、再生纤维素网眼材料制造的网眼，称为INTERCEED TC 7。Integra LifeSciences Corporation(Plainsboro，NJ)制造DURAGEN PLUS Adhesion Barrier Matrix，其可以用作防止脊椎和颅外科手术后粘连的屏障和用于恢复硬脑脊膜。来自MacroPore Biosurgery，Inc.(San Diego，CA)的HYDROSORB Shield是用于暂时的伤口支持以控制特定脊柱应用中粘连形成的膜。

以上已经描述了可以与膜和网眼一起使用的许多聚合物和非聚合物载体系统。将纤维变性抑制组合物结合到膜或网眼之上或之中的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物(直接或间接)附加到膜或网眼(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到膜或网眼中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布膜或网眼，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)用纤维变性抑制组合物构建膜或网眼本身或膜或网眼的一部分，或(e)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于膜或网眼表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到膜或网眼表面上。对于涂布的装置，涂布过程可以以这样的方式进行，即：(a)仅涂布膜或网眼的一个表面，(b)涂布膜或网眼两个面的全部或部分。

治疗剂可以是膜或网眼的整体部分(例如，可以位于网眼的纤维内)。纤维变性抑制剂可以直接结合到膜或网眼中，或者它可以结合到如上所述的第二种载体(聚合物的或非聚合物的)中，然后所述第二种载体被结合到膜或网眼中。

膜或网眼可以涂布有纤维变性抑制剂或包括纤维变性抑制剂的组合物。在一些实施方案中，组合物是聚合物组合物，可以用作外科手术粘连屏障。涂层可以采用表面-粘连涂层，掩蔽，膜，凝胶，泡沫或铸模的形式。

已经描述了可以与本发明的膜和网眼结合使用的多种聚合物的组合物。这些组合物可以是例如，凝胶，喷雾剂，液体，和糊剂的形式，或者从单体或聚合前组分原位聚合。例如，组合物可以是聚合物组织涂层，其通过将聚合引发剂施用于组织并然后用水溶性大分子单体覆盖它来形成，所述大分子单体在UV光的影响下使用游离自由基引发剂时是可聚合。参见，例如，美国专利号6,177,095和6,083,524。组合物可以是组合物水溶液，其包括表面活性剂，己酮可可碱和聚氧化烯聚醚。参见，例如，美国专利号6,399,624。组合物可以是形成水凝胶的、自-溶剂化的、可吸收的聚酯共聚物，在与水相环境接触后能够选择性的、分段结合到适应的水凝胶团块中。参见，例如，美国专利号5,612,052。组合物可以由液态聚合前材料组成，所述材料被放出到组织表面，然后原位暴露于活化能以引发施加的材料向非液态聚合物形式转化。参见，例如，美国专利号6,004,547和5,612,050。组合物可以由氧的气体混合物组成，氧存在的体积比率为1至20％。参见，例如，美国专利号6,428,500。组合物可以由阴离子聚合物组成，所述聚合物具有大于5％的酸式硫酸盐和硫含量，其用于抑制单核细胞或巨噬细胞侵入。参见，例如，美国专利号6,417,173。组合物可以由非胶凝聚氧化烯组合物组成，含有或不含有治疗剂。参见，例如，美国专利号6,436,425。组合物可以涂布到组织表面之上并且可以由亲水的聚合材料(例如，多肽或多糖)组成，具有大于50,000的分子量和范围为0.01％至15％(按重量计)的浓度。参见，例如，美国专利号6,464,970。

可以涂布到膜或网眼之上的聚合物组合物的其它代表性实例包括聚(乙二醇)-基系统，透明质酸和交联透明质酸组合物。这些组合物可以作为最终组合物施用或者它们可以作为原位形成交联凝胶的材料施用。

可以与膜和网眼结合使用的其它组合物包括，但不限于：(a)可喷雾的含PEG制剂，如COSEAL，SPRAYGEL，focalseal或DURASEAL；(b)含透明质酸的制剂，如RESTYLANE，HYLAFORM，PERLANE，SYNVISC，SEPRAFILM，SEPRACOAT，InterGel，(c)聚合物凝胶，如REPEL或FLOWGEL，(d)右旋糖酐硫酸酯凝胶，如Adcon系列产品，(e)脂质基组合物，如AdSurf(Brittania Pharmaceuticals)。

膜或网眼(或含有膜或网眼的装置)可以如下无菌制造：通过在无菌条件下制备它们和/或使用本领域已知的方法将它们消毒，所述方法如γ辐射或电子束灭菌方法或这些方法的组合。

膜和网眼可以应用于易于发展纤维变性或内膜增生的任何身体管道或任何组织。在植入之前，可以将膜或网眼从一片大块材料中修剪或切割以与加宽的孔、管道、或解剖区域匹配，或至少覆盖暴露的组织区域。膜或网眼可以是弯曲的或者形状与放置区域的具体构型匹配。膜或网眼也可以以套形状或圆筒形卷起并放置到所需组织的外周周围。膜或网眼可以以相对较大的整体薄板提供，然后切割成形状以塑造将要包覆的组织或装置的具体结构和表面外形。备选地，膜或网眼可以预成型为随后使用的一种或多种模式。膜和网眼可以典型地为长方形形状并且可以通过直接外科手术安置或通过内镜技术放置在外科手术位点内的所需位置。通过将其包覆在其本身上(即，自粘的)，或者将其用缝合线、卡钉、密封剂等固定，可以将膜或网眼固定到位。备选地，膜或网眼可以容易地与组织粘附并因此可能不需要另外的固定机制。

本发明的膜或网眼可以用于多种适应证，包括，但不限于：(a)防止外科手术(例如，妇科外科手术，输精管吻合术，疝修复，神经根减压手术和椎板切除术)后组织之间的外科手术粘连；(b)防止肥大性瘢痕或瘢痕疙瘩(例如，由组织烧伤或其它创伤导致)；(c)防止内膜增生和/或再狭窄(例如，由血管移植物或血液透析通路的插入导致)；或(d)可以与本文所述的导致瘢痕形成的装置和植入物联合使用(例如，作为乳房植入物周围的套或网眼以减少或抑制瘢痕形成)。

在一个实施方案中，膜或网眼可以用于防止在外科手术、损伤或疾病以后在组织之间发生的粘连。粘连形成是其中正常分开的身体组织生长在一起的复杂过程，最通常作为外科干预和/或外伤所导致。通常，粘连形成是其中释放因子的炎症反应，增加血管通透性并导致血纤蛋白原流入和血纤蛋白沉积。该沉积形成桥连毗邻组织的基质。成纤维细胞积累，吸附到基质上，沉积胶原蛋白并诱导血管生成。如果该事件级联可以在外科手术后4-5天内防止，那么可以抑制粘连形成。粘连形成或不需要的瘢痕组织累积和包封使得各种外科手术操作和实际上腹或骨盆腔中的任何开放或内镜外科手术操作复杂化。外科手术植入物的包封也使得乳房重建手术，关节置换手术，疝修复手术，人工血管移植物手术和神经外科复杂化。在每种情形中，植入物被纤维结缔组织包封，这损害或削弱了外科手术植入物(例如，乳房植入物，人工关节，外科手术网眼，血管移植物，硬膜补片)的功能。慢性炎症和瘢痕形成也在矫正慢性鼻窦炎或去除慢性炎症的其它区域(例如，异物，感染(真菌，分支杆菌))的外科手术过程中发生。可导致外科手术粘连的外科操作可以包括心脏、脊柱、神经学、胸膜、胸廓和妇科外科手术。然而，粘连也可以作为其它过程的结果而发展，所述过程包括，但不限于，非外科手术机械损伤，局部缺血，出血，辐射治疗，感染相关炎症，骨盆炎症性疾患和/或异物反应。这种异常瘢痕形成干扰正常生理功能，并且在一些情形中可以促使和/或干预随后的、矫正的或其它外科手术操作。例如，这些手术后外科手术粘连在60至90％的进行较大妇科手术的患者中发生，并且代表工业化世界肠梗阻的最常见原因之一。这些粘连是失败的外科手术治疗的主要原因并且是肠梗阻和不育的主要原因。其它粘连-处理的并发症包括慢性盆腔疼痛，尿道梗阻和排泄功能障碍。

当前，在外科手术后4-5天施用的预防性治疗被用于抑制粘连形成。已经研究了粘连预防的各种方式，包括(1)防止纤维蛋白沉积，(2)减少局部组织炎症，和(3)去除纤维蛋白沉积物。通过使用物理粘附屏障来防止纤维蛋白沉积，所述屏障是机械的或者由粘性溶液组成。尽管许多研究者使用粘连预防屏障，存在许多技术困难。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或包括抗瘢痕形成剂的组合物的膜和网眼，其用作外科手术粘连屏障。

一方面，膜和网眼可以用于防止硬膜外和硬膜组织中的外科手术粘连，该粘连是导致背部手术失败和与脊柱损伤(例如，压伤和撞伤)相关的并发症的一个因素。在硬膜内和神经根周围的瘢痕形成涉及导致随后的脊柱手术在技术上更困难。为了在背部手术过程中获得对脊髓孔的通路，经常破坏脊椎骨组织。背部外科手术，如椎板切除术和椎间盘切除术，经常使得脊柱硬膜暴露和无保护的。结果，经常在硬膜和周围组织之间形成瘢痕组织。该瘢痕由损伤的覆盖椎板切除术位点的竖脊肌形成。这导致肌肉组织和脆弱硬膜之间的粘连发展，由此降低了脊柱和神经根的可动性，导致疼痛和缓慢的手术后恢复。为了避免粘连发展，可以将减少瘢痕的屏障插入硬膜套和椎板切开术后的脊柱旁的肌肉系统之间。这减少了从覆盖的肌肉和暴露的松质骨向硬膜外腔中的细胞和血管入侵，并因此减少了与容纳脊索和/或神经根的管道相关的并发症。

另一方面，包含抗瘢痕形成剂的膜和网眼可以用于防止在疝修复网眼和周围组织之间发生纤维变性。疝是器官或其它身体结构通过覆盖膜、肌肉或骨中的缺陷或天然开口的异常突出(外鼓)。疝它们本身不危险，但是如果它们变成钳闭的，则可以变得非常成问题。用于疝修复的外科手术前体(在此称为“疝网眼”)包括假体网眼-或纱布-样材料，其支撑修改的疝或在愈合过程中的其它身体结构。经常通过外科手术修复疝以防止并发症。其中可能需要使用疝网眼的病症包括但不限于修复腹股沟(即，腹股沟)，脐带，腹，股，腹部，横隔膜，腹上部，胃食管，裂孔，肌间，肠系膜，腹膜旁，直肠阴道，直肠盲肠，子宫和膀胱疝气。疝修复典型地涉及将内脏返回至其正常位置并且壁中的缺陷主要用缝合线闭合，但是对于较大的裂隙，将网眼放置在缺陷之上以闭合疝气开口。将抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物包含在疝修复网眼之中或之上可以减少或防止植入的疝网眼附近的纤维变性，由此将腹壁或其它组织与网眼本身之间的粘连的可能性最小化，并减少另外的并发症和腹部疼痛。

在还有的另一方面，膜或网眼可以用于防止肥大性瘢痕或瘢痕疙瘩(例如，由组织烧伤或其它创伤导致)。肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩是过度的纤维增殖性伤口愈合反应的结果。简而言之，伤口愈合和疤痕形成以三个阶段发生：炎症，增殖，和成熟。第一阶段，炎症，是响应于损伤而发生，所述损伤足够严重而破坏皮肤。在持续3-4天的这个阶段，血液和组织流体形成粘连凝结物和纤维蛋白网络，其用于将伤口表面结合在一起。这然后接着增殖阶段，其中毛细管和结缔组织从伤口边缘向内生长，皮肤缺陷闭合。最后，一旦毛细管和成纤维细胞的增殖停止，成熟过程开始，其中疤痕收缩和变得细胞更少，血管更少和显得既平又白。这最后的阶段可持续6-12个月。如果生产了过多的结缔组织，伤口持久保持细胞状的，瘢痕可变得既红又凸。如果瘢痕保持在原有伤口的边界内，它称为肥大性瘢痕，但是如果它延伸超出原有瘢痕并进入周围组织，该损伤称为瘢痕疙瘩。肥大性瘢痕和瘢痕疙瘩在瘢痕形成的第二和第三阶段生成。几种伤口特别易于过度的内皮和成纤维细胞增殖，包括烧伤，开放性创伤，和感染性创伤。伴随肥大性瘢痕，某种程度的成熟发生并且发生逐渐的改善。然而，在瘢痕疙瘩的情形中，产生急性肿瘤，其可以变得相当大。在这些病例中很少发生自发性改善。包含抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物的膜或网眼可以被放置与创伤或烧伤位点接触以便防止肥大性瘢痕或瘢痕疙瘩形成。

在还有的另一方面，提供的膜和网眼可以用于将抗瘢痕形成剂传递至身体通道或腔的外部(表面)。身体通道的实例包括动脉，静脉，心脏，食管，胃，十二指肠，小肠，大肠，胆道，输尿管，膀胱，尿道，泪管，气管，支气管，细支气管，鼻腔导气管，咽鼓管，外耳道，输精管和输卵管。腔的实例包括腹腔，口腔，腹膜腔，心包腔，盆腔，内脏周腔，胸膜腔和子宫腔。

可以用纤维变性抑制膜和网眼治疗或预防的病症的实例包括动脉和静脉导管插入术的医原性并发症，血管解剖的并发症，胃肠通道破裂和解剖并发症，与血管外科手术(例如，旁路外科手术)相关的再狭窄并发症，和内膜增生。

一方面，可以将抗瘢痕形成剂从膜或网眼传递到身体通道或腔的外壁以便防止和/或减少可能阻塞或妨碍通道或腔发挥最佳功能的增殖性生物反应，包括，例如，动脉和静脉导管插入术的医原性并发症，主动脉解剖，心脏破裂，动脉瘤，贲门瓣裂开，移植物放置(例如，A-V-旁路，外周旁路，CABG)，瘘形成，通道破裂和外科伤口恢复。

膜或网眼可以以血管周包覆物形式使用以便防止由于插入血管移植物或血液透析通路导致吻合位点的再狭窄。在这种情形中，可以将血管周包覆物结合或涂布有纤维变性抑制剂，其可以与血管移植物一起使用以便抑制吻合位点的瘢痕形成。这些膜或网眼可以在外科手术时以血管周(外膜周)的方式放置或包覆在吻合外部周围。包含抗瘢痕形成剂的膜和网眼植入物可以与合成旁路移植物(股-腘，股-股，腋-股等)，静脉移植物(外周的和冠状动静脉的)，乳房内(冠状动静脉的)移植物或血液透析移植物(AV瘘，AV通路移植物)一起使用。

为了进一步理解这些病症，以下更详细地讨论导致受损的身体通道或腔完整性的代表性并发症。

心脏旁路外科手术

冠状动脉旁路移植(″CABG″)手术在二十世纪五十年代引入，仍然是一种高度侵入性、开放式的外科手术操作，尽管侵入性较小的外科手术技术正在发展。CABG手术是实施以克服许多类型的冠状动脉阻塞的外科手术操作。旁路外科手术的目的是增加循环和营养到心肌，所述循环和营养由于动脉阻塞已经减少。该操作涉及外科医生接触心脏和患病动脉，通常通过胸腔中间的切口。经常地，健康动脉或静脉是“收集”自患者并产生将所需血流引导绕过冠状动脉阻塞部分的“旁路移植物”。将动脉或静脉在阻塞之外从主动脉连接到心脏表面，由此形成了自体移植物。这使得血液流过这些移植物和“绕过”了狭窄或闭合的脉管。由于这些合成移植物缺乏适当的生物相容性，合成移植物材料用于产生“旁路”的应用受到限制。CABG具有显著的短期限制，包括医学并发症，如中风，多器官功能障碍，炎症应答，呼吸衰竭和手术后出血，它们各自可导致死亡。与CABG相关的另一个问题是再狭窄。再狭窄典型地定义为在CABG操作的六个月内动脉血管的再收缩。它典型地发生在约25％至45％的患者中，并且是在换血管术后对动脉损伤的过度愈合反应的结果。再狭窄可以发生在操作后短时期内，或者可以在数月或数年的期间内发展。长期或“晚期”再狭窄可能是由治疗位点处瘢痕组织的过度增殖导致，其原因还未完全理解。因此，许多可以减小CABG外科手术后再狭窄过程的发生率或数量的产品可以极大地增强患者的福利。

为了预防与CABG外科手术相关的再狭窄并发症，如以上讨论的那些，可以将广泛多样的治疗剂(含有或不含有载体)传递到血管的外部。载体(例如，聚合物)或治疗剂/聚合物组合物可以在干预性或外科手术操作之后被施用到血管的外部，以便防止再狭窄并发症。

外周旁路外科手术

外周动脉病(PAD)是指心脏外的任何脉管的疾病。PAD是一系列可以影响手、臂、腿和脚的血管的病症。PAD最常见的形式是动脉粥样硬化。动脉粥样硬化是其中胆固醇和瘢痕组织在动脉中积累而形成斑的渐进过程。该积累导致动脉逐渐变窄，导致流过该动脉的血液量的减少。当血流减少时，它导致对身体组织的氧和营养供应减少，这又可导致痛觉。当对腿的动脉受影响时，最常见的症状是当行走时腓肠疼痛。这称为间歇性跛行。

外周旁路外科手术是绕过由动脉粥样硬化导致的变窄(狭窄的)或阻塞的动脉区域的操作。在该外科手术操作中，将合成移植物(人工血管)或自体移植物，静脉，植入以提供患病区域周围的血流。首先，外科医生在腿、股、腓肠或踝皮肤中做一个切口。切口的位置可以基于哪个脉管需要旁路和将健康动脉连接到哪里以保持血流而变化。将旁路移植物缝入狭窄或阻塞之上，和狭窄或阻塞之下的动脉中。该旁路提供血液将到达没有接受足够血液和氧的组织的方式。用于腿的合成的旁路移植物通常由ePTFE制成。

旁路移植物的再狭窄和闭塞是外周旁路外科手术中最重要的问题。这种再狭窄是由新内膜生长(增生)导致并且在人工移植物材料中特别突出。这种再狭窄通常是在移植物和动脉通过外科手术操作连接的吻合位点。内膜组织典型地从天然脉管生长到移植物中。为了防止与外周旁路外科手术相关的再狭窄并发症，如以上讨论的那些，可以将各种各样的治疗剂(含或不含载体)/聚合物组合物传递到血管的外部。可以将所述聚合物或治疗剂/聚合物组合物在干预或外科手术操作后涂布到脉管/吻合位点的外部以便防止再狭窄并发症。

动脉-静脉(AV)瘘

动脉-静脉(AV)瘘是通过外科手术产生的血管连接，其允许血液从动脉直接流到静脉。AV瘘最初是由研究者为肾衰竭患者产生的，所述患者必须进行肾透析。

血液透析需要能生存的动脉和静脉将血液从身体中吸出和返回。反复穿刺经常导致静脉或动脉失效或者导致对患者的其它并发症。AV瘘增加了血液透析可能穿刺的数量，并且将对患者天然血管的损伤最小化。在静脉和动脉之间产生的连接形成连续供应增加的血流以进行血液透析的大血管。

再狭窄和最后的闭塞是AV瘘长期开放中最重要的问题之一。为了防止与AV瘘的外科手术形成相关的再狭窄并发症，可以将广泛多样的治疗剂(含或不含载体)/聚合物组合物传递到血管的外部。可以将聚合物或治疗剂/聚合物组合物在干预或外科手术操作后涂布在脉管/吻合位点的外部以便防止再狭窄并发症。

动脉-静脉(AV)移植物外科手术

将AV移植物外科手术操作用于与AV瘘的那些类似的应用(例如，血液透析患者)。对于AV移植物外科手术，将合成移植物材料用于将动脉连接到静脉而不是如AV瘘情形中将动脉直接连接静脉。导致移植物闭塞的内膜增生的发生率是影响这些移植物长期开放的主要因素之一。该内膜增生可以在静脉吻合处和在静脉底部发生。可以减小或防止这种内膜增生发生的产品将提高这些移植物开放的持续时间。为了将AV移植物的静脉吻合处的内膜增生的发生减少，可以将广泛多样的治疗剂(含或不含载体)/聚合物组合物传递到血管的外部。可以将聚合物或治疗剂/聚合物组合物在干预或外科手术操作后涂布在脉管/吻合位点的外部以便防止再狭窄并发症。

吻合闭合装置

吻合闭合装置提供快速修复吻合的方式。这些装置中的一些的使用需要侵入性外科手术操作。在本发明的一个实施方案中，在使用吻合闭合装置以后，可以将包含治疗剂的网眼包覆在吻合和吻合闭合装置(如果将它留在外科手术位点)周围。

在一个实施方案中，本发明提供治疗或预防内膜增生的方法，该方法包括向吻合位点传递一种传递装置。该装置包括治疗剂和生物可降解的聚合物，其中至少一些生物可降解聚合物是网眼形式。例举性的吻合位点包括静脉吻合，动脉吻合，动静脉瘘，动脉旁路，和动静脉移植物。优选地，所述装置包括聚合物网眼，将治疗剂传递到吻合位点的外部。

移植物应用

存在许多其中各种人体器官不能以维持患者健康的方式发挥功能的应用。当可获得适当的供体器官时，可以用供体器官(例如，肺，心脏，肾脏等)替换损伤的器官。在这些移植外科手术后的潜在的并发症之一是可能在供体和受体脉管之间的吻合位点处或附近发生狭窄。例如，移植肾动脉狭窄是可以在肾脏移植后发生的并发症。当从腹主动脉到肾脏的动脉变窄，限制血液流动到肾脏时，是移植肾动脉狭窄。这也可使得难以将血压保持在控制下。治疗典型地包括使用小气囊将狭窄区段扩大。

治疗该狭窄的一种方法是以血管周的方式将本发明的组合物施用于吻合位点(供体和受体脉管接合处)。以类似的方式，在肺移植操作后可以将本发明的组合物以管周围的方式施用于器官和/或支气管的外表面。

按照本发明，任何上述瘢痕形成剂可以用于该实施方案的实施中。膜和网眼可以适合于含有和/或释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。

因为以各种各样的构型和尺寸制造膜和网眼，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于膜和网眼的药剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于膜和网眼的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。膜或网眼之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的膜和网眼植入物结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴ M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与网眼和膜一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与网眼和膜一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

青光眼引流装置

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和青光眼引流装置的组合。

已经描述了各种类型的青光眼引流装置。一些青光眼引流装置包括板和管。管的功能是将眼房水从眼睛内传递到巩膜外板的上表面之上。巩膜外板被坚固地缝合到巩膜并且被Tenon’s组织和结膜的厚瓣所覆盖。该板的功能是引发大的圆形水疱的形成，所述水疱发展特化的纤维血管水疱衬里并被眼房水扩张。该纤维血管水疱衬里负责调节眼房水从眼睛的逸出并且决定在插入植入物之后获得的眼内压(IOP)的最终水平。如果纤维血管反应太大，装置的引流能力下降。在本发明的一个实施方案中，将纤维变性抑制剂结合到装置的全部或部分之中或之上，以使释放的纤维变性抑制剂调节愈合反应，由此使得装置正确地发挥功能。

例如，青光眼引流装置可以是与巩膜外引流板连接的管道，所述板具有多孔的后表面用于细胞向内生长和被巩膜粘附。参见，例如，美国专利号5,882,327。青光眼引流装置可以由可折叠的和可卷曲的巩膜外板和引流管组成，由此装置可以通过注射传递系统传递到植入位点。参见，例如，美国专利号6,589,203。青光眼引流装置可以是由基板组成的压力调节器，其具有与管连接的安装好的罩室，所述基板由薄的柔性橡胶材料(例如，硅氧烷橡胶)形成。参见，例如，美国专利号5,752,928。青光眼引流装置可以由具有密封构件的弹性体板和连接的无阀弹性体引流管组成，所述密封构件与巩膜一致以限制流体。参见，例如，美国专利号5,476,445。青光眼引流装置可以由向外扩张的脊形板组成，其在一侧凹入以与巩膜的曲率相匹配并且适合于与巩膜的并靠附着，由此管在脊形板之间延伸以便连通。参见，例如，美国专利号4,457,757。青光眼引流装置可以由薄的椭圆形弹性体板和弹性体引流管组成，所述弹性体板具有位于中央的适合瘢痕组织生长的孔，素数弹性体引流管与所述板连接以与眼睛流体连通。参见，例如，美国专利号5,397,300。青光眼引流装置可以由具有圆周孔的管组成，在管的出口端具有连接圆盘以放置在眼球表面。参见，例如，美国专利号5,868,697。青光眼引流装置可以是具有流动控制结构的管，所述结构控制管内的液流通道，并且在管内具有至少一个圆周孔，该孔被可吸收的材料暂时闭塞。参见，例如，美国专利号6,203,513。青光眼引流装置可以由具有啮合装置的管和多孔的吸收液体的栓塞组成，所述栓塞具有连接的基本上限制流体流动的丝状延伸部分。参见，例如，美国专利号5,300,020。青光眼引流装置可以是弹性聚合物引流植入物，在末端和凸缘之间延伸有通道，从本体辐射状突出。参见，例如，美国专利号4,968,296。青光眼引流装置可以是分流装置，其将眼睛中的房水从前房转移到装置部分，该装置部分分支以在巩膜静脉窦的方向上提供流体连通。参见，例如，美国专利号6,626,858。

可以与按照本发明的一种或多种抗瘢痕形成剂结合的青光眼引流装置包括可商购的产品。例如，圆筒形管，如AQUAFLOW胶原蛋白青光眼引流装置(STAAR Surgical Company，Monrovia，CA)可以用于本发明的实施中。青光眼引流装置的其它实例包括来自Molteno Opthalmic Limited(新西兰)的Molteno Glaucoma Implant(Single Plate Molteno Implant，PressureRidge Single Plate Molteno Implant(D1)，Microphthalmic Plate MoltenoImplant(M1)，Double Plate Molteno Implant(R2/L2)，和Pressure RidgeDouble Plate Molteno Implant(DR2/DL2)，来自New World Medical，Inc.(Rancho Cucamonga，CA)的BAERVELDT青光眼植入物(型号BG-101-350，BG-102-350，BG-103-250；Pfizer，New York，NY)，和Ahmed青光眼阀(型号FP7，S2，S3，PS2，PS3，B1)。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或包括抗瘢痕形成剂的组合物的青光眼引流装置。以上已经描述了用于青光眼引流装置的许多聚合物和非聚合物传递系统。将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于青光眼引流装置(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)通过将装置插入套或网眼，所述套或网眼含有或涂布有纤维变性抑制组合物，(f)用纤维变性抑制组合物构建装置本身或装置的一部分，或(g)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上。

除了用纤维变性抑制组合物涂布装置，可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以使纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。

在一个实施方案中，上述方法可以用于将纤维变性抑制剂结合到装置的板的全部或部分之中或之上。

在另一个实施方案中，上述方法可以用于将纤维变性抑制剂结合到装置的管的全部或部分之中或之上。

在还有的另一个实施方案中，上述方法可以用于将纤维变性抑制剂结合到装置的板和管两者的全部或部分之中或之上。

除了将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上(例如，作为涂层)，可以将另外的生物活性剂结合到装置之中或之上，例如抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)或MMP抑制剂。

按照本发明，上述任何纤维变性抑制剂可以用于本实施方案的实施。在本发明的一个实施方案中，青光眼引流装置可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

可以以各种各样的构型和尺寸制造青光眼引流装置，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于青光眼引流装置的药剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D3)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于青光眼引流装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的青光眼引流装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与青光眼引流装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与青光眼引流装置一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

假体心脏瓣膜

本发明提供药物和假体心脏瓣膜的组合。

假体心脏瓣膜是用于替换缺陷的天然心脏瓣膜的装置，所述天然心脏瓣膜的缺陷是由于先天性畸形，感染，部分闭塞，或磨损导致。假体心脏瓣膜典型地由与咬合器基底连接的咬合器组成，所述咬合器基底又与提供装置与心脏组织锚定的缝合环连接。咬合器基底是环形的并且提供血流通道。可以存在一个或多个咬合器，它们以开放和闭合位置交替以调节血流。为了确保假体心脏瓣膜与心脏组织的固定，将典型地由针织织物管组成的缝合环卷成环形并固定到假体的咬合器基底的周围。典型地使用缝合线、密封剂、粘合剂、卡钉或钳与金属或聚合物线进行将缝合环附着于心脏组织。

尽管已经逐渐改进假体心脏瓣膜的设计，并发症继续发生。由于缝合环经常由合成材料制成，血栓、纤维变性和血管翳经常在假体心脏瓣膜周围发生。这种瘢痕形成经常阻碍瓣膜的功能，随着时间的过去可能需要第二次外科手术操作和替换。缝合环通常由合成的聚合物组成，所述合成的聚合物包括，但不限于，聚酯(例如，DACRON)，聚四氟乙烯(例如，TEFLON)，硅氧烷，和聚丙烯。缝合环通常由填充材料制成，所述填充材料在填料上缝合有机织材料。由于覆盖的织物材料，缝合环的表面经常是粗糙的(course)。这使得缝合环倾向于在手术后时期较早形成瘢痕，在植入后数月内发展严重的血管翳/纤维变性。纤维变性侵犯到假体心脏瓣膜之上的结果可以是剧烈的，并且可能是灾难性的。例如，纤维变性通过限制瓣膜适当开放和闭合的能力，可能显示瓣膜咬合器(occluder)功能。纤维变性可能从缝合环延伸到小叶。该纤维变性可能在它们的连合处熔合，扭曲单个小叶，和/或使小叶硬化，致使它们不能适当地开放或闭合。这种纤维变性的最终结果典型地是狭窄的并且机能不全的心脏瓣膜。

存在两种主要类型的假体心脏瓣膜，机械的和生物假体的。典型地，机械和生物假体心脏瓣膜利用合成缝合环。它们主要在使用的咬合器的类型方面不同。机械心脏瓣膜的咬合器可以由球和笼组件，单小叶圆盘阀，或双小叶圆盘阀构成。生物假体心脏瓣膜的咬合器由模拟它替换的天然心脏瓣膜的外观和功能的动物或人组织构成。生物假体心脏瓣膜小叶通常由化学处理的组织构成。将收获的瓣膜固定在戊二醛或类似的固定液中以便使得它们适合用于人植入。

一方面，假体心脏瓣膜可以是机械假体，其典型地由生物相容性物质(例如，热解碳，钛或DACRON)形成的刚性小叶组成。机械假体心脏瓣膜可以是球和笼组件，双小叶，三小叶或倾斜盘。最常见的是双小叶类型，因为该阀门的血流动力学由于血流更平稳和湍流较少而更好。例如，机械假体可以由具有外部缝合环和适于血流的内部轮缘的基底以及至少两个闭合小叶组成。参见，例如，美国专利号6,068,657。机械假体可以由具有中心孔的环形阀门罩和作为枢轴安装到阀门罩的第一和第二阀门小叶组成。参见，例如，美国专利号4,808,180和5,026,391。机械假体可以用环形体设计，所述环形体作为枢轴安装有至少一个小叶以使它在规定压力下通过磁铁在开放和闭合位置之间可移动，所述磁铁施加力量于小叶之上。参见，例如，美国专利号6,638,303。机械假体可以具有环形体，该环形体具有多个形成入口坡道和支持至少一个小叶到阀门体的铰链。参见，例如，美国专利号6,645,244和5,919,226。机械假体可以由支持性的柔性、圆筒形框架构成，该框架具有形成支撑用于阀门三小叶装置的斯滕特固定模的尖端的盖子和作为连接表面的缝合环。参见，例如，美国专利号5,258,023。机械假体可以具有增加的阀门腔，其由单个阀孔罩和缝合套组成，所述阀孔罩具有至少一个可移动的与所述罩偶联的咬合器，所述缝合套用于将所述罩与心脏组织连接。参见，例如，美国专利号6,007,577和6,391,053。机械假体可以由缝合环和可去除的阀组件组成，所述阀组件在所述缝合环的中心孔处滑动。参见，例如，美国专利号5,032,128。机械假体可以是高度柔性的圆筒形斯滕特固定模，由多个分开的邻近的斯滕特固定模构件组成，具有交替的尖端和连合，能够快速移动和支撑多个柔性小叶。参见，例如，美国专利号6,558,418和6,338,740。其它机械心脏瓣膜假体在例如,美国专利号6,395,025；6,358,278；6,176,877；6,139,575和5,984,958中描述。

另一方面，假体心脏瓣膜可以是生物假体装置，其典型地是由生物材料(例如，猪瓣膜或牛心包瓣膜)形成的柔性小叶。组织瓣膜可以用斯滕特固定模框架支撑，提供小叶更多结构和耐久性。通过收集(harvesting)猪瓣膜(猪主动脉仍然连接)也可以植入无斯滕特固定模的组织瓣膜。例如，可以处理可获自供体(例如，猪)的生物假体心脏瓣膜以减少抗原而防止在移植后的炎症反应。参见，例如，美国专利号6,592,618。生物假体心脏瓣膜可以由位于机械环形支持体周围的生物组织材料组成以提供至少部分缝合环。参见，例如，美国专利号6,582,464。生物假体心脏瓣膜可以由异种移植僧帽瓣(例如，猪)和缝合管以及与僧帽瓣连接的柔性材料覆盖物组成。参见，例如，美国专利号5,662,704。生物假体心脏瓣膜可以由与假体斯滕特固定模框架连接的天然组织心脏瓣膜组成，所述框架可以被织物覆盖物覆盖。参见，例如，美国专利号3,983,581；4,035,849；5,861,028；6,350,282和6,585,766。生物假体心脏瓣膜可以是自-立的无斯滕特固定模瓣膜，其可以由哺乳动物来源的管状体组成。参见，例如，美国专利号5,156,621和6,342,070。

另一方面，可以使用微创技术将假体心脏瓣膜插入到位。例如，假体心脏瓣膜可以是可膨胀装置，其适合于以陷缩状态传递到植入位点，然后扩展为多个与斯滕特固定模系统连接的小叶。参见，例如，美国专利号6,454,799。

另一方面，装置可以是心脏瓣膜的组件。例如，装置可以是用于接收假体心脏瓣膜的可植入的环形环。参见，例如，美国专利号6,106,550。装置可以是缝合环，其具有外部周围锥形的线以连接心脏瓣膜假体。参见，例如，美国专利号6,113,632。装置可以是用于机械心脏瓣膜的缝合环，由加固环连接、针织织物缝合套和锁紧环组成。参见，例如，美国专利号5,071,431。

假体心脏瓣膜及其组件(例如，环形缝合环)，其可以与按照本发明的一种或多种药物结合，包括可商购的产品，如来自Edwards Lifesciences(Irvine，CA)的Carpentier-Edwards PERIMOUNT(CEP)PericardialBioprosthesis，Carpentier-Edwards S.A.V Aortic Bioprosthesis和EdwardsPRIMA PLUS STENTLESS BIOPROSTHESIS，和来自Medtronic(Minneapolis，MN)的MOSAIC生物假体心脏瓣膜。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或包括抗瘢痕形成剂的组合物的假体心脏瓣膜装置。以上已经描述了用于假体心脏瓣膜的许多聚合物和非聚合物传递系统。将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于装置(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)用纤维变性抑制组合物构建装置本身或装置的一部分，或(f)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上，和/或(g)上述各项的任何组合。

按照本发明，上述任何纤维变性抑制剂可以用于本实施方案的实施。在本发明的一个实施方案中，假体心脏瓣膜可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

因为以各种各样的构型和尺寸制造假体心脏瓣膜，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于假体心脏瓣膜的药剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D3)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于假体心脏瓣膜的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。假体心脏瓣膜之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的假体心脏瓣膜结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25 mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与假体心脏瓣膜一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与假体心脏瓣膜一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

阴茎植入物

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和阴茎植入物装置的组合。一方面，阴茎植入物装载有抗瘢痕药物或包括抗瘢痕形成药物的组合物以防止纤维包覆。

阴茎植入物用于治疗勃起功能障碍并且通常是柔性棒，铰接的棒或具有泵的可膨胀装置。阴茎植入物可以由棒，线圈，可膨胀管和/或压力舱组成，并且可以用于提供勃起功能，增大或提供形状给畸形的或损伤的阴茎。例如，阴茎植入物可以是可植入的聚合物材料，其可以被注入阴茎头的粘膜固有层以便增大雄性生殖器官的阴茎头。参见，例如，美国专利号6,418,934。阴茎植入物可以由一对彼此镜像的弧形的伸长的部分组成，该部分由硅氧烷橡胶制成，所述植入物具有变化的圆周壁厚。参见，例如，美国专利号6,537,204。通过适合于覆盖海绵体的外侧边而不覆盖其上和下侧，阴茎植入物可以用于增加阴茎体积。参见，例如，美国专利号6,015,380。阴茎植入物可以是可膨胀的、自含式植入物，由具有泵的圆柱体组成，所述泵将流体从贮器转移到具有减压阀的压力舱。参见，例如，美国专利号4,898,158和4,823,779。阴茎植入物可以由具有较短近端茎干部分的细长棒组成，其被一层含有多个开口并且在吸水时膨胀的亲水性材料覆盖。参见，例如，美国专利号4,611,584。阴茎植入物可以由至少一个可膨胀管组成，该管与安装的基底具有流体交换，其受植入在阴囊中的手动泵控制。参见，例如，美国专利号6,475,137。阴茎植入物可以是柔性双壁部分圆筒形套，其具有类似风箱的构造，适合于阴茎畸形。参见，例如，美国专利号5,669,870。通过由至少一个具有压力舱的柔性部分组成，阴茎植入物可以用于矫正勃起无力，所述压力舱通过管道与充满流体的储器连接，以便当阀门打开时，加压流体流动。参见，例如，美国专利号4,917,110。阴茎植入物可以由被多条细索支持的不锈钢垫组成，该不锈钢垫被具有硅氧烷环的圆筒包围，所述硅氧烷环可以响应于阴茎的扩张或收缩而纵向移动。参见，例如，美国专利号5,433,694。通过由圆筒形套组成，阴茎植入物可以增加围长和长度，所述圆筒形套具有弹性外层和内部非弹性层，形成封闭的袋以在压力下从流体源接收流体。参见，例如，美国专利号5,445,594。阴茎植入物可以由编织套组成，所述编织套具有外部弹性体表面和内部表面，其具有螺旋排列的沟和肋，以使植入物是有展性的，具有可弯构型和不弯的刚性构型。参见，例如，美国专利号5,512,033。阴茎植入物可以是聚合物基质，具有沉积在所述基质之上或之中的解离的形成软骨的细胞，由此在植入后形成具有可控生物机械性能和拉伸强度的软骨结构。参见，例如，美国专利号6,547,719。阴茎植入物可以由可植入的供应泵、可变形的贮器和传导/分配导管组成，以使血管舒张剂被传递到勃起本体以治疗男性阳痿。参见，例如，美国专利号6,679,832。其它阴茎植入物在例如，美国专利号6,579,230；5,704,895；5,250,020；5,048,5 10和4,875,472中描述。

可以将纤维变性抑制剂结合到装置之中，之上或附近。可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的阴茎植入物包括可商购的产品，如例如，来自Mentor Corporation(Santa Barbara，CA)的TITAN可膨胀阴茎假体和来自American Medical Systems，Inc.(Minnetonka，MN)的AMS阴茎假体产品系列，包括AMS 700 CX CXM，AMS AMBICOR，和AMS Malleable 600M阴茎假体。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物的阴茎植入物装置。以上已经描述了用于阴茎植入物的许多聚合物和非聚合物传递系统。将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于阴茎植入物(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)用纤维变性抑制组合物构建装置本身或装置的一部分，或(f)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上。涂层可以涂布于装置的不同部分。例如，涂层可以是(a)涂布于植入阴茎的阴茎植入物部分的外表面的涂层；(b)涂布于植入阴囊的阴茎植入物部分的外表面的涂层；或(c)涂布于整个装置表面的全部或部分的涂层。

除了用纤维变性抑制组合物涂布装置，可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以便纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。

除了将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上以外，可以将另外的生物活性剂结合到装置之中或之上，例如抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)。

另一方面，装置可以另外包含抗生素或抗生素与抗炎药的组合以便抵抗与阴茎植入物有关的感染。

阴茎植入物的放置可以被下列的感染复杂化(通常在外科手术后最初6个月)：凝固酶阴性葡萄球菌(包括表皮葡萄球菌)，金黄色葡萄球菌，铜绿假单胞菌，肠球菌，沙雷氏菌属和念珠菌属。感染其特征在于发热，红斑，硬结和从手术位点的化脓性引流。感染的通常途径是通过外科手术时的切口，尽管有最好的无菌外科手术技术，多达3％的阴茎植入物被感染。为了帮助抗击该感染，经常采用使用抗生素溶液的术中冲洗。

将药物涂布或将药物结合到阴茎植入物之中可以局部获得杀菌药物水平，由此减少细菌定植(和随后局部感染的发展和装置失效)的发生率，同时产生对药物的可忽略的系统暴露。

抗生素的代表性实例包括阿莫西林，甲氧苄啶-磺胺甲噁唑，阿奇霉素，克拉霉素，克拉维酸-阿莫西林，头孢丙烯，头孢呋辛，头孢泊肟，或头孢地尼)。

其它抗感染化合物的实例包括多柔比星，米托蒽醌，5-氟尿嘧啶和依托泊苷。

将氟嘧啶，5-氟尿嘧啶，用作实例，无论是作为聚合物涂层涂布、结合构成植入物的组分的聚合物、还是不使用聚合物载体涂布，涂布的5-氟尿嘧啶的总剂量不应超过250mg(在1.0μg-250mg的范围)。在特别优选的实施方案中，涂布的药物总量应在10μg-25mg范围。每单位面积的剂量(即作为药物涂布和/或结合的植入物部分的表面积的函数的药物量)应在0.1μg-1mg/mm²表面积的范围。在特别优选的实施方案中，应以1.0μg/mm²-50μg/mm²的剂量将5-氟尿嘧啶涂布在植入物表面。因为不同的聚合物和非聚合物涂层以不同速率释放5-氟尿嘧啶，应将上述给药参数与药物从植入物表面的释放速率结合使用，以便维持10^-4-10^-7M的5-氟尿嘧啶的最低浓度。必须确保表面上的药物浓度超过已知使多种类细菌和真菌致死的5-氟尿嘧啶浓度(即超过10^-4M；不过，就某些实施方案中而言，较低的浓度就足够)。在优选的实施方案中，5-氟尿嘧啶从植入物表面释放以便将抗感染活性维持几小时至几个月的期限。在特别优选的实施方案中，药物在1周-6个月期限内以有效浓度释放。从本文提供的讨论中显然应看出具有相似功能活性的5-氟尿嘧啶的类似物和衍生物(如上所述)可以用于本发明的目的；然后根据类似物或衍生物与母体化合物相比的相对功效调整上述给药参数(例如以上述参数的一半给予功效两倍于5-氟尿嘧啶的化合物，以两倍于上述参数给予功效为5-氟尿嘧啶一半的化合物等)。

可以将抗炎药和抗感染剂配制到例如涂布到阴茎植入物表面的涂层中。可以以数种方式涂布药物：(a)作为涂布在阴茎植入物外表面的涂层；和/或(b)结合到组成阴茎植入物的聚合物中。

按照本发明，上述任何纤维变性抑制剂可以用于本实施方案的实施。在本发明的一个实施方案中，阴茎植入物可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

由于以各种各样的构型和尺寸制造阴茎植入物，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于阴茎植入物的药剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D3)；(H)NF κ B抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于阴茎植入物的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。阴茎植入物之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的阴茎植入物结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10 mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与阴茎植入物装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与阴茎植入物装置一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

气管内管和气管造口插管

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和气管内管和气管造口插管装置的组合。将抗瘢痕形成剂与气管内管或气管造口插管(例如，胸腔管)的联合可以用于防止人工气道的狭窄。

当需要通气辅助时，将气管内管和气管造口插管用于保持气道。气管内管倾向于用于在急性情形中建立气道，而当需要长期通气或当在上部气道具有固定阻塞时使用气管造口插管。

一方面，气管内管可以用于提供机械气体通道，这对于损伤或外科手术期间肺换气可能需要。气管内管可能具有单个腔或双腔，并且可以具有将其位置啮合在器官内的法兰或气囊。例如，气管内管可以由内部和外部柔性管组成，具有辐射状伸展的防止前进超过喉的法兰。参见，例如，美国专利号5,259,371。气管内管可以具有可去除地固定的双腔，其中第一个管状腔可以从气管去除，而第二个管状腔保持未动。参见，例如，美国专利号6,443,156。气管内管可以具有以一个角度连接的气管部分和支气管部分，形成单腔，由此当位于管内的气囊膨胀时，它阻碍气体通过支气管部分流动。参见，例如，美国专利号6,609,521。气管内管可以由两个不同直径的圆筒形部分组成，所述两个不同直径的圆筒形部分被非圆形的锥形部分连接以补充声门，其具有多个薄和柔软的密封鳃，从所述锥形部分延伸。参见，例如，美国专利号5,429,127。气管内管可以由管状部分组成，所述管状部分具有视觉指示器，在将它沿着气道推进时提供远端有斜面的尖端的旋转定向的指导。参见，例如，美国专利号6,568,393。气管内管可以由光反射性有涂层的增强图像传输的内径腔(bore)和柔性的多个通道组成，所述一个通道适合于接收光导纤维束，另一个与可膨胀的套连接，另一个适合于接收有展性的通管丝(stylette)以帮助插入和去除。参见，例如，美国专利号6,629,924。气管内管可以由中空的柔性圆筒形管和连接器组成，所述圆筒形管在其尖端具有环形凸缘，所述连接器具有同心安装在管部分的外部近端表面之上的环形内脊。参见，例如，美国专利号5,251,617。气管内壁可以由具有可膨胀套以密封的主管组成，其具有用于冲洗的双腔和用于去除可能汇集在气管内的分泌物的抽水泵。参见，例如，美国专利号5,143,062。其它气管内管在例如，美国专利号6,321,749；5,765,559；5,353,787；5,291,882和4,977,894中描述。

当咽喉被阻塞时，气管造口插管可以用于提供空气的旁路供应。气管造口插管与填塞器一起使用通过相邻软骨之间的颈部小孔经皮插入气管以帮助呼吸。例如，气管造口插管可以是由软的柔性塑料材料形成的管状套管，其具有锥形的远端末端，该末端是有斜面的、狭窄的、角形的和向下弯曲的以定位在气管内。参见，例如，美国专利号5,058,580。气管造口插管可以由具有可去除的配件的管组成，所述配件安装在可以与管密封的暴露端。参见，例如，美国专利号5,606,966。气管造口插管可以由弓形套管和可旋转的管状弯管组成，所述弓形套管具有在侧面向外伸展的凸缘，所述管状弯管与套管具有流体连接。参见，例如，美国专利号5,259,376和5,054,482。气管造口插管可以由具有气压振动器的两个气道组成，所述气压振动器产生声振动以允许听得见的话音。参见，例如，美国专利号4,773,412。气管造口插管可以由内部套管组成，所述内部套管可去除地容纳在外部套管内，在外部套管和气管之间具有密封套以充分防止气体从气管逃逸和允许通过在内部和外部套管之间形成的第二通道发声。参见，例如，美国专利号4,573,460。气管造口插管可以由第一端口，第二端口和第三连接端口组成以提供通过阀门的控制气流，所述第一端口用于定向在磨损物颈部外部，第二端口用于定向在气管内。第三连接端口通过瓣膜提供或控制气流。参见，例如，美国专利号5,957,978。气管造口插管可以由中空管，可膨胀气囊和法兰组成，所述可膨胀气囊具有互相垂直的突出部，所述法兰提供对咽喉外部的锚定。参见，例如，美国专利号6,612,305。气管造口插管可以由高度柔性的材料和颈板(neck plate)组成，所述材料具有金属线加固，所述颈板具有可以沿着管滑动的套环部分。参见，例如，美国专利号5,443,064。其它气管造口插管在例如，美国专利号6,662,804；6,135,110和5,983,895中描述。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的气管内管包括可商购的产品，如来自Nellcor Puritan Bennett Inc.(Pleasanton，CA)的HI-LO气管，LASER-FLEX气管，和ENDOTROL气管，来自Hudson RCI(Temecula，CA)的SHERIDAN气管内管，和来自C.R.Bard，Inc.(Murray Hill，NJ)的BARD气管内管。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的气管造口插管包括可商购的产品，如来自Nellcor Puritan Bennett Inc.(Pleasanton，CA)的SHILEYTRACHEOSOFT XLT气管造口插管，PHONATE Speaking Valves，和Reusable Cannula Cuffiess气管造口插管，来自Portex，Inc.(Keene，NH)的PER-FIT经皮Dilational气管造口术试剂盒，PORTEX BLUE LINE Cuffed气管造口插管，和BIVONA Uncuffed气管造口插管，和来自Rusch(德国)的CRYSTALCLEAR气管造口插管。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物的气管内和气管造口插管装置。以上已经描述了用于气管内和气管造口插管装置的许多聚合物和非聚合物传递系统。将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于装置(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)用纤维变性抑制组合物构建装置本身或装置的一部分，或(f)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上。涂层可以涂布于装置的不同部分。例如，涂层可以是(a)涂布于气管内和气管造口插管的内(腔)表面的涂层；(b)涂布于气管内管或气管造口插管的外表面的涂层；或(c)涂布于两个表面的全部或部分的涂层。

纤维变性抑制剂可以与用于制备装置的材料混合，以使将纤维变性抑制剂结合到最终装置中。

除了将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上以外，可以将另外的生物活性剂结合到装置之中或之上，例如抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)和/或抗生素(例如，阿莫西林，甲氧苄啶-磺胺甲噁唑，阿奇霉素，克拉霉素，克拉维酸-阿莫西林，头孢丙烯，头孢呋辛，头孢泊肟，或头孢地尼)。

按照本发明，上述任何纤维变性抑制剂可以用于本实施方案的实施。在本发明的一个实施方案中，气管内和气管造口插管装置可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

由于以各种各样的构型和尺寸制造气管内和气管造口插管装置，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于气管内和气管造口插管装置的纤维变性抑制剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D3)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的气管内和气管造口插管装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg。每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²，优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与气管内和气管造口插管装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M ABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与气管内和气管造口插管装置一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

腹膜透析导管

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和腹膜透析导管或用于药物传递的腹膜植入物的组合。

可以将腹膜导管用于腹膜透析。腹膜透析是透析的一种形式，其中血液不是从身体中去除，而是将净化流体放入腹腔，在腹腔中身体的腹膜用作透析膜。透析液与血浆平衡数小时，然后用连带的毒素将平衡后的透析液引流。腹膜导管用外科手术放入腹腔以便将透析液引流到腹腔之中或之外。

腹膜透析导管是典型地双套的和隧道式导管，提供对腹膜的通路。最常见的腹膜透析导管设计是Tenckhoff导管，Swan Neck Missouri导管和Toronto Western导管。在腹膜透析中，腹膜用作半渗透膜，通过该半渗透膜溶质可以向低浓度梯度方向交换。对于需要反复接入腹膜的那些，永久性地植入连续腹膜通路导管。植入的腹膜导管可以用于腹膜透析或将药物传递到腹膜。这些导管可以由合成材料，如硅氧烷，橡胶，聚氨酯或提供柔性的其它聚合物组成。它们可以设计以构造为直管或者可以弯曲和模制为各种各样的形状以提供不同构型，包括螺旋和线圈。腹膜导管可以由一种连续元件组成或者可以分成部分以在一端提供法兰，套，珠粒或圆盘以将导管固定到位。

例如，腹膜导管可以是有弹性的可折叠的T-形罩室，其具有通路端口，所述通路端口具有细长的、柔性流体通道，该通道收集或分配液体如透析液。参见，例如，美国专利号5,322,519。腹膜导管可以由两条线性成对的轮廓为环形截面的流入和流出导管组成，所述导管连接有凹槽的流体输送支路。参见，例如，美国专利号6,659,134。腹膜导管可以由多条管的管道系统组成，具有密封在流体可渗透的封闭结构内的流体孔，所述封闭结构具有缝隙允许流体流动，但是不允许组织附着。参见，例如，美国专利号5,254,084。腹膜导管可以具有二分之一螺旋弯曲以提供径向流动，并且可以由位于其圆周和长度附近的多个入口和出口端口组成，在腹膜内部分之上具有超低温各向同性碳的涂层。参见，例如，美国专利号5,098,413。腹膜导管可以是细长的柔性管，具有与一对空间分开的薄片连接的一个末端，所述薄片向外延伸到体腔内，具有至少一个防止导管感染的套。参见，例如，美国专利号4,368,737。腹膜导管可以由两部分组成，包括永久性地向内生长到腹腔壁中的固定部分和用于传递和抽出透析液的细长柔性管部分。参见，例如，美国专利号4,278,092。腹膜导管可以是在近端和远端之间具有天然弯曲部分的柔性管，其包括在圆周方向以相对于导管的轴非垂直角度伸展的法兰。参见，例如，美国专利号4,687,471。腹膜导管可以是经皮通路装置，由用于皮肤突出的圆筒形颈部分、用于锚定到真皮/皮下组织之中的环形套筒(skirt)部分和可以通过颈和套筒部分穿线的导管组成，所述导管具有可以形成90度角的柔性波纹管。参见，例如，美国专利号4,886,502。腹膜导管可以是柔性的细长管，在壁中具有输送流体的穿孔，具有将管的中央部分装置推进紧密缠绕的圆筒形螺旋构型。参见，例如，美国专利号4,681,570。用于透析的腹膜导管的其它实例在例如，美国专利号6,290,669；5,752,939和5,171,227中描述。

另一方面，可以将腹膜导管用于施用药物到腹膜。例如，腹膜导管可以是具有接收室的皮下注射导管装置，可以通过中空茎干与腹腔连通，所述接收室具有可穿透膜以容纳注射针。参见，例如，美国专利号4,400,169。腹膜导管可以由多孔的外部外壳组成，所述外壳限定了内部空间，该内部空间具有非多孔性材料的入口和出口导管，与外部外壳的开口连通以形成两条通道。参见，例如，美国专利号5,100,392。

腹膜导管的长期使用可导致感染或由于纤维蛋白形成导致的导管阻塞。包括抗瘢痕形成药物的合成的腹膜导管和传递装置能够预防狭窄。

腹膜导管，其可以与按照本发明的一种或多种药剂结合，包括可商购的产品。例如，Cook Critical Care(Bloomington，IN)出售螺旋形慢性腹膜透析导管和Tenckhoff慢性腹膜透析导管。Bard Access Systems(Salt Lake City，UT)出售Tenckhoff和HEMOSPLIT腹膜透析导管。CardioMed Supplies，Inc(ON，Canada)出售单套和双套直腹膜透析导管，以及单套和双套蛇形膜透析导管。出售单和双套、直的和蛇形Tenckhoff套管和其它类型的腹膜导管的其它公司包括Baxter International，Inc.(Deerfield，IL)，FreseniusMedical Care(Lexington，MA)和Gambro AB(Sweden)。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物的腹膜通路导管。以上已经描述了用于腹膜透析植入物和导管的许多聚合物和非聚合物传递系统。

将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于装置(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)用纤维变性抑制组合物构建装置本身或装置的一部分，或(f)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上。涂层可以涂布于装置的不同部分。例如，涂层可以是(a)涂布于植入物外表面的涂层；(b)涂布于植入物内(腔)表面的涂层；(c)涂布于表面套的涂层；(d)涂布于深部套的涂层；或(e)涂布于这些表面的组合的涂层。

可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以便纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。

除了将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上以外，可以将另外的生物活性剂结合到装置之中或之上，例如抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)，抗血栓形成剂(例如，肝素，肝素复合物，疏水性肝素衍生物，阿司匹林，或双嘧达莫)和/或抗生素，包括磺胺类药，青霉素类，头孢菌素类，氨基糖苷类(例如，阿莫西林，甲氧苄啶-磺胺甲噁唑，阿奇霉素，克拉霉素，杆菌肽，多粘菌素，氯霉素，红霉素，克林霉素(clindomycin)，克拉维酸-阿莫西林，头孢丙烯，头孢呋辛，头孢泊肟，或头孢地尼)。

按照本发明，上述任何纤维变性抑制剂可以用于本实施方案的实施。在本发明的一个实施方案中，腹膜透析植入物和导管可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

由于以各种各样的构型和尺寸制造导管装置，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

优选的用于腹膜通路导管和植入物的纤维变性抑制剂包括下列各项：包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的腹膜通路导管装置和植入物结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg.每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：  总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000 mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与腹膜通路导管装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与腹膜通路导管装置一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

中枢神经系统分流装置和压力监视装置

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和中枢神经系统(CNS)装置的组合，所述中枢神经系统(CNS)装置如CNS分流装置或压力监视装置。包含抗瘢痕形成剂的CNS装置能够防止狭窄和装置的阻塞，所述狭窄和装置的阻塞导致脑积水和增加的颅内压。

脑积水，或脑内脑脊髓液(CSF)的积累，是由先天性畸形、感染、出血或恶性肿瘤导致的经常遇到的神经外科病症。不可压缩的流体对脑施压，导致脑损伤或者如果未治疗甚至导致死亡。CNS分流装置是放入脑室中将CSF流从脑转移到其它身体区室和减轻流体压力的管道。将室CSF通过假体分流装置转移到多个引流位置，包括胸膜(脑室胸膜分流)，颈静脉，腔静脉(VA分流)，胆囊和腹膜(VP分流；最常见)。

CNS装置的代表性实例包括，例如，CNS分流装置，如脑室胸膜分流装置，颈静脉和腔静脉(VA)分流装置，和室腹膜分流装置(VP分流装置)，如胆囊和腹膜分流装置；室外引流(EVD)装置；和颅内压(ICP)监视装置。其它CNS装置包括，例如，防止椎板切除术后硬膜外纤维变性的硬膜补片和植入物；和用于连续蛛网膜下输注的装置。

一方面，CNS装置可以是用于将脑内流体引流的引流分流装置。例如，CNS装置可以是由两条管组成的脑脊髓分流装置，其中内管将流体从脑室供应到腹膜区域，外管是安排来在流体体积在外管中积累时对内管施压。参见，例如，美国专利号5,405,316。CNS装置可以是适于与室引流导管连接以接收脑脊髓液的室引流系统，并且具有用于控制流体通过的阀门。参见，例如，美国专利号5,772,625。CNS装置可以是脑室分流装置系统，由防止脑脊髓液回流的脑止回阀和流速转换机构组成，以提供脑脊髓液从脑室导管向腹膜或外耳导管流动。参见，例如，美国专利号4,781,673。CNS装置可以是具有流动限制通道的分流装置构件，所述通道与导管连接以提供从脑室到矢状窦的脑脊髓流体引流。参见，例如，美国专利号6,283,934。CNS装置可以是室-心脏分流装置，具有闭合的远端末端，与其相邻有侧面通道，该通道是多孔的和可扩张的以提供伞样衬管以允许流体通过，同时防止阻塞。参见，例如，美国专利号3,690,323。CNS装置可以是脑积水阀，由具有入口和出口阀的室组成，用于在控制压力下将脑脊髓液从脑发送走。参见，例如，美国专利号5,069,663。CNS装置可以是由外部柔性壳组成的脑积水装置，形成流体贮器和容纳有非阻塞性的自调节阀门，所述阀门具有折叠构件，形成裂缝样开口，具有入口管和出口管。参见，例如，美国专利号5,728,061。CNS装置可以是脑脊髓液引流分流装置，由可植入的主控单元组成，所述主控单元将大脑脊柱空间导管与将流体引流到体腔内的导管互连。参见，例如，美国专利号6,585,677。CNS装置可以是脑脊髓液分流装置，由与柔性引流管连接的室导管组成，其具有外部柔性管状盖子，从该盖子可以拉出引流管。参见，例如，美国专利号4,950,232。CNS装置可以是颅内分流管，由从室管的开口端辐射状地和向外扩展的薄膜组成，所述室管具有多个侧孔以将室脑脊髓液旁路至脑表面上的硬膜下空间。参见，例如，美国专利号5,000,731。其它CNS分流装置描述在例如，美国专利号6,575,928；5,437,626和4,631,051中。

另一方面，CNS装置可以是压力监视装置。例如，压力监视装置可以是颅内压力传感器和将压力从颅骨传递到外部的装置，所述压力传感器被安装在身体颅骨内将要监视压力的位置。参见，例如，美国专利号4,003,141。压力监视装置可以是遥测压差敏感装置，由薄的平面闭合的传导性环组成，在其相反面两个身体压力的差异变化后所述环与柔性的横隔膜一起移动。参见，例如，美国专利号4,593,703。压力监视装置可以由不透射线的(radio-opaque)液体组成，所述液体包含在硅橡胶材料的弹性可压缩容器内，其中液体的体积作为施加到容器上的压力或力量的函数而变化。参见，例如，美国专利号3,877,137。压力监视装置可以是探针，该探针由具有内腔的螺纹轴和啮合锁紧螺母组成，将其通过头皮中的开口插入蛛网膜下隙。参见，例如，美国专利号4,600,013。压力监视装置可以由外部无线电收发机组和可植入的谐振腔单元组成，所述谐振腔具有充满电介质的腔，其对于高频电磁波具有预定的谐振频率。参见，例如，美国专利号5,873,840。压力监视装置可以是可植入的传感器，其检测生理参数(例如，脑脊髓液流动)并然后产生、处理和传递信号到外部接收器。参见，例如，美国专利号6,533,733。其它CNS压力监视装置在例如，美国专利号6,248,080和6,210,346中描述。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的CNS分流装置包括可商购的产品，如来自Codman & Shurtleff，Inc.(Raynham，MA)，Johnson &Johnson Company的Codman HAKIM Programmable Valves。其它实例包括Integra Neuro Sciences(Plainsboro，NJ)HEYER-SCHULTE NeurosurgicalShunts，HERMETIC CSF Drainage Systems，和OSV II SMART VALVESystems和Medtronic，Inc.(Minneapolis，MN)Shunt Assemblies，包括STRATA，DELTA，CSF-Snap和CSF-Flow Control Shunt Assemblies。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的压力监视CNS装置包括可商购的产品，如来自Integra Neuro Sciences(Plainsboro，NJ)的VENTRIX压力监视试剂盒和CAMINO Micro Ventricular Bolt ICP监视导管。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物的CNS装置。以上已经描述了用于CNS装置的许多聚合物和非聚合物传递系统。将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于装置(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)用纤维变性抑制组合物构建装置本身或装置的一部分，或(f)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上。涂层可以涂布于装置的不同部分。例如，涂层可以是(a)涂布于分流装置外表面的涂层；(b)涂布与分流装置内(腔)表面的涂层；或(c)涂布于两个表面的全部或部分的涂层。

可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以便纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。

除了将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上以外，可以将另外的生物活性剂结合到装置之中或之上，例如抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)，抗血栓形成剂(例如，肝素，肝素复合物，疏水性肝素衍生物，阿司匹林，或双嘧达莫)和/或抗生素(例如，阿莫西林，甲氧苄啶-磺胺甲噁唑，阿奇霉素，克拉霉素，克拉维酸-阿莫西林，头孢丙烯，头孢呋辛，头孢泊肟，或头孢地尼)。

按照本发明，上述任何纤维变性抑制剂可以用于本实施方案的实施。在本发明的一个实施方案中，CNS装置可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

由于以各种各样的构型和尺寸制造CNS装置，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

用于CNS装置的纤维变性抑制剂的几个实例包括下列各项：包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκ B抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

与将药物应用于装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的CNS装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg.每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与CNS装置和压力监视装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M ABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与CNS装置和压力监视装置一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

下腔静脉滤器

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和下腔静脉滤器装置的组合。术语下腔静脉滤器是意欲捕获栓子并且防止它们移动通过血流的装置。下腔静脉滤器的实例包括但不限于血管滤器，血液滤器，可植入血液滤器，腔静脉(caval)滤器，腔静脉(vena vaval)滤器，腔静脉过滤装置，血栓形成滤器，血栓滤器，防迁移滤器，过滤装置，经皮滤器系统，血管内捕集器，血管内滤器，凝块滤器，静脉滤器和身体脉管滤器。

下腔静脉滤器捕捉血液凝块以防止它们移动到身体的其它部分形成栓子。如果斑块或血液凝块通过血流迁移和移动到肺并导致肺栓塞，可能威胁生命。为了防止这发生，将下腔静脉滤器放置到身体的大静脉中以在具有(或有风险发展)深静脉血栓形成的患者中防止肺栓塞。最通常这些滤器由合成聚合物或金属构成。这些滤器可以是各种各样的构型，包括，但不限于，筐，圆锥体，伞或环。滤器的形状必须提供足够的捕获能力，同时允许充足的血流。与功能性形状一起，滤器也可以具有其它设计特征，包括用于对准的外周环或防止迁移的锚定特征(例如，脊，支柱或尖点)。当滤器与脉管壁接触以锚定时，可能发生纤维变性反应。这对于保持在适当位置较短时期的滤器而言特别是个问题。将纤维变性抑制剂结合到滤器之中或之上可以减少或防止通过纤维增殖性反应的狭窄或装置的阻塞。

一方面，可以以多种构型设计下腔静脉滤器。例如，下腔静脉滤器可以由多个腔内滤器元件组成，所述元件被固定体保持为滤器构型，该构型可以被释放为开放的斯滕特固定模样构型。参见，例如，美国专利号6,267,776。下腔静脉滤器可以由栓子捕捉部分和锚定部分组成，所述栓子捕捉部分具有多个以螺旋状排列发散以形成锥形表面的细长滤器线，所述锚定部分具有多个支柱。参见，例如，美国专利号6,391,045。下腔静脉滤器可以由构造成产生回声的结构元件(feature)组成，因此滤器位置可以通过声象图检查显影来确定。参见，例如，美国专利号6,436,120。下腔静脉滤器可以由被锚定而向外辐射状的多个核心金属线支柱组成，其通过压缩材料互连以形成滤筐。参见，例如，美国专利号5,370,657。下腔静脉滤器可以由顶端头部组成，其具有圆锥形几何学的多个散开的腿，具有用于固定到脉管的钩和垫。参见，例如，美国专利号5,059,205。下腔静脉滤器可以由过滤装置构成，所述过滤装置由形状记忆/超弹性材料制成，所述材料在用于微创定位的部署/收回金属线部分的远端形成。参见，例如，美国专利号5,893,869。下腔静脉滤器可以由通过固定体连接的多个腔内元件组成，其中在固定体释放后，腔内滤器元件在血管中转换为开放式构型。参见，例如，美国专利号6,517,559和6,267,776。下腔静脉滤器可以由外部导管和内部导管组成，在由弹簧钢丝或塑料单丝制成的远端末端具有可折叠的网眼样滤筐。参见，例如，美国专利号5,549,626。下腔静脉滤器可以由连接在身体元件的多个辐射状的支柱组成，并且具有两层表面处理以提供内皮细胞生长和抗增殖性能。参见，例如，美国专利号6,273,901。下腔静脉滤器可以由金属织物构成，所述织物构造为可以沿着导线滑动的捕获颗粒的筛子。参见，例如，美国专利号6,605,102。下腔静脉滤器可以是非永久性的，具有单个高记忆卷曲线，该卷曲线具有圆筒形和锥形部分。参见，例如，美国专利号6,059,825。其它下腔静脉滤器在例如，美国专利号6,623,506；6,391,044；6,231,589；5,984,947；5,695,518和4,817,600中描述。

可以与按照本发明的一种或多种抗瘢痕形成剂结合的腔静脉滤器包括可商购的产品。可以受益于结合纤维变性抑制剂的腔静脉滤器的实例包括但不限于Cook，Inc.(Bloomington，IN)出售的F_NTHER TULIP腔静脉滤器和GIANTURCO-ROEHM BIRD’S NEST滤器。C.R.Bard(Murray Hill，NJ)出售SIMON-镍钛金属互化物滤器和RECOVERY滤器。CordisCorporation(Miami Lakes，FL)的子公司Cordis Endovascular出售TrapEase永久性腔静脉滤器。B.Braun Medical Inc.(Bethlehem，PA)出售Vena TechLP腔静脉滤器和Vena TecH-LGM腔静脉滤器。Boston ScientificCorporation(Natick，MA)出售Over-the-Wire GREENFIELD腔静脉滤器。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物的下腔静脉滤器装置。以上已经描述了用于下腔静脉滤器装置的许多聚合物和非聚合物传递系统。这些组合物可以另外包含一种或多种纤维变性抑制剂以使肉芽组织的过度生长得到抑制或减少。

将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于装置(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)用纤维变性抑制组合物构建装置本身或装置的一部分，或(f)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上。涂层可以涂布于装置的不同部分。例如，涂层可以是(a)涂布于滤器整条腿的涂层；(b)涂布到滤器尖端以便与血管接触的涂层；和/或(c)涂布于整个滤器装置的全部或部分的涂层。

除了用纤维变性-抑制组合物涂布装置，可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以便纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。

除了将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上以外，可以将另外的生物活性剂结合到装置之中或之上，例如抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)，抗血栓形成剂(例如，肝素，肝素复合物，疏水性肝素衍生物，阿司匹林，或双嘧达莫)和/或抗生素(例如，阿莫西林，甲氧苄啶-磺胺甲噁唑，阿奇霉素，克拉霉素，克拉维酸-阿莫西林，头孢丙烯，头孢呋辛，头孢泊肟，或头孢地尼)。

按照本发明，上述任何纤维变性抑制剂可以用于本实施方案的实施。在本发明的一个实施方案中，腔静脉滤器(例如，下腔静脉滤器)可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

用于腔静脉滤器装置的纤维变性抑制剂的几个实例包括下列各项：包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

由于以各种各样的构型和尺寸制造腔静脉滤器装置，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

与将药物应用于装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的腔静脉装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg.每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5 mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与下腔静脉装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与腔静脉滤器装置一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

胃肠装置

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和胃肠(GI)装置的组合。存在许多用于进食应用和引流应用的胃肠管装置。如果对这些装置存在过度的纤维增殖性反应，这些管的功能可被损害。将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上可以调节该纤维增殖性反应(例如，防止装置的狭窄和/或阻塞)，由此保持装置的性能。

可以将各种用于引流或进食的GI管与纤维变性抑制剂结合以防止装置的狭窄和/或阻塞。这些装置可以包括但不限于用于引流或进食的GI管，门体循环分流装置，用于腹水的分流装置，鼻饲或肠饲管，胃造口术或经皮饲管，空肠造口术内镜管，结肠造口术装置，引流管，胆道T-管，活检钳，胆石去除装置，内镜逆行胰胆管造影术(ERCP)装置，膨胀气囊，肠饲装置，斯滕特固定模，low profile装置，虚拟结肠镜检查(VC)装置，capsule内镜，和挽救装置。

GI装置可以由合成材料构成，所述材料包括但不限于不锈钢，金属，镍钛金属互化物，玻璃，树脂或聚合物。

一方面，GI装置可以是用于检查或提供对胃肠道内部的通路的仪器。这可以包括用于诊断目的的静止成像或视频形式的光学成象。使用这些装置的方法包括但不限于肠镜检查，结肠镜检查或食管胃十二指肠镜检查，其中内镜进入食管或肛管以评估GI道部分。例如，GI装置可以是具有用于接收观测物镜的管状轴和治疗仪器的内镜。参见，例如，美国专利号5,421,323。GI装置可以是多腔内镜导管，其可以通过内镜插入用于实施内镜逆行胰胆管造影术，由此第一个腔具有穿过它的金属线，第二个腔提供导管输注不透射线的造影剂以鉴定阻塞，第三个腔提供管道以膨胀气囊。参见，例如，美国专利号5,788,681和5,843,028。GI装置可以是视频内镜系统，由可吞咽的胶囊、发射机和接收系统组成。参见，例如，美国专利号5,604,531。GI装置可以是由包封的超声换能器胶囊组成的内镜，所述胶囊具有自含式机电扇形扫描器，可以用于经食管心回波描记术。参见，例如，美国专利号4,977,898和4,834,102。GI装置可以是可灭菌的内镜，其具有安装在圆筒形胶囊上的图像传感器和可分离的一次性管道。参见，例如，美国专利号5,643,175。GI装置可以是身体管道侵入仪器，其可以由双向表面摩擦组成，用于在导航过程中啮合组织以降低与插入导管、导线和内镜通过体腔和管道相关的穿孔的危险和时间。参见，例如，美国专利号6,589,213。GI装置可以是结肠通道装置，由具有用于从结肠镜释放的系绳的柔性管道组成，其可以被放置结肠中达数天以监视和治疗结直肠病。参见，例如，美国专利号6,149,581。通过由插入十二指肠中的母内镜和经乳头通过钳通道插入的子内镜组成，GI装置可以适合于胆管或胰管。参见，例如，美国专利号4,979,496。

在另一方面，GI装置可以用作长期管饲的导管。这些GI装置可以包括但不限于经皮饲管，肠饲装置/导管，胃造口术饲管，low profile装置，和鼻饲管。这些长期饲管可以经鼻管通过GI道或经胃造口术通过腹壁推进。例如，GI装置可以是适合用作管道的肠饲导管以将营养通过腹壁传送到身体内，并且具有固定体和可伸缩的锁定装置。参见，例如，专利号4,826,481。GI装置可以是具有管道的肠饲管，其通过具有细长的锥形的导向管和气囊垫而允许易于插入和去除。参见，例如，美国专利号6,582,395。GI装置可以是用于将流体施用于胃中的肠饲装置，其由内孔连接器、柔性饲管、流体排出管和探针组成，其与导向线的外凸端连接。参见，例如，美国专利号5,242,429。GI装置可以是具有弹簧-承载阀的中空的圆筒形细长体，其通过胃壁上的外科手术开口由促进固定的伸出的同心法兰保持。参见，例如，美国专利号4,344,435。GI装置可以是在其远端具有开口的鼻饲管，偶联的导引柔性鞘沿着管纵向延伸。参见，例如，美国专利号4,344,435。GI装置可以是沿着其远端具有开口的鼻饲管，偶联的导引柔性鞘沿着管纵向延伸。参见，例如，美国专利号5,334,167。其它用作饲管的GI装置或相关装置在例如，美国专利号6,582,395；5,989,225；5,720,734；5,716,347；5,503,629；5,342,321；4,861,334；4,758,219和4,057,065中描述。

另一方面，GI装置可以用于冲洗或抽吸GI道。这些GI装置可以例如用于去除摄取的毒物或血液，用于治疗吸收相关的病症，用于给胃减压，用于在手术前确保GI道部分是空的，用于在手术后去除气体，和用于治疗疾病如肠阻塞或麻痹性肠梗阻。例如，GI管可以是细长的和构造以插入GI道，具有用于控制出血的可滑动的治疗装置和与该管偶联的流体贮器。参见，例如，美国专利号5,947,926。GI管可以是鼻饲柔性管，具有弧形的或弯曲的前端以在解剖学上符合和促进向食管和胃的推进。参见，例如，美国专利号5,690,620。GI管可以是鼻饲细长管，其固定地弯曲以从鼻孔延伸而不固定以避免由于施加力量导致鼻中的压迫性坏死。参见，例如，美国专利号4,363,323。GI装置可以由吸气、进食和膨胀腔组成，其用外科手术通过腹鼻和胃壁插入。参见，例如，美国专利号4,543,089。GI装置可以由引流管和冲洗管组成，其具有带套的流体密封，用于肠的单向冲洗。参见，例如，美国专利号4,637,814。GI装置可以是末端开口的、薄壁的、气囊样管形以从至少消化道的一部分延伸，以便传送消化的食物固体并由此治疗吸收相关疾病。参见，例如，美国专利号4,315,509和4,134,405。

另一方面，GI装置可以是结肠造口术装置。例如，结肠造口术装置可以是由中空管状载体和圆柱体组成的人工肛门，所述圆柱体具有一对辐射状伸展的法兰以与构件啮合。参见，例如，美国专利号4,781,176。结肠造口术装置可以由通过管连接的内部和外部气囊与环形支持板组成，所述环形支持板用于与气孔或直肠连接。参见，例如，美国专利号5,569,216。

另一方面，GI装置可以是用于控制GI出血的机械止血装置。用于限制血流的止血装置可以包括但不限于钳，夹，卡钉和缝合线。例如，止血装置可以是由锚和茎干和支持物组成的压缩夹，所述茎干具有横向孔，所述支持物可以是固定的或者可沿着茎干移动。参见，例如，美国专利号6,387,114。止血装置可以是由可变性的材料和穿透组织的一对中空钳口组成的内镜夹。参见，例如，美国专利号5,989,268。

另一方面，GI装置可以是清除阻塞的GI道的装置。例如，GI装置可以是由掩蔽管组成的扩张管，所述掩蔽管具有从内部延伸的应变消除管，用于改变扩张管的构型。参见，例如，美国专利号6,537,247。

另一方面，GI装置可以用于传递药物至GI道。例如，GI装置可以是口服施用的并且由两-室的水-可渗透体组成，其中一个室具有当加压时将液体药物排除的孔，第二个室含有产生气体的电路，所述气体压缩所述第一室以排除药物。参见，例如，美国专利号5,925,030。GI装置可以是可折叠的、椭球的胃锚，其具有系绳和长的狭窄的肠内有效载荷模块，所述有效载荷模块含有缓释药物，束缚酶或非病原微生物。参见，例如，美国专利号4,878,905。GI装置可以是可摄取装置，用于将物质传递到GI道内的选择位点，该装置包括用于给装置能开的部分供以动力的电磁辐射接收器，所述装置能开的部分用于插入或分配物质。参见，例如，美国专利号6,632,216。

一方面，GI装置可以是用于提供两个身体系统之间连通的分流装置。分流装置可以用于治疗异常病症，如旁路身体通道中的阻塞，或者将不希望有的流体积累从体腔转移到其可以被身体处理的位点。例如，作为对腹水的治疗，分流装置可以用于将腹腔流体转移到全身静脉循环中。分流装置可以包括但不限于门体循环分流装置和腹腔静脉分流装置。例如，分流装置可以是由圆筒形室和端口组成的可植入泵，其具有泵吸装置以抽吸流体和排除流体。参见，例如，美国专利号4,725,207。分流装置可以是可植入的腹腔静脉分流系统，由双-室腹水收集装置，泵(例如磁力驱动或压缩驱动的)，和抗-回流导管，其全部通过柔性管道连接。参见，例如，美国专利号4,657,530和4,610,658。分流装置可以由腹膜管组成，该腹膜管与中空塑料植入阀组件连接，当受压时将流体传送到静脉管。参见，例如，美国专利号5,520,632。分流装置可以是可折叠的、形状记忆金属织物，具有多个机织金属股，该机织金属股具有流体的中央通道并且以陷缩状态通过身体管道传递以产生门体循环分流。参见，例如，美国专利号6,468,303。GI装置可以是腹腔镜检查隧道式解剖器，由可膨胀气囊和中空钝末端的填塞器组成，所述填塞器用于隧道贯通组织以为腹腔镜检查操作提供解剖学工作位点。参见，例如，美国专利号5,836,961和5,817,123。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的GI装置包括可商购的产品。

一方面，用于进食目的的GI装置可以包括多种装置。例如，胃造口术管如DURA-G聚氨酯胃造口术管和MAGNA-PORT胃造口术管由Abbott Laboratories的分公司，Ross Products(Columbus，OH)出售。MossTubes，Inc.(West Sand Lake，NY)出售MOSS G-Tube经皮内镜胃造口术试剂盒。其它肠饲管包括，例如，由Ross Products(Columbus，OH)，AbbottLaboratories的分公司，出售EASY-FEED Enteral Feeding Sets。Novartis AG(Basel，瑞士)出售COMPAT Enteral Delivery Systems。VIASYS HealthcareMedsystems Division(Wheeling，IL)出售CORFLO Feeding Tubes。BostonScientific Corporation出售ENDOVIVE Enteral Feeding Systems。Moss Tubes，Inc.(West Sand Lake，NY)出售鼻饲管，如Mark IV鼻(SIL)管。C.R.Bard，Inc.的Bard医疗分部(Covington，Georgia)和Andersen Products Limited(英格兰，英国)也出售多种鼻饲管。Low profile装置，如Low-Profile替换胃造口术装置和Bard Button替换胃造口术装置由Bard Endoscopic Technologies(Billerica，MA)，C.R.Bard，Inc的子公司，出售。

另一方面，GI装置可以包括用于冲洗或抽吸的胃肠管，如NellcorPuritan Bennett Inc.(Pleasanton，CA)出售的LAVACUATOR胃肠管和VENTROL Levine管。

另一方面，GI装置可以包括用作门体循环分流装置或其它分流装置的那些，如W.L.Gore & Associates，Inc.(Newark，DE)出售的VIATORR TIPSEndoprostheses。Denver Biomedical，Inc.(Golden，CO)出售Denver腹水分流装置。Becton，Dickinson and Company(Franklin Lakes，NJ)出售LEVEEN分流装置。

另一方面，GI装置可以包括结肠造口术装置，如Coloplast Corporation(Marietta，GA)出售的AS SURA Pouches和COLOPLAST Pouches。ConvaTec(Princeton，NJ)，一个Bristol-Myers Squibb公司，出售ESTEEM SYNERGYStandard Closed-End Pouches和SUR-FIT NATURA Closed-End Pouches。Cymed Ostomy Company(Berkeley，CA)出售MICROSKIN ColostomyPouching Systems。Hollister Inc.(Libertyville，IL)出售KARAYA 5 One-PiecePouching Systems，CONTOUR I One-Piece Ostomy Pouching Systems，和CENTERPOINTLOCK(CPL)Two-Piece Pouching Systems。C.R.Bard，Inc.的Bard医疗分部(Covington，Georgia)还出售多种Colostomy Pouches。

另一方面，GI装置可以包括扩张导管，如ELIMINATOR多级气囊扩张器，由Bard Endoscopic Technologies(Billerica，MA)，C.R.Bard，Inc.的子公司，出售。CRE固定线和线导气囊扩张器由Boston Scientific Corporation(Natick，MA)出售。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物的GI装置。以上已经描述了许多聚合物和非聚合物传递系统。这些组合物可以另外包含一种或多种纤维变性抑制剂以使肉芽组织的过度生长得到抑制或减少。

将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于装置(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)用纤维变性抑制组合物构建装置本身或装置的一部分，或(f)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上。涂层可以涂布于装置的不同部分。例如，涂层可以是(a)涂布于管外表面的涂层；(b)涂布于管内(腔)表面的涂层；(c)涂布于管末端的涂层；和/或(d)涂布于管两个表面的全部或部分的涂层。

除了用纤维变性-抑制组合物涂布装置，可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以便纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。

除了将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上以外，可以将另外的生物活性剂结合到装置之中或之上，例如抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)，抗血栓形成剂(例如，肝素，肝素复合物，疏水性肝素衍生物，阿司匹林，或双嘧达莫)和/或抗生素(例如，阿莫西林，甲氧苄啶-磺胺甲噁唑，阿奇霉素，克拉霉素，克拉维酸-阿莫西林，头孢丙烯，头孢呋辛，头孢泊肟，或头孢地尼)。

按照本发明，上述任何抗瘢痕形成剂可以用于本实施方案的实施。在本发明的一个实施方案中，GI装置可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

用于GI装置的纤维变性抑制剂的几个实例包括下列各项：包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκ B抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

由于以各种各样的构型和尺寸制造GI装置，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

与将药物应用于装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的GI装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg.每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5 mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000 mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000 mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J) p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与GI装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4 M曲培莫司被保持在装置表面上。。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与GI装置一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

中央静脉导管

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和中央静脉导管(CVC)装置组合。为了本发明的目的，术语“中央静脉导管”应当理解为包括用于将流体传递到身体的大(中央)静脉(例如，颈部的，肺部的，股的，髂的，下腔静脉，上腔静脉，腋的等)的任何导管或线。CVC装置通常是插入身体通道以允许体液注入或抽吸的中空管状套管。可以将CVC插入大静脉，如上腔静脉，导管一部分位于体内，连接端口从身体伸出用于接入循环系统。CVC可以用于施用药物(例如，化学疗法或抗生素疗法)或静脉供给，压力监视或周期性采血。

CVC可以设计具有或不具有套或法兰。套是用于防止导管滑动或者被感染。CVC可以具有一个腔或者多个腔并且在许多尺寸内变化以适合要求的需要。它们可以由合成材料构成，所述合成材料包括，但不限于，聚氨酯，聚乙烯，硅氧烷，共聚物和其它聚合物组合物。

CVC典型地长时间放置在体内并因此可能响应导管而发展感染或炎症。CVC通路导管可以被凝固血或血栓形成所阻塞。也可以提供一些具有涂层和处理的表面的CVC，以将感染和/或炎症的风险最小化。将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上可以调节对装置的过度纤维增殖性应答，其可以防止装置的狭窄和/或阻塞。

一方面，CVC可以设计用于特别地接入循环系统用于特定病症/目的。例如，通过被针状、双腔拉长，CVC可以特别地制备用于血液透析应用，所述双腔可以用作通过AV通路瘘或移植物将药物或添加剂施用到体内的管道。参见，例如，美国专利号5,876,366。CVC可以由适合于放置在上腔静脉内的留置套管组成，所述套管在远端具有出口端口，由此流体药物可以基本上传递到套管周围的皮下组织区域。参见，例如，美国专利号5,817,072。

另一方面，CVC可以设计以提供用于接入循环系统的多个管道。例如，CVC可以是细长的整合的柔性导管，具有多个独立的腔，所述腔可以适合于与流体输送装置连接由此流体可以分别输注到静脉内而不混合，并且血液可以抽吸，在流体输注同时监视静脉压。参见，例如，U.S.4,072,146。CVC可以是由具有形成的流体通道的中央柔性腔和多个陷缩的腔组成的多腔导管，所述陷缩的腔被安装在所述中央腔的周围并且其中也形成流体通道。参见，例如，美国专利号4,406,656。

另一方面，CVC可以具有用于防止由于长期使用导致的感染的装置。例如，CVC可以由聚氨酯组成，在表面上具有薄亲水层，该表面上负载有雷莫拉宁类抗生素以抑制在插入后导管上细菌定植。参见，例如，美国专利号5,752,941。CVC可以由聚合物材料组成，具有被抗微生物金属(例如，银)原子嵌入的外表面，所述金属原子在亚表层扩展形成非沥滤表面处理。参见，例如，美国专利号5,520,664。

另一方面，CVC可以与提供控制体液通过CVC的注射或抽吸的方式的装置一起使用。例如，CVC装置可以由注射器体和两个桶(barrel)组成，所述桶具有两个分开的流体管道，具有独立的柱塞和阀体。参见，例如，美国专利号5,411,485。CVC装置可以由上部和下部模制薄片和多个注射器通道和桶组成，所述桶被注射器柱塞单独地操作。参见，例如，美国专利号5,417,667。CVC装置可以是整体模制的基底薄板，形成相对的滑阀壁，其具有多个安装用于与入口流体连通的注射器。参见，例如，美国专利号5,454,792。通过由在歧管和CVC之间双向流体连通的连接器组成，CVC装置可以由通路装置组成以提供更容易的可达性。参见，例如，美国专利号5,308,322。CVC装置可以是为CVC的远端提供的阀组件以控制从导管的流体通道到插入其的血流通道。参见，例如，美国专利号5,030,210。

中央静脉导管的其它实例包括完全肠胃外营养导管，外周插入的中央静脉导管，定向流动的气囊尖端的(tipped)肺动脉导管，长期中央静脉通路导管(如Hickman lines和Broviac导管)。这些导管的代表性实例在美国专利号3,995,623，4,072,146 4,096,860，4,099,528，4,134,402，4,180,068，4,385,631，4,406,656，4,568,329，4,960,409，5,176,661，5,916,208中描述。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的CVC包括可商购的产品。例如，C.R.Bard的分公司Bard Access Systems(Salt Lake City，UT)出售HICKMAN，BROVIAC和LEONARD中央静脉导管，其可获得具有SureCuff组织向内生长套和VitaCuff抗微生物套。Edward Lifesciences(Irvine，CA)出售VANTEX导管以及PRESEP CENTRAL VENOUSOXIMETRY导管。Cook Critical Care(Bloomington，IN)出售SPECTRUM抗生素浸渍的导管以及其它CVC装置和托盘。Arrow International(Reading，PA)出售具有单个或多个腔的ARROWGARD BLUE导管。

可以获得各种各样的中央静脉导管用于血液透析，包括但不限于完全植入的导管，如Lifesite(Vasca Inc.，Tewksbury，Mass.)和Dialock(BiolinkCorp.，Middleboro，Mass.)。中央静脉导管易受感染并且以上描述了为此的实施方案。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物的CVC装置。以上已经描述了许多聚合物和非聚合物传递系统。这些组合物可以另外包含一种或多种纤维变性抑制剂以使肉芽组织的过度生长得到抑制或减少。

将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于装置(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)用纤维变性抑制组合物构建装置本身或装置的一部分，或(f)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上。涂层可以涂布于装置的不同部分。例如，涂层可以是(a)涂布于管外表面的涂层；(b)涂布于管内(腔)表面的涂层；(c)涂布于管末端的涂层；和/或(d)涂布于管两个表面的全部或部分的涂层。

除了用纤维变性-抑制组合物涂布装置，可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以便纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。

除了将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上以外，可以将另外的生物活性剂结合到装置之中或之上，例如抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)，抗血栓形成剂(例如，肝素，肝素复合物，疏水性肝素衍生物，阿司匹林，或双嘧达莫)和/或抗生素(例如，阿莫西林，甲氧苄啶-磺胺甲噁唑，阿奇霉素，克拉霉素，克拉维酸-阿莫西林，头孢丙烯，头孢呋辛，头孢泊肟，或头孢地尼)。

按照本发明，上述任何抗瘢痕形成剂可以用于本实施方案的实施。在本发明的一个实施方案中，CVC装置可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

用于CVC装置的纤维变性抑制剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

由于以各种各样的构型和尺寸制造CVC装置，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

与将药物应用于装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的CVC装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg.每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5 mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与中央静脉导管装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与中央静脉导管装置一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

心室辅助装置

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和心室辅助装置(VAD)的组合。

心室辅助装置是意欲辅助天然心脏将血液泵送整个身体。VAD和其它相关装置的实例包括但不限于左心室辅助装置，右心室辅助装置，两心室辅助装置，心脏辅助装置，机械辅助装置，人工心脏辅助装置，可植入心脏辅助系统，可植入心室辅助装置，心脏辅助泵和心室内心脏辅助装置。

VAD用于治疗心力衰竭，其中心脏不能以保持充分血流所需的速率将血液泵送整个身体。心力衰竭包括但不限于急性心肌梗死，心肌病，心脏瓣膜功能障碍，广泛心脏手术和无控心律失常。VAD通过增加心脏的泵送能力和允许心脏休息以恢复其正常泵送功能来辅助失效的心脏。通常，VAD典型地由血泵、套管和驱动控制台组成，所述血泵连接在心室和主动脉之间，套管连接泵和心脏，驱动控制台给装置提供动力并控制装置。存在的最常见的VAD是左VAD，因为心脏的左心室比右心室更经常患病；然而，VAD可以用于从左心室，右心室或两个心室中泵送血液。VAD可以通过泵送装置来分类，其可以作为脉动的(例如主动脉内气囊泵)或连续的(例如，往复式活塞类型泵或旋转式泵(离心式或轴向推动器))来发挥功能。

然而，VAD可以具有与植入或长期使用相关的医学并发症，如感染，脓毒性栓子，出血，作为对组织损伤的反应的炎症，和凝固或血瘀导致的血栓形成。这些并发症可以阻碍VAD的效用并且可导致威胁生命的事件。将抗瘢痕形成剂结合到VAD中可以预防狭窄和/或装置的阻塞。

一方面，VAD可以是脉动式泵。这些装置可以具有柔性袋(sack)或隔膜，它们被压缩和释放以提供脉动式泵功能。一种类型的脉动式泵是主动脉内气囊泵(IABP)，其为脉动袋装置，可以使用微创方法实现并且当左心室能够喷射血液以保持全身动脉压时功能最好。例如，VAD可以是IABP，其为通过主动脉下降的主动脉弓内部暂时的可去除的载体，其具有减压和加压位置，通过泵送和阻塞气囊保持。参见，例如，美国专利号6,228,018。VAD可以是IABP导管和泵送室，其具有被柔性隔膜/膜分开的大直径和小直径部分。参见，例如，美国专利号5,928,132。VAD可以是由具有外部鞘和腔的套管、进口和排出阀、流体贮器和液压泵组成的脉动式泵，所述液压泵产生通过导管的血液的抽吸作用。参见，例如，美国专利号6,007,479。

另一方面，VAD可以是连续泵，提供大多稳定的血流，其可以包括难以察觉的脉动组件。连续泵可以包括往复式活塞类型的泵，如气动驱动装置或磁操作装置，和旋转式泵，如离心式或轴向推动器。例如，VAD可以是可植入的装置，具有定子构件和磁悬浮转子构件，用作离心泵，其中推进器将血液从左心室抽出并将其传递到主动脉中，由此减小左心室压力。参见，例如，美国专利号5,928,131。VAD可以由可植入的往复式活塞组成，所述活塞用于驱动植入的血液泵送机构，其受外部电磁铁控制。参见，例如，美国专利号5,089,017。

另一方面，VAD可以是辅助左或右心室中任何一个的泵送能力的装置。例如，VAS可以由具有一对室的罩套装置、至少一个心室外流导管和调节器组成，所述室具有入口和出口端口，所述调节器收缩所述室之一同时扩张另一室以提供容积式泵。参见，例如，美国专利号6,264,601。VAD可以由泵、泵上的室、和连接泵和室的管组成，所述连接使用液体和气体作为连通方式。参见，例如，美国专利号6,146,325。

另一方面，VAD可以是特别设计用于左心室的装置。例如，使用入口流动压力传感器和控制器，VAD可以是适合于连接在左心室和主动脉之间的流动连通中的血泵，所述控制器可以基于传感器的反馈调节泵速。参见，例如，美国专利号6,623,420。VAD可以由袋和装置组成，所述袋适合于通过填充血液膨胀并且能够收缩排除血液，所述装置通过使用气体物质用于改变袋的阻抗，所述气体通过导管至包含的外壳中。参见，例如，美国专利号6,569,079。VAD可以是由可变形的囊和一对板组成的泵系统，所述囊具有入口和出口装置，所述板位于囊的相反侧面以使囊变形。参见，例如，美国专利号5,599,173。

另一方面，VAD可以是设计为两心室辅助装置的装置。例如，VAD可以是由自给式杯组成的两心室辅助装置，所述杯具有在心脏腔周围形成流体室的环形隔膜，由此它具有与流体室连通的压力入口/端口以调节正压和负压。参见，例如，美国专利号5,908,378；5,749,839和5,738,627。

另一方面，VAD可以是用于补充从心脏外位置的血液循环泵送的植入系统。例如，VAD可以是心外泵送系统，由与泵流体偶联的流入和流出导管(例如脉动式或旋转式泵)和控制电路组成以同时开动泵。参见，例如，美国专利号6,610,004；6,428,464和6,200,260。

另一方面，VAD相关装置可以与VAD结合使用或者单独用于治疗充血性心力衰竭受害者。例如，VAD相关装置可以是加强装置，由应用于心脏以约束心脏扩张到预定范围的夹套组成。参见，例如，美国专利号6,582,355；6,567,699；6,241,654和6,169,922。

可以与按照本发明的一种或多种药剂结合的VAD的代表性实例包括可商购的产品。例如，Thoratec公司(Pleasanton，CA)出售HEARTMATE左心室辅助系统。WorldHeart公司(ON，加拿大)出售WORLDHEARTNOVACOR左心室辅助系统。Arrow International(Reading，PA)出售LIONHEART左心室辅助系统。

一方面，本发明提供包括抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物的LVAD装置。以上已经描述了许多聚合物和非聚合物传递系统。这些组合物可以另外包含一种或多种纤维变性抑制剂以使肉芽组织的过度生长得到抑制或减少。

将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上的方法包括：(a)将纤维变性抑制组合物直接附于装置(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将纤维变性抑制组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收纤维变性抑制组合物，(d)通过将纤维变性抑制组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)用纤维变性抑制组合物构建装置本身或装置的一部分，或(f)通过将纤维变性抑制剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上。涂层可以涂布于装置的不同部分。例如，涂层可以是(a)涂布于从左心室引出的管外表面的涂层；(b)涂布于从左心室引出的管内(腔)表面的涂层；(c)涂布于导入主动脉的管的外表面的涂层；(d)涂布于导入主动脉的管的内(腔)表面的涂层；(e)涂布于与心脏组织接触的管的末端的涂层，和/或(f)涂布于整个装置的全部或部分的涂层。

除了用纤维变性-抑制组合物涂布装置，可以将纤维变性抑制剂与用于制备装置的材料混合，以便纤维变性抑制剂被结合到最终装置中。

除了将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上以外，可以将另外的生物活性剂结合到装置之中或之上，例如抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)，抗血栓形成剂(例如，肝素，肝素复合物，疏水性肝素衍生物，阿司匹林，或双嘧达莫)和/或抗生素(例如，阿莫西林，甲氧苄啶-磺胺甲噁唑，阿奇霉素，克拉霉素，克拉维酸-阿莫西林，头孢丙烯，头孢呋辛，头孢泊肟，或头孢地尼)。

按照本发明，上述任何抗瘢痕形成剂可以用于本实施方案的实施。在本发明的一个实施方案中，VAD装置(例如，LVAD’s)可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

用于左心室辅助装置的纤维变性抑制剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

由于以各种各样的构型和尺寸制造心室辅助装置，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

与将药物应用于装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250μg/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的心室辅助装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg.每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20 mg)；优选1μg至5mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与心室辅助装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与心室辅助装置一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

脊柱植入物

一方面，本发明提供抗瘢痕形成剂和脊柱植入物(例如脊柱假体)的组合。如本文所用，术语“脊柱假体”是指位于脊柱之中、之上或附近并且增强脊柱实行其在宿主中的功能的能力的装置。脊柱假体可以用于治疗变性后的脊柱或对脊柱的损伤或其组分或部分。在健康宿主中，脊柱由被椎间盘隔开的脊椎骨板组成，所述椎间盘形成坚固的关节和吸收脊髓压迫。椎间盘由称为髓核的内部凝胶样的物质和称为纤维变性环的周围坚韧的纤维软骨纤维组成。当对椎间盘的损伤发生时，宿主可能发生脊柱功能障碍，断裂痛，以及长期伤残。典型地，对椎间盘的损伤需要外科手术，该外科手术使用各种技术和装置经常导致相邻脊椎骨板的融合。脊椎区段的融合通过限制在受伤椎间盘处的脊柱运动来减轻疼痛。当仅一个脊椎区段被融合时，宿主将不具有任何显著的运动限制。然而，当两个或多个区段被融合时，背部的正常运动可能受限制，因此，由于引入另外的穿过剩余脊椎关节的应力，疼痛减轻可能没有解决。

一方面，损伤脊椎区段可以使用脊柱假体治疗，所述假体诱导脊椎板之间的融合。这可在仅一个脊椎板被损伤时进行。在另一方面，受伤脊椎区段可使用脊柱假体治疗，所述假体保持在脊椎关节内部的脊椎运动。这可以在对多于一个脊椎区段的损伤发生时进行。

脊柱假体的实例包括但不限于脊柱盘和相关装置，包括脊椎植入物，脊椎盘假体，腰椎盘植入物，颈部盘植入物，椎间盘，可植入假体，脊柱假体，人工盘，假体植入物，假体脊柱盘，脊柱盘内假体，脊柱植入物，人工脊柱盘，椎间植入物，可植入脊柱移植物，可植入骨移植物，人工腰椎盘，脊椎核植入物，和椎间盘间隔物。术语脊柱假体另外还包括融合笼和相关装置，包括融合篮，融合笼装置，体间(interbody)笼，体间植入物，融合装置，融合笼锚定装置，骨固定装置，骨固定仪器，骨固定装置，骨稳定化室，融合笼锚定板，锚定骨板和骨螺钉。

按照本发明的脊柱假体可以由单一材料或多种材料组成，所述材料包括但不限于同种移植骨材料(参见，例如，U.S.6,143,033)，金属(参见，例如，U.S.4,955,908)，和/或合成材料(参见，例如，U.S.6,264,695，6,419,706，5,824,093和4,911,718)。假体必须是生物相容性的。它可以由生物可降解的或非生物可降解的组分组成，这取决于装置的预期功能。参见，例如，U.S.4,772,287。脊柱假体可以是生物学惰性的并且用作将脊柱稳定化的机械装置(参见，例如，U.S.4,955,908和5,716,415)或它可以是生物学活性的并且用于促进与相邻脊椎骨板的融合(参见，例如，U.S.5,489,308和6,520,993)。

一方面，假体可以是设计来促进脊椎融合以便限制相邻脊椎之间的运动的融合笼。融合笼可以是体间装置，其配合在椎间空间或者它们可以包围椎间空间和脊柱的前部区域。融合笼可以具有各种形状。例如，融合笼可以具有长方形或者可以是圆筒形并且可以具有多个开口和螺旋状螺纹。融合笼可以具有外部体和中空腔，所述中空腔可以或可以不用于插入骨生长-促进物质以刺激骨融合。例如，假体可以是体间融合笼，具有外部有螺纹的从半球形外部末端伸出的茎干，所述半球形外部末端使用板、扣件和骨螺钉的组件固定。参见，例如，U.S.6,156,037。假体可以是具有有螺纹的外表面的融合笼，适合在将骨生长诱导物质填入笼体时促进与骨结构的融合。参见，例如，U.S.4,961,740，5,015,247，4,878,915和4,501,269。假体可以是通常管状的具有螺旋状的螺纹的壳，多个具有孔的柱突出以促进骨向内生长和机械锚定。参见，例如，U.S.6,071,310和5,489,308。描述有螺纹的脊柱植入物的其它美国专利包括美国专利号5,263,953，5,458,638和5,026,373。

另一方面，假体可以是骨固定装置，其设计来促进脊椎融合以便限制相邻椎骨之间的运动。例如，骨钉、棒、钩、线、楔、板、螺钉和其它元件可以用于固定脊椎区段到位。固定装置可以配合在椎间空间或者它们可以包围椎间空间和脊柱的前部区域，或者它可以仅包围脊柱的前部区域。骨固定装置可以与融合笼一起使用以促进装置在椎间区域内的稳定。例如，假体可以是固体环形体的形式，所述环形体具有在上和下表面上突出的多个离散的骨-啮合齿并且具有可以填充骨生长-促进材料的中央开口。参见，例如，U.S.6,520,993。假体可以具有盘样体，在相反表面上配置有类似焊接点的凸起部分以增强原位横向稳定性。参见，例如，U.S.4,917,704。假体可以由相反末端块和整合的中央元件组成，所述末端块保持椎间空间的高度，所述中央元件直径较小，其中成骨材料被放置在末端块之间的环形袋内。参见，例如，U.S.6,146,420。假体可以由彼此平行伸展的第一和第二侧表面组成，具有啮合相邻脊椎的上和下表面。参见，例如，U.S.5,71 6,415。假体可以是融合稳定室，由中空椎间间隔物和末端部分组成，具有至少一个孔用于固定在周围骨中。参见，例如，U.S.6,066,175。假体可以由金属体组成，从腹部至背部端成圆锥形逐渐变细并且具有多个从相反侧面伸展的鱼尾板，具有用于骨螺钉的开口。参见，例如，U.S.4,955,908。假体可以由一对板和对准装置组成，所述一对板可以具有用于啮合相邻椎骨的突出物，所述对准装置被放置在所述啮合板之间用于分隔板以将它们保持在脊柱前凸对准。参见，例如，U.S.6,576,016。前体可以是并排插入盘空间内的多个植入物，其促进穿过椎间空间的骨融合。参见，例如，U.S.5,522,899。假体可以是由锚定板组成，所述锚定板具有中央部分和末端部分，所述中央部分构造用于与脊椎植入物(例如，融合笼)连接，所述末端部分适合于以固定方式扣紧椎骨的骨区段。参见，例如，U.S.6,306,170。假体可以是由骨板和扣件装置(例如，骨螺钉)组成的骨固定装置。参见，例如，U.S.6,342,055，6,454,769，6,602,257和6,620,163。

另一方面，假体可以是脊柱融合的替代。假体可以是设计来提供脊椎骨板之间的正常运动的盘。所述盘可以用来模拟天然盘的天然震动吸收功能。所述盘可以由中心核心和末端元件组成，所述末端元件支撑盘逆靠相邻椎骨，或者它可以用来替换天然椎间盘的仅一部分(例如，髓核)。例如，所述盘可以是夹在两个刚性板之间的弹性体区段。参见，例如，U.S.6,162,252；5,534,030，5,017,437和5,031,437。所述盘可以是细长的假体盘核，由水凝胶核和约束的柔性夹套组成，所述夹套允许核变形和重新形成。参见，例如，U.S.5,824,093。所述盘可以由刚性的上和下凹-凸元件和核心体组成，所述核心体位于凹表面之间而允许运动。参见，例如，U.S.6,156,067。所述盘可以是由核心组成的部分脊柱假体，所述核心由弹性材料如硅氧烷聚合物或弹性体制备，被由刚性材料制成的外壳覆盖，所述外壳与相邻椎骨接触。参见，例如，U.S.6,419,706。通过使用脊柱核植入物，所述盘可以仅替换髓核组织，所述脊柱核植入物由可膨胀的、仿生的塑料组成，具有疏水和亲水段，可以原位膨胀以与天然尺寸和形状一致。参见，例如，U.S.6,264,695。所述盘可以由中央核心组成，所述中央核心由生物相容性弹性体形成，被由弹性体和纤维制成的多层薄层包覆。参见，例如，U.S.4,911,718。所述盘可以由流体填充的内部囊和外层坚固的惰性纤维组成，所述纤维混合有生物可吸收的促进组织向内生长的材料。参见，例如，U.S.4,772,287。

另一方面，脊柱植入物可以是减小脊柱压缩或减少粘连的装置，所述粘连可能由于脊柱外科手术和/或外伤造成。例如，装置可以是保护装置，由防护物组成以配合到后部表面上的至少一个薄层之上，防止手术后对脊柱硬膜的粘连形成。参见，例如，美国专利号5,437,672和5,868,745和美国专利申请号2003/0078588。装置可以是具有补片凸缘和缝合凸缘的假体，所述缝合凸缘在补片周围环形延伸，因此补片之下的组织被防护并且有效地对瘢痕生长非粘连。参见，例如，美国专利号5,634,944。装置可以是保护性的插入屏障物，由生物相容性防护物组成，在脊柱内或脊椎外科手术后使用以防止手术后粘连而结合到脊柱神经之上。参见，例如，美国专利号4,013,078。通过具有由外表向外伸展的微结构构成的外形的表面，装置可以用于神经减压，同时减少神经组织附近的纤维组织形成。参见，例如，美国专利号6,106,558和美国专利申请号2003/0078673。

可以与按照本发明的一种或多种药物结合的脊柱假体和其它脊柱植入物包括可商购的产品。Medtronic Sofamor Danek(Memphis，TN)出售融合笼产品INTERFIX有螺纹的融合装置。Centerpulse Spine-Tech(Minneapolis，MN、)出售BAK/C Cervical Interbody Fusion System融合笼产品和CERVI-LOK Cervical Fixation System固定装置。Spinal Concepts(Austin，TX)出售SC-ACUFIX Anterior Cervical Plate System。DePuy Spine，Inc.(Raynham，MA)出售脊柱盘，ACROFLEX TDR假体和

人工盘。Synthes-Stratec(瑞士)出售PRODISC系统，包括PRODISC Cervical-C IDE盘代替品。Raymedica，Inc.(Minneapolis，MN)出售PDN(PROSTHETICDISC NUCLEUS)。

以上已经描述了可以与脊柱植入物结合使用的许多聚合物和非聚合物载体系统。将纤维变性抑制剂结合到脊柱植入物之中或之上可以将植入物附近的纤维变形(或瘢痕形成)最小化并且可以减少或预防植入物和周围组织之间的粘连形成。

一方面，本发明提供脊柱植入物，其包括抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物以抑制装置和周围骨之间的瘢痕形成和粘连。

将抗纤维形成组合物结合到脊柱植入物之中或之上的方法包括：(a)将抗纤维形成组合物直接附于装置(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(b)将抗纤维形成组合物直接结合到装置中(例如，通过如上所述的喷雾方法或浸渍方法，使用或不使用载体)，(c)通过用诸如水凝胶的物质涂布装置，所述物质又将吸收抗纤维形成组合物，(d)通过将抗纤维形成组合物涂布的线(或聚合物本身形成线)交织到装置结构中，(e)通过将膜或网眼与脊柱假体结合，所述膜或网眼由抗纤维形成组合物组成或者用其涂布，(f)用抗纤维形成组合物构建装置本身或装置的一部分，或(g)通过将抗-纤维生成剂直接共价结合于装置表面或接头(小分子或聚合物)，所述接头涂布或连接到装置表面上。对于这些装置，涂层方法可以以这样的方式进行，即a)涂布装置的外表面，b)涂布装置的内表面或c)涂布装置的外表面和内表面的全部或部分。

一方面，脊柱植入物(例如，可植入笼或盘)涂布有抗瘢痕形成剂或包括抗瘢痕形成剂的组合物。在某些方面，脊柱植入物可以在装置的一部分上涂布(或适合于包含)抗瘢痕形成剂并且在装置的另一部分上涂布纤维变形诱导剂(例如，丝或滑石)。例如，植入物的外表面(例如，脊椎植入物)可以涂布有纤维变形诱导剂以改善装置和周围组织之间的粘连，同时装置的内部可以涂布有抗瘢痕形成剂以将组织与植入物内部的粘连最小化。与脊柱植入物结合的纤维变形诱导剂的实例和使用纤维变形诱导剂的方法在2003年11月20日(U.S.序列号60/524,023)和2004年6月9日(U.S.序列号60/578,471)提出的题为“医用植入物和纤维变性诱导剂”的共同待审申请中描述。

除了用抗纤维形成组合物涂布装置，抗-纤维生成剂可以与用于制备装置的材料混合以使将抗-纤维生成剂结合到最终装置中。

除了将纤维变性剂应用于脊柱植入物，(a)在安置假体之前，(b)安置假体之后和/或(c)在安置假体之前和之后，可以将另外包含纤维变性抑制剂的原位形成组合物、凝胶或热胶凝组合物施用到脊柱假体的安置位点。

对于原位形成、热胶凝和凝胶组合物，可以将纤维变性抑制剂直接结合到制剂中以产生混悬液或溶液或者可以将它结合到第二载体(例如，胶束，脂质体，微球体，微粒，纳米球，微颗粒，乳剂和/或微乳剂)中，然后将其结合到原位形成组合物中。在另一实施方案中，纤维变性抑制剂可与原位形成组合物的一种或多种聚合物组分静电或共价结合。

在另一实施方案中，可以将纤维变性抑制剂结合到生物可降解的或可溶解的膜或网眼中，然后在假体/植入物植入之前或之后将其应用于治疗位点。优选用于制备这些膜或网眼的材料是透明质酸(交联的或非交联的)，纤维素衍生物(例如，羟丙基纤维素)，PLGA，PolyActive，胶原蛋白和交联聚(乙二醇)。

在另一实施方案中，(a)在安置假体之前，(b)安置假体之后和/或(c)在安置假体之前和之后，可以将另外包含纤维变性抑制剂的溶液或混悬液应用于脊柱假体的安置位点。可以将纤维变性抑制剂直接结合到制剂中以产生混悬液或溶液或者可以将它结合到第二载体(例如，胶束，脂质体，微球体，微粒，纳米球，微颗粒，乳剂和/或微乳剂)中，然后将其结合到原位形成组合物中。可以在假体安置之前或之后将该溶液或混悬液应用(喷雾，擦，滴等)于治疗之上。

除了将纤维变性抑制剂结合到装置之中或之上以外，可以将另外的生物活性剂结合到装置之中或之上，例如抗炎药(例如，地塞米松或阿司匹林)，抗血栓形成剂(例如，肝素，肝素复合物，疏水性肝素衍生物，阿司匹林，或双嘧达莫)和/或抗生素(例如，阿莫西林，甲氧苄啶-磺胺甲噁唑，阿奇霉素，克拉霉素，克拉维酸-阿莫西林，头孢丙烯，头孢呋辛，头孢泊肟，或头孢地尼)。

按照本发明，上述任何粘连或纤维变性诱导剂可以用于本实施方案的实施。在本发明的一个实施方案中，脊柱植入物可以适合于释放抑制纤维变性(或瘢痕形成)过程四种一般部分中的一个或多个的药剂，所述四个一般部分包括：形成新血管(血管生成)，结缔组织细胞(如成纤维细胞或平滑肌细胞)的迁移和增殖，胞外基质(ECM)的沉积，和重建(纤维变性组织的成熟和组织化)。通过抑制纤维变性(或瘢痕形成)的一个或多个部分，可以抑制或减少肉芽组织的过度生长。

用于脊柱植入物的纤维变性抑制剂的几个实例包括下列各项：细胞周期抑制剂，包括(A)蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)，(B)紫杉烷(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，和(C)鬼臼毒素(例如依托泊苷)；(D)免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司)；(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)；(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)；(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)；(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)；(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)，(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)，和(K)血管生成抑制剂(例如，溴化卤夫酮)，以及上述各项的类似物和衍生物。

由于以各种各样的构型和尺寸制造脊柱植入物，施用的精确剂量随着装置尺寸、表面积和设计而变化。然而，某些原则可以适用于该领域的应用。药物剂量可以作为每单位面积(涂布的装置部分)的剂量的函数来计算，可以测定施用的总药物剂量和活性药物的适当表面浓度。药物使用的浓度范围为典型地用于单一化疗全身剂量施用中的浓度的数倍至其10％，5％，或甚至小于1％。优选地，该药物以有效浓度释放1-90天的时期。

与将药物应用于装置的方法无关，单独或联合使用的典型的抗-纤维生成剂应当按照下列剂量给药指导施用。装置之中或之上的抗瘢痕形成剂的总量(剂量)可以在下列范围内：约0.01μg-10μg，或10μg-10mg，或10mg-250mg，或250mg-1000mg，或1000mg-2500mg。每单位面积涂布药剂的装置表面的抗瘢痕形成剂的剂量(量)可以在下列范围内：约0.01μg/mm²-1μg/mm²，或1μg/mm²-10μg/mm²，或10μg/mm²-250μg/mm²，250g/mm²-1000μg/mm²，或1000μg/mm²-2500μg/mm²。

以下提供的是可以与按照本发明的脊柱植入物和装置结合使用的各种抗瘢痕形成剂的典型剂量范围。A)细胞周期抑制剂，包括多柔比星和米托蒽醌。多柔比星类似物及其衍生物：总剂量不超过25mg(范围为0.1μg至25mg)；优选1μg至5mg.每单位面积的剂量为0.01μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.1μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M的多柔比星被保持在装置表面上。米托蒽醌及其类似物和衍生物：总剂量不超过5mg(范围为0.01μg至5mg)；优选0.1μg至1mg。每单位装置面积的剂量为0.01μg-20μg/mm²；优选的剂量为0.05μg/mm²-3μg/mm²。最小浓度的10^-8-10⁴M米托蒽醌被保持在装置表面上。B)细胞周期抑制剂，包括紫杉醇及其类似物和衍生物(例如，多西他赛)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M紫杉醇被保持在装置表面上。(C)细胞周期抑制剂如鬼臼毒素(例如依托泊苷)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依托泊苷被保持在装置表面上。(D)免疫调节剂，包括西罗莫司和依维莫司。西罗莫司(即，雷帕霉素，RAPAMUNE)：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²；优选的剂量为0.5μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M被保持在装置表面上。依维莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应当超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(E)热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)及其类似物和衍生物：总剂量不超过20mg(范围为0.1μg至20mg)；优选1μg至5 mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M格尔德霉素被保持在装置表面上。(F)HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M辛伐他汀被保持在装置表面上。(G)肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M麦考酚酸被保持在装置表面上。(H)NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)及其类似物和衍生物：总剂量不超过200mg(范围为1.0μg至200mg)；优选1μg至50mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-100μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-50μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M Bay 11-7082被保持在装置表面上。(I)抗霉菌剂(例如硫康唑)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M硫康唑被保持在装置表面上。(J)p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)及其类似物和衍生物：总剂量不超过2000mg(范围为10.0μg至2000mg)；优选10μg至300mg。每单位装置面积的剂量为1.0μg-1000μg/mm²；优选的剂量为2.5μg/mm²-500μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-3M SB202190被保持在装置表面上。(K)抗血管生成剂(例如，溴化卤夫酮)及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M溴化卤夫酮被保持在装置表面上。

除了以上描述的那些(例如，西罗莫司，依维莫司，和他克莫司)，与脊柱装置一起使用的免疫调节剂的几个其它实例和适当剂量范围包括下列各项：(A)Biolimus及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M依维莫司被保持在装置表面上。(B)曲培莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M曲培莫司被保持在装置表面上。(C)金诺芬及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M金诺芬被保持在装置表面上。(D)27-0-去甲雷帕霉素其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M 27-0-去甲雷帕霉素被保持在装置表面上。(E)胍立莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M胍立莫司被保持在装置表面上。(F)吡美莫司及其衍生物和类似物：总剂量不应超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M吡美莫司被保持在装置表面上。和(G)ABT-578及其类似物和衍生物：总剂量不应超过10 mg(范围为0.1μg至10mg)；优选10μg至1mg。每单位面积的剂量为0.1μg-100μg/mm²表面积；优选的剂量为0.3μg/mm²-10μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4MABT-578被保持在装置表面上。

除了上述那些(例如，紫杉醇，泰索帝和多西他赛)，与网眼和膜一起使用的抗微管剂的几个其它实例和适当剂量范围包括长春花属生物碱，如长春碱和硫酸长春新碱及其类似物和衍生物：总剂量不超过10mg(范围为0.1μg至10mg)；优选1μg至3mg。每单位装置面积的剂量为0.1μg-10μg/mm²；优选的剂量为0.25μg/mm²-5μg/mm²。最小浓度的10^-8-10^-4M药物被保持在装置表面上。

对于本领域技术人员显而易见的是，上述任何抗瘢痕形成剂可能可以单独或联合用于本实施方案的实施。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的血管生成抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的趋化因子受体拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的细胞周期抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的蒽环霉素(例如，多柔比星和米托蒽醌)。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的紫杉烷(例如，紫杉醇或紫杉醇的类似物或衍生物)。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的鬼臼毒素(例如，依托泊苷)。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的长春花属生物碱。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的喜树碱或其类似物或衍生物。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的铂化合物。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的亚硝基脲。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的硝咪唑。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的叶酸拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的胞苷类似物。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的嘧啶类似物。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的氟嘧啶类似物。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的嘌呤类似物。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的氮芥。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的羟基脲。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的丝裂霉素。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的烷基磺酸盐。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的苯甲酰胺。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的烟酰胺。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的卤化糖。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的DNA烷化剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的抗微管剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的拓扑异构酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的DNA裂解剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的抗代谢物。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的抑制腺苷脱氨酶的药剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的抑制嘌呤环合成的药剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的核苷酸互变抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的抑制二氢叶酸还原的药剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的阻断胸苷一磷酸的药剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的导致DNA损伤的药剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的DNA嵌入剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的RNA合成抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的嘧啶合成抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的抑制核糖核苷酸合成或功能的药剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的抑制胸苷一磷酸功能的药剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的抑制DNA合成的药剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的导致DNA加合物形成的药剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的抑制蛋白质合成的药剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的抑制微管功能的药剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的免疫调节剂(例如，西罗莫司，依维莫司，他克莫司及其类似物或衍生物)。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的热激蛋白90拮抗剂(例如，格尔德霉素)。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的HMGCoA还原酶抑制剂(例如，辛伐他汀)。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的肌苷一磷酸脱氢酶抑制剂(例如，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃)。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的NFκB抑制剂(例如，Bay 11-7082)。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的抗霉菌剂(例如硫康唑)。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的p38 MAP激酶抑制剂(例如，SB202190)。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的表皮生长因子激酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的弹性蛋白酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的Xa因子抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的法呢酰基转移酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的血纤蛋白原拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的鸟苷酸环化酶刺激剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的IKK2抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的IL-1拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的ICE拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的IRAK拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的IL-4激动剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的白三烯抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的MCP-1拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的MMP抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的NO激动剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的磷酸二酯酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的TGFβ抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的血栓烷A2拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的TNFa拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的TACE抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的酪氨酸激酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的玻连蛋白抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的成纤维细胞生长因子抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的蛋白质激酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的PDGF受体激酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的内皮生长因子受体激酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的视黄酸受体拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的fibronogin拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的二膦酸盐。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的磷脂酶A1抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的大环内酯抗生素。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的GPIIb/IIIa受体拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的内皮缩血管肽受体拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的雌激素受体试剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的促生长素抑制素(somastostatin)类似物。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的神经激肽1拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的神经激肽3拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的VLA-4拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的破骨细胞抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的血管紧张肽I转化酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的血管紧张肽II拮抗剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的脑啡肽酶抑制剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。在不同方面，本发明提供医用装置，其含有上述剂量的蛋白激酶C抑制剂。

提供下列实施例以举例说明而非通过任何方式限制。

实施例

实施例1

聚对亚苯基二甲基涂层

冠脉斯滕特固定模(coronary stent)的金属部分通过将其浸入HPLC级的异丙醇中来洗涤。然后将清洁的装置用聚对亚苯基二甲基涂层涂布，使用聚对亚苯基二甲基涂布机和二-对-亚二甲苯基或二氯-二-对-亚二甲苯基作为涂层给料物质。该方法可以用于涂布其它类型的包括金属部分的医用装置(例如，外周斯滕特固定模，覆盖的斯滕特固定模，导线，分流装置，GI引流管，和吻合连接器)。

实施例2

紫杉醇涂层-末端涂层

通过将紫杉醇溶解在5mL HPLC级THF中来制备紫杉醇溶液。然后将聚对亚苯基二甲基涂布的冠脉斯滕特固定模(如实施例1制备)的末端浸入紫杉醇/THF溶液。在不同温育时间后，取出装置并在强制通风炉(50℃)中干燥。然后将装置进一步在真空炉中干燥过夜。改变用于每种溶液中的紫杉醇的量以便涂布在装置末端之上的紫杉醇的量范围为0.06mg/mm²至10mg/mm²。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。该方法可以用于涂布其它类型的包括金属部分的医用装置(例如，外周斯滕特固定模，覆盖的斯滕特固定模，导线，GI引流管，分流装置，和吻合连接器)。

实施例3

紫杉醇涂层-完全涂层

通过将紫杉醇溶解在5mL HPLC级THF中来制备紫杉醇溶液。然后将聚对亚苯基二甲基涂布的冠脉斯滕特固定模(如实施例1制备)完全浸入紫杉醇/THF溶液中。在不同温育时间后，取出装置并在强制通风炉(50℃)中干燥。然后将装置进一步在真空炉中干燥过夜。改变用于每种溶液中的紫杉醇的量以便涂布在装置末端之上的紫杉醇的量范围为0.06mg/mm²至10mg/mm²。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：紫杉醇，米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。该方法可以用于涂布其它类型的涂布聚对亚苯基二甲基的包括金属部分的装置(例如，外周斯滕特固定模，覆盖的斯滕特固定模，导线，GI引流管，分流装置，和吻合连接器)。

实施例4

聚对亚苯基二甲基外涂层(overcoat)的应用

将紫杉醇涂布的装置放置在聚对亚苯基二甲基涂布机中，另外一薄层聚对亚苯基二甲基被沉积在紫杉醇涂布的装置之上(参见实施例2或3)。涂层的持续时间是改变的，因此聚对亚苯基二甲基面漆的厚度是变化的，因而可以获得紫杉醇的不同洗脱曲线。

实施例5

产生回声的(echogenic)涂层的应用

Desmodur(Bayer AG，德国)，一种异氰酸酯预聚物，被溶解在二甲亚砜和四氢呋喃的50∶50混合物中。然后将紫杉醇/聚对亚苯基二甲基涂覆的冠脉斯滕特固定模(如实施例4制备)浸入预聚物溶液中。然后取出装置，然后将涂层在室温下部分干燥3-5分钟。然后将装置浸入一烧杯水(室温)中3-5分钟，使得聚合反应快速发生。形成产生回声的涂层。该方法可以用于涂布其它类型的装置(例如，外周斯滕特固定模，覆盖的斯滕特固定模，导线，GI引流管，分流装置，和吻合连接器)。

实施例6

紫杉醇/聚合物涂层-末端涂层

使用THF作为溶剂，制备5％的聚(乙烯-共-醋酸乙烯酯)(EVA)溶液(60％醋酸乙烯酯)。将不同量的紫杉醇加入各种EVA溶液。将冠脉斯滕特固定模的末端浸入紫杉醇/EVA溶液。在从溶液中取出末端-涂布的装置后，通过将装置放置在强制通风炉(40℃)中3小时将涂层干燥。然后将涂布的装置进一步在真空下干燥24小时。可以重复浸入涂层的步骤以提高聚合物/紫杉醇涂布在装置之上的量。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。该方法可以用于涂布其它类型的装置(例如，中央静脉导管，心室辅助装置，外周斯滕特固定模，和鼻斯滕特固定模)。

实施例7

紫杉醇-肝素涂层-末端涂层

使用THF作为溶剂，制备5％的聚(乙烯-共-醋酸乙烯酯)(EVA)溶液(60％醋酸乙烯酯)。将不同量的紫杉醇和三(十二烷基)甲基氯化铵-肝素复合物(PolySciences)加入各自EVA溶液中。将吻合连接器装置的末端浸入紫杉醇/EVA溶液中。在从溶液中取出末端-涂布的装置后，通过将吻合装置放置在强制通风炉(40℃)中3小时将涂层干燥。然后将涂布的吻合装置进一步在真空下干燥24小时。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。该方法可以用于涂布其它类型的装置，包括腹膜透析导管，冠脉斯滕特固定模，外周斯滕特固定模，血液透析通路，导线，分流装置和VAD’s。

实施例8

紫杉醇-肝素/肝素涂层

将紫杉醇-肝素涂布的装置(实施例7)的未涂布部分浸入含有不同量的三(十二烷基)甲基氯化铵-肝素复合物溶液(PolySciences)的5％EVA中。在从溶液中取出末端-涂布的装置后，通过将吻合装置放置在强制通风炉(40℃)中3小时将涂层干燥。然后将涂布的装置进一步在真空下干燥24小时。提供了这样的装置：在装置的末端具有紫杉醇/肝素涂层并且在装置的剩余部分具有肝素涂层。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。该方法可以用于涂布其它类型的装置，包括腹膜透析导管，冠脉斯滕特固定模，外周斯滕特固定模，血液透析通路，导线，分流装置和VAD’s。

实施例9

紫杉醇/聚合物涂层-末端涂层

使用THF作为溶剂，制备聚(苯乙烯-共-异丁烯-苯乙烯)(SIBS)的5％溶液。将不同量的紫杉醇加入各自SIBS溶液中。将中央静脉导管装置的末端浸入紫杉醇/SIBS中。从溶液中取出末端-涂布的装置后，通过将装置放置在强制通风炉(40℃)中3小时将涂层干燥。然后将涂布的装置进一步在真空下干燥24小时。可以重复浸入涂布方法以增加聚合物/紫杉醇涂布到装置之上的量。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。该方法可以用于涂布其它类型的装置，包括腹膜透析导管，冠脉斯滕特固定模，非血管斯滕特固定模，外周斯滕特固定模，血液透析通路，导线，分流装置和吻合连接器，LVAD’s。

实施例10

紫杉醇/聚合物涂层-产生回声的外涂层

将来自实施例9的涂布的CVC装置浸入Desmodur溶液(二甲亚砜和四氢呋喃的50∶50混合物)。然后取出吻合装置，然后将涂层在室温部分干燥3-5分钟。然后将装置浸入一烧杯水(室温)中3-5分钟，使得聚合反应快速发生。形成产生回声的涂层。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。

实施例11

聚合物/产生回声的涂层

使用THF作为溶剂，制备聚(苯乙烯-共-异丁烯-苯乙烯)(SIBS)的5％溶液。将LVAD装置浸入SIBS溶液中。从溶液中取出装置后，通过将装置放置在强制通风炉(40℃)中3小时将涂层干燥。然后将涂布的装置进一步在真空下干燥24小时。

将涂布的装置浸入Desmodur溶液(二甲亚砜和四氢呋喃的50∶50混合物)。然后取出吻合装置，然后将涂层在室温部分干燥3-5分钟。然后将装置浸入一烧杯水(室温)中3-5分钟，使得聚合反应快速发生。将装置在室温下真空干燥24小时。将涂布的装置的末端浸入紫杉醇溶液中。取出装置并在40℃干燥1小时，然后真空干燥24小时。

通过变化紫杉醇的浓度、浸入时间以及紫杉醇溶液的溶剂组成，可以改变聚合物涂层吸收的紫杉醇的量。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。

该方法可以用于涂布其它类型的装置，包括腹膜透析导管，冠脉斯滕特固定模，非血管斯滕特固定模，外周斯滕特固定模，血液透析通路，导线，分流装置和吻合连接器，CVC’s。

实施例12

紫杉醇/硅氧烷涂层-末端涂层

通过将装置暴露于气态四甲基环四硅氧烷，四甲基环四硅氧烷然后通过低能等离子聚合而聚合到装置表面之上，将中央静脉导管涂布硅氧烷层。硅氧烷层的厚度可以通过提高聚合时间而增加。装置末端然后浸入紫杉醇/THF溶液。将紫杉醇吸收到硅氧烷涂层之上。然后将装置从溶液中取出并在强制通风炉中40℃干燥2小时。然后将装置在室温下进一步真空干燥24小时。通过改变紫杉醇/THF溶液的浓度以及改变装置末端浸入紫杉醇THF溶液中的浸入时间，可以改变涂布到装置末端之上的紫杉醇的量。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。该方法可以用于涂布其它类型的装置，包括腹膜透析导管，冠脉斯滕特固定模，非血管斯滕特固定模，外周斯滕特固定模，血液透析通路，导线，GI引流管，分流装置和吻合连接器。

实施例13

肝素涂层

将CNC分流装置浸入含有不同量的三(十二烷基)甲基氯化铵-肝素复合物溶液(PolySciences)的溶液中。在不同温育时间后，取出装置并在强制通风炉(50℃)中干燥。然后将装置进一步在真空炉中干燥过夜。可以用该方法涂布的其它类型的装置包括冠脉斯滕特固定模，外周斯滕特固定模，鼻和窦斯滕特固定模，气管斯滕特固定模，腹膜透析导管，血管移植物，血液透析通路，导线，分流装置，和吻合连接器。

实施例14

喷涂的装置

使用THF作为溶剂，制备聚(苯乙烯-共-异丁烯-苯乙烯)(SIBS)的2％溶液。将不同量的紫杉醇加入各自溶液中。将装置(例如，斯滕特固定模，中央静脉导管，LVAD，吻合连接器，或分流装置)用一对镊子拿住，然后使用喷枪用紫杉醇/聚合物溶液之一喷涂。然后将装置风干。然后使用镊子将装置在一个新位置拿住，涂布紫杉醇/聚合物的第二涂层。将装置风干，然后真空干燥过夜。通过变化溶液中的紫杉醇含量以及通过增加涂布的涂层数目可以改变涂布到装置之上的紫杉醇的总量。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithiloneB，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。

实施例15

药物涂布的覆盖的斯滕特固定模-不可降解的

将覆盖的斯滕特固定模(WALLGRAFT， Boston Scientific Corporation)与旋转的心轴连接。然后将在聚氨酯(Chronoflex 85A)/THF溶液(2.5％w/v)中的紫杉醇溶液(5％w/w)喷雾到覆盖的斯滕特固定模的外表面之上。喷雾溶液的速率是确保移植物材料不受损害或被喷雾溶液饱和。在真空干燥24小时后使得覆盖的斯滕特固定模风干。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。

实施例16

药物涂布的覆盖的斯滕特固定模-可降解的

将WALLGRAFT斯滕特固定模与旋转的心轴(mandrel)连接。然后将PLGA/乙酸乙酯溶液(2.5％w/v)中的紫杉醇(5％w/w)喷雾到覆盖的斯滕特固定模的外表面之上。喷雾溶液的速率是确保移植物材料不受损害或被喷雾溶液饱和。在真空干燥24小时后使得覆盖的斯滕特固定模风干。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：紫杉醇，米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。

实施例17

药物涂布的覆盖的斯滕特固定模-可降解外涂层

将来自实施例15或实施例16的药物涂布的WALLGRAFT斯滕特固定模与旋转的心轴连接。然后将PLGA/乙酸乙酯溶液(2.5％w/v)涂布到覆盖的斯滕特固定模的外表面之上，以使在最初的含有药物的涂层之上形成涂层。喷雾溶液的速率是确保移植物材料不受损害或被喷雾溶液饱和。在真空干燥24小时后使得覆盖的斯滕特固定模风干。

实施例18

装载药物的微球体制剂

将紫杉醇(10％w/w)加入PLGA(50/50，Mw≈54,000)在DCM(5％w/v)中的溶液。将溶液涡旋，然后倒入搅拌的(具有3叶聚四氟乙烯涂布的搅棒的高架搅拌器)PVA水溶液(约89％水解，Mw≈13,000，2％w/v)。搅拌溶液6小时，之后将溶液离心以沉淀微球体。将微球体重悬浮在水中。重复离心-洗涤过程4次。将最后的微球体溶液在丙酮/干冰浴中快速冷冻。然后将冷冻溶液冻干以生产微细粉末。形成的微球体的尺寸可以通过变化搅拌速度和/或PVA溶液浓度来改变。可以将冻干的粉末重悬浮在PBS或盐水中并且可以作为温育液或作为冲洗液用于直接注射。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay11-7082，SB202190，和硫康唑。

实施例19

药物涂布的斯滕特固定模(外部涂层)

将斯滕特固定模浸入聚氨酯(CHRONOFLEX 85A)/THF溶液(2.5％w/v)中。使得涂布的斯滕特固定模风干10秒。然后将斯滕特固定模在粉末紫杉醇中滚动，所述紫杉醇薄薄地散布在一片释放衬垫(liner)之上。滚动过程以这种方式完成，即紫杉醇粉末主要粘着涂布的斯滕特固定模的外侧。将斯滕特固定模风干1小时，接着真空干燥24小时。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay11-7082，SB202190，和硫康唑。

实施例20

药物涂布的斯滕特固定模(外部涂层)具有肝素涂层

将来自实施例19的药物涂布的斯滕特固定模进一步用肝素涂层涂布。将在实施例19中制备的斯滕特固定模浸入肝素-苯扎氯铵复合物(在异丙醇中1.5％(w/v)，STS Biopolymers)。从溶液中取出斯滕特固定模并风干1小时，接着真空干燥24小时。该过程导致覆盖的斯滕特固定模的内表面和外表面都涂布有肝素。

实施例21

覆盖的斯滕特固定模的部分药物涂层

将WALLGRAFT覆盖的斯滕特固定模与旋转的心轴连接。建立掩蔽系统以使仅仅覆盖的斯滕特固定模的外表面中部可以被喷雾。然后将聚氨酯(CHRONOFLEX 85A)/THF溶液(2.5％w/v)中的紫杉醇(5％w/w)溶液喷涂在覆盖的斯滕特固定模的外表面之上。喷雾溶液的速率是确保移植物材料不受损害或被喷雾溶液饱和。在真空干燥24小时后使得覆盖的斯滕特固定模风干。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。

实施例22

药物-地塞米松涂布的覆盖的斯滕特固定模

将WALLGRAFT覆盖的斯滕特固定模与旋转的心轴连接。建立掩蔽系统以使仅仅覆盖的斯滕特固定模的外表面中部可以被喷雾。然后将聚氨酯(CHRONOFLEX 85A)/THF溶液(2.5％w/v)中的紫杉醇(5％w/w)溶液喷涂在覆盖的斯滕特固定模的外表面之上。喷雾溶液的速率是确保移植物材料不受损害或被喷雾溶液饱和。使得覆盖的斯滕特固定模风干。然后重新安排掩蔽以便仅仅覆盖的斯滕特固定模的外表面末端可以被喷雾。然后用地塞米松(10％w/w)/聚氨酯(CHRONOFLEX 85A)/THF溶液(2.5％w/v)涂布覆盖的斯滕特固定模的外表面的末端。在真空干燥24小时后将样品风干。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。

实施例23

药物-肝素涂布的覆盖的斯滕特固定模

将WALLGRAFT覆盖的斯滕特固定模与旋转的心轴连接。建立掩蔽系统以使仅仅覆盖的斯滕特固定模的外表面中部可以被喷雾。然后将聚氨酯(CHRONOFLEX 85A)/THF溶液(2.5％w/v)中的紫杉醇(5％w/w)溶液喷涂在覆盖的斯滕特固定模的外表面之上。喷雾溶液的速率是确保移植物材料不受损害或被喷雾溶液饱和。使得覆盖的斯滕特固定模风干。然后重新安排掩蔽以便仅仅覆盖的斯滕特固定模的外表面末端可以被喷雾。然后用肝素-苯扎氯铵复合物(在异丙醇中1.5％(w/v)，STS Biopolymers)喷雾覆盖的斯滕特固定模的外表面末端。在真空干燥24小时后将样品风干。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。

实施例24

药物-地塞米松涂布的覆盖的斯滕特固定模

将WALLGRAFT斯滕特固定模与旋转的心轴连接。将紫杉醇(5％w/w)和地塞米松(5％w/w)在PLGA(50/50，Mw≈54,000)/乙酸乙酯溶液(2.5％w/v)中的溶液喷雾在覆盖的斯滕特固定模的外表面之上。喷雾溶液的速率是确保移植物材料不受损害或被喷雾溶液饱和。在真空干燥24小时后使得覆盖的斯滕特固定模风干。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：紫杉醇，米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。

实施例25

药物-地塞米松涂布的覆盖的斯滕特固定模

(顺序涂布)

将WALLGRAFT斯滕特固定模与旋转的心轴连接。将紫杉醇(5％w/w)在PLGA(50/50，Mw≈54,000)/乙酸乙酯溶液(2.5％w/v)中的溶液喷雾在覆盖的斯滕特固定模的外表面之上。喷雾溶液的速率是确保移植物材料不受损害或被喷雾溶液饱和。使得覆盖的斯滕特固定模风干。然后将地塞米松的甲醇溶液喷雾到覆盖的斯滕特固定模的外表面之上(速率是确保移植物材料不受损害或被喷雾溶液饱和)。在真空干燥24小时后使得覆盖的斯滕特固定模风干。除了紫杉醇以外，下列各项是可以用于涂布装置的例举性化合物：米托蒽醌，多柔比星，epithilone B，依托泊苷，泰索帝，杀结核菌素，长春碱，格尔德霉素，辛伐他汀，西罗莫司，依维莫司，麦考酚酸，1-α-25二羟基维生素D₃，Bay 11-7082，SB202190，和硫康唑。

实施例26

用于评估各种化合物对巨噬细胞生产一氧化氮的影响的筛选测定

将鼠巨噬细胞系RAW 264.7胰蛋白酶化以从长颈瓶中去除细胞并铺平板于6-孔平板的各个孔中。将约2×10⁶细胞被平板接种在2 mL含有5％热-灭活胎牛血清(FBS)的培养基中。将RAW 264.7细胞在37℃温育1.5小时以使得与塑料粘附。在DMSO中制备米托蒽醌，浓度为10^-2 M并且连续稀释10-倍以获得贮液浓度范围(10^-8M至10^-2M)。然后取出培养基，将细胞在1ng/mL重组鼠IFNγ和5ng/mL LPS中与或不与米托蒽醌在含有5％FBS的新鲜培养基中温育。通过直接将在先以1/1000稀释制备的米托蒽醌DMSO贮液加入各孔，将米托蒽醌加入细胞。将含有IFNγ，LPS加上或减去米托蒽醌的平板在37℃温育24小时(Chem.Ber.(1879)12：426；J.AOAC(1977)60-594；Ann.Rev.Biochem.(1994)63：175)。

在24小时期间结束时，从细胞收集上清液并评估亚硝酸盐的生产。通过将50μL上清液等分试样在96孔平板中并加入50μLGreiss试剂A(0.5g磺胺，1.5mL H₃PO₄，48.5mL ddH₂O)和50μL Greiss试剂B(0.05g N-(1-萘基)-乙二胺，1.5mL H₃PO₄，48.5mL ddH₂O)，一式三份检测每个样品。在微型板分光光度计上在562nm吸光度下立即读取光密度。在减去背景后将一式三份的孔的吸光度取平均值，从亚硝酸盐标准曲线(1μM至2mM)获得浓度值。通过将平均亚硝酸盐浓度和阳性对照(用IFNγ和LPS刺激的细胞)比较来测定50％抑制浓度(IC₅₀)。使用n＝4重复实验的平均值来测定米托蒽醌的IC₅₀值(见，图12(IC₅₀＝927nM))。使用该测定来确定下列另外的化合物的IC₅₀值：IC₅₀(nM)：紫杉醇，7；CNI-1493，249；卤夫酮，12；格尔德霉素，51；茴香霉素，68；17-AAG，840；盐酸表柔比星，769。

实施例27

用于评估各种抗瘢痕形成剂对巨噬细胞的TNF-α生产的影响的筛选测定

将人巨噬细胞系THP-1铺平板在12孔平板之中以使每孔在2 mL含有10％FCS的培养基中含有1×10⁶细胞。通过将20mg酵母聚糖A重悬浮在2mL ddH₂O中并均化直至获得均匀悬浮液来制备调理后的酵母聚糖。将均化的酵母聚糖在250g沉淀并再悬浮在4mL人血清中达到终浓度为5mg/mL，在37℃水浴中温育20分钟以允许调理作用。在DMSO中制备Bay 11-7082，浓度为10^-2M，并且连续稀释10-倍以获得一系列贮液浓度(10^-8M至10^-2M)(J.Immunol.(2000)165：411-418；J.Immunol.(2000)164：4804-4811；J.Immunol Meth.(2000)235(1-2)：33-40)。

通过加入1mg/mL调理的酵母聚糖来刺激THP-1细胞以生产TNFα。通过直接将在先以1/1000稀释制备的DMSO贮液加入各孔，将Bay11-7082加入THP-1细胞。每种药物浓度在一式三份的孔中检测。将平板在37℃温育24小时。

在24小时刺激后，收集上清液以将TNFα生产定量。通过ELISA，使用重组人TNFα以获得标准曲线，测定上清液中的TNFα浓度。将96孔MaxiSorb平板用100μL抗-人TNFα捕获抗体(Capture Antibody)4℃包被过夜，所述抗-人TNFα捕获抗体被稀释在包被缓冲液(0.1M碳酸钠，pH9.5)中。所用捕获抗体的稀释是批次特异性的并且通过经验测定。然后将捕获抗体抽吸，用洗涤缓冲液(PBS，0.05％吐温-20)洗涤平板3次。用200μL/孔测定稀释剂(PBS，10％FCS pH7.0)在室温下封闭平板1小时。在封闭后，用洗涤缓冲液洗涤平板3次。如下制备标样和样品稀释液：(a)将样品上清液稀释1/8和1/16；(b)以500pg/mL制备重组人TNFα，并连续稀释，获得7.8pg/mL至500pg/mL的标准曲线。样品上清液和标样以一式三份测定，并且在加入捕获抗体包被的平板后在室温下温育2小时。洗涤平板5次并与100μL工作检测剂(生物素化抗-人TNFα检测抗体+亲和素-HRP)在室温温育1小时。在该温育后，洗涤平板7次并将100μL底物溶液(四甲基联苯胺，H₂O₂)加入平板并在室温温育30分钟。然后向孔加入终止溶液(2N H₂SO₄)，在450nm读取黄色反应，在570nmλ校正。从一式三份的数据读取测定平均吸光度，并且减去平均背景。从标准曲线获得TNFα浓度值。通过将TNFα浓度与阳性对照(用调理的酵母多糖刺激的THP-1细胞)比较来测定50％抑制浓度(IC₅₀)。使用n＝4重复实验的平均值来测定Bay 11-7082的IC₅₀值(见，图13；IC₅₀＝810nM)和雷帕霉素(IC₅₀＝51nM；图15)。使用该测定来确定下列另外的化合物的IC₅₀值：IC₅₀(nM)：格尔德霉素，14；麦考酚酸，756；吗乙，792；氯丙嗪，6；CNI-1493，0.15；SKF 86002，831；15-脱氧前列腺素J2，742；fascaplycin，701；鬼臼毒素，75；普卡霉素，570；柔红霉素，195；南蛇藤醇，87；色霉素A3，394；长春瑞滨，605；长春碱，65。

实施例28

用于评估纤维变性抑制剂的外科手术粘连模型

将兔子宫角模型用于评估制剂的体内抗-纤维变性能力。将成熟的新西兰白(NZW)雌兔在全身麻醉之下处置。使用无菌预防措施，在中线将腹部以两层打开以暴露子宫。将两个子宫角从腹腔中提出并在导管的FrenchScale上评估尺寸。French Scale上#8和#14之间(2.5-4.5mm直径)的角被认为适合于该模型。两个子宫角和相对的腹壁用#10解剖刀的刀刃以45°角磨损，面积为长2.5cm，宽0.4cm，直至观察到斑点出血。填塞磨损的表面直至停止出血。然后将单个角与腹壁相对并通过两条缝合线固定，所述缝合线位于磨损区域边缘之外2mm。施用制剂并以三层闭合腹部。在14天后，在死后评估动物粘连的程度和严重性，定量和定性评分。

实施例29

用于评估各种化合物对细胞增殖的影响的筛选测定

将70-90％汇合的成纤维细胞胰蛋白酶化，以600细胞/孔重新铺平板于96-孔平板的培养基中，并允许附着过夜。在DMSO中制备米托蒽醌，浓度为10^-2M并连续稀释10倍以获得一系列的贮液浓度(10^-8M至10^-2M)。药物稀释液在培养基中稀释1/1000并加至细胞以获得总体积为200μL/孔。每种药物浓度以一式三份的孔检测。将含有成纤维细胞和米托蒽醌的平板在37℃温育72小时(In vitro toxicol.(1990)3：219；Biotech.Histochem.(1993)68：29；Anal.Biochem.(1993)213：426)。

为了终止测定，通过温和抽吸去除培养基。将CyQuant 400X GR染料指不剂(Molecular Probes；Eugene，OR)的1/400稀释液加入1X细胞裂解缓冲液；将200μL混合物加入平板的孔中。将平板在室温下温育，避光3-5分钟。在荧光微型板读数器中在～480nm激发波长和～520nm发射最大值下读取荧光。通过将一式三份的孔取平均值并将平均值的相对荧光单位与DMSO对照比较，测定50％抑制浓度(IC₅₀)。将n＝4重复实验的平均值用于测定IC₅₀值。使用该测定来确定下列另外的化合物的IC₅₀值：IC₅₀(nM)：紫杉醇，23；米托蒽醌，20；雷帕霉素，19；麦考酚酸，550；吗乙，601；GW8510，98；辛伐他汀，885；多柔比星，84；格尔德霉素，11；茴香霉素，435；17-AAG，106；博来霉素，86；卤夫酮，36；吉非贝齐，164；环丙贝特，503；苯扎贝特，184；盐酸表柔比星，57；topotemay，81；fascaplysin，854；他莫昔芬，13；依他硝唑，55；吉西他滨，7；嘌罗霉素，254；普卡霉素，156；柔红霉素，51；L(-)-紫苏子醇，966；南蛇藤醇，271；anacitabine，225；奥沙利铂(oxalipatin)，380；色霉素A3，4；长春瑞滨，4；伊达比星，34；诺拉霉素，5；17-DMAG，5；epothilone D，2；长春碱，2；长春新碱，7；阿糖胞苷，137。这些化合物中的三种的测定结果在图2，图14和图17中显示。

实施例30

含有紫杉醇的网眼对大鼠气囊损伤颈动脉模型中内膜增生的发展的评估

将大鼠气囊损伤颈动脉模型用于说明含有紫杉醇的网眼系统对安置后14天内膜增生发展的功效。

对照组

用氧气中的1.5％氟烷将重400-500g的Wistar大鼠麻醉，将左颈外动脉暴露。将A 2 French Fogarty气囊栓子切除术导管(Baxter，Irvine，CA)通过颈外动脉中的动脉切开术推进到左颈总动脉直至主动脉。用足够的盐水将气囊膨胀以产生轻微的阻力(约0.02ml)，用扭转运动将其抽出到颈动脉杈。然后将气囊放气，再重复操作两次。该技术产生动脉壁的扩张和内皮的剥蚀。在取出导管后将颈外动脉结扎。右颈总动脉没有损伤并且用作对照。

局部血管周紫杉醇治疗

在左颈总动脉损伤后，立即将1cm长动脉远端区段暴露并用1x1cm含有紫杉醇的网眼治疗。然后闭合伤口并将动物保持14天。

组织学和免疫组织化学

在处死时，用二氧化碳将动物实施安乐死，用10％磷酸盐缓冲甲醛在100mmHg下压力输注15分钟。收获两个颈动脉，并放置在固定剂中过夜。将固定的动脉处理和嵌入石蜡中。在损伤左颈动脉的植入物区域的内部和外部每隔2mm以3μm的厚度切割一系列横切片，在对照右颈动脉中以对应的水平切割。将横切片用Mayer′s苏木精-和-曙红染色用于细胞计数和用Movat′s五色染料染色用于形态测定分析和用于胞外基质组成评估。

结果

从图3-5中明显的是使用紫杉醇网眼制剂的紫杉醇的血管周传递导致内膜增生的显著减少。

实施例31

紫杉醇和其它抗微管剂对基质金属蛋白酶生产的影响

A. 材料和方法

1. IL-1刺激的AP-1转录活性受紫杉醇抑制

用含有AP-1驱动的CAT报告基因的构建体转染软骨细胞，加入IL-1，IL-1(50ng/ml)刺激，并在各种浓度的紫杉醇的存在和不存在下温育24小时。紫杉醇处理以浓度依赖性的方式降低CAT活性(平均值±SD)。按照t-检验，标注星号(^*)的数据与IL-1-诱导的CAT活性具有显著性，P＜0.05。所示结果是三次独立实验的代表。

2. 紫杉醇对IL-1透导的AP-1DNA结合活性，AP-1 DNA的影响

用放射标记的人AP-1序列探针和凝胶迁移率变动分析来测定结合活性。将来自用各种浓度的紫杉醇(10^-7至10^-5M)处理或未处理接着IL-1β(20ng/ml)处理的软骨细胞的提取物与过量探针在冰上温育30分钟，接着非变性凝胶电泳。“com”泳道含有过量的未标记的AP-1寡核苷酸。所示结果是三次独立实验的代表。

3. 紫杉醇对IL-1导的MMP-1和MMP-3mRNA表达的影响

将细胞用不同浓度的紫杉醇(10^-7至10^-5M)处理细胞24小时，然后在紫杉醇的存在下用IL-1β(20ng/ml)处理另外18小时。分离总RNA，通过RNA印迹分析测定MMP-1mRNA水平。将印迹随后刮下并用³²P-放射标记的大鼠GAPDH cDNA重新探测，所述大鼠GAPDH cDNA用作管家基因。所示结果是四次独立实验的代表。定量胶原酶-1和溶基质素-表达mRNA水平。MMP-1和MMP-3的表达水平用GAPDH归一化。

4. 其它抗微管剂对胶原酶表达的影响

从小牛软骨新鲜分离原代软骨细胞培养物。将细胞以2.5×10⁶/ml平板接种在100×20mm培养皿中并在含有5％FBS的Ham′s F12培养基中37°C温育过夜。将细胞在无血清的培养基中饥饿过夜，然后用不同浓度的抗微管剂处理6小时。然后向各个板中加入IL-1(20ng/ml)，将平板温育另外18小时。通过酸化异硫氰酸胍方法分离总RNA，并在变性凝胶上进行电泳。通过在1％变性凝胶中凝胶电泳来分析变性RNA样品(15μg)，转移到尼龙膜上并用³²P-标记的胶原酶cDNA探针杂交。将³²P-标记的磷酸甘油醛脱水酶(GAPDH)cDNA作为内标以确保大致相同的装载。将曝光胶片smayned并用ImageQuant定量分析。

B.结果

1. 对基质金属蛋白酶家族的启动子

图6A显示所有基质金属蛋白酶含有转录元件AP-1和PEA-3，除了明胶酶以外。已经很好地确立基质金属蛋白酶如胶原酶和溶基质素的表达取决于转录因子AP-1的激活。因此，AP-1的抑制剂可以抑制基质金属蛋白酶的表达。

2. 紫杉醇对AP-1转录活性的影响

如图6B所示，IL-1刺激AP-1转录活性5-倍。用紫杉醇将瞬时转染的软骨细胞预处理降低了IL-1诱导的AP-1报告基因CAT活性。因此，IL-1诱导的AP-1活性在紫杉醇处理的软骨细胞中以浓度依赖型方式(10^-7至10^-5M)降低。这些数据说明紫杉醇是软骨细胞中AP-1活性的有效抑制剂。

3. 紫杉醇对AP-1 DNA结合活性的影响

为了证实AP-1活性的紫杉醇抑制不是由于非特异性作用，研究了紫杉醇对IL-1诱导的AP-1与寡核苷酸的结合的影响，该研究使用软骨细胞核裂解物。如图6C所示，IL-1诱导的结合活性在来自软骨细胞的裂解物中降低，所述软骨细胞已经用浓度为10^-7至10^-5M的紫杉醇预处理24小时。AP-1转录活性的紫杉醇抑制与AP-1与DNA的结合的降低紧密相关。

4. 紫杉醇对胶原酶和溶基质素表达的影响

由于紫杉醇是AP-1活性的有效抑制剂，研究了紫杉醇或IL-1诱导的胶原酶和溶基质素表达的影响，涉及炎性疾病中的两种重要基质金属蛋白酶。简而言之，如图6D所示，IL-1诱导增加了软骨细胞中胶原酶和溶基质素mRNA水平。用紫杉醇预处理软骨细胞24小时显著地降低了胶原酶和溶基质素mRNA水平。在10^-5M紫杉醇下，存在完全抑制。结果显示紫杉醇在类似于其抑制AP-1活性的浓度下完全抑制两种基质金属蛋白酶的表达。

5. 其它抗微管剂对胶原酶表达的影响

图7A-H证明了抗微管剂抑制胶原酶表达。胶原酶的表达受IL-1的加入所刺激，IL-1是促炎细胞因子。用各种抗微管剂与软骨细胞预温育都在低至1×10^-7M的浓度下抑制IL-1-诱导的胶原酶表达，所述抗微管剂具体地为LY290181，己二醇，氧化氘，甘氨酸乙酯，乙二醇双-(琥珀酰亚胺基琥珀酸酯)，杀结核菌素，AIF₃，和epothilone。

C. 讨论

紫杉醇能够在10^-6M的浓度下抑制胶原酶和溶基质素的体外表达。由于该抑制可以通过AP-1活性的抑制来解释，AP-1活性是诱导除了明胶酶B以外的所有基质金属蛋白酶的诱导中的一个必需步骤，期望紫杉醇可以抑制AP-1依赖性的其它金属金属蛋白酶。这些基质金属蛋白酶的水平在所有炎性疾病中提高并且在基质降解、细胞迁移和增殖和血管生成中发挥重要作用。因此，基质金属蛋白酶如胶原酶和溶基质素的表达的紫杉醇抑制在炎性疾病中具有有益效果。

除了紫杉醇对胶原酶表达的抑制活性，LY290181，己二醇，氧化氘，甘氨酸乙酯，AIF3，杀结核菌素，和乙二醇双-(琥珀酰亚胺基琥珀酸酯)全部在低至1×10^-7M的浓度下抑制IL-1-诱导的胶原酶表达。因此，抗微管剂能够在各种浓度下抑制AP-1途径。

实施例32

通过紫杉醇抑制血管生成

A. 鸡胚绒毛尿囊膜(″CAM″)测定

将受精的驯养鸡胚在去壳培养之前温育3天。在该过程中，通过去除位于空气隙周围的壳使得卵内容物倒空。然后分隔壳内膜并将壳的相反端穿孔使得卵的内容物轻轻从钝端滑出。将卵内容物倒空到圆底无菌玻璃碗中并用培养皿盖子覆盖。然后将这些放入90％相对湿度和3％CO₂的恒温箱中并温育3天。

将紫杉醇(Sigma，St.Louis，MI)在0.25，0.5，1，5，10，30μg/10ul等分试样的0.5％甲基纤维素溶液的浓度混合。由于紫杉醇在水中是不溶性的，使用玻璃珠以产生微细颗粒。将10微升等分试样的该溶液在parafilm上干燥1小时，形成直径为2mm的盘。然后将干燥的含有紫杉醇的盘小心在温育的第6天放在每个CAM的生长边缘上。通过在相同时程内将不含紫杉醇的甲基纤维素盘放CAM上获得对照。在2天暴露后(温育第8天)借助立体显微镜观察脉管系统。将Liposyn II，一种白色不透明溶液，注射到CAM中以增加脉管细节的可见性。使用Zeiss立体显微镜将未染色的活胚胎的脉管系统成像，所述Zeiss立体显微镜与摄影机(Dage-MTI Inc.，Michigan City，IN)连接。这些视频信号然后在160x放大率下展示并使用图像分析系统(Vidas，Kontron；Etching，德国)捕捉。然后在图解记录器(型号3000；Matrix Instruments，Orangeburg，NY)上制备图像底片。

用0.1M二甲胂酸钠缓冲液中的2％戊二醛浸没8天大的无壳胚胎的膜；在CAM下注射另外的固定剂。在原位10分钟后，取出CAM并放入新鲜固定剂中室温2小时。然后将组织在含有6％蔗糖的二甲胂酸盐缓冲液中洗涤过夜。将目标区域在1％四氧化锇中后4℃固定1.5小时。然后将组织在梯度系列的乙醇中脱水，与环氧丙烷进行溶剂交换，并嵌入Spurr树脂中。用金刚钻刀切割薄切片，放置在铜网上，染色，并在Joel 1200EX电子显微镜下观察。类似地，切割0.5mm切片并用甲苯蓝染色以用于光学显微镜检查。

在发育第11天，将鸡胚用于腐蚀铸造(casting)技术。使用30-规格的皮下注射器针头将Mercox树脂(Ted Pella，Inc.，Redding，CA)注入CAM脉管系统。铸造材料由2.5g Mercox CL-2B聚合物和0.05g催化剂(55％过氧化苯甲酰)组成，具有5分钟聚合时间。在注射后，使得塑料室温原位搁置1小时，然后在65℃炉中过夜。然后将CAM放置在50％氢氧化钠水溶液中以消化所有有机组分。将塑料铸型在蒸馏水中广泛洗涤，风干，用金/钯涂布，并用Philips 501B smayning电子显微镜观察。

测定结果如下。在温育第6天，胚胎中央定位到血管辐射状扩展的网络中；CAM发展到胚胎附近。这些生长的血管位于表面附近并且易于可见，使得该系统成为研究血管生成的理想模型。活的、未染色的CAM毛细血管网络可以使用立体显微镜非入侵地成像。

通过CAM的横切片显示由双细胞层组成的外部外胚层，较广的含有毛细血管的中胚层和内部单一内胚层细胞层，所述毛细血管直接位于外胚层，外膜细胞之下。在电子显微镜水平下，显示CAM毛细血管的典型结构细节。典型地，这些脉管的位置与外胚层的内细胞层紧密关联。

在暴露于浓度为0.25，0.5，1，5，10，或30μg的紫杉醇48小时后，在活体条件下用装配有视频/计算机界面的立体显微镜检查每个CAM，以便评估血管生成的影响。在160x的放大率下使用该成像装置，该放大率允许直接显示毛细血管内的血细胞；由此目标区域内的血流可以容易地评估和记录。对于该研究，将血管生成的抑制定义为缺少毛细血管网络和血管血流的CAM的面积(测量直径2-6mm)。通过这些实验，将无血管区域在4点无血管梯度上评估(表1)。该标度代表总抑制程度，最大抑制表示为无血管梯度标度上的3。取决于其浓度，在48小时内紫杉醇非常一致并且诱导最大的无血管区域(直径6mm或者无血管梯度范围上为3)。

表1

无血管梯度

0-正常血管分布1-缺少一些微脉管运动2*--小的无血管区域，直径约2mm3*--超过盘的无血管性延伸(直径6mm)

^*-表示阳性抗血管生成反应

表2显示不同浓度的紫杉醇效果的剂量依赖型实验数据。

表2

药剂	传递载体	浓度	抑制/n
				紫杉醇	甲基纤维素(10ul)甲基纤维素(10ul)甲基纤维素(10ul)甲基纤维素(10ul)甲基纤维素(10ul)甲基纤维素(10ul)	0.25ug0.5ug1ug5ug10ug30ug	2/116/116/1520/2716/2131/31

典型的紫杉醇处理的CAM也用透明甲基纤维素盘显示，所述甲基纤维素盘中央定位于直径测量为6mm的无血管区域中。在稍微较高的放大率下，这些无血管区域的外周清楚明显；周围功能性脉管经常远离紫杉醇来源重定向。这种血流有角的重新定向在正常条件下没有观察到。紫杉醇作用的另一个特征是无血管区域内的血岛的形成，表示血细胞的聚集。

总之，该研究证明了在将紫杉醇施用于CAM后48小时，血管生成被抑制。血管抑制形成无血管区域，这通过紫杉醇作用的三个过渡阶段表示。无血管区域的最受影响的区域含有破裂的毛细血管，具有外渗的红细胞；这表示缺少内皮细胞之间的胞间连接。内胚层和外胚层的细胞保持它们的胞间连接，由此这些胚层保持完好；然而，它们稍微变厚。由于正常血管区域被接近，血管保持它们的连接复合物并由此也保持完整。在紫杉醇处理区域周围，另外的血管生长被抑制，这通过典型的血管重新定向或“弯管”效应显示其是明显的。

实施例33

用于评估紫杉醇对平滑肌细胞迁移的影响的筛选测定

将原代人平滑肌细胞在测定之前在平滑肌细胞基本培养基中饥饿血清16小时，所述基本培养基中含有胰岛素和人碱性成纤维细胞生长因子(bFGF)。对于迁移测定，将细胞胰蛋白酶化以从长颈瓶中取出细胞，用迁移培养基洗涤并在迁移培养基中稀释至2-2.5×10⁵细胞/mL的浓度。迁移培养基由不含酚红的、含有0.35％人血清白蛋白的Dulbecco’s ModifiedEagle Medium(DMEM)组成。将100μL体积的平滑肌细胞(约20,000-25,000细胞)加入Boyden室组件(Chemicon QCM Chemotaxis 96-孔迁移板)的顶部。向底部孔，加入趋化剂，重组人血小板衍生生长因子(rhPDGF-BB)，浓度为10ng/mL，总体积为150μL。在DMSO中制备紫杉醇，浓度为10^-2M并连续稀释10-倍，获得一系列贮液浓度(10^-8M至10^-2M)。通过直接加入在先制备的1/1000稀释的紫杉醇DMSO贮液，将紫杉醇加入细胞，加入顶部室中的细胞。将平板温育4小时使得细胞迁移。

在4小时期间结束时，丢弃顶部室中的细胞并将粘附到滤器下面的平滑肌细胞在细胞分离液(Chemicon)中37℃分离30分钟。将移动的细胞在含有结合DNA的CYQUANT GR染料的裂解缓冲液中裂解，并在室温温育15分钟。在荧光微型板读数器中在～480nm激发波长和～520nm发射最大值下读取荧光。在减去背景荧光(没有化学引诱物的对照室)后将来自一式三份孔的相对荧光单位取平均值，从平滑肌细胞的标准曲线获得迁移细胞的平均数目，所述平滑肌细胞从25,000细胞/孔连续稀释到98细胞/孔。通过将存在紫杉醇下的迁移细胞的平均数与阳性对照(响应于rhPDGF-BB的平滑肌细胞趋化性)比较，测定50％抑制浓度(IC₅₀)。参见图8(IC₅₀＝0.76nM)。参考文献：Biotechniques(2000)29：81；J.ImmunolMethods(2001)254：85。

实施例34

用于评估各种化合物对巨噬细胞的IL-1生产的影响的筛选测定

将人巨噬细胞系THP-1平板接种在12孔平板中，以使每孔在2mL含有10％FCS的培养基中含有1×10⁶细胞。通过将20mg酵母聚糖A重悬浮在2mL ddH₂O中并均化直至获得均匀悬浮液来制备调理后的酵母聚糖。将均化的酵母聚糖在250g沉淀并再悬浮在4mL人血清中达到终浓度为5mg/mL，在37℃水浴中温育20分钟以允许调理作用。在DMSO中制备格尔德霉素，浓度为10^-2M，并且连续稀释10-倍以获得一系列贮液浓度(10^-8M至10^-2M)。

通过加入1mg/mL调理的酵母聚糖来刺激THP-1细胞以生产IL-1β。通过直接将在先以1/1000稀释制备的DMSO贮液加入各孔，将格尔德霉素加入THP-1细胞。每种药物浓度在一式三份的孔中检测。将平板在37℃温育24小时。

在24小时刺激后，收集上清液以将IL-1β生产定量。通过ELISA，使用重组人IL-1β以获得标准曲线，测定上清液中的IL-1β浓度。将96孔MaxiSorb平板用100μL抗-人IL-1β捕获抗体(Capture Antibody)4℃包被过夜，所述抗-人IL-1β捕获抗体被稀释在包被(coating)缓冲液(0.1M碳酸钠，pH9.5)中。所用捕获抗体的稀释是批次特异性的并且通过经验测定。然后将捕获抗体抽吸，用洗涤缓冲液(PBS，0.05％吐温-20)洗涤平板3次。用200μL/孔测定稀释剂(PBS，10％FCS pH7.0)在室温下封闭平板1小时。在封闭后，用洗涤缓冲液洗涤平板3次。如下制备标样和样品稀释液：(a)将样品上清液稀释1/4和1/8；(b)以1000pg/mL制备重组人IL-1β，并连续稀释，获得15.6pg/mL至1000pg/mL的标准曲线。样品上清液和标样以一式三份测定，并且在加入捕获抗体包被的平板后在室温下温育2小时。洗涤平板5次并与100μL工作检测剂(生物素化抗-人IL-1β检测抗体+亲和素-HRP)在室温温育1小时。在该温育后，洗涤平板7次并将100μL底物溶液(四甲基联苯胺，H₂O₂)加入平板并在室温温育30分钟。然后向孔加入终止溶液(2N H₂SO₄)，在450nm读取黄色反应，在570nmλ校正。从一式三份的数据读取测定平均吸光度，并且减去平均背景。从标准曲线获得IL-1β浓度值。通过将平均IL-1β浓度与阳性对照(用调理的酵母多糖刺激的THP-1细胞)比较来测定50％抑制浓度(IC₅₀)。使用n＝4重复实验的平均值来测定格尔德霉素的IC₅₀值(IC₅₀＝20nM)。见图9。使用该测定来确定下列另外的化合物的IC₅₀值：IC₅₀(nM)：麦考酚酸2888nM)；茴香霉素，127；雷帕霉素，0.48；卤夫酮，919；IDN-6556，642；盐酸表柔比星，774；topotemay，509；fascaplycin，425；柔红霉素，517；南蛇藤醇，23；奥沙利铂(oxalipatin)，107；色霉素A3，148。参考文献：J.Immunol.(2000)165：411-418；J.Immunol.(2000)164：4804-4811；J.Immunol Meth.(2000)235(1-2)：33-40。

实施例35

用于评估各种化合物对巨噬细胞的IL-8生产的影响的筛选测定

将人巨噬细胞系THP-1平板接种在12孔平板中，以使每孔在2mL含有10％FCS的培养基中含有1×10⁶细胞。通过将20mg酵母聚糖A重悬浮在2mL ddH₂O中并均化直至获得均匀悬浮液来制备调理后的酵母聚糖。将均化的酵母聚糖在250g沉淀并再悬浮在4mL人血清中达到终浓度为5mg/mL，在37℃水浴中温育20分钟以允许调理作用。在DMSO中制备格尔德霉素，浓度为10^-2M，并且连续稀释10-倍以获得一系列贮液浓度(10^-8M至10^-2M)。

通过加入1mg/mL调理的酵母聚糖来刺激THP-1细胞以生产IL-8。通过直接将在先以1/1000稀释制备的DMSO贮液加入各孔，将格尔德霉素加入THP-1细胞。每种药物浓度在一式三份的孔中检测。将平板在37℃温育24小时。

在24小时刺激后，收集上清液以将IL-8生产定量。通过ELISA测定上清液中的IL-8浓度，使用重组人IL-8以获得标准曲线。将96孔MaxiSorb平板用100μL抗-人IL-8捕获抗体(Capture Antibody)4℃包被过夜，所述抗-人IL-8捕获抗体被稀释在包被缓冲液(0.1M碳酸钠，pH9.5)中。所用捕获抗体的稀释是批次特异性的并且通过经验测定。然后将捕获抗体抽吸，用洗涤缓冲液(PBS，0.05％吐温-20)洗涤平板3次。用200μL/孔测定稀释剂(PBS，10％FCS pH7.0)在室温下封闭平板1小时。在封闭后，用洗涤缓冲液洗涤平板3次。如下制备标样和样品稀释液：(a)将样品上清液稀释1/100和1/1000；(b)以200pg/mL制备重组人IL-8，并连续稀释，获得3.1pg/mL至200pg/mL的标准曲线。样品上清液和标样以一式三份测定，并且在加入捕获抗体包被的平板后在室温下温育2小时。洗涤平板5次并与100μL工作检测剂(生物素化抗-人IL-8检测抗体+亲和素-HRP)在室温温育1小时。在该温育后，洗涤平板7次并将100μL底物溶液(四甲基联苯胺，H₂O₂)加入平板并在室温温育30分钟。然后向孔加入终止溶液(2N H₂SO₄)，在450nm读取黄色反应，在570nmλ校正。从一式三份的数据读取测定平均吸光度，并且减去平均背景。从标准曲线获得IL-8浓度值。通过将平均IL-8浓度与阳性对照(用调理的酵母多糖刺激的THP-1细胞)比较来测定50％抑制浓度(IC₅₀)。使用n＝4重复实验的平均值来测定格尔德霉素的IC₅₀值(IC₅₀＝20nM)。见图10。使用该测定来确定下列另外的化合物的IC₅₀值：IC₅₀(nM)：17-AAG，56；麦考酚酸，549；白藜芦醇，507；雷帕霉素，4；41；SP600125，344；卤夫酮，641；D-甘露糖-6-磷酸，220；盐酸表柔比星，654；topotemay，257；普卡霉素，33；柔红霉素，421；南蛇藤醇，490；色霉素A3，36。

参考文献：J.Immunol.(2000)165：411-418；J.Immunol.(2000)164：4804-4811；J.Immunol Meth.(2000)235(1-2)：33-40。

实施例36

用于评估各种化合物对巨噬细胞的MCP-1生产的影响的筛选测定

将人巨噬细胞系THP-1平板接种在12孔平板中，以使每孔在2mL含有10％FCS的培养基中含有1×10⁶细胞。通过将20mg酵母聚糖A重悬浮在2mL ddH₂O中并均化直至获得均匀悬浮液来制备调理后的酵母聚糖。将均化的酵母聚糖在250g沉淀并再悬浮在4mL人血清中达到终浓度为5mg/mL，在37℃水浴中温育20分钟以允许调理作用。在DMSO中制备格尔德霉素，浓度为10^-2M，并且连续稀释10-倍以获得一系列贮液浓度(10^-8M至10^-2M)。

通过加入1mg/mL调理的酵母聚糖来刺激THP-1细胞以生产MCP-1。通过直接将在先以1/1000稀释制备的DMSO贮液加入各孔，将格尔德霉素加入THP-1细胞。每种药物浓度在一式三份的孔中检测。将平板在37℃温育24小时。

在24小时刺激后，收集上清液以将MCP-1生产定量。通过ELISA，使用重组人MCP-1以获得标准曲线，测定上清液中的MCP-1浓度。将96孔MaxiSorb平板用100μL抗-人MCP-1捕获抗体(Capture Antibody)4℃包被过夜，所述抗-人MCP-1捕获抗体被稀释在包被缓冲液(0.1M碳酸钠，pH 9.5)中。所用捕获抗体的稀释是批次特异性的并且通过经验测定。然后将捕获抗体抽吸，用洗涤缓冲液(PBS，0.05％吐温-20)洗涤平板3次。用200μL/孔测定稀释剂(PBS，10％FCS pH7.0)在室温下封闭平板1小时。在封闭后，用洗涤缓冲液洗涤平板3次。如下制备标样和样品稀释液：(a)将样品上清液稀释1/100和1/1000；(b)以500pg/mL制备重组人MCP-1，并连续稀释，获得7.8pg/mL至500pg/mL的标准曲线。样品上清液和标样以一式三份测定，并且在加入捕获抗体包被的平板后在室温下温育2小时。洗涤平板5次并与100μL工作检测剂(生物素化抗-人MCP-1检测抗体+亲和素-HRP)在室温温育1小时。在该温育后，洗涤平板7次并将100μL底物溶液(四甲基联苯胺，H₂O₂)加入平板并在室温温育30分钟。然后向孔加入终止溶液(2 N H₂SO₄)，在450nm读取黄色反应，在570nmλ校正。从一式三份的数据读取测定平均吸光度，并且减去平均背景。从标准曲线获得MCP-1浓度值。通过将平均MCP-1浓度与阳性对照(用调理的酵母多糖刺激的THP-1细胞)比较来测定50％抑制浓度(IC₅₀)。使用n＝4重复实验的平均值来测定格尔德霉素的IC₅₀值(IC₅₀＝7nM)。见图11。使用该测定来确定下列另外的化合物的IC₅₀值：IC₅₀(nM)：17-AAG，135；茴香霉素，71；麦考酚酸，764；吗乙，217；米托蒽醌，62；氯丙嗪，0.011；1-α-25二羟基维生素D3，1；Bay 58-2667，216；15-去氧前列腺素J2，724；雷帕霉素，0.05；CNI-1493，0.02；BXT-51072，683；卤夫酮，9；CYC 202，306；topotemay，514；fascaplycin，215；鬼臼毒素，28；吉西他滨，50；嘌呤霉素，161；普卡霉素，18；柔红霉素，570；南蛇藤醇，421；色霉素A3，37；长春瑞滨，69；杀结核菌素，56；长春碱，19；长春新碱，16。

参考文献：J.Immunol.(2000)165：411-41 8；J.Immunol.(2000)164：4804-4811；J.Immunol Meth.(2000)235(1-2)：33-40。

实施例37

释放缓冲液的制备

通过将8.22g氯化钠，0.32g磷酸二氢钠(一水合物和)2.60g磷酸氢二钠(无水)加入烧杯来制备释放缓冲液。加入1L HPLC级水，搅拌溶液直至所有盐被溶解。如果需要，使用0.1N NaOH或0.1N磷酸将溶液的pH调节到pH 7.4±0.2。

实施例38

释放研究以测定治疗剂从涂布的装置的释放曲线

将装载治疗剂的导管的样品放置在15ml培养管种。将15ml释放缓冲液(实施例38)加入培养管。将管用聚四氟乙烯衬里的螺帽密封，并放置在37℃炉中的回转轮上。在不同时刻，从培养管中抽吸缓冲液并用新鲜缓冲液替换。然后将抽出的缓冲液用于HPLC分析包含在该缓冲液中的治疗剂的量。

实施例39

用于评估紫杉醇对于细胞增殖的影响的筛选测定

将70-90％汇合的平滑肌细胞胰蛋白酶化，以600细胞/孔重新铺平板于96-孔平板的培养基中，并允许附着过夜。在DMSO中制备紫杉醇，浓度为10^-2M并连续稀释10倍以获得一系列的贮液浓度(10^-8M至10^-2M)。药物稀释液在培养基中稀释1/1000并加至细胞以获得总体积为200μL/孔。每种药物浓度以一式三份的孔检测。将含有细胞和紫杉醇的平板在37℃温育72小时。

为了终止测定，通过温和抽吸去除培养基。将CyQuant 400X GR染料指示剂(Molecular Probes；Eugene，OR)的1/400稀释液加入1X细胞裂解缓冲液；将200μL混合物加入平板的孔中。将平板在室温下温育，避光3-5分钟。在荧光微型板读数器中在～480nm激发波长和～520nm发射最大值下读取荧光。通过将一式三份的孔取平均值并将平均值的相对荧光单位与DMSO对照比较，测定50％抑制浓度(IC₅₀)。将n＝3重复实验的平均值用于测定IC₅₀值。见图16(IC₅₀＝7nM)。使用该测定来确定下列另外的化合物的IC₅₀值：IC₅₀(nM)：麦考酚酸，579；吗乙，463；柔红霉素，64；米托蒽醌，1；格尔德霉素，5；茴香霉素，276；17-AAG，47；阿糖胞苷，85；卤夫酮，81；丝裂霉素C，53；依托泊苷，320；克拉屈滨，137；洛伐他汀，978；盐酸表柔比星，19；topotemay，51；fascaplysin，510；鬼臼毒素，21；细胞松弛素A，221；吉西他滨，9；嘌呤霉素，384；普卡霉素，19；柔红霉素，50；南蛇藤醇，493；色霉素A3，12；长春瑞滨，15；伊达比星，38；诺拉霉素，49；伊曲康唑，795；17-DMAG，17；epothilone D，5；杀结核菌素，30；长春碱，3；长春新碱，9。

该测定也可以用于评估化合物对成纤维细胞和鼠巨噬细胞系RAW264.7的增殖的影响。用于评估紫杉醇对鼠RAW 264.7巨噬细胞系增殖的影响的测定结果在图18中显示(IC₅₀＝134nM)。

参考文献：In vitro toxicol.(1990)3：219；Biotech.Histochem.(1993)68：29；Anal.Biochem.(1993)213：426。

实施例40

紫杉醇的血管周施用

通过肌内注射依诺伐(0.33ml/kg)将重250-300g的WISTAR大鼠麻醉。一旦镇静，将它们在氟烷麻醉下安置。一旦建立全身麻醉，将颈部区域的毛皮刮去，将皮肤夹紧并用聚维酮碘擦拭。在左颈动脉上制造一个纵向切口，暴露颈外动脉。将两个结扎带放置在颈外动脉周围并制造横向动脉切开术。然后将2#FRENCH FOGART气囊导管引入颈动脉并通入左颈总动脉，用盐水将气囊膨胀。将导管上下通过颈动脉三次。然后取出导管，将绷带在左颈外动脉上打结。

然后将乙烯醋酸乙烯酯(EVA)中的紫杉醇(33％)以颈总动脉周围的圆周方式注射10只大鼠。将单独EVA注射另外10只大鼠的颈总动脉周围。(紫杉醇也可以被涂布到EVA膜上，所述膜然后以颈总动脉周围的圆周方式放置)在14天将每组5只大鼠处死，在28天将最后5只处死。观察大鼠体重减轻或其它全身疾病的征兆。在14或28天后将动物麻醉，将左颈动脉以最初实验的方式暴露。分离颈动脉，用10％缓冲的甲醛固定并观察组织学。

如通过标准形态测定分析所测量，内膜增生程度的统计学显著的减少显示纤维变性反应的药物诱导的减少。

实施例41

完全涂层-浸涂腔静脉滤器

将聚(乙烯-共-醋酸乙烯酯){28％醋酸乙烯酯}[p(EVA)]溶解在10mlTHF中以生产聚合物浓度约为40mg/mL的溶液。将紫杉醇加入pEVA溶液以获得紫杉醇的终浓度为3mg/mL。通过将滤器浸入异丙醇中30分钟然后用异丙醇漂洗3次来清洗腔静脉滤器。将滤器风干。通过将清洗的滤器完全浸入pEVA-紫杉醇来浸涂滤器。从溶液中取出滤器并风干。该过程可以重复直至获得期望的紫杉醇剂量。然后真空干燥滤器。可以使用该方法涂布到腔静脉滤器装置之上的其它纤维变性-抑制剂包括卤夫酮，雷帕霉素，依维莫司和吡美莫司。

实施例42

部分涂层-浸涂层腔静脉滤器

将聚氨酯(Chronoflex Al 85A)溶解在10ml THF中以生产聚合物浓度约为400mg/mL的溶液。将依维莫司加入聚氨酯溶液以获得3mg/mL的依维莫司终浓度。通过将滤器浸入异丙醇中30分钟然后用异丙醇漂洗3次来清洗腔静脉滤器。将滤器风干。通过仅将与身体组织接触的清洗的滤器部分浸入聚氨酯-依维莫司溶液来浸涂滤器。从溶液中取出滤器并风干。该过程可以重复直至获得期望的依维莫司剂量。然后真空干燥滤器。可以使用该方法涂布到腔静脉滤器装置之上的其它纤维变性-抑制剂包括卤夫酮，雷帕霉素，紫杉醇和吡美莫司。

实施例43

完全涂层-喷涂

使用THF作为溶剂，制备聚(苯乙烯-共-异丁烯-苯乙烯)(SIBS)的2％溶液。将紫杉醇加入SIBS溶液中以获得3mg/mL的紫杉醇终浓度。然后将SIBS-紫杉醇溶液转移到艺术家的喷枪工具的贮器中。通过将滤器浸入异丙醇中30分钟然后用异丙醇漂洗3次来清洗腔静脉滤器。将滤器风干。使用鳄鱼嘴夹，将滤器悬浮在空气中并从几个角度喷涂以确保滤器的完全涂布。一旦涂层干燥至可接触，将滤器从夹中取出并将未涂布的部分喷涂。然后将滤器风干和/或真空干燥以去除溶剂。该过程可以重复直至获得期望的紫杉醇剂量。然后真空干燥滤器。可以使用该方法涂布到腔静脉滤器装置之上的其它纤维变性-抑制剂包括卤夫酮，雷帕霉素，依维莫司和吡美莫司。

实施例44

部分涂层-喷涂腔静脉滤器

使用THF作为溶剂，制备聚(苯乙烯-共-异丁烯-苯乙烯)(SIBS)的2％溶液。将卤夫酮加入SIBS溶液中以获得3mg/mL的紫杉醇终浓度。然后将SIBS-卤夫酮溶液转移到艺术家的喷枪工具的贮器中。通过将滤器浸入异丙醇中30分钟然后用异丙醇漂洗3次来清洗腔静脉滤器。将滤器风干。使用与将不涂布的滤器部分连接的鳄鱼嘴夹，将滤器悬浮在空气中并通过掩模喷涂以确保仅涂布滤器的所需部分。然后将滤器风干和/或真空干燥以去除溶剂。该过程可以重复直至获得期望的卤夫酮剂量。然后真空干燥滤器。可以使用该方法涂布到腔静脉滤器装置之上的其它纤维变性-抑制剂包括紫杉醇，雷帕霉素，依维莫司和吡美莫司。

实施例45

施用第二涂层至腔静脉滤器

将聚(乙烯-共-醋酸乙烯酯){28％醋酸乙烯酯}[p(EVA)]溶解在10mlTHF中以生产聚合物浓度约为40mg/mL的溶液。将卤夫酮加入pEVA溶液以获得卤夫酮的终浓度为3mg/mL。通过将滤器浸入异丙醇中30分钟然后用异丙醇漂洗3次来清洗腔静脉滤器。将滤器风干。通过将清洗的滤器完全浸入pEVA-卤夫酮来浸涂滤器。从溶液中取出滤器并风干。该过程可以重复直至获得期望的卤夫酮剂量。然后真空干燥滤器以去除残余溶剂。然后将滤器浸入透明质酸钠[HA](mw约1-1.5×10⁶kDa，10mg/mL)的水溶液中。通过在37℃风干去除水。重复该过程直至期望量的HA被涂布到滤器之上。然后真空干燥滤器。可以使用该方法涂布到腔静脉滤器装置之上的其它纤维变性-抑制剂包括紫杉醇，雷帕霉素，依维莫司和吡美莫司。

实施例46

用于腔静脉滤器的含有两种生物活性剂的涂层

将聚(乙烯-共-醋酸乙烯酯){28％醋酸乙烯酯}[p(EVA)]溶解在10mlTHF中以生产聚合物浓度约为40mg/mL的溶液。将紫杉醇加入pEVA溶液以获得紫杉醇的终浓度为3mg/mL。然后将肝素-苯扎氯铵加入pEVA溶液以获得1mg/ml的终浓度。通过将滤器浸入异丙醇中30分钟然后用异丙醇漂洗3次来清洗腔静脉滤器。将滤器风干。通过将清洗的滤器完全浸入pEVA-紫杉醇来浸涂滤器。从溶液中取出滤器并风干。重复该过程直至获得期望的紫杉醇剂量。然后真空干燥滤器。可以使用该方法涂布到腔静脉滤器装置之上的其它纤维变性-抑制剂包括卤夫酮，雷帕霉素，依维莫司和吡美莫司。

实施例47

用于腔静脉滤器的含有两种不同生物活性剂的两层涂层

将聚(乙烯-共-醋酸乙烯酯){28％醋酸乙烯酯}[p(EVA)]溶解在10mlTHF中以生产聚合物浓度约为40mg/mL的溶液。将雷帕霉素加入pEVA溶液以获得雷帕霉素的终浓度为3mg/mL。通过将滤器浸入异丙醇中30分钟然后用异丙醇漂洗3次来清洗腔静脉滤器。将滤器风干。通过将清洗的滤器完全浸入pEVA-雷帕霉素来浸涂滤器。从溶液中取出滤器并风干。重复该过程直至获得期望的雷帕霉素剂量。然后真空干燥滤器以去除残余的溶剂。然后将滤器浸入含有1mg/ml肝素的透明质酸钠[HA](mw约1-1.5×10⁶kDa，10mg/mL)的水溶液中。通过在37℃风干去除水。重复该过程直至期望量的HA被涂布到滤器之上。然后真空干燥滤器。可以使用该方法涂布到腔静脉滤器装置之上的其它纤维变性-抑制剂包括卤夫酮，紫杉醇，依维莫司和吡美莫司。

实施例48

将药物结合到血管移植物之中

通过将70mg卤夫酮溶解在20mL玻璃闪烁管中的10mL水/乙醇(1∶1)中来制备卤夫酮溶液。将5cm ePTFE血管移植物(Impra，6mm)片浸入溶液中。将溶液放置在超声波浴(Fisher)中1分钟。使用一对镊子取出移植物。将移植物风干3小时，之后将其真空干燥24小时。可以使用该方法涂布到血管移植物装置之上的其它纤维变性-抑制剂包括雷帕霉素，紫杉醇，依维莫司和吡美莫司。

实施例49

将药物结合到鼓膜造孔术管之中

在20mL闪烁管中在甲醇中制备五个15mL的5mg/ml紫杉醇溶液。然后将软硅氧烷T-管((Medco目录号T5030)浸入各个紫杉醇溶液中。在30分钟，1小时，2小时，6小时和24小时从紫杉醇溶液取出管。将管风干并且然后真空干燥24小时。可以使用该方法涂布到鼓膜造孔术管装置之上的其它纤维变性-抑制剂包括雷帕霉素，卤夫酮，依维莫司和吡美莫司。

实施例50

将药物结合到鼓膜造孔术管之中

在20mL闪烁管中在甲醇中制备五个15mL的紫杉醇(5mg/mL)和5-氟尿嘧啶(4mg/mL)的溶液。然后将软硅氧烷T-管((Medco目录号T5030)浸入各个紫杉醇溶液中。在30分钟，1小时，2小时，6小时和24小时从紫杉醇溶液取出管。将管风干并且然后真空干燥24小时。可以使用该方法涂布到鼓膜造孔术管装置之上的其它纤维变性-抑制剂包括卤夫酮，雷帕霉素，依维莫司和吡美莫司。

实施例51

将药物结合到眼内透镜之中

在20mL闪烁管中在甲醇中制备五个15mL的紫杉醇溶液(1mg/mL)。然后将眼内透镜(STAAR)浸入各个紫杉醇溶液中。在30分钟，1小时，2小时，6小时和24小时从紫杉醇溶液取出透镜。将透镜风干并且然后真空干燥24小时。可以使用该方法涂布到眼内透镜装置之上的其它纤维变性-抑制剂包括雷帕霉素，卤夫酮，依维莫司和吡美莫司。

本发明还提供下列逐条列举的实施方案：

1.一种装置，包含血管内植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

2.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

3.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

4.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

5.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

6.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

7.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

8.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

9.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

10.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

11.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

12.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

13.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

14.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

15.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

16.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

17.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

18.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

19.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

20.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

21.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

22.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

23.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

24.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

25.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

26.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

27.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

28.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

29.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

30.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

31.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

32.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

33.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

34.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

35.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

36.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

37.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

38.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

39.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

40.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

41.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

42.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

43.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

44.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

45.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

46.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

47.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

48.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

49.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

50.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

51.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

52.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

53.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

54.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

55.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

56.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

57.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

58.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

59.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

60.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

61.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

62.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

63.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

64.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

65.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

66.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

67.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

68.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

69.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

70.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

71.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

72.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

73.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

74.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

75.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

76.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

77.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

78.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

79.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

80.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

81.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

82.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

83.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

84.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

85.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

86.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

87.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

88.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

89.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

90.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

91.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

92.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

93.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

94.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

95.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

96.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

97.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay11-7082。

98.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

99.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

100.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

101.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

102.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

103.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

104.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

105.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

106.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

107.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

108.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

109.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

110.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

111.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

112.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

113.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

114.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

115.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

116.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

117.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

118.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

119.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

120.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

121.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

122.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

123.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

124.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

125.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

126.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

127.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

128.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

129.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

130.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

131.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

132.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

133.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

134.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

135.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

136.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

137.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

138.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

139.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

140.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

141.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

142.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

143.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

144.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

145.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

146.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

147.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

148.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

149.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

150.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

151.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

152.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

153.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

154.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

155.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

156.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

157.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

158.第1项的装置，其另外包含聚合物。

159.第1项的装置，其另外包含聚合物载体。

160.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

161.第1项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近该装置的组织。

162.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

163.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

164.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

165.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

166.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

167.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

168.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

169.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

170.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

171.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的(patterned)涂层。

172.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

173.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

174.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在部署(deployment)装置以后与装置的表面粘附。

175.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

176.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

177.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

178.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

179.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

180.第1项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

181.第1项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

182.第1项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

183.第1项的装置，其另外包含聚合物。

184.第1项的装置，其另外包含聚合物载体。

185.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

186.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

187.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

188.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

189.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

190.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

191.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

192.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

193.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

194.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

195.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

196.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

197.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

198.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

199.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

200.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

201.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

202.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

203.第1项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

204.第1项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

205.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

206.第1项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

207.第1项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

208.第1项的装置，其另外含有消炎剂。

209.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

210.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

211.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

212.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

213.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

214.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

215.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

216.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

217.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

218.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

219.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

220.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

221.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

222.第1项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

223.第1项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

224.第1项的装置，其另外含有显影剂。

225.第1项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

226.第1项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

227.第1项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

228.第1项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

229.第1项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

230.第1项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

231.第1项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

232.第1项的装置，其另外含有产生回波的物质。

233.第1项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

234.第1项的装置，其中所述装置是无菌的。

235.第1项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

236.第1项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

237.第1项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

238.第1项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

239.第1项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

240.第1项的装置，其中在从部署装置的时间至约1年的时期内由该装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

241.第1项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

242.第1项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

243.第1项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

244.第1项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

245.第1项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

246.第1项的装置，其中在从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

247.第1项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

248.第1项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

249.第1项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

250.第1项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

251.第1项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

252.第1项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

253.第1项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

254.第1项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

255.第1项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

256.第1项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

257.第1项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

258.第1项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

259.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是斯滕特固定模(stent)。

260.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是冠状动脉斯滕特固定模(coronary stent)。

261.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是外周斯滕特固定模。

262.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是覆盖的斯滕特固定模(covered stent)。

263.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是血管内导管。

264.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是微量注射器导管。

265.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是药物传递气囊(balloon)。

266.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是sweaty气囊。

267.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是管道(channel)气囊。

268.第1-258项中任何一项的装置，其中其中所述植入物是微量注射器气囊。

269.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是双气囊。

270.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是螺旋气囊。

271.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是BHP气囊。

272.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是经尿道针切除(TUNA)气囊。

273.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是射频针切除(RFNA)气囊。

274.第1-258项中任何一项的装置，其中所述植入物是冠状动脉药物infuction导线。

275.一种装置，其含有血管移植物或包覆移植物(wrap implant)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

276.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

277.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

278.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

279.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

280.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

281.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

282.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

283.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

284.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

285.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

286.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

287.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

288.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

289.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

290.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

291.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

292.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

293.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

294.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

295.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

296.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

297.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

298.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

299.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

300.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

301.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

302.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

303.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

304.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

305.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

306.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

307.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

308.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

309.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

310.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

311.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

312.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

313.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

314.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

315.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

316.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

317.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

318.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

319.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

320.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

321.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

322.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

323.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

324.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

325.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

326.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

327.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

328.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

329.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

330.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

331.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

332.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

333.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

334.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

335.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

336.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

337.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

338.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

339.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

340.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

341.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

342.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

343.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

344.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

345.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

346.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

347.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

348.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

349.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

350.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

351.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

352.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

353.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

354.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

355.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

356.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

357.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

358.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

359.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

360.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

361.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

362.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

363.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

364.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

365.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

366.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

367.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

368.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

369.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

370.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

371.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

372.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

373.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

374.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

375.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

376.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

377.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

378.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

379.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

380.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

381.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

382.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

383.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

384.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

385.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

386.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

387.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

388.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

389.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

390.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

391.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

392.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

393.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

394.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

395.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

396.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

397.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

398.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

399.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

400.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

401.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

402.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

403.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

404.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

405.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

406.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

407.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

408.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

409.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

410.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

411.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

412.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

413.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

414.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

415.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

416.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

417.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

418.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

419.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

420.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

421.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

422.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

423.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

424.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

425.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

426.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

427.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

428.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

429.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

430.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

431.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

432.第275项的装置，其另外包含聚合物。

433.第275项的装置，其另外包含聚合物载体。

434.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

435.第275项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

436.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

437.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

438.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

439.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

440.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

441.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

442.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

443.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

444.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

445.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

446.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

447.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

448.第275项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

449.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

450.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

451.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

452.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

453.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

454.第275项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

455.第275项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

456.第275项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

457.第275项的装置，其另外包含聚合物。

458.第275项的装置，其另外包含聚合物载体。

459.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

460.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

461.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

462.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

463.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

464.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

465.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

466.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

467.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

468.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

469.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

470.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

471.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

472.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

473.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

474.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

475.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

476.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

477.第275项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

478.第275项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

479.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

480.第275项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

481.第275项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

482.第275项的装置，其另外含有消炎剂。

483.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

484.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

485.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

486.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

487.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

488.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

489.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

490.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

491.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

492.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

493.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

494.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

495.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

496.第275项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

497.第275项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

498.第275项的装置，其另外含有显影剂。

499.第275项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

500.第275项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

501.第275项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

502.第275项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

503.第275项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

504.第275项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

505.第275项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

506.第275项的装置，其另外含有产生回波的物质。

507.第275项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

508.第275项的装置，其中所述装置是无菌的。

509.第275项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

510.第275项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

511.第275项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

512.第275项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

513.第275项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

514.第275项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

515.第275项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

516.第275项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

517.第275项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

518.第275项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

519.第275项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

520.第275项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

521.第275项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

522.第275项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

523.第275项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

524.第275项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

525.第275项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

526.第275项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

527.第275项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

528.第275项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

529.第275项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

530.第275项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

531.第275项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

532.第275项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

533.第275-532项中任何一项的装置，其中所述植入物是合成的旁路移植物。

534.第275-532项中任何一项的装置，其中所述植入物是股-腘的合成旁路移植物。

535.第275-532项中任何一项的装置，其中所述植入物是股-股的合成旁路移植物。

536.第275-532项中任何一项的装置，其中所述植入物是腋-股的合成旁路移植物。

537.第275-532项中任何一项的装置，其中所述植入物是静脉移植物。

538.第275-532项中任何一项的装置，其中所述植入物是外周静脉移植物。

539.第275-532项中任何一项的装置，其中所述植入物是冠状静脉移植物。

540.第275-532项中任何一项的装置，其中所述植入物是乳房内(internal mammary)移植物。

541.第275-532项中任何一项的装置，其中所述植入物是乳房内冠状移植物。

542.第275-532项中任何一项的装置，其中所述植入物是分枝的血管移植物。

543.第275-532项中任何一项的装置，其中所述植入物是血管包覆物。

544.一种装置，其包含用于血液透析接入(access)的植入物(即，血液透析通路)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

545.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

546.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

547.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

548.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

549.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

550.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

551.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

552.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

553.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

554.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

555.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

556.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

557.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

558.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

559.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

560.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

561.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

562.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

563.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

564.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

565.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

566.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

567.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

568.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

569.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

570.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

571.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

572.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

573.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

574.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

575.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

576.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

577.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

578.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

579.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

580.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

581.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

582.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

583.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

584.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

585.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

586.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

587.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

588.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

589.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

590.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

591.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

592.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

593.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

594.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

595.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

596.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

597.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

598.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

599.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

600.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

601.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

602.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

603.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

604.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

605.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

606.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

607.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

608.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

609.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

610.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

611.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

612.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

613.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

614.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

615.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

616.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

617.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

618.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

619.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

620.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

621.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

622.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

623.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

624.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

625.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

626.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

627.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

628.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

629.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

630.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

631.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

632.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

633.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

634.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

635.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

636.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

637.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

638.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

639.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

640.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

641.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

642.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

643.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

644.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

645.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

646.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

647.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

648.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

649.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

650.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

651.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

652.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

653.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

654.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

655.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

656.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

657.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

658.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

659.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

660.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

661.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

662.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

663.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

664.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

665.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

666.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

667.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

668.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

669.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

670.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

671.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

672.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

673.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

674.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

675.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

676.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

677.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

678.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

679.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

680.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

681.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

682.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

683.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

684.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

685.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

686.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

687.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

688.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

689.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

690.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

691.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

692.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

693.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

694.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

695.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

696.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

697.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

698.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

699.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

700.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

701.第544项的装置，其另外包含聚合物。

702.第544项的装置，其另外包含聚合物载体。

703.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

704.第544项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

705.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

706.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

707.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

708.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

709.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

710.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

711.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

712.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

713.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

714.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

715.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

716.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

717.第544项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

718.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

719.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

720.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

721.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

722.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

723.第544项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

724.第544项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

725.第544项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

726.第544项的装置，其另外包含聚合物。

727.第544项的装置，其另外包含聚合物载体。

728.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

729.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

730.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

731.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

732.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

733.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

734.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

735.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

736.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

737.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

738.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

739.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

740.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

741.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

742.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

743.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

744.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

745.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

746.第544项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

747.第544项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

748.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

749.第544项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

750.第544项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

751.第544项的装置，其另外含有消炎剂。

752.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

753.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

754.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

755.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

756.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

757.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

758.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

759.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

760.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

761.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

762.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

763.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

764.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

765.第544项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

766.第544项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

767.第544项的装置，其另外含有显影剂。

768.第544项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

769.第544项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

770.第544项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

771.第544项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

772.第544项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

773.第544项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

774.第544项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

775.第544项的装置，其另外含有产生回波的物质。

776.第544项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

777.第544项的装置，其中所述装置是无菌的。

778.第544项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

779.第544项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

780.第544项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

781.第544项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

782.第544项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

783.第544项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

784.第544项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

785.第544项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

786.第544项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

787.第544项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

788.第544项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

789.第544项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

790.第544项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

791.第544项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

792.第544项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

793.第544项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

794.第544项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

795.第544项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

796.第544项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

797.第544项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

798.第544项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

799.第544项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

800.第544项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

801.第544项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

802.第544-801项中任何一项的装置，其中所述植入物是AV瘘管。

803.第544-801项中任何一项的装置，其中所述植入物是AV接入移植物。

804.第544-801项中任何一项的装置，其中所述植入物是静脉导管。

805.第544-801项中任何一项的装置，其中所述植入物是可植入的端口(port)。

806.第544-801项中任何一项的装置，其中所述植入物是AV分路。

807.一种装置，其包含提供吻合连接的植入物(即，吻合连接器装置)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

808.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

809.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

810.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

811.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

812.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

813.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

814.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

815.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

816.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

817.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

818.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

819.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

820.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

821.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

822.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

823.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

824.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

825.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

826.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

827.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

828.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

829.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

830.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

831.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

832.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

833.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

834.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

835.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

836.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

837.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

838.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

839.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

840.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

841.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

842.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

843.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

844.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

845.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

846.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

847.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

848.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

849.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

850.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

851.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

852.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

853.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

854.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

855.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

856.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

857.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

858.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

859.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

860.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

861.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

862.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

863.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

864.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

865.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

866.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

867.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

868.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

869.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

870.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

871.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

872.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

873.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

874.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

875.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

876.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

877.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

878.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

879.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

880.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

881.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

882.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

883.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

884.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

885.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

886.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

887.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

888.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

889.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

890.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

891.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

892.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

893.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

894.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

895.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

896.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

897.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

898.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

899.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

900.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

901.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

902.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

903.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

904.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

905.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

906.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

907.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

908.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

909.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

910.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

911.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

912.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

913.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

914.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

915.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

916.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

917.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

918.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

919.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

920.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

921.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

922.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

923.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

924.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

925.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

926.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

927.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

928.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

929.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

930.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

931.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

932.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

933.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

934.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

935.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

936.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

937.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

938.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

939.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

940.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

941.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

942.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

943.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

944.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

945.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

946.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

947.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

948.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

949.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

950.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

951.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

952.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

953.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

954.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

955.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

956.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

957.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

958.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

959.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

960.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

961.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

962.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

963.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

964.第807项的装置，其另外包含聚合物。

965.第807项的装置，其另外包含聚合物载体。

966.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

967.第807项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

968.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

969.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

970.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

971.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

972.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

973.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

974.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

975.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

976.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

977.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

978.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

979.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

980.第807项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

981.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

982.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

983.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

984.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

985.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

986.第807项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

987.第807项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

988.第807项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

989.第807项的装置，其另外包含聚合物。

990.第807项的装置，其另外包含聚合物载体。

991.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

992.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

993.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

994.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

995.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

996.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

997.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

998.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

999.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

1000.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

1001.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

1002.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

1003.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

1004.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

1005.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

1006.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

1007.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

1008.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

1009.第807项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

1010.第807项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

1011.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

1012.第807项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

1013.第807项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

1014.第807项的装置，其另外含有消炎剂。

1015.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

1016.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

1017.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

1018.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

1019.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

1020.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

1021.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

1022.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

1023.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

1024.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

1025.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

1026.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

1027.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

1028.第807项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

1029.第807项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

1030.第807项的装置，其另外含有显影剂。

1031.第807项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

1032.第807项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

1033.第807项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

1034.第807项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

1035.第807项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

1036.第807项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

1037.第807项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

1038.第807项的装置，其另外含有产生回波的物质。

1039.第807项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

1040.第807项的装置，其中所述装置是无菌的。

1041.第807项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

1042.第807项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

1043.第807项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

1044.第807项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

1045.第807项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

1046.第807项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1047.第807项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1048.第807项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1049.第807项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1050.第807项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1051.第807项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1052.第807项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1053.第807项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1054.第807项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

1055.第807项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

1056.第807项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

1057.第807项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

1058.第807项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

1059.第807项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

1060.第807项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

1061.第807项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

1062.第807项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

1063.第807项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

1064.第807项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

1065.一种装置，其包含心室辅助植入物(即，心室辅助装置)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

1066.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

1067.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

1068.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

1069.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

1070.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

1071.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

1072.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

1073.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

1074.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

1075.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

1076.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

1077.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

1078.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

1079.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

1080.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

1081.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

1082.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

1083.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

1084.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

1085.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

1086.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

1087.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

1088.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

1089.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

1090.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

1091.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

1092.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

1093.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

1094.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

1095.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

1096.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

1097.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

1098.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

1099.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

1100.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

1101.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

1102.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

1103.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

1104.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

1105.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

1106.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

1107.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

1108.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

1109.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

1110.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

1111.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

1112.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

1113.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

1114.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

1115.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

1116.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

1117.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

1118.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

1119.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

1120.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

1121.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

1122.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

1123.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

1124.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

1125.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

1126.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

1127.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

1128.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

1129.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

1130.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

1131.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

1132.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

1133.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

1134.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

1135.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

1136.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

1137.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

1138.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

1139.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

1140.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

1141.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

1142.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

1143.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

1144.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

1145.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

1146.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

1147.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

1148.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

1149.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

1150.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

1151.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

1152.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

1153.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

1154.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

1155.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

1156.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

1157.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

1158.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

1159.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

1160.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

1161.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

1162.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

1163.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

1164.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

1165.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

1166.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

1167.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

1168.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

1169.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

1170.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

1171.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

1172.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

1173.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

1174.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

1175.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

1176.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

1177.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

1178.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

1179.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

1180.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

1181.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

1182.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

1183.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

1184.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

1185.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

1186.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

1187.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

1188.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

1189.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

1190.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

1191.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

1192.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

1193.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

1194.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

1195.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

1196.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

1197.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

1198.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

1199.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

1200.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

1201.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

1202.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

1203.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

1204.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

1205.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

1206.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

1207.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

1208.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

1209.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

1210.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

1211.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

1212.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

1213.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

1214.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

1215.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

1216.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

1217.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

1218.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

1219.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

1220.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

1221.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

1222.第1065项的装置，其另外包含聚合物。

1223.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体。

1224.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

1225.第1065项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

1226.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

1227.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

1228.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

1229.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

1230.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

1231.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

1232.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

1233.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

1234.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

1235.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

1236.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

1237.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

1238.第1065项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

1239.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

1240.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

1241.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

1242.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

1243.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

1244.第1065项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

1245.第1065项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

1246.第1065项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

1247.第1065项的装置，其另外包含聚合物。

1248.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体。

1249.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

1250.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

1251.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

1252.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

1253.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

1254.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

1255.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

1256.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

1257.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

1258.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

1259.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

1260.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

1261.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

1262.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

1263.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

1264.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

1265.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

1266.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

1267.第1065项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

1268.第1065项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

1269.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

1270.第1065项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

1271.第1065项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

1272.第1065项的装置，其另外含有消炎剂。

1273.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

1274.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

1275.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

1276.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

1277.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

1278.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

1279.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

1280.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

1281.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

1282.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

1283.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

1284.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

1285.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

1286.第1065项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

1287.第1065项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

1288.第1065项的装置，其另外含有显影剂。

1289.第1065项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

1290.第1065项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

1291.第1065项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

1292.第1065项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

1293.第1065项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

1294.第1065项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

1295.第1065项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

1296.第1065项的装置，其另外含有产生回波的物质。

1297.第1065项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

1298.第1065项的装置，其中所述装置是无菌的。

1299.第1065项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

1300.第1065项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

1301.第1065项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

1302.第1065项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

1303.第1065项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

1304.第1065项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1305.第1065项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1306.第1065项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1307.第1065项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1308.第1065项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1309.第1065项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1310.第1065项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1311.第1065项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1312.第1065项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

1313.第1065项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

1314.第1065项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

1315.第1065项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

1316.第1065项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

1317.第1065项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

1318.第1065项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

1319.第1065项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

1320.第1065项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

1321.第1065项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

1322.第1065项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

1323.第1065-1322项中任何一项的装置，其中所述植入物是左心室辅助装置。

1324.第1065-1322项中任何一项的装置，其中所述植入物是右心室辅助装置。

1325.第1065-1322项中任何一项的装置，其中所述植入物是两心室辅助装置。

1326.第1065-1322项中任何一项的装置，其中所述植入物是心脏辅助装置。

1327.一种装置，其包含假体心脏瓣膜植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

1328.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

1329.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

1330.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

1331.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

1332.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

1333.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

1334.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

1335.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

1336.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

1337.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

1338.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

1339.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

1340.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

1341.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

1342.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

1343.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

1344.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

1345.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

1346.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

1347.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

1348.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

1349.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

1350.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

1351.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

1352.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

1353.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

1354.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

1355.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

1356.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

1357.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

1358.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

1359.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

1360.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

1361.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

1362.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

1363.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

1364.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

1365.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

1366.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

1367.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

1368.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

1369.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

1370.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

1371.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

1372.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

1373.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

1374.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

1375.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

1376.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

1377.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

1378.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

1379.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

1380.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

1381.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

1382.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

1383.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

1384.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

1385.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

1386.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

1387.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

1388.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

1389.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

1390.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

1391.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

1392.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

1393.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

1394.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

1395.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

1396.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

1397.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

1398.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

1399.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

1400.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

1401.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

1402.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

1403.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

1404.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

1405.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

1406.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

1407.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

1408.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

1409.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

1410.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

1411.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

1412.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

1413.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

1414.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

1415.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

1416.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

1417.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

1418.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

1419.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

1420.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

1421.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

1422.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

1423.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

1424.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

1425.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

1426.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

1427.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

1428.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

1429.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

1430.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

1431.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

1432.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

1433.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

1434.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

1435.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

1436.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

1437.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

1438.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

1439.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

1440.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

1441.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

1442.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

1443.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

1444.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

1445.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

1446.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

1447.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

1448.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

1449.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

1450.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

1451.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

1452.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

1453.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

1454.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

1455.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

1456.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

1457.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

1458.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

1459.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

1460.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

1461.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

1462.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

1463.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

1464.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

1465.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

1466.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

1467.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

1468.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

1469.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

1470.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

1471.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

1472.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

1473.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

1474.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

1475.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

1476.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

1477.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

1478.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

1479.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

1480.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

1481.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

1482.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

1483.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

1484.第1327项的装置，其另外包含聚合物。

1485.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体。

1486.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

1487.第1327项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

1488.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

1489.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

1490.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

1491.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

1492.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

1493.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

1494.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

1495.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

1496.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

1497.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

1498.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

1499.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

1500.第1327项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

1501.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

1502.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

1503.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

1504.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

1505.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

1506.第1327项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

1507.第1327项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

1508.第1327项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

1509.第1327项的装置，其另外包含聚合物。

1510.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体。

1511.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

1512.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

1513.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

1514.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

1515.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

1516.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

1517.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

1518.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

1519.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

1520.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

1521.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

1522.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

1523.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

1524.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

1525.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

1526.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

1527.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

1528.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

1529.第1327项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

1530.第1327项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

1531.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

1532.第1327项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

1533.第1327项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

1534.第1327项的装置，其另外含有消炎剂。

1535.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

1536.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

1537.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

1538.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

1539.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

1540.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

1541.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

1542.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

1543.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

1544.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

1545.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

1546.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

1547.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

1548.第1327项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

1549.第1327项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

1550.第1327项的装置，其另外含有显影剂。

1551.第1327项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

1552.第1327项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

1553.第1327项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

1554.第1327项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

1555.第1327项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

1556.第1327项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

1557.第1327项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

1558.第1327项的装置，其另外含有产生回波的物质。

1559.第1327项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

1560.第1327项的装置，其中所述装置是无菌的。

1561.第1327项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

1562.第1327项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

1563.第1327项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

1564.第1327项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

1565.第1327项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

1566.第1327项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1567.第1327项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1568.第1327项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1569.第1327项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1570.第1327项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1571.第1327项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1572.第1327项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1573.第1327项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1574.第1327项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

1575.第1327项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

1576.第1327项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

1577.第1327项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

1578.第1327项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

1579.第1327项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

1580.第1327项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

1581.第1327项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

1582.第1327项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

1583.第1327项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

1584.第1327项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

1585.第1327-1584项中任何一项的装置，其中所述植入物是机械假体。

1586.第1327-1584项中任何一项的装置，其中所述植入物是生物假体心脏瓣膜。

1587.第1327-1584项中任何一项的装置，其中所述植入物是至少部分由猪瓣膜构成的生物假体心脏瓣膜。

1588.第1327-1584项中任何一项的装置，其中所述植入物是至少部分由牛心包瓣膜构成的生物假体心脏瓣膜。

1589.一种装置，其包含下腔静脉滤器植入物(an inferior vena cavafilter implant)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

1590.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

1591.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

1592.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

1593.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

1594.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

1595.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

1596.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

1597.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

1598.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

1599.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

1600.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

1601.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

1602.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

1603.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

1604.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

1605.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

1606.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

1607.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

1608.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

1609.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

1610.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

1611.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

1612.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

1613.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

1614.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

1615.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

1616.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

1617.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

1618.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

1619.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

1620.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

1621.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

1622.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

1623.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

1624.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

1625.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

1626.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

1627.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

1628.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

1629.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

1630.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

1631.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

1632.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

1633.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

1634.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

1635.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

1636.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

1637.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

1638.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

1639.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

1640.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

1641.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

1642.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

1643.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

1644.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

1645.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

1646.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

1647.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

1648.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

1649.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

1650.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

1651.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

1652.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

1653.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

1654.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

1655.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

1656.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

1657.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

1658.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

1659.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

1660.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

1661.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

1662.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

1663.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

1664.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

1665.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

1666.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

1667.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

1668.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

1669.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

1670.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

1671.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

1672.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

1673.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

1674.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

1675.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

1676.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

1677.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

1678.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

1679.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

1680.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

1681.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

1682.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

1683.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

1684.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

1685.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

1686.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

1687.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

1688.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

1689.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

1690.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

1691.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

1692.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

1693.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

1694.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

1695.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

1696.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

1697.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

1698.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

1699.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

1700.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

1701.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

1702.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

1703.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

1704.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

1705.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

1706.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

1707.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

1708.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

1709.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

1710.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

1711.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

1712.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

1713.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

1714.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

1715.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

1716.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

1717.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

1718.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

1719.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

1720.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

1721.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

1722.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

1723.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

1724.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

1725.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

1726.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

1727.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

1728.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

1729.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

1730.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

1731.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

1732.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

1733.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

1734.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

1735.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

1736.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

1737.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

1738.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

1739.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

1740.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

1741.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

1742.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

1743.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

1744.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

1745.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

1746.第1589项的装置，其另外包含聚合物。

1747.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体。

1748.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

1749.第1589项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

1750.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

1751.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

1752.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

1753.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

1754.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

1755.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

1756.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

1757.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

1758.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

1759.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

1760.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

1761.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

1762.第1589项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

1763.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

1764.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

1765.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

1766.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

1767.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

1768.第1589项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

1769.第1589项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

1770.第1589项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

1771.第1589项的装置，其另外包含聚合物。

1772.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体。

1773.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

1774.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

1775.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

1776.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

1777.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

1778.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

1779.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

1780.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

1781.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

1782.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

1783.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

1784.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

1785.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

1786.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

1787.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

1788.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

1789.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

1790.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

1791.第1589项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

1792.第1589项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

1793.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

1794.第1589项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

1795.第1589项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

1796.第1589项的装置，其另外含有消炎剂。

1797.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

1798.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

1799.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

1800.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

1801.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

1802.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

1803.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

1804.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

1805.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

1806.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

1807.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

1808.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

1809.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

1810.第1589项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

1811.第1589项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

1812.第1589项的装置，其另外含有显影剂。

1813.第1589项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

1814.第1589项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

1815.第1589项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

1816.第1589项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

1817.第1589项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

1818.第1589项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

1819.第1589项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

1820.第1589项的装置，其另外含有产生回波的物质。

1821.第1589项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

1822.第1589项的装置，其中所述装置是无菌的。

1823.第1589项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

1824.第1589项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

1825.第1589项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

1826.第1589项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

1827.第1589项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

1828.第1589项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1829.第1589项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1830.第1589项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1831.第1589项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1832.第1589项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1833.第1589项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1834.第1589项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1835.第1589项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

1836.第1589项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

1837.第1589项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

1838.第1589项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

1839.第1589项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

1840.第1589项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

1841.第1589项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

1842.第1589项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

1843.第1589项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

1844.第1589项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

1845.第1589项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

1846.第1589项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

1847.一种装置，其包含腹膜透析导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

1848.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

1849.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

1850.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

1851.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

1852.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

1853.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

1854.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

1855.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

1856.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

1857.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

1858.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

1859.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

1860.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

1861.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

1862.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

1863.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

1864.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

1865.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

1866.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

1867.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

1868.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

1869.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

1870.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

1871.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

1872.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

1873.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

1874.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

1875.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

1876.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

1877.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

1878.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

1879.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

1880.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

1881.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

1882.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

1883.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

1884.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

1885.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

1886.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

1887.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

1888.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

1889.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

1890.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

1891.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

1892.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

1893.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

1894.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

1895.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

1896.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

1897.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

1898.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

1899.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

1900.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

1901.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

1902.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

1903.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

1904.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

1905.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

1906.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

1907.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

1908.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

1909.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

1910.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

1911.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

1912.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

1913.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

1914.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

1915.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

1916.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

1917.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

1918.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

1919.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

1920.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

1921.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

1922.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

1923.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

1924.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

1925.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

1926.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

1927.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

1928.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

1929.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

1930.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

1931.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

1932.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

1933.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

1934.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

1935.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

1936.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

1937.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

1938.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

1939.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

1940.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

1941.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

1942.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

1943.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

1944.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

1945.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

1946.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

1947.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

1948.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

1949.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

1950.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

1951.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

1952.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

1953.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

1954.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

1955.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

1956.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

1957.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

1958.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

1959.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

1960.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

1961.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

1962.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

1963.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

1964.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

1965.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

1966.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

1967.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

1968.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

1969.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

1970.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

1971.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

1972.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

1973.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

1974.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

1975.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

1976.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

1977.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

1978.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

1979.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

1980.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

1981.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

1982.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

1983.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

1984.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

1985.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

1986.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

1987.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

1988.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

1989.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

1990.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

1991.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

1992.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

1993.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

1994.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

1995.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

1996.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

1997.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

1998.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

1999.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

2000.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

2001.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

2002.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

2003.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

2004.第1847项的装置，其另外包含聚合物。

2005.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体。

2006.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

2007.第1847项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

2008.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

2009.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

2010.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

2011.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

2012.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

2013.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

2014.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

2015.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

2016.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

2017.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

2018.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

2019.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

2020.第1847项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

2021.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

2022.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

2023.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

2024.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

2025.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

2026.第1847项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

2027.第1847项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

2028.第1847项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

2029.第1847项的装置，其另外包含聚合物。

2030.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体。

2031.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

2032.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

2033.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

2034.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

2035.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

2036.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

2037.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

2038.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

2039.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

2040.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

2041.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

2042.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

2043.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

2044.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

2045.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

2046.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

2047.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

2048.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

2049.第1847项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

2050.第1847项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

2051.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

2052.第1847项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

2053.第1847项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

2054.第1847项的装置，其另外含有消炎剂。

2055.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

2056.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

2057.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

2058.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

2059.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

2060.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

2061.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

2062.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

2063.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

2064.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

2065.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

2066.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

2067.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

2068.第1847项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

2069.第1847项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

2070.第1847项的装置，其另外含有显影剂。

2071.第1847项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

2072.第1847项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

2073.第1847项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

2074.第1847项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

2075.第1847项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

2076.第1847项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

2077.第1847项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

2078.第1847项的装置，其另外含有产生回波的物质。

2079.第1847项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

2080.第1847项的装置，其中所述装置是无菌的。

2081.第1847项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

2082.第1847项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

2083.第1847项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

2084.第1847项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

2085.第1847项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

2086.第1847项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2087.第1847项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2088.第1847项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2089.第1847项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2090.第1847项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2091.第1847项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2092.第1847项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2093.第1847项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2094.第1847项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

2095.第1847项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

2096.第1847项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

2097.第1847项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

2098.第1847项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

2099.第1847项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

2100.第1847项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

2101.第1847项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

2102.第1847项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

2103.第1847项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

2104.第1847项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

2105.一种装置，其包含中枢神经系统分流装置(即植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

2106.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

2107.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

2108.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

2109.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

2110.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

2111.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

2112.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

2113.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

2114.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

2115.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

2116.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

2117.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

2118.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

2119.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

2120.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

2121.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

2122.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

2123.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

2124.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

2125.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

2126.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

2127.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

2128.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

2129.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

2130.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

2131.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

2132.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

2133.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

2134.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

2135.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

2136.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

2137.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

2138.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

2139.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

2140.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

2141.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

2142.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

2143.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

2144.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

2145.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

2146.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

2147.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

2148.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

2149.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

2150.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

2151.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

2152.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

2153.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

2154.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

2155.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

2156.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

2157.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

2158.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

2159.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

2160.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

2161.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

2162.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

2163.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

2164.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

2165.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

2166.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

2167.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

2168.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

2169.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

2170.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

2171.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

2172.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

2173.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

2174.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

2175.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

2176.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

2177.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

2178.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

2179.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

2180.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

2181.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

2182.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

2183.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

2184.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

2185.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

2186.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

2187.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

2188.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

2189.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

2190.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

2191.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

2192.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

2193.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

2194.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

2195.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

2196.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

2197.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

2198.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

2199.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

2200.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

2201.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

2202.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

2203.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

2204.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

2205.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

2206.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

2207.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

2208.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

2209.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

2210.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

2211.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

2212.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

2213.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

2214.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

2215.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

2216.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

2217.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

2218.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

2219.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

2220.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

2221.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

2222.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

2223.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

2224.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

2225.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

2226.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

2227.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

2228.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

2229.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

2230.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

2231.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

2232.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

2233.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

2234.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

2235.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

2236.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

2237.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

2238.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

2239.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

2240.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

2241.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

2242.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

2243.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

2244.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

2245.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

2246.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

2247.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

2248.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

2249.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

2250.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

2251.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

2252.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

2253.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

2254.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

2255.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

2256.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

2257.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

2258.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

2259.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

2260.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

2261.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

2262.第2105项的装置，其另外包含聚合物。

2263.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体。

2264.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

2265.第2105项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

2266.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

2267.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

2268.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

2269.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

2270.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

2271.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

2272.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

2273.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

2274.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

2275.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

2276.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

2277.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

2278.第2105项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

2279.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

2280.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

2281.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

2282.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

2283.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

2284.第2105项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

2285.第2105项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

2286.第2105项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

2287.第2105项的装置，其另外包含聚合物。

2288.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体。

2289.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

2290.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

2291.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

2292.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

2293.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

2294.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

2295.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

2296.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

2297.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

2298.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

2299.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

2300.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

2301.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

2302.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

2303.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

2304.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

2305.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

2306.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

2307.第2105项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

2308.第2105项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

2309.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

2310.第2105项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

2311.第2105项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

2312.第2105项的装置，其另外含有消炎剂。

2313.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

2314.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

2315.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

2316.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

2317.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

2318.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

2319.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

2320.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

2321.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

2322.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

2323.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

2324.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

2325.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

2326.第2105项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

2327.第2105项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

2328.第2105项的装置，其另外含有显影剂。

2329.第2105项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

2330.第2105项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

2331.第2105项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

2332.第2105项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

2333.第2105项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

2334.第2105项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

2335.第2105项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

2336.第2105项的装置，其另外含有产生回波的物质。

2337.第2105项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

2338.第2105项的装置，其中所述装置是无菌的。

2339.第2105项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

2340.第2105项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

2341.第2105项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

2342.第2105项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

2343.第2105项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

2344.第2105项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2345.第2105项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2346.第2105项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2347.第2105项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2348.第2105项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2349.第2105项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2350.第2105项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2351.第2105项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2352.第2105项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

2353.第2105项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

2354.第2105项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

2355.第2105项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

2356.第2105项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

2357.第2105项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

2358.第2105项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

2359.第2105项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

2360.第2105项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

2361.第2105项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

2362.第2105项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

2363.第2105-2362项中任何一项的装置，其中所述植入物是室胸膜(ventriculopleural)分流装置。

2364.第2105-2362项中任何一项的装置，其中所述植入物是颈静脉分流装置。

2365.第2105-2362项中任何一项的装置，其中所述植入物是腔静脉(VA)分流装置。

2366.第2105-2362项中任何一项的装置，其中所述植入物是室腹膜(ventriculoperitoneal)分流装置(VP分流装置)。

2367.第2105-2362项中任何一项的装置，其中所述植入物是胆囊分流装置。

2368.第2105-2362项中任何一项的装置，其中所述植入物是腹膜分流装置。

2369.第2105-2362项中任何一项的装置，其中所述植入物是室外引流(an external ventricular drainage(EVD))装置。

2370.第2105-2362项中任何一项的装置，其中所述植入物是颅内压(ICP)监视装置。

2371.第2105-2362项中任何一项的装置，其中所述植入物是防止椎板切除术后硬膜外纤维变性的硬膜补片。

2372.第2105-2362项中任何一项的装置，其中所述植入物是用于连续蛛网膜下输注的装置。

2373.一种装置，包含眼内透镜(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

2374.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

2375.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

2376.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

2377.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

2378.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

2379.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

2380.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

2381.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

2382.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

2383.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

2384.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

2385.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

2386.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

2387.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

2388.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

2389.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

2390.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

2391.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

2392.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

2393.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

2394.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

2395.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

2396.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

2397.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

2398.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

2399.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

2400.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

2401.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

2402.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

2403.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

2404.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

2405.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

2406.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

2407.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

2408.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

2409.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

2410.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

2411.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

2412.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

2413.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

2414.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

2415.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

2416.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

2417.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

2418.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

2419.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

2420.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

2421.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

2422.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

2423.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

2424.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

2425.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

2426.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

2427.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

2428.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

2429.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

2430.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

2431.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

2432.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

2433.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

2434.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

2435.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

2436.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

2437.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

2438.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

2439.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

2440.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

2441.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

2442.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

2443.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

2444.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

2445.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

2446.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

2447.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

2448.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

2449.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

2450.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

2451.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

2452.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

2453.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

2454.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

2455.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

2456.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

2457.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

2458.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

2459.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

2460.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

2461.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

2462.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

2463.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

2464.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

2465.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

2466.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

2467.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

2468.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

2469.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

2470.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

2471.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

2472.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

2473.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

2474.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

2475.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

2476.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

2477.  第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

2478.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

2479.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

2480.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

2481.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

2482.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

2483.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

2484.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

2485.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

2486.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

2487.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

2488.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

2489.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

2490.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

2491.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

2492.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

2493.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

2494.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

2495.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

2496.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

2497.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

2498.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

2499.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

2500.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

2501.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

2502.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

2503.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

2504.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

2505.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

2506.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

2507.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

2508.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

2509.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

2510.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

2511.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

2512.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

2513.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

2514.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

2515.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

2516.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

2517.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

2518.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

2519.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

2520.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

2521.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

2522.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

2523.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

2524.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

2525.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

2526.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

2527.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

2528.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

2529.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

2530.第2373项的装置，其另外包含聚合物。

2531.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体。

2532.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

2533.第2373项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

2534.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

2535.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

2536.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

2537.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

2538.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

2539.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

2540.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

2541.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

2542.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

2543.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

2544.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

2545.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

2546.第2373项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

2547.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

2548.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

2549.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

2550.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

2551.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

2552.第2373项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

2553.第2373项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

2554.第2373项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

2555.第2373项的装置，其另外包含聚合物。

2556.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体。

2557.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

2558.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

2559.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

2560.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

2561.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

2562.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

2563.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

2564.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

2565.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

2566.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

2567.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

2568.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

2569.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

2570.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

2571.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

2572.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

2573.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

2574.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

2575.第2373项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

2576.第2373项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

2577.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

2578.第2373项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

2579.第2373项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

2580.第2373项的装置，其另外含有消炎剂。

2581.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

2582.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

2583.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

2584.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

2585.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

2586.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

2587.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

2588.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

2589.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

2590.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

2591.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

2592.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

2593.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

2594.第2373项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

2595.第2373项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

2596.第2373项的装置，其另外含有显影剂。

2597.第2373项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

2598.第2373项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

2599.第2373项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

2600.第2373项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

2601.第2373项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

2602.第2373项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

2603.第2373项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

2604.第2373项的装置，其另外含有产生回波的物质。

2605.第2373项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

2606.第2373项的装置，其中所述装置是无菌的。

2607.第2373项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

2608.第2373项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

2609.第2373项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

2610.第2373项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

2611.第2373项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

2612.第2373项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2613.第2373项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2614.第2373项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2615.第2373项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2616.第2373项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2617.第2373项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2618.第2373项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2619.第2373项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2620.第2373项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

2621.第2373项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

2622.第2373项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

2623.第2373项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

2624.第2373项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

2625.第2373项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

2626.第2373项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

2627.第2373项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

2628.第2373项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

2629.第2373项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

2630.第2373项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

2631.第2373-2630项中任何一项的装置，其中所述植入物是无晶状体透镜。

2632.第2373-2630项中任何一项的装置，其中所述植入物是晶状体透镜。

2633.第2373-2630项中任何一项的装置，其中所述植入物是多焦点透镜。

2634.一种装置，其包含青光眼引流装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

2635.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

2636.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

2637.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

2638.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

2639.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

2640.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

2641.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

2642.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

2643.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

2644.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

2645.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

2646.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

2647.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

2648.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

2649.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

2650.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

2651.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

2652.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

2653.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

2654.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

2655.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

2656.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

2657.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

2658.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

2659.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

2660.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

2661.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

2662.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

2663.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

2664.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

2665.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

2666.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

2667.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

2668.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

2669.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

2670.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

2671.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

2672.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

2673.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

2674.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

2675.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

2676.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

2677.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

2678.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

2679.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

2680.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

2681.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

2682.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

2683.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

2684.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

2685.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

2686.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

2687.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

2688.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

2689.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

2690.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

2691.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

2692.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

2693.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

2694.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

2695.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

2696.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

2697.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

2698.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

2699.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

2700.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

2701.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

2702.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

2703.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

2704.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

2705.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

2706.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

2707.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

2708.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

2709.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

2710.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

2711.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

2712.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

2713.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

2714.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

2715.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

2716.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

2717.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

2718.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

2719.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

2720.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

2721.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

2722.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

2723.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

2724.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

2725.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

2726.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

2727.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

2728.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

2729.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

2730.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

2731.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

2732.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

2733.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

2734.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

2735.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

2736.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

2737.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

2738.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

2739.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

2740.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

2741.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

2742.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

2743.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

2744.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

2745.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

2746.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

2747.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

2748.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

2749.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

2750.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

2751.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

2752.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

2753.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

2754.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

2755.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

2756.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

2757.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

2758.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

2759.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

2760.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

2761.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

2762.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

2763.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

2764.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

2765.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

2766.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

2767.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

2768.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

2769.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

2770.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

2771.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

2772.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

2773.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

2774.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

2775.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

2776.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

2777.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

2778.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

2779.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

2780.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

2781.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

2782.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

2783.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

2784.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

2785.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

2786.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

2787.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

2788.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

2789.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

2790.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

2791.第2634项的装置，其另外包含聚合物。

2792.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体。

2793.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

2794.第2634项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

2795.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

2796.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

2797.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

2798.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

2799.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

2800.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

2801.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

2802.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

2803.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

2804.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

2805.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

2806.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

2807.第2634项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

2808.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

2809.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

2810.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

2811.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

2812.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

2813.第2634项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

2814.第2634项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

2815.第2634项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

2816.第2634项的装置，其另外包含聚合物。

2817.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体。

2818.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

2819.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

2820.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

2821.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

2822.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

2823.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

2824.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

2825.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

2826.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

2827.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

2828.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

2829.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

2830.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

2831.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

2832.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

2833.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

2834.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

2835.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

2836.第2634项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

2837.第2634项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

2838.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

2839.第2634项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

2840.第2634项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

2841.第2634项的装置，其另外含有消炎剂。

2842.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

2843.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

2844.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

2845.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

2846.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

2847.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

2848.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

2849.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

2850.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

2851.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

2852.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

2853.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

2854.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

2855.第2634项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

2856.第2634项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

2857.第2634项的装置，其另外含有显影剂。

2858.第2634项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

2859.第2634项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

2860.第2634项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

2861.第2634项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

2862.第2634项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

2863.第2634项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

2864.第2634项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

2865.第2634项的装置，其另外含有产生回波的物质。

2866.第2634项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

2867.第2634项的装置，其中所述装置是无菌的。

2868.第2634项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

2869.第2634项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

2870.第2634项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

2871.第2634项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

2872.第2634项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

2873.第2634项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2874.第2634项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2875.第2634项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2876.第2634项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2877.第2634项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2878.第2634项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2879.第2634项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2880.第2634项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

2881.第2634项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

2882.第2634项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

2883.第2634项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

2884.第2634项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

2885.第2634项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

2886.第2634项的装置，其中所述装置的表面在每mm2应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

2887.第2634项的装置，其中所述装置的表面在每mm2应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

2888.第2634项的装置，其中所述装置的表面在每mm2应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

2889.第2634项的装置，其中所述装置的表面在每mm2应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

2890.第2634项的装置，其中所述装置的表面在每mm2应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

2891.第2634项的装置，其中所述装置的表面在每mm2应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

2892.第2634-2891项中任何一项的装置，其中所述植入物是巩膜外层引流板或管。

2893.一种装置，其包含阴茎植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

2894.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

2895.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

2896.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

2897.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

2898.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

2899.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

2900.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

2901.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

2902.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

2903.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

2904.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

2905.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

2906.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

2907.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

2908.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

2909.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

2910.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

2911.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

2912.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

2913.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

2914.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

2915.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

2916.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

2917.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

2918.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

2919.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

2920.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

2921.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

2922.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

2923.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

2924.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

2925.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

2926.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

2927.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

2928.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

2929.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

2930.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

2931.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

2932.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

2933.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

2934.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

2935.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

2936.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

2937.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

2938.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

2939.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

2940.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

2941.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

2942.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

2943.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

2944.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

2945.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

2946.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

2947.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

2948.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

2949.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

2950.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

2951.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

2952.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

2953.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

2954.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

2955.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

2956.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

2957.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

2958.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

2959.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

2960.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

2961.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

2962.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

2963.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

2964.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

2965.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

2966.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

2967.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

2968.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

2969.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

2970.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

2971.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

2972.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

2973.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

2974.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

2975.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

2976.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

2977.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

2978.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

2979.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

2980.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

2981.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

2982.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

2983.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

2984.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

2985.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

2986.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

2987.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

2988.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

2989.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

2990.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

2991.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

2992.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

2993.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

2994.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

2995.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

2996.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

2997.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

2998.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

2999.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

3000.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

3001.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

3002.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

3003.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

3004.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

3005.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

3006.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

3007.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

3008.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

3009.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

3010.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

3011.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

3012.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

3013.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

3014.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

3015.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

3016.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

3017.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

3018.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

3019.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

3020.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

3021.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

3022.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

3023.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

3024.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

3025.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

3026.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

3027.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

3028.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

3029.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

3030.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

3031.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

3032.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

3033.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

3034.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

3035.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

3036.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

3037.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

3038.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

3039.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

3040.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

3041.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

3042.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

3043.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

3044.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

3045.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

3046.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

3047.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

3048.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

3049.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

3050.第2893项的装置，其另外包含聚合物。

3051.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体。

3052.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

3053.第2893项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

3054.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

3055.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

3056.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

3057.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

3058.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

3059.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

3060.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

3061.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

3062.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

3063.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

3064.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

3065.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

3066.第2893项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

3067.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

3068.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

3069.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

3070.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

3071.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

3072.第2893项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

3073.第2893项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

3074.第2893项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

3075.第2893项的装置，其另外包含聚合物。

3076.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体。

3077.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

3078.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

3079.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

3080.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

3081.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

3082.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

3083.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

3084.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

3085.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

3086.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

3087.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

3088.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

3089.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

3090.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

3091.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

3092.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

3093.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

3094.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

3095.第2893项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

3096.第2893项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

3097.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

3098.第2893项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

3099.第2893项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

3100.第2893项的装置，其另外含有消炎剂。

3101.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

3102.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

3103.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

3104.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

3105.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

3106.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

3107.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

3108.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

3109.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

3110.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

3111.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

3112.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

3113.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

3114.第2893项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

3115.第2893项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

3116.第2893项的装置，其另外含有显影剂。

3117.第2893项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

3118.第2893项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

3119.第2893项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

3120.第2893项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

3121.第2893项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

3122.第2893项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

3123.第2893项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

3124.第2893项的装置，其另外含有产生回波的物质。

3125.第2893项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

3126.第2893项的装置，其中所述装置是无菌的。

3127.第2893项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

3128.第2893项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

3129.第2893项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

3130.第2893项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

3131.第2893项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

3132.第2893项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3133.第2893项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3134.第2893项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3135.第2893项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3136.第2893项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3137.第2893项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3138.第2893项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3139.第2893项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3140.第2893项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

3141.第2893项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

3142.第2893项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

3143.第2893项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

3144.第2893项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

3145.第2893项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

3146.第2893项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

3147.第2893项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

3148.第2893项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

3149.第2893项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

3150.第2893项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

3151.第2893-3150项中任何一项的装置，其中所述植入物是柔性棒或圈。

3152.第2893-3150项中任何一项的装置，其中所述植入物是可膨胀的管和泵。

3153.第2893-3150项中任何一项的装置，其中所述植入物包含压力舱。

3154.一种装置，其包含气管内管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

3155.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

3156.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

3157.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

3158.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

3159.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

3160.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

3161.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

3162.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

3163.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

3164.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

3165.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

3166.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

3167.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

3168.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

3169.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

3170.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

3171.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

3172.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

3173.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

3174.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

3175.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

3176.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

3177.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

3178.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

3179.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

3180.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

3181.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

3182.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

3183.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

3184.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

3185.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

3186.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

3187.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

3188.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

3189.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

3190.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

3191.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

3192.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

3193.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

3194.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

3195.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

3196.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

3197.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

3198.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

3199.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

3200.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

3201.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

3202.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

3203.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

3204.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

3205.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

3206.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

3207.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

3208.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

3209.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

3210.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

3211.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

3212.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

3213.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

3214.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

3215.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

3216.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

3217.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

3218.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

3219.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

3220.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

3221.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

3222.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

3223.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

3224.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

3225.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

3226.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

3227.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

3228.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

3229.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

3230.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

3231.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

3232.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

3233.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

3234.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

3235.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

3236.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

3237.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

3238.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

3239.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

3240.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

3241.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

3242.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

3243.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

3244.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

3245.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

3246.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

3247.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

3248.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

3249.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

3250.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

3251.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

3252.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

3253.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

3254.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

3255.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

3256.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

3257.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

3258.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

3259.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

3260.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

3261.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

3262.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

3263.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

3264.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

3265.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

3266.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

3267.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

3268.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

3269.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

3270.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

3271.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

3272.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

3273.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

3274.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

3275.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

3276.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

3277.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

3278.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

3279.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

3280.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

3281.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

3282.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

3283.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

3284.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

3285.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

3286.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

3287.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

3288.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

3289.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

3290.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

3291.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

3292.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

3293.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

3294.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

3295.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

3296.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

3297.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

3298.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

3299.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

3300.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

3301.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

3302.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

3303.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

3304.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

3305.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

3306.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

3307.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

3308.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

3309.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

3310.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

3311.第3154项的装置，其另外包含聚合物。

3312.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体。

3313.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

3314.第3154项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

3315.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

3316.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

3317.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

3318.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

3319.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

3320.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

3321.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

3322.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

3323.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

3324.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

3325.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

3326.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

3327.第3154项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

3328.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

3329.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

3330.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

3331.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

3332.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

3333.第3154项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

3334.第3154项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

3335.第3154项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

3336.第3154项的装置，其另外包含聚合物。

3337.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体。

3338.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

3339.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

3340.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

3341.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

3342.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

3343.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

3344.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

3345.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

3346.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

3347.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

3348.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

3349.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

3350.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

3351.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

3352.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

3353.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

3354.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

3355.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

3356.第3154项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

3357.第3154项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

3358.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

3359.第3154项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

3360.第3154项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

3361.第3154项的装置，其另外含有消炎剂。

3362.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

3363.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

3364.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

3365.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

3366.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

3367.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

3368.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

3369.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

3370.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

3371.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

3372.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

3373.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

3374.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

3375.第3154项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

3376.第3154项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

3377.第3154项的装置，其另外含有显影剂。

3378.第3154项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

3379.第3154项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

3380.第3154项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

3381.第3154项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

3382.第3154项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

3383.第3154项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

3384.第3154项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

3385.第3154项的装置，其另外含有产生回波的物质。

3386.第3154项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

3387.第3154项的装置，其中所述装置是无菌的。

3388.第3154项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

3389.第3154项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

3390.第3154项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

3391.第3154项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

3392.第3154项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

3393.第3154项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3394.第3154项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3395.第3154项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3396.第3154项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3397.第3154项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3398.第3154项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3399.第3154项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3400.第3154项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3401.第3154项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

3402.第3154项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

3403.第3154项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

3404.第3154项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

3405.第3154项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

3406.第3154项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

3407.第3154项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

3408.第3154项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

3409.第3154项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

3410.第3154项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

3411.第3154项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

3412.一种装置，其包含气管造口插管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

3413.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

3414.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

3415.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

3416.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

3417.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

3418.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

3419.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

3420.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

3421.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

3422.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

3423.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

3424.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

3425.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

3426.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

3427.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

3428.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

3429.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

3430.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

3431.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

3432.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

3433.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

3434.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

3435.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

3436.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

3437.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

3438.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

3439.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

3440.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

3441.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

3442.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

3443.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

3444.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

3445.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

3446.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

3447.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

3448.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

3449.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

3450.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

3451.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

3452.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

3453.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

3454.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

3455.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

3456.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

3457.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

3458.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

3459.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

3460.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

3461.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

3462.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

3463.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

3464.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

3465.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

3466.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

3467.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

3468.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

3469.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

3470.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

3471.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

3472.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

3473.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

3474.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

3475.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

3476.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

3477.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

3478.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

3479.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

3480.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

3481.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

3482.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

3483.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

3484.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

3485.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

3486.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

3487.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

3488.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

3489.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

3490.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

3491.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

3492.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

3493.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

3494.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

3495.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

3496.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

3497.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

3498.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

3499.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

3500.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

3501.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

3502.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

3503.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

3504.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

3505.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

3506.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

3507.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

3508.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

3509.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

3510.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

3511.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

3512.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

3513.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

3514.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

3515.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

3516.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

3517.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

3518.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

3519.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

3520.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

3521.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

3522.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

3523.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

3524.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

3525.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

3526.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

3527.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

3528.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

3529.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

3530.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

3531.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

3532.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

3533.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

3534.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

3535.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

3536.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

3537.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

3538.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

3539.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

3540.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

3541.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

3542.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

3543.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

3544.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

3545.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

3546.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

3547.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

3548.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

3549.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

3550.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

3551.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

3552.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

3553.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

3554.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

3555.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

3556.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

3557.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

3558.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

3559.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

3560.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

3561.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

3562.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

3563.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

3564.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

3565.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

3566.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

3567.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

3568.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

3569.第3412项的装置，其另外包含聚合物。

3570.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体。

3571.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

3572.第3412项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

3573.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

3574.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

3575.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

3576.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

3577.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

3578.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

3579.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

3580.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

3581.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

3582.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

3583.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

3584.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

3585.第3412项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

3586.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

3587.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

3588.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

3589.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

3590.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

3591.第3412项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

3592.第3412项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

3593.第3412项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

3594.第3412项的装置，其另外包含聚合物。

3595.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体。

3596.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

3597.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

3598.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

3599.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

3600.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

3601.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

3602.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

3603.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

3604.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

3605.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

3606.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

3607.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

3608.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

3609.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

3610.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

3611.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

3612.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

3613.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

3614.第3412项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

3615.第3412项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

3616.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

3617.第3412项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

3618.第3412项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

3619.第3412项的装置，其另外含有消炎剂。

3620.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

3621.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

3622.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

3623.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

3624.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

3625.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

3626.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

3627.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

3628.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

3629.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

3630.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

3631.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

3632.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

3633.第3412项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

3634.第3412项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

3635.第3412项的装置，其另外含有显影剂。

3636.第3412项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

3637.第3412项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

3638.第3412项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

3639.第3412项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

3640.第3412项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

3641.第3412项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

3642.第3412项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

3643.第3412项的装置，其另外含有产生回波的物质。

3644.第3412项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

3645.第3412项的装置，其中所述装置是无菌的。

3646.第3412项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

3647.第3412项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

3648.第3412项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

3649.第3412项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

3650.第3412项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

3651.第3412项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3652.第3412项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3653.第3412项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3654.第3412项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3655.第3412项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3656.第3412项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3657.第3412项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3658.第3412项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3659.第3412项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

3660.第3412项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

3661.第3412项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

3662.第3412项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

3663.第3412项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

3664.第3412项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

3665.第3412项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

3666.第3412项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

3667.第3412项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

3668.第3412项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

3669.第3412项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

3670.一种装置，其包含胃肠装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

3671.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

3672.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

3673.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

3674.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

3675.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

3676.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

3677.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

3678.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

3679.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

3680.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

3681.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

3682.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

3683.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

3684.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

3685.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

3686.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

3687.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

3688.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

3689.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

3690.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

3691.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

3692.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

3693.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

3694.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

3695.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

3696.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

3697.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

3698.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

3699.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

3700.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

3701.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

3702.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

3703.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

3704.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

3705.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

3706.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

3707.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

3708.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

3709.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

3710.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

3711.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

3712.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

3713.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

3714.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

3715.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

3716.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

3717.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

3718.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

3719.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

3720.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

3721.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

3722.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

3723.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

3724.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

3725.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

3726.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

3727.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

3728.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

3729.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

3730.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

3731.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

3732.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

3733.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

3734.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

3735.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

3736.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

3737.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

3738.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

3739.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

3740.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

3741.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

3742.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

3743.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

3744.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

3745.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

3746.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

3747.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

3748.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

3749.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

3750.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

3751.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

3752.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

3753.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

3754.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

3755.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

3756.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

3757.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

3758.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

3759.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

3760.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

3761.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

3762.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

3763.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

3764.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

3765.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

3766.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

3767.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

3768.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

3769.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

3770.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

3771.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

3772.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

3773.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

3774.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

3775.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

3776.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

3777.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

3778.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

3779.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

3780.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

3781.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

3782.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

3783.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

3784.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

3785.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

3786.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

3787.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

3788.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

3789.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

3790.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

3791.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

3792.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

3793.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

3794.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

3795.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

3796.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

3797.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

3798.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

3799.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

3800.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

3801.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

3802.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

3803.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

3804.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

3805.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

3806.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

3807.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

3808.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

3809.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

3810.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

3811.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

3812.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

3813.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

3814.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

3815.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

3816.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

3817.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

3818.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

3819.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

3820.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

3821.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

3822.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

3823.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

3824.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

3825.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

3826.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

3827.第3670项的装置，其另外包含聚合物。

3828.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体。

3829.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

3830.第3670项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

3831.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

3832.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

3833.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

3834.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

3835.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

3836.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

3837.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

3838.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

3839.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

3840.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

3841.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

3842.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

3843.第3670项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

3844.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

3845.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

3846.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

3847.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

3848.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

3849.第3670项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

3850.第3670项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

3851.第3670项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

3852.第3670项的装置，其另外包含聚合物。

3853.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体。

3854.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

3855.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

3856.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

3857.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

3858.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

3859.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

3860.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

3861.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

3862.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

3863.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

3864.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

3865.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

3866.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

3867.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

3868.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

3869.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

3870.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

3871.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

3872.第3670项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

3873.第3670项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

3874.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

3875.第3670项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

3876.第3670项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

3877.第3670项的装置，其另外含有消炎剂。

3878.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

3879.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

3880.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

3881.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

3882.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

3883.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

3884.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

3885.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

3886.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

3887.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

3888.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

3889.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

3890.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

3891.第3670项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

3892.第3670项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

3893.第3670项的装置，其另外含有显影剂。

3894.第3670项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

3895.第3670项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

3896.第3670项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

3897.第3670项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

3898.第3670项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

3899.第3670项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

3900.第3670项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

3901.第3670项的装置，其另外含有产生回波的物质。

3902.第3670项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

3903.第3670项的装置，其中所述装置是无菌的。

3904.第3670项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

3905.第3670项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

3906.第3670项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

3907.第3670项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

3908.第3670项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

3909.第3670项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3910.第3670项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3911.第3670项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3912.第3670项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3913.第3670项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3914.第3670项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3915.第3670项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3916.第3670项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

3917.第3670项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

3918.第3670项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

3919.第3670项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

3920.第3670项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

3921.第3670项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

3922.第3670项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

3923.第3670项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

3924.第3670项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

3925.第3670项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

3926.第3670项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

3927.第3670项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

3928.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是用于引流的GI管。

3929.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是用于喂养的GI管。

3930.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是门体循环分流装置。

3931.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是腹水分流装置。

3932.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是鼻胃管。

3933.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是鼻肠管。

3934.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是胃造口术饲管。

3935.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是经皮饲管。

3936.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是结肠造口术装置。

3937.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是胆道T-管。

3938.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是胆石去除装置。

3939.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是膨胀气囊。

3940.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是膨胀导管。

3941.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是肠饲装置。

3942.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是食道斯滕特固定模。

3943.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是胆道斯滕特固定模。

3944.第3670-3927项中任何一项的装置，其中所述植入物是胰斯滕特固定模。

3945.一种装置，其包含脊柱植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

3946.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

3947.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

3948.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

3949.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

3950.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

3951.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

3952.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

3953.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

3954.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

3955.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

3956.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

3957.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

3958.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

3959.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

3960.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

3961.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

3962.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

3963.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

3964.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

3965.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

3966.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

3967.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

3968.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

3969.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

3970.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

3971.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

3972.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

3973.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

3974.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

3975.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

3976.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

3977.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

3978.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

3979.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

3980.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

3981.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

3982.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

3983.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

3984.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

3985.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

3986.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

3987.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

3988.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

3989.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

3990.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

3991.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

3992.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

3993.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

3994.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

3995.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

3996.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

3997.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

3998.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

3999.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

4000.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

4001.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

4002.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

4003.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

4004.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

4005.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

4006.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

4007.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

4008.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

4009.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

4010.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

4011.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

4012.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

4013.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

4014.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

4015.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

4016.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

4017.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

4018.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

4019.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

4020.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

4021.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

4022.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

4023.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

4024.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

4025.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

4026.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

4027.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

4028.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

4029.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

4030.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

4031.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

4032.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

4033.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

4034.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

4035.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

4036.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

4037.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

4038.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

4039.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

4040.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

4041.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

4042.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

4043.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

4044.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

4045.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

4046.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

4047.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

4048.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

4049.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

4050.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

4051.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

4052.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

4053.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

4054.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

4055.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

4056.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

4057.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

4058.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

4059.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

4060.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

4061.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

4062.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

4063.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

4064.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

4065.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

4066.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

4067.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

4068.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

4069.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

4070.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

4071.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

4072.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

4073.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

4074.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

4075.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

4076.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

4077.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

4078.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

4079.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

4080.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

4081.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

4082.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

4083.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

4084.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

4085.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

4086.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

4087.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

4088.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

4089.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

4090.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

4091.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

4092.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

4093.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

4094.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

4095.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

4096.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

4097.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

4098.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

4099.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

4100.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

4101.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

4102.第3945项的装置，其另外包含聚合物。

4103.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体。

4104.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

4105.第3945项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

4106.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

4107.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

4108.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

4109.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

4110.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

4111.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

4112.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

4113.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

4114.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

4115.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

4116.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

4117.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

4118.第3945项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

4119.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

4120.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

4121.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

4122.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

4123.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

4124.第3945项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

4125.第3945项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

4126.第3945项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

4127.第3945项的装置，其另外包含聚合物。

4128.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体。

4129.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

4130.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

4131.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

4132.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

4133.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

4134.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

4135.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

4136.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

4137.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

4138.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

4139.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

4140.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

4141.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

4142.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

4143.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

4144.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

4145.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

4146.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

4147.第3945项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

4148.第3945项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

4149.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

4150.第3945项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

4151.第3945项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

4152.第3945项的装置，其另外含有消炎剂。

4153.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

4154.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

4155.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

4156.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

4157.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

4158.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

4159.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

4160.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

4161.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

4162.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

4163.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

4164.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

4165.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

4166.第3945项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

4167.第3945项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

4168.第3945项的装置，其另外含有显影剂。

4169.第3945项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

4170.第3945项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

4171.第3945项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

4172.第3945项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

4173.第3945项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

4174.第3945项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

4175.第3945项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

4176.第3945项的装置，其另外含有产生回波的物质。

4177.第3945项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

4178.第3945项的装置，其中所述装置是无菌的。

4179.第3945项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

4180.第3945项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

4181.第3945项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

4182.第3945项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

4183.第3945项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

4184.第3945项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4185.第3945项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4186.第3945项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4187.第3945项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4188.第3945项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4189.第3945项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4190.第3945项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4191.第3945项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4192.第3945项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

4193.第3945项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

4194.第3945项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

4195.第3945项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

4196.第3945项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

4197.第3945项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

4198.第3945项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

4199.第3945项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

4200.第3945项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

4201.第3945项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

4202.第3945项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

4203.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是脊柱盘。

4204.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是脊椎盘假体。

4205.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是椎间盘。

4206.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是部分脊椎假体。

4207.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是脊柱核植入物。

4208.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是椎间盘间隔物。

4209.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是融合笼(cage)。

4210.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是融合篮(basket)。

4211.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是融合室(chamber)。

4212.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是脊柱锚定装置。

4213.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是骨固定装置。

4214.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是脊柱的锚定骨板。

4215.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是脊柱的锚定螺钉。

4216.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是脊柱的可植入棒。

4217.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是脊柱的可植入的钉。

4218.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是脊柱的可植入的钩。

4219.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是用于脊柱结合的丝。

4220.第3945-4202项中任何一项的装置，其中所述植入物是用于脊柱支撑的楔。

4221.一种装置，其包含压力监测植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

4222.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

4223.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

4224.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

4225.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

4226.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

4227.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

4228.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

4229.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

4230.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

4231.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

4232.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

4233.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

4234.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

4235.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

4236.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

4237.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

4238.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

4239.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

4240.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

4241.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

4242.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

4243.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

4244.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

4245.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

4246.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

4247.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

4248.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

4249.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

4250.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

4251.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

4252.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

4253.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

4254.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

4255.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

4256.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

4257.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

4258.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

4259.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

4260.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

4261.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

4262.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

4263.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

4264.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

4265.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

4266.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

4267.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

4268.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

4269.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

4270.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

4271.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

4272.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

4273.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

4274.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

4275.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

4276.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

4277.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

4278.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

4279.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

4280.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

4281.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

4282.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

4283.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

4284.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

4285.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

4286.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

4287.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

4288.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

4289.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

4290.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

4291.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

4292.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

4293.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

4294.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

4295.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

4296.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

4297.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

4298.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

4299.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

4300.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

4301.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

4302.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

4303.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

4304.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

4305.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

4306.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

4307.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

4308.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

4309.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

4310.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

4311.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

4312.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

4313.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

4314.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

4315.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

4316.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

4317.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

4318.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

4319.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

4320.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

4321.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

4322.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

4323.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

4324.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

4325.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

4326.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

4327.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

4328.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

4329.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

4330.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

4331.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

4332.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

4333.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

4334.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

4335.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

4336.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

4337.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

4338.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

4339.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

4340.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

4341.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

4342.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

4343.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

4344.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

4345.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

4346.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

4347.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

4348.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

4349.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

4350.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

4351.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

4352.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

4353.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

4354.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

4355.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

4356.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

4357.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

4358.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

4359.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

4360.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

4361.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

4362.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

4363.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

4364.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

4365.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

4366.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

4367.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

4368.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

4369.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

4370.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

4371.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

4372.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

4373.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

4374.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

4375.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

4376.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

4377.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

4378.第4221项的装置，其另外包含聚合物。

4379.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体。

4380.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

4381.第4221项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

4382.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

4383.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

4384.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

4385.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

4386.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

4387.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

4388.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

4389.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

4390.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

4391.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

4392.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

4393.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

4394.第4221项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

4395.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

4396.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

4397.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

4398.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

4399.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

4400.第4221项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

4401.第4221项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

4402.第4221项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

4403.第4221项的装置，其另外包含聚合物。

4404.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体。

4405.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

4406.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

4407.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

4408.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

4409.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

4410.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

4411.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

4412.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

4413.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

4414.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

4415.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

4416.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

4417.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

4418.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

4419.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

4420.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

4421.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

4422.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

4423.第4221项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

4424.第4221项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

4425.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

4426.第4221项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

4427.第4221项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

4428.第4221项的装置，其另外含有消炎剂。

4429.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

4430.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

4431.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

4432.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

4433.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

4434.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

4435.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

4436.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

4437.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

4438.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

4439.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

4440.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

4441.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

4442.第4221项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

4443.第4221项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

4444.第4221项的装置，其另外含有显影剂。

4445.第4221项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

4446.第4221项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

4447.第4221项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

4448.第4221项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

4449.第4221项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

4450.第4221项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

4451.第4221项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

4452.第4221项的装置，其另外含有产生回波的物质。

4453.第4221项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

4454.第4221项的装置，其中所述装置是无菌的。

4455.第4221项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

4456.第4221项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

4457.第4221项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

4458.第4221项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

4459.第4221项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

4460.第4221项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4461.第4221项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4462.第4221项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4463.第4221项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4464.第4221项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4465.第4221项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4466.第4221项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4467.第4221项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4468.第4221项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

4469.第4221项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

4470.第4221项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

4471.第4221项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

4472.第4221项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

4473.第4221项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

4474.第4221项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

4475.第4221项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

4476.第4221项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

4477.第4221项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

4478.第4221项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

4479.一种装置，其包含鼓膜造孔术管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

4480.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

4481.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

4482.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

4483.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

4484.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

4485.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

4486.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

4487.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

4488.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

4489.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

4490.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

4491.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

4492.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

4493.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

4494.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

4495.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

4496.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

4497.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

4498.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

4499.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

4500.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

4501.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

4502.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

4503.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

4504.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

4505.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

4506.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

4507.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

4508.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

4509.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

4510.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

4511.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

4512.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

4513.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

4514.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

4515.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

4516.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

4517.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

4518.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

4519.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

4520.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

4521.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

4522.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

4523.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

4524.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

4525.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

4526.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

4527.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

4528.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

4529.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

4530.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

4531.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

4532.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

4533.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

4534.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

4535.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

4536.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

4537.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

4538.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

4539.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

4540.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

4541.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

4542.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

4543.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

4544.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

4545.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

4546.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

4547.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

4548.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

4549.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

4550.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

4551.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

4552.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

4553.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

4554.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

4555.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

4556.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

4557.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

4558.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

4559.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

4560.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

4561.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

4562.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

4563.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

4564.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

4565.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

4566.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

4567.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

4568.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

4569.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

4570.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

4571.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

4572.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

4573.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

4574.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

4575.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

4576.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

4577.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

4578.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

4579.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

4580.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

4581.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

4582.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

4583.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

4584.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

4585.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

4586.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

4587.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

4588.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

4589.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

4590.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

4591.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

4592.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

4593.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

4594.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

4595.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

4596.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

4597.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

4598.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

4599.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

4600.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

4601.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

4602.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

4603.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

4604.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

4605.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

4606.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

4607.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

4608.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

4609.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

4610.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

4611.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

4612.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

4613.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

4614.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

4615.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

4616.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

4617.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

4618.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

4619.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

4620.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

4621.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

4622.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

4623.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

4624.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

4625.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

4626.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

4627.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

4628.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

4629.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

4630.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

4631.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

4632.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

4633.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

4634.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

4635.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

4636.第4479项的装置，其另外包含聚合物。

4637.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体。

4638.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

4639.第4479项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

4640.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

4641.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

4642.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

4643.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

4644.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

4645.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

4646.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

4647.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

4648.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

4649.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

4650.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

4651.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

4652.第4479项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

4653.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

4654.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

4655.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

4656.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

4657.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

4658.第4479项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

4659.第4479项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

4660.第4479项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

4661.第4479项的装置，其另外包含聚合物。

4662.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体。

4663.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

4664.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

4665.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

4666.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

4667.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

4668.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

4669.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

4670.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

4671.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

4672.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

4673.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

4674.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

4675.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

4676.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

4677.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

4678.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

4679.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

4680.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

4681.第4479项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

4682.第4479项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

4683.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

4684.第4479项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

4685.第4479项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

4686.第4479项的装置，其另外含有消炎剂。

4687.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

4688.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

4689.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

4690.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

4691.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

4692.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

4693.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

4694.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

4695.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

4696.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

4697.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

4698.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

4699.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

4700.第4479项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

4701.第4479项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

4702.第4479项的装置，其另外含有显影剂。

4703.第4479项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

4704.第4479项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

4705.第4479项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

4706.第4479项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

4707.第4479项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

4708.第4479项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

4709.第4479项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

4710.第4479项的装置，其另外含有产生回波的物质。

4711.第4479项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

4712.第4479项的装置，其中所述装置是无菌的。

4713.第4479项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

4714.第4479项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

4715.第4479项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

4716.第4479项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

4717.第4479项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

4718.第4479项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4719.第4479项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4720.第4479项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4721.第4479项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4722.第4479项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4723.第4479项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4724.第4479项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4725.第4479项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4726.第4479项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

4727.第4479项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

4728.第4479项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

4729.第4479项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

4730.第4479项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

4731.第4479项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

4732.第4479项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

4733.第4479项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

4734.第4479项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

4735.第4479项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

4736.第4479项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

4737.一种装置，其包含提供外科用的粘连屏障的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

4738.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

4739.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

4740.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

4741.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

4742.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

4743.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

4744.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

4745.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

4746.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

4747.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

4748.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

4749.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

4750.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

4751.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

4752.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

4753.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

4754.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

4755.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

4756.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

4757.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

4758.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

4759.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

4760.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

4761.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

4762.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

4763.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

4764.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

4765.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

4766.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

4767.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

4768.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

4769.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

4770.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

4771.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

4772.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

4773.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

4774.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

4775.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

4776.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

4777.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

4778.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

4779.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

4780.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

4781.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

4782.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

4783.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

4784.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

4785.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

4786.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

4787.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

4788.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

4789.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

4790.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

4791.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

4792.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

4793.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

4794.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

4795.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

4796.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

4797.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

4798.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

4799.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

4800.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

4801.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

4802.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

4803.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

4804.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

4805.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

4806.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

4807.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

4808.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

4809.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

4810.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

4811.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

4812.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

4813.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

4814.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

4815.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

4816.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

4817.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

4818.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

4819.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

4820.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

4821.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

4822.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

4823.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

4824.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

4825.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

4826.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

4827.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

4828.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

4829.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

4830.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

4831.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

4832.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

4833.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

4834.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

4835.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

4836.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

4837.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

4838.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

4839.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

4840.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

4841.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

4842.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

4843.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

4844.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

4845.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

4846.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

4847.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

4848.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

4849.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

4850.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

4851.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

4852.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

4853.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

4854.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

4855.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

4856.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

4857.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

4858.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

4859.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

4860.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

4861.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

4862.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

4863.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

4864.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

4865.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

4866.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

4867.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

4868.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

4869.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

4870.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

4871.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

4872.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

4873.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

4874.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

4875.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

4876.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

4877.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

4878.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

4879.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

4880.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

4881.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

4882.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

4883.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

4884.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

4885.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

4886.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

4887.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

4888.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

4889.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

4890.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

4891.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

4892.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

4893.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

4894.第4737项的装置，其另外包含聚合物。

4895.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体。

4896.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

4897.第4737项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

4898.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

4899.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

4900.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

4901.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

4902.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

4903.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

4904.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

4905.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

4906.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

4907.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

4908.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

4909.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

4910.第4737项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

4911.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

4912.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

4913.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

4914.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

4915.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

4916.第4737项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

4917.第4737项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

4918.第4737项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

4919.第4737项的装置，其另外包含聚合物。

4920.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体。

4921.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

4922.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

4923.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

4924.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

4925.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

4926.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

4927.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

4928.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

4929.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

4930.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

4931.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

4932.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

4933.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

4934.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

4935.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

4936.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

4937.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

4938.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

4939.第4737项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

4940.第4737项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

4941.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

4942.第4737项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

4943.第4737项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

4944.第4737项的装置，其另外含有消炎剂。

4945.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

4946.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

4947.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

4948.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

4949.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

4950.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

4951.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

4952.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

4953.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

4954.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

4955.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

4956.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

4957.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

4958.第4737项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

4959.第4737项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

4960.第4737项的装置，其另外含有显影剂。

4961.第4737项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

4962.第4737项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

4963.第4737项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

4964.第4737项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

4965.第4737项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

4966.第4737项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

4967.第4737项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

4968.第4737项的装置，其另外含有产生回波的物质。

4969.第4737项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

4970.第4737项的装置，其中所述装置是无菌的。

4971.第4737项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

4972.第4737项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

4973.第4737项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

4974.第4737项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

4975.第4737项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

4976.第4737项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4977.第4737项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4978.第4737项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4979.第4737项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4980.第4737项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4981.第4737项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4982.第4737项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4983.第4737项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

4984.第4737项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

4985.第4737项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

4986.第4737项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

4987.第4737项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

4988.第4737项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

4989.第4737项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

4990.第4737项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

4991.第4737项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

4992.第4737项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

4993.第4737项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

4994.第4737项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

4995.一种装置，其包含可植入的非血管斯滕特固定模或管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

4996.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

4997.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

4998.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

4999.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

5000.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

5001.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

5002.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

5003.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

5004.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

5005.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

5006.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

5007.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

5008.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

5009.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

5010.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

5011.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

5012.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

5013.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

5014.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

5015.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

5016.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

5017.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

5018.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

5019.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

5020.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

5021.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

5022.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

5023.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

5024.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

5025.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

5026.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

5027.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

5028.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

5029.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

5030.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

5031.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

5032.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

5033.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

5034.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

5035.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

5036.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

5037.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

5038.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

5039.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

5040.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

5041.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

5042.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

5043.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

5044.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

5045.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

5046.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

5047.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

5048.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

5049.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

5050.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

5051.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

5052.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

5053.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

5054.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

5055.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

5056.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

5057.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

5058.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

5059.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

5060.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

5061.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

5062.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

5063.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

5064.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

5065.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

5066.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

5067.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

5068.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

5069.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

5070.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

5071.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

5072.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

5073.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

5074.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

5075.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

5076.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

5077.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

5078.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

5079.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

5080.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

5081.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

5082.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

5083.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

5084.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

5085.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

5086.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

5087.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

5088.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

5089.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

5090.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

5091.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

5092.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

5093.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

5094.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

5095.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

5096.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

5097.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

5098.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

5099.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

5100.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

5101.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

5102.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

5103.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

5104.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

5105.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

5106.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

5107.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

5108.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

5109.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

5110.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

5111.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

5112.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

5113.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

5114.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

5115.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

5116.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

5117.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

5118.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

5119.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

5120.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

5121.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

5122.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

5123.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

5124.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

5125.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

5126.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

5127.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

5128.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

5129.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

5130.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

5131.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

5132.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

5133.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

5134.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

5135.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

5136.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

5137.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

5138.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

5139.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

5140.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

5141.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

5142.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

5143.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

5144.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

5145.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

5146.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

5147.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

5148.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

5149.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

5150.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

5151.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

5152.第4995项的装置，其另外包含聚合物。

5153.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体。

5154.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

5155.第4995项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

5156.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

5157.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

5158.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

5159.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

5160.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

5161.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

5162.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

5163.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

5164.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

5165.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

5166.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

5167.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

5168.第4995项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

5169.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

5170.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

5171.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

5172.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

5173.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

5174.第4995项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

5175.第4995项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

5176.第4995项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

5177.第4995项的装置，其另外包含聚合物。

5178.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体。

5179.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

5180.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

5181.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

5182.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

5183.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

5184.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

5185.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

5186.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

5187.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

5188.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

5189.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

5190.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

5191.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

5192.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

5193.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

5194.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

5195.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

5196.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

5197.第4995项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

5198.第4995项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

5199.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

5200.第4995项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

5201.第4995项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

5202.第4995项的装置，其另外含有消炎剂。

5203.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

5204.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

5205.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

5206.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

5207.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

5208.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

5209.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

5210.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

5211.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

5212.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

5213.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

5214.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

5215.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

5216.第4995项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

5217.第4995项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

5218.第4995项的装置，其另外含有显影剂。

5219.第4995项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

5220.第4995项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

5221.第4995项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

5222.第4995项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

5223.第4995项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

5224.第4995项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

5225.第4995项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

5226.第4995项的装置，其另外含有产生回波的物质。

5227.第4995项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

5228.第4995项的装置，其中所述装置是无菌的。

5229.第4995项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

5230.第4995项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

5231.第4995项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

5232.第4995项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

5233.第4995项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

5234.第4995项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

5235.第4995项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

5236.第4995项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

5237.第4995项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

5238.第4995项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

5239.第4995项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

5240.第4995项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

5241.第4995项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

5242.第4995项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

5243.第4995项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

5244.第4995项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

5245.第4995项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

5246.第4995项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

5247.第4995项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

5248.第4995项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

5249.第4995项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

5250.第4995项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

5251.第4995项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

5252.第4995项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

5253.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将血管内植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

5254.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

5255.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

5256.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

5257.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

5258.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

5259.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

5260.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

5261.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

5262.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

5263.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

5264.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

5265.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

5266.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

5267.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

5268.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

5269.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

5270.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

5271.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

5272.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

5273.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

5274.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

5275.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

5276.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

5277.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

5278.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

5279.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

5280.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

5281.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

5282.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

5283.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

5284.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

5285.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

5286.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

5287.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

5288.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

5289.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

5290.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

5291.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

5292.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

5293.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

5294.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

5295.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

5296.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

5297.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

5298.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

5299.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

5300.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

5301.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

5302.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

5303.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

5304.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

5305.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

5306.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

5307.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

5308.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

5309.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

5310.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

5311.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

5312.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

5313.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

5314.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

5315.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

5316.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

5317.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

5318.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

5319.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

5320.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

5321.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

5322.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

5323.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

5324.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

5325.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

5326.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

5327.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

5328.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

5329.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

5330.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

5331.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

5332.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

5333.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

5334.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

5335.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

5336.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

5337.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

5338.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

5339.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

5340.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

5341.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

5342.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

5343.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

5344.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

5345.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

5346.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

5347.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

5348.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

5349.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

5350.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

5351.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

5352.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

5353.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

5354.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

5355.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

5356.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

5357.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

5358.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

5359.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

5360.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

5361.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

5362.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

5363.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

5364.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

5365.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

5366.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

5367.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

5368.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

5369.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

5370.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

5371.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

5372.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

5373.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

5374.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

5375.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

5376.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

5377.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

5378.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

5379.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

5380.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

5381.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

5382.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

5383.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

5384.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

5385.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

5386.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

5387.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

5388.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

5389.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

5390.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

5391.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

5392.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

5393.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

5394.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

5395.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

5396.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

5397.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

5398.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

5399.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

5400.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

5401.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

5402.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

5403.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

5404.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

5405.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

5406.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

5407.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

5408.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

5409.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

5410.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

5411.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

5412.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

5413.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

5414.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

5415.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

5416.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

5417.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

5418.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

5419.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

5420.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

5421.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

5422.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

5423.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

5424.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

5425.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

5426.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

5427.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

5428.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

5429.第5253项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

5430.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

5431.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

5432.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

5433.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

5434.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

5435.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

5436.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

5437.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

5438.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

5439.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

5440.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

5441.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

5442.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

5443.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

5444.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

5445.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

5446.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

5447.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

5448.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

5449.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

5450.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

5451.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

5452.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

5453.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

5454.第5253项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

5455.第5253项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5456.第5253项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5457.第5253项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

5458.第5253项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

5459.第5253项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

5460.第5253项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

5461.第5253项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

5462.第5253项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

5463.第5253项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

5464.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

5465.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

5466.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

5467.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

5468.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

5469.第5253项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

5470.第5253项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

5471.第5253项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

5472.第5253项的方法，其中所述植入物是无菌的。

5473.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

5474.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

5475.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

5476.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

5477.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

5478.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5479.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5480.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5481.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5482.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5483.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5484.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

5485.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

5486.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

5487.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

5488.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

5489.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

5490.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

5491.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

5492.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

5493.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

5494.第5253项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

5495.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

5496.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

5497.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

5498.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

5499.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

5500.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

5501.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

5502.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

5503.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

5504.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

5505.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

5506.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

5507.第5253项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

5508.第5253项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

5509.第5253项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

5510.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将血管移植物或包覆物植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置在动物宿主中，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

5511.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

5512.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

5513.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

5514.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

5515.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

5516.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

5517.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

5518.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

5519.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

5520.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

5521.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

5522.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

5523.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

5524.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

5525.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

5526.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

5527.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

5528.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

5529.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

5530.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

5531.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

5532.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

5533.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

5534.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

5535.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

5536.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

5537.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

5538.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

5539.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

5540.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

5541.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

5542.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

5543.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

5544.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

5545.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

5546.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

5547.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

5548.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

5549.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

5550.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

5551.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

5552.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

5553.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

5554.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

5555.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

5556.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

5557.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

5558.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

5559.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

5560.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

5561.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

5562.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

5563.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

5564.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

5565.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

5566.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

5567.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

5568.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

5569.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

5570.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

5571.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

5572.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

5573.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

5574.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

5575.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

5576.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

5577.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

5578.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

5579.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

5580.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

5581.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

5582.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

5583.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

5584.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

5585.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

5586.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

5587.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

5588.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

5589.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

5590.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

5591.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

5592.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

5593.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

5594.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

5595.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

5596.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

5597.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

5598.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

5599.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

5600.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

5601.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

5602.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

5603.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

5604.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

5605.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

5606.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

5607.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

5608.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

5609.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

5610.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

5611.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

5612.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

5613.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

5614.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

5615.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

5616.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

5617.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

5618.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

5619.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

5620.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

5621.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

5622.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

5623.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

5624.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

5625.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

5626.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

5627.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

5628.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

5629.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

5630.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

5631.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

5632.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

5633.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

5634.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

5635.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

5636.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

5637.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

5638.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

5639.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

5640.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

5641.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

5642.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

5643.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

5644.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

5645.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

5646.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

5647.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

5648.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

5649.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

5650.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

5651.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

5652.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

5653.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

5654.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

5655.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

5656.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

5657.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

5658.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

5659.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

5660.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

5661.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

5662.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

5663.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

5664.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

5665.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

5666.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

5667.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

5668.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

5669.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

5670.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

5671.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

5672.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

5673.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

5674.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

5675.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

5676.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

5677.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

5678.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

5679.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

5680.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

5681.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

5682.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

5683.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

5684.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

5685.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

5686.第5510项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

5687.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

5688.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

5689.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

5690.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

5691.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

5692.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

5693.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

5694.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

5695.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

5696.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

5697.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

5698.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

5699.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

5700.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

5701.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

5702.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

5703.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

5704.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

5705.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

5706.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

5707.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

5708.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

5709.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

5710.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

5711.第5510项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

5712.第5510项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5713.第5510项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5714.第5510项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

5715.第5510项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

5716.第5510项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

5717.第5510项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

5718.第5510项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

5719.第5510项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

5720.第5510项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

5721.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

5722.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

5723.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

5724.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

5725.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

5726.第5510项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

5727.第5510项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

5728.第5510项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

5729.第5510项的方法，其中所述植入物是无菌的。

5730.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

5731.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

5732.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

5733.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

5734.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

5735.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5736.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5737.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5738.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5739.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5740.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5741.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

5742.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

5743.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

5744.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

5745.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

5746.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

5747.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

5748.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

5749.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

5750.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

5751.第5510项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

5752.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

5753.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

5754.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

5755.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

5756.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

5757.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

5758.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

5759.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

5760.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

5761.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

5762.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

5763.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

5764.第5510项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

5765.第5510项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

5766.第5510项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

5767.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将用于血液透析接入的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置在动物宿主中，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

5768.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

5769.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

5770.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

5771.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

5772.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

5773.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

5774.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

5775.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

5776.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

5777.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

5778.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

5779.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

5780.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

5781.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

5782.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

5783.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

5784.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

5785.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

5786.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

5787.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

5788.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

5789.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

5790.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

5791.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

5792.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

5793.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

5794.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

5795.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

5796.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

5797.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

5798.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

5799.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

5800.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

5801.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

5802.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

5803.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

5804.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

5805.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

5806.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

5807.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

5808.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

5809.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

5810.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

5811.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

5812.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

5813.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

5814.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

5815.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

5816.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

5817.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

5818.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

5819.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

5820.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

5821.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

5822.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

5823.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

5824.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

5825.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

5826.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

5827.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

5828.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

5829.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

5830.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

5831.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

5832.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

5833.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

5834.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

5835.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

5836.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

5837.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

5838.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

5839.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

5840.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

5841.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

5842.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

5843.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

5844.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

5845.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

5846.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

5847.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

5848.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

5849.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

5850.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

5851.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

5852.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

5853.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

5854.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

5855.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

5856.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

5857.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

5858.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

5859.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

5860.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

5861.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

5862.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

5863.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

5864.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

5865.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

5866.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

5867.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

5868.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

5869.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

5870.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

5871.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

5872.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

5873.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

5874.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

5875.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

5876.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

5877.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

5878.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

5879.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

5880.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

5881.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

5882.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

5883.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

5884.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

5885.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

5886.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

5887.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

5888.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

5889.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

5890.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

5891.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

5892.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

5893.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

5894.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

5895.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

5896.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

5897.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

5898.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

5899.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

5900.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

5901.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

5902.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

5903.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

5904.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

5905.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

5906.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

5907.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

5908.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

5909.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

5910.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

5911.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

5912.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

5913.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

5914.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

5915.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

5916.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

5917.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

5918.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

5919.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

5920.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

5921.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

5922.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

5923.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

5924.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

5925.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

5926.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

5927.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

5928.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

5929.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

5930.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

5931.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

5932.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

5933.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

5934.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

5935.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

5936.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

5937.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

5938.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

5939.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

5940.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

5941.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

5942.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

5943.第5767项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

5944.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

5945.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

5946.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

5947.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

5948.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

5949.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

5950.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

5951.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

5952.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

5953.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

5954.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

5955.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

5956.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

5957.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

5958.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

5959.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

5960.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

5961.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

5962.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

5963.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

5964.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

5965.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

5966.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

5967.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

5968.第5767项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

5969.第5767项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5970.第5767项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5971.第5767项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

5972.第5767项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

5973.第5767项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

5974.第5767项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

5975.第5767项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

5976.第5767项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

5977.第5767项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

5978.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

5979.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

5980.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

5981.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

5982.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

5983.第5767项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

5984.第5767项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

5985.第5767项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

5986.第5767项的方法，其中所述植入物是无菌的。

5987.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

5988.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

5989.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

5990.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

5991.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

5992.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5993.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5994.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5995.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5996.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5997.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

5998.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

5999.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

6000.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

6001.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

6002.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

6003.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

6004.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

6005.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

6006.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

6007.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

6008.第5767项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

6009.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

6010.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

6011.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

6012.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

6013.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

6014.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

6015.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

6016.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

6017.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

6018.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

6019.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

6020.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

6021.第5767项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

6022.第5767项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

6023.第5767项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

6024.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将提供吻合连接的植入物(即，吻合连接器装置)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

6025.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

6026.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

6027.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

6028.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

6029.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

6030.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

6031.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

6032.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

6033.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

6034.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

6035.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

6036.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

6037.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

6038.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

6039.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

6040.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

6041.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

6042.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

6043.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

6044.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

6045.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

6046.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

6047.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

6048.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

6049.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

6050.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

6051.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

6052.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

6053.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

6054.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

6055.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

6056.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

6057.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

6058.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

6059.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

6060.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

6061.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

6062.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

6063.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

6064.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

6065.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

6066.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

6067.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

6068.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

6069.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

6070.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

6071.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

6072.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

6073.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

6074.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

6075.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

6076.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

6077.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

6078.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

6079.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

6080.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

6081.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

6082.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

6083.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

6084.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

6085.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

6086.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

6087.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

6088.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

6089.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

6090.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

6091.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

6092.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

6093.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

6094.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

6095.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

6096.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

6097.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

6098.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

6099.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

6100.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

6101.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

6102.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

6103.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

6104.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

6105.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

6106.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

6107.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

6108.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

6109.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

6110.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

6111.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

6112.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

6113.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

6114.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

6115.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

6116.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

6117.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

6118.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

6119.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

6120.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

6121.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

6122.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

6123.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

6124.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

6125.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

6126.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

6127.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

6128.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

6129.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

6130.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

6131.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

6132.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

6133.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

6134.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

6135.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

6136.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

6137.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

6138.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

6139.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

6140.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

6141.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

6142.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

6143.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

6144.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

6145.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

6146.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

6147.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

6148.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

6149.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

6150.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

6151.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

6152.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

6153.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

6154.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

6155.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

6156.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

6157.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

6158.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

6159.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

6160.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

6161.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

6162.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

6163.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

6164.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

6165.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

6166.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

6167.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

6168.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

6169.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

6170.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

6171.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

6172.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

6173.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

6174.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

6175.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

6176.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

6177.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

6178.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

6179.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

6180.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

6181.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

6182.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

6183.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

6184.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

6185.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

6186.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

6187.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

6188.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

6189.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

6190.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

6191.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

6192.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

6193.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

6194.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

6195.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

6196.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

6197.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

6198.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

6199.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

6200.第6024项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

6201.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

6202.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

6203.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

6204.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

6205.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

6206.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

6207.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

6208.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

6209.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

6210.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

6211.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

6212.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

6213.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

6214.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

6215.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

6216.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

6217.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

6218.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

6219.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

6220.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

6221.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

6222.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

6223.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

6224.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

6225.第6024项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

6226.第6024项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6227.第6024项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6228.第6024项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

6229.第6024项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

6230.第6024项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

6231.第6024项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

6232.第6024项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

6233.第6024项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

6234.第6024项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

6235.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

6236.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

6237.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

6238.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

6239.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

6240.第6024项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

6241.第6024项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

6242.第6024项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

6243.第6024项的方法，其中所述植入物是无菌的。

6244.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

6245.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

6246.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

6247.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

6248.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

6249.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6250.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6251.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6252.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6253.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6254.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6255.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

6256.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

6257.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

6258.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

6259.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

6260.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

6261.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

6262.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

6263.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μ的所述抗瘢痕形成剂。

6264.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

6265.第6024项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

6266.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

6267.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

6268.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

6269.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

6270.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

6271.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

6272.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

6273.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

6274.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

6275.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

6276.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

6277.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

6278.第6024项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

6279.第6024项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

6280.第6024项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

6281.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将心室辅助植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

6282.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

6283.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

6284.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

6285.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

6286.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

6287.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

6288.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

6289.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

6290.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

6291.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

6292.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

6293.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

6294.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

6295.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

6296.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

6297.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

6298.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

6299.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

6300.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

6301.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

6302.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述葸环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

6303.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

6304.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

6305.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

6306.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

6307.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

6308.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

6309.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

6310.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

6311.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

6312.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

6313.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

6314.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

6315.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

6316.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

6317.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

6318.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

6319.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

6320.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

6321.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

6322.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

6323.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

6324.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

6325.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

6326.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

6327.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

6328.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

6329.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

6330.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

6331.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

6332.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

6333.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

6334.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

6335.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

6336.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

6337.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

6338.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

6339.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

6340.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

6341.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

6342.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

6343.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

6344.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

6345.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

6346.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

6347.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

6348.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

6349.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

6350.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

6351.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

6352.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

6353.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

6354.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

6355.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

6356.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

6357.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

6358.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

6359.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

6360.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

6361.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

6362.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

6363.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

6364.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

6365.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

6366.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

6367.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

6368.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

6369.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

6370.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

6371.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

6372.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

6373.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

6374.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

6375.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

6376.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂。

6377.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂，其中所述NFκ B抑制剂是Bay 11-7082。

6378.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

6379.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

6380.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

6381.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

6382.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

6383.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

6384.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

6385.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

6386.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

6387.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

6388.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

6389.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

6390.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

6391.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

6392.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

6393.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

6394.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

6395.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

6396.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

6397.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

6398.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

6399.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

6400.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

6401.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

6402.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

6403.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

6404.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

6405.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

6406.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

6407.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

6408.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

6409.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

6410.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

6411.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

6412.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

6413.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

6414.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

6415.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

6416.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

6417.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

6418.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

6419.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

6420.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

6421.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

6422.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

6423.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

6424.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

6425.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

6426.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

6427.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

6428.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

6429.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

6430.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

6431.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

6432.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

6433.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

6434.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

6435.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

6436.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

6437.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

6438.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

6439.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

6440.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

6441.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

6442.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

6443.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

6444.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

6445.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

6446.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

6447.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

6448.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

6449.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

6450.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

6451.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

6452.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

6453.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

6454.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

6455.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

6456.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

6457.第6281项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

6458.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

6459.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

6460.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

6461.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

6462.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

6463.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

6464.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

6465.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

6466.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

6467.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

6468.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

6469.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

6470.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

6471.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

6472.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

6473.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

6474.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

6475.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

6476.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

6477.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

6478.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

6479.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

6480.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

6481.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

6482.第6281项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

6483.第6281项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6484.第6281项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6485.第6281项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

6486.第6281项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

6487.第6281项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

6488.第6281项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

6489.第6281项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

6490.第6281项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

6491.第6281项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

6492.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

6493.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

6494.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

6495.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

6496.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

6497.第6281项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

6498.第6281项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

6499.第6281项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

6500.第6281项的方法，其中所述植入物是无菌的。

6501.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

6502.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

6503.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

6504.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

6505.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

6506.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6507.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6508.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6509.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6510.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6511.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6512.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

6513.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

6514.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

6515.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

6516.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

6517.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

6518.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

6519.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

6520.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

6521.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

6522.第6281项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

6523.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

6524.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

6525.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

6526.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

6527.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

6528.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

6529.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

6530.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

6531.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

6532.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

6533.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

6534.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

6535.第6281项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

6536.第6281项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

6537.第6281项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

6538.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将假体心脏瓣膜植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

6539.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

6540.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

6541.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

6542.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

6543.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

6544.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

6545.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

6546.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

6547.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

6548.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

6549.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

6550.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

6551.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

6552.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

6553.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

6554.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

6555.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

6556.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

6557.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

6558.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

6559.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

6560.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

6561.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

6562.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

6563.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

6564.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

6565.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

6566.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

6567.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

6568.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

6569.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

6570.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

6571.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

6572.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

6573.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

6574.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

6575.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

6576.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

6577.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

6578.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

6579.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

6580.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

6581.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

6582.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

6583.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

6584.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

6585.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

6586.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

6587.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

6588.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

6589.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

6590.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

6591.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

6592.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

6593.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

6594.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

6595.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

6596.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

6597.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

6598.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

6599.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

6600.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

6601.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

6602.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

6603.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

6604.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

6605.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

6606.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

6607.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

6608.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

6609.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

6610.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

6611.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

6612.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

6613.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

6614.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

6615.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

6616.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

6617.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

6618.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

6619.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

6620.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

6621.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

6622.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

6623.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

6624.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

6625.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

6626.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

6627.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

6628.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

6629.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

6630.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

6631.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

6632.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

6633.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

6634.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

6635.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

6636.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

6637.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

6638.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

6639.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

6640.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

6641.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

6642.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

6643.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

6644.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

6645.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

6646.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

6647.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

6648.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

6649.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

6650.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

6651.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

6652.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

6653.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

6654.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

6655.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

6656.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

6657.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

6658.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

6659.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

6660.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

6661.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

6662.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

6663.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

6664.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

6665.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

6666.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

6667.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

6668.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

6669.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

6670.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

6671.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

6672.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

6673.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

6674.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

6675.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

6676.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

6677.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

6678.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

6679.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

6680.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

6681.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

6682.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

6683.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

6684.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

6685.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNF α抑制剂。

6686.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

6687.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

6688.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

6689.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

6690.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

6691.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

6692.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

6693.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

6694.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

6695.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

6696.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

6697.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

6698.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

6699.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

6700.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

6701.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

6702.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

6703.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

6704.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

6705.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

6706.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

6707.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

6708.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

6709.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

6710.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

6711.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

6712.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

6713.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

6714.第6538项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

6715.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

6716.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

6717.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

6718.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

6719.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

6720.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

6721.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

6722.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

6723.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

6724.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

6725.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

6726.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

6727.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

6728.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

6729.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

6730.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

6731.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

6732.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

6733.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

6734.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

6735.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

6736.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

6737.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

6738.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

6739.第6538项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

6740.第6538项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6741.第6538项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6742.第6538项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

6743.第6538项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

6744.第6538项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

6745.第6538项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

6746.第6538项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

6747.第6538项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

6748.第6538项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

6749.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

6750.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

6751.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

6752.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

6753.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

6754.第6538项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

6755.第6538项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

6756.第6538项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

6757.第6538项的方法，其中所述植入物是无菌的。

6758.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

6759.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

6760.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

6761.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

6762.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

6763.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6764.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6765.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6766.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6767.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6768.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6769.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

6770.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

6771.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

6772.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

6773.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

6774.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

6775.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

6776.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

6777.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

6778.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

6779.第6538项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

6780.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

6781.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

6782.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

6783.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

6784.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

6785.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

6786.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

6787.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

6788.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

6789.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

6790.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

6791.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

6792.第6538项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

6793.第6538项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

6794.第6538项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

6795.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将下腔静脉滤器植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

6796.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

6797.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

6798.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

6799.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

6800.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

6801.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

6802.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

6803.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

6804.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

6805.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

6806.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

6807.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

6808.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

6809.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

6810.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

6811.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

6812.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

6813.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

6814.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

6815.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

6816.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

6817.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

6818.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

6819.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

6820.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

6821.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

6822.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

6823.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

6824.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

6825.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

6826.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

6827.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

6828.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

6829.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

6830.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

6831.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

6832.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

6833.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

6834.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

6835.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

6836.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

6837.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

6838.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

6839.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

6840.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

6841.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

6842.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

6843.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

6844.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

6845.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

6846.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

6847.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

6848.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

6849.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

6850.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

6851.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

6852.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

6853.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

6854.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

6855.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

6856.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

6857.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

6858.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

6859.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

6860.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

6861.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

6862.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

6863.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

6864.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

6865.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

6866.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

6867.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

6868.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

6869.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

6870.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

6871.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

6872.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

6873.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

6874.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

6875.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

6876.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

6877.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

6878.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

6879.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

6880.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

6881.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

6882.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

6883.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

6884.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

6885.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

6886.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

6887.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

6888.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

6889.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

6890.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

6891.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

6892.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

6893.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

6894.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

6895.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

6896.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

6897.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

6898.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

6899.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

6900.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

6901.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

6902.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

6903.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

6904.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

6905.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

6906.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

6907.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

6908.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

6909.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

6910.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

6911.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

6912.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

6913.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

6914.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

6915.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

6916.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

6917.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

6918.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

6919.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

6920.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

6921.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

6922.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

6923.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

6924.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

6925.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

6926.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

6927.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

6928.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

6929.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

6930.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

6931.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

6932.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

6933.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

6934.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

6935.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

6936.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

6937.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

6938.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

6939.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

6940.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

6941.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

6942.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

6943.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

6944.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

6945.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

6946.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

6947.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

6948.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

6949.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

6950.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

6951.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

6952.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

6953.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

6954.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

6955.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

6956.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

6957.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

6958.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

6959.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

6960.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

6961.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

6962.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

6963.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

6964.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

6965.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

6966.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

6967.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

6968.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

6969.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

6970.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

6971.第6795项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

6972.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

6973.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

6974.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

6975.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

6976.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

6977.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

6978.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

6979.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

6980.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

6981.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

6982.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

6983.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

6984.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

6985.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

6986.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

6987.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

6988.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

6989.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

6990.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

6991.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

6992.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

6993.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

6994.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

6995.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

6996.第6795项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

6997.第6795项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6998.第6795项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

6999.第6795项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

7000.第6795项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

7001.第6795项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

7002.第6795项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

7003.第6795项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

7004.第6795项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

7005.第6795项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

7006.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

7007.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

7008.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

7009.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

7010.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

7011.第6795项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

7012.第6795项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

7013.第6795项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

7014.第6795项的方法，其中所述植入物是无菌的。

7015.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

7016.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

7017.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

7018.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

7019.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

7020.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7021.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7022.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7023.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7024.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7025.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7026.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

7027.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

7028.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

7029.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

7030.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

7031.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

7032.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

7033.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

7034.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

7035.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

7036.第6795项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

7037.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

7038.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

7039.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

7040.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

7041.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

7042.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

7043.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

7044.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

7045.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

7046.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

7047.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

7048.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

7049.第6795项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

7050.第6795项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

7051.第6795项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

7052.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将腹膜透析导管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

7053.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

7054.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

7055.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

7056.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

7057.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

7058.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

7059.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

7060.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

7061.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

7062.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

7063.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

7064.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

7065.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

7066.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

7067.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

7068.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

7069.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

7070.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

7071.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

7072.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

7073.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

7074.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

7075.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

7076.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

7077.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

7078.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

7079.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

7080.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

7081.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

7082.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

7083.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

7084.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

7085.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

7086.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

7087.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

7088.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

7089.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

7090.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

7091.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

7092.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

7093.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

7094.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

7095.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

7096.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

7097.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

7098.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

7099.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

7100.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

7101.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

7102.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

7103.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

7104.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

7105.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

7106.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

7107.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

7108.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

7109.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

7110.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

7111.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

7112.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

7113.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

7114.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

7115.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

7116.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

7117.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

7118.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

7119.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

7120.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

7121.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

7122.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

7123.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

7124.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

7125.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

7126.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

7127.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

7128.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

7129.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

7130.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

7131.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

7132.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

7133.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

7134.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

7135.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

7136.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

7137.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

7138.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

7139.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

7140.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

7141.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

7142.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

7143.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

7144.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

7145.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

7146.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

7147.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

7148.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

7149.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

7150.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

7151.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

7152.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

7153.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

7154.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

7155.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

7156.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

7157.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

7158.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

7159.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

7160.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

7161.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

7162.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

7163.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

7164.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

7165.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

7166.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

7167.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

7168.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

7169.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

7170.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

7171.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

7172.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

7173.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

7174.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

7175.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

7176.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

7177.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

7178.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

7179.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

7180.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

7181.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

7182.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

7183.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

7184.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

7185.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

7186.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

7187.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

7188.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

7189.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

7190.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

7191.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

7192.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

7193.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

7194.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

7195.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

7196.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

7197.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

7198.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

7199.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNF α抑制剂。

7200.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

7201.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

7202.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

7203.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

7204.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

7205.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

7206.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

7207.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

7208.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

7209.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

7210.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

7211.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

7212.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

7213.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

7214.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

7215.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

7216.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

7217.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

7218.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

7219.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

7220.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

7221.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

7222.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

7223.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

7224.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

7225.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

7226.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

7227.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

7228.第7052项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

7229.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

7230.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

7231.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

7232.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

7233.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

7234.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

7235.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

7236.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

7237.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

7238.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

7239.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

7240.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

7241.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

7242.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

7243.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

7244.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

7245.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

7246.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

7247.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

7248.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

7249.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

7250.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

7251.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

7252.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

7253.第7052项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

7254.第7052项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7255.第7052项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7256.第7052项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

7257.第7052项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

7258.第7052项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

7259.第7052项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

7260.第7052项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

7261.第7052项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

7262.第7052项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

7263.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

7264.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

7265.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

7266.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

7267.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

7268.第7052项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

7269.第7052项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

7270.第7052项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

7271.第7052项的方法，其中所述植入物是无菌的。

7272.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

7273.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

7274.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

7275.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

7276.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

7277.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7278.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7279.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7280.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7281.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7282.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7283.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

7284.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

7285.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

7286.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

7287.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

7288.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

7289.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

7290.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

7291.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

7292.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

7293.第7052项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

7294.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

7295.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

7296.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

7297.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

7298.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

7299.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

7300.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

7301.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

7302.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

7303.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

7304.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

7305.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

7306.第7052项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

7307.第7052项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

7308.第7052项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

7309.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将可植入的非血管斯滕特固定模或管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

7310.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

7311.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

7312.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

7313.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

7314.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

7315.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

7316.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

7317.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

7318.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

7319.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

7320.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

7321.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

7322.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

7323.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

7324.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

7325.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

7326.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

7327.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

7328.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

7329.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

7330.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

7331.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

7332.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

7333.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

7334.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

7335.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

7336.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

7337.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

7338.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

7339.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

7340.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

7341.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

7342.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

7343.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

7344.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

7345.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

7346.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

7347.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

7348.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

7349.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

7350.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

7351.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

7352.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

7353.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

7354.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

7355.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

7356.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

7357.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

7358.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

7359.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

7360.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

7361.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

7362.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

7363.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

7364.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

7365.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

7366.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

7367.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

7368.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

7369.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

7370.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

7371.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

7372.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

7373.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

7374.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

7375.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

7376.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

7377.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

7378.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

7379.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

7380.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

7381.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

7382.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

7383.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

7384.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

7385.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

7386.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

7387.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

7388.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

7389.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

7390.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

7391.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

7392.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

7393.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

7394.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

7395.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

7396.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

7397.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

7398.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

7399.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

7400.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

7401.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

7402.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

7403.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

7404.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

7405.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

7406.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

7407.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

7408.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

7409.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

7410.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

7411.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

7412.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

7413.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

7414.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

7415.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

7416.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

7417.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

7418.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

7419.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

7420.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

7421.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

7422.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

7423.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

7424.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

7425.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

7426.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

7427.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

7428.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

7429.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

7430.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

7431.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

7432.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

7433.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

7434.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

7435.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

7436.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

7437.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

7438.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

7439.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

7440.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

7441.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

7442.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

7443.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

7444.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

7445.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

7446.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

7447.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

7448.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

7449.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

7450.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

7451.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

7452.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

7453.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

7454.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

7455.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

7456.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

7457.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

7458.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

7459.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

7460.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

7461.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

7462.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

7463.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

7464.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

7465.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

7466.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

7467.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

7468.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

7469.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

7470.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

7471.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

7472.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

7473.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

7474.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

7475.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

7476.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

7477.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

7478.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

7479.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

7480.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

7481.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

7482.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

7483.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

7484.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

7485.第7309项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

7486.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

7487.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

7488.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

7489.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

7490.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

7491.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

7492.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

7493.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

7494.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

7495.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

7496.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

7497.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

7498.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

7499.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

7500.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

7501.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

7502.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

7503.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

7504.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

7505.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

7506.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

7507.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

7508.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

7509.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

7510.第7309项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

7511.第7309项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7512.第7309项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7513.第7309项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

7514.第7309项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

7515.第7309项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

7516.第7309项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

7517.第7309项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

7518.第7309项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

7519.第7309项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

7520.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

7521.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

7522.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

7523.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

7524.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

7525.第7309项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

7526.第7309项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

7527.第7309项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

7528.第7309项的方法，其中所述植入物是无菌的。

7529.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

7530.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

7531.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

7532.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

7533.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

7534.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7535.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7536.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7537.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7538.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7539.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7540.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

7541.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

7542.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

7543.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

7544.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

7545.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

7546.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

7547.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

7548.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

7549.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

7550.第7309项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

7551.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

7552.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

7553.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

7554.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

7555.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

7556.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

7557.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

7558.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

7559.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

7560.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

7561.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

7562.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

7563.第7309项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

7564.第7309项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

7565.第7309项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

7566.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将中枢神经系统分流装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

7567.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

7568.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

7569.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

7570.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

7571.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

7572.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

7573.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

7574.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

7575.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

7576.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

7577.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

7578.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

7579.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

7580.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

7581.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

7582.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

7583.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

7584.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

7585.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

7586.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

7587.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

7588.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

7589.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

7590.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

7591.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

7592.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

7593.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

7594.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

7595.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

7596.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

7597.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

7598.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

7599.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

7600.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

7601.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

7602.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

7603.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

7604.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

7605.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

7606.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

7607.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

7608.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

7609.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

7610.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

7611.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

7612.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

7613.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

7614.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

7615.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

7616.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

7617.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

7618.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

7619.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

7620.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

7621.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

7622.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

7623.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

7624.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

7625.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

7626.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

7627.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

7628.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

7629.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

7630.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

7631.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

7632.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

7633.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

7634.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

7635.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

7636.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

7637.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

7638.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

7639.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

7640.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

7641.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

7642.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

7643.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

7644.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

7645.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

7646.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

7647.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

7648.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

7649.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

7650.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

7651.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

7652.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

7653.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

7654.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

7655.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

7656.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

7657.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

7658.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

7659.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

7660.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

7661.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

7662.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

7663.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

7664.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

7665.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

7666.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

7667.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

7668.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

7669.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

7670.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

7671.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

7672.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

7673.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

7674.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

7675.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

7676.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

7677.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

7678.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

7679.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

7680.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

7681.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

7682.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

7683.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

7684.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

7685.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

7686.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

7687.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

7688.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

7689.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

7690.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

7691.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

7692.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

7693.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

7694.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

7695.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

7696.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

7697.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

7698.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

7699.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

7700.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

7701.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

7702.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

7703.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

7704.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

7705.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

7706.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

7707.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

7708.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

7709.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

7710.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

7711.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

7712.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

7713.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

7714.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

7715.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

7716.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

7717.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

7718.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

7719.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

7720.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

7721.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

7722.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

7723.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

7724.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

7725.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

7726.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

7727.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

7728.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

7729.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

7730.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

7731.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

7732.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

7733.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

7734.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

7735.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

7736.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

7737.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

7738.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

7739.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

7740.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

7741.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

7742.第7566项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

7743.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

7744.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

7745.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

7746.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

7747.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

7748.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

7749.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

7750.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

7751.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

7752.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

7753.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

7754.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

7755.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

7756.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

7757.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

7758.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

7759.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

7760.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

7761.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

7762.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

7763.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

7764.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

7765.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

7766.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

7767.第7566项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

7768.第7566项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7769.第7566项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7770.第7566项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

7771.第7566项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

7772.第7566项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

7773.第7566项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

7774.第7566项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

7775.第7566项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

7776.第7566项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

7777.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

7778.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

7779.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

7780.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

7781.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

7782.第7566项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

7783.第7566项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

7784.第7566项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

7785.第7566项的方法，其中所述植入物是无菌的。

7786.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

7787.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

7788.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

7789.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

7790.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

7791.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7792.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7793.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7794.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7795.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7796.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

7797.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

7798.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

7799.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

7800.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

7801.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

7802.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

7803.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

7804.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

7805.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

7806.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

7807.第7566项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

7808.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

7809.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

7810.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

7811.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

7812.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

7813.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

7814.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

7815.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

7816.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

7817.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

7818.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

7819.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

7820.第7566项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

7821.第7566项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

7822.第7566项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

7823.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将眼内透镜(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

7824.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

7825.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

7826.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

7827.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

7828.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

7829.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

7830.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

7831.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

7832.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

7833.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

7834.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

7835.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

7836.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

7837.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

7838.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

7839.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

7840.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

7841.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

7842.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

7843.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

7844.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

7845.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

7846.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

7847.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

7848.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

7849.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

7850.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

7851.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

7852.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

7853.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

7854.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

7855.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

7856.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

7857.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

7858.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

7859.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

7860.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

7861.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

7862.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

7863.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

7864.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

7865.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

7866.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

7867.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

7868.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

7869.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

7870.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

7871.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

7872.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

7873.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

7874.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

7875.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

7876.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

7877.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

7878.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

7879.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

7880.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

7881.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

7882.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

7883.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

7884.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

7885.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

7886.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

7887.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

7888.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

7889.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

7890.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

7891.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

7892.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

7893.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

7894.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

7895.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

7896.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

7897.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

7898.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

7899.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

7900.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

7901.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

7902.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

7903.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

7904.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

7905.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

7906.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

7907.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

7908.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

7909.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

7910.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

7911.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

7912.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

7913.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

7914.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

7915.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

7916.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

7917.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

7918.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

7919.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

7920.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

7921.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

7922.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

7923.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

7924.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

7925.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

7926.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

7927.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

7928.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

7929.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

7930.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

7931.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

7932.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

7933.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

7934.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

7935.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

7936.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

7937.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

7938.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

7939.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

7940.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

7941.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

7942.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

7943.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

7944.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

7945.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

7946.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

7947.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

7948.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

7949.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

7950.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

7951.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

7952.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

7953.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

7954.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

7955.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

7956.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

7957.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

7958.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

7959.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

7960.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

7961.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

7962.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

7963.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

7964.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

7965.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

7966.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

7967.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

7968.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

7969.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

7970.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

7971.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

7972.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

7973.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

7974.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

7975.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

7976.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

7977.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

7978.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

7979.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

7980.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

7981.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

7982.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

7983.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

7984.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

7985.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

7986.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

7987.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

7988.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

7989.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

7990.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

7991.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

7992.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

7993.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

7994.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

7995.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

7996.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

7997.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

7998.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

7999.第7823项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

8000.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

8001.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

8002.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

8003.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

8004.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

8005.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

8006.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

8007.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

8008.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

8009.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

8010.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

8011.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

8012.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

8013.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

8014.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

8015.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

8016.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

8017.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

8018.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

8019.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

8020.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

8021.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

8022.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

8023.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

8024.第7823项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

8025.第7823项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8026.第7823项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8027.第7823项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

8028.第7823项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

8029.第7823项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

8030.第7823项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

8031.第7823项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

8032.第7823项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

8033.第7823项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

8034.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

8035.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

8036.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

8037.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

8038.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

8039.第7823项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

8040.第7823项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

8041.第7823项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

8042.第7823项的方法，其中所述植入物是无菌的。

8043.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

8044.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

8045.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

8046.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

8047.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

8048.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8049.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8050.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8051.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8052.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8053.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8054.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg 至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

8055.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

8056.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

8057.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

8058.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

8059.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

8060.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

8061.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

8062.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

8063.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

8064.第7823项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

8065.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

8066.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

8067.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

8068.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

8069.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

8070.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

8071.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

8072.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

8073.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

8074.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

8075.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

8076.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

8077.第7823项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

8078.第7823项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

8079.第7823项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

8080.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将青光眼引流装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

8081.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

8082.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

8083.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

8084.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

8085.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

8086.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

8087.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

8088.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

8089.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

8090.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

8091.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

8092.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

8093.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

8094.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

8095.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

8096.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

8097.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

8098.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

8099.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

8100.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

8101.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

8102.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

8103.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

8104.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

8105.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

8106.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

8107.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

8108.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

8109.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

8110.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

8111.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

8112.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

8113.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

8114.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

8115.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

8116.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

8117.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

8118.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

8119.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

8120.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

8121.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

8122.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

8123.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

8124.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

8125.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

8126.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

8127.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

8128.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

8129.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

8130.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

8131.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

8132.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

8133.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

8134.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

8135.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

8136.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

8137.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

8138.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

8139.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

8140.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

8141.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

8142.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

8143.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

8144.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

8145.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

8146.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

8147.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

8148.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

8149.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

8150.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

8151.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

8152.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

8153.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

8154.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

8155.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

8156.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

8157.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

8158.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

8159.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

8160.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

8161.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

8162.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

8163.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

8164.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

8165.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

8166.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

8167.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

8168.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

8169.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

8170.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

8171.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

8172.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

8173.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

8174.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

8175.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

8176.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

8177.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

8178.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

8179.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

8180.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

8181.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

8182.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

8183.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

8184.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

8185.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

8186.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

8187.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

8188.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

8189.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

8190.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

8191.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

8192.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

8193.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

8194.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

8195.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

8196.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

8197.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

8198.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

8199.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

8200.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

8201.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

8202.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

8203.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

8204.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

8205.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

8206.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

8207.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

8208.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

8209.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

8210.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

8211.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

8212.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

8213.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

8214.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

8215.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

8216.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

8217.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

8218.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

8219.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

8220.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

8221.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

8222.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

8223.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

8224.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

8225.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

8226.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

8227.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

8228.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

8229.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

8230.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

8231.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

8232.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

8233.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

8234.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

8235.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

8236.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

8237.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

8238.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

8239.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

8240.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

8241.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

8242.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

8243.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

8244.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

8245.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

8246.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

8247.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

8248.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

8249.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

8250.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

8251.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

8252.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

8253.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

8254.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

8255.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

8256.第8080项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

8257.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

8258.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

8259.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

8260.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

8261.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

8262.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

8263.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

8264.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

8265.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

8266.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

8267.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

8268.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

8269.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

8270.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

8271.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

8272.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

8273.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

8274.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

8275.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

8276.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

8277.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

8278.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

8279.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

8280.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

8281.第8080项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

8282.第8080项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8283.第8080项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8284.第8080项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

8285.第8080项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

8286.第8080项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

8287.第8080项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

8288.第8080项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

8289.第8080项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

8290.第8080项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

8291.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

8292.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

8293.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

8294.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

8295.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

8296.第8080项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

8297.第8080项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

8298.第8080项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

8299.第8080项的方法，其中所述植入物是无菌的。

8300.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

8301.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

8302.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

8303.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

8304.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

8305.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8306.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8307.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8308.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8309.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8310.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8311.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

8312.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

8313.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

8314.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

8315.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

8316.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

8317.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

8318.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

8319.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm2应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

8320.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

8321.第8080项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

8322.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

8323.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

8324.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

8325.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

8326.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

8327.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

8328.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

8329.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

8330.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

8331.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

8332.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

8333.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

8334.第8080项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

8335.第8080项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

8336.第8080项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

8337.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将阴茎植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

8338.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

8339.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

8340.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

8341.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

8342.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

8343.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

8344.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

8345.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

8346.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

8347.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

8348.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

8349.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

8350.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

8351.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

8352.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

8353.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

8354.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

8355.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

8356.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

8357.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

8358.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

8359.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

8360.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

8361.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

8362.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

8363.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

8364.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

8365.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

8366.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

8367.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

8368.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

8369.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

8370.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

8371.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

8372.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

8373.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

8374.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

8375.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

8376.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

8377.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

8378.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

8379.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

8380.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

8381.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

8382.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

8383.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

8384.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

8385.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

8386.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

8387.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

8388.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

8389.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

8390.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

8391.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

8392.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

8393.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

8394.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

8395.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

8396.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

8397.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

8398.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

8399.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

8400.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

8401.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

8402.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

8403.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

8404.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

8405.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

8406.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

8407.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

8408.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

8409.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

8410.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

8411.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

8412.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

8413.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

8414.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

8415.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

8416.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

8417.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

8418.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

8419.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

8420.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

8421.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

8422.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

8423.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

8424.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

8425.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

8426.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

8427.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

8428.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

8429.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

8430.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

8431.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

8432.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

8433.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

8434.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

8435.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

8436.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

8437.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

8438.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

8439.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

8440.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

8441.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

8442.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

8443.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

8444.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

8445.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

8446.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

8447.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

8448.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

8449.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

8450.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

8451.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

8452.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

8453.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

8454.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

8455.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

8456.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

8457.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

8458.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

8459.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

8460.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

8461.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

8462.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

8463.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

8464.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

8465.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

8466.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

8467.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

8468.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

8469.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

8470.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

8471.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

8472.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

8473.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

8474.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

8475.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

8476.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

8477.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

8478.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

8479.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

8480.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

8481.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

8482.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

8483.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

8484.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

8485.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

8486.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

8487.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

8488.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

8489.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

8490.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

8491.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

8492.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

8493.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

8494.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

8495.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

8496.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

8497.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

8498.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

8499.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

8500.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

8501.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

8502.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

8503.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

8504.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

8505.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

8506.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

8507.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

8508.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

8509.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

8510.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

8511.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

8512.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

8513.第8337项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

8514.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

8515.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

8516.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

8517.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

8518.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

8519.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

8520.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

8521.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

8522.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

8523.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

8524.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

8525.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

8526.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

8527.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

8528.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

8529.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

8530.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

8531.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

8532.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

8533.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

8534.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

8535.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

8536.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

8537.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

8538.第8337项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

8539.第8337项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8540.第8337项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8541.第8337项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

8542.第8337项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

8543.第8337项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

8544.第8337项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

8545.第8337项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

8546.第8337项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

8547.第8337项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

8548.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

8549.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

8550.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

8551.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

8552.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

8553.第8337项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

8554.第8337项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

8555.第8337项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

8556.第8337项的方法，其中所述植入物是无菌的。

8557.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

8558.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

8559.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

8560.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

8561.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

8562.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8563.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8564.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8565.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8566.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8567.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8568.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

8569.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

8570.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

8571.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

8572.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

8573.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

8574.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

8575.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

8576.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

8577.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

8578.第8337项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

8579.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

8580.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

8581.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

8582.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

8583.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

8584.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

8585.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

8586.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

8587.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

8588.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

8589.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

8590.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

8591.第8337项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

8592.第8337项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

8593.第8337项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

8594.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将气管内管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

8595.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

8596.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

8597.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

8598.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

8599.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

8600.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

8601.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

8602.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

8603.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

8604.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

8605.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

8606.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

8607.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

8608.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

8609.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

8610.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

8611.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

8612.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

8613.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

8614.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

8615.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

8616.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

8617.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

8618.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

8619.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

8620.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

8621.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

8622.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

8623.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

8624.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

8625.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

8626.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

8627.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

8628.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

8629.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

8630.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

8631.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

8632.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

8633.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

8634.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

8635.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

8636.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

8637.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

8638.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

8639.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

8640.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

8641.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

8642.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

8643.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

8644.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

8645.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

8646.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

8647.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

8648.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

8649.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

8650.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

8651.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

8652.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

8653.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

8654.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

8655.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

8656.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

8657.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

8658.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

8659.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

8660.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

8661.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

8662.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

8663.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

8664.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

8665.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

8666.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

8667.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

8668.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

8669.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

8670.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

8671.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

8672.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

8673.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

8674.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

8675.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

8676.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

8677.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

8678.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

8679.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

8680.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

8681.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

8682.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

8683.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

8684.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

8685.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

8686.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

8687.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

8688.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

8689.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

8690.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

8691.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

8692.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

8693.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

8694.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

8695.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

8696.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

8697.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

8698.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

8699.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

8700.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

8701.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

8702.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

8703.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

8704.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

8705.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

8706.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

8707.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

8708.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

8709.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

8710.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

8711.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

8712.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

8713.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

8714.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

8715.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

8716.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

8717.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

8718.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

8719.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

8720.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

8721.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

8722.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

8723.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

8724.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

8725.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

8726.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

8727.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

8728.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

8729.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

8730.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

8731.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

8732.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

8733.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

8734.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

8735.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

8736.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

8737.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

8738.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

8739.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

8740.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

8741.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNF α抑制剂。

8742.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

8743.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

8744.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

8745.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

8746.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

8747.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

8748.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

8749.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

8750.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

8751.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

8752.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

8753.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

8754.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

8755.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

8756.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

8757.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

8758.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

8759.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

8760.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

8761.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

8762.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

8763.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

8764.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

8765.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

8766.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

8767.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

8768.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

8769.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

8770.第8594项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

8771.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

8772.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

8773.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

8774.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

8775.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

8776.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

8777.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

8778.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

8779.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

8780.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

8781.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

8782.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

8783.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

8784.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

8785.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

8786.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

8787.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

8788.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

8789.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

8790.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

8791.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

8792.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

8793.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

8794.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

8795.第8594项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

8796.第8594项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8797.第8594项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8798.第8594项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

8799.第8594项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

8800.第8594项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

8801.第8594项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

8802.第8594项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

8803.第8594项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

8804.第8594项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

8805.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

8806.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

8807.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

8808.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

8809.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

8810.第8594项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

8811.第8594项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

8812.第8594项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

8813.第8594项的方法，其中所述植入物是无菌的。

8814.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

8815.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

8816.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

8817.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

8818.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

8819.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8820.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8821.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8822.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8823.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8824.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

8825.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

8826.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

8827.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

8828.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

8829.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

8830.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

8831.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

8832.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

8833.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

8834.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

8835.第8594项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

8836.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

8837.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

8838.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

8839.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

8840.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

8841.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

8842.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

8843.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

8844.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

8845.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

8846.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

8847.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

8848.第8594项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

8849.第8594项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

8850.第8594项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

8851.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将气管造口插管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

8852.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

8853.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

8854.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

8855.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

8856.第885 1项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

8857.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

8858.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

8859.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

8860.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

8861.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

8862.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

8863.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

8864.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

8865.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

8866.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

8867.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

8868.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

8869.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

8870.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

8871.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

8872.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

8873.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

8874.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

8875.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

8876.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

8877.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

8878.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

8879.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

8880.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

8881.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

8882.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

8883.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

8884.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

8885.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

8886.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

8887.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

8888.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

8889.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

8890.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

8891.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

8892.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

8893.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

8894.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

8895.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

8896.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

8897.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

8898.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

8899.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

8900.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

8901.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

8902.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

8903.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

8904.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

8905.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

8906.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

8907.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

8908.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

8909.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

8910.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

8911.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

8912.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

8913.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

8914.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

8915.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

8916.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

8917.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

8918.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

8919.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

8920.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

8921.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

8922.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

8923.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

8924.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

8925.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

8926.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

8927.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

8928.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

8929.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

8930.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

8931.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

8932.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

8933.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

8934.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

8935.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

8936.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

8937.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

8938.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

8939.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

8940.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

8941.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

8942.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

8943.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

8944.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

8945.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

8946.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

8947.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

8948.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

8949.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

8950.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

8951.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

8952.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

8953.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

8954.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

8955.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

8956.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

8957.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

8958.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

8959.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

8960.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

8961.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

8962.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

8963.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

8964.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

8965.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

8966.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

8967.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

8968.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

8969.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

8970.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

8971.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

8972.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

8973.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

8974.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

8975.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

8976.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

8977.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

8978.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

8979.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

8980.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

8981.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

8982.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

8983.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

8984.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

8985.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

8986.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

8987.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

8988.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

8989.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

8990.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

8991.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

8992.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

8993.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

8994.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

8995.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

8996.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

8997.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

8998.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

8999.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

9000.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

9001.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

9002.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

9003.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

9004.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

9005.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

9006.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

9007.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

9008.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

9009.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

9010.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

9011.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

9012.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

9013.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

9014.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

9015.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

9016.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

9017.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

9018.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

9019.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

9020.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

9021.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

9022.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

9023.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

9024.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

9025.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

9026.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

9027.第8851项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

9028.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

9029.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

9030.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

9031.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

9032.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

9033.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

9034.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

9035.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

9036.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

9037.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

9038.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

9039.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

9040.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

9041.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

9042.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

9043.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

9044.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

9045.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

9046.第885 1项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

9047.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

9048.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

9049.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

9050.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

9051.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

9052.第8851项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

9053.第8851项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9054.第8851项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9055.第8851项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

9056.第8851项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

9057.第8851项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

9058.第8851项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

9059.第8851项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

9060.第8851项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

9061.第8851项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

9062.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

9063.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

9064.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

9065.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

9066.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

9067.第8851项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

9068.第8851项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

9069.第8851项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

9070.第8851项的方法，其中所述植入物是无菌的。

9071.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

9072.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

9073.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

9074.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

9075.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

9076.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9077.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9078.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9079.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9080.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9081.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9082.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

9083.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

9084.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

9085.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

9086.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

9087.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

9088.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

9089.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

9090.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

9091.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

9092.第8851项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

9093.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

9094.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

9095.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

9096.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

9097.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

9098.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

9099.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

9100.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

9101.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

9102.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

9103.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

9104.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

9105.第8851项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

9106.第8851项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

9107.第8851项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

9108.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将胃肠装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

9109.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

9110.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

9111.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

9112.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

9113.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

9114.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

9115.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

9116.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

9117.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

9118.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

9119.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

9120.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

9121.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

9122.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

9123.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

9124.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

9125.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

9126.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

9127.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

9128.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

9129.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

9130.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

9131.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

9132.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

9133.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

9134.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

9135.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

9136.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

9137.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

9138.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

9139.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

9140.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

9141.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

9142.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

9143.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

9144.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

9145.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

9146.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

9147.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

9148.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

9149.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

9150.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

9151.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

9152.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

9153.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

9154.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

9155.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

9156.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

9157.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

9158.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

9159.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

9160.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

9161.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

9162.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

9163.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

9164.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

9165.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

9166.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

9167.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

9168.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

9169.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

9170.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

9171.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

9172.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

9173.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

9174.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

9175.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

9176.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

9177.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

9178.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

9179.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

9180.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

9181.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

9182.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

9183.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

9184.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

9185.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

9186.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

9187.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

9188.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

9189.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

9190.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

9191.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

9192.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

9193.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

9194.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

9195.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

9196.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

9197.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

9198.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

9199.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

9200.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

9201.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

9202.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

9203.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

9204.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

9205.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

9206.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

9207.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

9208.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

9209.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

9210.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

9211.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

9212.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

9213.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

9214.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

9215.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

9216.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

9217.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

9218.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

9219.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

9220.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

9221.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

9222.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

9223.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

9224.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

9225.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

9226.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

9227.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

9228.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

9229.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

9230.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

9231.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

9232.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

9233.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

9234.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

9235.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

9236.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

9237.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

9238.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

9239.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

9240.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

9241.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

9242.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

9243.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

9244.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

9245.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

9246.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

9247.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

9248.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

9249.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

9250.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

9251.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

9252.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

9253.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

9254.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

9255.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

9256.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

9257.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

9258.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

9259.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

9260.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

9261.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

9262.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

9263.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

9264.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

9265.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

9266.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

9267.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

9268.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

9269.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

9270.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

9271.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

9272.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

9273.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

9274.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

9275.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

9276.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

9277.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

9278.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

9279.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

9280.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

9281.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

9282.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

9283.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

9284.第9108项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

9285.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

9286.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

9287.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

9288.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

9289.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

9290.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

9291.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

9292.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

9293.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

9294.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

9295.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

9296.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

9297.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

9298.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

9299.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

9300.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

9301.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

9302.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

9303.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

9304.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

9305.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

9306.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

9307.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

9308.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

9309.第9108项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

9310.第9108项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9311.第9108项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9312.第9108项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

9313.第9108项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

9314.第9108项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

9315.第9108项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

9316.第9108项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

9317.第9108项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

9318.第9108项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

9319.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

9320.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

9321.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

9322.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

9323.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

9324.第9108项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

9325.第9108项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

9326.第9108项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

9327.第9108项的方法，其中所述植入物是无菌的。

9328.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

9329.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

9330.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

9331.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

9332.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

9333.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9334.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9335.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9336.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9337.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9338.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9339.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

9340.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

9341.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

9342.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

9343.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

9344.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

9345.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

9346.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

9347.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

9348.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

9349.第9108项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

9350.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

9351.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

9352.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

9353.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

9354.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

9355.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

9356.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

9357.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

9358.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

9359.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

9360.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

9361.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

9362.第9108项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

9363.第9108项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

9364.第9108项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

9365.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将脊柱植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

9366.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

9367.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

9368.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

9369.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

9370.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

9371.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

9372.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

9373.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

9374.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

9375.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

9376.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

9377.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

9378.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

9379.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

9380.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

9381.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

9382.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

9383.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

9384.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

9385.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

9386.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

9387.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

9388.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

9389.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

9390.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

9391.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

9392.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

9393.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

9394.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

9395.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

9396.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

9397.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

9398.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

9399.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

9400.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

9401.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

9402.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

9403.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

9404.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

9405.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

9406.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

9407.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

9408.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

9409.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

9410.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

9411.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

9412.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

9413.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

9414.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

9415.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

9416.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

9417.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

9418.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

9419.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

9420.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

9421.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

9422.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

9423.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

9424.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

9425.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

9426.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

9427.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

9428.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

9429.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

9430.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

9431.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

9432.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

9433.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

9434.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

9435.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

9436.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

9437.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

9438.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

9439.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

9440.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

9441.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

9442.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

9443.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

9444.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

9445.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

9446.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

9447.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

9448.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

9449.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

9450.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

9451.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

9452.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

9453.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

9454.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

9455.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

9456.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

9457.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

9458.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

9459.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

9460.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

9461.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκ B抑制剂是Bay 11-7082。

9462.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

9463.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

9464.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

9465.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

9466.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

9467.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

9468.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

9469.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

9470.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

9471.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

9472.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

9473.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

9474.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

9475.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

9476.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

9477.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

9478.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

9479.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

9480.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

9481.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

9482.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

9483.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

9484.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

9485.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

9486.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

9487.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

9488.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

9489.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

9490.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

9491.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

9492.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

9493.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

9494.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

9495.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

9496.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

9497.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

9498.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

9499.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

9500.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

9501.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

9502.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

9503.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

9504.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

9505.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

9506.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

9507.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

9508.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

9509.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

9510.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

9511.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

9512.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

9513.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

9514.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

9515.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

9516.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

9517.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

9518.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

9519.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

9520.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

9521.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

9522.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

9523.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

9524.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

9525.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

9526.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

9527.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

9528.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

9529.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

9530.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

9531.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

9532.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

9533.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

9534.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

9535.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

9536.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

9537.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

9538.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

9539.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

9540.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

9541.第9365项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

9542.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

9543.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

9544.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

9545.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

9546.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

9547.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

9548.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

9549.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

9550.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

9551.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

9552.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

9553.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

9554.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

9555.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

9556.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

9557.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

9558.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

9559.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

9560.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

9561.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

9562.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

9563.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

9564.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

9565.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

9566.第9365项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

9567.第9365项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9568.第9365项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9569.第9365项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

9570.第9365项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

9571.第9365项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

9572.第9365项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

9573.第9365项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

9574.第9365项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

9575.第9365项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

9576.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

9577.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

9578.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

9579.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

9580.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

9581.第9365项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

9582.第9365项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

9583.第9365项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

9584.第9365项的方法，其中所述植入物是无菌的。

9585.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

9586.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

9587.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

9588.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

9589.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

9590.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9591.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9592.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9593.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9594.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9595.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9596.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

9597.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

9598.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

9599.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

9600.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

9601.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

9602.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

9603.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

9604.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

9605.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

9606.第9365项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

9607.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

9608.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

9609.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

9610.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

9611.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

9612.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

9613.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

9614.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

9615.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

9616.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

9617.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

9618.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

9619.第9365项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

9620.第9365项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

9621.第9365项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

9622.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将压力监测植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

9623.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

9624.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

9625.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

9626.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

9627.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

9628.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

9629.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

9630.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

9631.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

9632.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

9633.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

9634.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

9635.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

9636.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

9637.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

9638.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

9639.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

9640.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

9641.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

9642.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

9643.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

9644.  第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

9645.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

9646.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

9647.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

9648.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

9649.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

9650.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

9651.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

9652.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

9653.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

9654.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

9655.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

9656.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

9657.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

9658.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

9659.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

9660.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

9661.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

9662.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

9663.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

9664.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

9665.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

9666.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

9667.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

9668.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

9669.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

9670.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

9671.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

9672.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

9673.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

9674.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

9675.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

9676.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

9677.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

9678.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

9679.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

9680.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

9681.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

9682.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

9683.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

9684.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

9685.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

9686.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

9687.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

9688.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

9689.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

9690.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

9691.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

9692.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

9693.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

9694.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

9695.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

9696.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

9697.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

9698.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

9699.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

9700.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

9701.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

9702.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

9703.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

9704.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

9705.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

9706.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

9707.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

9708.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

9709.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

9710.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

9711.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

9712.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

9713.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

9714.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

9715.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

9716.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

9717.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

9718.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

9719.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

9720.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

9721.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

9722.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

9723.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

9724.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

9725.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

9726.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

9727.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

9728.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

9729.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

9730.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

9731.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

9732.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

9733.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

9734.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

9735.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

9736.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

9737.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

9738.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

9739.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

9740.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

9741.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

9742.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

9743.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

9744.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

9745.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

9746.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

9747.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

9748.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

9749.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

9750.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

9751.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

9752.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

9753.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

9754.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

9755.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

9756.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

9757.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

9758.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

9759.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

9760.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

9761.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

9762.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

9763.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

9764.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

9765.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

9766.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

9767.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

9768.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

9769.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

9770.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

9771.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

9772.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

9773.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

9774.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

9775.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

9776.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

9777.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

9778.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

9779.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

9780.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

9781.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

9782.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

9783.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

9784.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

9785.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

9786.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

9787.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

9788.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

9789.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

9790.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

9791.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

9792.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

9793.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

9794.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

9795.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

9796.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

9797.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

9798.第9622项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

9799.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

9800.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

9801.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

9802.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

9803.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

9804.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

9805.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

9806.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

9807.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

9808.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

9809.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

9810.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

9811.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

9812.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

9813.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

9814.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

9815.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

9816.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

9817.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

9818.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

9819.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

9820.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

9821.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

9822.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

9823.第9622项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

9824.第9622项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9825.第9622项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9826.第9622项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

9827.第9622项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

9828.第9622项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

9829.第9622项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

9830.第9622项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

9831.第9622项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

9832.第9622项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

9833.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

9834.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

9835.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

9836.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

9837.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

9838.第9622项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

9839.第9622项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

9840.第9622项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

9841.第9622项的方法，其中所述植入物是无菌的。

9842.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

9843.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

9844.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

9845.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

9846.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

9847.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9848.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9849.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9850.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9851.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9852.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

9853.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

9854.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

9855.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

9856.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

9857.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

9858.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

9859.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

9860.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

9861.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

9862.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

9863.第9622项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

9864.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

9865.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

9866.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

9867.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

9868.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

9869.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

9870.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

9871.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

9872.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

9873.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

9874.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

9875.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

9876.第9622项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

9877.第9622项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

9878.第9622项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

9879.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将鼓膜造孔术管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

9880.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

9881.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

9882.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

9883.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

9884.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

9885.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

9886.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

9887.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

9888.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

9889.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

9890.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

9891.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

9892.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

9893.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

9894.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

9895.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

9896.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

9897.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

9898.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

9899.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

9900.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

9901.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

9902.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

9903.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

9904.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

9905.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

9906.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

9907.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

9908.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

9909.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

9910.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

9911.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

9912.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

9913.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

9914.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

9915.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

9916.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

9917.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

9918.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

9919.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

9920.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

9921.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

9922.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

9923.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

9924.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

9925.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

9926.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

9927.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

9928.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

9929.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

9930.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

9931.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

9932.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

9933.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

9934.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

9935.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

9936.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

9937.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

9938.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

9939.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

9940.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

9941.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

9942.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

9943.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

9944.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

9945.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

9946.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

9947.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

9948.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

9949.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

9950.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

9951.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

9952.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

9953.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

9954.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

9955.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

9956.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

9957.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

9958.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

9959.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

9960.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

9961.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

9962.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

9963.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

9964.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

9965.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

9966.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

9967.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

9968.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

9969.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

9970.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

9971.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

9972.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

9973.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

9974.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

9975.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

9976.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

9977.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

9978.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

9979.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

9980.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

9981.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

9982.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

9983.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

9984.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

9985.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

9986.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

9987.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

9988.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

9989.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

9990.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

9991.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

9992.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

9993.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

9994.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

9995.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

9996.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

9997.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

9998.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

9999.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

10000.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

10001.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

10002.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

10003.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

10004.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

10005.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

10006.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

10007.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

10008.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

10009.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

10010.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

10011.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

10012.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

10013.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

10014.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

10015.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

10016.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

10017.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

10018.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

10019.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

10020.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

10021.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

10022.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

10023.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

10024.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

10025.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

10026.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

10027.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

10028.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

10029.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

10030.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

10031.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

10032.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

10033.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

10034.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

10035.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

10036.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

10037.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

10038.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

10039.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

10040.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

10041.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

10042.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

10043.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

10044.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

10045.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

10046.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

10047.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

10048.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

10049.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

10050.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

10051.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

10052.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

10053.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

10054.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

10055.第9879项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

10056.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

10057.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

10058.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

10059.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

10060.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

10061.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

10062.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

10063.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

10064.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

10065.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

10066.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

10067.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

10068.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

10069.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

10070.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

10071.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

10072.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

10073.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

10074.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

10075.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

10076.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

10077.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

10078.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

10079.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

10080.第9879项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

10081.第9879项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10082.第9879项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10083.第9879项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

10084.第9879项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

10085.第9879项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

10086.第9879项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

10087.第9879项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

10088.第9879项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

10089.第9879项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

10090.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

10091.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

10092.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

10093.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

10094.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

10095.第9879项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

10096.第9879项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

10097.第9879项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

10098.第9879项的方法，其中所述植入物是无菌的。

10099.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

10100.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

10101.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

10102.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

10103.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

10104.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10105.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10106.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10107.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10108.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10109.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10110.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

10111.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

10112.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

10113.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

10114.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

10115.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

10116.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

10117.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

10118.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

10119.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

10120.第9879项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

10121.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

10122.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

10123.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

10124.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

10125.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

10126.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

10127.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

10128.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

10129.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

10130.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

10131.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

10132.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

10133.第9879项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

10134.第9879项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

10135.第9879项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

10136.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将提供外科用的粘连屏障的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

10137.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

10138.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

10139.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

10140.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

10141.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

10142.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

10143.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

10144.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

10145.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

10146.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

10147.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

10148.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

10149.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

10150.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

10151.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

10152.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

10153.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

10154.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

10155.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

10156.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

10157.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

10158.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

10159.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

10160.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

10161.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

10162.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

10163.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

10164.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

10165.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

10166.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

10167.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

10168.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

10169.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

10170.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

10171.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

10172.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

10173.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

10174.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

10175.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

10176.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

10177.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

10178.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

10179.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

10180.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

10181.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

10182.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

10183.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

10184.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

10185.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

10186.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

10187.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

10188.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

10189.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

10190.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

10191.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

10192.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

10193.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

10194.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

10195.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

10196.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

10197.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

10198.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

10199.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

10200.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

10201.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

10202.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

10203.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

10204.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

10205.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

10206.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

10207.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

10208.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

10209.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

10210.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

10211.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

10212.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

10213.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

10214.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

10215.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

10216.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

10217.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

10218.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

10219.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

10220.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

10221.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

10222.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

10223.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

10224.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

10225.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

10226.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

10227.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

10228.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

10229.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

10230.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

10231.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

10232.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

10233.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

10234.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

10235.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

10236.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

10237.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

10238.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

10239.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

10240.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

10241.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

10242.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

10243.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

10244.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

10245.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

10246.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

10247.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

10248.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

10249.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

10250.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

10251.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

10252.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

10253.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

10254.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

10255.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

10256.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

10257.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

10258.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

10259.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

10260.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

10261.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

10262.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

10263.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

10264.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

10265.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

10266.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

10267.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

10268.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

10269.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

10270.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

10271.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

10272.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

10273.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

10274.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

10275.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

10276.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

10277.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

10278.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

10279.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

10280.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

10281.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

10282.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

10283.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

10284.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

10285.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

10286.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

10287.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

10288.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

10289.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

10290.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

10291.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

10292.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

10293.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

10294.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

10295.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

10296.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

10297.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

10298.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

10299.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

10300.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

10301.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

10302.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

10303.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

10304.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

10305.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

10306.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

10307.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

10308.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

10309.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

10310.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

10311.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

10312.第10136项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

10313.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

10314.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

10315.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

10316.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

10317.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

10318.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

10319.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

10320.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

10321.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

10322.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

10323.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

10324.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

10325.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

10326.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

10327.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

10328.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

10329.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

10330.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

10331.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

10332.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

10333.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

10334.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

10335.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

10336.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

10337.第10136项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

10338.第10136项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10339.第10136项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10340.第10136项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

10341.第10136项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

10342.第10136项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

10343.第10136项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

10344.第10136项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

10345.第10136项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

10346.第10136项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

10347.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

10348.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

10349.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

10350.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

10351.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

10352.第10136项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

10353.第10136项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

10354.第10136项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

10355.第10136项的方法，其中所述植入物是无菌的。

10356.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

10357.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

10358.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

10359.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

10360.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

10361.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10362.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10363.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10364.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10365.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10366.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

10367.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

10368.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

10369.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

10370.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

10371.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

10372.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

10373.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

10374.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

10375.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

10376.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

10377.第10136项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

10378.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

10379.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

10380.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

10381.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

10382.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

10383.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

10384.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

10385.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

10386.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

10387.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

10388.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

10389.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

10390.第10136项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

10391.第10136项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

10392.第10136项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

10393.一种组合物，其包含外科用的粘连屏障组分和抗瘢痕形成剂，其中所述组合物抑制外科粘连的形成，并且，其中所述抗瘢痕形成剂抑制在该组合物在已经接受组合物的宿主内所定位的位置的附近的瘢痕形成。

10394.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

10395.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

10396.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

10397.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

10398.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

10399.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

10400.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

10401.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

10402.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

10403.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

10404.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

10405.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

10406.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

10407.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

10408.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

10409.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

10410.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

10411.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

10412.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

10413.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

10414.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

10415.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

10416.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

10417.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

10418.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

10419.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

10420.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

10421.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

10422.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

10423.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

10424.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

10425.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

10426.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

10427.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

10428.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

10429.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

10430.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

10431.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

10432.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

10433.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

10434.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

10435.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

10436.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

10437.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

10438.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

10439.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

10440.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

10441.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

10442.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

10443.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

10444.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

10445.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

10446.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

10447.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

10448.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

10449.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

10450.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

10451.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

10452.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

10453.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

10454.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

10455.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

10456.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

10457.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

10458.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

10459.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

10460.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

10461.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

10462.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

10463.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

10464.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

10465.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

10466.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

10467.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

10468.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

10469.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

10470.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

10471.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

10472.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

10473.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

10474.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

10475.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

10476.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

10477.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

10478.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

10479.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

10480.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

10481.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

10482.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

10483.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

10484.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

10485.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

10486.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

10487.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

10488.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

10489.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

10490.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

10491.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

10492.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

10493.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

10494.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

10495.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

10496.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

10497.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

10498.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

10499.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

10500.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

10501.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

10502.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

10503.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

10504.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

10505.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

10506.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

10507.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

10508.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

10509.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

10510.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

10511.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

10512.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

10513.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

10514.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

10515.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

10516.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

10517.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

10518.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

10519.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

10520.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

10521.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

10522.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

10523.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

10524.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

10525.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

10526.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

10527.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

10528.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

10529.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

10530.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

10531.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

10532.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

10533.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

10534.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

10535.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

10536.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

10537.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

10538.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

10539.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

10540.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

10541.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

10542.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

10543.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

10544.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

10545.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

10546.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

10547.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

10548.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

10549.第10393项的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

10550.第10393项的组合物，其另外包含聚合物。

10551.第10393项的组合物，其另外包含聚合物载体。

10552.第10393项的组合物，其另外含有第二种药物活性剂。

10553.第10393项的组合物，其另外含有消炎剂。

10554.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂。

10555.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

10556.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

10557.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

10558.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

10559.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

10560.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

10561.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

10562.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

10563.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

10564.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

10565.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

10566.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

10567.第10393项的组合物，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

10568.第10393项的组合物，其另外含有抗血栓形成剂。

10569.第10393项的组合物，其另外含有显影剂。

10570.第10393项的组合物，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

10571.第10393项的组合物，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

10572.第10393项的组合物，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

10573.第10393项的组合物，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

10574.第10393项的组合物，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

10575.第10393项的组合物，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

10576.第10393项的组合物，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

10577.第10393项的组合物，其另外含有产生回波的物质。

10578.第10393项的组合物，其中所述组分包含透明质酸或其类似物或衍生物。

10579.第10393项的组合物，其中当将所述组合物施用于宿主时，所述组分形成生物可降解的聚合物基质。

10580.第10393项的组合物，其为可喷射形式。

10581.第10393项的组合物，其为凝胶形式。

10582.第10393项的组合物，其中所述组分已经反应形成膜。

10583.第10393项的组合物，其为薄膜形式。

10584.第10393项的组合物，其中所述组分已经反应形成包覆物。

10585.第10393项的组合物，其为包覆物形式。

10586.第10393项的组合物，其中所述组分已经反应形成网眼。

10587.第10393项的组合物，其为网眼形式。

10588.第10393项的组合物，其中所述组分包含透明质酸或其类似物或衍生物。

10589.一种制备医用装置的方法，其包括：结合血管内植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

10590.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

10591.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

10592.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

10593.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

10594.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

10595.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

10596.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

10597.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

10598.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

10599.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

10600.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

10601.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

10602.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

10603.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

10604.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

10605.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

10606.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

10607.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

10608.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

10609.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是葱环霉素。

10610.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

10611.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

10612.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

10613.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

10614.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

10615.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

10616.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

10617.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

10618.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

10619.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

10620.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

10621.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

10622.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

10623.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

10624.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

10625.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

10626.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

10627.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

10628.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

10629.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

10630.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

10631.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

10632.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

10633.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

10634.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

10635.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

10636.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

10637.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

10638.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

10639.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

10640.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

10641.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

10642.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

10643.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

10644.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

10645.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

10646.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

10647.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

10648.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

10649.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

10650.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

10651.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

10652.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

10653.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

10654.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

10655.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

10656.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

10657.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

10658.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

10659.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

10660.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

10661.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

10662.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

10663.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

10664.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

10665.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

10666.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

10667.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

10668.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

10669.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

10670.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

10671.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

10672.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

10673.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

10674.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

10675.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

10676.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

10677.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

10678.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

10679.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

10680.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

10681.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

10682.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

10683.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

10684.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

10685.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

10686.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

10687.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

10688.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

10689.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

10690.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

10691.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

10692.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

10693.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

10694.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

10695.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

10696.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

10697.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

10698.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

10699.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

10700.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

10701.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

10702.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

10703.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

10704.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

10705.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

10706.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

10707.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

10708.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

10709.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

10710.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

10711.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

10712.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

10713.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

10714.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

10715.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

10716.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

10717.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

10718.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

10719.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

10720.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

10721.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

10722.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

10723.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

10724.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

10725.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

10726.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

10727.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

10728.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

10729.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

10730.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

10731.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

10732.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

10733.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

10734.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

10735.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

10736.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

10737.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

10738.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

10739.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

10740.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

10741.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

10742.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

10743.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

10744.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

10745.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

10746.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

10747.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

10748.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

10749.第10589项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

10750.第10589项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

10751.第10589项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有所述药剂并且位于植入物的表面上。

10752.第10589项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有所述药剂并且直接接触植入物。

10753.第10589项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有所述药剂并且间接接触植入物。

10754.第10589项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有所述药剂并且部分覆盖植入物。

10755.第10589项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有所述药剂并且完全覆盖植入物。

10756.第10589项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

10757.第10589项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

10758.第10589项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

10759.第10589项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

10760.第10589项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

10761.第10589项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

10762.第10589项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

10763.第10589项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

10764.第10589项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

10765.第10589项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

10766.第10589项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

10767.第10589项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

10768.第10589项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

10769.第10589项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

10770.第10589项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

10771.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

10772.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

10773.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

10774.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

10775.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

10776.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

10777.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

10778.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

10779.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

10780.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

10781.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

10782.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

10783.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

10784.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

10785.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

10786.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

10787.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

10788.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

10789.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

10790.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

10791.第10589项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

10792.第10589项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

10793.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

10794.第10589项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

10795.第10589项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

10796.第10589项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

10797.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

10798.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

10799.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

10800.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

10801.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

10802.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

10803.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

10804.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

10805.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

10806.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

10807.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

10808.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

10809.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

10810.第10589项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

10811.第10589项的方法，，其另外含有抗血栓形成剂。

10812.第10589项的方法，其中所述装置包含显影剂。

10813.第10589项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

10814.第10589项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

10815.第10589项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

10816.第10589项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

10817.第10589项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

10818.第10589项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

10819.第10589项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

10820.第10589项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

10821.第10589项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

10822.第10589项的方法，其中所述装置是无菌的。

10823.第10589项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

10824.第10589项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

10825.第10589项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

10826.第10589项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

10827.第10589项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

10828.第10589项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

10829.第10589项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

10830.第10589项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

10831.第10589项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

10832.第10589项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

10833.第10589项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

10834.第10589项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

10835.第10589项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

10836.第10589项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

10837.第10589项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

10838.第10589项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

10839.第10589项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

10840.第10589项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

10841.第10589项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

10842.第10589项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

10843.第10589项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

10844.第10589项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

10845.第10589项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

10846.第10589项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

10847.第10589项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

10848.第10589项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

10849.第10589项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

10850.第10589项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

10851.第10589项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

10852.第10589项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

10853.第10589项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

10854.第10589项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

10855.第10589项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

10856.第10589项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套(sleeve)覆盖全部植入物来完成所述结合。

10857.第10589项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套(sleeve)覆盖部分植入物来完成所述结合。

10858.第10589项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

10859.第10589项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

10860.第10589项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

10861.第10589项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

10862.第10589项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

10863.第10589项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

10864.第10589项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

10865.第10589项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

10866.第10589项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

10867.第10589项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

10868.第10589项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

10869.第10589项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

10870.第10589项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

10871.第10589项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

10872.第10589项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

10873.第10589项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

10874.第10589项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

10875.第10589项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

10876.第10589项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

10877.第10589项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

10878.第10589项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

10879.第10589项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

10880.第10589项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

10881.第10589项的方法，其中所述植入物是斯滕特固定模。

10882.第10589项的方法，其中所述植入物是冠状动脉斯滕特固定模。

10883.第10589项的方法，其中所述植入物是外周斯滕特固定模。

10884.第10589项的方法，其中所述植入物是覆盖的斯滕特固定模。

10885.第10589项的方法，其中所述植入物是血管内导管。

10886.第10589项的方法，其中所述植入物是微量注射器导管。

10887.第10589项的方法，其中所述植入物是药物传递气囊。

10888.第10589项的方法，其中所述植入物是sweaty气囊。

10889.第10589项的方法，其中所述植入物是管道(channel)气囊。

10890.第10589项的方法，其中其中所述植入物是微量注射器气囊。

10891.第10589项的方法，其中所述植入物是双气囊。

10892.第10589项的方法，其中所述植入物是螺旋气囊。

10893.第10589项的方法，其中所述植入物是BHP气囊。

10894.第10589项的方法，其中所述植入物是经尿道针切除(TUNA)气囊。

10895.第10589项的方法，其中所述植入物是射频针切除(RFNA)气囊。

10896.第10589项的方法，其中所述植入物是冠状动脉药物灌输(infuction)导线。

10897.一种制备医用装置的方法，其包括：结合血管移植物或包覆物植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

10898.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

10899.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

10900.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

10901.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

10902.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

10903.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

10904.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

10905.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

10906.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

10907.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

10908.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

10909.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

10910.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

10911.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

10912.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

10913.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

10914.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

10915.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

10916.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

10917.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

10918.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

10919.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

10920.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

10921.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

10922.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

10923.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

10924.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

10925.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

10926.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

10927.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

10928.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

10929.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

10930.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

10931.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

10932.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

10933.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

10934.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

10935.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

10936.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

10937.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

10938.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

10939.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

10940.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

10941.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

10942.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

10943.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

10944.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

10945.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

10946.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

10947.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

10948.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

10949.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

10950.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

10951.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

10952.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

10953.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

10954.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

10955.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

10956.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

10957.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

10958.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

10959.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

10960.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

10961.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

10962.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

10963.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

10964.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

10965.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

10966.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

10967.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

10968.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

10969.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

10970.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

10971.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

10972.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

10973.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

10974.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

10975.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

10976.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

10977.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

10978.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

10979.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

10980.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

10981.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

10982.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

10983.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

10984.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

10985.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

10986.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

10987.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

10988.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

10989.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

10990.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

10991.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

10992.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

10993.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

10994.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

10995.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

10996.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

10997.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

10998.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

10999.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

11000.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

11001.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

11002.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

11003.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

11004.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

11005.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

11006.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

11007.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

11008.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

11009.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

11010.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

11011.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

11012.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

11013.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

11014.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

11015.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

11016.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

11017.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

11018.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

11019.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

11020.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

11021.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

11022.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

11023.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

11024.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

11025.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

11026.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

11027.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

11028.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

11029.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

11030.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

11031.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

11032.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

11033.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

11034.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

11035.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

11036.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

11037.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

11038.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

11039.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

11040.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

11041.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

11042.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

11043.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

11044.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

11045.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

11046.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

11047.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

11048.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

11049.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

11050.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

11051.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

11052.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

11053.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

11054.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

11055.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

11056.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

11057.第10897项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

11058.第10897项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

11059.第10897项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

11060.第10897项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

11061.第10897项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

11062.第10897项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

11063.第10897项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

11064.第10897项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

11065.第10897项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

11066.第10897项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

11067.第10897项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

11068.第10897项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

11069.第10897项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

11070.第10897项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

11071.第10897项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

11072.第10897项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

11073.第10897项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

11074.第10897项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

11075.第10897项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

11076.第10897项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

11077.第10897项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

11078.第10897项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

11079.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

11080.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

11081.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

11082.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

11083.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

11084.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

11085.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

11086.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

11087.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

11088.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

11089.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

11090.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

11091.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

11092.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

11093.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

11094.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

11095.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

11096.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

11097.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

11098.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

11099.第10897项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

11100.第10897项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

11101.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

11102.第10897项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

11103.第10897项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

11104.第10897项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

11105.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

11106.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

11107.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

11108.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

11109.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

11110.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

11111.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

11112.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

11113.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

11114.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

11115.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

11116.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

11117.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

11118.第10897项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

11119.第10897项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

11120.第10897项的方法，其中所述装置包含显影剂。

11121.第10897项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

11122.第10897项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

11123.第10897项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

11124.第10897项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

11125.第10897项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

11126.第10897项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

11127.第10897项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

11128.第10897项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

11129.第10897项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

11130.第10897项的方法，其中所述装置是无菌的。

11131.第10897项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

11132.第10897项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

11133.第10897项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

11134.第10897项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

11135.第10897项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

11136.第10897项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11137.第10897项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11138.第10897项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11139.第10897项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11140.第10897项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11141.第10897项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11142.第10897项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11143.第10897项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11144.第10897项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

11145.第10897项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

11146.第10897项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

11147.第10897项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

11148.第10897项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

11149.第10897项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

11150.第10897项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

11151.第10897项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

11152.第10897项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

11153.第10897项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

11154.第10897项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

11155.第10897项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

11156.第10897项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

11157.第10897项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

11158.第10897项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

11159.第10897项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

11160.第10897项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

11161.第10897项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

11162.第10897项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

11163.第10897项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

11164.第10897项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

11165.第10897项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

11166.第10897项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

11167.第10897项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

11168.第10897项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

11169.第10897项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

11170.第10897项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

11171.第10897项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

11172.第10897项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

11173.第10897项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

11174.第10897项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

11175.第10897项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

11176.第10897项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

11177.第10897项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

11178.第10897项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

11179.第10897项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

11180.第10897项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

11181.第10897项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

11182.第10897项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

11183.第10897项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

11184.第10897项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

11185.第10897项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

11186.第10897项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

11187.第10897项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

11188.第10897项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

11189.第10897项的方法，其中所述植入物是合成的旁路移植物。

11190.第10897项的方法，其中所述植入物是股-腘的合成旁路移植物。

11191.第10897项的方法，其中所述植入物是股-股的合成旁路移植物。

11192.第10897项的方法，其中所述植入物是腋-股合成的旁路移植物。

11193.第10897项的方法，其中所述植入物是静脉移植物。

11194.第10897项的方法，其中所述植入物是外周静脉移植物。

11195.第10897项的方法，其中所述植入物是冠状静脉移植物。

11196.第10897项的方法，其中所述植入物是乳房内移植物。

11197.第10897项的方法，其中所述植入物是乳房内冠状移植物。

11198.第10897项的方法，其中所述植入物是分枝的血管移植物。

11199.第10897项的方法，其中所述植入物是血管包覆物。

11200.一种制备医用装置的方法，其包括：结合用于血液透析接入的植入物(即，血液透析通路)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

11201.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

11202.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

11203.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

11204.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

11205.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

11206.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

11207.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

11208.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

11209.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

11210.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

11211.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

11212.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

11213.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

11214.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

11215.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

11216.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

11217.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

11218.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

11219.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

11220.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

11221.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

11222.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

11223.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

11224.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

11225.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

11226.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

11227.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

11228.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

11229.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

11230.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

11231.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

11232.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

11233.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

11234.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

11235.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

11236.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

11237.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

11238.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

11239.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

11240.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

11241.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

11242.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

11243.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

11244.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

11245.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

11246.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

11247.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

11248.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

11249.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

11250.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

11251.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

11252.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

11253.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

11254.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

11255.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

11256.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

11257.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

11258.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

11259.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

11260.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

11261.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

11262.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

11263.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

11264.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

11265.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

11266.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

11267.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

11268.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

11269.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

11270.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

11271.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

11272.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

11273.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

11274.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

11275.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

11276.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

11277.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

11278.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

11279.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

11280.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

11281.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

11282.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

11283.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

11284.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

11285.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

11286.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

11287.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

11288.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

11289.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

11290.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

11291.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

11292.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

11293.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

11294.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

11295.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

11296.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

11297.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

11298.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

11299.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

11300.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

11301.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

11302.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

11303.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

11304.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

11305.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

11306.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

11307.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

11308.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

11309.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

11310.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

11311.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

11312.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

11313.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

11314.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

11315.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

11316.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

11317.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

11318.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

11319.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

11320.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

11321.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

11322.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

11323.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

11324.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

11325.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

11326.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

11327.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

11328.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

11329.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

11330.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

11331.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

11332.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

11333.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

11334.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

11335.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

11336.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

11337.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

11338.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

11339.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

11340.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

11341.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

11342.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

11343.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

11344.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

11345.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

11346.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

11347.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

11348.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

11349.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

11350.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

11351.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

11352.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

11353.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

11354.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

11355.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

11356.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

11357.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

11358.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

11359.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

11360.第11200项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

11361.第11200项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

11362.第11200项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

11363.第11200项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

11364.第11200项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

11365.第11200项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

11366.第11200项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

11367.第11200项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

11368.第11200项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

11369.第11200项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

11370.第11200项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

11371.第11200项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

11372.第11200项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

11373.第11200项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

11374.第11200项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

11375.第11200项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

11376.第11200项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

11377.第11200项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

11378.第11200项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

11379.第11200项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

11380.第11200项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

11381.第11200项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

11382.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

11383.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

11384.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

11385.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

11386.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

11387.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

11388.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

11389.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

11390.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

11391.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

11392.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

11393.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

11394.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

11395.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

11396.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

11397.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

11398.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

11399.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

11400.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

11401.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

11402.第11200项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

11403.第11200项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

11404.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

11405.第11200项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

11406.第11200项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

11407.第11200项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

11408.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

11409.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

11410.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

11411.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

11412.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

11413.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

11414.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

11415.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

11416.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

11417.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

11418.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

11419.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

11420.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

11421.第11200项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

11422.第11200项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

11423.第11200项的方法，其中所述装置包含显影剂。

11424.第11200项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

11425.第11200项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

11426.第11200项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

11427.第11200项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

11428.第11200项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

11429.第11200项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

11430.第11200项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

11431.第11200项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

11432.第11200项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

11433.第11200项的方法，其中所述装置是无菌的。

11434.第11200项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

11435.第11200项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

11436.第11200项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

11437.第11200项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

11438.第11200项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

11439.第11200项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11440.第11200项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11441.第11200项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11442.第11200项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11443.第11200项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11444.第11200项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11445.第11200项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11446.第11200项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11447.第11200项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

11448.第11200项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

11449.第11200项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

11450.第11200项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

11451.第11200项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

11452.第11200项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

11453.第11200项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

11454.第11200项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

11455.第11200项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

11456.第11200项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

11457.第11200项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

11458.第11200项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

11459.第11200项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

11460.第11200项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

11461.第11200项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

11462.第11200项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

11463.第11200项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

11464.第11200项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

11465.第11200项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

11466.第11200项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

11467.第11200项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

11468.第11200项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

11469.第11200项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

11470.第11200项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

11471.第11200项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

11472.第11200项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

11473.第11200项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

11474.第11200项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

11475.第11200项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

11476.第11200项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

11477.第11200项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

11478.第11200项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

11479.第11200项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

11480.第11200项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

11481.第11200项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

11482.第11200项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

11483.第11200项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

11484.第11200项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

11485.第11200项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

11486.第11200项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

11487.第11200项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

11488.第11200项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

11489.第11200项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

11490.第11200项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

11491.第11200项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

11492.第11200项的方法，其中所述植入物是AV瘘管。

11493.第11200项的方法，其中所述植入物是AV接入移植物。

11494.第11200项的方法，其中所述植入物是静脉导管。

11495.第11200项的方法，其中所述植入物是可植入的端口(port)。

11496.第11200项的方法，其中所述植入物是AV分路。

11497.一种制备医用装置的方法，其包括：结合提供吻合连接的植入物(即，吻合连接器装置)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

11498.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

11499.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

11500.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

11501.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

11502.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

11503.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

11504.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

11505.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

11506.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

11507.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

11508.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

11509.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

11510.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

11511.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

11512.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

11513.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

11514.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

11515.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

11516.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

11517.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

11518.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

11519.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

11520.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

11521.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

11522.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

11523.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

11524.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

11525.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

11526.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

11527.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

11528.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

11529.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

11530.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

11531.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

11532.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

11533.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

11534.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

11535.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

11536.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

11537.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

11538.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

11539.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

11540.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

11541.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

11542.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

11543.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

11544.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

11545.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

11546.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

11547.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

11548.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

11549.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

11550.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

11551.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

11552.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

11553.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

11554.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

11555.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

11556.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

11557.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

11558.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

11559.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

11560.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

11561.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

11562.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

11563.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

11564.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

11565.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

11566.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

11567.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

11568.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

11569.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

11570.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

11571.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

11572.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

11573.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

11574.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

11575.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

11576.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

11577.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

11578.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

11579.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

11580.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

11581.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

11582.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

11583.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

11584.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

11585.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

11586.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

11587.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

11588.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

11589.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

11590.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

11591.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

11592.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

11593.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

11594.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

11595.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

11596.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

11597.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

11598.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

11599.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

11600.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

11601.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

11602.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

11603.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

11604.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

11605.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

11606.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

11607.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

11608.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

11609.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

11610.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

11611.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

11612.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

11613.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

11614.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

11615.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

11616.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

11617.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

11618.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

11619.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

11620.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

11621.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

11622.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

11623.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

11624.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

11625.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

11626.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

11627.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

11628.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

11629.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

11630.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

11631.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

11632.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

11633.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

11634.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

11635.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

11636.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

11637.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

11638.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

11639.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

11640.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

11641.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

11642.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

11643.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

11644.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

11645.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

11646.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

11647.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

11648.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

11649.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

11650.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

11651.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

1652.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

11653.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

11654.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

11655.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

11656.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

11657.第11497项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

11658.第11497项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

11659.第11497项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

11660.第11497项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

11661.第11497项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

11662.第11497项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

11663.第11497项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

11664.第11497项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

11665.第11497项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

11666.第11497项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

11667.第11497项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

11668.第11497项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

11669.第11497项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

11670.第11497项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

11671.第11497项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

11672.第11497项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

11673.第11497项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

11674.第11497项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

11675.第11497项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

11676.第11497项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

11677.第11497项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

11678.第11497项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

11679.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

11680.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

11681.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

11682.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

11683.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

11684.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

11685.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

11686.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

11687.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

11688.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

11689.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

11690.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

11691.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

11692.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

11693.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

11694.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

11695.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

11696.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

11697.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

11698.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

11699.第11497项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

11700.第11497项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

11701.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

11702.第11497项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

11703.第11497项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

11704.第11497项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

11705.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

11706.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

11707.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

11708.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

11709.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

11710.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

11711.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

11712.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

11713.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

11714.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

11715.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

11716.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

11717.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

11718.第11497项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

11719.第11497项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

11720.第11497项的方法，其中所述装置包含显影剂。

11721.第11497项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

11722.第11497项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

11723.第11497项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

11724.第11497项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

11725.第11497项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

11726.第11497项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

11727.第11497项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

11728.第11497项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

11729.第11497项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

11730.第11497项的方法，其中所述装置是无菌的。

11731.第11497项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

11732.第11497项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

11733.第11497项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

11734.第11497项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

11735.第11497项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

11736.第11497项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11737.第11497项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11738.第11497项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11739.第11497项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11740.第11497项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11741.第11497项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11742.第11497项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11743.第11497项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

11744.第11497项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

11745.第11497项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

11746.第11497项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

11747.第11497项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

11748.第11497项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

11749.第11497项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

11750.第11497项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

11751.第11497项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

11752.第11497项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

11753.第11497项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

11754.第11497项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

11755.第11497项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

11756.第11497项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

11757.第11497项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

11758.第11497项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

11759.第11497项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

11760.第11497项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

11761.第11497项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

11762.第11497项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

11763.第11497项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

11764.第11497项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

11765.第11497项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

11766.第11497项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

11767.第11497项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

11768.第11497项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

11769.第11497项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

11770.第11497项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

11771.第11497项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

11772.第11497项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

11773.第11497项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

11774.第11497项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

11775.第11497项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

11776.第11497项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

11777.第11497项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

11778.第11497项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

11779.第11497项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

11780.第11497项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

11781.第11497项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

11782.第11497项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

11783.第11497项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

11784.第11497项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

11785.第11497项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

11786.第11497项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

11787.第11497项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

11788.第11497项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

11789.一种制备医用装置的方法，其包括：结合中央静脉导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

11790.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

11791.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

11792.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

11793.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

11794.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

11795.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

11796.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

11797.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

11798.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

11799.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

11800.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

11801.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

11802.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

11803.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

11804.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

11805.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

11806.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

11807.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

11808.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

11809.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

11810.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

11811.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

11812.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

11813.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

11814.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

11815.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

11816.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

11817.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

11818.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

11819.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

11820.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

11821.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

11822.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

11823.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

11824.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

11825.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

11826.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

11827.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

11828.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

11829.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

11830.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

11831.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

11832.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

11833.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

11834.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

11835.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

11836.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

11837.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

11838.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

11839.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

11840.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

11841.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

11842.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

11843.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

11844.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

11845.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

11846.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

11847.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

11848.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

11849.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

11850.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

11851.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

11852.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

11853.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

11854.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

11855.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

11856.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

11857.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

11858.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

11859.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

11860.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

11861.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

11862.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

11863.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

11864.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

11865.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

11866.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

11867.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

11868.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

11869.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

11870.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

11871.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

11872.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

11873.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

11874.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

11875.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

11876.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

11877.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

11878.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

11879.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

11880.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

11881.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

11882.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

11883.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

11884.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

11885.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

11886.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

11887.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

11888.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

11889.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

11890.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

11891.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

11892.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

11893.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

11894.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

11895.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

11896.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

11897.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

11898.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

11899.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

11900.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

11901.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

11902.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

11903.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

11904.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

11905.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

11906.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

11907.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

11908.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

11909.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

11910.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

11911.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

11912.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

11913.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

11914.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

11915.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

11916.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

11917.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

11918.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

11919.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

11920.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

11921.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

11922.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

11923.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

11924.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

11925.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

11926.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

11927.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

11928.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

11929.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

11930.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

11931.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

11932.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

11933.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

11934.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

11935.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

11936.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

11937.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

11938.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

11939.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

11940.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

11941.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

11942.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

11943.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

11944.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

11945.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

11946.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

11947.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

11948.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

11949.第11789项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

11950.第11789项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

11951.第11789项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

11952.第11789项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

11953.第11789项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

11954.第11789项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

11955.第11789项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

11956.第11789项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

11957.第11789项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

11958.第11789项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

11959.第11789项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

11960.第11789项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

11961.第11789项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

11962.第11789项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

11963.第11789项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

11964.第11789项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

11965.第11789项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

11966.第11789项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

11967.第11789项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

11968.第11789项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

11969.第11789项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

11970.第11789项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

11971.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

11972.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

11973.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

11974.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

11975.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

11976.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

11977.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

11978.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

11979.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

11980.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

11981.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

11982.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

11983.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

11984.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

11985.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

11986.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

11987.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

11988.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

11989.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

11990.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

11991.第11789项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

11992.第11789项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

11993.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

11994.第11789项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

11995.第11789项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

11996.第11789项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

11997.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

11998.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

11999.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

12000.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

12001.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

12002.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

12003.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

12004.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

12005.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

12006.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

12007.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

12008.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

12009.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

12010.第11789项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

12011.第11789项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

12012.第11789项的方法，其中所述装置包含显影剂。

12013.第11789项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

12014.第11789项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

12015.第11789项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

12016.第11789项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

12017.第11789项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

12018.第11789项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

12019.第11789项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

12020.第11789项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

12021.第11789项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

12022.第11789项的方法，其中所述装置是无菌的。

12023.第11789项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

12024.第11789项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

12025.第11789项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

12026.第11789项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

12027.第11789项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

12028.第11789项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12029.第11789项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12030.第11789项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12031.第11789项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12032.第11789项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12033.第11789项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12034.第11789项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12035.第11789项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12036.第11789项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

12037.第11789项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

12038.第11789项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

12039.第11789项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

12040.第11789项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

12041.第11789项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

12042.第11789项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

12043.第11789项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

12044.第11789项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

12045.第11789项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

12046.第11789项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

12047.第11789项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

12048.第11789项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

12049.第11789项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

12050.第11789项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

12051.第11789项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

12052.第11789项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

12053.第11789项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

12054.第11789项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

12055.第11789项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

12056.第11789项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

12057.第11789项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

12058.第11789项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

12059.第11789项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

12060.第11789项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

12061.第11789项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

12062.第11789项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

12063.第11789项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

12064.第11789项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

12065.第11789项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

12066.第11789项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

12067.第11789项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

12068.第11789项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

12069.第11789项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

12070.第11789项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

12071.第11789项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

12072.第11789项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

12073.第11789项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

12074.第11789项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

12075.第11789项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

12076.第11789项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

12077.第11789项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

12078.第11789项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

12079.第11789项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

12080.第11789项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

12081.第11789项的方法，其中所述植入物是完全肠胃外营养导管。

12082.第11789项的方法，其中所述植入物是顶端装有定向流动的气囊的肺动脉导管(a flow-directed balloon-tipped pulmonary arterycatheter)。

12083.一种制备医用装置的方法，其包括：结合假体心脏瓣膜植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

12084.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

12085.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

12086.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

12087.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

12088.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

12089.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

12090.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

12091.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

12092.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

12093.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

12094.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

12095.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

12096.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

12097.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

12098.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

12099.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

12100.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

12101.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

12102.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

12103.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

12104.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

12105.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

12106.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

12107.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

12108.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

12109.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

12110.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

12111.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

12112.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

12113.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

12114.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

12115.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

12116.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

12117.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

12118.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

12119.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

12120.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

12121.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

12122.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

12123.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

12124.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

12125.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

12126.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

12127.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

12128.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

12129.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

12130.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

12131.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

12132.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

12133.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

12134.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

12135.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

12136.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

12137.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

12138.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

12139.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

12140.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

12141.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

12142.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

12143.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

12144.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

12145.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

12146.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

12147.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

12148.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

12149.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

12150.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

12151.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

12152.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

12153.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

12154.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

12155.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

12156.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

12157.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

12158.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

12159.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

12160.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

12161.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

12162.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

12163.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

12164.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

12165.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

12166.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

12167.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

12168.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

12169.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

12170.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

12171.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

12172.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

12173.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

12174.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

12175.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

12176.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

12177.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

12178.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂。

12179.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂，其中所述NFκ B抑制剂是Bay 11-7082。

12180.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

12181.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

12182.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

12183.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

12184.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

12185.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

12186.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

12187.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

12188.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

12189.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

12190.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

12191.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

12192.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

12193.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

12194.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

12195.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

12196.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

12197.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

12198.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

12199.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

12200.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

12201.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

12202.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

12203.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

12204.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

12205.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

12206.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

12207.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

12208.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

12209.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

12210.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

12211.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

12212.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

12213.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

12214.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

12215.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

12216.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

12217.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

12218.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

12219.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

12220.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

12221.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

12222.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

12223.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

12224.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

12225.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

12226.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

12227.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

12228.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

12229.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

12230.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNF α抑制剂。

12231.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

12232.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

12233.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

12234.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

12235.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

12236.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

12237.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

12238.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

12239.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

12240.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

12241.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

12242.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

12243.第12083项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

12244.第12083项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

12245.第12083项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

12246.第12083项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

12247.第12083项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

12248.第12083项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

12249.第12083项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

12250.第12083项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

12251.第12083项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

12252.第12083项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

12253.第12083项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

12254.第12083项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

12255.第12083项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

12256.第12083项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

12257.第12083项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

12258.第12083项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

12259.第12083项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

12260.第12083项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

12261.第12083项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

12262.第12083项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

12263.第12083项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

12264.第12083项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

12265.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

12266.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

12267.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

12268.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

12269.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

12270.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

12271.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

12272.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

12273.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

12274.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

12275.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

12276.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

12277.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

12278.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

12279.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

12280.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

12281.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

12282.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

12283.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

12284.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

12285.第12083项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

12286.第12083项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

12287.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

12288.第12083项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

12289.第12083项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

12290.第12083项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

12291.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

12292.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

12293.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

12294.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

12295.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

12296.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

12297.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

12298.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

12299.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

12300.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

12301.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

12302.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

12303.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

12304.第12083项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

12305.第12083项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

12306.第12083项的方法，其中所述装置包含显影剂。

12307.第12083项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

12308.第12083项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

12309.第12083项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

12310.第12083项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

12311.第12083项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

12312.第12083项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

12313.第12083项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

12314.第12083项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

12315.第12083项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

12316.第12083项的方法，其中所述装置是无菌的。

12317.第12083项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

12318.第12083项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

12319.第12083项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

12320.第12083项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

12321.第12083项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

12322.第12083项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12323.第12083项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12324.第12083项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12325.第12083项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12326.第12083项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12327.第12083项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12328.第12083项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12329.第12083项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12330.第12083项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

12331.第12083项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

12332.第12083项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

12333.第12083项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

12334.第12083项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

12335.第12083项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

12336.第12083项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

12337.第12083项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

12338.第12083项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

12339.第12083项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

12340.第12083项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

12341.第12083项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

12342.第12083项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

12343.第12083项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

12344.第12083项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

12345.第12083项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

12346.第12083项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

12347.第12083项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

12348.第12083项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

12349.第12083项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

12350.第12083项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

12351.第12083项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

12352.第12083项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

12353.第12083项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

12354.第12083项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

12355.第12083项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

12356.第12083项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

12357.第12083项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

12358.第12083项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

12359.第12083项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

12360.第12083项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

12361.第12083项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

12362.第12083项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

12363.第12083项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

12364.第12083项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

12365.第12083项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

12366.第12083项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

12367.第12083项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

12368.第12083项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

12369.第12083项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

12370.第12083项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

12371.第12083项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

12372.第12083项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

12373.第12083项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

12374.第12083项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

12375.第12083项的方法，其中所述植入物是机械假体。

12376.第12083项的方法，其中所述植入物是生物假体心脏瓣膜。

12377.第12083项的方法，其中所述植入物是至少部分由猪瓣膜构成的生物假体心脏瓣膜。

12378.第12083项的方法，其中所述植入物是至少部分由牛心包瓣膜构成的生物假体心脏瓣膜。

12379.一种制备医用装置的方法，其包括：结合下腔静脉滤器植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

12380.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

12381.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

12382.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

12383.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

12384.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

12385.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

12386.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

12387.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

12388.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

12389.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

12390.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

12391.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

12392.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

12393.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

12394.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

12395.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

12396.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

12397.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

12398.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

12399.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

12400.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

12401.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

12402.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

12403.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

12404.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

12405.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

12406.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

12407.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

12408.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

12409.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

12410.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

12411.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

12412.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

12413.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

12414.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

12415.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

12416.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

12417.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

12418.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

12419.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

12420.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

12421.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

12422.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

12423.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

12424.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

12425.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

12426.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

12427.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

12428.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

12429.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

12430.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

12431.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

12432.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

12433.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

12434.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

12435.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

12436.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

12437.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

12438.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

12439.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

12440.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

12441.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

12442.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

12443.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

12444.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

12445.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

12446.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

12447.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

12448.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

12449.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

12450.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

12451.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

12452.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

12453.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

12454.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

12455.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

12456.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

12457.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

12458.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

12459.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

12460.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

12461.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

12462.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

12463.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

12464.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

12465.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

12466.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

12467.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

12468.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

12469.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

12470.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

12471.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

12472.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

12473.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

12474.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂。

12475.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂，其中所述NFκ B抑制剂是Bay 11-7082。

12476.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

12477.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

12478.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

12479.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

12480.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

12481.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

12482.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

12483.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

12484.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

12485.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

12486.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

12487.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

12488.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

12489.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

12490.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

12491.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

12492.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

12493.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

12494.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

12495.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

12496.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

12497.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

12498.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

12499.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

12500.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

12501.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

12502.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

12503.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

12504.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

12505.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

12506.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

12507.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

12508.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

12509.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

12510.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

12511.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

12512.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

12513.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

12514.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

12515.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

12516.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

12517.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

12518.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

12519.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

12520.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

12521.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

12522.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

12523.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

12524.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

12525.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

12526.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

12527.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

12528.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

12529.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

12530.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

12531.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

12532.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

12533.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

12534.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

12535.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

12536.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

12537.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

12538.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

12539.第12379项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

12540.第12379项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

12541.第12379项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

12542.第12379项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

12543.第12379项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

12544.第12379项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

12545.第12379项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

12546.第12379项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

12547.第12379项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

12548.第12379项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

12549.第12379项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

12550.第12379项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

12551.第12379项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

12552.第12379项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

12553.第12379项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

12554.第12379项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

12555.第12379项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

12556.第12379项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

12557.第12379项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

12558.第12379项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

12559.第12379项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

12560.第12379项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

12561.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

12562.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

12563.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

12564.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

12565.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

12566.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

12567.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

12568.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

12569.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

12570.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

12571.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

12572.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

12573.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

12574.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

12575.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

12576.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

12577.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

12578.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

12579.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

12580.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

12581.第12379项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

12582.第12379项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

12583.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

12584.第12379项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

12585.第12379项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

12586.第12379项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

12587.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

12588.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

12589.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

12590.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

12591.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

12592.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

12593.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

12594.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

12595.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

12596.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

12597.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

12598.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

12599.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

12600.第12379项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

12601.第12379项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

12602.第12379项的方法，其中所述装置包含显影剂。

12603.第12379项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

12604.第12379项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

12605.第12379项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

12606.第12379项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

12607.第12379项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

12608.第12379项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

12609.第12379项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

12610.第12379项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

12611.第12379项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

12612.第12379项的方法，其中所述装置是无菌的。

12613.第12379项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

12614.第12379项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

12615.第12379项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

12616.第12379项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

12617.第12379项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

12618.第12379项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12619.第12379项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12620.第12379项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12621.第12379项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12622.第12379项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12623.第12379项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12624.第12379项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12625.第12379项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12626.第12379项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

12627.第12379项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

12628.第12379项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

12629.第12379项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

12630.第12379项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

12631.第12379项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

12632.第12379项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

12633.第12379项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

12634.第12379项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

12635.第12379项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

12636.第12379项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

12637.第12379项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

12638.第12379项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

12639.第12379项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

12640.第12379项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

12641.第12379项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

12642.第12379项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

12643.第12379项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

12644.第12379项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

12645.第12379项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

12646.第12379项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

12647.第12379项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

12648.第12379项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

12649.第12379项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

12650.第12379项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

12651.第12379项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

12652.第12379项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

12653.第12379项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

12654.第12379项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

12655.第12379项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

12656.第12379项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

12657.第12379项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

12658.第12379项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

12659.第12379项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

12660.第12379项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

12661.第12379项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

12662.第12379项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

12663.第12379项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

12664.第12379项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

12665.第12379项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

12666.第12379项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

12667.第12379项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

12668.第12379项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

12669.第12379项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

12670.第12379项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

12671.一种制备医用装置的方法，其包括：结合腹膜透析导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

12672.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

12673.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

12674.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

12675.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

12676.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

12677.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

12678.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

12679.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

12680.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

12681.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

12682.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

12683.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

12684.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

12685.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

12686.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

12687.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

12688.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

12689.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

12690.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

12691.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

12692.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

12693.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

12694.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

12695.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

12696.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

12697.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

12698.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

12699.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

12700.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

12701.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

12702.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

12703.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

12704.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

12705.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

12706.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

12707.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

12708.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

12709.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

12710.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

12711.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

12712.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

12713.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

12714.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

12715.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

12716.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

12717.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

12718.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

12719.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

12720.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

12721.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

12722.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

12723.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

12724.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

12725.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

12726.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

12727.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

12728.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

12729.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

12730.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

12731.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

12732.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

12733.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

12734.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

12735.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

12736.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

12737.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

12738.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

12739.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

12740.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

12741.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

12742.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

12743.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

12744.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

12745.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

12746.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

12747.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

12748.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

12749.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

12750.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

12751.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

12752.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

12753.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

12754.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

12755.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

12756.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

12757.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

12758.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

12759.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

12760.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

12761.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

12762.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

12763.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

12764.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

12765.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

12766.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂。

12767.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂，其中所述NFκ B抑制剂是Bay 11-7082。

12768.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

12769.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

12770.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

12771.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

12772.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

12773.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

12774.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

12775.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

12776.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

12777.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

12778.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

12779.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

12780.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

12781.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

12782.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

12783.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

12784.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

12785.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

12786.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

12787.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

12788.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

12789.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

12790.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

12791.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

12792.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

12793.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

12794.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

12795.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

12796.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

12797.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

12798.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

12799.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

12800.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

12801.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

12802.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

12803.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

12804.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

12805.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

12806.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

12807.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

12808.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

12809.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

12810.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

12811.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

12812.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

12813.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

12814.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

12815.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

12816.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

12817.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

12818.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

12819.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

12820.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

12821.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

12822.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

12823.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

12824.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

12825.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

12826.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

12827.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

12828.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

12829.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

12830.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

12831.第12671项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

12832.第12671项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

12833.第12671项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

12834.第12671项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

12835.第12671项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

12836.第12671项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

12837.第12671项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

12838.第12671项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

12839.第12671项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

12840.第12671项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

12841.第12671项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

12842.第12671项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

12843.第12671项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

12844.第12671项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

12845.第12671项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

12846.第12671项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

12847.第12671项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

12848.第12671项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

12849.第12671项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

12850.第12671项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

12851.第12671项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

12852.第12671项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

12853.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

12854.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

12855.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

12856.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

12857.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

12858.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

12859.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

12860.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

12861.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

12862.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

12863.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

12864.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

12865.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

12866.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

12867.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

12868.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

12869.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

12870.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

12871.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

12872.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

12873.第12671项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

12874.第12671项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

12875.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

12876.第12671项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

12877.第12671项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

12878.第12671项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

12879.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

12880.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

12881.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

12882.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

12883.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

12884.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

12885.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

12886.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

12887.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

12888.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

12889.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

12890.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

12891.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

12892.第12671项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

12893.第12671项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

12894.第12671项的方法，其中所述装置包含显影剂。

12895.第12671项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

12896.第12671项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

12897.第12671项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

12898.第12671项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

12899.第12671项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

12900.第12671项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

12901.第12671项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

12902.第12671项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

12903.第12671项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

12904.第12671项的方法，其中所述装置是无菌的。

12905.第12671项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

12906.第12671项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

12907.第12671项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

12908.第12671项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

12909.第12671项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

12910.第12671项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12911.第12671项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12912.第12671项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12913.第12671项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12914.第12671项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12915.第12671项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12916.第12671项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12917.第12671项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

12918.第12671项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

12919.第12671项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

12920.第12671项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

12921.第12671项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

12922.第12671项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

12923.第12671项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

12924.第12671项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

12925.第12671项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

12926.第12671项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

12927.第12671项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

12928.第12671项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

12929.第12671项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

12930.第12671项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

12931.第12671项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

12932.第12671项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

12933.第12671项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

12934.第12671项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

12935.第12671项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

12936.第12671项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

12937.第12671项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

12938.第12671项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

12939.第12671项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

12940.第12671项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

12941.第12671项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

12942.第12671项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

12943.第12671项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

12944.第12671项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

12945.第12671项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

12946.第12671项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

12947.第12671项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

12948.第12671项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

12949.第12671项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

12950.第12671项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

12951.第12671项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

12952.第12671项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

12953.第12671项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

12954.第12671项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

12955.第12671项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

12956.第12671项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

12957.第12671项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

12958.第12671项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

12959.第12671项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

12960.第12671项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

12961.第12671项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

12962.第12671项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

12963.一种制备医用装置的方法，其包括：结合可植入的非血管斯滕特固定模或管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

12964.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

12965.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

12966.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

12967.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

12968.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

12969.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

12970.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

12971.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

12972.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

12973.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

12974.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

12975.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

12976.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

12977.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

12978.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

12979.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

12980.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

12981.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

12982.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

12983.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

12984.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

12985.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

12986.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

12987.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

12988.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

12989.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

12990.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

12991.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

12992.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

12993.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

12994.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

12995.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

12996.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

12997.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

12998.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

12999.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

13000.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

13001.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

13002.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

13003.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

13004.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

13005.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

13006.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

13007.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

13008.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

13009.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

13010.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

13011.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

13012.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

13013.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

13014.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

13015.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

13016.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

13017.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

13018.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

13019.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

13020.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

13021.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

13022.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

13023.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

13024.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

13025.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

13026.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

13027.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

13028.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

13029.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

13030.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

13031.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

13032.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

13033.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

13034.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

13035.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

13036.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

13037.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

13038.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

13039.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

13040.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

13041.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

13042.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

13043.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

13044.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

13045.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

13046.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

13047.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

13048.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

13049.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

13050.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

13051.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

13052.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

13053.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

13054.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

13055.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

13056.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

13057.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

13058.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

13059.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

13060.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

13061.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

13062.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

13063.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

13064.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

13065.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

13066.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

13067.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

13068.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

13069.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

13070.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

13071.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

13072.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

13073.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

13074.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

13075.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

13076.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

13077.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

13078.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

13079.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

13080.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

13081.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

13082.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

13083.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

13084.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

13085.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

13086.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

13087.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

13088.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

13089.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

13090.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

13091.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

13092.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

13093.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

13094.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

13095.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

13096.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

13097.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

13098.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

13099.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

13100.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

13101.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

13102.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

13103.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

13104.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

13105.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

13106.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

13107.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

13108.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

13109.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

13110.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNF α抑制剂。

13111.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

13112.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

13113.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

13114.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

13115.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

13116.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

13117.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

13118.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

13119.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

13120.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

13121.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

13122.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

13123.第12963项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

13124.第12963项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

13125.第12963项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

13126.第12963项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

13127.第12963项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

13128.第12963项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

13129.第12963项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

13130.第12963项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

13131.第12963项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

13132.第12963项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

13133.第12963项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

13134.第12963项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

13135.第12963项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

13136.第12963项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

13137.第12963项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

13138.第12963项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

13139.第12963项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

13140.第12963项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

13141.第12963项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

13142.第12963项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

13143.第12963项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

13144.第12963项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

13145.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

13146.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

13147.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

13148.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

13149.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

13150.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

13151.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

13152.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

13153.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

13154.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

13155.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

13156.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

13157.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

13158.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

13159.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

13160.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

13161.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

13162.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

13163.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

13164.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

13165.第12963项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

13166.第12963项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

13167.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

13168.第12963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

13169.第12963项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

13170.第12963项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

13171.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

13172.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

13173.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

13174.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

13175.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

13176.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

13177.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

13178.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

13179.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

13180.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

13181.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

13182.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

13183.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

13184.第12963项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

13185.第12963项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

13186.第12963项的方法，其中所述装置包含显影剂。

13187.第12963项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

13188.第12963项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

13189.第12963项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

13190.第12963项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

13191.第12963项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

13192.第12963项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

13193.第12963项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

13194.第12963项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

13195.第12963项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

13196.第12963项的方法，其中所述装置是无菌的。

13197.第12963项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

13198.第12963项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

13199.第12963项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

13200.第12963项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

13201.第12963项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

13202.第12963项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13203.第12963项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13204.第12963项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13205.第12963项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13206.第12963项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13207.第12963项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13208.第12963项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13209.第12963项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13210.第12963项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

13211.第12963项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

13212.第12963项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

13213.第12963项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

13214.第12963项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

13215.第12963项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

13216.第12963项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

13217.第12963项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

13218.第12963项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

13219.第12963项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

13220.第12963项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

13221.第12963项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

13222.第12963项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

13223.第12963项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

13224.第12963项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

13225.第12963项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

13226.第12963项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

13227.第12963项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

13228.第12963项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

13229.第12963项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

13230.第12963项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

13231.第12963项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

13232.第12963项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

13233.第12963项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

13234.第12963项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

13235.第12963项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

13236.第12963项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

13237.第12963项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

13238.第12963项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

13239.第12963项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

13240.第12963项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

13241.第12963项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

13242.第12963项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

13243.第12963项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

13244.第12963项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

13245.第12963项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

13246.第12963项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

13247.第12963项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

13248.第12963项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

13249.第12963项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

13250.第12963项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

13251.第12963项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

13252.第12963项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

13253.第12963项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

13254.第12963项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

13255.第12963项的方法，其中所述植入物是胃肠斯滕特固定模。

13256.第12963项的方法，其中所述植入物是食道斯滕特固定模。

13257.第12963项的方法，其中所述植入物是胆道斯滕特固定模。

13258.第12963项的方法，其中所述植入物是结肠斯滕特固定模。

13259.第12963项的方法，其中所述植入物是胰腺斯滕特固定模。

13260.第12963项的方法，其中所述植入物是气管斯滕特固定模。

13261.第12963项的方法，其中所述植入物是支气管斯滕特固定模。

13262.第12963项的方法，其中所述植入物是生殖-泌尿斯滕特固定模。

13263.第12963项的方法，其中所述植入物是输尿管斯滕特固定模。

13264.第12963项的方法，其中所述植入物是fallopian斯滕特固定模。

13265.第12963项的方法，其中所述植入物是前列腺斯滕特固定模。

13266.第12963项的方法，其中所述植入物是耳斯滕特固定模。

13267.第12963项的方法，其中所述植入物是鼻斯滕特固定模。

13268.第12963项的方法，其中所述植入物是耳通气管。

13269.第12963项的方法，其中所述植入物是咽鼓管。

13270.第12963项的方法，其中所述植入物是鼓膜造孔术管。

13271.一种制备医用装置的方法，其包括：结合中枢神经系统分流装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

13272.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

13273.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

13274.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

13275.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

13276.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

13277.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

13278.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

13279.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

13280.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

13281.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

13282.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

13283.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

13284.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

13285.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

13286.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

13287.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

13288.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

13289.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

13290.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

13291.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

13292.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

13293.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

13294.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

13295.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

13296.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

13297.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

13298.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

13299.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

13300.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

13301.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

13302.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

13303.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

13304.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

13305.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

13306.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

13307.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

13308.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

13309.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

13310.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

13311.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

13312.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

13313.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

13314.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

13315.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

13316.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

13317.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

13318.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

13319.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

13320.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

13321.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

13322.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

13323.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

13324.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

13325.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

13326.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

13327.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

13328.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

13329.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

13330.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

13331.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

13332.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

13333.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

13334.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

13335.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

13336.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

13337.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

13338.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

13339.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

13340.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

13341.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

13342.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

13343.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

13344.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

13345.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

13346.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

13347.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

13348.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

13349.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

13350.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

13351.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

13352.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

13353.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

13354.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

13355.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

13356.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

13357.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

13358.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

13359.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

13360.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

13361.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

13362.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D₃或其类似物或衍生物。

13363.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

13364.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

13365.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

13366.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂。

13367.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂，其中所述NFκ B抑制剂是Bay 11-7082。

13368.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

13369.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

13370.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

13371.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

13372.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

13373.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

13374.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

13375.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

13376.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

13377.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

13378.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

13379.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

13380.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

13381.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

13382.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

13383.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

13384.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

13385.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

13386.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

13387.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

13388.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

13389.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

13390.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

13391.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

13392.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

13393.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

13394.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

13395.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

13396.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

13397.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

13398.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

13399.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

13400.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

13401.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

13402.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

13403.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

13404.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

13405.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

13406.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

13407.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

13408.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

13409.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

13410.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

13411.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

13412.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

13413.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

13414.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

13415.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

13416.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

13417.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

13418.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNF α抑制剂。

13419.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

13420.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

13421.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

13422.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

13423.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

13424.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

13425.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

13426.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

13427.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

13428.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

13429.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

13430.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

13431.第13271项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

13432.第13271项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

13433.第13271项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

13434.第13271项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

13435.第13271项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

13436.第13271项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

13437.第13271项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

13438.第13271项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

13439.第13271项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

13440.第13271项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

13441.第13271项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

13442.第13271项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

13443.第13271项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

13444.第13271项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

13445.第13271项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

13446.第13271项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

13447.第13271项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

13448.第13271项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

13449.第13271项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

13450.第13271项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

13451.第13271项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

13452.第13271项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

13453.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

13454.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

13455.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

13456.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

13457.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

13458.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

13459.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

13460.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

13461.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

13462.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

13463.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

13464.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

13465.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

13466.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

13467.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

13468.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

13469.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

13470.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

13471.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

13472.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

13473.第13271项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

13474.第13271项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

13475.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

13476.第13271项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

13477.第13271项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

13478.第13271项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

13479.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

13480.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

13481.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

13482.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

13483.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

13484.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

13485.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

13486.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

13487.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

13488.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

13489.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

13490.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

13491.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

13492.第13271项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

13493.第13271项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

13494.第13271项的方法，其中所述装置包含显影剂。

13495.第13271项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

13496.第13271项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

13497.第13271项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

13498.第13271项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

13499.第13271项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

13500.第13271项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

13501.第13271项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

13502.第13271项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

13503.第13271项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

13504.第13271项的方法，其中所述装置是无菌的。

13505.第13271项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

13506.第13271项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

13507.第13271项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

13508.第13271项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

13509.第13271项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

13510.第13271项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13511.第13271项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13512.第13271项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13513.第13271项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13514.第13271项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13515.第13271项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13516.第13271项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13517.第13271项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13518.第13271项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

13519.第13271项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

13520.第13271项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

13521.第13271项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

13522.第13271项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

13523.第13271项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

13524.第13271项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

13525.第13271项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

13526.第13271项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

13527.第13271项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

13528.第13271项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

13529.第13271项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

13530.第13271项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

13531.第13271项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

13532.第13271项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

13533.第13271项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

13534.第13271项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

13535.第13271项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

13536.第13271项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

13537.第13271项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

13538.第13271项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

13539.第13271项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

13540.第13271项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

13541.第13271项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

13542.第13271项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

13543.第13271项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

13544.第13271项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

13545.第13271项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

13546.第13271项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

13547.第13271项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

13548.第13271项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

13549.第13271项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

13550.第13271项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

13551.第13271项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

13552.第13271项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

13553.第13271项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

13554.第13271项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

13555.第13271项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

13556.第13271项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

13557.第13271项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

13558.第13271项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

13559.第13271项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

13560.第13271项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

13561.第13271项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

13562.第13271项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

13563.第13271项的方法，其中所述植入物是室胸膜(ventriculopleural)分流装置。

13564.第13271项的方法，其中所述植入物是颈静脉分流装置。

13565.第13271项的方法，其中所述植入物是腔静脉(VA)分流装置。

13566.第13271项的方法，其中所述植入物是室腹膜(ventriculoperitoneal)分流装置(VP分流装置)。

13567.第13271项的方法，其中所述植入物是胆囊分流装置。

13568.第13271项的方法，其中所述植入物是腹膜分流装置。

13569.第13271项的方法，其中所述植入物是室外引流(EVD)装置。

13570.第13271项的方法，其中所述植入物是颅内压(ICP)监视装置。

13571.第13271项的方法，其中所述植入物是防止椎板切除术后硬膜外纤维变性的硬膜补片。

13572.第13271项的方法，其中所述植入物是用于连续蛛网膜下输注的装置。

13573.一种制备医用装置的方法，其包括：结合眼内透镜(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

13574.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

13575.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

13576.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

13577.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

13578.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

13579.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

13580.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

13581.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

13582.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

13583.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

13584.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

13585.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

13586.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

13587.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

13588.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

13589.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

13590.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

13591.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

13592.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

13593.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

13594.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

13595.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

13596.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

13597.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

13598.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

13599.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

13600.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

13601.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

13602.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

13603.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

13604.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

13605.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

13606.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

13607.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

13608.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

13609.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

13610.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

13611.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

13612.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

13613.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

13614.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

13615.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

13616.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

13617.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

13618.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

13619.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

13620.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

13621.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

13622.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

13623.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

13624.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

13625.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

13626.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

13627.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

13628.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

13629.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

13630.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

13631.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

13632.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

13633.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

13634.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

13635.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

13636.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

13637.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

13638.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

13639.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

13640.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

13641.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

13642.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

13643.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

13644.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

13645.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

13646.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

13647.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

13648.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

13649.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

13650.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

13651.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

13652.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

13653.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

13654.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

13655.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

13656.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

13657.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

13658.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

13659.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

13660.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

13661.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

13662.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

13663.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

13664.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

13665.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

13666.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

13667.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

13668.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂。

13669.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂，其中所述NFκ B抑制剂是Bay 11-7082。

13670.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

13671.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

13672.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

13673.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

13674.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

13675.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

13676.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

13677.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

13678.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

13679.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

13680.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

13681.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

13682.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

13683.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

13684.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

13685.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

13686.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

13687.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

13688.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

13689.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

13690.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

13691.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

13692.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

13693.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

13694.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

13695.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

13696.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

13697.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

13698.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

13699.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

13700.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

13701.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

13702.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

13703.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

13704.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

13705.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

13706.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

13707.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

13708.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

13709.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

13710.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

13711.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

13712.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

13713.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

13714.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

13715.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

13716.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

13717.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

13718.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

13719.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

13720.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNF α抑制剂。

13721.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

13722.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

13723.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

13724.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

13725.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

13726.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

13727.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

13728.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

13729.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

13730.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

13731.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

13732.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

13733.第13573项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

13734.第13573项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

13735.第13573项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

13736.第13573项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

13737.第13573项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

13738.第13573项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

13739.第13573项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

13740.第13573项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

13741.第13573项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

13742.第13573项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

13743.第13573项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

13744.第13573项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

13745.第13573项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

13746.第13573项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

13747.第13573项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

13748.第13573项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

13749.第13573项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

13750.第13573项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

13751.第13573项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

13752.第13573项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

13753.第13573项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

13754.第13573项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

13755.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

13756.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

13757.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

13758.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

13759.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

13760.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

13761.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

13762.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

13763.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

13764.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

13765.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

13766.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

13767.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

13768.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

13769.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

13770.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

13771.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

13772.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

13773.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

13774.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

13775.第13573项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

13776.第13573项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

13777.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

13778.第13573项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

13779.第13573项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

13780.第13573项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

13781.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

13782.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

13783.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

13784.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

13785.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

13786.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

13787.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

13788.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

13789.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

13790.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

13791.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

13792.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

13793.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

13794.第13573项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

13795.第13573项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

13796.第13573项的方法，其中所述装置包含显影剂。

13797.第13573项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

13798.第13573项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

13799.第13573项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

13800.第13573项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

13801.第13573项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

13802.第13573项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

13803.第13573项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

13804.第13573项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

13805.第13573项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

13806.第13573项的方法，其中所述装置是无菌的。

13807.第13573项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

13808.第13573项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

13809.第13573项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

13810.第13573项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

13811.第13573项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

13812.第13573项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13813.第13573项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13814.第13573项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13815.第13573项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13816.第13573项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13817.第13573项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13818.第13573项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13819.第13573项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

13820.第13573项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

13821.第13573项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

13822.第13573项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

13823.第13573项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

13824.第13573项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

13825.第13573项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

13826.第13573项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

13827.第13573项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

13828.第13573项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

13829.第13573项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

13830.第13573项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

13831.第13573项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

13832.第13573项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

13833.第13573项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

13834.第13573项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

13835.第13573项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

13836.第13573项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

13837.第13573项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

13838.第13573项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

13839.第13573项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

13840.第13573项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

13841.第13573项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

13842.第13573项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

13843.第13573项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

13844.第13573项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

13845.第13573项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

13846.第13573项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

13847.第13573项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

13848.第13573项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

13849.第13573项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

13850.第13573项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

13851.第13573项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

13852.第13573项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

13853.第13573项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

13854.第13573项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

13855.第13573项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

13856.第13573项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

13857.第13573项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

13858.第13573项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

13859.第13573项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

13860.第13573项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

13861.第13573项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

13862.第13573项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

13863.第13573项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

13864.第13573项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

13865.第13573项的方法，其中所述植入物是无晶状体透镜。

13866.第13573项的方法，其中所述植入物是晶状体透镜。

13867.第13573项的方法，其中所述植入物是多焦点透镜。

13868.一种制备医用装置的方法，其包括：结合青光眼引流装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

13869.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

13870.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

13871.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

13872.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

13873.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

13874.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

13875.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

13876.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

13877.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

13878.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

13879.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

13880.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

13881.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

13882.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

13883.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

13884.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

13885.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

13886.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

13887.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

13888.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

13889.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

13890.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

13891.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

13892.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

13893.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

13894.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

13895.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

13896.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

13897.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

13898.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

13899.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

13900.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

13901.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

13902.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

13903.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

13904.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

13905.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

13906.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

13907.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

13908.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

13909.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

13910.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

13911.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

13912.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

13913.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

13914.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

13915.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

13916.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

13917.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

13918.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

13919.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

13920.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

13921.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

13922.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

13923.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

13924.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

13925.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

13926.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

13927.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

13928.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

13929.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

13930.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

13931.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

13932.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

13933.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

13934.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

13935.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

13936.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

13937.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

13938.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

13939.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

13940.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

13941.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

13942.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

13943.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

13944.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

13945.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

13946.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

13947.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

13948.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

13949.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

13950.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

13951.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

13952.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

13953.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

13954.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

13955.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

13956.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

13957.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

13958.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

13959.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

13960.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

13961.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

13962.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

13963.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂。

13964.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂，其中所述NFκ B抑制剂是Bay 11-7082。

13965.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

13966.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

13967.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

13968.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

13969.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

13970.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

13971.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

13972.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

13973.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

13974.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

13975.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

13976.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

13977.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

13978.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

13979.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

13980.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

13981.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

13982.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

13983.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

13984.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

13985.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

13986.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

13987.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

13988.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

13989.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

13990.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

13991.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

13992.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

13993.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

13994.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

13995.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

13996.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

13997.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

13998.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

13999.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

14000.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

14001.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

14002.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

14003.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

14004.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

14005.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

14006.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

14007.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

14008.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

14009.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

14010.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

14011.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

14012.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

14013.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

14014.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

14015.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNF α抑制剂。

14016.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

14017.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

14018.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

14019.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

14020.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

14021.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

14022.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

14023.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

14024.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

14025.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物。

14026.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

14027.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

14028.第13868的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

14029.第13868的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

14030.第13868的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

14031.第13868的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

14032.第13868的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

14033.第13868的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

14034.第13868的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

14035.第13868的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

14036.第13868的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

14037.第13868的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

14038.第13868的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

14039.第13868的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

14040.第13868的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

14041.第13868的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

14042.第13868的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

14043.第13868的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

14044.第13868的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

14045.第13868的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

14046.第13868的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

14047.第13868的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

14048.第13868的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

14049.第13868的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

14050.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物。

14051.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

14052.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

14053.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

14054.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

14055.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

14056.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

14057.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

14058.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

14059.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

14060.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

14061.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

14062.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

14063.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

14064.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

14065.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

14066.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

14067.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

14068.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

14069.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

14070.第13868的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

14071.第13868的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

14072.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

14073.第13868的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

14074.第13868的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

14075.第13868的方法，其中所述装置包含消炎剂。

14076.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

14077.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

14078.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

14079.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

14080.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

14081.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

14082.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

14083.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

14084.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

14085.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

14086.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

14087.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

14088.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

14089.第13868的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

14090.第13868的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

14091.第13868的方法，其中所述装置包含显影剂。

14092.第13868的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

14093.第13868的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

14094.第13868的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

14095.第13868的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

14096.第13868的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

14097.第13868的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

14098.第13868的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

14099.第13868的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

14100.第13868的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

14101.第13868的方法，其中所述装置是无菌的。

14102.第13868的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

14103.第13868的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

14104.第13868的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

14105.第13868的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

14106.第13868的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

14107.第13868的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14108.第13868的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14109.第13868的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14110.第13868的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14111.第13868的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14112.第13868的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14113.第13868的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14114.第13868的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14115.第13868的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

14116.第13868的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

14117.第13868的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

14118.第13868的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

14119.第13868的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

14120.第13868的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

14121.第13868的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

14122.第13868的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

14123.第13868的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

14124.第13868的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

14125.第13868的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

14126.第13868的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

14127.第13868的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

14128.第13868的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

14129.第13868的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

14130.第13868的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

14131.第13868的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

14132.第13868的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

14133.第13868的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

14134.第13868的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

14135.第13868的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

14136.第13868的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

14137.第13868的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

14138.第13868的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

14139.第13868的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

14140.第13868的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

14141.第13868的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

14142.第13868的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

14143.第13868的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

14144.第13868的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

14145.第13868的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

14146.第13868的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

14147.第13868的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

14148.第13868的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

14149.第13868的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

14150.第13868的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

14151.第13868的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

14152.第13868的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

14153.第13868的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

14154.第13868的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

14155.第13868的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

14156.第13868的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

14157.第13868的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

14158.第13868的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

14159.第13868的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

14160.第13868的方法，其中所述植入物是巩膜外层引流板或管。

14161.一种制备医用装置的方法，其包括：结合阴茎植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

14162.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

14163.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

14164.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

14165.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

14166.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

14167.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

14168.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

14169.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

14170.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

14171.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

14172.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

14173.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

14174.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

14175.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

14176.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

14177.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

14178.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

14179.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

14180.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

14181.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

14182.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

14183.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

14184.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

14185.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

14186.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

14187.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

14188.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

14189.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

14190.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

14191.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

14192.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

14193.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

14194.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

14195.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

14196.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

14197.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

14198.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

14199.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

14200.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

14201.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

14202.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

14203.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

14204.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

14205.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

14206.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

14207.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

14208.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

14209.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

14210.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

14211.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

14212.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

14213.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

14214.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

14215.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

14216.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

14217.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

14218.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

14219.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

14220.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

14221.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

14222.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

14223.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

14224.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

14225.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

14226.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

14227.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

14228.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

14229.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

14230.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

14231.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

14232.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

14233.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

14234.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

14235.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

14236.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

14237.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

14238.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

14239.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

14240.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

14241.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

14242.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

14243.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

14244.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

14245.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

14246.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

14247.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

14248.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

14249.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

14250.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

14251.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

14252.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

14253.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

14254.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

14255.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

14256.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂。

14257.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂，其中所述NFκ B抑制剂是Bay 11-7082。

14258.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

14259.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

14260.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

14261.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

14262.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

14263.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

14264.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

14265.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

14266.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

14267.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

14268.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

14269.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

14270.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

14271.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

14272.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

14273.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

14274.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

14275.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

14276.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

14277.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

14278.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

14279.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

14280.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

14281.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

14282.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

14283.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

14284.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

14285.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

14286.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

14287.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

14288.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

14289.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

14290.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

14291.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

14292.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

14293.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

14294.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

14295.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

14296.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

14297.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

14298.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

14299.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

14300.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

14301.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

14302.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

14303.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

14304.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

14305.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

14306.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

14307.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

14308.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNF α抑制剂。

14309.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

14310.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

14311.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

14312.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

14313.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

14314.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

14315.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

14316.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

14317.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

14318.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

14319.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

14320.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

14321.第14161项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

14322.第14161项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

14323.第14161项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

14324.第14161项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

14325.第14161项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

14326.第14161项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

14327.第14161项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

14328.第14161项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

14329.第14161项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

14330.第14161项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

14331.第14161项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

14332.第14161项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

14333.第14161项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

14334.第14161项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

14335.第14161项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

14336.第14161项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

14337.第14161项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

14338.第14161项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

14339.第14161项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

14340.第14161项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

14341.第14161项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

14342.第14161项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

14343.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

14344.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

14345.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

14346.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

14347.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

14348.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

14349.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

14350.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

14351.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

14352.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

14353.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

14354.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

14355.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

14356.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

14357.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

14358.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

14359.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

14360.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

14361.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

14362.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

14363.第14161项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

14364.第14161项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

14365.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

14366.第14161项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

14367.第14161项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

14368.第14161项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

14369.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

14370.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

14371.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

14372.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

14373.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

14374.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

14375.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

14376.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

14377.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

14378.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

14379.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

14380.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

14381.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

14382.第14161项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

14383.第14161项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

14384.第14161项的方法，其中所述装置包含显影剂。

14385.第14161项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

14386.第14161项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

14387.第14161项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

14388.第14161项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

14389.第14161项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

14390.第14161项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

14391.第14161项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

14392.第14161项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

14393.第14161项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

14394.第14161项的方法，其中所述装置是无菌的。

14395.第14161项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

14396.第14161项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

14397.第14161项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

14398.第14161项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

14399.第14161项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

14400.第14161项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14401.第14161项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14402.第14161项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14403.第14161项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14404.第14161项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14405.第14161项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14406.第14161项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14407.第14161项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14408.第14161项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

14409.第14161项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

14410.第14161项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

14411.第14161项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

14412.第14161项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

14413.第14161项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

14414.第14161项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

14415.第14161项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

14416.第14161项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

14417.第14161项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

14418.第14161项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

14419.第14161项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

14420.第14161项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

14421.第14161项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

14422.第14161项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

14423.第14161项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

14424.第14161项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

14425.第14161项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

14426.第14161项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

14427.第14161项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

14428.第14161项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

14429.第14161项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

14430.第14161项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

14431.第14161项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

14432.第14161项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

14433.第14161项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

14434.第14161项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

14435.第14161项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

14436.第14161项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

14437.第14161项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

14438.第14161项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

14439.第14161项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

14440.第14161项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

14441.第14161项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

14442.第14161项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

14443.第14161项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

14444.第14161项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

14445.第14161项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

14446.第14161项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

14447.第14161项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

14448.第14161项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

14449.第14161项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

14450.第14161项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

14451.第14161项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

14452.第14161项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

14453.第14161项的方法，其中所述植入物是柔性棒或圈。

14454.第14161项的方法，其中所述植入物包含可膨胀的管或泵。

14455.第14161项的方法，其中所述植入物包含压力舱。

14456.一种制备医用装置的方法，其包括：结合气管内管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

14457.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

14458.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

14459.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

14460.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

14461.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

14462.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

14463.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

14464.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

14465.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

14466.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

14467.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

14468.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

14469.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

14470.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

14471.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

14472.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

14473.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

14474.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

14475.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

14476.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

14477.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

14478.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

14479.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

14480.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

14481.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

14482.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

14483.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

14484.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

14485.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

14486.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

14487.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

14488.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

14489.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

14490.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

14491.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

14492.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

14493.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

14494.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

14495.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

14496.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

14497.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

14498.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

14499.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

14500.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

14501.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

14502.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

14503.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

14504.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

14505.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

14506.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

14507.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

14508.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

14509.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

14510.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

14511.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

14512.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

14513.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

14514.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

14515.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

14516.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

14517.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

14518.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

14519.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

14520.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

14521.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

14522.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

14523.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

14524.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

14525.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

14526.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

14527.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

14528.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

14529.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

14530.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

14531.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

14532.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

14533.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

14534.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

14535.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

14536.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

14537.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

14538.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

14539.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

14540.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

14541.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

14542.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

14543.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

14544.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

14545.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

14546.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

14547.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

14548.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

14549.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

14550.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

14551.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂。

14552.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂，其中所述NFκ B抑制剂是Bay 11-7082。

14553.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

14554.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

14555.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

14556.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

14557.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

14558.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

14559.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

14560.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

14561.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

14562.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

14563.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

14564.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

14565.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

14566.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

14567.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

14568.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

14569.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

14570.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

14571.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

14572.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

14573.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

14574.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

14575.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

14576.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

14577.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

14578.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

14579.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

14580.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

14581.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

14582.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

14583.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

14584.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

14585.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

14586.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

14587.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

14588.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

14589.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

14590.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

14591.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

14592.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

14593.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

14594.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

14595.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

14596.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

14597.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

14598.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

14599.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

14600.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

14601.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

14602.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

14603.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNF α抑制剂。

14604.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

14605.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

14606.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

14607.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

14608.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

14609.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

14610.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

14611.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

14612.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

14613.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

14614.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

14615.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

14616.第14456项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

14617.第14456项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

14618.第14456项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

14619.第14456项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

14620.第14456项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

14621.第14456项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

14622.第14456项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

14623.第14456项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

14624.第14456项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

14625.第14456项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

14626.第14456项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

14627.第14456项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

14628.第14456项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

14629.第14456项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

14630.第14456项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

14631.第14456项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

14632.第14456项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

14633.第14456项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

14634.第14456项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

14635.第14456项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

14636.第14456项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

14637.第14456项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

14638.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

14639.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

14640.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

14641.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

14642.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

14643.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

14644.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

14645.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

14646.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

14647.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

14648.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

14649.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

14650.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

14651.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

14652.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

14653.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

14654.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

14655.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

14656.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

14657.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

14658.第14456项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

14659.第14456项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

14660.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

14661.第14456项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

14662.第14456项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

14663.第14456项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

14664.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

14665.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

14666.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

14667.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

14668.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

14669.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

14670.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

14671.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

14672.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

14673.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

14674.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

14675.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

14676.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

14677.第14456项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

14678.第14456项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

14679.第14456项的方法，其中所述装置包含显影剂。

14680.第14456项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

14681.第14456项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

14682.第14456项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

14683.第14456项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

14684.第14456项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

14685.第14456项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

14686.第14456项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

14687.第14456项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

14688.第14456项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

14689.第14456项的方法，其中所述装置是无菌的。

14690.第14456项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

14691.第14456项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

14692.第14456项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

14693.第14456项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

14694.第14456项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

14695.第14456项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14696.第14456项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14697.第14456项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14698.第14456项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14699.第14456项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14700.第14456项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14701.第14456项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14702.第14456项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14703.第14456项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

14704.第14456项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

14705.第14456项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

14706.第14456项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

14707.第14456项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

14708.第14456项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

14709.第14456项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

14710.第14456项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

14711.第14456项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

14712.第14456项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

14713.第14456项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

14714.第14456项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

14715.第14456项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

14716.第14456项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

14717.第14456项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

14718.第14456项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

14719.第14456项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

14720.第14456项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

14721.第14456项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

14722.第14456项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

14723.第14456项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

14724.第14456项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

14725.第14456项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

14726.第14456项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

14727.第14456项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

14728.第14456项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

14729.第14456项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

14730.第14456项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

14731.第14456项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

14732.第14456项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

14733.第14456项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

14734.第14456项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

14735.第14456项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

14736.第14456项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

14737.第14456项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

14738.第14456项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

14739.第14456项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

14740.第14456项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

14741.第14456项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

14742.第14456项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

14743.第14456项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

14744.第14456项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

14745.第14456项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

14746.第14456项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

14747.第14456项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

14748.一种制备医用装置的方法，其包括：结合气管造口插管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

14749.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

14750.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

14751.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

14752.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

14753.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

14754.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

14755.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

14756.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

14757.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

14758.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

14759.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

14760.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

14761.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

14762.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

14763.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

14764.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

14765.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

14766.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

14767.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

14768.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

14769.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

14770.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

14771.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

14772.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

14773.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

14774.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

14775.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

14776.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

14777.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

14778.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

14779.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

14780.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

14781.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

14782.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

14783.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

14784.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

14785.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

14786.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

14787.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

14788.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

14789.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

14790.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

14791.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

14792.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

14793.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

14794.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

14795.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

14796.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

14797.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

14798.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

14799.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

14800.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

14801.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

14802.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

14803.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

14804.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

14805.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

14806.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

14807.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

14808.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

14809.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

14810.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

14811.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

14812.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

14813.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

14814.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

14815.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

14816.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

14817.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

14818.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

14819.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

14820.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

14821.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

14822.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

14823.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

14824.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

14825.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

14826.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

14827.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

14828.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

14829.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

14830.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

14831.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

14832.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

14833.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

14834.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

14835.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

14836.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

14837.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

14838.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

14839.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

14840.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

14841.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

14842.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

14843.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂。

14844.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκ B抑制剂，其中所述NFκ B抑制剂是Bay 11-7082。

14845.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

14846.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

14847.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

14848.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

14849.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGF β抑制剂。

14850.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

14851.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

14852.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

14853.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

14854.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

14855.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

14856.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

14857.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

14858.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

14859.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

14860.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

14861.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

14862.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

14863.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

14864.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

14865.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

14866.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

14867.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

14868.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

14869.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

14870.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

14871.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

14872.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

14873.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

14874.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

14875.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

14876.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

14877.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

14878.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

14879.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

14880.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

14881.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

14882.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

14883.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

14884.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

14885.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

14886.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

14887.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

14888.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

14889.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

14890.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

14891.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

14892.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

14893.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

14894.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

14895.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNF α抑制剂。

14896.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

14897.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

14898.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

14899.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

14900.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

14901.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

14902.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

14903.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

14904.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

14905.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

14906.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

14907.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

14908.第14748项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

14909.第14748项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

14910.第14748项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

14911.第14748项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

14912.第14748项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

14913.第14748项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

14914.第14748项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

14915.第14748项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

14916.第14748项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

14917.第14748项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

14918.第14748项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

14919.第14748项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

14920.第14748项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

14921.第14748项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

14922.第14748项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

14923.第14748项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

14924.第14748项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

14925.第14748项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

14926.第14748项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

14927.第14748项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

14928.第14748项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

14929.第14748项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

14930.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

14931.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

14932.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

14933.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

14934.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

14935.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

14936.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

14937.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

14938.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

14939.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

14940.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

14941.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

14942.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

14943.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

14944.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

14945.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

14946.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

14947.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

14948.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

14949.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

14950.第14748项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

14951.第14748项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

14952.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

14953.第14748项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

14954.第14748项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

14955.第14748项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

14956.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

14957.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

14958.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

14959.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

14960.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

14961.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

14962.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

14963.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

14964.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

14965.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

14966.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

14967.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

14968.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

14969.第14748项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

14970.第14748项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

14971.第14748项的方法，其中所述装置包含显影剂。

14972.第14748项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

14973.第14748项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

14974.第14748项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

14975.第14748项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

14976.第14748项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

14977.第14748项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

14978.第14748项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

14979.第14748项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

14980.第14748项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

14981.第14748项的方法，其中所述装置是无菌的。

14982.第14748项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

14983.第14748项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

14984.第14748项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

14985.第14748项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

14986.第14748项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

14987.第14748项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14988.第14748项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14989.第14748项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14990.第14748项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14991.第14748项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14992.第14748项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14993.第14748项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14994.第14748项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

14995.第14748项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

14996.第14748项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

14997.第14748项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

14998.第14748项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

14999.第14748项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

15000.第14748项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

15001.第14748项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

15002.第14748项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

15003.第14748项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

15004.第14748项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

15005.第14748项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

15006.第14748项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

15007.第14748项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

15008.第14748项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

15009.第14748项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

15010.第14748项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

15011.第14748项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

15012.第14748项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

15013.第14748项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

15014.第14748项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

15015.第14748项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

15016.第14748项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

15017.第14748项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

15018.第14748项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

15019.第14748项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

15020.第14748项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

15021.第14748项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

15022.第14748项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

15023.第14748项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

15024.第14748项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

15025.第14748项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

15026.第14748项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

15027.第14748项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

15028.第14748项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

15029.第14748项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

15030.第14748项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

15031.第14748项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

15032.第14748项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

15033.第14748项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

15034.第14748项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

15035.第14748项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

15036.第14748项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

15037.第14748项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

15038.第14748项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

15039.第14748项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

15040.一种制备医用装置的方法，其包括：结合胃肠装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

15041.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

15042.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

15043.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

15044.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

15045.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

15046.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

15047.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

15048.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

15049.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

15050.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

15051.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

15052.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

15053.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

15054.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

15055.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

15056.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

15057.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

15058.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

15059.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

15060.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

15061.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

15062.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

15063.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

15064.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

15065.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

15066.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

15067.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

15068.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

15069.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

15070.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

15071.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

15072.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

15073.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

15074.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

15075.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

15076.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

15077.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

15078.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

15079.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

15080.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

15081.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

15082.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

15083.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

15084.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

15085.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

15086.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

15087.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

15088.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

15089.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

15090.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

15091.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

15092.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

15093.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

15094.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

15095.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

15096.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

15097.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

15098.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

15099.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

15100.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

15101.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

15102.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

15103.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

15104.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

15105.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

15106.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

15107.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

15108.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

15109.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

15110.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

15111.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

15112.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

15113.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

15114.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

15115.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

15116.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

15117.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

15118.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

15119.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

15120.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

15121.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

15122.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

15123.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

15124.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

15125.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

15126.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

15127.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

15128.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

15129.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

15130.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

15131.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

15132.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

15133.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

15134.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

15135.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

15136.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

15137.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

15138.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

15139.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

15140.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

15141.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

15142.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

15143.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

15144.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

15145.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

15146.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

15147.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

15148.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

15149.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

15150.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

15151.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

15152.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

15153.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

15154.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

15155.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

15156.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

15157.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

15158.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

15159.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

15160.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

15161.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

15162.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

15163.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

15164.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

15165.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

15166.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

15167.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

15168.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

15169.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

15170.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

15171.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

15172.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

15173.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

15174.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

15175.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

15176.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

15177.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

15178.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

15179.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

15180.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

15181.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

15182.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

15183.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

15184.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

15185.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

15186.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

15187.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

15188.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

15189.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

15190.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

15191.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

15192.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

15193.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

15194.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

15195.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

15196.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

15197.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

15198.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

15199.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

15200.第15040项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

15201.第15040项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

15202.第15040项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

15203.第15040项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

15204.第15040项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

15205.第15040项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

15206.第15040项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

15207.第15040项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

15208.第15040项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

15209.第15040项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

15210.第15040项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

15211.第15040项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

15212.第15040项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

15213.第15040项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

15214.第15040项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

15215.第15040项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

15216.第15040项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

15217.第15040项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

15218.第15040项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

15219.第15040项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

15220.第15040项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

15221.第15040项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

15222.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

15223.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

15224.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

15225.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

15226.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

15227.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

15228.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

15229.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

15230.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

15231.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

15232.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

15233.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

15234.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

15235.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

15236.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

15237.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

15238.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

15239.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

15240.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

15241.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

15242.第15040项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

15243.第15040项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

15244.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

15245.第15040项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

15246.第15040项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

15247.第15040项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

15248.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

15249.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

15250.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

15251.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

15252.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

15253.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

15254.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

15255.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

15256.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

15257.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

15258.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

15259.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

15260.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

15261.第15040项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

15262.第15040项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

15263.第15040项的方法，其中所述装置包含显影剂。

15264.第15040项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

15265.第15040项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

15266.第15040项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

15267.第15040项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

15268.第15040项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

15269.第15040项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

15270.第15040项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

15271.第15040项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

15272.第15040项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

15273.第15040项的方法，其中所述装置是无菌的。

15274.第15040项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

15275.第15040项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

15276.第15040项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

15277.第15040项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

15278.第15040项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

15279.第15040项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15280.第15040项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15281.第15040项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15282.第15040项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15283.第15040项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15284.第15040项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15285.第15040项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15286.第15040项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15287.第15040项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

15288.第15040项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

15289.第15040项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

15290.第15040项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

15291.第15040项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

15292.第15040项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

15293.第15040项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

15294.第15040项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

15295.第15040项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

15296.第15040项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

15297.第15040项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

15298.第15040项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

15299.第15040项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

15300.第15040项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

15301.第15040项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

15302.第15040项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

15303.第15040项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

15304.第15040项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

15305.第15040项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

15306.第15040项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

15307.第15040项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

15308.第15040项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

15309.第15040项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

15310.第15040项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

15311.第15040项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

15312.第15040项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

15313.第15040项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

15314.第15040项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

15315.第15040项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

15316.第15040项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

15317.第15040项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

15318.第15040项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

15319.第15040项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

15320.第15040项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

15321.第15040项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

15322.第15040项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

15323.第15040项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

15324.第15040项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

15325.第15040项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

15326.第15040项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

15327.第15040项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

15328.第15040项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

15329.第15040项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

15330.第15040项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

15331.第15040项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

15332.第15040项的方法，其中所述植入物是用于引流的GI管。

15333.第15040项的方法，其中所述植入物是用于喂养的GI管。

15334.第15040项的方法，其中所述植入物是门体循环分流装置。

15335.第15040项的方法，其中所述植入物是腹水分流装置。

15336.第15040项的方法，其中所述植入物是鼻胃管。

15337.第15040项的方法，其中所述植入物是鼻肠管。

15338.第15040项的方法，其中所述植入物是胃造口术饲管。

15339.第15040项的方法，其中所述植入物是经皮饲管。

15340.第15040项的方法，其中所述植入物是结肠造口术装置。

15341.第15040项的方法，其中所述植入物是胆道T-管。

15342.第15040项的方法，其中所述植入物是胆石去除装置。

15343.第15040项的方法，其中所述植入物是膨胀气囊。

15344.第15040项的方法，其中所述植入物是膨胀导管。

15345.第15040项的方法，其中所述植入物是肠饲装置。

15346.第15040项的方法，其中所述植入物是食道斯滕特固定模。

15347.第15040项的方法，其中所述植入物是胆道斯滕特固定模。

15348.第15040项的方法，其中所述植入物是胰腺斯滕特固定模。

15349.一种制备医用装置的方法，其包括：结合脊柱植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

15350.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

15351.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

15352.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

15353.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

15354.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

15355.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

15356.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

15357.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

15358.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

15359.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

15360.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

15361.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

15362.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

15363.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

15364.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

15365.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

15366.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

15367.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

15368.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

15369.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

15370.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

15371.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

15372.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

15373.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

15374.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

15375.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

15376.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

15377.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

15378.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

15379.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

15380.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

15381.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

15382.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

15383.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

15384.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

15385.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

15386.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

15387.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

15388.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

15389.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

15390.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

15391.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

15392.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

15393.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

15394.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

15395.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

15396.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

15397.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

15398.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

15399.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

15400.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

15401.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

15402.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

15403.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

15404.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

15405.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

15406.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

15407.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

15408.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

15409.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

15410.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

15411.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

15412.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

15413.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

15414.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

15415.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

15416.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

15417.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

15418.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

15419.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

15420.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

15421.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

15422.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

15423.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

15424.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

15425.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

15426.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

15427.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

15428.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

15429.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

15430.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

15431.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

15432.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

15433.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

15434.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

15435.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

15436.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

15437.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

15438.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

15439.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

15440.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

15441.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

15442.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

15443.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

15444.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

15445.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

15446.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

15447.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

15448.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

15449.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

15450.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

15451.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

15452.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

15453.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

15454.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

15455.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

15456.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

15457.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

15458.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

15459.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

15460.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

15461.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

15462.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

15463.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

15464.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

15465.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

15466.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

15467.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

15468.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

15469.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

15470.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

15471.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

15472.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

15473.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

15474.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

15475.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

15476.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

15477.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

15478.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

15479.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

15480.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

15481.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

15482.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

15483.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

15484.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

15485.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

15486.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

15487.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

15488.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

15489.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

15490.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

15491.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

15492.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

15493.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

15494.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

15495.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

15496.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

15497.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

15498.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

15499.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

15500.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

15501.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

15502.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

15503.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

15504.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

15505.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

15506.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

15507.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

15508.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

15509.第15349项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

15510.第15349项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

15511.第15349项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

15512.第15349项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

15513.第15349项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

15514.第15349项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

15515.第15349项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

15516.第15349项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

15517.第15349项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

15518.第15349项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

15519.第15349项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

15520.第15349项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

15521.第15349项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

15522.第15349项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

15523.第15349项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

15524.第15349项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

15525.第15349项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

15526.第15349项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

15527.第15349项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

15528.第15349项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

15529.第15349项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

15530.第15349项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

15531.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

15532.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

15533.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

15534.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

15535.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

15536.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

15537.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

15538.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

15539.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

15540.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

15541.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

15542.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

15543.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

15544.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

15545.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

15546.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

15547.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

15548.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

15549.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

15550.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

15551.第15349项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

15552.第15349项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

15553.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

15554.第15349项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

15555.第15349项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

15556.第15349项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

15557.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

15558.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

15559.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

15560.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

15561.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

15562.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

15563.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

15564.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

15565.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

15566.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

15567.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

15568.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

15569.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

15570.第15349项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

15571.第15349项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

15572.第15349项的方法，其中所述装置包含显影剂。

15573.第15349项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

15574.第15349项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

15575.第15349项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

15576.第15349项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

15577.第15349项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

15578.第15349项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

15579.第15349项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

15580.第15349项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

15581.第15349项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

15582.第15349项的方法，其中所述装置是无菌的。

15583.第15349项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

15584.第15349项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

15585.第15349项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

15586.第15349项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

15587.第15349项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

15588.第15349项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15589.第15349项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15590.第15349项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15591.第15349项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15592.第15349项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15593.第15349项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15594.第15349项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15595.第15349项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15596.第15349项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

15597.第15349项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

15598.第15349项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

15599.第15349项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

15600.第15349项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

15601.第15349项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

15602.第15349项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

15603.第15349项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

15604.第15349项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

15605.第15349项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

15606.第15349项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

15607.第15349项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

15608.第15349项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

15609.第15349项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

15610.第15349项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

15611.第15349项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

15612.第15349项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

15613.第15349项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

15614.第15349项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

15615.第15349项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

15616.第15349项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

15617.第15349项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

15618.第15349项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

15619.第15349项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

15620.第15349项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

15621.第15349项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

15622.第15349项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

15623.第15349项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

15624.第15349项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

15625.第15349项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

15626.第15349项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

15627.第15349项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

15628.第15349项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

15629.第15349项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

15630.第15349项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

15631.第15349项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

15632.第15349项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

15633.第15349项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

15634.第15349项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

15635.第15349项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

15636.第15349项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

15637.第15349项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

15638.第15349项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

15639.第15349项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

15640.第15349项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

15641.第15349项的方法，其中所述植入物是脊柱盘。

15642.第15349项的方法，其中所述植入物是脊椎盘假体。

15643.第15349项的方法，其中所述植入物是椎间盘。

15644.第15349项的方法，其中所述植入物是部分脊椎假体。

15645.第15349项的方法，其中所述植入物是脊柱核植入物。

15646.第15349项的方法，其中所述植入物是椎间盘间隔物。

15647.第15349项的方法，其中所述植入物是融合笼(fusion cage)。

15648.第15349项的方法，其中所述植入物是融合篮(fusionbasket)。

15649.第15349项的方法，其中所述植入物是融合室(fusionchamber)。

15650.第15349项的方法，其中所述植入物是脊柱锚定装置。

15651.第15349项的方法，其中所述植入物是骨固定装置。

15652.第15349项的方法，其中所述植入物是脊柱的锚定骨板。

15653.第15349项的方法，其中所述植入物是脊柱的锚定螺钉。

15654.第15349项的方法，其中所述植入物是脊柱的可植入棒。

15655.第15349项的方法，其中所述植入物是脊柱的可植入的钉。

15656.第15349项的方法，其中所述植入物是脊柱的可植入的钩。

15657.第15349项的方法，其中所述植入物是用于脊柱结合的丝。

15658.第15349项的方法，其中所述植入物是用于脊柱支撑的楔。

15659.一种制备医用装置的方法，其包括：结合压力监测植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

15660.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

15661.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

15662.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

15663.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

15664.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

15665.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

15666.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

15667.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

15668.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

15669.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

15670.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

15671.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

15672.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

15673.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

15674.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

15675.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

15676.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

15677.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

15678.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

15679.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

15680.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

15681.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

15682.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

15683.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

15684.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

15685.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

15686.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

15687.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

15688.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

15689.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

15690.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

15691.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

15692.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

15693.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

15694.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

15695.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

15696.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

15697.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

15698.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

15699.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

15700.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

15701.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

15702.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

15703.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

15704.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

15705.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

15706.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

15707.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

15708.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

15709.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

15710.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

15711.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

15712.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

15713.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

15714.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

15715.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

15716.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

15717.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

15718.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

15719.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

15720.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

15721.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

15722.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

15723.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

15724.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

15725.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

15726.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

15727.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

15728.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

15729.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

15730.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

15731.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

15732.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

15733.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

15734.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

15735.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

15736.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

15737.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

15738.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

15739.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

15740.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

15741.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

15742.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

15743.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

15744.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

15745.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

15746.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

15747.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

15748.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

15749.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

15750.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

15751.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

15752.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

15753.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

15754.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

15755.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

15756.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

15757.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

15758.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

15759.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

15760.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

15761.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

15762.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

15763.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

15764.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

15765.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

15766.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

15767.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

15768.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

15769.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

15770.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

15771.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

15772.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

15773.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

15774.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

15775.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

15776.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

15777.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

15778.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

15779.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

15780.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

15781.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

15782.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

15783.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

15784.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

15785.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

15786.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

15787.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

15788.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

15789.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

15790.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

15791.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

15792.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

15793.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

15794.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

15795.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

15796.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

15797.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

15798.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

15799.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

15800.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

15801.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

15802.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

15803.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

15804.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

15805.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

15806.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

15807.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

15808.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

15809.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

15810.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

15811.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

15812.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

15813.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

15814.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

15815.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

15816.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

15817.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

15818.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

15819.第15659项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

15820.第15659项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

15821.第15659项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

15822.第15659项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

15823.第15659项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

15824.第15659项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

15825.第15659项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

15826.第15659项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

15827.第15659项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

15828.第15659项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

15829.第15659项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

15830.第15659项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

15831.第15659项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

15832.第15659项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

15833.第15659项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

15834.第15659项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

15835.第15659项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

15836.第15659项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

15837.第15659项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

15838.第15659项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

15839.第15659项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

15840.第15659项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

15841.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

15842.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

15843.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

15844.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

15845.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

15846.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

15847.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

15848.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

15849.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

15850.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

15851.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

15852.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

15853.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

15854.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

15855.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

15856.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

15857.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

15858.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

15859.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

15860.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

15861.第15659项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

15862.第15659项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

15863.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

15864.第15659项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

15865.第15659项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

15866.第15659项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

15867.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

15868.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

15869.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

15870.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

15871.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

15872.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

15873.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

15874.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

15875.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

15876.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

15877.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

15878.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

15879.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

15880.第15659项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

15881.第15659项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

15882.第15659项的方法，其中所述装置包含显影剂。

15883.第15659项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

15884.第15659项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

15885.第15659项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

15886.第15659项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

15887.第15659项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

15888.第15659项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

15889.第15659项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

15890.第15659项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

15891.第15659项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

15892.第15659项的方法，其中所述装置是无菌的。

15893.第15659项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

15894.第15659项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

15895.第15659项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

15896.第15659项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

15897.第15659项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

15898.第15659项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15899.第15659项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15900.第15659项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15901.第15659项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15902.第15659项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15903.第15659项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15904.第15659项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15905.第15659项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

15906.第15659项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

15907.第15659项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

15908.第15659项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

15909.第15659项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

15910.第15659项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

15911.第15659项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

15912.第15659项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

15913.第15659项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

15914.第15659项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

15915.第15659项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

15916.第15659项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

15917.第15659项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

15918.第15659项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

15919.第15659项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

15920.第15659项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

15921.第15659项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

15922.第15659项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

15923.第15659项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

15924.第15659项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

15925.第15659项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

15926.第15659项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

15927.第15659项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

15928.第15659项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

15929.第15659项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

15930.第15659项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

15931.第15659项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

15932.第15659项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

15933.第15659项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

15934.第15659项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

15935.第15659项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

15936.第15659项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

15937.第15659项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

15938.第15659项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

15939.第15659项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

15940.第15659项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

15941.第15659项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

15942.第15659项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

15943.第15659项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

15944.第15659项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

15945.第15659项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

15946.第15659项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

15947.第15659项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

15948.第15659项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

15949.第15659项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

15950.第15659项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

15951.一种制备医用装置的方法，其包括：结合鼓膜造孔术管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

15952.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

15953.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

15954.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

15955.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

15956.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

15957.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

15958.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

15959.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

15960.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

15961.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

15962.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

15963.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

15964.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

15965.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

15966.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

15967.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

15968.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

15969.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

15970.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

15971.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

15972.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

15973.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

15974.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

15975.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

15976.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

15977.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

15978.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

15979.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

15980.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

15981.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

15982.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

15983.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

15984.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

15985.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

15986.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

15987.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

15988.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

15989.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

15990.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

15991.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

15992.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

15993.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

15994.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

15995.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

15996.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

15997.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

15998.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

15999.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

16000.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

16001.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

16002.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

16003.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

16004.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

16005.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

16006.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

16007.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

16008.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

16009.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

16010.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

16011.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

16012.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

16013.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

16014.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

16015.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

16016.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

16017.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

16018.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

16019.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

16020.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

16021.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

16022.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

16023.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

16024.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

16025.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

16026.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

16027.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

16028.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

16029.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

16030.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

16031.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

16032.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

16033.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

16034.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

16035.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

16036.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

16037.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

16038.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

16039.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

16040.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

16041.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

16042.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

16043.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

16044.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

16045.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

16046.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

16047.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

16048.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

16049.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

16050.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

16051.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

16052.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

16053.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

16054.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

16055.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

16056.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

16057.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

16058.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

16059.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

16060.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

16061.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

16062.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

16063.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

16064.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

16065.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

16066.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

16067.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

16068.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

16069.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

16070.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

16071.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

16072.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

16073.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

16074.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

16075.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

16076.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

16077.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

16078.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

16079.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

16080.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

16081.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

16082.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

16083.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

16084.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

16085.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

16086.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

16087.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

16088.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

16089.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

16090.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

16091.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

16092.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

16093.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

16094.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

16095.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

16096.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

16097.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

16098.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

16099.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

16100.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

16101.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

16102.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

16103.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

16104.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

16105.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

16106.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

16107.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

16108.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

16109.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

16110.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

16111.第15951项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

16112.第15951项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

16113.第15951项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

16114.第15951项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

16115.第15951项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

16116.第15951项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

16117.第15951项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

16118.第15951项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

16119.第15951项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

16120.第15951项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

16121.第15951项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

16122.第15951项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

16123.第15951项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

16124.第15951项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

16125.第15951项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

16126.第15951项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

16127.第15951项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

16128.第15951项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

16129.第15951项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

16130.第15951项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

16131.第15951项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

16132.第15951项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

16133.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

16134.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

16135.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

16136.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

16137.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

16138.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

16139.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

16140.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

16141.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

16142.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

16143.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

16144.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

16145.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

16146.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

16147.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

16148.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

16149.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

16150.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

16151.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

16152.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

16153.第15951项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

16154.第15951项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

16155.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

16156.第15951项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

16157.第15951项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

16158.第15951项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

16159.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

16160.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

16161.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

16162.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

16163.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

16164.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

16165.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

16166.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

16167.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

16168.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

16169.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

16170.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

16171.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

16172.第15951项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

16173.第15951项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

16174.第15951项的方法，其中所述装置包含显影剂。

16175.第15951项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

16176.第15951项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

16177.第15951项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

16178.第15951项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

16179.第15951项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

16180.第15951项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

16181.第15951项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

16182.第15951项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

16183.第15951项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

16184.第15951项的方法，其中所述装置是无菌的。

16185.第15951项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

16186.第15951项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

16187.第15951项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

16188.第15951项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

16189.第15951项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

16190.第15951项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16191.第15951项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16192.第15951项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16193.第15951项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16194.第15951项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16195.第15951项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16196.第15951项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16197.第15951项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16198.第15951项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

16199.第15951项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

16200.第15951项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

16201.第15951项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

16202.第15951项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

16203.第15951项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

16204.第15951项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

16205.第15951项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

16206.第15951项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

16207.第15951项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

16208.第15951项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

16209.第15951项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

16210.第15951项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

16211.第15951项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

16212.第15951项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

16213.第15951项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

16214.第15951项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

16215.第15951项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

16216.第15951项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

16217.第15951项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

16218.第15951项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

16219.第15951项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

16220.第15951项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

16221.第15951项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

16222.第15951项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

16223.第15951项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

16224.第15951项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

16225.第15951项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

16226.第15951项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

16227.第15951项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

16228.第15951项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

16229.第15951项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

16230.第15951项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

16231.第15951项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

16232.第15951项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

16233.第15951项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

16234.第15951项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

16235.第15951项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

16236.第15951项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

16237.第15951项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

16238.第15951项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

16239.第15951项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

16240.第15951项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

16241.第15951项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

16242.第15951项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

16243.一种制备医用装置的方法，其包括：结合提供外科用的粘连屏障的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

16244.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

16245.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

16246.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

16247.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

16248.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

16249.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

16250.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

16251.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

16252.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

16253.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

16254.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

16255.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

16256.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

16257.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

16258.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

16259.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

16260.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

16261.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

16262.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

16263.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

16264.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

16265.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

16266.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

16267.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

16268.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

16269.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

16270.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

16271.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

16272.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

16273.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

16274.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

16275.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

16276.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

16277.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

16278.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

16279.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

16280.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

16281.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

16282.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

16283.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

16284.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

16285.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

16286.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

16287.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

16288.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

16289.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

16290.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

16291.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

16292.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

16293.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

16294.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

16295.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

16296.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

16297.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

16298.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

16299.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

16300.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

16301.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

16302.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

16303.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

16304.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

16305.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

16306.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

16307.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

16308.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

16309.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

16310.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

16311.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

16312.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

16313.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

16314.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

16315.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

16316.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

16317.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

16318.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

16319.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

16320.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

16321.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

16322.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

16323.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

16324.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

16325.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

16326.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

16327.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

16328.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

16329.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

16330.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

16331.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

16332.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

16333.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

16334.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

16335.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

16336.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

16337.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

16338.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

16339.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

16340.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

16341.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

16342.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

16343.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

16344.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

16345.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

16346.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

16347.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

16348.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

16349.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

16350.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

16351.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

16352.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

16353.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

16354.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

16355.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

16356.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

16357.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

16358.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

16359.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

16360.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

16361.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

16362.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

16363.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

16364.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

16365.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

16366.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

16367.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

16368.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

16369.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

16370.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

16371.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

16372.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

16373.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

16374.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

16375.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

16376.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

16377.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

16378.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

16379.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

16380.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

16381.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

16382.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

16383.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

16384.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

16385.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

16386.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

16387.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

16388.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

16389.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

16390.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

16391.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

16392.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

16393.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

16394.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

16395.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

16396.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

16397.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

16398.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

16399.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

16400.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

16401.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

16402.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

16403.第16243项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

16404.第16243项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

16405.第16243项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

16406.第16243项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

16407.第16243项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

16408.第16243项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

16409.第16243项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

16410.第16243项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

16411.第16243项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

16412.第16243项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

16413.第16243项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

16414.第16243项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

16415.第16243项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

16416.第16243项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

16417.第16243项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

16418.第16243项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

16419.第16243项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

16420.第16243项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

16421.第16243项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

16422.第16243项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

16423.第16243项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

16424.第16243项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

16425.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

16426.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

16427.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

16428.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

16429.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

16430.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

16431.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

16432.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

16433.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

16434.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

16435.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

16436.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

16437.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

16438.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

16439.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

16440.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

16441.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

16442.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

16443.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

16444.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

16445.第16243项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

16446.第16243项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

16447.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

16448.第16243项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

16449.第16243项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

16450.第16243项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

16451.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

16452.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

16453.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

16454.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

16455.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

16456.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

16457.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

16458.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

16459.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

16460.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

16461.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

16462.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

16463.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

16464.第16243项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

16465.第16243项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

16466.第16243项的方法，其中所述装置包含显影剂。

16467.第16243项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

16468.第16243项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

16469.第16243项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

16470.第16243项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

16471.第16243项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

16472.第16243项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

16473.第16243项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

16474.第16243项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

16475.第16243项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

16476.第16243项的方法，其中所述装置是无菌的。

16477.第16243项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

16478.第16243项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

16479.第16243项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

16480.第16243项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

16481.第16243项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

16482.第16243项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16483.第16243项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16484.第16243项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16485.第16243项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16486.第16243项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16487.第16243项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16488.第16243项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16489.第16243项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16490.第16243项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

16491.第16243项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

16492.第16243项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

16493.第16243项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

16494.第16243项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

16495.第16243项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

16496.第16243项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

16497.第16243项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

16498.第16243项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

16499.第16243项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

16500.第16243项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

16501.第16243项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

16502.第16243项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

16503.第16243项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

16504.第16243项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

16505.第16243项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

16506.第16243项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

16507.第16243项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

16508.第16243项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

16509.第16243项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

16510.第16243项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

16511.第16243项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

16512.第16243项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

16513.第16243项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

16514.第16243项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

16515.第16243项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

16516.第16243项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

16517.第16243项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

16518.第16243项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

16519.第16243项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

16520.第16243项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

16521.第16243项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

16522.第16243项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

16523.第16243项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

16524.第16243项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

16525.第16243项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

16526.第16243项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

16527.第16243项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

16528.第16243项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

16529.第16243项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

16530.第16243项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

16531.第16243项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

16532.第16243项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

16533.第16243项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

16534.第16243项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

16535.一种制备组合物的方法，所述组合物包含外科用的粘连屏障组分和抗瘢痕形成剂，其中所述组合物抑制外科粘连的形成，并且，其中所述抗瘢痕形成剂抑制在该组合物在已经接受组合物的宿主内所定位的位置的附近的瘢痕形成。

16536.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

16537.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

16538.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

16539.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

16540.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

16541.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

16542.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

16543.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

16544.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

16545.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

16546.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

16547.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

16548.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

16549.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

16550.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

16551.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

16552.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

16553.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

16554.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

16555.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

16556.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

16557.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

16558.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

16559.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

16560.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

16561.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

16562.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

16563.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

16564.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

16565.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

16566.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

16567.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

16568.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

16569.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

16570.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

16571.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

16572.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

16573.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

16574.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

16575.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

16576.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

16577.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

16578.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

16579.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

16580.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

16581.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

16582.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

16583.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

16584.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

16585.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

16586.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

16587.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

16588.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

16589.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

16590.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

16591.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

16592.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

16593.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

16594.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

16595.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

16596.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

16597.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

16598.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

16599.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

16600.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

16601.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

16602.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

16603.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

16604.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

16605.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

16606.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

16607.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

16608.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

16609.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

16610.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

16611.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

16612.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

16613.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

16614.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

16615.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

16616.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

16617.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

16618.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

16619.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

16620.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

16621.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

16622.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

16623.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

16624.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

16625.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

16626.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

16627.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

16628.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

16629.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

16630.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

16631.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

16632.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

16633.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

16634.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

16635.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

16636.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

16637.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

16638.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

16639.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

16640.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

16641.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

16642.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

16643.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

16644.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

16645.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

16646.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

16647.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

16648.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

16649.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

16650.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

16651.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

16652.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

16653.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

16654.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

16655.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

16656.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

16657.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

16658.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

16659.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

16660.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

16661.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

16662.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

16663.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

16664.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

16665.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

16666.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

16667.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

16668.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

16669.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

16670.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

16671.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

16672.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

16673.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

16674.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

16675.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

16676.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

16677.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

16678.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

16679.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

16680.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

16681.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

16682.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

16683.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

16684.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

16685.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

16686.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

16687.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

16688.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

16689.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

16690.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

16691.第16535项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

16692.第16535项的方法，其中所述组分包含透明质酸或其类似物或衍生物。

16693.第16535项的方法，其中当将所述组合物施用于宿主时，所述组分形成生物可降解的聚合物基质。

16694.第16535项的方法，其中所述组合物呈可喷射形式。

16695.第16535项的方法，其中所述组合物呈凝胶形式。

16696.第16535项的方法，其中所述组分已经反应形成膜。

16697.第16535项的方法，其中所述组合物呈膜形式。

16698.第16535项的方法，其中所述组分已经反应形成包覆物。

16699.第16535项的方法，其中所述组合物呈包覆物形式。

16700.第16535项的方法，其中所述组分已经反应形成网眼。

16701.第16535项的方法，其中所述组合物呈网眼形式。

16702.第16535项的方法，其中所述组分包含透明质酸或其类似物或衍生物。

16703.一种装置，其包含中央静脉导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

16704.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

16705.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

16706.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

16707.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

16708.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

16709.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

16710.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

16711.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

16712.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

16713.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

16714.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

16715.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

16716.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

16717.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

16718.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

16719.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

16720.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

16721.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

16722.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

16723.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

16724.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

16725.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

16726.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

16727.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

16728.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

16729.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

16730.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

16731.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

16732.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

16733.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

16734.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

16735.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

16736.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

16737.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

16738.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

16739.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

16740.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

16741.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

16742.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

16743.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

16744.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

16745.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

16746.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

16747.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

16748.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

16749.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

16750.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

16751.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

16752.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

16753.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

16754.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

16755.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

16756.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

16757.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

16758.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

16759.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

16760.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

16761.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

16762.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

16763.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

16764.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

16765.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

16766.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

16767.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

16768.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

16769.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

16770.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

16771.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

16772.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

16773.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

16774.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

16775.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

16776.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

16777.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

16778.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

16779.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

16780.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

16781.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

16782.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

16783.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

16784.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

16785.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

16786.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

16787.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

16788.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

16789.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

16790.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

16791.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

16792.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

16793.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

16794.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

16795.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

16796.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

16797.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

16798.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

16799.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

16800.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

16801.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

16802.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

16803.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

16804.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

16805.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

16806.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

16807.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

16808.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

16809.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

16810.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

16811.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

16812.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

16813.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

16814.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

16815.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

16816.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

16817.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

16818.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

16819.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

16820.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

16821.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

16822.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

16823.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

16824.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

16825.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

16826.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

16827.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

16828.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

16829.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

16830.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

16831.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

16832.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

16833.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

16834.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

16835.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

16836.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

16837.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

16838.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

16839.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

16840.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

16841.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A2-α抑制剂。

16842.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

16843.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

16844.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

16845.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

16846.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

16847.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

16848.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

16849.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

16850.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

16851.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

16852.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

16853.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

16854.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

16855.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

16856.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

16857.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

16858.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

16859.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

16860.第16703项的装置，其另外包含聚合物。

16861.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体。

16862.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

16863.第16703项的装置，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

16864.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层含有所述抗瘢痕形成剂。

16865.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层被安排在装置表面。

16866.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层直接与所述装置接触。

16867.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层间接地与所述装置接触。

16868.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层部分覆盖所述装置。

16869.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层完全覆盖所述装置。

16870.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是均匀涂层。

16871.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不均匀涂层。

16872.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是不连续涂层。

16873.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层是组成图案的涂层。

16874.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

16875.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

16876.第16703项的装置，其中所述涂层在部署该装置以后与装置的表面粘附。

16877.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层在室温下稳定1年的时间。

16878.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

16879.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

16880.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

16881.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

16882.第16703项的装置，其另外包含涂层，其中所述涂层另外含有聚合物。

16883.第16703项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

16884.第16703项的装置，其另外包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

16885.第16703项的装置，其另外包含聚合物。

16886.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体。

16887.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有共聚物。

16888.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有嵌段共聚物。

16889.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有无规共聚物。

16890.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有生物可降解的聚合物。

16891.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非生物可降解的聚合物。

16892.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有亲水性聚合物。

16893.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有疏水性聚合物。

16894.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有亲水区域的聚合物。

16895.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有具有疏水区域的聚合物。

16896.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非导电聚合物。

16897.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有高弹体。

16898.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有水凝胶。

16899.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有硅氧烷聚合物。

16900.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有烃类聚合物。

16901.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有苯乙烯衍生的聚合物。

16902.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有丁二烯聚合物。

16903.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有大分子单体。

16904.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有聚(乙二醇)聚合物。

16905.第16703项的装置，其另外包含聚合物载体，其中所述聚合物载体含有非晶态聚合物。

16906.第16703项的装置，其另外包含光滑(lubricious)涂层。

16907.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

16908.第16703项的装置，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

16909.第16703项的装置，其另外含有第二种药物活性剂。

16910.第16703项的装置，其另外含有消炎剂。

16911.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂。

16912.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是蒽环霉素。

16913.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是多柔比星。

16914.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是米托蒽醌。

16915.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是氟嘧啶。

16916.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

16917.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是叶酸拮抗剂。

16918.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是甲氨蝶呤。

16919.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是鬼臼毒素。

16920.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是依托泊苷。

16921.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是喜树碱。

16922.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是羟基脲。

16923.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是铂络合物。

16924.第16703项的装置，其另外含有抑制感染的药剂，其中药剂是顺铂。

16925.第16703项的装置，其另外含有抗血栓形成剂。

16926.第16703项的装置，其另外含有显影剂。

16927.第16703项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

16928.第16703项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

16929.第16703项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

16930.第16703项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

16931.第16703项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

16932.第16703项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

16933.第16703项的装置，其另外含有显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

16934.第16703项的装置，其另外含有产生回波的物质。

16935.第16703项的装置，其另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

16936.第16703项的装置，其中所述装置是无菌的。

16937.第16703项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

16938.第16703项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

16939.第16703项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

16940.第16703项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

16941.第16703项的装置，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

16942.第16703项的装置，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16943.第16703项的装置，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16944.第16703项的装置，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16945.第16703项的装置，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16946.第16703项的装置，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16947.第16703项的装置，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16948.第16703项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16949.第16703项的装置，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

16950.第16703项的装置，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

16951.第16703项的装置，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

16952.第16703项的装置，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

16953.第16703项的装置，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

16954.第16703项的装置，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

16955.第16703项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

16956.第16703项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

16957.第16703项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

16958.第16703项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

16959.第16703项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

16960.第16703项的装置，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

16961.第16703项的装置，其中所述植入物是完全肠胃外营养导管。

16962.第16703项的装置，其中所述植入物是顶端装有定向流动的气囊的肺动脉导管(a flow-directed balloon-tipped pulmonary arterycatheter)。

16963.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将中央静脉导管植入物和和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

16964.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

16965.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

16966.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

16967.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

16968.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

16969.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

16970.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

16971.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

16972.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

16973.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

16974.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

16975.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

16976.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

16977.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

16978.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

16979.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

16980.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

16981.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

16982.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

16983.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

16984.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

16985.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

16986.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

16987.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

16988.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

16989.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

16990.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

16991.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

16992.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

16993.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

16994.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

16995.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

16996.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

16997.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

16998.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

16999.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

17000.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

17001.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

17002.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

17003.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

17004.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

17005.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

17006.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

17007.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

17008.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

17009.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

17010.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

17011.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

17012.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

17013.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

17014.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

17015.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

17016.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

17017.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

17018.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

17019.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

17020.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

17021.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

17022.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

17023.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

17024.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

17025.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

17026.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

17027.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

17028.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

17029.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

17030.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

17031.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

17032.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

17033.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

17034.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

17035.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

17036.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

17037.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

17038.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

17039.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

17040.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

17041.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

17042.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

17043.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

17044.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

17045.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

17046.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

17047.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

17048.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

17049.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

17050.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

17051.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

17052.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

17053.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

17054.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

17055.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

17056.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

17057.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

17058.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

17059.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

17060.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

17061.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

17062.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

17063.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

17064.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

17065.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

17066.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

17067.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

17068.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

17069.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

17070.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

17071.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

17072.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

17073.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

17074.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

17075.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

17076.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

17077.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

17078.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

17079.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

17080.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

17081.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

17082.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

17083.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

17084.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

17085.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

17086.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

17087.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

17088.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

17089.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

17090.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

17091.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

17092.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

17093.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

17094.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

17095.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

17096.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

17097.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

17098.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

17099.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

17100.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

17101.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

17102.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

17103.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

17104.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

17105.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

17106.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

17107.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

17108.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

17109.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

17110.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

17111.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

17112.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

17113.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

17114.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

17115.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

17116.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

17117.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

17118.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

17119.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

17120.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

17121.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含共聚物。

17122.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含嵌段共聚物。

17123.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含无规共聚物。

17124.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含生物可降解的聚合物。

17125.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非生物可降解的聚合物。

17126.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含亲水性聚合物。

17127.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含疏水性聚合物。

17128.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有亲水区域的聚合物。

17129.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含具有疏水区域的聚合物。

17130.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非导电聚合物。

17131.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含高弹体。

17132.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含水凝胶。

17133.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含硅氧烷聚合物。

17134.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含烃类聚合物。

17135.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含苯乙烯衍生的聚合物。

17136.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含丁二烯衍生的聚合物。

17137.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含大分子单体。

17138.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含聚(乙二醇)聚合物。

17139.第16963项的方法，其中所述组合物包含聚合物，并且所述聚合物是或者包含非晶态聚合物。

17140.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有第二种药物活性剂。

17141.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有消炎剂。

17142.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有抑制感染的药剂。

17143.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有蒽环霉素。

17144.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有多柔比星。

17145.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有米托蒽醌。

17146.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有氟嘧啶。

17147.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有5-氟尿嘧啶(5-FU)。

17148.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有叶酸拮抗剂。

17149.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有甲氨蝶呤。

17150.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有鬼臼毒素。

17151.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有依托泊苷。

17152.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有喜树碱。

17153.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有羟基脲。

17154.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有铂络合物。

17155.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有顺铂。

17156.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有抗血栓形成剂。

17157.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂。

17158.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

17159.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钡、钽或锝。

17160.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含MRI响应性物质。

17161.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含钆螯合物。

17162.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含铁、镁、锰、铜或铬。

17163.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含氧化铁化合物。

17164.第16963项的方法，其中所述组合物另外含有显影剂，并且所述显影剂是或者包含染料、颜料或着色剂。

17165.第16963项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

17166.第16963项的方法，其中从施用的时间至约90天的时期内从含有所述抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

17167.第16963项的方法，其中所述组合物另外包含炎性细胞因子。

17168.第16963项的方法，其中所述组合物另外包含刺激细胞增殖的试剂。

17169.第16963项的方法，其中所述组合物另外包含聚合物载体。

17170.第16963项的方法，其中所述组合物呈凝胶、糊剂或喷射剂的形式。

17171.第16963项的方法，其中所述植入物部分地由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

17172.第16963项的方法，其中所述植入物全部由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成。

17173.第16963项的方法，其中用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物。

17174.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物直接接触。

17175.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层与植入物间接接触。

17176.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层部分覆盖植入物。

17177.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物形成涂层，并且所述涂层完全覆盖植入物。

17178.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的孔或空穴中。

17179.第16963项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂或组合物定位于所述植入物的通道、腔或divet内。

17180.第16963项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质。

17181.第16963项的方法，其中所述植入物另外含有产生回波的物质，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

17182.第16963项的方法，其中所述植入物是无菌的。

17183.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中。

17184.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

17185.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

17186.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

17187.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在部署植入物后将所述抗瘢痕形成剂释放到植入物附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

17188.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从部署植入物的时间至约1年的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

17189.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1个月至约6个月的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

17190.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中在约1-90天的时期内由植入物释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

17191.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以恒定速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

17192.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐增速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

17193.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中从所述植入物以渐减速率释放有效浓度的所述抗瘢痕形成剂。

17194.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约0.01μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

17195.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10μg至约10mg的所述抗瘢痕形成剂。

17196.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约10mg至约250mg的所述抗瘢痕形成剂。

17197.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约250mg至约1000mg的所述抗瘢痕形成剂。

17198.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物含有约1000mg至约2500mg的所述抗瘢痕形成剂。

17199.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有少于0.01μg的所述抗瘢痕形成剂。

17200.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约0.01μg至约1μg的所述抗瘢痕形成剂。

17201.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1μg至约10μg的所述抗瘢痕形成剂。

17202.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约10μg至约250μg的所述抗瘢痕形成剂。

17203.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约250μg至约1000μg的所述抗瘢痕形成剂。

17204.第16963项的方法，其中从所述植入物递送所述抗瘢痕形成剂，其中所述植入物的表面在每mm²应用所述抗瘢痕形成剂的植入物表面上含有约1000μg至约2500μg的所述抗瘢痕形成剂。

17205.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是均匀涂层。

17206.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是不均匀涂层。

17207.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是非连续涂层。

17208.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层是组成图案的涂层。

17209.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有100μm或更小的厚度。

17210.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且其中所述涂层具有10μm或更小的厚度。

17211.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

17212.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层在室温下可稳定至少1年的时间。

17213.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

17214.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

17215.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

17216.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

17217.第16963项的方法，其中所述植入物另外包含涂层，并且所述涂层包含聚合物。

17218.第16963项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

17219.第16963项的方法，其中所述植入物包含含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

17220.第16963项的方法，其中所述植入物是完全肠胃外营养导管。

17221.第16963项的方法，其中所述植入物是顶端装有定向流动的气囊的肺动脉导管(a flow-directed balloon-tipped pulmonary arterycatheter)。

17222.一种制备医用装置的方法，其包括：结合心室辅助植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

17223.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制细胞再生。

17224.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制血管生成。

17225.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞迁移。

17226.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制成纤维细胞增殖。

17227.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胞外基质的沉积。

17228.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制组织重建。

17229.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管生成抑制剂。

17230.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是5-脂氧合酶抑制剂或拮抗剂。

17231.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是趋化因子受体拮抗剂。

17232.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是细胞周期抑制剂。

17233.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉烷。

17234.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

17235.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇。

17236.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是紫杉醇。

17237.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是紫杉醇的类似物或衍生物。

17238.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是长春花生物碱。

17239.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是喜树碱或其类似物或衍生物。

17240.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素。

17241.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鬼臼毒素，其中所述鬼臼毒素是依托泊苷或其类似物或衍生物。

17242.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素。

17243.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中所述蒽环霉素是多柔比星或其类似物或衍生物。

17244.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂其中所述抗瘢痕形成剂是蒽环霉素，其中蒽环霉素是米托蒽醌或其类似物或衍生物。

17245.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是铂化合物。

17246.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是亚硝基脲。

17247.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是硝基咪唑。

17248.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是叶酸拮抗剂。

17249.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞苷类似物。

17250.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶类似物。

17251.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氟嘧啶类似物。

17252.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘌呤类似物。

17253.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是氮芥或其类似物或衍生物。

17254.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基脲。

17255.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是丝裂霉素或其类似物或衍生物。

17256.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烷基磺酸盐。

17257.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是苯甲酰胺或其类似物或衍生物。

17258.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是烟酰胺或其类似物或衍生物。

17259.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是卤化糖或其类似物或衍生物。

17260.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA烷基化剂。

17261.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗微管剂。

17262.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是拓扑异构酶抑制剂。

17263.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA裂解剂。

17264.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗代谢物。

17265.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制腺苷脱氨酶。

17266.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制嘌呤环合成。

17267.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是核苷酸互变抑制剂。

17268.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制二氢叶酸还原。

17269.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂阻断胸苷一磷酸。

17270.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA损伤。

17271.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA嵌入剂。

17272.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是RNA合成抑制剂。

17273.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是嘧啶合成抑制剂。

17274.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制核糖核苷酸合成或功能。

17275.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制胸苷一磷酸合成或功能。

17276.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制DNA合成。

17277.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂导致DNA加合物形成。

17278.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制蛋白质合成。

17279.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制微管功能。

17280.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依赖于细胞周期蛋白的蛋白激酶抑制剂。

17281.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是表皮生长因子激酶抑制剂。

17282.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是弹性蛋白酶抑制剂。

17283.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Xa因子抑制剂。

17284.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是法呢酰基转移酶抑制剂。

17285.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血纤蛋白原拮抗剂。

17286.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

17287.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂。

17288.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是热激蛋白90拮抗剂，其中热激蛋白90拮抗剂是格尔德霉素或其类似物或衍生物。

17289.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是鸟苷酸环化酶刺激剂。

17290.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂。

17291.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是HMGCoA还原酶抑制剂，其中HMGCoA还原酶抑制剂是辛伐他汀或其类似物或衍生物。

17292.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是羟基乳清酸脱氢酶抑制剂。

17293.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IKK2抑制剂。

17294.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-1拮抗剂。

17295.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ICE拮抗剂。

17296.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IRAK拮抗剂。

17297.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IL-4激动剂。

17298.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫调节剂。

17299.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是西罗莫司或其类似物或衍生物。

17300.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是西罗莫司。

17301.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是依维莫司或其类似物或衍生物。

17302.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是他克莫司或其类似物或衍生物。

17303.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是他克莫司。

17304.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是biolmus或其类似物或衍生物。

17305.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是曲培莫司或其类似物或衍生物。

17306.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是金诺芬或其类似物或衍生物。

17307.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是27-O-去甲基雷帕霉素或其类似物或衍生物。

17308.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胍立莫司或其类似物或衍生物。

17309.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是吡美莫司或其类似物或衍生物。

17310.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ABT-578或其类似物或衍生物。

17311.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是肌苷一磷酸脱氢酶(IMPDH)抑制剂。

17312.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是霉酚酸或其类似物或衍生物。

17313.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是IMPDH抑制剂，其中所述IMPDH抑制剂是1-α-25二羟基维生素D3或其类似物或衍生物。

17314.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是白三烯抑制剂。

17315.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MCP-1拮抗剂。

17316.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是MMP抑制剂。

17317.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂。

17318.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NFκB抑制剂，其中所述NFκB抑制剂是Bay 11-7082。

17319.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是NO激动剂。

17320.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂。

17321.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是p38 MAP激酶抑制剂，其中所述p38 MAP激酶抑制剂是SB 202190。

17322.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷酸二酯酶抑制剂。

17323.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TGFβ抑制剂。

17324.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血栓烷A2拮抗剂。

17325.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFa拮抗剂。

17326.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TACE抑制剂。

17327.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是酪氨酸激酶抑制剂。

17328.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是玻连蛋白抑制剂。

17329.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是成纤维细胞生长因子抑制剂。

17330.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白质激酶抑制剂。

17331.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PDGF受体激酶抑制剂。

17332.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮生长因子受体激酶抑制剂。

17333.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是视黄酸受体拮抗剂。

17334.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血小板衍生生长因子受体激酶抑制剂。

17335.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是fibronogin拮抗剂。

17336.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂。

17337.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是抗真菌剂，其中所述抗真菌剂是硫康唑。

17338.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是二膦酸盐。

17339.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是磷脂酶A1抑制剂。

17340.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组胺H1/H2/H3受体拮抗剂。

17341.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是大环内酯抗生素。

17342.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是GPIIb/IIIa受体拮抗剂。

17343.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是内皮缩血管肽受体拮抗剂。

17344.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体激动剂。

17345.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是雌激素受体剂。

17346.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是促生长素抑制素(somastostatin)类似物。

17347.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽1拮抗剂。

17348.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是神经激肽3拮抗剂。

17349.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VLA-4拮抗剂。

17350.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是破骨细胞抑制剂。

17351.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是DNA拓扑异构酶ATP水解抑制剂。

17352.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽I转化酶抑制剂。

17353.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是血管紧张肽II拮抗剂。

17354.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脑啡肽酶抑制剂。

17355.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是过氧化物酶体增殖物-激活的受体γ激动剂胰岛素敏化剂。

17356.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是蛋白激酶C抑制剂。

17357.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ROCK(rho-相关激酶)抑制剂。

17358.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是CXCR3抑制剂。

17359.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是ItK抑制剂。

17360.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胞质磷脂酶A₂-α抑制剂。

17361.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是PPAR激动剂。

17362.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是免疫抑制剂。

17363.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是Erb抑制剂。

17364.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是编程性细胞死亡激动剂。

17365.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是脂皮质蛋白激动剂。

17366.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是VCAM-1拮抗剂。

17367.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是胶原蛋白拮抗剂。

17368.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是α2整联蛋白拮抗剂。

17369.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是TNFα抑制剂。

17370.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是一氧化氮抑制剂。

17371.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂是组织蛋白酶抑制剂。

17372.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是消炎剂。

17373.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是甾族化合物。

17374.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是糖皮质类固醇。

17375.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是地塞米松。

17376.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗感染药。

17377.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗生素。

17378.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂不是抗真菌剂。

17379.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

17380.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

17381.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的粘连。

17382.第17222项的方法，其中所述装置将抗瘢痕形成剂局部传递至贴近装置的组织。

17383.第17222项的方法，其中所述装置具有含有抗瘢痕形成剂的涂层。

17384.第17222项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且位于植入物的表面上。

17385.第17222项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且直接接触植入物。

17386.第17222项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且间接接触植入物。

17387.第17222项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且部分覆盖植入物。

17388.第17222项的方法，其中所述装置具有涂层，该涂层含有药剂并且完全覆盖植入物。

17389.第17222项的方法，其中所述装置具有均匀涂层。

17390.第17222项的方法，其中所述装置具有不均匀涂层。

17391.第17222项的方法，其中所述装置具有不连续涂层。

17392.第17222项的方法，其中所述装置具有组成图案的涂层。

17393.第17222项的方法，其中所述装置具有厚度为100μm或更小的涂层。

17394.第17222项的方法，其中所述装置具有厚度为10μm或更小的涂层。

17395.第17222项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在部署该植入物以后与植入物的表面粘附。

17396.第17222项的方法，其中所述装置具有涂层，所述涂层在室温下稳定1年的时间。

17397.第17222项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约0.0001％至约1％(按重量计)的量存在于涂层中。

17398.第17222项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约1％至约10％(按重量计)的量存在于涂层中。

17399.第17222项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约10％至约25％(按重量计)的量存在于涂层中。

17400.第17222项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述抗瘢痕形成剂以约25％至约70％(按重量计)的量存在于涂层中。

17401.第17222项的方法，其中所述装置具有涂层，其中所述涂层另外包含聚合物。

17402.第17222项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层。

17403.第17222项的方法，其中所述装置具有含有第一种组合物的第一涂层和含有第二种组合物的第二涂层，其中所述第一种组合物和第二种组合物是不同的。

17404.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物。

17405.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体。

17406.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含共聚物。

17407.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含嵌段共聚物。

17408.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含无规共聚物。

17409.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含生物可降解聚合物。

17410.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非生物可降解聚合物。

17411.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含亲水性聚合物。

17412.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含疏水性聚合物。

17413.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有亲水区域的聚合物。

17414.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含具有疏水区域的聚合物。

17415.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非导电聚合物。

17416.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含高弹体。

17417.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含水凝胶。

17418.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含硅氧烷聚合物。

17419.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含烃类聚合物。

17420.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含苯乙烯衍生的聚合物。

17421.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含丁二烯衍生的聚合物。

17422.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含大分子单体。

17423.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含聚(乙二醇)聚合物。

17424.第17222项的方法，其中所述组合物包含聚合物载体，并且，其中所述聚合物载体包含非晶态聚合物。

17425.第17222项的方法，其中所述装置包含光滑(lubricious)涂层。

17426.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的孔或空穴中。

17427.第17222项的方法，其中所述抗瘢痕形成剂位于装置的通道、腔或divet内。

17428.第17222项的方法，其中所述装置包含第二种药物活性剂。

17429.第17222项的方法，其中所述装置包含消炎剂。

17430.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂。

17431.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是蒽环霉素。

17432.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是多柔比星。

17433.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是米托蒽醌。

17434.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是氟嘧啶。

17435.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是5-氟尿嘧啶(5-FU)。

17436.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是叶酸拮抗剂。

17437.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是甲氨蝶呤。

17438.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是鬼臼毒素。

17439.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是依托泊苷。

17440.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是喜树碱。

17441.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是羟基脲。

17442.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是铂络合物。

17443.第17222项的方法，其中所述装置包含抑制感染的药剂，并且，其中所述药剂是顺铂。

17444.第17222项的方法，其另外含有抗血栓形成剂。

17445.第17222项的方法，其中所述装置包含显影剂。

17446.第17222项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含金属、卤化化合物或含钡化合物。

17447.第17222项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是不透射线的物质，其中所述不透射线的物质包含钡、钽或锝。

17448.第17222项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂是MRI响应性物质。

17449.第17222项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含钆螯合物。

17450.第17222项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含铁、镁、锰、铜或铬。

17451.第17222项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含氧化铁化合物。

17452.第17222项的方法，其中所述装置包含显影剂，其中所述显影剂包含染料、颜料或着色剂。

17453.第17222项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质。

17454.第17222项的方法，其中所述装置含有产生回波的物质，并且，其中所述产生回波的物质呈涂层的形式。

17455.第17222项的方法，其中所述装置是无菌的。

17456.第17222项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中。

17457.第17222项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是结缔组织。

17458.第17222项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是肌肉组织。

17459.第17222项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是神经组织。

17460.第17222项的方法，其中在部署装置后抗瘢痕形成剂被释放到装置附近的组织中，其中所述组织是上皮组织。

17461.第17222项的方法，其中从部署装置的时间至约1年的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

17462.第17222项的方法，其中在约1个月至6个月的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

17463.第17222项的方法，其中在约1-90天的时期内由装置释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

17464.第17222项的方法，其中从所述装置以恒定速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

17465.第17222项的方法，其中从所述装置以渐增的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

17466.第17222项的方法，其中从所述装置以渐减的速率释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

17467.第17222项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过扩散释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

17468.第17222项的方法，其中从部署装置的时间至约90天的时期内从含有抗瘢痕形成剂的组合物通过侵蚀组合物来释放有效浓度的抗瘢痕形成剂。

17469.第17222项的方法，其中所述装置含有约0.01μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

17470.第17222项的方法，其中所述装置含有约10μg至约10mg的抗瘢痕形成剂。

17471.第17222项的方法，其中所述装置含有约10mg至约250mg的抗瘢痕形成剂。

17472.第17222项的方法，其中所述装置含有约250mg至约1000mg的抗瘢痕形成剂。

17473.第17222项的方法，其中所述装置含有约1000mg至约2500mg的抗瘢痕形成剂。

17474.第17222项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有少于0.01μg的抗瘢痕形成剂。

17475.第17222项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约0.01μg至约1μg的抗瘢痕形成剂。

17476.第17222项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1μg至约10μg的抗瘢痕形成剂。

17477.第17222项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约10μg至约250μg的抗瘢痕形成剂。

17478.第17222项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约250μg至约1000μg的抗瘢痕形成剂。

17479.第17222项的方法，其中所述装置的表面在每mm²应用抗瘢痕形成剂的装置表面上含有约1000μg至约2500μg的抗瘢痕形成剂。

17480.第17222项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物直接附加(affixing)到植入物上来完成所述结合。

17481.第17222项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物喷射到植入物上来完成所述结合。

17482.第17222项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物电喷射到植入物上来完成所述结合。

17483.第17222项的方法，其中通过将植入物浸入含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的溶液中来完成所述结合。

17484.第17222项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物共价连接来完成所述结合。

17485.第17222项的方法，其中通过将所述抗瘢痕形成剂或组合物与植入物非共价连接来完成所述结合。

17486.第17222项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

17487.第17222项的方法，其中通过用吸收所述抗瘢痕形成剂的物质涂布所述植入物来完成所述结合。

17488.第17222项的方法，其中通过交织线来完成所述结合，所述线由所述抗瘢痕形成剂或组合物构成或涂布有所述抗瘢痕形成剂或组合物。

17489.第17222项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖全部植入物来完成所述结合。

17490.第17222项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的套覆盖部分植入物来完成所述结合。

17491.第17222项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖全部植入物来完成所述结合。

17492.第17222项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的覆盖物覆盖部分植入物来完成所述结合。

17493.第17222项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖全部植入物来完成所述结合。

17494.第17222项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的静电纺纱织物覆盖部分植入物来完成所述结合。

17495.第17222项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖全部植入物来完成所述结合。

17496.第17222项的方法，其中通过用含有所述抗瘢痕形成剂或组合物的网眼覆盖部分植入物来完成所述结合。

17497.第17222项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成全部植入物来完成所述结合。

17498.第17222项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物构成部分植入物来完成所述结合。

17499.第17222项的方法，其中通过用所述抗瘢痕形成剂或组合物浸透所述植入物来完成所述结合。

17500.第17222项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建全部植入物来完成所述结合。

17501.第17222项的方法，其中通过由释放所述抗瘢痕形成剂的可降解聚合物构建部分植入物来完成所述结合。

17502.第17222项的方法，其中将所述植入物浸入溶液来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

17503.第17222项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

17504.第17222项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

17505.第17222项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂对于所述植入物是惰性的。

17506.第17222项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将冲洗所述植入物。

17507.第17222项的方法，其中通过将植入物浸入溶液中来完成所述结合，其中所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，该溶剂将溶解所述植入物。

17508.第17222项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和对于植入物惰性的溶剂。

17509.第17222项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将冲洗所述植入物。

17510.第17222项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂和溶剂，所述溶剂将溶解所述植入物。

17511.第17222项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂对于植入物是惰性的。

17512.第17222项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将冲洗植入物。

17513.第17222项的方法，其中通过将植入物喷射到溶液中来完成所述结合，所述溶液含有所述抗瘢痕形成剂、聚合物和溶剂，所述溶剂将溶解植入物。

17514.第17222项的方法，其中所述植入物是左心室辅助装置。

17515.第17222项的方法，其中所述植入物是右心室辅助装置。

17516.第17222项的方法，其中所述植入物是两心室辅助装置。

17517.第17222项的方法，其中所述植入物是心脏辅助装置。

在本说明书引用的和/或在申请数据页中列出的所有上述美国专利，美国专利申请出版物，美国专利申请，外国专利，外国专利申请和非专利出版物以其全部内容引入本说明书作为参考。

从上文中可以理解，尽管为了举例说明的目的，本说明书已经描述了本发明的具体实施方案，但是，在不背离本发明的精神和范围的前提下，可以进行各种修改。因此，除了后附权利要求以外，本发明不受任何限制。

Claims (85)

1.一种装置，包含血管内植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

2.一种装置，包含血管移植物或包覆物植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

3.一种装置，包含用于血液透析通路的植入物(即，血液透析通路)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

4.一种装置，包含提供吻合连接的植入物(即，吻合连接器装置)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

5.一种装置，包含心室辅助植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

6.一种装置，包含假体心脏瓣膜植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

7.一种装置，包含下腔静脉滤器植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

8.一种装置，包含腹膜透析导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

9.一种装置，包含可植入的传感器(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

10.一种装置，包含中枢神经系统分流装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

11.一种装置，包含药物传递泵(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

12.一种装置，包含眼内透镜(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

13.一种装置，包含青光眼引流装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

14.一种装置，包含阴茎植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

15.一种装置，其包含气管内管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

16.一种装置，其包含气管造口插管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

17.一种装置，包含胃肠装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

18.一种装置，其包含脊柱植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

19.一种装置，包含美容植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

20.一种装置，其包含压力监测植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

21.一种装置，其包含鼓膜造孔术管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

22.一种装置，其包含提供外科用的粘连屏障的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

23.一种装置，其包含可植入的非血管斯滕特固定模或管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

24.一种装置，包含用于冠状动脉疾病心包治疗的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

25.一种装置，包含电导线植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

26.一种装置，包含神经刺激器植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

27.一种组合物，其包含关节内可注射的组分和抗瘢痕形成剂，其中所述抗瘢痕形成剂抑制在该组合物在已经接受组合物的宿主内所定位的位置的附近的瘢痕形成。

28.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将血管内植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主中，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

29.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将血管移植物或包覆物植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置在动物宿主中，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

30.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将用于血液透析通路的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置在动物宿主中，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

31.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将提供吻合连接的植入物(即，吻合连接器装置)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

32.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将心室辅助植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

33.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将假体心脏瓣膜植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

34.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将下腔静脉滤器植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

35.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将腹膜透析导管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

36.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将可植入的非血管斯滕特固定模或管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

37.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将中枢神经系统分流装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

38.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将药物传递泵(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

39.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将眼内透镜(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

40.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将青光眼引流装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

41.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将阴茎植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

42.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将气管内管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

43.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将气管造口插管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

44.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将胃肠装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

45.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将脊柱植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

46.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将美容植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

47.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将压力监测植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

48.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将鼓膜造孔术管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

49.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将提供外科用的粘连屏障的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

50.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将传感植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

51.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将用于冠状动脉的心包治疗的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

52.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将电导线植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

53.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将神经刺激器植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

54.一种组合物，其包含外科用的粘连屏障组分和抗瘢痕形成剂，其中所述组合物抑制外科粘连的形成，并且，其中所述抗瘢痕形成剂抑制在该组合物在已经接受组合物的宿主内所定位的位置的附近的瘢痕形成。

55.一种制备医用装置的方法，其包括：结合血管内植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

56.一种制备医用装置的方法，其包括：结合血管移植物或包覆物植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

57.一种制备医用装置的方法，其包括：结合用于血液透析通路的植入物(即，血液透析通路)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

58.一种制备医用装置的方法，其包括：结合提供吻合连接的植入物(即，吻合连接器装置)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

59.一种制备医用装置的方法，其包括：结合中央静脉导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

60.一种制备医用装置的方法，其包括：结合假体心脏瓣膜植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

61.一种制备医用装置的方法，其包括：结合下腔静脉滤器植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

62.一种制备医用装置的方法，其包括：结合腹膜透析导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

63.一种制备医用装置的方法，其包括：结合可植入的非血管斯滕特固定模或管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

64.一种制备医用装置的方法，其包括：结合传感植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

65.一种制备医用装置的方法，其包括：结合中枢神经系统分流装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

66.一种制备医用装置的方法，其包括：结合药物传递泵(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

67.一种制备医用装置的方法，其包括：结合眼内透镜(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

68.一种制备医用装置的方法，其包括：结合青光眼引流装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

69.一种制备医用装置的方法，其包括：结合阴茎植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

70.一种制备医用装置的方法，其包括：结合气管内管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

71.一种制备医用装置的方法，其包括：结合气管造口插管(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

72.一种制备医用装置的方法，其包括：结合胃肠装置(即，植入物)和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

73.一种制备医用装置的方法，其包括：结合脊柱植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

74.一种制备医用装置的方法，其包括：结合美容植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

75.一种制备医用装置的方法，其包括：结合压力监测植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

76.一种制备医用装置的方法，其包括：结合鼓膜造孔术管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

77.一种制备医用装置的方法，其包括：结合提供外科用的粘连屏障的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

78.一种制备医用装置的方法，其包括：结合用于冠状动脉疾病的心包治疗的植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

79.一种制备医用装置的方法，其包括：结合电导线植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

80.一种制备医用装置的方法，其包括：结合神经刺激器植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

81.一种制备组合物的方法，所述组合物包含关节内可注射组分和抗瘢痕形成剂，其中所述抗瘢痕形成剂抑制在该组合物在已经接受组合物的宿主内所定位的位置的附近的瘢痕形成。

82.一种制备组合物的方法，所述组合物包含外科用的粘连屏障组分和抗瘢痕形成剂，其中所述组合物抑制外科粘连的形成，并且，其中所述抗瘢痕形成剂抑制在该组合物在已经接受组合物的宿主内所定位的位置的附近的瘢痕形成。

83.一种装置，其包含中央静脉导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

84.一种抑制瘢痕形成的方法，其包含将中央静脉导管植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物放置到动物宿主内，其中所述抗瘢痕形成剂抑制瘢痕形成。

85.一种制备医用装置的方法，其包括：结合心室辅助植入物和抗瘢痕形成剂或含有抗瘢痕形成剂的组合物，其中所述抗瘢痕形成剂抑制装置和植入该装置的宿主之间的瘢痕形成。

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