CN100527343C - 侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器及其制作工艺，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件；设置在阴极玻璃面板上的阴极引线层、碳纳米管以及侧栅控圆台面阴极型发射结构；能够进一步提高整体器件的显示亮度、显示图像质量以及分辨率；具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

Description

侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器及其制作工艺

技术领域

本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及一种侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器及其制作工艺。

背景技术

显示器是信息显示技术中重要的输出设备，它的作用是将发出的电信号经过一系列处理后转换成光信号，并最终将以文字、图像的形式显示出来。在众多的平板显示器件中，碳纳米管阴极场致发射显示器是一种新型平面器件，具有高亮度、高清晰度、功耗低以及高显示图像质量等诸多优点，引起了科研人员的高度重视。利用外加电压的控制作用，迫使碳纳米管阴极发射出大量的电子；所发射的电子以更高的速度对阳极的荧光粉层进行轰击，从而产生可见光。

为了降低总体器件成本，以便于和常规的集成驱动电路相联系，制作三极结构的场致发射平板显示器已经成为一种必然选择。于是，控制栅极结构也就应运而生。依靠栅极结构和阴极结构的近距离作用，从而使得让碳纳米管发射电子所需要的栅极电压得到了极大的降低，已经远远小于阳极结构的工作电压。但是，在目前所制作的大多数碳纳米管阴极场致发射显示器件当中，尽管所报道的栅极电压在数值上都有了较大的进步，但离和常规的集成驱动电路相联系还有一段很长的距离，目前的器件栅极工作电压还远远高于集成电路所能够承受的电压。因此进一步降低栅极结构的工作电压就成为必须克服的但不容易解决的课题。此外，碳纳米管阴极的宏观表面形状也会对其顶端的电场强度有着不可忽视的影响，也能从间接角度上来降低栅极工作电压，减小栅极电流。因此在实际器件制作过程中，如何来降低栅极电压，如何提高碳纳米管阴极的电子发射效率，如何增大碳纳米管阴极的电子发射面积，是急需解决的现实问题。

此外，在三极结构的平板场致发射显示器件当中，在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用的前提下，还需要尽可能的降低总体器件成本，进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。

发明内容

本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的带有一种侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器的器件制作及其制作工艺。

本发明的目的是这样实现的，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；在阴极玻璃面板上有阴极引线层、碳纳米管以及侧栅控圆台面阴极型发射结构；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件。

所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构的衬底材料为玻璃，如钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上的印刷的绝缘浆料层形成绝缘层；绝缘层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层；栅极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成栅极升高一层；栅极升高一层呈现一个圆台面型形状，即栅极升高一层的底面为圆盘面型形状，其直径最大，栅极升高一层的上顶面也为圆盘面型形状，其直径要比下底面的直径小，栅极升高一层的侧面形成一个倾斜面；栅极升高一层上面的印刷的绝缘浆料层形成栅极升高二层；栅极升高二层呈现倒置的圆台面型形状，即栅极升高二层的上表面为圆盘面型形状，下表面也为圆盘面型形状，下表面的圆盘面型形状直径要小于上表面圆盘面型形状的直径，侧面形成略向内凹陷的弧形面；栅极升高二层坐落于栅极升高一层的上面，栅极升高二层的下表面和栅极升高一层的上表面紧密接触；栅极升高二层的侧面以及栅极升高一层的上表面上的刻蚀后的金属层形成栅极管制层；栅极管制层布满栅极升高一层的上表面以及栅极升高二层的侧面，在栅极升高二层的上顶面没有栅极管制层；栅极管制层和底部的栅极引线层是相互连通的；栅极升高二层上顶面的以及栅极管制层上面的印刷的绝缘浆料层形成间隔层；间隔层要完全覆盖住栅极升高二层的上顶面、栅极管制层的表面、栅极引线层以及空余的绝缘层部分；间隔层的上表面为平面，间隔层中存在中空倒置圆台孔，环绕在栅极管制层的周围；间隔层中空倒置圆台孔的下底面为平面，其平面高度要高于栅极升高一层的上表面高度；中空倒置圆台孔在间隔层上表面的截面为中空的圆型面，此处的直径要大于中空倒置圆台孔下表面的直径，其侧面形成一个倾斜面；间隔层的高度不能超过栅极升高二层的高度；间隔层中空倒置圆台孔的底面和侧面上的刻蚀后的金属层形成阴极过渡层；阴极过渡层上面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层；间隔层上表面上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层、阴极过渡层和阴极导电层都是相互连通的；阴极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成阴极覆盖层；碳纳米管制备在阴极导电层的上面。

所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上；栅极引线层可以为金属金、银、铝、钼、铬；栅极管制层可以为金属金、银、铝、钼、铬、锡；阴极引线层的走向和栅极引线层的走向是相互垂直的；阴极引线层可以为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铅、铟；阴极过渡层可以为金属金、银、铝、钼、铬、锡；阴极导电层可以为金属铁、钴、镍。

一种侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器的制作工艺，工艺如下：

1)阴极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)绝缘层的制作：在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成绝缘层；

3)栅极引线层的制作：在绝缘层的上面制出金属层，刻蚀形成栅极引线层；

4)栅极升高一层的制作：在栅极引线层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高一层；

5)栅极升高二层的制作：在栅极升高一层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高二层；

6)栅极管制层的制作：在栅极升高二层的侧面以及栅极升高一层的上表面上制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极管制层；

7)间隔层[7]的制作：在栅极升高二层的上顶面、栅极管制层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成间隔层；

8)阴极过渡层的制作：在间隔层中空倒置圆台孔的底面和侧面上制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极过渡层；

9)阴极导电层的制作：在阴极过渡层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层；

10)阴极引线层的制作：在间隔层上表面上制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；

11)阴极覆盖层的制作：在阴极引线层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成阴极覆盖层；

12)侧栅控圆台面阴极型发射结构的表面清洁处理：对侧栅控圆台面阴极型发射结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

13)碳纳米管的制备：将碳纳米管制备在阴极导电层上面；

14)阳极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

15)阳极导电层的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

16)绝缘浆料层的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

17)荧光粉层的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

18)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构和四周玻璃围框[18]装配到一起，将消气剂放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；

20)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤16具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)。

所述步骤17具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)。

所述步骤19具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

本发明具有如下的积极效果：

首先，在所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构中，将碳纳米管制备在了阴极导电层的上面，而阴极导电层则是制作在了中空倒置圆台面的内表面上。增加了碳纳米管阴极的电子发射面积，使得更多的碳纳米管阴极都能够发射出大量的电子，有助于提高器件的显示图像质量；将栅极结构和阴极结构高度集成到一起，有助于促进整体器件的高度集成化发展。

其次，在所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构中，制作了中心栅极控制结构，即将碳纳米管阴极环绕在栅极结构的周围。当在栅极上施加适当电压以后，就会在碳纳米管阴极表面顶端形成强大的电场强度，迫使碳纳米管发射出大量的电子，体现了栅极结构的强有力控制功能。由于栅极结构被间隔层所覆盖，不能够对从碳纳米管阴极所发射的电子束进行截留，减小了栅极电流；栅极结构呈现弧形形状，能够从碳纳米管阴极的侧面和底面均匀的将外界电压施加给碳纳米管阴极，确保整体器件发光的均匀性和稳定性。

此外，在所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构中，并没有采用特殊的结构制作材料，也没有采用特殊的器件制作工艺，这在很大程度上就进一步降低了整体平板显示器件的制作成本，简化了器件的制作过程，能够进行大面积的器件制作，有利于进行商业化的大规模生产。

附图说明

图1给出了侧栅控圆台面阴极型发射结构的纵向结构示意图；

图2给出了侧栅控圆台面阴极型发射结构的横向结构示意图；

图3给出了带有侧栅控圆台面阴极型发射结构的、碳纳米管场致发射平面显示器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明，但并不局限于这些实施例。

所述的一种带有侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板[13]、阴极玻璃面板[1]和四周玻璃围框[18]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[14]以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层[16]；在阴极玻璃面板上有阴极引线层[10]、碳纳米管[12]以及侧栅控圆台面阴极型发射结构；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[17]以及消气剂[19]附属元件。

所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构包括阴极玻璃面板[1]、绝缘层[2]、栅极引线层[3]、栅极升高一层[4]、栅极升高二层[5]、栅极管制层[6]、间隔层[7]、阴极过渡层[8]、阴极导电层[9]、阴极引线层[10]、阴极覆盖层[11]和碳纳米管[12]部分。

所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构的衬底材料为玻璃，如钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上的印刷的绝缘浆料层形成绝缘层；绝缘层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层；栅极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成栅极升高一层；栅极升高一层呈现一个圆台面型形状，即栅极升高一层的底面为圆盘面型形状，其直径最大，栅极升高一层的上顶面也为圆盘面型形状，其直径要比下底面的直径小，栅极升高一层的侧面形成一个倾斜面；栅极升高一层上面的印刷的绝缘浆料层形成栅极升高二层；栅极升高二层呈现倒置的圆台面型形状，即栅极升高二层的上表面为圆盘面型形状，下表面也为圆盘面型形状，下表面的圆盘面型形状直径要小于上表面圆盘面型形状的直径，侧面形成略向内凹陷的弧形面；栅极升高二层坐落于栅极升高一层的上面，栅极升高二层的下表面和栅极升高一层的上表面紧密接触；栅极升高二层的侧面以及栅极升高一层的上表面上的刻蚀后的金属层形成栅极管制层；栅极管制层布满栅极升高一层的上表面以及栅极升高二层的侧面，在栅极升高二层的上顶面没有栅极管制层；栅极管制层和底部的栅极引线层是相互连通的；栅极升高二层上顶面的以及栅极管制层上面的印刷的绝缘浆料层形成间隔层；间隔层要完全覆盖住栅极升高二层的上顶面、栅极管制层的表面、栅极引线层以及空余的绝缘层部分；间隔层的上表面为平面，间隔层中存在中空倒置圆台孔，环绕在栅极管制层的周围；间隔层中空倒置圆台孔的下底面为平面，其平面高度要高于栅极升高一层的上表面高度；中空倒置圆台孔在间隔层上表面的截面为中空的圆型面，此处的直径要大于中空倒置圆台孔下表面的直径，其侧面形成一个倾斜面；间隔层的高度不能超过栅极升高二层的高度；间隔层中空倒置圆台孔的底面和侧面上的刻蚀后的金属层形成阴极过渡层；阴极过渡层上面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层；间隔层上表面上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层、阴极过渡层和阴极导电层都是相互连通的；阴极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成阴极覆盖层；碳纳米管制备在阴极导电层的上面。

所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上；栅极引线层为金属金、银、铝、钼、铬；栅极管制层为金属金、银、铝、钼、铬、锡；阴极引线层的走向和栅极引线层的走向相互垂直；阴极引线层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铅、铟；阴极过渡层为金属金、银、铝、钼、铬、锡；阴极导电层为金属铁、钴、镍。

一种侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器的制作工艺，工艺如下：

1)阴极玻璃面板[1]的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)绝缘层[2]的制作：在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成绝缘层；

3)栅极引线层[3]的制作：在绝缘层的上面制备出一个金属铬层，刻蚀后形成栅极引线层；

4)栅极升高一层[4]的制作：在栅极引线层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高一层；

5)栅极升高二层[5]的制作：在栅极升高一层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高二层；

6)栅极管制层[6]的制作：在栅极升高二层的侧面以及栅极升高一层的上表面上制备出一个金属铬层，刻蚀后形成栅极管制层；

7)间隔层[7]的制作：在栅极升高二层的上顶面、栅极管制层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成间隔层；

8)阴极过渡层[8]的制作：在间隔层中空倒置圆台孔的底面和侧面上制备出一个金属钼层，刻蚀后形成阴极过渡层；

9)阴极导电层[9]的制作：在阴极过渡层的上面制备出一个金属钴层，刻蚀后形成阴极导电层；

10)阴极引线层[10]的制作：在间隔层上表面上制备出一个金属钼层，刻蚀后形成阴极引线层；

11)阴极覆盖层[11]的制作：在阴极引线层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成阴极覆盖层；

12)侧栅控圆台面阴极型发射结构的表面清洁处理：对侧栅控圆台面阴极型发射结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

13)碳纳米管[12]的制备：将碳纳米管制备在阴极导电层上面；

14)碳纳米管的后处理：对碳纳米管进行后处理，改善场致发射特性；

15)阳极玻璃面板[13]的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

16)阳极导电层[14]的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

17)绝缘浆料层[15]的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

18)荧光粉层[16]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

19)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[17]和四周玻璃围框[18]装配到一起，并将消气剂[19]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

20)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤17具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)。

所述步骤18具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)。

所述步骤20具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

Claims (6)

1、一种侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板(13)、阴极玻璃面板(1)和四周玻璃围框(18)构成的密封真空腔；设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层(14)以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层(16)；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构(17)以及消气剂附属元件(19)；其特征在于：

在阴极玻璃面板上设置有阴极引线层(10)、碳纳米管(12)以及侧栅控圆台面阴极型发射结构；

所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构的衬底材料为钠钙玻璃或硼硅玻璃，也就是衬底材料为阴极玻璃面板；阴极玻璃面板上的印刷的绝缘浆料层形成绝缘层；绝缘层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层；栅极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成栅极升高一层；栅极升高一层呈现一个圆台面型形状，即栅极升高一层的底面为圆盘面型形状，其直径最大，栅极升高一层的上顶面也为圆盘面型形状，其直径要比下底面的直径小，栅极升高一层的侧面形成一个倾斜面；栅极升高一层上面的印刷的绝缘浆料层形成栅极升高二层；栅极升高二层呈现倒置的圆台面型形状，即栅极升高二层的上表面为圆盘面型形状，下表面也为圆盘面型形状，下表面的圆盘面型形状直径要小于上表面圆盘面型形状的直径，侧面形成略向内凹陷的弧形面；栅极升高二层坐落于栅极升高一层的上面，栅极升高二层的下表面和栅极升高一层的上表面紧密接触；栅极升高二层的侧面以及栅极升高一层的上表面上的刻蚀后的金属层形成栅极管制层；栅极管制层布满栅极升高一层的上表面以及栅极升高二层的侧面，在栅极升高二层的上顶面没有栅极管制层；栅极管制层和底部的栅极引线层是相互连通的；栅极升高二层上顶面的以及栅极管制层上面的印刷的绝缘浆料层形成间隔层；间隔层要完全覆盖住栅极升高二层的上顶面、栅极管制层的表面、栅极引线层以及空余的绝缘层部分；间隔层的上表面为平面，间隔层中存在中空倒置圆台孔，环绕在栅极管制层的周围；间隔层中空倒置圆台孔的下底面为平面，其平面高度要高于栅极升高一层的上表面高度；中空倒置圆台孔在间隔层上表面的截面为中空的圆型面，此处的直径要大于中空倒置圆台孔下表面的直径，其侧面形成一个倾斜面；间隔层的高度不能超过栅极升高二层的高度；间隔层中空倒置圆台孔的底面和侧面上的刻蚀后的金属层形成阴极过渡层；阴极过渡层上面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层；间隔层上表面上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层；阴极引线层、阴极过渡层和阴极导电层都是相互连通的；阴极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成阴极覆盖层；碳纳米管制备在阴极导电层的上面。

2、根据权利要求1所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器，其特征在于：所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上；栅极引线层为金属金、银、铝、钼、铬之一；栅极管制层为金属金、银、铝、钼、铬、锡之一；阴极引线层的走向和栅极引线层的走向相互垂直；阴极引线层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铅、铟之一；阴极过渡层为金属金、银、铝、钼、铬、锡之一；阴极导电层为金属铁、钴、镍之一。

3、一种侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板(1)的制作：对整体平板玻璃划割，制出阴极玻璃面板；

2)绝缘层(2)的制作：在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成绝缘层；

3)栅极引线层(3)的制作：在绝缘层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极引线层；

4)栅极升高一层(4)的制作：在栅极引线层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高一层；

5)栅极升高二层(5)的制作：在栅极升高一层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高二层；

6)栅极管制层(6)的制作：在栅极升高二层的侧面以及栅极升高一层的上表面上制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极管制层；

7)间隔层(7)的制作：在栅极升高二层的上顶面、栅极管制层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成间隔层；

8)阴极过渡层(8)的制作：在间隔层中空倒置圆台孔的底面和侧面上制备出一个金属钼层，刻蚀后形成阴极过渡层；

9)阴极导电层(9)的制作：在阴极过渡层的上面制备出金属层，刻蚀后形成阴极导电层；

10)阴极引线层(10)的制作：在间隔层上表面上制备出金属层，刻蚀后形成阴极引线层；

11)阴极覆盖层(11)的制作：在阴极引线层的上面印刷绝缘浆料层，经烘烤、烧结工艺后形成阴极覆盖层；

12)侧栅控圆台面阴极型发射结构的表面清洁处理：对侧栅控圆台面阴极型发射结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

13)碳纳米管(12)的制备：将碳纳米管制备在阴极导电层上面；

14)阳极玻璃面板(13)的制作：对整体平板玻璃划割，制出阳极玻璃面板；

15)阳极导电层(14)的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

16)绝缘浆料层(15)的制作：在阳极导电层非显示区域印刷绝缘浆料层；

17)荧光粉层(16)的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

18)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构(17)和四周玻璃围框(18)装到一起，将消气剂(19)放入空腔中，用低熔点玻璃粉固定；

19)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

4、根据权利要求3所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤16具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

5、根据权利要求3所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤17具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

6、根据权利要求3所述的侧栅控圆台面阴极型发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤19具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

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