CN101071739B - 同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板以及四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件;在阴极玻璃面板上有栅极引线层、碳纳米管以及同轴桶面型栅控阴极结构;能够进一步降低栅极工作电压,提高碳纳米管阴极的电子发射效率,具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。
Description
技术领域
本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域,涉及到平板场致发射显示器的器件制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容,特别涉及一种同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺。
背景技术
碳纳米管阴极场致发射显示器是一种新型的平面显示设备,既具有液晶显示器一样的轻而薄,同时又具备阴极射线管显示器的高亮度、高对比度、高分辨率、高响应速度以及宽视角的优势,能量消耗比其它显示器要低得多,成本也不高,并且无阴极射线管的电磁辐射和X射线辐射问题,是一种理想的下一代显示设备。碳纳米管又称巴基管,是一种具有独特结构的一维量子材料,能够在外加电场强度的作用下发射出大量电子,具有优异的冷场致发射功能,已经作为了场致发射显示器的优良阴极材料。
在目前报道的大多数碳纳米管阴极场致发射显示器中,都采用了栅极结构位于碳纳米管阴极结构上方的结构模式,其优点是栅极结构的控制作用比较显著,其它结构显示器中的栅极调控作用都不是很强。但这种显示器缺点也不少,诸如栅极电压居高不下,碳纳米管阴极的电子发射效率不高,有效发射面积不大等等,都还需要进一步的加以解决。在栅极控制作用方面,在器件结构设计的时候添加一些辅助调控结构也不失为一个好办法;在解决电容效应方面,栅极-阴极结构之间的直接电容效应以及栅极引线层和阴极引线层之间的旁路电容效应等都是值得注意之处,一方面要尽可能的加大距离,有助于减小电容效应,另一方面还需要尽可能的减小正对面积,使之相互交错开来。减小电容效应对于提高器件的工作频率是非常有益的。因此在实际器件设计和制作过程中,这些问题应该认真思考和加以解决。
此外在三极结构的平板场致发射显示器件中,在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下,还需要尽可能的降低总体器件成本,进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板以及四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件;在阴极玻璃面板上有栅极引线层、碳纳米管以及同轴桶面型栅控阴极结构。
所述的同轴桶面型栅控阴极结构的衬底材料为钠钙玻璃、硼硅玻璃,即阴极玻璃面板;阴极玻璃面板上面的印刷的绝缘浆料层形成阻滞层;阻滞层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层;栅极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成提升一层;提升一层呈现圆柱体型形状,上下表面均为平面,下表面和栅极引线层相互接触;提升一层侧面上刻蚀后的金属层形成内侧栅极管制层;内侧栅极管制层完全覆盖提升一层的内侧面,并和底部的栅极引线层相互连通;内侧栅极管制层上面的印刷的绝缘浆料层形成提升二层;提升二层呈现环形圆桶型形状,环绕在内侧栅极管制层的外表面上;提升二层的上下表面均为平面,下表面和栅极引线层相互接触;提升二层的外侧面上刻蚀后的金属层形成外侧栅极管制层;外侧栅极管制层也呈圆桶型形状,与内侧栅极管制层具有同一个中心轴,并且和底部的栅极引线层是相互连通的;外侧栅极管制层上面的印刷的绝缘浆料层形成提升三层;提升三层要覆盖住外侧栅极管制层、栅极引线层以及空余的阻滞层部分;提升三层的上下表面均为平面,提升三层、提升二层和提升一层的上表面都是平齐的;提升三层、提升二层和提升一层上面的印刷的绝缘浆料层形成间隔一层;间隔一层的上下表面均为平面,下表面要覆盖住提升三层、提升二层、提升一层的上表面;间隔一层上表面上刻蚀后的金属层形成阴极过渡层;阴极过渡层呈现圆环型形状,位于内侧栅极管制层和外侧栅极管制层之间的间隔一层的上面,即在垂直方向上阴极过渡层位于间隔一层的上表面上,和内侧栅极管制层和外侧栅极管制层相互分隔开,在水平方向上阴极过渡层的外直径要小于外侧栅极管制层的直径,阴极过渡层的内直径大于内侧栅极管制层的直径;间隔一层上面印刷的绝缘浆料层形成间隔二层;间隔二层呈现环形半球型形状,即间隔二层的纵向截面为半球型,以阴极过渡层的圆心为中心环绕在阴极过渡层的周围,在垂直方向上位于外侧栅极管制层的正上方;阴极过渡层上面刻蚀后的金属层形成阴极导电层;间隔一层和间隔二层上表面上刻蚀后金属层形成阴极引线层;阴极引线层、阴极过渡层和阴极导电层都是相互连通的;阴极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成阴极覆盖层;碳纳米管制备在阴极导电层的上面。
所述的同轴桶面型栅控阴极结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上;栅极引线层为金属金、银、铝、钼、铬;内侧栅极管制层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡;外侧栅极管制层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡;阴极引线层的走向和栅极引线层的走向相互垂直;阴极引线层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铅、铟;阴极过渡层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡;阴极导电层为金属铁、钴、镍。
一种同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器的制作工艺,其制作工艺如下:
1)阴极玻璃面板的制作:对整体平板玻璃划割,制作出阴极玻璃面板;
2)阻滞层的制作:在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成阻滞层;
3)栅极引线层的制作:在阻滞层上制出金属层,刻蚀形成栅极引线层;
4)提升一层的制作:在栅极引线层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成提升一层;
5)内侧栅极管制层的制作:在提升一层外侧面上制出金属层,刻蚀形成内侧栅极管制层;
6)提升二层的制作:在内侧栅极管制层上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成提升二层;
7)外侧栅极管制层[7]的制作:在提升二层的外侧面上制备出一个金属层,刻蚀后形成外侧栅极管制层;
8)提升三层的制作:在外侧栅极管制层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成提升三层;
9)间隔一层的制作:在提升一层、提升二层和提升三层的上表面上印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成间隔一层;
10)阴极过渡层的制作:在间隔一层上表面上制备出一个金属层,刻蚀后形成阴极过渡层;
11)间隔二层的制作:在间隔一层上表面上印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成间隔二层;
12)阴极导电层的制作:在阴极过渡层上面制金属层,刻蚀成阴极导电层;
13)阴极引线层[13]的制作:在间隔一层和间隔二层的上表面上制备出一个金属层,刻蚀后形成阴极引线层;
14)阴极覆盖层[14]的制作:在阴极引线层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成阴极覆盖层;
15)同轴桶面型栅控阴极结构的表面清洁处理:对同轴桶面型栅控阴极结构的表面进行清洁处理,除掉杂质和灰尘;
16)碳纳米管[15]的制备:将碳纳米管制备在阴极导电层上面;
17)阳极玻璃面板[16]的制作:对整体平板玻璃进行划割,制作出阳极玻璃面板;
18)阳极导电层[17]的制作:在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层;刻蚀后形成阳极导电层;
19)绝缘浆料层[18]的制作:在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层;
20)荧光粉层[19]的制作:在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层;
21)器件装配:将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[20]和四周玻璃围框[21]装到一起,将消气剂[22]放入到空腔中,用低熔点玻璃粉固定;
22)成品制作:对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。
所述步骤19具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层,用于防止寄生电子发射;经过烘烤(烘烤温度:150℃,保持时间:5分钟)之后,放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度:580℃,保持时间:10分钟)。
所述步骤20具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层;在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟)。
所述步骤22具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺:将样品器件放入烘箱当中进行烘烤;放入烧结炉当中进行烧结;在排气台上进行器件排气、封离,在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。
本发明具有如下的积极效果:
首先,在同轴桶面型栅控阴极结构中,将同轴桶面型的栅极结构制作在碳纳米管阴极下方。当在栅极结构上施加适当电压后,通过栅极引线层将外界电压传递到器件内部,并传导到内侧栅极管制层和外侧栅极管制层的上面,从而转换为碳纳米管阴极表面顶端的强大电场强度,迫使碳纳米管阴极发射出大量的电子,体现了栅极结构的强有力控制功能。由于内侧栅极管制层和外侧栅极管制层同时在内外两侧对碳纳米管施加电压影响,增强了栅极控制作用。由于内侧栅极管制层和外侧栅极管制层呈现圆桶面型结构,且和碳纳米管阴极相互交错开,从而能减小了栅极-阴极之间的电容效应,提高了器件的工作频率。
其次,在所述的同轴桶面型栅控阴极结构中,将碳纳米管制备在了呈现圆环型的阴极导电层的上面。这就充分利用了碳纳米管阴极中边缘位置能够发射大量电子的特有现象,提高了碳纳米管阴极的电子发射效率。由于制作了半球型的间隔二层,将阴极引线层进行抬高,增大了阴极引线层和栅极管制层之间的距离,有助于减小栅极-阴极二者之间的旁路电容效应。将栅极结构和阴极结构高度集成到一起,有助于促进整体器件的高度集成化发展。
此外,在所述的同轴桶面型栅控阴极结构中,并没有采用特殊的结构制作材料,也没有采用特殊的器件制作工艺,这在很大程度上就进一步降低了整体平板显示器件的制作成本,简化了器件的制作过程,能够进行大面积的器件制作,有利于进行商业化的大规模生产。
附图说明
图1给出了同轴桶面型栅控阴极结构的纵向结构示意图;
图2给出了同轴桶面型栅控阴极结构的横向结构示意图;
图3给出了带有同轴桶面型栅控阴极结构的平面显示器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明,但并不局限于这些实施例。
所述的同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器,包括由阳极玻璃面板[16]、阴极玻璃面板[1]以及四周玻璃围框[21]所构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极导电层[17]以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层[19];在阴极玻璃面板上有栅极引线层[3]、碳纳米管[15]以及同轴桶面型栅控阴极结构;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[20]以及消气剂[22]附属元件。
所述的同轴桶面型栅控阴极结构包括阴极玻璃面板[1]、阻滞层[2]、栅极引线层[3]、提升一层[4]、内侧栅极管制层[5]、提升二层[6]、外侧栅极管制层[7]、提升三层[8]、间隔一层[9]、阴极过渡层[10]、间隔二层[11]、阴极导电层[12]、阴极引线层[13]、阴极覆盖层[14]和碳纳米管[15]部分。
所述结构的衬底材料为玻璃,如钠钙玻璃、硼硅玻璃,即阴极玻璃面板;阴极玻璃面板上面印刷的绝缘浆料层形成阻滞层;阻滞层上面刻蚀后的金属层形成栅极引线层;栅极引线层上面印刷的绝缘浆料层形成提升一层;提升一层呈现圆柱体型形状,上下表面均为平面,下表面和栅极引线层相互接触;提升一层的侧面上刻蚀后的金属层形成内侧栅极管制层;内侧栅极管制层完全覆盖提升一层的内侧面,并和底部的栅极引线层相互连通;内侧栅极管制层上面印刷的绝缘浆料层形成提升二层;提升二层呈现环形圆桶型形状,环绕在内侧栅极管制层的外表面上;提升二层的上下表面均为平面,下表面和栅极引线层相互接触;提升二层外侧面上的刻蚀后的金属层形成外侧栅极管制层;外侧栅极管制层也呈圆桶型形状,与内侧栅极管制层具有同一个中心轴,并和底部的栅极引线层相互连通;外侧栅极管制层上面的印刷的绝缘浆料层形成提升三层;提升三层要覆盖住外侧栅极管制层、栅极引线层以及空余的阻滞层部分;提升三层的上下表面均为平面,提升三层、提升二层和提升一层的上表面平齐;提升三层、提升二层和提升一层上面印刷的绝缘浆料层形成间隔一层;间隔一层的上下表面均为平面,下表面覆盖住提升三层、提升二层、提升一层的上表面;间隔一层上表面上刻蚀后的金属层形成阴极过渡层;阴极过渡层呈现圆环型形状,位于内侧栅极管制层和外侧栅极管制层之间的间隔一层的上面,即在垂直方向上阴极过渡层位于间隔一层的上表面上,和内侧栅极管制层和外侧栅极管制层相互分隔开,在水平方向上阴极过渡层外直径小于外侧栅极管制层的直径,阴极过渡层内直径大于内侧栅极管制层的直径;间隔一层上面的印刷的绝缘浆料层形成间隔二层;间隔二层呈现环形半球型形状,即间隔二层的纵向截面为半球型,以阴极过渡层圆心为中心环绕在阴极过渡层的周围,在垂直方向上位于外侧栅极管制层正上方;阴极过渡层上面刻蚀后的金属层形成阴极导电层;间隔一层和间隔二层上表面上刻蚀后的金属层形成阴极引线层;阴极引线层、阴极过渡层和阴极导电层相互连通;阴极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成阴极覆盖层;碳纳米管制备在阴极导电层的上面。
同轴桶面型栅控阴极结构固定在阴极玻璃面板上;栅极引线层为金属金、银、铝、钼、铬;内侧栅极管制层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡;外侧栅极管制层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡;阴极引线层和栅极引线层走向相互垂直;阴极引线层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铅、铟;阴极过渡层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡;阴极导电层为金属铁、钴、镍。
一种同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器的制作工艺,其制作工艺如下:
1)阴极玻璃面板[1]的制作:对平板钠钙玻璃划割,制出阴极玻璃面板;
2)阻滞层[2]的制作:在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成阻滞层;
3)栅极引线层[3]的制作:在阻滞层的上面制备出一个金属铬层,刻蚀后形成栅极引线层;
4)提升一层[4]的制作:在栅极引线层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成提升一层;
5)内侧栅极管制层[5]的制作:在提升一层的外侧面上制备出一个金属铬层,刻蚀后形成内侧栅极管制层;
6)提升二层[6]的制作:在内侧栅极管制层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成提升二层;
7)外侧栅极管制层[7]的制作:在提升二层的外侧面上制备出一个金属铬层,刻蚀后形成外侧栅极管制层;
8)提升三层[8]的制作:在外侧栅极管制层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成提升三层;
9)间隔一层[9]的制作:在提升一层、提升二层和提升三层的上表面上印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成间隔一层;
10)阴极过渡层[10]的制作:在间隔一层上表面上制备出一个金属钼层,刻蚀后形成阴极过渡层;
11)间隔二层[11]的制作:在间隔一层上表面上印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成间隔二层;
12)阴极导电层[12]的制作:在阴极过渡层上面制出一个金属镍层,刻蚀后形成阴极导电层;
13)阴极引线层[13]的制作:在间隔一层和间隔二层的上表面上制备出一个金属钼层,刻蚀后形成阴极引线层;
14)阴极覆盖层[14]的制作:在阴极引线层上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成阴极覆盖层;
15)同轴桶面型栅控阴极结构的表面清洁处理:对同轴桶面型栅控阴极结构的表面进行清洁处理,除掉杂质和灰尘;
16)碳纳米管[15]的制备:将碳纳米管制备在阴极导电层上面;
17)阳极玻璃面板[16]的制作:对整体平板钠钙玻璃划割,制阳极玻璃面板;
18)阳极导电层[17]的制作:在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层;刻蚀后形成阳极导电层;
19)绝缘浆料层[18]的制作:在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层;
20)荧光粉层[19]的制作:在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层;
21)器件装配:将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[20]和四周玻璃围框[21]装配到一起,将消气剂[22]放入到空腔中,用低熔点玻璃粉固定;
22)成品制作:对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。
所述步骤20具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层,用于防止寄生电子发射;经过烘烤(烘烤温度:150℃,保持时间:5分钟)之后,放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度:580℃,保持时间:10分钟)。
所述步骤21具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层;在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟)。
所述步骤23具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺:将样品器件放入烘箱当中进行烘烤;放入烧结炉当中进行烧结;在排气台上进行器件排气、封离,在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。
Claims (6)
1.一种同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器,包括由阳极玻璃面板(16)、阴极玻璃面板(1)以及四周玻璃围框(21)构成的密封真空腔;设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层(17)以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层(19);位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构(20)以及消气剂附属元件;其特征在于:在阴极玻璃面板上有栅极引线层(3)、碳纳米管(15)以及同轴桶面型栅控阴极结构,所述的同轴桶面型栅控阴极结构的衬底材料为钠钙玻璃、硼硅玻璃,即阴极玻璃面板;阴极玻璃面板上面印刷的绝缘浆料层形成阻滞层;阻滞层上面刻蚀后的金属层形成栅极引线层;栅极引线层上面印刷的绝缘浆料层形成提升一层;提升一层呈现圆柱体型形状,上下表面均为平面,下表面和栅极引线层相互接触;提升一层的侧面上刻蚀后的金属层形成内侧栅极管制层;内侧栅极管制层完全覆盖提升一层的内侧面,并和底部的栅极引线层相互连通;内侧栅极管制层上面印刷的绝缘浆料层形成提升二层;提升二层呈现环形圆桶型形状,环绕在内侧栅极管制层的外表面上;提升二层上下表面均为平面,下表面和栅极引线层相互接触;提升二层的外侧面上刻蚀后的金属层形成外侧栅极管制层;外侧栅极管制层也呈圆桶型形状,与内侧栅极管制层具有同一个中心轴,并且和底部的栅极引线层相互连通;外侧栅极管制层上面的印刷的绝缘浆料层形成提升三层;提升三层要覆盖住外侧栅极管制层、栅极引线层以及空余的阻滞层部分;提升三层的上下表面均为平面,提升三层、提升二层和提升一层的上表面平齐;提升三层、提升二层和提升一层上面印刷的绝缘浆料层形成间隔一层;间隔一层的上下表面均为平面,下表面要覆盖住提升三层、提升二层、提升一层的上表面;间隔一层上表面上刻蚀后的金属层形成阴极过渡层;阴极过渡层呈现圆环型形状,位于内侧栅极管制层和外侧栅极管制层之间的间隔一层的上面,即在垂直方向上阴极过渡层位于间隔一层的上表面上,和内侧栅极管制层和外侧栅极管制层相互分隔开,在水平方向上阴极过渡层的外直径要小于外侧栅极管制层的直径,阴极过渡层的内直径要大于内侧栅极管制层的直径;间隔一层上面的印刷的绝缘浆料层形成间隔二层;间隔二层呈现环形半球型形状,即间隔二层的纵向截面为半球型,以阴极过渡层的圆心为中心环绕在阴极过渡层的周围,在垂直方向上位于外侧栅极管制层的正上方;阴极过渡层上面刻蚀后的金属层形成阴极导电层;间隔一层和间隔二层上表面上刻蚀后的金属层形成阴极引线层;阴极引线层、阴极过渡层和阴极导电层相互连通;阴极引线层上面印刷的绝缘浆料层形成阴极覆盖层;碳纳米管制备在阴极导电层的上面。
2.根据权利要求1所述的同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器,其特征在于:所述的同轴桶面型栅控阴极结构安装固定在阴极玻璃面板上;栅极引线层为金属金、银、铝、钼、铬;内侧栅极管制层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡;外侧栅极管制层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡;阴极引线层的走向和栅极引线层的走向相互垂直;阴极引线层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铅、铟;阴极过渡层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡;阴极导电层为金属铁、钴、镍。
3.一种同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于,其制作工艺如下:
1)阴极玻璃面板(1)的制作:对整体平板玻璃划割,制出阴极玻璃面板;
2)阻滞层(2)的制作:在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成阻滞层;
3)栅极引线层(3)的制作:在阻滞层上面制金属层,刻蚀成栅极引线层;
4)提升一层(4)的制作:在栅极引线层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成提升一层,提升一层呈现圆柱体型形状,上下表面均为平面,下表面和栅极引线层相互接触;
5)内侧栅极管制层(5)的制作:在提升一层的外侧面上制备出一个金属层,刻蚀后形成内侧栅极管制层,内侧栅极管制层完全覆盖提升一层的内侧面,并和底部的栅极引线层相互连通;
6)提升二层(6)的制作:在内侧栅极管制层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成提升二层,提升二层呈现环形圆桶型形状,环绕在内侧栅极管制层的外表面上,提升二层上下表面均为平面,下表面和栅极引线层相互接触;
7)外侧栅极管制层(7)的制作:在提升二层外侧面上制出一个金属层,刻蚀后形成外侧栅极管制层,外侧栅极管制层也呈圆桶型形状,与内侧栅极管制层具有同一个中心轴,并且和底部的栅极引线层相互连通;
8)提升三层(8)的制作:在外侧栅极管制层上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成提升三层,提升三层要覆盖住外侧栅极管制层、栅极引线层以及空余的阻滞层部分;提升三层的上下表面均为平面,提升三层、提升二层和提升一层的上表面平齐;
9)间隔一层(9)的制作:在提升一层、提升二层和提升三层的上表面上印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成间隔一层,间隔一层的上下表面均为平面,下表面要覆盖住提升三层、提升二层、提升一层的上表面;
10)阴极过渡层(10)的制作:在间隔一层上表面上制备出一个金属层,刻蚀后形成阴极过渡层,阴极过渡层呈现圆环型形状,位于内侧栅极管制层和外侧栅极管制层之间的间隔一层的上面,即在垂直方向上阴极过渡层位于间隔一层的上表面上,和内侧栅极管制层和外侧栅极管制层相互分隔开,在水平方向上阴极过渡层的外直径要小于外侧栅极管制层的直径,阴极过渡层的内直径要大于内侧栅极管制层的直径;
11)间隔二层(11)的制作:在间隔一层上表面上印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成间隔二层,间隔二层呈现环形半球型形状,即间隔二层的纵向截面为半球型,以阴极过渡层的圆心为中心环绕在阴极过渡层的周围,在垂直方向上位于外侧栅极管制层的正上方;
12)阴极导电层(12)的制作:在阴极过渡层的上面制备出一个金属层,刻蚀后形成阴极导电层;
13)阴极引线层(13)的制作:在间隔一层和间隔二层的上表面上制备出一个金属层,刻蚀后形成阴极引线层;
14)阴极覆盖层(14)的制作:在阴极引线层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成阴极覆盖层;
15)同轴桶面型栅控阴极结构的表面清洁处理:对同轴桶面型栅控阴极结构的表面进行清洁处理,除掉杂质和灰尘;
16)碳纳米管(15)的制备:将碳纳米管制备在阴极导电层上面;
17)阳极玻璃面板(16)的制作:对整体平板钠钙玻璃进行划割,制作出阳极玻璃面板;
18)阳极导电层(17)的制作:在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层;刻蚀后形成阳极导电层;
19)绝缘浆料层(18)的制作:在阳极导电层非显示区域印刷绝缘浆料层;
20)荧光粉层(19)的制作:在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层;
21)器件装配:将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构(20)和四周玻璃围框(21)装到一起,将消气剂(22)放入空腔中,用低熔点玻璃粉固定;
22)成品制作:对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。
4.根据权利要求3所述的同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于:所述步骤19具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层,经过烘烤,烘烤温度:150℃,保持时间:5分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟。
5.根据权利要求3所述的同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于:所述步骤20具体为在阳极导电层上面显示区域印刷荧光粉层;在烘箱中进行烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟。
6.根据权利要求3所述的同轴桶面型栅控阴极结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于:所述步骤22具体为对装配好的器件进行封装:将样品器件放入烘箱中烘烤;放入烧结炉中烧结;在排气台上进行器件排气、封离,在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。
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