CN100561650C - 分支控倒拱阴极型结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种分支控倒拱阴极型结构的平板显示器及其制作工艺,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件;在阴极玻璃面板上有栅极引线层、碳纳米管以及分支控倒拱阴极型结构;能够提高碳纳米管阴极的电子发射面积和电子发射效率,降低栅极电压,具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。
Description
技术领域
本发明属于平板显示技术领域、微电子科学与技术领域、真空科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域,涉及到平板场致发射显示器的器件制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容,特别涉及一种分支控倒拱阴极型结构的平板显示器及其制作工艺。
背景技术
碳纳米管阴极的场致发射显示器件是一种新型的平板显示设备,在显示原理上它融合了阴极射线管显示器与液晶显示器二者的优势,并在功耗、显示品质以及成本等方面表现更佳,也是一种新兴的平面显示技术的具体体现。碳纳米管是一种呈卷曲状的石墨层结构,其直径在几十或十几纳米的数量级,因此具有更小的尖端曲率半径,在外加电场强度的作用下能够发射大量电子,而碳纳米管阴极场致发射显示器也就是充分利用了碳纳米管的这一原理而进行研制成功的,早已引起了众多科研人员的高度关注。
为了降低总体器件成本,以便于和常规的集成驱动电路相联系,制作三极结构的场致发射显示器件已经成为了一种必然的选择。然而当增加了栅极结构以后也会带来了制作工艺更加复杂等不利的影响。在目前所报道的三极场致发射显示器件当中,大多都采用了栅极结构位于碳纳米管阴极结构上方的控制模式,也就都存在着栅极电压过高以致还难以和常规的集成电路相联系、碳纳米管阴极的发射效率不高、栅极电流过于偏大等缺点,还需要进一步的改进。由于栅极结构位于碳纳米管阴极的上方,因此碳纳米管阴极所发射的电子束必须要在通过栅极结构之后才能够以更高的速度对阳极荧光粉层进行轰击,受到栅极正电压的影响,部分电子必然要被栅极所截留,也就是栅极电流过于偏大的主要原因。同时,受到栅极制作工艺的影响,碳纳米管阴极的电子发射面积难以增大,电子发射效率也不高,这会对器件显示亮度低造成影响。而这些问题都需众多科研人员认真的加以思考和解决。此外,在三极结构的平板场致发射显示器件中,在确保栅极结构对碳纳米管阴极具有良好控制作用前提下,还需降低总体器件成本,进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的分支控倒拱阴极型结构的平板显示器及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件;在阴极玻璃面板上有栅极引线层、碳纳米管以及分支控倒拱阴极型结构。
所述的分支控倒拱阴极型结构的衬底材料为玻璃,如钠钙玻璃、硼硅玻璃,也就是阴极玻璃面板;阴极玻璃面板上的印刷的绝缘浆料层形成阻滞层;阻滞层上面刻蚀后的金属层形成栅极引线层;栅极引线层上面印刷的绝缘浆料层形成栅极升高层;栅极升高层上下表面均为平面,下表面要覆盖住栅极引线层以及空余的阻滞层部分;栅极升高层中存在圆型孔,即此圆型孔在栅极升高层的上表面所形成的截面为一个中空的圆面形状,圆型孔的内侧壁分为两部分,下部分圆型孔的内侧壁是垂直于阴极玻璃面板的圆筒面,上部分圆型孔内侧壁则是一个环绕的斜坡面,从栅极升高层的上表面开始,此处圆型孔的直径最大,依次逐渐向下倾斜,直至到达下部分圆筒面的上顶端位置为止,形成一个倾斜面,类似于倒置的圆台面形状;栅极升高层中圆型孔的底部要暴露出栅极引线层;栅极升高层中圆型孔下部分内侧壁上刻蚀后的金属层形成栅极延长线层;栅极延长线层和底部的栅极引线层相互连通;栅极升高层中圆型孔上部分斜坡面内侧壁上的刻蚀后的金属层形成调控栅极一层;调控栅极一层布满圆型孔上部分斜坡面内侧壁上,并和栅极延长线层是相互连通的;栅极升高层圆型孔中印刷的绝缘浆料层形成提升层;提升层分为两部分,提升层的下部分呈现圆柱体型形状,要填充满栅极升高层圆型孔的下部分,提升层的上部分也是呈现一个斜坡面形状,但是和栅极升高层圆型孔斜坡面的方向相对称;提升层上部分斜坡面上刻蚀后的金属层形成调控栅极二层;调控栅极二层要布满提升层上部分斜坡面上,并和调控栅极一层是相互连通的;栅极升高层上面的印刷的绝缘浆料层形成间隔一层;间隔一层上下表面均为平面,下表面完全覆盖栅极升高层上表面;调控栅极一层和调控栅极二层上面的印刷的绝缘浆料层形成间隔二层;间隔二层上表面和间隔一层上表面相平齐,并相互连接在一起;间隔二层的下表面覆盖调控栅极一层和调控栅极二层;间隔二层呈现环型形状位于调控栅极一层和调控栅极二层中间的上面;间隔二层中存在一个倒置圆台孔,即此倒置圆台孔的截面为倒置梯形,长边位于间隔二层的上表面上,短边形成底部,两侧斜边形成斜坡面,其倾斜度分别与调控栅极一层和栅极调控栅极二层的倾斜度相对应;间隔二层中倒置圆台孔内部刻蚀后的金属层形成阴极过渡层;阴极过渡层布满间隔二层中倒置圆台孔的整个内侧壁,包括侧面和底面部分;阴极过渡层上面刻蚀后的金属层形成阴极导电层;间隔一层上表面刻蚀后的金属层形成阴极引线层;阴极引线层和阴极过渡层、阴极导电层相互连通;阴极引线层上面印刷的绝缘浆料层形成阴极覆盖层;碳纳米管制备在阴极导电层上面。
所述的分支控倒拱阴极型结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上;栅极引线层为金属金、银、铝、钼、铬;栅极延长线层为金属金、银、钼、铬、铝、铜、锡;调控栅极一层为金属金、银、铝、钼、铬、锡;调控栅极二层为金属金、银、铝、钼、铬、锡;阴极引线层的走向和栅极引线层的走向相互垂直;阴极引线层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铅、铟;阴极过渡层为金属金、银、铝、钼、铬、锡、铜;阴极导电层为金属铁、钴、镍。
一种分支控倒拱阴极型结构的平板显示器的制作工艺,其制作工艺如下:
1)阴极玻璃面板的制作:对整体平板玻璃进行划割,制作出阴极玻璃面板;
2)阻滞层的制作:在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成阻滞层;
3)栅极引线层的制作:在阻滞层上面制出金属层,刻蚀后形成栅极引线层;
4)栅极升高层的制作:在栅极引线层上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高层;
5)栅极延长线层的制作:在栅极升高层圆型孔下部分内侧壁上制备出一个金属层,刻蚀后形成栅极延长线层;
6)调控栅极一层的制作:在栅极升高层圆型孔上部分内侧壁上制备出一个金属层,刻蚀后形成调控栅极一层;
7)提升层的制作:在栅极升高层圆型孔中印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成提升层;
8)调控栅极二层的制作:在提升层上部分斜坡面上制备出一个金属层,刻蚀后形成调控栅极二层;
9)间隔一层的制作:在栅极升高层上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成间隔一层;
10)间隔二层的制作:在调控栅极一层和调控栅极二层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成间隔二层;
11)阴极过渡层的制作:在间隔二层倒置圆台孔中制备出金属层,刻蚀后形成阴极过渡层;
12)阴极导电层制作:在阴极过渡层上面制金属层,刻蚀形成阴极导电层;
13)阴极引线层的制作:在间隔一层的上表面上制备出一个金属层,刻蚀后形成阴极引线层;
14)阴极覆盖层的制作:在阴极引线层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成阴极覆盖层;
15)分支控倒拱阴极型结构的表面清洁处理:对分支控倒拱阴极型结构的表面进行清洁处理,除掉杂质和灰尘;
16)碳纳米管的制备:将碳纳米管制备在阴极导电层上面;
17)阳极玻璃面板的制作:对整体平板玻璃进行划割,制作出阳极玻璃面板;
18)阳极导电层的制作:在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层;刻蚀后形成阳极导电层;
19)绝缘浆料层的制作:在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层;
20)荧光粉层的制作:在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层;
21)器件装配:将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构和四周玻璃围框装配到一起,并将消气剂放入到空腔当中,用低熔点玻璃粉固定;
22)成品制作:对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。
所述步骤19具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层,用于防止寄生电子发射;经过烘烤,烘烤温度:150℃,保持时间:5分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟。
所述步骤20具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层;在烘箱当中进行烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟。
所述步骤22具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺:将样品器件放入烘箱当中进行烘烤;放入烧结炉当中进行烧结;在排气台上进行器件排气、封离,在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。
本发明具有如下的积极效果:
首先,在所述的分支控倒拱阴极型结构中,将栅极结构制作在了碳纳米管阴极结构斜下方。当在栅极引线层上施加适当电压以后,栅极引线层会通过栅极延长线层将电压传递到调控栅极一层和调控栅极二层上面,而调控栅极一层和调控栅极二层是专门负责控制碳纳米管阴极电子发射的,会在碳纳米管阴极表面顶端形成强大的电场强度,使碳纳米管发射出大量的电子,体现了栅极结构强大控制功能。由于栅极结构位于碳纳米管阴极结构下方,从碳纳米管阴极所发射的电子束不会受到栅极结构的截留,极大地减小了栅极的工作电流。
其次,在所述的分支控倒拱阴极型结构中,将碳纳米管制备在阴极导电层上面。增加了碳纳米管阴极的电子发射面积,使更多的碳纳米管阴极参与电子发射,有利于提高器件阳极工作电流。由于栅极结构末端可以接近于碳纳米管阴极,因此可以缩短二者之间的距离,降低了栅极结构的工作电压。将栅极结构和阴极结构高度集成到一起,有助于促进整体器件的高度集成化发展;
此外,在所述分支控倒拱阴极型结构中,并没采用特殊的结构制作材料,也没采用特殊的器件制作工艺,进一步降低了整体平板显示器件的制作成本,简化了器件的制作过程,能进行大面积器件制作,利于进行商业化大规模生产。
附图说明
图1给出了分支控倒拱阴极型结构的纵向结构示意图;
图2给出了分支控倒拱阴极型结构的横向结构示意图;
图3给出了带有分支控倒拱阴极型结构发射结构平面显示器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明,但并不局限于这些实施例。
本发明包括由阳极玻璃面板[16]、阴极玻璃面板[1]和四周玻璃围框[21]所构成的密封真空腔;设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层[17]以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层[19];位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[20]以及消气剂附属元件[22];在阴极玻璃面板上有栅极引线层[3]、碳纳米管[15]以及分支控倒拱阴极型结构。
所述的分支控倒拱阴极型结构包括阴极玻璃面板[1]、阻滞层[2]、栅极引线层[3]、栅极升高层[4]、栅极延长线层[5]、调控栅极一层[6]、提升层[7]、调控栅极二层[8]、间隔一层[9]、间隔二层[10]、阴极过渡层[11]、阴极导电层[12]、阴极引线层[13]、阴极覆盖层[14]和碳纳米管[15]部分。
所述的分支控倒拱阴极型结构的衬底材料为玻璃,如钠钙玻璃、硼硅玻璃,也就是阴极玻璃面板;阴极玻璃面板上的印刷的绝缘浆料层形成阻滞层;阻滞层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层;栅极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成栅极升高层;栅极升高层的上下表面均为平面,下表面要覆盖住栅极引线层以及空余的阻滞层部分;栅极升高层中存在圆型孔,即此圆型孔在栅极升高层的上表面所形成的截面为一个中空的圆面形状,圆型孔的内侧壁分为两部分,下部分圆型孔的内侧壁垂直于阴极玻璃面板的圆筒面,上部分圆型孔的内侧壁则是一个环绕的斜坡面,从栅极升高层的上表面开始,此处的圆型孔直径最大,依次逐渐向下倾斜,直至到达下部分圆筒面的上顶端位置为止,形成一个倾斜面,类似于倒置的圆台面形状;栅极升高层中圆型孔底部暴露出栅极引线层;栅极升高层中圆型孔下部分内侧壁上刻蚀后的金属层形成栅极延长线层;栅极延长线层和底部的栅极引线层相互连通;栅极升高层中圆型孔上部分斜坡面内侧壁上刻蚀后的金属层形成调控栅极一层;调控栅极一层布满圆型孔上部分斜坡面内侧壁上,并和栅极延长线层相互连通;栅极升高层圆型孔中印刷的绝缘浆料层形成提升层;提升层分为两部分,提升层下部分呈现圆柱体型形状,填充满栅极升高层圆型孔的下部分,提升层上部分呈现斜坡面形状,但是和栅极升高层圆型孔斜坡面方向相对称;提升层上部分斜坡面上刻蚀后的金属层形成调控栅极二层;调控栅极二层要布满提升层上部分斜坡面上,并和调控栅极一层相互连通;栅极升高层上面的印刷的绝缘浆料层形成间隔一层;间隔一层上下表面均为平面,下表面覆盖栅极升高层的上表面;调控栅极一层和调控栅极二层上面印刷的绝缘浆料层形成间隔二层;间隔二层上表面和间隔一层的上表面相平齐,并相互连接在一起;间隔二层下表面完全覆盖调控栅极一层和调控栅极二层;间隔二层呈现环型形状位于调控栅极一层和调控栅极二层中间的上面;间隔二层中存在一个倒置圆台孔,即此倒置圆台孔的截面为倒置梯形,长边位于间隔二层的上表面上,短边形成底部,两侧斜边形成斜坡面,其倾斜度分别与调控栅极一层和栅极调控栅极二层的倾斜度相对应;间隔二层中倒置圆台孔内部刻蚀后的金属层形成阴极过渡层;阴极过渡层布满间隔二层中倒置圆台孔的整个内侧壁,包括侧面和底面部分;阴极过渡层上面刻蚀后的金属层形成阴极导电层;间隔一层上表面刻蚀后的金属层形成阴极引线层;阴极引线层和阴极过渡层、阴极导电层都相互连通;阴极引线层上面印刷的绝缘浆料层形成阴极覆盖层;碳纳米管制备在阴极导电层上面。
所述的分支控倒拱阴极型结构安装固定在阴极玻璃面板上;栅极引线层为金属金、银、铝、钼、铬;栅极延长线层为金属金、银、钼、铬、铝、铜、锡;调控栅极一层为金属金、银、铝、钼、铬、锡;调控栅极二层为金属金、银、铝、钼、铬、锡;阴极引线层的走向和栅极引线层的走向相互垂直;阴极引线层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铅、铟;阴极过渡层为金属金、银、铝、钼、铬、锡、铜;阴极导电层为金属铁、钴、镍。
一种分支控倒拱阴极型结构的平板显示器的制作工艺,其制作工艺如下:
1)阴极玻璃面板[1]的制作:对平板钠钙玻璃划割,制出阴极玻璃面板;
2)阻滞层[2]的制作:在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成阻滞层;
3)栅极引线层[3]的制作:在阻滞层上面制备出一个金属铬层,刻蚀后形成栅极引线层;
4)栅极升高层[4]的制作:在栅极引线层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高层;
5)栅极延长线层[5]的制作:在栅极升高层圆型孔下部分内侧壁上制备出一个金属铬层,刻蚀后形成栅极延长线层;
6)调控栅极一层[6]的制作:在栅极升高层圆型孔上部分内侧壁上制备出一个金属铬层,刻蚀后形成调控栅极一层;
7)提升层[7]的制作:在栅极升高层圆型孔中印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成提升层;
8)调控栅极二层[8]的制作:在提升层上部分斜坡面上制备出一个金属铬层,刻蚀后形成调控栅极二层;
9)间隔一层[9]的制作:在栅极升高层上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成间隔一层;
10)间隔二层[10]的制作:在调控栅极一层和调控栅极二层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成间隔二层;
11)阴极过渡层[11]的制作:在间隔二层倒置圆台孔中制备出一个金属钼层,刻蚀后形成阴极过渡层;
12)阴极导电层[12]的制作:在阴极过渡层的上面制备出一个金属镍层,刻蚀后形成阴极导电层;
13)阴极引线层[13]的制作:在间隔一层的上表面上制备出一个金属钼层,刻蚀后形成阴极引线层;
14)阴极覆盖层[14]的制作:在阴极引线层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成阴极覆盖层;
15)分支控倒拱阴极型结构的表面清洁处理:对分支控倒拱阴极型结构的表面进行清洁处理,除掉杂质和灰尘;
16)碳纳米管[15]的制备:将碳纳米管制备在阴极导电层上面;
17)碳纳米管的后处理:对碳纳米管进行后处理,改善场致发射特性;
18)阳极玻璃面板[16]的制作:对平板钠钙玻璃划割,制作出阳极玻璃面板;
19)阳极导电层[17]的制作:在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层;刻蚀后形成阳极导电层;
20)绝缘浆料层[18]的制作:在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层;
21)荧光粉层[19]的制作:在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层;
22)器件装配:将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[20]和四周玻璃围框[21]装配到一起,并将消气剂[22]放入到空腔当中,用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉,用夹子固定;
23)成品制作:对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。
所述步骤20具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层,用于防止寄生电子发射;经过烘烤(烘烤温度:150℃,保持时间:5分钟)之后,放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度:580℃,保持时间:10分钟)。
所述步骤21具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层;在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟)。
所述步骤23具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺:将样品器件放入烘箱当中进行烘烤;放入烧结炉当中进行烧结;在排气台上进行器件排气、封离,在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。
Claims (6)
1、一种分支控倒拱阴极型结构的平板显示器,包括由阳极玻璃面板[16]、阴极玻璃面板[1]和四周玻璃围框[21]所构成的密封真空腔;设置在阳极玻璃面板上的阳极导电层[17]以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层[19];位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[20]以及消气剂[22]附属元件;其特征在于:
所述平板显示器包括分支控倒拱阴极型结构,所述分支控倒拱阴极型结构的衬底材料为阴极玻璃面板,所述阴极玻璃面板为钠钙玻璃或硼硅玻璃,阴极玻璃面板上印刷的绝缘浆料层形成阻滞层,阻滞层上面的刻蚀后的金属层形成栅极引线层;栅极引线层上面印刷的绝缘浆料层形成栅极升高层;栅极升高层上下表面均为平面,下表面覆盖栅极引线层以及空余的阻滞层部分;栅极升高层中存在圆型孔,即此圆型孔在栅极升高层的上表面所形成的截面为一个中空的圆面形状,圆型孔的内侧壁分为两部分,下部分圆型孔的内侧壁是垂直于阴极玻璃面板的圆筒面,上部分圆型孔的内侧壁则是一个环绕的斜坡面,从栅极升高层的上表面开始,此圆型孔的直径最大,依次逐渐向下倾斜,直至到达下部分圆筒面的上顶端位置为止,形成一个倾斜面,类似于倒置的圆台面形状;栅极升高层中圆型孔的底部要暴露出栅极引线层;栅极升高层中圆型孔下部分内侧壁上的刻蚀后的金属层形成栅极延长线层;栅极延长线层和底部的栅极引线层相互连通;栅极升高层中圆型孔上部分斜坡面内侧壁上的刻蚀后的金属层形成调控栅极一层;调控栅极一层布满圆型孔上部分斜坡面内侧壁上,并且和栅极延长线层相互连通;栅极升高层圆型孔中印刷的绝缘浆料层形成提升层;提升层分为两部分,提升层的下部分呈现圆柱体型形状,要填充满栅极升高层圆型孔的下部分,提升层的上部分也呈现一个斜坡面形状,但和栅极升高层圆型孔斜坡面的方向相对称;提升层上部分斜坡面上刻蚀后的金属层形成调控栅极二层;调控栅极二层要布满提升层上部分斜坡面上,并和调控栅极一层相互连通;栅极升高层上面印刷的绝缘浆料层形成间隔一层;间隔一层上下表面均为平面,下表面完全覆盖栅极升高层的上表面;调控栅极一层和调控栅极二层上面印刷的绝缘浆料层形成间隔二层;间隔二层上表面和间隔一层上表面相平齐,并相互连接在一起;间隔二层的下表面完全覆盖调控栅极一层和调控栅极二层;间隔二层呈现环型形状位于调控栅极一层和调控栅极二层中间的上面;间隔二层中存在一个倒置圆台孔,即此倒置圆台孔的截面为倒置梯形,长边位于间隔二层的上表面上,短边形成底部,两侧斜边形成斜坡面,其倾斜度分别与调控栅极一层和调控栅极二层的倾斜度是相对应的;间隔二层中倒置圆台孔内部的刻蚀后的金属层形成阴极过渡层;阴极过渡层布满间隔二层中倒置圆台孔的整个内侧壁,包括侧面和底面部分;阴极过渡层上面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层;间隔一层上表面的刻蚀后的金属层形成阴极引线层;阴极引线层和阴极过渡层、阴极导电层都是相互连通的;阴极引线层上面的印刷的绝缘浆料层形成阴极覆盖层;碳纳米管制备在阴极导电层的上面。
2、根据权利要求1所述的分支控倒拱阴极型结构的平板显示器,其特征在于:栅极引线层为金属金、银、铝、钼、铬;栅极延长线层为金属金、银、钼、铬、铝、铜、锡;调控栅极一层为金属金、银、铝、钼、铬、锡;调控栅极二层为金属金、银、铝、钼、铬、锡;阴极引线层的走向和栅极引线层走向相互垂直;阴极引线层为金属金、银、铜、铝、钼、铬、锡、铅、铟;阴极过渡层为金属金、银、铝、钼、铬、锡、铜;阴极导电层为金属铁、钴、镍。
3、一种如权利要求1所述的分支控倒拱阴极型结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于,其制作工艺如下:
1)阴极玻璃面板[1]的制作:对整体平板玻璃划割,制出阴极玻璃面板;
2)阻滞层[2]的制作:在阴极玻璃面板上印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成阻滞层;
3)栅极引线层[3]的制作:在阻滞层上面制出金属层,刻蚀形成栅极引线层;
4)栅极升高层[4]的制作:在栅极引线层上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成栅极升高层;
5)栅极延长线层[5]的制作:在栅极升高层圆型孔下部分内侧壁上制备出一个金属层,刻蚀后形成栅极延长线层;
6)调控栅极一层[6]的制作:在栅极升高层圆型孔上部分内侧壁上制备出一个金属层,刻蚀后形成调控栅极一层;
7)提升层[7]的制作:在栅极升高层圆型孔中印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成提升层;
8)调控栅极二层[8]的制作:在提升层上部分斜坡面上制备出一个金属层,刻蚀后形成调控栅极二层;
9)间隔一层[9]的制作:在栅极升高层上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成间隔一层;
10)间隔二层[10]的制作:在调控栅极一层和调控栅极二层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成间隔二层;
11)阴极过渡层[11]的制作:在间隔二层倒置圆台孔中制备出一个金属层,刻蚀后形成阴极过渡层;
12)阴极导电层[12]的制作:在阴极过渡层的上面制备出一个金属层,刻蚀后形成阴极导电层;
13)阴极引线层[13]的制作:在间隔一层的上表面上制备出一个金属层,刻蚀后形成阴极引线层;
14)阴极覆盖层[14]的制作:在阴极引线层的上面印刷绝缘浆料层,经烘烤、烧结工艺后形成阴极覆盖层;
15)分支控倒拱阴极型结构的表面清洁处理:对上述步骤中制作的所述分支控倒拱阴极型结构的各部分的表面进行清洁处理,除掉杂质和灰尘;
16)碳纳米管[15]的制备:将碳纳米管制备在阴极导电层上面;
17)阳极玻璃面板[16]的制作:对整体平板玻璃划割,制出阳极玻璃面板;
18)阳极导电层[17]的制作:在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层;刻蚀后形成阳极导电层;
19)绝缘浆料层[18]的制作:在阳极导电层非显示区域印刷绝缘浆料层;
20)荧光粉层[19]的制作:在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层;
21)器件装配:将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[20]和四周玻璃围框[21]装配到一起,并将消气剂[22]放入到空腔当中,用低熔点玻璃粉固定;
22)成品制作:对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。
4、根据权利要求3所述的分支控倒拱阴极型结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于:所述步骤19具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层,用于防止寄生电子发射;经过烘烤,烘烤温度:150℃,保持时间:5分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟。
5、根据权利要求3所述的分支控倒拱阴极型结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于:所述步骤20具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层;在烘箱当中进行烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟。
6、根据权利要求3所述的分支控倒拱阴极型结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于:所述步骤22具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺:将样品器件放入烘箱当中进行烘烤;放入烧结炉当中进行烧结;在排气台上进行器件排气、封离,在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。
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