CN101079576B - 用于提供对电源调节器的开关的系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于提供对电源调节器的开关的系统与方法。根据实施例，本发明提供了一种用于提供开关的系统。该系统包括被配置为提供第一电压的第一电压源。该系统还包括被配置为提供第二电压的第二电压源。第二电压不依赖于第一电压。该系统还包括电耦合到第一电压源的控制器组件。例如，控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供至少第一输出信号。此外，该系统包括电耦合到第二电压源的栅极驱动器组件。栅极驱动器组件被配置为接收至少第一输出信号并且响应于至少第二电压和第一输出信号而产生第二输出信号。

Description

用于提供对电源调节器的开关的系统
技术领域
本发明涉及集成电路。更具体地说，本发明可以适用于用于开关模式电源的控制器。根据多个实施例，本发明提供了利用不同类型的晶体管实现的集成电源开关。仅仅作为示例，本发明可以被用在开关模式电源变换系统中，所述开关模式电源变换系统包括离线逆向变换器和正向变换器等。然而应该认识到本发明具有更加广泛的可应用性。
背景技术
电源变换器被广泛应用于多种应用中，例如向便携式消费类电子设备提供电力。电源变换器可以将电源从一种形式转换到另一种形式。作为示例，电源被从交流(AC)变换成直流(DC)、从DC变换成AC、从AC变换成AC或者从DC变换成DC。此外，电源变换器可以将电源从一个电平转换到另一个电平。
在过去，已经开发了多种类型的电源变换器。例如，传统上线性调节器被用于电源变换器。线性调节器是基于工作在其“线性区域”中的有源器件(例如双极结晶体管、场效应晶体管或真空管)或工作在其击穿区域的无源器件(例如齐纳二极管)的电压调节器。调节器件被制成起到如同可变电阻器的作用。尽管线性调节器已经被使用了许多年，但是它们的功率效率经常不适用于便携式电子设备。例如，由于低功率效率，所以线性调节器经常浪费大量能量并且对于便携式设备产生过多热量。
随着集成电路的出现，开关模式电源已被发明并被用于多种应用。开关模式电源典型地是利用开关调节器实现的，开关调节器是用来快速开关负载电流以便稳定输出电压的内部控制电路。对于某些应用，开关模式电源使用脉宽调制(PWM)或脉冲频率调制(PFM)机制。这些机制通常是利用包括多种保护组件的开关模式控制器来实现的。
在开关电源变换系统中，多种类型的晶体管被用来实现电源开关元件。例如，已经使用了功率MOSFET、功率双极晶体管(BJT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)或者其它类型的晶体管。通常，电源开关元件由PWM、PFM或其它类型的控制信号控制，并且基于来自输出的反馈而被调节。例如，逆向配置被用来实现反馈系统。输出电压和/或电流是通过取样输出电压或电流并且将对应的控制信号应用于电源开关元件而被调整的。
图1是利用PWM反馈配置实现的简化的传统开关模式变换器。此图仅仅是示例，其不应不必要地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到很多变化、替代和修改形式。开关模式变换器100包括OCP比较器110、PWM控制器组件120、栅极驱动器130、电源开关140、电阻器150、152、154和156、以及初级绕组160。例如，OCP比较器110、PWM控制器组件120和栅极驱动器130是用于PWM控制的芯片180的部件。当初级绕组的电流大于极限水平时，PWM控制器组件120断开电源开关140并且关掉开关模式电源变换器100。
在工作期间，PWM控制器组件120被用来控制和驱动电源开关140，电源开关140接通和断开以控制输送到次级侧中的负载的功率。例如，电源开关140是功率MOSFET。通常，单独的PWM控制器模块和功率MOSFET被广泛使用。
如上所述，诸如图1中所示的传统开关模式变换器的开关调节器具有胜过线性调节器的多种优点。然而，对于多种应用，传统开关模式变换器通常不适合。例如，开关调节器典型地更为复杂并且更加昂贵，它们的开关电流如果没有被小心抑制的话，可能产生噪声问题，并且简单的设计可能具有较差的功率因数。
因此，期望提出一种用于开关电源变换系统的改进系统与方法。
发明内容
本发明涉及集成电路。更具体地说，本发明可以适用于用于开关模式电源的控制器。根据多个实施例，本发明提供了利用不同类型的晶体管实现的集成电源开关。仅仅作为示例，本发明可以被用在开关模式电源变换系统中，所述开关模式电源变换系统包括离线逆向变换器和正向变换器等。然而应该认识到本发明具有更加广泛的可应用性。
根据实施例，本发明提供了一种用于提供开关的系统。该系统包括第一电压源，被配置为提供第一电压。该系统还包括第二电压源，被配置为提供第二电压。根据该实施例，第二电压不依赖于第一电压。该系统还包括控制器组件，控制器组件电耦合到第一电压源。例如，控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供至少第一输出信号。此外，该系统包括栅极驱动器组件，栅极驱动器组件电耦合到第二电压源。栅极驱动器组件被配置为接收至少第一输出信号并且响应于至少第二电压和第一输出信号而产生第二输出信号。此外，该系统包括开关，所述开关被配置为接收第二输出信号以及响应于第二输出信号在第一状态和第二状态之间改变。
根据另一实施例，本发明提供了一种用于提供开关的系统。该系统包括第一电压源，被配置为提供第一电压。该系统还包括第一阻抗，第一阻抗可由第一阻抗值表征。该系统还包括第二阻抗，第二阻抗可由第二阻抗值表征。该系统还包括控制器组件，控制器组件电耦合到第一电压源。例如，控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供第一输出信号和第二输出信号。此外，该系统包括栅极驱动器组件，栅极驱动器组件包括第一晶体管和第二晶体管。栅极驱动器组件被配置为接收第一输出信号和第二输出信号，并且响应于至少第一输出信号和第二输出信号而产生第三输出信号。而且，该系统包括开关，开关被配置为接收第三输出信号，并且响应于第三输出信号在第一状态和第二状态之间改变。第一晶体管包括第一终端、第二终端和第三终端。第二晶体管包括第四终端、第五终端和第六终端。第一终端电耦合到第一阻抗。第二终端被配置为接收第一输出信号。第三终端电耦合到第四终端。第五终端被配置为接收第二输出信号。第六终端电耦合到第二阻抗。第三输出信号与和第三终端及第四终端有关的电压相关联。
根据又一实施例，本发明提供了一种用于提供开关的系统。该系统包括第一电压源，被配置为提供第一电压。该系统还包括阻抗，所述阻抗可由阻抗值表征。阻抗包括电阻器和电容器，所述电阻器和电容器并联连接。该系统还包括控制器组件，控制器组件电耦合到第一电压源。控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供第一输出信号和第二输出信号。该系统还包括栅极驱动器组件，栅极驱动器组件包括第一晶体管和第二晶体管。栅极驱动器组件被配置为接收第一输出信号和第二输出信号，并且响应于至少第一输出信号和第二输出信号而产生第三输出信号。该系统还包括开关，开关被配置为接收第三输出信号，并且响应于第三输出信号在第一状态和第二状态之间改变。第一晶体管包括第一终端、第二终端和第三终端。第二晶体管包括第四终端、第五终端和第六终端。第一终端电耦合到所述阻抗。第二终端被配置为接收第一输出信号。第三终端电耦合到第四终端。第五终端被配置为接收第二输出信号。第三输出信号与和第三终端及第四终端有关的电压相关联。
根据又一实施例，本发明提供了一种用于提供开关的系统。该系统包括集成电路封装件。该集成电路封装件包括被配置为接收第一电压的第一终端。该封装件还包括第二终端，第二终端被配置为接收第二电压并且不依赖于第一终端。该封装件还包括电耦合到第一电压终端的控制器组件。控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供第一输出信号。该封装件还包括电耦合到第二电压终端的栅极驱动器组件。栅极驱动器组件被配置为接收第一输出信号并且响应于第二电压和第一输出信号而产生第二输出信号。该封装件还包括开关，所述开关被配置为接收第二输出信号，并且响应于第二输出信号在第一状态和第二状态之间改变。
应当认识到本发明提供了众多优点。根据多个实施例，本发明提供了用于降低开关器件功耗和有害EMI的方案。更具体地说，本发明在电源系统的设计与实现方面提供了更高灵活度。根据多个实施例，本发明提供了调节电源开关效率和响应时间的能力。例如，本发明可以方便地利用集成开关模式电源变换器设计来实现。根据实施例，本发明还可以在开关模式电源变换器设计中实现，其中电源控制器和电源开关被实现在单独的芯片上。还存在其它的益处。
参考下面的详细描述和附图，可以更加充分地了解本发明的各种其他目的、特征和优点。
附图说明
图1是利用PWM反馈配置实现的简化的传统开关模式变换器。
图2是简化的传统集成开关模式变换器。
图3是图示出传统集成电源开关中使用的传统栅极驱动器的简化示图。
图4是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。
图5是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。
图6是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。
图7是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。
图8是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。
图9是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。
图10是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。
图11是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。
具体实施方式
本发明涉及集成电路。更具体地说，本发明可以适用于用于开关模式电源的控制器。根据多个实施例，本发明提供了利用不同类型的晶体管实现的集成电源开关。仅仅作为示例，本发明可以被用在开关模式电源变换系统中，所述开关模式电源变换系统包括离线逆向变换器和正向变换器等。然而应该认识到本发明具有更加广泛的可应用性。
如上所述，传统开关模式变换器通常不适用。例如，开关调节器典型地更为复杂并且更加昂贵，它们的开关电流如果没有被小心抑制则可能产生噪声问题，并且简单的设计可能具有较差的功率因数。
数年来，随着集成电路的发展，已经对集成开关电源和PWM控制器模块进行了多种尝试。图2是简化的传统集成开关模式变换器。该图仅仅是示例，其不应当不必要地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到很多变化、替代和修改形式。被实现在单芯片上的集成开关模式变换器200包括OCP比较器210、PWM控制器组件220、栅极驱动器230和电源开关240等。当初级绕组260的电流大于极限水平时，PWM控制器组件220断开电源开关240，并且关掉开关模式电源变换器200。
诸如集成开关模式变换器200的集成器件提供了多个优点。例如，集成通常实现更低的成本以及改进的可靠性，因为集成系统中需要数目更少的组件。然而，先前对提供集成电源方案的努力存在不足。通常，传统集成电源方案没有提供电源变换系统的设计的足够的灵活性。结果，传统的集成电源方案通常具有低电源效率，这引起过多的功耗和电磁干扰(EMI)。例如，快速接通和断开引起高电压尖脉冲，该电压尖脉冲在使用的器件或元件上施加高电压压力。高于额定电压的电压尖脉冲引起器件的损坏。因此，对于具体的电源变换应用，优化用于确定功率MOSFET接通和断开过程的栅极驱动器是非常有益的。
目前，其中集成了PWM控制器模块和电源开关的传统集成方案没有提供调节栅极驱动性能的能力。结果，与非集成的电源开关相比，传统集成电源开关通常是利用具有更高额定电压的组件实现的。例如，由于组件的较高额定电压，所以利用传统集成电源开关的器件常常不能满足各种EMI要求。应当认识到，根据多个实施例，本发明提供了使栅极驱动性能可调节的多种集成电源方案。
典型地，传统电源开关(例如图2中示出的集成开关模式变换器200)的性能与来自栅极驱动器230的驱动信号的输出有关。例如，驱动信号231的上升时间和下降时间影响在终端漏极上产生的电压尖脉冲和电源变换系统的EMI。
图3是图示出传统集成电源开关中使用的传统栅极驱动器的简化不图。该图仅仅是示例，其不应当不必要地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到很多变化、替代和修改形式。被实现在单芯片上的传统集成开关模式变换器300包括PWM控制器组件310、栅极驱动器305和电源开关350等。栅极驱动器305是利用两个功率MOSFET MH 320和ML 340实现的。MH 320接收来自PWM控制器组件310的输入321。ML340接收来自PWM控制器组件310的输入322。PWM控制器组件310被配置为提供互补输入到MH 320和ML 340。例如，当输入321接通时，输入322断开；当输入321断开时，输入322接通。此外，MH 320连接到电压源Vcc 330，电压源Vcc 330还连接到PWM控制器组件310。
当晶体管MH 320接通且ML 340断开时，由流经MH 320的电流引起驱动信号351处于高状态。驱动信号351的高状态对电源开关350的栅极电容充电。当驱动信号351具有比电源开关350的阈值电压更高的电压时，电源开关350被接通。一旦电源开关350被接通，电流就流过初级绕组360，并且使能量被存储在初级绕组60中。
当MH 320断开且ML 340接通时，驱动信号351处于低状态，其引起电源开关350处的栅极电荷通过ML 340放电。当驱动信号351的电压低于电源开关350的阈值电压时，电源开关350被断开，并且存储在初级绕组60中的能量被传送到次级侧，并且通常对电容器放电。
通常，电源开关的性能和效率与由驱动信号的上升和下降时间表征的响应时间有关。对于传统集成开关模式变换器300，驱动信号351的上升时间和下降时间由MH 320和ML 340确定。典型地，电源开关350的快速开关导致高电压尖脉冲，高电压尖脉冲会引起电源开关350和其它组件的损坏。此外，高电压尖脉冲常常导致电源变换系统中的大EMI。
如上所述，由于驱动信号的响应时间如此重要，所以期望能够控制和修改响应时间。典型地，传统集成开关模式变换器具有固定的响应时间，其与内置的PWM控制器模块和电源开关有关。结果，传统集成开关模式变换器的使用者不能根据具体应用来调节响应时间。这种调节传统集成开关模式变换器的不灵活性常常引起不良影响(如上所述)，例如对系统组件的损坏、有害的EMI等。
因此，应当意识到，根据多个实施例，本发明为使用者提供了调节集成开关模式变换器的多种属性的能力等。
图4是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。该图仅仅是示例，其不应当不必要地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到很多变化、替代和修改形式。电源系统400包括集成开关模式变换器480，集成开关模式变换器480耦合到初级绕组460。例如，集成开关模式变换器480是在单芯片中实现的。集成开关模式变换器480包括下述组件：
.放大器421；
.PWM控制器组件420；
.OCP比较器410；
.栅极驱动器430；和
.电源开关440。
如图4所示，电源开关440是利用n型功率MOSFET实现的。取决于应用，电源开关440可以利用其它类型的组件实现，例如BJT、IGBT等。电源开关440的终端461电连接到PWM控制器组件以提供反馈信号。例如，PWM控制器组件420包括逻辑模块。
根据实施例，PWM控制器组件420和栅极驱动器430由单独的电源供电。例如电源可以是AC电源、DC电源等。典型地，电源不是电源开关的一部分，并且经由标准电源连接引脚连接到电源开关。PWM控制器组件420由电源VCC 422供电。栅极驱动器430由电源VCC_G 431供电。例如，电源VCC_G 431可以被调节以允许用户调节驱动信号435，驱动信号435接着确定电源开关440的响应时间。例如，VCC_G 431的增加引起驱动信号435的电压增加，这降低了电源开关440的上升时间和下降时间。另一方面，VCC_G 431的降低引起驱动信号435的电压降低，这增加了电源开关440的上升时间和下降时间。
应当认识到，本发明根据应用提供了多种设计灵活度。图5是图示出根据本发明另一实施例的集成开关模式变换器的简化示图。该图仅仅是示例，其不应当不必要地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到很多变化、替代和修改形式。电源系统500包括集成开关模式变换器580，集成开关模式变换器580耦合到初级绕组560。例如，集成开关模式变换器580是在单芯片中实现的。集成开关模式变换器580包括下述组件：
.放大器521；
.PWM控制器组件520；
.OCP比较器50；
.栅极驱动器530；和
.电源开关540。
如图5所示，电源开关540是利用n型功率MOSFET实现的。取决于应用，电源开关540可以利用其它类型的组件实现，例如BJT、IGBT等。电源开关540的终端545电连接到PWM控制器520组件以提供反馈信号。电源开关540的终端561电连接到初级绕组560。
根据实施例，PWM控制器组件520和栅极驱动器530由单独的电源供电。例如电源可以是AC电源、DC电源等。典型地，电源不是电源开关的一部分，并且经由标准电源连接引脚连接到电源开关。PWM控制器组件520由电源VCC 522供电。栅极驱动器530由电源VCC_G 531供电。例如，电源VCC_G 531可以被调节以允许用户调节驱动信号535，驱动信号535接着确定电源开关540的响应时间。例如，VCC_G 531的增加引起驱动信号535的电压增加，这降低了电源开关540的上升时间和下降时间。另一方面，VCC_G 531的降低引起驱动信号535的电压降低，这增加了电源开关540的上升时间和下降时间。
根据实施例，本发明提供了一种用于提供开关的系统。该系统包括第一电压源，被配置为提供第一电压。该系统还包括第二电压源，被配置为提供第二电压。根据该实施例，第二电压不依赖于第一电压。该系统还包括控制器组件，控制器组件电耦合到第一电压源。例如，控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供至少第一输出信号。此外，该系统包括栅极驱动器组件，栅极驱动器组件电耦合到第二电压源。栅极驱动器组件被配置为接收至少第一输出信号并且响应于至少第二电压和第一输出信号而产生第二输出信号。此外，该系统包括开关，所述开关被配置为接收第二输出信号以及响应于第二输出信号在第一状态和第二状态之间改变。例如，该实施例是根据图4和图5示出的。
应当认识到，根据多个实施例，本发明提供了允许调节工作电源的多种机制。图6是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。该图仅仅是示例，其不应当不必要地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到很多变化、替代和修改形式。
电源系统600包括集成开关模式变换器680，集成开关模式变换器680耦合到初级绕组560。例如，集成开关模式变换器680是在单芯片中实现的。电源系统600还包括阻抗606和607。取决于应用，阻抗606和607可以由多种类型的电组件实现，例如电阻器、电容器、晶体管或它们的组合。例如，阻抗606和607是电阻器。应当认识到，阻抗606和607的值可以根据应用而被调节。对于某个应用，阻抗606和607的值可以是零。
集成开关模式变换器680包括下述组件：
.放大器621；
.PWM控制器组件620；
.OCP比较器610；
.栅极驱动器630；和
.电源开关640。
取决于应用，集成开关模式变换器680可以包括其它组件，例如放大器、电阻器、电容器等。如图6所示，电源开关640是利用n型功率MOSFET实现的。取决于应用，电源开关640可以利用其它类型的组件实现，例如BJT、IGBT等。电源开关640的终端645电连接到PWM控制器620组件以提供反馈信号。电源开关640的终端661电连接到初级绕组660。
栅极驱动器630是利用两个功率MOSFET MH 632和ML 633实现的。MH 632接收来自PWM控制器组件620的输入624。ML 633接收来自PWM控制器组件620的输入625。PWM控制器组件620被配置为提供互补输入到MH 632和ML 633。例如，当输入624接通时，输入625断开；当输入624断开时，输入625接通。根据实施例，PWM控制器组件包括提供互补输入624和625的逻辑模块。此外，MH 632连接到电压源VCC_G 631。
电压源VCC_G 631的电压由阻抗606部分地确定，阻抗606连接到电压源VDD 609。例如，阻抗606的大阻抗值将在电压源VCC_G 631和电压源VDD 609之间产生大电压差，从而降低VCC_G 631的电压。另一方面，阻抗606的小阻抗值将在电压源VCC_G 631和电压源VDD 609之间产生小电压差，从而产生电压源VCC_G 631的相对较高的电压。电压源VCC_G 631的电压影响驱动信号635的上升时间等。例如，阻抗606的较高值引起电压源VCC_G 631处的较低电压、驱动信号635的较长上升时间、以及电源开关640的较慢接通。另一方面，阻抗606的较低值引起电压源VCC_G 631处的较高电压、驱动信号635的较短上升时间、以及电源开关640的较快接通。
作为示例，多个电压源(例如，VCC、VDD、VCC_G)是利用电源实现的，所述电源例如是AC电源、DC电源等。典型地，电源不是电源开关的一部分，并且经由标准连接引脚被连接到电源开关。
晶体管ML 633电连接到电源开关640，并且允许能量从电源开关640释放。源极终端634电连接到阻抗607。阻抗607的值影响驱动信号635的下降时间(即，能量通过阻抗607可以多快被消散到地)。驱动信号635的下降时间影响电源开关640可以多快被断开。例如，阻抗607的高阻抗值导致长下降时间以及电源开关640的较慢断开。另一方面，阻抗607的低阻抗值导致短下降时间以及电源开关640的较快断开。
图7是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。该图仅仅是示例，其不应当不必要地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到很多变化、替代和修改形式。
电源系统700包括集成开关模式变换器780、电源开关740和初级绕组760。开关模式变换器780电连接到电源开关740。例如，集成开关模式变换器780和电源开关740是在两个单独的芯片上实现的。电源系统700还包括阻抗706和707。取决于应用，阻抗706和707可以由多种类型的电组件实现，例如电阻器、电容器、晶体管或它们的组合。例如，阻抗706和707是电阻器。应当认识到，阻抗706和707的值可以根据应用而被调节。对于某个应用，阻抗706和707的值可以是零。
集成开关模式变换器780包括下述组件：
.放大器721；
.PWM控制器组件720；
.OCP比较器710；和
.栅极驱动器730。
取决于应用，集成开关模式变换器780可以包括其它组件，例如放大器、电阻器、电容器等。如图7所示，电源开关740是利用n型功率MOSFET实现的。取决于应用，电源开关740可以利用其它类型的组件实现，例如BJT、IGBT等。电源开关740的终端745电连接到PWM控制器720组件以提供反馈信号。电源开关740的终端761电连接到初级绕组760。
栅极驱动器730是利用两个功率MOSFET MH 732和ML 733实现的。MH 732接收来自PWM控制器组件720的输入724。ML 733接收来自PWM控制器组件720的输入725。PWM控制器组件720被配置为提供互补输入到MH 732和ML 733。例如，当输入724接通时，输入725断开；当输入724断开时，输入725接通。根据实施例，PWM控制器组件包括提供互补输入724和725的逻辑模块。此外，MH 732连接到电压源VCC_G 731。
电压源VCC_G 731的电压由阻抗706部分地确定，阻抗706连接到电压源VDD 709。例如，阻抗706的大阻抗值将在电压源VCC_G 731和电压源VDD 709之间产生大电压差，从而降低VCC_G 731的电压。另一方面，阻抗706的小阻抗值将在电压源VCC_G 731和电压源VDD 709之间产生小电压差，从而产生电压源VCC_G 731的相对较高的电压。电压源VCC_G 731的电压影响驱动信号735的上升时间等。例如，阻抗706的较高值引起电压源VCC_G 731处的较低电压、驱动信号735的较长上升时间、以及电源开关740的较慢接通。另一方面，阻抗706的较低值引起电压源VCC_G 731处的较高电压、驱动信号735的较短上升时间、以及电源开关740的较快接通。
作为示例，多个电压源(例如，VCC、VDD、VCC_G)是利用电源实现的，所述电源例如是AC电源、DC电源等。典型地，电源不是电源开关的一部分，并且经由标准连接引脚被连接到电源开关。
晶体管ML 733电连接到电源开关740，并且允许能量从电源开关740释放。源极终端734电连接到阻抗707。阻抗707的值影响驱动信号735的下降时间(即，能量通过阻抗707可以多快被消散到地)。驱动信号735的下降时间影响电源开关740可以多快被断开。例如，阻抗707的高阻抗值导致长下降时间以及电源开关740的较慢断开。另一方面，阻抗707的低阻抗值导致短下降时间以及电源开关740的较快断开。
图8是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。该图仅仅是示例，其不应当不必要地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到很多变化、替代和修改形式。
电源系统800包括集成开关模式变换器880，集成开关模式变换器880耦合到初级绕组860。例如，集成开关模式变换器880是在单芯片中实现的。电源系统800还包括电阻器806和807。应当认识到，电阻器806和807的值可以根据应用而被调节。根据实施例，电阻器806和807是可变电阻器，例如电位计、变阻器、金属氧化物变阻器、热变电阻器、热敏电阻器等。对于某个应用，电阻器806和807的值可以是零。
集成开关模式变换器880包括下述组件：
.放大器821；
.PWM控制器组件820；
.OCP比较器810；
.栅极驱动器830；和
.电源开关840。
取决于应用，集成开关模式变换器880可以包括其它组件，例如放大器、电阻器、电容器等。如图8所示，电源开关840是利用n型功率MOSFET实现的。取决于应用，电源开关840可以利用其它类型的组件实现，例如BJT、IGBT等。电源开关840的终端861电连接到PWM控制器820组件以提供反馈信号。电源开关840的终端861电连接到初级绕组860。
栅极驱动器830是利用两个功率MOSFET MH 832和ML 833实现的。MH 832接收来自PWM控制器组件820的输入824。ML 833接收来自PWM控制器组件820的输入825。PWM控制器组件820被配置为提供互补输入到MH 832和ML 833。例如，当输入824接通时，输入825断开；当输入824断开时，输入825接通。根据实施例，PWM控制器组件包括提供互补输入824和825的逻辑模块。此外，MH 832连接到电压源VCC_G 831。
电压源VCC_G 831的电压由电阻器806部分地确定，电阻器806连接到电压源VDD 809。例如，电阻器806的大电阻值将在电压源VCC_G 831和电压源VDD 809之间产生大电压差，从而降低VCC_G 831的电压。另一方面，电阻器806的小电阻值将在电压源VCC_G 831和电压源VDD809之间产生小电压差，从而产生电压源VCC_G 831的相对较高的电压。电压源VCC_G 831的电压影响驱动信号835的上升时间等。例如，电阻器806的较高值引起电压源VCC_G 831处的较低电压、驱动信号835的较长上升时间、以及电源开关840的较慢接通。另一方面，电阻器806的较低值引起电压源VCC_G 831处的较高电压、驱动信号835的较短上升时间、以及电源开关840的较快接通。
作为示例，多个电压源(例如，VCC、VDD、VCC_G)是利用电源实现的，所述电源例如是AC电源、DC电源等。典型地，电源不是电源开关的一部分，并且经由标准连接引脚被连接到电源开关。
晶体管ML 833电连接到电源开关840，并且允许能量从电源开关840释放。源极终端834电连接到电阻器807。电阻器807的值影响驱动信号835的下降时间(即，能量通过电阻器807可以多快被消散到地)。驱动信号835的下降时间影响电源开关840可以多快被断开。例如，电阻器807的高电阻值导致长下降时间以及电源开关840的较慢断开。另一方面，电阻器807的低电阻值导致短下降时间以及电源开关840的较快断开。
图9是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。该图仅仅是示例，其不应当不必要地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到很多变化、替代和修改形式。
电源系统900包括集成开关模式变换器980、电源开关940和初级绕组960。开关模式变换器980电连接到电源开关940。例如，集成开关模式变换器980和电源开关940是在两个单独的芯片上实现的。电源系统900还包括电阻器906和907。应当认识到，电阻器906和907的值可以根据应用而被调节。根据实施例，电阻器906和907是利用可变电阻器实现的，可变电阻器例如是电位计、变阻器、金属氧化物变阻器、热变电阻器、热敏电阻器等。对于某个应用，电阻器906和907的值可以是零。
集成开关模式变换器980包括下述组件：
.放大器921；
.PWM控制器组件920；
.OCP比较器910；和
.栅极驱动器930。
取决于应用，集成开关模式变换器980可以包括其它组件，例如放大器、电阻器、电容器等。如图9所示，电源开关940是利用n型功率MOSFET实现的。取决于应用，电源开关940可以利用其它类型的组件实现，例如BJT、IGBT等。电源开关940的终端961电连接到PWM控制器920组件以提供反馈信号。电源开关940的终端961电连接到初级绕组960。
栅极驱动器930是利用两个功率MOSFET MH 932和ML 933实现的。MH 932接收来自PWM控制器组件920的输入924。ML 933接收来自PWM控制器组件920的输入925。PWM控制器组件920被配置为提供互补输入到MH 932和ML 933。例如，当输入924接通时，输入925断开；当输入924断开时，输入925接通。根据实施例，PWM控制器组件包括提供互补输入924和925的逻辑模块。此外，MH 932连接到电压源VCC_G 931。
电压源VCC_G 931的电压由电阻器906部分地确定，电阻器906连接到电压源VDD 909。例如，电阻器906的大电阻值将在电压源VCC_G 931和电压源VDD 909之间产生大电压差，从而降低VCC_G 931的电压。另一方面，电阻器906的小电阻值将在电压源VCC_G 931和电压源VDD909之间产生小电压差，从而产生电压源VCC_G 931的相对较高的电压。电压源VCC_G 931的电压影响驱动信号935的上升时间等。例如，电阻器906的较高值引起电压源VCC_G 931处的较低电压、驱动信号935的较长上升时间、以及电源开关940的较慢接通。另一方面，电阻器906的较低值引起电压源VCC_G 931处的较高电压、驱动信号935的较短上升时间、以及电源开关940的较快接通。
作为示例，多个电压源(例如，VCC、VDD、VCC_G)是利用电源实现的，所述电源例如是AC电源、DC电源等。典型地，电源不是电源开关的一部分，并且经由标准连接引脚被连接到电源开关。
晶体管ML 933电连接到电源开关940，并且允许能量从电源开关940释放。源极终端934电连接到电阻器907。电阻器907的值影响驱动信号935的下降时间(即，能量通过电阻器907可以多快被消散到地)。驱动信号935的下降时间影响电源开关940可以多快被断开。例如，电阻器907的高电阻值导致长下降时间以及电源开关940的较慢断开。另一方面，电阻器907的低电阻值导致短下降时间以及电源开关940的较快断开。
根据另一实施例，本发明提供了一种用于提供开关的系统。该系统包括第一电压源，被配置为提供第一电压。该系统还包括第一阻抗，第一阻抗可由第一阻抗值表征。该系统还包括第二阻抗，第二阻抗可由第二阻抗值表征。该系统还包括控制器组件，控制器组件电耦合到第一电压源。例如，控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供第一输出信号和第二输出信号。此外，该系统包括栅极驱动器组件，栅极驱动器组件包括第一晶体管和第二晶体管。栅极驱动器组件被配置为接收第一输出信号和第二输出信号，并且响应于至少第一输出信号和第二输出信号而产生第三输出信号。而且，该系统包括开关，开关被配置为接收第三输出信号，并目响应于第三输出信号在第一状态和第二状态之间改变。第一晶体管包括第一终端、第二终端和第三终端。第二晶体管包括第四终端、第五终端和第六终端。第一终端电耦合到第一阻抗。第二终端被配置为接收第一输出信号。第三终端电耦合到第四终端。第五终端被配置为接收第二输出信号。第六终端电耦合到第二阻抗。第三输出信号与和第三终端及第四终端有关的电压相关联。例如，该实施例在图6-9中被示出。
图10是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。该图仅仅是示例，其不应当不必要地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到很多变化、替代和修改形式。
电源系统1000包括集成开关模式变换器1080，集成开关模式变换器880耦合到初级绕组1060。例如，集成开关模式变换器1080是与电源开关1040在单芯片中实现的。电源系统1000还包括阻抗1006。根据实施例，阻抗1006包括并联的电阻器1007和电容器1004。取决于应用，阻抗1006可以是利用其它类型的组件实现的。例如，阻抗1006包括额外的电阻器和电容器。
集成开关模式变换器1080包括下述组件：
.放大器1021；
.PWM控制器组件1020；
.OCP比较器1010；
.栅极驱动器1030；和
.电源开关1040。
取决于应用，集成开关模式变换器1080可以包括其它组件，例如放大器、电阻器、电容器等。如图10所示，电源开关1040是利用NPN功率BJT实现的。取决于应用，电源开关1040可以利用其它类型的组件实现，例如MOSFET、IGBT等。电源开关1040的终端1061电连接到PWM控制器1020组件以提供反馈信号。电源开关1040的终端1061电连接到初级绕组1060。例如，终端1061连接到BJT的集电极终端。
栅极驱动器1030是利用两个功率MOSFET MH 1032和ML 1033实现的。MH 1032接收来自PWM控制器组件1020的输入1024。ML 1033接收来自PWM控制器组件1020的输入1025。PWM控制器组件1020被配置为提供互补输入到MH 1032和ML 1033。例如，当输入1024接通时，输入1025断开；当输入1024断开时，输入1025接通。根据实施例，PWM控制器组件包括提供互补输入1024和1025的逻辑模块。此外，MH1032连接到电压源VCC_G 1031。
电压源VCC_G 1031的电压由阻抗1006部分地确定，阻抗1006连接到电压源VDD 1009。可以由VCC_G 1031提供的电流量也由阻抗1006部分地确定。例如，VCC_G处的电流量反比于电阻器1007的电阻值(I＝VDD/R1)。VCC_G提供的电流基本被提供给电源开关1040以作为BJT的基础电流。结果，电源开关1040的响应时间受电阻器1007的电阻值的影响。例如，电阻器1007的大电阻值产生用于电源开关的小电流和慢响应时间。另一方面，电阻器1007的小电阻值产生用于电源开关的大电流和快响应时间。
作为示例，多个电压源(例如，VCC、VDD、VCC_G)是利用电源实现的，所述电源例如是AC电源、DC电源等。典型地，电源不是电源开关的一部分，并且经由标准连接引脚被连接到电源开关。
电源开关的响应时间还与电容器1006有关。例如，电容器1006中存储的电荷被用来提供瞬变电流，该瞬变电流可以被提供给BJT。典型地，电容器1006中存储的电荷减少了电源开关1040接通所需的时间。
图11是图示出根据本发明实施例的集成开关模式变换器的简化示图。该图仅仅是示例，其不应当不必要地限制权利要求的范围。本领域的普通技术人员将认识到很多变化、替代和修改形式。
电源系统1100包括集成开关模式变换器1180、电源开关1140和初级绕组1160。例如，集成开关模式变换器1180是在单芯片中实现的。电源系统1100还包括阻抗1106。根据实施例，阻抗1106包括并联的电阻器1107和电容器1104。取决于应用，阻抗1106可以是利用其它类型的组件实现的。例如，阻抗1106包括额外的电阻器和电容器。
集成开关模式变换器1180包括下述组件：
.放大器1121；
.PWM控制器组件1120；
.OCP比较器1110；和
.栅极驱动器1130。
取决于应用，集成开关模式变换器1180可以包括其它组件，例如放大器、电阻器、电容器等。如图11所示，电源开关1140是利用NPN功率BJT实现的。取决于应用，电源开关1140可以利用其它类型的组件实现，例如MOSFET、IGBT等。电源开关1140的终端1161电连接到PWM控制器1120组件以提供反馈信号。电源开关1140的终端1161电连接到初级绕组1160。例如，终端1161连接到BJT的集电极终端。
栅极驱动器1130是利用两个功率MOSFET MH 1132和ML 1133实现的。MH 1132接收来自PWM控制器组件1120的输入1124。ML 1133接收来自PWM控制器组件1120的输入1125。PWM控制器组件1120被配置为提供互补输入到MH 1132和ML 1133。例如，当输入1124接通时，输入1125断开；当输入1124断开时，输入1125接通。根据实施例，PWM控制器组件包括提供互补输入1124和1125的逻辑模块。此外，MH1132连接到电压源VCC_G 1131。
电压源VCC_G 1131的电压由阻抗1106部分地确定，阻抗1106连接到电压源VDD 1109。可以由VCC_G 1131提供的电流量也由阻抗1106部分地确定。例如，VCC_G处的电流量反比于电阻器1107的电阻值(I＝VDD/R1)。VCC_G提供的电流基本被提供给电源开关1140以作为BJT的基础电流。结果，电源开关1140的响应时间受电阻器1107的电阻值的影响。例如，电阻器1107的大电阻值产生用于电源开关的小电流和慢响应时间。另一方面，电阻器1107的小电阻值产生用于电源开关的大电流和快响应时间。
电源开关的响应时间还与电容器1106有关。例如，电容器1106中存储的电荷被用来提供瞬变电流，该瞬变电流可以被提供给BJT。典型地，电容器1106中存储的电荷减少了电源开关1140接通所需的时间。
作为示例，多个电压源(例如，VCC、VDD、VCC_G)是利用电源实现的，所述电源例如是AC电源、DC电源等。典型地，电源不是电源开关的一部分，并且经由标准连接引脚被连接到电源开关。
根据又一实施例，本发明提供了一种用于提供开关的系统。该系统包括第一电压源，被配置为提供第一电压。该系统还包括阻抗，所述阻抗可由阻抗值表征。阻抗包括电阻器和电容器，所述电阻器和电容器并联连接。该系统还包括控制器组件，控制器组件电耦合到第一电压源。控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供第一输出信号和第二输出信号。该系统还包括栅极驱动器组件，栅极驱动器组件包括第一晶体管和第二晶体管。栅极驱动器组件被配置为接收第一输出信号和第二输出信号，并且响应于至少第一输出信号和第二输出信号而产生第三输出信号。该系统还包括开关，开关被配置为接收第三输出信号，并且响应于第三输出信号在第一状态和第二状态之间改变。第一晶体管包括第一终端、第二终端和第三终端。第二晶体管包括第四终端、第五终端和第六终端。第一终端电耦合到所述阻抗。第二终端被配置为接收第一输出信号。第三终端电耦合到第四终端。第五终端被配置为接收第二输出信号。第三输出信号与和第三终端及第四终端有关的电压相关联。例如，该实施例是根据图10和图11示出的。
根据又一实施例，本发明提供了一种用于提供开关的系统。该系统包括集成电路封装件。该集成电路封装件包括被配置为接收第一电压的第一终端。该封装件还包括第二终端，第二终端被配置为接收第二电压并且不依赖于第一终端。该封装件还包括电耦合到第一电压终端的控制器组件。控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供第一输出信号。该封装件还包括电耦合到第二电压终端的栅极驱动器组件。栅极驱动器组件被配置为接收第一输出信号并且响应于第二电压和第一输出信号而产生第二输出信号。该封装件还包括开关，所述开关被配置为接收第二输出信号，并且响应于第二输出信号在第一状态和第二状态之间改变。例如，该实施例在图4和图中被示出。
应当意识到，本发明提供了多种优点。根据多个实施例，本发明提供了用于降低开关器件功耗和有害EMI的方案。更具体地说，本发明在电源系统的设计与实现方面提供了更高灵活度。根据多个实施例，本发明提供了调节电源开关效率和响应时间的能力。例如，本发明可以方便地利用集成开关模式电源变换器设计来实现。根据实施例，本发明还可以在开关模式电源变换器设计中实现，其中电源控制器和电源开关被实现在单独的芯片上。还存在其它的益处。
虽然已经描述了本发明的具体实施例，但是本领域技术人员将理解还存在与所描述的实施例等同的其他实施例。因此，应该理解本发明不应受到具体的所说明实施例的限制，而是应该由权利要求限制。

Claims (56)

1.一种用于提供对电源调节器的开关的系统，所述系统包括：
第一电压源，第一电压源被配置为提供第一电压；
第二电压源，第二电压源被配置为提供第二电压，第二电压不依赖于第一电压；
电耦合到第一电压源的控制器组件，所述控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供至少第一输出信号；
电耦合到第二电压源而不耦合到第一电压源的栅极驱动器组件，所述栅极驱动器组件被配置为接收至少第一输出信号并且响应于至少第二电压和第一输出信号而产生第二输出信号；以及
开关，所述开关被配置为接收第二输出信号以及响应于第二输出信号在第一状态和第二状态之间改变。
2.如权利要求1所述的系统，其中第一状态是“接通”，并且第二状态是“断开”。
3.如权利要求1所述的系统，其中如果所述开关处于第一状态，则所述开关使能来自初级绕组的电流。
4.如权利要求1所述的系统，其中所述开关从第一状态到第二状态的改变可以由上升时间来表征。
5.如权利要求1所述的系统，其中第二电压是可调节的。
6.如权利要求1所述的系统，其中第二电压不同于第一电压。
7.如权利要求1所述的系统，还包括第一芯片，其中所述控制器组件和所述开关位于第一芯片内。
8.如权利要求1所述的系统，还包括第一芯片和第二芯片，其中所述控制器组件位于第一芯片内，并且所述开关位于第二芯片内。
9.如权利要求1所述的系统，其中所述栅极驱动器组件被偏置到地电压。
10.如权利要求1所述的系统，其中第一电压源包括直流源。
11.如权利要求1所述的系统，其中第一电压源包括交流源。
12.如权利要求1所述的系统，其中所述开关包括双极结晶体管。
13.如权利要求1所述的系统，其中所述开关包括场效应晶体管，所述场效应晶体管包括栅极终端、漏极终端和源极终端。
14.如权利要求13所述的系统，其中场效应晶体管是n型功率MOSFET晶体管。
15.如权利要求13所述的系统，其中第一输入信号是来自所述场效应晶体管的漏极终端的反馈信号。
16.如权利要求13所述的系统，其中第一输入信号是来自所述场效应晶体管的源极终端的反馈信号。
17.如权利要求1所述的系统，其中所述控制器组件包括脉宽调制控制器组件。
18.如权利要求1所述的系统，其中所述控制器组件包括逻辑控制组件。
19.如权利要求1所述的系统，还包括电耦合到所述控制器组件的过电流保护组件。
20.如权利要求1所述的系统，其中所述开关电耦合到初级绕组。
21.一种用于提供对电源调节器的开关的系统，所述系统包括：
第一电压源，第一电压源被配置为提供第一电压；
由第一阻抗值表征的第一阻抗；
由第二阻抗值表征的第二阻抗；
电耦合到第一电压源的控制器组件，所述控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供第一输出信号和第二输出信号；
包括第一晶体管和第二晶体管的栅极驱动器组件，所述栅极驱动器组件被配置为接收第一输出信号和第二输出信号，并且响应于至少第一输出信号和第二输出信号而产生第三输出信号；以及
开关，所述开关被配置为接收第三输出信号，并且响应于第三输出信号在第一状态和第二状态之间改变；
其中：
第一晶体管包括第一终端、第二终端和第三终端；
第二晶体管包括第四终端、第五终端和第六终端；
第一终端电耦合到第一阻抗，并经由第一阻抗耦合到提供第二电压的第二电压源；
第二终端被配置为接收第一输出信号；
第三终端电耦合到第四终端；
第五终端被配置为接收第二输出信号；
第六终端电耦合到第二阻抗，并经由第二阻抗耦合到地；以及
第三输出信号是第三终端和第四终端处的电压。
22.如权利要求21所述的系统，其中第一状态是“接通”，并且第二状态是“断开”。
23.如权利要求22所述的系统，其中所述开关具有第一响应时间和第二响应时间。
24.如权利要求23所述的系统，其中第一响应时间与第一阻抗值相关联，并且第二响应时间与第二阻抗值相关联。
25.如权利要求23所述的系统，其中第一响应时间是所述第三输出信号的上升时间，该上升时间表征所述开关从第二状态到第一状态的改变，并且第二响应时间是所述第三输出信号的下降时间，该下降时间表征所述开关从第一状态到第二状态的改变。
26.如权利要求21所述的系统，其中第一阻抗值是可调节的。
27.如权利要求21所述的系统，其中第二阻抗值是可调节的。
28.如权利要求21所述的系统，还包括第一芯片和第二芯片，其中所述控制器组件位于第一芯片内，并且所述开关位于第二芯片内。
29.如权利要求21所述的系统，还包括第一芯片，其中所述控制器组件和所述开关位于第一芯片内。
30.如权利要求21所述的系统，其中第一阻抗包括电阻器。
31.如权利要求21所述的系统，其中第一阻抗包括可变电阻器。
32.如权利要求21所述的系统，其中所述开关包括功率场效应晶体管，所述功率场效应晶体管包括源极终端、栅极终端和漏极终端。
33.如权利要求32所述的系统，其中所述控制器组件电耦合到所述功率场效应晶体管的源极终端。
34.如权利要求32所述的系统，其中所述控制器组件电耦合到所述功率场效应晶体管的漏极终端。
35.如权利要求32所述的系统，其中第三终端耦合到所述功率场效应晶体管的栅极终端。
36.如权利要求32所述的系统，其中所述功率场效应晶体管的漏极终端耦合到初级绕组。
37.如权利要求21所述的系统，其中第一电压源包括直流源。
38.如权利要求21所述的系统，其中：
第一晶体管是场效应晶体管；
第一终端是第一晶体管的漏极终端；
第二终端是第一晶体管的栅极终端；
第三终端是第一晶体管的源极终端；
第二晶体管是场效应晶体管；
第四终端是第二晶体管的漏极终端；
第五终端是第二晶体管的栅极终端；以及
第六终端是第二晶体管的源极终端。
39.一种用于提供对电源调节器的开关的系统，所述系统包括：
第一电压源，第一电压源被配置为提供第一电压；
由阻抗值表征的阻抗，所述阻抗包括电阻器和电容器，所述电阻器和电容器并联连接；
电耦合到第一电压源的控制器组件，所述控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供第一输出信号和第二输出信号；
包括第一晶体管和第二晶体管的栅极驱动器组件，所述栅极驱动器组件被配置为接收第一输出信号和第二输出信号，并且响应于至少第一输出信号和第二输出信号而产生第三输出信号；以及
开关，所述开关被配置为接收第三输出信号，并且响应于第三输出信号在第一状态和第二状态之间改变；
其中：
第一晶体管包括第一终端、第二终端和第三终端；
第二晶体管包括第四终端、第五终端和第六终端；
第一终端电耦合到所述阻抗，并经由所述阻抗耦合到提供第二电压的第二电压源；
第二终端被配置为接收第一输出信号；
第三终端电耦合到第四终端；
第五终端被配置为接收第二输出信号；
第六终端耦合到地；以及
第三输出信号是第三和第四终端处的电压。
40.如权利要求39所述的系统，其中第一状态是“接通”，并且第二状态是“断开”。
41.如权利要求40所述的系统，其中所述开关具有第一响应时间。
42.如权利要求41所述的系统，其中第一响应时间是所述第三输出信号的上升时间，该上升时间表征所述开关从第二状态到第一状态的改变。
43.如权利要求42所述的系统，其中所述上升时间与所述阻抗值相关联。
44.如权利要求39所述的系统，其中所述第六终端被偏置到地电压。
45.如权利要求39所述的系统，其中所述开关包括npn型双极结晶体管，所述双极结晶体管包括发射极终端、基极终端和集电极终端。
46.如权利要求39所述的系统，还包括第一芯片和第二芯片，其中所述控制器组件位于第一芯片内，并且所述开关位于第二芯片内。
47.如权利要求39所述的系统，还包括第一芯片，其中所述控制器组件和所述栅极驱动器组件位于第一芯片内。
48.如权利要求39所述的系统，其中：
第一终端是第一晶体管的漏极终端；
第二终端是第一晶体管的栅极终端；
第三终端是第一晶体管的源极终端；
第二晶体管是场效应晶体管；
第四终端是第二晶体管的漏极终端；
第五终端是第二晶体管的栅极终端；以及
第六终端是第二晶体管的源极终端。
49.如权利要求45所述的系统，其中所述控制器组件电耦合到npn型双极结晶体管的发射极终端。
50.如权利要求45所述的系统，其中所述控制器组件电耦合到npn型双极结晶体管的集电极终端。
51.如权利要求45所述的系统，其中所述电阻器是可变电阻器。
52.一种用于提供对电源调节器的开关的系统，所述系统包括：
集成电路封装件，所述集成电路封装件包括：
被配置为接收第一电压的第一终端；
被配置为接收第二电压并且不依赖于第一终端的第二终端；
电耦合到第一终端的控制器组件，所述控制器组件被配置为接收至少第一输入信号并且提供第一输出信号；
电耦合到第二终端而不耦合到第一终端的栅极驱动器组件，所述栅极驱动器组件被配置为接收第一输出信号并且响应于第二电压和第一输出信号而产生第二输出信号；以及
开关，所述开关的栅极端被配置为接收第二输出信号，并且响应于第二输出信号在第一状态和第二状态之间改变。
53.如权利要求52所述的系统，其中所述集成电路封装件还包括：
第三终端和第四终端，其中第三终端和第四终端通过所述开关彼此耦合，并且第三终端电耦合到初级绕组，第四终端耦合到地。
54.如权利要求52所述的系统，其中开关被用来接通或断开到初级绕组的电流路径。
55.如权利要求52所述的系统，其中所述集成电路封装件还包括第一芯片，其中所述控制器组件和所述开关位于第一芯片内。
56.如权利要求52所述的系统，其中所述集成电路封装件还包括第一芯片和第二芯片，其中所述控制器组件位于第一芯片内，并且所述开关位于第二芯片内。
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Assignee: Guangzhou On-Bright Electronics Co., Ltd.

Assignor: On-Bright Electronics (Shanghai) Co., Ltd.

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Denomination of invention: System and method for switch of power adjuster

Granted publication date: 20100407

License type: Exclusive License

Open date: 20071128

Record date: 20110511