CN101089649B - 磁场产生装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种磁场产生装置(10)及其制造方法，能够抑制在运输后的磁场强度的降低及磁场均匀性的恶化。该磁场产生装置的制造方法，其特征在于，具有：组装包括R-Fe-B类磁铁的磁场产生装置的第一工序；和以40℃以上70℃以下的温度加温组装了的所述磁场产生装置整体的第二工序。

Description

磁场产生装置的制造方法

(本申请是2003年2月12日提出的申请号为038038919的同名申请的分案申请)

技术领域

本发明涉及磁场产生装置及其制造方法，更为特定地是涉及MRI用磁场产生装置及其制造方法。

背景技术

目前，MRI用的磁场产生装置，在发货前预先充分调整磁场强度及磁场均匀性之后，再用集装箱(container)等运输到设置场所。

可是，有时会发生这样的情况：尽管下了这样的工夫，但在到达放置地点之时，磁场强度降低，或者磁场的均匀性超过基准值而恶化，必须再次调整磁场产生装置。

特别是，使用泄露磁通防止用磁铁减少泄露磁通的同时，使从主磁铁产生的磁通集中到中心部分的磁场产生装置中，该倾向更为显著。而且，在用集装箱包装运输的情况下，或为提高摄像速度最近被广泛使用的磁场强度比较大的(中心磁场强度：0.25T以上)装置中，该倾向明显。

因此，本发明的主要目的在于：提供能够抑制在运输后磁场强度的降低及磁场均匀性的恶化的磁场产生装置及其制造方法。

发明内容

根据本发明的观点，提供一磁场产生装置，其具有形成空隙，被相向配置且包括R-Fe-B类磁铁的一对第一磁铁及支撑一对第一磁铁的磁轭；R-Fe-B类磁铁的磁化率为80％以上99.9％以下。

这里所称“磁化率”为常温(25℃)中的磁化率。

本发明中，通过将R-Fe-B类磁铁(R为含钇(Y)稀土类元素、Fe为铁、B为硼)的最终磁化率抑制在80％以上99.9％以下，可以不损害固有矫顽磁力地抑制因组装了的磁场产生装置的经过时间或者温度上升等环境因素引起的减磁。因此，可以抑制磁场产生装置在运输后磁场强度的降低及磁场均匀度的恶化，磁场产生装置在达到放置场所时可以保持高度的磁场均匀度。

另外，如果R-Fe-B类磁铁的最终磁化率不足80％，那么不能充分发挥该磁铁的磁力特性，磁铁使用量变多，效率变差。另一方面，在该最终的磁化率超过99.9％的状态下如果使用该磁铁，那么，由于运输时的温度变化等，该磁铁的减磁会变大。

本发明适于如下情况：还具有设置于一对第一磁铁相对面一侧的磁极板，磁极板包括环状突起和设置于环状突起的外侧面上设置的泄露磁通防止用第二磁铁。一般地，通过设置泄露磁通防止用的第二磁铁，可以减少泄露磁通，但是，其反面则容易使作为主磁铁的第一磁铁减磁。不过，在本发明中，通过预先抑制第一磁铁包含的R-Fe-B类磁铁的磁化率，即使再设置泄露磁通防止用的第二磁铁，第一磁铁也并不受第二磁铁的影响，可以抑制住磁场产生装置磁场强度的变化及磁场均匀度的恶化。而且，如果组装泄露磁通防止用的第二磁铁之后对磁场产生装置实施加温处理，可以进一步抑制随后的磁场强度的变化或磁场均匀度的恶化。

另外，本发明适于R-Fe-B类磁铁实质上不包含Co及/或Dy的情况。R-Fe-B类磁铁如果不包含钴(Co)及/或镝(Dy)，则固有矫顽磁力变小，易于产生热减磁，对于逆磁场转弱，在各自的情况下磁场强度或磁场均匀度变得容易发生变化。不过，在本发明中，通过预先抑制R-Fe-B类磁铁最终的磁化率，即使使用不含昂贵元素的Co或Dy的磁铁，也能够抑制磁场强度的变化及磁场均匀度的恶化。

另外，在本发明中所谓“实质上不包含”，是指重量比率在0.1wt％以下。

再有，本发明适于所需磁场强度的均匀度为100ppm以内(均匀磁场空间中，空间内的各点对于中心磁场强度(基准磁场强度)具有±50ppm的磁场强度)的情况。在该发明中，因为能够抑制磁场强度的变化或磁场均匀度的恶化，即使在误差要求100ppm以内这样高精度的磁场强度的情况下，也容易将磁场强度的误差抑制在上述范围内。

本发明适于磁场产生装置由集装箱运输的情况。例如用没有空调的集装箱运输磁场产生装置时，由于集装箱内的温度有时上升至70℃左右，故容易招致磁场强度的变化及磁场均匀度的恶化。不过，在本发明中，即使在由这种集装箱运输的情况下，也能够抑制住磁场强度的变化及磁场均匀度的恶化。

另外，本发明适于在均匀磁场空间具有0.25T以上的磁场强度的情况。因为减磁以％单位进行，所以磁场强度越大，磁场强度的变化量就越大。因此，在均匀磁场空间的磁场强度例如有0.25T以上之大的情况下，磁场强度的变化量也变大。不过，在本发明中，即使像这样在磁场强度较大的情况下，也能够抑制磁场强度的变化。

所谓“均匀磁场空间”，指磁场强度的差在100ppm以内的磁场空间。

根据本发明的另一观点，提供一种磁场产生装置的制造方法，其具有：组装包括R-Fe-B类磁铁的磁场产生装置的第一工序及以40℃以上70℃以下的温度加温组装了的磁场产生装置整体的第二工序。

在本发明中，通过使用磁化率超过99.9％的磁铁并在组装了磁场产生装置之后，加温磁场产生装置整体，预先减磁磁场产生装置所包含的磁铁，抑制磁化率。这样，例如即使发生温度上升等环境因素的变化，由磁场产生装置产生的磁场也会长时间稳定，从而可以抑制住磁场产生装置在运输后磁场强度的降低及磁场均匀度的恶化，磁场产生装置在到达放置场所时能够保持高度的磁场精度。

根据本发明的另一观点，提供一种磁场产生装置的制造方法，其具有：将包括R-Fe-B类磁铁的磁铁固定于板状磁轭，组装磁极单元的第一工序、以40℃以上70℃以下的温度加温组装了的磁极单元的第二工序、及将加温了的磁极单元固定于支撑磁轭的第三工序。

在本发明中，通过在组装磁极单元之后加温磁极单元整体，来预先减磁磁极单元所包含的磁铁，抑制磁化率。在使用该磁极单元组装的磁场产生装置中，磁场长时间稳定，可以抑制住磁场产生装置在运输后磁场强度的降低及磁场均匀度的恶化。另外，与加温磁场产生装置整体的情况相比，加温空间狭窄，但足够。

再有，根据本发明的另一观点，提供一种磁场产生装置的制造方法，其具有：形成包括R-Fe-B类磁铁的磁铁的第一工序、以40℃以上70℃以下的温度加温磁铁的第二工序、磁化加温了的磁铁的第三工序、以及将磁化了的磁铁固定于板状磁轭的第四工序。

在本发明中，通过在磁铁阶段加温后进行磁化，来抑制磁铁的磁化率。在使用该磁铁组装的磁场产生装置中，磁场长时间稳定，可以抑制住磁场产生装置在运输后磁场强度的降低及磁场均匀度的恶化。另外，与加温磁场产生装置整体或磁极单元的情况相比，加温空间狭窄也可以，能够使用小型的加温装置。

根据本发明的另一观点，提供一种磁场产生装置的制造方法，其具有：形成包括R-Fe-B类磁铁的磁铁的第一工序、以超过99.9％的磁化率磁化磁铁的第二工序、使磁化了的磁铁减磁至80％以上99.9％以下的磁化率的第三工序、及将减磁了的磁铁固定于板状磁轭的第四工序。

在本发明中，通过以超过99.9％的磁化率磁化磁铁之后进行减磁，来抑制磁铁的磁化率。在使用该磁铁组装的磁场产生装置中，磁场长时间稳定，可以抑制住磁场产生装置在运输后磁场强度的降低及磁场均匀度的恶化。另外，因为根据磁铁的状态能够进行处理，所以作业效率好。

附图说明

图1为表示本发明一实施方式的立体图。

图2为表示图1实施方式关键部位的示意图。

图3为表示用于本发明的永久磁铁组一例子的立体图。

图4为表示用于本发明的磁化装置一例子的示意图。

图5为表示用于本发明的加温装置一例子的示意图。

图6为表示永久磁铁的磁场强度随时间变化的图表。

图7为表示因永久磁铁的磁场强度的温度上升产生变化的图表。

图8(a)表示具有泄露磁通防止用磁铁的磁场产生装置的磁通分布；图8(b)表示没有泄露磁通防止用磁铁的磁场产生装置的磁通分布。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施方式。

参照图1及图2，本方面的一实施方式MRI用磁场产生装置10为开放式的MRI用磁场产生装置，包括形成空隙相对配置的一对磁极单元11a及11b。

磁极单元11a及11b分别具有板状磁轭12a及12b。一对板状磁轭12a及12b各自的相对面一侧配置有永久磁铁组14a及14b，在永久磁铁组14a及14b各自的相对面一侧固定有磁极板16a及16b。

从图3知道，永久磁铁组14a及14b包括长方体状的多个永久磁铁18。永久磁铁18采用了实质上不包含例如NEOMAX-47(住友特殊金属株式会社制)等的Co及/或Dy的高磁通密度型的R-Fe-B类磁铁，例如将常温下的磁化率设定在80％以上99.9％以下。作为一个例子，永久磁铁18如果磁化率在100％时的磁通密度为0.3824T的磁铁，那么会被磁化到磁通密度为0.3820T。永久磁铁18可以通过组装磁铁单体(未图示)来获得。

磁极板16a包括配置于永久磁铁组14a上的例如由铁制成的圆板状的底座20。底座20上形成有用于防止涡电流的产生的硅钢板22。硅钢板22用粘接剂固定在底座20上。底座20的周缘部位，形成有例如由铁制成，用于提高周缘部位的磁场强度，获得均匀磁场的环状突起24。环状突起24包括多个环状突起片26，通过将各环状突起片26固定在硅钢板22的周缘部位而形成环状突起24。

各环状突起24的外侧面上设置有泄露磁通防止用的永久磁铁28。永久磁铁28采用了NEOMAX-39SH(住友特殊金属株式会社制)等的高矫顽磁力型的R-Fe-B类磁铁，例如将常温下的磁化率设定在80％以上99.9％以下。作为一个例子，永久磁铁28如果磁化率在100％时的磁通密度为0.3824T的磁铁，那么会被磁化到磁通密度为0.3820T。永久磁铁28可以通过组装磁铁单体(未图示)来获得。

通过永久磁铁28可以将磁通诱导至磁极板16a、16b间，减少泄露磁通。为了磁通不从永久磁铁28的底部发生泄露，永久磁铁28的下部优选延长至永久磁铁28的底部大约连接在永久磁铁组14a上(接近于5mm以下)。这样，在永久磁铁28与永久磁铁组14a接近的情况下，易产生减磁。关于磁极板16b也是同样的。

如图2所示，下侧的磁极板16a上的永久磁铁28的磁化方向A1与永久磁铁组14a的各永久磁铁18的磁化方向B1不同，朝向内部。其永久磁铁28的磁化角度θ1表示对于永久磁铁组14a的主面30a(水平方向)，永久磁铁28的磁化方向A1构成的角度。上侧的磁极板16b上的永久磁铁28的磁化方向A2与永久磁铁组14b的各永久磁铁18的磁化方向B2不同，朝向外部。其永久磁铁28的磁化角度θ2表示对于永久磁铁组14b的主面30b(水平方向)，永久磁铁28的磁化方向A2构成的角度。

另外，板状磁轭12a及12b上，分别形成有多个贯通孔32a及32b；在永久磁铁组14a及14b上，分别在与贯通孔32a及32b对应的位置形成贯通孔34a及34b。进而，在磁极板16a及16b的各底座20上，分别在与贯通孔34a及34b对应的位置形成有螺丝孔36a及36b。

而且，磁极板固定用的固定螺栓38a插入并通过贯通孔32a及34a，即，通过贯通板状磁轭12a及永久磁铁组14a，并拧入螺丝孔36a，磁极板16a被固定在永久磁铁组14a的主面上。同样地，磁极板固定用的固定螺栓38b插入并通过贯通孔32b及34b，即，通过贯通板状磁轭12b及永久磁铁组14b，并拧入螺丝孔36b，磁极板16b被固定在永久磁铁组14b的主面上。

板状磁轭12a及12b通过一张板状的支撑磁轭40被磁结合起来。即，支撑磁轭40连接在板状磁轭12a及12b上，分别地，板状磁轭12a的一端边缘侧上面位于支撑磁轭40的下端面上，而支撑磁轭40的上端面，位于板状磁轭12b的一端边缘侧下面。因此，板状磁轭12a及12b与支撑磁轭40，其连接部位有大约90度的角度，从侧面看成“コ”状连接着。

参照图1，板状磁轭12a和支撑磁轭40的连接部位内面一侧中，在离永久磁铁组14a最远的位置(此实施方式中板状磁轭12a和支撑磁轭40的连接部位内面一侧的两端)上分别形成有加强构件42。同样地，板状磁轭12b和支撑磁轭40的连接部位内面一侧中，在离永久磁铁组14b最远的位置(此实施方式中板状磁轭12b和支撑磁轭40的连接部位内面一侧的两端)上分别形成有加强构件42。因此，通过加强构件42，板状磁轭12a和支撑磁轭40、板状磁轭12b和支撑磁轭40分别被更强固地固定起来。

另外，在板状磁轭12a的下面，安装有四个脚部44。

在这种磁场产生装置10中，均匀磁场空间F(参照图2)例如要求有0.25T以上的磁场强度。

接下来，说明磁场产生装置10的制造方法。

使用例如如图4所示那样的磁化装置50磁化或者减磁作为主磁铁的永久磁铁18及作为泄露磁通防止用磁铁的永久磁铁28。磁化装置50具有磁化线圈52，配置在载置台54上的永久磁铁18或28插入到磁化线圈52内。磁化电源58通过切换开关56与磁化线圈52连接。因此，磁化装置50通过切换开关56的动作，可以切换磁化和减磁。

另外，使用例如如图5所示的加温装置60加温永久磁铁18及28。加温装置60具有加温槽62，加温槽62内的上部及下部分别设置有加热器64。加热器64通过温度控制装置66得到控制。而且，永久磁铁18及28从加温槽62的入口到出口通过传送带68米搬送。永久磁铁18(28)在加温槽62内被升温。

制造方法1

说明加热磁场产生装置10整体的情况。

首先，组装磁场产生装置10整体。此时，使用例如如图4所示的磁化装置50以超过99.9％的磁化率磁化永久磁铁18及28。这里，所谓的“磁化率超过99.9％的磁化”，是说磁化大约饱和的状态。通常，在施加磁铁的矫顽磁力的3倍以上的磁场时达到该状态。

然后，通过加热器加热能够装下磁场产生装置10的房间，使其整体达到均匀温度，在该房间内装入磁场产生装置10进行加热减磁。磁场产生装置10例如加热到40℃以上70℃以下这样的期望温度。如果在该温度范围内，可以将永久磁铁18或28常温下的磁化率设定在80％以上99.9％以下，根据期望的磁化率设定温度。随后，进行最终磁场调整。

根据该制造方法，组装磁场产生装置10整体后，进行加温处理，将永久磁铁18、28的磁化率抑制在80％以上99.9％以下，通过这样，可以减少随后的因时间经过或温度上升引起的减磁，可以抑制磁场产生装置10在运输后的磁场强度降低以及磁场均匀度的恶化。

特别是，泄露磁通防止用的永久磁铁28使作为主磁铁的永久磁铁18减磁，但是，根据该方法，加温具有永久磁铁18及28的磁场产生装置10，在减磁永久磁铁18及28后，进行最终磁场调整，所以，随后的磁场均匀度的劣化少，可以抑制由泄露磁通防止用的永久磁铁28产生的影响。

因此，磁场产生装置10即使在运输中达到了高温度，在到达放置场所时间点上，仍可保持高磁场均匀度。

而且，为加温磁场产生装置10，预先将加热器埋入板状磁轭12a及12b等中，这样，也可以使磁场产生装置10从内部升温。这种情况下，优选用海绵等隔热材料覆盖磁场产生装置10整体。

制造方法2

关于加温磁极单元11a的情况说明如下。

首先，组装磁极单元11a。此时，使用例如如图4所示的磁化装置50以超过99.9％的磁化率磁化永久磁铁18及28。

然后，通过加热器加热能够装下磁极单元11a的房间，使其整体达到均匀温度，在该房间内装入磁极单元11a进行加热减磁。磁极单元11a与前面制造方法1同样，根据期望的磁化率(从80％以上99.9％以下中选择)，例如加热到40℃以上70℃以下温度。关于磁极单元11b，进行同样处理。

随后，将磁极单元11a、11b固定于支撑磁轭40，得到磁场产生装置10后，在工厂发货前最终进行磁场均匀度的调整。

根据该制造方法，通过加温处理组装后的磁极单元11a、11b，可以抑制使用了磁极单元11a、11b的磁场产生装置在运输后的磁场强度的降低以及磁场均匀度的恶化。特别是，泄露磁通防止用的永久磁通28易于给作为主磁铁的永久磁铁18以影响，但是，根据该方法，加温具有永久磁铁18及28的磁极单元，在减磁永久磁铁18及28之后，进行最终磁场调整，所以，随后的磁场均匀度的恶化少，也可以抑制泄露磁通防止用的永久磁通28造成的影响。另外，与组装磁场产生装置10整体后加温的情况相比，加温空间狭窄也可以。

制造方法3

关于组装永久磁铁18，在升温之后磁化的情况说明如下。

在该情况，组装永久磁铁18后，粘接在板状磁轭12a及12b上之前进行以下工序。

首先，将永久磁铁18放入例如图5所示的加温装置60的加温槽62内，加温至永久磁铁18整体达到均匀例如60℃温度。而且，永久磁铁18能够以例如40℃以上70℃以下这样的期望温度加温。从加温槽62中取出被加温了的永久磁铁18，用例如图4所示的磁化装置50对永久磁铁18瞬间地施加高磁场(3T以上)，以80％以上99.9％以下的磁化率磁化永久磁铁18。因为高温时比低温时磁化率降低，所以，在高温状态下磁化永久磁铁18，结果与在磁化后热减磁永久磁铁18(参照后述的制造方法5)是一样的。

关于永久磁铁28，也进行同样处理。

随后，将永久磁铁18及28固定于板状磁轭12a、12b上，组装磁场产生装置10。

根据该制造方法获得的使用了永久磁铁18及28的磁场产生装置10，可以抑制在运输后磁场强度的降低以及磁场均匀度的恶化。另外，比起加温磁场产生装置10整体或磁极单元11a、11b的情况，加温空间也可以狭小，可以使用小型的加温装置60。

另外，永久磁铁一旦磁化，磁力就起作用，吸引力和抵抗力相互作用，所以将加温了的永久磁铁固定在板状磁轭12a、12b上的部分按顺序磁化、使用，从安全面上为优选。

制造方法4

关于组装永久磁铁18，在磁化了之后施加逆磁场进行减磁的情况，说明如下。

在该情况，组装永久磁铁18后，粘接在板状磁轭12a、12b上之前进行以下工序。

首先，对永久磁铁18瞬间地施加高磁场(3T以上)，以超过99.9％的磁化率磁化之后，对被磁化了的永久磁铁18施加逆磁场(0.01T～2T)使其减磁，将磁化率抑制在80％以上99.9％以下。永久磁铁18的磁化及减磁，例如使用图4所示的磁化装置50进行。

关于永久磁铁28，也进行同样处理。

随后，将永久磁铁18及28固定于板状磁轭12a、12b上，组装磁场产生装置10。

根据该制造方法获得的使用了永久磁铁18及28的磁场产生装置10，可以抑制在运输后磁场强度的降低以及磁场均匀度的恶化。另外，根据该方法，因为不是加温引起的减磁，所以，可以在短时间内结束，工作效率高。

制造方法5

关于组装永久磁铁18，在磁化了之后进行减磁的情况，说明如下。

在该情况，组装永久磁铁18后，粘接在板状磁轭12a、12b上之前进行以下工序。

首先，对永久磁铁18，使用例如图4所示的磁化装置50瞬间地施加高磁场(3T以上)，以超过99.9％的磁化率磁化。将被磁化了的永久磁铁18装入设置了加热器的炉子(40℃～70℃)内，使其热减磁，将磁化率抑制在80％以上99.9％以下。

关于永久磁铁28，也进行同样处理。

将永久磁铁18及28固定于板状磁轭12a、12b上，组装磁场产生装置10。

根据该制造方法获得的使用了永久磁铁18及28的磁场产生装置10，可以抑制在运输后磁场强度的降低以及磁场均匀度的恶化。

另外，作为上述制造方法以外的方法，也可以在与原来磁化方向相反的方向上将永久磁铁稍微磁化之后，进行本磁化从而获得期望的磁化率。在该情况下，相反方向的磁化率越大，越必须将随后的正方向的磁化磁场加大。

再者，作为减磁的方法，也可以对磁场产生装置10整体或磁极单元11a、11b实施逆磁场减磁。

附带地，参照图6就关于永久磁铁的一实验例子进行说明。

这里，作为永久磁铁使用NEOMAX-47，关于加温处理(100％磁化后在50℃维持24小时)永久磁铁的情况和不加温处理的情况，比较磁场强度的随时间变化。

加温处理过的永久磁铁的磁化率设定为99％，未加温处理过的永久磁铁的磁化率设定为100％。而且，在实验中，永久磁铁无逆磁场，温度保持在32℃。

从图6可知，加温处理过的情况比未加温处理的情况，可以大幅度减小磁场强度的变化率。

下面，参照图7说明其它实验例子。

这里，作为永久磁铁使用NEOMAX-47，关于将永久磁铁55℃加温处理的情况和进行逆磁场减磁处理的情况、加温处理以及逆磁场减磁处理都不进行的情况，比较磁场强度对于温度上升的变化。

“55℃加温处理”：将永久磁铁100％磁化后在55℃保持两个小时，磁化率定为99.9％。“逆磁场减磁处理”：将永久磁铁100％磁化后，为表面磁场强度与55℃加温处理的情况达到同等，一边提高逆磁场一边减磁。

从图7可知，55℃加温处理的情况及逆磁场减磁处理的情况，比起不进行这些处理的情况，磁场强度相对于温度上升的变化率大幅度减小。

再有，55℃加温处理的情况比起逆磁场减磁处理的情况，磁场强度相对于温度上升的变化率减小。这是因为加温处理对于永久磁铁整体均匀地起作用，但是逆磁场减磁处理难以使逆磁场进行的减磁相对于永久磁铁均匀地起作用。

从图6及图7的结果可知，如果将加温处理或逆磁场减磁处理后的永久磁铁作为主磁铁及/或泄露磁通防止用磁铁使用，就可以抑制因主磁铁或泄露磁通防止用磁铁的经过时间变化或温度上升产生的减磁，可以抑制组装磁场产生装置后的磁场强度的变化或磁场均匀度的降低。

另外，图8表示磁场产生装置的磁通分布。

图8(a)表示具有泄露磁通防止用磁铁的磁场产生装置的磁通分布；图8(b)表示没有泄露磁通防止用磁铁的磁场产生装置的磁通分布。图8(a)的情况下的中心磁场强度为0.262T；图8(b)的情况下的中心磁场强度为0.215T。

比较图8(a)和图8(b)可知，在使用泄露磁通防止用磁铁的情况下，将磁通诱导至磁极板间，另一方面，泄露磁通防止用磁铁外侧的变稀疏。换言之，可以说泄露磁通防止用磁铁和永久磁铁组互相抵触，处于易于减磁的状态。因此，在使用了泄露磁通防止用磁铁的磁场产生装置中，通过温度上升，磁场强度或其分布变得更加易于变化。所以，如果将本发明用于使用了泄露磁通防止用磁铁的磁场产生装置中，可以起到抑制磁场均匀度的劣化的明显效果。

另外，用于永久磁铁18或28的R-Fe-B类磁铁，比起铁氧磁铁或Sm-Co磁铁，在比较低的温度下热减磁易于产生，但是如上述实施方式，通过预先抑制R-Fe-B类磁铁的磁化率，可以抑制住热减磁。

在要求永久磁铁18有高残留磁通密度的情况下，如上所述，使用实质上不包含Co的三元系R-Fe-B类磁铁。该情况下，比起含有Co的永久磁铁，由于热减磁变大，故采用上述的实施方式的效果大。另外，在使用实质上不包含Dy的磁铁的情况下，采用上述的实施方式的效果也大。

并且，因为能够抑制磁场强度的变化或磁场均匀度的恶化，所以，在空隙中，即使在需要均匀磁场空间F即磁场强度的误差在100ppm以内的磁场空间的情况下，也易于将磁场强度的误差抑制在上述范围内。

再有，即使在例如通过空调不充分的集装箱运输磁场产生装置的情况下，也能够抑制磁场强度的变化及磁场均匀度的恶化。

而且，即使在均匀磁场空间F的磁场强度例如大至0.25T以上，变化量容易增大的情况下，也能够抑制住磁场强度的变化。

本发明虽然被详细说明，并且图示出来，但是那是作为简单的图解及一实例使用的，不应被理解为仅限定于此是明显的。本发明的精神及范围仅通过附加的权利要求的范围中的内容来限定。

Claims (3)

1.一种磁场产生装置的制造方法，其特征在于，具有：

以超过99.9％的磁化率磁化R-Fe-B类磁铁的第一工序；

组装包括被磁化后的所述磁铁的磁场产生装置的第二工序；和

以40℃以上70℃以下的温度加温组装了的所述磁场产生装置整体的第三工序。

2.一种磁场产生装置的制造方法，其特征在于，具有：

以超过99.9％的磁化率磁化R-Fe-B类磁铁的第一工序；

将被磁化后的所述磁铁固定于板状磁轭，组装磁极单元的第二工序；

以40℃以上70℃以下的温度加温组装了的所述磁极单元的第三工序；及

将加温了的所述磁极单元固定于支撑磁轭的第四工序。

3.一种磁场产生装置的制造方法，其特征在于，具有：

形成包括R-Fe-B类磁铁的磁铁的第一工序；

以40℃以上70℃以下的温度加温所述磁铁的第二工序；

磁化加温了的所述磁铁的第三工序；及

将磁化了的所述磁铁固定于板状磁轭的第四工序。

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